CN102132204A - 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机以及有源矩阵基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在1个像素区域中，设有：第1和第2像素电极(17a、17b)；以及与数据信号线(15)形成于同层的第1和第2电容电极(67x、67y)，第1和第2电容电极(67x、67y)以隔着第1绝缘膜与保持电容配线(18)重叠的方式在行方向上排列，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极(17b)重叠，晶体管(12)的漏极电极(9)、第1像素电极(17a)、连接到第1电容电极(67x)的第1连结配线(38)以及连接到第2电容电极(67y)的第2连结配线(39)电连接，第1连结配线(38)的一部分和第2连结配线(39)的一部分以不重叠于保持电容配线(18)的方式配置。由此，对于电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板，能提高其成品率。

Description

有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机以及有源矩阵基板的制造方法
技术领域
本发明涉及在1个像素区域设有多个像素电极的有源矩阵基板和使用它的液晶显示装置(像素分割方式)。
背景技术
为了提高液晶显示装置的γ特性的视角依存性(例如，抑制画面的浮白等)，提出如下液晶显示装置：将在1个像素内所设置的多个子像素控制为不同的亮度，通过这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级(像素分割方式，例如，参照专利文献1)。
在专利文献1记载的有源矩阵基板(参照图38)中，在1个像素区域内，3个像素电极121a～121c沿着源极总线115排列，晶体管116的源极电极116s连接到接触电极117a，接触电极117a和控制电极511通过引出配线连接，控制电极511和接触电极117b通过引出配线连接，接触电极117a和像素电极121a通过接触孔120a连接，接触电极117b和像素电极121c通过接触孔120b连接，处于电悬浮的像素电极112b通过绝缘膜与控制电极511重叠，像素电极121b与像素电极121a、121c分别进行电容耦合(电容耦合型像素分割方式)。另外，配置辅助电容电极512，使其与控制电极511在行方向(栅极总线112的延伸方向)上相邻，该辅助电容电极512通过接触孔513连接到像素电极121b。在此，在控制电极511与辅助电容总线113重叠的部分形成像素电极121a、121c和辅助电容总线113之间的保持电容，在辅助电容电极512与辅助电容总线113重叠的部分形成像素电极121b和辅助电容总线113之间的保持电容。
在使用该有源矩阵基板的液晶显示装置中，可以使与像素电极121a、121c对应的各个子像素成为亮子像素，使与像素电极121b对应的子像素成为暗子像素，可以通过这些亮子像素(2个)、暗子像素(1个)的面积灰度级来显示中间灰度级。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2006-39290号公报(公开日：2006年2月9日)”
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述现有的有源矩阵基板中，控制电极511和辅助电容电极512在像素区域内在行方向上排列，因此导致控制电极511和源极总线115接近。其结果是，控制电极511和源极总线115的短路会成为有源矩阵基板的制造成品率降低的重要因素。
本发明的目的在于在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中提高其制造成品率。
用于解决问题的方案
本发明的有源矩阵基板具备：数据信号线，在将扫描信号线的延伸方向设为行方向的情况下，该数据信号线在列方向上延伸；晶体管，其连接到扫描信号线和数据信号线；以及保持电容配线，所述有源矩阵基板的特征在于：在1个像素区域中，设有：第1和第2像素电极；以及第1和第2电容电极，其与数据信号线形成于同层，该第1和第2电容电极以隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠的方式在行方向上排列，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠，上述晶体管的一方导通电极、第1像素电极、连接到第1电容电极的第1连结配线以及连接到第2电容电极的第2连结配线电连接，第1连结配线的至少一部分和第2连结配线的至少一部分不重叠于保持电容配线。
在本有源矩阵基板中，设有具有相同功能的2个电容电极(第1和第2电容电极)。由此，在第1电容电极和第2像素电极之间以及在第2电容电极和第2像素电极之间分别形成耦合电容，并且在第1电容电极和保持电容配线之间以及第2电容电极和保持电容配线之间分别形成保持电容。
在此，上述晶体管的一方导通电极、第1像素电极、连接到第1电容电极的第1连结配线以及连接到第2电容电极的第2连结配线电连接。因此，在第1电容电极和数据信号线发生短路的情况下，将第1连结配线在不与保持电容配线重叠的部分切断，就能维持第1和第2像素电极的电容耦合。另外，在第2电容电极和数据信号线发生短路的情况下，将第2连结配线在不与保持电容配线重叠的部分切断，由此能维持第1和第2像素电极的电容耦合。
这样，本有源矩阵基板构成为不用较大地减少耦合电容和保持电容各自的值，即使数据信号线和第1或第2电容电极发生短路也能修正它(即，能提高有源矩阵基板的制造成品率)。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：与保持电容配线重叠地设有电连接到第2像素电极的第3电容电极，上述第1～第3电容电极按该顺序在行方向上排列。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：具备从上述晶体管的一方导通电极引出的引出配线，该引出配线和第1像素电极经过接触孔连接，该引出配线在同层连结于第1和第2连结配线，并且上述第3电容电极和第2像素电极经过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：上述第1和第2连结配线中的至少一方重叠于第1和第2像素电极的间隙。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：第2绝缘膜是覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述层间绝缘膜中，与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分以及与第2电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分变薄。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：上述层间绝缘膜包括无机层间绝缘膜和有机层间绝缘膜，在与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分以及与第2电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分，有机层间绝缘膜变薄，或者有机层间绝缘膜被除去。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：第1绝缘膜是栅极绝缘膜。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述栅极绝缘膜中，在与保持电容配线和第1电容电极重叠的部分的至少一部分、与保持电容配线和第2电容电极重叠的部分的至少一部分以及与保持电容配线和第3电容电极重叠的部分的至少一部分变薄。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：上述栅极绝缘膜包括有机栅极绝缘膜和无机栅极绝缘膜，在与保持电容配线和第1电容电极重叠的部分的至少一部分、与保持电容配线和第2电容电极重叠的部分的至少一部分以及与保持电容配线和第3电容电极重叠的部分的至少一部分，有机栅极绝缘膜变薄，或者有机栅极绝缘膜被除去。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：第1像素电极与扫描信号线有一部分重叠。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：具备保持电容延伸部，该保持电容延伸部，当俯视时，从保持电容配线沿着数据信号线延伸，与第2像素电极的边缘重叠，或者通过该边缘的外侧。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：上述第1和第2像素电极的间隙发挥取向限制用构造物的功能。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述像素区域中具备第3像素电极，该第3像素电极与第1像素电极电连接。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：第1～第3像素电极按该顺序在列方向上排列。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述像素区域中，与保持电容配线重叠地设有电连接到第2像素电极的第3电容电极，上述第1电容电极、第3电容电极和第2电容电极按该顺序在行方向上排列。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述像素区域中，设有连接到第1电容电极的第3连结配线和连接到该第2电容电极的第4连结配线，上述第1和第2连结配线连接，并且第3和第4连结配线连接。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述像素区域中设有第3像素电极，并且第1～第3像素电极按该顺序在列方向上排列，上述第3和第4连结配线一起电连接到第3像素电极，上述第1连结配线的一部分和第2连结配线的一部分与第1和第2像素电极的间隙重叠，第3连结配线的一部分和第4连结配线的一部分与第2和第3像素电极的间隙重叠。
在本有源矩阵基板中，也可以是如下结构：在上述像素区域中设有第3像素电极，并且第1～第3像素电极按该顺序在列方向上排列，上述第3和第4连结配线一起电连接到第3像素电极，上述第1连结配线的一部分和第3连结配线的一部分与第2像素电极的沿着数据信号线的两个边缘中的一方重叠，第2连结配线的一部分和第4连结配线的一部分与上述两个边缘中的另一方重叠。
在本液晶面板中，也可以是如下结构：具备上述有源矩阵基板和与其相对的相对基板，在上述相对基板的表面，与有源矩阵基板的层间绝缘膜变薄的区域对应的部分隆起。
在本液晶面板中，也可以是如下结构：具备上述有源矩阵基板和与其相对的相对基板，在上述相对基板的表面，与有源矩阵基板的栅极绝缘膜变薄的区域对应的部分隆起。
在本液晶面板中，也可以是如下结构：上述保持电容配线在行方向上延伸，使相对基板表面隆起的部分在投射到保持电容配线的形成层的情况下收纳于保持电容配线的沿着行方向的2个边缘间。
在本液晶面板中，也可以是如下结构：相对基板具备取向限制用的肋，在相对基板的与上述区域对应的部分设有用与上述肋相同的材料形成的突起部件。
在本液晶面板中，也可以是如下结构：相对基板是滤色器基板，在相对基板的与上述区域对应的部分，设有用与着色层相同的材料形成的突起部件。
本液晶面板的特征在于：具备上述有源矩阵基板。另外，本液晶显示单元的特征在于：具备上述液晶面板和驱动器。另外，本液晶显示装置的特征在于：具备上述液晶显示单元和光源装置。另外，电视接收机的特征在于：具备上述液晶显示装置和接收电视播放的调谐部。
在本有源矩阵基板的制造方法中，所述有源矩阵基板具备：数据信号线，在将扫描信号线的延伸方向设为行方向的情况下，该数据信号线在列方向上延伸；晶体管，其连接到扫描信号线和数据信号线；以及保持电容配线，所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，包括如下工序：第1工序，按如下方式形成第1和第2像素电极以及第1和第2电容电极，即，在1个像素区域中，设置第1和第2像素电极以及与数据信号线形成于同层的第1和第2电容电极，该第1和第2电容电极以隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠的方式在行方向上排列，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠，上述晶体管的一方导通电极、第1像素电极、连接到第1电容电极的第1连结配线以及连接到第2电容电极的第2连结配线电连接，第1连结配线的至少一部分和第2连结配线的至少一部分以不与保持电容配线重叠的方式形成；以及第2工序，在第1电容电极和数据信号线发生短路的情况下切断第1连结配线，在第2电容电极和数据信号线发生短路的情况下切断第2连结配线。
在本有源矩阵基板的制造方法中，也可以是如下方法：在第1工序中，将第3电容电极经过接触孔连接到上述第2像素电极并且与保持电容配线重叠，并且上述第1～第3电容电极以按该顺序在行方向上排列的方式形成，在第3电容电极和数据信号线发生短路的情况下，除去第2像素电极的上述接触孔内的部分。
本发明的特征在于：具备连接到扫描信号线的晶体管和保持电容配线，在1个像素区域中设有第1和第2像素电极、第1和第2电容电极以及连结第1和第2电容电极的连结配线，上述第1和第2电容电极分别隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠，上述晶体管的一方导通电极和连结配线电连接，并且上述晶体管的一方或者另一方导通电极与第1像素电极电连接，上述连结配线中的至少一部分不重叠于上述保持电容配线。
发明效果
如上所述，根据本有源矩阵基板，能修正数据信号线和各电容电极的短路，因此能提高有源矩阵基板的制造成品率。
附图说明
图1是表示本液晶面板的结构的平面图。
图2是图1的液晶面板的X-Y、X-Z向视截面图。
图3是图1的液晶面板的等效电路图。
图4是表示具备图1的液晶面板的液晶显示装置的驱动方法的时序图。
图5是表示采用图4的驱动方法的情况下的每帧的显示状态的示意图。
图6是表示图1的液晶面板的修正方法的平面图。
图7是表示图1的液晶面板中的缺陷产生例的平面图。
图8是表示图7的缺陷的修正方法的截面图。
图9是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图10是图9的液晶面板的X-Y向视截面图。
图11是表示图1示出的液晶面板的另一其它具体例的平面图。
图12是图11的液晶面板的X-Y向视截面图。
图13是表示图1示出的液晶面板的另一其它具体例的平面图。
图14是表示图1示出的液晶面板的另一其它具体例的平面图。
图15是表示图14示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图16是表示图1示出的液晶面板的另一其它具体例的平面图。
图17是表示图16示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图18是表示图1示出的液晶面板的另一其它具体例的平面图。
图19是表示图18示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图20是表示本液晶面板的其它结构的平面图。
图21是表示图9示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图22是图21的液晶面板的X-Y向视截面图。
图23是表示图11示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图24是图23的液晶面板的X-Y向视截面图。
图25是表示图18示出的液晶面板的变形例的平面图。
图26是表示图1示出的液晶面板的变形例的平面图。
图27是表示图26示出的液晶面板的变形例的平面图。
图28是表示图26示出的液晶面板的变形例的平面图。
图29是表示图26示出的液晶面板的变形例的平面图。
图30是表示图29示出的液晶面板的变形例的平面图。
图31是表示图30示出的液晶面板的变形例的平面图。
图32的(a)是表示本液晶显示单元的结构的示意图，(b)是表示本液晶显示装置的结构的示意图。
图33是说明本液晶显示装置的整体结构的框图。
图34是说明本液晶显示装置的功能的框图。
图35是说明本电视接收机的功能的框图。
图36是表示本电视接收机的结构的分解立体图。
图37是表示本液晶面板的另一其它结构的平面图。
图38是表示现有的液晶面板的结构的平面图。
具体实施方式
用图1～37如下说明本发明的实施方式的例子。此外，为了便于说明，下面将扫描信号线的延伸方向作为行方向。但是，在具备本液晶面板(或者其所用的有源矩阵基板)的液晶显示装置的使用(视听)状态下，当然该扫描信号线可以在横向上延伸，也可以在纵向上延伸。此外，在液晶面板的各图中，适当地省略取向限制用构造物的记载。
图3是表示本实施方式的液晶面板的一部分的等效电路图。如图3所示，本液晶面板具备：在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线15；在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线16、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线18和共用电极(相对电极)com，各像素的构造相同。此外，包括像素101、102的像素列和包括像素103、104的像素列相邻，包括像素101、103的像素行和包括像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中，对应1个像素设置1个数据信号线15、1个扫描信号线16以及1个保持电容配线18，在1个像素内设置3个像素电极(17a～17c)，这3个像素电极在列方向上排列。
例如在像素101中，像素电极17a经过连接到扫描信号线16的晶体管12连接到数据信号线15，像素电极17a、17c电连接，像素电极17a、17c与像素电极17b经过耦合电容Cc连接，在像素电极17a、17c与保持电容配线18之间形成保持电容Ch1，在像素电极17b和保持电容配线18之间形成保持电容Ch2，在像素电极17a、17c和共用电极com之间形成液晶电容Cl1，在像素电极17b和共用电极com之间形成液晶电容Cl2。
在具备本液晶面板的液晶显示装置中，当选择扫描信号线16时，像素电极17a(经过晶体管12)连接到数据信号线15。在此，像素电极17a、17c与像素电极17b经过耦合电容Cc耦合，因此如果设晶体管12截止后的像素电极17a和像素电极17c的电位为Vac，晶体管12截止后的像素电极17b的电位为Vb，则有|Vac|≥|Vb|(此外，例如|Vb|意味着Vb与com电位＝Vcom之间的电位差)，因此在中间灰度级显示时，使包括像素电极17a的子像素为亮子像素，使包括像素电极17b的子像素为暗子像素，使包括像素电极17c的子像素为亮子像素，能利用这2个亮子像素和1个暗子像素的面积灰度级来进行显示。由此，能提高本液晶显示装置的视角特性。
图1示出图3的像素101的具体例。在图1中，为了容易观看，省略滤色器基板(相对基板)侧的部件而仅记载了有源矩阵基板的部件。如该图所示，在数据信号线15和扫描信号线16的交叉部附近配置晶体管12，在用两信号线(15、16)划分的像素区域中设有3个像素电极(第1～第3像素电极17a～17c)和与数据信号线形成于同层的3个电容电极(第1～第3电容电极67x～67z)。第1～第3像素电极17a～17c分别是长方形形状，按该顺序在列方向上排列。另外，保持电容配线18横穿像素中央(与第2像素电极17b重叠地)地在行方向上延伸。
在此，第1～第3电容电极67x～67z以隔着栅极绝缘膜(未图示)与保持电容配线18重叠的方式按该顺序在行方向上排列，第1～第3电容电极67x～67z分别隔着层间绝缘膜(未图示)与第2像素电极17b重叠。即，第2电容电极67y配置在第2像素电极17b的中央部下，在相邻的2个数据信号线中的一方(数据信号线15)与第2电容电极67y之间配置有第1电容电极67x，在另一方与第2电容电极67y之间配置有第1电容电极67z。即，离第1电容电极67x最近的数据信号线15与该第1电容电极67x之间的距离小于离第2电容电极67y最近的数据信号线15与该第2电容电极67y之间的距离。另外，晶体管12的源极电极8连接到数据信号线，漏极电极9经过漏极引出配线27连接到第2电容电极67y，漏极引出配线27经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外，漏极引出配线27在同层连结到第1连结配线38，并且在同层连结到第2连结配线39，第1连结配线38连接到第1电容电极67x，第2连结配线39连接到第1电容电极67y。此外，第1和第2连结配线38、39都不与保持电容配线18重叠地设置。另外，第2电容电极67y连接到中继配线47，中继配线47经过接触孔11c连接到像素电极17c。由此，晶体管12的漏极电极9、第1像素电极17a、第1连结配线38以及第2连结配线39电连接，在第1电容电极67x与第2像素电极17b的重叠部分和第2电容电极67y与第2像素电极17b的重叠部分形成耦合电容Cc(参照图3)。另外，在第1、第2电容电极67x、67y与保持电容配线18的重叠部分形成保持电容Ch1(参照图3)。
并且，第3电容电极67z和第2像素电极17b经过接触孔11bz连接，由此，在第3电容电极67z和保持电容配线18的重叠部分形成多个保持电容Ch2。
图2(a)是图1的X-Y向视截面图，图2(b)是图1的X-Z向视截面图。如两图所示，本液晶面板具备：有源矩阵基板3；与其相对的滤色器基板30；以及配置于两基板(3、30)间的液晶层40。在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线16和保持电容配线18，覆盖它们而形成无机栅极绝缘膜22(例如SiNx)。在无机栅极绝缘膜22的上层形成包括漏极引出配线27、第2连结配线39、第1～第3电容电极67x～67z、数据信号线15的金属层。此外，截面中虽未包括，但是在无机栅极绝缘膜22的上层形成半导体层(i层和n+层)、与n+层接触的源极电极和漏极电极、中继配线47、第1连结配线38。并且，覆盖该金属层而形成无机层间绝缘膜25(例如SiNx)。在无机层间绝缘膜25上形成第1和第2像素电极17a、17b，并且，覆盖这些像素电极而形成取向膜9。此外，接触孔11a贯通无机层间绝缘膜25，由此连结第1像素电极17a和漏极引出配线27。另外，接触孔11bz贯通无机层间绝缘膜25，由此连结第2像素电极17b和第3电容电极67z。
并且，第1电容电极67x和第2电容电极67y分别隔着无机层间绝缘膜25与第2像素电极17b重叠，在此形成耦合电容Cc(参照图3)。另外，第1电容电极67x和第2电容电极67y分别隔着无机栅极绝缘膜22与保持电容配线18重叠，在此形成保持电容Ch1(参照图3)。另外，第3电容电极67z隔着无机栅极绝缘膜22与保持电容配线18重叠，在此形成多个保持电容Ch2(参照图3)。
另一方面，在滤色器基板30中，在玻璃基板32上形成着色层(滤色器层)14，在其上层形成共用电极(com)28，并且覆盖它而形成取向膜19。
图4是表示具备图1、2示出的液晶面板的本液晶显示装置(常黑模式的液晶显示装置)的驱动方法的时序图。此外，Sv和SV表示分别提供给相邻的2个数据信号线的信号电位，Gp表示提供给扫描信号线16的栅极导通脉冲信号，Va～Vc分别表示像素电极17a～17c的电位。
在该驱动方法中，如图4所示，依次选择扫描信号线，使提供给数据信号线的信号电位的极性按每1水平扫描期间(1H)翻转，并且使在各帧的相同序位的水平扫描期间提供的信号电位的极性以1帧为单位翻转，并且在同一水平扫描期间中对相邻的2个数据信号线提供反极性的信号电位。
具体地说，对于连续的帧F1、F2，在F1中，依次选择扫描信号线，对相邻的2个数据信号线中的一方，在第n序位的水平扫描期间(例如包括像素电极17a的写入期间)提供正极性的信号电位，在第(n+1)序位的水平扫描期间提供负极性的信号电位，对上述2个数据信号线中的另一方，在第n序位的水平扫描期间提供负极性的信号电位，在第(n+1)序位的水平扫描期间提供正极性的信号电位。由此，如图4所示，成为|Va|＝|Vc|≥|Vb|，例如，包括像素电极17a(正极性)的子像素成为亮子像素(以下表示为“亮”)，包括像素电极17b(正极性)的子像素为暗子像素(以下表示为“暗”)，包括像素电极17c(正极性)的子像素成为“亮”，整体如图5(a)那样。
另外，在F2中，依次选择扫描信号线，对相邻的2个数据信号线中的一方，在第n序位的水平扫描期间(例如，包括像素电极17a的写入期间)提供负极性的信号电位，在第(n+1)序位的水平扫描期间提供正极性的信号电位，对上述2个数据信号线中的另一方，在第n序位的水平扫描期间提供正极性的信号电位，在第(n+1)序位的水平扫描期间提供负极性的信号电位。由此，如图4所示，成为|Va|＝|Vc|≥|Vb|，例如，包括像素电极17a(负极性)的子像素成为亮子像素(以下表示为“亮”)，包括像素电极17b(负极性)的子像素成为暗子像素(以下表示为“暗”)，包括像素电极17c(负极性)的子像素成为“亮”，整体如图5(b)那样。
此外，在图1、2中省略了取向限制用构造物的记载，但是在例如MVA(多畴垂直取向)方式的液晶面板中，在各像素电极中设有取向限制用的狭缝，在滤色器基板上设有取向限制用的肋。此外，也可以在滤色器基板的共用电极中设置取向限制用的狭缝来代替设置上述取向限制用的肋。
在图1的液晶面板中，晶体管的漏极电极9、第1像素电极17a、连接到第1电容电极67x的第1连结配线38以及连接到第2电容电极67y的第2连结配线39电连接，因此成为不用大量减少耦合电容和保持电容各自的值，即使与数据信号线相邻的第1电容电极67x和该数据信号线发生短路也能进行修正的结构。即，在数据信号线15和第1电容电极67x发生短路的情况下，如图6所示切断第1连结配线38即可。在这种情况下，能利用第2电容电极67y将第1～第3像素电极17a～17c控制为正常电位(正常驱动3个子像素)。
此外，在如图7所示数据信号线15和第3电容电极67z发生短路的情况下，如图8(a)(b)所示，能通过切除接触孔11bz内的像素电极来进行修正。在这种情况下，能将第1～第3像素电极17a～17c控制为正常电位(正常驱动3个子像素)。另外，即使第2电容电极67y和第3电容电极67z发生短路，提供给第1和第3像素电极17a、17c的电位也会提供给第2像素电极17b，不会无法控制第1和第3像素电极17a、17c的电位。
下面，说明本液晶面板的制造方法。在液晶面板的制造方法中，包含有源矩阵基板制造工序、滤色器基板制造工序以及使两基板粘合并填充液晶的组装工序。
首先，在玻璃、塑料等基板上，通过溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度为
Figure BPA00001317490900131
)，其后，通过光刻技术(Photo Engraving Process，下面称为“PEP技术”)进行图案化，形成扫描信号线、晶体管的栅极电极(有时扫描信号线兼做栅极电极)以及保持电容配线。
然后，在形成扫描信号线等的整个基板上，通过CVD(Chemical Vapor Deposition；化学气相沉积)法形成氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜(厚度为
Figure BPA00001317490900132
程度)，形成栅极绝缘膜。接着，在栅极绝缘膜上(整个基板)，通过CVD法连续形成本征非晶硅膜(厚度为
Figure BPA00001317490900133
)、掺杂了磷的n+非晶硅膜(厚度为
Figure BPA00001317490900134
)，其后，通过PEP技术进行图案化，在栅极电极上，岛状地形成包括本征非晶硅层和n+非晶硅层的硅层叠体。
接着，对形成有硅层叠体的整个基板，通过溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度为
Figure BPA00001317490900135
)，然后，利用PEP技术进行图案化，形成数据信号线、晶体管的源极电极、漏极电极、漏极引出配线、各电容电极、中继配线和各连结配线(金属层)。
并且，将源极电极和漏极电极作为掩模，蚀刻除去构成硅层叠体的n+非晶硅层，形成晶体管的沟道。在此，半导体层可以如上述那样利用非晶硅膜形成，也可以形成多晶硅膜，另外，也可以对非晶硅膜和多晶硅膜进行激光退火处理来提高结晶性。由此，能加快半导体层内的电子的移动速度，提高晶体管(TFT)的特性。
然后，通过CVD法在形成有数据信号线等的整个基板上形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度为
Figure BPA00001317490900141
)，形成无机层间绝缘膜。
然后，通过PEP技术蚀刻除去层间绝缘膜，形成接触孔。接着，通过溅射法在形成有接触孔的层间绝缘膜上的整个基板上形成包括ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜(厚度为
Figure BPA00001317490900142
Figure BPA00001317490900143
)，然后，通过PEP技术进行图案化，形成各像素电极。
最后，在像素电极上的整个基板上以厚度为
Figure BPA00001317490900144
印刷聚酰亚胺树脂，然后，进行焙烧，用旋转布在1个方向上进行摩擦处理，形成取向膜。如以上那样制造有源矩阵基板。
下面说明滤色器基板制造工序。
首先，在玻璃、塑料等的基板上(整个基板)形成铬薄膜或者含有黑色颜料的树脂膜之后，通过PEP技术进行图案化，形成黑矩阵。然后，在黑矩阵的间隙中用颜料分散法等形成红色、绿色和蓝色的滤色器层(厚度为2μm程度)的图案。
接着，在滤色器层上的整个基板上形成包括ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜(厚度为
Figure BPA00001317490900145
程度)，形成共用电极(com)。
最后，在共用电极上的整个基板上以厚度为
Figure BPA00001317490900146
印刷聚酰亚胺树脂，然后进行焙烧，用旋转布在1个方向上进行摩擦处理，形成取向膜。如上所述，能制造滤色器基板。
下面说明组装工序。
首先，对有源矩阵基板和滤色器基板中的一方通过网版印刷将包括热固化性环氧树脂等的密封材料涂敷成留出液晶注入口的部分的框状图案，对另一方基板撒布具有与液晶层的厚度相当的直径、包括塑料或者二氧化硅的球状的隔离物。
然后，使有源矩阵基板和滤色器基板贴合，使密封材料固化。
最后，对用有源矩阵基板和滤色器基板以及密封材料围成的空间通过减压法注入液晶材料之后，对液晶注入口涂敷UV固化树脂，利用UV照射来密封液晶材料而形成液晶层。如上所述制造液晶面板。
此外，在有源矩阵基板制造工序和组装工序中的至少一方中途或者其后进行检查工序，在检查工序中检测出短路等缺陷的情况下，添加用于修正它的修正工序。
例如，在检查工序中，在判断为图1的数据信号线15和第1电容电极67x发生短路的情况下，进行对第1连结配线38进行激光切断的修正工序(参照图6)。该激光切断例如采用YAG(Yttrium Aluminium Garnet：钇铝石榴石)激光的四次谐波(波长为266nm)。这样，能提高切断精度。该修正工序在有源矩阵基板的制造中途(金属层形成阶段以后)和完成后以及液晶面板完成后都能进行。
另外，在像素电极形成前的检查中判断为数据信号线15和第3电容电极67z发生短路的情况下，也能在金属层形成阶段或者晶体管的沟道形成阶段进行修正工序。在这种情况下，例如利用激光等除去短路部位即可。这样，如果在制造工序更早期的阶段修正缺陷，能提高有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在像素电极形成后(例如有源矩阵基板完成时)的检查工序中判断为数据信号线15和第3电容电极67z发生短路的情况(参照图7)下，利用激光等对第2像素电极17b中的接触孔11bz内的部分进行切除的修正工序即可(参照图8(a)(b))。此外，在液晶面板完成后的检查中判断为数据信号线15和第3电容电极67z发生短路的情况下，难以进行对像素电极进行切除的修正工序。这是由于YAG激光被滤色器(CF)基板吸收的原因。不过，如果本来是阵列上滤色器(CF on Array)这样的结构，滤色器基板不吸收YAG激光，因此在液晶面板完成后，能用例如YAG激光的三次谐波、四次谐波来进行(对像素电极进行切除的修正工序)。
返回图2，在图2的无机层间绝缘膜25上设有比它厚的有机层间绝缘膜26(例如丙烯酸树脂)，如图10所示，也可以使层间绝缘膜(沟道保护膜)为二层(25、26)构造。这样一来，能得到降低各种寄生电容、防止配线之间的短路以及降低平坦化造成的像素电极开裂等的效果。在这种情况下，如图9、10所示，对于有机层间绝缘膜26，优选挖穿与第1电容电极67x重叠的部分K 1和与第2电容电极67y重叠的部分K2。这样，能充分确保耦合电容(图3的Cc)的电容值，并且能得到上述效果。此外，在本结构中，降低了扫描信号线和像素电极间的寄生电容，因此图9、10那样能使扫描信号线16和第1像素电极17a重叠来提高开口率。
图10的无机层间绝缘膜25、有机层间绝缘膜26和接触孔11a例如能如下那样形成。即，在形成晶体管、数据信号线之后，用SiH4气体、NH3气体和N2气体的混合气体，通过CVD，覆盖基板整个面地形成厚度约为的包括SiNx的无机层间绝缘膜25(钝化膜)。然后，用旋涂法、模具涂敷法来形成厚度约为3μm的包括正型感光性丙烯酸树脂的有机层间绝缘膜26。接着，进行光刻，形成有机层间绝缘膜26的挖穿部分和各种接触用图案，并且将图案化的有机层间绝缘膜26作为掩模，用CF4气体和O2气体的混合气体对无机层间绝缘膜25进行干式蚀刻。具体地说，例如，对有机层间绝缘膜的挖穿部分用光刻工序进行半曝光，由此在显影结束时保留薄的有机层间绝缘膜，另一方面，对接触孔部分用上述光刻工序进行全曝光，由此在显影结束时不保留有机层间绝缘膜。在此，如果用CF4气体和O2气体的混合气体进行干式蚀刻，就会对有机层间绝缘膜的挖穿部分除去(有机层间绝缘膜的)残膜，对接触孔部分除去有机层间绝缘膜下的无机层间绝缘膜。此外，有机层间绝缘膜26也可以是例如包括SOG(旋涂玻璃)材料的绝缘膜，另外，有机层间绝缘膜26中也可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和硅氧烷树脂中的至少一种。
返回图2，在图2的无机栅极绝缘膜22下设有比它厚的有机栅极绝缘膜21，如图12所示，也能使栅极绝缘膜为二层(21、22)构造。这样，能得到降低各种寄生电容、防止配线彼此短路和降低平坦化导致的数据信号线、漏极引出配线等的断线率的效果。在这种情况下，如图11、12所示，对于有机栅极绝缘膜21，优选挖穿与第1～第3电容电极67x～67z重叠的部分F。这样，能充分确保保持电容(图3的Ch1、Ch2)的电容值，并且得到上述效果。此外，在本结构中降低了扫描信号线和像素电极间的寄生电容，因此如图11、12所示，能使扫描信号线16和第1像素电极17a重叠来提高开口率。
也能如图13那样将图1的液晶面板变形。在图11示出的液晶面板中，第1连结配线38以其一部分与第1像素电极17a和第2像素电极17b的间隙重叠的方式配置。这样，第1连结配线38的切断工序变容易，另外，也能减少像素电极间的漏光。
也能如图14那样将图1的液晶面板变形。在图14示出的液晶面板中，从保持电容配线18延伸出俯视时沿着数据信号线15的保持电容配线延伸部18p和俯视时沿着数据信号线15的相邻的数据信号线的保持电容配线延伸部18q，保持电容配线延伸部18p与第2像素电极17b的沿着数据信号线的2个边缘中的一方(数据信号线15侧的边缘)重叠，保持电容配线延伸部18q与上述2个边缘中的另一方重叠。这样，保持电容配线延伸部18p、18q发挥像素电极17b(悬浮像素电极)的屏蔽电极的功能，因此能更有效地抑制电荷飞入像素电极17b。由此，能防止包括像素电极17b的子像素(暗子像素)的残影。
此外，在图14的液晶面板中，也能使层间绝缘膜(沟道保护膜)成为无机层间绝缘膜和有机层间绝缘膜的二层构造。这样，能得到降低各种寄生电容、防止配线彼此短路和降低平坦化导致的像素电极的开裂等的效果。在这种情况下，如图15所示，对于有机层间绝缘膜，优选挖穿与第1电容电极67x重叠的部分K1和与第2电容电极67y重叠的部分K2以及与保持电容配线延伸部18p、18q重叠的部分R1、R2。这样，能充分确保耦合电容(图3的Cc)的电容值并且担保保持电容配线延伸部18p、18q的屏蔽效果，还能得到上述效果。此外，在本结构中，扫描信号线和像素电极间的寄生电容降低，因此如图15所示，能使扫描信号线16与第1像素电极17a重叠来提高开口率。
也能从图1的液晶面板除去第3电容电极67z和接触孔11bz，形成图16那样的结构。在该结构中，在保持电容配线18和第2像素电极17b的重叠部分形成保持电容，因此适合于覆盖TFT的沟道的层间绝缘膜比较薄的情况。在这种情况下，在第1电容电极67x与数据信号线发生短路的情况下，能通过切断第1连结配线38来维持第1和第2像素电极17a、17b的电容耦合。另外，在第2电容电极67y与数据信号线发生短路的情况下，能通过切断第2连结配线39来维持第1和第2像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在本结构中，能消除在图1的结构中会产生的第2电容电极67y和第3电容电极67z的短路。
也能将图16的液晶面板变形为图17那样。在图17示出的液晶面板中，连结到与数据信号线相邻的第1电容电极67x的第1连结配线38的一部分与第1像素电极17a和第2像素电极17b的间隙重叠。这样，第1连结配线38的切断工序变容易，另外，也能减少像素电极间的漏光。
也能从图1的液晶面板除去第3像素电极17c、中继配线47和接触孔11c来得到图18那样的结构。在具备图18的液晶面板的液晶显示装置中，在中间灰度级显示时，使包括像素电极17a的子像素为亮子像素，使包括像素电极17b的子像素为暗子像素，能通过这1个亮子像素和1个暗子像素的面积灰度级来进行显示。
也能将图18的液晶面板变形为图19那样。在图19示出的液晶面板中，连结到与数据信号线相邻的第1电容电极67x的第1连结配线38的一部分与第1像素电极17a和第2像素电极17b的间隙重叠。这样，第1连结配线38的切断工序变容易，另外，也能减少像素电极间的漏光。此外，也能从图19的液晶面板除去第3电容电极67z和接触孔11bz来形成图25的结构。在该结构中，在保持电容配线18和第2像素电极17b的重叠部分形成保持电容，因此适合于覆盖TFT的沟道的层间绝缘膜比较薄的情况。
图20是表示本液晶面板的其它结构的平面图。如该图所示，在用数据信号线15和扫描信号线16划分的像素区域中，在行方向上看去为梯形形状的第2像素电极17b和与它嵌合的形状的第1像素电极17a在行方向上排列，保持电容配线18横穿像素中央(与第2像素电极17b重叠地)地在行方向上延伸。
即，第2像素电极17b的外周包括：第1边，其与保持电容配线18交叉，相对于行方向成大致90°；第2边，其从第1边的一端相对于行方向成大致45°延伸；第3边，其从第1边的另一端相对于行方向成大致315°延伸；以及第4边，其平行于第1边而与保持电容配线18交叉，第1边是梯形的上底，第4边是梯形的下底，连结第1和第4边的中点之间的线通过保持电容配线18上。
另外，在第1像素电极17a的外周，除了沿着数据信号线15的边、沿着扫描信号线16的边和沿着扫描信号线16的相邻的扫描信号线的边以外，还包括与上述第1～第3边相对的3个边，第2像素电极17b的第1边和与其相对的第1像素电极17a的外周的一边之间的间隙是第1间隙S1，第2像素电极17b的第2边和与其相对的第1像素电极17a的外周的一边之间的间隙是第2间隙S2，第2像素电极17b的第3边和与其相对的第1像素电极17a的外周的一边之间的间隙是第3间隙S3。
在此，第1～第3电容电极67x～67z以隔着栅极绝缘膜(未图示)与保持电容配线18重叠的方式按该顺序在行方向上排列，第1～第3电容电极67x～67z分别隔着层间绝缘膜(未图示)与第2像素电极17b重叠。即，第2电容电极67y配置在第2像素电极17b的中央部下，在相邻的2个数据信号线中的一方(数据信号线15)与第2电容电极67y之间配置有第1电容电极67x，在另一方与第2电容电极67y之间配置有第1电容电极67z。即，离第1电容电极67x最近的数据信号线15与该第1电容电极67x之间的距离小于离第2电容电极67y最近的数据信号线15与该第2电容电极67y之间的距离。另外，晶体管12的源极电极8连接到数据信号线，漏极电极9经过漏极引出配线27连接到第2电容电极67y，漏极引出配线27经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外，漏极引出配线27在同层连结到第1连结配线38，并且在同层连结到第2连结配线39，第1连结配线38连接到第1电容电极67x，第2连结配线39连接到第1电容电极67y。此外，第1和第2连结配线38、39都设置为不与保持电容配线18重叠。由此，晶体管12的漏极电极9、第1像素电极17a、第1连结配线38和第2连结配线39电连接，在第1电容电极67x与第2像素电极17b的重叠部分和第2电容电极67y与第2像素电极17b的重叠部分形成耦合电容。另外，在第1、第2电容电极67x、67y和保持电容配线18的重叠部分形成保持电容。
并且，第3电容电极67z和第2像素电极17b经过接触孔11bz连接，由此，在第3电容电极67z和保持电容配线18的重叠部分形成保持电容。
并且，从保持电容配线18延伸出俯视时沿着数据信号线15的保持电容配线延伸部18p和俯视时沿着数据信号线15的相邻的数据信号线的保持电容配线延伸部18q，保持电容配线延伸部18p与第2像素电极17b的外周的第1边重叠，保持电容配线延伸部18q与第2像素电极17b的外周的第4边重叠。
在图20的液晶面板中，晶体管的漏极电极9、第1像素电极17a、连接到第1电容电极67x的第1连结配线38以及连接到第2电容电极67y的第2连结配线39电连接，因此构成为能维持耦合电容和保持电容各自的值，并且即使靠近数据信号线的电容电极(第1电容电极67x)与该数据信号线发生短路也能修正。即，在数据信号线15和第1电容电极67x发生短路的情况下，切断第1连结配线38即可。在这种情况下，能利用第2电容电极67y将第1和第2像素电极17a、17b控制为正常的电位(正常驱动2个子像素)。
此外，在数据信号线15和第3电容电极67z发生短路的情况下，能通过切除接触孔11bz内的像素电极来修正。在这种情况下，能将第1、第2像素电极17a、17b控制为正常的电位(正常驱动2个子像素)。另外，即使第2电容电极67y和第3电容电极67z发生短路，提供给第1像素电极17a的电位也会提供给第2像素电极17b，不会无法进行第1和第2像素电极17a、17b的电位控制。
然后，在将图20的液晶面板在MVA方式下使用的情况下，第2间隙S2或第3间隙S3能发挥取向限制用构造物的功能。并且，保持电容配线延伸部18p、18q发挥第2像素电极17b(悬浮像素电极)的屏蔽电极的功能，因此能更有效地抑制电荷飞入第2像素电极17b等。由此，能防止包括第2像素电极17b的子像素(暗子像素)的残影。
此外，在图20的液晶面板中也能使层间绝缘膜(沟道保护膜)成为无机层间绝缘膜和有机层间绝缘膜的二层构造。这样，能得到降低各种寄生电容、防止配线彼此短路和降低平坦化导致的像素电极的开裂等的效果。在这种情况下，对于有机层间绝缘膜，进一步优选挖穿与第1电容电极67x重叠的部分和与第2电容电极67y重叠的部分以及与保持电容配线延伸部18p、18q重叠的部分。这样，能充分确保耦合电容的电容值并且担保保持电容配线延伸部18p、18q的屏蔽效果，还能得到上述效果。
也能使图9、10示出的液晶面板成为图21、22那样的结构。在图21、22示出的液晶面板的滤色器基板的表面，与有源矩阵基板3的有机层间绝缘膜26的挖穿部K1、K2对应的部分D1、D2隆起。这样，填补挖穿部K1、K2在有源矩阵基板表面的凹陷，能使隆起部D1、D2下的液晶层的厚度与周围成为相同程度。由此，能使液晶层的厚度均匀化，能减少液晶的使用量。在图22(a)中，在相对电极28上设置突起部件i，由此形成滤色器基板表面的隆起部D1、D2。由此，即使导电性异物落入挖穿部K在有源矩阵基板表面的凹陷，也能防止第2像素电极17b和相对电极28的短路。此外，如果是MVA的液晶面板，就能用与取向限制用的肋(例如苯酚酚醛树脂)相同的工序(相同的材料)形成突起部件i。另外，在图22(b)中，在着色层14上(相对电极28下)设置突起部件j，由此形成滤色器基板表面的隆起部D1、D2。也可以将突起部件j设为与着色层14颜色不同的着色层，利用这些着色层(例如R的着色层和G的着色层)的重叠来形成隆起部D1、D2。这样，具有不用另外(用其它材料)形成突起部件的优点。在图22(b)的结构中，与不形成隆起部D1、D2的结构相比较，能缩短隆起部D1、D2下的第2像素电极17b和相对电极28之间的距离，因此能使液晶电容变大。
此外，如图21所示，为了不会看到滤色器基板的隆起部D1、D2造成的取向混乱，优选采用在将隆起部D1、D2投射到保持电容配线18的形成层的情况下，隆起部D1、D2收纳于保持电容配线18的沿着行方向的2个边缘之间的结构。
也能使图11、12示出的液晶面板成为图23、24那样的结构。在图23、24示出的液晶面板的滤色器基板的表面，与有源矩阵基板3的有机栅极绝缘膜21的挖穿部F对应的部分D隆起。这样，填补挖穿部F所造成的有源矩阵基板表面的凹陷，能使隆起部D下的液晶层的厚度与周围成为相同程度。由此，能使液晶层的厚度均匀化，能减少液晶的使用量。在图24(a)中，在相对电极28上设置突起部件i，由此形成滤色器基板表面的隆起部D。由此，即使导电性异物落入挖穿部F所造成的有源矩阵基板表面的凹陷，也能防止第2像素电极17b与相对电极28的短路。此外，如果是MVA的液晶面板，能用与取向限制用的肋相同的同工序形成突起部件i。另外，在图24(b)中，在着色层14上(相对电极28下)设置突起部件j，由此形成滤色器基板表面的隆起部D。也可以将突起部件j设为与着色层14颜色不同的着色层，利用这些着色层(例如R的着色层和G的着色层)的重叠来形成隆起部D。这样，具有不用另外(用其它材料)形成突起部件的优点。在图24(b)的结构中，与不形成隆起部D的结构相比较，能缩短隆起部D下的第2像素电极17b和相对电极28之间的距离，因此能使液晶电容变大。
此外，如图23所示，为了不易看到滤色器基板的隆起部D造成的取向混乱，优选采用在将隆起部D投射到保持电容配线18的形成层的情况下，隆起部D收纳于保持电容配线18的沿着行方向的2个边缘之间的结构。
也能使本液晶面板成为图26那样的结构。即，矩型的第1～第3像素电极17a～17c按该顺序在列方向上排列，第1电容电极67x、第3电容电极67z和第2电容电极67y以隔着栅极绝缘膜(未图示)与保持电容配线18重叠的方式按该顺序在行方向上排列，第1～第3电容电极67x～67z分别隔着层间绝缘膜(未图示)与第2像素电极17b重叠。并且，第3电容电极67z配置在第2像素电极17b的中央部下，在相邻的2个数据信号线中的一方(数据信号线15)与第3电容电极67z之间配置有第1电容电极67x，在另一方(数据信号线215)与第3电容电极67z之间配置有第2电容电极67y。另外，晶体管12的源极电极8连接到数据信号线15，漏极电极9在同层连接到漏极引出配线27，漏极引出配线27经过接触孔11a连接到像素电极17a。
另外，第1连结配线38为L字形状，包括与扫描信号线16在相同方向上延伸的横延伸部38x和沿着数据信号线15的纵延伸部38y。另外，第2连结配线39也为L字形状，包括与扫描信号线16在相同方向上延伸的横延伸部39x和沿着数据信号线215的纵延伸部39y。
并且，第1连结配线38的一方端部(横延伸部38x侧)连接到漏极引出配线27，另一方端部(纵延伸部38y侧)连接到第1电容电极67x。另外，第2连结配线39的一方端部(横延伸部39x侧)连接到漏极引出配线27，另一方端部(纵延伸部39y侧)连接到第2电容电极67y。
另外，第3连结配线58为L字形状，包括沿着数据信号线15的纵延伸部58y和与扫描信号线16在相同方向上延伸的横延伸部58x。另外，第4连结配线59也为L字形状，包括沿着数据信号线215的纵延伸部59y和与扫描信号线16在相同方向上延伸的横延伸部59x。
并且，第3连结配线58的一方端部(纵延伸部58y侧)连接到第1电容电极67x，另一方端部(横延伸部58x侧)连接到中继配线147。另外，第4连结配线59的一方端部(纵延伸部59y侧)连接到第2电容电极67y，另一方端部(横延伸部59x侧)连接到中继配线147。并且，中继配线147经过接触孔11c连接到第3像素电极17c。
此外，第1连结配线38的横延伸部38x和第2连结配线39的横延伸部39x都配置在第1像素电极17a和第2像素电极17b的间隙下，不与保持电容配线18重叠。另外，第3连结配线58的横延伸部58x和第4连结配线59的横延伸部59x都配置在第2像素电极17b和第3像素电极17c的间隙下，不与保持电容配线18重叠。
由此，晶体管12的漏极电极9、第1像素电极17a、第1连结配线38和第2连结配线39电连接，在第1电容电极67x与第2像素电极17b的重叠部分和第2电容电极67y与第2像素电极17b的重叠部分形成耦合电容Cc(参照图3)。另外，在第1、第2电容电极67x、67y和保持电容配线18的重叠部分形成保持电容Ch1(参照图3)。
并且，第3电容电极67z和第2像素电极17b经过接触孔11bz连接，由此，在第3电容电极67z和保持电容配线18的重叠部分形成多个保持电容Ch2(参照图3)。
并且，例如在产生第1电容电极67x和数据信号线15的短路的情况下，利用激光(例如YAG激光的三次谐波355nm)分别切断第1连结配线38和第3连结配线58，由此能将第1～第3像素电极17a～17c控制为正常电位(正常驱动3个子像素)(参照图27)。
本结构是4个连结配线(38、39、58、59)经过第1、第2电容电极67x、67y环状连接的结构，因此具有对断线的冗余效果。并且，能将配置在第1像素电极17a和第2像素电极17b的间隙下的2个横延伸部38x、39x和配置在第2像素电极17b和第3像素电极17c的间隙下的2个横延伸部58x、59x用作用于进行漏光抑制的遮光部件。此外，在4个连结配线(38、39、58、59)和像素电极17b重叠的部分形成耦合电容，因此能按该重叠面积增加的量来减小第1电容电极67x和第2电容电极67y，能提高(或维持)开口率。
也可以将图26的液晶面板如图28那样变形。即，构成为第1连结配线38的横延伸部38x、第2连结配线39的横延伸部39x、第3连结配线58的横延伸部58x和第4连结配线59的横延伸部59x各自的整体位于像素电极间的间隙下。这样，具有如下优点：在用激光切断各连结配线的情况下，降低切断对象的连结配线和第2像素电极17b发生短路的可能性。
也可以将图26的液晶面板如图29那样变形。即，将第1连结配线38的纵延伸部38y和第3连结配线58的纵延伸部58y与第2像素电极17b的沿着数据信号线15的边缘重叠配置，并且将第2连结配线39的纵延伸部39y和第4连结配线59的纵延伸部59y与第2像素电极17b的沿着数据信号线215的边缘重叠配置。这样，能抑制数据信号线(15、215)和像素电极(17b)之间的漏光，能使形成于CF基板的黑矩阵在数据信号线上的部分变细。由此提高开口率。
另外，也可以将图26的液晶面板如图30那样变形。即，第1连结配线38为T字形状，包括与扫描信号线16在相同方向上延伸的横延伸部38x和与数据信号线15在相同方向上延伸的纵延伸部38y。另外，第2连结配线39也为T字形状，包括与扫描信号线16在相同方向上延伸的横延伸部39x和与数据信号线215在相同方向上延伸的纵延伸部39y。另外，第1连结配线38的横延伸部38x连接到漏极引出配线27，纵延伸部38y连接到第1电容电极67x。另外，第2连结配线39的横延伸部39x连接到漏极引出配线27，纵延伸部39y连接到第2电容电极67y。并且，第3连结配线58仅包括与第2像素电极17b和第3像素电极17c的间隙重叠的横延伸部，并且第4连结配线59也仅包括与该间隙重叠的横延伸部，第3和第4连结配线58、59分别连接到中继配线147。此外，中继配线147经过接触孔11c连接到第3像素电极17c。
并且，用与各像素电极相同的材料(相同的工序)形成的过渡电极148俯视时沿着数据信号线15配置，过渡电极148的一端与第1连结配线38的横延伸部38x通过接触孔连接，另一端与第3连结配线58通过接触孔连接。并且，用与各像素电极相同的材料(相同的工序)形成的过渡电极149俯视时沿着数据信号线215配置，过渡电极149的一端与第2连结配线39的横延伸部39x通过接触孔连接，另一端与第4连结配线59通过接触孔连接。
根据该结构，能利用过渡电极148、149抑制电荷飞入从数据信号线15、215电悬浮的第2像素电极17b等，能抑制包括第2像素电极17b的子像素的残影。
此外，也可以将图30的过渡配线148、149与像素电极17a、17c一体形成。在这种情况下，如图31所示，俯视时沿着数据信号线15的过渡电极248的一端与第1像素电极17a在同层连接，另一端与第3像素电极17c在同层连接。另外，俯视时沿着数据信号线215的过渡电极249的一端与第1像素电极17a在同层连接，另一端与第3像素电极17c在同层连接。这样，与图30的结构相比能减少接触孔数量。
此外，在上述各结构中，作为沟道保护膜(数据信号线和像素电极间的绝缘膜)，可以仅形成无机层间绝缘膜，也可以形成无机层间绝缘膜和比它厚的有机层间绝缘膜。但是，在后者的情况下，优选将有机层间绝缘膜的重叠于第1电容电极67x和第2像素电极17b的部分以及重叠于第2电容电极67y和第2像素电极17b的部分挖穿或者形成为比周围薄。这样，能得到沟道保护膜变厚带来的效果，并且能提高第1、第3像素电极17a、17c和第2像素电极17b的耦合电容。
图37是示出本液晶面板的其它结构的平面图。图37的液晶面板的有源矩阵基板具备：连接到扫描信号线16的晶体管112、212和连接到作为扫描信号线16的下一级的扫描信号线116的晶体管312，在1个像素区域中具备：像素电极17a、17b；4个电容电极266x、266y、267x、267y；以及连结电容电极267x、267y的连结配线238。在此，电容电极266x、266y、267x、267y分别隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18重叠，并且分别隔着沟道保护膜(无机层间绝缘膜或者无机层间绝缘膜和有机层间绝缘膜的层叠膜)与像素电极17b重叠，晶体管312的漏极电极308和电容电极267x经过引出配线227连接，并且晶体管312的源极电极309和像素电极17a经过接触孔连接，连结配线238以至少一部分不重叠于保持电容配线18的方式配置。另外，晶体管112、212的共用源极电极128连接到数据信号线15，晶体管112的漏极电极109经过引出配线127p连接到电容电极266x，电容电极266x经过漏极引出配线127q和接触孔连接到像素电极17a，电容电极266y经过接触孔连接到像素电极17b。此外，晶体管212的漏极电极209经过接触孔连接到像素电极17b。在此，在电容电极266x和保持电容配线18的重叠部分形成像素电极17a和保持电容配线18之间的保持电容，在电容电极266y和保持电容配线18的重叠部分形成像素电极17b和保持电容配线18之间的保持电容，在电容电极267x、267y和像素电极17b的重叠部分形成像素电极17a和像素电极17b的耦合电容。
当驱动图37的液晶面板时，在扫描信号线16的扫描时对像素电极17a、17b写入相同的数据信号电位，但是在扫描信号线116的(下一级的)扫描时，这些像素电极17a、17b经过电容连接。由此，形成像素电极17a所导致的暗子像素和像素电极17b所导致的亮子像素。并且，即使在电容电极267y和数据信号线115发生短路的情况下，也能通过在不与保持电容配线18重叠的部分切断连结配线238来维持像素电极17a和像素电极17b的电容耦合(形成像素电极17a所导致的暗子像素和像素电极17b所导致的亮子像素)。
在本实施方式中，如以下那样构成本液晶显示单元和液晶显示装置。即，在本液晶面板的两个面，使偏振光板A的偏振光轴与偏振光板B的偏振光轴相互正交地贴附2个偏振光板A、B。此外，根据需要，也可以对偏振光板层叠光学补偿片等。然后，如图32(a)所示，连接驱动器(栅极驱动器202、源极驱动器201)。在此，作为一个例子，说明以TCP方式连接驱动器。首先，将ACF临时压接到液晶面板的端子部。然后，将装载有驱动器的TCP从载带上冲切下来，使其与面板端子电极对准位置，对其进行加热、正式压接。然后，以ACF进行连接用于连结驱动器TCP彼此的电路基板209(PWB)和TCP的输入端子。由此，完成液晶显示单元200。然后，如图32(b)所示，对液晶显示单元的各驱动器(201、202)经过电路基板203连接显示控制电路209，与照明装置(背光源单元)204成为一体，由此形成液晶显示装置210。
图33是表示本液晶显示装置的结构的框图。如该图所示，本液晶显示装置具备：显示部(液晶面板)、源极驱动器(SD)、栅极驱动器(GD)以及显示控制电路。源极驱动器驱动数据信号线，栅极驱动器驱动扫描信号线，显示控制电路控制源极驱动器和栅极驱动器。
显示控制电路从外部的信号源(例如调谐器)接受表示要显示的图像的数字视频信号Dv、与该数字视频信号Dv对应的水平同步信号HSY和垂直同步信号VSY以及用于控制显示动作的控制信号Dc。另外，显示控制电路根据接受的这些信号Dv、HSY、VSY、Dc生成：数据启动脉冲信号SSP、数据时钟信号SCK、表示要显示的图像的数字图像信号DA(与视频信号Dv对应信号)、栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK、栅极驱动器输出控制信号(扫描信号输出控制信号)GOE作为用于将该数字视频信号Dv所表示的图像显示于显示部的信号，并输出它们。
更详细地说，在内部存储器中根据需要对视频信号Dv进行定时调整等之后，作为数字图像信号DA从显示控制电路输出，生成数据时钟信号SCK作为由与该数字图像信号DA所表示的图像的各像素对应的脉冲构成的信号，生成数据启动脉冲信号SSP作为根据水平同步信号HSY按每1水平扫描期间在规定期间成为高电平(H电平)的信号，根据垂直同步信号VSY生成栅极启动脉冲信号GSP作为按每1帧期间(1垂直扫描期间)在规定期间成为H电平的信号，根据水平同步信号HSY生成栅极时钟信号GCK，根据水平同步信号HSY和控制信号Dc生成栅极驱动器输出控制信号GOE。
如上述那样在显示控制电路中生成的信号中，数字图像信号DA、控制信号电位(数据信号电位)的极性的极性翻转信号POL、数据启动脉冲信号SSP和数据时钟信号SCK被输入源极驱动器，栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK和栅极驱动器输出控制信号GOE被输入栅极驱动器。
源极驱动器根据数字图像信号DA、数据时钟信号SCK、数据启动脉冲信号SSP和极性翻转信号POL，按每1水平扫描期间依次生成与数字图像信号DA所表示的图像的各扫描信号线中的像素值相当的模拟电位(信号电位)，将这些数据信号输出到数据信号线。
栅极驱动器根据栅极启动脉冲信号GSP和栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE生成栅极导通脉冲信号，将它们输出到扫描信号线，由此选择性地驱动扫描信号线。
如上述那样利用源极驱动器和栅极驱动器来驱动显示部(液晶面板)的数据信号线和扫描信号线，由此，经过连接到所选择的扫描信号线的晶体管(TFT)将信号电位从数据信号线写入像素电极。由此，对各子像素的液晶层施加电压，由此控制来自背光源的光的透过量，将数字视频信号Dv所表示的图像显示于各子像素。
下面说明将本液晶显示装置应用于电视接收机时的一个结构例。图34是表示电视接收机用的液晶显示装置800的结构的框图。液晶显示装置800具备：液晶显示单元84、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、背光源86、微机(微型计算机)87以及灰度级电路89。此外，液晶显示单元84由液晶面板、用于驱动液晶面板的源极驱动器和栅极驱动器构成。
在上述结构的液晶显示装置800中，首先，将作为电视信号的复合彩色视频信号Scv从外部输入Y/C分离电路80，在此分离为亮度信号和色度信号。这些亮度信号和色度信号由视频色度电路81变换为与光的3原色对应的模拟RGB信号，并且，该模拟RGB信号由A/D转换器82变换为数字RGB信号。该数字RGB信号被输入液晶控制器83。另外，在Y/C分离电路80中，从自外部输入的复合彩色视频信号Scv也取出水平和垂直同步信号，这些同步信号也经过微机87输入液晶控制器83。
对于液晶显示单元84，与基于上述同步信号的定时信号一起在规定的定时从液晶控制器83输入数字RGB信号。另外，在灰度级电路89中，生成彩色显示的3原色R、G、B各自的灰度级电位，这些灰度级电位也被提供给液晶显示单元84。在液晶显示单元84中，根据这些RGB信号、定时信号和灰度级电位，利用内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号＝信号电位、扫描信号等)，根据这些驱动用信号将彩色图像显示于内部的液晶面板。此外，为了利用该液晶显示单元84显示图像，需要从液晶显示单元内的液晶面板的后方照射光，在该液晶显示装置800中，在微机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86，由此，向液晶面板的背面照射光。包括上述处理，微机87进行系统整体的控制。此外，作为从外部输入的视频信号(复合彩色视频信号)，不仅能用基于电视播放的视频信号，也能用利用照相机拍摄的视频信号、经过互联网线路提供的视频信号等，在该液晶显示装置800中能进行基于各种视频信号的图像显示。
在用液晶显示装置800显示基于电视播放的图像的情况下，如图35所示，液晶显示装置800连接有调谐部90，由此构成本电视接收机701。该调谐部90从用天线(未图示)接收的接收波(高频信号)中提取要接收的信道的信号，将其变换为中频信号，对该中频信号进行检波来取出作为电视信号的复合彩色视频信号Scv。该复合彩色视频信号Scv如上所述输入液晶显示装置800，由该液晶显示装置800显示基于该复合彩色视频信号Scv的图像。
图36是表示本电视接收机的一个结构例的分解立体图。如该图所示，本电视接收机701作为其结构要素除了液晶显示装置800以外还具有第1箱体801和第2箱体806，用第1箱体801和第2箱体806包围地夹持液晶显示装置800。在第1箱体801中形成有使由液晶显示装置800显示的图像透过的开口部801a。另外，第2箱体806覆盖液晶显示装置800的背面侧，设有用于操作该显示装置800的操作用电路805，并且在下方安装有支撑用部件808。
本发明不限于上述实施方式，根据技术常识适当变更上述实施方式的方案、将它们组合得到的方案也包含在本发明的实施方式中。
工业实用性
本发明的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板适用于例如液晶电视。
附图标记说明
101～104：像素；12：晶体管；15：数据信号线；16：扫描信号线；17a～17c：第1～第3像素电极；18：保持电容配线；21：有机栅极绝缘膜；22：无机栅极绝缘膜；25：无机层间绝缘膜；26：有机层间绝缘膜；38：第1连结配线；39：第2连结配线；58：第3连结配线；59：第4连结配线；67x～67z：第1～第3电容电极；84：液晶显示单元；701：电视接收机；800：液晶显示装置。

Claims (31)

1.一种有源矩阵基板，具备：数据信号线，在将扫描信号线的延伸方向设为行方向的情况下，该数据信号线在列方向上延伸；晶体管，其连接到扫描信号线和数据信号线；以及保持电容配线，所述有源矩阵基板的特征在于：
在1个像素区域中，设有：第1和第2像素电极；与数据信号线形成于同层的第1和第2电容电极；连接到该第1电容电极的第1连结配线；以及连接到该第2电容电极的第2连结配线，
该第1和第2电容电极以隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠的方式在行方向上排列，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠，
上述晶体管的一方导通电极、第1像素电极、第1连结配线以及第2连结配线电连接，
第1连结配线的至少一部分和第2连结配线的至少一部分不重叠于保持电容配线。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述像素区域中，与保持电容配线重叠地设有电连接到第2像素电极的第3电容电极，
上述第1～第3电容电极按该顺序在行方向上排列。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：
具备从上述晶体管的一方导通电极引出的引出配线，
该引出配线和第1像素电极经过接触孔连接，该引出配线在同层连结于第1和第2连结配线，并且上述第3电容电极和第2像素电极经过接触孔连接。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1和第2连结配线中的至少一方重叠于第1和第2像素电极的间隙。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第2绝缘膜是覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述层间绝缘膜中，与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分，以及
与第2电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分变薄。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述层间绝缘膜包括无机层间绝缘膜和有机层间绝缘膜，
在与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分以及与第2电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分，有机层间绝缘膜变薄，或者有机层间绝缘膜被除去。
8.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1绝缘膜是栅极绝缘膜。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述栅极绝缘膜中，与保持电容配线和第1电容电极重叠的部分的至少一部分、与保持电容配线和第2电容电极重叠的部分的至少一部分以及与保持电容配线和第3电容电极重叠的部分的至少一部分变薄。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述栅极绝缘膜包括有机栅极绝缘膜和无机栅极绝缘膜，
在与保持电容配线和第1电容电极重叠的部分的至少一部分、与保持电容配线和第2电容电极重叠的部分的至少一部分以及与保持电容配线和第3电容电极重叠的部分的至少一部分，有机栅极绝缘膜变薄，或者有机栅极绝缘膜被除去。
11.根据权利要求6或者9所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1像素电极与扫描信号线有一部分重叠。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
具备保持电容延伸部，
该保持电容延伸部，当俯视时，从保持电容配线沿着数据信号线延伸，与第2像素电极的边缘重叠，或者通过该边缘的外侧。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1和第2像素电极的间隙发挥取向限制用构造物的功能。
14.根据权利要求1～13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述像素区域中具备第3像素电极，该第3像素电极与第1像素电极电连接。
15.根据权利要求14所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1～第3像素电极按该顺序在列方向上排列。
16.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述像素区域中，与保持电容配线重叠地设有电连接到第2像素电极的第3电容电极，
上述第1电容电极、第3电容电极和第2电容电极按该顺序在行方向上排列。
17.根据权利要求16所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述像素区域中，设有连接到第1电容电极的第3连结配线和连接到该第2电容电极的第4连结配线，
上述第1和第2连结配线连接，并且第3和第4连结配线连接。
18.根据权利要求17所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述像素区域设有第3像素电极，并且第1～第3像素电极按该顺序在列方向上排列，
上述第3和第4连结配线一起电连接到第3像素电极，
上述第1连结配线的一部分和第2连结配线的一部分与第1和第2像素电极的间隙重叠，第3连结配线的一部分和第4连结配线的一部分与第2和第3像素电极的间隙重叠。
19.根据权利要求17所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述像素区域设有第3像素电极，并且第1～第3像素电极按该顺序在列方向上排列，
上述第3和第4连结配线一起电连接到第3像素电极，
上述第1连结配线的一部分和第3连结配线的一部分与第2像素电极的沿着数据信号线的两个边缘中的一方重叠，第2连结配线的一部分和第4连结配线的一部分与上述两个边缘中的另一方重叠。
20.一种液晶面板，其特征在于：
具备权利要求6所述的有源矩阵基板和与其相对的相对基板，
在上述相对基板的表面，与有源矩阵基板的层间绝缘膜变薄的区域对应的部分隆起。
21.一种液晶面板，其特征在于：
具备权利要求9所述的有源矩阵基板和与其相对的相对基板，
在上述相对基板的表面，与有源矩阵基板的栅极绝缘膜变薄的区域对应的部分隆起。
22.根据权利要求20或者21所述的液晶面板，其特征在于：
上述保持电容配线在行方向上延伸，
使相对基板表面的隆起的部分在投射到保持电容配线的形成层的情况下收纳于保持电容配线的沿着行方向的2个边缘间。
23.根据权利要求20或者21所述的液晶面板，其特征在于：
相对基板具备取向限制用的肋，
在相对基板的与上述区域对应的部分，设有用与上述肋相同的材料形成的突起部件。
24.根据权利要求20或者21所述的液晶面板，其特征在于：
相对基板是滤色器基板，
在相对基板的与上述区域对应的部分，设有用与着色层相同的材料形成的突起部件。
25.一种液晶面板，其具备权利要求1～24中的任一项所述的有源矩阵基板。
26.一种液晶显示单元，其特征在于：
具备权利要求20～25中的任1项所述的液晶面板和驱动器。
27.一种液晶显示装置，其特征在于：
具备权利要求26所述的液晶显示单元和光源装置。
28.一种电视接收机，其特征在于：
具备权利要求27所述的液晶显示装置和接收电视播放的调谐部。
29.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板具备：数据信号线，在将扫描信号线的延伸方向设为行方向的情况下，该数据信号线在列方向上延伸；晶体管，其连接到扫描信号线和数据信号线；以及保持电容配线，所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，包括如下工序：
第1工序，如下那样形成第1和第2像素电极以及第1和第2电容电极，即，在1个像素区域中，设置第1和第2像素电极以及与数据信号线形成于同层的第1和第2电容电极，该第1和第2电容电极以隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠的方式在行方向上排列，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠，上述晶体管的一方导通电极、第1像素电极、连接到第1电容电极的第1连结配线以及连接到第2电容电极的第2连结配线电连接，第1连结配线的至少一部分和第2连结配线的至少一部分以不与保持电容配线重叠的方式形成；以及
第2工序，在第1电容电极和数据信号线发生短路的情况下切断第1连结配线，在第2电容电极和数据信号线发生短路的情况下切断第2连结配线。
30.根据权利要求29所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
在第1工序中，将第3电容电极经过接触孔连接到上述第2像素电极并且与保持电容配线重叠，并且上述第1～第3电容电极按该顺序在行方向上排列形成，
在第3电容电极和数据信号线发生短路的情况下，除去第2像素电极的上述接触孔内的部分。
31.一种有源矩阵基板，其特征在于：
具备连接到扫描信号线的晶体管和保持电容配线，
在1个像素区域设有第1和第2像素电极、第1和第2电容电极以及连结第1和第2电容电极的连结配线，
上述第1和第2电容电极分别隔着第1绝缘膜与保持电容配线重叠，并且分别隔着第2绝缘膜与第2像素电极重叠，
上述晶体管的一方导通电极和连结配线电连接，并且上述晶体管的一方或者另一方导通电极与第1像素电极电连接，
上述连结配线的至少一部分不重叠于上述保持电容配线。
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