WO2011125658A1 - 光導波路構造体および電子機器 - Google Patents
光導波路構造体および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011125658A1 WO2011125658A1 PCT/JP2011/057845 JP2011057845W WO2011125658A1 WO 2011125658 A1 WO2011125658 A1 WO 2011125658A1 JP 2011057845 W JP2011057845 W JP 2011057845W WO 2011125658 A1 WO2011125658 A1 WO 2011125658A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- optical waveguide
- core
- waveguide structure
- light
- optical
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本発明により、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、可撓性および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体、およびかかる光導波路構造体を備えた電子機器が提供される。本発明の一例を以下に挙げる。光導波路構造体（１）は、コア層（９３）とクラッド層（９１）、（９２)とを積層してなる光導波路（９）と、可撓性を有する基板（２）と導体層（５）とを備える配線基板と、光導波路（９）の両端部に設けられた発光素子（３）および受光素子（４）とを有している。コア層（９３）は、その層内に伝送光の光路を構成するコア部とクラッド部とを有し、コア部は、（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を含む組成物で構成されたコア層に対し光を選択的に照射することにより形成されたものである。
Description
本発明は、光導波路構造体および電子機器に関するものである。
本願は、２０１０年４月６日に、日本に出願された特願２０１０－０８８０９７号、及び２０１０年４月７日に、日本に出願された特願２０１０－０８９０４７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１０年４月６日に、日本に出願された特願２０１０－０８８０９７号、及び２０１０年４月７日に、日本に出願された特願２０１０－０８９０４７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、光通信の分野における光部品として、光分岐結合器（光カプラ）、光合分波器等が開発されており、これらに用いる光導波路型素子が有望視されている。この光導波路型素子（以下、単に「光導波路」ともいう。）としては、従来の石英系光導波路の他、製造（パターニング）が容易で汎用性に富むポリマー系光導波路があり、最近では後者の開発が盛んに行われている。
このような光導波路は、通常、基板上に所定の配置（パターン）で形成され、光導波路構造体として取り扱われる。この光導波路構造体としては、基板上に所定の電気配線回路と、コア部およびクラッド部で構成される光導波路とを形成し、さらにこの光導波路に発光素子および受光素子を取り付けたものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、上記特許文献１に記載の光導波路構造体では、次のような問題点がある。
１．光導波路の形成工程が複雑であり、伝送光の光路を構成するコア部のパターン形状の設計、選択の自由度が狭い。
２．コア部のパターン形状の精度や寸法精度が悪い。
３．光信号の伝送効率が低い。
４．電気配線パターンと組み合わせた場合に、該電気配線パターンの設計における自由度が狭い。
１．光導波路の形成工程が複雑であり、伝送光の光路を構成するコア部のパターン形状の設計、選択の自由度が狭い。
２．コア部のパターン形状の精度や寸法精度が悪い。
３．光信号の伝送効率が低い。
４．電気配線パターンと組み合わせた場合に、該電気配線パターンの設計における自由度が狭い。
本発明の目的は、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、可撓性および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体、およびかかる光導波路構造体を備えた電子機器を提供することにある。
また本発明の目的は、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、発光素子や受光素子との光結合効率および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供することにある。
また本発明の目的は、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、発光素子や受光素子との光結合効率および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供することにある。
このような目的は、下記（１）～（７５）の本発明により達成される。
（１） 可撓性を有するフレキシブル基板と、その少なくとも一方の面に設けられ、電気配線が形成された導体層とを備える配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に設けられ、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを備える光導波路と、を有し、
前記コア部は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
（１） 可撓性を有するフレキシブル基板と、その少なくとも一方の面に設けられ、電気配線が形成された導体層とを備える配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に設けられ、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを備える光導波路と、を有し、
前記コア部は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
（２） 前記（Ｂ）の環状エーテル基は、オキセタニル基またはエポキシ基である上記（１）に記載の光導波路構造体。
（３） 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（１）または（２）に記載の光導波路構造体。
（４） 前記（Ｂ）は、前記（Ａ）よりも屈折率が低く、
前記環状オレフィン樹脂は、前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、前記（Ａ）の屈折率を低下させる脱離性基を有するものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記環状オレフィン樹脂は、前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、前記（Ａ）の屈折率を低下させる脱離性基を有するものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５） 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、側鎖に前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有し、
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである上記（２）に記載の光導波路構造体。
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである上記（２）に記載の光導波路構造体。
（６） 前記（Ｂ）は、さらに、エポキシ化合物およびオキセタニル基を２つ有するオキセタン化合物のうち、少なくとも一方を第２モノマーとして含むものである上記（５）に記載の光導波路構造体。
（７） 前記第２モノマーと前記第１モノマーとの割合は、重量比（前記第２モノマーの重量／前記第１モノマーの重量）で、０．１～１．０である上記（６）に記載の光導波路構造体。
（８） 前記脱離性基は、－Ｏ－構造、－Ｓｉ－アリール構造および－Ｏ－Ｓｉ－構造のうちの少なくとも１つを有するものである上記（４）ないし（６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（９） 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（５）ないし（８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１０） 前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネンの付加重合体である上記（９）に記載の光導波路構造体。
（１１） 前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０１）に記載の繰り返し単位を有するものである上記（１０）に記載の光導波路構造体。
［式中のｎは、０以上９以下の整数である。］
（１２） 前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０２）に記載の繰り返し単位を有するものである上記（１０）または（１１）に記載の光導波路構造体。
（１３） 前記式（１００）に記載の第１モノマーの含有量は、前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して、１重量部以上５０重量部以下である上記（５）ないし（１２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１４） 前記コア層の活性放射線が照射された領域と、未照射領域とで、前記（Ｂ）由来の構造体濃度が異なっている上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１５） 前記コア層の活性放射線が照射された領域と未照射領域の屈折率差が０．０１以上である上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１６） 前記コア層の活性放射線が照射された領域を前記クラッド部の少なくとも一部とし、未照射領域を前記コア部の少なくとも一部とする上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１７） 前記光導波路は、細長い形状をなしており、
前記光導波路は、その長手方向における１箇所または２箇所以上で、部分的に、前記配線基板に固定されている上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記光導波路は、その長手方向における１箇所または２箇所以上で、部分的に、前記配線基板に固定されている上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１８） 前記光導波路の固定は、接着剤によりなされている上記（１７）に記載の光導波路構造体。
（１９） 前記光導波路は、細長い形状をなしており、
前記光導波路は、その長手方向における２箇所以上で、部分的に、前記配線基板に固定されており、
前記２箇所以上の固定箇所のうち、隣り合う固定箇所間において、前記光導波路は、撓むように設けられている上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記光導波路は、その長手方向における２箇所以上で、部分的に、前記配線基板に固定されており、
前記２箇所以上の固定箇所のうち、隣り合う固定箇所間において、前記光導波路は、撓むように設けられている上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２０） 前記配線基板は、前記配線基板を貫通する貫通孔を備えており、
前記光導波路は、前記貫通孔に挿通されることにより、前記配線基板に部分的に固定されている上記（１７）ないし（１９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記光導波路は、前記貫通孔に挿通されることにより、前記配線基板に部分的に固定されている上記（１７）ないし（１９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２１） 前記貫通孔は、平面視において、前記光導波路の長手方向に沿った長軸を有する細長い形状をなしている上記（２０）に記載の光導波路構造体。
（２２） 当該光導波路構造体において、前記配線基板の可撓性の大きい領域と前記光導波路とが、平面視で互いにずれている部分を有している上記（１）ないし（２１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２３） 前記配線基板は、相対的に可撓性の大きいリジッド部と、相対的に可撓性の小さいフレキシブル部とを有しており、
前記光導波路が前記配線基板に固定されている箇所は、前記フレキシブル部に位置している上記（１７）ないし（２２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記光導波路が前記配線基板に固定されている箇所は、前記フレキシブル部に位置している上記（１７）ないし（２２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２４） 前記配線基板は、細長い形状をなしており、かつ、その一部において、前記フレキシブル基板の一方の面側に設けられた硬質のリジッド基板を備えており、
当該光導波路構造体は、前記リジッド基板が位置しているリジッド部と、それ以外の領域であるフレキシブル部とを有している上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
当該光導波路構造体は、前記リジッド基板が位置しているリジッド部と、それ以外の領域であるフレキシブル部とを有している上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２５） 前記フレキシブル部を複数有しており、
複数の前記フレキシブル部のうち、一部のフレキシブル部は、前記光導波路のみで構成されている上記（２４）に記載の光導波路構造体。
複数の前記フレキシブル部のうち、一部のフレキシブル部は、前記光導波路のみで構成されている上記（２４）に記載の光導波路構造体。
（２６） 前記リジッド部は、その内部に設けられた、光信号が通過可能な光信号通過領域を有しており、
前記光信号通過領域の一端と、前記光導波路とが光学的に接続されるよう構成されている上記（２４）または（２５）に記載の光導波路構造体。
前記光信号通過領域の一端と、前記光導波路とが光学的に接続されるよう構成されている上記（２４）または（２５）に記載の光導波路構造体。
（２７） 前記光信号通過領域は、前記リジッド部を厚さ方向に貫通するよう設けられている上記（２６）に記載の光導波路構造体。
（２８） 前記配線基板上に載置された、受光部を有する受光素子と、発光部を有する発光素子とを有し、
前記受光部および前記発光部と、前記光導波路とが、それぞれ光学的に接続されている上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記受光部および前記発光部と、前記光導波路とが、それぞれ光学的に接続されている上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２９） 前記光導波路を複数有しており、
前記光導波路ごとに、前記受光素子と前記発光素子とを有している上記（２８）に記載の光導波路構造体。
前記光導波路ごとに、前記受光素子と前記発光素子とを有している上記（２８）に記載の光導波路構造体。
（３０） 前記受光素子と前記光導波路との接続部、および、前記発光素子と前記光導波路との接続部が、それぞれ樹脂モールドにより覆われている上記（２８）または（２９）に記載の光導波路構造体。
（３１） 前記受光素子と、前記受光素子の動作を制御する受光用電気素子と、前記電気配線のうち、前記受光素子と前記受光用電気素子とを接続する一部と、を備える受光回路と、
前記発光素子と、前記発光素子の動作を制御する発光用電気素子と、前記電気配線のうち、前記発光素子と前記発光用電気素子とを接続する一部と、を備える発光回路と、を有している上記（２８）ないし（３０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記発光素子と、前記発光素子の動作を制御する発光用電気素子と、前記電気配線のうち、前記発光素子と前記発光用電気素子とを接続する一部と、を備える発光回路と、を有している上記（２８）ないし（３０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３２） 前記発光素子、前記受光素子、前記受光用電気素子および前記発光用電気素子は、それぞれ樹脂モールドにより覆われている上記（３１）に記載の光導波路構造体。
（３３） 前記受光回路は、前記フレキシブル基板の一端部に設けられ、前記発光回路は、前記フレキシブル基板の他端部に設けられており、
前記電気配線のうち、前記受光回路と前記発光回路とに含まれるもの以外の少なくとも一部を第１の電気配線としたとき、該第１の電気配線は、前記フレキシブル基板の一端部から他端部まで配されている上記（３１）または（３２）に記載の光導波路構造体。
前記電気配線のうち、前記受光回路と前記発光回路とに含まれるもの以外の少なくとも一部を第１の電気配線としたとき、該第１の電気配線は、前記フレキシブル基板の一端部から他端部まで配されている上記（３１）または（３２）に記載の光導波路構造体。
（３４） 前記第１の電気配線は、前記受光回路および前記発光回路と電気的に分離されている上記（３３）に記載の光導波路構造体。
（３５） 前記フレキシブル基板の一端部に設けられ、前記受光回路を外部と接続するための外部接続端子および前記第１の電気配線を外部と接続するための外部接続端子を備える第１の端子部と、
前記フレキシブル基板の他端部に設けられ、前記発光回路を外部と接続するための外部接続端子および前記第１の電気配線を外部と接続するための外部接続端子を備える第２の端子部と、を有している上記（３３）または（３４）に記載の光導波路構造体。
前記フレキシブル基板の他端部に設けられ、前記発光回路を外部と接続するための外部接続端子および前記第１の電気配線を外部と接続するための外部接続端子を備える第２の端子部と、を有している上記（３３）または（３４）に記載の光導波路構造体。
（３６） 前記電気配線は、前記発光回路および前記受光回路と前記外部接続端子との間を接続する第２の電気配線を含んでいる上記（３５）に記載の光導波路構造体。
（３７） 前記光導波路、前記受光回路、前記発光回路および前記外部接続端子は、直線状に配置されている上記（３５）または（３６）に記載の光導波路構造体。
（３８） 前記配線基板は、細長い形状をなしており、
前記外部接続端子は、前記配線基板の長手方向に沿って配列している複数のパッドを有している上記（３５）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記外部接続端子は、前記配線基板の長手方向に沿って配列している複数のパッドを有している上記（３５）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３９） 前記配線基板は、細長い形状をなしており、
前記外部接続端子は、前記配線基板の幅方向に沿って配列している複数のパッドを有している上記（３５）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記外部接続端子は、前記配線基板の幅方向に沿って配列している複数のパッドを有している上記（３５）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（４０） 前記配線基板は、複数枚の前記フレキシブル基板と、複数層の前記導体層とを交互に積層してなる多層基板である上記（１）ないし（３９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（４１） 上記（１）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路構造体を備えたことを特徴とする電子機器。
（４２） 互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを備える光導波路を有し、
前記コア部は、一方の端部に向かって横断面積が連続的に大きくなる拡張部分を有するものであり、かつ、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
前記コア部は、一方の端部に向かって横断面積が連続的に大きくなる拡張部分を有するものであり、かつ、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
（４３） 前記（Ｂ）の環状エーテル基は、オキセタニル基またはエポキシ基である上記（４２）に記載の光導波路構造体。
（４４） 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（４２）または（４３）に記載の光導波路構造体。
（４５） 前記（Ｂ）は、前記（Ａ）よりも屈折率が低く、
前記環状オレフィン樹脂は、前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、前記（Ａ）の屈折率を低下させる脱離性基を有するものである上記（４２）ないし（４４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記環状オレフィン樹脂は、前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、前記（Ａ）の屈折率を低下させる脱離性基を有するものである上記（４２）ないし（４４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（４６） 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、側鎖に前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有し、
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである上記（４３）に記載の光導波路構造体。
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである上記（４３）に記載の光導波路構造体。
（４７） 前記（Ｂ）は、さらに、エポキシ化合物およびオキセタニル基を２つ有するオキセタン化合物のうち、少なくとも一方を第２モノマーとして含むものである上記（４６）に記載の光導波路構造体。
（４８） 前記第２モノマーと前記第１モノマーとの割合は、重量比（前記第２モノマーの重量／前記第１モノマーの重量）で、０．１～１．０である上記（４７）に記載の光導波路構造体。
（４９） 前記脱離性基は、－Ｏ－構造、－Ｓｉ－アリール構造および－Ｏ－Ｓｉ－構造のうちの少なくとも１つを有するものである上記（４５）ないし（４７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５０） 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（４６）ないし（４９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５１） 前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネンの付加重合体である上記（５０）に記載の光導波路構造体。
（５２） 前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０１）に記載の繰り返し単位を有するものである上記（５１）に記載の光導波路構造体。
［式中のｎは、０以上９以下の整数である。］
（５３） 前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０２）に記載の繰り返し単位を有するものである上記（５１）または（５２）に記載の光導波路構造体。
（５４） 前記式（１００）に記載の第１モノマーの含有量は、前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して、１重量部以上５０重量部以下である上記（４６）ないし（５３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５５） 前記コア層の活性放射線が照射された領域と、未照射領域とで、前記（Ｂ）由来の構造体濃度が異なっている上記（４２）ないし（５４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５６） 前記コア層の活性放射線が照射された領域と未照射領域の屈折率差が０．０１以上である上記（４２）ないし（５５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５７） 前記コア層の活性放射線が照射された領域を前記クラッド部の少なくとも一部とし、未照射領域を前記コア部の少なくとも一部とする上記（４２）ないし（５６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５８） 前記拡張部分において、前記光導波路の一方の端部に向かって、前記コア部の平面視における幅が連続的に大きくなっている上記（４２）ないし（５７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５９） 前記拡張部分において、前記光導波路の一方の端部に向かって、前記コア部の厚さが連続的に大きくなっている上記（４２）ないし（５８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６０） 前記拡張部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記光導波路の一方の端部に向かって開いた放物線に沿うよう形成されている上記（４２）ないし（５９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６１） 前記拡張部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線または厚さ方向における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記コア部の前記一方の端部の端面に対して４５度以上９０度未満の角度をなしている上記（４２）ないし（６０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６２） 前記コア部は、前記一方の端部の端面の面積が、前記他方の端部の端面の面積より大きくなっている上記（４２）ないし（６１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６３） 前記コア部の前記一方の最端部の平面視における幅が、前記他方の最端部の平面視における幅より大きくなっている上記（４２）ないし（６２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６４） 前記コア部の前記一方の最端部の厚さが、前記他方の最端部の厚さより厚くなっている上記（４２）ないし（６３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６５） 前記コア部は、さらに、前記拡張部分より他方の端部側に設けられ、他方の端部に向かって横断面積が連続的に小さくなる縮小部分を有している上記（４２）ないし（６４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６６） 前記縮小部分において、前記光導波路の他方の端部に向かって、前記コア部の平面視における幅が連続的に小さくなっている上記（６５）に記載の光導波路構造体。
（６７） 前記縮小部分において、前記光導波路の他方の端部に向かって、前記コア部の厚さが連続的に小さくなっている上記（６５）または（６６）に記載の光導波路構造体。
（６８） 前記縮小部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記光導波路の一方の端部に向かって開いた放物線に沿うよう形成されている上記（６５）ないし（６７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（６９） 前記縮小部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線または厚さ方向における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記コア部の前記一方の端部の端面に対して４５度以上９０度未満の角度をなしている上記（６５）ないし（６８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（７０） 前記光導波路は、複数の前記コア部を備えている上記（４２）ないし（６９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（７１） 前記複数のコア部は、並列して設けられており、
前記複数のコア部のうち、隣り合う少なくとも２つは、一方の端部の位置および他方の端部の位置の少なくともいずれかが互いに長手方向にずれている上記（７０）に記載の光導波路構造体。
前記複数のコア部のうち、隣り合う少なくとも２つは、一方の端部の位置および他方の端部の位置の少なくともいずれかが互いに長手方向にずれている上記（７０）に記載の光導波路構造体。
（７２） 前記複数のコア部のうち、隣り合う少なくとも２つにおいて、前記一方の端部の位置と、前記他方の端部の位置とが、互いに反対の位置になるよう構成されている上記（７０）または（７１）に記載の光導波路構造体。
（７３） 前記光導波路は、光路を屈曲させる光路変換部を有しており、
前記光路変換部は、外部からの光を屈曲させ前記コア部に導く、または、前記コア部を伝搬してきた光を屈曲させ外部に導くよう構成されている上記（４２）ないし（７２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
前記光路変換部は、外部からの光を屈曲させ前記コア部に導く、または、前記コア部を伝搬してきた光を屈曲させ外部に導くよう構成されている上記（４２）ないし（７２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（７４） さらに、前記光導波路の少なくとも一方の面に設けられ、基板と、その少なくとも一方の面に設けられ、電気配線が形成された導体層とを備える配線基板を有している上記（４２）ないし（７３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（７５） 上記（４２）ないし（７４）のいずれかに記載の光導波路構造体を備えたことを特徴とする電子機器。
