CN103308995A - 光电混装基板及其制造方法 - Google Patents

光电混装基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103308995A
CN103308995A CN2013100548952A CN201310054895A CN103308995A CN 103308995 A CN103308995 A CN 103308995A CN 2013100548952 A CN2013100548952 A CN 2013100548952A CN 201310054895 A CN201310054895 A CN 201310054895A CN 103308995 A CN103308995 A CN 103308995A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
photoelectricity
metal level
optical waveguide
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100548952A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103308995B (zh
Inventor
辻田雄一
石丸康人
花园博行
田中直幸
山本康文
增田将太郎
尾崎真由
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN103308995A publication Critical patent/CN103308995A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103308995B publication Critical patent/CN103308995B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

本发明提供一种光电混装基板及其制造方法，其能够抑制光传播损耗的增大，并且在挠性方面也优异。该光电混装基板包括：在绝缘层（1）的表面形成电配线（2）而成的电路板（E）；光波导（W），其形成于该电路板（E）的上述绝缘层（1）的背面；以及金属层（M），其形成于上述电路板（E）的上述绝缘层（1）的背面与上述光波导（W）之间；上述金属层（M）形成为具有多根带体（Ma）的图案，上述光波导（W）的芯体（7）配置在与上述金属层（M）的因该图案形成而被去除的去除痕迹（R1）相对应的部分。

Description

光电混装基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及光波导和电路板层叠而得的光电混装基板及其制造方法。
背景技术
在最近的电子设备等中，随着传输信息量的增大，除了采用电配线外，还采用光配线。作为这种构件，例如，如图10所示，提出有如下光电混装基板（例如，参照专利文件1）：在由聚酰亚胺等构成的绝缘基板51的表面形成电配线52而成的电路板EO的上述绝缘基板51的背面（与形成电配线52的面相反一侧的面）层叠由环氧树脂等构成的光波导（光配线）WO（下包层56、芯体57、上包层58）。
但是，在上述光电混装基板中，由于绝缘基板51（聚酰亚胺树脂等）和光波导WO（环氧树脂等）接触，从而由于两者的线膨胀系数之差，根据周围的温度，在光波导WO中产生应力、微小的弯曲，以此为原因，光波导WO的光传播损耗变大。
另一方面，作为光电混装基板，如图11所示，提出有在上述绝缘基板51和光波导WO之间整面地设置不锈钢层MO的光电混装基板（例如，参照专利文件2）。在该光电混装基板中，上述不锈钢层MO作为加强材料发挥作用，从而防止在上述光波导WO中产生的应力、微小的弯曲，抑制光传播损耗的增大。
专利文献1：日本特开2010－164655号公报
专利文献2：日本特开2009－265342号公报
如上所述，对于光电混装基板来说，谋求抑制光传播损耗的增大，但除此之外，根据情况不同，也谋求挠性。但是，为了减小光传播损耗，如上所述（参照图11）整面地设置不锈钢层MO时，该不锈钢层MO成为挠性的阻碍。
发明内容
本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于，提供一种抑制光传播损耗的增大，并且挠性也优异的光电混装基板及其制造方法。
为了达成上述目的，本发明的第1主旨在于，一种光电混装基板，该光电混装基板包括：在绝缘层的表面形成电配线而成的电路板；光波导，其形成于该电路板的上述绝缘层的背面，该光波导具有包层和芯体；以及金属层，其形成于上述光波导的上述包层与上述电路板的上述绝缘层的背面之间；上述金属层形成为具有多根带体的图案，上述光波导的芯体配设在与上述金属层的因该图案形成而被去除的去除痕迹相对应的部分。
并且，本发明的第2主旨在于，一种光电混装基板的制造方法，该光电混装基板的制造方法在金属层的表面形成绝缘层，在该绝缘层的表面形成电配线，在上述金属层的背面形成光波导，在形成上述光波导之前，利用蚀刻使上述光电混装基板的上述金属层形成为具有多根带体的图案，之后，以光波导的芯体配设在与上述金属层的因上述蚀刻而被去除的去除痕迹相对应的部分的方式形成光波导，从而得到光电混装基板。
本发明的光电混装基板中，金属层形成为具有多根带体的图案。即，金属层成为并非整面地而是分散地形成的状态。因此，其富有挠性。由此，能够在使本发明的光电混装基板变形的情况下进行使用，从而扩大本发明的光电混装基板的用途的自由度。此外，本发明的光电混装基板即使承受冲击等，也能够容易地变形，从而缓和上述冲击。上述变形虽然优先产生于因上述图案形成而使金属层被去除的部分（去除痕迹），但由上述金属层图案形成的上述多根带体作为加强材料发挥作用，由此，能够防止产生于上述光波导的芯体的应力、微小的弯曲，抑制光波导的光传播损耗的增大。如此，本发明的光电混装基板的挠性优异，并且光传播损耗的增大抑制也优异。
特别是，上述光电混装基板的一部分形成为弯曲预定部，上述金属层的与该弯曲预定部相对应的部分被局部去除，上述光波导的包层进入并填埋该去除痕迹的情况下，由于上述金属层不成为弯曲的阻碍，因此弯曲性优异。此外，即使反复弯曲上述金属层的去除部分，也不会产生金属层的断裂，因此也不会产生光波导的芯体的断裂，在对于反复弯曲的耐性方面也优异。而且，由于上述金属层的去除痕迹并不是空洞，且光波导的包层进入并填埋该去除痕迹，因此即使弯曲上述弯曲预定部，光波导的芯体的形状也稳定，能够维持适当的光传播。
并且，本发明的光电混装基板的制造方法中，在形成光波导之前，利用蚀刻使光电混装基板的金属层形成为具有多根带体的图案，之后，由于以光波导的芯体配设在与上述金属层的因上述蚀刻而被去除的去除痕迹相对应的部分的方式形成光波导，因此能够容易地得到上述那样的、挠性优异并且光传播损耗的增大抑制也优异的光电混装基板。
特别是，在进行上述蚀刻时，利用蚀刻去除上述金属层的与上述光电混装基板的弯曲预定部相对应的部分的情况下，能够容易地得到上述那样的、弯曲性及对于反复弯曲的耐性也优异的光电混装基板。
附图说明
图1示意性地表示本发明的光电混装基板的第1实施方式，其中，（a）是光电混装基板的纵剖视图，（b）是表示（a）的带体与芯体的配置的仰视图，（c）是（a）的A－A截面的放大图。
图2的（a）～（d）是示意性地表示上述光电混装基板的制造方法中的电路板的制作工序的说明图。
图3是示意性地表示上述光电混装基板的制造方法中的金属层的蚀刻工序的说明图。
图4的（a）～（c）是示意性地表示上述光电混装基板的制造方法中的光波导的制作工序的说明图。
图5是示意性地表示本发明的光电混装基板的第2实施方式的带体与芯体的配置的仰视图。
图6是示意性地表示本发明的光电混装基板的第3实施方式的横剖视图。
图7是示意性地表示本发明的光电混装基板的第4实施方式的横剖视图。
图8是示意性地表示上述各实施方式的光电混装基板的变形例的横剖视图。
图9是示意性地表示上述各实施方式的光电混装基板的其他变形例的横剖视图。
图10是示意性地表示以往的光电混装基板的纵剖视图。
图11是示意性地表示其他以往的光电混装基板的纵剖视图。
具体实施方式
接下来，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1的（a）是示意性地表示本发明的光电混装基板的第1实施方式的纵剖视图，图1的（b）是表示上述光电混装基板的光波导W的芯体7和由金属层M图案形成的带体Ma的配置的仰视图（为了使配置易于理解，仅图示金属层M（带体Ma）、芯体7等的一部分的结构），图1的（c）是上述光电混装基板的横截面（图1的（a）的A－A截面）的放大图。如图1的（a）所示，该实施方式的光电混装基板为带状，其包括：在绝缘层1的表面形成电配线2而成的电路板E；光波导W，其形成于该电路板E的上述绝缘层1的背面；以及金属层M，其形成于上述电路板E的上述绝缘层1的背面与上述光波导W之间。而且，如图1的（b）所示，上述金属层M的中央部被蚀刻去除，使得在其宽度方向（图中上下方向）的两侧留下两根（多根）带体Ma，由此，形成具有上述两根带体Ma的图案。而且，如图1的（b）、（c）所示，以上述光波导W的芯体7（图中为三根）位于与上述金属层M的因该图案形成而被去除的去除痕迹（宽度方向的中央部）R1相对应的部分的方式配设该光波导W的芯体7。
