CN103926758A - 液晶显示设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及液晶显示设备。第一基板包括沿第一方向延伸的第一栅线和第二栅线，沿第二方向延伸的第一源线和第二源线，以及与所述栅线和所述源线电连接的切换元件。像素电极包括与切换元件接触并且沿所述第一方向延伸的接触部分以及与所述接触部分接触并且沿所述第二方向延伸的主像素电极。所述切换元件包括布置在所述源线之间的漏极。所述漏极包括位于所述接触部分下方的第一电极部分，位于所述主像素电极下方并且与所述第一电极部分连接的第二电极部分，与所述第二电极部分连接的沿着所述第一栅线的第三电极部分，和与所述第二电极部分连接并且沿着所述第二栅线延伸的第四电极部分。

Description

液晶显示设备

本申请以2013年1月15日递交的在先日本专利申请No.2013-4414为基础并且要求享有该在先申请的优先权，这里以引用的方式结合其全部内容。

技术领域

本文描述的实施例通常涉及液晶显示设备。

背景技术

近年来，平板显示设备迅速发展。特别地，液晶显示设备由于诸如重量轻、形状薄和功耗低等优势而得到广泛关注。在每一个像素中都配备有切换元件的有源矩阵型液晶显示设备中，使用诸如IPS（共平面切换）模式和FFS（边缘场切换）模式的横向电场的结构引起关注。使用横向电场模式的液晶显示设备配备有分别形成在阵列基板中的像素电极和公共电极。通过基本上与阵列基板的主平面平行的横向电场来切换液晶分子。

另一方面，还提出另一技术，其中使用位于形成在阵列基板中的像素电极和形成在相对基板中的公共电极之间的横向电场或斜向电场来切换液晶分子。

作为一个示例，提出一种通过在栅线上布置诸如像素电极的一部分的子电极来控制由于来自该栅线的到液晶层的不期望的偏置的影响导致的显示缺陷的生成的技术。

附图说明

结合在说明书中并且构成该说明书的一部分的附图，说明了本发明的实施例，并且连同上文给出的概括描述和下文给出的对实施例的详细描述，用于解释本发明的原理。

图1是示意性地表示根据一个实施例的液晶显示设备的结构和等效电路的图。

图2是示意性地表示根据所述实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板时一个像素的结构的平面图；

图3是示意性地表示形成图2所示的阵列基板的主层结构的分解图；

图4A是示意性地表示在图1所示的相对基板中的一个像素PX的结构的平面图；

图4B和4C是表示配向轴的图；

图5是示意性地表示沿图2所示的线A-B截取的液晶显示面板的结构的截面图；

图6是示意性地表示沿图4所示的线C-D截取的液晶显示面板的结构的截面图；

图7是示意性地表示根据第二实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板时一个像素的结构的平面图；

图8是示意性地表示根据第三实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板时一个像素的结构的平面图；

图9是示意性表示根据第四实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板时一个像素的结构的平面图；

图10是示意性地表示根据第五实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板时的一个像素的结构的平面图。

具体实施方式

现在将参照附图描述根据本发明示例性实施例的液晶显示设备，其中，在几幅图中，相同或相似的附图标记指代相同或相应的部分。

根据一个实施例，一种液晶显示设备包括：第一基板，该第一基板包括：沿第一方向延伸的第一栅线和第二栅线，沿与第一方向正交的第二方向延伸的第一源线和第二源线，与所述第一栅线和所述第一源线电连接的切换元件，由所述第一栅线和所述第二栅线以及所述第一源线和所述第二源线围绕的像素电极，所述像素电极包括与所述切换元件接触并且沿所述第一方向延伸的接触部分，以及与所述接触部分接触并且沿所述第二方向延伸的主像素电极，布置在所述第一栅线和所述第二栅线上并且沿所述第一方向延伸的栅屏蔽电极，和与栅屏蔽电极连接并且布置在所述第一源线和所述第二源线上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽电极；第二基板，gia第二基板提供有被设置为与所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极具有相同电势的公共电极，所述公共电极包括；布置在所述栅屏蔽电极上方并且沿所述第一方向延伸的子公共电极，以及与所述子公共电极连接并且布置在所述源屏蔽电极上方以便沿所述第二方向延伸的主公共电极；保持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；其中，所述切换元件包括布置在所述第一源线和所述第二源线之间的漏极，并且所述漏极包括，位于所述接触部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一电极部分，位于所述主像素电极下方并且与所述第一电极部分连接以便沿所述第二方向延伸的第二电极部分，与所述第二电极部分连接并且沿着所述第一栅线沿所述第一方向延伸的第三电极部分，和与所述第二电极部分连接并且沿着所述第二栅线沿所述第一方向延伸的第四电极部分。

根据其它实施例，一种液晶显示设备包括：第一基板，该第一基板包括：沿第一方向延伸的第一栅线和第二栅线，沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源线和第二源线，与所述第一栅线和所述第一源线电连接的切换元件，由所述第一栅线和所述第二栅线以及所述第一源线和所述第二源线围绕并且提供有与切换元件接触的沿所述第一方向延伸的接触部分的像素电极，所述像素电极包括与所述接触部分连接并且沿所述第二方向延伸的第一主像素电极和第二主像素电极，布置在所述第一栅线和所述第二栅线上并且沿所述第一方向延伸的栅屏蔽电极，以及与所述栅屏蔽电极连接并且布置在所述第一源线和所述第二源线上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽电极，第二基板，该第二基板提供有设置为与所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极具有相同电势的公共电极，所述公共电极包括布置在所述栅屏蔽电极上方并且沿所述第一方向延伸的子公共电极，与所述子公共电极连接并且布置在所述源屏蔽电极上方以便沿所述第二方向延伸的第一主公共电极，和与所述子公共电极连接并且布置在所述第一主像素电极和所述第二主像素电极之间以便沿所述第二方向延伸的第二主公共电极；以及保持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；其中，所述切换元件包括布置在所述第一源线和所述第二源线之间的漏极，并且所述漏极包括，位于所述接触部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一电极部分，与所述第一电极部分连接并且位于所述第一主像素电极下方以便沿所述第二方向延伸的第二电极部分，与所述第一电极部分连接并且位于所述第二主像素电极部分下方以便沿所述第二方向延伸的第三电极部分，与所述第二电极部分和所述第三电极部分连接并且沿着所述第一栅线沿所述第一方向延伸的第四电极部分，和与所述第二电极部分和所述第三电极部分连接并且沿着所述第二栅线沿所述第一方向延伸的第五电极部分。

图1是示意性地表示根据一个实施例的液晶显示设备的结构和等效电路的图。

液晶显示设备包括有源矩阵型液晶显示面板LPN。液晶显示面板LPN配备有作为第一基板的阵列基板AR，作为与阵列基板相对布置的第二基板的相对基板CT，以及保持在阵列基板AR和相对基板CT之间的液晶层LQ。液晶显示面板LPN包括显示图像的有源区域ACT。有源区域ACT由多个像素PX形成。

液晶显示面板LPN在有源区域ACT中配备有“n”条栅线G（G1-Gn）、“n”条辅助电容线C（C1-Cn）和“m”条源线S（S1-Sm）等等。栅线G和辅助电容线C分别沿第一方向X线性延伸。沿与第一方向X垂直交叉的第二方向Y轮流地布置栅线G和辅助电容C。源线S与栅线G以及电容线C交叉。源线S分别沿第二方向Y线性延伸。栅线G、辅助电容线C和源线S可以不必线性延伸，并且可以部分地弯曲或对它们的一部分进行加宽。

将每条栅线G拉出到有源区域ACT的外侧，并且连接到栅驱动器GD。将每条源线G拉出到有源区域ACT的外侧，并且连接到源驱动器SD。尽管栅驱动器GD和源驱动器SD与提供在阵列基板AR中的驱动器IC芯片2连接，但是可以将它们实现在驱动器IC芯片2中。

每一个像素PX包括切换元件SW，像素电极PE，公共电极CE等等。例如，在辅助电容线C和像素电极PE（或者与像素电极具有相同电势的漏极）之间形成保持电容Cs。辅助电容线C与向其施加辅助电容电压的电压施加部分VCS电连接。

在液晶显示面板LPN中，尽管像素电极PE形成在阵列基板AR中，但是公共电极CE的至少一部分形成在相对基板CT中。液晶层LQ的液晶分子主要使用形成在像素电极PE和公共电极CE之间的电场进行切换。在像素电极PE和公共电极CE之间形成的电场是关于沿第一方向X和第二方向Y指定的X-Y平面稍微倾斜的斜向电场（或水平电场）。

切换元件SW例如由“n”沟道型薄膜晶体管形成。切换元件SW与栅线G和源线S电连接。像素电极PE与切换元件SW电连接。经过液晶层LQ与多个像素PX的像素电极PE共同地布置公共电极CE。尽管像素电极PE和公共电极CE由例如以氧化铟锡（ITO）和氧化铟锌（IZO）为例的透明导电材料形成，但是这些电极可以由诸如铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）和铬（Cr）的不透明布线材料形成。

阵列基板AR配备有用于向公共电极CE施加电压的电源部分VS。电源部分VS例如形成在有源区域ACT的外侧中。将相对基板CT中的公共电极CE拉出到有源区域ACT的外侧，并且经过没有说明的导电部件与电源部分VS电连接。

图2是示意性地表示根据所述实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板AR时位于X-Y平面中的一个像素的结构的平面图。

阵列基板AR配备有栅线G1，栅线G2，辅助电容线C1，源线S1，源线S2，切换元件SW，像素电极PE，栅屏蔽电极GS，源屏蔽电极SS和第一配向膜等等。

在这一实施例中，像素PX具有矩形的细长形状，其沿第一方向X的长度短于沿第二方向Y的长度，如虚线所示。栅线G1和栅线G2分别沿第一方向X延伸。辅助电容线C1位于栅线G1和栅线G2之间，并且沿第一方向X延伸。源线S1和源线S2分别沿第二方向Y延伸。

在说明的像素PX中，栅线G1布置在上端部分，栅线G2布置在下端部分。严格来说，栅线G1布置为跨越位于说明的像素PX和邻接其上部的像素PX之间的边界。栅线G2布置为跨越位于说明的像素PX和邻接其底部的像素PX之间的边界。即，像素PX沿第二方向Y的长度与邻接的栅线G1和栅线G2之间沿第二方向Y1的第一节距相对应。源线S1布置在左手侧端，并且源线S2布置在右手侧端。严格来讲，源线S1布置为跨越位于说明的像素PX和邻接其左手侧的像素之间的边界，并且源线S2布置为跨越位于说明的像素PX和邻接其右手侧的像素之间的边界。即，像素PX沿第一方向X的长度与邻接的源线S1和源线S2之间沿第一方向X的第二节距相对应。第二节距小于第一节距。辅助电容线C1位于栅线G2和栅线G1之间。即，辅助电容线C1和栅线G1沿第二方向Y的间隔与辅助电容线C1和栅线G2沿第二方向Y的间隔相同。

在这一实施例中，切换元件SW与栅线G1和源线S1电连接。切换元件SW包括作为栅线G2的一部分的栅极WG，由非晶硅形成并且位于栅极WG上的半导体层SC，与源线S1连接并且与半导体层SC接触的源极WS，以及与半导体层SC接触的漏极WD。

漏极WD位于源线S1和源线S2之间，并且与源线S1和源线S2分离。漏极配备有第一电极部分D1，第二电极部分D2，第三电极部分D3，第四电极部分D4和第五电极部分D5。第一电极部分到第五电极部分中的每一个都形成为线性条带的形状。第一电极部分D1，第四电极部分D4和第五电极部分D5沿第一方向X延伸。第一电极部分D1位于第四电极部分D4和第五电极部分D5之间。第二电极部分D2和第三电极部分D3沿第二方向Y延伸。第一电极部分D1，第二电极部分D2，第三电极部分D3，第四电极部分D4和第五电极部分D5整体地或连续地形成，并且共同地电连接。上述漏极WD大致形成为“8”的形状。

第一电极部分D1位于辅助电容线C1上方，基本上位于像素PX的中心部分中。而且，第一电极部分D1位于下面将提及的像素电极PE的接触部分PC下方。

第二电极部分D2和第三电极部分D3分别与第一电极部分D1连接。第二电极部分D2而非第三电极部分D3位于源线S1侧上，并且分别从第一电极部分D1朝向栅线G1和栅线G2延伸。此外，第二电极部分D2的顶端部分以基本上直角弯曲，并且与半导体层SC接触。第二电极部分D2中以直线形状沿第二方向Y延伸的部分位于下面将提及的像素电极PE的主像素电极PA1下方，并且与主像素电极PA1平行地延伸。第三电极部分D3位于源线S2侧上而非第二电极部分D2侧上，并且分别从第一电极部分D1朝向栅线G1和栅线G2延伸。第三电极部分D3位于下面将提及的像素电极PE的主像素电极PA2下方，并且与主像素电极PA2平行地延伸。第二电极部分D2和第三电极部分D3分别延伸到附近的栅线G1和栅线G2。

第四电极部分D4和第五电极部分D5分别与第二电极部分D2和第三电极部分D3连接。第四电极部分D4与第二电极部分D2和第三电极部分D3的接近栅线G1的每一个端部部分连接，并且沿着栅线G1沿第一方向延伸。尽管第四电极部分D4的一个端部部分D41朝向源线S1而非第二电极部分D2沿第一方向X延伸，但是该一个端部部分D41与源线S1分离。尽管第四电极部分D4的另一个端部部分D42沿第一方向X朝向源线S2而非第三电极部分D3延伸，但是该另一个端部部分D42与源线S2分离。第五电极部分D5在接近栅线G2的侧上与第二电极部分D2和第三电极部分D3连接，并且沿第一方向X沿着栅线G2延伸。尽管第五电极部分D5的一个端部部分D51沿第一方向X朝向源线S1而非第二电极部分D2延伸，但是该一个端部部分D51与源线S1分离。尽管第五电极部分D5的另一个端部部分D52沿第一方向X朝向源线S2而非第三电极部分D3延伸，但是该另一个端部部分D52与源线S2分离。

此外，第四电极部分D4和第五电极部分D5与栅线G1和栅线G2形成在不同的传导层中。因此，由于在第四电极部分D4和栅线G1之间并且在第五电极部分D5和栅线G2之间布置有绝缘膜，因此在X-Y平面中，第四电极部分D4和第五电极部分D5的各自部分可以与栅线G1和栅线G2重叠。

像素电极PE位于由源线S1和源线S2以及栅线G1和栅线G2围绕的内侧中。像素电极PE配备有主像素电极PA1，主像素电极PA2和接触部分PC。主像素电极PA1，主像素电极PA2和接触部分PC整体地或连续地形成，并且共同地电连接。

接触部分PC与切换元件SW接触。接触部分PC基本上位于像素PX的中心部分中，并且沿第一方向延伸。接触部分PC位于漏极WD的正上方。接触部分PC经过接触孔CH1和接触孔CH2与漏极WD的第一电极部分D1电连接。此外，形成接触孔CH2以使得接触孔CH2与接触孔CH1相比变为更大的尺寸。

主像素电极PA1和主像素电极PA2分别与接触部分PC连接，并且从接触部分PC沿第二方向Y朝向栅线G1和栅线G2延伸。主像素电极PA1位于源线S1侧上而非与漏极WD的接触位置上，并且位于第二电极部分D2上方。主像素电极PA2位于源线S2侧上而非与漏极WD的接触位置上，并且位于第三电极部分D3上方。上述像素电极PE具有基本上“H”形状。

在这一实施例中，第一电极部分D1和接触部分PC分别形成为沿第二方向Y具有恒定宽度的条带形状，并且接触部分PC形成为具有比第一电极部分D1更大的宽度的条带状状。第二电极部分D2和主像素电极PA1分别形成为沿第一方向X具有恒定宽度的条带状状，并且主像素电极PA1形成为具有比第二电极部分D2更大的宽度。第三电极部分D3和主像素电极PA2分别形成为沿第一方向X具有恒定宽度的条带形状，并且主像素电极PA2形成为具有比第三电极部分D3更大的宽度。即，在X-Y平面中，漏极WD的第一电极部分D1，第二电极部分D2和第三电极部分D3覆盖有接触部分PC，像素电极PE的主像素电极PA1和主像素电极PA2，并且不从像素电极PE突出。

栅屏蔽电极GS位于栅线G1和栅线G2上方，即，栅屏蔽电极GS分别位于栅线G1和栅线G2的正上方。栅屏蔽电极GS、栅线G1和栅线G2分别形成为沿第二方向Y具有恒定宽度的条带形状。栅屏蔽电极GS比栅线G1和栅线G2形成得更宽。在X-Y平面中，栅线G1和栅线G2覆盖有栅屏蔽电极GS，并且不从栅屏蔽电极GS突出。将栅屏蔽电极GS拉出到有源区域ACT的外侧，并且例如与电源部分VS电连接。

源屏蔽电极SS位于源线S1和源线S2上方，即，源屏蔽电极SS位于源线S1和源线S2的正上方。源屏蔽电极SS沿第二方向Y延伸，并且形成为条带形状。源屏蔽电极SS，源线S1和源线S2分别形成为沿第一方向X具有基本上恒定的宽度的条带形状，并且源屏蔽电极SS比源线S1和源线S2形成得更宽。在X-Y平面中，源线S1和源线S2覆盖有源屏蔽电极SS，并且不从源屏蔽电极SS突出。源屏蔽电极SS与栅屏蔽电极GS连接。即，栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS整体地或连续地形成，并且形成为点阵形状。此外，栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS的宽度不必恒定。

第一配向膜AL1覆盖像素电极PE，栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS。为了初始配向液晶层LQ的液晶分子，沿第一配向处理方向PD1对第一配向膜AL1进行初始配向处理。第一配向处理方向PD1例如与第二方向Y平行。

图3是示意性地表示形成图2所示的阵列基板AR的主层结构的分解图。此外，这里说明了阵列基板AR中的主导电层。

第一绝缘膜11布置在第一层L1和半导体层SC之间。第二绝缘膜12和第三绝缘层13布置在半导体层SC（第二层L2）和第三层L3之间。

在第一层L1中，布置有辅助电容线C1，栅线G1和栅线G2。辅助电容线C1，栅线G1和栅线G2例如由相同的布线材料形成。栅线G2的位于半导体层SC下方的区域与切换元件SW的栅极WG相对应。半导体层SC由非晶硅形成，并且例如在栅线上形成为岛形状。

半导体层SC，源线S1，源线S2和漏极WD布置在第二层L2中。源线S1，源线S2和漏极WD例如由相同的布线材料形成。源线S1的一部分朝向半导体层SC延伸。源线S1的与半导体层SC接触的区域与切换元件SW的源极WS相对应。漏极WD的一部分与半导体层SC接触。第一电极部分D1与辅助电容线C1相对。源线S1和源线S2经过第一绝缘膜11与辅助电容线C1，栅线G1和栅线G2交叉。

栅屏蔽电极GS，源屏蔽电极SS和像素电极PE布置在第三层L3中。由于栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS与像素电极PE形成在相同的层中，即，在第三绝缘层13的上表面上，因此它们能够由与像素电极PE相同的导电材料（ITO等）形成。第三绝缘膜13层叠在覆盖切换元件SW的第二绝缘层12上。第三绝缘膜13用作栅屏蔽电极GS，源屏蔽电极SS和像素电极PE的地。即，第二绝缘膜12和第三绝缘层13的层叠层覆盖切换元件SW，并且与用作像素电极PE，栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS的地的层间绝缘膜相对应。

栅屏蔽电极GS与栅线G1和栅线G2相对。第一绝缘膜11，第二绝缘膜12和第三绝缘膜13布置在栅屏蔽电极GS与栅线G1和G2之间。源屏蔽电极SS与源线S1和源线S2相对。在源屏蔽电极SS与源线S1和S2之间布置有第二绝缘膜12和第三绝缘膜13。

接触部分PC经过第二绝缘膜12和第三绝缘膜13与第一电极部分D1相对。主像素电极PA1经过第二绝缘膜12和第三绝缘膜13与第二电极部分D2相对。主像素电极PA2经过已经被经过的第二绝缘膜12和第三绝缘膜13与第三电极部分D3相对。

基本上在像素PX的中心部分中，第一电极部分D1位于接触部分PC和辅助电容线C1之间。与像素电极PE具有相同电势的漏极WD的第一电极部分D1经过第一绝缘膜11与辅助电容线C1相对，并且形成像素PX中的图像显示所要求的电容。

此外，可以形成像素电极PE以使像素电极PE分别覆盖漏极WD的第四电极部分D4和第五电极部分D5。然而，有必要将像素电极PE布置为与栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS分离。因此，在与高清显示需求相对应的像素结构中，优选的是，像素电极PE暴露第四电极部分D4和第五电极部分D5以便确保位于像素电极PE和栅屏蔽电极GS及源屏蔽电极SS之间的边缘。

图4A是示意性地示出图1所示的相对基板CT中的一个像素PX的结构的平面图。这里，显示了X-Y平面中的平面图。此外，仅说明了解释所需的结构。以虚线示出了在阵列基板上形成的像素电极PE，栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS等等。

相对基板CT配备有公共电极CE和第二配向膜AL2等等。

公共电极CE配备有多个主公共电极CA和子公共电极CB。主公共电极CA和子公共电极CB整体地或连续地形成，并且共同地电连接。然而，可以省去子公共电极CB。在这一实施例中，公共电极CE配备有主公共电极CAL，主公共电极CAR，主公共电极CAC，子公共电极CBU和子公共电极CBL。如上所述，公共电极CE与电源VS电连接，并且还与栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS电连接。将公共电极CE设置为与栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS具有相同的电势。

在说明的像素PX中，主公共电极CAL布置在像素PX的左手侧端部，主公共电极CAR布置在像素PX的右手侧端部，并且主公共电极CAC布置在像素PX的中心部分中。严格来说，主公共电极CAL布置为跨越所说明的像素PX和邻接其左手侧的像素之间的边界，主公共电极CAR布置为跨越所说明的像素PX和邻接其右手侧的像素之间的边界，并且主公共电极CAC布置在位于主公共电极CAL和主公共电极CAR之间的中部中。子公共电极CBU布置在上端部分，并且子公共电极CBL布置在底端部分。严格来说，子公共电极CBU布置为跨越所说明的像素和邻接其上部的像素之间的边界，并且子公共电极CBL布置为跨越所说明的像素和邻接其底部的像素之间的边界。

即，三个主公共电极CA布置为在每一个像素中沿第一方向X具有相同的节距。主公共电极CA形成为沿着第一方向X具有大致恒定宽度的条带形状，并且沿着第二方向Y线性延伸。而且，两个子公共电极CB布置在每一个像素PX中。子公共电极CB形成为沿着第二方向Y具有基本上恒定宽度的条带形状，并且沿着第一方向X线性延伸。

主公共电极CAL位于与源线S1面对的源屏蔽电极SS上方。主公共电极CAR位于与源线S2面对的源屏蔽电极SS上方。主公共电极CAC位于主像素电极PA1和主像素电极PA2之间，在接触孔CH1和CH2上方经过。

在X-Y平面中，主公共电极CAL和主公共电极CAC位于夹有主像素电极PA1的两个侧上。主公共电极CAC和主公共电极CAR位于夹有主像素电极PA2的两个侧上。主像素电极PA1和主像素电极PA2位于夹有主公共电极CAC的两个侧上。

即，在X-Y平面中，主公共电极CA和主像素电极PA沿着第一方向X交替定位。在这一实施例中，主公共电极CAL，主像素电极PA1，主公共电极CAC，主像素电极PA2和主公共电极CAR按照这一顺序进行定位。沿第一方向X，主像素电极PA1和主公共电极CAC之间的电极间距离与主公共电极CAC和主像素电极PA2之间的距离相同。沿第一方向X，主公共电极CAL和主像素电极PA1之间的电极间距离基本上与主像素电极PA2和主公共电极CAR之间的电极间距离相同。此外，主公共电极CAL和主像素电极PA1之间的电极间距离，主像素电极PA1和主公共电极CAC之间的电极间距离，主公共电极CAC和主像素电极PA2之间的电极间距离，以及主像素电极PA2和主公共电极CAR之间的电极间距离，可以基本上相同。

子公共电极CBU位于与栅线G1面对的栅屏蔽电极GS上方。子公共电极CBL位于与栅线G2面对的栅屏蔽电极GS上方。在X-Y平面中，子公共电极CBU和子公共电极CBL位于夹有像素电极PE的两个侧上。主公共电极CA和子公共电极CB共同地连接，并且形成点阵形状。

第二配向膜AL2覆盖公共电极CE。为了初始配向液晶层LQ的液晶分子，沿第二配向处理方向PD2对第二配向膜AL2执行配向处理。所述第二配向处理方向PD2与第一配向处理方向PD1彼此平行，并且与第一配向处理方向PD1相同或相反。在所说明的实施例中，第二配向处理方向PD2与第二方向Y平行，并且与第一配向处理方向PD1相同。

图5是示意性地表示沿图2所示的线A-B截取的液晶显示面板LPN的结构的截面图；

阵列基板AR使用第一透明绝缘基板10形成。阵列基板AR在第一绝缘基板10上配备有切换元件SW，辅助电容线C1，像素电极PE，第一绝缘膜11，第二绝缘膜12，第三绝缘膜13和第一配向膜AL1等等。

栅极WG是栅线G2的一部分，并且形成在第一绝缘基板10的内侧表面10A上。辅助电容线C1相似地形成在内侧表面10A上。与栅线G2一体形成的栅极WG和与栅线G2一体形成的辅助电容线C1由第一绝缘膜11覆盖。第一绝缘膜11也布置在内侧表面10A上。

半导体层SC形成在第一绝缘膜11上，并且位于栅极WG的正上方。源线S1，源极WS和漏极WD形成在第一绝缘膜11上。源极WS与半导体层SC接触。漏极WD中的第二电极部分D2的一部分与半导体层SC接触。第二电极部分D2与第五电极部分D5交叉，朝向辅助电容线C1延伸，并且与位于辅助电容线C1正上方的第一电极部分D1连接。第五电极部分D5沿着栅线G2延伸。在这一实施例中，第五电极部分D5与第二电极部分D2和第三电极部分D3连接。

半导体层SC，与源线S1一体形成的源极WS以及漏极WD由第二绝缘膜12覆盖。第二绝缘膜12也形成在第一绝缘膜11上。贯穿漏极WD的接触孔CH1形成在第二绝缘膜12中。第一绝缘膜11和第二绝缘膜12由例如以氧化硅（SiO）和氮化硅（SiN）为例的无机系统材料形成。

第三绝缘膜13布置在第二绝缘膜12上。第三绝缘膜13使用例如透明树脂的有机系统材料形成，并且具有平滑的表面。而且，第三绝缘膜13具有比第一绝缘膜11和第二绝缘么12更大的厚度。接触孔CH2形成在第三绝缘膜13中。接触孔CH2的尺寸比接触孔CH1的要大，并且贯穿漏极WD，也同时贯穿接触孔CH1周围的第二绝缘膜12。

所说明的栅屏蔽电极GS与栅线G2相对。在说明的像素电极PE中，主像素电极PA1经过第二绝缘膜12和第三绝缘膜13与第二电极部分D2相对。接触部分PC经过第二绝缘膜12和第三绝缘膜13与第一电极部分D1相对，并且经过接触孔CH1和接触孔CH2与漏极WD接触。

第一配向膜AL1覆盖像素电极PE，栅屏蔽电极GS等等，并且也布置在第三绝缘膜13上。第一配向膜AL1由显示水平配向膜特性的材料形成。

图6是示意性地表示沿着图4所示的线C-D截取的液晶显示面板LPN的结构的截面图。

在说明的示例中，背光4布置在形成液晶显示面板LPN的阵列基板AR的后侧上。可以使用各种类型的背光4。例如，发光二极管（LED）或者冷阴极荧光灯（CCFL）等等能够用作背光4的光源，并且省去关于其详细结构的解释。

在阵列基板AR中，第一绝缘膜11形成在与相对基板CT面对的第一绝缘基板10的内侧表面10A中。源线S1和源线S2形成在第一绝缘膜11上，并且由第二绝缘膜12覆盖。漏极WD的第二电极部分D2和第三电极部分D3形成在第一绝缘膜11上，并且由第二绝缘膜12覆盖。即，漏极WD与源线S1和源线S2形成在相同的层中，也就是说，形成在第一绝缘膜11的上表面上。漏极WD位于源线S1和源线S2之间，并且与源线S1和源线S2分离。像素电极PE和源屏蔽电极SS形成在第三绝缘膜13上，并且由第一配向膜AL1覆盖。主像素电极PA1和主像素电极PA2位于像素的内侧上而非源线S1和源线S2正上方的位置上。主像素电极PA1位于第二电极部分D2上方，并且主像素电极PA2位于第三电极部分D3上方。源屏蔽电极SS分别位于源线S1和源线S2上方。第一配向膜AL1布置在与相对基板CT面对的阵列基板AR上，并且延伸到整个有源区域ACT。

相对基板CT使用第二透明绝缘基板20形成。相对基板CT在与阵列基板AR面对的第二绝缘基板20的内侧表面上包括彩色滤光片CF，涂覆层OC，公共电极CE和第二配向膜AL2等等。此外，可以在与阵列基板AR面对的内表面20A上布置用于定义每一个像素的黑色矩阵。实际上，黑色矩阵布置在诸如栅线，源线和切换元件的布线部分上。

与每一个像素PX相对应地布置彩色滤光片CF。即，彩色滤光片CF布置在内侧表面20A上。布置在沿第一方向X邻接的像素PX中的彩色滤光片的颜色相互不同。例如，彩色滤光片CF由红、蓝和绿三个主色着色的树脂材料形成。涂覆层OC覆盖彩色滤光片CF。涂覆层OC例如由诸如透明树脂的有机系统材料形成，并且使彩色滤光片CF的表面平滑。

公共电极CE形成在与阵列基板AR面对的涂覆层OC上并且由第二配向膜AL2覆盖。所说明的主公共电极CAL位于源线S1或源屏蔽电极SS上方。主公共电极CAR位于源线S2或源屏蔽电极SS上方。主公共电极CAC位于主公共电极CAL和主公共电极CAR之间的中心或主像素电极PA1和主像素电极PA2之间的中心中。

像素电极PE和公共电极CE之间的区域，即，主公共电极CAL和主像素电极PA1之间的区域，主公共电极CAC和主像素电极PA1之间的区域，主公共电极CAC和主像素电极PA2之间的区域，以及主公共电极CAR和主像素电极PA2之间的区域，与背光能够贯穿其中的贯穿区域相对应。

第二配向膜AL2布置在与阵列基板AR面对的相对基板CT上，并且延伸到基本上整个有源区域。第二配向膜AL2由显示水平配向膜特性的材料形成。

布置上述的阵列基板AR和相对基板CT以使第一配向膜AL1和第二配向膜AL2彼此面对。在这一情况下，在阵列基板AR上的第一配向膜AL1和相对基板CT上的第二配向膜AL2之间，通过树脂材料与所述基板中的一个一体地形成柱形间隔体。从而，例如形成预定的间隙，例如2-7毫米的盒间隙。通过未说明的布置在有源区域的外围中的密封材料将阵列基板AR和相对基板CT粘结到一起，同时例如形成预定的盒间隙。

液晶层LQ保持在阵列基板AR和相对基板CT之间形成的盒间隙中，即，在第一配向膜AL1和第二配向膜AL2之间。液晶层LQ包含液晶分子LM。例如，液晶层LQ由其介电异性为正（正型）的液晶材料形成。

此外，主像素电极PA和主公共电极CA之间沿第一方向的电极间隔大于液晶层LQ的厚度，并且具有大于两倍于液晶层LQ的厚度的厚度。

通过粘合剂等等将第一光学元件OD1附接到阵列基板AR的外表面10B上，即，形成阵列基板AR的第一绝缘基板10的外表面上。第一光学元件OD1位于与液晶显示面板LPN的背光4面对的侧上，并且控制从背光4进入液晶显示面板LPN的入射光的偏振状态。第一光学元件OD1包括具有第一偏振轴AX1的第一偏振板PL1。诸如迟滞膜的其它光学元件可以布置在第一偏振板PL1和第一绝缘基板10之间。

通过粘合剂等等将第二光学元件OD2附接到相对基板CT的外表面20B上，即，形成相对基板CT的第二绝缘基板20的外表面上。第二光学元件OD2位于液晶显示面板LPN的显示表面侧上，并且控制来自液晶显示面板LPN的发射光的偏振状态。第二光学元件OD2包括具有第二偏振轴AX2的第二偏振板PL2。诸如迟滞膜的其它光学元件可以布置在第二偏振板PL2和第二绝缘基板20之间。

第一偏振板PL1的第一偏振轴AX1和第二偏振板PL2的第二偏振轴AX2布置为具有正交尼科耳关系，在此关系中它们基本上垂直地交叉。此时，布置一个偏振板以使其偏振轴布置为基本上与主像素电极PA的延伸方向平行或正交。在图4B中，布置第一偏振板PL1以使其第一偏振轴AX1变为与第二方向Y正交。布置第二偏振板PL2以使其第二偏振轴AX2变为与第二方向Y平行。而且，在图4C中，布置第二偏振板PL2以使其第二偏振轴AX2变为与第二方向Y正交。布置第一偏振板PL1以使其第一偏振轴AX1变为与第二方向Y平行。

接下来，解释具有上述结构的液晶显示面板LPN的操作。

在非电场状态（关闭）的时刻，即，当没有在像素电极PE和公共电极CE之间形成电势差（即，电场）时，液晶层LQ的液晶分子LM被配向以使它们的长轴配向为与第一配向膜AL1的第一配向处理方向PD1和第二配向膜AL2的第二配向处理方向PD2平行的方向。在这一状态下，关闭的时刻与初始配向状态相对应，并且液晶分子LM的配向方向与初始配向方向相对应。这里，第一配向方向PD1和第二配向方向PD2基本上与第二方向Y平行并且彼此同向。在关闭的时刻，液晶分子LM被配向以使它们的长轴配向为在X-Y平面中与第二方向Y平行。

在关闭的时刻，来自背光4的一部分背光贯穿第一偏振板PL1，并且进入液晶显示面板LPN。进入液晶显示面板LPN的背光是与第一偏振板PL1的第一偏振轴AX1垂直交叉的线性偏振光。在关闭的时刻，当背光经过液晶层LQ时，线性偏振光的偏振状态几乎不改变。由于这一原因，贯穿液晶显示面板LPN的线性偏振光被布置为与第一偏振板PL1具有正交尼科耳位置关系的第二偏振板PL2吸收（黑显示）。

另一方面，在像素电极PE和公共电极CE之间形成电势差（或电场），的情况下，即，在打开的时刻，形成与像素电极PE和公共电极CE之间的基板平行的横向电场（或斜向电场）。液晶分子LM受像素电极PE和公共电极CE之间的电场影响，并且配向状态改变。即，液晶分子LM的配向方向被划分为在与主像素电极PA或主公共电极CA重叠的位置上邻接的多个方向，并且形成与每一个配向方向相对应的域。即，在一个PX中形成多个域。

在打开的时刻，当背光经过保持在主像素电极PA和主公共电极CA之间的液晶层LQ时，进入液晶面板LPN中的线性偏振背光的偏振状态根据液晶分子LM的配向状态而改变。从而，经过液晶层LQ的背光的至少一部分的偏振状态变为与第二方向Y平行的线性偏振光。由于这一原因，在打开的时刻，经过液晶层LQ的背光的至少一部分贯穿第二偏振板PL2（白显示）。然而，在与像素电极或者公共电极重叠的位置中，由于液晶分子维持初始配向状态，因此它变为与关闭的时刻类似的黑显示。

根据这一实施例，与像素电极PE连接的切换元件SW的漏极WD的一部分位于主像素电极PA下方并且与阵列基板中除了像素电极PE的主像素电极PA以外的主像素电极PA平行地延伸。即，在阵列基板AR中，像素电极形成为基本上具有两层，这两层分别具有相同的电势。因此，在打开的时刻，当在具有像素电势的像素电极PE和具有普通电势的公共电极CE之间形成电场时，沿阵列基板AR的主表面的法线方向的电势被增强，并且变得可能难于受像素电极PE和其它电极之间的电场影响。因此，能够抑制液晶分子的配向缺陷的生成，即，能够控制显示效果的降级。

而且，由于阵列基板AR配备有与源线S面对的源屏蔽电极SS，因此能够屏蔽来自源线S的不期望的电场。由于这一原因，能够控制从源线施加到液晶层LQ的不期望的偏置，并且也能够控制诸如串扰的显示效果的降级。

而且，阵列基板AR配备有与栅线G面对的栅屏蔽电极GS。漏极WD的电极部分的一部分沿着栅线G与栅线G平行地延伸。由于这一原因，能够屏蔽来自栅线G的不期望的电场并且能够防止施加不期望的偏置。从而，能够控制诸如打印显示的显示效果的降级，并且能够控制在黑显示的情况下在来自栅线G的电场泄露的影响下由液晶分子的配向缺陷导致的光泄露的生成。因此，能够控制对比度的下降。

而且，由于栅屏蔽电极GS和源屏蔽电极SS在阵列基板AR中电连接，并且主公共电极CA和子公共电极CB在相对基板CT中共同电连接，因此能够提高冗余度。即，即使在栅屏蔽电极GS，源屏蔽电极SS，主公共电极CA和子公共电极CB的一部分中发生断开，也能够向每一个像素PX平稳地供应公共电势，并且能够控制显示效果的降级。

进而，由于漏极WD的电极部分通过彼此连接而形成为“8”的形状，因此能够提高冗余度。即，即使在来自漏极WD的一些电极部分中发生断开，也能够向每一个像素PX平稳地提供像素电势，并且能够控制显示效果的降级。

而且，根据这一实施例，在与公共电极CE重叠的区域中，透射率充分下降。这是因为没有生成从相对基板CE的与栅线G和源线S面对的位置泄露到像素PX的外侧的电场，并且没有在邻接的像素之间生成不期望的电场。因此，与公共电极CE重叠的该区域的液晶分子LM在黑显示时维持初始配向状态。而且，即使在阵列基板AR和相对基板CT之间发生装配移位，也能够控制不期望的电场到邻接像素的泄露。即，当在X-Y平面上观察到一个像素PX时，像素电极PE布置在由形成在相对基板上并且与栅线G和源线S（或布置在阵列基板AR中的栅屏蔽电极和源屏蔽电极）面对的公共电极CE围绕的像素内。从而，电力线在一个像素内具有起点和终点，并且电力线不泄露到邻接像素。由于这一原因，即使是彩色滤光片CF的颜色在邻接像素之间不同的情况，也能够控制混合颜色的生成，并且也能够控制色彩再现本质和对比度的下降。因此，能够控制显示效果的降级。

此外，尽管在上述实施例中将初始配向方向设置为与第二方向Y平行，但是可以将所述初始配向方向设置为与第一方向X和第二方向Y交叉的倾斜方向。

而且，上述实施例解释了液晶层LQ由具有正（正型）介电常数各向异性的液晶材料形成的情况。然而，可以使用具有负（负型）介电常数各向异性的液晶材料。

而且，尽管上述实施例解释了像素电极PE包括两个主像素电极PA的情况，但是该结构并不局限于这一实施例。当将每一个像素电极PE配备的主像素电极PA的数量设置为“a”时，布置在每一个像素PX中的主公共电极CA的数量变为（a+1）。一个主像素电极PA布置在邻接的主公共电极CA之间（这里“a”等于1或更大的正数）。

此外，像素PX的结构并不局限于这一实施例中的上述示例。

图7是示意性地表示根据第二实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板AR时一个像素的结构的平面图。

图7所示的实施例与图2所示的实施例的不同之处在于省去了漏极WD的第四电极部分和四五电极部分。即，漏极WD由位于辅助电容线C1和接触部分PC之间的第一电极部分D1，位于主像素电极PA1下方并且与主像素电极PA1平行地延伸的第二电极部分D2，以及位于主像素电极PA2下方并且与主像素电极PA2平行地延伸的第三电极部分D3形成为“H”的形状。第二电极部分D2和第三电极部分D3分别延伸到栅线G1和栅线G2附近。

能够将配备有图4所示的公共电极CE的相对基板CT与配备有上述漏极WD的阵列基板AR进行组合。

根据该第二实施例，由于与第一实施例相比省去了沿着栅线G的第四电极部分和第五电极部分，因此抵抗来自栅线G的泄露的电场的屏蔽效果稍有下降。然而，能够增强阵列基板AR中的像素电势，并且能够与第一实施例类似地控制显示效果的降级。

图8是示意性地表示根据第三实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板AR时一个像素的结构的平面图。

图8所示的第三实施例与图7所示的第二实施例的不同之处在于省去了漏极WD的第三电极部分，并且第二电极部分D2从与半导体层SC接触的位置缩短到第一电极部分D1。即，漏极WD由位于辅助电容线C1和接触部分PC之间的第一电极部分D1以及在主像素电极PA1下方位于半导体层SC和第一电极部分D1之间以便与主像素电极PA1平行地延伸的第二电极部分D2形成为“L”的形状。

能够将配备有图4所示的公共电极CE的相对基板CT与配备有根据该第三实施例的所述漏极WD的阵列基板AR进行组合。

图9是示意性地表示根据第四实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板时一个像素的结构的平面图。

图9所示的结构与图2所示的实施例的结构的不同之处在于像素电极PE形成为配备有一个主像素电极PA和接触部分PC的交叉形状，并且形成在主像素电极PA下方沿第二方向Y延伸的漏极WD的一个第二电极部分。

即，主像素电极PA位于源线S1和源线S2之间的大致中心中，并且形成为沿第二方向Y线性延伸的条带形状。即，主像素电极PA与沿第一方向X延伸的接触部分PC交叉，并且形成交叉形状。漏极WD包括位于辅助电容线C1和接触部分PC之间以便沿第一方向X延伸的第一电极部分D1，与在主像素电极PA下方延伸的第一电极部分D1连接的第二电极部分D2，与第二电极部分D2连接并且沿第一方向X沿着栅线G1延伸的第四电极部分D4以及与第二电极部分D2连接并且沿第一方向X沿着栅线G2延伸的第五电极部分D5。

公共电极CE的主公共电极CAL位于与源线S1面对的源屏蔽电极SS上方。主公共电极CAR位于与源线S2面对的源屏蔽电极SS上方。子公共电极CBU位于与栅线G1面对的栅屏蔽电极GS上方。子公共电极CBL位于与栅线G2面对的栅屏蔽电极GS上方。

同样在根据这一实施例的结构中，获得与其它实施例相同的效果。特别地，上述结构适合于用于高清显示的像素，这些像素PX沿第一方向X的长度较短。

图10是示意性地表示根据第五实施例当从相对基板侧观察图1所示的阵列基板AR时一个像素的结构的平面图。

该第五实施例适用于使用IPS模式的液晶显示设备。公共电极CE布置在阵列基板AR上而非相对基板CT上。在阵列基板AR中，第一主公共电极CAL经过绝缘膜布置在第一源线S1上，并且第二主公共电极CAR经过绝缘膜布置在第二源线S2上。类似地，第一子公共电极CBU布置在栅线G1上，并且第二子公共电极布置在栅线G2上。其它结构与图9所示的第四实施例中的结构相同。

如上面解释的，根据所述实施例，能够提供能够控制显示效果的降级的液晶显示设备。

尽管描述了某些实施例，但是仅通过示例的方式呈现了这些实施例，并且并不意在限制本发明的范围。实际中，在不偏离本发明的精神的情况下，可以修改结构和方法要素。通过适当地组合在所述实施例中公开的结构和方法要素，能够实现多种实施例。例如，可以从所述实施例中公开的全部结构和方法要素中省去一些结构和方法要素。而且，可以适当地组合不同实施例中的结构和方法要素。所附权利要求及其等同物意在涵盖落入本发明范围的这样的形式或修改。

Claims (11)

1.一种液晶显示设备，包括：

第一基板，该第一基板包括：

沿第一方向延伸的第一栅线和第二栅线，

沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源线和第二源线，

与所述第一栅线和所述第一源线电连接的切换元件，

由所述第一栅线和所述第二栅线以及所述第一源线和所述第二源线围绕的像素电极，所述像素电极包括与所述切换元件接触并且沿所述第一方向延伸的接触部分，以及与所述接触部分接触并且沿所述第二方向延伸的主像素电极，

布置在所述第一栅线和所述第二栅线上并且沿所述第一方向延伸的栅屏蔽电极，和

与所述栅屏蔽电极连接并且布置在所述第一源线和所述第二源线上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽电极，

第二基板，该第二基板提供有被设置为与所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极具有相同电势的公共电极，所述公共电极包括：

布置在所述栅屏蔽电极上方并且沿所述第一方向延伸的子公共电极，和

与所述子公共电极连接并且布置在所述源屏蔽电极上方以便沿所述第二方向延伸的主公共电极；

保持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；

其中，所述切换元件包括布置在所述第一源线和所述第二源线之间的漏极，并且所述漏极包括：

位于所述接触部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一电极部分，

位于所述主像素电极下方并且与所述第一电极部分连接以便沿所述第二方向延伸的第二电极部分，

与所述第二电极部分连接并且沿着所述第一栅线沿所述第一方向延伸的第三电极部分，和

与所述第二电极部分连接并且沿着所述第二栅线沿所述第一方向延伸的第四电极部分。

2.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述第三电极部分和所述第四电极部分朝向所述第一源线和所述第二源线沿所述第一方向延伸并且布置为分别与所述第一源线和所述第二源线分离。

3.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述第一栅线和所述第二栅线布置有位于其间的沿所述第二方向的第一节距，并且所述第一源线和所述第二源线布置有位于其间的沿所述第一方向的比所述第一节距小的第二节距。

4.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述第一基板包括位于所述接触部分下方的位于所述第一栅线和所述第二栅线之间的辅助电容线。

5.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述第一基板进一步包括覆盖所述切换元件并且用作所述像素电极、所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极的接地层的层间绝缘膜，以及覆盖所述像素电极、所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极的第一配向膜。

6.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极由与所述像素电极相同的材料形成。

7.一种液晶显示设备，包括：

第一基板，该第一基板包括：

沿第一方向延伸的第一栅线和第二栅线，

沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源线和第二源线，

与所述第一栅线和所述第一源线电连接的切换元件，

由所述第一栅线和所述第二栅线以及所述第一源线和所述第二源线围绕并且提供有与所述切换元件接触并且沿所述第一方向延伸的接触部分的像素电极，所述像素电极包括与所述接触部分连接以便沿所述第二方向延伸的第一主像素电极和第二主像素电极，

布置在所述第一栅线和所述第二栅线上并且沿所述第一方向延伸的栅屏蔽电极，和

与所述栅屏蔽电极连接并且布置在所述第一源线和所述第二源线上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽电极，

第二基板，该第二基板提供有被设置为与所述栅屏蔽电极和所述源屏蔽电极具有相同电势的公共电极，所述公共电极包括布置在所述栅屏蔽电极上方并且沿所述第一方向延伸的子公共电极，与所述子公共电极连接并且布置在所述源屏蔽电极上方以便沿所述第二方向延伸的第一主公共电极，以及与所述子公共电极连接并且布置在所述第一主像素电极和所述第二主像素电极之间以便沿所述第二方向延伸的第二主公共电极；以及

保持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；

其中，所述切换元件包括布置在所述第一源线和所述第二源线之间的漏极，并且所述漏极包括：

位于所述接触部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一电极部分，

与所述第一电极部分连接并且位于所述第一主像素电极下方以便沿所述第二方向延伸的第二电极部分，

与所述第一电极部分连接并且位于所述第二主像素电极部分下方以便沿所述第二方向延伸的第三电极部分，

与所述第二电极部分和所述第三电极部分连接并且沿着所述第一栅线沿所述第一方向延伸的第四电极部分，和

与所述第二电极部分和所述第三电极部分连接并且沿着所述第二栅线沿所述第一方向延伸的第五电极部分。

8.一种液晶显示设备，包括：

第一基板，该第一基板包括：

沿第一方向延伸的第一栅线和第二栅线，

沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源线和第二源线，

与所述第一栅线和所述第一源线电连接的切换元件，

由所述第一栅线和所述第二栅线以及所述第一源线和所述第二源线围绕的像素电极，所述像素电极包括与所述切换元件接触并且沿所述第一方向延伸的接触部分，以及与所述接触部分接触并且沿所述第二方向延伸的主像素电极，

布置在所述第一栅线和所述第二栅线上方并且沿所述第一方向延伸的子公共电极，和

与所述子公共电极连接并且布置在所述第一源线和所述第二源线上方以便沿所述第二方向延伸的主公共电极；

与所述第一基板面对的第二基板；以及

保持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；

其中，所述切换元件包括布置在所述第一源线和所述第二源线之间的漏极，并且所述漏极包括，

位于所述接触部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一电极部分，

位于所述主像素电极下方并且与所述第一电极部分连接以便沿所述第二方向延伸的第二电极部分，

与所述第二电极部分连接并且沿着所述第一栅线沿所述第一方向延伸的第三电极部分，和

与所述第二电极部分连接并且沿着所述第二栅线沿所述第一方向延伸的第四电极部分。

9.根据权利要求8所述的液晶显示设备，其中，所述第三电极部分和所述第四电极部分朝向所述第一源线和所述第二源线沿所述第一方向延伸，并且布置为分别与所述第一源线和所述第二源线分离。

10.根据权利要求8所述的液晶显示设备，其中，所述第一栅线和所述第二栅线布置有位于其间的沿所述第二方向的第一节距，并且所述第一源线和所述第二源线布置有位于其间的沿所述第一方向的小于所述第一节距的第二节距。

11.根据权利要求8所述的液晶显示设备，其中，所述第一基板包括位于所述接触部分下方的，位于所述第一栅线和所述第二栅线之间的辅助电容线。