JP2001176440A

JP2001176440A - イオンビーム装置およびオージェマイクロプローブ

Info

Publication number: JP2001176440A
Application number: JP35657099A
Authority: JP
Inventors: Yuji Sakai; 悠治境
Original assignee: Jeol Ltd
Current assignee: Jeol Ltd
Priority date: 1999-12-15
Filing date: 1999-12-15
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ガスをイオン化するタイプのイオン銃を使用
した場合でも、試料のＳＩＭ像を得ることができるイオ
ンビーム装置を提供すること。【解決手段】ＳＩＭ像取得の際、イオンビーム照射手
段１３からのイオンビームが点Ｑに集束されて固定され
る。また、ステージ走査回路３４は、イオンビームを試
料上の所定領域で２次元的に走査させるためのステージ
走査信号をステージ制御手段３５に送る。ステージ制御
手段３５は、そのステージ走査信号に基づいてＸＹステ
ージ駆動手段３６を制御する。そして、イオンビーム照
射により試料から発生した２次電子は２次電子検出器３
２により検出され、検出された信号は、表示手段４１の
画像メモリの、ステージ位置に対応した位置に記憶され
る。表示手段４１は、画像メモリに記憶した信号を順次
読み出し、ディスプレイ４２の所定位置に試料のＳＩＭ
像を表示させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガスをイオン化
してそのイオンを試料に照射し、イオンビーム照射によ
り試料から発生した信号を検出して試料像を得るイオン
ビーム装置およびオージェマイクロプローブに関する。

【０００２】

【従来の技術】オージェマイクロプローブは、試料に
電子線を照射し、その電子線照射により試料から発生し
たオージェ電子を検出して、試料の極薄面にどんな元素
がどのような状態で分布しているのかを調べる装置であ
る。

【０００３】このオージェマイクロプローブは、イオン
銃やイオンビーム集束手段やイオンビーム偏向手段を備
えたイオンビーム照射手段を有しており、試料表面をク
リーニングするときや深さ分析を行うときに、イオンビ
ームが試料に照射されて試料がエッチングされる。

【０００４】前記イオンビーム照射手段のイオン銃とし
ては、通常、アルゴンイオン銃が使用され、このイオン
銃は、アルゴン（Ａｒ）ガスをたとえば電子線照射によ
ってイオン化し、生成されたイオンを引出電極によって
イオン銃の外へ取り出す構造となっている。このよう
に、オージェマイクロプローブにおいてアルゴンイオン
銃が使用される理由は、半導体試料のオージェ分析を正
確に行なうためである。

【０００５】すなわち、現在のところＡｒを含む半導体
はないので、試料のイオンエッチング時に試料にアルゴ
ンイオンが注入されて、その後のオージェ分析において
Ａｒが検出されても、分析者はそのＡｒはイオンエッチ
ングによるものと直ぐに判断できる。

【０００６】また、オージェマイクロプローブは、試料
上で電子線を２次元的に走査させ、その走査によって試
料から発生した２次電子を検出して試料の走査電子顕微
鏡像（ＳＥＭ像）を得るＳＥＭ機能を有している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】さて、最近では、上
述したオージェマイクロプローブにおいて、試料上でイ
オンビームを２次元的に走査させ、その走査によって試
料から発生した２次電子を検出して試料の走査イオン顕
微鏡像（ＳＩＭ像）を得たいという要求が高まってい
る。

【０００８】このＳＩＭ像と前記ＳＥＭ像の像の持つ情
報は異なり、分析者はそれらの像から、電子とイオン照
射での２次電子効率の原子番号依存性の違いや、２次電
子効率の仕事関数依存性の違いなどを知ることができ
る。

【０００９】しかしながら、上述したアルゴンイオン銃
のイオンソースは大きいので、いくら前記集束手段でイ
オンビームを絞っても、試料上におけるビーム径は０．
１ｍｍ程度と大きい。

【００１０】このため、試料をＳＩＭ像として観察する
ためには、イオンビームの試料上での走査幅を１０ｍｍ
程度にしなければならない。しかし、前記偏向手段は、
イオンビームをこのように広い範囲にわたって精度良く
偏向させることはできない。

