TW201350945A - 光電混合基板及其製法（二） - Google Patents

光電混合基板及其製法（二） Download PDF

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Naoyuki Tanaka
Yasufumi Yamamoto
shotaro Masuda
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Abstract

本發明提供一種光電混合基板及其製造方法，其能夠抑制光傳播損耗的增大，並且在撓性方面也優異。該光電混合基板包括：電路基板，係在絕緣層的表面形成電配線而成者；光波導，係形成於該電路基板的上述絕緣層的背面；及金屬層，係形成於上述電路基板的上述絕緣層的背面與上述光波導之間；上述金屬層形成為具有多根帶體的圖案，且上述光波導的芯體配置在與上述金屬層之因該圖案形成而被去除的去除痕跡相對應的部分上。

Description

光電混合基板及其製法(二) 技術領域
本發明係有關於光波導和電路基板積層而得之光電混合基板及其製造方法。
背景技術
在最近的電子設備等中，隨著傳輸資訊量的增大，除了採用電配線外，還採用光配線。作為這種構件，如圖10所示，提出有如下光電混合基板(參照專利文獻1為例)：係在由聚醯亞胺等構成的絕緣基板51表面形成電配線52而成的電路基板EO中上述絕緣基板51的背面(與電配線52形成面相反一側之面)積層有由環氧樹脂等構成的光波導(光配線)WO(下包層56、芯體57、上包層58)者。
但是，在上述光電混合基板中，由於絕緣基板51(聚醯亞胺樹脂等)和光波導WO(環氧樹脂等)相接，因兩者的線膨脹係數之差，根據周圍的溫度會在光波導WO中產生應力或微小彎曲，因此使光波導WO的光傳播損耗變大。
另一方面，作為光電混合基板，如圖11所示，提出有在上述絕緣基板51和光波導WO之間整面設置不銹鋼 層MO的光電混合基板(參照專利文獻2為例)。在該光電混合基板中，上述不銹鋼層MO作為加強材料發揮作用，從而防止在上述光波導WO中產生的應力或微小彎曲，抑制光傳播損耗的增大。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2010-164655號公報
專利文獻2：日本特開2009-265342號公報
發明概要
發明欲解決之課題如上所述，對於光電混合基板來說，需要抑制光傳播損耗的增大，但除此之外，根據情況不同，也謀求撓性。但是，若為了減少光傳播損耗，而如上所述(參照圖11)整面設置不銹鋼層MO時，該不銹鋼層MO成為撓性的阻礙。
本發明係有鑑於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可抑制光傳播損耗增大且撓性亦佳之光電混合基板及其製造方法。
為了達成上述目的，本發明之第1主旨在於，一種光電混合基板，係包括如下者：電路基板，係在絕緣層的表面形成電配線而成者；光波導，係形成於該電路基板的上述絕緣層的背面，且具有包層和芯體者；及金屬層，係形成於上述光波導的上述包層與上述電路基板的上述絕 緣層的背面之間；上述金屬層形成為具有多根帶體的圖案，且上述光波導的芯體配置在與上述金屬層之因該圖案形成而被去除的去除痕跡相對應的部分上。
並且，本發明之第2主旨在於，一種光電混合基板之製造方法，係在金屬層的表面形成絕緣層，在該絕緣層的表面形成電配線，並在上述金屬層的背面形成光波導者；在形成上述光波導之前，利用蝕刻使上述光電混合基板的上述金屬層形成為具有多根帶體的圖案，之後，以光波導的芯體配置在與上述金屬層之因上述蝕刻而被去除的去除痕跡相對應的部分的方式形成光波導，從而得到光電混合基板。
本發明之光電混合基板中，金屬層形成為具有多根帶體的圖案。即，金屬層呈分散形成而非整面之狀態。因此，其富有撓性。藉此，能夠在使本發明之光電混合基板變形的情況下進行使用，從而擴大本發明之光電混合基板的用途的自由度。此外，本發明之光電混合基板即使承受衝擊等，也能輕易地變形，從而緩和上述衝擊。上述變形雖然優先產生於因上述圖案形成而使金屬層被去除的部分(去除痕跡)，但由上述金屬層經圖案形成而成之上述多根帶體發揮加強材料之作用，因此能夠防止於上述光波導的芯體產生應力或微小彎曲，並抑制光波導的光傳播損耗增大。如此一來，本發明之光電混合基板之撓性優異，且在抑制光傳播損耗增大方面亦佳。
特別是，上述光電混合基板的一部分形成為彎曲預定部，上述金屬層之與該彎曲預定部相對應的部分經局部去除，且上述光波導之包層填埋該去除痕跡內之情況下，上述金屬層不成為彎曲的阻礙，因此彎曲性優異。此外，即使反複彎曲上述金屬層之去除部分，金屬層仍未斷裂，因此也不會造成光波導的芯體斷裂，故對於反複彎曲之耐性方面亦為優異。而且，由於上述金屬層的去除痕跡並非空洞，其中填埋有光波導之包層，因此即使彎曲上述彎曲預定部，光波導的芯體的形狀仍穩定，能夠維持適當的光傳播。
此外，本發明之光電混合基板之製造方法中，係在形成光波導之前，利用蝕刻使光電混合基板的金屬層形成為具有多根帶體的圖案，之後，以光波導的芯體配置在與上述金屬層之因上述蝕刻而被去除的去除痕跡相對應的部分的方式形成光波導，因此可輕易得到以上所述撓性優異且抑制光傳播損耗增大之效果亦佳之光電混合基板。
特別是，在進行上述蝕刻時，利用蝕刻去除上述金屬層之與上述光電混合基板的彎曲預定部相對應的部分的情況下，可輕易得到以上所述彎曲性及對於反複彎曲之耐性亦佳之光電混合基板。
1‧‧‧絕緣層
1a‧‧‧孔部
2、52‧‧‧電配線
2a‧‧‧安裝用墊片
2b‧‧‧接地用電極
3‧‧‧覆蓋層
4‧‧‧電鍍層
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1包層
7、57‧‧‧芯體
7a‧‧‧反射面
8‧‧‧第2包層
51‧‧‧絕緣基板
56‧‧‧下包層
58‧‧‧上包層
E、EO‧‧‧電路基板
M‧‧‧金屬層
Ma‧‧‧帶體
R1、R2、R3‧‧‧去除痕跡
T‧‧‧間隙
W‧‧‧光波導
WO‧‧‧光波導(光配線)
圖1係示意性地表示本發明之光電混合基板之第1實施形態，其中，(a)係其縱截面圖，(b)係表示(a)中帶體與芯體之配置之仰視圖，(c)係(a)之A-A截面之放大圖。
圖2(a)~(d)係示意性地表示上述光電混合基板之製造方法中電路基板之製作程序的說明圖。
圖3係示意性地表示上述光電混合基板之製造方法中金屬層之蝕刻程序的說明圖。
圖4(a)~(c)係示意性地表示上述光電混合基板之製造方法中光波導之製作程序的說明圖。
圖5係示意性地表示本發明之光電混合基板第2實施形態中帶體與芯體之配置的仰視圖。
圖6係示意性地表示本發明之光電混合基板之第3實施形態的橫截面圖。
圖7係示意性地表示本發明之光電混合基板之第4實施形態的橫截面圖。
圖8係示意性地表示上述各實施形態之光電混合基板之變形例的橫截面圖。
圖9係示意性地表示上述各實施形態之光電混合基板之其他變形例的橫截面圖。
圖10係示意性地表示習知光電混合基板之縱截面圖。
圖11係示意性地表示其他習知光電混合基板之縱截面圖。
具體實施方式
接下來，基於附圖對本發明之實施形態進行詳細說明。
圖1(a)係示意性地表示本發明之光電混合基板 之第1實施形態的縱截面圖，圖1(b)係表示上述光電混合基板中光波導W之芯體7和由金屬層M經圖案形成而成之帶體Ma之配置的仰視圖(為了使配置易於理解，僅圖示金屬層M(帶體Ma)、芯體7等部分結構)，圖1(c)係上述光電混合基板之橫截面(圖1(a)之A-A截面)之放大圖。如圖1(a)所示，該實施形態之光電混合基板為帶狀，其包括：電路基板E，係在絕緣層1的表面形成電配線2而成者；光波導W，係形成於該電路基板E的上述絕緣層1的背面；及金屬層M，係形成於上述電路基板E的上述絕緣層1的背面與上述光波導W之間。而且，如圖1(b)所示，上述金屬層M的中央部被蝕刻去除，使得在其寬度方向(圖中上下方向)的兩側留下兩根(多根)帶體Ma，藉此形成具有上述兩根帶體Ma的圖案。而且，如圖1(b)、(c)所示，上述光波導W的芯體7(圖中為三根)係位於與上述金屬層M之因該圖案形成而被去除的去除痕跡(寬度方向上中央部)R1相對應的部分進行配置。
由於上述光電混合基板在寬度方向上兩側之上述兩根帶體Ma間不具金屬層M，因此該光電混合基板富有撓性。而且，雖然該不具金屬層M的部分變得易於變形，但是上述兩根帶體Ma發揮加強材料之作用，從而能夠防止於光波導W的芯體7產生的應力或微小彎曲。其結果，能夠抑制光波導W的光傳播損耗增大。
更詳細地說明的話，如上所述，上述電路基板E包括絕緣層1和形成於該絕緣層1表面的電配線2。並且，上述光電混合基板的長度方向上兩端部，在上述絕緣層1的表 面以暴露狀態形成有光學元件安裝用墊片2a，並以暴露狀態形成有貫穿上述絕緣層1與背面的金屬層M接觸之接地用電極2b。該等光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b係上述電配線2的一部分，其等以外之電配線2的部分以覆蓋層(cover lay)3覆蓋形成絕緣保護。並且，上述絕緣層1具有透光性。
如上所述，上述金屬層M係去除中央部，留下多根(圖中為兩根)帶體Ma。並且，於長向上兩端部，在與上述電路基板E的光學元件安裝用墊片2a相對應的位置形成有光路用貫通孔5(參照圖1(a))。
上述光波導W包括：第1包層6(下包層)；芯體7，係在該第1包層6的表面(圖1(a)、(c)中為下表面)以規定圖案形成者；及第2包層8(上包層)，係以覆蓋該芯體7之狀態形成於上述第1包層6表面者。而且，上述第1包層6在其背面(與芯體7形成面相反一側之面)與上述金屬層M相接，並填埋上述金屬層M的去除痕跡R1及光路用貫通孔5內。進而，在長向上兩端部，芯體7之與上述電路基板E之光學元件安裝用墊片2a相對應的部分形成為相對於芯體7的長向成45°的傾斜面。該傾斜面形成一可反射光，使光於芯體7和安裝於上述光學元件安裝用墊片2a的光學元件間進行光傳播之反射面7a。即，藉由該反射面7a，芯體7的折射率比位於該反射面7a外側的空氣的折射率大，因此來自發光元件(光學元件)的光、或在芯體7內傳播來的光碰到上述反射面7a時，該光的大部分將反射而使光徑改變90°。
接下來，對上述光電混合基板之製造方法進行說明(參照圖2(a)~(d)、圖3、圖4(a)~(c))。
首先，準備平坦狀的上述金屬層M(參照圖2(a))。作為該金屬層M的形成材料，能夠舉出不銹鋼、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、鉑、金等，其中，從對於彎曲的耐性等觀點來看，宜為不銹鋼。此外，上述金屬層M的厚度例如設定為10μm~70μm的範圍內。
接下來，如圖2(a)所示，在上述金屬層M的表面，塗布由聚醯亞胺樹脂等構成的感光性絕緣樹脂，並利用光刻法，形成規定圖案的絕緣層1。在該實施形態中，為了形成與金屬層M接觸的接地用電極2b，乃於長向上兩端部形成使上述金屬層M表面暴露之孔部1a。另外，上述絕緣層1的厚度設定為3μm~50μm的範圍內。
其次，如圖2(b)所示，例如利用半加成法形成上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)。該方法首先利用濺鍍或無電解電鍍等在上述絕緣層1的表面形成由銅或鉻等構成的金屬膜(未圖示)。該金屬膜成為之後進行電解電鍍時的晶種層(成為形成電解電鍍層的基底的層)。繼之，在由上述金屬層M、絕緣層1及晶種層構成的積層體的兩面層壓感光性抗蝕膜(未圖示)後，利用光刻法，在形成有上述晶種層一側的感光性抗蝕膜上形成上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)的圖案的孔部，並使上述晶種層的表面部分暴露在該孔部的底部。接下來，利用電解電鍍，在暴露於上述孔部底部的上述晶 種層的表面部分積層形成由銅等構成的電解電鍍層。然後，利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述感光性抗蝕膜。之後，利用軟蝕刻(soft etching)去除未形成有上述電解電鍍層的晶種層的部分。由殘存的晶種層和電解電鍍層構成的積層部分即為上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)。
繼而，如圖2(c)所示，在上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)的表面形成由鎳等構成的無電解電鍍層(未圖示)後，在電配線2之除了上述光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b以外的部分塗布由聚醯亞胺樹脂等構成的感光性絕緣樹脂，並利用光刻法形成覆蓋層3。
接下來，如圖2(d)所示，利用蝕刻去除形成於上述光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b的上述無電解電鍍層(未圖示)後，在該去除痕跡上形成由金或鎳等構成的電解電鍍層4。如此，在上述金屬層M的表面即形成電路基板E。
其次，在由上述金屬層M和電路基板E構成的積層體的兩面層壓感光性抗蝕膜(未圖示)後，在上述金屬層M背面側(與電路基板E相反一側之面側)的感光性抗蝕膜中、與寬度方向上中央部及光徑用貫通孔形成預定部相對應的部分，利用光刻法形成孔部，並使上述金屬層M的背面部分暴露於該孔部的底部(圖中上表面)。
而且，如圖3(上側的圖為縱截面圖，下側的圖為 仰視圖)所示，使用與該金屬層M的金屬材料相對應的蝕刻用水溶液(例如，在不銹鋼層的情況下為三氯化鐵水溶液)，蝕刻去除上述金屬層M之暴露於上述孔部的底部之部分，使上述絕緣層1暴露於該去除痕跡R1、R2的底部(縱截面圖中上表面)。該去除痕跡R1、R2中、寬度方向上中央部的去除痕跡R1係位於兩根帶體Ma間，兩端部的去除痕跡R2則為光徑用貫通孔5。之後，利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述感光性抗蝕膜。
而且，為了在上述金屬層M的背面形成光波導W(參照圖1(a))，首先，如圖4(a)所示，在上述金屬層M的背面(圖中下表面)塗布作為第1包層6(下包層)形成材料的感光性樹脂後，利用照射線對該塗布層進行曝光而使其硬化，形成第1包層6。該第1包層6係以填埋上述金屬層M中經蝕刻去除的寬度方向上中央部(去除痕跡R1)及光徑用貫通孔5(去除痕跡R2)的狀態形成。在該實施形態中，上述第1包層6的厚度(自絕緣層1的背面起算的厚度)設定為大於金屬層M的厚度。另外，形成光波導W時(形成上述第1包層6、下述芯體7、下述第2包層8時)，上述金屬層M的背面朝上。
接下來，如圖4(b)(上側的圖為縱截面圖，下側的圖為仰視圖)所示，利用光刻法在上述第1包層6的表面(縱截面圖中下表面)形成規定圖案的芯體7。此時，上述芯體7係配置在由上述金屬層M形成的兩根帶體Ma之間。此外，上述芯體7的厚度設定為20μm~100μm的範圍內，寬度設定為10μm~100μm的範圍內。作為上述芯體7的形成材料，例如 可舉與上述第1包層6相同的感光性樹脂為例，使用折射率比上述第1包層6及下述第2包層8(參照圖4(c))之形成材料之折射率大的材料。該折射率的調整可通過譬如調整上述第1包層6、芯體7、第2包層8之各形成材料之種類選擇或組成比來進行。
其次，如圖4(c)所示，利用光刻法以覆蓋上述芯體7的方式在上述第1包層6的表面(圖中下表面)形成第2包層8。該第2包層8的厚度(自第1包層6的表面起算的厚度)設定為上述芯體7的厚度以上且300μm以下。作為上述第2包層8的形成材料，可舉與上述第1包層6相同的感光性樹脂為例。
而且，利用雷射加工或使用刀尖角度45°的旋轉刀等的切削加工等，使光波導W之與上述電路基板E的光學元件安裝用墊片2a相對應(圖中位於下方)的部分(兩端部)形成為與芯體7的長向成45°傾斜的傾斜面(參照圖1的(a))。該傾斜面的芯體7的部分將發揮光反射面7a之作用。如此一來，即於上述金屬層M的背面形成光波導W，得到圖1(a)~(c)所示之光電混合基板。
圖5係示意性地表示本發明之光電混合基板第2實施形態中帶體Ma和芯體之配置的仰視圖(相當於圖1(b)之圖)。該實施形態係於上述第1實施形態之光電混合基板(參照圖1(a)~(c))中，使其長向上中央部成為彎曲預定部，呈可以其長向上中央部為中心將長向上兩端部(圖中左右兩端部)抬起(向與圖面成直角的方向抬起)之狀態，並在該彎曲預定部(長向上中央部)，將金屬層M的部分去除至寬度方向上 兩側邊緣。而且，其去除痕跡R3內亦與上述去除痕跡R1同樣填埋有上述光波導W的第1包層6(下包層)。除此以外的部分則與上述第1實施形態相同，對相同的部分標註相同的元件符號。
該實施形態之光電混合基板中，除了上述第1實施形態的作用、效果外，還產生如下的作用、效果。即，由於上述金屬層M之與上述彎曲預定部相對應的部分業經局部去除，因此上述金屬層M不會成為彎曲的阻礙，故於長向上的彎曲性優異。此外，即使反複彎曲上述金屬層M的去除部分，也不會造成金屬層M的斷裂，因此也不會造成光波導W的芯體7斷裂，故在對於反複彎曲的耐性方面亦為優異。並且，由於上述金屬層M的去除痕跡R3並不是空洞，而是填埋有光波導W的第1包層6(下包層)，因此即使彎曲上述彎曲預定部，光波導W的芯體7的形狀也穩定，能夠維持適當的光傳播。另外，上述彎曲可以使光波導W位於內側也可以使其位於外側。
該實施形態之光電混合基板之製造方法係如下所述，首先，按與上述第1實施形態相同之程序進行，直到在金屬層M的表面形成電路基板E為止(參照圖2(a)~圖2(d))。之後，對上述金屬層M進行蝕刻時(參照圖3)，除了蝕刻去除與兩根帶體Ma之間(寬度方向上中央部)及光徑用貫通孔5相對應的部分外，還蝕刻去除上述彎曲預定部(長向上中央部)的部分。從之後的光波導W的形成開始，再進行與上述第1實施形態同樣之程序(參照圖4(a)~圖4(c))。
圖6係示意性地表示本發明之光電混合基板之第3實施形態的橫截面圖(相當於圖1(c)之圖)。該實施形態之光電混合基板的金屬層M形成為具有多根(圖中為四根)帶體Ma的圖案，且在與相鄰帶體Ma之間相對應的部分配置有一根芯體7。除此以外的部分則與上述第1實施形態相同，對相同的部分標註相同的元件符號。而且，產生與上述第1實施形態相同的作用、效果。
圖7係示意性地表示本發明之光電混合基板之第4實施形態的橫截面圖(相當於圖1(c)之圖)。該實施形態之光電混合基板的金屬層M形成為具有兩根帶體Ma的圖案，且在與兩根帶體Ma之間相對應的部分配置有兩根芯體7，並在與上述帶體Ma間的外側相對應的部分配置有一根芯體7。除此以外的部分則與上述第1實施形態相同，對相同的部分標註相同的元件符號。而且，產生與上述第1實施形態相同的作用、效果。
另外，在上述第3實施形態及第4實施形態中，亦可如同上述第2實施形態，設定長向上中央部為彎曲預定部，並將該彎曲預定部(長向上中央部)的金屬層M的局部去除，使光波導W的第1包層(下包層)6填埋該去除痕跡R3內。
此外，在上述各實施形態中，未在與上述帶體Ma相對應的部分形成芯體7，但也可以如圖8所示，一部分的芯體7(圖中最左側的芯體7)以該芯體7的寬度方向上至少一部分位於與上述帶體Ma相對應的部分的狀態形成。
進而，也可以局部殘留相鄰帶體Ma間之金屬層 M，使相鄰帶體Ma形成局部相連的狀態，從而加強該相連部分。
此外，在上述各實施形態中，設定第1包層6之自絕緣層1背面起算的厚度比金屬層M的厚度厚，並使芯體7形成於金屬層M的厚度區域外，但也可以如圖9所示，以使芯體7的一部分進入金屬層M的厚度區域內的狀態形成。這樣的話，能夠使光電混合基板變薄，撓性更為提高。在如此情況下，則設定第1包層6的厚度比金屬層M的厚度薄。此外，該情況下，對於上述帶體Ma的側面與最靠近該帶體Ma的芯體7的側面間之間隙T來說，從第2包層8形成在該間隙中的觀點來看，宜將該間隙設定為5μm以上。惟，若該間隙T變得過大，則不能得到上述帶體Ma的加強效果，因此將上述間隙T設定為1000μm以下。
接下來，與比較例一起對實施例進行說明。惟，本發明並不限定於實施例。
(實施例) (實施例1、實施例2)
將上述第1實施形態之光電混合基板作為實施例1，將上述第2實施形態之光電混合基板作為實施例2。在該兩個實施例中，均設定不銹鋼層(金屬層)的厚度為18μm，絕緣層的厚度為5μm，第1包層的厚度(自絕緣層背面起算的厚度)為10μm，芯體的厚度為50μm，芯體的寬度為80μm，第2包層的厚度(自第1包層表面起算的厚度)為70μm。此外，設定兩根帶體間之間隙為2300μm，帶體的側面和最接近該帶體 的芯體的側面間之間隙為860μm，相鄰芯體間之間隙為420μm。
(比較例1、比較例2)
將圖10所示光電混合基板作為比較例1，將圖11所示光電混合基板作為比較例2。不銹鋼層等各結構的尺寸之設定與上述實施例1、實施例2相同。
(光傳播損耗之測量)
準備發光元件(ULM公司製，ULM850-10-TT-C0104U)及受光元件(Albis optoelectronics公司製，PDCA04-70-GS)，測量直接由上述受光元件接收自上述發光元件發出的光時的光量IO。接下來，將上述發光元件安裝於上述實施例1、實施例2及比較例1、比較例2之光電混合基板的一端部的光學元件安裝用墊片上，將上述受光元件安裝於另一端部的光學元件安裝用墊片上。接著，測量上述發光元件所發出之光經由光波導的芯體而由上述受光元件接收時的光量I。然後，由上述值計算出[-10×log(I/IO)]，並將該值除以芯體的長度而得的值作為光傳播損耗。在下述表1中示出其結果。
(撓性)
用手把持上述實施例1、實施例2及比較例1、比較例2之光電混合基板並使其變形，從而對撓性進行評價。其結果顯示在下述表1中，並將相對易於變形者視為撓性優異而表示為○，將相對難以變形者視為撓性差而表示為×。
(表1)
由上述表1的結果可知，在光傳播損耗方面，實施例1、實施例2與具備不銹鋼層的比較例2無大的差異。但是，在撓性方面，實施例1、實施例2優於比較例2。此外，可知比較例1雖然具有撓性，但光傳播損耗較大。
產業上的可利用性
本發明之光電混合基板能夠利用於要求撓性的情況等。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電配線
2a‧‧‧安裝用墊片
2b‧‧‧接地用電極
3‧‧‧覆蓋層
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1包層
7‧‧‧芯體
7a‧‧‧反射面
8‧‧‧第2包層
E‧‧‧電路基板
M‧‧‧金屬層
Ma‧‧‧帶體
R1‧‧‧去除痕跡
W‧‧‧光波導

Claims (4)

  1. 一種光電混合基板，係包括如下者：電路基板，係在絕緣層的表面形成電配線而成者；光波導，係形成於該電路基板的上述絕緣層的背面，且具有包層和芯體者；及金屬層，係形成於上述光波導的上述包層與上述電路基板的上述絕緣層的背面之間；該光電混合基板之特徵在於，上述金屬層形成為具有多根帶體的圖案，且上述光波導的芯體配置在與上述金屬層之因該圖案形成而被去除的去除痕跡相對應的部分上。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電混合基板，其中，上述光電混合基板的一部分形成為彎曲預定部，上述金屬層之與該彎曲預定部相對應的部分被局部去除，並將上述光波導的包層填埋該去除痕跡內。
  3. 一種光電混合基板之製造方法，係在金屬層的表面形成絕緣層，在該絕緣層的表面形成電配線，並在上述金屬層的背面形成光波導者；該方法之特徵在於，在形成上述光波導之前，利用蝕刻使上述光電混合基板的上述金屬層形成為具有多根帶體的圖案，之後，以光波導的芯體配置在與上述金屬層之因上述蝕刻而被去除的去除痕跡相對應的部分的方式形成光波導，從而得到如上述申請專利範圍第1 項之光電混合基板。
  4. 如申請專利範圍第3項之光電混合基板之製造方法，係在上述蝕刻時，利用蝕刻去除上述金屬層之與上述光電混合基板的彎曲預定部相對應的部分。
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