CN1727971A - 液晶显示器及其防止影像残留的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示器及其防止影像残留的方法。其中，直接连接至薄膜晶体管的子像素电极，位于电容性耦接至控制电极的浮置子像素电极与栅极总线之间，以防止电荷从栅极总线注入到该浮置子像素电极。此外，电连接至辅助电容总线的屏蔽图案形成在辅助子像素电极和数据总线之间。该屏蔽图案避免电荷从数据总线注入到该浮置子像素电极。

Description

液晶显示器及其防止影像残留的方法
技术领域
本发明涉及一种在一个像素区域中包含多个子像素电极的液晶显示器及其防止影像残留(image sticking)的方法。更特别地，本发明涉及这样一种液晶显示器，其中至少一个液晶子像素电极与控制电极电容性耦接，显示电压被施加至该控制电极，以及防止这种液晶显示器的影像残留的方法。
背景技术
与阴极射线管(CRT)相比，液晶显示器具有薄、轻以及低电压驱动性能和低功耗的优点。因此，液晶显示器被用于各种电子设备中，包括电视、笔记本个人计算机(PC)、台式PCs，个人数字助理(PDA)、移动电话等等。特别是有源矩阵液晶显示器，其设置有薄膜晶体管(TFT)作为各个像素(子像素)的开关元件，表现出几乎比得上因高驱动性能产生的CRT那样优异的显示特性。因此，有源矩阵液晶显示器现今已用于传统上应用CRT的各种领域，如台式PC和电视。
通常，液晶显示器包括两个基板和密封在这些基板之间的液晶。在一个基板上为各个像素形成像素电极、TFT等。同时，在另一个基板上形成与像素电极相对的彩色滤光片以及各个像素共用的公共电极。彩色滤光片包括红(R)、绿(G)和蓝(B)三种，这些颜色中的一种颜色的彩色滤光片被设置在每个像素处。彼此相邻设置的红(R)、绿(G)和蓝(B)三种像素共同构成一个像素。在本说明书中，包含形成像素电极和TFT的基板以后称为TFT基板，而与TFT基板相对设置的基板以后称为相对基板。此外，通过把液晶密封在TFT基板和相对基板之间所形成的结构以后称为液晶面板。
通常，扭曲向列(TN)液晶显示器已被广泛应用，其构成为在两个基板之间密封水平排列型液晶(具有正介电常数各向异性的液晶)并使液晶分子扭曲排列。然而，扭曲向列液晶显示器具有视角特性差的缺点，即从斜向观看屏幕时对比度与色调(color tone)会显著改变。因此，具有良好视角特性的多域垂直排列(MVA)液晶显示器已经被研发出来并投入实际应用中。
图1A和1B是显示MVA液晶显示器实例的示意剖面图。TFT基板10和相对基板20夹着衬垫(未示出)的同时彼此相对设置，并且垂直排列型液晶(具有负介电常数各向异性的液晶)密封在这些基板10和20之间。TFT基板10上的像素电极12设置有缝隙(slit)12a，用作域调节结构，以在施加电压时确定液晶分子倾斜的方向。像素电极12的表面覆盖例如由聚酰亚胺制成的垂直配向膜(alignment film)14。
在相对基板20的公共电极22下方形成多个丘状的突起23，作为域调节结构。如图1A所示，这些突起23设置在相对于基板10上的缝隙12a沿斜向偏移的位置处。公共电极22和突起23的表面上也覆盖例如由聚酰亚胺制成的垂直配向膜24。
偏光板(未示出)分别置于TFT基板10之下和相对基板20之上。放置这些偏光板是为了设置相互正交的吸收轴。
在具有上述结构的MVA液晶显示器中，当像素电极12和公共电极22之间没有施加电压时，大多数液晶分子30a垂直于基板的表面排列。但是，在突起23附近的液晶分子30a垂至于突起23的倾斜表面排列。在这种情况下，从TFT基板10的底部经偏光板进入到液晶层的光被传输通过液晶层，而不改变偏振的方向，然后被相对基板20上的其他偏光板屏蔽。简而言之，在这种情况下获得了黑屏。
当在像素电极12和公共电极22之间施加给定电压时，由于电场的影响液晶分子30a倾斜于基板表面排列。在这种情况下，如图1B所示，在每个缝隙12a或每个突起23的两侧的液晶分子30a的倾斜方向不同。以这种方式，获得所谓的排列划分(或多区域)。当如图1B所示液晶分子30a倾斜于基板表面排列时，从TFT基板10的底部经偏光板进入到液晶层的光改变了偏振方向，并被传输通过相对基板20之上的偏光板。传输通过偏光板的光的量取决于施加在像素电极12和公共电极22之间的电压。
在MVA液晶显示器中，如图1B所示，由于在施加电压时每个缝隙12a或每个突起23的两侧的液晶分子30a的倾斜方向不同。因而，在倾斜方向上的光的泄漏得到抑制，而获得优秀的视角特性。
尽管以上实例解释了突起和缝隙构成域调节结构的情况，但是也存在基板表面上的凹陷(沟槽)用作域调节结构的情况。此外，尽管图1A和1B描述了TFT基板10和相对基板20上都形成域调节结构的实例，也可以仅在TFT基板10和相对基板20其中之一上形成域调节结构。
顺便提及，传统MVA液晶显示器导致从斜向观看时屏幕看起来略微发白的现象。图2示出了从正面观看屏幕时的透射率一所施加的电压(T-V)特性和从上方60°角观看屏幕时的T-V特性，其中横轴表示施加的电压(V)，纵轴表示透射率。如图2所示，当施加略微高于阈值电压的电压(图中被圆环围绕的区域)时，从斜向观看屏幕时的透射率高于从正面观看屏幕时的透射率。相反，当施加的电压增加到一定水平时，从斜向观看屏幕时的透射率变为低于从正面观看屏幕时的透射率。因此，从斜向观看屏幕时，红色像素、绿色像素和蓝色像素之间在亮度上的差异减小，从而，出现如前述的发白(whiter)屏幕的现象。这种现象称为淡化(wash out)。淡化不仅会出现在MVA液晶显示器中，而且会出现在TN液晶显示器中。
美国专利No.4840460的说明书中公开了一种把一个像素划分成多个子像素并使子像素电容性耦接的技术。在这种液晶显示器中，取决于各个子像素之间的电容比来划分电势。因此，可以对各个子像素施加不同的电压量。因此，就T-V特性而言，一个像素呈现出包括具有不同阈值的多个区域。当就T-V特性而言一个像素包括具有不同阈值的多个区域时，可以抑制从斜向观看屏幕时的透射率高于从正面观看屏幕时的透射率的现象，由此，抑制发白屏幕(淡化)的现象。上述通过把一个像素分成多个电容性耦接的子像素来改善显示特性的方法就是所谓的运用电容性耦接半色调灰度(halftone grayscale，HT)方法。注意在美国专利No.4840460中公开的液晶显示器是TN液晶显示器。
图3是配置为实现运用电容性耦接的HT方法的液晶显示器中的TFT基板的实例的平面图，以及图4是沿图3中的I-I线截取的剖面图。
在构成TFT基板的基础的玻璃基板51上，形成多条沿水平方向(X方向)延伸的栅极总线52和多条沿垂直方向(Y方向)延伸的数据总线(漏极总线)55。由栅极总线52和数据总线55限定的矩形区域构成每个像素区域。同时，在玻璃基板51上，形成辅助电容总线53，其平行于栅极总线52设置并穿过各个像素区域的中心。
在每条栅极总线52和每条数据总线55之间的空间以及每条辅助电容总线53和每条数据总线55之间的空间，形成第一绝缘膜54。通过利用该第一绝缘膜54，栅极总线52和数据总线55之间以及辅助电容总线53和数据总线55之间分别电绝缘。
在每个像素区域中形成薄膜晶体管(TFT)56、控制电极57、辅助电容电极58以及子像素电极61a和61b。如图3所示，TFT56使用部分栅极总线52作为栅极电极。此外，如图4所示，构成TFT56有源层的半导体膜56a形成在栅极总线52上方，以及沟道保护膜56b形成在此半导体膜56a上。
TFT56的漏极电极56d连接至数据总线55，而源极电极56s设置在与漏极电极56d相对的位置处，同时把栅极总线52夹在中间。此外，辅助电容电极58形成在与辅助电容总线53相对的位置处，同时把第一绝缘膜54夹在中间。此外，如图3所示，控制电极57通过导线59电连接至源极电极56s和辅助电容电极58。
数据总线55、TFT 56、控制电极57、辅助电容电极58和导线59覆盖有第二绝缘膜60，并且子像素电极61a和61b形成在第二绝缘膜60上。子像素电极61a电容性耦接至控制电极57，同时把第二绝缘膜60夹在中间。同时，子像素电极61b通过接触孔60a电连接至辅助电容电极58，该接触孔60a形成在第二绝缘膜60上。子像素电极61a和61b的表面覆盖有配向膜62。
同时，如图4所示，相对基板包括：形成在构成基础的玻璃基板71的一个表面上(图4的下侧)的彩色滤光片72，在彩色滤光片72上形成的公共电极73，以及覆盖公共电极73表面的配向膜74。
TFT基板和相对基板彼此相对设置，同时中间夹着衬垫(未示出)。然后，液晶80被密封在TFT基板和相对基板之间。
在透射式液晶显示器的情况下，子像素电极61a和61b是由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)制成。另一方面，在反射式液晶显示器的情况下，子像素电极61a和61b由高反射材料例如铝制成。
图5是示出包括上述TFT基板的液晶显示器中一个像素的等效电路图。在图5中，附图标记CLC1表示由子像素电极61b和公共电极73构成的电容，附图标记CS表示由辅助电容电极58和辅助电容总线53构成的电容，附图标记CC表示由子像素电极61a和控制电极57构成的电容，以及附图标记CLC2表示由子像素电极61a和公共电极73构成的电容。如图5所示，电压被子像素电极61a和公共电极73之间形成的电容CLC2和控制电容CC分担。因此，当施加至子像素电极61b上的电压为Vpx1时，则施加至子像素电极61a上的电压Vpx2通过以下公式(1)算出：
V px 2 = C C C C + C LC 2 × V px 1 - - - ( 1 )