本発明によれば、光の照射という簡単な方法でコア部のパターニングをすることができ、コア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。
また、コア部の寸法精度が高いので、発光素子や受光素子に対して、優れた光結合効率を有する光導波路が得られる。
また、コア部をノルボルネン系樹脂（環状オレフィン系樹脂）を主とする樹脂組成物で構成した場合には、前記変形に対し特に強く欠陥が生じ難いという効果が高い他、コア部とクラッド部との屈折率の差をより大きくすることができ、しかも、耐熱性に優れ、その結果、より高性能で耐久性に優れる光導波路が得られる。
また、電気回路、光回路ともに、形成が容易で、種々の形状のものを寸法精度よく形成することができる。特に、光回路については、露光パターンの選択により、どのような形状や配置の光路（コア部）でも形成することができ、また、細い光路でもシャープに形成することができるので、回路の集積化に寄与し、デバイスの小型化が図られる。
このような本発明の光導波路構造体は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが高く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富む。そのため、本発明の光導波路構造体を備えることにより、信頼性の高い種々の電子部品および電子機器が得られる。
以下、本発明の光導波路構造体および電子機器について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。
＜第１実施形態：図１～３＞
図１は、本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す断面図、図２は、図１に示す光導波路の斜視図、図３は、本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す平面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」とし、下側を「下」とする。また、図１、２は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
図１は、本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す断面図、図２は、図１に示す光導波路の斜視図、図３は、本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す平面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」とし、下側を「下」とする。また、図１、２は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
図１に示すように、本発明の光導波路構造体１は、基板２と、基板２の下面に設けられた導体層５と、基板２上に設けられた発光素子３および受光素子４と、発光素子３の発光部３１と受光素子４の受光部４１との間に設けられた光導波路９とを備えている。
光導波路９は、図２中下側からクラッド層（下側クラッド層）９１、コア層９３およびクラッド層（上側クラッド層）９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている。コア部９４は、伝送光の光路を形成する部分であり、クラッド部９５は、コア層９３に形成されているものの伝送光の光路を形成せず、クラッド層９１、９２と同様の機能を果たす部分である。
コア層９３の構成材料としては、光（例えば紫外線）の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料とされる。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系ポリマー、ノルボルネン系ポリマー（樹脂）等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系ポリマーを含む（主材料とする）ものが特に好ましい。
このような材料で構成されたコア層９３は、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、特に繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３と隣接する層（クラッド層９１、９２）との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得られる。
また、コア層９３の構成材料には、例えば、酸化防止剤、屈折率調整剤、可塑剤、増粘剤、補強剤、増感剤、レベリング剤、消泡剤、密着助剤および難燃剤等の添加剤が含まれていてもよい。酸化防止剤の添加は、高温安定性の向上、耐候性の向上、光劣化の抑制という効果がある。このような酸化防止剤としては、例えば、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系等のフェノール系や、芳香族アミン系のものが挙げられる。また、可塑剤、増粘剤、補強剤の添加により、曲げに対する耐性をさらに増大させることもできる。
前記酸化防止剤に代表される添加剤の含有率（２種以上の場合は合計）は、コア層９３の構成材料全体に対し、０．５～４０重量％程度が好ましく、３～３０重量％程度がより好ましい。この量が少なすぎると、添加剤の機能を十分に発揮することができず、量が多すぎると、添加剤の種類や特性によっては、コア部９４を伝送する光（伝送光）の透過率の低下、パターニング不良、屈折率不安定等を生じるおそれがある。
コア層９３の形成方法としては、塗布法が挙げられる。塗布法としては、コア層形成用組成物（ワニス等）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法が挙げられる。また、塗布法以外の方法、例えば、別途製造されたシート材を接合する方法を採用することもできる。
以上のようにして得られたコア層９３に対し、マスクを用いて光（活性放射線）を選択的に照射し、所望の形状のコア部９４をパターニングする。
露光に用いる光としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザー光等の活性エネルギー光線が挙げられる。また、光を用いるのではなく、Ｘ線等の電磁波や、電子線等の粒子線を用いるようにしてもよい。
コア層９３において、光が照射された部位は、その屈折率が低下し、光が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。例えば、コア層９３の光が照射された部位がクラッド部９５となり、照射されなかった部位がコア部９４となる。クラッド部９５の屈折率は、クラッド層９１、９２の屈折率とほぼ等しい。
また、コア層９３に対し光を所定のパターンで照射した後、加熱することにより、コア部９４を形成する場合もある。この加熱工程を付加することにより、コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差がより大きくなるので好ましい。なお、この原理等については、後に詳述する。
形成されるコア部９４のパターン形状としては、特に限定されず、直線状、湾曲部を有する形状、異形、光路の分岐部、合流部または交差部を有する形状、集光部（幅等が減少している部分）または光拡散部（幅等が増大している部分）、あるいはこれらのうちの２以上を組み合わせた形状等、いかなるものでもよい。光の照射パターンの設定により、いかなる形状のコア部９４をも容易に形成することができる点が、本発明の特徴である。
光導波路９の各部の構成材料およびコア部９４の形成方法等については、後に詳述する。
基板２は、可撓性および絶縁性を有するフレキシブル基板である。
基板２の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンザオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。
基板２の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンザオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。
また、基板２は、複数の層の積層体であってもよい。例えば、組成（種類）が同じ樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したもの、それぞれ組成（種類）が異なる樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したものが挙げられる。なお、積層体における層構成は、これに限定されないことは言うまでもない。
基板２の厚さは、特に限定されないが、通常、５～５０μｍ程度であるのが好ましく、１０～４０μｍ程度であるのがより好ましい。基板２の厚さが前記範囲内であれば、光導波路構造体１は十分な可撓性を有するものとなる。
基板２が有する可撓性は、例えば人の手で容易に屈曲させることができる程度のものである。具体的には、基板２のヤング率（引張弾性率）は、一般的な室温環境下（２０～２５℃前後）で１～２０ＧＰａ程度であるのが好ましく、２～１２ＧＰａ程度であるのがより好ましい。
基板２の下面に接合された導体層５は、それぞれ、所定の形状にパターニングされて、所望の配線または回路を構成している。導体層５の構成材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料が挙げられる。導体層５の厚さは、特に限定されないが、通常、３～１２０μｍ程度が好ましく、５～７０μｍ程度がより好ましい。
導体層５は、例えば、金属箔の接合（接着）、金属メッキ、蒸着、スパッタリング等の方法により形成されたものである。導体層５へのパターニングは、例えばエッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。
一方、基板２には、貫通孔２１が形成されており、貫通孔２１内には導電材料（例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料）が充填され、導体ポスト２２が設けられている。この導体ポスト２２は、導体層５と基板２の上面側とを電気的に接続している。
発光素子３は、基台３０と、基台３０の表面に固定された発光部３１と、発光部３１の電極パッドと基台３０の電極パッドとを接続する金属ワイヤ３２と、基台３０の下面に設けられ、発光部３１を外部回路と接続するための外部電極３３とを有している。また、発光部３１および金属ワイヤ３２は、基台３０の表面に半球状に盛られた樹脂モールド３４で覆われている。
外部電極３３に通電がなされると、発光部３１が発光する。
発光素子３は、外部電極３３が導体ポスト２２に接合（電気的に接続）されるようにして基板２上に搭載されている。
発光素子３は、外部電極３３が導体ポスト２２に接合（電気的に接続）されるようにして基板２上に搭載されている。
一方、受光素子４は、基台４０と、基台４０の表面に固定された受光部４１と、受光部４１の電極パッドと基台４０の電極パッドとを接続する金属ワイヤ４２と、基台４０の下面に設けられ、受光部４１を外部回路と接続するための外部電極４３とを有している。また、受光部４１および金属ワイヤ４２は、基台４０の表面に半球状に盛られた樹脂モールド４４で覆われている。
受光部４１が光信号を受光すると、電気信号に変換され、外部電極４３から出力される。
受光素子４は、外部電極４３が導体ポスト２２に接合（電気的に接続）されるようにして基板２上に搭載されている。
なお、発光素子３における発光部３１および受光素子４における受光部４１は、それぞれ１つの発光点または１つの受光点で構成されているものの他、発光点または受光点が複数個集合したものでもよい。発光点または受光点が複数個集合したものとしては、例えば、発光点または受光点が列状（例えば発光点または受光点が１×４個、１×１２個）または行列状（例えば発光点または受光点がｎ×ｍ個：ｎ、ｍは２以上の整数）に配置されたものや、複数の発光点または受光点がランダム（不規則）に配置されたもの等が挙げられる。
樹脂モールド３４は、発光素子３の基台３０の右側において、発光部３１等を封止している。これにより、発光部３１が外部に露出することなく封止された構造となるため、汚れ、損傷、酸化等から発光部３１が保護される。その結果、発光素子３の信頼性が向上する。
また、樹脂モールド４４は、受光素子４の基台４０の左側において、受光部４１等を封止している。これにより、受光部４１が外部に露出することなく封止された構造となるため、汚れ、損傷、酸化等から受光部４１が保護される。その結果、受光素子４の信頼性が向上する。
また、樹脂モールド３４、４４の構成材料としては、絶縁性を有する樹脂材料が好ましく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノルボルネン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
光導波路９は、発光部３１の発光点と、受光部４１の受光点とを結ぶように、発光素子３と受光素子４との間に設けられている。これにより、発光点と受光点とが光導波路９により光学的に接続されている。
光導波路９のコア部９４は、平面視で（図１の上方から見たとき）各発光点や各受光点と重なるようなパターン形状で形成されている。このコア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高く、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い。クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、図２に示すように、その外周の全周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。
光導波路９の両端部（発光素子３および受光素子４との接続部）は、発光素子３に設けられた樹脂モールド３４および受光素子４に設けられた樹脂モールド４４で覆われており、発光素子３および受光素子４に固定されている。これにより、光導波路９、発光素子３および受光素子４は、一体化され、１つの部品（光配線）として取り扱うことが可能になる。
なお、図２に示す光導波路９は、１つのコア部９４を有するものであるが、１つの光導波路９に形成されるコア部９４の数は、例えば、１つの発光部３１に設けられる発光点の個数や、１つの受光部４１に設けられる受光点の数に応じて設定され、特に限定されるものではない。
本実施形態の光導波路構造体１では、導体層５および導体ポスト２２を介して発光素子３の外部電極３３へ通電がなされると、発光部３１の発光点が発光し、図１中右方へ向かって発せられた光は、光導波路９のコア部９４に入る。光導波路９では、コア部９４とクラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図１中右方向）に沿って進む。そして、受光部４１の受光点に光が到達すると、受光部４１において光信号が電気信号へと変換され、外部電極４３から出力される。
このような光導波路構造体１は、後に詳述するが、光導波路９が高分子材料で構成されているため可撓性を有し、かつ、基板２も可撓性を有するフレキシブル基板であるため、光導波路構造体１全体も優れた可撓性を有するものとなる。その結果、例えば折り曲げ操作を繰り返したとしても、破壊することがなく、耐久性に優れた光導波路構造体１が得られる。
また、光導波路９と基板２とは、直接固定されていないので、折り曲げ操作をした際に、光導波路９と基板２とが自由に動くことができる。その結果、局所的な応力集中が防止され、折り曲げ操作に伴う光導波路９の破壊をより確実に防止することができる。
＜第２実施形態：図４＞
図４には、本発明の光導波路構造体１の第２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図４は、第２実施形態の平面図である。
図４には、本発明の光導波路構造体１の第２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図４は、第２実施形態の平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路９、発光素子３および受光素子４の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、１つの基板２上にそれぞれ３つずつの光導波路９、発光素子３および受光素子４が設けられている。これにより、並行して３つの光導波路９で光通信を行うことができるので、光導波路構造体１の光通信の大容量化が可能になる。また、光導波路９、発光素子３および受光素子４は、一体化され、１つの部品（光配線）として取り扱うことができるので、基板２上に搭載する光配線の本数を適宜変更することのみで、光導波路構造体１における光通信の容量を容易に変更することができる。
＜第３実施形態：図５＞
図５には、本発明の光導波路構造体１の第３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図５は、第３実施形態の平面図である。
図５には、本発明の光導波路構造体１の第３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図５は、第３実施形態の平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路９、発光素子３および受光素子４の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、１つの基板２上に３つの光導波路９と、発光点が３つある発光部３１を備えた発光素子３と、受光点が３つある受光部４１を備えた受光素子４とが設けられている。これにより、並行して３つの光導波路９で光通信を行うことができるので、光導波路構造体１の光通信の大容量化が可能になる。また、３つの光導波路９、発光素子３および受光素子４は、一体化され、１つの部品（光配線）として取り扱うことができる。このため、基板２上に搭載する作業が容易になり、光導波路構造体１の製造が容易になる。
＜第４実施形態：図６＞
図６には、本発明の光導波路構造体１の第４実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図６は、第４実施形態の平面図である。
図６には、本発明の光導波路構造体１の第４実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図６は、第４実施形態の平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路９、発光素子３および受光素子４の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、１つの基板２上に３つのコア部９４が形成された１つの光導波路９と、発光点が３つある発光部３１を備えた発光素子３と、受光点が３つある受光部４１を備えた受光素子４とが設けられている。これにより、並行して３つの光導波路９で光通信を行うことができるので、光導波路構造体１の光通信の大容量化が可能になる。また、光導波路９、発光素子３および受光素子４は、一体化され、１つの部品（光配線）として取り扱うことができる。このため、基板２上に搭載する作業が容易になり、光導波路構造体１の製造が容易になる。
＜第５実施形態：図７＞
図７には、それぞれ、本発明の光導波路構造体１の第５実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図７は、第５実施形態の断面図である。
図７には、それぞれ、本発明の光導波路構造体１の第５実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図７は、第５実施形態の断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路９の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、光導波路９は、細長い形状をなしているが、その長手方向における中心から左側にずれた点と、右側にずれた点の２箇所で、基板２に対して部分的に固定されている。このようにして部分的に固定することにより、光導波路９と基板２との間は、固定箇所で拘束されるものの、それ以外の箇所では拘束されないこととなる。このような光導波路構造体１では、光導波路９および基板が、互いに比較的自由に変形することができるので、変形に伴って両者の間に生じる応力集中が緩和され易い。
例えば光導波路構造体１をその長手方向の中心で折り曲げた際には、折り曲げ部の内側に位置するかあるいは外側に位置するかによって、基板２と光導波路９との間に位置ずれが生じるが、光導波路構造体１の長手方向の中心付近では基板２と光導波路９とが拘束されていないので、前記位置ずれを容易に許容することができる。その結果、位置ずれに伴う応力が部分的に集中するのが防止され、折り曲げに伴って光導波路構造体１が破壊されるのを防止することができる。
図７に示す光導波路９は、基板２に対して２つの固定部８１で固定されている。この２つの固定部８１は、接着機能を有する部材であればよく、例えば、接着剤、粘着フィルム、両面粘着テープ等の各種接着部材で構成される。
各固定部８１の位置は、特に限定されないが、基板２の端部からそれぞれ基板２の全長の１０～４０％程度内側の位置であるのが好ましく、１５～３５％程度内側の位置がより好ましい。
また、光導波路９と基板２との間を部分的に固定することにより、全く固定しない場合に比べて、折り曲げ操作の際に光導波路９が激しく動くのを防止することができる。これにより、激しく動いた光導波路９が他の部材と干渉して、光導波路９の破壊を招いたり、光導波路９と発光素子３および受光素子４との接続部が外れてしまうのを確実に防止することができる。
なお、固定部８１の数や配置は、特に限定されず、折り曲げ操作に伴う折り曲げ部の位置等に応じて適宜設定される。例えば、固定部８１の数は、１つでもよく、３つ以上でもよい。また、固定部８１の配置は、中央付近に配置しないようにするのが好ましく、さらには、光導波路構造体１の長手方向の中央に対して対称の関係になるよう配置されるのがより好ましい。
＜第６実施形態：図８、９＞
図８、９には、それぞれ、本発明の光導波路構造体１の第６実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１、５実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図８は、第６実施形態の断面図である。
図８、９には、それぞれ、本発明の光導波路構造体１の第６実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１、５実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図８は、第６実施形態の断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路９の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図８に示す光導波路９は、基板２に対して２つの固定部８１で固定されており、２つの固定部８１の間では、光導波路９が撓むようにして設けられている。具体的には、光導波路９は、上方に突出するように撓んだ撓み部９６を有している。この撓み部９６と基板２との間には、撓み部９６以外の光導波路９と基板２との間に比べて、より大きな隙間が生じている。
光導波路９が撓み部９６を有していると、光導波路構造体１の長手方向の中央付近では、撓み部９６を有していない場合に比べて、光導波路構造体１を折り曲げ易くなる。
図９は、図８に示す光導波路構造体１を中央付近で折り曲げた状態を説明するための図である。
図９では、光導波路構造体１の両端部を下に押し下げるようにして折り曲げている。この折り曲げ操作により、光導波路構造体１の中央付近が上方に突出するように（上面が山折りになるように）変形するが、この際、折り曲げ部の内側に位置する基板２には圧縮力が、折り曲げ部の外側に位置する光導波路９には引張力が、それぞれ付与される。
光導波路９が撓み部９６を有していない場合、光導波路９はこの引張力によって引き延ばされることとなり、光導波路９には引張応力が発生する。このため、光導波路９には意図しない変形が生じ、光信号の伝送効率が低下するおそれがある。
これに対し、光導波路９が図８に示すような撓み部９６を有している場合、光導波路９に引張力が付与されたとしても、撓み部９６が元の状態、すなわち撓みが解消された状態に戻ることはあっても、著しい引張応力の発生は抑制される。このため、光導波路９の意図しない変形が抑制され、光信号の伝送効率の低下を抑制することができる。
また、撓み部９６を設けたことにより、折り曲げた際に光導波路９と基板２との間には隙間が残り易く（図９参照）、このため光導波路９と基板２とが干渉するのを防止することができる。このため、折り曲げ操作と折り曲げを解除する操作とを繰り返し行った場合でも、基板２との干渉による光導波路９の破壊が防止される。その結果、光導波路構造体１の耐屈曲性、耐久性をより高めることができる。
さらには、撓み部９６を設けたことにより、折り曲げ操作の際に手に加わる力は、主に基板２を折り曲げる際に生じる抗力のみであり、撓み部９６が撓み続けている限りは、光導波路９の抗力が手に加わることはない。このため、折り曲げ操作がより容易になるばかりか、光導波路９には応力がほとんど発生しないので、耐久性を高めることができる。
また、光導波路９が各固定部８１で部分的に固定されていることにより、撓み部９６の復元力が発光素子３や受光素子４に直接波及するのを防止することができる。したがって、この復元力によりこれらの素子が破壊されてしまうのを防止することができる。
さらに、撓み部９６における撓み量は、図８に示すようなわずかな量である必要はなく、撓み部９６が半円以上の周長を有するような弧を描く程度の撓み量であってもよい。また、この場合、撓み部９６を任意の軸に巻き取るようにしてもよい。
また、光導波路９に撓み部９６を設けるのではなく、基板２に撓み部を設けるようにしてもよい。この場合、光導波路構造体１の中央付近が下方に突出するように（下面が山折りになるように）変形させた際に、上述した作用・効果が得られることとなる。なお、基板２に設ける撓み部の構成は、上述した撓み部９６と同様である。
＜第７実施形態：図１０、１１＞
図１０、１１には、それぞれ、本発明の光導波路構造体１の第７実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第５実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１０は、第７実施形態の断面図である。
図１０、１１には、それぞれ、本発明の光導波路構造体１の第７実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第５実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１０は、第７実施形態の断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、固定部８１の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１０に示す固定部８１は、接着部材ではなく、基板２に設けられた２つの貫通孔２３により構成されている。２つの貫通孔２３は、前記第５実施形態における固定部８１と同様の位置に設けられている。そして、各貫通孔２３に光導波路９を挿通することにより、光導波路９は、基板２の表側から、図１０の左側に位置する貫通孔２３を通って、一旦基板２の裏側に配された後、右側に位置する貫通孔２３を通って、再び基板２の表側へと配されている。このように光導波路９を、基板２の表側と裏側とを縫うように配置することで、光導波路９は各貫通孔２３近傍において基板２に確実に固定される。しかも、接着部材等の部材を用いることなく、単に光導波路９を各貫通孔２３に挿通するのみで、光導波路９の固定が完了するので、光導波路構造体１の構造の簡略化および製造容易性を高めることができる。
図１１は、図１０に示す光導波路構造体１の平面図である。
図１１は、図１０に示す光導波路構造体１の平面図である。
各貫通孔２３は、平面視において、光導波路９の長手方向に沿った長軸を有する細長い形状をなしている。このように各貫通孔２３が細長い形状をなしていると、この各貫通孔２３に光導波路９を挿通する際に、光導波路９を小さい曲率半径を折り曲げる必要がなく、緩やかな曲線を描くように曲げるだけで挿通することができる。その結果、光導波路９が破断したり、クラッド層９１、９２とコア層９３との間が剥離したりするのを防止することができる。
さらには、各貫通孔２３が細長い形状をなしていると、光導波路９と各貫通孔２３との間に隙間が生じる。この隙間は、光導波路構造体１に折り曲げ操作を行った場合、光導波路９と各貫通孔２３との間で、長手方向の位置ずれが容易になる。このため、仮に光導波路９に引張力が付与されたとしても、著しい引張応力が発生するのを確実に防止することができる。
なお、各貫通孔２３の長軸の長さは、光導波路９の厚さや基板２の厚さ等に応じて適宜設定されるが、光導波路９や基板２が厚い場合には、それに応じて長くするのが好ましい。
また、貫通孔２３の数や配置は、特に限定されず、折り曲げ操作に伴う折り曲げ部の位置等に応じて適宜設定される。例えば、貫通孔２３の数は、１つでもよく、３つ以上でもよい。なお、貫通孔２３の数が奇数である場合、発光素子３および受光素子４の基板２に対する配置を、それぞれ互いに表裏反対になるようにすればよい。
また、貫通孔２３の配置は、中央付近に配置しないようにするのが好ましく、さらには、光導波路構造体１の長手方向の中央に対して対称の関係になるよう配置されるのがより好ましい。
＜第８実施形態：図１２＞
図１２には、本発明の光導波路構造体１の第８実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１２は、第８実施形態の平面図である。
図１２には、本発明の光導波路構造体１の第８実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１２は、第８実施形態の平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、基板２の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１２に示す基板２は、平面視において、光導波路９と重なることなく、互いにずれている部分を有している。このような基板２を有する光導波路構造体１は、折り曲げ操作を行った際に、光導波路９と基板２との干渉を防止することができる。したがって、折り曲げ操作をした際に光導波路９が損傷を受け難くなる。
図１２（ａ）に示す基板２は、中央付近に設けられた切り欠き２４を有しており、この切り欠き２４が設けられた部分では、基板２の幅が基板２の長手方向の両端部における幅よりも狭くなっている。このため、この部分では、基板２の剛性が低下しているので、光導波路構造体１をより容易に折り曲げることができる。
また、切り欠き２４は、平面視において光導波路９と重なるように設けられているため、この部分において、基板２と光導波路９とが互いにずれることとなる。