【００１１】したがって、現在のところ、上述したアル
ゴンイオン銃を備えたオージェマイクロプローブにおい
ては、ＳＩＭ像は得られていない。

【００１２】なお、アルゴンイオン銃の代わりに、針に
付着させた液体ガリウムを電界放射作用によってイオン
化させてイオンを引き出す液体金属イオン銃を使用すれ
ば、この液体金属イオン銃のイオンソースは非常に小さ
いので、試料上におけるビーム径を１００ｎｍ程度にで
きる。このため、試料をＳＩＭ像として観察するには、
イオンビームの試料上での走査幅は１００μｍ程度でよ
く、前記偏向手段はこのようなビーム偏向を精度良く行
うことができるので、この場合には良好なＳＩＭ像が得
られる。

【００１３】しかし、半導体試料はガリウム（Ｇａ）を
含んでおり、また、試料のイオンエッチング時にイオン
銃で発生したガリウムイオンが試料に注入される。この
ため、イオンエッチング後のオージェ分析においてＧａ
が検出されると、そのＧａがもともと試料中に含まれて
いたものか、それともイオンエッチングによるものかが
判断できず、半導体試料中にもともと含まれるＧａの真
の分析結果を得ることができない。

【００１４】本発明は以上の点に鑑みて成されたもの
で、その目的は、ガスをイオン化するタイプのイオン銃
を使用した場合でも、試料のＳＩＭ像を得ることができ
るイオンビーム装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成する本
発明のイオンビーム装置は、ガスをイオン化し、その発
生したイオンを試料上に集束させるイオンビーム照射手
段と、試料を載置する試料ステージと、該試料ステージ
を走査させるための走査手段と、前記イオンビームの照
射により試料から発生した信号を検出する検出手段と、
前記試料ステージの走査に関連して前記検出手段で検出
された信号に基づいて試料像を表示させる表示手段を備
えたことを特徴としている。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。

【００１７】図１は、本発明のイオンビーム装置の一例
として示した、オージェマイクロプローブの概略図であ
る。

【００１８】まず、図１のオージェマイクロプローブの
構成について説明する。

【００１９】図１において、１は試料室チャンバであ
り、試料室チャンバの内部、すなわち試料室２は排気装
置３により超高真空に排気されている。

【００２０】試料室チャンバ１の上壁には電子線照射手
段４が取り付けられており、電子線照射手段４は、電子
銃５と集束レンズ６と偏向器７と対物レンズ８を備えて
いる。Ｏ₁は電子線照射手段４の光軸であり、光軸Ｏ₁は
ｚ軸に平行である。

【００２１】また、試料室チャンバ上壁には電子分光器
９が取り付けられており、電子分光器９は、インプット
レンズ１０とアナライザ１１と検出器１２から成ってい
る。インプットレンズ１０の光軸Ｏ₂は、前記電子線照
射手段４の光軸Ｏ₁に対してθ ₁傾斜していると共に、点
Ｑで光軸Ｏ₁と交わっている。そして、この点Ｑはイン
プットレンズ１０のフォーカス点となっている。

【００２２】さらに、試料室チャンバ上壁にはイオンビ
ーム照射手段１３が取り付けられており、イオンビーム
照射手段１３の光軸Ｏ₃は、前記電子線照射手段４の光
軸Ｏ₁に対してθ₂傾斜していると共に、前記点Ｑで光軸
Ｏ₁と交わっている。そして、イオンビーム照射手段１
３のイオンビームフォーカス位置は点Ｑに設定されてい
る。

【００２３】イオンビーム照射手段１３は、上から順
に、ガスイオン銃１４、集束レンズ１５、偏向器１６お
よび対物レンズ１７を備えている。

【００２４】１８は前記ガスイオン銃１４の真空容器で
あり、ガス貯蔵室１９に貯えられたアルゴンガスはガス
流量調整弁２０を介して真空容器１８に導入される。真
空容器１８内のガス圧力は圧力測定器（図示せず）で測
定されており、この圧力測定器に接続されたガス流量調
整器（図示せず）は、真空容器１８内のガス圧力が所定
圧力に維持されるように前記ガス流量調整弁２０を制御
する。

【００２５】真空容器１８内には、電子を発生させるた
めのフィラメント２１、イオン化室２２、およびイオン
化室２２で生成された陽イオンを引き出すための引出電
極２３が配置されている。