由于在上述光电混装基板的宽度方向的两侧的上述两根带体Ma之间无金属层M，因此该光电混装基板富有挠性。而且，虽然该无金属层M的部分变得易于变形，但是上述两根带体Ma作为加强材料发挥作用，从而能够防止产生于光波导W的芯体7的应力、微小的弯曲。其结果，能够抑制光波导W的光传播损耗的增大。
更详细地说明的话，如上所述，上述电路板E包括绝缘层1和形成于该绝缘层1的表面的电配线2。并且，在上述光电混装基板的长度方向的两端部中，在上述绝缘层1的表面以暴露的状态形成有光学元件安装用垫片2a，并且以暴露的状态形成有贯穿上述绝缘层1且与背面的金属层M接触的接地用电极2b。该光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b是上述电配线2的一部分，该光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b以外的电配线2的部分被覆盖层（cover lay）3覆盖而被绝缘保护。并且，上述绝缘层1具有透光性。
如上所述，上述金属层M的中央部被去除，从而留下多根（图中为两根）带体Ma。并且，在长度方向的两端部，在与上述电路板E的光学元件安装用垫片2a相对应的位置形成有光路用的贯通孔5（参照图1的（a））。
上述光波导W包括：第1包层6（下包层）；芯体7，其在第1包层6的表面上（图1的（a），（c）中为下表面）以规定图案形成；以及第2包层8（上包层），其以覆盖该芯体7的状态形成于上述第1包层6的表面。而且，上述第1包层6在其背面（与形成芯体7的面相反一侧的面）与上述金属层M接触，且该第1包层6进入并填埋上述金属层M的去除痕迹R1及光路用的贯通孔5。并且，在长度方向的两端部中，芯体7的与上述电路板E的光学元件安装用垫片2a相对应的部分形成为相对于芯体7的长度方向成45°的倾斜面。该倾斜面反射光，成为使在芯体7和安装于上述光学元件安装用垫片2a的光学元件之间的光传播成为可能的反射面7a。即，在该反射面7a中，由于芯体7的折射率比位于该反射面7a的外侧的空气的折射率大，因此来自发光元件（光学元件）的光、在芯体7内传播来的光到达上述反射面7a时，该光的大部分进行反射而将光路改变90°。
接下来，对上述光电混装基板的制造方法进行说明（参照图2的（a）～（d）、图3、图4的（a）～（c））。
首先，准备平坦状的上述金属层M（参照图2的（a））。作为该金属层M的形成材料，能够举出不锈钢、铜、银、铝、镍、铬、钛、铂、金等，其中，从对于弯曲的耐性等的观点来看，优选不锈钢。并且，上述金属层M的厚度例如设定为10μm～70μm的范围内。
接下来，如图2的（a）所示，在上述金属层M的表面，涂布由聚酰亚胺树脂等构成的感光性绝缘树脂，利用光刻法，形成规定图案的绝缘层1。在该实施方式中，为了形成与金属层M接触的接地用电极2b，在长度方向的两端部形成使上述金属层M的表面暴露的孔部1a。另外，上述绝缘层1的厚度设定为3μm～50μm的范围内。
接下来，如图2的（b）所示，例如利用部分加成法形成上述电配线2（包含光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b）。该方法首先利用阴极溅镀或无电解电镀等在上述绝缘层1的表面形成由铜、铬等构成的金属膜（未图示）。该金属膜成为之后进行电解电镀时的晶种层（成为形成电解电镀层的基底的层）。接下来，在由上述金属层M、绝缘层1及晶种层构成的层叠体的两面层压感光性抗蚀膜（未图示）后，利用光刻法，在形成有上述晶种层一侧的感光性抗蚀膜上形成上述电配线2（包含光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b）的图案的孔部，在该孔部的底部使上述晶种层的表面部分暴露。接下来，利用电解电镀，在暴露于上述孔部的底部的上述晶种层的表面部分层叠形成由铜等构成的电解电镀层。然后，利用氢氧化钠水溶液等剥离上述感光性抗蚀膜。之后，利用软蚀刻（soft etching）去除未形成有上述电解电镀层的晶种层的部分。由残存的晶种层和电解电镀层构成的层叠部分为上述电配线2（包含光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b）。
而且，如图2的（c）所示，在上述电配线2（包含光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b）的表面形成由镍等构成的无电解电镀层（未图示）后，在电配线2的除了上述光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b的部分涂布由聚酰亚胺树脂等构成的感光性绝缘树脂，利用光刻法形成覆盖层3。
接下来，如图2的（d）所示，利用蚀刻去除形成于上述光学元件安装用垫片2a和接地用电极2b的上述无电解电镀层（未图示）后，在该去除痕迹上形成由金、镍等构成的电解电镀层4。如此，在上述金属层M的表面形成电路板E。
接下来，在由上述金属层M和电路板E构成的层叠体的两面层压感光性抗蚀膜（未图示）后，在上述金属层M的背面侧（与电路板E相反一侧的面侧）的感光性抗蚀膜中的、与宽度方向的中央部及光路用的贯通孔形成预定部相对应的部分利用光刻法形成孔部，在该孔部的底部（图中上表面）使上述金属层M的背面部分暴露。
而且，如图3（上侧的图为纵剖视图，下侧的图为仰视图）所示，使用与该金属层M的金属材料相对应的蚀刻用水溶液（例如，不锈钢层的情况下为三氯化铁水溶液）对上述金属层M的暴露于上述孔部的底部的部分进行蚀刻从而去除该部分，使上述绝缘层1暴露在该去除痕迹R1、R2的底部（纵剖视图中上表面）。该去除痕迹R1、R2中的、宽度方向的中央部的去除痕迹R1位于两根带体Ma之间，两端部的去除痕迹R2为光路用的贯通孔5。之后，利用氢氧化钠水溶液等剥离上述感光性抗蚀膜。
而且，为了在上述金属层M的背面形成光波导W（参照图1的（a）），首先，如图4的（a）所示，在上述金属层M的背面（图中下表面）涂布作为第1包层6（下包层）的形成材料的感光性树脂后，利用照射线对该涂布层进行曝光而使其固化，形成第1包层6。该第1包层6以进入并填埋上述金属层M中的、被蚀刻去除的宽度方向的中央部（去除痕迹R1）及光路用的贯通孔5（去除痕迹R2）的状态形成。在该实施方式中，上述第1包层6的厚度（自绝缘层1的背面的厚度）设定为大于金属层M的厚度。另外，形成光波导W时（形成上述第1包层6、下述芯体7、下述第2包层8时），上述金属层M的背面朝上。
接下来，如图4的（b）（上侧的图为纵剖视图，下侧的图为仰视图）所示，利用光刻法在上述第1包层6的表面（纵剖视图中下表面）形成规定图案的芯体7。此时，上述芯体7配设在由上述金属层M形成的两根带体Ma之间。此外，上述芯体7的厚度设定为20μm～100μm的范围内，宽度设定为10μm～100μm的范围内。作为上述芯体7的形成材料，例如，能够举出与上述第1包层6相同的感光性树脂，使用折射率比上述第1包层6及下述第2包层8（参照图4的（c））的形成材料的折射率大的材料。该折射率的调整例如能够通过调整上述第1包层6、芯体7、第2包层8的各形成材料的种类的选择、组成比率来进行。
接下来，如图4的（c）所示，利用光刻法以覆盖上述芯体7的方式在上述第1包层6的表面（图中下表面）形成第2包层8。该第2包层8的厚度（自第1包层6的表面的厚度）设定为上述芯体7的厚度以上且300μm以下。作为上述第2包层8的形成材料，例如能够举出与上述第1包层6相同的感光性树脂。
而且，利用激光加工或使用刀尖角度45°的旋转刀等的切削加工等，使光波导W的与上述电路板E的光学元件安装用垫片2a相对应（图中位于下方）的部分（两端部）形成为与芯体7的长度方向成45°倾斜的倾斜面（参照图1的（a））。该倾斜面的芯体7的部分作为光反射面7a发挥作用。如此，在上述金属层M的背面形成光波导W，得到图1的（a）～（c）所示的光电混装基板。
图5是示意性地表示本发明的光电混装基板的第2实施方式的带体Ma和芯体的配置的仰视图（相当于图1的（b）的图）。在该实施方式中，在上述第1实施方式的光电混装基板（参照图1的（a）～（c））中，该光电混装基板的中央部成为弯曲预定部，使得能够以该光电混装基板的长度方向的中央部为中心抬起（向与图面成直角的方向抬起）长度方向的两端部（图中左右两端部），在该弯曲预定部（长度方向的中央部）中，金属层M的部分被去除至宽度方向的两侧边缘。而且，与上述去除痕迹R1相同地，上述光波导W的第1包层6（下包层）也进入并填埋该去除痕迹R3。除此以外的部分与上述第1实施方式相同，对相同的部分标注相同的附图标记。
该实施方式的光电混装基板中，除了上述第1实施方式的作用、效果外，还产生如下的作用、效果。即，由于上述金属层M的与上述弯曲预定部相对应的部分被局部去除，因此上述金属层M不成为弯曲的阻碍，在长度方向上的弯曲性优异。此外，即使反复弯曲上述金属层M的去除部分，也不会产生金属层M的断裂，因此也不会产生光波导W的芯体7的断裂，在对于反复弯曲的耐性方面也优异。并且，由于上述金属层M的去除痕迹R3并不是空洞，光波导W的第1包层6（下包层）进入并填埋该去除痕迹R3，因此即使弯曲上述弯曲预定部，光波导W的芯体7的形状也稳定，能够维持适当的光传播。另外，上述弯曲可以使光波导W位于内侧也可以使其位于外侧。
该实施方式的光电混装基板的制造方法如下所述，首先，与上述第1实施方式相同地进行，直到在金属层M的表面形成电路板E为止（参照图2的（a）～图2的（d））。之后，对上述金属层M进行蚀刻时（参照图3），除了蚀刻去除两根带体Ma之间（宽度方向的中央部）及与光路用的贯通孔5相对应的部分外，还蚀刻去除上述弯曲预定部（长度方向的中央部）的部分。从之后的光波导W的形成开始，再进行与上述第1实施方式同样地工序（参照图4的（a）～图4的（c））。
图6是示意性地表示本发明的光电混装基板的第3实施方式的横剖视图（相当于图1的（c）的图）。该实施方式的光电混装基板的金属层M形成为具有多根（图中为四根）带体Ma的图案，在与相邻的带体Ma之间相对应的部分配设有一根芯体7。除此以外的部分与上述第1实施方式相同，对相同的部分标注相同的附图标记。而且，产生与上述第1实施方式相同的作用、效果。
图7是示意性地表示本发明的光电混装基板的第4实施方式的横剖视图（相当于图1的（c）的图）。该实施方式的光电混装基板的金属层M形成为具有两根带体Ma的图案，在与两根带体Ma之间相对应的部分配置有两根芯体7，在与上述带体Ma之间的外侧相对应的部分配设有一根芯体7。除此以外的部分与上述第1实施方式相同，对相同的部分标注相同的附图标记。而且，产生与上述第1实施方式相同的作用、效果。
另外，在上述第3实施方式及第4实施方式中，也可以与上述第2实施方式相同地，设定长度方向的中央部为弯曲预定部，去除该弯曲预定部（长度方向的中央部）的金属层M的局部，使光波导W的第1包层（下包层）6进入并填埋该去除痕迹R3。
此外，在上述各实施方式中，未在与上述带体Ma相对应的部分形成芯体7，但也可以如图8所示，一部分的芯体7（图中最左侧的芯体7）以该芯体7的宽度方向的至少一部分位于与上述带体Ma相对应的部分的状态形成。
并且，也可以局部残留相邻的带体Ma之间的金属层M，使相邻的带体Ma成为局部相连的状态，从而加强该相连部分。
此外，在上述各实施方式中，设定第1包层6的自绝缘层1的背面的厚度比金属层M的厚度厚，使芯体7形成于金属层M的厚度区域外，但也可以如图9所示，以使芯体7的一部分进入金属层M的厚度区域内的状态形成。这样的话，能够使光电混装基板变薄，挠性进一步提高。在如此情况下，设定第1包层6的厚度比金属层M的厚度薄。此外，该情况下，对于上述带体Ma的侧面与最靠近该带体Ma的芯体7的侧面之间的间隙T来说，从第2包层8形成在该间隙中的观点来看，优选的是，将该间隙设定为5μm以上。但是，若该间隙T变得过大，则不能得到上述带体Ma的加强效果，因此将上述间隙T设定为1000μm以下。
接下来，与比较例一起对实施例进行说明。但是，本发明并不限定于实施例。
（实施例）
（实施例1、实施例2）
将上述第1实施方式的光电混装基板作为实施例1，将上述第2实施方式的光电混装基板作为实施例2。在该两个实施例中，均设定不锈钢层（金属层）的厚度为18μm，绝缘层的厚度为5μm，第1包层的厚度（自绝缘层的背面的厚度）为10μm，芯体的厚度为50μm，芯体的宽度为80μm，第2包层的厚度（自第1包层的表面的厚度）为70μm。此外，设定两根带体之间的间隙为2300μm，带体的侧面和最接近该带体的芯体的侧面之间的间隙为860μm，相邻的芯体之间的间隙为420μm。
（比较例1、比较例2）
将图10中所示光电混装基板作为比较例1，将图11中所示光电混装基板作为比较例2。设定不锈钢层等的各结构的尺寸与上述实施例1、实施例2相同。
（光传播损耗的测量）
准备发光元件（ULM公司制，ULM850－10－TT－C0104U）及受光元件（Albis optoelectronics公司制，PDCA04－70－GS），测量直接由上述受光元件接收自上述发光元件发出的光时的光量Io。接下来，将上述发光元件安装于上述实施例1、实施例2及比较例1、比较例2的光电混装基板的一端部的光学元件安装用垫片，将上述受光元件安装于另一端部的光学元件安装用垫片。接着，测量经由光波导的芯体而由上述受光元件接收自上述发光元件发出的光时的光量I。然后，由上述值计算出[－10×log（I/Io）]，将用该值除以芯体的长度而得的值作为光传播损耗。在下述表1中示出其结果。
（挠性）
用手把持上述实施例1、实施例2及比较例1、比较例2的光电混装基板并使其变形，从而对挠性进行评价。其结果，在下述表1中将相对易于变形的光电混装基板作为挠性优异而表示为○，将相对难以变形的光电混装基板作为挠性差而表示为×。
（表1）
由上述表1的结果可知，因此对于光传播损耗来说，实施例1、实施例2与包括不锈钢层的比较例2无大的差异。但是，对于挠性来说，与比较例2相比较，实施例1、实施例2较优异。此外，得知比较例1虽然具有挠性，但光传播损耗较大。
产业上的可利用性
本发明的光电混装基板能够利用于要求挠性的情况等。
附图标记说明
E  电路板；M  金属层；W  光波导；R1  去除痕迹；1  绝缘层；2  电配线；7  芯体。

Claims (4)

1.一种光电混装基板，其特征在于，该光电混装基板包括：
在绝缘层的表面形成电配线而成的电路板；
光波导，其形成于该电路板的上述绝缘层的背面，该光波导具有包层和芯体；以及
金属层，其形成于上述光波导的上述包层与上述电路板的上述绝缘层的背面之间；
上述金属层形成为具有多根带体的图案，上述光波导的芯体配设在与上述金属层的因该图案形成而被去除的去除痕迹相对应的部分。
2.根据权利要求1所述的光电混装基板，其特征在于，
上述光电混装基板的一部分形成为弯曲预定部，上述金属层的与该弯曲预定部相对应的部分被局部去除，上述光波导的包层进入并填埋该去除痕迹。
3.一种光电混装基板的制造方法，其特征在于，
该光电混装基板的制造方法在金属层的表面形成绝缘层，在该绝缘层的表面形成电配线，在上述金属层的背面形成光波导，
在形成上述光波导之前，利用蚀刻使上述光电混装基板的上述金属层形成为具有多根带体的图案，之后，以光波导的芯体配设在与上述金属层的因上述蚀刻而被去除的去除痕迹相对应的部分的方式形成光波导，从而得到上述权利要求1所述的光电混装基板。
4.根据权利要求3所述的光电混装基板的制造方法，其特征在于，
在上述蚀刻时，利用蚀刻去除上述金属层的与上述光电混装基板的弯曲预定部相对应的部分。
CN201310054895.2A 2012-03-16 2013-02-20 光电混装基板及其制造方法 Active CN103308995B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012060632A JP5840989B2 (ja) 2012-03-16 2012-03-16 光電気混載基板およびその製法
JP2012-060632 2012-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103308995A true CN103308995A (zh) 2013-09-18
CN103308995B CN103308995B (zh) 2016-05-11

Family

ID=47877791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310054895.2A Active CN103308995B (zh) 2012-03-16 2013-02-20 光电混装基板及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8768114B2 (zh)
EP (1) EP2639612A1 (zh)
JP (1) JP5840989B2 (zh)
KR (1) KR102116143B1 (zh)
CN (1) CN103308995B (zh)
TW (1) TWI574068B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106796325A (zh) * 2014-10-24 2017-05-31 日东电工株式会社 光电混载基板及其制造方法
CN114930213A (zh) * 2019-12-20 2022-08-19 京瓷株式会社 光电路基板

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5840988B2 (ja) * 2012-03-16 2016-01-06 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
JP6080155B2 (ja) * 2012-11-08 2017-02-15 日東電工株式会社 光電気混載基板
JP2014238491A (ja) * 2013-06-07 2014-12-18 日東電工株式会社 光電気混載モジュール
JP6376556B2 (ja) 2014-06-10 2018-08-22 日東電工株式会社 光電気混載基板
JP6712742B2 (ja) 2014-09-24 2020-06-24 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
WO2016047447A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
JP6460515B2 (ja) * 2014-10-24 2019-01-30 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
JP2016156865A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 京セラ株式会社 光回路基板の製造方法
JP6623344B2 (ja) * 2016-03-22 2019-12-25 日東電工株式会社 光導波路積層体およびその製法
CN111239935B (zh) * 2020-03-19 2021-12-28 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080252620A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-16 Nitto Denko Corporation Optical waveguide for touch panel and touch panel using the same
CN101566706A (zh) * 2008-04-24 2009-10-28 日东电工株式会社 光电混合基板的制造方法
CN101592760A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 日东电工株式会社 光电混合组件及其制造方法
CN101859006A (zh) * 2009-04-06 2010-10-13 日东电工株式会社 光电混合组件的制造方法和由该方法获得的光电混合组件
US20120045168A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Flexible optoelectronic interconnection board and flexible optoelectronic interconnection module

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199827A (ja) * 1998-10-27 2000-07-18 Sony Corp 光導波装置およびその製造方法
US7330612B2 (en) * 2002-05-28 2008-02-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Material for substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly and substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly
JP4743107B2 (ja) * 2006-12-18 2011-08-10 日立電線株式会社 光電気配線部材
JP5139375B2 (ja) * 2008-07-16 2013-02-06 イビデン株式会社 光インターフェースモジュールの製造方法、及び、光インターフェースモジュール
JP5540505B2 (ja) 2009-01-13 2014-07-02 日立化成株式会社 光電気複合部材の製造方法
US8275223B2 (en) 2009-02-02 2012-09-25 Ibiden Co., Ltd. Opto-electrical hybrid wiring board and method for manufacturing the same
JP2010266598A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi Cable Ltd 光配線部材
JP2011095333A (ja) 2009-10-27 2011-05-12 Toshiba Corp 実装構造体
