JP5752868B2 - Ｌｃｄ‐ｔｆｔディスプレイの画素テスト方法 - Google Patents

Description

発明の分野

本発明はフラットパネルディスプレイの画素のテストに関する。特に、本発明の実施例は、不均一な電極領域に電子ビームを導くことによる画素のテストに関する。

関連技術の説明

従来、コンピュータや他の電子製品に共通したディスプレイは陰極線管、即ち、ＣＲＴであった。ＣＲＴは、二十世紀の後半、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びテレビの標準的なディスプレイとしての役割を果たしてきた。一般に、ＣＲＴは湾曲したガラスパネル上で操作され、画像を形成する。

近年、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ、即ち、ＬＣＤが商業的に開発されてきている。ＬＣＤはＣＲＴと比べると、高画質、軽量、低電圧仕様及び低電力消費といったいくつかの利点を有している。ＬＣＤはフラットパネルディスプレイにとって有利であり、近年、計算機スクリーン、個人情報端末（ＰＤＡ）スクリーン、携帯型コンピュータ（ノートブック）スクリーン、携帯電話ディスプレイ及び小型のコンピュータ及びテレビスクリーン等の多くの携帯型電子機器で商業化されている。更に、大型ＬＣＤディスプレイは、今や、消費者市場でフラットスクリーンテレビで採用されている。

アクティブマトリクスＬＣＤの１つのタイプは、ＴＦＴ‐アレイ基板とカラーフィルタ基板の間にサンドイッチ状に挟まれた液晶物質を含んでいる。ＴＦＴ‐アレイ基板は、各々が画素電極に連結された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイを備えている。カラーフィルタ基板は異なるカラーフィルタ部分と共通電極を備えている。画素電極に一定の電圧が印加されると、画素電極と共通電極の間に電界が形成され、これによって液晶物質が配向され、特定の画素のために光が通過させられる。

図１は、均一な画素電極を備えた液晶ディスプレイ１００の１つの画素を示す概略図である。この図面は、現在、http://www.fme.fujitsu.com/products/displays/lcdvatech.htmlで入手可能な富士通株式会社のホームページから引用したものである。液晶物質１２０は、ＴＦＴ‐アレイ基板１１０’とカラーフィルタ基板１１０”との間でサンドイッチ状に挟まれている。ＴＦＴ‐アレイ基板１１０’は均一な画素電極１１２’を備えているので、特定の電圧が画素電極に印加されると液晶の分子は単一の方向に配向される。ディスプレイ１００の光の強度は、液晶配向に対する観察方向に依存する。従って、均一画素電極を有するＴＦＴ‐ＬＣＤは有効視野角が狭いという欠点を有する。

図２は、不均一電極を備えた液晶ディスプレイ２００のピクセルの一実施例を示す概略図である。この図面は、現在、http://www.fme.fujitsu.com/products/displays/lcdvatech.htmlで入手可能な富士通株式会社のホームページから引用したものである。液晶物質２２０Ａ及び２２０Ｂは、ＴＦＴ‐アレイ基板２１０’とカラーフィルタ基板２１０”との間でサンドイッチ状に挟まれている。ＴＦＴ‐アレイ基板２１０’は不均一電極２１２’を備えている。不均一電極は、導電部上に形成された絶縁ラインを備えている。絶縁ラインは、液晶物質を複数の方向に配向させる。その結果、ディスプレイ２００は、観察者が異なる角度から観察した場合でも明るくなる。導電部上に形成された絶縁ラインを備えた不均一型電極を有するタイプのディスプレイは、マルチ−ドメイン・バーチカル・アライメント（ＭＶＡ）ディスプレイと称される。

図３及び図４は、液晶が領域Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤで示される４方向に配向することができるＭＶＡディスプレイの一例の概略図である。図４において、６個の画素が導電部２２０Ｂ、Ｇ及びＲ上に形成されている絶縁ライン２１８を有していることが判る。絶縁ライン２１８は、画素内の液晶を複数の配列方向に分割し、配列するために用いられる。

不均一電極を有するディスプレイの他のタイプは、イン・プレイン・スイッチング（ＩＰＳ）ディスプレイと称される。このディスプレイはＴＦＴ‐アレイ基板上に形成された一対の電極を備えている。ある態様において、ＩＰＳディスプレイは指を組み合わせたような形状の一対の電極を用いている。液晶分子は基板に対し平行のままである。従って、ディスプレイの視野角は増大する。

ＭＶＡ型及びＩＰＳ型ディスプレイのサイズが増大すると、製造者は基板により多くの画素及びトランジスタを追加しなければならない。本技術分野における通常の知識を有する者は、通常サイズのカラーディスプレイでさえ数百万個のトランジスタを用いることができることを理解している。トランジスタに問題があると、ディスプレイ上に欠陥を有する画素が生じる。トランジスタの数が増大すると、ディスプレイ内で欠陥を有するトランジスタが生じる傾向が増大する。従って、大型ＬＣＤの製造者は、品質管理の一環として、ディスプレイにおける全て又はある割合の画素をテストするであろう。

電子ビームテスト（ＥＢＴ）は、製造プロセスの際、欠陥を監視し及び発見するために用いられることができる。典型的なＥＢＴプロセスでは、画素内のＴＦＴの応答がモニタされ、欠陥情報が提供される。例えば、ＥＢＴテストでは、特定の電圧が薄膜トランジスタに印加され、電子ビームが調査のために個々の画素電極に導かれる。画素電極領域から放出された二次電子が感知され、ＴＦＴ電圧を決定する。

テストに際し、電子ビームは、順次、ＴＦＴ‐アレイの各々の画素電極上に位置される。この移動を行うため、基板は最初に電子ビームカラムの下方のテーブル上に配置される。基板領域（しばしば、サブディスプレイ領域と称される。）は、電子ビームカラムの下方を移動することができる。一旦、基板領域のサブディスプレイ領域がビームカラムの下方に位置すると、ビームは基板領域内で各々の画素電極上を順次移動する。この領域がテストされた後、テーブルは次の領域をテストするために移動する。新しいシステムでは、２〜４個のビームが平行に用いられ、これによって分離している基板領域が同時にテストされる。

不均一電極を備えたディスプレイの電子ビームテストは、不均一電極の導電部及び絶縁部に起因する問題がある。従って、不均一電極を備えたディスプレイのテスト方法の改良が必要とされている。

発明の要約

本発明は、導電部と絶縁部を有する不均一電極を備えた液晶ディスプレイの電子ビームテスト方法を提供する。本発明の方法によれば、ビームは不均一電極領域上で絞りが小さく、即ち、拡大又は「ぼかされる」ように、電子ビームの直径が増大される。ビームの直径は、ビームが不均一電極領域の導電部から二次電子を発生させるように増大される。テストビームは、円形、楕円形又は他の適した形状を有している。

詳細な説明

図５は電子ビームテスト（ＥＢＴ）システム５００の一例の概略斜視図である。図示されているＥＢＴシステム５００は、１．９ｍ×２．２ｍまでの及びこれを超える大きさの大型パネル基板をテストすることができる。このＥＢＴシステム５００は説明を目的としたものであり、いかなるサイズのいかなるＥＢＴシステムも、ここで開示される方法を実施するために改良可能であると理解されるべきである。

一般に、電子ビームテストシステム５００は、プローバ貯蔵アセンブリ５２０と、プローバ搬送アセンブリ５３０と、ロードロックチャンバ５４０及びテストチャンバ５５０を含んでいる。プローバ貯蔵アセンブリ５２０は、使用及び回収を容易にするため、テストチャンバ５５０の近傍で１又はそれ以上のプローバ５５０を収容している。好ましくは、プローバ貯蔵アセンブリ５２０は、図１に示されるように、テストチャンバ５５０の下方に配置されており、これによって汚染がなく効果的な操作のために必要なクリーンルームの空間が減少される。プローバ貯蔵アセンブリ５２０は、好ましくは、テストチャンバ５５０に近い寸法を有しており、テストチャンバ５５０を支持しているメインフレーム５１０上に配置されている。プローバ貯蔵アセンブリ５２０はメインフレーム５１０の周りに配置された棚５２２を含んでおり、これによって１又はそれ以上のプローバ５５０が支持される。プローバ貯蔵アセンブリ５２０は、使用されていないときに貯蔵エリアを封止し貯蔵されているプローバ５０５を保護することができる引込み可能なドア５２４を含んでいても良い。

プローバ搬送アセンブリ５３０は、プローバ５０５をプローバ貯蔵アセンブリ５２０とテストチャンバ５５０との間で搬送するため、テストチャンバ５５０の近傍に配置されたモジュラーユニットである。プローバ搬送アセンブリ５３０は２個又はそれ以上の垂直支持部材３１０Ａ，３１０Ｂ（２個が図示されている）に連結された基部３０５を含んでいる。必要な場合、アセンブリ５３０の移動を容易にするため、ホイール又はキャスター３１５を基部３０５の底面に設けてもよい。