一方、図１２（ｂ）に示す基板２は、中央付近に設けられ、基板２の長手方向に沿って形成された細長い形状の貫通孔２５を有している。この貫通孔２５が設けられた部分では、やはり基板２の実質的な幅が基板２の長手方向の両端部における幅よりも狭くなっている。
また、貫通孔２５は、平面視において光導波路９と重なるように設けられているため、この部分において、基板２と光導波路９とが互いにずれることとなる。
なお、切り欠き２４や貫通孔２５の形状は特に限定されず、例えば切り欠き２４は、基板２の幅方向の両側にそれぞれ設けられていてもよい。
＜第９実施形態：図１３＞
図１３には、本発明の光導波路構造体１の第９実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第５実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１３は、第９実施形態の断面図である。
図１３には、本発明の光導波路構造体１の第９実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第５実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１３は、第９実施形態の断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、配線基板の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１３に示す配線基板は、フレキシブル基板である基板２と、基板２の長手方向の両端部の下面にそれぞれ積層された硬質のリジッド基板である基板６と、基板２の下面に設けられた導体層５と、基板６の下面に設けられた導体層５１とを有している。
基板６には、貫通孔６１が形成されており、貫通孔６１内には導電材料（例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料）が充填され、導体ポスト６２が形成されている。この導体ポスト６２は、導体層５と導体層５１とを電気的に接続している。
基板６としては、基板２より剛性の大きい絶縁性基板であればよく、例えば、紙、ガラス布、樹脂フィルム等を基材とし、この基材に、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材料を含浸させたものが挙げられる。
具体的には、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板や、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板に使用される絶縁基板のほか、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性の有機系リジッド基板や、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス系リジッド基板が挙げられる。
また、基板６の平均厚さは、特に限定されないが、好ましくは３００μｍ～３ｍｍ程度、より好ましくは５００μｍ～２．５ｍｍ程度とされる。このような厚さの基板６は、十分な剛性を有するものとなる。
さらに、基板６は、１枚の基板であってもよいが、複数層の基板を積層してなる多層基板（ビルドアップ基板）であってもよい。この場合、多層基板の層間には、パターニングされた導電層が含まれており、任意の電気回路が形成されていてもよい。これにより、基板６が小面積であっても、内部に複雑な電気回路を構築することができ、回路の高密度化が図られる。
このようなリジッド基板である基板６を設けたことにより、光導波路構造体１の長手方向の両端部は、相対的に剛性が高いリジッド部１１となる。一方、基板６が設けられていない光導波路構造体１の長手方向の中央付近は、基板２の可撓性がそのまま維持されるため、相対的に可撓性が高いフレキシブル部１２となる。このため、光導波路構造体１は、中央付近で折り曲げ操作が容易になる一方、両端部は折り曲げ難くなる。その結果、光導波路構造体１の両端部に設けられた発光素子３や受光素子４が、折り曲げ操作に伴って脱落したり、あるいは破壊されたりするのを防止することができる。
＜第１０実施形態：図１４＞
図１４には、本発明の光導波路構造体１の第１０実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第９実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１４は、第１０実施形態の断面図である。
図１４には、本発明の光導波路構造体１の第１０実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第９実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１４は、第１０実施形態の断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、配線基板の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１４に示す配線基板は、フレキシブル基板である基板２と、基板２の長手方向の両端部の上面および下面にそれぞれ３枚ずつ積層された硬質のリジッド基板である基板６と、基板２の下面に設けられた導体層５と、最上層の基板６の上面に設けられた導体層５１および最下層の基板６の下面に設けられた導体層５１とを有している。
光導波路構造体１の長手方向の両端部は、基板６が設けられているため、相対的に剛性が高いリジッド部１１となる。一方、基板６が設けられていない光導波路構造体１の長手方向の中央付近は、基板２の可撓性がそのまま維持されるため、相対的に可撓性が高いフレキシブル部１２となる。
具体的には、リジッド部１１は、下面に導体層５１を備えた基板６と、下面に導体層５を備えた基板２と、基板６と、光導波路９と、上面に導体層５１を備えた基板６とが、下方からこの順で積層されてなる積層体で構成されている。このため、３枚の基板６によって、リジッド部１１の剛性がより大きくなっている。
また、図１４の左側のリジッド部１１には、表面実装型の発光素子３と、発光素子３の発光を駆動する発光用ＩＣ（発光用電気素子）３５とが搭載されている。発光素子３と発光用ＩＣ３５との間は、導体層５１を介して電気的に接続されている。これにより、発光素子３の発光を発光用ＩＣ３５により制御することができる。すなわち、左側のリジッド部１１には、発光素子３と発光用ＩＣ３５とを有する発光回路３００が構築されている。
一方、図１４の右側のリジッド部１１には、表面実装型の受光素子４と、受光素子４により受光した信号を増幅する受光用ＩＣ（受光用電気素子）４５とが搭載されている。受光素子４と受光用ＩＣ４５との間は、導体層５１を介して電気的に接続されている。これにより、受光素子４で受光し、電気信号に変換した後、この電気信号を受光用ＩＣ４５に入力される。すなわち、右側のリジッド部１１には、受光素子４と受光用ＩＣ４５とを有する受光回路４００が構築されている。
以上のようにして発光回路３００と受光回路４００との間で光通信が行われる。
以上のようにして発光回路３００と受光回路４００との間で光通信が行われる。
また、各リジッド部１１には、それを厚さ方向に貫通する貫通孔６１が形成されており、貫通孔６１内には導電材料が充填され、導体ポスト６２が形成されている。この導体ポスト６２は、導体層５および各導体層５１をそれぞれ電気的に接続している。
このような各リジッド部１１では、剛性が大きいため、光導波路構造体１に折り曲げ操作を行った際には、リジッド部１１が折れ曲がり難いため、発光回路３００や受光回路４００の破壊が防止される。
さらには、最上層の２枚の基板６には、発光素子３の発光部３１の位置および受光素子４の受光部４１の位置に合わせて、それぞれ貫通孔６３が設けられている。
また、光導波路９のうち、各貫通孔６３の直下に対応する位置には、それぞれ光路変換部９７が形成されている。
各光路変換部９７は、光導波路９の一部を除去することにより、除去した部分の内面の一部が光導波路９のコア部９４の軸線に対してほぼ４５°傾斜する傾斜面を有するように形成される。この傾斜面は、発光部３１からの光をコア部９４に導くよう９０°の角度で反射したり、コア部９４を伝搬してきた光を受光部４１に導くように９０°の角度で反射したりする反射面として機能する。
また、各貫通孔６３は、発光部３１からの光を光路変換部９７まで導いたり、光路変換部９７からの光を受光部４１まで導く光信号通過領域として機能する。
以上のような２つの光路変換部９７および２つの光信号通過領域（貫通孔６３）により、発光部３１と受光部４１との間が光学的に接続されている。
一方、フレキシブル部１２では、下面に導体層５を備えた基板２と、光導波路９とが、基板６の厚さ分の隙間を介して下方からこの順で配置されている。すなわち、フレキシブル部１２は、光導波路９からなるフレキシブル部と、基板２からなるフレキシブル部の、２つのフレキシブル部からなるものである。
このようなフレキシブル部１２では、光導波路構造体１に折り曲げ操作を行った際には、光導波路９と基板２との干渉が防止され、光導波路９が損傷を受けるのを防止することができる。
また、２つのフレキシブル部のうち、一方は光導波路９のみで構成されている。このような構成であれば、光導波路９の両端部以外の部分を、別の部材と接着する必要がないので、接着に伴う光導波路９の変形を確実に防止することができる。
＜第１１実施形態：図１５、１６＞
図１５、１６には、本発明の光導波路構造体１の第１１実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１５は、第１１実施形態の平面図である。
図１５、１６には、本発明の光導波路構造体１の第１１実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１５は、第１１実施形態の平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、配線基板の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１５に示す配線基板は、基板２と、基板２の長手方向の一端から他端まで配設された２本の第１の電気配線（導体層）５２とを有している。
各第１の電気配線５２の両端部には、それぞれ電極パッド５５１が設けられており、電気通信用外部接続端子５５ｂを構成している。
また、基板２の左側端部には発光回路３００が設けられ、一方、右側端部には受光回路４００が設けられている。発光回路３００と受光回路４００との間には、光導波路９が設けられている。
発光回路３００は、基板２上に隣接して配置された発光素子３および発光用ＩＣ３５と、これらの間を電気的に接続する第３の電気配線５３とを有している。
同様に、受光回路４００は、基板２上に隣接して配置された受光素子４および受光用ＩＣ４５と、これらの間を電気的に接続する第３の電気配線５３とを有している。
発光回路３００からは、基板２の左端にかけて４本の第２の電気配線（導体層）５４が配設されており、その端部にはそれぞれ電極パッド５５１が設けられている。同様に、受光回路４００からは、基板２の右端にかけて４本の第２の電気配線（導体層）５４が配設されており、その端部にはそれぞれ電極パッド５５１が設けられている。これらの各電極パッドにより、光通信用外部接続端子５５ａが構成されている。なお、各電極パッド５５１は、それぞれの端面に沿って配列している。
これらの各端子のうち、基板２の左端に位置する電気通信用外部端子５５ｂと光通信用外部接続端子５５ａとを合わせて第１の端子部５５が構成され、基板２の右端に位置する電気通信用外部端子５５ｂと光通信用外部接続端子５５ａとを合わせて第２の端子部５５’が構成されている。
このような光導波路構造体１では、第１の端子部５５と第２の端子部５５’との間で、光通信のみでなく、電気通信も並行して行うことができる。このため、回路設計の自由度が飛躍的に高まり、回路の集積度を高めることができる。併せて、電気通信用の構造体を別途用意する必要がないという利点もある。
また、各第１の電気配線５２は、発光回路３００や受光回路４００と電気的に分離されているため、これらの回路で発生するノイズの影響を受け難い。このため、各第１の電気配線５２では信頼性の高い電気通信を行うことができる。
なお、本実施形態では、光通信用外部接続端子５５ａと、光導波路９、発光回路３００および受光回路４００が、直線状に配置されている。このような構成の光導波路構造体１は、例えば、対向配置された回路間の接続に有用なものとなる。
図１６は、第１１実施形態の断面図である。
図１６に示すように、発光回路３００を構成する発光素子３、発光用ＩＣ３５および第３の電気配線５３は、樹脂モールド３４で覆われている。同様に、受光回路４００を構成する受光素子４、受光用ＩＣ４５および第３の電気配線５３は、樹脂モールド４４で覆われている。
図１６に示すように、発光回路３００を構成する発光素子３、発光用ＩＣ３５および第３の電気配線５３は、樹脂モールド３４で覆われている。同様に、受光回路４００を構成する受光素子４、受光用ＩＣ４５および第３の電気配線５３は、樹脂モールド４４で覆われている。
このような樹脂モールド３４、４４を設けることにより、発光回路３００および受光回路４００が外部に露出することなく封止された構造となるため、汚れ、損傷、酸化等から発光回路３００や受光回路４００が保護される。その結果、各回路の信頼性が向上する。
＜第１２実施形態：図１７＞
図１７には、本発明の光導波路構造体１の第１２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１７は、第１２実施形態の平面図である。
図１７には、本発明の光導波路構造体１の第１２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１７は、第１２実施形態の平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、第１の端子部５５および第２の端子部５５’の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１７に示す第１の端子部５５および第２の端子部５５’は、基板２の長手方向の端面付近ではなく、長手方向の端部の側面側に設けられている。具体的には、図１７に示す第１の端子部５５を構成する各電極パッド５５１は、基板２の左側端部の側端面に沿って配列している。同様に、図１７に示す第２の端子部５５’を構成する各電極パッド５５１は、基板２の右側端部の幅方向の側端面に沿って配列している。
なお、各電極パッド５５１の配置は、図１７の配置に限定されず、例えば、第２の端子部５５’を構成する各電極パッド５５１は、図１７とは反対側の側端面に沿って配列するようにしてもよい。
さらに、各第１の電気配線５２は、光導波路９と同一面上に設けるのではなく、基板２を介して光導波路９の裏面側に設けるようにしてもよい。
以上のような光導波路構造体１は、例えば、平面上の２点間を接続するのに有用な構造体となる。
＜第１３実施形態：図１８＞
図１８には、本発明の光導波路構造体１の第１３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１８は、第１３実施形態の断面図である。
図１８には、本発明の光導波路構造体１の第１３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図１８は、第１３実施形態の断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１は、配線基板の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図１８に示す配線基板は、複数層の基板２と層間や層表面に設けられた導体層とを有する積層基板（多層基板）で構成されている。また、基板２には、貫通孔２１が形成されており、貫通孔２１内には導電材料が充填され、導体ポスト２２が形成されている。
積層基板の層間や下面に設けられた導体層５は、パターニングされたものであり、任意の電気回路が形成されている。これにより、基板２が１層である場合に比べて、配線基板に形成する電気回路の集積度を高めることができる。
＜第１４実施形態：図２３～２５＞
図２３は、本発明の光導波路構造体の第１４実施形態を示す断面図、図２４は、図２３に示す光導波路の斜視図、図２５は、図２３に示す光導波路のコア層を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２３中の上側を「上」とし、下側を「下」とする。また、図２３、２４は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
図２３は、本発明の光導波路構造体の第１４実施形態を示す断面図、図２４は、図２３に示す光導波路の斜視図、図２５は、図２３に示す光導波路のコア層を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２３中の上側を「上」とし、下側を「下」とする。また、図２３、２４は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
図２３に示すように、本発明の光導波路構造体１００１は、基板１００２と、基板１００２の下面に設けられた導体層１００５と、基板１００２上に設けられた発光素子１００３および受光素子１００４と、発光素子１００３の発光部１０３１と受光素子１００４の受光部１０４１との間に設けられた光導波路１００９とを備えている。基板１００２と導体層１００５とで配線基板が構成されている。
光導波路１００９は、図２４中下側からクラッド層（下側クラッド層）１０９１、コア層１０９３およびクラッド層（上側クラッド層）１０９２をこの順に積層してなる帯状のものであり、コア層１０９３には、帯状をなす光導波路１００９の長手方向に沿って設定された細長い所定パターンのコア部１０９４とクラッド部１０９５とが形成されている。コア部１０９４は、伝送光の光路を形成する部分であり、クラッド部１０９５は、コア層１０９３に形成されているものの伝送光の光路を形成せず、クラッド層１０９１、１０９２と同様の機能を果たす部分である。
コア層１０９３の構成材料としては、光（例えば紫外線）の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料とされる。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系ポリマー、ノルボルネン系ポリマー（樹脂）等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系ポリマーを含む（主材料とする）ものが特に好ましい。
このような材料で構成されたコア層１０９３は、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、特に繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部１０９４とクラッド部１０９５との剥離や、コア層１０９３と隣接する層（クラッド層１０９１、１０９２）との層間剥離が生じ難く、コア部１０９４内やクラッド部１０９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路１００９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路１００９が得られる。
また、コア層１０９３の構成材料には、例えば、酸化防止剤、屈折率調整剤、可塑剤、増粘剤、補強剤、増感剤、レベリング剤、消泡剤、密着助剤および難燃剤等の添加剤が含まれていてもよい。酸化防止剤の添加は、高温安定性の向上、耐候性の向上、光劣化の抑制という効果がある。このような酸化防止剤としては、例えば、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系等のフェノール系や、芳香族アミン系のものが挙げられる。また、可塑剤、増粘剤、補強剤の添加により、曲げに対する耐性をさらに増大させることもできる。
前記酸化防止剤に代表される添加剤の含有率（２種以上の場合は合計）は、コア層１０９３の構成材料全体に対し、０．５～４０重量％程度が好ましく、３～３０重量％程度がより好ましい。この量が少なすぎると、添加剤の機能を十分に発揮することができず、量が多すぎると、添加剤の種類や特性によっては、コア部１０９４を伝送する光（伝送光）の透過率の低下、パターニング不良、屈折率不安定等を生じるおそれがある。
コア層１０９３の形成方法としては、塗布法が挙げられる。塗布法としては、コア層形成用組成物（ワニス等）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法が挙げられる。また、塗布法以外の方法、例えば、別途製造されたシート材を接合する方法を採用することもできる。
以上のようにして得られたコア層１０９３に対し、マスクを用いて光（活性放射線）を選択的に照射し、所望の形状のコア部１０９４をパターニングする。
露光に用いる光としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザー光等の活性エネルギー光線が挙げられる。また、光を用いるのではなく、Ｘ線等の電磁波や、電子線等の粒子線を用いるようにしてもよい。
コア層１０９３において、光が照射された部位は、その屈折率が低下し、光が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。例えば、コア層１０９３の光が照射された部位がクラッド部１０９５となり、照射されなかった部位がコア部１０９４となる。クラッド部１０９５の屈折率は、クラッド層１０９１、１０９２の屈折率とほぼ等しい。
また、コア層１０９３に対し光を所定のパターンで照射した後、加熱することにより、コア部１０９４を形成する場合もある。この加熱工程を付加することにより、コア部１０９４とクラッド部１０９５との屈折率の差がより大きくなるので好ましい。なお、この原理等については、後に詳述する。
形成されるコア部９４のパターン形状は、図２４に示すように、左側の端部（長手方向の一方の端部）に向かって幅が連続的に大きくなる拡幅部分（拡張部分）１９４１と、右側の端部（長手方向の他方の端部）に向かって幅が連続的に小さくなる減幅部分（縮小部分）１９４２と、これらの拡幅部分１９４１と減幅部分１９４２との間に設けられ、幅が一定になっている等幅部分１９４０とで構成されている。一方、コア部１０９４が形成されたコア層１０９３は、図２３に示すように、その厚さが一定である。したがって、図２４に示す拡幅部分１９４１は、左側の端部に向かってコア部１０９４の横断面積が連続的に大きくなっている部分であり、減幅部分１９４２は、右側の端部に向かってコア部１０９４の横断面積が連続的に小さくなっている部分である。さらには、等幅部分１９４０は、コア部１０９４の横断面積が一定になっている部分である。
コア部１０９４のパターン形状は、上記の拡幅部分１９４１および減幅部分１９４２以外に、湾曲部を有する形状、分岐部、合流部または交差部を有する形状、あるいはこれらのうちの２以上を組み合わせた形状等、いかなる形状を有するものでもよい。なお、これらのパターンの形成においては、光の照射パターンの設定により、いかなるパターン形状をも容易に実現することができる点が、本発明の特徴である。
光導波路１００９の各部の構成材料およびコア部１０９４の形成方法等については、後に詳述する。
基板１００２は、可撓性および絶縁性を有するフレキシブル基板である。
基板１００２の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンザオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。
基板１００２の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンザオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。
また、基板１００２は、複数の層の積層体であってもよい。例えば、組成（種類）が同じ樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したもの、それぞれ組成（種類）が異なる樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したものが挙げられる。なお、積層体における層構成は、これに限定されないことは言うまでもない。
基板２の厚さは、特に限定されないが、通常、５～５０μｍ程度であるのが好ましく、１０～４０μｍ程度であるのがより好ましい。基板１００２の厚さが前記範囲内であれば、光導波路構造体１は十分な可撓性を有するものとなる。
基板２が有する可撓性は、例えば人の手で容易に屈曲させることができる程度のものである。具体的には、基板１００２のヤング率（引張弾性率）は、一般的な室温環境下（２０～２５℃前後）で１～２０ＧＰａ程度であるのが好ましく、２～１２ＧＰａ程度であるのがより好ましい。
基板１００２の下面に接合された導体層１００５は、それぞれ、所定の形状にパターニングされて、所望の配線または回路を構成している。導体層１００５の構成材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料が挙げられる。導体層１００５の厚さは、特に限定されないが、通常、３～１２０μｍ程度が好ましく、５～７０μｍ程度がより好ましい。
導体層１００５は、例えば、金属箔の接合（接着）、金属メッキ、蒸着、スパッタリング等の方法により形成されたものである。導体層１００５へのパターニングは、例えばエッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。
一方、基板１００２には、貫通孔１０２１が形成されており、貫通孔１０２１内には導電材料（例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料）が充填され、導体ポスト１０２２が設けられている。この導体ポスト１０２２は、導体層１００５と基板１００２の上面側とを電気的に接続している。
発光素子１００３は、基台１０３０と、基台１０３０の表面に固定された発光部１０３１と、発光部１０３１の電極パッドと基台１０３０の電極パッドとを接続する金属ワイヤ１０３２と、基台１０３０の下面に設けられ、発光部１０３１を外部回路と接続するための外部電極１０３３とを有している。また、発光部１０３１および金属ワイヤ１０３２は、基台１０３０の表面に半球状に盛られた樹脂モールド１０３４で覆われている。
外部電極１０３３に通電がなされると、発光部１０３１が発光する。
発光素子１００３は、外部電極１０３３が導体ポスト１０２２に接合（電気的に接続）されるようにして基板１００２上に搭載されている。
発光素子１００３は、外部電極１０３３が導体ポスト１０２２に接合（電気的に接続）されるようにして基板１００２上に搭載されている。
一方、受光素子１００４は、基台１０４０と、基台１０４０の表面に固定された受光部１０４１と、受光部１０４１の電極パッドと基台１０４０の電極パッドとを接続する金属ワイヤ１０４２と、基台１０４０の下面に設けられ、受光部１０４１を外部回路と接続するための外部電極１０４３とを有している。また、受光部１０４１および金属ワイヤ１０４２は、基台１０４０の表面に半球状に盛られた樹脂モールド１０４４で覆われている。
受光部１０４１が光信号を受光すると、電気信号に変換され、外部電極１０４３から出力される。
受光素子１００４は、外部電極１０４３が導体ポスト１０２２に接合（電気的に接続）されるようにして基板１００２上に搭載されている。
なお、発光素子１００３における発光部１０３１および受光素子１００４における受光部１０４１は、それぞれ１つの発光点または１つの受光点で構成されているものの他、発光点または受光点が複数個集合したものでもよい。発光点または受光点が複数個集合したものとしては、例えば、発光点または受光点が列状（例えば発光点または受光点が１×４個、１×１２個）または行列状（例えば発光点または受光点がｎ×ｍ個：ｎ、ｍは２以上の整数）に配置されたものや、複数の発光点または受光点がランダム（不規則）に配置されたもの等が挙げられる。
樹脂モールド１０３４は、発光素子１００３の基台１０３０の右側において、発光部１０３１等を封止している。これにより、発光部１０３１が外部に露出することなく封止された構造となるため、汚れ、損傷、酸化等から発光部１０３１が保護される。その結果、発光素子１００３の信頼性が向上する。
また、樹脂モールド１０４４は、受光素子１００４の基台１０４０の左側において、受光部１０４１等を封止している。これにより、受光部１０４１が外部に露出することなく封止された構造となるため、汚れ、損傷、酸化等から受光部１０４１が保護される。その結果、受光素子１００４の信頼性が向上する。
また、樹脂モールド１０３４、１０４４の構成材料としては、絶縁性を有する樹脂材料が好ましく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノルボルネン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
光導波路１００９は、発光部１０３１の発光点と、受光部１０４１の受光点とを結ぶように、発光素子１００３と受光素子１００４との間に設けられている。これにより、発光点と受光点とが光導波路１００９により光学的に接続されている。
光導波路１００９のコア部１０９４は、平面視で（図２３の上方から見たとき）各発光点や各受光点と重なるようなパターン形状で形成されている。このコア部１０９４は、クラッド部１０９５に比べて屈折率が高く、また、クラッド層１０９１、１０９２に対しても屈折率が高い。クラッド層１０９１および１０９２は、それぞれ、コア部１０９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部１０９４は、図２４に示すように、その外周の全周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。
光導波路１００９の両端部（発光素子１００３および受光素子１００４との接続部）は、発光素子１００３に設けられた樹脂モールド１０３４および受光素子１００４に設けられた樹脂モールド１０４４で覆われており、発光素子１００３および受光素子１００４に固定されている。これにより、光導波路１００９、発光素子１００３および受光素子１００４は、一体化され、１つの部品（光配線）として取り扱うことが可能になる。
なお、図２４に示す光導波路１００９は、１つのコア部１０９４を有するものであるが、１つの光導波路１００９に形成されるコア部１０９４の数は、例えば、１つの発光部１０３１に設けられる発光点の個数や、１つの受光部１０４１に設けられる受光点の数に応じて設定され、特に限定されるものではない。
本実施形態の光導波路構造体１００１では、導体層１００５および導体ポスト１０２２を介して発光素子１００３の外部電極１０３３へ通電がなされると、発光部１０３１の発光点が発光し、図２３中右方へ向かって発せられた光は、光導波路１００９のコア部１０９４に入る。光導波路１００９では、コア部１０９４とクラッド部（クラッド層１０９１、１０９２および側方のクラッド部１０９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部１０９４内をその長手方向（図２３中右方向）に沿って進む。そして、受光部１０４１の受光点に光が到達すると、受光部１０４１において光信号が電気信号へと変換され、外部電極１０４３から出力される。