【００２６】前記フィラメント２１は、エミッション電
流量制御部２４に接続されると共に、エミッション電源
２５を介して前記イオン化室２２に接続されている。ま
た、イオン化室２２は、イオン加速電源２６を介して接
地電位に保たれた引出電極２３に接続されている。

【００２７】このようなガスイオン銃１４においては、
エミッション電流量制御部２４によりフィラメント２１
が加熱されると共に、フィラメント２１の電位がイオン
化室２２に対して負の電位となるようにエミッション電
源２５が制御されるので、フィラメント２１で発生した
熱電子はイオン化室２２の方に加速されてイオン化室に
進入する。このため、イオン化室２２のアルゴンガスは
電子の照射を受けてイオン化し、イオンが生成される。

【００２８】そして、イオン化室２２の電位が引出電極
２３に対して正の電位となるようにイオン加速電源２６
が制御されると、イオン化室２２で生成された陽イオン
は引出電極２３の方に加速され、引出電極２３を通過し
たイオンビームは集束レンズ１５および対物レンズ１７
で前記点Ｑに集束される。

【００２９】また、試料室チャンバ１の側壁には傾斜ス
テージ２７が取り付けられており、傾斜ステージ２７
は、ｘ軸に平行な傾斜軸Ｔを中心として傾斜可能に構成
されている。この傾斜軸Ｔは、前記電子線照射手段４の
光軸Ｏ₁と前記点Ｑで直交している。

【００３０】傾斜ステージ２７上にはＺステージ２８が
配置されており、Ｚステージ２８上にはＸＹステージ２
９が配置されている。ＸＹステージ２９上には試料ホル
ダ３０が配置されており、試料ホルダ３０は半導体試料
３１を保持している。

【００３１】試料３１の試料面は前記点Ｑ上に位置して
おり、点Ｑに集束されるイオンビームのビーム径は試料
面上で最小となって、その大きさは０．１ｍｍ程度と大
きい。これは、ガスイオン銃１４のイオンソースは大き
く、いくら集束レンズ１５や対物レンズ１７でイオンビ
ームを絞っても、０．１ｍｍ程度にしか絞れないためで
ある。

【００３２】また、試料室チャンバ１の側壁には、２次
電子検出器３２が取り付けられている。

【００３３】３３は指示手段であり、指示手段３３は、
ステージ走査回路３４、ステージ制御手段３５、ＸＹス
テージ駆動手段３６を介して前記ＸＹステージ２９に接
続されている。このステージ走査回路３４、ステージ制
御手段３５、ＸＹステージ駆動手段３６で、前記ＸＹス
テージ２９を走査させるための走査手段が構成されてい
る。

【００３４】また、３７は指示手段であり、指示手段３
７は、中央制御手段４３、電子線走査回路３８、偏向器
制御手段３９、偏向電源４０を介して前記偏向器７に接
続されている。前記中央制御手段４３は、前記イオンビ
ーム照射手段１３、ステージ走査回路３４にも接続され
ている。

【００３５】また、４１は表示手段であり、表示手段４
１は、前記ステージ走査回路３４、電子線走査回路３
８、２次電子検出器３２およびディスプレイ４２に接続
されている。

【００３６】以上、図１の装置構成について説明した
が、次にこの装置の動作について説明する。

【００３７】まず、試料３１のオージェ分析のときに
は、電子線照射手段４からの電子線が試料上の所定位置
に照射され、その電子線照射により試料から発生したオ
ージェ電子は電子分光器９で検出される。そして、電子
分光器９の検出器１２の出力が図示しない分析装置に送
られて、試料中にどんな元素がどうような状態で分布し
ているのかが調べられる。

【００３８】このようなオージェ分析において、試料の
深さ分析のときには、試料３１は、イオンビーム照射手
段１３からのイオンビームによって適当なタイミングで
エッチングされるが、そのとき同時に試料にアルゴンイ
オンが注入される。このため、その後のオージェ分析に
おいてＡｒが検出されるが、半導体試料３１はＡｒを含
んでいないので、分析者はそのＡｒはイオンエッチング
によるものと直ぐに判断できる。

