JP2017502499A - ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法、コンピュータ読み出し可能な媒体およびシステム - Google Patents

ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法、コンピュータ読み出し可能な媒体およびシステム Download PDF

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Abstract

ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法及び装置が提供される。1つの方法は、ウェハ計測システムによって生成されたウェハの計測データを取得することを含む。本方法はまた、計測データに基づいて、このウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することも含む。【選択図】図2

Description

1.本発明は、全般的に、あるウェハの計測データを使用してそのウェハまたは別のウェハに対するウェハ検査過程の1つ以上のパラメータを変化させるための計測最適化検査メトロロジー(メトロロジー:metrology)のための方法及びシステムに関する。
2.関連技術の説明
以下の説明及び実施例は、この項に含まれることを理由として先行技術であるとは認められない。
論理デバイス及びメモリデバイスなどの半導体デバイスの製作は、典型的に、半導体デバイスの種々のフィーチャー(特徴:features)及び複数の階層(レベル)を形成するために、数多くの半導体製作プロセスを使用して、半導体ウェハなどの基板を処理することを含む。例えば、リソグラフィは、レチクルから半導体ウェハ上に配設されたレジストへパターンを転写することを含む、半導体製作プロセスである。半導体製作プロセスのさらなる例としては、化学機械的研磨、エッチング、堆積、及びイオン注入が挙げられるが、それらに限定されない。複数の半導体デバイスは、単一の半導体ウェハ上に配設して製作され、次いで、個々の半導体デバイスに切り離され得る。
検査プロセスは、ウェハ上の欠陥を検出するために、半導体製造プロセス中に種々のステップで使用される。検査プロセスは、常に、集積回路などの半導体デバイスを製作することの重要な一部である。しかしながら、半導体デバイスの寸法が減少するにつれて、検査プロセスは、許容可能な半導体デバイスの良好な製造にとってなおさらに重要になっている。例として、半導体デバイスの寸法(ディメンジョン)が減少するにつれて、比較的小さい欠陥でさえも半導体デバイスに望ましくない異常を引き起こし得るので、減少するサイズの欠陥の検出が不可欠になってきている。
数多くの異なるタイプの検査システムは、異なる欠陥を検出するために、または不要な(ニューサンス:nuisance)イベントを回避するために異なるパラメータを使用することができるように、調節可能な出力取得(例えば、データ、信号及び/または画像取得)及び感度(または欠陥検出)パラメータを有する。調節可能な出力取得及び感度パラメータを有する検出システムは、半導体デバイス製造業者に大きな利点をもたらすが、検査プロセスに対して間違った出力取得及び感度パラメータが使用される場合、これらの検査システムは、基本的に役に立たない。正しい出力取得及び感度パラメータを使用することで、検査の結果に対して目覚ましい効果をもたらすことになるが、現在、数多くの検査プロセスが、間違った、または最適化されていない出力取得及び感度パラメータによって行われていると考えられる。
ウェハ検査プロセスの設定に現在使用されている方法において、検出技師は、複数の限度(リミテーション)を有するウェハ検査レシピを設定し得る。例えば、ユーザは、利用可能である限られた数のウェハ及びウェハ上の限られた領域に基づいて、検査感度を設定し得る。ユーザはまた、製作プロセスの変動性に起因するウェハ間の変動に適合させようとして、複数のウェハを使用して感度を設定することも選択し得る。他の応用例において、ユーザは、基準ダイを設定する目的で基準(公称:ノミナル)画像を定義するために、1つ以上のダイからデータを選択し得る。そのような応用例において、ユーザは、データを収集するために最良の場所を推測することができるが、その場所は、真の公称条件を表していないことがあり得る。別の応用例において、ユーザは、レビューサンプリングのために種々の欠陥を選択することがあり得るが、そのサンプリング母集団は、ノイズレベルがしばしば未知であるダイまたは場所に基づいている。
検査最適化の分野において、ノイズの多い領域がどこなのか分からないことによって、ウェハ全体にわたる変動を真に反映しないことがあり得るノイズの多い領域だけまたはノイズの少ない領域だけに基づいて感度を設定する結果になる場合がある。ダイの行(row)選択がノイズの少ない領域に対して行われた場合は、さらにウェハを走査したときに、さらなるニューサンス欠陥が生じ得る。ダイの選択がノイズの多い領域に対して行われた場合は、閾値の設定が高過ぎることに起因して、製品ウェハの走査中に本当の欠陥が見落とされ得る。公称ダイの選択に関しては、平均厚さ、限界寸法(CD)などが存在する真の公称条件であるダイを選択することが課題である。このデータセットを有しないことは、公称シグネチャを表さないダイを選択することにつながる場合がある。欠陥サンプリングに関して、ノイズが多い領域においてサンプリングした欠陥は、低い信号対ノイズ比を生じる場合があり、一方で、ノイズが少ない領域からの最適化されたサンプリングは、より実際的な欠陥が得られ得る。
故に、上で説明される不利点のうちの1つ以上を有しないシステム及び/または方法を開発することが有利である。
種々の実施形態の以下の説明は、いかなる形であれ、添付の特許請求の範囲の主題を限定するものと解釈するべきではない。
一実施形態は、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための、コンピュータで実現される方法に関する。本方法は、ウェハ計測システムによって生成されるウェハの計測データを取得することを含む。本方法はまた、計測データに基づいて、このウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することも含む。取得ステップ及び判定ステップは、コンピュータシステムによって行われる。
上で説明される方法は、本明細書でさらに説明されるように行われ得る。加えて、上で説明される方法は、本明細書で説明される任意の他の方法(複数可)の任意の他のステップ(複数可)を含み得る。さらに、上で説明される方法は、本明細書で説明されるシステムのいずれかによって行われ得る。
別の実施形態は、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するためのコンピュータで実現される方法を行うためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する、非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体に関する。コンピュータで実現される方法は、上で説明される方法のステップを含む。コンピュータ読み出し可能な媒体はさらに、本明細書で説明されるように構成され得る。コンピュータで実現される方法のステップは、本明細書でさらに説明されるように行われ得る。加えて、プログラム命令が実行可能であるコンピュータで実現される方法は、本明細書で説明される任意の他の方法(複数可)の任意の他のステップ(複数可)を含み得る。
追加的な実施形態は、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成されるシステムに関する。本システムは、ウェハの出力を生成するように構成される検査サブシステムを含む。本システムはまた、上で説明される方法の取得ステップ及び判定ステップを行うように設定されるコンピュータサブシステムも含む。システムはさらに、本明細書で説明されるように構成され得る。
本発明の目的及び利点は、以下の詳細な説明を読み、添付図面を参照することによって明らかになるであろう。
本明細書で説明されるコンピュータで実現される方法の1つ以上を行うためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含む、非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体の一実施形態を例示しているブロック図である。 ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成されるシステムの一実施形態の側面図を例示する概略図である。
本発明は、種々の変形及び代替形態が可能であるが、その具体的な実施形態は、図面中に一例として示され、本明細書で詳細に説明される。しかしながら、図面及びその詳細な説明は、本発明を、開示される特定の形態に限定することを意図するものではなく、逆に、本発明が、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨及び範囲の範囲内に含まれるすべての修正物、等価物、及び代替物を対象とすることを意図することを理解されたい。
以下、図面を参照すると、図が一定の比率(スケール)で描かれていないことに留意されたい。具体的には、図の要素のうちのいくつかの比率は、要素の特性を強調するために大幅に誇張されている。また、図が同じ比率で描かれていないことにも留意されたい。2つ以上の図に示される同様に構成され得る要素は、同じ参照番号を使用して示されている。本明細書で別途注記のない限り、説明され、示される要素のいずれかは、任意の適切な市販の要素を含み得る。
一実施形態は、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための、コンピュータで実現される方法に関する。本方法は、ウェハ計測システムによって生成されるウェハの計測データを取得することを含む。計測データを取得することは、本明細書で説明されるように構成され得るウェハ計測ツールを使用して本明細書でさらに説明される測定のいずれかなどの、ウェハに対する測定を行うことを含み得る。この様式で、計測データを取得することは、ウェハを測定することを含み得る。しかしながら、計測データを取得することは、必ずしもウェハの測定を行うことを含むとは限らない。例えば、計測データを取得することは、(例えば、計測システムによって)計測データが記憶された記憶媒体から計測データを取得することを含み得る。記憶媒体から計測データを取得することは、任意の適切な様式において行われ得、計測データが取得される記憶媒体は、本明細書で説明される記憶媒体のいずれかを含み得る。
一実施形態において、計測データは、ウェハのゆがみの情報を含む。別の実施形態において、計測データは、ウェハの反りの情報を含む。さらなる実施態様において、計測データは、ウェハ上に形成される膜の厚さを含む。さらなる実施形態において、計測データは、ウェハ上に形成されるパターン化構造の限界寸法(CD:critical dimension)を含む。いくつかの実施形態において、計測データは、ウェハ全体にわたって生成される200万を超える計測データ点を含む。例えば、レシピ(recipe)設定のための潜在的な検査ノイズ源を識別するために、比較的高い解像度の計測点(すなわち、ウェハ全体にわたって生成される数百万の計測データ点)を使用することができる。上で説明される計測データは、任意の適切な様式で、任意の適切な計測ツールによって生成され得る。
ますます縮小するプロセスウィンドウ及び比較的大きいウェハ直径により、ウェハの反り及びゆがみの比較的小さい変化が、膜厚及びCDの変動にかなりの影響を及ぼすことがあり得る。検査において、しばしば、欠陥データは、そのような変動に起因するがこれまで補償されたことがなかったニューサンス欠陥が大半を占めることがあり得る。本明細書で説明される計測学的認識検査によって、検査感度及び/またはダイサンプリングなどのウェハ検査のパラメータ(複数可)は、本明細書でさらに説明されるように最適化され得る。
本方法は、計測データに基づいて、このウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することを含む。例えば、本明細書で説明される計測データ(例えば、マスク計測、ウェハ膜厚、ウェハCD計測)は、本明細書で説明される検査と結び付けることができる。この様式で、計測データが検査へ送給され得る。例えば、本明細書で説明されるような計測ツールは、ウェハの計測データを検査システムに直接送信するように構成することができる。次いで、検査システムは、本明細書でさらに説明されるように行われ得るレシピ設定及び/または検出サンプリングなどの、本明細書で説明される方法の1つ以上のステップを行うために、計測データを使用し得る。
この様式で、検査及び欠陥サンプリングを微調整するために、計測データを検査に統合することができる。1つのそのような実施例では、計測システムから検査にデータが送信され得、検査は、計測データの変動に基づいて、データを使用して領域を分類及び/またはグループ化する。ノイズが多い領域及びノイズが少ない領域が識別されると、それに応じて検査戦略を設定することができる。このように、本明細書で説明される実施形態は、計測最適化検査(例えば、計測データに基づく、改善された検出感度及び改善された欠陥解析を有する検査)のために構成される。この様式で、検査を改善するために、ウェハの反り、ゆがみ、及び厚さのデータなどの計測データを使用することができる。ウェハの計測及び検査の相互作用は、潜在的な本当の欠陥を優先順位付けしながら、生産に値する検査プロセスの設定を補助することができる。
一実施形態において、このウェハまたは他のウェハ上の1つ以上の領域について決定されるウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータは、このウェハまたは他のウェハ上の他の1つ以上の他の領域について決定される1つ以上のパラメータと異なる。例えば、ウェハ全体にわたる計測データの変動に基づいて(すなわち、ウェハ上の位置または領域の関数として)、ウェハ検査プロセスのパラメータ(複数可)を、ウェハ全体にわたって変動させるように設定することができる。1つのそのような実施例では、ウェハのエッジ領域の計測データに基づいて、エッジ歩留まり検査戦略を定義することができる。加えて、計測データは、ウェハのエッジに近接するウェハの異なる領域が異なる問題を有し得ることを示し得る。したがって、計測データに基づいて決定することができる異なるエッジ領域の中に存在し得る潜在的な歩留まりの問題に基づいて、異なるエッジ領域に対して異なる検査戦略を実施することができる。ウェハ全体にわたる計測データの変動はまた、類似する計測データを有するウェハ上の異なる領域を決定するためにも使用することができる。次いで、類似する計測データを有する領域(例えば、ノイズが多い領域またはノイズが少ない領域)を、ともにグループ化すること、または同じ分類を割り当てることができる。次いで、同じグループの領域または割り当てられた分類を有する領域に、同じ検査プロセスパラメータ(複数可)を割り当てることができる。この様式で、計測データの変動に基づいて、ウェハ検査プロセスを最適化することができる。
いくつかの実施形態において、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータは、ウェハ検査プロセス中に行われる欠陥検出の1つ以上のパラメータを含む。この様式で、ウェハ測定からの計測データを統合することによって欠陥検出を改善するために、本明細書で説明される実施形態を使用することができる。欠陥検出の1つ以上のパラメータは、検査システムの出力処理(すなわち、信号処理、画像処理、またはデータ処理)の任意のパラメータ、ならびにウェハ上の欠陥を検出するために行われる任意の欠陥検出アルゴリズム(複数可)及び/または方法(複数可)の任意のパラメータ(複数可)を含み得る。例えば、本明細書でさらに説明されるように、1つ以上のパラメータは、検査または欠陥検出の感度を含み得る。しかしながら、欠陥検出の任意の他のパラメータ(複数可)は、欠陥検出アルゴリズム及び/または方法における完全な変化を含む、類似する様式で変更され得る。
別の実施形態において、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータは、このウェハまたは他のウェハの1つ以上の領域について行われる欠陥検出の感度を少なくとも部分的に決定する、1つ以上のパラメータを含む。この様式で、計測データを処方感度の検査に結び付けることができる。例えば、検査感度を最適化するために、及び改善されたデータ分析のためにノイズの多い領域/ノイズの少ない領域の場所を特定するために、ウェハのジオメトリ及び計測を使用することができる。計測技術及び検査技術を結び付けることによって、本明細書で説明される実施形態は、最も感度が高い検査を提供する際に、一意的な解決策を提供することができる。加えて、本明細書で説明される実施形態は、比較的大量のニューサンス欠陥がある場合の説明を補助することができ、また、ユーザがどのように対処するのかを決定することを可能にすることができる。この様式で、最も進んだ検査を提供するために、本明細書で説明される計測及び検査の密な接続性を活用することができる。本明細書で説明される実施形態はまた、追加的な使用事例、したがって、計測ツールに対する付加価値も提供する。
さらなる実施態様において、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータは、ウェハ検査プロセス中に行われる欠陥サンプリングの1つ以上のパラメータを含む。例えば、本明細書で説明される計測学的認識検査は、サンプリングを調整するための手掛かりを提供することができ、よって、欠陥レビュー(例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)レビュー)に対して本当の欠陥が選択される可能性がある。加えて、本明細書で説明される計測データは、どこでニューサンス欠陥が起こり得るかを予測し、したがって、レビューサンプリングの調整及びノイズの予測を行うために使用することができる。この様式で、計測データを、レビューサンプルのビニングのために検査に結び付けることができる。このように、ウェハ測定からの計測データを統合することによって、本明細書で説明される実施形態を、欠陥サンプリングを改善するために使用することができる。
一実施形態において、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータは、ウェハ検査プロセス中にウェハ検査システムによって出力が生成される、このウェハまたは他のウェハ上の1つ以上の領域を選択することを含む。例えば、レシピの最適化及びレビューサンプリングのためのダイの選択を自動的に決定するために、本明細書で説明される計測データが検査に結び付けられ得る。加えて、生産品質レシピを最適化するために、良好な種類のノイズが少ない領域及びノイズが多い領域を選択することができる。さらに、ウェハ上の対象となる欠陥(DOI:defects of interest)について、信号がより高い場所の検査を行うことができるように、本明細書で説明される計測データを、限界検査と計測領域とを切り離すために使用することができる。
いくつかの実施形態において、1つ以上のパラメータを決定することは、計測データに基づいて、このウェハまたは他のウェハの1つ以上の領域のCDの変動の可能性を決定することと、可能性が1つ以上の領域のうちの他よりも高い、1つ以上の領域のうちの少なくとも1つを決定することと、1つ以上の領域のうちの少なくとも1つが、ウェハ検査プロセスを1つ以上の領域のうちの他よりも密に行うウェハ検査システムによってサンプリングされるように、1つ以上のパラメータを決定することと、を含む。ウェハの異なる領域におけるCDの変動の可能性は、任意の適切な様式で決定され得る。例えば、ウェハに反りまたはゆがみある場合、ウェハのいくつかの部分は、ウェハに行われるリソグラフィステップにおいて焦点が合わないことがあり得、したがって、設計されたCDと異なるCDを有し得る。したがって、計測データから決定されたウェハに関する情報に基づいて、比較的高いCDの変動を有し得るウェハの領域を決定し、次いで、高いCDの変動を有する可能性が低い領域よりも密にサンプリングすることができる。この様式で、可能なCDの変動を探すように検査サンプリングを調整するために、本明細書で説明されるような計測データを使用することができる。このように、変動が高くなり得るウェハ上の領域が測定されるように、本明細書で説明される計測データを、限界検査と計測領域とを切り離すために使用することができる。
他の実施形態では、1つ以上のパラメータを決定することは、計測データに基づいて、このウェハまたは他のウェハ上の1つ以上のダイを選択することと、1つ以上の選択されたダイについてウェハ検査システムによって生成される出力を取得することと、1つ以上のダイについてウェハ検査システムによって生成された出力から基準ダイを生成することと、を含む。基準ダイは、このウェハまたは他のウェハ上の欠陥を検出するために、ウェハ検査プロセスで使用される。例えば、本明細書で説明される計測データは、ウェハ上の公称条件を識別するために使用することができ、次いで、その領域から1組の基準ダイ(すなわち、1つ以上の基準ダイ)が選択され得る。ウェハのノイズが少ない領域の中のダイ(複数可)を選択することによって、公称画像の品質を改善することができる。加えて、公称条件を表す1組のダイを識別するために、膜厚及びCD計測データを使用することができる。このように、本明細書で説明される計測データは、基準画像を選択するための公称画像(複数可)の場所(複数可)を識別して、ダイ−基準画像間の検査を強化するために使用することができる。この様式で、計測データを基準ダイ選択のための検査に結び付けることができる。
さらなる実施形態において、ウェハの検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することは、ウェハ検査プロセス及び計測データのうちの1つ以上の第1のパラメータに基づいて、ウェハ検査プロセスにおいて、このウェハまたは他のウェハ上のどの1つ以上の領域が、このウェハまたは他のウェハ上の他の領域よりも多くのノイズを生じるか、及びこのウェハまたは他のウェハ上のどの1つ以上の追加的な領域が、このウェハまたは他のウェハ上の他の領域よりも少ないノイズを生じるかを決定することと、1つ以上の領域及び1つ以上の追加的な領域に基づいて、ウェハ検査プロセスの1つ以上の第2のパラメータを決定することと、を含む。例えば、検査レシピが最適化されるウェハ上の場所を決定するために、ウェハのゆがみまたは反りデータなどの計測データの収集を行うことができる。数百万のデータ点を利用し、ノイズが多い領域とノイズが少ない領域とを識別することによって、その領域の品質の事前情報に基づいて、処方感度の設定及び欠陥サンプリングなどのウェハ検査パラメータ(複数可)を最適化することができる。例えば、本明細書で説明される計測データは、変動を予想してそれに応じて検査感度を設定するために、ウェハにおける変動の量を理解することを補助することができる。1つのそのような実施例において、計測データは、ノイズの多い領域と公称領域とを切り離し、異なる領域について独立して検査感度を設定するために使用することができる。加えて、計測データは、ニューサンスデータの優先順位付け及びフィルタリングのためのノイズが多い検査領域(複数可)を識別するために使用することができる。例えば、本明細書で説明されるように計測データから決定することができるウェハ上の高ノイズ領域では、典型的に、公称(nominal)ノイズまたは低ノイズを有する領域よりもかなり多いニューサンス欠陥が検出される。一方で、比較的ノイズが低い領域では、本当の欠陥を検出する可能性がより高くなる。したがって、ウェハの異なる領域において予想されるノイズに基づいて、ニューサンスフィルタリングの1つ以上のパラメータを決定することができる。
そのような一実施形態において、1つ以上の第2のパラメータは、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータを含み、他の領域よりも少ないノイズを生じる1つ以上の追加的な領域の中のランダムな欠陥を選好的に選択するために、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータが決定される。例えば、ウェハ上の比較的ノイズの少ない領域から欠陥をサンプリングすることによって、欠陥のサンプリングは、よりランダムな欠陥を示すことができる。この様式では、ランダムな欠陥を発見するために、ノイズの少ない領域が選択され得る。加えて、レビューサンプリングは、本当の欠陥を選択する可能性を高めるために、ウェハ上のノイズが少ない領域に向かって歪曲されることがあり得る。
別のこのような実施形態では、1つ以上の第2のパラメータは、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータを含み、他の領域よりも多くのノイズを生じる1つ以上の領域の中の系統的な欠陥を選好的に選択するために、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータが決定される。例えば、ノイズが多い領域は、潜在的な系統的欠陥をサンプリングするための良好なプロキシであり得る。
上で説明される実施形態の双方において、ウェハ検査プロセスにおいて検出される欠陥は、欠陥が検出された高い/低い変動領域を識別するIDが割り当てられ得る。換言すれば、計測データの高い変動を有する領域において検出される欠陥には、あるIDが割り当てられ得、計測データの低い変動を有する領域において検出される欠陥には、異なるIDが割り当てられ得る。この様式で、欠陥がサンプリングされ、欠陥が検出された領域によって分類され得る。ウェハ検査プロセスの欠陥検出結果は、任意の他の適切な様式で計測データに関連付けられ得る。例えば、検査によって生成される欠陥マップが計測マップに関連付けられ得る。
一実施形態において、本方法は、レチクルのための計測データまたは検査データを取得することを含み、レチクルが、パターン化フィーチャーをウェハ上に印刷するために使用され、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することが、レチクルの計測データまたは検査データと組み合わせて、ウェハの計測データに基づいて行われる。この様式で、検査ノイズに寄与し得るレチクル内の異常を識別するために、マスク計測データが使用され得る。例えば、レチクルの計測及び/または検査によってレチクル上で検出される欠陥または潜在的欠陥に関する情報を、そのレチクルによってウェハ上に印刷される欠陥または潜在的欠陥に関する情報を決定するために使用することができる。いくつかのそのような事例では、レチクルの検査及び/または計測によって許容可能であると判定されるレチクル上の欠陥に関する情報が、それらの許容可能な欠陥が位置するウェハ上の場所を識別するために使用され得る。そういった場所は、欠陥が実際に許容可能であることを確実にするために、ウェハ検査における欠陥について走査され、確認され得る。代替的に、そういった場所は、おそらくはウェハの欠陥がそこで検出された場合に、そういった欠陥が許容可能なレチクルの検出の結果として許容可能となるので、検出されないことがあり得る。したがって、レチクルの計測データまたは検査データに少なくとも部分的に基づいて決定されるウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータは、ウェハ上の検査する場所、検査のタイプ、ウェハのある特定の領域内で検出される欠陥に割り当てられる分類などを含み得る。レチクルの検査データ及び/または計測データは、レチクルの検査データ及び/または計測データとウェハの計測データとの異なる組み合わせのための適切な検査パラメータ(複数可)を定義する1組の規則を介するなどのいくつかの異なる方法で、ウェハ検査パラメータ(複数可)を決定するためのウェハの計測データと組み合わせて使用することができる。加えて、ウェハ検査パラメータ(複数可)を、あたかも本明細書に完全に記載されているかのように参照により組み込まれる、2005年1月6日に発行された、Marella他による米国特許出願公開第2005/0004774号で説明されるように、レチクルの検査及び/または計測データに基づいて定義することができる。本明細書で説明される実施形態はさらに、この特許出願で説明されるように構成され得る。
類似する様式では、設計データの中の「欠陥」に関する情報が、ウェハ計測データ(及び場合により、レチクルの検査データ及び/または計測データ)と組み合わせて、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するために使用され得る。設計データの中の「欠陥」に関する情報は、あたかも本明細書に完全に記載されているかのように参照により組み込まれる、2010年1月12日にSaidin他に発行された米国特許第7,646,906号で説明されるような方法及びシステムを使用して取得され得る。本明細書で説明される実施形態はさらに、本特許で説明されるように構成され得る。
いくつかの実施形態において、1つ以上のパラメータは、ウェハ検査プロセス中にダイ内で行われるフィールド間検査に使用される、このウェハまたは他のウェハの1つ以上の領域を含む。この様式で、本明細書で説明される計測データは、ダイ内のフィールド間検査に適切であるウェハ上の領域を定義するために使用され得る。例えば、フィールド間検査が行われるべきウェハ上の1つ以上の高ノイズ領域を定義するために、計測データを使用することができる。具体的には、比較的高いノイズ領域において、ダイ間によるノイズ変動は、フィールド間によるノイズ変動よりもかなり大きくなり得る。したがって、比較的高いノイズ領域において、ダイ間検出は、フィールド間検出よりも多くのニューサンス欠陥の検出をもたらし得る。このように、ウェハ検査プロセスのパラメータ(複数可)は、行われる検出のタイプ(例えば、ダイ間またはフィールド間)がウェハの異なる領域において予想されるノイズに応じて変動するように設定することができる。
別の実施形態において、本方法は、計測データに基づいて、このウェハまたは他のウェハの製作プロセスの1つ以上のパラメータを決定することを含み、このウェハまたは他のウェハに対して製作プロセスがこのウェハまたは他のウェハに対して行われた後に、このウェハまたは他のウェハに対してウェハ検査プロセスが行われ、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することが、製作プロセスの1つ以上のパラメータと組み合わせて、ウェハの計測データに基づいて行われる。いくつかのそのような実施形態において、製作プロセスは、エッチングプロセスであり得る。しかしながら、製作プロセスは、ウェハに対して行うことができる任意の他の製作プロセスであり得る。加えて、このウェハまたは他のウェハに対して行われる製作プロセスは、1つ以上の製作プロセスステップ(例えば、場合により1つ以上の他のプロセスステップを伴うエッチングプロセスステップ)を含み得る。1つのそのような実施例において、ウェハフィールド内の変動データなどの、本明細書で説明される計測データを、1つ以上のエッチング条件を最適化し、組み合わせたデータを使用して、ウェハの検査を最適化するために使用することができる。
追加的な実施形態において、1つ以上のパラメータを決定することは、計測データに基づいて、ウェハ検査プロセス中にウェハ検査システムによってこのウェハまたは他のウェハの1つ以上の領域について生成された出力の中のノイズの1つ以上の特性を決定することと、ノイズの1つ以上の決定した特性に基づいて、ウェハ検査プロセス中に行われる出力ノイズ低減の1つ以上のパラメータを決定することと、を含む。したがって、本明細書で説明される実施形態は、検査のための動的なノイズ検出を行うように構成され得る。例えば、本明細書で説明される計測データは、高周波数ノイズ及び低周波数ノイズを決定するために使用することができ、該データは、次いで、適切なノイズ低減技術を決定するために使用することができる。
本明細書で説明される取得ステップ及び判定ステップは、本明細書でさらに説明されるように構成することができるコンピュータシステムによって行われる。
本明細書で提供される実施形態の説明から明らかになるように、本発明の実施形態は、ウェハ検査のレシピを設定するための、現在の方法及びシステムに勝るいくつかの利点を有する。例えば、計測データを手動で調査することは、ユーザが検査のためにウェハ上の領域を選び出すのを補助し得るが、時間がかかり、有効ではない。現在、計測と検査との間にはいかなる直接的な結び付きもなく、したがって、マスク計測、膜厚、及びCDの計測などの外部データ源の使用は、使用することが困難であるだけでなく、誤差の十分な余地も残す。レシピ及びレビューサンプリングを自動的に調整するために計測データと検査レシピとを結び付けることは、この流れを効率的なものにし、また、生産を価値のあるものにすることができる。
上で説明される方法の実施形態の各々は、本明細書で説明される任意の他の方法(複数可)の任意の他のステップ(複数可)を含み得る。さらに、上で説明される方法の実施形態の各々は、本明細書で説明されるシステムのいずれかによって行われ得る。
本明細書で説明されるすべての方法は、方法の実施形態の1つ以上のステップの結果をコンピュータ読み出し可能な記憶媒体に記憶することを含み得る。結果は、本明細書で説明される結果のいずれかを含み得、また、当技術分野で知られている任意の様式で記憶され得る。記憶媒体としては、本明細書で説明される任意の記憶媒体、または当技術分野で知られている任意の他の適切な記憶媒体が挙げられ得る。結果を記憶した後に、該結果は、記憶媒体中でアクセスすること、本明細書で説明される方法またはシステムの実施形態のいずれかによって使用すること、ユーザに表示するためにフォーマットすること、別のソフトウェアモジュール、方法、またはシステムによって使用すること、などを行うことができる。
追加的な実施形態は、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するためのコンピュータで実現される方法を行うためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する、非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体に関する。1つのそのような実施形態は、図1に示される。具体的には、図1に示されるように、コンピュータ読み出し可能な媒体100は、コンピュータシステム104上で実行可能なプログラム命令102を含む。コンピュータで実現される方法は、上で説明される方法のステップを含む。プログラム命令が実行可能であるコンピュータで実現される方法は、本明細書で説明される任意の他のステップ(複数可)を含むことができる。
本明細書で説明されるような方法を実現するプログラム命令102は、コンピュータ読み出し可能な媒体100に記憶され得る。コンピュータ読み出し可能な媒体は、磁気もしくは光ディスク、磁気テープ、または当技術分野で知られている任意の他の適切な非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体などの、記憶媒体であり得る。
プログラム命令は、数ある中でも、プロシージャに基づく手法、構成要素に基づく手法、及び/またはオブジェクト指向の手法を含む、種々の方法のうちのいずれかで実現され得る。例えば、プログラム命令は、所望に応じて、ActiveXコントロール、C++オブジェクト、JavaBeans、Microsoft Foundation Classes(「MFC」)、または他の技術もしくは方法論を使用して実現され得る。
コンピュータシステムは、パーソナルコンピュータシステム、画像コンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワーク機器、インターネット機器、または他のデバイスを含む、種々の形態をとり得る。一般に、「コンピュータシステム」という用語は、メモリ媒体からの命令を実行する1つ以上のプロセッサを有する任意のデバイスを包含するように広義に定義され得る。コンピュータシステムはまた、並列プロセッサ等の、当技術分野で知られている任意の適切なプロセッサも含み得る。加えて、コンピュータシステムは、スタンドアロンまたはネットワーク化されたツールのいずれかとして、高速処理及びソフトウェアを有するコンピュータプラットフォームを含み得る。
追加的な実施形態は、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成されるシステムに関する。そのようなシステムの一実施形態は、図2に示される。システム200は、ウェハの出力を生成するように構成される検査サブシステム202を含み、該検査サブシステムは、この実施形態において本明細書でさらに説明されるように構成される。システムはまた、本明細書で説明される取得ステップ及び判定ステップを行うように構成されるコンピュータサブシステム204も含む。コンピュータサブシステムは、本明細書で説明される実施形態のいずれかに従って、これらのステップを行うように構成され得る。コンピュータサブシステム及びシステムは、本明細書で説明される任意の他のステップ(複数可)を行うように構成され得、さらに、本明細書で説明されるように設定され得る。
検査サブシステムは、光によってウェハを走査し、走査中にウェハからの光を検出することによって、ウェハの出力を生成するように構成され得る。例えば、図2に示されるように、検査サブシステムは、当技術分野で知られている任意の適切な光源を含み得る、光源206を含む。光源からの光は、光源からウェハ210へ光を導くように構成され得る、ビームスプリッタ208に向けられ得る。光源は、1つ以上の集光レンズ、コリメーティングレンズ、リレーレンズ、対物レンズ、アパーチャ、スペクトルフィルタ、偏光構成要素、及び同類のものなどの、任意の他の適切な要素(図示せず)に連結され得る。図2に示されるように、光は、垂直の入射角でウェハに向けられ得る。しかしながら、光は、ほぼ垂直の及び傾斜した入射角を含む、任意の適切な入射角でウェハに向けられ得る。加えて、光または複数の光ビームが、2つ以上の入射角で、順次的にまたは同時にウェハに向けられ得る。検査サブシステムは、任意の適切な様式で、ウェハ上で光を走査するように構成され得る。
ウェハ210からの光は、走査中に検査サブシステムの1つ以上のチャネルによって収集され、検出され得る。例えば、比較的垂直に近い角度でウェハ210から反射される光(すなわち、入射が垂直であるときの鏡面反射光)は、ビームスプリッタ208からレンズ212に通過し得る。レンズ212は、図2に示されるように、屈折光学要素を含み得る。加えて、レンズ212は、1つ以上の屈折光学要素及び/または1つ以上の反射光学要素を含み得る。レンズ212によって収集された光は、検出器214に集束され得る。検出器214は、電荷結合素子(CCD)または他のタイプの撮像検出器などの、当技術分野で知られている任意の適切な検出器を含み得る。検出器214は、レンズ212によって収集される反射光に対応する出力を生成するように構成される。したがって、レンズ212及び検出器214は、検査サブシステムの1つのチャネルを形成する。検査サブシステムのこのチャネルは、当技術分野で知られている任意の他の適切な光学的構成要素(図示せず)を含み得る。
図2に示される検査サブシステムは、ウェハから鏡面的に反射された光を検出するように構成されるので、検査サブシステムは、明視野(BF)検査サブシステムとして構成される。しかしながら、そのような検査サブシステムはまた、他のタイプのウェハ検査に対しても構成され得る。例えば、図2に示される検査サブシステムはまた、1つ以上の他のチャネル(図示せず)も含み得る。他のチャネル(複数可)は、散乱光チャネルとして構成される、レンズ及び検出器などの、本明細書で説明される光学的構成要素のいずれかを含み得る。レンズ及び検出器はさらに、本明細書で説明されるように構成され得る。この様式において、検査サブシステムはまた、暗視野(DF)検査に対しても構成され得る。
コンピュータサブシステム204は、走査中に検出器(複数可)によって生成される出力がコンピュータサブシステム204に提供され得るように、検査サブシステムに連結される。例えば、コンピュータサブシステムは、コンピュータサブシステムが検出器によって生成される出力を受信し得るように、(例えば、当技術分野で知られている任意の適切な伝送媒体を含み得る、図2において破線で示される1つ以上の伝送媒体によって)検出器214に連結され得る。
コンピュータサブシステムは、本明細書で説明される任意のステップ(複数可)を行うように構成され得る。例えば、コンピュータサブシステム204は、本明細書で説明されるように取得ステップ及び判定ステップを行うように構成され得る。加えて、コンピュータサブシステム204は、本明細書で説明される任意の他のステップを行うように構成され得る。コンピュータサブシステムはまた、本明細書で説明される1つ以上のパラメータに基づいて、ウェハ検査プロセスの1つ以上のステップを行うようにも構成され得る。例えば、コンピュータサブシステムによって行われる任意の欠陥検出、欠陥サンプリングなどは、本明細書で説明される実施形態によって決定される任意のパラメータ(複数可)に従って行われ得る。
いくつかの実施形態において、本明細書で説明されるシステムは、計測システムを含み得るか、または単に計測システムに連結され得る。例えば、本明細書でさらに説明されるように、上で説明されるような検査システムのコンピュータサブシステムは、検査システムのコンピュータサブシステムが計測システムのコンピュータサブシステムから計測データを受信することができるように、計測システムのコンピュータサブシステムに連結され得る。
本明細書で説明される計測データを生成することができる計測システムの一実施形態は、図2に示される。この実施形態において、計測システム216は、光源からビームスプリッタ220に向けられる光を生成するように構成される、光源218を含む。ビームスプリッタは、光の一部分を、光源から、光のその部分をウェハ224に集束させる屈折光学要素222に反射するように構成される。ビームスプリッタはまた、光の別の部分を、光源から、計測システムにおいて基準としての役割を果たす反射光学要素226に伝達するようにも構成される。屈折光学要素を通過するウェハから反射された光、及び反射光学要素から反射された光は、ビームスプリッタによって組み合わせられ、検出器228に向けられ得る。この様式で、(1つがウェハから、及びもう1つが基準からの)2つの反射ビームは、互いに干渉し得、結果として生じる干渉が検出器によって検出され得る。このように、図2に示される計測システムは、干渉計として構成される。コンピュータサブシステム230は、コンピュータサブシステムが検出器によって生成される出力を受信し、そして、受信した出力からウェハの1つ以上の特性(すなわち、計測データ)を決定することができるように、本明細書で説明されるように検出器に連結され得る。この様式で決定される計測データは、本明細書で説明される計測データのいずれかを含み得、また、当技術分野で知られている任意の適切な様式で決定され得る。
計測システムは、図2において干渉計として示されているが、本明細書で説明されるシステムに含まれる、または連結される任意の計測システムは、当技術分野で知られている任意の他の適切な構成を有し得る。例えば、計測システムはまた、または代替的に、散乱計、反射計、楕円偏光計、回折計、またはそれらのいくつかの組み合わせもしくは変形物としても構成され得る。計測システムはまたさらに、それらのすべてがあたかも本明細書に完全に記載されているかのように参照により組み込まれる、2010年5月4日にPark他に発行された米国特許第7,711,514号、2013年10月15日にChang他に発行された米国特許第8,559,001号、及び2014年7月22日にMuller他に発行された米国特許第8,786,842号、ならびに2013年11月21日に公開されたMacNaughton他による米国特許出願公開第2013/0310966号で説明されるようにも構成され得る。本明細書で説明される実施形態はさらに、これらの特許及び特許出願で説明されるように構成され得る。
コンピュータサブシステム204及び230は、図2においてコンピュータサブシステム間に破線で示される1つ以上の伝送媒体によって連結され得る。この様式で、2つのコンピュータサブシステムは、相互に情報を送信及び受信し得る。このように、計測データは、計測システムによって検査システムに送給され得る。しかしながら、計測データはまた、計測システムによって、本明細書でさらに説明され、示されるような記憶媒体にも記憶され得、次いで、検査システムのコンピュータサブシステムは、その記憶媒体から計測データを取り出すことができる。
図2は、全般的に、本明細書で説明されるシステムの実施形態に含まれ得る検査システム及び計測システムの構成を例示するように本明細書に提供されることに留意されたい。当然、本明細書で説明される検査及び計測システムの構成は、市販の検査システム及び計測システムを設計しているときに通常行われるような、検査システム及び計測システムの性能を最適化するために変更され得る。加えて、本明細書で説明されるシステムは、(例えば、本明細書で説明される機能を既存の検査システムまたは計測システムに加えることによって)KLA−Tencor(Milpitas、Calif.)から市販されている、ウェハ検査システムの29××/28××シリーズ及びWaferSight PWG計測ツールなどの、既存の検査システム及び/または既存の計測システムを使用して実現され得る。いくつかのそのようなシステムについて、本明細書で説明される方法は、(例えば、システムの他の機能に加えて)システムの随意の機能として提供され得る。代替的に、本明細書で説明されるシステムは、全く新しいシステムを提供するために、「ゼロから」設計され得る。
この説明を考慮することで、本発明の種々の態様のさらなる修正物及び代替の実施形態が当業者に明らかになるであろう。例えば、ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法及び装置が提供される。故に、この説明は、単に例示的なものと解釈されるべきであり、また、本発明を実行する一般的な様式を当業者に教示することを目的とする。本明細書で示され、説明される本発明の形態が、好適な実施形態とみなされるべきものであることを理解されたい。本発明のこの記述の利点を有した後にすべてが当業者に明らかになるように、要素及び材料は、本明細書で例示され、説明されるものと置き換えられ得、部品及びプロセスは、逆にされ得、また、本発明のある特定の特徴は、独立して利用され得る。以下の特許請求の範囲で説明される本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本明細書で説明される要素に変更が行われ得る。

Claims (22)

  1. ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための、コンピュータで実現される方法であって、
    ウェハ計測システムによって生成されるウェハの計測データを取得することと、
    前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは他のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することと、を含み、前記取得すること及び前記決定することが、コンピュータシステムによって行われる、方法。
  2. 前記計測データが、前記ウェハのゆがみの情報を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記計測データが、前記ウェハの反りの情報を含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記計測データが、前記ウェハ上に形成される膜の厚さを含む、請求項1に記載の方法。
  5. 前記計測データが、前記ウェハ上に形成されるパターン化構造の限界寸法を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記計測データが、前記ウェハ全体にわたって生成される数百万の計測データ点を含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上の領域について決定される前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上の他の領域について決定される前記1つ以上のパラメータと異なる、請求項1に記載の方法。
  8. 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中に行われる欠陥検出の1つ以上のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
  9. 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域について行われる欠陥検出の感度を少なくとも部分的に決定する、1つ以上のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中に行われる欠陥サンプリングの1つ以上のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
  11. 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中にウェハ検査システムによって出力が生成される、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上の領域を選択することを含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記1つ以上のパラメータを決定することが、
    前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域の限界寸法の変動の可能性を決定することと、
    前記可能性が前記1つ以上の領域のうちの他よりも高い、前記1つ以上の領域のうちの少なくとも1つを決定することと、
    前記1つ以上の領域のうちの前記少なくとも1つが、前記ウェハ検査プロセスを前記1つ以上の領域のうちの前記他よりも密に行うウェハ検査システムによってサンプリングされるように、前記1つ以上のパラメータを決定することと、を含む、請求項1に記載の方法。
  13. 前記1つ以上のパラメータを決定することが、
    前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上のダイを選択することと、
    前記1つ以上の選択したダイについてウェハ検査システムによって生成される出力を取得することと、
    前記1つ以上の選択したダイについて前記ウェハ検査システムによって生成された前記出力から基準ダイを生成することであって、前記基準ダイが、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の欠陥を検出するために前記ウェハ検査プロセスで使用される、基準ダイを生成することと、を含む、請求項1に記載の方法。
  14. 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータを決定することが、
    前記ウェハ検査プロセス及び前記計測データのうちの1つ以上の第1のパラメータに基づいて、前記ウェハ検査プロセスにおいて、前記ウェハまたは前記他のウェハ上のどの1つ以上の領域が、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の他の領域よりも多くのノイズを生じるか、及び前記ウェハまたは前記他のウェハ上のどの1つ以上の追加的な領域が、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の他の領域よりも少ないノイズを生じるかを決定することと、
    前記1つ以上の領域及び前記1つ以上の追加的な領域に基づいて、前記ウェハ検査プロセスの1つ以上の第2のパラメータを決定することと、を含む、請求項1に記載の方法。
  15. 前記1つ以上の第2のパラメータが、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータを含み、前記他の領域よりも少ないノイズを生じる前記1つ以上の追加的な領域の中のランダムな欠陥を選好的に選択するために、前記1つ以上の欠陥サンプリングパラメータが決定される、請求項14に記載の方法。