このような光導波路構造体１００１は、後に詳述するが、光導波路１００９が高分子材料で構成されているため可撓性を有し、かつ、コア部１０９４とクラッド部１０９５との屈折率差が大きいので、光導波路１００９が折り曲げられたときでも、十分な伝送効率を有するものとなる。
また、光導波路１００９と基板１００２とは、直接固定されていないので、折り曲げ操作をした際に、光導波路１００９と基板１００２とが自由に動くことができる。そして、局所的な応力集中が防止され、折り曲げ操作に伴う光導波路１００９の破壊を防止することができる。その結果、耐久性に優れた光導波路構造体１００１が得られる。
ここで、光導波路構造体１００１が有する光導波路１００９は、平面視において、コア部１０９４の幅が左側の端部に向かって連続的に大きくなる拡幅部分１９４１と、コア部１０９４の幅が右側の端部に向かって連続的に小さくなる減幅部分１９４２とを有している。
図２５（ａ）に示す拡幅部分１９４１では、左側の端部に向かってその幅が一定の割合で連続的に大きくなっている。また、図２５（ａ）に示す減幅部分１９４２では、右側の端部に向かってその幅が一定の割合で連続的に小さくなっている。
図２３に示すように、拡幅部分１９４１の左側の端面に対向するように発光素子１００３の発光点を配置することにより、拡幅部分１９４１には、高い効率で光を入射させることができる。すなわち、拡幅部分１９４１の左側の端面は、右側の端面に比べて面積が大きくなっているため、発光点から放射された光を効率よく受光することができる。特に、発光素子１００３として半導体レーザーを用いた場合、光が所定の広がり角度をもって放射されるため、拡幅部分１９４１の左側の端面の面積が大きいことは、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率を高める観点で有効である。加えて、拡幅部分１９４１の左側の端面の面積が大きいので、拡幅部分１９４１の左側の端面に対する発光点の位置が多少ずれても、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率が著しく低下することが抑制される。したがって、発光素子１００３を実装する際の位置許容量を大きくすることができ、実装容易性が高められる。
また、拡幅部分１９４１の左側の最端部の幅をＷ１とし、右側の最端部の幅をＷ２としたとき、Ｗ２は、好ましくはＷ１の０．１～０．９倍程度、より好ましくはＷ１の０．２～０．８倍程度とされる。これにより、コア部１０９４からの光の漏れを抑制した拡幅部分１９４１を形成することができる。その結果、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率をより高めることができる。
また、拡幅部分１９４１において、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界線と、前記コア部１０９４の左側の端部の端面とがなす角度α１は、好ましくは４５度以上９０度未満、より好ましくは５０度以上８５度以下とされる。これにより、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界面における反射条件を損なうことなく、拡幅部分１９４１を形成することができる。その結果、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率をより高めることができる。なお、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界線と、前記コア部１０９４の左側の端部の端面とがなす角度は、９０度以下となる角度の方を前記α１とする。
一方、図２３に示すように、減幅部分１９４２の右側の端面に対向するように受光素子１００４の受光点を配置することにより、減幅部分１９４２から出射した光を、高い効率で受光点に入射させることができる。すなわち、減幅部分１９４２の右側の端面は、左側の端面に比べて面積が小さくなっているため、より細く絞られた光を出射することができ、受光点の有効面積に対して確実に入射させることができる。その結果、コア部１０９４と受光素子１００４との光結合効率を高めることができる。加えて、減幅部分１９４２の右側の面積が小さいので、減幅部分１９４２の右側の端面に対する受光点の位置が多少ずれても、受光素子１００４とコア部１０９４との光結合効率が著しく低下することが抑制される。したがって、受光素子１００４を実装する際の位置許容量を大きくすることができ、実装容易性が高められる。
また、減幅部分１９４２の左側の最端部の幅をＷ３とし、右側の最端部の幅をＷ４としたとき、Ｗ４は、好ましくはＷ３の０．１～０．９倍程度、より好ましくはＷ３の０．２～０．８倍程度とされる。これにより、コア部１０９４からの光の漏れを抑制した減幅部分１９４２を形成することができる。その結果、コア部１０９４と受光素子１００４との光結合効率をより高めることができる。
また、減幅部分１９４２において、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界線と、前記コア部１０９４の右側の端部の端面とがなす角度α２は、好ましくは４５度以上９０度未満、より好ましくは５０度以上８５度以下とされる。これにより、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界面における反射条件を損なうことなく、減幅部分１９４２を形成することができる。その結果、コア部１０９４と受光素子１００４との光結合効率をより高めることができる。なお、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界線と、前記コア部１０９４の右側の端部の端面とがなす角度は、９０度以下となる角度の方を前記α２とする。
また、幅Ｗ１は、幅Ｗ４より大きくなるよう設定される。これにより、拡幅部分１９４１の左側の端面の面積が、減幅部分１９４２の右側の端面の面積より大きくなるため、上述したような効果がより確実に得られる。
なお、拡幅部分１９４１および減幅部分１９４２の長さは、それぞれ特に限定されないが、例えば幅Ｗ２に対して３～１０倍程度とするのが好ましい。
図２５（ｂ）は、図２５（ａ）に示す光導波路１００９の他の構成例である。
図２５（ｂ）に示す光導波路１００９は、拡幅部分１９４１および減幅部分１９４２の位置が異なる以外は、図２５（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２５（ａ）では、拡幅部分１９４１がコア部１０９４の左側の端部に、減幅部分１９４２が右側の端部にそれぞれ設けられているのに対し、図２５（ｂ）では、拡幅部分１９４１がコア部１０９４の左側の端部から所定の距離だけ内側（右側）に移動しており、また、減幅部分１９４２はコア部１０９４の右側の端部から所定の距離だけ内側（左側）に移動している。そして、拡幅部分１９４１とコア部１０９４の左側の端面との間、および、減幅部分１９４２とコア部１０９４の右側の端面との間には、それぞれ横断面積が一定になっている等幅部分１９４０が位置している。
図２５（ｂ）に示す光導波路１００９は、拡幅部分１９４１および減幅部分１９４２の位置が異なる以外は、図２５（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２５（ａ）では、拡幅部分１９４１がコア部１０９４の左側の端部に、減幅部分１９４２が右側の端部にそれぞれ設けられているのに対し、図２５（ｂ）では、拡幅部分１９４１がコア部１０９４の左側の端部から所定の距離だけ内側（右側）に移動しており、また、減幅部分１９４２はコア部１０９４の右側の端部から所定の距離だけ内側（左側）に移動している。そして、拡幅部分１９４１とコア部１０９４の左側の端面との間、および、減幅部分１９４２とコア部１０９４の右側の端面との間には、それぞれ横断面積が一定になっている等幅部分１９４０が位置している。
このような図２５（ｂ）に示す光導波路１００９は、拡幅部分１９４１の左側の端部の幅Ｗ１および減幅部分１９４２の右側の端部の幅Ｗ４が、図２５（ａ）の場合と同様であるため、図２５（ａ）と同様の作用・効果を奏するものとなる。すなわち、この光導波路１００９は、発光素子１００３や受光素子１００４に対して光結合効率の高いものとなる。
なお、拡幅部分１９４１や減幅部分１９４２の位置、数等は特に限定されず、それぞれ複数個が設けられていてもよい。
＜第１５実施形態：図２６＞
図２６には、本発明の光導波路構造体１００１の第１５実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２６は、第１５実施形態のコア層を示す平面図である。
図２６には、本発明の光導波路構造体１００１の第１５実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２６は、第１５実施形態のコア層を示す平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１００１は、光導波路１００９の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図２６（ａ）に示す光導波路１００９では、平面視における拡幅部分１９４１’および減幅部分１９４２’におけるコア部１０９４とクラッド部１０９５との境界線が、曲線をなしている。この曲線は、拡幅部分１９４１’では、コア部１０９４の左側の端部（一方の端部）に向かって開いた放物線である。また、減幅部分１９４２’においても、この曲線は、コア部１０９４の左側の端部（一方の端部）に向かって開いた放物線である。
このような拡幅部分１９４１’では、左側の端面の面積が大きいため、入射光の入射効率が向上する。また、発光素子１００３から出射され、コア部１０９４に入射した光がコア部１０９４とクラッド部１０９５との境界面で反射される際に、前記放物線の焦点に集光するように反射される。その結果、コア部１０９４における光の漏れ量を低減させることができる。また、減幅部分１９４２’においても、コア部１０９４を伝搬してきた光が、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界面で反射される際に集光する。その結果、減幅部分１９４２’の右側の端面からは、より細く絞られた光を出射することができる。これにより、図２６（ａ）に示す光導波路１００９は、発光素子１００３や受光素子１００４に対して光結合効率の高いものとなる。
図２６（ｂ）は、図２６（ａ）に示す光導波路１００９の他の構成例である。
図２６（ｂ）に示す光導波路１００９は、拡幅部分１９４１’および減幅部分１９４２’の位置が異なる以外は、図２６（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２６（ａ）では、拡幅部分１９４１’がコア部１０９４の左側の端部に、減幅部分１９４２’が右側の端部にそれぞれ設けられているのに対し、図２６（ｂ）では、拡幅部分１９４１’がコア部１０９４の左側の端部から所定の距離だけ内側（右側）に移動しており、また、減幅部分１９４２’はコア部１０９４の右側の端部から所定の距離だけ内側（左側）に移動している。そして、拡幅部分１９４１’とコア部１０９４の左側の端部との間、および、減幅部分１９４２’とコア部１０９４の右側の端部との間には、それぞれ幅（横断面積）が一定になっている等幅部分１９４０が位置している。
図２６（ｂ）に示す光導波路１００９は、拡幅部分１９４１’および減幅部分１９４２’の位置が異なる以外は、図２６（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２６（ａ）では、拡幅部分１９４１’がコア部１０９４の左側の端部に、減幅部分１９４２’が右側の端部にそれぞれ設けられているのに対し、図２６（ｂ）では、拡幅部分１９４１’がコア部１０９４の左側の端部から所定の距離だけ内側（右側）に移動しており、また、減幅部分１９４２’はコア部１０９４の右側の端部から所定の距離だけ内側（左側）に移動している。そして、拡幅部分１９４１’とコア部１０９４の左側の端部との間、および、減幅部分１９４２’とコア部１０９４の右側の端部との間には、それぞれ幅（横断面積）が一定になっている等幅部分１９４０が位置している。
このような図２６（ｂ）に示す光導波路１００９は、拡幅部分９４１’の左側の端部の幅Ｗ１および減幅部分１９４２’の右側の端部の幅Ｗ４が、図２６（ａ）の場合と同様であるため、図２６（ａ）と同様の作用・効果を奏するものとなる。すなわち、この光導波路１００９は、発光素子１００３や受光素子１００４に対して光結合効率の高いものとなる。
＜第１６実施形態：図２７＞
図２７には、本発明の光導波路構造体１００１の第１６実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２７は、第１６実施形態を示す断面図である。
図２７には、本発明の光導波路構造体１００１の第１６実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２７は、第１６実施形態を示す断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１００１は、光導波路１００９の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図２７（ａ）に示す光導波路１００９は、その左側の端部に向かってコア層１０９３の厚さが連続的に大きくなる厚膜部分（拡張部分）１９４３と、右側の端部に向かってコア層１０９３の厚さが連続的に小さくなる薄膜部分（縮小部分）１９４４と、これらの厚膜部分１９４３と薄膜部分１９４４との間に設けられ、厚さが一定になっている等厚部分１９４５とで構成されている。一方、コア部１０９４の平面視における幅は、図示しないものの一定になっている。したがって、図２７（ａ）に示す厚膜部分１９４３は、左側の端部に向かってコア部１０９４の横断面積が連続的に大きくなっている部分であり、薄膜部分１９４４は、右側の端部に向かってコア部１０９４の横断面積が連続的に小さくなっている部分である。さらには、等厚部分１９４５は、コア部１０９４の横断面積が一定になっている部分である。
このような光導波路１００９に対しては、厚膜部分１９４３の左側の端面に対向するように発光素子１００３の発光点を配置することにより、厚膜部分１９４３には、高い効率で光を入射させることができる。すなわち、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率を高めることができる。加えて、厚膜部分１９４３の左側の端面の面積が大きいので、厚膜部分１９４３の左側の端面に対する発光点の位置が多少ずれても、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率が著しく低下することが抑制される。したがって、発光素子１００３を実装する際の位置許容量を大きくすることができ、実装容易性が高められる。
また、厚膜部分１９４３の左側の最端部の厚さをＴ１とし、右側の最端部の厚さをＴ２としたとき、Ｔ２は、好ましくはＴ１の０．１～０．９倍程度、より好ましくはＴ１の０．２～０．８倍程度とされる。これにより、コア部１０９４からの光の漏れを抑制した厚膜部分１９４３を形成することができる。その結果、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率をより高めることができる。
また、厚膜部分１９４３において、縦断面におけるコア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界線と、前記コア部１０９４の左側の端部の端面とがなす角度β１は、好ましくは４５度以上９０度未満、より好ましくは５０度以上８５度以下とされる。これにより、コア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界面における反射条件を損なうことなく、厚膜部分１９４３を形成することができる。その結果、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率をより高めることができる。なお、コア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界線と、前記コア部１０９４の左側の端部の端面とがなす角度は、９０度以下となる角度の方を前記β１とする。
一方、図２７（ａ）に示すように、薄膜部分１９４４の右側の端面に対向するように受光素子１００４の受光点を配置することにより、薄膜部分１９４４から出射した光を、高い効率で受光点に入射させることができる。すなわち、薄膜部分１９４４の右側の端面は、左側の端面に比べて面積が小さくなっているため、より細く絞られた光を出射することができ、受光点の有効面積に対して確実に入射させることができる。その結果、コア部１０９４と受光素子１００４との光結合効率を高めることができる。加えて、薄膜部分１９４４の右側の面積が小さいので、薄膜部分１９４４の右側の端面に対する受光点の位置が多少ずれても、受光素子１００４とコア部１０９４との光結合効率が著しく低下することが抑制される。したがって、受光素子１００４を実装する際の位置許容量を大きくすることができ、実装容易性が高められる。
また、薄膜部分１９４４の左側の最端部の厚さをＴ３とし、右側の最端部の厚さをＴ４としたとき、Ｔ４は、好ましくはＴ３の０．１～０．９倍程度、より好ましくはＴ３の０．２～０．８倍程度とされる。これにより、コア部１０９４からの光の漏れを抑制した薄膜部分１９４４を形成することができる。その結果、コア部１０９４と受光素子１００４との光結合効率をより高めることができる。
また、薄膜部分１９４４において、縦断面におけるコア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界線と、前記コア部１０９４の右側の端部の端面とがなす角度β２は、好ましくは４５度以上９０度未満、より好ましくは５０度以上８５度以下とされる。これにより、コア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界面における反射条件を損なうことなく、薄膜部分１９４４を形成することができる。その結果、コア部１０９４と受光素子１００４との光結合効率をより高めることができる。なお、コア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界線と、前記コア部１０９４の右側の端部の端面とがなす角度は、９０度以下となる角度の方を前記β２とする。
また、厚さＴ１は、厚さＴ４より大きくなるよう設定される。これにより、厚膜部分１９４３の左側の端面の面積が、薄膜部分１９４４の右側の端面の面積より大きくなるため、上述したような効果がより確実に得られる。
なお、厚膜部分１９４３および薄膜部分１９４４の長さは、それぞれ特に限定されないが、例えばコア部１０９４の幅に対して３～１０倍程度とするのが好ましい。
一方、各クラッド層１０９１、１０９２の厚さは、厚膜部分１９４３や薄膜部分１９４４に関わらず一定になっている。
図２７（ｂ）は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９の他の構成例である。
図２７（ｂ）に示す光導波路１００９は、各クラッド層１０９１、１０９２に厚さが部分的に異なっている以外は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２７（ｂ）では、各クラッド層１０９１、１０９２のうち、厚膜部分１９４３に対応する部分の厚さが、コア部１０９４の左側の端部に向かって連続的に小さくなっており、一方、薄膜部分１９４４に対応する部分の厚さは、コア部１０９４の右側の端部に向かって連続的に大きくなっている。なお、図２７（ｂ）に示す光導波路１００９の全厚は、全体で一定である。
図２７（ｂ）に示す光導波路１００９は、各クラッド層１０９１、１０９２に厚さが部分的に異なっている以外は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２７（ｂ）では、各クラッド層１０９１、１０９２のうち、厚膜部分１９４３に対応する部分の厚さが、コア部１０９４の左側の端部に向かって連続的に小さくなっており、一方、薄膜部分１９４４に対応する部分の厚さは、コア部１０９４の右側の端部に向かって連続的に大きくなっている。なお、図２７（ｂ）に示す光導波路１００９の全厚は、全体で一定である。
このような光導波路１００９では、図２７（ａ）のように発光素子１００３や受光素子１００４とコア部１０９４との光結合効率を十分に高められるとともに、薄膜部分１９４４の機械的強度を高めることができる。すなわち、薄膜部分１９４４における厚さの減少を補うように各クラッド層１０９１、１０９２の厚さが大きくなっているので、光導波路１００９の右側の端部の機械的強度の低下が防止される。これにより、光導波路１００９と受光素子１００４とを組み立てる際に、右側の端部が損傷してしまうのを防止することができる。
図２７（ｃ）は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９の他の構成例である。
図２７（ｃ）に示す光導波路１００９は、クラッド層１０９１の厚さが部分的に異なっている一方、クラッド層１０９２の厚さが一定になっている以外は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２７（ｃ）では、クラッド層１０９１の厚膜部分１９４３に対応する部分の厚さが、コア部１０９４の左側の端部に向かって連続的に小さくなっており、一方、薄膜部分１９４４に対応する部分の厚さは、コア部１０９４の右側の端部に向かって連続的に大きくなっている。また、クラッド層１０９２の厚さは、厚膜部分１９４３や薄膜部分１９４４に関わらず一定になっている。
図２７（ｃ）に示す光導波路１００９は、クラッド層１０９１の厚さが部分的に異なっている一方、クラッド層１０９２の厚さが一定になっている以外は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２７（ｃ）では、クラッド層１０９１の厚膜部分１９４３に対応する部分の厚さが、コア部１０９４の左側の端部に向かって連続的に小さくなっており、一方、薄膜部分１９４４に対応する部分の厚さは、コア部１０９４の右側の端部に向かって連続的に大きくなっている。また、クラッド層１０９２の厚さは、厚膜部分１９４３や薄膜部分１９４４に関わらず一定になっている。
このような光導波路１００９では、図２７（ｂ）に示す光導波路１００９と同様の作用・効果が得られる。
図２７（ｄ）は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９の他の構成例である。
図２７（ｄ）に示す光導波路１００９は、厚膜部分１９４３および薄膜部分１９４４の位置が異なる以外は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２７（ａ）では、厚膜部分１９４３がコア部１０９４の左側の端部に、薄膜部分１９４４が右側の端部にそれぞれ設けられているのに対し、図２７（ｄ）では、厚膜部分１９４３がコア部１０９４の左側の端部から所定の距離だけ内側（右側）に移動しており、また、薄膜部分１９４４がコア部１０９４の右側の端部から所定の距離だけ内側（左側）に移動している。そして、厚膜部分１９４３とコア部１０９４の左側の端面との間、および、薄膜部分１９４４とコア部１０９４の右側の端面との間には、それぞれ横断面積が一定になっている等厚部分１９４５が位置している。
図２７（ｄ）に示す光導波路１００９は、厚膜部分１９４３および薄膜部分１９４４の位置が異なる以外は、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。すなわち、図２７（ａ）では、厚膜部分１９４３がコア部１０９４の左側の端部に、薄膜部分１９４４が右側の端部にそれぞれ設けられているのに対し、図２７（ｄ）では、厚膜部分１９４３がコア部１０９４の左側の端部から所定の距離だけ内側（右側）に移動しており、また、薄膜部分１９４４がコア部１０９４の右側の端部から所定の距離だけ内側（左側）に移動している。そして、厚膜部分１９４３とコア部１０９４の左側の端面との間、および、薄膜部分１９４４とコア部１０９４の右側の端面との間には、それぞれ横断面積が一定になっている等厚部分１９４５が位置している。
このような光導波路１００９では、図２７（ａ）に示す光導波路１００９と同様の作用・効果が得られる。
なお、前述した第１４、第１５実施形態では、コア部１０９４の幅のみが連続的に変化しており、本実施形態（第１６実施形態）では、コア層１０９３の厚さのみが連続的に変化しているが、コア部１０９４の幅とコア層１０９３の厚さの双方が連続的に変化していてもよい。すなわち、拡幅部分１９４１におけるコア層１０９３の厚さが厚膜部分１９４３のように変化してもよく、減幅部分１９４２におけるコア層１０９３の厚さが薄膜部分１９４４のように変化していてもよい。この場合、各実施形態に比べて、前述した作用・効果がより顕著なものとなる。
＜第１７実施形態：図２８＞
図２８には、本発明の光導波路構造体１の第１７実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１６実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２８は、第１７実施形態を示す断面図である。
図２８には、本発明の光導波路構造体１の第１７実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１６実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２８は、第１７実施形態を示す断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１００１は、光導波路１００９の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図２８（ａ）に示す光導波路１００９では、横断面における厚膜部分１９４３’および薄膜部分１９４４’におけるコア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界線が、曲線をなしている。この曲線は、厚膜部分１９４３’では、コア部１０９４の左側の端部（一方の端部）に向かって開いた放物線である。また、薄膜部分１９４４’においても、この曲線は、コア部１０９４の左側の端部（一方の端部）に向かって開いた放物線である。
このような厚膜部分１９４３’では、左側の端面の面積が大きいため、入射光の入射効率が向上する。また、発光素子１００３から出射され、コア部１０９４に入射した光がコア部１０９４とクラッド部１０９５との境界面で反射される際に、前記放物線の焦点に集光するように反射される。その結果、コア部１０９４における光の漏れ量を低減させることができる。また、薄膜部分１９４４’においても、コア部１０９４を伝搬してきた光が、コア部１０９４とクラッド部１０９５との境界面で反射される際に集光する。その結果、薄膜部分１９４４’の右側の端面からは、より細く絞られた光を出射することができる。これにより、図２８（ａ）に示す光導波路１００９は、発光素子１００３や受光素子１００４に対して光結合効率の高いものとなる。
図２８（ｂ）、図２８（ｃ）および図２８（ｄ）は、それぞれ図２８（ａ）に示す光導波路１００９の他の構成例である。
これらは、それぞれ図２７（ｂ）、図２７（ｃ）および図２７（ｄ）に示す厚膜部分１９４３および薄膜部分１９４４におけるコア部１０９４と各クラッド層１０９１、１０９２との境界線が、放物線をなしている以外、図２８（ａ）に示す光導波路１００９と同様である。
なお、前述した第１４、第１５実施形態では、コア部１０９４の幅のみが連続的に変化しており、本実施形態（第１７実施形態）では、コア層１０９３の厚さのみが連続的に変化しているが、コア部１０９４の幅とコア層１０９３の厚さの双方が連続的に変化していてもよい。すなわち、拡幅部分１９４１や拡幅部分１９４１’におけるコア層１０９３の厚さが厚膜部分１９４３や厚膜部分１９４３’のように変化してもよく、減幅部分１９４２や減幅部分１９４２’におけるコア層１０９３の厚さが薄膜部分１９４４や薄膜部分１９４４’のように変化していてもよい。この場合、各実施形態に比べて、前述した作用・効果がより顕著なものとなる。
＜第１８実施形態：図２９、３０＞
図２９には、本発明の光導波路構造体１００１の第１８実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２９は、第１８実施形態を示す断面図である。
図２９には、本発明の光導波路構造体１００１の第１８実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図２９は、第１８実施形態を示す断面図である。
本実施形態の光導波路構造体１００１は、基板１００２と導体層１００５とで構成される配線基板の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図２９に示す配線基板は、光導波路１００９の長手方向の両端部の上面にそれぞれ積層された基板１００２と、各基板１００２の上面に設けられた導体層１００５とを有している。
図２９の左側の基板１００２には、表面実装型の発光素子１００３と、発光素子１００３の発光を駆動する発光用ＩＣ（発光用電気素子）１０３５とが搭載されている。発光素子１００３と発光用ＩＣ１０３５との間は、導体層１００５に形成された電気配線を介して電気的に接続されている。これにより、発光素子１００３の発光を発光用ＩＣ１０３５により制御することができる。すなわち、左側の基板１００２には、発光素子１００３と発光用ＩＣ１０３５とを有する発光回路１３００が構築されている。
一方、図２９の右側の基板１００２には、表面実装型の受光素子１００４と、受光素子１００４により受光した信号を増幅する受光用ＩＣ（受光用電気素子）１０４５とが搭載されている。受光素子１００４と受光用ＩＣ１０４５との間は、導体層１００５に形成された電気配線を介して電気的に接続されている。これにより、受光素子１００４で受光し、電気信号に変換した後、この電気信号が受光用ＩＣ１０４５に入力されて増幅される。すなわち、右側の基板１００２には、受光素子１００４と受光用ＩＣ１０４５とを有する受光回路１４００が構築されている。
また、光導波路１００９のうち、発光素子１００３の発光部１０３１の直下に対応する位置には、光路変換部１９７１が形成されている。一方、光導波路１００９のうち、受光素子１００４の受光部１０４１の直下に対応する位置には、光路変換部１９７２が形成されている。
各光路変換部１９７１、１９７２は、光導波路１００９の一部を除去することにより、除去した部分の内面の一部が光導波路１００９のコア部１０９４の軸線に対してほぼ４５°傾斜する傾斜面を有するように形成される。この傾斜面は、発光部１０３１からの光をコア部１０９４に導くよう９０°の角度で反射したり、コア部１０９４を伝搬してきた光を受光部１０４１に導くように９０°の角度で反射したりする反射面として機能する。
そして、発光部１０３１と受光部１０４１との間を、光路変換部１９７１、コア部１０９４および光路変換部１９７２により光学的に接続することができる。これにより、発光回路１３００と受光回路１４００との間で光を授受することで、光通信を行うことができる。
なお、基板１００２の厚さが薄い場合または基板１００２が透光性を有している場合には、図２９のように基板１００２を透過するようにして発光素子１００３や受光素子１００４と光導波路１００９とを光学的に接続することができるが、必要に応じて、基板１００２を透過する光の光路に沿って貫通孔を形成するようにしてもよい。