尽管实际电压比(Vpx2/Vpx1)对于液晶显示器的显示特性而言为设计的项目，但是电压比在近似从0.6-0.8的范围内被视为理想的。
通过电容性耦接被施加显示电压的子像素电极例如子像素电极61a，以下被称为浮置子像素电极。同时，通过低电阻导体(例如导线)电连接至TFT的子像素电极例如子像素电极61b，以下被称为直接连接至TFT的子像素电极。
如图6所示，日本专利No.3076938的说明书(等同于日本待审专利公开No.5(1993)-66412)中公开了一种TN液晶显示器，其中，像素电极被分成多个(在图6中为四个)子像素电极91a至91d，以及控制电极92a至92d通过绝缘膜分别设置在子像素电极91a至91d之下。在这种液晶显示器中，显示电压通过TFT 90被施加至控制电极92a-92d。由于各个控制电极92a-92d的尺寸互不相同，要施加在子像素电极91a-91d上的电压也互不相同。因此，可以获得HT方法所可以产生的效果，也就是抑制淡化的效果。这里，为了避免光从任意子像素电极91a至91d之间的空间泄漏，另一个控制电极93也设置在任意子像素电极91a至91d之间的空间中。
然而，本发明的发明人已经进行了实验和研究，并发现包括上述传统浮置子像素电极的液晶显示器由于影像残留(image sticking)而导致显示特性的退化。
图7A至图7C和图8是显示测量图像阻延程度的测试方法的示意图。首先，如图7A所示的黑白检测图案持续在液晶显示器上显示一定期间。之后，在整个液晶显示器的屏幕上显示如图7B所示的半色调图案。在这种情况下，当屏幕上出现影像残留时，检测图案明显变暗，如图7C所示。在从检测图案显示切换到半色调显示之后，沿图7C中的X-X线测量亮度。然后，假设在黑暗部分出的亮度为“a”，而在黑暗部分和明亮部分之间的亮度差为“b”，如图8所示，计算由100×b/(a+b)定义的影像残留比。
根据上述方法来测量不包括浮置子像素电极的液晶显示器的影像残留比，以及包括浮置子像素电极的液晶显示器的影像残留比。结果不包括浮置子像素电极的液晶显示器的影像残留比等于或小于5％。相反，包括浮置子像素电极的液晶显示器的影像残留比等于或大于10％。
发明内容
考虑以上问题，本发明的目的是提供一种运用电容性耦接的HT方法来抑制淡化的液晶显示器，其能够防止影像残留的发生，并且提供一种防止影像残留的方法。
上述问题通过一种液晶显示器可得到解决，该液晶显示器包括：第一和第二基板，彼此相对设置；液晶，密封在该第一和第二基板之间；栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；以及控制电极，电容性耦接至所述多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极。这里，该液晶显示器包括屏蔽构件，用以电屏蔽电容性耦接至该控制电极的该子像素电极与至少该栅极总线和该数据总线中任一个之间的连接。
在本发明中，电容性耦接至该控制电极的该子像素电极与至少该栅极总线和该数据总线中任一个之间的连接，例如被连接至辅助电容总线的屏蔽构件电屏蔽，该辅助电容总线保持恒定的电势。以这种方式，通过使用屏蔽构件屏蔽电容性耦接至该控制电极的子像素电极，可以避免电荷从栅极总线或从数据总线注入到子像素电极。结果，可防止影像残留。
也可以使用直接连接至TFT的子像素作为屏蔽构件。例如，通过在电容性耦接至该控制电极的子像素电极与栅极总线之间，设置直接连接至TFT的子像素电极，可以避免电荷从栅极总线注入到电容性耦接至控制电极的子像素电极。
上述问题通过一种防止液晶显示器上影像残留的方法可得到解决，该液晶显示器包括：第一和第二基板，彼此相对设置；液晶，密封在该第一和第二基板之间；栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；控制电极，电容性耦接至所述多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；以及公共电极，形成在该第二基板上，并且与该第一基板上的多个子像素电极相对。这里，假设相对于该公共电极的电势该数据总线的中心电势为Vddc，相对于该公共电极的电势该栅极总线的中心电势为Vgdc，电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该数据总线之间的电阻为RD，以及电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该栅极总线之间的电阻为RG，该方法包括设置电容性耦接至该控制电极的子像素电极的位置和形状以满足Vddc-Vgdc×RD/RG近似等于零的步骤。
为了保持TFT处于关状态，在一个帧期间的多数时间内施加负电压到栅极总线。同时，为了通过电压补偿反馈，正直流电压与数据总线上流动的信号迭加。因此，可以通过设置子像素电极(电容性耦接至控制电极的子像素电极)的位置和形状来防止影像残留，以使得在数据总线上流动的信号的直流电压成分(即相对于公共电极的电势数据总线的中心电势)的影响和在栅极总线上流动的信号的直流电压成分(即相对于公共电极的电势栅极总线的中心电势)的影响相互抵消，即满足Vddc-Vgdc×RD/RG近似等于零。
上述问题通过一种液晶显示器可得到解决，该液晶显示器包括：第一和第二基板，彼此相对设置；液晶，密封在该第一和第二基板之间；栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；控制电极，电容性耦接至所述多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；以及公共电极，形成在该第二基板上，并且与该第一基板上的多个子像素电极相对。这里，电容性耦接至该控制电极的子像素通过电阻电连接至与该薄膜晶体管连接的子像素电极。
在本发明中，电容性耦接至控制电极的子像素电极(浮置子像素电极)，通过例如由多晶硅制成的高电阻电阻连接至直接连接至薄膜晶体管的子像素电极。以这种方式，降低浮置子像素电极和控制电极之间的电阻值，并且降低保持在液晶层中的直流电压，由此，防止影像残留的发生。但是，如果电阻的电阻值太低，则电流会在浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素电极之间流动，从而电势差降低。由此，防止淡化的效果会下降。
上述问题通过一种液晶显示器可得到解决，该液晶显示器包括：第一和第二基板，彼此相对设置；液晶，密封在该第一和第二基板之间；栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；控制电极，电容性耦接至所述多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；以及辅助电容总线，保持恒定的电势，并与该控制电极一起构成辅助电容。这里，该液晶显示器包括被与该薄膜晶体管连接的栅极总线不同的栅极总线上流动的信号驱动的开关元件，该开关元件设置在电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该辅助电容总线之间的位置或者电容性耦接至该控制电极的子像素电极与连接至该薄膜晶体管的子像素电极之间的位置中的任一位置处。
在本发明中，开关元件位于浮置子像素电极与辅助电容总线之间或者位于浮置子像素电极与直接连接至薄膜晶体管的子像素电极之间，并且开关元件被与连接至薄膜晶体管的栅极总线不同的栅极总线上流动的信号驱动。以这种方式，在给定计时浮置子像素电极中充入的电荷，会在辅助电容总线上或者直接连接至TFT的子像素电极上流动，由此防止影像残留的发生。
上述问题通过一种防止液晶显示器上影像残留的方法可得到解决，该液晶显示器包括：第一和第二基板，彼此相对设置；液晶，密封在该第一和第二基板之间；栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；控制电极，电容性耦接至所述多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；辅助电容总线，保持恒定的电势，并与该控制电极一起构成辅助电容；以及公共电极，形成在该第二基板上，并且与该第一基板上的多个子像素电极相对。这里，该方法包括形成与一电容并联的第二辅助电容的步骤，该电容是电容性耦接至该控制电极的子像素电极和该公共电极之间的电容。
在白色显示部分和黑色像素部分之间浮置子像素电极出现电势差的原因之一是液晶电容的变化。由此，在本发明中，与液晶电容并联形成第二辅助电容，以降低液晶电容的变化带来的影响。
通常，辅助电容总线保持与公共电极相同的电势或相对于公共电极保持恒定的电势。因此，例如，当在浮置子像素电极与辅助电容总线之间形成辅助电容电极并且该辅助电容电极连接至该浮置子像素电极时，相当于形成与液晶电容并联的第二辅助电容。以这种方式，可以避免影像残留的发生。
附图说明
图1A和图1B是显示MVA液晶显示器的实例的示意剖面图。
图2为示出当从正面观看液晶显示器的屏幕时透射率-所施加的电压(T-V)特性和当从上方60°角观看该屏幕时的T-V特性的坐标图；
图3是配置为实现运用电容性耦接的HT方法的液晶显示器中TFT基板的实例的平面图。
图4是沿图3中的I-I线截取的剖面图。
图5是图3所示的液晶显示器中一个像素的等效电路图。
图6是在日本专利No.3076938的说明书中公开的液晶显示器的平面图。
图7A至图7C是显示测量图像阻延程度的测试方法的示意图(No.1)。
图8是显示测量图像阻延程度的测试方法的示意图(No.2)。