  16. 前記1つ以上の第2のパラメータが、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータを含み、前記他の領域よりも多くのノイズを生じる前記1つ以上の領域の中の系統的な欠陥を選好的に選択するために、前記1つ以上の欠陥サンプリングパラメータが決定される、請求項14に記載の方法。
  17. レチクルのための計測または検査データを取得することをさらに含み、前記レチクルが、パターン化フィーチャーを前記ウェハ上に印刷するために使用され、前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータを決定することが、前記レチクルの前記計測または検査データと組み合わせて、前記ウェハの前記計測データに基づいて行われる、請求項1に記載の方法。
  18. 前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中にダイ内で行われるフィールド間検査に使用される、前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域を含む、請求項1に記載の方法。
  19. 前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは前記他のウェハの製作プロセスの1つ以上のパラメータを決定することをさらに含み、前記ウェハまたは前記他のウェハに対して前記製作プロセスが前記ウェハまたは前記他のウェハに対して行われた後に、前記ウェハまたは前記他のウェハに対して前記ウェハ検査プロセスが行われ、前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータを決定することが、前記製作プロセスの前記1つ以上のパラメータと組み合わせて、前記ウェハの前記計測データに基づいて行われる、請求項1に記載の方法。
  20. 前記1つ以上のパラメータを決定することが、前記計測データに基づいて、前記ウェハ検査プロセス中にウェハ検査システムによって前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域について生成された出力の中のノイズの1つ以上の特性を決定することと、前記ノイズの前記1つ以上の決定した特性に基づいて、前記ウェハ検査プロセス中に行われる出力ノイズ低減の1つ以上のパラメータを決定することと、を含む、請求項1に記載の方法。
  21. ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するためのコンピュータで実現される方法を行うためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する、非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体であって、
    ウェハ計測システムによって生成されるウェハの計測データを取得することと、
    前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することと、を含む、
    非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体。
  22. ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成されるシステムであって、
    ウェハの出力を生成するように構成される検査サブシステムと、
    コンピュータサブシステムであって、
    ウェハ計測システムによって生成される前記ウェハの計測データを取得し、
    前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成される、コンピュータサブシステムと、を備える、システム。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201606207WA (en) * 2014-02-12 2016-09-29 Asml Netherlands Bv Method of optimizing a process window
US10181185B2 (en) 2016-01-11 2019-01-15 Kla-Tencor Corp. Image based specimen process control
US10127651B2 (en) * 2016-01-15 2018-11-13 Kla-Tencor Corporation Defect sensitivity of semiconductor wafer inspectors using design data with wafer image data
JP6833027B2 (ja) * 2016-10-17 2021-02-24 ケーエルエー コーポレイション 検査関連アルゴリズムのセットアップに用いられる訓練集合の最適化
US10699926B2 (en) * 2017-08-30 2020-06-30 Kla-Tencor Corp. Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer
US10408764B2 (en) 2017-09-13 2019-09-10 Applied Materials Israel Ltd. System, method and computer program product for object examination
US11056366B2 (en) 2018-03-23 2021-07-06 Kla Corporation Sample transport device with integrated metrology
WO2020043525A1 (en) 2018-08-28 2020-03-05 Asml Netherlands B.V. Systems and methods of optimal metrology guidance
US11263737B2 (en) * 2019-01-10 2022-03-01 Lam Research Corporation Defect classification and source analysis for semiconductor equipment
IL289545A (en) * 2019-07-05 2022-07-01 Kla Tencor Corp Production management with dynamic sampling programs, optimized batch measurement routes and optimized batch transfer, using quantum computing
US11415531B2 (en) * 2019-10-11 2022-08-16 KLA Corp. Statistical learning-based mode selection for multi-mode inspection

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175333A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターン検査方法とその装置
JP2007536560A (ja) * 2003-07-03 2007-12-13 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
JP2011192769A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Renesas Electronics Corp 半導体デバイス製造方法、及び製造システム
JP2011529274A (ja) * 2008-07-24 2011-12-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション ウェーハを検査しかつ/または分類するコンピュータ内装備方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2057675B (en) * 1979-07-20 1983-11-16 Hitachi Ltd Photoelectric detection of surface defects
JPH07270119A (ja) * 1994-03-21 1995-10-20 Nikon Corp 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置
US5789124A (en) * 1996-10-10 1998-08-04 International Business Machines Corporation Method of monitoring lithographic resist poisoning
US7057741B1 (en) 1999-06-18 2006-06-06 Kla-Tencor Corporation Reduced coherence symmetric grazing incidence differential interferometer
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US6484064B1 (en) * 1999-10-05 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for running metrology standard wafer routes for cross-fab metrology calibration
US6552337B1 (en) * 1999-11-02 2003-04-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods and systems for measuring microroughness of a substrate combining particle counter and atomic force microscope measurements
US6630996B2 (en) * 2000-11-15 2003-10-07 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US6620563B2 (en) * 2001-03-08 2003-09-16 Motorola, Inc. Lithography method for forming semiconductor devices on a wafer utilizing atomic force microscopy
US6960416B2 (en) * 2002-03-01 2005-11-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling etch processes during fabrication of semiconductor devices
US6982793B1 (en) * 2002-04-04 2006-01-03 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset
US7330279B2 (en) * 2002-07-25 2008-02-12 Timbre Technologies, Inc. Model and parameter selection for optical metrology
US6781688B2 (en) * 2002-10-02 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Process for identifying defects in a substrate having non-uniform surface properties
US7046375B2 (en) * 2003-05-02 2006-05-16 Timbre Technologies, Inc. Edge roughness measurement in optical metrology
US7001830B2 (en) * 2003-09-02 2006-02-21 Advanced Micro Devices, Inc System and method of pattern recognition and metrology structure for an X-initiative layout design
KR101056142B1 (ko) 2004-01-29 2011-08-10 케이엘에이-텐코 코포레이션 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법
US7321426B1 (en) * 2004-06-02 2008-01-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical metrology on patterned samples
US7502121B1 (en) * 2004-11-24 2009-03-10 Ahbee 1, L.P. Temperature insensitive low coherence based optical metrology for nondestructive characterization of physical characteristics of materials
US7853920B2 (en) * 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
EP1928583A4 (en) 2005-09-01 2010-02-03 Camtek Ltd METHOD AND SYSTEM FOR ESTABLISHING A TEST PROCEDURE
EP2003680B1 (en) * 2006-02-21 2013-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7526354B2 (en) * 2006-07-10 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Managing and using metrology data for process and equipment control
US8045786B2 (en) 2006-10-24 2011-10-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Waferless recipe optimization
US7801635B2 (en) * 2007-01-30 2010-09-21 Tokyo Electron Limited Real-time parameter tuning for etch processes
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
JP5159373B2 (ja) 2008-03-06 2013-03-06 オリンパス株式会社 基板検査方法
FR2931292A1 (fr) * 2008-05-15 2009-11-20 St Microelectronics Rousset Procede de controle en temps reel de la fabrication de circuits integres a l'aide de structures de controle localisees dans l'espace modele opc
US8379227B2 (en) * 2009-10-28 2013-02-19 Nanometrics Incorporated Optical metrology on textured samples
US8559001B2 (en) 2010-01-11 2013-10-15 Kla-Tencor Corporation Inspection guided overlay metrology
US9588441B2 (en) 2012-05-18 2017-03-07 Kla-Tencor Corporation Method and device for using substrate geometry to determine optimum substrate analysis sampling

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007536560A (ja) * 2003-07-03 2007-12-13 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
JP2005175333A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターン検査方法とその装置
JP2011529274A (ja) * 2008-07-24 2011-12-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション ウェーハを検査しかつ/または分類するコンピュータ内装備方法
JP2011192769A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Renesas Electronics Corp 半導体デバイス製造方法、及び製造システム

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