JP2013037001A - 深さ分解像を供する荷電粒子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子顕微鏡を用いた試料の検査方法は、試料ホルダ上に試料を載置する手順;粒子光学鏡筒を用いて試料の表面上に特別な放射線ビームを案内することで、試料から放出される放射線を生じさせる相互作用を生じさせる手順;検出装置を用いて放出される放射線の少なくとも一部を検出する手順、試料の表面に対して垂直な軸に対する放出される放射線の放出角θnの関数として検出装置の出力Onを記録することによって、複数のθnについて測定データの組M={(On,θn)}をまとめる手順、コンピュータ処理装置を用いて測定データの組Mのデコンボリューションを自動的に行って、結果の組R={(Vk,Lk)}に分解する手順を有する。
【選択図】図5A
Description
− 試料ホルダ上に前記試料を載置する手順;
− 粒子光学鏡筒を用いて前記試料の表面S上に特別な放射線ビームを案内することで、前記試料から放出される放射線を生じさせる相互作用を生じさせる手順;
− 検出装置を用いて前記放出される放射線の少なくとも一部を検出する手順;
を有する。
− 「荷電粒子」という語句は、電子又はイオン(一般的にはGaイオン又はHeイオンのような正イオン)を指称する。
− 「顕微鏡」とは、小さすぎて裸眼では満足行くように詳細を観察できない対象物、構造、又は成分の拡大像を生成するのに用いられる装置を指称する。結像機能を有することに加えて、当該装置は加工機能をも有して良い。たとえば当該装置は、試料から材料を除去すること(「ミリング」又は「アブレーション」)によって、又は、試料に材料を追加すること(「堆積」)によって、前記撮像機能及び加工機能は、同種の荷電粒子によって供されて良いし、又は、各異なる種類の荷電粒子によって供されても良い。たとえば集束イオンビーム(FIB)顕微鏡は、加工目的で(集束)イオンビームを利用し、かつ、撮像目的で電子ビームを利用する(所謂「デュアルビーム」顕微鏡又は「FIB-SEM」)。あるいは当該装置は、比較的高エネルギーのイオンビームによって加工を実行し、かつ、比較的低エネルギーのイオンビームによって撮像を実行しても良い。この解釈に基づくと、電子顕微鏡、FIB装置、EBID(電子ビーム誘起堆積)及びIBID(イオンビーム誘起堆積)装置等は本発明の技術的範囲に含まれるものと解される。
− 「粒子光学鏡筒」とは、荷電粒子ビームを操作することで、前記荷電粒子ビームを集束若しくは偏向させ、かつ/又は、内部に生じた収差を緩和するのに利用可能な静電レンズ及び/又は磁気レンズの一団を指称する。
− 「検出器」とは、試料から放出される(1種類以上の)放射線を登録するのに用いられる任意の検出機構を含むように広く解されなければならない。係る検出器は単体であって良い。あるいは係る検出器は、複数の検出器を有する複合体−たとえば試料台について検出器が空間分布を有するようなもの、又は画素化された検出器−であっても良い。
− 試料の表面Sに対して垂直な軸に対する前記放出される放射線の放出角θnの関数として前記検出装置の出力Onを記録することによって、複数のθnについて測定データの組M={(On,θn)}をまとめる手順;
− コンピュータ処理装置を用いて前記測定データの組Mのデコンボリューションを自動的に行って、結果の組R={(Vk,Lk)}に分解する手順;
である。ここで空間変数Vは、前記表面Sを基準とした離散的深さレベルLkでの値Vkを表し、nとkは整数で、空間変数Vは、前記試料内での位置の関数としての前記試料の物理的特性を表す。
− 放出角θnとは、放出された放射線の荷電粒子又は光子の経路と、Sの付近で測定されたSに対して垂直な前記軸(N)とのなす角である。Nに対して垂直な方向から見て、かつSに沿った点を参照するとき、係る放出角θnはρを中心とする円Cを画定する。(たとえば図4に図示されたような検出装置を用いることによって)Cと交差するすべての放出された放射線又はその一部を検出するように係る放出角θnが選ばれてよい。本発明に係る方法はいずれにも機能する。
− 空間変数Vは3次元変数であり、その成分Vkの各々は特定のレベルLkでの2次元変数である。空間変数Vは、たとえばコントラスト、強度、密度変化、原子量、汚染濃度、電子/X線収量等の量を表して良い。これらのすべては、試料(の材料)の物理的特性によって直接的又は間接的に決定される。これらのすべてに基づいて、たとえば像、マップ、又はスペクトルのようなものを構築することが可能である。
当業者はこれらの点について理解することができる。
(i) 荷電粒子ビームが試料に衝突するとき、その衝突は、所謂点拡がり関数(PSF)によって表される、試料内部の隠れた相互作用の領域を生成する。このPSFは、使用された検出器によって検知される信号生成体積の形状を表す。
(ii) (線形の)試料中での像Iの生成は、PSF Kと、試料の物理的特性を、その試料体積中での位置の関数として表す空間変数V(たとえば汚染濃度)との3次元(3D)コンボリューション、I〜K*Vとして表されうる。
(iii) 上述したことによると、様々な放出角(θ)に沿った検出することで、使用された検出器と、様々な3DのPSFの式とが突き合わせられる。様々な放出角θnで得られた一連の属低n=[1,…,N]のうちの成分像Inについては、その成分像の生成は、In〜Kn*Vによって表すことができる。ここでKnはPSFのカーネルである。Inは、上述したようにOnに対応する、すなわち比例して良いことに留意して欲しい。本願の記載をより一般的な形式にするように、単純Onの代わりにInが用いられても良い。
(iv) 本発明のデコンボリューションプロセスは、未知の空間変数Vと共に様々なカーネルKnを計算により復元するする手順で構成される。これは、推定された未知の変数と観測された像のシーケンスとの間のダイバージェンス(距離)を最小化することによって行われて良い。つまり、min(In||Kn*V)が得られる。
(v) 試料とPSFカーネルのいずれに関する知識も推定されない場合、3Dブラインドデコンボリューションタスクが得られる。他方、変数Kn(以降の(vi)参照のこと)についての制約が適用されうる場合、空間変数Vさえ最適化すればよい。その結果、以下の同時最適化タスクが得られる。
min D(I1||K1*V)
…
min D(IN||KN*V)
これはVについて解くことができる。
(vi) (v)で述べた単純化を可能にするように値Knへ適用することが可能な制約にはたとえば、以下のうちの1つ以上が含まれうる。
(a) 少なくとも1組の値Knのコンピュータシミュレーション
(b) 少なくとも1組の値Knの実験による決定
(c) 少なくとも1組の値Knの推定を可能にする根拠となる限られた数のモデルパラメータによるパラメータ化された関数としてのPSF Kのモデル化
(d) 論理的な解空間による制約。ここで理論的にはありうるが物理的には意味がないと判断される値Knは無視される。
(e) 外挿及び/又は内挿を第1組の値Knに適用することによる第2組の値Knの推定
(vii) (v)で述べた最小のダイバージェンスはたとえば、最小二乗法、Csiszar-MorimotoのFダイバージェンス、Bregmanダイバージェンス、α-βダイバージェンス、Bhattacharyya距離、Cramer-Raoの下限、及び様々な派生型、混合型、並びに、これらの結合型であってよい。
− (a)では、数学的手法は、材料中での荷電粒子及び光子の挙動をエミュレートするのに用いられる。それにより、PSFの式の計算及び代表的な値Knの予測が可能となる。シミュレーション結果の精度及び範囲はとりわけ、問題となるタスクのために費やされる計算/コンピュータの資源に依存する。この目的に適した数学的シミュレーション手法の例は、モンテカルロ法、有限要素法等である。
− (b)では、所与の材料中での荷電粒子及び光子の実際の挙動の観察が利用される。そのような観察はたとえば、他の試料上で実行された実際の可視化期間の結果であって良いし、又は、均一の材料からなる試料上で実行された特定の実験結果等であっても良い。たとえば上に様々なパターニングされた金属層及び誘電体層が堆積されたシリコンウエハの一部を有する半導体試料を可視化するのに本発明が用いられるとき、以下の1つ以上からKnの値の一群を得ることができる。
− 同様の半導体試料上で実行される他の可視化期間
− 未処理のシリコンウエハ上で実行される特定の「校正試験」
− シリコンウエハ上の様々な試験用コーティングを用いて実行される調査実験
− その他
− (c)では、PSFがどのような数式を有するのかを直感的に推定し、その後、この数式を基礎として、限られた数の相対的にわかりやすいモデルパラメータを用いることによって、パラメータ化されたモデルを構築することが試みられる。同様の手法が、たとえば気候変化のモデル又は雲の挙動のモデルを構築するのに用いられる。定義により、そのようなモデルの結果は単純化であるが、調査しようとしている系の大まかな基本的構成を良好に把握することを可能にする。
− (d)では、理論的にあり得るが、物理的な現実を考慮するとあり得ないと判断される結果を「取り除く」ことによって、取りうる解の空間のサイズを直感的に限定することが試みられる。たとえば、PSFが正の値だけを得るように制約を課すこと、又は、PSFを微分可能(滑らか)な関数に制限すること、又は、統計的な依存性について制限を課すこと等が行われても良い。
− (e)では、第1組のKnの値{Kn}1を得た後、第2組のKnの値{Kn}2が、外挿及び/又は内挿に基づいて、第1組のKnの値{Kn}1から得られる。たとえば{Kn}1の要素が、滑らかな単調曲線に属していることが観察される場合、内挿を用いることによって第2組の中間の要素の位置が推定されて良いし、かつ/あるいは、外挿を用いることによって第2組の境界要素の位置が推定されても良い。
min||In - Kn*V||2
他方、他のノイズモデルについては、上述した他のダイバージェンス量のうちの1つが用いられて良い。これらの広いダイバージェンスの分類については、以下のように明記することができる。
− Csiszar-MorimotoのFダイバージェンス(及びその派生量)は、情報ダイバージェンス、Kullback-Leiblerダイバージェンス、全変動、調和平均、χ二乗値、及び、他複数のエントロピーに基づく指標を含む。
− Bregmanダイバージェンス(及びその派生量)は、とりわけMahalonobis距離を含む。
− α−βダイバージェンス(及びその派生量)は、たとえば一般化されたKullback-Leibler、三角弁別(Triangle Discrimination)、及び算術幾何量のような量を含む。
− Bhattacharyya距離は、2つの離散的又は連続的な確率距離の相似性を測定する。
選ばれたダイバージェンスの実際の最小化(つまり最適化)は、様々な手法を用いることによって実行されて良い。前記様々な手法とはたとえば、勾配降下法、確率論的方法、期待値最大最尤法(EMML)、最大先験法である。導関数を利用する反復法−とりわけ勾配降下法、共役勾配法、ニュートン法、擬ニュートン法、Levenberg-Marquardt法、及び内点法−は、最も広く用いられている。そのような方法の収束はたとえば、線探索法及び信頼領域法を用いることによって保証されうる。勾配に基づく反復法に対する代替手法として、最適化されるべき関数にほとんど制約を課さない最適化発見法が用いられても良い。係る最適化発見法は、ほとんど確率論的方法に依拠することによって解決法を探索する。例には、焼きなまし法、発展的アルゴリズム、タブサーチ、及び、粒子群最適化が含まれる。他の有名な発見法はたとえば、Nelder-Meadシンプレックスアルゴリズム及びHill Climbingアルゴリズムを含む。
− 使用された検出装置は、試料ホルダの周りでそれぞれ異なる角度位置に分布する複数の検出器{Dn}を有する。
− 測定データの組Mは、その成分データ対(On,θn)を同時に取得することによってまとめられる。このとき各独立する検出器Dnは、角度θnで放出される放射線を捕獲し、その出力値Onを得る。
そのようなシナリオでは、検出装置の設計と実装は、複数の検出モジュールが供され、かつ、各検出モジュールは、特定の放出角θnに沿って進行する放出された放射線を検出することが可能となるように行われる。このようにして、測定データの組Mのデータ対(On,θn)は同時に蓄積される。そのような装置の例には以下が含まれる。
− 試料に対向する複数の区分−たとえば四分円又は環−に分割された基本的に「プレート状」の検出器(たとえば図4を参照のこと)、
− 試料の周りで実質的に3Dマトリックス状に配置されたスタンドアローン型小型検出器−たとえばSSPM−の「雲の様な」構成
必要であれば、試料から放出された放射線は、その試料内部のある部分を進行して、ある検出器Dnへ向かうように「操作」されてよい。そのような操作はたとえば、偏向コイル(電子の場合)又はミラー(電磁放射線の場合)を用いることによって実現されて良い。たとえば図4に図示された検出器−中央に開口部を有する−の場合では、ある(軸平行の)電子を、開口部から遠ざけて、検出器の区分に衝突するように進行させるように1つ以上の偏向コイルが用いられて良い。あるいはその代わりに、同様の効果を実現するように、検出装置に対して試料ホルダが傾けられても良い。図5を参照のこと。
− 検出装置は、単一の検出器及び偏向装置を有する。前記偏向装置は、1組の偏向状態A={An}を採用するように調節可能である。各偏向状態Anは、放出される放射線が前記単一の検出器へ与えられるように角度θnを選択する役割を果たす。
− 測定データの組Mは、その成分データ対(On,θn)を同時に取得することによってまとめられる。このとき各偏向状態Anは、前記単一の検出器が、その検出器に対応するデータ対角度(On,θn)を捕獲することを可能にする。
そのような偏向装置はたとえば、
− 試料から放出される放射線の方向を局所的に変化させる手段(たとえば上述したコイル又はミラー)、
− 単一の検出器に対して試料ホルダを傾ける手段、
− 試料に対して単一の検出を(角度が変化するように)動かす手段、
のうちの1つ以上を有して良い。
− 試料の露出した表面Sが、本発明によるコンピュータによるスライシングを用いて調査される。
− 続いて物理的スライシングが、表面Sから材料を「すくい取る」のに用いられる。それによりSの下方の深さdで新たに露出した表面S’が生成される。
− 続いてこの新たに露出した表面S’が、本発明によるコンピュータによるスライシングを用いて調査される。
− TEM装置は概してSEM装置よりもはるかに高価である。
− TEM装置は、はるかに高い入力ビームエネルギー(典型的には200〜300keVのオーダー)を用いる。そのため試料が損傷する恐れがある。対照的に、本発明による方法は、はるかに低い入力ビームエネルギー(たとえば1〜5keVのオーダー)で満足行くように動作する。
− TEM断層撮像は、非常に薄い試料(一般的には厚さ1μm未満)でしか利用できない。本発明は電子が試料を透過することに依拠しないので、本発明は、試料の厚さの制約に悩まされない。
− 本発明のSEMに基づく応用は、TEMに基づく手法よりも、はるかに大きな横方向の到達距離を有する。その理由は、SEMの(横方向での)走査特性が、TEMの(横方向での)走査特性よりも優れているためである。
− TEMの断層撮像は、まさにその特性により、本発明に係るコンボリューションされた深さデータを生成しないので、そのようなコンボリューションされたデータでの深さ分解を実行するような統計的処理手法を必要としない。
− 図1Aは、各反復での所与のPSFカーネルKnのアルゴリズムを表している。所与のKnについての複数の反復サイクルが順次適用される。
− 図1Aの反復法は、各PSFと空間変数Vに順次適用されて良い。任意のKnとVの対について、各サイクルで1つ以上の反復を有して良い。ここで図示されたフローチャートにおいて示された手順をより詳細に説明する。その手順は図1Aから開始する。
− 201:この手順は、各反復IでのKnの値(つまりKn I)を表す。I=1の特別な場合では、先だって行われる初期化処理は、反復処理を「始動」するように実行される。
− 203:同様に、この手順は、反復IでのVの値(つまりVI)を表す。繰り返しになるが、I=1の特別な場合では、先だって行われる「始動」初期化処理が実行される。
− 205:Kn I*VIのコンボリューションが、手順201と203の出力を用いて計算される。このとき、Onを無次元化/スケーリングした値Inが導入される。たとえばOnがボルトで測定される場合、そのボルトでの数値は、無次元であり、かつ、たとえば電子ボルト(eV)での数値への変換を実行するように、基本電荷の値によってスケーリングされて良い。これは純粋に所与の状況での選択の問題であり、当業者はすぐに分かることである。Inは以降、「像」と呼ばれる。手順205では、像InとコンボリューションKn I*VIとの間でのダイバージェンスが決定される。つまりD(In||Kn I*VI)が計算される。
− 207:ここで、手順205において計算されたダイバージェンスが最小であるか否か、つまり、収束したか否かが判断される。「収束した」場合、探索した値KnとVが抽出される。「収束しなかった」場合、次の反復(I+1)を行うためにフローチャートの最初に戻る。
− 211,213,215:これらの手順の各々は、図1Aの累積的手順210,203,205にそれぞれ相当するが、ここでは、個々のケースn=1(211)、n=2(213)、及びn=N(215)について示されている。
− 217:この手順は図1Aの手順207に相当する。
− Pr(V|In)は、取得された入力値In(「像」の値Inの概念を説明するための図1Aのフローチャートでの手順205の議論を参照のこと)が与えられた場合に、空間変数Vを抽出する確率である。
− Pr(V)は、再構築される構造についての知識を表す、Vに関する事前確率である。
− Pr(In)は、取得された像に関する確率である。しかし像Inが実際に観察/測定された値である場合には、これは基本的に定数である。
− ビーム404による照射に応じて試料410から放出される第1種類の誘導放射線を検出する第1検出器420。この実施例では、検出器420は、X線を検出するX線検出器(たとえばEDS又はWDS検出器)である。
− ビーム404による照射に応じて試料410から放出される第1種類の誘導放射線を検出する第2検出器100。この実施例では、検出器100は、区分化された電子検出器である。
− 第2検出器100が特別に用いられる。これについては実施例4で詳述する。
− 処理装置424又は専用の独立した処理ユニット(図示されていない)は、測定データの組Mに所定の数学的操作を行うことで、Mのデコンボリューションを行って、Mを空間的に分解して、結果の組Rにする。
Claims (9)
- 荷電粒子顕微鏡を用いた試料の検査方法であって:
試料ホルダ上に前記試料を載置する手順;
粒子光学鏡筒を用いて前記試料の表面上に特別な放射線ビームを案内することで、前記試料から放出される放射線を生じさせる相互作用を生じさせる手順;
検出装置を用いて前記放出される放射線の少なくとも一部を検出する手順;
前記試料の表面に対して垂直な軸に対する前記放出される放射線の放出角θnの関数として前記検出装置の出力Onを記録することによって、複数のθnについて測定データの組M={(On,θn)}をまとめる手順;
コンピュータ処理装置を用いて前記測定データの組Mのデコンボリューションを自動的に行って、結果の組R={(Vk,Lk)}に空間分解する手順;
を有し、
空間変数Vは、前記表面を基準とした離散的深さレベルLkでの値Vkを表し、
nとkは整数で、
空間変数Vは、前記試料内での位置の関数としての前記試料の物理的特性を表す、
方法。 - 前記検出装置が、前記試料ホルダの周りでそれぞれ異なる角度位置に分布する複数の検出器{Dn}を有し、
前記測定データの組Mが、該組の成分データ対(On,θn)を同時に取得することによってまとめられ、
各独立した検出器Dnは、該検出器Dnに対応する角度θnで放出される放射線を捕獲し、該放出される放射線の出力値Onを取得する、
請求項1に記載の方法。 - 前記検出装置が単一の検出器及び偏向装置を有し、
前記偏向装置は1組の偏向状態A={An}を採用するように調節可能で、
各偏向状態Anは、放出される放射線が前記単一の検出器へ与えられるように角度θnを選択する役割を果たし、
測定データの組Mは、その成分データ対(On,θn)を同時に取得することによってまとめられ、このとき各偏向状態Anは、前記単一の検出器が、該単一の検出器に対応するデータ対角度(On,θn)を捕獲することを可能にする、
請求項1に記載の方法。 - 前記偏向装置が、
前記試料から放出される放射線の方向を局所的に変化させる手段、
前記単一の検出器に対して前記試料ホルダを傾ける手段、及び、
前記試料に対して前記単一の検出器を角度が変化するように動かす手段、
からなる群から選択される、請求項3に記載の方法。 - 前記放出された放射線が、後方散乱電子、X線、赤外光、可視光、紫外光からなる群から選択される、請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 前記測定データの組Mのデコンボリューション及び空間分解が、ポアソンノイズ及びガウスノイズのうちの少なくとも1に従うと推定される検出モデルと前記測定データの組Mとの間での統計的なダイバージェンスを、前記モデルに制約を課しながら最小化することによって実行される、請求項1乃至5のいずれかに記載の方法。
- 前記測定データの組Mが、
放出角がθnで前記検出装置によって検知される、ある前記特定の放射線のビームの前記試料の内部での挙動を表すカーネルの値Knを有する点拡がり関数を各nの値について定義する手順、
KnとVの3次元コンボリューションの値Qn(=Kn*V)を有する可視化品質を各nの値について定義する手順、
各nについて、OnとQnとの間での最小ダイバージェンスminD(On||Kn*V)を計算により決定して、前記値Knについて制約を適用しながらVについて解く手順、
を有する方法で自動的に処理される、
請求項6に記載の方法。 - 測定データの組Mをまとめる手順、及び該測定データの組Mを対応する結果の組Rへ変換する手順が、コンピュータによるスライシング手順に含まれ、
前記コンピュータによるスライシング手順が物理的スライシングと併用されることで、物理的な材料除去法が、前記試料の元の表面から材料の層を物理的に除去するのに用いられ、その結果前記試料の新たに露出した表面が生成される、
請求項1乃至7のいずれかに記載の方法。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の方法を実行するように構成された荷電粒子顕微鏡。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP11177091.3 | 2011-08-10 | ||
EP11177091A EP2557584A1 (en) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | Charged-particle microscopy imaging method |
EP12163262A EP2557585A1 (en) | 2011-08-10 | 2012-04-05 | Charged-particle microscope providing depth-resolved imagery |
EP12163262.4 | 2012-04-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013037001A true JP2013037001A (ja) | 2013-02-21 |
JP6195699B2 JP6195699B2 (ja) | 2017-09-13 |
Family
ID=45894711
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012176833A Active JP6099900B2 (ja) | 2011-08-10 | 2012-08-09 | 荷電粒子顕微鏡による可視化法 |
JP2012176834A Active JP6195699B2 (ja) | 2011-08-10 | 2012-08-09 | 検査方法及び荷電粒子顕微鏡 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012176833A Active JP6099900B2 (ja) | 2011-08-10 | 2012-08-09 | 荷電粒子顕微鏡による可視化法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8586921B2 (ja) |
EP (5) | EP2557584A1 (ja) |
JP (2) | JP6099900B2 (ja) |
CN (2) | CN102954773B (ja) |
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JP2013219031A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Fei Co | 深さ分解像を与える荷電粒子顕微鏡 |
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JP6195699B2 (ja) | 2017-09-13 |
EP2557586A3 (en) | 2013-04-10 |
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US20130037714A1 (en) | 2013-02-14 |
JP2013037000A (ja) | 2013-02-21 |
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EP2648207A1 (en) | 2013-10-09 |
EP2557586A2 (en) | 2013-02-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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