【００３９】さて、分析者は、試料のＳＩＭ像を得たい
とき、指示手段３３によりＳＩＭ像取得の指示入力を行
う。この入力が行われると、イオンビーム照射手段１３
からのイオンビームが前記点Ｑに集束されて固定され
る。すなわち、イオンビームが試料上の点Ｑに集束され
て固定され、その試料上におけるイオンビーム径は０．
１ｍｍ程度である。なお、このＳＩＭ像取得のときにイ
オンスパッタリングができるだけ起こらないように、イ
オン加速電源２６が制御されてイオンのエネルギーが低
くされる。

【００４０】また、前記指示入力が行われると、ステー
ジ走査回路３４は、イオンビームを試料上の所定領域Ａ
で２次元的に走査させるためのステージ走査信号をステ
ージ制御手段３５に送る。

【００４１】ここで、このステージ走査信号について図
２を用いて詳しく説明する。

【００４２】図２は、前記試料３１の試料面を示したも
のであり、図中Ａは前記所定領域を示し、図中ａ₁₁，ａ
₁₂，…，ａ_1m，ａ₂₁，…，ａ_2m，…，ａ_nmは所定領域Ａ
中の微小領域を示している。

【００４３】また、図２において、Ｑは前記イオンビー
ムのフォーカス点を示し、Ｉは試料上に集束されたイオ
ンビームを示している。このイオンビームＩの径は、上
述したように０．１ｍｍ程度である。また、領域ＡのＡ
₁，Ａ₂間の長さは１０ｍｍ程度であり、Ａ₁，Ａ₃間の長
さも１０ｍｍ程度である。

【００４４】このような図２を用いて前記ステージ走査
信号について説明すると、ステージ走査回路３４は、前
記イオンビームフォーカス点Ｑに、前記微小領域を
ａ₁₁，ａ ₁₂，…，ａ_1m-1，ａ_1m，ａ_2m，ａ_2m-1，…，ａ
₂₂，ａ₂₁，ａ₃₁，ａ₃₂，…，ａ_n- ₁₁，ａ_n1，…，
ａ_nm-1，ａ_nmの順に位置させるためのステージ走査信号
をステージ制御手段３５に送る。

【００４５】そして、ステージ制御手段３５は、そのス
テージ走査信号に基づいてＸＹステージ駆動手段３６を
制御するので、ＸＹステージ２９は、前記イオンビーム
フォーカス点Ｑに、前記微小領域がａ₁₁，ａ₁₂，…，ａ
_1m-1，ａ_1m，ａ_2m，ａ_2m-1，…，ａ₂₂，ａ₂₁，ａ₃₁，ａ
₃₂，…，ａ_n-11，ａ_n1，…，ａ_nm-1，ａ_nmの順に位置す
るように移動する。

【００４６】このようにして、イオンビームＩは、上述
した順に微小領域を照射し、この照射により各微小領域
から２次電子が放出される。その２次電子は２次電子検
出器３２により検出され、検出された信号は表示手段４
１に送られる。表示手段４１は、前記ステージ走査回路
３４からの信号に基づき、前記２次電子検出器３２から
送られてくる検出信号（画像信号）を内部画像メモリ
の、前記各微小領域に対応した位置に記憶する。

【００４７】そして、表示手段４１は、画像メモリに記
憶した画像信号を順次読み出し、ディスプレイ４２の所
定位置に試料のＳＩＭ像を表示させる。

【００４８】このように図１の装置においては、イオン
ビームを偏向させずに固定しておき、試料側をＳＩＭ像
が得られるように所定の走査幅だけ走査させるので、ガ
スをイオン化するタイプのイオン銃を使用した場合で
も、試料のＳＩＭ像を得ることができる。この結果、こ
のＳＩＭ像から、イオン照射時の２次電子効率の原子番
号依存性や、２次電子効率の仕事関数依存性などを知る
ことができる。

【００４９】また、分析者は、試料のＳＩＭ像とＳＥＭ
像を得たいとき、指示手段３７によりＳＩＭ像とＳＥＭ
像取得の指示入力を行う。この入力が行われると、中央
制御手段４３はイオンビーム照射手段１３に指示を送
り、イオンビーム照射手段１３からのイオンビームが前
記点Ｑに集束されて固定される。