JP2011158666A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp 光電気フレキシブル配線モジュール及びその製造方法
JP2011192851A (ja) 2010-03-15 2011-09-29 Omron Corp 光伝送モジュール、電子機器、及び光伝送モジュールの製造方法
WO2011125658A1 (ja) 2010-04-06 2011-10-13 住友ベークライト株式会社 光導波路構造体および電子機器
JP2011221143A (ja) 2010-04-06 2011-11-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光導波路構造体および電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080252620A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-16 Nitto Denko Corporation Optical waveguide for touch panel and touch panel using the same
CN101566706A (zh) * 2008-04-24 2009-10-28 日东电工株式会社 光电混合基板的制造方法
CN101592760A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 日东电工株式会社 光电混合组件及其制造方法
CN101859006A (zh) * 2009-04-06 2010-10-13 日东电工株式会社 光电混合组件的制造方法和由该方法获得的光电混合组件
US20120045168A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Flexible optoelectronic interconnection board and flexible optoelectronic interconnection module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106796325A (zh) * 2014-10-24 2017-05-31 日东电工株式会社 光电混载基板及其制造方法
CN114930213A (zh) * 2019-12-20 2022-08-19 京瓷株式会社 光电路基板

Also Published As

Publication number Publication date
TW201350945A (zh) 2013-12-16
US8768114B2 (en) 2014-07-01
JP2013195533A (ja) 2013-09-30
US20130243370A1 (en) 2013-09-19
CN103308995B (zh) 2016-05-11
TWI574068B (zh) 2017-03-11
KR102116143B1 (ko) 2020-05-27
JP5840989B2 (ja) 2016-01-06
EP2639612A1 (en) 2013-09-18
KR20130105359A (ko) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103308995A (zh) 光电混装基板及其制造方法
TWI660208B (zh) 光電混合基板及其製法
CN103308981A (zh) 光电混装基板及其制造方法
CN103389547B (zh) 光电混载基板及其制造方法
TWI638193B (zh) 光電混合基板
CN103364893A (zh) 光电混合基板
KR102345452B1 (ko) 광 전기 혼재 기판
CN103543492A (zh) 光电混载基板
KR20170087871A (ko) 광전기 혼재 기판 및 그 제법
TWI636289B (zh) Photoelectric hybrid substrate
KR102619268B1 (ko) 광전기 혼재 기판
KR20190005854A (ko) 광회로 기판 시트 및 그것을 구비한 광전기 혼재 기판 시트

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant