JP5840989B2 - 光電気混載基板およびその製法 - Google Patents

Description

本発明は、光導波路と電気回路基板とが積層された光電気混載基板およびその製法に関するものである。

最近の電子機器等では、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて、光配線が採用されている。そのようなものとして、例えば、図１０に示すように、ポリイミド等からなる絶縁性基板５１の表面に電気配線５２が形成されてなる電気回路基板Ｅ₀ の上記絶縁性基板５１の裏面（電気配線５２の形成面と反対側の面）に、エポキシ樹脂等からなる光導波路（光配線）Ｗ₀ （アンダークラッド層５６，コア５７，オーバークラッド層５８）が積層された光電気混載基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、上記光電気混載基板では、絶縁性基板５１（ポリイミド樹脂等）と光導波路Ｗ₀ （エポキシ樹脂等）とが接しているため、両者の線膨張係数の差から、周囲の温度により、光導波路Ｗ₀ に応力や微小な曲がりが発生し、それが原因で、光導波路Ｗ₀ の光伝播損失が大きくなる。

一方、光電気混載基板として、図１１に示すように、上記絶縁性基板５１と光導波路Ｗ₀ との間にステンレス層Ｍ₀ を全面的に設けたものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。このものでは、上記ステンレス層Ｍ₀ が補強材として作用するため、上記光導波路Ｗ₀ に発生する応力や微小な曲がりが防止され、光伝播損失の増加が抑制される。

特開２０１０−１６４６５５号公報 特開２００９−２６５３４２号公報

光電気混載基板は、上記のように、光伝播損失の増加を抑制することが求められるが、それに加えて、場合によって、フレキシブル性も求められる。しかしながら、光伝播損失を小さくするために、上記のように（図１１参照）ステンレス層Ｍ₀ を全面的に設けると、そのステンレス層Ｍ₀ がフレキシブル性の妨げとなる。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光伝播損失の増加を抑制することができるとともに、フレキシブル性にも優れている光電気混載基板およびその製法の提供をその目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明は、絶縁層の表面に電気配線が形成されてなる電気回路基板と、この電気回路基板の上記絶縁層の裏面に金属層を介して形成された光導波路とを備えた帯状の光電気混載基板であって、その帯状の光電気混載基板の長手方向の両端部の間の部分において、上記金属層が、上記帯状の光電気混載基板の長手方向に沿う複数の帯体を有するパターンに形成され、そのパターン形成により除去された上記金属層の除去跡に対応する部分に、上記光導波路のコアが配設されている光電気混載基板を第１の要旨とする。

また、本発明は、金属層の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の表面に電気配線を形成した後、上記金属層の裏面に光導波路を形成する帯状の光電気混載基板の製法であって、上記光導波路の形成に先立って、上記帯状の光電気混載基板の長手方向の両端部の間の上記金属層の部分をエッチングにより、その帯状の光電気混載基板の長手方向に沿う複数の帯体を有するパターンに形成し、その後、上記エッチングにより除去された上記金属層の除去跡に対応する部分に光導波路のコアが配設されるよう、光導波路を形成し、上記第１の要旨の光電気混載基板を得る光電気混載基板の製法を第２の要旨とする。

本発明の光電気混載基板は、長手方向の両端部の間の部分では、金属層が、その長手方向に沿う複数の帯体を有するパターンに形成されている。すなわち、金属層が全面的ではなく分散的に形成された状態になっている。そのため、長手方向の両端部の間の部分では、フレキシブル性に富むものとなっている。これにより、本発明の光電気混載基板を変形させた状態で用いることができ、本発明の光電気混載基板の用途の自由度が広がる。また、本発明の光電気混載基板が衝撃を受ける等しても、容易に変形して、上記衝撃を緩和することができる。上記変形は、上記パターン形成により金属層が除去された部分（除去跡）に優先的に生じるものの、上記金属層からパターン形成された上記複数の帯体が補強材として作用し、それにより、上記光導波路のコアに発生する応力や微小な曲がりを防止し、光導波路の光伝播損失の増加を抑えることができる。このように、本発明の光電気混載基板は、長手方向の両端部の間の部分において、フレキシブル性に優れているとともに、光伝播損失の増加抑制にも優れている。

特に、上記光電気混載基板の一部が屈曲予定部に形成され、その屈曲予定部に対応する上記金属層の部分が部分的に除去され、その除去跡に上記光導波路のクラッド層が入り込んで埋めている場合には、上記金属層が屈曲の妨げにならないため、屈曲性に優れている。また、上記金属層の除去部分を繰り返し屈曲させても、金属層の破断が起こらないことから、光導波路のコアの破断も起こらず、繰り返し屈曲に対する耐性にも優れている。さらに、上記金属層の除去跡は、空洞ではなく、光導波路のクラッド層が入り込んで埋めているため、上記屈曲予定部を屈曲させても、光導波路のコアの形状が安定し、適正な光伝播を維持することができる。

また、本発明の光電気混載基板の製法では、光導波路の形成に先立って、光電気混載基板の金属層をエッチングにより複数の帯体を有するパターンに形成し、その後、上記エッチングにより除去された上記金属層の除去跡に対応する部分に光導波路のコアが配設されるよう、光導波路を形成するため、上記のような、フレキシブル性に優れているとともに、光伝播損失の増加抑制にも優れている光電気混載基板を簡単に得ることができる。

特に、上記エッチングの際に、上記光電気混載基板の屈曲予定部に対応する上記金属層の部分をエッチングにより除去する場合には、上記のような、屈曲性および繰り返し屈曲に対する耐性にも優れている光電気混載基板を容易に得ることができる。

本発明の光電気混載基板の第１の実施の形態を模式的に示し、（ａ）はその縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）の帯体とコアの配置を示す底面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ断面の拡大図である。 （ａ）〜（ｄ）は、上記光電気混載基板の製法における電気回路基板の作製工程を模式的に示す説明図である。 上記光電気混載基板の製法における金属層のエッチング工程を模式的に示す説明図である。 （ａ）〜（ｃ）は、上記光電気混載基板の製法における光導波路の作製工程を模式的に示す説明図である。 本発明の光電気混載基板の第２の実施の形態の、帯体とコアの配置を模式的に示す底面図である。 本発明の光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す横断面図である。 本発明の光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す横断面図である。 上記各実施の形態の光電気混載基板の変形例を模式的に示す横断面図である。 上記各実施の形態の光電気混載基板の他の変形例を模式的に示す横断面図である。 従来の光電気混載基板を模式的に示す縦断面図である。 他の従来の光電気混載基板を模式的に示す縦断面図である。

つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。

図１（ａ）は、本発明の光電気混載基板の第１の実施の形態を模式的に示す縦断面図であり、図１（ｂ）は、上記光電気混載基板の、金属層Ｍからパターン形成された帯体Ｍａと光導波路Ｗのコア７の配置を示す底面図〔配置をわかり易くするため、金属層Ｍ（帯体Ｍａ），コア７等の一部の構成のみを図示している〕であり、図１（ｃ）は、上記光電気混載基板の横断面〔図１（ａ）のＡ−Ａ断面〕の拡大図である。この実施の形態の光電気混載基板は、図１（ａ）に示すように、絶縁層１の表面に電気配線２が形成されてなる電気回路基板Ｅと、この電気回路基板Ｅの上記絶縁層１の裏面に金属層Ｍを介して形成された光導波路Ｗとを備えた帯状のものとなっている。そして、図１（ｂ）に示すように、上記金属層Ｍは、上記光電気混載基板の長手方向の両端部の間の部分において、幅方向（図では上下方向）の両側に２本（複数）の帯体Ｍａが残るよう中央部がエッチング除去され、それによって、上記光電気混載基板の長手方向に沿う上記２本の帯体Ｍａを有するパターンに形成されている。さらに、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、そのパターン形成により除去された上記金属層Ｍの除去跡（幅方向の中央部）Ｒ₁ に対応する部分に、上記光導波路Ｗのコア７（図では３本）が位置するように配設されている。

上記光電気混載基板は、幅方向の両側の上記２本の帯体Ｍａの間に、金属層Ｍがないため、フレキシブル性に富むものとなっている。そして、その金属層Ｍがない部分は、変形し易くなっているものの、上記２本の帯体Ｍａが補強材として作用し、光導波路Ｗのコア７に発生する応力や微小な曲がりを防止することができる。その結果、光導波路Ｗの光伝播損失の増加を抑えることができる。

より詳しく説明すると、上記電気回路基板Ｅは、上記のように、絶縁層１と、その表面に形成された電気配線２とを備えている。さらに、上記光電気混載基板の長手方向の両端部では、上記絶縁層１の表面に、光学素子実装用パッド２ａが露呈した状態で形成されているとともに、上記絶縁層１を貫通して裏面の金属層Ｍに接触するアース用電極２ｂが露呈した状態で形成されている。これら光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂは、上記電気配線２の一部であり、それら以外の電気配線２の部分は、カバーレイ３により被覆され絶縁保護されている。また、上記絶縁層１は、透光性を有している。

上記金属層Ｍは、上記のように、複数（図では２本）の帯体Ｍａを残すように中央部が除去されている。さらに、長手方向の両端部では、上記電気回路基板Ｅの光学素子実装用パッド２ａに対応する位置に、光路用の貫通孔５が形成されている〔図１（ａ）参照〕。

上記光導波路Ｗは、第１クラッド層（アンダークラッド層）６と、この第１クラッド層６の表面〔図１（ａ），（ｃ）では下面〕に所定パターン形成されたコア７と、このコア７を被覆した状態で上記第１クラッド層６の表面に形成された第２クラッド層（オーバークラッド層）８とを備えている。そして、上記第１クラッド層６は、その裏面（コア７の形成面と反対側の面）で上記金属層Ｍに接し、上記金属層Ｍの除去跡Ｒ₁ および光路用の貫通孔５に入り込んで埋めている。さらに、長手方向の両端部では、上記電気回路基板Ｅの光学素子実装用パッド２ａに対応するコア７の部分が、コア７の長手方向に対して４５°の傾斜面に形成されている。その傾斜面は、光を反射して、上記光学素子実装用パッド２ａに実装される光学素子とコア７との間の光伝播を可能にする反射面７ａになっている。すなわち、その反射面７ａでは、コア７の屈折率の方が、その反射面７ａの外側にある空気の屈折率よりも大きいため、発光素子（光学素子）からの光やコア７内を伝播してきた光が上記反射面７ａに当たると、その光の大部分が反射して９０°光路を変換するようになる。

つぎに、上記光電気混載基板の製法について説明する〔図２（ａ）〜（ｄ），図３，図４（ａ）〜（ｃ）参照〕。

まず、平坦状の上記金属層Ｍ〔図２（ａ）参照〕を準備する。この金属層Ｍの形成材料としては、ステンレス，銅，銀，アルミニウム，ニッケル，クロム，チタン，白金，金等があげられ、なかでも、屈曲性等の観点から、ステンレスが好ましい。また、上記金属層Ｍの厚みは、例えば、１０〜７０μｍの範囲内に設定される。

ついで、図２（ａ）に示すように、上記金属層Ｍの表面に、ポリイミド樹脂等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、所定パターンの絶縁層１を形成する。この実施の形態では、金属層Ｍに接触するアース用電極２ｂを形成するために、長手方向の両端部に、上記金属層Ｍの表面を露呈させる孔部１ａを形成する。なお、上記絶縁層１の厚みは、３〜５０μｍの範囲内に設定される。

つぎに、図２（ｂ）に示すように、上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２を、例えばセミアディティブ法により形成する。この方法は、まず、上記絶縁層１の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により、銅やクロム等からなる金属膜（図示せず）を形成する。この金属膜は、後の電解めっきを行う際のシード層（電解めっき層形成の素地となる層）となる。ついで、上記金属層Ｍ，絶縁層１およびシード層からなる積層体の両面に、感光性レジスト（図示せず）をラミネートした後、上記シード層が形成されている側の感光性レジストに、フォトリソグラフィ法により、上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２のパターンの孔部を形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、銅等からなる電解めっき層を積層形成する。そして、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層の部分をソフトエッチングにより除去する。残存したシード層と電解めっき層とからなる積層部分が上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２である。

そして、図２（ｃ）に示すように、上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２の表面に、ニッケル等からなる無電解めっき層（図示せず）を形成した後、上記光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを除く電気配線２の部分に、ポリイミド樹脂等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、カバーレイ３を形成する。

ついで、図２（ｄ）に示すように、上記光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂに形成された上記無電解めっき層（図示せず）をエッチングにより除去した後、その除去跡に、金やニッケル等からなる電解めっき層４を形成する。このようにして、前記金属層Ｍの表面に、電気回路基板Ｅが形成される。

つぎに、上記金属層Ｍと電気回路基板Ｅとからなる積層体の両面に、感光性レジスト（図示せず）をラミネートした後、上記金属層Ｍの裏面側（電気回路基板Ｅと反対側の面側）の感光性レジストのうち、幅方向の中央部および光路用の貫通孔形成予定部に対応する部分に、フォトリソグラフィ法により、孔部を形成し、その孔部の底（図では上面）に上記金属層Ｍの裏面部分を露呈させる。

そして、図３（上側の図が縦断面図、下側の図が底面図）に示すように、上記孔部の底に露呈した上記金属層Ｍの部分を、その金属層Ｍの金属材料に応じたエッチング用水溶液（例えば、ステンレス層の場合は、塩化第２鉄水溶液）を用いてエッチングすることにより除去し、その除去跡Ｒ₁ ，Ｒ₂ の底（縦断面図では上面）に上記絶縁層１を露呈させる。その除去跡Ｒ₁ ，Ｒ₂ のうち、幅方向の中央部の除去跡Ｒ₁ が２本の帯体Ｍａの間であり、両端部の除去跡Ｒ₂ が光路用の貫通孔５である。その後、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。

そして、上記金属層Ｍの裏面に光導波路Ｗ〔図１（ａ）参照〕を形成するために、まず、図４（ａ）に示すように、上記金属層Ｍの裏面（図では下面）に、第１クラッド層（アンダークラッド層）６の形成材料である感光性樹脂を塗布した後、その塗布層を照射線により露光して硬化させ、第１クラッド層６に形成する。その第１クラッド層６は、上記金属層Ｍのうち、エッチング除去された幅方向の中央部（除去跡Ｒ₁ ）および光路用の貫通孔５（除去跡Ｒ₂ ）に入り込んで埋めた状態で形成される。上記第１クラッド層６の厚み（絶縁層１の裏面からの厚み）は、この実施の形態では、金属層Ｍの厚みよりも厚く設定される。なお、光導波路Ｗの形成時（上記第１クラッド層６，下記コア７，下記第２クラッド層８の形成時）は、上記金属層Ｍの裏面は上に向けられる。

ついで、図４（ｂ）（上側の図が縦断面図、下側の図が底面図）に示すように、上記第１クラッド層６の表面（縦断面図では下面）に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア７を形成する。このとき、上記金属層Ｍから形成された２本の帯体Ｍａの間に、上記コア７が配設されるようにする。また、上記コア７の厚みは、２０〜１００μｍの範囲内に設定され、幅は、１０〜１００μｍの範囲内に設定される。上記コア７の形成材料としては、例えば、上記第１クラッド層６と同様の感光性樹脂があげられ、上記第１クラッド層６および下記第２クラッド層８〔図４（ｃ）参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記第１クラッド層６，コア７，第２クラッド層８の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。

つぎに、図４（ｃ）に示すように、上記コア７を被覆するよう、上記第１クラッド層６の表面（図では下面）に、フォトリソグラフィ法により、第２クラッド層８を形成する。この第２クラッド層８の厚み（第１クラッド層６の表面からの厚み）は、上記コア７の厚み以上であり、３００μｍ以下に設定される。上記第２クラッド層８の形成材料としては、例えば、上記第１クラッド層６と同様の感光性樹脂があげられる。

そして、上記電気回路基板Ｅの光学素子実装用パッド２ａに対応する（図では下方に位置する）光導波路Ｗの部分（両端部）を、レーザ加工または刃先角度４５°の回転刃等を用いた切削加工等により、コア７の長手方向に対して４５°傾斜した傾斜面に形成する〔図１（ａ）参照〕。その傾斜面のコア７の部分が光反射面７ａとして作用する。このようにして、前記金属層Ｍの裏面に、光導波路Ｗが形成され、図１（ａ）〜（ｃ）に示す光電気混載基板を得る。

図５は、本発明の光電気混載基板の第２の実施の形態の、帯体Ｍａとコアの配置を模式的に示す底面図〔図１（ｂ）に相当する図〕である。この実施の形態では、上記第１の実施の形態の光電気混載基板〔図１（ａ）〜（ｃ）参照〕において、その長手方向の中央部を中心に長手方向の両端部（図では左右両端部）を持ち上げ（図面に直角な方向に持ち上げ）られるよう、その中央部が屈曲予定部となっており、その屈曲予定部（長手方向の中央部）では、金属層Ｍの部分が幅方向の両側縁まで除去されている。そして、その除去跡Ｒ₃ にも、上記除去跡Ｒ₁ と同様に、上記光導波路Ｗの第１クラッド層（アンダークラッド層）６が入り込んで埋めている。それ以外の部分は、上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。

この実施の形態の光電気混載基板は、上記第１の実施の形態の作用・効果に加え、つぎのような作用・効果を奏する。すなわち、上記屈曲予定部に対応する上記金属層Ｍの部分が部分的に除去されているため、上記金属層Ｍが屈曲の妨げにならず、長手方向での屈曲性に優れている。また、上記金属層Ｍの除去部分を繰り返し屈曲させても、金属層Ｍの破断が起こらないことから、光導波路Ｗのコア７の破断も起こらず、繰り返し屈曲に対する耐性にも優れている。さらに、上記金属層Ｍの除去跡Ｒ₃ は、空洞ではなく、光導波路Ｗの第１のクラッド層（アンダークラッド層）６が入り込んで埋めているため、上記屈曲予定部を屈曲させても、光導波路Ｗのコア７の形状が安定し、適正な光伝播を維持することができる。なお、上記屈曲は、光導波路Ｗを内側にしても外側にしてもよい。

この実施の形態の光電気混載基板の製法は、まず、金属層Ｍの表面に電気回路基板Ｅを形成するまでは、上記第１の実施の形態と同様にして行われる〔図２（ａ）〜図２（ｄ）参照〕。その後、上記金属層Ｍをエッチングする際に（図３参照）、２本の帯体Ｍａの間（幅方向の中央部）および光路用の貫通孔５に対応する部分に加えて、上記屈曲予定部（長手方向の中央部）の部分も、エッチング除去する。その後の光導波路Ｗの形成から、また上記第１の実施の形態と同様にして行われる〔図４（ａ）〜図４（ｃ）参照〕。

図６は、本発明の光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す横断面図〔図１（ｃ）に相当する図〕である。この実施の形態の光電気混載基板は、金属層Ｍが、複数（図では４本）の帯体Ｍａを有するパターンに形成され、隣り合う帯体Ｍａの間に対応する部分に、１本のコア７が配設されている。それ以外の部分は、上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。そして、上記第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。

図７は、本発明の光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す横断面図〔図１（ｃ）に相当する図〕である。この実施の形態の光電気混載基板は、金属層Ｍが、２本の帯体Ｍａを有するパターンに形成され、隣り合う帯体Ｍａの間に対応する部分に、２本のコア７が配設され、上記帯体Ｍａの間の外側に対応する部分に、１本のコア７が配設されている。それ以外の部分は、上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。そして、上記第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。

なお、上記第３および第４の実施の形態においても、上記第２の実施の形態と同様に、長手方向の中央部を屈曲予定部とし、その屈曲予定部（長手方向の中央部）の金属層Ｍの部分を除去し、その除去跡Ｒ₃ に光導波路Ｗの第１クラッド層（アンダークラッド層）６を入り込ませて埋めてもよい。

また、上記各実施の形態では、上記帯体Ｍａに対応する部分に、コア７を形成していないが、図８に示すように、一部のコア７（図では最も左側のコア７）は、そのコア７の幅方向の少なくとも一部分が上記帯体Ｍａに対応する部分に位置した状態で形成されてもよい。

さらに、隣り合う帯体Ｍａの間の金属層Ｍを部分的に残し、隣り合う帯体Ｍａが部分的につながった状態とし、そのつながった部分を補強するようにしてもよい。

また、上記各実施の形態では、第１クラッド層６の、絶縁層１の裏面からの厚みを、金属層Ｍの厚みよりも厚く設定し、コア７を金属層Ｍの厚み領域外に形成したが、図９に示すように、コア７の一部分を金属層Ｍの厚み領域内に侵入させた状態で形成してもよい。このようにすると、光電気混載基板を薄くすることができ、よりフレキシブル性が向上する。このようにする場合は、第１クラッド層６の厚みを、金属層Ｍの厚みよりも薄く設定する。また、この場合は、上記帯体Ｍａの側面とその帯体Ｍａに最も近いコア７の側面との隙間Ｔは、その隙間に第２クラッド層８を形成する観点から、５μｍ以上に設定することが好ましい。但し、その隙間Ｔが大きくなり過ぎると、上記帯体Ｍａの補強効果を得られないことから、上記隙間Ｔは、１０００μｍ以下に設定される。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。

〔実施例１，２〕
上記第１の実施の形態のものを実施例１とし、上記第２の実施の形態のものを実施例２とした。いずれも、ステンレス層（金属層）の厚みを１８μｍ、絶縁層の厚みを５μｍ、第１クラッド層の厚み（絶縁層の裏面からの厚み）を１０μｍ、コアの厚みを５０μｍ、コアの幅を８０μｍ、第２クラッド層の厚み（第１クラッド層の表面からの厚み）を７０μｍとした。また、２本の帯体の間の隙間を２３００μｍ、帯体の側面とその帯体に最も近いコアの側面との隙間を８６０μｍ、隣り合うコアの間の隙間を４２０μｍとした。

〔比較例１，２〕
図１０に示す光電気混載基板を比較例１とし、図１１に示す光電気混載基板を比較例２とした。ステンレス層等の各構成の寸法は、上記実施例１，２と同様とした。

〔光伝播損失の測定〕
発光素子（ＵＬＭ社製、ＵＬＭ８５０−１０−ＴＴ−Ｃ０１０４Ｕ）および受光素子（Albis optoelectronics 社製、ＰＤＣＡ０４−７０−ＧＳ）を準備し、上記発光素子から発光された光を直接、上記受光素子で受光した際の光量Ｉ₀ を測定した。ついで、上記発光素子を、上記実施例１，２および比較例１，２の光電気混載基板の一端部の光学素子実装用パッドに実装し、上記受光素子を、他端部の光学素子実装用パッドに実装した。つぎに、上記発光素子から発光された光を、光導波路のコアを介して、上記受光素子で受光した際の光量Ｉを測定した。そして、それらの値から〔−１０×ｌｏｇ（Ｉ／Ｉ₀ ）〕を算出し、その値をコアの長さで割った値を光伝播損失とした。その結果を下記の表１に示した。

〔フレキシブル性〕
上記実施例１，２および比較例１，２の光電気混載基板を、手に持って変形させ、フレキシブル性を評価した。その結果、比較的変形し易いものをフレキシブル性に優れるとして○、比較的変形し難いものをフレキシブル性に劣るとして×を下記の表１に示した。

上記表１の結果から、光伝播損失は、実施例１，２は、ステンレス層を備えた比較例２と大きな差がないことがわかる。しかし、フレキシブル性は、実施例１，２は、比較例２と比較して、優れていることがわかる。また、比較例１は、フレキシブル性を有しているものの、光伝播損失が大きいことがわかる。

本発明の光電気混載基板は、フレキシブル性が要求される場合等に利用可能である。

Ｅ 電気回路基板
Ｍ 金属層
Ｗ 光導波路
Ｒ₁ 除去跡
１ 絶縁層
２ 電気配線
７ コア

Claims (4)

1. 絶縁層の表面に電気配線が形成されてなる電気回路基板と、この電気回路基板の上記絶縁層の裏面に金属層を介して形成された光導波路とを備えた帯状の光電気混載基板であって、その帯状の光電気混載基板の長手方向の両端部の間の部分において、上記金属層が、上記帯状の光電気混載基板の長手方向に沿う複数の帯体を有するパターンに形成され、そのパターン形成により除去された上記金属層の除去跡に対応する部分に、上記光導波路のコアが配設されていることを特徴とする光電気混載基板。
2. 上記光電気混載基板の一部が屈曲予定部に形成され、その屈曲予定部に対応する上記金属層の部分が部分的に除去され、その除去跡に上記光導波路のクラッド層が入り込んで埋めている請求項１記載の光電気混載基板。
3. 金属層の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の表面に電気配線を形成した後、上記金属層の裏面に光導波路を形成する帯状の光電気混載基板の製法であって、上記光導波路の形成に先立って、上記帯状の光電気混載基板の長手方向の両端部の間の上記金属層の部分をエッチングにより、その帯状の光電気混載基板の長手方向に沿う複数の帯体を有するパターンに形成し、その後、上記エッチングにより除去された上記金属層の除去跡に対応する部分に光導波路のコアが配設されるよう、光導波路を形成し、上記請求項１記載の光電気混載基板を得ることを特徴とする光電気混載基板の製法。
4. 上記エッチングの際に、上記光電気混載基板の屈曲予定部に対応する上記金属層の部分をエッチングにより除去する請求項３記載の光電気混載基板の製法。

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