JP2005175333A - 回路パターン検査方法とその装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査方法とその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、ウェーハの回路パターンが形成された基板表面に電磁波又は荷電粒子線を照射し、該照射によって前記基板から発生する信号に基づいて得られる検査画像から前記回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査方法において、前記検査画像を取得する前後の少なくとも一方において、前記検査画像の対応部分に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させることを特徴とする回路パターンの検査方法にある。
【選択図】 図1
Description
図5は、一回の事前照射(プリスキャン)、検査照射(検査スキャン)、一回の事後照射(ポストスキャン)に待ち時間無しに順次行う場合のプリポストスキャン動作を示すシーケンス図である。最初の一列ダイを例にした場合、点線で示す事前照射し、その後で、実線で示す検査画像取得のための検査照射を行い、次いで破線にて示す事後照射(ポストスキャン)を行う一連の工程を一つのペアとして、次の一列ダイに移動して同様に一連の工程を行う。この例は、検査照射と事前照射、検査照射と事後照射の間に待ち時間は無い場合の例である。本実施例で提案するのは、検査照射と事前照射、検査照射と事後照射の間に待ち時間がある場合の例である。
Claims (17)
- 回路パターンが形成されたウェーハ表面に電磁波又は荷電粒子線を照射し、該照射によって前記ウェーハから発生する信号に基づいて得られる検査画像から前記回路パターンの欠陥を検出する回路パターンの検査方法であって、前記検査画像を取得するときの前記電磁波又は荷電粒子線照射の前後の少なくとも一方において、前記検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させる前記電子線の照射条件に係るパラメータを設定することを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1において、前記検査画像を取得する前において、前記検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させて、前記検査画像の明るさ及びコントラストの少なくとも一方を変えることを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1又は2において、前記検査画像を取得した後において、前記検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射し、前記ウェーハ全体に帯電した電荷を除去又は帯電を加速することを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する前後の少なくとも一方において行なわれる前記電子線の照射と、前記検査画像を取得する前記電子線の照射とを前記ウェーハの一列ダイ毎に順次行うことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する事前の前記電子線の照射後、前記検査画像を取得する前記電子線の照射を前記電子線の未照射部の前記ウェーハの一列ダイを挟んで行い、次いで前記検査画像を取得する事前の前記電子線の照射を前記検査画像を取得する事前の前記電子線の照射後の次の前記ウェーハの一列ダイに行う操作を順次繰り返し行うことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する事前の前記電子線の照射を前記ウェーハの一列ダイ毎に3列順次行った後、前記検査画像を取得する前記電子線の照射を前記事前の前記電子線の照射を行った最初の部分の前記ウェーハの一列ダイに行い、次いで前記事前の前記電子線の照射と前記検査画像を取得する前記電子線の照射とを前記ウェーハの一列ダイを挟んで順次行うことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行った後、該検査画像を取得する前記電子線の照射を行った直前の前記ウェーハの一列ダイに前記検査画像を取得した後の前記電子線の照射を行い、次いで前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行った次の前記ウェーハの一列ダイの前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行う操作を順次繰り返すことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する前記電子線の照射を前記ウェーハのニ列ダイについて順次行った後、前の前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行った前記ウェーハの一列ダイに前記検査画像を取得した後の前記電子線の照射を行い、次いで後の前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行った次の前記ウェーハの一列ダイに前記検査画像を取得する前記電子線の照射と該照射の直前の前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行った部分の前記ウェーハの一列ダイに前記事前の前記電子線の照射を行う操作を順次繰り返すことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記ウェーハの一列ダイの前記検査画像を取得する事前の前記電子線の照射を行った後、前記検査画像を取得する前記電子線の照射を前記事前の前記電子線の照射を行う直前の前記ウェーハの一列ダイに前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行い、次いで前記検査画像を取得する前記電子線の照射を行った前記ウェーハの一列ダイの直前の一列ダイに前記検査画像を取得した後の前記電子線の照射を行った後、前記事前の前記電子線の照射を行った前記ウェーハの次の一列ダイに前記事前の前記電子線の照射を行う操作を繰り返すことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記ウェーハのニ列ダイの前記検査画像を取得する事前の前記電子線の照射を順次行った後、前記検査画像を取得する前記電子線の照射を前の前記事前の前記電子線の照射を行った前記ウェーハの一列ダイに行い、次いで後の前記事前の前記電子線の照射を行った前記ウェーハの一列ダイの次の前記ウェーハの一列ダイに前記事前の前記電子線の照射を行う操作を繰り返すことを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜10のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する前後の少なくとも一方における前記電子線発生の加速電圧、電子線量及び内部電磁界に係るパラメータが、前記検査画像を取得する電子線発生のパラメータとは異なることを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜11のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する前後の少なくとも一方における前記電子線の照射幅及び照射速度のパラメータが前記検査画像を取得する前記電子線のそれらのパラメータとは異なることを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 請求項1〜12のいずれかにおいて、前記検査画像を取得する前後の少なくとも一方において行なわれる前記電子線の照射方向と、前記検査画像を取得する前記電子線の照射方向とは異なることを特徴とすることを特徴とする回路パターンの検査方法。
- 回路パターンが形成されたウェーハ表面に電磁波又は荷電粒子線を照射する照射手段と、該照射によって前記ウェーハから発生する信号を検出する検出手段と、該検出手段によって検出された信号を検査画像として記憶する記憶手段と、該記憶された画像を前記回路パターンと同一部分に対して基準となる画像と比較する比較手段と、該比較結果から前記回路パターンの欠陥を判別する判別手段とを備えた回路パターンの検査装置であって、前記検査画像を取得するときの前記電磁波又は荷電粒子線の照射の前後の少なくとも一方において前記検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させる前記電子線の照射条件に係るパラメータを設定するパラメータ設定手段を有することを特徴とする回路パターンの検査装置。
- 請求項14において、前記照射手段が電子線であり、前記検査画像を取得する前後における前記検査画像の対応部分又はその近傍への前記電子線の照射と、前記検査画像を取得する前記電子線の照射との前記照射条件を設定する前記パラメータ設定手段を有することを特徴とする回路パターンの検査装置。
- 請求項15において、前記検査画像を取得する前において前記検査画像の対応部分又はその近傍に前記電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させて、前記検査画像の明るさ及びコントラストの少なくとも一方を変えるように前記パラメータ設定手段を有することを特徴とする回路パターンの検査装置。
- 請求項15において、前記検査画像を取得した後において、前記検査画像の対応部分に電子線を照射し、前記ウェーハ全体に帯電した電荷を除去又は帯電を加速する前記パラメータ設定手段を有することを特徴とする回路パターンの検査装置。
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