また、反射面には、必要に応じて金属膜等からなる反射膜を設けるようにしてもよい。さらには、除去した部分にコア部１０９４よりも低屈折率の材料を充填するようにしてもよい。
図３０は、第１８実施形態が備える光導波路１００９のコア層１０９３を示す平面図である。
図３０に示すコア層１０９３（光導波路１００９）は、平面視において、コア部１０９４の幅が左側の端部に向かって連続的に大きくなる拡幅部分１９４１と、コア部１０９４の幅が右側の端部に向かって連続的に小さくなる減幅部分１９４２とを有している。
図３０に示すコア層１０９３（光導波路１００９）は、平面視において、コア部１０９４の幅が左側の端部に向かって連続的に大きくなる拡幅部分１９４１と、コア部１０９４の幅が右側の端部に向かって連続的に小さくなる減幅部分１９４２とを有している。
また、拡幅部分１９４１に隣接する光路変換部１９７１は、その平面視形状が、拡幅部分１９４１の左側の端面を包含するように、細長い形状をなしている。このような光路変換部１９７１は、発光素子１００３の発光点から放射された光を効率よく受光して反射することができる。その結果、光路変換部１９７１は、発光素子１００３とコア部１０９４との光結合効率の向上に寄与する。
一方、減幅部分１９４２に隣接する光路変換部１９７２も、その平面視形状が、減幅部分１９４２の右側の端面を包含する形状をなしている。減幅部分１９４２からは細く絞られた光が出射するため、光路変換部１９７２の大きさを小さくすることができる。
このような各光路変換部１９７１、１９７２とコア部１０９４とにより、光配線１０９８が構築されている。
なお、図２９では、光導波路１００９の両端部にそれぞれ基板１００２を積層しているが、この基板１００２の大きさは、光導波路１００９の全体にわたって積層される程度の大きさであってもよい。この場合、基板１００２の長手方向の全体にわたって導体層１００５を設け、この導体層１００５中に電気配線を形成することで、上述した光通信と並行して電気通信も行うことができる。これにより、光導波路構造体１００１の回路設計の自由度が飛躍的に高まり、回路の集積度も高めることができる。併せて、電気通信用の構造体を別途用意する必要がなくなるという利点もある。
＜第１９実施形態：図３１、３２＞
図３１には、本発明の光導波路構造体１００１の第１９実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４、１８実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図３１は、第１９実施形態が有する光導波路のコア層を示す平面図である。
図３１には、本発明の光導波路構造体１００１の第１９実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１００１について説明するが、前記第１４、１８実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図３１は、第１９実施形態が有する光導波路のコア層を示す平面図である。
本実施形態の光導波路構造体１００１は、光導波路１００９の構成が前記と異なり、それ以外は同様である。
すなわち、図３１に示すコア層１０９３（光導波路１００９）には、平面視において、第１８実施形態にかかるコア部１０９４と、それに対応する光路変換部１９７１、１９７２とで構成される光配線１０９８が、４本（複数本）並列に形成されている。
４本の光配線１０９８は、それぞれ端部に光路変換部１９７１と光路変換部１９７２とを有するものであるが、互いに隣り合うもの同士で光路変換部１９７１と光路変換部１９７２の位置が反転している。すなわち、４本の光配線１０９８のうち、図３１の一番上に位置するものと、上から３番目に位置するものは、光路変換部１９７１がコア層１０９３の左側に位置するよう形成されている。一方、４本の光配線１０９８のうち、図３１の上から２番目と４番目に位置するものについては、光路変換部９７１がコア層１０９３の右側に位置するよう形成されている。
このように光配線１０９８のうち隣り合うもの同士が長手方向に交互に反転していることにより、より大きなスペースを必要とする拡幅部分１９４１同士が隣り合うことがなくなる。これにより、光配線１０９８同士をより近接配置することができ、光配線１０９８の配設密度を高めることができる。その結果、光導波路構造体１００１の小型化および高集積化を図ることができる。
また、４本の光配線１０９８のうち、光路変換部１９７１が右側に位置している２本と、光路変換部１９７１が左側に位置している２本とが、長手方向にずれるよう形成されている。これにより、光配線１０９８同士の離間距離をさらに近づけることが可能になる。これは、比較的大きなスペースを必要とする光路変換部１９７１および光路変換部１９７２が長手方向にずれるため、これらの干渉を避けることができ、光配線１０９８同士の間隔に余裕ができるためである。
なお、図３１に示す４本の光配線１０９８の長さは、いずれも同程度であるが、それぞれの長さが異なる場合などは、コア部１０９４の左側または右側のいずれかがずれるように形成されていてもよい。
また、図３１では、４本の光配線１０９８のうち、光路変換部１９７１が右側に位置している２本、および、光路変換部１９７１が左側に位置している２本は、それぞれ長手方向の同じ位置に形成されているが、これらについても長手方向にずれるよう形成してもよい。これにより、光配線１０９８同士の離間距離をさらに近づけることができる。
図３２は、第１９実施形態を示す平面図である。
図３２に示す光導波路構造体１００１は、光導波路１００９の長手方向の両端部の上面にそれぞれ積層された基板１００２と、各基板１００２の上面に設けられた導体層１００５とを備える配線基板を有している。
図３２に示す光導波路構造体１００１は、光導波路１００９の長手方向の両端部の上面にそれぞれ積層された基板１００２と、各基板１００２の上面に設けられた導体層１００５とを備える配線基板を有している。
図３２の左側の基板１００２には、各光路変換部１９７１の位置に応じて、２つの表面実装型の発光素子１００３と、１つの発光用ＩＣ１０３５とが搭載されている。各発光素子１００３と発光用ＩＣ１０３５との間は、導体層１００５に形成された電気配線１０５１を介して電気的に接続されている。これにより、発光素子１００３の発光を発光用ＩＣ１０３５により制御することができる。すなわち、左側の基板１００２には、発光素子１００３と発光用ＩＣ１０３５とを有する発光回路３００が構築されている。
また、左側の基板１００２には、各光路変換部１９７２の位置に応じて、２つの表面実装型の受光素子１００４と、１つの受光用ＩＣ１０４５とが搭載されている。各受光素子１００４と受光用ＩＣ１０４５との間は導体層１００５に形成された電気配線１０５１を介して電気的に接続されている。これにより、受光素子１００４で受光し、電気信号に変換した後、この電気信号が受光用ＩＣ１０４５に入力されて増幅される。すなわち、左側の基板には、受光素子１００４と受光用ＩＣ１０４５とを有する受光回路１４００も構築されており、発光回路１３００と受光回路１４００とが混載されている。
一方、図３２の右側の基板１００２にも、左側の基板１００２と同様、発光回路１３００と受光回路１４００とが混載されている。
このような光導波路構造体１００１によれば、複数の光通信のチャンネル（光配線１０９８）を有しているにもかかわらず、比較的小面積の基板１００２に複数チャンネル対応の発光回路１３００と受光回路１４００とを混載することができる。その結果、光導波路構造体１００１の小型化および高集積化を図ることができる。
以上、第１～第１９実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り、他の構成のものでもよい。また、本発明は、第１～第１９実施形態のうちの任意の２以上の実施形態が備える構成を組み合わせたものでもよい。
上述したような本発明の光導波路構造体は、折り曲げ操作を行うことにより、基板２や光導波路９が屈曲した状態（屈曲状態）と、折り曲げ操作を解除し、基板２や光導波路９を伸張させた状態（伸張状態）とを自在にとり得るものとなる。このため、例えばヒンジ部またはスライド部を有する携帯電話、ゲーム機、ＰＤＡ、ノート型パソコン等の電子機器のヒンジ部やスライド部に対して好適に用いることができる。例えば携帯電話において、ヒンジ部を介した２点間を光導波路構造体で接続した場合、携帯電話のヒンジ部を閉じたときには、光導波路構造体が屈曲状態をとり、ヒンジ部を開いたときには、光導波路構造体が伸張状態をとることとなる。
このようにすれば、光導波路構造体は、可動部を挟む２点間の電気的接続および光学的接続を、長期にわたって維持することができる。このため、光導波路構造体を備えた携帯電話（電子機器）は、その信頼性を高めることができる。
また、上述したような本発明の光導波路構造体は、発光素子や受光素子、他の光導波路、光ファイバーの光通信用部品に対して光学的に接続した際に、光結合効率を高め得る光導波路を有するものとなる。特に指向性の低い発光素子や、受光の有効領域が狭い受光素子を接続した場合でも、伝送効率を高めることができる。また、光導波路と光通信用部品との位置ずれの許容範囲を広くすることができるので、光導波路または光通信用部品の実装が容易になり、光導波路構造体の製造容易性が向上する。
また、本発明の光導波路構造体を備えることにより、２点間で高品質の光通信を行うことができるため、信頼性の高い電子機器（本発明の電子機器）が得られる。
なお、本発明の光導波路構造体を適用する電子機器は、上記のものに限定されず、例えば、携帯電話、ゲーム機、ルーター装置、ＷＤＭ装置、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器類への適用が好適である。これらの電子機器では、いずれも、例えばＬＳＩ等の演算装置とＲＡＭ等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光導波路構造体を備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消されるため、その性能の飛躍的な向上が期待できる。
さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、基板内の集積度を高めて小型化が図られるとともに、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。
＜光導波路の製造方法＞
次に、前記各実施形態における、光導波路９、１００９（以下、光導波路９とも表記する）の製造方法および各部の構成材料等について説明するが、特にコア部９４、１０９４（以下、コア部９４とも表記する）の形成方法について詳細に説明する。
次に、前記各実施形態における、光導波路９、１００９（以下、光導波路９とも表記する）の製造方法および各部の構成材料等について説明するが、特にコア部９４、１０９４（以下、コア部９４とも表記する）の形成方法について詳細に説明する。
まず、コア部９４の形成方法の説明に先立って、コア部９４の形成に用いられる感光性樹脂組成物について説明する。
（感光性樹脂組成物）
本実施形態において用いる感光性樹脂組成物は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を備える。
本実施形態において用いる感光性樹脂組成物は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を備える。
なかでも、光の伝搬損失の発生を確実に抑制するという観点から、
側鎖に（Ｃ）光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有する環状オレフィン樹脂（Ａ）と、
下記式（１００）のモノマーとを含むことが好ましい。
側鎖に（Ｃ）光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有する環状オレフィン樹脂（Ａ）と、
下記式（１００）のモノマーとを含むことが好ましい。
このような感光性樹脂組成物は、フィルム状に成形されて光導波路形成用フィルムとされ、さらに、屈折率が異なる領域を含むフィルム、例えば、光導波路フィルムとして使用される。
すなわち、このような感光性樹脂組成物を使用することで、光の伝搬損失の発生が抑制された光導波路フィルム等を提供することができる。なかでも、湾曲した光導波路を形成した場合において、光の伝搬損失の発生を顕著に抑制することができる。
さらに、このような光導波路フィルムを使用した光配線、前記光配線と、電気回路とを備える光電気混載基板を提供することができる。このような光配線および光電気混載基板によれば、従来の電気配線で問題となっていたＥＭＩ（電磁波障害）の改善が可能となり、従来よりも信号伝達速度を大幅に向上することができる。
また、光導波路フィルムを使用した電子機器も提供できる。光導波路フィルムを用いることにより、省スペース化が図られるため、電子機器の小型化に寄与する。
このような電子機器としては、具体的には、コンピューター、サーバー、携帯電話、ゲーム機器、メモリーテスター、外観検査ロボット等を挙げることができる。
以下、感光性樹脂組成物の成分について順次詳述する。
（（Ａ）環状オレフィン樹脂）
成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、感光性樹脂組成物のフィルム成形性を確保するために添加されるものであり、ベースポリマーとなるものである。
（（Ａ）環状オレフィン樹脂）
成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、感光性樹脂組成物のフィルム成形性を確保するために添加されるものであり、ベースポリマーとなるものである。
ここで、環状オレフィン樹脂は、無置換のものであってもよいし、水素が他の基により置換されたものであってもよい。
環状オレフィン樹脂としては、例えばノルボルネン系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等が挙げられる。
なかでも、耐熱性、透明性等の観点からノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
ノルボルネン系樹脂としては、例えば、
（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、
（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα－オレフィン類との付加共重合体、
（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、
（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα－オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、
（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα－オレフィン類との付加共重合体、
（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、
（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα－オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
これらのノルボルネン系樹脂は、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
これらの中でも、ノルボルネン系樹脂としては、付加（共）重合体が好ましい。付加（共）重合体は、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。たとえば、感光性樹脂組成物によりフィルムを形成した後、電気部品等を、半田を介して実装することがある。このような場合において、高い耐熱性、すなわち、耐リフロー性を有することが必要となるため、付加（共）重合体が好ましい。また、感光性樹脂組成物によりフィルムを形成し、製品に組み込んだ際に、たとえば、８０℃程度の環境下にて使用される場合がある。このような場合においても、耐熱性を確保するという観点から、付加（共）重合体が好ましい。
なかでも、ノルボルネン系樹脂は、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。
重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位としては、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位がのうちの少なくとも１種が好適である。これらの重合性基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。
また、このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位を、２種以上含むものを用いれば、可撓性と耐熱性の両立を図ることができる。
一方、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、アリール基に由来する極めて高い疎水性によって、吸水による寸法変化等をより確実に防止することができる。
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高くなるため、高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、特定の波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。
このようなことから、ノルボルネン系樹脂としては、以下の式（１）～（４）、（８）～（１０）で表されるものが好適である。
式（１）のノルボルネン系樹脂は、以下のようにして製造することができる。
Ｒ１を有するノルボルネンと、側鎖にエポキシ基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物（Ａ）を触媒として用いて溶液重合させることで（１）を得る。
Ｒ１を有するノルボルネンと、側鎖にエポキシ基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物（Ａ）を触媒として用いて溶液重合させることで（１）を得る。
なお、側鎖にエポキシ基を有するノルボルネンの製造方法は、たとえば、（i）（ii）の通りである。
（i）ノルボルネンメタノール（ＮＢ－ＣＨ２－ＯＨ）の合成
ＤＣＰＤ（ジシクロペンタジエン）のクラッキングにより生成したＣＰＤ（シクロペンタジエン）とαオレフィン（CH2=CH-CH2-OH）を高温高圧下で反応させる。
ＤＣＰＤ（ジシクロペンタジエン）のクラッキングにより生成したＣＰＤ（シクロペンタジエン）とαオレフィン（CH2=CH-CH2-OH）を高温高圧下で反応させる。
（ii）エポキシノルボルネンの合成
ノルボルネンメタノールとエピクロルヒドリンとの反応により生成する。
ノルボルネンメタノールとエピクロルヒドリンとの反応により生成する。
なお、式（１）において、ｂが２もしくは３の場合には、エピクロルヒドリンのメチレン基がエチレン基、プロピレン基等になったものを使用する。
式（１）で表されるノルボルネン系樹脂の中でも、可撓性と耐熱性の両立を図ることが可能との観点から、特に、Ｒ１が炭素数４～１０のアルキル基であり、ａおよびｂがそれぞれ１である化合物、例えば、ブチルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
式（２）のノルボルネン系樹脂は、Ｒ2を有するノルボルネンと、側鎖にアクリルおよびメタクリル基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、上述したＮｉ化合物（Ａ）を触媒に用いて溶液重合させることで得ることができる。
なお、式（２）で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、可撓性と耐熱性との両立の観点から、特に、Ｒ２が炭素数４～１０のアルキル基であり、ｃが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとアクリル酸２－（５－ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとアクリル酸２－（５－ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、デシルノルボルネンとアクリル酸２－（５－ノルボルネニル）メチルとのコポリマー等が好ましい。
式（３）の樹脂は、Ｒ4を有するノルボルネンと、側鎖にアルコキシシリル基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、上述したＮｉ化合物（Ａ）を触媒に用いて溶液重合させることで得ることができる。
なお、式（３）で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒ４が炭素数４～１０のアルキル基であり、ｄが１または２、Ｘ３がメチル基またはエチル基である化合物、例えば、ブチルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ブチルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ブチルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
Ｒ5を有するノルボルネンと、側鎖にＡ1およびＡ2を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物（Ａ）を触媒に用いて溶液重合させることで（４）を得る。
なお、式（４）で表されるノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ブチルノルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２－（５－ノルボルネニル）メチルと、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２－（５－ノルボルネニル）メチルと、メチルグリシジルエーテルノルボルネンとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、メチルグリシジルエーテルノルボルネン、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー等が挙げられる。
Ｒ７を有するノルボルネンと、側鎖に-(CH2)-X1-X2(R8)3-j(Ar)jを含むノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物を触媒に用いて溶液重合させることで（８）を得る。
なお、式（８）で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基であるものが好ましい。
さらには、可撓性、耐熱性および屈折率制御の観点から特に、Ｒ７が炭素数４～１０のアルキル基であり、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ８がメチル基、ｉが１、ｊが２である化合物、例えば、ブチルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー等が好ましい。
具体的には、以下のようなノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
具体的には、以下のようなノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
また、可撓性と耐熱性および屈折率制御の観点から、式（８）において、Ｒ７が炭素数４～１０のアルキル基であり、Ｘ１がメチレン基、Ｘ２が炭素原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ８が水素原子、ｉが０、ｊが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー等であってもよい。
さらに、ノルボルネン系樹脂として、次のようなものを使用してもよい。
さらに、ノルボルネン系樹脂として、次のようなものを使用してもよい。
また、ｐ１／ｑ１～ｐ３／ｑ３、ｐ５／ｑ５、ｐ６／ｑ６またはｐ４／ｑ４＋ｒは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１～１０程度がより好ましい。これにより、複数種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。
以上のようなノルボルネン系樹脂は、脱離性基を有するものであることが好ましい。ここで、脱離性基とは、酸の作用により離脱するものである。
具体的には、分子構造中に、－Ｏ－構造、－Ｓｉ－アリール構造および－Ｏ－Ｓｉ－構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
このうち、離脱により樹脂の屈折率に低下を生じさせる離脱性基としては、－Ｓｉ－ジフェニル構造および－Ｏ－Ｓｉ－ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
例えば、式（８）で表されるノルボルネン系ポリマーの中で、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基であるものが脱離性基を有するものとなる。
また、式（３）においては、アルコキシシリル基のＳｉ－O－Ｘ３の部分で脱離する場合がある。
例えば、式（９）のノルボルネン系樹脂を使用した場合、光酸発生剤（ＰＡＧと表記）から発生した酸により、以下のように反応が進むと推測される。なお、ここでは、脱離性基の部分のみを示し、また、ｉ＝１の場合で説明している。
さらに、式（９）の構造に加えて、側鎖にエポキシ基を有するものであってもよい。このようなものを使用することで密着性に優れたフィルムが形成可能という効果がある。
具体例として以下のようなものとなる。
具体例として以下のようなものとなる。
式（３１）で示される化合物は、たとえば、ヘキシルノルボルネンと、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（側鎖に-CH2-O-Si(CH3)(Ph)2を含むノルボルネン）およびエポキシノルボルネンをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物を触媒に用いて溶液重合させることで得ることができる。
（（Ｂ）環状エーテル基を有するモノマー、環状エーテル基を有するオリゴマー）
次に、（Ｂ）の成分について説明する。
次に、（Ｂ）の成分について説明する。
成分（Ｂ）は、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方である。この成分（Ｂ）は、成分（Ａ）の樹脂と屈折率が異なり、かつ、成分（Ａ）の樹脂と相溶性のあるものであればよい。成分（Ｂ）と、成分（Ａ）の樹脂との屈折率差は、０．０１以上であることが好ましい。
なお、成分（Ｂ）の屈折率は、成分（Ａ）の樹脂よりも高いものであってもよいが、成分（Ｂ）は、成分（Ａ）の樹脂よりも屈折率が低いことが好ましい。
成分（Ｂ）の環状エーテル基を有するモノマー、環状エーテル基を有するオリゴマーは、酸の存在下において開環により重合するものである。モノマー、オリゴマーの拡散性を考慮すると、このモノマーの分子量（重量平均分子量）、オリゴマーの分子量（重量平均分子量）は、それぞれ１００以上、４００以下であることが好ましい。
成分（Ｂ）は、たとえば、オキセタニル基あるいは、エポキシ基を有する。このような環状エーテル基は、酸により開環しやすいため、好ましい。
オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーとしては、下記式（１１）～（２０）の群から選ばれるものが好ましい。これらを使用することで波長８５０ｎｍ近傍での透明性に優れ、可撓性と耐熱性の両立が可能という利点がある。また、これらを単独でも混合して用いても差し支えない。
以上のようなモノマーおよびオリゴマーのなかでも、成分（Ａ）の樹脂との屈折率差を確保する観点から式（１３）、（１５）、（１６）、（１７）、（２０）で表される化合物を使用することが好ましい。
さらには、成分（Ａ）の樹脂との屈折率差がある点、分子量が小さく、モノマーの運動性が高い点、モノマーが容易に揮発しない点を考慮すると、式（２０）、式（１５）で表される化合物を使用することが特に好ましい。
また、オキセタニル基を有する化合物としては、以下の式（３２）、式（３３）で表される化合物を使用することができる。式（３２）で表される化合物としては、東亞合成製の商品名ＴＥＳＯＸ等、式（３３）で表される化合物としては、東亞合成製の商品名ＯＸ－ＳＱ等を使用することができる。
また、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、たとえば、以下のようなものがあげられる。このエポキシ基を有するモノマー、オリゴマーは、酸の存在下において開環により重合するものである。
エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、以下の式（３４）～（３９）で表されるものを使用することができる。なかでも、エポキシ環のひずみエネルギーが大きく反応性に優れるという観点から式（３６）～（３９）で表される脂環式エポキシモノマーを使用することが好ましい。
なお、式（３４）で表される化合物は、エポキシノルボルネンであり、このような化合物としては、たとえば、プロメラス社製 ＥｐＮＢを使用することができる。式（３５）で表される化合物は、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシランであり、この化合物としては、たとえば、東レ・ダウコーニング・シリコーン社製 Ｚ－６０４０を使用することができる。また、式（３６）で表される化合物は、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランであり、この化合物としては、たとえば、東京化成製 Ｅ０３２７を使用することができる。
さらに、式（３７）で表される化合物は、３、４－エポキシシクロヘキセニルメチル－３、’４’－エポキシシクロヘキセンカルボキシレートであり、この化合物としては、たとえば、ダイセル化学社製 セロキサイド２０２１Ｐを使用することができる。また、式（３８）で表される化合物は、１，２－エポキシ－４－ビニルシクロヘキサンであり、この化合物としては、たとえば、ダイセル化学社製 セロキサイド２０００を使用することができる。
さらに、式（３９）で表される化合物は、１，２：８，９ジエポキシリモネンであり、この化合物としては、たとえば、（ダイセル化学社製 セロキサイド３０００）を使用することができる。
さらに、（Ｂ）の成分として、オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーと、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとが併用されていてもよい。
オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーは重合を開始する開始反応が遅いが、生長反応が速い。これに対し、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーは、重合を開始する開始反応が速いが、生長反応が遅い。そのため、オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーと、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとを併用することで、光を照射した際に、光照射部分と、未照射部分との屈折率差を確実に生じさせることができる。
この（Ｂ）成分の添加量は、（Ａ）成分１００重量部に対し、１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、２重量部以上、２０重量部以下であることがより好ましい。これにより、コア／クラッド間の屈折率変調を可能にし、可撓性と耐熱性との両立が図れるという効果がある。
（（Ｃ）光酸発生剤）
光酸発生剤としては、光のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであればよく、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４－ｔ－ブチルフェニル）スルホニウム－トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、ｐ－ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム－テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１－フェニル－１－（４－メチルフェニル）スルホニルオキシ－１－ベンゾイルメタン、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミド－トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６－トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（３．４－メチレンジオキシフェニル）－４，６－ビス－（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を挙げることができる。これらの光酸発生剤は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。
光酸発生剤としては、光のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであればよく、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４－ｔ－ブチルフェニル）スルホニウム－トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、ｐ－ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム－テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１－フェニル－１－（４－メチルフェニル）スルホニルオキシ－１－ベンゾイルメタン、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミド－トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６－トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（３．４－メチレンジオキシフェニル）－４，６－ビス－（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を挙げることができる。これらの光酸発生剤は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。
光酸発生剤の含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対し０．０１重量部以上、０．３重量部以下であることが好ましく、０．０２重量部以上、０．２重量部以下であることがより好ましい。これにより、反応性の向上という効果がある。
感光性樹脂組成物は、以上の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の成分に加えて、増感剤等の添加剤を含有していてもよい。
増感剤は、光に対する光酸発生剤の感度を増大して、光酸発生剤の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、光酸発生剤の活性化に適する波長に光の波長を変化させる機能を有するものである。
このような増感剤としては、光酸発生剤の感度や増感剤の吸収のピーク波長に応じて適宜選択され、特に限定されないが、たとえば、９，１０－ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５－１４－４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（fluoranthenes）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン－９－オン類（thioxanthen-9-ones）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いることができる。
増感剤の具体例としては、例えば、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４－プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（phenothiazine）またはこれらの混合物が挙げられる。
増感剤の含有量は、感光性樹脂組成物中で、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
以上の感光性樹脂組成物のうち、成分（Ａ）として側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂と、成分（Ｃ）の光酸発生剤と、成分（Ｂ）として下記式（１００）に記載の第１モノマーと、を含む感光性樹脂組成物が特に好ましい。
以下、特に好ましいこの感光性樹脂組成物について説明する。
前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂を構成する環状オレフィン樹脂（Ａ）としては、前述したようなものを使用できるが、例えばシクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体モノマーの重合体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも多環体モノマーの重合体の中から選ばれる１種以上の環状オレフィン樹脂が好ましく用いられる。これにより、樹脂の耐熱性を向上することができる。
前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂を構成する環状オレフィン樹脂（Ａ）としては、前述したようなものを使用できるが、例えばシクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体モノマーの重合体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも多環体モノマーの重合体の中から選ばれる１種以上の環状オレフィン樹脂が好ましく用いられる。これにより、樹脂の耐熱性を向上することができる。
なお、重合形態としては、ランダム重合、ブロック重合等の公知の形態を適用することができる。例えばノルボルネン型モノマーの重合の具体例としては、ノルボルネン型モノマ－の（共）重合体、ノルボルネン型モノマ－とα－オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ－との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物などが具体例に該当する。これら環状オレフィン樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とがあり、前述の中でも付加重合法で得られる環状オレフィン樹脂（特にノルボルネン系樹脂）が好ましい（すなわち、ノルボルネン系化合物の付加重合体）。これにより、透明性、耐熱性および可撓性に優れる。
前記脱離性基としては、光酸発生剤から発生する酸（Ｈ＋）の作用により分子の一部が切断されて離脱するものである。具体的には、分子構造中（側鎖）に、前述したような－Ｏ－構造、－Ｓｉ－アリール構造および－Ｏ－Ｓｉ－構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。上述したような離脱性基は、酸（Ｈ＋）の作用により比較的容易に離脱する。
上述した脱離性基の中でも離脱により樹脂の屈折率に低下を生じさせる離脱性基としては、－Ｓｉ－ジフェニル構造および－Ｏ－Ｓｉ－ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
前記脱離性基の含有量は、特に限定されないが、前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂中の１０～８０重量％であるのが好ましく、特に２０～６０重量％であるのがより好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に可撓性と屈折率変調機能（屈折率差を大きくする効果）との両立に優れる。
このような側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂としては、下記式（１０１）および／または下記式（１０２）で示される繰り返し単位を有するものが好ましい。これにより、樹脂の屈折率を高くすることができる。
前記感光性樹脂組成物は、上記式（１００）に記載のモノマー（以下、第１モノマーという）を含む。これにより、さらに左右のコア／クラッド間の屈折率差を拡大することができる。
第１モノマーの含有量は、特に限定されないが、前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂１００重量部に対して１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、特に２重量部以上、２０重量部以下であることが好ましい。これにより、コア／クラッド間の屈折率変調を可能にし、可撓性と耐熱性との両立が図られる。
このように、上述した第１モノマーを側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂と併用した場合に、コア／クラッド間の屈折率変調と、可撓性とのバランスに優れることの理由は、以下の通りと考えられる。
まず、以上のような感光性樹脂組成物を用いた場合に、コア／クラッド間の屈折率変調に優れるのは、光照射等によって発生した酸により、第１モノマーが重合反応を開始するとき、第１モノマーがその反応性に優れているからである。第１モノマーの反応性が優れていると、第１モノマーの硬化性が高くなり、第１モノマーの濃度勾配によって生じる第１モノマーの拡散性が向上する。それによって、光照射領域と、未照射領域との屈折率差を大きくすることができる。
また、第１モノマーは一官能であるために、重合反応が進行して感光性樹脂組成物としての架橋密度はそれほど高くはならない。そのため、可撓性にも優れている。
前記感光性樹脂組成物は、特に限定されないが、前記第１モノマーと異なる第２モノマーを含んでいてもよい。なお、前記第１モノマーと異なる第２モノマーとは、構造が異なるモノマーでもよく、分子量が異なるモノマーでもよい。
なかでも、第２モノマーは、成分（Ｂ）として含まれており、例えばエポキシ化合物、式（１００）で示されるものと異なる他のオキセタン化合物、ビニルエーテル化合物等が挙げられる。これらの中でもエポキシ化合物（特に脂環式エポキシ化合物）および２官能のオキセタン化合物（オキセタニル基を２つ有するモノマー）の少なくとも１種が好ましい。これにより、前記第１モノマーと前記環状オレフィン樹脂との反応性を向上させることができ、それによって透明性を保持しつつ、導波路の耐熱性を向上させることができる。
第２モノマーとしては、具体的には、上記式（１５）の化合物、上記式（１２）の化合物、上記式（１１）の化合物、上記式（１８）の化合物、上記式（１９）の化合物、上記式（３４）～（３９）の化合物が挙げられる。
前記第２モノマーの含有量は、特に限定されないが、前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、特に２重量部以上、２０重量部以下であることがより好ましい。これにより、前記第１モノマーとの反応性を向上させることができる。
また、前記第２モノマーと前記第１モノマーとの併用割合も特に限定されないが、重量比（前記第２モノマーの重量／前記第１モノマーの重量）で、０．１～１が好ましく、特に０．１～０．６が好ましい。併用割合が前記範囲内であると、反応性の速さと導波路の耐熱性とのバランスに優れる。
光酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上、０．３重量部以下であることが好ましく、特に０．０２重量部以上、０．２重量部以下であることがより好ましい。含有量が下限値未満であると反応性が低下する場合があり、前記上限値を超えると光導波路に着色が生じて光損失が低下する場合がある。
前記感光性樹脂組成物は、上述した環状オレフィン系樹脂、光酸発生剤、第１モノマーおよび第２モノマー以外に、硬化触媒、酸化防止剤等を含んでいてもよい。
また、上述した感光性樹脂組成物は、コア部９４の形成用の組成物として用いることができる。
（光導波路の製造方法及び光導波路の第１製造方法）
図１９、２０、２１は、それぞれ、光導波路の製造方法の工程例を、図３３～３５は、それぞれ、光導波路の第１製造方法の工程例を、模式的に示す断面図である。
図１９、２０、２１は、それぞれ、光導波路の製造方法の工程例を、図３３～３５は、それぞれ、光導波路の第１製造方法の工程例を、模式的に示す断面図である。
ここでは、成分（Ｂ）が成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低いものである場合の感光性樹脂組成物を用いて光導波路を製造する方法を例にして説明する。
まず、図１９（Ａ）、図３３（Ａ）に示すように、感光性樹脂組成物を溶媒に溶かしてワニス９００、１９００(以下、ワニス９００とも表記する)を調製し、このワニス９００をクラッド層９１、１０９１(以下、クラッド層９１とも表記する)上に塗布する。
感光性樹脂組成物をワニス状に調製する溶媒としては、たとえば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２－ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒が挙げられる。
次に、光導波路９のクラッド層９１上にワニス９００を塗布した後、乾燥させて、溶媒を蒸発（脱溶媒）させる。これにより、図１９（Ｂ）、図３３（Ｂ）に示すように、ワニス９００は、光導波路形成用のフィルム９１０、１９１０（以下、フィルム９１０とも表記する）となる。このフィルム９１０は、後述する光の照射により、コア部９４とクラッド部９５、１０９５（以下、クラッド部９５とも表記する）とが形成されたコア層９３、１０９３（以下、コア層９３とも表記する）となる。
ここで、ワニス９００を塗布する方法としては、たとえば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。クラッド層９１としては、たとえば、後述するコア部９４よりも屈折率が低いシートが使用され、たとえば、ノルボルネン系樹脂と、エポキシ樹脂とを含むシートが使用される。
次に、フィルム９１０に対し、選択的に光（たとえば、紫外線）を照射する。
この際、図２０（Ａ）、図３４（Ａ）に示すように、フィルム９１０の上方に開口が形成されたマスクＭを配置する。このマスクＭの開口を介して、フィルム９１０に対し、光を照射する。
この際、図２０（Ａ）、図３４（Ａ）に示すように、フィルム９１０の上方に開口が形成されたマスクＭを配置する。このマスクＭの開口を介して、フィルム９１０に対し、光を照射する。
用いられる光としては、例えば、波長２００～４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものが挙げられる。これにより、光酸発生剤の組成にもよるが、光酸発生剤を比較的容易に活性化させることができる。
また、光の照射量は、特に限定されないが、０．１～９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２～６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２～３Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。
なお、レーザー光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスクＭの使用を省略することもできる。
フィルム９１０のうち、光が照射された領域では、光酸発生剤から酸が発生することとなる。発生した酸により、成分（Ｂ）が重合する。
光が照射されていない領域では、光酸発生剤から酸が発生しないため、成分（Ｂ）は重合しない。照射部分では、成分（Ｂ）が重合しポリマーとなるため、成分（Ｂ）量が少なくなる。これに応じて、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。
ここで、成分（Ｂ）が、環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低い場合には、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が高くなるとともに、照射部分の屈折率は低くなる。
なお、成分（Ｂ）が重合したポリマーと、環状エーテル基を有するモノマーとの屈折率差は、０以上、０．００１以下程度であり、屈折率は略同じであると考えられる。
このように上述した感光性樹脂組成物を使用した場合には、光酸発生剤から発生する酸により、成分（Ｂ）の重合を開始させることが可能である。
さらに、本発明に用いられる環状オレフィン樹脂は必ずしも脱離性基を有していなくてもよいが、成分（Ａ）として、脱離性基を有する環状オレフィン樹脂を使用している場合には、以下の作用が生じる。
光を照射した部分では、光酸発生剤から発生した酸により、環状オレフィン樹脂の脱離性基が脱離することとなる。－Ｓｉ－アリール構造、－Ｓｉ－ジフェニル構造および－Ｏ－Ｓｉ－ジフェニル構造等の脱離性基の場合、離脱により樹脂の屈折率が低下することとなる。そのため、照射部分の屈折率は脱離性基の脱離前に比べてさらに低下することとなる。
次に、フィルム９１０を加熱する。この加熱工程において、光を照射した照射部分の成分（Ｂ）がさらに重合する。一方で、この加熱工程において、未照射部分の成分（Ｂ）は揮発することとなる。これにより、未照射部分では、成分（Ｂ）が少なくなり、環状オレフィン樹脂に近い屈折率となる。
このフィルム９１０においては、図２０（Ｂ）、図３４（Ｂ）に示すように、光が照射された領域がクラッド部９５となり、未照射領域がコア部９４となる。コア部９４における前記成分（Ｂ）由来の構造体濃度と、クラッド部９５における前記成分（Ｂ）由来の構造体濃度とが異なる。具体的には、コア部９４における成分（Ｂ）由来の構造体濃度は、クラッド部９５における成分（Ｂ）由来の構造体濃度より低い。
また、クラッド部９５は、コア部９４よりも屈折率が低くなり、クラッド部９５とコア部９４との屈折率差は、０．０１以上となる。以上のようにして、フィルム９１０には、コア部９４とクラッド部９５とが形成され、コア層９３が得られる。
この加熱工程における加熱温度は、特に限定されないが、３０～１８０℃程度であるのが好ましく、４０～１６０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱時間は、光を照射した照射部分の成分（Ｂ）の重合反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１～２時間程度であるのが好ましく、０．１～１時間程度であるのがより好ましい。
その後、このコア層９３上に、クラッド層９１と同様のフィルムを貼り付ける。このフィルムがクラッド層９２、１０９２（以下、クラッド層９２とも表記する）となる。一対のクラッド層９１、９２は、クラッド部９５とは異なる方向から、コア部９４を挟むように配置されることとなる。
なお、クラッド層９２は、フィルム状のものを貼り付けるのではなく、コア層９３上に液状材料を塗布し硬化（固化）させる方法によっても形成することができる。
以上の工程により、図２１、図３５に示す光導波路９が得られる。
以上の工程により、図２１、図３５に示す光導波路９が得られる。
また、本発明において用いる感光性樹脂組成物により光導波路９を得た場合には、特に半田耐リフロー性に優れる。さらに、光導波路９を曲げた場合であっても光損失を少なくすることができる。
なお、上記の説明では、クラッド層９１上に直接、感光性樹脂組成物を供給し、フィルム９１０（コア層９３）を形成する場合について説明したが、別の基材上にフィルム９１０（コア層９３）を形成した後、得られたコア層９３をクラッド層９１またはクラッド層９２上に転写し、その後、コア層９３を介してクラッド層９１とクラッド層９２とを重ね合わせるようにしてもよい。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態において用いる感光性樹脂組成物に光を当てると、光酸発生剤から酸が発生し、照射部分のみにおいて、成分（Ｂ）が重合されることとなる。そうすると、照射部分における成分（Ｂ）の量が少なくなるため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。具体的には、本実施形態では、ベースポリマーとして、成分（Ｂ）よりも屈折率が高い置換または無置換の環状オレフィン樹脂を使用しているため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が、照射部分の屈折率よりも高くなる。
本実施形態において用いる感光性樹脂組成物に光を当てると、光酸発生剤から酸が発生し、照射部分のみにおいて、成分（Ｂ）が重合されることとなる。そうすると、照射部分における成分（Ｂ）の量が少なくなるため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。具体的には、本実施形態では、ベースポリマーとして、成分（Ｂ）よりも屈折率が高い置換または無置換の環状オレフィン樹脂を使用しているため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が、照射部分の屈折率よりも高くなる。
これに加え、光照射後、感光性樹脂組成物の加熱を行うと、未照射部分から成分（Ｂ）が揮発する。これにより、照射部分と未照射部分とでさらに屈折率差が生じる。
このように感光性樹脂組成物を使用することで、照射部分と未照射部分とで確実に屈折率差を形成することができる。また、本発明によれば、単に光を照射するという簡単な方法でコア部をパターニングすることができる。例えば、フォトマスク等の露光パターンを適宜選択することにより、どのような形状や配置の光路（コア部）でも形成することができ、また、細い光路でもシャープに形成することができるので、回路の集積化に寄与し、デバイスの小型化が図られる。すなわち、本発明によれば、コア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。
なお、従来、オキセタニル基等を有するノルボルネン系樹脂を、熱酸発生剤により架橋させる技術が知られている。しかしながら、このような技術に用いられる組成物は、ベースポリマーとして、オキセタニル基等を有するノルボルネン系樹脂を含有する。そして、組成物全体を加熱させ、組成物全体において架橋構造を生じさせるものである。そのため、従来用いられていたこの組成物には、選択的に光を照射し、酸を発生させることで、選択的に重合を生じさせ、モノマー濃度が少なくなった領域にモノマーが拡散して、濃度差ができるという技術的思想は全くない。
これに対し、本実施形態において用いる感光性樹脂組成物は、選択的に光を照射すると、酸の発生により照射部分における成分（Ｂ）の量が少なくなるため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じることを見出したものである。
また、環状オレフィン樹脂を、光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂の屈折率を低下させる脱離性基を有するものとした場合には、光を照射した領域の屈折率を、未照射領域に比べ確実に低下させることができる。
一方で、環状オレフィン樹脂を脱離性基を有しないものとした場合には、側鎖が化学的に安定となるため、光照射や、加熱等の条件により、コア部、クラッド部の屈折率が変動してしまうことを抑制できる。
さらに、本実施形態では、成分（Ａ）としてノルボルネン系樹脂を使用している。これにより、特定波長における光透過性を確実に高めることができ、伝搬損失の低減を確実に図ることができる。
また、クラッド部９５は、コア部９４よりも屈折率が低く、クラッド部９５とコア部９４との屈折率差を０．０１以上とすることで、確実に光をコア部９４に閉じ込めることができ、光の伝搬損失の発生を抑制できる。
一方、従来、光導波路形成用の組成物として、ポリマー、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含むものが知られている。
このうち、モノマーは、光の照射により反応物を形成し、光を照射した領域の屈折率を、未照射領域の屈折率と異ならせ得るものである。
また、触媒前駆体は、モノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、光の照射により活性化した助触媒の作用により、活性化温度が変化する物質である。この活性化温度の変化により、光の照射領域と未照射領域との間で、モノマーの反応を開始させる温度が異なり、その結果、照射領域のみにおいて反応物を形成させることができる。
これに対し、本実施形態において用いる感光性樹脂組成物は、このような多量の金属元素を含む物質を必要としない。このため、上述したような伝搬損失の増加が防止され、伝搬効率に優れかつ耐熱性に優れた光導波路９が得られる。
このような従来の組成物を用いた場合でも光照射によりコア部とクラッド部とを作り分けることができるが、本実施形態に用いられる感光性樹脂組成物によれば、コア部９４とクラッド部９５との屈折率差をより拡大するとともに、耐熱性が向上するため、より信頼性の高い光導波路９が得られる。これは主に、成分（Ａ）および成分（Ｂ）の組成を最適化したことによるものである。
一方、上記の触媒前駆体には、パラジウム等の金属元素を比較的多量に含んでいるため、光導波路を伝搬する光を吸収して、伝搬損失を増加させるという副作用をもたらす。特に、光導波路を湾曲させた際には、その傾向が顕著であった。また、触媒前駆体を含んでいることにより、耐熱性が低下し、リフロー時に伝搬効率が低下するという問題もあった。
このような従来の組成物を用いた場合でも光照射によりコア部とクラッド部とを作り分けることができるが、本実施形態に用いられる感光性樹脂組成物によれば、コア部１０９４とクラッド部１０９５との屈折率差をより拡大するとともに、耐熱性が向上するため、より信頼性の高い光導波路１００９が得られる。これは、成分（Ａ）および成分（Ｂ）の組成を最適化したことによるものである。
以上のような光導波路の第１製造方法により、光導波路１００９が得られる。
以上のような光導波路の第１製造方法により、光導波路１００９が得られる。
（光導波路の第２製造方法）
なお、第１６実施形態および第１７実施形態に係る光導波路１００９を製造する際には、上記方法により平面視におけるコア部１０９４の形状を形作るのに加え、以下の方法により縦断面におけるコア層１０９３の形状を形作る。
なお、第１６実施形態および第１７実施形態に係る光導波路１００９を製造する際には、上記方法により平面視におけるコア部１０９４の形状を形作るのに加え、以下の方法により縦断面におけるコア層１０９３の形状を形作る。
以下、光導波路の第２製造方法について説明するが、縦断面におけるコア層１０９３の形状を形作る点以外は、第１製造方法と同様である。
図３６～３８は、それぞれ、光導波路の第２製造方法の工程例を模式的に示す斜視図である。なお、図３６～３８では、コア層１０９３およびクラッド層１０９２を透過するように描いている。また、図３８では、コア部９４に相当する領域にドットを付している。
まず、図３６（ａ）に示すように、クラッド層１０９１を用意する。このクラッド層１０９１の上面は、製造しようとするコア層１０９３の厚さの変化に応じて、所定の段差が形成されている。なお、ここでは、図２７（ｃ）に示す光導波路１００９を製造する場合を例に説明する。図２７（ｃ）に示す光導波路１００９では、その左側の端部に厚膜部分１９４３が設けられ、右側の端部に薄膜部分１９４４が設けられている。一方、クラッド層１０９１の上面は、コア層１０９３の厚さ変化に応じて上下しているのに対し、下面は水平な平滑面となっている。図３６（ａ）では、このクラッド層１０９１をそれぞれ両端側に延長したものを下側クラッド層用母材１０９１’として用意する。この下側クラッド層用母材１０９１’は、長手方向の左側の端面からわずかに右側に移動した箇所に、左側の端部に向かって上面が左下がりに徐々に低くなる第１の面１９１１と、それに続いて左上がりに徐々に高くなる第２の面１９１２とを有している。また、長手方向の右側の端面からわずかに左側に移動した箇所には、右側の端部に向かって上面が右上がりに徐々に高くなる第３の面１９１３と、それに続いて右下がりに徐々に低くなる第４の面１９１４とを有している。このうち、第１の面１９１１および第３の面１９１３の上面の傾斜の程度は、それぞれ、図２７（ｃ）に示すコア層１０９３の厚膜部分１９４３および薄膜部分１９４４の下面の傾斜の程度にそれぞれ対応している。一方、第２の面１９１２および第４の面１９１４の上面の傾斜の程度は、それぞれ第１の面１９１１および第３の面１９１３を反転したものと同じである。また、これらの面以外の上面は、水平面となっている。
次に、感光性樹脂組成物を溶媒に溶かしてワニス１９００を調製し、このワニス１９００を下側クラッド層用母材１０９１’上に塗布する。その後、乾燥を経て、フィルム１９１０を得る（図３６（ｂ）参照）。
次に、フィルム１９１０に対し、選択的に光を照射する。この際、図３６（ｃ）に示すように、フィルム１９１０の上方に開口が形成されたマスクＭを配置し、この開口を介してフィルム１９１０に光を照射する。これにより、照射領域と未照射領域との間に屈折率差が生じる。なお、ここでは、光が照射された領域がクラッド部１０９５となり、未照射領域がコア部１０９４となる（図３７（ｄ）参照）。以上のようにして、フィルム１９１０にコア層１０９３が形成される。
次に、得られたフィルム１９１０と下側クラッド層用母材１０９１’の積層体を、図３７（ｅ）に示す２つの切断面Ｓで切断する。この２つの切断面Ｓは、下側クラッド層用母材１０９１’の上面に設けられた第１の面１９１１と第２の面１９１２との境界線、および、第３の面１９１３と第４の面１９１４との境界線にそれぞれ沿う面である。前記積層体を切断面Ｓで切断することにより、（下側）クラッド層１０９１とコア層１０９３との積層体が得られる（図３７（ｆ）参照）。
次に、図３８（ｇ）に示すように、コア層１０９３上にクラッド層１０９２を貼り付ける。以上の工程により、図３８（ｈ）に示す光導波路１００９が得られる。
なお、上記の説明では、図２７（ｃ）に示す光導波路１００９を製造する方法について説明したが、必要に応じて、フィルム１９１０を乾燥させる際に、フィルム１９１０の上面を成形（例えば、機械加工、型押し等）しつつ乾燥させればよい。これにより、フィルム１９１０の上面を上下させることができ、図２７（ａ）、図２７（ｂ）および図２７（ｄ）に示す光導波路１００９を製造することもできる。
また、工程の順序は上記のものに限定されず、例えば、クラッド層１０９２を形成するための母材を貼り付けてから、切断面Ｓで切断するようにしてもよい。
以上、本発明について説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
また、前記実施形態では、感光性樹脂組成物を使用して、光導波路フィルムを形成したが、これに限らず、ホログラム等に使用してもよい。前述の感光性樹脂組成物は、屈折率が高い領域と、屈折率が低い領域とが混在するフィルムを形成するのに適している。
次に、本発明の実施例について説明する。
Ａ．光導波路の製造
Ａ．光導波路の製造
（実施例１）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）７．２ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン１２．９ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）７．２ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン１２．９ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に下記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒１．５６ｇ（３．２ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
この下記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記２種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー＃１を得た。ポリマー＃１の分子量分布は、ＧＰＣ測定によると、Ｍｗ＝１０万、Ｍｎ＝４万であった。また、ポリマー＃１中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定によると、ヘキシルルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。またメトリコンによる屈折率は１．５５（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０（式１００）で示した第１モノマー、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３－２５－９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ１を得た。
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０（式１００）で示した第１モノマー、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３－２５－９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ１を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
シリコンウエハ上に感光性ノルボルネン樹脂組成物（プロメラス社製 Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐワニス）をドクターブレードにより均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、塗布された全面に紫外線を１００ｍJ照射し、乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、塗膜を硬化させて、下側クラッド層を形成させた。形成された下側クラッド層は、厚みが２０μｍであり、無色透明であり、屈折率は１．５２（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（下側クラッド層の作製）
シリコンウエハ上に感光性ノルボルネン樹脂組成物（プロメラス社製 Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐワニス）をドクターブレードにより均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、塗布された全面に紫外線を１００ｍJ照射し、乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、塗膜を硬化させて、下側クラッド層を形成させた。形成された下側クラッド層は、厚みが２０μｍであり、無色透明であり、屈折率は１．５２（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ１をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ１をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フィルム上に、予め乾燥厚み２０μｍになるようにＡｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを積層させたドライフィルムを、上記コア層に貼り合わせ、１４０℃に設定された真空ラミネーターに投入して熱圧着を行った。その後、紫外線を１００ｍＪ全面照射し乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを硬化させて、上側クラッド層を形成させ、光導波路を得た。このとき、上側クラッド層は、無色透明であり、その屈折率は１．５２であった。
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フィルム上に、予め乾燥厚み２０μｍになるようにＡｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを積層させたドライフィルムを、上記コア層に貼り合わせ、１４０℃に設定された真空ラミネーターに投入して熱圧着を行った。その後、紫外線を１００ｍＪ全面照射し乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを硬化させて、上側クラッド層を形成させ、光導波路を得た。このとき、上側クラッド層は、無色透明であり、その屈折率は１．５２であった。
（４）評価
（光導波路の損失評価）
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。なお、測定にはカットバック法を採用した。光導波路の長手方向を横軸にとり、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。
（光導波路の損失評価）
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。なお、測定にはカットバック法を採用した。光導波路の長手方向を横軸にとり、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。
（コア部とクラッド部との屈折率差）
上記（コア層の形成）で形成した、水平方向に隣接する左右のコア部－クラッド部間の屈折率差は、次のように求めた。
上記（コア層の形成）で形成した、水平方向に隣接する左右のコア部－クラッド部間の屈折率差は、次のように求めた。
カナダ国 EXFO社製 Optical waveguide analyzer OWA-9500により波長６５６ｎｍのレーザー光を光導波路に照射し、コア領域およびクラッド領域の屈折率をそれぞれ実測して、それらの差を算出した。その結果、屈折率差は０．０２であった。
（実施例２）
（１）脱離性基を有しないノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）９．４ｇ（５３．１ｍｍｏｌ）、フェニルエチルノルボルネン１０．５ｇ（５３．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
（１）脱離性基を有しないノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）９．４ｇ（５３．１ｍｍｏｌ）、フェニルエチルノルボルネン１０．５ｇ（５３．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒２．０６ｇ（３．２ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記２種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー＃２を得た。ポリマー＃２の分子量分布は、ＧＰＣ測定によると、Ｍｗ＝９万、Ｍｎ＝４万であった。また、ポリマー＃２中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定によると、ヘキシルルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、フェニルエチルノルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。またメトリコンによる屈折率は１．５４（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃２ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３－２５－９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ２を得た。
精製した上記ポリマー＃２ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３－２５－９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ２を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ２をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ２をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
（実施例３）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、２官能オキセタンモノマー（式（１５）で示したもの、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４－００－４、分子量２１４、沸点１１９℃／０．６７ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ３を得た。
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、２官能オキセタンモノマー（式（１５）で示したもの、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４－００－４、分子量２１４、沸点１１９℃／０．６７ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ３を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ３をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ３をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
（実施例４）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、脂環式エポキシモノマー（式（３７）で示したもの、ダイセル化学製、セロキサイド２０２１Ｐ、ＣＡＳ＃２３８６－８７－０、分子量２５２、沸点１８８℃／４ｈＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ４を得た。
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、脂環式エポキシモノマー（式（３７）で示したもの、ダイセル化学製、セロキサイド２０２１Ｐ、ＣＡＳ＃２３８６－８７－０、分子量２５２、沸点１８８℃／４ｈＰａ）２ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ４を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ４をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ４をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
（実施例５）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ）１ｇ、脂環式エポキシモノマー（ダイセル化学製、セロキサイド２０２１Ｐ）１ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ５を得た。
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ）１ｇ、脂環式エポキシモノマー（ダイセル化学製、セロキサイド２０２１Ｐ）１ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ５を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ５をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ５をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
（実施例６）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ）１．５ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ６を得た。
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ）１．５ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ６を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ６をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ６をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
（実施例７）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）６．４ｇ（３６．１ｍｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）８．７ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）、エポキシノルボルネン（ＥｐＮＢ）４．９ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）６．４ｇ（３６．１ｍｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）８．７ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）、エポキシノルボルネン（ＥｐＮＢ）４．９ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒１．７５ｇ（３．２ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
この上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記３種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールイソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー＃３を得た。ポリマー＃３の分子量分布は、ＧＰＣ測定によると、Ｍｗ＝８万、Ｍｎ＝４万であった。また、ポリマー＃３中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定によると、ヘキシルルボルネン構造単位が４０ｍｏｌ％、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が３０ｍｏｌ％、エポキシノルボルネン構造単位が３０ｍｏｌ％であった。またメトリコンによる屈折率は１．５３（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃３ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ）１．０ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ７を得た。
精製した上記ポリマー＃３ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製 ＣＨＯＸ）１．０ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ７を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ７をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ７をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上層クラッドを作製した。
実施例１と同様の上層クラッドを作製した。
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０２であった。
以上、実施例１～７で得られた光導波路フィルムの評価結果を表１に示す。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０２であった。
以上、実施例１～７で得られた光導波路フィルムの評価結果を表１に示す。
実施例１～７では、感光性樹脂組成物に光を当てると、光酸発生剤から、酸が発生し、照射部分のみにおいて、環状エーテル基を有するモノマーが重合する。そして、照射部分における未反応モノマー量が少なくなるため、照射部分／未照射部分間で生じた濃度勾配を解消するために未照射部分のモノマーが照射部分に拡散する。
また、光照射後、加熱を行うと、未照射部分からモノマーが揮発する。
また、光照射後、加熱を行うと、未照射部分からモノマーが揮発する。
以上より、コア部とクラッド部との間でモノマー由来の構造体濃度が異なり、クラッド部では、環状エーテル基を有するモノマー由来の構造体が多くなり、コア部では、環状エーテル基を有するモノマー由来の構造体が少なくなる。このことは、コア部とクラッド部との間で０．０１以上の比較的大きな屈折率差が生じることから認められる。
なお、実施例１～７では、直線状の光導波路を形成したが、曲線状（曲率半径１０ｍｍ程度）の光導波路を形成した場合には、光損失が少ないことが顕著になる。
さらには、実施例１～７で得られた光導波路フィルムは、耐熱性が高く、２６０℃の耐リフロー性を有している。
（実施例８）
（１）脱離性基を有するノルボルネン樹脂の合成
脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成において、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン１２．９ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）に代えて、フェニルジメチルノルボルネンメトキシシラン１０．４ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にした。得られた側鎖に脱離性基を有するノルボルネン系樹脂Ｂ（式１０３）の分子量は、ＧＰＣ測定によると、Ｍｗ＝１１万、Ｍｎ＝５万であった。また、各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定によると、ヘキシルノルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、フェニルジメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。またメトリコンによる屈折率は１．５３（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（１）脱離性基を有するノルボルネン樹脂の合成
脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成において、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン１２．９ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）に代えて、フェニルジメチルノルボルネンメトキシシラン１０．４ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にした。得られた側鎖に脱離性基を有するノルボルネン系樹脂Ｂ（式１０３）の分子量は、ＧＰＣ測定によると、Ｍｗ＝１１万、Ｍｎ＝５万であった。また、各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定によると、ヘキシルノルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、フェニルジメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。またメトリコンによる屈折率は１．５３（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
（２）感光性樹脂組成物の製造
ポリマー＃１に代えて、ノルボルネン系樹脂Ｂを使用した点以外は、実施例１と同様に感光性樹脂組成物を得た。
ポリマー＃１に代えて、ノルボルネン系樹脂Ｂを使用した点以外は、実施例１と同様に感光性樹脂組成物を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
ノルボルネン系樹脂Ｂを含む上記感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
ノルボルネン系樹脂Ｂを含む上記感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
実施例１と同様に、光導波路の損失評価を行ったところ、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍであった。
（実施例９）
（１）感光性樹脂組成物として以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
実施例１で得られたノルボルネン系樹脂１０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式（１００）で示した第１モノマー、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３－２５－９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）１ｇ、２官能オキセタンモノマー（式（１０４）で示した第２モノマー、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４－００－４、分子量２１４、沸点１１９℃／０．６７ｋＰａ）１ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（１．３６Ｅ－２ｇ、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄なコア層用の感光性樹脂組成物ワニスを調製した。
（１）感光性樹脂組成物として以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
実施例１で得られたノルボルネン系樹脂１０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式（１００）で示した第１モノマー、東亜合成製 ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３－２５－９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）１ｇ、２官能オキセタンモノマー（式（１０４）で示した第２モノマー、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４－００－４、分子量２１４、沸点１１９℃／０．６７ｋＰａ）１ｇ、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（１．３６Ｅ－２ｇ、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄なコア層用の感光性樹脂組成物ワニスを調製した。
（２）光導波路フィルムの製造
上記（１）の感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
上記（１）の感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
実施例１と同様に、光導波路の損失評価を行ったところ、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍであった。
（実施例１０）
環状オレフィンとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
環状オレフィンとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
（１）ノルボルネン系樹脂Ｃの合成
公知の手法（例えば特開２００３－２５２９６３号公報）を用いてフェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）モノマーの開環メタセシス重合を行い、下記式（１０５）で表されるノルボルネン系樹脂Ｃを得た。
公知の手法（例えば特開２００３－２５２９６３号公報）を用いてフェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）モノマーの開環メタセシス重合を行い、下記式（１０５）で表されるノルボルネン系樹脂Ｃを得た。
（２）感光性樹脂組成物製造
ポリマー＃１に代えて、ノルボルネン系樹脂Ｃを使用した点以外は、実施例１と同様に感光性樹脂組成物を得た。
ポリマー＃１に代えて、ノルボルネン系樹脂Ｃを使用した点以外は、実施例１と同様に感光性樹脂組成物を得た。
（３）光導波路フィルムの製造
ノルボルネン系樹脂Ｃを含む上記感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
ノルボルネン系樹脂Ｃを含む上記感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
実施例１と同様に、光導波路の損失評価を行ったところ、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は０．０５ｄＢ／ｃｍであった。
（実施例１１）
第１モノマーの配合量を０．５ｇにした以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．１０ｄＢ／ｃｍであった。
第１モノマーの配合量を０．５ｇにした以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．１０ｄＢ／ｃｍであった。
（実施例１２）
第１モノマーの配合量を４．０ｇに以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．１０ｄＢ／ｃｍであった。
第１モノマーの配合量を４．０ｇに以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．１０ｄＢ／ｃｍであった。
（比較例１）
第１モノマーを用いなかった以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．９０ｄＢ／ｃｍであった。
第１モノマーを用いなかった以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．９０ｄＢ／ｃｍであった。
（比較例２）
（１）各成分の合成
＜触媒前駆体：Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２の合成＞
漏斗を装備した２口丸底フラスコで、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（５．００ｇ、２２．３ｍｍｏｌ）とＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍＬ）からなる赤茶色懸濁液を－７８℃で攪拌した。
（１）各成分の合成
＜触媒前駆体：Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２の合成＞
漏斗を装備した２口丸底フラスコで、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（５．００ｇ、２２．３ｍｍｏｌ）とＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍＬ）からなる赤茶色懸濁液を－７８℃で攪拌した。
漏斗に、Ｐ（Ｃｙ）３（１３．１２ｍＬ（４４．６ｍｍｏｌ））のＣＨ２Ｃｌ２溶液（３０ｍＬ）を入れ、そして、１５分かけて上記攪拌懸濁液に滴下した。その結果、徐々に赤褐色から黄色に変化した。
－７８℃で１時間攪拌した後、懸濁液を室温に温め、さらに２時間攪拌して、ヘキサン（２０ｍＬ）で希釈した。
次に、この黄色の固体を空気中でろ過し、ペンタンで洗浄し（５×１０ｍＬ）、真空乾燥させた。
２次収集物は、ろ液を０℃に冷却して分離し、上記と同様に洗浄して乾燥させた。これにより、触媒前駆体を得た。
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）２．４ｇ、上記触媒前駆体（2.6E-2g）、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスを得た。
精製した上記ポリマー＃１ １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）２．４ｇ、上記触媒前駆体（2.6E-2g）、光酸発生剤 ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃ １７８２３３－７２－２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスを得た。
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に調製したワニスをドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した
上記下側クラッド層上に調製したワニスをドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０５ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．００５であった。
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０５ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．００５であった。
Ｂ．光導波路の評価
各実施例および比較例で得られた光導波路について、以下の評価を行った。評価項目を内容とともに示す。得られた結果を表２に示す。
各実施例および比較例で得られた光導波路について、以下の評価を行った。評価項目を内容とともに示す。得られた結果を表２に示す。
１．光損失
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。なお、測定にはカットバック法を採用し、導波路長を横軸、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失を算出した。
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。なお、測定にはカットバック法を採用し、導波路長を横軸、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失を算出した。
２．耐熱性
上記光導波路を高温高湿槽（８５℃、８５％ＲＨ）に投入し、湿熱処理５００時間後の伝搬損失を評価した。また、リフロー処理（Ｎ２雰囲気下、最大温度２６０℃／６０秒）による伝搬損失の劣化の有無も並行して確認した。
なお、ここでの伝搬損失の測定は、１の光損失の測定方法と同じである。
上記光導波路を高温高湿槽（８５℃、８５％ＲＨ）に投入し、湿熱処理５００時間後の伝搬損失を評価した。また、リフロー処理（Ｎ２雰囲気下、最大温度２６０℃／６０秒）による伝搬損失の劣化の有無も並行して確認した。
なお、ここでの伝搬損失の測定は、１の光損失の測定方法と同じである。
３．光導波路の曲げ損失
１０ｍｍの曲率半径を有する光導波路フィルムの光強度の曲げ損失を評価した。８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路フィルムの端面に導入し、２００μｍφの光ファイバーで他端から受光を行って光の強度を測定した（下記式参照）。長さの等しい光導波路フィルムを曲げたときに生じる損失の増分を「曲げ損失」と定義し、図２２、図３９に示すように、光導波路フィルムを曲線状にした場合の挿入損失と光導波路フィルムを直線状にした場合の挿入損失との差で「曲げ損失」を表した。
１０ｍｍの曲率半径を有する光導波路フィルムの光強度の曲げ損失を評価した。８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路フィルムの端面に導入し、２００μｍφの光ファイバーで他端から受光を行って光の強度を測定した（下記式参照）。長さの等しい光導波路フィルムを曲げたときに生じる損失の増分を「曲げ損失」と定義し、図２２、図３９に示すように、光導波路フィルムを曲線状にした場合の挿入損失と光導波路フィルムを直線状にした場合の挿入損失との差で「曲げ損失」を表した。
挿入損失［ｄＢ］＝ －１０ｌｏｇ（出射光強度／入射光強度）
曲げ損失＝（曲線での挿入損失）－（直線での挿入損失）
曲げ損失＝（曲線での挿入損失）－（直線での挿入損失）
表２から明らかなように実施例１，８－１２は、光損失が低く、光導波路の性能が優れていることが示された。
また、実施例１，８－１２は、高温高湿処理後およびリフロー処理後の光損失も小さく、耐熱性にも優れていることが示された。
また、特に実施例１，８，９，１０は、曲げ損失も小さく、光導波路を屈曲させて用いても十分な性能を発揮することが示唆された。
さらに、各実施例および比較例で得られた光導波路フィルムを用いて、前記第１実施形態にかかる光導波路構造体を作製したところ、各実施例で得られた光導波路フィルムを用いた光導波路構造体は、それぞれ、各比較例で得られた光導波路フィルムを用いた光導波路構造体に比べて、伝送損失の低いものが得られた。
また、各実施例で得られた光導波路フィルムを用いた光導波路構造体は、いずれも優れた可撓性を有しており、さらには上述したように光導波路フィルムの曲げ損失が低いことから、折り曲げ操作を繰り返し行っても、高品質の光通信を維持することができた。
また、各実施例および比較例と同様の方法により、拡幅部分および減幅部分を有する光導波路フィルムを作製したところ、それぞれの実施例および比較例と同様の方法で作製した、コア部の幅が一定である光導波路フィルムに比べて、光損失の低下が認められた。
また、同様にして、各実施例および比較例と同様の方法により、厚膜部分および薄膜部分を有する光導波路フィルムを作製したところ、やはり光損失の低下が認められた。
本発明の光導波路構造体は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが高く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富む。そのため、本発明の光導波路構造体を備えることにより、信頼性の高い種々の電子部品および電子機器が得られる。以上のことから、本発明は産業上きわめて有用である。
１ 光導波路構造体
２ 基板
２１ 貫通孔
２２ 導体ポスト
２３ 貫通孔
２４ 切り欠き
２５ 貫通孔
３ 発光素子
３０ 基台
３１ 発光部
３２ 金属ワイヤ
３３ 外部電極
３４ 樹脂モールド
３５ 発光用ＩＣ（発光用電気素子）
３００ 発光回路
４ 受光素子
４１ 受光部
４２ 金属ワイヤ
４３ 外部電極
４４ 樹脂モールド
４５ 受光用ＩＣ（受光用電気素子）
４００ 受光回路
５ 導体層
５１ 導体層
５２ 第１の電気配線
５３ 第３の電気配線
５４ 第２の電気配線
５５１ 電極パッド
５５ａ 光通信用外部接続端子
５５ｂ 電気通信用外部接続端子
５５ 第１の端子部
５５’ 第２の端子部
６ 基板
６１ 貫通孔
６２ 導体ポスト
６３ 貫通孔（光信号通過領域）
８１ 固定部
９ 光導波路
９１ クラッド層
９２ クラッド層
９３ コア層
９４ コア部
９５ クラッド部
９６ 撓み部
９７ 光路変換部
９００ ワニス
９１０ フィルム
Ｍ マスク
１００１ 光導波路構造体
１００２ 基板
１０２１ 貫通孔
１０２２ 導体ポスト
１００３ 発光素子
１０３０ 基台
１０３１ 発光部
１０３２ 金属ワイヤ
１０３３ 外部電極
１０３４ 樹脂モールド
１０３５ 発光用ＩＣ（発光用電気素子）
１３００ 発光回路
１００４ 受光素子
１０４０ 基台
１０４１ 受光部
１０４２ 金属ワイヤ
１０４３ 外部電極
１０４４ 樹脂モールド
１０４５ 受光用ＩＣ（受光用電気素子）
１４００ 受光回路
１００５ 導体層
１０５１ 電気配線
１００９ 光導波路
１０９１ クラッド層
１０９１’ 下側クラッド層用母材
１９１１ 第１の面
１９１２ 第２の面
１９１３ 第３の面
１９１４ 第４の面
１０９２ クラッド層
１０９３ コア層
１０９４ コア部
１９４０ 等幅部分
１９４１、１９４１’ 拡幅部分（拡張部分）
１９４２、１９４２’ 減幅部分（縮小部分）
１９４３、１９４３’ 厚膜部分（拡張部分）
１９４４、１９４４’ 薄膜部分（縮小部分）
１９４５ 等厚部分
１０９５ クラッド部
１９７１、１９７２ 光路変換部
１０９８ 光配線
１９００ ワニス
１９１０ フィルム
Ｓ 切断面
２ 基板
２１ 貫通孔
２２ 導体ポスト
２３ 貫通孔
２４ 切り欠き
２５ 貫通孔
３ 発光素子
３０ 基台
３１ 発光部
３２ 金属ワイヤ
３３ 外部電極
３４ 樹脂モールド
３５ 発光用ＩＣ（発光用電気素子）
３００ 発光回路
４ 受光素子
４１ 受光部
４２ 金属ワイヤ
４３ 外部電極
４４ 樹脂モールド
４５ 受光用ＩＣ（受光用電気素子）
４００ 受光回路
５ 導体層
５１ 導体層
５２ 第１の電気配線
５３ 第３の電気配線
５４ 第２の電気配線
５５１ 電極パッド
５５ａ 光通信用外部接続端子
５５ｂ 電気通信用外部接続端子
５５ 第１の端子部
５５’ 第２の端子部
６ 基板
６１ 貫通孔
６２ 導体ポスト
６３ 貫通孔（光信号通過領域）
８１ 固定部
９ 光導波路
９１ クラッド層
９２ クラッド層
９３ コア層
９４ コア部
９５ クラッド部
９６ 撓み部
９７ 光路変換部
９００ ワニス
９１０ フィルム
Ｍ マスク
１００１ 光導波路構造体
１００２ 基板
１０２１ 貫通孔
１０２２ 導体ポスト
１００３ 発光素子
１０３０ 基台
１０３１ 発光部
１０３２ 金属ワイヤ
１０３３ 外部電極
１０３４ 樹脂モールド
１０３５ 発光用ＩＣ（発光用電気素子）
１３００ 発光回路
１００４ 受光素子
１０４０ 基台
１０４１ 受光部
１０４２ 金属ワイヤ
１０４３ 外部電極
１０４４ 樹脂モールド
１０４５ 受光用ＩＣ（受光用電気素子）
１４００ 受光回路
１００５ 導体層
１０５１ 電気配線
１００９ 光導波路
１０９１ クラッド層
１０９１’ 下側クラッド層用母材
１９１１ 第１の面
１９１２ 第２の面
１９１３ 第３の面
１９１４ 第４の面
１０９２ クラッド層
１０９３ コア層
１０９４ コア部
１９４０ 等幅部分
１９４１、１９４１’ 拡幅部分（拡張部分）
１９４２、１９４２’ 減幅部分（縮小部分）
１９４３、１９４３’ 厚膜部分（拡張部分）
１９４４、１９４４’ 薄膜部分（縮小部分）
１９４５ 等厚部分
１０９５ クラッド部
１９７１、１９７２ 光路変換部
１０９８ 光配線
１９００ ワニス
１９１０ フィルム
Ｓ 切断面
Claims (22)
- 互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを備える光導波路を有し、
前記コア部は、一方の端部に向かって横断面積が連続的に大きくなる拡張部分を有するものであり、かつ、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。 - 前記（Ｂ）の環状エーテル基は、オキセタニル基またはエポキシ基である請求項１に記載の光導波路構造体。
- 前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、側鎖に前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有し、
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである請求項２に記載の光導波路構造体。
[化１]
- 前記拡張部分において、前記光導波路の一方の端部に向かって、前記コア部の平面視における幅が連続的に大きくなっている請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記拡張部分において、前記光導波路の一方の端部に向かって、前記コア部の厚さが連続的に大きくなっている請求項１ないし４のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記拡張部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記光導波路の一方の端部に向かって開いた放物線に沿うよう形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記拡張部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線または厚さ方向における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記コア部の前記一方の端部の端面に対して４５度以上９０度未満の角度をなしている請求項１ないし６のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記コア部は、前記一方の端部の端面の面積が、前記他方の端部の端面の面積より大きくなっている請求項１ないし７のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記コア部の前記一方の最端部の平面視における幅が、前記他方の最端部の平面視における幅より大きくなっている請求項１ないし８のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記コア部の前記一方の最端部の厚さが、前記他方の最端部の厚さより厚くなっている請求項１ないし９のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記コア部は、さらに、前記拡張部分より他方の端部側に設けられ、他方の端部に向かって横断面積が連続的に小さくなる縮小部分を有している請求項１ないし１０のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記縮小部分において、前記光導波路の他方の端部に向かって、前記コア部の平面視における幅が連続的に小さくなっている請求項１１に記載の光導波路構造体。
- 前記縮小部分において、前記光導波路の他方の端部に向かって、前記コア部の厚さが連続的に小さくなっている請求項１１または１２に記載の光導波路構造体。
- 前記縮小部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記光導波路の一方の端部に向かって開いた放物線に沿うよう形成されている請求項１１ないし１３のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記縮小部分において、前記コア部は、平面視における前記コア部と前記クラッド部との境界線または厚さ方向における前記コア部と前記クラッド部との境界線が、前記コア部の前記一方の端部の端面に対して４５度以上９０度未満の角度をなしている請求項１１ないし１４のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記光導波路は、複数の前記コア部を備えている請求項１ないし１５のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記複数のコア部は、並列して設けられており、
前記複数のコア部のうち、隣り合う少なくとも２つは、一方の端部の位置および他方の端部の位置の少なくともいずれかが互いに長手方向にずれている請求項１６に記載の光導波路構造体。 - 前記複数のコア部のうち、隣り合う少なくとも２つにおいて、前記一方の端部の位置と、前記他方の端部の位置とが、互いに反対の位置になるよう構成されている請求項１６または１７に記載の光導波路構造体。
- 前記光導波路は、光路を屈曲させる光路変換部を有しており、
前記光路変換部は、外部からの光を屈曲させ前記コア部に導く、または、前記コア部を伝搬してきた光を屈曲させ外部に導くよう構成されている請求項１ないし１８のいずれかに記載の光導波路構造体。 - さらに、前記光導波路の少なくとも一方の面に設けられ、基板と、その少なくとも一方の面に設けられ、電気配線が形成された導体層とを備える配線基板を有している請求項１ないし１９のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 請求項１ないし２０のいずれかに記載の光導波路構造体を備えたことを特徴とする電子機器。
- 可撓性を有するフレキシブル基板と、その少なくとも一方の面に設けられ、電気配線が形成された導体層とを備える配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に設けられ、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを備える光導波路と、を有し、
前記コア部は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-088097 | 2010-04-06 | ||
| JP2010088097A JP2011221143A (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | 光導波路構造体および電子機器 |
| JP2010089047A JP2011221195A (ja) | 2010-04-07 | 2010-04-07 | 光導波路構造体および電子機器 |
| JP2010-089047 | 2010-04-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011125658A1 true WO2011125658A1 (ja) | 2011-10-13 |
Family
ID=44762605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2011/057845 WO2011125658A1 (ja) | 2010-04-06 | 2011-03-29 | 光導波路構造体および電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW201222034A (ja) |
| WO (1) | WO2011125658A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2639610A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-18 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| EP2639612A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-18 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| TWI452416B (zh) * | 2013-01-21 | 2014-09-11 | Univ Nat Kaohsiung Applied Sci | 可調式光罩 |
| US10948654B2 (en) | 2016-01-29 | 2021-03-16 | Sony Corporation | Optical waveguide sheet, optical transmission module, and manufacturing method for an optical waveguide sheet |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6202662B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2017-09-27 | 日東電工株式会社 | 光電気混載基板およびその製法 |
| JP6286853B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-03-07 | 富士通株式会社 | 電子装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP6115669B1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-04-19 | 住友ベークライト株式会社 | 光配線部品、光配線部品の製造方法および電子機器 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005148468A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Sony Corp | 光導波路、光源モジュール及び光情報処理装置 |
| JP2005201937A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Sony Corp | 光導波路アレイ及びその製造方法 |
| JP2006053471A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Sony Corp | 光導波装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置 |
| JP2006323320A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
| JP2007072307A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 光モジュール |
| JP2009067828A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合体組成物、及びこれを架橋させてなる成形硬化物 |
| JP2009139412A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光配線基板及び光結合方法 |
| WO2009151045A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 住友ベークライト株式会社 | 電子機器、携帯電話機、フレキシブルケーブル、光導波路形成体の製造方法 |
| WO2009154206A1 (ja) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路用フィルム、積層型光導波路用フィルム、光導波路、光導波路集合体、光配線、光電気混載基板および電子機器 |
-
2011
- 2011-03-29 WO PCT/JP2011/057845 patent/WO2011125658A1/ja active Application Filing
- 2011-03-29 TW TW100110677A patent/TW201222034A/zh unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005148468A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Sony Corp | 光導波路、光源モジュール及び光情報処理装置 |
| JP2005201937A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Sony Corp | 光導波路アレイ及びその製造方法 |
| JP2006053471A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Sony Corp | 光導波装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置 |
| JP2006323320A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
| JP2007072307A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 光モジュール |
| JP2009067828A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合体組成物、及びこれを架橋させてなる成形硬化物 |
| JP2009139412A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光配線基板及び光結合方法 |
| WO2009151045A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 住友ベークライト株式会社 | 電子機器、携帯電話機、フレキシブルケーブル、光導波路形成体の製造方法 |
| WO2009154206A1 (ja) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路用フィルム、積層型光導波路用フィルム、光導波路、光導波路集合体、光配線、光電気混載基板および電子機器 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2639610A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-18 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| EP2639612A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-18 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| US8768114B2 (en) | 2012-03-16 | 2014-07-01 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| US9046646B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-06-02 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| TWI452416B (zh) * | 2013-01-21 | 2014-09-11 | Univ Nat Kaohsiung Applied Sci | 可調式光罩 |
| US10948654B2 (en) | 2016-01-29 | 2021-03-16 | Sony Corporation | Optical waveguide sheet, optical transmission module, and manufacturing method for an optical waveguide sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201222034A (en) | 2012-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5423551B2 (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JP5278366B2 (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| WO2011125658A1 (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| US9151888B2 (en) | Optical waveguide and electronic device | |
| JP4748229B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路形成用フィルム、光導波路、光配線、光電気混載基板および電子機器 | |
| JP4877305B2 (ja) | 感光性樹脂組成物および光導波路フィルム | |
| JP2011221195A (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JP2011221143A (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JPWO2012039393A1 (ja) | 光導波路および電子機器 | |
| JP2008158474A (ja) | 光素子実装用部品及び光素子実装部品 | |
| JP5182227B2 (ja) | 光信号伝送用基板および電子機器 | |
| JP5310633B2 (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JP2011221201A (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| WO2011125939A1 (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JP5760628B2 (ja) | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 | |
| TWI514019B (zh) | 光導波路及電子機器 | |
| WO2011125799A1 (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JP2011221193A (ja) | 光導波路構造体および電子機器 | |
| JP2016012006A (ja) | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 | |
| JP5703922B2 (ja) | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 | |
| JP5799592B2 (ja) | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 | |
| WO2011138856A1 (ja) | 光学装置および光学装置の製造方法 | |
| WO2012039392A1 (ja) | 光導波路および電子機器 | |
| JP6017115B2 (ja) | 光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路形成用フィルム、および光導波路の製造方法 | |
| JP2013174837A (ja) | 光導波路構造体、光導波路モジュールおよび電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11765558 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| DPE1 | Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101) | ||
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11765558 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |