TWI574067B - 光電混合基板及其製法（一） - Google Patents

光電混合基板及其製法（一） Download PDF

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Description

光電混合基板及其製法(一) 技術領域
本發明係有關於一種積層有光波導和電路基板之光電混合基板及其製造方法。
背景技術
在最近的電子設備等中，隨著傳輸資訊量的增大，除了採用電配線外，還採用光配線。作為這種構件，如圖7所示，提出有如下光電混合基板(參照專利文獻1為例)：係在由聚醯亞胺等構成的絕緣基板51表面形成電配線52而成的電路基板EO中上述絕緣基板51的背面(與電配線52形成面相反一側之面)，積層有由環氧樹脂等構成的光波導(光配線)WO(下包層56、芯體57、上包層58)者。
但是，在上述光電混合基板中，由於絕緣基板51(聚醯亞胺樹脂等)和光波導WO(環氧樹脂等)相接，因兩者的線膨脹係數有別，根據周圍的溫度會在光波導WO中產生應力或微小彎曲，因此使光波導WO的光傳播損耗變大。
另一方面，作為光電混合基板，如圖8所示，提出有在上述絕緣基板51和光波導WO之間整面設置不銹鋼 層MO的光電混合基板(參照專利文獻2為例)，在該光電混合基板中，上述不銹鋼層MO作為加強材料發揮作用，從而防止在上述光波導WO中產生的應力或微小彎曲。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2010-164655號公報
專利文獻2：日本特開2009-265342號公報
發明概要
但是，上述習知光電混合基板(參照圖7、圖8)是假想在做成平坦狀的狀態下使用而提出的。而最近，要求上述電子設備等要小型化等，隨之對於上述光電混合基板也要求在較小空間中使用、或在鉸接部等可動部中使用等。
針對該在較小空間中的使用、或在鉸接部等可動部中的使用等要求，本發明的發明人們構想出如下方案：通過使光電混合基板的一部分具有彎曲性，來實現在較小空間內的容納、或在可動部中的使用等。但是，在如上述整面設有不銹鋼層MO的光電混合基板(參照圖8)中，該不銹鋼層MO成為彎曲的阻礙，導致彎曲性變差。此外，在上述鉸接部之類反覆彎曲的部分使用時，由於上述不銹鋼層MO的金屬疲勞等，導致該不銹鋼層MO斷裂，隨之芯體57也斷裂，從而使光配線變得不能使用。即，對反覆彎曲的耐性較差。上述諸點仍有改善的餘地。
本發明係有鑑於所述情況而完成者，其目的在於提供一種在抑制光傳播損耗的增大、彎曲性、對反覆彎曲的耐性方面均優異的光電混合基板及其製造方法。
為了達成上述目的，本發明的第1主旨在於，一種光電混合基板，其包括：電路基板，係在絕緣層的表面形成電配線而成者；光波導，係形成於該電路基板的上述絕緣層的背面，且具有包層和芯體者；及金屬層，係形成於上述光波導的上述包層與上述電路基板的上述絕緣層的背面之間；上述光電混合基板的一部分形成為彎曲預定部，上述金屬層之與該彎曲預定部相對應的部分被局部去除，並將上述光波導的包層填埋該去除痕跡內。
此外，本發明的第2主旨在於，一種光電混合基板之製造方法，係在金屬層的表面形成絕緣層，在該絕緣層的表面形成電配線，並在上述金屬層的背面形成光波導者；在形成上述光波導之前，利用蝕刻去除上述金屬層之與上述光電混合基板的彎曲預定部相對應的部分，從而得到光電混合基板。
本發明之光電混合基板中，由於金屬層之與彎曲預定部相對應的部分被局部去除，因此該去除部分不再成為彎曲的阻礙，從而使得其彎曲性優異。此外，即使反覆彎曲上述金屬層的去除部分，也不會造成金屬層斷裂，因此也不會造成光波導的芯體斷裂，從而使得其在對於反覆 彎曲的耐性方面也優異。並且，由於上述金屬層的去除痕跡並不是空洞，該去除痕跡內填埋有光波導的包層，因此即使彎曲上述彎曲預定部，光波導的芯體的形狀也穩定，從而能夠維持適當的光傳播。而且，上述彎曲預定部以外的部分，在電路基板和光波導之間存在上述金屬層，因此該金屬層發揮加強材料之作用，故可防止在上述光波導中產生的應力或微小彎曲，抑制光波導的光傳播損耗增大。如此一來，本發明之光電混合基板在彎曲性及對於反覆彎曲的耐性方面皆優異，並且在抑制光傳播損耗的增大方面亦佳。
特別是，在上述彎曲預定部以外的部分中，對應上述光波導的芯體圖案使上述金屬層形成圖案，並將上述光波導的包層填埋上述金屬層之因該圖案形成而被去除的部分內的情況下，由於與上述彎曲預定部以外的部分相對應的金屬層並非整面而呈分散形成的狀態，因此該彎曲預定部以外的部分變得富有撓性。由此，即使上述彎曲預定部以外的部分受到衝擊等，也能輕易地變形，從而緩和上述衝擊。而且，即使如上述那樣地變形，由於上述圖案形成後的金屬層的部分發揮加強材料之作用，因此上述變形優先產生於因上述圖案形成而被去除金屬層的部分(填埋包層之部分)。其結果，即使在上述光電混合基板的彎曲預定部以外的部分產生變形，亦可防止芯體的變形，維持適當的光傳播。
此外，本發明的光電混合基板之製造方法中，係 於形成光波導之前，利用蝕刻去除金屬層之與光電混合基板的彎曲預定部相對應的部分，因此在形成上述光波導後，做成光波導的包層填埋上述金屬層的去除痕跡內的狀態。而且，上述彎曲預定部由於金屬層的部分被去除，因此變得易於彎曲。此外，由於上述金屬層的去除痕跡形成填埋有光波導之包層的狀態，因此即使如上述那樣彎曲，光波導的芯體的形狀也穩定，從而可得到可進行適當光傳播之光電混合基板。
1‧‧‧絕緣層
1a‧‧‧孔部
2、52‧‧‧電配線
2a‧‧‧安裝用墊片
2b‧‧‧接地用電極
3‧‧‧覆蓋層
4‧‧‧電解電鍍層
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1包層
7、57‧‧‧芯體
7a‧‧‧反射面
8‧‧‧第2包層
51‧‧‧絕緣基板
56‧‧‧下包層
58‧‧‧上包層
D‧‧‧箭頭
E、EO‧‧‧電路基板
F‧‧‧區域
M‧‧‧金屬層
Ma‧‧‧圖案部分
R1、R2‧‧‧去除痕跡
W‧‧‧光波導
WO‧‧‧光波導(光配線)
圖1係示意性地表示本發明之光電混合基板的第1實施形態，其中，(a)為其縱截面圖，(b)為(a)的A-A截面之放大圖。
圖2之(a)~(e)係示意性地表示上述光電混合基板之製造方法中電路基板的製作程序及金屬層的蝕刻程序之說明圖。
圖3(a)~(d)係示意性地表示上述光電混合基板之製造方法中光波導的製作程序之說明圖。
圖4係示意性地表示本發明之光電混合基板的第2實施形態，其中，(a)為其縱截面圖，(b)為(a)的B-B截面之放大圖。
圖5(a)、(b)是示意性地表示上述第2實施形態之光電混合基板中芯體寬度和金屬層的圖案部分寬度間之關係之說明圖。
圖6係示意性地表示上述第1實施形態、第2實施形態之 光電混合基板的變形例之縱截面圖。
圖7係示意性地表示習知光電混合基板之縱截面圖。
圖8係示意性地表示另一習知光電混合基板之縱截面圖。
用以實施發明之形態
接下來，基於附圖對本發明的實施形態進行詳細說明。
圖1(a)係示意性地表示本發明之光電混合基板的第1實施形態之縱截面圖，圖1(b)係示意性地表示其彎曲部以外的部分之橫截面(圖1(a)的A-A截面)放大圖。該實施形態之光電混合基板為帶狀，其包括：電路基板E，係在絕緣層1的表面形成電配線2而成者；光波導W，係形成於該電路基板E的上述絕緣層1的背面，且具有第1包層6和芯體7；及金屬層M，係形成於上述光波導W的上述第1包層6與上述電路基板E的上述絕緣層1的背面之間。而且，如圖1(a)所示，上述光電混合基板在其長向的中央部以使上述光波導W處於內側的方式彎曲。在該彎曲部(長向的中央部)，去除上述金屬層M的部分，並將上述光波導W的第1包層(下包層)6填埋該去除痕跡R1內。此外，如圖1(b)所示，在上述彎曲部以外的部分(區域F的部分)，同習知一樣整面形成上述金屬層M。
