JP2002310959A - 電子線分析装置 - Google Patents

電子線分析装置

Info

Publication number
JP2002310959A
JP2002310959A JP2001117011A JP2001117011A JP2002310959A JP 2002310959 A JP2002310959 A JP 2002310959A JP 2001117011 A JP2001117011 A JP 2001117011A JP 2001117011 A JP2001117011 A JP 2001117011A JP 2002310959 A JP2002310959 A JP 2002310959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
electron beam
analysis
glow discharge
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001117011A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigehiro Mitamura
茂宏 三田村
Koji Hayashi
広司 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2001117011A priority Critical patent/JP2002310959A/ja
Publication of JP2002310959A publication Critical patent/JP2002310959A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】バルク試料を3次元分析する。 【解決手段】分析室3の内部には試料Sに照射するため
の電子ビームBを発生する電子線照射部4や試料から発
生するX線Rを分光して検出するX線分光検出部5、試
料から発生する電子Eを検出する電子検出部6などを備
えている。また、試料に電子ビームが照射される分析位
置P1の近傍にはグロー放電部8が配設されており、エ
ッチング位置P2とされている。この二つの位置の間で
試料Sを移動させるための試料ステージ7が設けられて
いる。P2で試料表面をエッチングした後にP1で面分
析することを繰り返すことによって試料の立体的な情報
分布を得るための3次元分析を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を試料に照
射して、この試料から放射される信号に基づいて試料表
面の分析を行う電子線分析装置に関する。電子線分析装
置としては二次電子顕微鏡(SEM)や電子線マイクロ
アナライザ(EPMA)、オージェ電子分析装置(AE
S)、反射形高エネルギー電子線回折装置(RHEE
D)、低エネルギー電子線回折装置(LEED)などが
含まれる。特に、細く絞られた電子ビームを試料表面上
で走査して試料表面の2次元的な分析すなわち面分析を
行うことのできる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、電子線分析装置の一種であるE
PMAでは、電子銃から発生した電子ビームを1kV程度
から数十kVの電圧で加速すると共に電磁レンズなどで細
く絞って試料表面に照射する。このとき試料からは試料
に含まれる元素に応じて特性X線や反射電子、二次電子
などが発生し、この各種の信号を検出しデータ処理を施
すことによって、試料に含まれる元素の種類や含まれる
濃度、化合形態や結晶状態などさまざまな情報を得るこ
とができる。
【0003】このような電子線分析装置では、通常、電
子ビームの進行方向を曲げるための偏向装置を備えてお
り、電子ビームを試料表面上で2次元的に走査すること
によって特定のある元素が試料表面上でどのように分布
しているかなどを知ることができる。このようなデータ
取得の手法は面分析と呼ばれており、電子線分析装置の
重要な機能の一つとなっている。例えば、ある元素の特
性X線を検出するように装置に付属しているX線分光器
を設定しておき、試料に照射される電子ビームの走査に
同期しながら表示装置であるCRTに特性X線の検出強
度を輝度として表示すれば、その元素の2次元的な分布
の様子がCRT上に明暗画像や色分け画像として表示さ
れる。
【0004】また、面分析は電子ビームを走査する方法
だけでなく、電子ビームは固定しておき試料を2次元的
に動かすことによって電子ビームの照射点を移動させる
ことによっても実行することができる。試料からの信号
すなわち分光された特性X線強度などを検出して制御装
置内のメモリに記憶しながら試料ステージによって試料
を2次元的に動かしていく。試料ステージの動きに伴っ
て電子ビームの照射される試料上の位置は次々に移り変
わっていくから、試料ステージの駆動量と検出された信
号の大きさを対応させて表示装置に表示すれば試料表面
上の信号分布を2次元的な図として表示することができ
る。
【0005】このような試料ステージを走査する方法は
比較的大きな面積の面分析を行うときに適しており、前
述の電子ビームを走査する方法は小さな面積をリアルタ
イム的に面分析することに適している。およその例をあ
げると、電子ビームを走査する方法では分析できる面積
はせいぜい1mm角程度の大きさが限度であるのに対
し、試料ステージを走査する方法では数mm角の大きさ
から最大では数十mm角程度の大きさの面分析も可能で
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】電子線分析装置は、試
料に照射される電子と試料に含まれる原子との相互作用
によって発生する信号を検出するものであるから、分析
される領域は試料内部への深さ方向では面分析で分析さ
れる面積と比較して非常に小さいものとなる。例えば、
EPMAにおけるX線分析では分析深さは通常1〜10
μm程度と言われており、面分析で分析される1mm角
から数mm角オーダーの面積とは比較にならないくらい
小さな値である。すなわち、従来の電子線分析装置で
は、分析対象をバルク試料としてみると試料表面の元素
分布などを測定しているだけであり、バルク試料の一部
の断面を分析しているにすぎないものであった。
【0007】一般的に、試料表面を分析するに当たって
試料の深さ方向についても元素分布などのデータを取得
したいという要求は存在しており、一部の複合表面分析
装置においては試料表面をエッチングするためのイオン
銃を備えるようにしてイオンエッチングしながら表面を
分析することが行われていた。しかしイオン銃によるエ
ッチングは極表面にある原子の層を少しづつ削っていく
というイメージに近いものであって、極めて小さいエッ
チング速度しか得られないものであった。2次元的な面
分析が行える電子線分析装置において、数μm程度の領
域を削りながら面分析を続行できる機構は実用化されて
おらず、バルク試料において比較的大きな深さ方向のデ
ータを含む3次元的分析を実現する手段が待たれてい
た。
【0008】また、試料最表面には汚れや酸化物などが
付着している場合が多いので、試料の最表面を取り除い
た表面の分析を行いたい場合もある。
【0009】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、バルク試料において比較的大きな深さ方向の
分布が測定できる電子線分析装置、すなわち2次元的な
面分析を試料の深さ方向に拡張して3次元的なマッピン
グデータを取得できる電子線分析装置を提供することを
目的とする。
【0010】さらに本発明は、バルク試料の最表面の層
を取り除いた表面の2次元的な分析の行える電子線分析
装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1にかかる本発明
は、上述した課題を解決するために、細く絞られた電子
ビームを試料表面に照射し試料から放射される信号に基
づいて試料表面の面分析を行う電子線分析装置おいて、
電子ビームを試料に照射する空間の近傍に試料表面を深
さ方向にエッチングするためのグロー放電部を備え、こ
のグロー放電部による試料表面のエッチングと前記試料
表面の面分析を交互に繰り返して試料の3次元分析を行
うことを特徴とする。
【0012】さらに請求項2にかかる本発明は、細く絞
られた電子ビームを試料表面に照射し試料から放射され
る信号に基づいて試料表面の面分析を行う電子線分析装
置おいて、電子ビームを試料に照射する空間の近傍に試
料表面を深さ方向にエッチングするためのグロー放電部
を備え、このグロー放電部による試料表面のエッチング
により試料表面を清浄にすることを特徴とする。
【0013】本発明の電子線分析装置においては、電子
ビームを用いて試料を分析する空間の近傍にグロー放電
部を備えたので、グロー放電部による試料表面のエッチ
ングと試料表面の面分析を交互に行うことができる。グ
ロー放電は比較的エッチング速度が速いので実用的な時
間内に数μmのオーダーで深さ方向にエッチングしてい
くことができる。すなわち試料を深さ方向に削りながら
面としてのデータを得ることができるので、このデータ
を組み合わせることによって立体的分布を示す3次元的
なデータとすることができる。
【0014】また、グロー放電部のエッチング作用によ
り試料の最表面を取り除けば、その下側にある汚れや酸
化物を取り除いた後の表面を面分析することができる。
【0015】なお、ここで面分析とは試料表面に存在す
る各種情報が2次元的な面として分布している様子を得
ることであり、試料を構成する元素の濃度分布、化合状
態の分布、結晶状態の分布などの測定を含んでいる。そ
して3次元分析とはこの面分析という言葉を立体的分布
の測定に拡張したものであって、試料内部に存在する各
種情報が3次元的な立体として分布している様子を得る
ことであり、試料を構成する元素の3次元濃度分布、化
合状態の3次元分布、結晶状態の3次元分布などの測定
を含んでいる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図面を参
照しながら説明する。図1に本発明の電子線分析装置の
概略図を示す。
【0017】電子線分析装置1は電子線を試料に照射し
ながら試料に含まれる元素に由来する各種信号を検出し
て定性分析・定量分析などを行う。電子線を扱うことか
ら装置内部は高真空に排気されている必要があるので、
通常、大気中から試料を装置内部に入れるためのインタ
ーフェース部分である試料導入部2を備え、この試料導
入部2を介して試料は実際の分析を行う分析室3に導入
される。
【0018】分析室1の内部には試料Sに照射するため
の電子ビームBを発生する電子線照射部4や試料から発
生するX線Rを分光して検出するX線分光検出部5、試
料から発生する電子Eを検出する電子検出部6などを備
えている。また、試料に電子ビームが照射される分析位
置P1の近傍にはグロー放電部8が配設されており、エ
ッチング位置P2とされている。この二つの位置の間で
試料Sを移動させるための試料ステージ7が設けられて
いる。
【0019】電子線照射部4は、電子を発生させて加速
する電子銃と、電子ビームを細く絞るための収束レンズ
や対物レンズと、照射される電子ビームを試料上で走査
するための偏向器などを含んでいる。X線分光検出部5
は分光結晶と波長走査機構からなるX線分光器とX線を
検出してカウントする検出器などを含んでいる。あるい
は、このX線分光検出部5としては半導体検出器を主体
とするエネルギー分散型の分光機構を採用してもよい。
電子検出器部6はシンチレータと光電子増倍管などから
なり、二次電子や反射電子を検出する。これらの電子線
照射部4とX線分光検出部5と電子検出部6などで走査
電子顕微鏡または電子線マイクロアナライザの機能を実
現する主要部を構成している。
【0020】試料ステージ7は水平方向に2次元的に移
動できるXYステージと高さ方向に移動できるZステー
ジが組み合わされて3次元的に試料を移動できるXYZ
ステージで構成されている。また、水平方向の一つの軸
(たとえばX軸)は分析位置P1とエッチング位置P2
との間で試料Sを移動できる程度の長さにされており、
分析位置での微小な位置合わせだけでなく、P1とP2
との間で試料を移動させる(矢印A)ことができるよう
になっている。ただし、P1とP2間の移動のためには
XYZステージとは別の移動機構を設けて、その上に上
述のXYZステージを設けるようにしてもよい。
【0021】グロー放電部8の構造を図2を参照しなが
ら説明する。図2はグロー放電部8の下部に試料ホルダ
9に入れられた試料Sを密着させた状態を示す図であ
る。この状態で内部にグロー放電を起こし試料表面をエ
ッチングしていく。
【0022】およそ円筒状の外壁21の上部を絶縁物か
らなる蓋22でおおい、その中央部にグロー放電を発生
させるための放電電極23が配置されている。放電電極
23は円筒状であって、アルゴンガスを供給するための
供給管24とアルゴンガスを排出するための排気管25
が接続されている。また、外壁21の下の方には放電電
極23の先端から回り込んでくるアルゴンガスを排出す
るための排気管26が配置されている。そして、外壁2
1の下部先端には試料ホルダに当接される当接部材27
が配設されている。この当接部材27は絶縁物で構成さ
れ、試料ホルダと電気的に絶縁すると共に、放電電極2
3の先端部との間の隙間を所定の距離に保ち、アルゴン
ガスの排気抵抗を所定の値に保つ働きをしている。ま
た、当接部材の下面にはOリング28がはめ込んであ
り、試料ホルダとの間を気密にふさぐことができる。放
電電極23の先端は試料表面近くまで接近しているが、
試料面との間で所定の隙間が空く程度の長さ、すなわ
ち、当接部材27の先端面より所定の距離だけ手前の位
置になるような長さになっている。
【0023】放電電極23から外壁21の外側まで端子
31が引き出されており、試料Sの下に敷かれた試料側
電極29からは当接部材27を通過して端子32が引き
出されており、その2つの端子間に放電用電源30が接
続されている。放電用電源30からは直流または高周波
交流の電圧が出力され、放電電極23と試料Sとの間で
グロー放電のための電力を供給する。なお、試料側電極
29と端子32との間は、図3に示すように、試料ホル
ダの上端および当接部材27の下端にそれぞれ設けられ
た接触子33、34によって電気的に接続される。こう
することによって試料ホルダ9をグロー放電部8から簡
単に切り離すことができ、また、エッチングする際には
試料側電極29を簡単に放電用電源30に対して接続す
ることができる。
【0024】上述の供給管24、排気管25、排気管2
6には、それぞれ管路を開閉するための弁35、36、
37が配設され、さらには、アルゴンガスの流量を設定
するための絞り38、39、40が配設されている。さ
らにそれぞれの配管の先は、図示はされていないが、供
給管26にはガスボンベなどのアルゴンガス供給源が接
続されており、排出管25および排出管26には排気用
のポンプが接続されている。絞り38の調整によってグ
ロー放電部8に対するアルゴンガスの供給量を調整で
き、絞り39および絞り40の調整によって放電電極2
3内部および外部の圧力を調整することができる。な
お、アルゴンガスのための配管は分析室3の外部まで導
かれている。
【0025】試料をエッチングする際には試料ホルダ9
をグロー放電部8に密着させてグロー放電部8の内部を
密封したうえで、弁35、36、37をそれぞれ開き、
絞り38、39、40は所定の開度に設定して供給管2
4からアルゴンガスを流し入れる。そして排気管25か
らアルゴンガスを排出することによって放電電極23の
内部を適当な圧力に維持するようにする。さらに排気管
26からアルゴンガスを排出することによって放電電極
23の外側空間の圧力は放電電極内側の圧力よりも小さ
くなっている。この際に、放電電極23と当接部材27
の間の隙間および放電電極23と試料Sとの間の隙間は
差動排気のためのオリフィスの働きをしている。
【0026】エッチングしながらの面分析は次のように
行う。まず、試料Sは試料導入部2を介して大気中から
真空に引かれている分析室3に導入される。試料ホルダ
9に入れられて試料ステージ7に載置された試料Sは分
析位置P1において面分析され、データは図示していな
い制御装置に記憶保存される。次に、試料ホルダ9はエ
ッチング位置P2に移動され、Zステージによって上昇
されてグロー放電部8の下部に密着される。この後、グ
ロー放電部にアルゴンガスが導入され、放電用電源30
によって電力が供給されて放電電極23と試料Sとの間
でグロー放電が発生し、試料表面が削られていく。この
とき放電電極23内部の空間が放電に最適な圧力となっ
ているので、グロー放電は主に放電電極内部とそれに対
向した試料表面との間で発生することになる。放電時間
をモニターするなどして、所定の深さまで試料表面が削
られたと判断したら、弁35を閉じてグロー放電部8に
対するアルゴンガスの供給を停止し、グロー放電部内部
の真空度が上がるまで待つ。真空度が所定の真空度まで
到達すればZステージを下降させ、試料ホルダは再び分
析位置P1まで移動されて面分析を行う。これらを繰り
返すことによって試料Sについての3次元データが制御
装置に保存されることになる。この保存されたデータ
を、たとえば図4に例示するように、表示装置に3次元
的位置関係が分かるように試料表面を表すxy軸と試料
深さ方向を表すz軸をとって表示すれば試料情報の立体
的分布を把握することができる。データ表示の形態はこ
の例に限られず、様々な態様で表示することが可能であ
る。
【0027】好ましい例において、放電電極の直径は1
mm〜5mm程度であるので、エッチングされる面積は
電子線分析装置で実施し得る横方向の分析分解能に比較
して非常に大きい。したがって、上述のグロー放電部に
よるエッチングは分析対象の試料表面を均一に削ってい
くことに等しい。また、グロー放電によるエッチングは
1分あたり数μm〜数十μmの深さまで削ることも可能
なので、実質的にバルクとしての深さ方向への分析が可
能である。
【0028】また上述のグロー放電部による試料表面の
エッチングを試料最表面を清浄にする目的で使用するこ
とが可能である。試料表面には試料前処理を行う過程に
おいて様々な汚れが付着する可能性がある。また、試料
表面は通常前処理において研磨されるが、酸化しやすい
元素については空気中の酸素と結びついて酸化物となる
ことも多い。このような試料最表面の層を分析装置内で
取り除けばそれらの影響のない分析が可能であり、この
目的のためにグロー放電部を利用できる。
【0029】すなわち、試料の面分析に先立って試料S
の載置された試料ホルダ9はエッチング位置P2にセッ
トされ上述した手順により最表面を取り除くようにエッ
チングが行われる。このときのエッチング量は放電時間
をモニターすることなどにより制御される。次に試料ホ
ルダ9は分析位置に移動され、通常のように面分析が行
われる。
【0030】上述のグロー放電部8において、蓋22を
透明な光学的ガラスで構成して上部からグロー放電に伴
って発生する光を取り出すようにすれば、この光を検出
して放電状態のモニタとすることができる。さらにこの
光を分光したうえで検出すれば試料深さ方向に対する平
均的元素分布などをモニタすることもできる。
【0031】上述の実施の形態においては分析室の内部
にグロー放電部を配置するようにしたが、分析室とは真
空的に分離することのできるグロー放電のための専用室
を設け、その部屋にグロー放電部を設けるようにすれば
分析室の真空度に対する影響を少なくできるので効果的
である。ただしこの場合には試料を分析位置からエッチ
ング位置まで移動する機構および分析室とグロー放電専
用室との間の扉などが必要である。
【0032】
【発明の効果】本発明の電子線分析装置は、試料を分析
する位置の近傍に試料表面をエッチングするためのグロ
ー放電部を設けたので、試料表面を比較的高速度で削る
ことができ、これに引き続いて試料表面の面分析を行う
ことができる。この操作を繰り返すことによって表面の
情報を深さ方向に連続して得ることができ、試料の3次
元分析を行うことができる。
【0033】また、グロー放電部によるエッチングは試
料最表面を取り除く目的でも使用できるので、汚れや酸
化物の付着層を取り除いた後の表面を分析することで、
より正確なバルクとしての試料の情報を得ることができ
る。
【0034】また、上述の実施の形態においては試料側
の電極をグロー放電部に設けた端子を介して放電用電源
に接続するようにしたので、試料ホルダとグロー放電部
との接触および引き離しが容易であり、自動的な連続測
定が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子線分析装置の概略図である。
【図2】グロー放電部を示す図である。
【図3】グロー放電部の一部を示す図である。
【図4】3次元分析の結果表示の例を示す図である。
【符号の説明】
1…電子線分析装置 2…試料導入部 3…分析室 4…電子線照射部 5…X線分光検出部 6…電子検出部 7…試料ステージ 8…グロー放電部 9…試料ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 37/20 H01J 37/252 A 37/252 Z 37/28 B 37/28 G01N 1/28 G Fターム(参考) 2G001 AA03 BA05 BA07 BA15 CA01 CA03 DA01 DA06 EA01 EA03 GA04 GA06 GA08 JA07 JA11 JA14 PA01 PA07 PA11 PA14 RA04 RA05 RA20 2G052 EC14 EC16 FC02 GA19 5C001 AA02 BB03 BB07 CC05 DD01 5C033 PP02 PP08 RR02 RR03 RR08

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 細く絞られた電子ビームを試料表面に照
    射し試料から放射される信号に基づいて試料表面の面分
    析を行う電子線分析装置おいて、電子ビームを試料に照
    射する空間の近傍に試料表面を深さ方向にエッチングす
    るためのグロー放電部を備え、このグロー放電部による
    試料表面のエッチングと前記試料表面の面分析を交互に
    繰り返して試料の3次元分析を行うことを特徴とする電
    子線分析装置。
  2. 【請求項2】 細く絞られた電子ビームを試料表面に照
    射し試料から放射される信号に基づいて試料表面の面分
    析を行う電子線分析装置おいて、電子ビームを試料に照
    射する空間の近傍に試料表面を深さ方向にエッチングす
    るためのグロー放電部を備え、このグロー放電部による
    試料表面のエッチングにより試料表面を清浄にすること
    を特徴とする電子線分析装置。
JP2001117011A 2001-04-16 2001-04-16 電子線分析装置 Pending JP2002310959A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001117011A JP2002310959A (ja) 2001-04-16 2001-04-16 電子線分析装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001117011A JP2002310959A (ja) 2001-04-16 2001-04-16 電子線分析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002310959A true JP2002310959A (ja) 2002-10-23

Family

ID=18967650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001117011A Pending JP2002310959A (ja) 2001-04-16 2001-04-16 電子線分析装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002310959A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004045172A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Fujitsu Ltd 3次元構造評価方法
US7075323B2 (en) 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays
JP2008122244A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Keio Gijuku 試料掘削方法及び試料掘削装置
US7746088B2 (en) 2005-04-29 2010-06-29 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7847566B2 (en) 2004-02-12 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US7919972B2 (en) 2004-02-12 2011-04-05 Applied Materials, Inc. Integrated substrate transfer module
US8208114B2 (en) 2002-06-19 2012-06-26 Akt Electron Beam Technology Gmbh Drive apparatus with improved testing properties
JP2013037000A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Fei Co 荷電粒子顕微鏡による可視化法
WO2018235194A1 (ja) * 2017-06-21 2018-12-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびクリーニング方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5189382A (ja) * 1975-02-03 1976-08-05
JPS5234663U (ja) * 1975-07-30 1977-03-11
JPS61277042A (ja) * 1985-05-31 1986-12-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 金属材の組成定量方法及び装置
JPH01282453A (ja) * 1988-05-07 1989-11-14 Jeol Ltd 断面像分析法
JPH0254155A (ja) * 1988-08-18 1990-02-23 Fujitsu Ltd 固体表面分析装置
JPH02108949A (ja) * 1988-10-18 1990-04-20 Jeol Ltd 試料の深さ方向組成分析方式
JPH11316220A (ja) * 1998-02-26 1999-11-16 Kawasaki Steel Corp 金属中微量元素の高精度分析方法および装置
JP2000155103A (ja) * 1998-11-24 2000-06-06 Jeol Ltd 電子線装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5189382A (ja) * 1975-02-03 1976-08-05
JPS5234663U (ja) * 1975-07-30 1977-03-11
JPS61277042A (ja) * 1985-05-31 1986-12-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 金属材の組成定量方法及び装置
JPH01282453A (ja) * 1988-05-07 1989-11-14 Jeol Ltd 断面像分析法
JPH0254155A (ja) * 1988-08-18 1990-02-23 Fujitsu Ltd 固体表面分析装置
JPH02108949A (ja) * 1988-10-18 1990-04-20 Jeol Ltd 試料の深さ方向組成分析方式
JPH11316220A (ja) * 1998-02-26 1999-11-16 Kawasaki Steel Corp 金属中微量元素の高精度分析方法および装置
JP2000155103A (ja) * 1998-11-24 2000-06-06 Jeol Ltd 電子線装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8208114B2 (en) 2002-06-19 2012-06-26 Akt Electron Beam Technology Gmbh Drive apparatus with improved testing properties
JP2004045172A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Fujitsu Ltd 3次元構造評価方法
US7847566B2 (en) 2004-02-12 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US7919972B2 (en) 2004-02-12 2011-04-05 Applied Materials, Inc. Integrated substrate transfer module
US7075323B2 (en) 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays
US7746088B2 (en) 2005-04-29 2010-06-29 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
JP2008122244A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Keio Gijuku 試料掘削方法及び試料掘削装置
JP2013037000A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Fei Co 荷電粒子顕微鏡による可視化法
JP2013037001A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Fei Co 深さ分解像を供する荷電粒子顕微鏡
WO2018235194A1 (ja) * 2017-06-21 2018-12-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびクリーニング方法
US11458513B2 (en) 2017-06-21 2022-10-04 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam apparatus and cleaning method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8481980B2 (en) Ion source, ion beam processing/observation apparatus, charged particle beam apparatus, and method for observing cross section of sample
US9741526B2 (en) Charged particle beam apparatus and sample image acquiring method
WO1989008322A1 (en) Focused ion beam imaging and process control
JP2008270039A (ja) イオン源、イオンビーム加工・観察装置、及び試料断面観察方法
JP2006338881A (ja) 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法
JP2002310959A (ja) 電子線分析装置
JP2010530533A (ja) 材料の定量分析の方法
US20170025264A1 (en) Device for mass spectrometry
US20030080292A1 (en) System and method for depth profiling
JP2001176440A (ja) イオンビーム装置およびオージェマイクロプローブ
US20040238735A1 (en) System and method for depth profiling and characterization of thin films
KR100955434B1 (ko) 측정된 기초 스펙트럼을 사용하거나 및/또는 획득된스펙트럼에 기초한 박막의 비파괴적 특성화
Bador et al. Advances in low-energy electron-induced X-ray spectroscopy (LEEIXS)
JPH08313244A (ja) 薄膜の膜厚測定方法
US8680465B2 (en) Charged particle beam apparatus and film thickness measurement method
Gunawardane et al. Auger electron spectroscopy
JP2001050916A (ja) 仕事関数測定法および仕事関数測定装置
JP2000149844A (ja) 電子ビーム検査装置
JPH0894646A (ja) 表面分析装置
JP2001343340A (ja) 光電子分光装置および測定方法
JP2000329716A (ja) オージェ電子分光装置および深さ方向分析方法
JP2005292012A (ja) 表面分析装置
JP2003004667A (ja) 走査透過電子顕微鏡用薄膜状試料の作製方法および薄膜試料の観察方法
CN115901815A (zh) 用于元素图绘制的方法和系统
JP2001141673A (ja) 時間分解型表面分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100216

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100622