图9是显示包括浮置子像素电极的液晶显示器中一个像素的平面图。
图10A是沿图9中的II-II线截取的示意剖面图，图10B是沿图9中的III-III线截取的示意剖面图，图10C是沿图9中的Ⅳ-Ⅳ线截取的示意剖面图，图10D是沿图9中的V-V线截取的示意剖面图。
图11是包括浮置子像素电极的子像素电极的等效电路图。
图12为示出当施加显示电压到液晶层时(当液晶打开时)ΔVs和ΔVLC2之间的关系，以及当没有施加显示电压到液晶层时(当液晶关闭时)ΔVs和ΔVLC2之间的关系的坐标图。
图13是显示根据本发明第一实施例的液晶显示器的平面图。
图14A是沿图13中的VI-VI线截取的剖面图，图14B是沿图13中的VII-VII线截取的剖面图。
图15是显示根据第一实施例的第一修改实例的液晶显示器的平面图。
图16是沿图15中的VIII-VIIIIX线截取的剖面图。
图17是显示根据第一实施例的第二修改实例的液晶显示器的平面图。
图18是沿图17中的IX-IX线截取的剖面图。
图19是显示根据第一实施例的第三修改实例的液晶显示器的平面图。
图20是沿图19中的X-X线截取的剖面图。
图21是显示根据第一实施例的第四修改实例的液晶显示器的平面图。
图22是显示根据第一实施例的第五修改实例的液晶显示器的平面图。
图23是显示根据第一实施例的第六修改实例的液晶显示器的平面图。
图24是显示根据第一实施例的第七修改实例的液晶显示器的平面图。
图25是示出本发明第二实施例的原理的示意图。
图26是显示RG/RD和浮置子像素电极的最终获得的电势之间的关系的示意图。
图27是显示液晶显示器的像素部分的示意平面图，示出了调节浮置子像素电极和栅极总线之间的电阻以及浮置子像素电极和数据总线之间的电阻的方法。
图28是显示图27的像素的示意剖面图。
图29是示出影像残留电压对控制电极和浮置子像素电极之间的电阻RC上以及在浮置子像素电极和公共电极之间的电阻RLC2的依赖性(DC电压的放大倍率)的计算结果的示意图。
图30是图29所示的结果的表格。
图31是显示RC/RLC2与子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分处的电势差之间的关系的坐标图。
图32是显示浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素的等效电路图。
图33是显示位于浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素之间的电阻R和在一个帧期间中电压保持率之间的关系的坐标图。
图34是根据本发明第三实施例的液晶显示器中TFT基板的平面图。
图35是图34所示的TFT基板的剖面图。
图36是显示根据第三实施例的第一修改实例的液晶显示器的平面图。
图37是显示图36的液晶显示器的剖面图。
图38是显示根据本发明的第四实施例的液晶显示器的平面图。
图39是沿图38中的XI-XI线截取的剖面图。
图40是显示根据第四实施例的液晶显示器中一个像素的等效电路图。
图41是显示根据第四实施例的第一修改实例的液晶显示器的平面图。
图42是显示根据第四实施例的第一修改实例的液晶显示器中一个像素的等效电路图。
图43是显示本发明第五实施例的原理的像素的电路图。
图44是显示RC/RLC2和浮置子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分的电势差之间的关系的坐标图。
图45是显示根据第五实施例的液晶显示器的平面图。
图46是沿图45中的XII-XII线截取的剖面图。
具体实施方式
下面，进一步详细描述本发明。
通常，液晶显示器上的影像残留可归因于栅极总线、数据总线等上流动的信号中直流电压成分的存在，而结果是液晶层在白色显示模式和黑色显示模式之间CR值(液晶电容值和液晶电阻值)的变化。下面，描述在包含浮置子像素电极的液晶显示器中发生影像残留的原因。
图9是显示在包含浮置子像素电极的液晶显示器中一个像素的平面图。同时，图10A是沿图9中的II-II线截取的示意剖面图，图10B是沿图9中的III-III线截取的示意剖面图，图10C是沿图9中的IV-IV线截取的示意剖面图，图10D是沿图9中的V-V线截取的示意剖面图。
在图9所示的液晶显示器中，可以认为CLC2和RLC2并联连接在子像素电极(浮置子像素电极)61a和公共电极73之间，如图10A所示。这里，附图标记CLC2表示子像素电极61a和公共电极73之间的电容，而附图标记RLC2表示子像素电极61a和公共电极73之间的电阻。
此外，也可以认为Cgpx2和Rgoff并联连接在子像素电极61a和栅极总线52之间。这里，附图标记Cgpx2表示子像素电极61a和栅极总线52之间的电容，而附图标记Rgoff表示子像素电极61a和栅极总线52之间的电阻。
同时，也可以认为CLC1和RLC1并联连接在子像素电极(直接连接至薄膜晶体管(TFT)56的子像素电极)61b和公共电极73之间，如图10B所示。这里，附图标记CLC1表示子像素电极61b和公共电极73之间的电容，RLC1表示子像素电极61b和公共电极73之间的电阻。
此外，也可以认为Cgpx1和Rgpx1并联连接在子像素电极61b和栅极总线52之间。这里，附图标记Cgpx1表示子像素电极61b和栅极总线52之间的电容，而附图标记Rgpx1表示子像素电极61b和栅极总线52之间的电阻。
为了保持TFT 56在一个场期间内的大部分时间处于关闭状态，比公共电极73的电势低-12V的直流电压(Vgoff)施加至栅极总线52。对应此直流电压的电荷通过电容Cpgx2和电阻Rgoff积累在子像素电极61a和61b中。但是，在每个场内，TFT 56正常地为打开一次，而使子像素电极61b电连接至数据总线55。因此，在TFT 56关闭期间内充入子像素电极61b的电荷将向数据总线55流动，从而直流电压成分将不再保留在子像素电极61b上。相反，即使TFT 56打开，充入子像素电极61a的电荷仍保持在其中。因此，直流电压成分会保留在子像素电极61a中。
如图10C所示，可以认为Cdpx2和Rdpx2并联连接在子像素电极61a和数据总线55之间。这里附图标记Cdpx2表示子像素电极61a和数据总线55之间的电容，而附图标记Rdpx2表示子像素电极61a和数据总线55之间的电阻。
此外，如图10D所示，也可以认为Cdpx1和Rdpx1并联连接在子像素电极61b和数据总线55之间。这里，附图标记Cdpx1表示子像素电极61b和数据总线55之间的电容，而附图标记Rdpx1表示子像素电极61b和数据总线55之间的电阻。
为了通过电压补偿反馈，比公共电极73的电势高约1至2V的直流电压与数据总线55上的显示信号(交变电流信号)相迭加。对应此直流电压的电荷也通过电容Cdpx2和电阻Rdpx2积累在子像素电极61a中。
但是，如上所述，在每个场内TFT 56被打开一次，而使子像素电极61b电连接至数据总线55。因此，在TFT 56关闭期间内充入子像素电极61b的电荷将在TFT 56打开时向数据总线55流动。因此，直流电压成分将不再保留在子像素电极61b上。相反，即使TFT 56被打开，充入子像素电极61a的电荷将依旧保留在其中。因此，直流电压成分将仍然保留在子像素电极61a中。
如上所述，在直接连接至TFT56的子像素电极61b上几乎看不到直流电压成分的积累的同时，电荷充入浮置子像素电极61a，从而直流电压成分保留在其中。
接下来，描述充入浮置子像素电极上的电荷和影像残留之间的关系。
图11为显示包括浮置子像素电极的子像素电极的等效电路图，这里，控制电极和公共电极之间的直流电压成分被定义为ΔVs，浮置子像素电极中的电荷量被定义为Q，公共电极中的电荷量被定义为Q1，以及控制电极中的电荷量被定义为Q2。在暂态结束之后，通过以下公式(2a)至(2c)计算处于定态的Q1、Q2和Q值：
Q 1 = R LC 2 R LC 2 + R C × ΔVs × C LC 2 - - - ( 2 a )
Q 2 = R C R LC 2 + R C × ΔVs × C C - - - ( 2 b )
Q＝Q2-Q1
= - ( ( R LC 2 × C CL 2 ) - ( R C × C C ) ) R LC 2 + R C × ΔVs - - - - ( 2 c )
即使去除直流电压成分ΔVs，在以下公式(3)中所示的ΔVLC2将仍保留液晶层中：
ΔVLC2＝-Q/QLC2
= ( ( R LC 2 × C CL 2 ) - ( R C × C C ) ( R LC 2 + R C ) × C LC 2 × ΔVs - - - - ( 3 )
假设子像素电极的面积是S而单元厚度为d，液晶电容CLC2可表示为CLC2＝ε(S/d)。这里，ε为液晶的介电常数。由于液晶分子垂直于基板表面排列时的介电常数与液晶分子水平排列时的介电常数不同，因此在显示检测图案的白色部分的像素和显示检测图案的黑色部分的像素之间液晶电容值会不同。因此，在这些像素之间，施加至液晶层的直流电压成分ΔVLC2值也不同。当检测图案显示切换到半色调显示时，保留在液晶层中的直流电压成分不会立即改变。因此，显示白色的像素和显示黑色的像素具有不同的待施加至液晶层的电压。因此，显示白色的像素的光透射率与显示黑色的像素的光透射率不同，由此引起影像残留。这里，由于上述原因出现的影像残留在与这一时间常数相对应的周期内下降，该时间常数是子像素电极和控制电极或者公共电极之间的时间常数。但为了提高显示质量，有必要尽可能减少影像残留。
图12是示出当施加显示电压到液晶层时(当液晶打开时)ΔVs和ΔVLC2之间的关系，以及当没有施加显示电压到液晶层时(当液晶关闭时)ΔVs和ΔVLC2之间的关系的坐标图，其中，横轴表示控制电极和公共电极之间的直流电压成分ΔVs，而纵轴表示保留在液晶层中的直流电压成分ΔVLC2。这里，应该注意，图12中的数字是基于具有图9所示结构的液晶显示器计算得到的，在该结构中，像素间距设置为125μm，电容性耦接至控制电极57的子像素电极61a和电连接至TFT 56的子像素电极61b之间的面积比设置为3至7，以及在施加至子像素电极(浮置子像素电极)61a的显示电压和施加至子像素电极(直接连接至TFT的子像素电极)61b的显示电压的比率设置为0.72。
从图12可明显看出，高于控制电极和公共电极之间的直流电压成分ΔVs几倍的电压被施加在液晶层。因此，即使降低控制电极和公共电极之间的直流电压成分ΔVs，也会限制抑制影像残留的效果。
本发明的发明人认为为防止影像残留，很必要应用任一以下对策。
(1)通过在这种总线和浮置子像素电极之间的电屏蔽，来抑制在浮置子像素电极上电荷的积累，该总线(例如栅极总线或数据总线)允许包含直流电压成分的信号在其上流动。
(2)在栅极总线上流动的信号包含的直流电压成分具有与在数据总线上流动的信号包含的直流电压成分相反的偏振。因此，浮置子像素电极和栅极总线之间的电阻以及浮置子像素电极和数据总线之间的电阻被优化，从而这两个直流电压成分的影响可彼此消除。
(3)当浮置子像素电极和控制电极之间的电阻降低时，保留在液晶层中的直流电压成分也降低。然而，如果浮置子像素电极和控制电极之间的电阻大幅降低时，可以获得抑制淡化的效果。因此，浮置子像素电极和控制电极之间的电阻被优化，以避免引起淡化或影像残留。
(4)在浮置子像素电极上积累的电荷以固定频率被释放到数据总线、辅助电容总线等。
(5)形成与浮置子像素电极和公共电极之间的电容(液晶电容)并联辅助电容，以降低液晶电容变化的影响。
下面，描述使用上述对策的本发明优选实施例的液晶显示器。
(第一实施例)
图13是显示根据本发明第一实施例的液晶显示器的平面图。同时，图14A是沿图13中的VI-VI线截取的剖面图，图14B是沿图13中的VII-VII线截取的剖面图。
在构成TFT基板的基础的玻璃基板111上，形成多条沿水平方向(X方向)延伸的栅极总线112和多条沿垂直方向(Y方向)延伸的数据总线115。由栅极总线112和数据总线115限定的矩形区域构成像素区域。同时，在玻璃基板111上，形成辅助电容总线113，其与栅极总线112平行设置并穿过各个像素区域的中心。
在每条栅极总线112和每条数据总线115之间的空间以及每条辅助电容总线113和每条数据总线115之间的空间形成由绝缘材料例如SiN或SiO2制成的第一绝缘膜114。通过利用该第一绝缘膜114，栅极总线112和数据总线115之间以及辅助电容总线113和数据总线115之间分别电绝缘。
在每个像素区域中形成TFT 116、连接电极117a和117b、控制电极118、及由透明材料例如ITO制成的子像素电极121a至121c。控制电极118与辅助电容总线113和第一绝缘膜114一起构成辅助电容电极。如图13所示，TFT 116使用部分栅极总线112作为栅极电极。此外，如图14A所示，构成TFT 56有源层的半导体膜116a形成在栅极总线112上方，以及沟道保护膜116b形成在此半导体膜116a上。
TFT 116的漏极电极116d连接至数据总线115，源极电极116s设置在此位置，在那里，源极电极116s与漏极电极116d相对，同时把栅极总线112夹在中间。此外，控制电极118形成在此位置，在那里，控制电极118与辅助电容总线113相对，同时把第一绝缘膜114夹在中间。连接电极117a设置在子像素电极121a的下面，而连接电极117b设置在子像素电极121c的下面。连接电极117a和117b以及控制电极118通过导线119连接至源极电极116s。
数据总线115、TFT116、连接电极117a和117b、控制电极118、和导线119覆盖有由SiN、绝缘树脂等制成的第二绝缘膜120。此外，子像素电极121a至121c形成在此第二绝缘膜120上。如图13所示，子像素电极(浮置子像素电极)121b设置在像素区域的中心处，并且电容性耦接至控制电极118。同时，子像素电极121a设置在子像素电极121b和其上方的栅极总线112之间，并且子像素电极121c设置在子像素电极121b和其下方的栅极总线112之间。这些子像素电极121a和121c通过接触孔120a和120b、连接电极117a和117b以及导线119电连接至TFT 116的源极电极116s。此外，子像素电极121a至121c的表面覆盖有例如由聚酰亚胺制成的配向膜122。
这里，例如依照光刻方法，通过图案化Cr膜或Al-Ti层叠膜而同时形成栅极总线112和辅助电容总线113。同时，例如依照光刻方法，通过图案化Ti-Al-Ti层叠膜而同时形成数据总线115、源极电极116s、漏极电极116d以及控制电极118。
同时，如图14A和图14B所示，相对基板包括形成在构成基础的玻璃基板131的一个表面(在图14A和图14B中是下侧)上的彩色滤光片132，在彩色滤光片132的表面上形成的公共电极133以及覆盖公共电极133表面的配向膜134。例如，公共电极133由透明导电材料如ITO制成，配向膜134由聚酰亚胺制成。
TFT基板和相对基板在设置有配向膜的表面向内放置的同时彼此相对设置，并且在中间夹着间隔层的同时结合在一起。然后，液晶140被密封在TFT基板和相对基板之间。
在具有上述结构的第一实施例的液晶显示器中，子像素电极121a和121c电连接至TFT 116，并且由此在TFT 116打开时连接至数据总线115。因此，即使在TFT 116关闭期间，由于栅极总线112上流动信号的直流电压成分而在子像素电极121a和121b中积累电荷，在TFT 116打开期间电荷会流向数据总线115，由此避免了电荷的积累。因此，在这些子像素电极121a和121b中不会出现影像残留。
同时，电容性耦接至控制电极118的子像素电极(浮置子像素电极)121b远离栅极总线112，并且子像素电极121a和121c介于子像素电极121b和栅极总线112之间。因此，由于在栅极总线112上流动的信号的直流电压成分而在浮置子像素电极121b上积累的电荷非常少。以这种方式，可以避免影像残留的出现并获得最佳的显示品质。
(第一修改实例)
图15是显示根据第一实施例的第一修改实例的液晶显示器的平面图，而图16是沿图15中的VIII-VIII线截取的剖面图。就图15和图16来说，与图13、图14A和图14B中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图15和图16所示的第一修改实例的液晶显示器中，在一个像素中设置两个子像素电极136a和136b。此外，控制电极161设置在子像素电极136a之下，同时把第二绝缘膜120夹在中间，以及子像素电极136a电容性耦接至控制电极161。
辅助电容电极163设置在辅助电容总线113之上，并且此辅助电容电极163通过接触孔135电连接至子像素电极136b。同时，辅助电容电极163和控制电极161通过导线162电连接至TFT 116的源极电极116s。
此外，从辅助电容总线113延伸出来的屏蔽图案113a和113b设置在子像素电极136a和数据总线115之间。辅助电容总线113保持与公共电极133的电势相同的电势，或者保持相对于公共电极133的电势恒定的电势。
在此第一修改实例的液晶显示器中，保持与辅助电容总线113的电势相同的电势的屏蔽图案113a和113b设置在浮置子像素电极136a和数据总线115之间。因此，由于任一个数据总线115上流动的信号的直流电压成分引起的在浮置子像素电极136a中电荷的积累得到抑制。以这种方式，这种液晶显示器可发挥出抑制影像残留的效果。
(第二修改实例)
图17是显示根据第一实施例的第二修改实例的液晶显示器的平面图，而图18是沿图17中的IX-IX线截取的剖面图。就图17和图18而言，与图15和图16中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图17和图18所示的第二修改实例的液晶显示器中，与子像素电极136a形成在同一层上的屏蔽图案138a和138b，设置在浮置子像素电极136a和数据总线115之间。这些屏蔽图案138a和138b通过分别在第一和第二绝缘膜114和120上形成的接触孔137a和137b电连接至辅助电容总线113。类似于第一修改实例的液晶显示器，辅助电容总线113保持与公共电极133的电势相同的电势，或者保持相对于公共电极33的电势恒定的电势。
在图15和图16所示的第一修改实例的液晶显示器中，屏蔽图案113a和113b形成在比数据总线115和子像素电极136a更低的层上。相反，在第二修改实例的液晶显示器中，屏蔽图案138a和138b与子像素电极136a形成在同一层上。因此，在第二修改实例的液晶显示器中，第一绝缘膜114的电阻成分不存在了。因此，第二修改实例的液晶显示器比第一修改实例的液晶显示器具有更大的保护子像素电极136a不受数据总线115影响的效果。以这种方式，第二修改实例的液晶显示器能够比第一修改实例的液晶显示器更可靠地避免影像残留。
(第三修改实例)
图19足显示根据第一实施例的第三修改实例的液晶显示器的平面图，而图20是沿图19中的X-X线截取的剖面图。就图19和图20而言，与图15和图16中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图19和图20所示的第三修改实例的液晶显示器中，从辅助电容总线113的延伸出来的屏蔽图案113a和113b以及与子像素电极136a形成在同一层的屏蔽图案142a和142b，设置在浮置子像素电极136a和数据总线115之间。屏蔽图案142a和142b通过分别在第一和第二绝缘膜114和120上形成的接触孔141a和141b电连接至屏蔽图案113a和113b。
在第三修改实例的液晶显示器中，同样，屏蔽图案113a、113b、142a和142b形成在浮置子像素电极136a和数据总线115之间。因此，可以抑制由于任一个数据总线115上流动的信号的直流电压成分引起的在浮置子像素电极136a中电荷的积累，由此避免影像残留。
(第四修改实例)
图21是显示根据第一实施例的第四修改实例的液晶显示器的平面图。就图21来说，与图15中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图21中所示的第四修改实例的液晶显示器中，屏蔽图案143围绕浮置子像素电极136a，该屏蔽图案143与辅助电容总线113形成在同一层上并连接至辅助电容总线113。
在第四修改实例的液晶显示器中，不仅可以屏蔽包含在任一个数据总线115上流动的信号中的直流电压成分，而且可以屏蔽包含在任一个栅极总线112上流动的信号中的直流电压成分。以这种方式，此液晶显示器可比第一修改实例的液晶显示器更可靠地发挥抑制影像残留的效果。
(第五修改实例)
图22是显示根据第一实施例的第五修改实例的液晶显示器的平面图。就图22来说，与图13中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图22所示的液晶显示器中，子像素电极121a和121c位于浮置子像素电极121b和栅极总线112之间，如在图22的上侧和下侧所示出的。这些子像素电极121a和121c经接触孔120a和121b通过导线119电连接至TFT 116。同时，在图22的右侧和左侧，分别从辅助电容总线113延伸出来的屏蔽图案145位于浮置子像素电极121b和数据总线115之间。
在第五修改实例的液晶显示器中，通过子像素电极121a和121c以及屏蔽图案145，来屏蔽浮置子像素电极121b不受栅极总线112和数据总线115的影响。由此，此液晶显示器可以发挥抑制由于任意栅极总线112和任意数据总线115上流动的信号的直流电压成分引起的电荷积累的效果，由此有效地避免影像残留。
此外，在第五修改实例的液晶显示器中，屏蔽图案145也位于电连接至TFT 116的子像素电极121a和121c以及数据总线115之间。由此，该液晶显示器也具有抑制由于任一数据总线115上流动的信号中包含的直流电压成分引起的在子像素电极121a和121c中电荷的积累。
(第六修改实例)
图23是显示根据第一实施例的第六修改实例的液晶显示器的平面图。就图23来说，与图22中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图23所示的第六修改实例的液晶显示器中，与辅助电容总线113形成在同一层上并且连接至辅助电容总线113的屏蔽图案146，也位于浮置子像素电极121b与直接连接至TFT 116的子像素电极121a和121c之间。在第六修改实例的液晶显示器中，也可以抑制由于任意栅极总线112和数据总线115上流动的信号的直流电压成分引起的电荷积累，从而有效地避免影像残留。
(第七修改实例)
图24是显示根据第一实施例的第七修改实例的液晶显示器的平面图。就图24来说，与图13中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在图24所示的第七修改实例的液晶显示器中，子像素电极151b围绕浮置子像素电极151a。该子像素电极151b通过接触孔120a和120b以及导线119电连接至TFT 116的源极电极116s。
在第七修改实例的液晶显示器中，同样，浮置子像素电极151a被屏蔽免于栅极总线112和数据总线115的影响。由此，该液晶显示器可发挥抑制由于任意栅极总线112和数据总线115上流动的信号的直流电压成分引起的电荷存储的效果，由此有效地避免影像残留。
(第二实施例)
下面，描述本发明的第二实施例。
图25是示出本发明第二实施例的原理的示意图。图25示出了包括浮置子像素电极FSE、公共电极、控制电极、栅极总线和数据总线的等效电路图。
如图25所示，可以认为：电阻RG存在于浮置子像素电极FSE和栅极总线之间，电阻RD存在于浮置子像素电极FSE和数据总线之间，电阻RC存在于浮置子像素电极FSE和控制电极之间，以及电阻(液晶电阻)RLC存在于浮置子像素电极FSE和公共电极之间。这里，控制电极的电势定义为Vsdc，公共电极的电势定义为Vcom，在栅极总线上流动的信号的直流电压成分(中心电势)定义为Vgdc，以及在数据总线上流动的信号的直流电压成分(中心电势)定义为Vddc。
如上所述，比公共电极的电势低大约-12V的直流电压被施加至栅极总线以关闭TFT。同时，比公共电极的电势高大约+2V的直流电压迭加到数据总线上的显示信号上，以通过电压补偿反馈。与施加至在数据总线上流动的信号的直流电压成分相比，施加至在栅极总线上流动的信号的直流电压成分具有相反的极性。由此，通过将Vddc、Vgdc、RG和RD的值设定为满足以下公式(4)，可以防止由于栅极总线和数据总线的直流电压成分引起的浮置子像素电极中电荷的积累的效果，并且最终防止影像残留的发生。
Vddc×RG-Vgdc×RD＝0          (4)
通过电势差和电阻，来确定栅极总线上流动的信号的直流电压成分的影响量级和数据总线上流动的信号的直流电压成分的影响量级。然而，电势差Vddc和Vgdc也和TFT的性能等相关，并且具有较小的调节自由度。相反，电阻RG和RD通过浮置子像素电极的尺寸、形状和位置，绝缘膜的厚度等来确定，并且具有较大的调节自由度。因此，在本实施例中，调节浮置子像素电极和栅极总线之间的电阻RG和浮置子像素电极和数据总线之间的电阻RD，以消除在栅极总线上流动的信号的直流电压成分的影响和在数据总线上流动的信号的直流电压成分的影响。
图26是显示横轴上表示的浮置子像素电极的RG/RD和纵轴上表示的浮置子像素电极最终获得的电势之间的关系的坐标图。但是，应该注意，在图26中，电阻RC、RLC和RD被设置为相等(RC＝RLC＝RD)。此外，Vcom和Vsdc被设置为0V，Vgdc被设置为-11.28V，以及Vddc被设置为+1.13V。在这种情况下，如从图26可清楚看出，可以消除栅极总线上流动的信号的直流电压成分的影响和在数据总线上流动的信号的直流电压成分的影响，并且在电阻RG的值被设置为电阻RD的十倍大小(RG/RD＝10)时，可防止影像残留的发生。
图27是液晶显示器的像素部分的平面图，示出了调节浮置子像素电极和栅极总线之间的电阻以及浮置子像素电极和数据总线之间的电阻的方法。同时，图28是显示图27的像素的剖面示意图。
在图27和图28所示的液晶显示器中，由栅极总线212和数据总线215限定的每个像素区域包含TFT 216、四个子像素电极221a-221d以及控制电极218。
控制电极218通过导线219电连接至TFT 216的源极电极216s。同时，子像素电极221a和221d通过接触孔220a和220c及导线219电连接至TFT216的源极电极。此外，子像素电极221c通过接触孔220b、控制电极218以及导线219电连接至TFT 216的源极电极。另一方面，子像素电极(浮置子像素电极)221b通过第二绝缘膜220电容性耦接至控制电极218。
如图28所示，栅极总线212和辅助电容总线213形成在玻璃基板211上并且覆盖有第一绝缘膜214。数据总线215、源极电极216s、漏极电极216d、控制电极218、以及导线219形成在第一绝缘膜214上。数据总线215、源极电极216s、漏极电极216d、控制电极218、以及导线219覆盖有第二绝缘膜220，以及子像素电极221a-221d形成在第二绝缘膜220上。这些子像素电极221a-221d被缝隙划分开，沿着栅极总线212和辅助总线213之上弯曲的Z字形线形成该缝隙。
在图27中，连线(chain line)231显示出形成在相对基板侧的丘状突起的位置(域调节结构)。
在该液晶显示器中，当栅极总线212和浮置子像素电极221b相面对的部分的长度(图27中由箭头A表示的部分)增加时，电阻RG值减少，而当上述长度减少时，电阻RG值增加。而且，此外，当栅极总线212和浮置子像素电极221b之间的距离(图27中由箭头B表示的部分)增加时，电阻RG值增加，而当上述距离减少时，电阻RG值减少。此外，当第一绝缘膜214和第二绝缘膜220的总厚度(图28中由箭头C表示的部分)增加时，电阻RG值增加，而当上述厚度减少时，电阻RG值减少。
同时，当数据总线215和浮置子像素电极221b相面对的部分的长度(图27中由箭头D表示的部分)增加时，电阻RD值减少，而当上述长度减少时，电阻RD值增加。此外，当数据总线215和浮置子像素电极221b之间的距离(图27中由箭头E表示的部分)增加时，电阻RD值增加，而当上述距离减少时电阻RD值减少。此外，当第二绝缘膜220的厚度(图28中由箭头F表示的部分)增加时电阻RD值增加，而当上述厚度减少时，电阻RD值减少。
在第二实施例中，通过调节上述参数，消除包含在栅极总线212上流动的信号中的直流电压成分的影响和包含在数据总线215上流动的信号中的直流电压成分的影响。以这种方式，可以避免影像残留并获得良好的显示特性。
(第三实施例)
下面，描述本发明的第三实施例。
通过修改上述公式(3)获得以下公式(5)：
Δ V LC 2 = ( ( R LC 2 × C LC 2 ) - ( R C × C C ) ) ( R LC 2 + R C ) × C LC 2 × Δ V S = ( 1 - ( R C / R LC 2 × C C / C LC 2 ) ) ( 1 + R C / R LC 2 ) × Δ V S - - - ( 5 )
在此公式(5)中，设置在控制电极和浮置子像素电极之间的电容CC与设置在浮置子像素电极和公共电极之间的电容CLC2之间的比率CC/CLC2为指定值，该指定值通过响应直接连接至TFT的子像素电极上的电压和浮置子像素电极上的电压之间的电压比来确定。
图29示出了当设置CC/CLC2为恒定值(CC/CLC2＝1.0-9.0)时，影像残留电压对控制电极和浮置子像素电极之间的电阻RC与浮置子像素电极和公共电极之间的电阻RLC2的依赖性的计算结果，其中，横轴表示RC和RLC2之间的比率，而纵轴表示直流电压的放大倍率。同时，图30为显示图29所示结果的表格。
在图3和图4所示的液晶显示器的情况下，液晶的特定电阻比TFT绝缘膜的特定电阻低2位(digits)或更多。由此，RC/RLC2值接近103。在这种情况下，如从图29和图30明显看出，直流电压的放大倍率近似等于CC/CLC2。在电容性耦接的HT方法中，浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素电极之间的电压比设置在约0.9-0.6范围内。由此，直流电压的放大倍率最大达到接近9，并且易于发生影像残留。
同时，图31显示通过降低控制电极和浮置子像素电极之间的RC可以显著降低浮置子像素电极上的电压。图31是表示在横轴表示的RC/RLC2与纵轴表示的子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分处的电势差之间的关系的坐标图。计算中假设CLCON/CLCOFF值等于1.5。
图32是显示浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素的等效电路图。这里，附图标记C1表示包含在直接连接至TFT的子像素电极中的电容(C1＝CLC+CS)，附图标记C2表示包含在浮置子像素电极中的电容(C2＝CLC2+CS2)，附图标记CC表示位于浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素之间的电容，以及附图标记R表示位于浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素之间的电阻。在这种情况下，通过以下公式(6)可获得在时间t浮置子像素电极上的电压VC(t)：
VC(t)＝VC(0)×exp-(t/((Cse+CC)×R)      (6)
这里，Cse为C1和C2的串联电容(Cse＝(1/((1/C1)-(1/C2)))。
图33是显示在由横轴表示的位于浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素之间的电阻R和由纵轴表示的在一个帧期间(t＝16.6ms)中电压保持率之间的关系的坐标图。这里，假设液晶显示器具有如图3和图4所示的结构。计算中，像素间距设置为125μm，浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素电极之间的面积比设置为3-7，以及施加至浮置子像素电极的显示电压和施加至直接连接至TFT的子像素电极的显示电压之间的比率设置为0.72。
从图33可明显看出，当浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素电极之间的电阻等于或大于1011Ω时，电压保持率将维持在约90％或之上。如果电压保持率降到低于50％，则由于不均匀电阻引起的电势差变化达到最大。由此，根据显示稳定性，优选设置电压保持率等于或大于50％。
如上所述，通过将位于浮置子像素电极和直接连接至TFT的子像素电极之间的电阻R设置为满足RC等于或小于RLC2的100倍，及在一个帧期间内电压保持率等于或大于50％，来获得防止影像残留的效果。
图34是采用上述配置的第三实施例的液晶显示器中的TFT基板的平面图。同时，图35是图34所示的TFT基板的剖面图。
如图34所示，在TFT基板上形成多条沿水平方向延伸的栅极总线312(在图34中仅示出了一条栅极总线)以及多条沿垂直方向延伸的数据总线315(在图34中仅示出了一条数据总线)。由栅极总线312和数据总线315限定的每个矩形区域构成一个像素区域。同时，在TFT基板上，穿过像素区域的辅助电容总线313形成为平行于栅极总线312。如在下文中所述，在每条栅极总线312和每条数据总线315之间的空间以及每条辅助电容总线313和每条数据总线315之间的空间形成第一绝缘膜314。通过利用该第一绝缘膜314，栅极总线312与数据总线315之间以及辅助电容总线313与数据总线315之间分别电绝缘。
在每个像素区域中形成TFT 316、控制电极318以及四个子像素电极321a-321d。通过导线319，TFT 316的漏极电极316d连接至数据总线315，而其源极电极316s连接至控制电极318。
子像素电极321a-321d被沿着栅极总线312和辅助总线313之上弯曲的Z字形线形成的缝隙划分开。此外，子像素电极321a和321d通过接触孔321a和321c以及导线319电连接至源极电极316s。子像素电极321c通过接触孔320b电连接至控制电极318。另一方面，子像素电极(浮置子像素电极)321b通过下文中描述的第二绝缘膜320电容性耦接至控制电极318。此外，这些子像素电极321a-321d通过连接部分323相互电连接，该连接部分323是由高电阻导电材料制成。这里，控制电极318也用作辅助电容电极并与辅助电容总线313和第一绝缘膜314一起构成辅助电容。
下面，参照图35描述TFT基板的层结构。
在构成TFT基板的基础的玻璃基板311上，形成栅极总线312和辅助电容总线313。例如，按照光刻方法，通过图案化Cr膜或Al-Ti层叠膜，来同时形成栅极总线312和辅助电容总线313。
此外，由绝缘材料例如SiN和SiO2制成的第一绝缘膜314形成在玻璃基板311之上，并且栅极总线312和辅助电容总线313被该绝缘膜314覆盖。
数据总线315、TFT 316的源极电极316s和漏极电极316d、控制电极318以及导线319形成在第一绝缘膜314上。例如，按照光刻方法，通过图案化Ti-Al-Ti层叠膜，来同时形成数据总线315、源极电极316s和漏极电极316d、控制电极318以及导线319。
如图34所示，TFT 316利用部分栅极总线312作为栅极电极。此外，在栅极电极上，形成构成有源层的半导体膜(未示出)和沟道保护模316b。源极电极316s和漏极电极316d彼此相对设置，同时夹着栅极总线312。
数据总线315、源极电极316s和漏极电极316d、控制电极318以及导线319被第二绝缘膜320覆盖，该第二绝缘膜320例如由SiN或绝缘树脂制成。子像素电极321a-321d形成在该第二绝缘膜320之上。这些子像素电极321a-321d是由透明导电材料例如ITO制成。子像素电极321a和321d分别通过在第二绝缘膜320上形成的接触孔320a和320c电连接至导线319，子像素电极321c通过接触孔320b电连接至控制电极318。此外，子像素电极321b通过第二绝缘膜320电容性耦接至控制电极318。
子像素电极321a-321d通过连接部分323相互电连接，该连接部分323由高电阻导电材料制成。此外，例如由聚酰亚胺制成的配向膜322形成在子像素电极321a-321d和连接部分323之上。
连接部分323例如由掺杂非晶硅制成。如上所述，浮置子像素电极321b和直接连接至TFT316的子像素电极321a、321c和321d之间的电阻设置为等于或小于浮置子像素电极321b和公共电极之间的电阻的100倍，并且在一个帧期间内的电压保持率设置为等于或大于50％。
用于连接部分323的材料不仅限于上述非晶硅，并且也可以使用例如有机导电材料形成连接部分323。但作为连接部分323的材料，优选使用具有适当范围内的电阻值并且不会污染液晶的材料。此外，也要求该材料具有对形成配向膜工艺的抵抗性。例如，优选几乎不溶于溶剂并具有高耐热性的材料。
在图34中，连线331显示出形成在相对基板侧上的丘状的突起的位置(域调节结构)。
在本实施例的液晶显示器中，浮置子像素电极321b通过高电阻连接部分323电连接至直接连接至TFT 316的子像素电极321a、321c和321d。此外，将浮置子像素电极321b和直接连接至TFT 316的子像素电极321a、321c和321d之间的电阻设置为等于或小于浮置子像素电极321b和公共电极之间的电阻的100倍，并且在一个帧期间内的电压保持率设置为等于或大于50％。由此，可以抑制淡化并避免影像残留的发生。以此方式，可以获得良好的显示品质。
(第一修改实例)
图36是显示根据第三实施例的第一修改实例的液晶显示器的平面图，而图37是显示图36的液晶显示器的剖面图。就图36和图37来说，与图34和图35中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在第一修改实例的液晶显示器中，用于电连接浮置子像素电极321b和直接连接至TFT 316的子像素电极321a、321c和321d的连接部分324，沿用于划分子像素电极321a-321d的缝隙形成为丘状。连接部分324是由高电阻导电材料例如掺杂的非晶硅制成。子像素电极321a-321d和连接部分324的表面覆盖有配向膜322。
另一方面，在构成相对基板的基础的玻璃基板331的一个表面(在图37中为下侧)上形成彩色滤光片332和公共电极333，并且在公共电极333上(在图37中为下侧)形成丘状的域调节突起334。公共电极333和突起334的表面覆盖有配向膜335。类似于连接部分324，采用介电材料或高电阻导电材料形成突起334。
在该液晶显示器中，通过使用在TFT基板侧形成的丘状连接部分324和在相对基板上侧形成的丘状的突起334，可以获得多区域，如图37所示。即，施加电压时，在每个连接部分324两侧或者在每个突起334的两侧的液晶分子340a的倾斜方向不同。以这种方式，可以防止斜向漏光。
在这种液晶显示器中，同样，浮置子像素电极321b通过例如由非晶硅制成的高电阻连接部分324，电连接至直接连接至TFT 316的子像素电极321a、321c和321d。此外，浮置子像素电极321b和控制电极318之间的电阻R设置为等于或小于浮置子像素电极321b和公共电极之间的电阻的100倍，并且在一个帧期间内的电压保持率设置为等于或大于50％。由此，可以抑制淡化并避免影像残留的发生。以这种方式，可以获得良好的显示品质。
这里，如果构成域调节突起的连接部分324具有低电阻，则整个连接部分324被设置为与子像素电极321a-321d的电势相同的电势。由此，会出现从连接部分324到基板的表面垂直的电力线，从而无法获得多区域。然而，在上述实例中，连接部分324是由高阻导电材料制成。由此，可以沿预定方向排列液晶分子。
(第四实施例)
图38是显示根据本发明第四实施例的液晶显示器的平面图，而图39是沿图38中的XI-XI线截取的剖面图。就图38和图39来说，与图13、图14A和图14B中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在本实施例中，由栅极总线112和数据总线115限定的每个像素区域包括三个子像素电极121a-121c。子像素电极121a和121c通过在第二绝缘膜120上形成的接触孔120a和120b，电连接至从TFT 116的源极电极116s延伸的导线119。同时，子像素电极(浮置子像素电极)121b电容性耦接至控制电极118，同时把第二绝缘膜120夹在中间。
通过连接至辅助电容总线113的屏蔽图案412，来屏蔽子像素电极121b和数据总线115之间的空间以及子像素电极121b和子像素电极121a之间的空间。
TFT 411形成在子像素电极121b和子像素电极121c之间。该TFT 411的栅极电极411g连接至不同于连接至TFT116的栅极总线112(第n条栅极总线)的栅极总线112(第n-1条栅极总线)。此外，源极电极411s和漏极电极411d分别通过接触孔413a和413b连接至子像素电极121b和121c。
图40是显示上述液晶显示器中一个像素的等效电路图。在图40中，TFT116连接至第n条栅极总线112(n)。此外，如上所述，TFT116的源极电极116s直接连接至子像素电极121a和121c，以及控制电极118。附图标记CLC表示子像素电极121a和121c与公共电极133之间的电容(液晶电容)。同时，附图标记CS表示控制电极118和辅助电容总线113之间的电容(辅助电容)。并且，附图标记CC表示控制电极118和浮置子像素电极121b之间的电容，而附图标记CLC2表示浮置子像素电极121b和公共电极133之间的电容。
此外，TFT 411形成在子像素电极121b和121c之间，并且其栅极电极411g连接至第n-1条栅极总线112(n-1)。
在本实施例的液晶显示器中，在通过TFT 116将显示电压施加至子像素电极121a和121c以及控制电极118之前(正好是一个水平扫描期间之前)，TFT 411打开，由此，浮置子像素电极121b的电势等于直接连接至TFT 116的子像素电极121a和121c以及控制电极118的电势。以这种方式，归因于栅极总线112和数据总线115上流动的信号中包含的直流电压成分引起的积累在浮置子像素电极121b中的电荷，会流向子像素电极121a和121c以及控制电极118。因此，可以获得抑制电荷在浮置子像素电极121b中的积累的效果并因此避免影像残留。
(第一修改实例)
图41是显示根据第四实施例的第一修改实例的液晶显示器的平面图。就图41来说，与图38中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在本实例中，两个TFT 421和422位于直接连接至TFT 116的子像素电极121c和浮置子像素电极121b之间。这两个TFT 421和422的漏极电极相互连接。同时，这两个TFT 421和422的栅极电极421g和422g通过导线414连接至第n-1条栅极总线112(n-1)，并且其源极电极分别连接至浮置子像素电极121b及子像素电极121c。此外，TFT 421和422的漏极电极通过连接部分423和导线424，连接至从辅助电容总线113延伸出的屏蔽图案412。
图42是显示上述液晶显示器中一个像素的等效电路图。在图42中，TFT116连接至第n条栅极总线112(n)。此外，该TFT 116的源极电极116s电连接至子像素电极121a和121c以及控制电极118。附图标记CLC表示子像素电极121a和121c与公共电极133之间的电容(液晶电容)。同时，附图标记Cs表示控制电极118和辅助电容总线113之间的电容(辅助电容)。并且，附图标记CC表示控制电极118和浮置子像素电极121b之间的电容，附图标记CLC2表示浮置子像素电极121b和公共电极133之间的电容。
此外，TFT 421和422连接在子像素电极121b和121c之间。TFT 421的栅极电极连接至第n-1条栅极总线112(n-1)，而其源极电极和漏极电极连接在浮置子像素电极121b和辅助电容总线113之间。同时，TFT 422的栅极电极也连接至第n-1条栅极总线112(n-1)，而其源极电极和漏极电极连接在子像素电极121c和辅助电容总线113之间。这里，假设辅助电容总线113保持在与相对基板上的公共电极的电势相同的电势。
在本实例的液晶显示器中，同样，在通过TFT 116将显示电压施加至子像素电极121a和121c以及控制电极118之前(正好是一个水平扫描期间之前)，TFT 421和422打开，由此，浮置子像素电极121b的电势和直接连接至TFT 116的子像素电极121a和121c的电势等于辅助电容总线113的电势。以这种方式，归因于栅极总线112和数据总线115上流动的信号中包含的直流电压成分引起的在浮置子像素电极121b中和在子像素电极121a和121c中的电荷的积累，会流向辅助电容总线113。因此，可以获得抑制电荷在浮置子像素电极121b中的积累的效果并因此避免影像残留。
注意，在上述第一修改实例中，允许在直接连接至TFT 116的子像素电极121a和121c中存储的电荷通过TFT 422流向辅助电容总线113。但是，如上所述，在每个帧中这些子像素电极121a和121c仅连接至数据总线115一次。由此，在子像素电极121a和121c中积累的电荷的影响是微小的，因此，也可以省略TFT 422。
(第五实施例)
下面，描述本发明的第五实施例。
图43是显示本发明第五实施例的原理的像素的电路图。在图43中，附图标记CC和RC分别表示控制电极和浮置子像素电极之间的电容和电阻，以及附图标记CLC2和RLC2分别表示浮置子像素电极和公共电极之间的电容(液晶电容)和电阻(液晶电阻)。
如前所述，在白色显示部分和黑色显示部分的浮置子像素电极之间产生电势差的原因之一是液晶电容CLC2的变化。由此，在第五实施例中，辅助电容CS2并联连接至液晶电容CLC2，以降低浮置在子像素电极和公共电极之间的电容变化的影响。
图44是显示在由横轴上表示的RC/RLC2和纵轴上表示的浮置子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分的电势差之间的关系的坐标图。这里，在没有辅助电容CS2(0.00倍)的情况下和辅助电容CS2的值为液晶电容CLC2值的0.25-1.5倍的情况下观测该关系。注意在这里值CC/CLC2被设置为2.57。
从图44和图31之间的比较可明显看出，通过并联连接辅助电容CS2到液晶电容CLC2，可降低浮置子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分之间的电势差。例如，假设辅助电容CS2的值等于液晶电容CLC2的值(CS2/CLC2＝1.00)，则导致影像残留的浮置子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分之间的电势差，可大约降低一半。
图45是显示经过采用上述对策之后的液晶显示器的平面图，以及图46是沿图45中的XII-XII线截取的剖面图。就图45和图46来说，与图13、图14A和图14B中所示相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其详细描述。
在本实施例的液晶显示器中，控制电极511和辅助电容电极512形成在辅助电容总线113上。控制电极511通过第二绝缘膜140电容性耦接至浮置子像素电极121b。此外，控制电极511通过导线119电连接至TFT 116的源极电极116s，并通过导线119及接触孔120a和120b电连接至子像素电极121a和121c。此外，控制电极511与辅助电容总线113和第一绝缘膜114一起构成第一辅助电容。这里，假设辅助电容总线113保持在与相对基板上的公共电极的电势相同的电势。
辅助电容电极512通过在第二绝缘膜140上形成的接触孔513电连接至浮置子像素电极121b。此外，辅助电容电极512与辅助电容总线113和第一绝缘膜120一起构成第二辅助电容CS2。
在本实施例中，如图43的等效电路图中所示，辅助电容CS2与液晶电容CLC2并联设置。由此，可以减少浮置子像素电极在白色显示部分和黑色显示部分之间的电势差，由此，防止影像残留的发生。
这里，也可以想到，代替设置辅助电容电极512，而使用浮置子像素电极121b和辅助电容总线113来形成辅助电容CS2。但是，在这种情况下，由于第一和第二绝缘膜114和120置于浮置子像素电极121b和辅助电容总线113之间，辅助电容CS2的电容值会降低。因此，也降低了防止影像残留发生的效果。因此，优选如上所述的在第一绝缘膜114上形成辅助电容电极512，并且将辅助电容电极512和浮置子像素电极121b电连接。
第一至第五实施例中所述的防止影像残留的方法可应用于各种类型的液晶显示器，例如TN液晶显示器或VA液晶显示器。此外，该方法不仅可应用于透射式液晶显示器，而且可应用于反射式液晶显示器和半透射式液晶显示器。

Claims (18)

1.一种液晶显示器，其特征在于包括：
第一和第二基板，彼此相对设置；
液晶，密封在该第一和第二基板之间；
栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；
薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；
多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；以及
控制电极，电容性耦接至该多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极，
其中，该液晶显示器包括屏蔽构件，用以电屏蔽在该电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该栅极总线和该数据总线中的至少一个之间的连接。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，
其中，该屏蔽构件是该多个子像素电极中连接至该薄膜晶体管的一个。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，
其中，用作该屏蔽构件的该子像素电极围绕该电容性耦接至该控制电极的子像素电极。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括：
辅助电容总线，保持恒定电势，并且电容性耦接至该控制电极以构成辅助电容。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，
其中，该屏蔽构件电连接至该辅助电容总线。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，
其中，该屏蔽构件与所述子像素电极形成在同一层上。
7.根据权利要求4所述的液晶显示器，
其中，该多个子像素电极中连接至该薄膜晶体管的一个，位于该电容性耦接至该控制电极的子像素电极和该栅极总线之间，以作为该屏蔽构件，以及
电连接至该辅助电容总线的屏蔽构件，位于该电容性耦接至该控制电极的子像素电极和该数据总线之间。
8.一种防止液晶显示器上影像残留的方法，该液晶显示器包括：
第一和第二基板，彼此相对设置；
液晶，密封在该第一和第二基板之间；
栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；
薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；
多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；
控制电极，电容性耦接至该多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；以及
公共电极，形成在该第二基板上，并且与该第一基板上的该多个子像素电极相对，
其中，假设相对于该公共电极的电势该数据总线的中心电势为Vddc，相对于该公共电极的电势该栅极总线的中心电势为Vgdc，该电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该数据总线之间的电阻为RD，以及该电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该栅极总线之间的电阻为RG，该方法包括设置该电容性耦接至该控制电极的子像素电极的位置和形状以满足Vddc-Vgdc×RD/RG近似等于零的步骤。
9.一种液晶显示器，其特征在于包括：
第一和第二基板，彼此相对设置；
液晶，密封在该第一和第二基板之间；
栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；
薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；
多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；
控制电极，电容性耦接至该多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；以及
公共电极，形成在该第二基板上，并且与该第一基板上的该多个子像素电极相对，
其中，该电容性耦接至该控制电极的子像素电极，通过电阻连接至与该薄膜晶体管连接的子像素电极。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，
其中，该电阻的电阻值等于或小于该电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该公共电极之间的电阻的电阻值的100倍。
11.根据权利要求9所述的液晶显示器，
其中，该电阻的电阻值设置为，使得该电容性耦接至该控制电极的子像素电极的电压保持率在一个帧期间内等于或大于50％。
12.根据权利要求9所述的液晶显示器，
其中，该电阻由硅制成的。
13.根据权利要求9所述的液晶显示器，
其中，该电阻沿着用于划分所述多个子像素电极的缝隙形成为丘状，以及
该电阻构成用于调节液晶分子的倾斜方向的域调节结构的至少一部分。
14.一种液晶显示器，其特征在于包括：
第一和第二基板，彼此相对设置；
液晶，密封在该第一和第二基板之间；
栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；
薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；
多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；
控制电极，电容性耦接至该多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；以及
辅助电容总线，保持恒定的电势，并与该控制电极一起构成辅助电容，
其中，该液晶显示器包括被不同于连接至该薄膜晶体管的栅极总线的栅极总线上流动的信号驱动的开关元件，该开关元件设置在该电容性耦接至该控制电极的子像素电极与该辅助电容总线之间的位置或者该电容性耦接至该控制电极的子像素电极与连接至该薄膜晶体管的子像素电极之间的位置中的任一位置处。
15.根据权利要求14所述的液晶显示器，
其中，该开关元件为薄膜晶体管。
16.一种防止液晶显示器上影像残留的方法，该液晶显示器包括：
第一和第二基板，彼此相对设置；
液晶，密封在该第一和第二基板之间；
栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；
薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；
多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；
控制电极，电容性耦接至该多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；
辅助电容总线，保持恒定的电势，并与该控制电极一起构成辅助电容；以及
公共电极，形成在该第二基板上，并且与该第一基板上的该多个子像素电极相对，
其中，该方法包括形成与一电容并联的第二辅助电容的步骤，该电容是该电容性耦接至该控制电极的子像素电极和该公共电极之间的电容。
17.一种液晶显示器，其特征在于包括：
第一和第二基板，彼此相对设置；
液晶，密封在该第一和第二基板之间；
栅极总线和数据总线，形成在该第一基板上；
薄膜晶体管，连接至该栅极总线和该数据总线；
多个子像素电极，形成在由该栅极总线和该数据总线所限定的像素区域中；
控制电极，电容性耦接至该多个子像素电极中的至少一个，并且通过该薄膜晶体管从该数据总线施加显示电压到该控制电极；
辅助电容总线，保持恒定的电势，并与该控制电极一起构成辅助电容；以及
辅助电容电极，其与电容性耦接至该控制电极的子像素电极电连接，并且与该辅助电容总线一起构成第二辅助电容。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，
其中，该辅助电容电极形成在该子像素电极与该辅助电容总线之间的层中。
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