【００５０】また、中央制御手段４３はステージ走査回
路３４に指示を送り、ステージ走査回路３４は、前記イ
オンビームフォーカス点Ｑに、前記微小領域ａ₁₁を位置
させるためのステージ走査信号をステージ制御手段３５
に送る。

【００５１】この結果、前記イオンビームフォーカス点
Ｑに微小領域ａ₁₁が位置し、イオンビームの照射によっ
て試料から発生した２次電子は２次電子検出器３２によ
り検出され、検出された信号は表示手段４１に送られ
る。表示手段４１は、前記ステージ走査回路３４からの
信号に基づき、前記２次電子検出器３２から送られてく
る画像信号を内部ＳＩＭ用画像メモリの、前記微小領域
ａ₁₁に対応した位置に記憶する。

【００５２】次に、中央制御手段４３はイオンビーム照
射手段１３に指示を送り、イオンビーム照射手段１３
は、前記微小領域ａ₁₁へのイオンビーム照射を停止す
る。

【００５３】そして、中央制御手段４３は電子線走査回
路３８に指示を送り、電子線走査回路３８は、電子線を
試料上の微小領域ａ₁₁で２次元的に走査させるための電
子線走査信号を偏向器制御手段３９に送る。偏向器制御
手段３９はその走査信号に基づいて偏向電源４０を制御
するので、集束レンズ６と対物レンズ８で集束された電
子線は、試料の微小領域ａ₁₁上で２次元的に走査され
る。

【００５４】この電子線照射により試料から２次電子が
放出されるが、その２次電子は２次電子検出器３２によ
り検出され、検出された微小領域ａ₁₁の画像信号は表示
手段４１に送られる。表示手段４１は、前記電子線走査
回路３８からの信号と前記ステージ走査回路３４からの
信号に基づき、前記２次電子検出器３２から送られてく
る画像信号をデジタル化し内部ＳＥＭ用画像メモリＭ
の、各電子線照射位置およびステージ位置に対応した位
置に記憶する。

【００５５】図３はＳＥＭ用画像メモリＭの記憶エリア
を示す。図３に示されているように、ＳＥＭ用画像メモ
リＭは、図２に示されているステージ走査範囲ａ₁₁…ａ
_nmの各微小領域毎に２５６×２５６画素が確保され、前
述の微小領域ａ₁₁での電子線走査により得られた領域ａ
₁₁のＳＥＭ画像データは、図３の記憶領域ａ₁₁に書き込
まれる。

【００５６】このようにして、最初の微小領域について
のイオンビーム固定照射に基づくＳＩＭデータの取得及
び電子線走査に基づくＳＥＭデータの取得が終了する
と、電子線照射は停止され、そして前記イオンビームフ
ォーカス点Ｑに前記微小領域ａ ₁₂が位置決めされて、ａ
₁₁の時と同じように、イオンビーム照射時の画像信号と
電子線走査時の画像信号が表示手段４１の画像メモリに
それぞれ記憶される。

【００５７】このような画像信号の取得は、図２におけ
るその他の微小領域についても同様に行われ、それは、
微小領域ａ₁₁，ａ₁₂，…，ａ_1m-1，ａ_1m，ａ_2m，
ａ_2m-1，…，ａ₂₂，ａ₂₁，ａ₃₁，ａ₃₂，…，ａ_n-11，ａ
_n1，…，ａ_nm-1，ａ_nmの順に行われる。そして微小領域
ａ_nmの画像信号の取得が終了した時点では、ＳＩＭ用画
像メモリには、ｎ×ｍ画素の領域ＡのＳＩＭ画像データ
が格納され、一方、ＳＥＭ用画像メモリには、２５６×
２５６画素の各微小領域の画像データをつなぎ合わせて
合成された２５６×ｎ×２５６×ｍ画素の領域ＡのＳＥ
Ｍ合成画像データが格納されている。ＳＥＭ用画像メモ
リに記憶した画像データを読み出してディスプレイ４２
に送れば、電子線走査による最大走査領域をはるかに超
えたたとえば１０×１０ｍｍ程度の大きな領域について
のＳＥＭ合成画像が表示され、領域Ａの全体をＳＥＭ画
像として観察できる。

【００５８】また、ＳＩＭ用画像メモリとＳＥＭ用画像
メモリに記憶した画像データを読み出し、ディスプレイ
４２の所定位置に、前記領域ＡのＳＩＭ像とＳＥＭ像を
並べて表示させることもできる。このような表示によ
り、分析者は、電子とイオン照射での２次電子効率の原
子番号依存性の違いや、２次電子効率の仕事関数依存性
の違いなどを知ることができる。

【００５９】なお、ＳＥＭ合成画像データは上述のよう
にＳＩＭ画像データに比べ多量であるため、表示領域の
大きさを考慮した縮小表示が必要である。

【００６０】以上、図１および図２を用いて本発明の実
施例について説明したが、本発明はこの例に限定される
ものではない。

【００６１】たとえば、上記例においては、アルゴンガ
スを用いたが、ヘリウムやクリプトンやキセノンなどの
希ガスを用いても良い。

【００６２】また、上記例においては、ガスに電子線を
照射してガスをイオン化させているが、電界を発生させ
てガスをイオン化させるようにしても良い。

【００６３】また、前記ＸＹステージ２９を駆動させる
のは、モータによる駆動でも、またピエゾによる駆動で
もよい。

【００６４】また、上記例においては、ＳＥＭ用画像メ
モリＭは、ステージ走査範囲ａ₁₁…ａ_nmの各微小領域毎
に２５６×２５６画素が確保されるが、ステージ走査範
囲ａ ₁₁…ａ_nmの各微小領域毎に６４×６４画素または１
２８×１２８画素が確保されるようにしても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のイオンビーム装置の一例として示し
た、オージェマイクロプローブの概略図である。

【図２】図１の装置において、ＳＩＭ像を得るための
ステージ走査を説明するために示した図である。

【図３】ＳＥＭ用画像メモリＭの記憶エリアを示した
図である。

【符号の説明】

１…試料室チャンバ、２…試料室、３…排気装置、４…
電子線照射手段、５…電子銃、６…集束レンズ、７、１
６…偏向器、８、１７…対物レンズ、９…電子分光器、
１０…インプットレンズ、１１…アナライザ、１２…検
出器、１３…イオンビーム照射手段、１４…ガスイオン
銃、１５…集束レンズ、１８…真空容器、１９…ガス貯
蔵室、２０…ガス流量調整弁、２１…フィラメント、２
２…イオン化室、２３…引出電極、２４…エミッション
電流量制御部、２５…エミッション電源、２６…イオン
加速電源、２７…傾斜ステージ、２８…Ｚステージ、２
９…ＸＹステージ、３０…試料ホルダ、３１…試料、３
２…２次電子検出器、３３、３７…指示手段、３４…ス
テージ走査回路、３５…ステージ制御手段、３６…ＸＹ
ステージ駆動手段、３８…電子線走査回路、３９…偏向
器制御手段、４０…偏向電源、４１…表示手段、４２…
ディスプレイ、４３…中央制御手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガスをイオン化し、その発生したイオン
を試料上に集束させるイオンビーム照射手段と、試料を
載置する試料ステージと、該試料ステージを走査させる
ための走査手段と、前記イオンビームの照射により試料
から発生した信号を検出する検出手段と、前記試料ステ
ージの走査に関連して前記検出手段で検出された信号に
基づいて試料像を表示させる表示手段を備えたことを特
徴とするイオンビーム装置。
【請求項２】前記検出手段は、試料から発生した２次
電子を検出する２次電子検出手段であることを特徴とす
る請求項１記載のイオンビーム装置。
【請求項３】前記イオンビーム照射手段は、ガスに電
子を照射してガスをイオン化させることを特徴とする請
求項１または２に記載のイオンビーム装置。
【請求項４】ガスをイオン化し、その発生したイオン
を試料上に集束させて試料をエッチングするイオンビー
ム照射手段を備えたオージェマイクロプローブにおい
て、試料を載置する試料ステージを走査させるための走
査手段と、前記イオンビームの照射により試料から発生
した信号を検出する検出手段と、前記試料ステージの走
査に関連して前記検出手段で検出された信号を記憶する
手段と、該記憶手段に記憶された信号に基づいて試料像
を表示させる表示手段を備えたことを特徴とするオージ
ェマイクロプローブ。