JP2017502499A - ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法、コンピュータ読み出し可能な媒体およびシステム - Google Patents
ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法、コンピュータ読み出し可能な媒体およびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017502499A JP2017502499A JP2016528082A JP2016528082A JP2017502499A JP 2017502499 A JP2017502499 A JP 2017502499A JP 2016528082 A JP2016528082 A JP 2016528082A JP 2016528082 A JP2016528082 A JP 2016528082A JP 2017502499 A JP2017502499 A JP 2017502499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- parameters
- inspection process
- regions
- determining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 184
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 169
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 91
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 271
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 82
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 64
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 19
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000012552 review Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012913 prioritisation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/93—Detection standards; Calibrating baseline adjustment, drift correction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/105—Purely optical scan
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/11—Monitoring and controlling the scan
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
- G01N2201/125—Digital circuitry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
以下の説明及び実施例は、この項に含まれることを理由として先行技術であるとは認められない。
Claims (22)
- ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための、コンピュータで実現される方法であって、
ウェハ計測システムによって生成されるウェハの計測データを取得することと、
前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは他のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することと、を含み、前記取得すること及び前記決定することが、コンピュータシステムによって行われる、方法。 - 前記計測データが、前記ウェハのゆがみの情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測データが、前記ウェハの反りの情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測データが、前記ウェハ上に形成される膜の厚さを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測データが、前記ウェハ上に形成されるパターン化構造の限界寸法を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測データが、前記ウェハ全体にわたって生成される数百万の計測データ点を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上の領域について決定される前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上の他の領域について決定される前記1つ以上のパラメータと異なる、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中に行われる欠陥検出の1つ以上のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域について行われる欠陥検出の感度を少なくとも部分的に決定する、1つ以上のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中に行われる欠陥サンプリングの1つ以上のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中にウェハ検査システムによって出力が生成される、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上の領域を選択することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上のパラメータを決定することが、
前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域の限界寸法の変動の可能性を決定することと、
前記可能性が前記1つ以上の領域のうちの他よりも高い、前記1つ以上の領域のうちの少なくとも1つを決定することと、
前記1つ以上の領域のうちの前記少なくとも1つが、前記ウェハ検査プロセスを前記1つ以上の領域のうちの前記他よりも密に行うウェハ検査システムによってサンプリングされるように、前記1つ以上のパラメータを決定することと、を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記1つ以上のパラメータを決定することが、
前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の1つ以上のダイを選択することと、
前記1つ以上の選択したダイについてウェハ検査システムによって生成される出力を取得することと、
前記1つ以上の選択したダイについて前記ウェハ検査システムによって生成された前記出力から基準ダイを生成することであって、前記基準ダイが、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の欠陥を検出するために前記ウェハ検査プロセスで使用される、基準ダイを生成することと、を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータを決定することが、
前記ウェハ検査プロセス及び前記計測データのうちの1つ以上の第1のパラメータに基づいて、前記ウェハ検査プロセスにおいて、前記ウェハまたは前記他のウェハ上のどの1つ以上の領域が、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の他の領域よりも多くのノイズを生じるか、及び前記ウェハまたは前記他のウェハ上のどの1つ以上の追加的な領域が、前記ウェハまたは前記他のウェハ上の他の領域よりも少ないノイズを生じるかを決定することと、
前記1つ以上の領域及び前記1つ以上の追加的な領域に基づいて、前記ウェハ検査プロセスの1つ以上の第2のパラメータを決定することと、を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記1つ以上の第2のパラメータが、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータを含み、前記他の領域よりも少ないノイズを生じる前記1つ以上の追加的な領域の中のランダムな欠陥を選好的に選択するために、前記1つ以上の欠陥サンプリングパラメータが決定される、請求項14に記載の方法。
- 前記1つ以上の第2のパラメータが、1つ以上の欠陥サンプリングパラメータを含み、前記他の領域よりも多くのノイズを生じる前記1つ以上の領域の中の系統的な欠陥を選好的に選択するために、前記1つ以上の欠陥サンプリングパラメータが決定される、請求項14に記載の方法。
- レチクルのための計測または検査データを取得することをさらに含み、前記レチクルが、パターン化フィーチャーを前記ウェハ上に印刷するために使用され、前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータを決定することが、前記レチクルの前記計測または検査データと組み合わせて、前記ウェハの前記計測データに基づいて行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上のパラメータが、前記ウェハ検査プロセス中にダイ内で行われるフィールド間検査に使用される、前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは前記他のウェハの製作プロセスの1つ以上のパラメータを決定することをさらに含み、前記ウェハまたは前記他のウェハに対して前記製作プロセスが前記ウェハまたは前記他のウェハに対して行われた後に、前記ウェハまたは前記他のウェハに対して前記ウェハ検査プロセスが行われ、前記ウェハ検査プロセスの前記1つ以上のパラメータを決定することが、前記製作プロセスの前記1つ以上のパラメータと組み合わせて、前記ウェハの前記計測データに基づいて行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上のパラメータを決定することが、前記計測データに基づいて、前記ウェハ検査プロセス中にウェハ検査システムによって前記ウェハまたは前記他のウェハの1つ以上の領域について生成された出力の中のノイズの1つ以上の特性を決定することと、前記ノイズの前記1つ以上の決定した特性に基づいて、前記ウェハ検査プロセス中に行われる出力ノイズ低減の1つ以上のパラメータを決定することと、を含む、請求項1に記載の方法。
- ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するためのコンピュータで実現される方法を行うためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する、非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体であって、
ウェハ計測システムによって生成されるウェハの計測データを取得することと、
前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定することと、を含む、
非一時的なコンピュータ読み出し可能な媒体。 - ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成されるシステムであって、
ウェハの出力を生成するように構成される検査サブシステムと、
コンピュータサブシステムであって、
ウェハ計測システムによって生成される前記ウェハの計測データを取得し、
前記計測データに基づいて、前記ウェハまたは別のウェハのウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するように構成される、コンピュータサブシステムと、を備える、システム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361900869P | 2013-11-06 | 2013-11-06 | |
US61/900,869 | 2013-11-06 | ||
US14/517,751 | 2014-10-17 | ||
US14/517,751 US9518932B2 (en) | 2013-11-06 | 2014-10-17 | Metrology optimized inspection |
PCT/US2014/064103 WO2015069751A1 (en) | 2013-11-06 | 2014-11-05 | Metrology optimized inspection |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017502499A true JP2017502499A (ja) | 2017-01-19 |
JP2017502499A5 JP2017502499A5 (ja) | 2017-12-14 |
JP6545164B2 JP6545164B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=53006822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016528082A Active JP6545164B2 (ja) | 2013-11-06 | 2014-11-05 | ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法、コンピュータ読み出し可能な媒体およびシステム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9518932B2 (ja) |
JP (1) | JP6545164B2 (ja) |
KR (1) | KR102177677B1 (ja) |
CN (1) | CN105793970B (ja) |
IL (1) | IL245472A0 (ja) |
TW (1) | TWI625806B (ja) |
WO (1) | WO2015069751A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11201606207WA (en) * | 2014-02-12 | 2016-09-29 | Asml Netherlands Bv | Method of optimizing a process window |
US10181185B2 (en) | 2016-01-11 | 2019-01-15 | Kla-Tencor Corp. | Image based specimen process control |
US10127651B2 (en) * | 2016-01-15 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corporation | Defect sensitivity of semiconductor wafer inspectors using design data with wafer image data |
JP6833027B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2021-02-24 | ケーエルエー コーポレイション | 検査関連アルゴリズムのセットアップに用いられる訓練集合の最適化 |
US10699926B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corp. | Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer |
US10408764B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-09-10 | Applied Materials Israel Ltd. | System, method and computer program product for object examination |
US11056366B2 (en) | 2018-03-23 | 2021-07-06 | Kla Corporation | Sample transport device with integrated metrology |
WO2020043525A1 (en) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods of optimal metrology guidance |
US11263737B2 (en) * | 2019-01-10 | 2022-03-01 | Lam Research Corporation | Defect classification and source analysis for semiconductor equipment |
IL289545A (en) * | 2019-07-05 | 2022-07-01 | Kla Tencor Corp | Production management with dynamic sampling programs, optimized batch measurement routes and optimized batch transfer, using quantum computing |
US11415531B2 (en) * | 2019-10-11 | 2022-08-16 | KLA Corp. | Statistical learning-based mode selection for multi-mode inspection |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175333A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査方法とその装置 |
JP2007536560A (ja) * | 2003-07-03 | 2007-12-13 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム |
JP2011192769A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム |
JP2011529274A (ja) * | 2008-07-24 | 2011-12-01 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | ウェーハを検査しかつ/または分類するコンピュータ内装備方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2057675B (en) * | 1979-07-20 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | Photoelectric detection of surface defects |
JPH07270119A (ja) * | 1994-03-21 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置 |
US5789124A (en) * | 1996-10-10 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Method of monitoring lithographic resist poisoning |
US7057741B1 (en) | 1999-06-18 | 2006-06-06 | Kla-Tencor Corporation | Reduced coherence symmetric grazing incidence differential interferometer |
IL130874A (en) * | 1999-07-09 | 2002-12-01 | Nova Measuring Instr Ltd | System and method for measuring pattern structures |
US6484064B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for running metrology standard wafer routes for cross-fab metrology calibration |
US6552337B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and systems for measuring microroughness of a substrate combining particle counter and atomic force microscope measurements |
US6630996B2 (en) * | 2000-11-15 | 2003-10-07 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
US6620563B2 (en) * | 2001-03-08 | 2003-09-16 | Motorola, Inc. | Lithography method for forming semiconductor devices on a wafer utilizing atomic force microscopy |
US6960416B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling etch processes during fabrication of semiconductor devices |
US6982793B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
US7330279B2 (en) * | 2002-07-25 | 2008-02-12 | Timbre Technologies, Inc. | Model and parameter selection for optical metrology |
US6781688B2 (en) * | 2002-10-02 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Process for identifying defects in a substrate having non-uniform surface properties |
US7046375B2 (en) * | 2003-05-02 | 2006-05-16 | Timbre Technologies, Inc. | Edge roughness measurement in optical metrology |
US7001830B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-02-21 | Advanced Micro Devices, Inc | System and method of pattern recognition and metrology structure for an X-initiative layout design |
KR101056142B1 (ko) | 2004-01-29 | 2011-08-10 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법 |
US7321426B1 (en) * | 2004-06-02 | 2008-01-22 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical metrology on patterned samples |
US7502121B1 (en) * | 2004-11-24 | 2009-03-10 | Ahbee 1, L.P. | Temperature insensitive low coherence based optical metrology for nondestructive characterization of physical characteristics of materials |
US7853920B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing |
EP1928583A4 (en) | 2005-09-01 | 2010-02-03 | Camtek Ltd | METHOD AND SYSTEM FOR ESTABLISHING A TEST PROCEDURE |
EP2003680B1 (en) * | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US7526354B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Managing and using metrology data for process and equipment control |
US8045786B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-10-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Waferless recipe optimization |
US7801635B2 (en) * | 2007-01-30 | 2010-09-21 | Tokyo Electron Limited | Real-time parameter tuning for etch processes |
US7711514B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan |
JP5159373B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-03-06 | オリンパス株式会社 | 基板検査方法 |
FR2931292A1 (fr) * | 2008-05-15 | 2009-11-20 | St Microelectronics Rousset | Procede de controle en temps reel de la fabrication de circuits integres a l'aide de structures de controle localisees dans l'espace modele opc |
US8379227B2 (en) * | 2009-10-28 | 2013-02-19 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology on textured samples |
US8559001B2 (en) | 2010-01-11 | 2013-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Inspection guided overlay metrology |
US9588441B2 (en) | 2012-05-18 | 2017-03-07 | Kla-Tencor Corporation | Method and device for using substrate geometry to determine optimum substrate analysis sampling |
-
2014
- 2014-10-17 US US14/517,751 patent/US9518932B2/en active Active
- 2014-11-05 KR KR1020167014947A patent/KR102177677B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-05 JP JP2016528082A patent/JP6545164B2/ja active Active
- 2014-11-05 WO PCT/US2014/064103 patent/WO2015069751A1/en active Application Filing
- 2014-11-05 CN CN201480065989.2A patent/CN105793970B/zh active Active
- 2014-11-06 TW TW103138582A patent/TWI625806B/zh active
-
2016
- 2016-05-04 IL IL245472A patent/IL245472A0/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007536560A (ja) * | 2003-07-03 | 2007-12-13 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム |
JP2005175333A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査方法とその装置 |
JP2011529274A (ja) * | 2008-07-24 | 2011-12-01 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | ウェーハを検査しかつ/または分類するコンピュータ内装備方法 |
JP2011192769A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102177677B1 (ko) | 2020-11-11 |
CN105793970A (zh) | 2016-07-20 |
WO2015069751A1 (en) | 2015-05-14 |
TW201528397A (zh) | 2015-07-16 |
JP6545164B2 (ja) | 2019-07-17 |
TWI625806B (zh) | 2018-06-01 |
US9518932B2 (en) | 2016-12-13 |
US20150124247A1 (en) | 2015-05-07 |
KR20160084423A (ko) | 2016-07-13 |
IL245472A0 (en) | 2016-06-30 |
CN105793970B (zh) | 2018-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6545164B2 (ja) | ウェハ検査プロセスの1つ以上のパラメータを決定するための方法、コンピュータ読み出し可能な媒体およびシステム | |
JP6182737B2 (ja) | ウエハの特性決定のための方法とシステム | |
TWI774708B (zh) | 用於半導體結構之檢驗之方法及系統 | |
JP5341985B2 (ja) | 検査システムの偏光設定選択のための、コンピュータを利用した方法、キャリアメディアおよびシステム | |
US8073240B2 (en) | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer | |
US8781781B2 (en) | Dynamic care areas | |
US7912658B2 (en) | Systems and methods for determining two or more characteristics of a wafer | |
US8755045B2 (en) | Detecting method for forming semiconductor device | |
US20110170091A1 (en) | Inspection guided overlay metrology | |
JP2017032998A (ja) | ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための方法 | |
KR20210010948A (ko) | 웨이퍼 노이즈 뉴슨스 식별을 위한 sem 및 광학 이미지의 상관 | |
US7659975B1 (en) | Methods and systems for inspection of a wafer or setting up an inspection process | |
TWI778258B (zh) | 缺陷偵測之方法、系統及非暫時性電腦可讀媒體 | |
TW201945721A (zh) | 結合模擬及光學顯微鏡以判定檢查模式 | |
KR20220041126A (ko) | 광학 검사를 이용한 프로세스 모니터링 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6545164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |