CN1656401A - 光路－电路混载基板用材料以及光路－电路混载基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光路－电路混载基板用材料以及光路－电路混载基板。光路－电路混载基板用材料具备光透射性树脂层、以及由通过活性能量线的照射即可使折射率增大(或者减小)的光透射性树脂形成且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，而且，在向光路－电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，光路形成层的该一部分的折射率大于(或者小于)光透射性树脂层的折射率。

Description

光路—电路混载基板用材料以及光路—电路混载基板
技术领域
本发明涉及能够在制造一并具备光路(传播光的回路)和电路(或者电配线)的基板，即，混载光路和电路的基板(以下称为“光路—电路混载基板”)时作为原材料使用的光路—电路混载基板用材料、以及光路—电路混载基板的制造方法。在本发明中，光路和电路可以是构成它的一部分，即光路和电路可以分别是光线路(optical line)或者光波导(waveguide)以及电配线(wiring)。另外，“光路—电路混载基板”称为“electrical-optical-circuit board”。
背景技术
近年来，伴随着通信基础设施的急速宽带化、以及计算机等的信息处理能力的飞跃性提高等，人们对具有极高速的信息传输线路的信息处理线路的需求越来越强烈。以此为背景，作为突破电信号的传输速度极限的一种方法，人们已考虑到使用光信号进行传输，从而对于在具备电路的基板上混载光路情况进行着各种探讨和研究。
作为混载电路和光路的最基本的想法，是在以往使用的印刷电路配线板上混载电路以外的光路而形成。而且，关于将光路和电路叠层多层而形成光路—电路混载基板，提出的方法主要有以下两种。
第一种方法，是在施行电路的基板上依次叠层构成光路的光波导的包覆层、芯层以及包覆层之后，在这之上通过镀膜等堆积电配线层而形成的方法。
第二种方式，是在临时基板上依次叠层包覆层、芯层以及包覆层而形成构成光路的光波导，接着在印刷电路配线板上接合该光波导之后，剥离临时基板，然后在该光波导上通过镀膜等堆积电路而形成的方法。关于该方法，可参照例如特开2001-15889号公报。
在上述的方法中，为依次形成并堆积光路和电路，工序数会增多，且在多数情况下都要通过镀膜形成电路，而这样会使配线的精度下降，且很难在工业上稳定地生产高质量的光路—电路混载基板。
发明内容
本发明鉴于以上的事实，其目的在于提供一种采用以往的印刷电路配线板制造技术、并通过简单的方法即可制造高质量的光路—电路混载基板的光路—电路混载基板用材料。另外，本发明的目的还在于提供光路—电路混载基板的制造方法。
在本说明书中，光路—电路混载基板用材料，作为构成它的层具备“光路形成层”。该“光路形成层”是指在该层中能够形成传播光的波导的至少核心部的层。核心部是指光在其中传播的部分，且相当于上述光路。
另外，“活性能量线”是指具有在形成这样的波导时对于改变(即以改变性质的方式进行活性化)构成光路形成层的树脂的溶剂溶解性或者折射率来说是充足的能量的电磁波。这样的活性能量线可以是例如紫外线、各种波长的激光、电子射线、X射线等，从而这些种种活性能量线是广义的光。
另外，在照射活性能量线时，在光路形成层的溶剂溶解性或者折射率变化的情况下，构成光路—电路混载基板用材料的其他要素(例如上述的光透射性树脂)的溶剂溶解性或者折射率最好不发生实质上的变化，但是即使变化，照射后构成光波导的核心部的折射率也比其周围部分的折射率大。
在第一要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射即可使折射率增大的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，光路形成层的该一部分的折射率大于光透射性树脂层的折射率。
该光路—电路混载基板用材料是至少叠层有两层的复合材料，即，叠层体。
第一要点的材料具备光透射性树脂层(或者透明树脂层)以及与其邻接的光路形成层，且光路形成层由通过活性能量线的照射即可使折射率增大的光透射性树脂形成。如果以光路形成层的一部分被活性能量线照射的方式向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，则在光路配线层中，被照射的那一部分的折射率会上升，而变得比没有被照射的部分的折射率大。由于被活性能量线照射的部分和未被照射的部分是邻接关系，因此照射部分获得了作为光波导的核心部的功能，而位于两侧(例如左侧和右侧、可参照后述的图4(b)中的高折射率部3a和低折射率部3b)的未被照射的部分就获得了作为光波导的包覆部的功能。
从而，在核心部的残余的侧(例如上侧或者下侧)配置折射率小的树脂层或者能反射光的层(例如金属层)，则这些层发挥作为包覆部的功能，且在光路形成层的核心部内传播光，从而形成光路。即，形成光波导。在第一要点中，光透射性树脂层可以提供如核心部的这样的残余的侧的一方(例如上侧)的包覆部。从而光透射性树脂层的折射率必须小于通过照射活性能量线而增加的光路形成层的折射率。在照射活性能量线之前，不需要具有这样的折射率相对关系。例如在照射前，光透射性树脂层的折射率可以比光路形成层的折射率大。一般，光透射性树脂层的折射率在照射前后没有实质上的变化，但最好比光路形成层的折射率小。
在第一要点的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以用光路形成层的照射部分形成光波导的芯层、且用光路形成层的非照射部分以及光透射性树脂层形成包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工(或者是形成配线的处理)形成电配线，可以将光配线和电配线混载在同一块基板上，可以理由以往的印刷布线板制造技术通过简便的方法生产高质量的光路—电路混载基板。
在第二要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射可使折射率减小的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
光路形成层的折射率大于光透射性树脂层的折射率，
而且，在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，光路形成层的该一部分的折射率小于没有照射活性能量线的光透射性树脂层的剩余部分的折射率。
与此前一样，该光路—电路混载基板用材料也是至少叠层有两层的复合材料，即，叠层体。
第二要点的材料具备光透射性树脂层以及与其邻接的光路形成层而构成，且光路形成层的折射率原本大于光透射性树脂层的折射率，而且，光路形成层由通过活性能量线的照射即可使折射率减小的光透射性树脂形成。如果以光路形成层的一部分被活性能量线照射的方式向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，则在光路配线层中，被照射的那一部分的折射率会降低，而变得比没有被照射的部分的折射率小。由于被活性能量线照射的部分和未被照射的部分是邻接关系，因此非照射部分获得了作为光波导的核心部的功能，而位于两侧(例如左侧和右侧、可参照后述的图6(b)中的高折射率部4a和低折射率部4b)的被照射的部分就获得了作为光波导的包覆部的功能。
从而，与第一要点的光路—电路混载基板用材料一样，在核心部的残余的侧(例如上侧或者下侧)配置折射率小的树脂层或者能反射光的层(例如金属层)，则这些层发挥作为包覆部的功能，且在光路形成层的核心部内传播光，从而形成光路。在第二要点中，由于光透射性树脂层的折射率小于光路形成层的折射率(照射活性能量线之后也一样)，因此能够提供如核心部的这样的残余的侧一方(例如上侧)的包覆部。
在第二要点的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以用光路形成层的非照射部分形成光波导的芯层、且用光路形成层的照射部分以及光透射性树脂层形成包覆层，同时可以通过金属层的配线加工形成电布线，可以将光配线和电配线混载于同一基板上，并可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第三要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
在所述的第一要点的光路—电路混载基板用材料中，除了具备所述光透射性树脂层(称为“第一光透射性树脂层”：在这里添加了“第一”是为了与后述的第二光透射性树脂层进行区别)之外，还具备第二光透射性树脂层而构成，且光路形成层位于第一光透射性树脂层和第二光透射性树脂层之间，
而且，在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，光路形成层的该一部分的折射率大于第二光透射性树脂层的折射率。
该光路—电路混载基板用材料也是至少叠层有三层的复合材料，即，叠层体。
在第三要点的材料中，第一光透射性树脂层和第二光透射性树脂层夹持着光路形成层。照射活性能量线之后，由于光路形成层的被活性能量线照射的部分的折射率大于这样的两个光透射性树脂层的折射率，因此这些树脂层向作为核心部的、光路形成层的被照射活性能量线的部分，提供包覆部。
如上所述，照射活性能量线之后，第二光透射性树脂层的折射率必须小于通过向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而增加的光路形成层的照射部分的折射率。在照射活性能量线之前，就不需要具有这样的折射率的相对关系。例如在照射前，第二光透射性树脂层的折射率可以比光路形成层的折射率大。一般，第二光透射性树脂层的折射率在照射前后没有实质上的变化，但最好比光路形成层的折射率小。
在第三要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以用光路形成层的照射部分形成光波导的芯层、且用光路形成层的非照射部分以及光透射性树脂层以及第二光透射性树脂层形成包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工形成电配线，从而将光配线和电配线混载于同一基板上，进而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第四要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
在所述的第二要点的光路—电路混载基板用材料中，除了具备所述光透射性树脂层(称为“第一光透射性树脂层”：在这里添加了“第一”是为了与后述的第二光透射性树脂层进行区别)之外，还具备第二光透射性树脂层而构成，且光路形成层位于在第一光透射性树脂层和第二光透射性树脂层之间，
而且，在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，没有照射活性能量线的光路形成层的该残余部分的折射率大于第二光透射性树脂层的折射率。
该光路—电路混载基板用材料也是至少叠层有三层的复合材料，即，叠层体。
在第四要点的材料中，第一光透射性树脂层和第二光透射性树脂层夹持着光路形成层。照射活性能量线之后，由于光路形成层的没有被活性能量线照射的部分的折射率大于这样的两个光透射性树脂层的折射率，因此这些树脂层向作为核心部的、光路形成层的没有被照射活性能量线的部分，提供包覆部。
如上所述，照射活性能量线之后，第二光透射性树脂层的折射率必须小于在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线时没有被照射的光路形成层的折射率。在照射活性能量线之前，就不需要具有这样的折射率的相对关系。例如在照射活性能量线时，第二光透射性树脂层的折射率可以减小。一般，第二光透射性树脂层的折射率在照射前后没有实质上的变化，但最好比光路形成层的折射率小。
在第四要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以用光路形成层的非照射部分形成光波导的芯层、且用光路形成层的照射部分以及光透射性树脂层以及第二光透射性树脂层形成包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工形成电配线，从而将光配线和电配线混载于同一基板上，进而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第五要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射即可使向溶剂的溶解性发生改变的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，
光路形成层的折射率大于光透射性树脂层的折射率，
且被照射活性能量线的光路形成层的该一部分，从能被溶剂溶解去除的状态转变为不能被溶剂溶解去除的状态，而且，
没有被照射活性能量线的光路形成层的剩余部分，仍保持能被溶剂溶解去除的状态。
第五要点的材料具备光透射性树脂层以及与其邻接的光路形成层而构成，且光路形成层由通过活性能量线的照射即可改变向溶剂的溶解性的光透射性树脂形成。如果以光路形成层的一部分被活性能量线照射的方式向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，则在光路配线层中，被照射的那一部分就会转变为不能溶解于溶剂而无法溶解去除，而该一部分的剩余部分则仍保持能被溶剂溶解去除的状态。
另外，第五要点中的“通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性”是指：通过照射活性能量线，使构成光路形成层的树脂从能够被某特定的溶剂溶解的状态，转变为不能被溶解的状态。即，这意味着：通过向光路形成层的一部分照射活性能量线，使其一部分从能够被某特定溶剂溶解的状态，转变为实质上不能被该溶剂溶解、其结果、无法被去除的状态(没有被照射的部分处于能够被溶解而去除的状态)。
在第五要点中，光路形成层的折射率，至少在照射活性能量线之后，大于光透射性树脂层的折射率，且这些层具有邻接关系。从而，将这样的光路形成层的一部分作为核心部残留下来，则光透射性树脂层就会提供该核心部的包覆部。因此，如果在核心部的残余侧(例如右侧、左侧以及下侧，可参照后述的图2(b))配置比核心部的折射率小的层，则可以形成被这样的小折射率的材料包围的光波导。
在第五要点中，在照射活性能量线之前，不需要具有这样的折射率相对关系。例如在照射前，光透射性树脂层的折射率可以比光路形成层的折射率大。一般，光路形成层以及光透射性树脂层的折射率在照射前后没有实质上的变化，但光路形成层的折射率最好比光透射性树脂层的折射率大。
在第六要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射即可使向溶剂的溶解性发生改变的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
光路形成层的折射率大于光透射性树脂层的折射率，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，
被照射活性能量线的光路形成层的该一部分，从不能被溶剂溶解去除的状态转变为能被溶剂溶解去除的状态，而且，
没有被照射活性能量线的光路形成层的剩余部分，仍保持不能被溶剂溶解去除的状态。
第六要点的材料具备光透射性树脂层以及与其邻接的光路形成层而构成，且光路形成层由通过活性能量线的照射即可改变向溶剂的溶解性的光透射性树脂形成。如果以光路形成层的一部分被活性能量线照射的方式向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，则在光路配线层中，被照射的那一部分就会转变为能溶解于溶剂而可以溶解除去的状态，而该一部分的剩余部分则仍保持不能被溶剂溶解去除的状态。
另外，第六要点中的“通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性”是指：通过照射活性能量线，使构成光路形成层的树脂从不能够被某特定的溶剂溶解的状态，转变为能被溶解的状态。即，这意味着：通过向光路形成层的一部分照射活性能量线，使其一部分从不能够被某特定溶剂溶解的状态，转变为实质上能被该溶剂溶解、其结果、能被去除的状态(没有被照射的部分处于不能被溶解去除的状态)。
在第六要点中，光路形成层的折射率原本就大于光透射性树脂层的折射率，且这些层具有邻接关系。从而，将这样的光路形成层的一部分作为不能被溶剂溶解而去除的核心部残留下来，则光透射性树脂层就会提供该核心部的包覆部。因此，如果在核心部的残余侧(例如右侧、左侧以及下侧)配置有比核心部的折射率小的层，则可以形成被这样的小折射率的材料包围的光波导。
在第五要点以及第六要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线而显影，可以用光路形成层形成光波导的芯层、且用光透射性树脂层形成光波导的包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工形成电配线，从而将光配线和电配线混载于同一基板上，进而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第七要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
如第一～第六中的任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备金属层，且光透射性树脂层位于金属层和光路形成层之间。
第七要点的光路—电路混载基板用材料中，还存在金属层。该金属层位于与光路形成层邻接的光透射性树脂层(即，第一光透射性树脂层)侧相反侧。通过对金属层进行使用适当加工方法而残留规定部分的处理，可构成电路(包括电子回路)或者电配线层。金属层可具有任何适当的形态，例如可以是箔、薄膜、薄片状等。
在第八要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
一种光路—电路混载基板用材料，具备：
金属层、以及
由通过活性能量线的照射即可使折射率增大的光透射性树脂形成、且邻接于金属层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，光路形成层的该一部分的折射率大于没有被照射活性能量线的光路形成层的残余部分的折射率。
该光路—电路混载基板用材料是至少叠层有两层的复合材料，即，叠层体。
第八要点的光路—电路混载基板用材料与第一要点的光路—电路混载基板用材料相比的不同点在于，具备金属层以替代光透射性树脂层。光路形成层自身可以与第一要点的光路—电路混载基板用材料的光路形成层相同。
第八要点的材料具备光透射性树脂层以及与其邻接的金属层而构成，且光路形成层由通过活性能量线的照射即可使折射率增大的光透射性树脂形成。如果以光路形成层的一部分被活性能量线照射的方式向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，则在光路配线层中，被照射的那一部分的折射率会上升，而变得比没有被照射的部分的折射率大。由于被活性能量线照射的部分和未被照射的部分是邻接关系，因此与第一要点的光路—电路混载基板用材料一样、照射部分获得了作为光波导的核心部的功能，而位于两侧(例如左侧和右侧)的未被照射的部分就获得了作为光波导的包覆部的功能。
从而，在核心部的残余的侧(例如上侧或者下侧)配置折射率小的树脂层或者能反射光的层(例如金属层)，则这些层发挥作为包覆部或反射部的功能，且能够在光路形成层的核心部内传播光。在第八要点中，金属层能够提供如核心部的这样的残余的侧的一方(例如上侧)的反射层。
在第九要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
一种光路—电路混载基板用材料，具备：
金属层、以及
由通过活性能量线的照射即可使折射率减小的光透射性树脂形成、且邻接于金属层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，光路形成层的该一部分的折射率小于没有被照射活性能量线的光路形成层的残余部分的折射率。
该光路—电路混载基板用材料是至少叠层有两层的复合材料，即叠层体。
第九要点的光路—电路混载基板用材料与第二要点的光路—电路混载基板用材料相比的不同点在于，具备金属层以替代光透射性树脂层。光路形成层自身可以与第二要点的光路—电路混载基板用材料的光路形成层相同。
第九要点的材料具备光透射性树脂层以及与其邻接的金属层而构成，且光路形成层由通过活性能量线的照射即可使折射率减小的光透射性树脂形成。如果以光路形成层的一部分被活性能量线照射的方式向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，则在光路配线层中，被照射的那一部分的折射率会减小，而变得比没有被照射的部分的折射率小。由于被活性能量线照射的部分和未被照射的部分是邻接关系，因此照射部分获得了作为光波导的核心部的功能，而位于两侧(例如左侧和右侧，可参照后述的图8(b)的高折射率部5a和低折射率部5b)的未被照射的部分就获得了作为光波导的包覆部的功能。
从而，在核心部的残余的侧(例如上侧或者下侧)配置折射率小的树脂层或者能反射光的层(例如金属层)，则这些层发挥作为包覆部或反射部的功能，且在光路形成层的核心部内传播光。在第九要点中，金属层提供如核心部的这样的残余的侧的一方(例如上侧)的反射层。
在第八要点以及第九要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以在光路形成层用照射部分和非照射部分一方形成光波导的芯层和另一方形成包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工形成电配线，从而将光配线和电配线混载于同一基板上，进而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第十要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
如第八要点所述的光路—电路混载基板用材料，
其特征是：
还具备光透射性树脂层，光路形成层位于金属层和光透射性树脂层之间，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，光路形成层的该一部分的折射率大于光透射性树脂层的折射率。
第十要点的光路—电路混载基板用材料与第八要点的光路—电路混载基板用材料一样，金属层能够提供反射层，另外，光透射性树脂层至少在照射活性能量线之后、最好是不管照射前后都具备比该一部分更小的折射率，而且，夹持光路形成层与金属层相对。其结果，光透射性树脂层向作为核心部的该一部分提供包覆部。
在第十要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以用光路形成层的照射部分形成芯层、且用光路形成层的非照射部分以及光透射性树脂层形成包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工形成电配线，从而将光配线和电配线混载于同一基板上，进而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第十一要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
如第九要点所述的光路—电路混载基板用材料，
其特征是：
还具备光透射性树脂层，光路形成层位于金属层和光透射性树脂层之间，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，关于照射后的状态，没有被照射活性能量线的、光路形成层的该残余部分的折射率大于光透射性树脂层的折射率。
第十一要点的光路—电路混载基板用材料与第八要点的光路—电路混载基板用材料一样，金属层能够提供反射层，另外，光透射性树脂层至少在照射活性能量线之后、最好是不管照射前后都具备比该残余部分更小的折射率，而且，夹持光路形成层与金属层相对。其结果，光透射性树脂层向作为核心部的该剩余部分提供包覆部。
在第十一要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，通过在光路形成层上照射活性能量线，可以用光路形成层的非照射部分形成光波导的芯层、且用光路形成层的照射部分以及光透射性树脂层形成包覆层的同时，还可通过金属层的配线加工形成电配线，从而将光配线和电配线混载于同一基板上，进而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在第十二要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
如第七～第十一要点中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，
其特征是：
金属层具备与其邻接的粘接剂层而构成，粘接剂层位于金属层和光路形成层之间。
在该要点的光路—电路混载基板用材料中，在将金属层设置于光路形成层或者光透射性树脂层之上的时候，夹隔设置粘接剂层。由此，能够提高金属层和光路形成层或者光透射性树脂层之间的结合状态(或者密合性)。粘接剂层的一侧邻接于金属层，另一侧邻接于光路形成层或者光透射性树脂层。
根据第十二要点的本发明的光路—电路混载基板用材料，可以提高由粘接剂层形成的电配线的密合强度，提高电配线的可靠性。
在第十三要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
如第七～第十二要点中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，
其特征是：
还具备支撑体，支撑体构成靠近金属层的侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面。
在本说明书中，所谓“近(或者远)”的描述是指作为问题的层和层之间存在的层的数量少(或者多)，而不是以实际的距离为基准。
该支撑体优选叠层于金属层，从而为光路—电路混载基板用材料赋予机械强度，以便容易对光路—电路混载基板用材料进行各种操作。支撑体的面向金属层的侧优选被进行剥离处理(即，是剥离性支撑体)，并根据需要从光路—电路混载基板用材料剥离下来而露出金属层。只要是能提供机械强度的，任何适当的都可以作为支撑体，例如塑料或者金属薄片。
在第十三要点的本发明的光路—电路混载基板用材料中，可以用支撑体加固金属层，并能提高进行在金属层表面设置树脂层的加工的时候的操作性。
在第十四要点中，本发明提供如下的光路—电路混载基板用材料，即，
如第七～第十三要点中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，
其特征是：
还具备覆盖薄膜而构成，覆盖薄膜构成远离金属层的侧的光路—电路混载基板用材料的表面。
该覆盖薄膜构成光路—电路混载基板用材料的露出表面的至少一方，且优选构成远离金属层的侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面。覆盖薄膜可以是光透射性的、也可以不是。在是光透射性的情况下，即使处于存在覆盖薄膜的状态下，也可以向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线。覆盖薄膜优选由树脂材料形成，例如可以使用聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚醋酸酯薄膜等透明薄膜。覆盖薄膜的厚度没有特别的限定，5～100μm时可适于使用。另外，还可以在覆盖薄膜表面施行脱模处理再使用。
根据第十四要点的本发明的光路—电路混载基板用材料，可以用覆盖薄膜保护树脂层，并能在对光路—电路混载基板用材料进行处理的时候提高操作性。
另外，对于所述的任何一个要点的光路—电路混载基板用材料，其光路形成层都最好能减少从形成于该处的核心部向其外侧透射的光的量、即、最好能减少光损失。为此，光路形成层的光透射率优选0.2dB/cm以下，更优选0.1dB/cm以下。不仅是在照射活性能量线之后，在照射之前，也最好具有这样的透射率。
在所述的本发明的光路—电路混载基板用材料中，为构成光透射性树脂层(即，第一光透射性树脂层)而使用的树脂，可以在形成光波导的时候使用。特别是可以在形成光波导的包覆部的时候使用，本领越技术人员不仅可以使用已知的任何适当的光透射性树脂(或者透明树脂)，也可以使用以下例示的树脂：
·光或者UV固化性树脂(例如ダイキン化学工业(株)制的オプトダインUV-3100等)
·热固化性树脂(例如环氧树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧丙烯酸酯树脂等)
为了给这些树脂赋予阻燃性或者为了使这些树脂吸收活性能量线，可以使其含有添加型或者反应型的卤系、磷系、硅系等的阻燃剂或者紫外线吸收剂。这样的树脂还可以用于构成第二光透射性树脂层等其他光透射性树脂层。
关于通过照射活性能量线改变折射率的树脂(该树脂从广义上讲可以通过光改变折射率，因此在本说明书中，为简便起见称为“感光性树脂”)，本领域技术人员可以使用已知的任何适当的树脂，也可以使用以下例示的树脂：
·通过照射活性能量线增加折射率的树脂：
デユポン社制“ポリガイド(Polyguide)”、在丙烯酸树脂中含有光聚合性聚合物的物质等。
·通过照射活性能量线减小折射率的树脂：
将聚甲基苯基硅烷等聚硅烷、聚碳酸酯树脂溶解于溶剂中后添加光聚合性的丙烯基系单体的复合树脂(将该树脂薄膜化，照射后真空蒸馏去除丙烯基系单体)等。
通过照射活性能量线改变溶剂溶解性的树脂(该树脂从广义上讲可以通过光改变向溶剂的溶解性，因此在本说明书中，为简便起见称为“感光性树脂”)，本领域技术人员可以使用已知的任何适当的树脂，也可以使用以下例示的树脂：
·通过照射活性能量线，实质上变得能够溶解于溶剂的树脂：
光分解性树脂(萘醌系树脂等)
·通过照射活性能量线，实质上变得不能够溶解于溶剂的树脂：
光固化性树脂(丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、硅系树脂等)
电子射线固化性树脂(丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等)
这些树脂必须选择成由该树脂构成的各层至少在照射活性能量线之后满足上述折射率的关系。在进行选择时，应该形成的波导(由核心部以及包覆部或者反射部形成)的大小(长度、宽度等)由本领域技术人员根据光信号的种类(特别是其波长、传输速度)等进行选择。例如，关于折射率，选择构成各层的树脂，以使核心部的折射率大于包覆部的折射率至少约0.1％、优选大于至少约0.2％、更优选大于至少1％。
使用已选择的树脂形成各层的方法，可以采用任何适当的方法，即可以使用在制造配线基板的领域中使用的常用方法。
在所述的本发明的光路—电路混载基板用材料中，为构成粘接剂层而使用的合适的粘接剂，可以例示为环氧树脂系、聚酰亚胺树脂系、不饱和聚酯树脂系、环氧丙烯酸树脂等热固化性树脂系的物质。这样的粘接剂可以含有作为赋予阻燃性的阻燃剂的卤系、磷系、硅系等的阻燃剂，或者可以含有紫外线吸收剂等。
在所述的本发明的光路—电路混载基板用材料中，为构成金属层而使用的金属，可以是在制造配线基板的情况下为形成配线层而使用的一般的金属，例如可以是铜、铝、镍等金属。还可以使用例如铜箔等。金属层可以通过镀膜、蒸镀、溅射等形成。
在向所述的本发明的光路—电路混载基板用材料照射活性能量线的情况下，只要能向光路形成层照射活性能量线，且满足所述的折射率关系，就可以从光路—电路混载基板用材料的任何一侧照射活性能量线。在光路—电路混载基板用材料具备金属层的情况下，由于金属层反射活性能量线，因此以金属层位于光路形成层的背后的状态从前方照射。
在本发明的第十五要点中，本发明提供一种光路—电路混载基板的制造方法，其特征是，包括：
(1)向至少具备光路形成层而构成的光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，从而在光路形成层形成光波导的核心部，并且回路形成层由通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性或者改变折射率的光透射性树脂形成的工序；
(2)在核心部形成光的偏转部的工序；
(3)将金属层粘接在该光路—电路混载基板用材料的工序；以及
(4)加工金属层而形成电路的工序。
在第十五要点的光路—电路混载基板的制造方法的工序(1)中，使用了至少具备由通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性或者改变折射率的光透射性树脂构成的光路形成层的光路—电路混载基板用材料。在该光路—电路混载基板用材料中，由通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性的光透射性树脂构成的光路形成层，或者由通过活性能量线的照射改变折射率的光透射性树脂构成的光路形成层，是参照本发明的此前已说明的光路—电路混载基板用材料，且通过向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而照射光路形成层，可以根据光路形成层的材料，将被照射部分或者未被照射部分作为核心部获得。
从而，通过以将光路形成层的规定部分形成为核心部的方式，向光路形成层的规定部分照射活性能量线，可以在光路形成层形成传播光的波导的核心部。另外，在光路形成层是改变溶剂溶解性的光路形成层的情况下，在照射活性能量线之后，必须用溶剂溶解形成核心部的部分以外的部分。
接着，在工序(2)中，在形成的核心部形成光的偏转部。在这里“光的偏转部”是指改变在核心部内传播的光的至少一部分的传播方向而使其向核心部外射出、和/或改变从核心部外射入的光的至少一部分的传播方向而使其在核心部内传播的元件，且是通常被称为偏转板(deflector)、耦合器(coupler)等的元件。即，偏转部是将在具备核心部的光波导中传播的光向光波导外射出、或者将来自光波导外的光向光波导射入的元件。形成偏转部的位置可以是核心部内的任何适当之处，例如可以在核心部(通常细长)的端部、中间部等处形成。偏转部可以跨过核心部的厚度方向(垂直于光传播方向的方向)的至少一部分存在，也可以根据情况下存在于整个厚度方向。根据需要，还可以延长存在于沿核心部的厚度方向和/或宽度方向的外侧。
此后，在工序(3)中，将金属层粘接在该光路—电路混载基板用材料上。该金属层可以是与参照本发明的光路—电路混载基板用材料的此前说明的金属层相同的金属层。例如，可以是金属箔、金属薄膜、金属薄片等。当粘接该金属层时，可以将金属层经由粘接剂层粘接在光路—电路混载基板用材料上。
另外，在工序(4)中，对粘接的金属层使用任意的适当方法，以能残留规定配线图案的方式进行处理而形成电路。该电路形成，可以使用在配线基板的制造领域中使用的常规方法，即，由金属层形成配线层的情况下使用的任何适当方法。
在本发明的第十六要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
作为光路—电路混载基板用材料，使用所述第一～第六中任何一项要点所述的光路—电路混载基板用材料。
此前说明的本发明的光路—电路混载基板用材料适于使用在第十五要点的制造方法中。
在本发明的第十七要点中，本发明提供一种光路—电路混载基板的制造方法，其特征是，包括：
(1)向至少具备金属层和光路形成层而构成的光路—电路混载基板用材料照射活性能量线，从而在光路形成层形成光波导的核心部，并且回路形成层由通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性或者改变折射率的光透射性树脂形成的工序；
(2)形成光的偏转部的工序；以及
(3)加工金属层而形成电路的工序。
在第十七要点的光路—电路混载基板的制造方法的工序(1)中，使用了至少具备由通过活性能量线的照射改变向溶剂的溶解性或者改变折射率的光透射性树脂和金属层构成的光路形成层以及金属层的作为叠层体的光路—电路混载基板用材料，这一点与十五要点时不同，其结果，不需要进行粘接金属层的工序。此外的特征与第十五要点的方法相同。
在本发明的第十八要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十七要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
作为光路—电路混载基板用材料，使用所述第七～第十三中任何一项要点所述的光路—电路混载基板用材料。
此前说明的本发明的光路—电路混载基板用材料适于使用在第十七要点的制造方法中。
在第十五～第十八要点的任何一个制造方法中，不需要像以往一样在基板上依次堆积包覆层、芯层、包覆层，或者通过镀膜堆积电路等工作上耗费工时数，从而可以使用以往的印刷电路配线板制造技术，以简单方法生产出高质量的光路—电路混载基板。
在本发明的第十九要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十七或者十八要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
以预先形成在光路—电路混载基板用材料的金属层的标记为基准，在规定位置形成波导的核心部、偏转部、电路。
在该制造方法中，在制造光路—电路混载基板用材料时，将基准标记形成于金属层，并基于与该基准标记之间的位置关系，决定活性能量线要照射的位置。例如，基于基准标记，对在照射活性能量线时使用的标记进行定位。另外，基于与基准标记的位置关系，决定设置偏转部之处。当形成电路的时，也基于与基准标记之间的位置关系，决定形成回路之处。就这样，以形成于金属层的相同标记作为基准，形成核心部、偏转部、电路，因此它们之间的位置关系也就固定了。基准标记可以采用任何适当的方式，例如可以是两个100μm×500μm的长方形在它们中央处以十字状交叉的形状的标记。
在第十九要点的制造方法中，由于光波导、偏转部、以及电路是基于基准标记相互定位，因此能以高精度定位光波导、偏转部、以及电路。
在本发明的第二十要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第十八要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成核心部的工序(1)中，在照射活性能量线的同时在光路形成层上形成基准标记，且以该基准标记为基准在规定位置形成偏转部和电路。
在该制造方法中，当形成核心部时照射活性能量线时，通过该照射不仅形成核心部，同时还形成基准标记。这样的标记具有与核心部实质上相同的折射率，但不同点在于不是以传播光为目的、且位于规定之处。
在第二十要点的制造方法中，通过将基准标记的形成与光波导的核心部的形成工序同时进行，可以简化基准标记的形成工序的同时，还可以通过照射活性能量线的曝光，以高的位置关系精度在光路形成层形成光波导的核心部和基准标记，而且还能够以基准标记为基准，相对于光波导的核心部以高的位置精度形成偏转部和电路。
在本发明的第二十一要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第二十要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成电路的工序(4)或者(3)之前，在与形成电路—侧的光路—电路混载基板用材料的表面相反侧的光路—电路混载基板用材料的表面上，粘接基板。
在该制造方法中，在进行光波导的核心部的形成工序(1)以及偏转部的形成工序(2)之后，将形成核心部的面粘接在基板上，然后再形成电路。基板可以是任何适当的基板，但优选向光路—电路混载基板用材料赋予机械强度的、即赋予刚性的基板。作为这样的基板，可以使用例如玻璃·环氧板、玻璃板、金属板等。
在第二十一要点的制造方法中，通过将光路—电路混载基板用材料粘接在基板上而使其能够以被赋予刚性的状态进行电路形成，因此在形成电路时能提高操作性。
在本发明的第二十二要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
根据所述第二十一要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
基板是在表面和/或内部具备电路(为了与由金属层构成的电路(第一电路)区别而称为第二电路)的配线基板，优选是印刷电路配线板，且包含以第一电学方式连接第二电路和形成的电路的工序。
在该制造方法中，配线基板可以是任何适当的配线基板，例如可以是印刷电路配线板。配线基板可以是两面配线基板，也可以是多层配线基板。通过该制造方法，可以容易地制造具有多层结构的光路—电路混载基板。
在本发明的第二十三要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第二十一或者第二十二要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
包括经由粘接剂层粘接基板的工序，其中，粘接剂层具备比核心部的折射率低的折射率。
在该制造方法中，粘接剂层可以使用此前说明的本发明的光路—电路混载基板用材料使用的粘接剂，例如，可以由其折射率被调整为比核心部低的、环氧树脂系、聚酰亚胺树脂系、不饱和聚酯树脂系、环氧丙烯酸树脂系等热固化性树脂系材料形成，且由于折射率满足相应关系，因此粘接剂层可以作为核心部的包覆部利用。其结果，省略了形成包覆部的工序，从而简化了光路—电路混载基板的制造方法。
在本发明的第二十四要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第二十三要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
光路—电路混载基板用材料还具备，构成光路形成层的与存在金属层一侧相反侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面的覆盖薄膜、或者构成光路—电路混载基板用材料的与粘接金属层的侧相反侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面的覆盖薄膜，
且在形成偏转部的工序(2)中，以具备覆盖薄膜的状态，将相对光波导方向倾斜的面至少形成于核心部，并在该倾斜面上形成光反射部，此后，剥离覆盖薄膜。
在该制造方法中，可以将覆盖薄膜作为掩膜利用，另外，还可以用覆盖薄膜保护光路形成层的同时，形成偏转部。根据其目的，覆盖薄膜可以具备光透射性，或者可以不是层。
在本发明的第二十五要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第二十四要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
将相对光波导方向倾斜的面至少形成于核心部，通过向该倾斜面供给包含金属粒子的料浆而形成光反射部，并由此形成偏光部。
在该制造方法中，偏转部的倾斜的面相对于核心部的延伸方向、即、波导的光轴倾斜。倾斜的角度可以是任何适当的角度，例如可以是相对于核心部的延伸方向45°。这种情况下，可以将光的传播方向弯曲成90°。在通过以这样的形式使用料浆而在偏转部形成光反射部的情况下，可以不必像金属蒸镀时那样使用规模庞大的真空装置，就能够形成具备光反射部和反射面的反射体。
偏转部的光反射部的形成，可以通过向倾斜面的金属蒸镀而实施，此时能容易地形成均匀且高纯度的光反射部。
在本发明的第二十六要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第二十五要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在电路形成工序(4)或者(3)中，去除金属层的与偏转部相对(例如位于偏转部上方)的部分，此后在该部分涂敷光透射性树脂。
在该制造方法中，将位于从核心部内经由偏转部向核心部外取出光的方向上(即，位于光的传播方向或者光轴上)的金属层的部分，称为“与偏转部相对的金属层的部分”，并去除该部分。例如在对于核心部的延伸方向成90°上方向角度，从偏转部取出光的情况下，位于偏转部的正上方的金属层被去除。在以其他角度取出光的情况下，则去除例如金属层的位于斜上方的部分。关于光从核心部外经由偏转部进入核心部内的情况，可以与上述说明逆向考虑，从而能容易决定要去除的金属层的部分。
在该光路—电路混载基板的制造方法中，即使去除金属层后的基底是粗糙面，也可以用光透射性树脂覆盖，防止射入到偏转部的光或者从偏转部射出的光产生散射现象，进而防止光波导和外部的光耦合效率的下降。
更优选的一个实施方式是：将光透射性树脂涂敷成凸透镜形状。此时，可以对射入和射出偏转部的光进行聚光，从而进一步防止光波导和外部的光耦合效率的下降。
涂敷的光透射性树脂，优选具备与通过去除金属层露出的树脂相同的折射率。这种情况下，可以降低由两种树脂的折射率之差产生的反射损失，提高光波导和外部的光耦合效率。
在涂敷光透射性树脂的情况下，在进行完去除金属层的与偏转部相对的区域的部分之后，对去除完金属层的该部分之后的部分的周围残存的金属层的表面部分以及端面(或者侧面)进行疏水处理，且在此后再进行光透射性树脂的涂敷。由此，由被去除金属的部分的细微偏差引起的向光透射性树脂的滴下涂敷形状的影响就会变小，从而能够以稳定形状形成光透射性树脂。该疏水处理，优选用低表面能密度的高分子膜244，对去除完金属层的该部分之后的部分的周围残存的金属层的表面部分以及端面进行被覆处理。此时，可以用喷雾器等，仅对期望的区域施行简单的疏水处理。
在本发明的第二十七要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第二十五要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成电路时，去除金属层的相对于偏转部(例如位于偏转部上方)的部分，之后，以与残存在该部分周围的金属层接触的方式，在该部分以透镜体的光轴通过偏转部的方式配置透镜体。
在该方法中，关于金属层的相对于偏转部的部分，与上述的第三十二要点相同。除去该部分的金属层，在该部分上配置透镜体。配置的透镜体可以是能够聚光的任何合适的透镜体，例如可以将球状透镜、半透镜(halflens)等作为透镜体进行配置。在该制造方法中，可以利用透镜体对射入和射出偏转部的光进行聚光，从而能进一步防止光波导和外部的光耦合效率的下降。
关于透镜体的配置，在以与去除金属层部分的周围残存的金属层部分接触的方式配置透镜体时，优选以透镜体的光轴处于通过偏转部的位置的方式，去除金属层的一部分。此时，通过在金属去除部嵌入透镜体，可以高精度且简便地定位透镜体并将其配置在正确的位置，同时在配置多个透镜体的时候，也能以小的位置偏差，容易地进行配置。
透镜体优选球状透镜或者一部分平坦化了的球状透镜，也可以以原状态使用市售的球透镜(ball lens)或者半透镜(half lens)，同时透镜体还能容易地搭载于金属去除部。
在配置透镜体的时候，优选在去除金属层的部分的表面和透镜体之间填充光透射性树脂。在这种情况下，不仅可以降低由透镜体和金属去除部的表面之间的空气层引起的反射损失，还可以用光透射性树脂紧紧固定透镜体。这样的光透射性树脂可以使用前面说明的本发明的光路—电路混载用基板用材料的光透射性树脂层使用的光透射性树脂。
这样的进行填充的光透射性树脂，优选具有与通过去除金属层而露出的树脂相同的折射率。其结果，可以降低由两种树脂的折射率之差引起的反射损失，提高光波导和外部之间的光耦合效果。
在本发明的第二十八要点中，本发明提供以下的光路—电路混载基板的制造方法，
如第十五～第二十七要点中任何一项要点所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
使用具备如下的光透射性树脂层的光路—电路混载用基板用材料，即，形成于光路形成层和金属层之间的、或者形成于在光路形成层的与金属层粘接的侧的表面的、折射率低于核心部的光透射性树脂层。
对于该光路—电路混载用基板的制造方法，在光路—电路混载用基板用材料中，光透射性树脂层和金属层是邻接的、或者光透射性树脂层和光路形成层是邻接的。
该光透射性树脂层可以是参照本发明的光路—电路混载用基板用材料的前面说明的光透射性树脂层。在该制造方法中，可以避免核心部与金属层直接接触，排除光波导损失，从而获得高质量的光路—电路混载用基板。
在本发明的光路—电路混载用基板的制造方法中，偏转部的形成，可至少包含在光路形成层形成相对光波导方向倾斜的面7的工序、以及在该倾斜面的表面形成光反射部的工序等。这种情况下的特征是，通过形成倾斜面和光反射部，可以容易地形成偏转部。
在将相对光波导方向倾斜的面至少形成于光路形成层的情况下，相对光波导方向倾斜的面优选由切削刃的顶角大致是90°或者至少一侧的顶角大致45°的旋转刀片，或者使用刀具(bite)的切削加工而形成。
在这种情况下，在形成用大致90°的偏转角进行光信号的输入输出的大致45°角度的倾斜面的时候，可以通过切削加工，以良好的角度精度和以良好的加工重复性进行加工。除了使用上述的刀片，还可以用其他加工方法，例如可以使用紫外线激光形成偏转部、特别是能形成该倾斜面。
这样的切削加工可以按以下方式进行，即，将旋转刀片或者刀具至少接触在光路形成层的规定位置，并以规定深度切削规定长度之后，将旋转刀片或者刀具远离切削处。此时，通过调整切削长度，可以在形成的多个核心部当中的部分核心部、任意的规定个数的核心部、或者全部核心部上，形成倾斜面。
在切削加工中，由旋转刀片或者刀具进行的规定深度的切削加工，可以以残留形成于光路形成层1的核心部的厚度的一部分的方式进行。由该方式残留一部分，则可以形成分割为将在核心部传播的光从偏转部取出的部分、和使通过的部分的分支输出用偏转部。
更优选的一种方式是，按以下方式进行切削加工，即，将旋转刀片241至少接触到光路形成层201的规定位置并进行切削，之后，使用由比该旋转刀片241的磨粒更小的磨粒形成的第二旋转刀片241，再次切削同样位置。在这种情况下，在用磨粒直径大的旋转刀片切削倾斜面之后，接着可以用磨粒直径小的第二旋转刀片进行精加工，不会由切削力不足引起表面切口端的树脂拉伸或变形、卷边等，从而能以低表面粗糙度和高平滑性形成倾斜面。
偏转部的形成，可通过至少在光路形成层设置具有相对在核心部的光的波导方向或者光轴而倾斜的反射面的反射体，而实施。在这种情况下，可以仅通过将具备反射面的反射体设置在光路形成层，容易地形成偏转部。
另外，在另一个方式中，偏转部的形成，可通过至少在光路形成层内或者光路形成层和与其邻接的层之间的界面，设置周期结构体的工序，而实施。所谓周期结构体是指，沿着光传播方向结构体的特征发生周期性变化的结构体，例如只要能发挥光栅功能的，什么结构都可以，此时可以通过周期结构体的形成而容易形成偏转部。
另外，可以在形成光波导的核心部的工序之前，实施偏转部的形成工序。在该方法中，例如，即使光路形成层的树脂是当形成光波导的核心部时固化的树脂，也可以在固化并硬度变高之前容易形成偏转部。
在通过通孔电连接位于光路—电路混载基板的厚度方向的不同厚度位置的两个电路时候，通过对将作为一方电路的电路配线的金属层当作激光的阻挡层而进行激光加工，可以形成通孔。在这种情况下，可经由通孔，提高电路的导通连接的可靠性。
在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中，另一个方式是，在形成光波导的核心部的工序(1)中，作为光路形成层使用具备通过活性能量线的照射能提高折射率的要素的光路—电路混载基板用材料，并通过控制向光路形成层的活性能量线的照射强度，保留在光路形成层的厚度方向不能提高折射率的部分，而仅提高照射活性能量线的侧的部分的折射率，从而将提高折射率的部分作为核心部获得。在这种情况下，可以用光路形成层的厚度方向的未提高折射率的部分形成包覆部，从而不必在该侧设置用于包覆部的树脂层，进而不仅简化了叠层的层结构，还使光路—电路混载基板的制造变得更加容易。
附图说明
图1是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的实施方式的图，图1(a)～图1(e)分别是示意性截面图。
图2是表示从图1(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图2(a)～图2(e)分别是示意性截面图。
图3是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图3(a)～图3(e)分别是示意性截面图。
图4是表示从图3(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图4(a)～图4(e)分别是示意性截面图。
图5是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图5(a)～图5(e)分别是示意性截面图。
图6是表示从图5(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图6(a)～图6(e)分别是示意性截面图。
图7是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图7(a)～图7(e)分别是示意性截面图。
图8是表示从图7(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图8(a)～图8(e)分别是示意性截面图。
图9是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图9(a)～图9(e)分别是示意性截面图。
图10是表示从图9(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图10(a)～图10(d)分别是示意性截面图。
图11是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图11(a)～图11(e)分别是示意性截面图。
图12是表示从图11(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图12(a)～图12(d)分别是示意性截面图。
图13是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图13(a)～图13(e)分别是示意性截面图。
图14是表示从图13(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图14(a)～图14(d)分别是示意性截面图。
图15是表示本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，图15(a)～图15(e)分别是示意性截面图。
图16是表示从图15(a)的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板时的工序的图，图16(a)～图16(d)分别是示意性截面图。
图17是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的图，图17(a)～图17(h)分别是示意性截面图。
图18是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中、在偏转部形成反射部的实施方式的一例的图，图18(a)和图18(b)是局部放大的示意性截面图。
图19是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中、形成偏转部的实施方式的一例的图，图19(a)和图19(b)是局部放大的示意性截面图。
图20是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中、形成偏转部的实施方式的一例的示意性截面图。
图21是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中、形成具备反射体的偏转部的实施方式的—例工序的图，图21(a)和图21(b)是局部放大的示意性截面图。
图22是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的图，图22(a)～图22(h)分别是示意性截面图。
图23是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例工序的图，图23(a)～图23(h)分别是示意性截面图。
图24是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中，形成偏转部的实施方式的一例的图，图24(a)和图24(b)分别是示意性截面图。
图25是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中，形成向偏转部或者从偏转部有效传输光的机构的本发明的实施方式的一例图，图25(a)、图25(b)以及图25(c)分别是示意性截面图。
图26是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的工序的图，图26(a)～图26(i)是示意性截面图。
图27是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的工序的图，图27(a)～图27(i)是示意性截面图。
图28是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的工序的图，图28(a)～图28(j)是示意性截面图。
图29是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的工序的图，图29(a)～图29(j)是示意性截面图。
图30是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中，形成向偏转部或者从偏转部有效传输光的机构的本发明的实施方式的一例图，图30(a)以及图30(b)是放大的示意性截面图。
图31是表示在本发明的光路—电路混载基板的制造方法中，形成向偏转部或者从偏转部有效传输光的机构的本发明的实施方式的一例图，图31(a)、图31(b)以及图31(c)是放大的示意性截面图。
图32是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的工序的图，图32(a)～图32(k)是示意性截面图。
图33是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的工序的图，图33(a)～图33(i)是示意性截面图。
图中：1-光透射性树脂层，2-光路形成层，3、4、5、6-光路形成层，7-第二光透射性树脂层，8-光路形成层，9-第二光透射性树脂层，10-光路形成层，11-光透射性树脂层，12-光路形成层，13-金属层，14-粘接剂层，15-覆盖薄膜，16-支撑体，201-光路形成层，202-金属层，203-叠层物，204-光波导，204a-核心部，204b-包覆部，205-偏转部，206-电路，207-倾斜面，208-光反射部，209-反射面，210-反射体，211-基板，212-电路，213-通孔，214-粘接剂，215-覆盖薄膜，216-光透射性树脂，217-光透射性树脂层，240-切削刃，241-旋转刀片，244-高分子膜，246-透镜体，247-光透射性树脂。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。
图1(a)是表示第七要点的本发明的光路—电路混载基板用材料的实施方式的一例的图，其中，光透射性树脂层1的单面上以直接接触的方式叠层光路形成层2的同时，在光透射性树脂层1的设置光路形成层2的相反侧的面上叠层有金属层13。该金属层13优选是铜箔。该金属层13的厚度没有特别的限定，但通常是9～70μm左右。
光透射性树脂层1由光透射性树脂构成。光路形成层2由通过活性能量线的照射能改变向溶剂的溶解性的光透射性树脂(或者感光性树脂)构成。这些树脂可以由上述示例的树脂中选择。形成该光路形成层2的树脂，是比形成光透射性树脂层1的树脂具有更高折射率的树脂，或者是在通过活性能量线的照射溶剂溶解度减小的情况下，与通过活性能量线的照射形成光透射性树脂层1的树脂相比折射率变高的树脂。
下面说明制造该光路—电路混载基板用材料的方法的一例。在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其单面、优选在其无光泽面涂敷形成光透射性树脂层1的树脂。作为涂敷的方法可以例示逗点式涂料机、帘式涂料机、金属型涂料机、网板印刷、胶版印刷等。接着，通过在该光透射性树脂层1上，将形成光路形成层2的树脂用同样的涂敷方法进行涂敷，可以获得如图1(a)所示的光路—电路混载基板用材料。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图2(a)所示，在光路形成层2上从与金属层13相反一侧照射活性能量线E而进行曝光。活性能量线的照射是根据光路的核心部的规定图案而进行图案化。例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。
接着，通过向光路形成层2作用溶剂进行显影，可以用溶剂部分地溶解去除光路形成层2。此时，如果光路形成层2由光固化性树脂等、被照射活性能量线的部分的向溶剂的溶解度降低的树脂构成，则被活性能量线照射的部分以外的树脂则会被溶剂溶解，从而留下被照射活性能量线的部分的树脂。另外，如果光路形成层2由光分解性树脂等被照射活性能量线的部分的向溶剂的溶解度提高的树脂构成，则被活性能量线照射的部分的树脂则会被溶剂溶解，从而留下被照射活性能量线的部分以外的树脂。另外，溶剂是根据构成光路形成层的树脂选择。这样的选择，在配线基板的制造领域中可以通过常规的方法实施。
就这样，如图2(b)所示，以规定的光路图案形成光路形成层2之后，在光透射性树脂层1的设置有光路形成层2的侧的面上通过涂敷设置光透射性树脂20，从而如图2(c)所示，用光透射性树脂20覆盖光路图案2。作为该光透射性树脂20，是折射率比光路形成层2、从而比作为核心部的光路图案低的光透射性树脂，例如可以使用与光透射性树脂层1使用的树脂相同的树脂。
另外，预先准备设置有电配线21而制作的印刷电路配线板22，并如图2(d)所示，通过使用粘接剂23在该印刷电路配线板22的表面粘接光透射性树脂层20，叠层印刷电路配线板22。此后，配线加工表面的金属层13，并如图2(e)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。
在图2(e)所示的结构中，由于由光路形成层2决定的光配线图案的折射率大于与光路形成层2直接接触的光透射性树脂层1、光透射性树脂20的折射率，因此构成了光路形成层2成为作为核心部的芯层26、且光透射性树脂层1、光透射性树脂层20成为包覆层27的光波导，从而由光路形成层2形成光路，进而可以作为叠层有基于光路形成层2的光路和电配线21以及电配线24的光路—电路混载基板用材料而使用。另外，如果粘接剂23具备光透射性，且其折射率低于光路形成层2，则可以省略光透射性树脂层20。
在这里，在本发明的材料中，不一定如上述的一样将形成有核心部的光路—电路混载基板用材料叠层到印刷电路配线板22上，还可以以仅在一方侧形成有对光路—电路混载基板用材料的金属层13进行配线加工而获得的电配线24的方式制造光路—电路混载基板用材料，或者，用金属箔代替印刷电路配线板22而进行叠层并由此制造在两侧形成电配线24的光路—电路混载基板。
图1(b)是表示第十二要点的本发明的光路—电路混载基板用材料的另一个实施方式的图，在金属层13和光透射性树脂层1之间设置了阻燃性的粘接剂层14。
在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其单面、如果存在则在其无光泽面上，通过已述的涂敷法涂敷粘接剂，且在粘接剂含有溶剂的情况下则干燥去除它之后，根据需要固化或者半固化，从而形成粘接剂层14。此后，在该粘接剂层14上与上述的一样通过涂敷设置光透射性树脂层1的同时，再在其上通过涂敷设置光路形成层2，从而获得光路—电路混载基板用材料。
就这样，通过在金属层13和树脂层之间设置粘接剂层14，可以用粘接剂层14提高相对于金属层13的树脂层的密接强度。另外，由于粘接剂层14中含有阻燃剂，因此还能赋予阻燃性。
图1(c)是表示第十四要点的本发明的光路—电路混载基板用材料的实施方式的一例的图，在光路形成层2的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15。覆盖薄膜15可通过以下方式形成，即，在金属层13上形成规定的树脂层1以及2之后，通过在其上进行层压形成，或者，是在覆盖薄膜15上涂敷规定的树脂层2，并叠层到形成有光透射性树脂层1的金属层13上而形成。
就这样在树脂层表面粘贴覆盖薄膜15，则树脂层就不会被剥落，因此能提高对光路—电路混载基板用材料进行处理时的操纵性。通过覆盖薄膜15可以进行如图2(a)所示的曝光，且在进行如图2(b)所示的显影的时候，将覆盖薄膜15从树脂层剥离下来。
图1(d)是表示第十三要点的本发明的光路—电路混载基板用材料的实施方式的一例的图。在金属层13的设置光透射性树脂层1的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16。只要是具有刚性的，都可以作为支撑体16，比如可使用金属板、树脂板、陶瓷板等。在作为金属层13使用金属箔的情况下，可以将金属箔以可剥离的方式粘接并贴到支撑体16的表面。还可以通过在支撑体16的表面进行镀膜而形成金属层13。就这样，能够以将在金属层13粘贴支撑体16、并用刚性高的支撑体16加固金属层13的状态，在金属层13的表面进行设置树脂层的加工，或者进行如图2所示的加工，则可以提高加工时的操作性。
图1(e)是表示在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成光路—电路混载基板用材料的一例。
图3(a)是表示第一要点的光路—电路混载基板用材料的实施方式的—例的图。其中，在光透射性树脂层1的单面上以直接接触的方式叠层光路形成层3的同时，在光透射性树脂层1的设置光路形成层3的相反侧的面上叠层有金属层13。光透射性树脂层1和金属层13使用已知的材料。
光路形成层3由通过活性能量线的照射能改变折射率，即由通过活性能量线的照射能提高折射率的光透射性树脂构成。而且，形成该光路形成层3的树脂，是被照射活性能量线的部分的折射率高于没有被照射活性能量线的部分以及光透射性树脂层1的折射率的树脂。
该光路—电路混载基板用材料也与所述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其单面、优选在其无光泽面涂敷形成光透射性树脂层1的树脂，接着，通过在该光透射性树脂层1上，将形成光路形成层3的树脂通过涂敷而制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图4(a)所示，从光路形成层3的与金属层13相反一侧，照射活性能量线E。活性能量线的照射是根据光配线的配线图案而进行图案化的。例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。此时，在光路形成层3中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率变高，从而在光路形成层3中形成照射部分的高折射率部3a和非照射部分的低折射率部3b。光路形成层3的高折射率部3a的折射率高于光透射性树脂层1的折射率。
就这样，如图4(b)所示，在光路形成层3以光配线图案形状形成高折射率部3a之后，在光路形成层3的设置有光透射性树脂层1的一侧的相反侧的面上通过涂敷设置光透射性树脂20，从而如图4(c)所示，用光透射性树脂层20覆盖光路形成层3。作为该光透射性树脂20，是折射率比光路形成层3的高折射率部3a更低的光透射性树脂，例如可以使用与光透射性树脂层1使用的树脂相同的树脂。另外，预先准备设置有电配线21而制作的印刷电路配线板22，并通过使用粘接剂23在该印刷电路配线板22的表面粘接光透射性树脂层20，如图4(d)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，配线加工表面的金属层13，并如图4(e)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。
在图4(e)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层3的高折射率部3a的折射率大于光路形成层3的低折射率部3b、与光路形成层3直接接触的光透射性树脂层1以及光透射性树脂20的折射率，因此光路形成层3的高折射率部3a就成为芯层26、且光路形成层3的低折射率部3b、光透射性树脂层1以及光透射性树脂层20成为包覆层27，并构成了光波导，从而由光路形成层3的高折射率部3a形成光路，进而可以作为叠层了基于光路形成层3的高折射率部3a的光路和电配线22以及电配线24的光路—电路混载基板而使用。
图3(b)、图3(c)、图3(d)、图3(e)表示另一个实施方式。其中，图3(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图3(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15；图3(d)与已述的一样，在金属层13的与设置树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图3(e)与已述的一样，在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成光路—电路混载基板用材料。
图5(a)是表示第二要点的本发明的光路—电路混载基板用材料的实施方式的一例的图。其中，在光透射性树脂层1的单面上以直接接触的方式叠层光路配线层4的同时，在光透射性树脂层1的设置光路形成层4的相反侧的面上叠层有金属层13。光透射性树脂层1和金属层13使用已知的材料。
光路形成层4由通过活性能量线的照射能改变折射率，即由通过活性能量线的照射能降低折射率的光透射性树脂构成。而且，形成该光路形成层4的树脂，是未被照射活性能量线的部分的折射率高于形成光透射性树脂层1的树脂的折射率的树脂。
该光路—电路混载基板用材料也与所述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其单面、优选在其无光泽面涂敷形成光透射性树脂层1的树脂，接着，通过在该光透射性树脂层1上，通过涂敷形成光路形成层4的树脂而制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图6(a)所示，从光路形成层4的金属层13的相反侧，照射活性能量线E。活性能量线的照射是根据光路的核心部的图案的逆图案进行图案化的，可以通过例如紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。此时，在光路形成层4中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率降低，从而在光路形成层4中形成非照射部分的高折射率部4a和照射部分的低折射率部4b。光路形成层4的高折射率部4a的折射率高于光透射性树脂层1的折射率。
就这样，如图6(b)所示，在光路形成层4以光配线图案形状形成高折射率部4a之后，在光路形成层4的设置有光透射性树脂层1的侧的相反侧的面上通过涂敷设置光透射性树脂层20，从而如图6(c)所示，用光透射性树脂层20覆盖光路形成层4。作为该光透射性树脂20，是折射率比光路形成层4的高折射率部4a更低的光透射性树脂，例如可以使用与光透射性树脂层1使用的树脂相同的树脂。另外，预先准备设置有电配线21而制作的印刷电路配线板22，并通过使用粘接剂23在该印刷电路配线板22的表面粘接光透射性树脂层20，如图6(d)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，对表面的金属层13进行配线加工，并如图6(e)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。
在图6(e)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层4的高折射率部4a的折射率大于光路形成层4的低折射率部4b、与光路形成层4直接接触的光透射性树脂层1以及光透射性树脂层20的折射率，因此光路形成层4的高折射率部4a就成为芯层26、且光路形成层4的低折射率部4b、光透射性树脂层1以及光透射性树脂层20成为包覆层27，并由此构成了光波导，从而由光路形成层4的高折射率部4a形成光配线，进而可以作为叠层了基于光路形成层4的高折射率部4a的光配线和电配线22以及电配线24的光路—电路混载基板使用。
图5(b)、图5(c)、图5(d)、图5(e)表示另一个实施方式。其中，图5(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图5(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15；图5(d)与已述的一样，在金属层13的设置有树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图5(e)表示在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成光路—电路混载基板用材料。
图7(a)是表示第八或者第九要点的本发明的实施方式的一例的图，在由通过照射活性能量线改变折射率的光透射性树脂构成的光路形成层5的单侧的面上设置金属层13而形成。金属层13可使用已知的材料。另外，形成光路形成层5的树脂只要是通过照射活性能量线能改变折射率就都可以，例如已述的，通过照射活性能量线能提高折射率或者通过照射活性能量线能降低折射率的都可以。该光路—电路混载基板用材料可以与已述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，可以在其无光泽面涂敷形成光路形成层5的树脂而完成制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图8(a)所示，从光路形成层5的金属层13的相反侧，照射活性能量线E。在形成光路形成层5的树脂是通过活性能量线的照射降低折射率的情况下，活性能量线的照射是根据光配线的配线图案的逆图案进行的，例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。根据图示的实施方式，在光路形成层5中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率就会降低，从而在光路形成层5中就会形成非照射部分的高折射率部5a和照射部分的低折射率部5b。
就这样，如图8(b)所示，在光路形成层5以光配线图案形状形成高折射率部5a之后，在光路形成层5的设置有金属层13的侧的相反侧的面上通过涂敷设置光透射性树脂20，从而如图8(c)所述，用光透射性树脂层20覆盖光路形成层5。作为该光透射性树脂20，是折射率比光路形成层5的高折射率部5a更低的光透射性树脂，例如可以使用与光透射性树脂层1使用的树脂相同的树脂。另外，预先准备设置有电配线21而制作的印刷电路配线板22，并通过使用粘接剂23在该印刷电路配线板22的表面粘接光透射性树脂层20，如图8(d)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，对表面的金属层13进行配线加工，并如图8(e)一样，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。在这里，可以使金属层13保留对应于光路形成层5的高折射率部5a的部分(在图示的方式中，是位于光折射率部5a的上方的部分)，也可以在对应于光路形成层5的高折射率部5a的部分用金属层13形成电配线24。
在图8(e)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层5的高折射率部5a的折射率大于光路形成层5的低折射率部5b、以及与光路形成层5直接接触的光透射性树脂20的折射率，且高折射率部5a与反射光的金属层13进行接触，因此光路形成层5的高折射率部5a就成为芯层26、且光路形成层5的低折射率部5b以及光透射性树脂层20成为包覆层27，并由此构成了光波导，从而由光路形成层5的高折射率部5a形成光配线，进而可以作为叠层了基于光路形成层5的高折射率部5a的光路和电路21以及电路24的光路—电路混载基板使用。
另外，在光路形成层5由通过照射活性能量线能提高折射率的光透射性树脂形成的情况下，通过调整活性能量线的照射时间或者能量强度，可以与后述的图14(b)所示的情况下一样，在光路形成层5内将高折射率部5a仅在与光透射性树脂20接触的侧的部分形成。
图7(b)、图7(c)、图7(d)、图7(e)表示另一个实施方式。其中，图7(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图7(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15；图7(d)与已述的一样，在金属层13的设置有树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图7(e)与已述的一样，在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成光路—电路混载基板用材料。
图9(a)是表示第三要点的本发明的的实施方式的一例的图。其中，在第一光透射性树脂层1的单面上以直接接触的方式叠层光路形成层6的同时，在光路形成层6的设置光透射性树脂层1的相反侧的面上以直接接触的方式叠层有第二光透射性树脂层7，然后在光透射性树脂层1的设置有光路形成层6的侧的相反侧的面上叠层金属层13。
光透射性树脂层1和金属层13使用已知的材料。另外，第二光透射性树脂层7由光透射性树脂构成，且最好具有与第一光透射性树脂层1相同的折射率，因此可使用与第一光透射性树脂层相同的树脂形成。另外，光路形成层6由通过活性能量线的照射能改变折射率，即由通过活性能量线的照射能提高折射率的光透射性树脂构成。作为这样的通过活性能量线的照射能提高折射率的光透射性树脂，可使用与上述的光路形成层3相同的树脂。而且，形成该光路形成层6的树脂，是被照射活性能量线的部分的折射率高于没有被照射活性能量线的部分以及形成光透射性树脂层1的树脂以及形成第二光透射性树脂层7的树脂的折射率的树脂。
该光路—电路混载基板用材料也与所述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其单面、优选在其无光泽面涂敷形成光透射性树脂层1的树脂，接着，通过在该光透射性树脂层1上，将形成光路形成层6的树脂用涂敷方法进行涂敷，然后在这之上涂敷形成第二光透射性树脂层7的树脂，从而完成制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图10(a)所示，从金属层13的相反侧，经由第二光透射性树脂层7，向光路形成层6照射活性能量线E。活性能量线的照射是根据光配线的配线图案而进行图案化的。例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。此时，在光路形成层6中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率就会提高，从而在光路形成层6中就会形成照射部分的高折射率部6a和非照射部分的低折射率部6b。光路形成层6的高折射率部6a的折射率高于光透射性树脂层1和第二光透射性树脂层7的折射率。
就这样，如图10(b)所示，在光路形成层6以光配线图案形状形成高折射率部6a之后，在第二光透射性树脂层7设置有光路形成层6的侧的相反侧的面上的粘接剂层23，并在设置电配线21而制作的印刷电路配线板22的表面粘接粘接剂层23，并由此，如图10(c)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，配线加工表面的金属层13，并如图10(d)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。
在图10(d)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层6的高折射率部6a的折射率大于光路形成层6的低折射率部6b、与光路形成层6直接接触的光透射性树脂层1以及第二光透射性树脂层7的折射率，因此光路形成层6的高折射率部6a就成为芯层26、且光路形成层6的低折射率部6b、光透射性树脂层1以及第二光透射性树脂层7成为包覆层27，并构成了光波导，从而由光路形成层6的高折射率部6a形成光配线，进而可以作为叠层了基于光路形成层6的高折射率部6a的光路和电路21和电路24的光路—电路混载基板使用。
图9(b)、图9(c)、图9(d)、图9(e)表示另一个实施方式。其中，图9(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图9(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15；图9(d)与已述的一样，在金属层13的设置树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图9(e)与已述的一样，在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成光路—电路混载基板用材料。
图11(a)是表示第四要点的本发明的光路—电路混载基板用材料的实施方式的一例的图。其中，在第一光透射性树脂层1的单面上以直接接触的方式叠层光路形成层8的同时，在光路形成层8的与光透射性树脂层1的相反侧的面上以直接接触的方式叠层有第二光透射性树脂层9，然后在光透射性树脂层1的设置有光路形成层8的侧的相反侧的面上叠层金属层13。
第一光透射性树脂层1和金属层13使用已知的材料。另外，第二光透射性树脂层9由光透射性树脂构成，且最好具有与第一光透射性树脂层1相同的折射率，因此可使用与第一光透射性树脂层相同的树脂形成。另外，光路形成层8由通过活性能量线的照射能改变折射率，即由通过活性能量线的照射能减小折射率的光透射性树脂构成。作为这样的通过活性能量线的照射能降低折射率的光透射性树脂，可使用与上述的光路形成层4相同的树脂。而且，形成该光路形成层8的树脂，是未被照射活性能量线的部分的折射率高于形成光透射性树脂层1的树脂以及形成第二光透射性树脂层9的树脂的折射率的树脂。
该光路—电路混载基板用材料也与所述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其无光泽面涂敷形成光透射性树脂层1的树脂，接着，通过在该光透射性树脂层1上，将形成光路形成层8的树脂用涂敷方法进行涂敷，然后在这之上涂敷形成第二光透射性树脂层9的树脂，从而完成制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图12(a)所示，从金属层13的相反侧，经由第二光透射性树脂层9，向光路形成层8照射活性能量线E。活性能量线的照射是根据光配线的配线图案的逆图案而进行图案化的。例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。此时，在光路形成层8中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率就会降低，从而在光路形成层8中就会形成非照射部分的高折射率部8a和照射部分的低折射率部8b。光路形成层8的高折射率部8a的折射率高于光透射性树脂层1和第二光透射性树脂层9的折射率。
就这样，如图12(b)所示，在光路形成层8以光配线图案形状形成高折射率部8a之后，在第二光透射性树脂层9设置有光路形成层8的侧的相反侧的面上的粘接剂层23，并在设置电配线21而制作的印刷电路配线板22的表面上粘接粘接剂层23，并由此，如图12(c)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，对表面的金属层13进行配线加工，并如图12(d)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。
在图12(d)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层8的高折射率部8a的折射率大于光路形成层8的低折射率部8b、与光路形成层8直接接触的光透射性树脂层1以及第二光透射性树脂层9的折射率，因此光路形成层8的高折射率部8a就成为芯层26、且光路形成层8的低折射率部8b、光透射性树脂层1以及第二光透射性树脂层9成为包覆层27，并由此构成了光波导，从而由光路形成层8的高折射率部8a形成光路，进而可以作为叠层了基于光路形成层8的高折射率部8a的光配线和电配线21、24的光路—电路混载基板使用。
图11(b)、图11(c)、图11(d)、图11(e)表示另一个实施方式。其中，图11(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图11(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴有透明的覆盖薄膜15；图11(d)与已述的一样，在金属层13的设置树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图11(e)与已述的一样，在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成光路—电路混载基板用材料。
图13(a)是表示第十要点的本发明的实施方式的一例的图，其中，光路形成层10的单面上以直接接触的方式叠层光透射性树脂层11的同时，在光路形成层10的设置光透射性树脂层11的相反侧的面上叠层有金属层13。
作为金属层13可以使用所述的金属层。另外，光透射性树脂层11由光透射性树脂构成，且可以使用与形成光透射性树脂1一样的树脂。另外，光路形成层10由通过活性能量线的照射能改变折射率，即由通过活性能量线的照射能提高折射率的光透射性树脂构成。这样的通过活性能量线的照射能提高折射率的光透射性树脂，可以使用与上述的光路形成层3相同的树脂。而且，形成该光路形成层10的树脂，是被照射活性能量线的部分的折射率高于没有被照射活性能量线的部分以及形成光透射性树脂层11的树脂的折射率的树脂。
该光路—电路混载基板用材料也与所述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其无光泽面涂敷形成光路形成层10的树脂，接着，通过在该光路形成层10上，将形成光透射性树脂11的树脂用涂敷方法进行涂敷，从而完成制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图14(a)所示，从金属层13的相反侧，透过光透射性树脂层11，照射活性能量线E。活性能量线的照射是根据光配线的配线图案而进行图案化的。例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。此时，在光路形成层10中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率就会提高，从而在光路形成层10中就会形成照射部分的高折射率部10a和非照射部分的低折射率部10b。光路形成层10的高折射率部10a的折射率高于光透射性树脂层11的折射率。
就这样，如图14(b)所示，在光路形成层10能以光配线图案形状形成高折射率部10a。在这里，通过调整活性能量线的照射时间或者能量强度，可以在光路形成层10内将高折射率部10a仅形成与光透射性树脂层11接触的侧的部分，而不形成至与金属层13接触的部分。即，仅到光路形成层的厚度方向的中途形成高折射率部，而该高折射率部不到达金属层。就这样，在光路形成层10上以光配线图案形状形成高折射率部10a之后，在光透射性树脂层11的设置有光路形成层10的侧的相反侧的面上设置粘接剂层23，然后，通过在设置电配线21而制作的印刷电路配线板22的表面粘接粘接剂层23，如图14(c)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，对表面的金属层13进行配线加工，并如图14(d)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。
在图14(d)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层10的高折射率部10a的折射率大于光路形成层10的低折射率部10b、与光路形成层10直接接触的光透射性树脂层11的折射率，因此光路形成层10的高折射率部10a就成为芯层26、且光路形成层10的低折射率部10b以及光透射性树脂层11就成为了包覆层27，并由此构成了光波导，从而由光路形成层11的高折射率部11a形成光配线，进而可以作为叠层了基于光路形成层10的高折射率部10a的光配线和电配线21和电配线24的光路—电路混载基板而使用。
图13(b)、图13(c)、图13(d)、图13(e)表示另一个实施方式。其中，图13(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图13(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15；图13(d)与已述的一样，在金属层13的设置树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图13(e)，在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成有光路—电路混载基板用材料。
图15(a)是表示第十一要点的本发明的实施方式的一例的图，其中，光路形成层12的单面上以直接接触的方式叠层光透射性树脂层11的同时，在光路形成层12的设置光透射性树脂层11的相反侧的面上叠层有金属层13。
光透射性树脂层11和金属层13可使用已述的相应材料。另外，光路形成层12由通过活性能量线的照射能改变折射率，即由通过活性能量线的照射能降低折射率的光透射性树脂构成。这样的通过活性能量线的照射能降低折射率的光透射性树脂，可以使用与上述的光路形成层4相同的树脂。而且，关于形成该光路形成层12的树脂，是被照射后未被照射的部分的折射率高于被照射活性能量线的部分以及形成光透射性树脂层11的树脂的折射率的树脂。
该光路—电路混载基板用材料也与所述的一样，在作为金属层13使用金属箔的情况下，在其无光泽面涂敷形成光路形成层12的树脂，接着，通过在该光路形成层12上，将形成光透射性树脂11的树脂用涂敷方法进行涂敷，从而完成制作。
接着，说明使用这样获得的光路—电路混载基板用材料制造光路—电路混载基板的方法。首先，如图16(a)所示，从金属层13的相反侧，透过光透射性树脂层11，照射活性能量线E。活性能量线的照射是根据光配线的配线图案的逆图案而进行图案化的。例如，可以通过紫外线的掩膜曝光、激光的描绘曝光等，进行活性能量线的图案化照射。此时，在光路形成层12中，没有被活性能量线照射的部分的折射率不变化，而被活性能量线照射的部分的折射率就会降低，从而在光路形成层12中就会形成非照射部分的高折射率部12a和照射部分的低折射率部12b。
就这样，如图16(b)所示，在光路形成层12能以光配线图案形状形成高折射率部12a之后，在光透射性树脂层11的设置有光路形成层12的侧的相反侧的面上设置粘接剂层23，然后，通过在设置电配线21而制作的印刷电路配线板22的表面粘接粘接剂层23，如图16(c)所示，叠层到印刷电路配线板22上。此后，对表面的金属层13进行配线加工，并如图16(d)所示，形成电配线24，然后，通过激光通孔加工和镀膜加工等，将电配线21和电配线24电连接。在这里，可以使金属层保留对应于光路形成层12的高折射率部12a的部分，也可以在对应于光路形成层12的高折射率部12a的部分用金属层13形成电配线24。
在图16(d)所示的结构中，由于光配线图案的光路形成层12的高折射率部12a的折射率大于光路形成层12的低折射率部12b、与光路形成层12直接接触的光透射性树脂层11的折射率，且高折射率部12a与反射光的金属层13接触，因此光路形成层12的高折射率部12a就成为芯层26、且光路形成层12的低折射率部12b以及光透射性树脂层11就成为了包覆层27，并由此构成了光波导，从而由光路形成层12的高折射率部12a形成光配线，进而可以作为叠层了基于光路形成层12的高折射率部12a的光配线和电配线21和电配线24的光路—电路混载基板而使用。
图1 5(b)、图15(c)、图15(d)、图15(e)表示另一个实施方式。其中，图15(b)与已述的一样，在金属层13和树脂层之间设置有阻燃性的粘接剂层14；图15(c)与已述的一样，在树脂层的与金属层13的相反侧的面上粘贴透明的覆盖薄膜15；图15(d)与已述的一样，在金属层13的设置树脂层的侧的相反侧的面上，以可剥离的方式粘贴叠层支撑体16；图15(e)，在支撑体16的两面粘贴金属层13，并在支撑体16的两侧形成有光路—电路混载基板用材料。
另外，如参照上述的涂敷进行说明的一样，光路—电路混载基板用材料具有金属层，但也可以用临时基板(临时支撑体)代替金属层，并与上述的一样，在临时基板上形成作为形成一个或者其以上的各种树脂层的叠层体的复合层。此后，通过从叠层体上剥离临时基板，制造不具备金属层的光路—电路混载基板用材料。这样临时基板可以使用任何的适当的材料，可以使用对叠层树脂层的侧进行剥离处理的金属或者塑料的板、薄片等。
对于由此获得的不具备金属层的光路—电路混载基板用材料，可通过将前面说明的金属层粘接并叠层到光路—电路混载基板用材料，形成上述的具备金属层的光路—电路混载基板用材料，并能够适用于前面说明的或者后面将要说明的光路—电路混载基板的制造中。另外，金属层的粘接，可以在不具备金属层的状态下对光路—电路混载基板用材料进行各种加工后、或者在中途进行。
图17是表示本发明的光路—电路混载基板的制造方法的实施方式的一例的图。在该制造方法中使用的光路—电路混载基板用材料是，如图17(a)所示的具备金属层202、光路形成层201、光透射性树脂层217以及覆盖薄膜215而构成的叠层物3。金属层202用于形成电路206、光路形成层201用于形成光波导204的核心部204a、光透射性树脂层217用于对金属层202和光路形成层201进行粘接，且覆盖薄膜215用于覆盖光路形成层201的表面。
在这里，作为形成光路形成层201的感光性树脂，使用通过紫外线等的活性能量线的照射能改变对溶剂的溶解性的树脂，其中优选透明性高、耐热性好的树脂。具体地说，可以使用与前面的本发明的光路—电路混载基板用材料关联而例示的树脂。
另外，作为形成光透射性树脂层217的光透射性树脂，使用折射率低于光路形成层201(至少光路形成层201的后述的曝光部201a)的折射率的树脂，且优选阻燃性好、能吸收向光路形成层201照射的活性能量线的树脂。在用单一层的光透射性树脂层217很难满足这些条件的情况下，还可以采用形成为粘接低折射率的光路形成层201和金属层202的两层结构。作为形成该光透射性树脂层217的光透射性树脂，更具体是，使用与前面的本发明的光路—电路混载基板用材料关联而例示的树脂。另外为了给该树脂赋予阻燃性，以及为了使该树脂吸收活性能量线，还可以使其含有添加型或者反应型的卤系、磷系、硅系等阻燃剂或者紫外线吸收剂。
另外，作为金属层202，使用与前面的本发明的光路—电路混载基板用材料关联而例示的金属层。例如，可以使用金属箔，且优选例如厚度为9～70μm左右的铜箔。当然并不仅限于此，还可以是铝箔、镍箔等，且厚度也并不陷于上述范围。在该金属层202的设置树脂层的侧的相反侧的面上，用粘接剂等以剥落自由的方式设置刚性的支撑体，则可以提高对金属层202的操作性。作为支撑体，可以使用金属板或者树脂板、陶瓷板等，且金属板202的进行叠层的侧的面是镜面的情况下，在剥离性方面是理想的。另外，也可以在支撑体的表面上通过镀膜而设置金属层202。
另外，作为覆盖薄膜215，可以使用与前面的本发明的光路—电路混载基板用材料关联而例示的覆盖薄膜，但也并不仅限于此。覆盖薄膜215的厚度没有特别的限制，但5～10μm时适合使用。另外还可以在覆盖薄膜215的表面进行脱模处理使用。该覆盖薄膜215不是必要的，即可以使用不具备覆盖薄膜215的叠层物203。
在制作叠层物203时，首先，在作为金属层202使用金属箔的情况下，通过逗点式涂料机、帘式涂料机、金属型涂料机、网板印刷、胶版印刷等手段，在其无光泽面涂敷树脂。在包含溶剂的情况下，将其干燥去除之后，根据需要进行固化，形成光透射性树脂层217。
光透射性树脂层217还可以处于半固化状态，且固化方法和固化条件可根据树脂种类进行适当选择。另外，通过在覆盖薄膜215的表面涂敷感光性树脂而形成光路形成层201，并对光透射性树脂层217和光路形成层201进行粘接和层压，获得如图17(a)所示的叠层物203。另外还可以采用以下方法，即，用上述的方式在金属层202上形成光透射性树脂层217之后，在光透射性树脂层217上涂敷光路形成层201，然后在该光路形成层201上层压覆盖薄膜215。
然后，使用该叠层物203，如图17(b)所示，从金属层202的相反侧，经由覆盖薄膜215，向光路形成层201照射活性能量线E。活性能量线E的照射是根据形成为与光路相同图案的光掩膜(图中未示出)进行。就这样，通过向光路形成层201照射活性能量线E而进行曝光，例如可以提高光路形成层201中的曝光部201a的固化度而降低对于溶剂的溶解度。在这里，通过在金属层202上预先图案化形成基准标记(省略图示)，并以该基准标记为基准决定光掩膜的位置再进行曝光，能够以基准标记为基准决定曝光部201a的形成位置。另外，除了可以进行如上所述的基于紫外线的掩膜曝光，还可以根据感光性树脂的特性使用激光或者电子射线而进行描绘曝光。
接着，形成偏转部205。即，首先如图17(c)所示，从覆盖薄膜215上，将形成光路形成层201的曝光部201a的特定位置，与覆盖薄膜215一同切削成V字型，从而形成V槽221。在这里，可以使用例如设有顶角90°或者单面倾斜45°的切削刃的旋转刀片或者刀具进行切削加工。图17(c)表示了使用具备顶角90°的切削刃的旋转刀片或者刀具的进行切削加工的实例。根据该V槽221，可以通过如后所述方式，形成相对于成为光波导204的核心部204a的曝光部201a的长度方向、即，相对于光波导方向成45°倾斜角度的倾斜面207。另外，该倾斜面207的形成，除了可通过根据刀片或者刀具的切削加工，还可以通过激光消融、推压V型的推压模具(通过挤入形成与模具的凸部互补的模具，一种公模具)等方法进行。
图19表示了一边基于旋转轴242对在外周设置有顶角90°的切削刃240而形成的旋转刀片241进行旋转驱动，一边进行V槽221的切削加工的实例。通过在光路形成层201的曝光部201a上的形成倾斜面207的位置，将旋转刀片241的切削刃240接触到叠层物203之后，再将旋转刀片241远离切削之处，从而进行切削加工。这里的图19(a)所示的实例中，将旋转刀片241沿箭头A方向接触到叠层物203之后，用外周的切削刃240切削规定深度的V槽221之后，按照原样将旋转刀片241沿箭头B方向远离叠层物203。这种情况下，可以形成短的长度的V槽221，从而能仅在一个(或者少数个)曝光部201a上加工V槽221而形成倾斜面207。另外，还可以如同图19(b)所示的实例，将旋转刀片241沿箭头A方向接触到叠层物203之后，接着一边按箭头B沿叠层物203表面进行扫描移动，一边用外周的切削刃240切削规定深度且规定长度的V槽221之后，将旋转刀片241沿箭头C方向远离叠层物203。在这种情况下，可以形成短的长度的V槽221，从而能多个曝光部201a上同时加工V槽221而在各曝光部201a形成倾斜面207。
另外，V槽221通常如图20所示的V槽221a一样，形成于成为后述的光波导204的核心部204a的、曝光部1a的整个厚度方向，且在这种情况下，通过在该V槽221a的倾斜面207以后述的方式形成的偏转部205，从而能够完全阻断核心部204a，且能够用偏转部205使在核心部204a内传播的全部的光偏转并取出。另一方面，通过调整旋转刀片或者刀具的切削深度，如图20中的V槽221b所示，能够形成保留成为光波导204的核心部204a的、曝光部201a的厚度方向一部分的深度。在这种情况下，由于通过形成于该V槽221b的倾斜面207上的偏转部205，不完全阻断核心部204a，因此可以用偏转部205使在核心部204a内传播的一部分光偏转并取出的同时，使另一部分传播光通过偏转部205，由此将偏转部205形成为分支射出镜。
另外，在用旋转刀片241切削加工V槽221的时候，由于在旋转刀片241的切削刃240的表面没有固定形成研磨磨粒，因此作为V槽221的切削表面的倾斜面240的表面粗糙度就成为了问题。
在使用磨粒粒度号大(即磨粒直径细)的旋转刀片241进行切削加工，则虽然能减小V槽221的切削表面的表面粗糙度，但是切削力不足，因此在用旋转刀片241的切削刃240推压到叠层物203而加工形成V槽221时，会出现在旋转刀片241的表面产生拉伸或者变形等不合适状况的问题，且还延长了加工所需的时间而使加工效率也成为了问题之一。因此优选使用以下方法，即，首先使用磨粒粒度号小(即磨粒直径粗)的旋转刀片241，将该旋转刀片241的刀刃240接触到叠层物203，在光路形成层201的规定位置，以规定深度和规定长度粗略切削形成V槽221之后，接着选择磨粒粒度号大(即磨粒直径细)的第二旋转刀片241，使用该第二旋转刀片241再次切削同样的位置，从而精加工规定深度的V槽221。通过该方法，可以稳定地形成不产生由切削力不足引起的加工形状的拉伸、应变的、低表面粗糙度的面。
使用如上所述的方法加工V槽221而形成倾斜面207之后，通过在该倾斜面207上，如图18(a)所示，设置光反射部208，可以形成偏转部205。光反射部208，可通过根据印刷法将银料浆等含有金属粒子的料浆涂敷在倾斜面207而形成。金属粒子并不仅限于银，还可以使用金等具有高反射率的金属。另外，为了提高光反射部208的反射面的平坦度而提高反射效率，金属粒子的粒子直径优选0.2μm以下。金属粒子的粒子直径越小越好，可以使用细到数nm程度的金属粒子。另外，光反射部208的形成，不仅可以使用如上所述的印刷含有金属粒子的料浆的方法，还可以使用通过蒸镀或者溅射等有选择地将金属沉积到倾斜面207的方法。另外，如图18(b)所示，去除覆盖薄膜215而完成偏转部205。
在这里，如图17所示的实施方式中，是从覆盖薄膜215之上进行了V槽221的加工，而在使用不具备覆盖薄膜215的叠层物203的情况下，当然也可以在光路形成层201直接加工形成V槽221。但是，在通过如上所述的印刷含有金属粒子的料浆而形成光反射部208的方法的情况下，如果光路形成层201的表面覆盖有覆盖薄膜215，则可以防止料浆等附着到V槽221以外的光路形成层201的其他地方，因此优选以在光路形成层201的表面贴上覆盖薄膜215的状态进行加工。
另外，在使用V型的推压模具推压光路形成层201而形成V槽221的情况下，将使倾斜45°的表面成为反射面209的反射体210使用为推压模具，并如图21(a)所示，通过在V槽221内按原状态保留反射体210，可由V槽221的倾斜面207和反射面9，形成偏转部205。在这种情况下，由于能在加工V槽221的同时形成偏转部205，因此能削减工时数。这里，在通过如上所述的方式形成偏转部205的时候，可以以预先形成在金属层202的基准标记为基准，决定偏转部205的形成位置。另外，如图21(b)所示，去除覆盖薄膜215。
另外在如图17所示的实施方式中，是在对光路形成层201照射活性能量线而形成作为光波导204的核心部204a的曝光部201a之后，进行了偏转部205的形成加工，但也可以先进行偏转部205的形成加工，之后再对光路形成层201照射活性能量线而形成作为光波导204的核心部204a的曝光部201a，而在这种情况下，可以在由活性能量线照射而固化之前在光路形成层201形成V槽221，从而能容易地形成V槽221。特别是在使用推压推压模具而形成V槽221的情况下，或者在用反射体210形成V槽221的情况下，能够以光路形成层201固化前的柔软的状态容易地形成V槽221，使以高精度形成偏转部成为了可能。
经如上所述的方式形成偏转部205之后，通过剥离覆盖薄膜215、并用溶剂显影，如图17(d)所示，可以溶解去除光路形成层201的曝光部1a以外的部分。
另一方面，预先准备设置有电路212的绝缘基板211。作为设置有该电路212的基板211，可以使用表面形成有由如铜等金属形成的电路212的印刷电路配线板。而且，如图17(e)所示，在基板211的表面，经由粘接剂层214，在叠层物203的光路形成层201侧粘接叠层物203。该粘接剂214由折射率小于光路形成层201的曝光部1a的光透射性树脂形成，且可以使用与形成所述光透射性树脂层217的树脂同样的树脂。另外，可以在光路形成层201的表面设置折射率小的包覆用的光透射性树脂层之后，然后再在基板211上粘接叠层物203。此时，粘接剂214的折射率不受上述的限制。另外，基板211可以是不具备电路212的单单的一个板。在这种情况下，就不需要后述的通孔加工。另外也可以在基板211的两面都粘接叠层物203。
经如上所述的方式在设置有电路212的基板211上粘接叠层物203而进行叠层之后，如图17(f)所示，从金属层202通过光透射性树脂层217和粘接剂214，形成通孔213。可通过激光加工形成通孔213。接着，如图17(g)所示，通过在通孔213的内周施行镀膜而形成电导通部222之后，对金属层202进行光刻图案化以及蚀刻加工，能够获得如图17(h)所示的光路—电路混载基板。这里，在形成电路206时，将预先形成在金属层202的基准标记为基准而进行光刻图案化，能够以基准标记为基准决定电路206的形成位置。
在该光路—电路混载基板中，光路形成层201的曝光部1a成为高折射率的核心部204a、光透射性树脂层217和粘接剂214成为低折射率的包覆部204b，并在曝光部1a形成光波导204，从而混载基于该光波导204的光路和电路206以及电路212。另外，去除金属层的与形成于光波导204端部的偏转部205的正上方相对的部分，用偏转部205反射在光波导204中传播的光，使光的行进方向偏转90°而朝向光路—电路混载基板的厚度方向，并通过光透射性树脂层217向外部射出。另外，从外部经由光透射性树脂层217射入的光，被偏转部205反射而使其行进方向偏转90°，并由此射入到光波导204内。
另外，电路206和电路212通过通孔213的电导通部222进行电连接。这里，在激光加工形成通孔213时，在设置在基板211上的电路212的正上位置通过激光照射加工通孔213，则在通孔213的形成到达电路212时，激光就会被形成电路212的铜等金属反射，电路212的金属就成为阻挡层而使激光不进一步深入进去，从而能电路212形成为通孔213的底面。这样通过将电路212确实地露出在通孔213的底面，可以经由通孔213，提高电路212和电路206之间的导通连接的可靠性。另外，由于作为光波导204的核心部204a的曝光部201a的形成、偏转部205的形成、电路206的形成中，哪一个都可以将预先形成在金属层202的基准标记作为基准定位而形成，因此光波导204和偏转部205以及电路206可将基准标记作为基准相互定位，从而能以高的位置精度形成波导204和偏转部205和电路206。
图22表示本发明的另一个实施方式，如图22(a)所示，本发明使用了由用于形成电路206的金属层202、用于形成光波导204的核心部204a的光路形成层201、用于覆盖光路形成层201的与金属层202的相反侧的表面的覆盖薄膜215构成的叠层物203。
作为形成上述的光路形成层201的感光性树脂，使用通过活性能量线的照射能改变照射区域的折射率的树脂。例如，作为通过紫外线的照射能引起折射率变化的树脂，可以使用在丙烯酸树脂或者聚碳酸酯中含有光聚合性聚合物的复合树脂，或者聚硅烷系树脂等。金属层202和覆盖薄膜215可以使用已述的材料。
在制作叠层物203时，首先，在作为金属层202使用金属箔的情况下，通过逗点式涂料机、帘式涂料机、金属型涂料机、网板印刷、胶版印刷等手段，在其无光泽面涂敷感光性树脂而形成光路形成层201，然后在该光路形成层201的表面层压覆盖薄膜215。
然后，使用该叠层物203，如图22(b)所示，从金属层202的相反侧，经由覆盖薄膜215，向光路形成层201照射紫外线等活性能量线E。活性能量线E的照射是与图17的情况下一样可以通过光掩膜进行，而且，并以在金属层202上预先形成的基准标记为基准决定光掩膜的位置再进行曝光。这样通过向光路形成层201照射活性能量线E并曝光，例如能以提高光路形成层201中的曝光部1a的折射率的方式进行变化，使曝光部201a的折射率高于光路形成层201的其他非曝光部201b的折射率。
在这里，由于活性能量线E从光路形成层201的与金属层202的相反侧的界面照射，因此基于活性能量线E照射的光反应从光路形成层201的与金属层202的相反侧的界面，沿厚度方向向内部进行。因此，通过控制活性能量线E的照射强度，可以在感光性树脂1中的、其厚度方向的金属层202侧的部分，保留非曝光部201b，从而能够仅用与金属层202的相反侧的部分而形成曝光部201a。另外，除了可以进行如上所述的基于紫外线的掩膜曝光，还可以根据感光性树脂的特性，使用激光或者电子射线进行描绘曝光。
接着，如图22(c)所示，加工V槽221，形成偏转部205。该偏转部205的形成，可采用与图17(c)相同的方法。此后，如图22(d)所示，剥离覆盖薄膜215。
在这里，光路形成层201的曝光部201a的折射率高于非曝光部201b的折射率，可以用曝光部201a形成光波导204的核心部204a、用非曝光部204b形成包覆部204b，因此不需要进行如图17的情况中的显影工序。另外，在如图22所示的实施方式中，也可以先进行偏转部205的形成，然后再进行在光路形成层201中形成作为光波导205的核心部204a的曝光部201a的加工。
此后，如图22(e)所示，在设置有印刷电路配线板等电路212的基板211的表面，经由粘接剂214，在叠层物203的光路形成层201侧粘接叠层物203。该粘接剂214由折射率小于光路形成层201的曝光部1a的光透射性树脂形成，且优选具有与光路形成层201的非曝光部1b相同程度的折射率。例如，可以使用与形成所述光透射性树脂层217的树脂同样的树脂。另外，可以在光路形成层201的表面设置折射率小的包覆用树脂层之后，然后再在基板211上粘接叠层物203，此时，粘接剂214的折射率不受上述的限制。另外，基板211可以是不具备电路212的单板，另外也可以在基板211的两面都粘接叠层物203。
经如上所述的方式在设置有电路212的基板211上粘接叠层物203而进行叠层之后，如图22(f)所示，形成通孔213。接着，如图22(g)所示，通过在通孔213的内周形成电导通部222之后，对金属层202进行加工而形成电路206，并由此获得如图22(h)所示的光路—电路混载基板。在这里，通孔213的形成、电导通部222的形成、电路206的形成，都可以使用与图17的情况时相同的方法。
在该光路—电路混载基板中，光路形成层201的曝光部1a成为高折射率的核心部204a、光路形成层201的非曝光部201b以及粘接剂214成为低折射率的包覆部204b，并在曝光部1a形成光波导204，从而混载基于该光波导204的光路和电路206以及电路212。另外，利用形成于光波导204端部的偏转部205，对在光波导204中传播的光进行偏转而向外部射出，并将来自外部的光经偏转部205进行偏转而射入到光波导204内。
图23表示本发明的另一个实施方式，如图23(a)所示，本发明使用了由用于形成电路206的金属层202、用于形成光波导204的核心部204a和包覆部204b的光路形成层201、用于粘接金属层202和光路形成层201的光透射性树脂层217、设置在光路形成层201的与金属层202的相反侧表面的第二光透射性树脂层223、用于覆盖第二光透射性树脂层223的表面的覆盖薄膜215而构成的叠层物203。
在这里，作为形成上述的光路形成层201的感光性树脂，使用通过活性能量线的照射能改变照射区域的折射率的树脂，且可以使用已经例示过的树脂。金属层202和覆盖薄膜215可以使用已述的材料。
另外，作为形成光透射性树脂层217的光透射性树脂，使用折射率低于光路形成层201的后述的曝光部201a的折射率的树脂，且优选与光路形成层201的包覆部204b具备相同程度的折射率的树脂。另外，还优选阻燃性好、能吸收向光路形成层201照射的活性能量线的树脂。在用单一层的光透射性树脂层217很难满足这些条件的情况下，还可以采用形成为粘接低折射率的光路形成层201的侧的层和金属层202的两层结构。作为形成该光透射性树脂层217的光透射性树脂，更具体是，可以使用所述的光固化性树脂、环氧树脂系、聚酰亚胺树脂系、不饱和聚酯树脂系、环氧丙烯酸树脂等热固化性树脂。另外，为了给该树脂赋予阻燃性，或者为了使该树脂吸收活性能量线，还可以使其含有添加型或者反应型的卤系、磷系、硅系等阻燃剂或者紫外线吸收剂。
作为形成光透射性树脂层223的光透射性树脂，使用折射率低于光路形成层201的后述的曝光部204a的折射率的树脂，且优选与光路形成层201的包覆部204b或者上述的光透射性树脂层217具备相同程度的折射率的树脂。另外，必须具备几乎透射向光路形成层201照射的活性能量线的特性。另外，还优选阻燃性好的树脂，且为了给该树脂赋予阻燃性，或者为了使该树脂吸收活性能量线，还可以使其含有添加型或者反应型的卤系、磷系、硅系等阻燃剂或者紫外线吸收剂。
在制作叠层物203时，首先，在作为金属层202使用金属箔的情况下，通过逗点式涂料机、帘式涂料机、金属型涂料机、网板印刷、胶版印刷等手段，在其无光泽面涂敷树脂。而在包含溶剂的情况下，将其干燥去除之后，根据需要进行固化，形成光透射性树脂层217。光透射性树脂层217还可以处于半固化状态，且固化方法和固化条件可根据树脂种类进行适当选择。另外，通过在覆盖薄膜215的表面涂敷感光性树脂而形成光透射性树脂层，接着在这之上涂敷感光性树脂而形成光路形成层201。然后，对光透射性树脂层217和光路形成层201进行粘接和层压，获得如图23(a)所示的叠层物203。另外还可以采用以下方法，即，用上述的方式在金属层202上形成光透射性树脂层217之后，在光透射性树脂层217上通过涂敷形成光路形成层201，然后在覆盖薄膜215上形成第二光透射性树脂层223，并将其粘接层压。另外，还可以采用以下方法，即，用上述的方式在金属层202上形成光透射性树脂层217之后，在光透射性树脂层217上通过涂敷形成光路形成层201，然后在这之上再通过涂敷形成第二光透射性树脂层223，最后在光路形成层201上粘接层压覆盖薄膜215。这些都可以通过连续工序进行。
然后，使用该叠层物203，如图23(b)所示，从金属层202的相反侧，经由覆盖薄膜215以及第二光透射性树脂层223，向光路形成层201照射活性能量线E。活性能量线E的照射是与图17的情况下一样可以通过光掩膜进行，而且，并以在金属层202上预先形成的基准标记为基准决定光掩膜的位置再进行曝光。这样通过向光路形成层201照射活性能量线E并曝光，可以改变曝光部201a的折射率。在如图23(b)所示的实施方式中，在光路形成层201的整体厚度方向上产生光反应，从而在光路形成层201的整体厚度方向形成曝光部201a。
在这里，在光路形成层201的感光性树脂具有通过紫外线等活性能量线的照射提高折射率的性质的情况下，使用仅能与光波导204的核心部204a相同的图案区域的掩膜，且光路形成层201中的曝光部201a以提高折射率的方式变化。另外，在光路形成层201的感光性树脂具有通过紫外线等活性能量线的照射降低折射率的性质的情况下，使用仅能与光波导204的核心部204a相反的图案区域的掩膜，且光路形成层201中的曝光部201a以降低折射率的方式变化，从而非曝光部201b的折射率能够比光路形成层201中的曝光部201a更高。另外，除了可以进行如上所述的基于紫外线的掩膜曝光，还可以根据感光性树脂的特性，使用激光或者电子射线进行描绘曝光。
接着，如图23(c)所示，加工V槽221，形成偏转部205。该偏转部205的形成，可采用与图17(c)相同的方法。此后，如图23(d)所示，剥离覆盖薄膜215。在这里，光路形成层201的曝光部201a和非曝光部201b中的一方成为光波导204的核心部204a、且另一方成为包覆部204b，因此不需要进行如图17的情况中的显影工序。另外，在如图23所示的实施方式中，也可以先进行偏转部205的形成，然后再进行在光路形成层201中形成作为光波导205的核心部204a或者包覆部204b的曝光部201a的加工。
此后，如图23(e)所示，在设置有印刷电路配线板等电路212的基板211的表面，经由粘接剂214，在叠层物203的第二光透射性树脂层223侧粘接叠层物203。该粘接剂214的折射率不受限制，且可以使用具有任意折射率的粘接剂。另外，基板211可以是不具备电路212的单板，另外也可以在基板211的两面都粘接叠层物203。
经如上所述的方式在设置有电路212的基板211上粘接叠层物203而进行叠层之后，如图23(f)所示，形成通孔213，接着，如图23(g)所示，通过在通孔213的内周形成电导通部222之后，对金属层202进行加工而形成电路206，并由此获得如图23(h)所示的光路—电路混载基板。通孔213的形成、电导通部222的形成、电路206的形成，都可以使用与图17时相同的方法。
在该光路—电路混载基板中，在光路形成层201的感光性树脂具有通过紫外线等活性能量线的照射降低折射率的性质的情况下，光路形成层201的非曝光部201b成为高折射率的核心部204a、光路形成层201的曝光部201a和光透射性树脂层217以及第二光透射性树脂层223成为低折射率的包覆部204b，并在非曝光部201b形成光波导204，从而混载基于该光波导204的光路和电路206以及电路212。另外，利用形成于光波导204端部的偏转部205，对在光波导204中传播的光进行偏转而向外部射出，并将来自外部的光经偏转部205进行偏转而射入到光波导204内。当然，在光路形成层201的感光性树脂具有通过紫外线等活性能量线的照射提高折射率的性质的情况下，光路形成层201的曝光部201a成为高折射率的核心部204a、光路形成层201的非曝光部201b和光透射性树脂层217以及第二光透射性树脂层223成为低折射率的包覆部204b，并在曝光部201a形成光波导204。
图24(a)是表示在光波导204的核心部204a形成偏转部205的方法的另一实施例的图。例如，如图17(a)～17(d)所示(不进行V槽221等的加工)，通过在光路形成层201上设置曝光部201a，形成光波导204的核心部204a，且在剥离覆盖薄膜215之后，使用以周期性图案设置格子状的多个微小突起225的压模226，将该微小突起225向形成有核心部204a的光路形成层201的表面推压，从而在成为核心部204a的光路形成层201的曝光部201a的表面，形成周期性格子状槽的微小列227。根据该周期结构体的微小列227可以形成光栅，并能用微小列227，对传播于光波导204的核心部204a的光进行偏转。从而，不必加工设置与上述的各实施方式相同的倾斜面207，而可以用周期结构体的微小列227形成偏转部205。作为压模226，最适于使用将在硅晶片上通过半导体制造工序形成的微小槽作为母模，且由此通过镍的电铸而进行复制并制造的压模。
在通过如上所述方式在光路形成层201的表面使用压模226设置微小列227的情况下，优选对压模226以及在有可能的情况下对光路形成层201的至少形成核心部204a的部分进行加热，软化光路形成层201的形成核心部204a的部分，从而提高复制性。另外，在光路形成层201由通过曝光能固化的树脂构成的情况下，还可以通过在固化前推压压模226而提高复制性。另外，以如上所述方式，在光路形成层201的核心部204a的表面，形成周期结构体的微小列227之后，通过涂刷填充具有与光路形成层201的核心部204a的折射率很大不同的折射率的透明材料，可以形成折射率相差大且偏转效率高的偏转部205。
图24(b)是表示在光波导204的核心部204a形成偏转部205的方法的另一实施例的图，使用在叠层金属层202和光透射性树脂层217以及光路形成层201的同时、贴上覆盖薄膜215而制作的叠层物203，例如，与如图23(a)～23(b)所示，通过在光路形成层201上设置曝光部1a而形成光波导204的核心部204a之后，经覆盖薄膜215，向光路形成层201的形成核心部204a的部分内，聚光照射激光L。通过按这样的方式聚光照射激光L，可以改变被聚光照射部分的光路形成层201的折射率，因此将改变折射率的部分以周期性格子状的微小列228形成。激光L优选使用峰值强度高的脉冲激光，且通过在聚光点提高能量强度，可以仅在该高能量区域对光路形成层201的树脂进行改性而变化折射率。这样通过改变折射率的周期结构体的微小列228，可以形成光栅，且通过微小列228对传播于光波导204的核心部204a的光进行偏转。从而，不必加工设置与上述的各实施方式相同的倾斜面207，而可以用周期结构体的微小列228形成偏转部205。
另外，除了可以用激光L的聚光照射而改变折射率，还可以通过形成空隙，形成周期结构体的微小列228。在通过激光L的聚光照射，对周期结构体的微小列228进行描绘的时候，必须使用具有非常高的数值孔径的透镜229进行聚光，优选使用油浸物镜等。
在图24(a)和图24(b)的任何一个周期结构体中，微小列227、228的周期都设定为用核心部204a的折射率分割被波导了的光的波长的值的间隔。例如，在波导光的波长是850nm、核心部204a的折射率是1.5的情况下，微小列227、228的列的间隔设定为约0.57μm。另外，在形成构成周期结构体的微小列227、228的时候，以预先在金属层202中形成的基准标记为基准，决定其位置。
图25(a)～25(c)是表示光路—电路混载基板的其他实施方法的图。在该光路—电路混载基板中，金属层202的相对于设置在光波导204的偏转部205正上方的部分，在形成电路206的图案化时被蚀刻去除，形成用于通过射入射出偏转部205的光的开口部231。
露出在部分去除该金属层202而形成的开口部231的树脂层(光透射性树脂层217或者光路形成层201)的表面是凹凸程度大的粗糙面，则射入射出偏转部205的光就会被该粗糙面散射，使光的射入射出效率、即光波导204和光的耦合效率极端降低。
因此，在如图25(a)所示的实施方式中，在部分去除金属层202而形成的开口部231中涂敷光透射性树脂216再固化，用光透射性树脂216填上凹凸粗糙面的同时，使光透射性树脂216的表面成平滑面。从而，射入射出偏转部205的光就不会被粗糙面引起散射，由此能大幅改善向偏转部205的光的射入射出效率而提高光的耦合效率。该光透射性树脂216优选具有与基底的树脂层(光透射性树脂层217或者光路形成层201)相同或者相同程度的折射率的树脂。
另外，在如图25(b)所示的实施方式中，在向部分去除金属层202而形成的开口部231涂敷光透射性树脂216时，表面形成隆起形状，从而光透射性树脂216就成为凸透镜形状。通过使光透射性树脂216具备凸透镜形状，可以对射入射出偏转部205的光进行聚光，从而能够改善向偏转部205的射入射出效率，并由此进一步提高光的耦合效率。透镜的凸形状由光透射性树脂216的粘度、基底树脂层以及周围金属层的润湿性、基底树脂层的露出直径等决定，因此可以形成形状偏差小的凸透镜。
另外，在如图25(c)所示的实施方式中，在向部分去除金属层202而形成的开口部231之后，对残存在开口部231周围的金属层202的表面或端面进行疏水处理，并通过在进行疏水处理之后滴下光透射性树脂216的液滴而进行涂敷，可以将光透射性树脂216形成为凸透镜形状。该疏水处理，可通过将呈现低表面能密度而具有防水性的高分子膜244覆盖到开口部231周围的金属层202的表面或者端面而进行，例如可以对氟系高分子的稀释清漆用分配器等滴下或者通过喷射等，覆盖高分子膜244。该光透射性树脂244优选具有与基底的树脂层(光透射性树脂层217或者光路形成层201)相同或者相同程度的折射率的树脂。就这样，通过对开口部231周围的金属层202的表面或端面进行疏水处理，在将光透射性树脂216的液体向开口部231滴下而进行涂敷的时候可以防水，因此即使由于毛刺等而使金属层202的去除不均匀，也可以减小液滴形状的应变的同时，能够使凸相撞的隆起变大，从而即使不是折射率大的树脂材料，也能够增大光透射性树脂216的凸透镜的折射，进而能形成聚光性能优良的凸透镜。
图26是表示本发明的另一个实施方式的图，其中，除了使用以金属层202、光透射性树脂层217、光路形成层201、覆盖薄膜215的顺序叠层的叠层物203之外，是按照图23的实施方式的方法制造光路—电路混载基板的。另外，在图26的实施方式中，如图26(e)所示，作为粘接叠层物203和基板211的粘接剂214，使用了预浸料232，且如图26(i)所示，在光波导204的偏转部205的正上位置设置了光透射性树脂216。
图27是表示本发明的另一个实施方式的图，其中，使用在支撑体223的单面以剥离自由的方式贴上双面粘接带234、并在金属层202上依次叠层光透射性树脂层217、光路形成层201、覆盖薄膜215了的叠层物203。其他是按照图23的实施方式的方法制造光路—电路混载基板的。但是，在图27的实施方式中，如图27(d)所示，偏转部205的形成使用了如图24(a)所示的利用压模226的方法，且如图27(e)一样，在光路形成层201上经由第二光透射性树脂层235而涂敷粘接剂214。另外，如图27(i)所示，在光波导204的偏转部205的正上位置，设置了光透射性树脂216。
图28是表示本发明的另一个实施方式的图，其中，除了使用以金属层202、光透射性树脂层217、光路形成层201、覆盖薄膜215的顺序叠层的叠层物203之外，是按照图23的实施方式的方法制造光路—电路混载基板的。但是，在图28的实施方式中，如图28(c)所示，是使用压模236而形成V槽221，且如图28(e)所示，是在光路形成层201上经由第二光透射性树脂层235而涂敷粘接剂214。另外，如图28(j)所示，在光波导204的偏转部205的正上位置，设置了光透射性树脂216。
图29是表示本发明的另一个实施方式的图，其中，除了使用以金属层202、光透射性树脂层217、光路形成层201、覆盖薄膜215的顺序叠层的叠层物203之外，是按照图23的实施方式的方法制造光路—电路混载基板的。但是，在图29的实施方式中，如图29(e)所示，是在光路形成层201上经由第二光透射性树脂层235而涂敷粘接剂214，另外，如图29(j)所示，在光波导204的偏转部205的正上位置，设置了光透射性树脂216。
图30(a)、(b)是表示光路—电路混载基板的另一个实施方式的图。与如图25的实施方式一样，蚀刻去除金属层202的相对于设置在光波导204的核心部204a的偏转部205正上方的部分而形成开口部231，从而在开口部231露出树脂层(光透射性树脂层217或者光路形成层201)。然后，在该开口部231配置安装用于光耦合受发光部和偏转部205的透镜体246。开口部231的形成，与用金属层202形成电路206的图案化时的蚀刻同时进行，且如所述的一样，能够在以预先形成于金属层202的基准标记为基准而决定的位置，形成开口部231。从而，通过将开口部231的位置以及形状·尺寸设定成、以使透镜体246的外周接触残留在开口部231周围的金属层202的方式嵌入透镜体246而进行配置并搭载时、能使透镜体246的光轴A通过偏转部205的值，可以仅通过对齐于去除金属层202而形成的开口部231的位置、而嵌入并搭载透镜体246，就能简单且高精度地安装透镜体246。
该透镜体246是球形透镜(ball lens)时适于搭载。在这里，作为球形透镜，除了可以使用如图30(a)所示的完整的球形透镜，还可以基于对与安装在正上位置的受发光元件(以及搭载这些的模块等)的表面之间的距离、开口部231的开口形状的精度等的考虑，使用外部的一部分平坦化的透镜，例如，可以使用如图30(b)所示的半球形的半球透镜。
另外，如图30(a)所示，优选以填埋透镜体246与露出在开口部231的基底树脂层(光透射性树脂层217或者光路形成层201)的表面之间的间隙的方式，填充光透射性树脂247。通过以该方式填充光透射性树脂247，可以回避由可能在透镜体246和基底树脂层之间产生的空气层所引起的反射损失，且可以利用光透射性树脂247的粘接作用，紧紧固定透镜体246。该光透射性树脂247优选具有与基底的树脂层(光透射性树脂层217或者光路形成层201)相同或者相同程度的折射率的树脂。
在通过以上的方式用光透射性树脂247固定透镜体246时，光透射性树脂247可以使用通过紫外线等的光的照射能够固化的树脂。在这种情况下，蚀刻去除金属层202的相对于设置在光波导204的核心部204a的偏转部205正上方的部分而形成多处的开口部231，接着，在各开口部231涂敷光固化性树脂247的液体之后，如图31(b)所示，在该光透射性树脂247的液体上分别载置透镜体246，接着，如图31(c)所示，用紫外线等光L一并照射而光固化各开口部231的光透射性树脂247，并由此能够同时固定多个透镜体246。
在上述的各实施方式中，预先在金属层202上设置基准标记，并以该基准标记为基准，形成波导204的核心部204a、偏转部205、电路206，且在形成电路206的同时形成了开口部231等，但是，也可以采用以下方式，即，在用于对核心部204a等进行曝光的光掩膜上预先设置基准标记曝光用图案，并在将光波导204的核心部204a形成于光路形成层201的工序中，在光路形成层201上同时地形成基准标记，接着在后续工序的形成偏转部205或者电路206等时，以该基准标记为基准决定偏转部205和电路206等的位置并完成形成工作。根据该方式，就没有必要预先在金属层202设置基准标记，且由于形成于光路形成层201的光波导204的核心部204a和基准标记的位置关系已被光掩膜精确地确定，因此两者可以有高的位置关系精度，从而通过将该基准标记作为基准，能够获得光波导204的核心部204a与偏转部205或者电路206等之间的高的位置精度。另外，在这种情况下，为了在金属层202上形成电路206时使光路形成层201的基准标记出现，有必要局部性去除大致该位置的金属层202。
实施例
下面，具体说明本发明的实施例。
(实施例1)
金属层13使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法在金属层13涂敷厚度50μm的光透射性树脂A，用功率为2.5J/cm2的高压水银灯进行照射使之固化，形成光透射性树脂层1。接着，通过涂敷厚度80μm的感光性树脂A的清漆并加热干燥，形成厚度40±5μm的光路形成层2，从而制作如图1(a)所示的光路—电路混载基板用材料。
在这里，光透射性树脂A使用ダイキン化学工业(株)制“オプトダインUV-3100”。它是UV固化环氧树脂，且固化后的折射率是1.49。
另外，作为感光性树脂A的清漆，使用由100质量份的ダイセル化学工业(株)制“EHPE-3150”、70质量份的甲基乙基酮、30质量份的甲苯、2质量份的ロ一デイア·ジヤパン(株)制“ロ一ドシル·フオトイニシエ一タ2074”构成的清漆。干燥该清漆，去除溶剂，用功率为10J/cm2的高压水银灯进行照射使之固化后，进行150℃下的1小时后固化处理的固化树脂的折射率是1.53。
将通过以上方法制造的光路—电路混载基板用材料剪切成6cm方形，并经由以光能够按40μm宽度的线状通过的方式制作的掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银灯进行照射使之曝光，进行120℃下的30分钟加热处理(参照图2(a))。接着，通过使用甲苯和グリ一ンスル一(花王(株)制的代替氟利昂的水系洗涤剂)进行显影，去除非曝光部，并在用水洗涤后进行了干燥(参照图2(b))。此后，以覆盖线状的光路形成层2的方式涂敷80μm的光透射性树脂A，再用功率为2.5J/cm2的高压水银灯进行照射使之固化，形成光透射性树脂层20(参照图2(c))，然后，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，在150℃下干燥而形成了粘接剂层23。接着，通过在FR-5型号的印刷电路配线板22上经由粘接剂层23而进行重叠，并在170℃下进行真空压制成形，获得了由线状的光路形成层2形成光波导的核心部26的光路—电路混载基板(参照图2(d)(e))。
在这里，作为粘接剂A的清漆，使用由90质量份的东都化成(株)制“YDB500”(臭氧化环氧树脂)、10质量份的东都化成(株)制“YDCN-1211”(甲酚酚醛清漆型环氧树脂)、3质量份的双氰胺、0.1质量份的四国化成(株)制“2E4MZ”(2乙基4甲基咪唑)、30质量份的甲基乙基酮、8质量份的二甲基甲酰胺构成的清漆。
对于通过如上所述的方法获得的光路—电路混载基板，将与线状(或者柱状)的光路形成层2(即、核心部26)垂直相交的两端面研磨，露出形成光配线的核心部的光路形成层2的端面(图2中能看到的核心部26的面)，然后，从核心部的一边方向的端面经由核心直径50μm的多模光纤维射入波长850μm的近红外光，并用CCD照相机观察从核心部的相反侧的端面射出的光的结果，观测到了存在光的波导，从而确认了能发挥作为光路的功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是6.9N/cm(0.7kg/cm)。
(实施例2)
在实施例1中，在形成光路形成层2之后，在光路形成层2的表面使用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15而进行粘贴，并由此制作如图1(c)所示的光路—电路混载用基板材料。该材料由于不露出光路形成层2，因此操作性好。
另外，除了从覆盖薄膜15之上进行曝光之后再剥离覆盖薄膜15而进行显影，还可以对光路—电路混载用基板材料进行与实施例1相同的加工，获得光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是6.9N/cm(0.7kg/cm)。
(实施例3)
金属层13使用与实施例1相同的铜箔，在金属层13涂敷厚度40μm的粘接剂清漆A，并在150℃下进行干燥，从而形成了粘接剂层14。此后，采用与实施例1一样的方法，在该粘接剂层14上形成光透射性树脂层1、光路形成层2，从而制造了如图1(b)所示的光路—电路混载基板用材料。
而且，通过对光路—电路混载用基板材料进行与实施例1相同的加工，获得了光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是9.8N/cm(1.0kg/cm)，因此确认了通过粘接剂层14提高了金属层13的粘接强度。
(实施例4)
作为支撑体16使用不锈钢板，并通过在不锈钢板的表面用双面粘接带粘接铜箔的发亮面，在支撑体16上粘贴了金属层13。此后，采用与实施例1一样的方法，在该金属层13的表面上形成光透射性树脂层1、光路形成层2，从而制造了如图1(d)所示的光路—电路混载基板用材料。在该材料中，由于薄的金属层13被刚性的支撑体16加固，因此具有良好的操作性。
而且，通过对光路—电路混载用基板材料进行与实施例1相同的加工，且最后剥离支撑体16，从而获得了光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是6.9N/cm(0.7kg/cm)。
(实施例5)
金属层13使用与实施例1相同的铜箔，通过辊式复制法在金属层13涂敷厚度100μm的光透射性树脂B，接着通过加热干燥，形成厚度50±5μm的光路形成层5，从而制作如图7(a)所示的光路—电路混载基板用材料。
在这里，光透射性树脂B使用日本ペイント(株)制“グラシアPS-SR103”。它是聚硅树脂，且在厚度为50μm时的固化后的折射率是1.64，另外，照射10J/cm2的紫外线之后的折射率是在1.58～1.62范围内变化。
将通过以上方法制造的光路—电路混载基板用材料剪切成6cm方形，并经由以按40μm宽度的线状遮蔽光的方式制作的掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银灯向光路形成层5进行照射而曝光(参照图8(a))，从而降低曝光部分的折射率，且将曝光部分作为低折射率部5b，并由此，将未曝光部分形成为高折射率部5a(参照图8(b))。接着，以覆盖光路形成层5的方式涂敷40μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，以便使其固化，并由此形成光透射性树脂层20(参照图8(c))，然后，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂清漆A，在150℃下干燥而形成了粘接剂层23。接着，通过在FR-5型号的印刷电路配线板22上经由粘接剂层23而进行重叠，并在170℃下进行真空压制成形，获得了由线状的高折射率部5a形成光配线的核心部26的光路—电路混载基板(参照图8(d)(e))。
在这里，作为光透射性树脂B，使用了由100质量份的东都化成(株)制“BPAF-DGE”(氟化双酚A型环氧树脂、环氧当量是242)、66质量份的大日本インキ工业(株)制“B650”(甲基六氢邻苯二甲酸酐、酸酐当量是168)、2质量份的サンアプロ(株)制“SA-102”(二氮杂环十一碳烯的辛酸盐)构成的热固化性环氧树脂。对该树脂进行进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，固化后的折射率是1.51。
对这样获得的光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，观测到了光的波导，且还确认了发挥光配线的功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是4.9N/cm(0.5kg/cm)。
(实施例6)
在实施例5中，在形成光路形成层5之后，在光路形成层5的表面使用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15而进行粘贴，并由此制作如图7(c)所示的光路—电路混载用基板材料。该材料由于不露出光路形成层5，因此操作性好。
另外，除了从覆盖薄膜15之上进行曝光之后再剥离覆盖薄膜15而进行显影，进而形成光透射性树脂，还可以对光路—电路混载用基板材料进行与实施例5相同的加工，获得光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是4.9N/cm(0.5kg/cm)。
(实施例7)
金属层13使用与实施例5相同的铜箔，在金属层13上涂敷厚度40μm的粘接剂清漆A，并在150℃下进行干燥，从而形成了粘接剂层14。此后，采用与实施例5一样的方法，在该粘接剂层14上形成光路形成层5，从而制造了如图7(b)所示的光路—电路混载基板用材料。
而且，通过对光路—电路混载用基板材料进行与实施例5相同的加工，获得了光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是8.8N/cm(0.9kg/cm)，因此确认了通过粘接剂层14提高了金属层13的粘接强度。
(实施例8)
作为支撑体16使用不锈钢板，并通过在不锈钢板的表面使用双面粘接带粘接铜箔的发亮面，从而在支撑体16上粘贴了金属层13。此后，采用与实施例5一样的方法，在该金属层13的表面上形成光路形成层5，从而制造了如图7(d)所示的光路—电路混载基板用材料。在该材料中，由于薄的金属层13被刚性的支撑体16加固，因此具有良好的操作性。
而且，通过对光路—电路混载用基板材料进行与实施例1相同的加工，且最后剥离支撑体16，从而获得了光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是4.9N/cm(0.5kg/cm)。
(实施例9)
金属层13使用与实施例1相同的铜箔，通过辊式复制法在金属层13上涂敷厚度100μm的感光性树脂B，接着通过加热干燥，形成厚度50±5μm的光路形成层5，然后，在这之上通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层11，从而制作如图15(a)所示的光路—电路混载基板用材料。
将通过以上方法制造的光路—电路混载基板用材料剪切成6cm方形，并经由以按40μm宽度的线状通过光的方式制作的掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银灯向光路形成层12进行照射而曝光(参照图16(a))，从而降低曝光部分的折射率，且将曝光部分作为低折射率部12b，并由此，将未曝光部分形成为高折射率部12a(参照图16(b))。接着，在光路形成层11的表面涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，在150℃下干燥而形成了粘接剂层23。接着，通过在FR-5型号的印刷电路配线板22上经由粘接剂层23而进行重叠，并在170℃下进行真空压制成形，获得了由线状的高折射率部12a形成光配线的核心部26的光路—电路混载基板(参照图16(c)和图16(d))。
对这样获得的光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，观测到了光的波导，且还确认了发挥光配线的功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是4.9N/cm(0.5kg/cm)。
(实施例10)
在实施例9中，在形成光路形成层12以及光透射性树脂层11之后，在光透射性树脂层11的表面使用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15而进行粘贴，并由此制作如图15(c)所示的光路—电路混载用基板材料。该材料由于不露出树脂层，因此操作性良好。
另外，除了从覆盖薄膜15之上进行曝光之后再剥离覆盖薄膜15而形成粘接剂层23，还可以对光路—电路混载用基板材料进行与实施例9相同的加工，获得光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是4.9N/cm(0.5kg/cm)。
(实施例11)
作为支撑体16使用不锈钢板，并通过在不锈钢板的表面使用双面粘接带粘接铜箔的发亮面，从而在支撑体16上粘贴了金属层13。此后，采用与实施例9一样的方法，在该金属层13的表面形成光路形成层12以及光透射性树脂层11，从而制造了如图15(d)所示的光路—电路混载基板用材料。在该材料中，由于薄的金属层13被刚性的支撑体16加固，因此具有良好的操作性。
而且，通过对光路—电路混载用基板材料进行与实施例1相同的加工，且最后剥离支撑体16，从而获得了光路—电路混载用基板。对该光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，确认了光配线发挥功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是4.9N/cm(0.5kg/cm)。
(实施例12)
金属层13使用与实施例1相同的铜箔，通过辊式复制法在金属层13上涂敷厚度50μm的光透射性树脂A，用功率为2.5J/cm2的高压水银灯进行照射使之固化，形成光透射性树脂层1。接着，通过涂敷厚度80μm的感光性树脂B的清漆并加热干燥，形成厚度40±5μm的光路形成层8，然后，在这之上通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第二光透射性树脂层9，从而制作如图11(a)所示的光路—电路混载基板用材料。
将通过以上方法制造的光路—电路混载基板用材料剪切成6cm方形，并经由以按40μm宽度的线状通过光的方式制作的掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银灯向光路形成层8进行照射而曝光(参照图12(a))，从而降低曝光部分的折射率，且将曝光部分作为低折射率部8b，并由此，将未曝光部分形成为高折射率部8a(参照图12(b))。
接着，在第二光透射性树脂层9的表面涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，在150℃下干燥而形成了粘接剂层23。接着，通过在FR-5型号的印刷电路配线板22上经由粘接剂层23而进行重叠，并在170℃下进行真空压制成形，获得了在光路形成层8上由线状的高折射率部8a形成光配线的核心部26的光路—电路混载基板(参照图12(c)和图12(d))。
对这样获得的光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，观测到了光的波导，且还确认了发挥光配线的功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是6.9N/cm(0.7kg/cm)。
(实施例13)
金属层13使用与实施例1相同的铜箔，通过辊式复制法在金属层13上涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层1。另外，在由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15上，通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第二光透射性树脂层9。接着，将通过浇注感光性树脂C而薄膜化为40μm厚度的光路形成层8，夹持在光透射性树脂层1和第二光透射性树脂层9之间，并通过层压，制作如图11(c)所示的光路—电路混载用基板材料。
在这里，作为感光性树脂C，使用了在四氢呋喃中溶解35质量份的三菱ガス化学(株)制“ユ一ピロンZ”(聚碳酸树脂，折射率是1.59)、20质量份的丙烯酸甲酯、1质量份的苯偶姻乙醚、0.04质量份的对苯二酚的清漆。该感光性树脂C在厚度40μm时的固化树脂的折射率是1.53。接着，用功率为3J/cm2的高压水银灯对其进行照射后，在真空中95℃下12小时后的固化树脂的折射率是在曝光部为1.55～1.58、在非曝光部为1.585～1.59。
将通过以上方法制造的光路—电路混载基板用材料剪切成6cm方形，并将以光能够按40μm宽度的线状通过的方式制作的掩膜，接触到覆盖薄膜15的表面的同时，经由该掩膜，用功率为3J/cm2的高压水银灯进行照射使之曝光(参照图12(a))。接着，放置一个小时后，在267Pa(2Torr)的真空中，在95℃下加热了12个小时。通过以这样的方式进行曝光以及加热处理，曝光部分的折射率就会比未曝光比分低，从而可以用未曝光部分形成高折射率部8a、用曝光部分形成低折射率部8b(参照图12(b)。
接着剥离覆盖薄膜15，然后，在第二光透射性树脂层9的表面涂敷40μm厚的粘接剂清漆A，在150℃下干燥而形成了粘接剂层23。接着，通过在FR-5型号的印刷电路配线板22上经由粘接剂层23而进行重叠，并在170℃下进行真空压制成形，获得了在光路形成层8上由线状的高折射率部8a形成光配线的核心部26的光路—电路混载基板(参照图12(c)和图12(d))。
对这样获得的光路—电路混载用基板进行与实施例1相同的评价的结果，观测到了光的波导，且还确认了发挥光配线的功能。另外，测定形成金属层13的铜箔的剥离强度的结果，是7.8N/cm(0.8kg/cm)。
(实施例14)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法在金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷80μm厚的感光性树脂A的清漆，形成厚度40±5μm的光路形成层201，然后，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图17(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光通过缝隙以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记(线宽度是100μm、尺寸是500μm方的十字形状)为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图17(b))。
接着，使用切断刃40的顶角是90°的旋转刀片241，并以金属层202的基准标记为基准，加工V槽221(参照图17(c))。在这里，旋转刀片241使用デイスコ社的#5000刀片(型号序号“B1E863SD5000L100MT38”)，以转速30000rpm，从覆盖薄膜215侧以下降速度0.03mm/s接触叠层物203而切入80μm深度，接着，以维持该切入深度的同时对20条曝光部1a全部沿直角方向横切的方式，用0.1mm/s的速度扫描移动旋转刀片241之后，最终将旋转刀片远离叠层物203(参照图19(b))。形成的V槽221的表面粗糙度是用rms表示的情况下为60nm，非常理想。
此后，向V槽221的部分滴下分散有粒径10nm以下的银粒子的银料浆，在120℃下加热1小时而去除溶剂的同时，通过加热，在V槽221的倾斜面207上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。
接着，剥离去除覆盖薄膜215，并通过使用甲苯和グリ一ンスル一(花王(株)制的代替氟利昂的水系洗涤剂)进行显影，去除非曝光部，并用水洗涤后进行了干燥(参照图17(d))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷50μm厚的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第二光透射性树脂层，接着，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，150℃下进行干燥，从而形成粘接剂214的层。
接着，使用设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211，在基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图17(e)：图中省略了第二光透射性树脂层)。
此后，在要形成金属层202的通孔213的位置，形成大小100μmφ的保形掩膜孔以及基准导向之后，照射激元激光而形成开口直径100μm的通孔213(参照图17(f))，接着，进行基于高锰酸的去污表面处理，以及进行基于硫酸过氧化氢系的软蚀刻处理之后，通过平面涂敷在通孔213形成电导通部222(参照图17(g))，然后，对金属层202进行图案化而形成电路206，并由此获得光路—电路混载基板(参照图17(h))。而且，通过在光透射性树脂层217的位于偏转部205的正上部的表面上，滴下1μg的与该光透射性树脂层217相同的树脂(即具有相同折射率的树脂)光透射性树脂A，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂216的层(参照图25(a))。
由此获得的光路—电路混载基板中，偏转部205以及设置有其正上方的光透射性树脂216的开口部231，在基于光掩膜被图案化的40μm宽度的光波导204的两端，以成对的方式形成，另外，在电路206上通过球焊锡倒装式安装了裸露的面发光二极管芯片(波长850nm、放射扩展角±10°、放射强度0dBm)和裸露的PIN发光二极管芯片(受光范围38μm)。另外确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-6.8dBm能够受光。
(实施例15)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法向金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷80μm厚的感光性树脂B的清漆，形成厚度50±5μm的光路形成层201，然后，在这之上用辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图26(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光遮蔽区域以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图26(b))。通过这样的曝光，曝光部201a的折射率就变得比非曝光部201b低。
接着，使用切断刃40的顶角为90°的旋转刀片241，并以金属层202的基准标记为基准，加工V槽221(参照图26(c))。在这里，V槽221的加工，是首先用第一旋转刀片241进行切削之后，再用第二旋转刀片241对同一位置进行再次切削而进行。即，第一旋转刀片241使用デイスコ社的#4000刀片(型号序号“B1E863SD4000L100 MT38”)，以转速30000rpm，从覆盖薄膜215侧以下降速度0.03mm/s接触叠层物203而切入90μm深度，接着，以维持该切入深度的同时对20条曝光部1a全部沿直角方向横切的方式，用0.1mm/s的速度扫描第一旋转刀片241之后，最终将第一旋转刀片241远离叠层物203，完成基于第一旋转刀片241的切削。接着，第二旋转刀片241使用デイスコ社的#6000刀片(型号序号“B1E863SD6000L100 MT38”)，以相同条件，扫描同一位置，完成基于第二旋转刀片241的切削。在形成的V槽221中，没有发现小磨粒直径刀片特有的由切削力不足引起的切入表面的拉伸应变，且V槽221的表面粗糙度在用rms表示的情况下是50nm，非常理想。
此后，在V槽221的部分，通过电子束蒸镀，以8/秒的速度，蒸镀厚度2000，且在V槽221的倾斜面207上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。接着，剥离去除覆盖薄膜215(参照图26(d))。
接着，在叠层物203和设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211之间，重叠地夹持设置两片预浸料232，通过在150℃、0.98Mpa(10kgf/cm2)、30分钟条件下进行加热加压，从而利用由预浸料232构成的粘接剂214，将两者粘接(参照图26(e))。
在这里，所述的预浸料，使用将73.6质量份的ダウ·ケミカル(株)制“DER-514”(环氧树脂)、18.4质量份的大日本インキ(株)制“エピクロン613”(环氧树脂)、8质量份的グツドリツテ(株)制“CTBN#13”(橡胶材料)、2.4质量份的双氰胺、0.05质量份的四国化成(株)制“2E4MZ”(2-乙基-4-甲基咪唑)溶解到甲基乙基酮和二甲基甲酰胺的混合溶液而构成的清漆F，在0.1mm厚的玻璃纤维布中浸渍干燥而获得的、树脂含有率为56质量％的环氧预浸料。该预浸料在固化状态下的折射率是1.585。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图26(f)～图26(i))。在这里，在偏转部205的正上部蚀刻金属箔2而形成开口部231之后，通过向开口部231的周围的金属箔2的表面以及端面(或者侧面)滴下1μg的用住友スリ一エム社制的“フロリナ一トFC-77”稀释100倍的旭硝子社制“サイトツプCTL-107M”，再进行干燥，由此进行疏水处理。此后，再在露出在开口部231的光透射性树脂层217的表面，滴下3μg的具有与该光透射性树脂层217大致相同的折射率的东亚合成(株)制“アロニツクス-3100”(光固化性丙烯酸树脂)，并用功率为5J/cm2的高压水银灯进行照射使之固化，形成凸透镜形状的光透射性树脂216的层(参照图25(c))。
由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-4.5dBm能够受光。通过以凸透镜形状形成光透射性树脂216，光波导204和光的耦合效率提高了1～2dB。
(实施例16)
在由厚度100μm的不锈钢板形成的支撑体33上，将双面粘接带34(住友スリ一エム社制的“4591HL、单面弱粘贴用双面粘接带”)以强粘贴层朝向支撑体33的方式粘贴，然后，金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，并用双面粘接带将该金属层202贴到了支撑体上。接着，通过辊式复制法在金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷100μm厚的感光性树脂B的清漆，形成厚度50±5μm的光路形成层201。然后，在这之上通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第二光透射性树脂层223。接着，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图23(a)：省略了支撑体的图示)。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光遮蔽区域以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图23(b))。通过这样的曝光，曝光部1a的折射率就变得比非曝光部1b低。
接着，将金属层202的基准标记作为基准，使用短脉冲激光的聚光照射，在作为光波导204的核心部204a的非曝光部201b上设置周期结构体的微小列28而描绘出光栅耦合器。在这里，激光使用的波长800nm、脉冲宽度150fs、脉冲能量50nJ、脉冲重复1kHz的激光，而且，将该激光经由覆盖薄膜215，利用数值孔径1.25的油浸物镜向光路形成层201的非曝光部201b内进行聚光照射。激光的行程是40μm、移动速度是400μm/s、以直线状扫描移动，并以0.57μm的间隔描绘200条，从而由此设置成为光栅耦合器的周期结构体的微小列28，进而形成偏转部205(参照图24(b))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷40μm的粘接剂A的清漆，并在150℃下进行干燥，形成粘接剂214的层，然后，在设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图23(e))。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图23(f)～图23(h))。另外，在偏转部205的正上部的表面上滴下1μg的与该光透射性树脂层217相同的树脂(即折射率相同的树脂)，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层216(参照图25(a))。
由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-15dBm能够受光。
(实施例17)
在由厚度100μm的不锈钢板形成的支撑体33上，将双面粘接带34(住友スリ一エム社制的“4591HL、单面弱粘贴用双面粘接带”)以强粘贴层朝向支撑体33的方式粘贴，另外，金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，并用双面粘接带34将该金属层202贴到了支撑体33上。接着，通过辊式复制法在金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷40μm厚的感光性树脂C，在氮气气氛中和室温下进行干燥，而形成光路形成层201。接着，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜15而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图27(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光遮蔽区域以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并在氮气气氛中，经由该光掩膜，用功率为3J/cm2的高压水银进行曝光，接着，再放置一个小时之后，在267Pa(2Torr)的真空中95℃温度下加热了12小时(参照图27(b))。通过这样的曝光，光掩膜的光通过区域(曝光部201a)的折射率提高了，而通过此后进行的加热，由于非曝光部201b的甲基丙烯酸甲酯单体进行外扩散，因此其结果非曝光部201b的折射率就变得比曝光部201a高。
接着，剥离去除了覆盖薄膜215(参照图27(c))。
另外，使用根据使用了硅母模的Ni电铸以及基于氟树脂覆盖的表面脱模处理而制作的、且具备间隔0.57μm、凹凸比50％、凹深1.5μm、凸列数200条、凸列宽度40μm的周期性的微小突起25的压模26，以加热压模26至170℃的的状态，并以金属层202的基准标记为基准，向成为光波导204的核心部204a的非曝光部1b推压该压模26，保持该状态冷却后脱模，并由此复制光栅周期结构体的微小列27而形成了偏转部205(参照图27(d))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷50μm的光透射性树脂B，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，形成第三光透射性树脂层35。此后，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，并在150℃下进行干燥，形成粘接剂214的层。然后，在设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图27(e))。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图27(f)～图27(i))。另外，在偏转部205的正上部的表面上滴下1μg的与该光透射性树脂层217相同的树脂(即折射率相同的树脂)，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层216(参照图25(a))。
由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-21dBm能够受光。
(实施例18)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法向金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷80μm厚的感光性树脂A的清漆，加热干燥厚，形成厚度40±5μm的光路形成层201，然后，在这之上用轧辊推压由厚度20μm的透明聚丙烯薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图17(a))。将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用。
另外，对分散有粒经100nm以下的银粒子的银料浆进行成形，以底面是100μm的四方形、高度50μm、顶角90°的二等边三角柱形状预先制作反射体210(在两侧面具有直角二等边三角形的、横倒的三角柱形状中，将直角部作为其顶棱)，然后，以金属层202的基准标记为基准，从顶角侧向叠层物203推压反射体210，贯通覆盖薄膜215，将反射体10埋入到光路形成层201，并由此形成偏转部205(参照图21(a))。
接着，使用将宽度40μm的线状的光通过缝隙以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜，以在金属层202上预先形成的基准标记为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图17(b))。
接着，剥离去除了覆盖薄膜215(参照图27(c))，并通过使用甲苯和グリ一ンスル一(花王(株)制的代替氟利昂的水系洗涤剂)进行显影，去除非曝光部分，并用水洗涤后进行了干燥(参照图17(d))。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图17(f)～图17(h))。另外，在偏转部205的正上部的表面上形成由与光透射性树脂层217相同的树脂(即折射率相同的树脂)构成的光透射性树脂层216的层(参照图25(a))。由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-7.0dBm能够受光。
(实施例19)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法向金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷40μm厚的感光性树脂C，在氮气气氛中和室温下进行干燥，形成光路形成层201。接着，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图28(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光遮蔽区域以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并在氮气气氛中，经由该光掩膜，用功率为3J/cm2的高压水银进行曝光，接着，再放置一个小时之后，在267Pa(2Torr)的真空中95℃温度下加热了12小时(参照图28(b))。通过这样的曝光，光掩膜的光通过区域(曝光部1a)的折射率提高了，而通过此后进行的加热，由于非曝光部1b的甲基丙烯酸甲酯单体进行外扩散，因此其结果非曝光部1b的折射率就变得比曝光部1a高。
接着，使用前端为顶角90°的屋顶型形状的推压模具36(底面是100μm的四方形、高度50μm、顶角90°的二等边三角形状)，以金属层202的基准标记为基准，从顶角侧向叠层物203推压，形成V槽221(参照图28(c))。此时，为了提高基于推压模具36的V槽221的复制性，将推压模具36加热到170℃，且脱模在慢冷却后进行。另外，为了确保脱模性，在推压模具36的表面施行了基于氟树脂覆盖的表面脱模处理。此后，对分散有粒经10nm以下的银粒子的银料浆用分配器向V槽221滴下，在120℃下加热1小时而去除溶剂的同时进行固化，并由此，在V槽221的倾斜面207上设置光反射部208而形成偏转部205(参照图18(a))。接着，剥离去除覆盖薄膜215(参照图28(d))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷50μm的光透射性树脂B，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，形成第三光透射性树脂层35。此后，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，并在150℃下进行干燥，形成粘接剂214的层(参照图28(e))。然后，在设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图28(f))。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图28(g)～图28(i))。另外，在偏转部205的正上部的表面上滴下1μg的与该光透射性树脂层217相同的树脂(即折射率相同的树脂)即光透射性树脂A，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层216(参照图28(j))。
由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-7.1dBm能够受光。
(实施例20)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法向金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷40μm厚的感光性树脂C，在氮气气氛中和室温下进行干燥，形成光路形成层201。接着，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图29(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光遮蔽区域以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并在氮气气氛中，经由该光掩膜，用功率为3J/cm2的高压水银进行曝光，接着，再放置一个小时之后，在267Pa(2Torr)的真空中95℃温度下加热了12小时(参照图29(b))。通过这样的曝光，光掩膜的光通过区域(曝光部201a)的折射率提高了，而通过此后进行的加热，由于非曝光部1b的甲基丙烯酸甲酯单体进行外扩散，因此其结果非曝光部201b的折射率就变得比曝光部201a高。
接着，与实施例14一样，使用顶角90°的旋转刀片241，并以金属层202的基准标记为基准，加工V槽221(参照图29(c))。此后，在V槽221的部分，通过电子束蒸镀，以8/秒的速度，蒸镀2000厚度的金，从而在V槽221的倾斜面207上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。接着，剥离去除覆盖薄膜215(参照图29(d))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷50μm的光透射性树脂A，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，形成第三光透射性树脂层35。此后，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂C的清漆，并在150℃下进行干燥，形成粘接剂214的层(参照图29(e))。然后，在设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图29(f))。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图29(g)～图29(i))。另外，在偏转部205的正上部的表面上滴下1μg的与该光透射性树脂层217相同的树脂(即折射率相同的树脂)即光透射性树脂A，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层216(参照图29(j))。
由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-6.5dBm能够受光。
(实施例21)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过向金属层202涂敷所述的清漆F并在150℃下干燥，形成50μm厚的阻燃性粘接层，然后，在这之上通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。另外，在由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215上涂敷感光性树脂A的清漆，再加热干燥，从而形成厚度50±5μm的光路形成层201。接着，通过重叠并层压光透射性树脂层217和光路形成层201，获得了叠层物203(参照图17(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光通过缝隙以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记(线宽度是100μm、尺寸是500μm方的十字形状)为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图17(b))。
接着，与实施例14一样，使用顶角90°的旋转刀片241，并以金属层202的基准标记为基准，加工V槽221(参照图17(c))。此后，在V槽221的部分，通过电子束蒸镀，以8/秒的速度，蒸镀2000厚度的金，从而在V槽221的倾斜面207上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。接着，剥离去除覆盖薄膜215(参照图17(d))。
此后，采用与实施例14相同的方法，获得了光路—电路混载基板(参照图17(e)～图17(h))。另外，在偏转部205的正上部的表面进行与实施例2相同的疏水处理后，滴下3μg的东亚合成(株)制“アロニツクス-3100”(光固化性丙烯酸树脂)，并用功率为5J/cm2的高压水银灯进行照射使之固化，形成凸透镜形状的光透射性树脂216的层(参照图25(b))。由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-4.2dBm能够受光。
(实施例22)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法在金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷80μm厚的感光性树脂A的清漆，形成厚度40±5μm的光路形成层201，然后，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图32(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光通过缝隙以250μm间隔平行配置20条而形成的光掩膜。然后，以在金属层202上预先形成的基准标记(线宽度是100μm、尺寸：500μm×500μm)为基准，排列对准光掩膜之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图32(b))。
接着，使用切断刃40的顶角是90°的旋转刀片241，并以金属层202的基准标记为基准，加工V槽221(参照图32(c))。在这里，旋转刀片241使用デイスコ社的#5000刀片(型号序号“B1E863SD5000L100MT38”)，以转速30000rpm，从覆盖薄膜215侧以下降速度0.03mm/s接触叠层物203而切入45μm深度，接着，以维持该切入深度的同时对20条曝光部1a全部沿直角方向横切的方式，用0.1mm/s的速度扫描移动旋转刀片241之后，最终将旋转刀片远离叠层物203(参照图19(b))。形成的V槽221的表面粗糙度是用rms表示的情况下为60nm，非常理想。
此后，向V槽221的部分滴下分散有粒径10nm以下的银粒子的银料浆，在120℃下加热1小时而去除溶剂的同时，通过加热，在V槽221的倾斜面207上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。在这里，V槽221是以曝光部1a的厚度方向的一部分的方式形成，从而形成了将在由曝光部1a形成的光波导204的核心部204a之中传播的光的一半从偏转部205射出的同时、将使剩下的一半通过的分支射出镜。
接着，剥离去除覆盖薄膜215，并通过使用甲苯和グリ一ンスル一(花王(株)制的代替氟利昂的水系洗涤剂)进行显影，去除非曝光部，并用水洗涤后进行了干燥(参照图32(d))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷50μm厚的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第三光透射性树脂层，接着，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，150℃下进行干燥，从而形成粘接剂214的层。
接着，使用设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211，在基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图32(e)：图中省略了第三光透射性树脂层)。
此后，在要形成金属层202的通孔213的位置，形成大小100μmφ的保形掩膜孔以及基准导向之后，照射激元激光而形成开口直径100μm的通孔213(参照图32(f))，接着，进行基于高锰酸的去污表面处理，以及进行基于硫酸过氧化氢系的软蚀刻处理之后，通过平面涂敷，在通孔213形成电导通部22(参照图32(g))，然后，对金属层202进行图案化而形成电路206，并由此获得光路—电路混载基板(参照图32(h))。
接着，向与图案化电路206的同时在偏转部205的正方位置的表面形成的直径255μm的开口部231，滴下2μg的具有与该光透射性树脂层217大致相同的折射率的东亚合成(株)制“アロニツクス-3100”(光固化性丙烯酸树脂、粘度3400mPa·s、折射率1.52)，填充光透射性树脂247(参照图32(i))。然后，在这之上搭载由球透镜(材质BK7、折射率1.516)构成的透镜体246(参照图32(j))，全面照射功率为5J/cm2的高压水银灯而固化“アロニツクス-3100”，并由此固定透镜体246(参照图32(k))。
由此获得的光路—电路混载基板中，与实施例14时一样，安装裸露的面发光激光芯片(其中已安装在带有透镜的封装里)和裸露的PIN发光二极管芯片，而且确认了从该面发光激光芯片发出的光通过具备透镜体246的一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-7.2dBm能够分支出射受光。
(实施例23)
金属层202使用厚度35μm的铜箔(古河电工(株)制“MPGT”)，通过辊式复制法在金属层202涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷80μm厚的感光性树脂A的清漆，形成厚度40±5μm的光路形成层201，然后，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图17(a))。感光树脂A的固化树脂的折射率是已述的1.53。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外还使用了将宽度40μm的线状的光通过缝隙以250μm间隔平行配置20条、且具有线宽度为100μm、尺寸为500μm方十字形的基准标记形成用光通过区域的光掩膜。然后，以在上述叠层物203面积内全部放入光掩膜内的所述光通过缝隙以及基准标记形成用光通过区域的方式，调整光掩膜的位置之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图17(b))。由此，在光路形成层201内形成了光波导204的核心部204a以及基准标记(省略图示)。
接着，使用切断刃40的顶角是90°的旋转刀片241，并以在光路形成层201上形成的基准标记为基准，加工V槽221(参照图17(c))。在这里，旋转刀片241使用デイスコ社的#5000刀片(型号序号“B1E863SD5000L100MT38”)，以转速30000rpm，从覆盖薄膜215侧以下降速度0.03mm/s接触叠层物203而切入80μm深度，接着，以维持该切入深度的同时对20条曝光部1a全部沿直角方向横切的方式，用0.1mm/s的速度扫描移动旋转刀片241之后，最终将旋转刀片远离叠层物203(参照图19(b))。形成的V槽221的表面粗糙度是用rms表示的情况下为60nm，非常理想。此后，向V槽221的部分滴下分散有粒径10nm以下的银粒子的银料浆，在120℃下加热1小时而去除溶剂的同时，通过加热，在V槽221的倾斜面207上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。
接着，剥离去除覆盖薄膜215，并通过使用甲苯和グリ一ンスル一(花王(株)制的代替氟利昂的水系洗涤剂)进行显影，去除非曝光部，并用水洗涤后进行了干燥(参照图17(d))。
此后，在叠层物203的光路形成层201侧涂敷50μm厚的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第二光透射性树脂层，接着，在这之上涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，150℃下进行干燥，从而形成粘接剂214的层。
接着，使用设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211，在基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接(参照图17(e)：图中省略了第二光透射性树脂层)。
此后，在形成有光路形成层201的上述基准标记的附近位置，对金属层202进行选择蚀刻，并在金属层202设置φ1.0mm开口部，并由此使得能够从金属层202侧识别基准标记，且在以后的工序中都以该基准标记为基准。即，首先在要形成金属层202的通孔213的位置，形成大小100μmφ的保形掩膜孔以及基准导向之后，照射激元激光而形成开口直径100μm的通孔213(参照图17(f))，接着，进行基于高锰酸的去污表面处理，以及进行基于硫酸过氧化氢系的软蚀刻处理之后，通过平板镀膜，在通孔213形成电导通部22(参照图17(g))，然后，对金属层202进行图案化而形成电路206，并由此获得光路—电路混载基板(参照图17(h))。另外，在偏转部205的正上部的光透射性树脂层217的表面，滴下1μg的与该光透射性树脂层217相同的树脂(即折射率相同的树脂)即光透射性树脂A，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层216(参照图25(a))。
由此获得的光路—电路混载基板中，偏转部205以及设置有其正上方的光透射性树脂216的开口部231，在基于光掩膜被图案化的40μm宽度的光波导204的两端，以成对的方式形成，另外，在电路206上通过球焊锡倒装式安装了裸露的面发光激光芯片(波长850nm、放射扩展角±10°、放射强度0dBm)和裸露的PIN发光二极管芯片(受光范围38μmφ)。另外确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-6.8dBm能够受光。
(实施例24)
在由已施行脱模处理的厚度100μm的不锈钢板形成的支撑体233上，通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层217。接着，在光透射性树脂层217上涂敷100μm厚的感光性树脂B的清漆，再加热干燥，形成厚度50±5μm的光路形成层201。接着，在这之上通过辊式复制法涂敷厚度50μm的光透射性树脂B，再进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成第二光透射性树脂层223。然后，在这之上用轧辊推压由厚度25μm的透明PET薄膜构成的覆盖薄膜215而进行粘贴，最终获得叠层物203(参照图33(a))。
将通过以上方法制造的叠层物203剪切成6cm方形而使用，另外，还使用了将宽度40μm的线状的光通过缝隙以250μm间隔平行配置20条、且具有线宽度为100μm、尺寸为500μm方十字形的基准标记形成用光通过区域的光掩膜。以标记为基准排列对准光掩膜之后，在该叠层物203内全部放入光掩膜内的所述光通过缝隙以及基准标记形成用光通过区域的方式，调整光掩膜的位置之后，在叠层物203的覆盖薄膜215的表面接触光掩膜，并经由该光掩膜，用功率为10J/cm2的高压水银进行曝光(参照图33(b)，图中未示出基准标记)。由此，在光路形成层201内形成了光波导204的核心部204a以及基准标记(省略图示)。
接着，使用顶角90°的旋转刀片241，并以在光路形成层201内形成的基准标记为基准，加工V槽221(参照图33(c))。在这里，旋转刀片241使用デイスコ社的#5000刀片(型号序号“B1E863SD5000L100MT38”)，以转速30000rpm，从覆盖薄膜215侧以下降速度0.03mm/s接触叠层物203而切入100μm深度，接着，以维持该切入深度的同时，对20条波导沿垂直于它们的方向全部横切的方式，用0.1mm/s的速度扫描移动之后，最终远离了旋转刀片。
形成的V槽221的表面粗糙度是用rms表示的情况下为60nm，非常理想。此后，向V槽221的部分，通过电子束蒸镀，以8/秒的速度，蒸镀2000厚度的金，从而在V槽221的倾斜面7上形成设置有光反射部208的偏转部205(参照图18(a))。接着，剥离去除覆盖薄膜215(参照图33(d))。
此后，在叠层物203的第二光透射性树脂层223侧，涂敷40μm厚的粘接剂A的清漆，150℃下进行干燥，从而形成粘接剂214的层，接着，在设置有电路212的FR-5型号的印刷电路配线基板211上重叠叠层物203，并在170℃下进行真空压制成形，将两者粘接，最后，剥离支撑体233(参照图33(e))。
此后，在剥离叠层物203的支撑体233的侧，对带有树脂层(发挥粘接剂层的功能)295的铜箔材料290(松下电工制ARCC R-0880)，在170℃下进行真空压制成形(参照图33(f))。
此后，在形成带树脂铜箔(291)材料290的通孔213的位置，形成大小100μmφ的保形掩膜孔以及基准导向之后，照射激元激光而形成开口直径100μm的通孔213(参照图33(g))，接着，进行基于高锰酸的去污表面处理，以及进行基于硫酸过氧化氢系的软蚀刻处理之后，通过平面涂敷，在通孔213形成电导通部222(参照图33(h))，然后，对铜箔材料290的铜箔层291进行图案化而形成电路206，并由此获得光路—电路混载基板(参照图33(i))。另外，在偏转部205的正上部的粘接剂层295的表面，滴下1μg的与光透射性树脂B，并进行100℃下1小时以及接着150℃下1小时的加热处理，使其固化，并由此形成光透射性树脂层216(参照图25(a))。
由此获得的光路—电路混载基板中，偏转部205以及设置有其正上方的光透射性树脂216的开口部231，在基于光掩膜被图案化的40μm宽度的光波导204的两端，以成对的方式形成，另外，通过与实施例14时一样的方式，安装裸露的面发光激光芯片和裸露的PIN发光二极管芯片，而且，确认了从该面发光激光芯片发出的光通过一对偏转部205和光波导204而到达PIN发光二极管芯片的情况下，在-6.5dBm能够受光。

Claims (28)

1.一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射而折射率增大的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，光路形成层的该一部分的折射率大于光透射性树脂层的折射率。
2.一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射而折射率减小的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
光路形成层的折射率大于光透射性树脂层的折射率，
而且，在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，光路形成层的该一部分的折射率小于没有照射活性能量线的光路形成层的剩余部分的折射率。
3.如权利要求1所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备第二光透射性树脂层，且光路形成层位于光透射性树脂层和第二光透射性树脂层之间，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，光路形成层的该一部分的折射率大于第二光透射性树脂层的折射率。
4.如权利要求2所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备第二光透射性树脂层，且光路形成层位于光透射性树脂层和第二光透射性树脂层之间，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线的情况下，没有照射活性能量线的光路形成层的该残余部分的折射率大于第二光透射性树脂层的折射率。
5.一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射而使向溶剂的溶解性发生改变的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，
光路形成层的折射率大于光透射性树脂层的折射率，
且被照射活性能量线的光路形成层的该一部分，从能被溶剂溶解去除的状态转变为不能被溶剂溶解去除的状态，而且，
没有被照射活性能量线的光路形成层的剩余部分，仍保持能被溶剂溶解去除的状态。
6.一种光路—电路混载基板用材料，具备：
光透射性树脂层、以及
由通过活性能量线的照射而使向溶剂的溶解性发生改变的光透射性树脂形成、且邻接于光透射性树脂层的光路形成层，
其特征是：
光路形成层的折射率大于光透射性树脂层的折射率，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，
被照射活性能量线的光路形成层的该一部分，从不能被溶剂溶解去除的状态转变为能被溶剂溶解去除的状态，而且，
没有被照射活性能量线的光路形成层的剩余部分，仍保持不能被溶剂溶解去除的状态。
7.如权利要求1～6中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备金属层，且光透射性树脂层位于金属层和光路形成层之间。
8.一种光路—电路混载基板用材料，具备：
金属层、以及
由通过活性能量线的照射而折射率增大的光透射性树脂形成、且邻接于金属层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，光路形成层的该一部分的折射率大于没有被照射活性能量线的光路形成层的残余部分的折射率。
9.一种光路—电路混载基板用材料，具备：
金属层、以及
由通过活性能量线的照射而折射率减小的光透射性树脂形成、且邻接于金属层的光路形成层，
其特征是：
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，光路形成层的该一部分的折射率小于没有被照射活性能量线的光路形成层的残余部分的折射率。
10.如权利要求8所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备光透射性树脂层，且光路形成层位于金属层和光透射性树脂层之间，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，光路形成层的该一部分的折射率大于光透射性树脂层的折射率。
11.如权利要求9所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备光透射性树脂层，且光路形成层位于金属层和光透射性树脂层之间，
在向光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而向光路形成层的一部分照射活性能量线时，没有被照射活性能量线的光路形成层的该残余部分的折射率，大于光透射性树脂层的折射率。
12.如权利要求7～11中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
金属层具有与其邻接的粘接剂层，且粘接剂层位于金属层和光路形成层之间。
13.如权利要求7～12中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备剥离性支撑体，且支撑体构成靠近金属层的侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面。
14.如权利要求7～13中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料，其特征是：
还具备光透射性覆盖薄膜，且覆盖薄膜构成远离金属层侧的光路—电路混载基板用材料的表面。
15.一种光路—电路混载基板的制造方法，其特征是，包括：
(1)向至少具备光路形成层的光路—电路混载基板用材料照射活性能量线而在光路形成层形成光波导的核心部，并且回路形成层由通过活性能量线的照射而改变向溶剂的溶解性或者改变折射率的光透射性树脂形成的工序；
(2)在核心部形成光的偏转部的工序；
(3)将金属层粘接在该光路—电路混载基板用材料上的工序；以及
(4)加工金属层而形成电路的工序。
16.如权利要求15所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
光路—电路混载基板用材料，使用权利要求1～6中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料。
17.一种光路—电路混载基板的制造方法，其特征是，包括：
(1)向至少具备金属层和光路形成层的光路—电路混载基板用材料的光路形成层照射活性能量线而在光路形成层形成光波导的核心部，并且回路形成层由通过活性能量线的照射而改变向溶剂的溶解性或者改变折射率的光透射性树脂形成的工序；
(2)在核心部形成光的偏转部的工序；以及
(3)加工金属层而形成电路的工序。
18.如权利要求17所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
光路—电路混载基板用材料，是权利要求7～14中任何一项所述的光路—电路混载基板用材料。
19.如权利要求17或者18所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
以预先形成在光路—电路混载基板用材料的金属层上的基准标记为基准，在规定位置形成光波导的核心部、偏转部、电路。
20.如权利要求15～18中任一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成核心部的工序(1)中，在照射活性能量线的同时在光路形成层上形成基准标记，且以该基准标记为基准在规定位置形成偏转部和电路。
21.如权利要求15～20中任一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成电路的工序(4)或者(3)之前，在与形成电路侧的光路—电路混载基板用材料的表面相反侧的光路—电路混载基板用材料的表面上，粘接基板。
22.如权利要求21所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
还包含以下工序，即，基板是在表面或内部具备第二电路的配线基板，且电连接第二电路和形成的电路的工序。
23.如权利要求21或者22所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
包括经由粘接剂层粘接基板的工序，且粘接剂层具有比核心部的折射率更低的折射率。
24.如权利要求15～23中任何一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
光路—电路混载基板用材料还具备：构成与光路形成层的存在金属层侧相反侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面、或者构成与光路—电路混载基板用材料的粘接金属层侧相反侧的光路—电路混载基板用材料的露出表面的覆盖薄膜，
且在形成偏转部的工序(2)中，以具备覆盖薄膜的状态，将相对光波导方向倾斜的面至少形成于核心部，并在该倾斜面上形成光反射部，此后，剥离覆盖薄膜。
25.如权利要求15～24中任何一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
将相对光波导方向倾斜的面至少形成于核心部，通过向该倾斜面供给包含金属粒子的料浆而形成光反射部，并由此形成偏转部。
26.如权利要求15～25中任何一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成电路时，去除金属层的位于偏转部上方的部分，然后在该部分涂敷光透射性树脂。
27.如权利要求15～25中任何一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
在形成电路时，去除金属层的位于偏转部上方的部分，之后以与残存在该部分周围的金属层接触的方式，在该部分以透镜体的光轴通过偏转部的方式配置透镜体。
28.如权利要求15～27中任何一项所述的光路—电路混载基板的制造方法，其特征是：
光路—电路混载基板用材料具备如下的光透射性树脂层，即，形成于光路形成层和金属层之间、或者形成于粘接金属层侧的光路形成层的表面、并且折射率小于核心部的光透射性树脂层。
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