プローバ搬送アセンブリ５３０は、その一端が支持部材３１０Ａ，３１０Ｂに連結されているリフトアーム３２０を含んでいる。支持部材３１０Ａ，３１０Ｂの各々は、リフトアーム３２０と係合するための凹トラック３１２（１個のみが図示されている。）を含んでいる。凹トラック３１２の一方又は双方は、線形アクチュエータ、空気圧シリンダ、水圧シリンダ、磁気ドライブ、ステッパ又はサーボモータ又は他の種類の移動装置（図示せず）を収納していても良い。凹トラック３１２は、搬送装置(図示せず)と共働して、リフトアーム３２０の垂直方向の移動をガイドして可能にしている。リフトアーム３２０は、プローバ５０５を回収し及び配送するため、テストチャンバ５５０又は貯蔵アセンブリ５２０内に挿入されるように構成されている。

ロードロックチャンバ５４０は、テストチャンバ５５０に隣接して配置され、これに連結されている。これらのチャンバ５４０、５５０は、テストチャンバ５５０を介して連結されているポンプ（図示せず）により、典型的には真空状態に保持されている共通雰囲気を共有している。ロードロックチャンバ５４０は、テストチャンバ５５０と典型的には大気圧下のクリーンルームである外部との間で基板を搬送する。ロードロックチャンバ５４０は、システムの仕様により、加熱又は冷却、及び加圧又は減圧されることが可能な分離された処理空間としても作用することができる。従って、ロードロックチャンバ５４０は、基板を外部の汚染物質に露出することなくテストチャンバ５５０内外に搬送することができる。

４個のＥＢＴカラム５２５Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが図５に示されている。ＥＢＴカラム５２５Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄはテストチャンバ５５０の上面に配置されている。起動時には、テストに際して電極を励起するため、カラムは基板上の電極に電子のビームを照射する。

画素のテスト及び図示されているＥＢＴテストシステム５００の作用及び構成に関する追加的な細部は、２００４年１２月２１日に発行された継続中の米国特許出願第６，８３３，７１７号に開示されている。この出願の名称は、「集積基板搬送モジュールを備えた電子ビームテストシステム（Electron Beam System with Integrated Substrate Transfer Module）」である。この出願は引用により全体として本明細書に一体化される。

テストの間、基板はテーブル上のビーム下に位置しており、ビームはＴＦＴ‐アレイの電極を順次テストするように移動する。ＭＶＡ型ディスプレイのＥＢＴテストに際し、ＴＦＴ‐アレイ基板上に形成された絶縁体ラインが電子の応答と干渉することが観察されている。例えば、図４において、ＭＶＡ型ディスプレイのＥＢＴテストに際し、電子ビームは絶縁体ライン２１８の間で露出している導電部２２０Ｂ／Ｇ／Ｒ上の電子を励起することが好ましい。しかしながら、ビームは導電部ではなく主として絶縁体ライン２１８の１つ上に無意識のうちに配向されることもあり、これによって導電領域からの電子応答と干渉する。同様に、ＩＰＳディスプレイの導電ラインの指状構造が電子応答と干渉することが観察されている。例えば、ビームは主として対になっている電極間に形成された絶縁部に配向されることがあり、これによって電子応答と相互干渉することが見出されている。いずれの場合も、ビームが絶縁部上のみに位置しているときに検出された二次電子信号は、ビームが導電部上に位置するときとは異なる。

不均一電極領域内での電子ビームの位置により、異なる電子シグナルの値が発生する状態を回避することが好ましい。従って、本発明の方法では、本質的に平均化又は混合された信号を発生させる拡大された又は「焦点がぼかされた」テストビームを用いる。即ち、テストビームの直径を増大させることにより絶縁部の信号干渉が実質的に減少される。

図６は不均一電極領域６００の一実施例の概略斜視図である。不均一電極領域６００はＭＶＡ型ディスプレイにおける単一画素を表すためのものである。絶縁ライン６１８が導電部６２２、６２４上に形成されている。図示されている不均一電極において、導電部６２４は絶縁ライン６１８の間に露出している。

ＭＶＡ型ディスプレイにおける不均一な電子ビームの応答の問題を克服するため、電子ビームの直径は、絶縁ライン６１８の幅よりも２〜１０倍（又はそれ以上）増大され、即ち、「ぼかされる」。１の態様において、電子ビームの直径は、絶縁ライン６１８の幅よりも約４倍から約８倍の間へ増大させられる。非制限的な例において、絶縁ライン６１８の幅は約１０μｍである。この場合、電子ビームの直径は約２０μｍから約１００μｍの間へ増大される。電子ビームの直径を増大させることにより、絶縁ライン６１８の比例的な荷電が減少され、電極励起における絶縁ライン６１８の効果が実質的に平均化される。

図６において、電子ビーム６２５は、テストの際に、不均一電極６００の一部上に配向されていることが示されている。ここで、電子ビーム６２５は、一般的な円形である。ビーム６２５は種々の絶縁ライン６１８の幅よりもかなり大きい直径を有している。

他のビーム構成を採用することも可能である。図７は不均一電極領域７００の他の実施例の概略斜視図である。ここで、電子ビーム７２５は一般的な楕円形状である。ビーム７２５の直径はその短軸に沿って計測される。

「ぼかされた」ビームのサイズは、画素電極領域自体の面積との比較により計測されてもよい。本発明の方法の一実施例において、ビームの面積は、テストされる不均一電極領域の少なくとも約５０%のサイズを有するように増大される。図８は他の不均一電極領域８００の概略図である。２本の隣接したライン８１８が不均一電極領域８００上に示されている。画素領域は一般的なものであり、ライン８１８は絶縁性又は導電性のいずれであってもよく、ライン８１８の間の隣接領域は各々導電性又は絶縁性のいずれであってもよい。図８より、電子テストビーム８２５が不均一領域８００上に配向されていることが判る。ビーム８２５はライン８１８及びライン８１８に隣接している領域の双方の部分を覆っている。ビーム８２５は導電部から二次電子を発生させるのに十分な直径を有している。更に、ビーム８２５が同一のＴＦＴ‐アレイ内の異なる不均一電極に移動したときに電子信号が実質的に同一になるように、ビームは十分な直径を有している。

図８において、ビーム面積は不均一電極面積全体の少なくとも５０%である。１の実施例において、ビーム８２５の面積はライン８１８から隣接するライン８１８までの距離と同程度であっても良い。ある態様においては、電子ビームは調査される不均一電極領域８００の約５０%から９０%の間の面積を有している。

図９は、ＩＰＳ型セルのような他の不均一電極領域９００の概略図である。不均一電極領域９００は、指を組み合わせたような構造を形成する一対の電極９１８’、９１８”を備えている。電極９１８’、９１８”の間の幅は、絶縁部９２４を横切る幅と定義される。

電子テストビーム９２５は不均一電極領域９００上に配向されている。ビーム９２５は、少なくとも電極９１８’、電極９１８”及び電極９１８’、９１８”の間の絶縁部９２４の部分を覆っている。ビーム９２５が同一のＴＦＴ‐アレイ内の異なる不均一電極に移動したときに電子信号が実質的に同一となるように、ビームは十分な領域を有している。

電子ビーム９２５の直径は、電極９１８’、電極９１８”の一方の幅の直径より２倍から１０倍（又はそれ以上）増大しており、又は「ぼかされている」。１の態様において、電子ビームの直径は、電極９１８’、９１８”の一方の幅より約４から８倍の間で増大されている。電子ビームの直径を増大することにより、絶縁部９２４の比例荷電が減少し、電極励起において絶縁部９２４の効果を実質的に平均化することができる。

本発明の方法の他の実施例において、最初に基板上の位置／配列マーク上を走査するため、焦点が絞られたビームが用いられる。ビーム下でのディスプレイ基板の位置は、典型的には、基板ローディング誤差、テーブル位置決め誤差及び他の誤差によりずれており、ビーム位置決め制御は誤差マージンを有しているので、基板上の位置／配列マーク上の走査によりこれらの位置決め誤差が低減し、基板に対するビームの位置を矯正することができる。例えば、ビームを不均一電極領域の面積の約２０%又はそれ以下の面積に絞ることができ、その後電子ビームは位置／配列マーク上で走査される。その後、ビームは、フォーカスレンズ内の電流を変化させることにより、及び／又は磁気フォーカスコイル内の電流を変化させることによりぼかされる。電子ビームは、不均一電極の面積の約２０%より大きな面積又は本明細書で開示されている他のサイズまでぼかされてもよい。その後、ぼかされたビームは、ＴＦＴ‐アレイのターゲットとなる不均一電極領域上に順次配向される。

本発明は、主としてＭＶＡ型及びＩＰＳ型ディスプレイとの関係で説明されている。しかしながら、本発明はこれらのタイプのデバイスに限定されるものではなく、これらのデバイスは単に説明のためのものにすぎない理解されなければならない。この点、本明細書中で説明された方法は、ディスプレイが不均一型電極を有している他のタイプのテストデバイスでも有用である。

上述した説明は本発明の実施例を対象としているが、本発明の他の実施例はその基本的範囲から逸脱することなく案出することができ、その範囲は特許請求の範囲に基づいて決定される。

本発明の上述した構成の詳細な理解と上記部分で要約されている本発明の具体的な説明は実施例を参照することにより得られるものであり、これらは添付図面に記載されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施例のみを記載したものであり、従って、本発明は同等に効果的な実施例を含むものであり、図面は本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
不均一画素電極を備えた液晶ディスプレイの１の画素を示す概略図である。 不均一電極を備えた液晶ディスプレイの１の画素の一実施例を示す概略図である。 〜 液晶が４方向に配向しているＭＶＡディスプレイの一例の概略図である。 電子ビームテスト（ＥＢＴ）システムの一例の概略斜視図である。 不均一電極領域の一実施例の概略斜視図である。 不均一電極領域の他の実施例の概略斜視図である。 他の不均一電極領域の概略図である。 他の不均一電極領域の概略図である。

Claims (38)

1. 導電部と絶縁ラインのみからなる不均一電極領域を備えたフラットパネルディスプレイ基板上のＴＦＴデバイスの電子ビームテストを行う方法であって、
   前記絶縁ラインの少なくとも一部と前記導電部の少なくとも一部を覆うのに十分な面積を有する径が増大され、焦点がぼかされたビームを有する電子テストビームを形成し、
   前記電子テストビームを前記不均一電極領域上に配向し、
   前記電子テストビームが配向された前記不均一電極領域上から放出された平均化された二次電子を感知することを含む方法。
2. 前記電子ビームの面積は前記不均一電極領域の少なくとも５０％である請求項１記載の方法。
3. 前記電子ビームの面積は前記不均一電極領域の５０％から９０％の間である請求項１記載の方法。
4. 前記形成される電子テストビームは円形である請求項１記載の方法。
5. 前記形成される電子テストビームは楕円形である請求項１記載の方法。
6. 導電部と前記導電部上に形成された絶縁ラインのみからなる不均一電極領域を備えたフラットパネルディスプレイ基板上のＴＦＴデバイスの電子ビームテストを行う方法であり、
   前記絶縁ラインの少なくとも一方を部分的に覆い、前記導電部を少なくとも部分的に覆うのに十分な直径を有する径が増大され、焦点がぼかされた電子テストビームを形成し、
   前記電子テストビームをフラットパネルディスプレイ基板の不均一電極領域上に配向し、
   前記電子テストビームが配向された前記不均一電極領域上から放出された平均化された二次電子を感知することを含む方法。
7. 前記電子テストビームの直径は前記絶縁ラインの一方の幅の２倍から１０倍の間である請求項６記載の方法。
8. 前記電子テストビームの直径は前記絶縁ラインの一方の幅の４倍から８倍の間である請求項６記載の方法。
9. 前記形成される電子テストビームは円形である請求項６記載の方法。
10. 前記形成される電子テストビームは楕円形であり、前記形成された電子テストビームの直径は短軸に沿って計測される請求項６記載の方法。
11. 前記フラットパネルディスプレイ基板はマルチ−ドメイン・バーチカル・アライメント（ＭＶＡ）ディスプレイ基板を備えている請求項６記載の方法。
12. 絶縁部と前記絶縁部により分離された第１電極と第２電極のみからなる不均一電極領域を備えたフラットパネルディスプレイ基板上のＴＦＴデバイスの電子ビームテストを行う方法であり、
    前記第１電極を少なくとも部分的に覆い、前記第２電極を少なくとも部分的に覆い、前記絶縁部を少なくとも部分的に覆うのに十分な直径を有する径が増大され、焦点がぼかされた電子テストビームを形成し、
    電子テストビームをフラットパネルディスプレイ基板の不均一電極領域上に配向し、
    前記電子テストビームが配向された前記不均一電極領域上から放出された平均化された二次電子を感知することを含む方法。
13. 前記電子テストビームの直径は前記絶縁部の幅の２倍から１０倍の間である請求項１２記載の方法。
14. 前記電子テストビームの直径は前記絶縁部の幅の４倍から８倍の間である請求項１２記載の方法。
15. 前記形成される電子テストビームは円形である請求項１２記載の方法。
16. 前記形成される電子テストビームは楕円形であり、前記形成された電子テストビームの直径は短軸に沿って計測される請求項１２記載の方法。
17. 前記フラットパネルディスプレイ基板はイン・プレイン・スイッチングディスプレイ基板を備えている請求項１２記載の方法。
18. 絶縁部と導電部のみからなる不均一電極領域を備えたフラットパネルディスプレイ上のＴＦＴデバイスの電子ビームテストを行う方法であり、
    前記不均一電極領域の２０％又はそれ以下の第１面積を有する電子テストビームを形成し、
    前記形成された電子テストビームを基板上の位置決めマーク上に配向して電子ビームの位置を調整し、
    前記形成された電子テストビームが不均一電極領域の２０％より大きな第２面積を有するように再形成し、
    前記再形成された電子テストビームを不均一電極領域上で順次配向し、
    前記再形成された電子テストビームが配向された前記不均一電極領域上から放出された平均化された二次電子を感知することを含む方法。
19. 前記形成される電子テストビームは円形である請求項１８記載の方法。
20. 前記形成される電子テストビームは楕円形であり、前記形成された電子テストビームの直径は短軸に沿って計測される請求項１８記載の方法。
21. 前記再形成される電子テストビームの第２面積は前記不均一電極領域の５０％から９０％の間である請求項１８記載の方法。
22. 導電部と絶縁部のみからなる不均一電極領域を備える基板上のデバイスのテスト装置であって、
    前記基板上に配置されたデバイス上に位置する電子ビームを備え、前記電子ビームは、前記電子ビームの電流を変化させることによって提供される設定可能なスポット領域を基板上に形成し、前記スポット領域は、前記絶縁部を少なくとも部分的に、及び前記導電部を少なくとも部分的に覆うように径が増大され、焦点がぼかされており、これによって前記スポットが配向された前記不均一電極領域から平均化された二次電子信号を引き出し、信号の干渉を最小化する装置。
23. 前記デバイスは前記不均一電極領域を有する薄膜トランジスタであり、前記スポット領域は前記不均一電極領域の少なくとも５０％である請求項２２記載の装置。
24. 前記スポット領域は前記不均一電極領域の少なくとも５０％から９０％の間である請求項２３記載の装置。
25. 前記スポット領域は円形である請求項２２記載の装置。
26. 前記スポット領域は楕円形である請求項２２記載の装置。
27. 前記不均一電極領域は導電部と絶縁ライン部とを有する請求項２２記載の装置。
28. 前記スポット領域は直径を有し、前記直径は前記絶縁ラインの一方の幅の２倍から１０倍の間である請求項２７記載の装置。
29. 前記スポット領域は円形であり、直径を有し、この直径は前記絶縁ラインの一方の幅の４倍から８倍の間である請求項２７記載の装置。
30. 前記スポット領域は楕円形であり、短軸に沿って計測される直径を有し、この直径は前記絶縁ラインの一方の幅の４倍から８倍の間である請求項２７記載の装置。
31. 導電部と絶縁部のみからなる不均一電極領域を備えたフラット基板上に配置される薄膜トランジスタをテストするための電子テストビームであって、
    電子テストビームは基板上にスポットを形成し、前記スポットは少なくとも前記絶縁部を部分的に覆い、前記導電部を部分的に覆うように径が増大され、焦点がぼかされた領域を有し、これによって前記スポットが配向された前記不均一電極領域から平均化された二次電子信号を引き出して、感知する装置。
32. 前記領域は直径を有するように調節され、前記直径は絶縁ラインの一方の幅の２倍から１０倍の間である請求項３１記載の装置。
33. 前記領域は円形となるように調節され、直径を有し、前記直径は前記絶縁ラインの一方の幅の４倍から８倍の間である請求項３１記載の装置。
34. 前記領域は楕円形となるように調節され、短軸に沿って計測される直径を有し、前記直径は絶縁ラインの一方の幅の４倍から８倍の間である請求項３１記載の装置。
35. 前記領域は前記不均一電極領域の少なくとも５０％を覆うように調節される請求項３１記載の装置。
36. 前記領域は前記不均一電極領域の５０％から９０％の間を覆うように調節される請求項３１記載の装置。
37. 前記領域は円形となるように調節される請求項３１記載の装置。
38. 前記領域は楕円形となるように調節される請求項３１記載の装置。

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