由於上述光電混合基板在彎曲部沒有金屬層M，因此不妨礙其彎曲，且彎曲性優異。此外，上述彎曲 部之不具金屬層M的部分並不是空洞，而是填埋有光波導W的第1包層6，因此在上述彎曲部中，光波導W的芯體7的形狀穩定，能夠維持適當的光傳播。進而，在上述彎曲部以外的部分，整面形成有上述金屬層M，因此該金屬層M可發揮加強材料之作用，防止在上述光波導W中產生應力或微小彎曲。其結果，能夠抑制光波導W的光傳播損耗增大。
更詳細地說明的話，如上所述，上述電路基板E 包括絕緣層1和形成於該絕緣層1的表面的電配線2。並且，在上述光電混合基板的長向上兩端部，以暴露的狀態在上述絕緣層1的表面形成有光學元件安裝用墊片2a，並且以暴露的狀態形成有貫穿上述絕緣層1而與背面的金屬層M接觸的接地用電極2b。該等光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b係上述電配線2的一部分，其等以外的電配線2的部分經覆蓋層3(cover lay)覆蓋而受到絕緣保護。此外，上述絕緣層1具有透光性。
如上所述，上述金屬層M之與彎曲部相對應的部 分被去除(參照圖1(a))，於彎曲部以外的部分則整面形成金屬層M(參照圖1(b))。並且，在長向上兩端部，與上述電路基板E的光學元件安裝用墊片2a相對應的位置處形成有光徑用貫通孔5(參照圖1(a))。
如圖1(a)、(b)所示，上述光波導W包括：上述第 1包層6(下包層)；芯體7，係在該第1包層6的表面上以規定圖案形成者；及第2包層8(上包層)，係以覆蓋該芯體7的狀態形成於上述第1包層6的表面者。而且，上述第1包層6在 其背面(與芯體7形成面相反一側之面)與上述金屬層M相接，並填埋上述金屬層M的去除痕跡R1及光徑用貫通孔5內。進而，在長向上兩端部，芯體7之與上述電路基板E的光學元件安裝用墊片2a相對應的部分形成為相對於芯體7的長向成45°的傾斜面。該傾斜面形成一可反射光，使光於芯體7和安裝於上述光學元件安裝用墊片2a的光學元件間進行光傳播之反射面7a。即，藉由該反射面7a，芯體7的折射率比位於該反射面7a外側的空氣的折射率大，因此來自發光元件(光學元件)的光、或在芯體7內傳播而來的光碰到上述反射面7a時，該光的大部分將反射而使光徑改變90°。
接下來，對上述光電混合基板之製造方法進行說 明(參照圖2(a)~(e)、圖3(a)~(d))。
首先，準備平坦狀的上述金屬層M(參照圖 2(a))。作為該金屬層M的形成材料，能夠舉出不銹鋼、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、鉑、金等，其中，從對於彎曲的耐性等觀點來看，宜選不銹鋼。此外，上述金屬層M的厚度例如設定為10μm~70μm的範圍內。
接下來，如圖2(a)所示，在上述金屬層M的表面， 塗布由聚醯亞胺樹脂等構成的感光性絕緣樹脂，並利用光刻法，形成規定圖案的絕緣層1。在該實施形態中，為了形成與金屬層M接觸的接地用電極2b，乃於長向上兩端部形成使上述金屬層M表面暴露之孔部1a。另外，上述絕緣層1的厚度設定為3μm~50μm的範圍內。
其次，如圖2(b)所示，例如利用半加成法形成上 述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)。該方法首先利用濺鍍或無電解電鍍等在上述絕緣層1的表面形成由銅或鉻等構成的金屬膜(未圖示)。該金屬膜成為之後進行電解電鍍時的晶種層(成為形成電解電鍍層的基底之層)。繼之，在由上述金屬層M、絕緣層1及晶種層構成的積層體的兩面層壓感光性抗蝕膜(未圖示)後，利用光刻法，在形成有上述晶種層一側的感光性抗蝕膜上形成上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)的圖案的孔部，並使上述晶種層的表面部分暴露在該孔部的底部。接下來，利用電解電鍍，在暴露於上述孔部底部的上述晶種層的表面部分積層形成由銅等構成的電解電鍍層。然後，利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述感光性抗蝕膜。之後，利用軟蝕刻(soft etching)去除未形成有上述電解電鍍層的晶種層的部分。由殘存的晶種層和電解電鍍層構成的積層部分即為上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)。
繼而，如圖2(c)所示，在上述電配線2(包含光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b)的表面形成由鎳等構成的無電解電鍍層(未圖示)後，在電配線2之除了上述光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b以外的部分塗布由聚醯亞胺樹脂等構成的感光性絕緣樹脂，並利用光刻法形成覆蓋層3。
接下來，如圖2(d)所示，利用蝕刻去除形成於上述光學元件安裝用墊片2a和接地用電極2b上的上述無電解 電鍍層(未圖示)後，在該去除痕跡上形成由金或鎳等構成的電解電鍍層4。如此，在上述金屬層M的表面即形成電路基板E。
其次，在由上述金屬層M和電路基板E構成的積 層體的兩面層壓感光性抗蝕膜(未圖示)後，在上述金屬層M背面側(與電路基板E相反一側之面側)的感光性抗蝕膜中、與長向上中央部(彎曲預定部)及光徑用貫通孔形成預定部相對應的部分，利用光刻法形成孔部，並使上述金屬層M的背面部分暴露於該孔部的底部(圖中上表面)。
而且，如圖2(e)所示，使用與該金屬層M的金屬 材料相應的蝕刻用水溶液(例如，在不銹鋼層的情況下為三氯化鐵水溶液)，蝕刻去除上述金屬層M之暴露於上述孔部的底部之部分，使上述絕緣層1暴露於該去除痕跡R1、R2的底部(圖中上表面)。該去除痕跡R1、R2中，長向上中央部的去除痕跡R1為彎曲預定部，兩端部的去除痕跡R2為光徑用貫通孔5。之後，利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述感光性抗蝕膜。
而且，為了在上述金屬層M的背面(圖中下表面) 形成光波導W(參照圖3(d))，首先，如圖3(a)所示，在上述金屬層M的背面塗布作為第1包層6(下包層)形成材料的感光性環氧樹脂等感光性樹脂後，利用照射線對該塗布層進行曝光而使其固化，形成第1包層6。該第1包層6係以填埋上述金屬層M中經蝕刻去除的彎曲預定部(去除痕跡R1)及光徑用貫通孔5(去除痕跡R2)的狀態形成。上述第1包層6的 厚度(自金屬層M的背面起算的厚度)設定為3μm~50μm的範圍內。另外，形成光波導W時(形成上述第1包層6、下述芯體7、下述第2包層8時)，上述金屬層M的背面朝上。
接下來，如圖3(b)所示，利用光刻法在上述第1 包層6的表面(圖中下表面)形成規定圖案的芯體7。該芯體7的厚度設定為20μm~100μm的範圍內，寬度設定為10μm~100μm的範圍內。作為上述芯體7的形成材料，可舉與上述第1包層6相同的感光性樹脂為例，並且使用折射率比上述第1包層6及下述第2包層8(參照圖3(c))的形成材料的折射率大的材料。該折射率的調整可通過譬如調整上述第1包層6、芯體7、第2包層8之各形成材料之種類選擇或組成比率來進行。
其次，如圖3(c)所示，利用光刻法以覆蓋上述芯 體7的方式在上述第1包層6的表面(圖中下表面)形成第2包層8。該第2包層8的厚度(自第1包層6的表面起算的厚度)設定為上述芯體7的厚度以上且300μm以下。作為上述第2包層8的形成材料，可舉與上述第1包層6相同的感光性樹脂為例。
而且，如圖3(d)所示，利用雷射加工或使用刀尖 角度45°的旋轉刀等的切削加工等，使光波導W之與上述電路基板E的光學元件安裝用墊片2a相對應(圖中位於下方)的部分(兩端部)形成為與芯體7的長向成45°傾斜的傾斜面。而且，該傾斜面的芯體7的部分將發揮光反射面7a之作用。如此一來，即於上述金屬層M的背面形成光波導W。
之後，以使上述光波導W處於內側的方式使上述彎曲預定部(長向上中央部)彎曲。此時，上述彎曲預定部中，由於金屬層M被去除而不存在，因此彎曲變得容易。如此，即得到圖1(a)、(b)所示之光電混合基板。
圖4(a)係示意性地表示本發明之光電混合基板的第2實施形態之縱截面圖，圖4(b)係示意性地表示其彎曲部以外的部分之橫截面(圖4(a)的B-B截面)放大圖。該實施形態中，如圖4(b)所示，在上述彎曲部以外的部分(區域F的部分)，對應光波導W的芯體7的圖案使上述金屬層M形成圖案，並將上述光波導W的第1包層6(下包層)填埋上述金屬層M之因該圖案形成而被去除的部分內。除此以外的部分則與圖1(a)、(b)所示之第1實施形態相同，對相同的部分標注相同的元件符號。
該實施形態的光電混合基板，除了上述第1實施形態的作用、效果外，更產生如下之作用、效果。即，由於與上述彎曲部以外的部分相對應的金屬層M業經形成圖案，使該金屬層M呈非整面而是分散形成的狀態，因此使其彎曲部以外的部分富有撓性。藉此，即使上述彎曲部以外的部分受到衝擊等，也能輕易地變形，從而緩和上述衝擊。而且，即使如上述那樣變形，由於上述業經圖案形成之金屬層M的部分發揮加強材料之作用，因此上述變形優先產生於因上述圖案形成而被去除金屬層M的部分(填埋包層之部分)。其結果，即使在上述光電混合基板的彎曲部以外的部分產生變形，亦可防止芯體7的變形，維持適當的光 傳播。
該實施形態的光電混合基板之製造方法如下所 述，首先，進行與上述第1實施形態同樣之程序，直到在金屬層M的表面形成電路基板E為止(參照圖2(a)~圖2(d))。之後，在對上述金屬層M進行蝕刻時(參照圖2(e))，除了與彎曲預定部(長向上中央部)及光徑用貫通孔5相對應的部分外，還蝕刻去除與後續程序中形成之光波導W的芯體7圖案相對應的部分以外之部分。從之後的光波導W的形成開始，則進行與上述第1實施形態同樣之程序(參照圖3(a)~圖3(d))。
此外，如圖5(a)所示，上述業經圖案形成之金屬 層M的各圖案部分Ma之寬度下限值係與芯體7的寬度為相同值(參照圖示的虛線)。若將各圖案部分Ma的寬度擴寬至連接相鄰的圖案部分Ma，則變成與上述第1實施形態(參照圖1(b))相同，但如該第2實施形態所示形成圖案時，如圖5(b)所示，各圖案部分Ma的寬度的上限值宜設為相鄰的圖案部分Ma間之間隙T為10μm。
另外，該第2實施形態中，在上述彎曲部以外的 部分(區域F的部分)，也可以局部殘留相鄰圖案部分Ma間之金屬層M，形成相鄰圖案部分Ma局部相連的狀態，從而加強該相連部分。
此外，上述各實施形態中，係使光電混合基板以 保持在彎曲部(長向上中央部)彎曲的狀態進行使用，但也可以使光電混合基板在該長向上中央部反覆彎曲來進行使 用。即使如所述使用，由於在光電混合基板的長向上中央部業已去除金屬層M，因此不會造成金屬層M的斷裂，也不會造成光波導W的芯體7斷裂。即，在對於反覆彎曲的耐性方面甚為優異。
此外，上述各實施形態中，係將與彎曲部(長向 上中央部)相對應的金屬層M的部分去除，但也可以如圖6中縱截面圖所示，沿長向延長該去除部分(參照圖示的箭頭D)，使其形成至彎曲部以外的部分。如此，即使光電混合基板沿長向滑動，使彎曲部的位置在長度方向上錯位，其彎曲性也得以維持。
並且，上述各實施形態中，係使光波導W處於內 側地進行彎曲，但也可以使電路基板E處於內側地進行彎曲。
而且，上述各實施形態中，彎曲部為一處，但也可以為多處，該情況下，去除該多處的金屬層M的部分。
接下來，將實施例與比較例對照說明。但是，本發明不限定於實施例。
(實施例) (實施例1、實施例2)
將上述第1實施形態中，彎曲前的光電混合基板(參照圖3(d))作為實施例1，將上述第2實施形態中，彎曲前的光電混合基板作為實施例2。在該兩個實施例中，均設定不銹鋼層(金屬層)的厚度為18μm，絕緣層的厚度為5μm，第1包層的厚度(自不銹鋼層的背面起算的厚度)為20μm，芯體的 厚度為50μm，芯體的寬度為50μm，第2包層的厚度(自第1包層的表面起算的厚度)為70μm。此外，在實施例2中，將與芯體圖案相對應的不銹鋼層的圖案部分的寬度設定為與上述芯體的寬度(50μm)相同的值。
(比較例1、比較例2)
將圖7所示光電混合基板作為比較例1，將圖8所示光電混合基板作為比較例2。設定不銹鋼層等的各結構的尺寸與上述實施例1、實施例2相同。
(光傳播損耗的測量)
準備發光元件(ULM公司製，ULM850-10-TT-C0104U)及受光元件(Albis optoelectronics公司製，PDCA04-70-GS)，測量直接由上述受光元件接收自上述發光元件發出的光時的光量IO。接下來，將上述發光元件安裝於上述實施例1、實施例2及比較例1、比較例2的光電混合基板的一端部的光學元件安裝用墊片上，將上述受光元件安裝於另一端部的光學元件安裝用墊片上。接著，測量經由光波導的芯體而由上述受光元件接收自上述發光元件發出的光時的光量I。然後，由上述值計算出[-10×log(I/IO)]，將用該值除以芯體的長度而得的值作為光傳播損耗。在下述表1中示出其結果。
(對於反覆彎曲的耐性)
使上述實施例1、實施例2及比較例1、比較例2的光電混合基板在長向上中央部(彎曲預定部)彎曲，使該彎曲部至長度方向的一側和另一側相對，以該狀態將光電混合基板 設置於滑動試驗機。而且，以上述一側和另一側彼此向相反方向滑動的方式使上述一側和另一側反覆往返。設定該彎曲狀態的光電混合基板的高度為4mm，上述滑動的行程為20mm。然後，統計直到上述光電混合基板斷裂為止的往返次數。其結果顯示，在實施例1、實施例2及比較例1中，即使進行10000次的往返也未斷裂，但比較例2在進行10次的往返時斷裂。在下述表1中示出其結果。
由上述表1的結果可知，對於光傳播損耗，實施例1、實施例2與具有不銹鋼層的比較例2無大的差異。但是，在對反覆彎曲的耐性方面，與比較例2相比較，實施例1、實施例2十分優異。此外，可知比較例1雖然具有對於反覆彎曲的耐性，但光傳播損耗較大。
產業上之可利用性
本發明之光電混合基板可利用於要求在較小空間內使用、或在鉸接部等可動部中使用等的情況等。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電配線
2a‧‧‧安裝用墊片
2b‧‧‧接地用電極
3‧‧‧覆蓋層
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1包層
7‧‧‧芯體
7a‧‧‧反射面
8‧‧‧第2包層
E‧‧‧電路基板
M‧‧‧金屬層
R1‧‧‧去除痕跡
W‧‧‧光波導

Claims (2)

  1. 一種光電混合基板，係包括如下者：電路基板，係在絕緣層的表面形成電配線而成者；光波導，係形成於該電路基板的上述絕緣層的背面，且具有包層和數個芯體者；及金屬層，係形成於上述光波導的上述包層與上述電路基板的上述絕緣層的背面之間；該光電混合基板之特徵在於，上述光電混合基板的一部分形成彎曲預定部，上述金屬層之與該彎曲預定部相對應的部分被局部去除，該去除痕跡內填埋有上述光波導的包層；並且，在上述彎曲預定部以外的部分，上述金屬層是對應上述光波導的數個芯體的圖案而形成具有數個圖案部分的圖案，且上述芯體與上述金屬層的圖案部分是配置成在寬度方向上重疊，並且上述金屬層的各個圖案部分的寬度設定為各個芯體的寬度以上，而上述金屬層之因圖案形成而被去除之上述金屬層的去除痕跡內填埋有上述光波導的包層。
  2. 一種光電混合基板之製造方法，係在金屬層的表面形成絕緣層，在該絕緣層的表面形成電配線，並在上述金屬層的背面形成具有數個芯體的光波導；該方法之特徵在於：在形成上述光波導之前，利用蝕刻去除下述部分： 上述金屬層之與上述光電混合基板的彎曲預定部相對應的部分、以及在上述彎曲預定部以外的部分中上述金屬層之與上述光波導的數個芯體的圖案相對應部分以外的部分；並在上述彎曲預定部以外的部分，使上述金屬層形成具有數個圖案部分的圖案，從而得到如上述申請專利範圍第1項之光電混合基板。
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