TW201626011A - 光電混合基板 - Google Patents

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Naoyuki Tanaka
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Abstract

本發明提供一種可充分降低光之傳播損失的光電混合基板。該光電混合基板具備有：光波導，係以第1披覆層及第2披覆層夾持光徑用線狀芯者；電性線路，係隔著具有透光性之絕緣層形成在該第1披覆層表面；發光元件及受光元件，係安裝在該電性線路之一部分亦即安裝用墊上；該光電混合基板在光波導之芯的端部形成有光反射面，用以反射光使光可在芯與發光元件之間以及在芯與受光元件之間傳播，而前述光反射面形成下述凹曲面：在芯7之寬方向及厚度方向中至少一方向上彎曲，並且芯7之寬方向的曲率半徑設定為超過50μm且小於1500μm之值，上述芯7之厚度方向的曲率半徑設定為超過200μm且小於1500μm之值。

Description

光電混合基板 發明領域
本發明有關於一種光電混合基板，其具備有光波導、電性線路與安裝在該電性線路之一部分上的光元件。
發明背景
最近的電子機器等，隨著傳送情報量的增加，除了電性線路之外，還有採用光線路。在如此物品方面，已提出一種，例如，如圖4所示之光電混合基板，其構成如下：由在絕緣層51之表面上形成電性線路52而成之電路基板E1、積層在該電路基板E1之上述絕緣層51內面(與電性線路52之形成面相反側之面)的光波導W1[第1披覆層56、芯(光線路)57、第2披覆層58]、安裝在上述電性線路52之形成面上且對應於上述光波導W1之兩端部之部分的發光元件11及受光元件12(例如，參照專利文獻1)。在該光電混合基板，光波導W1的兩端部是形成對上述芯57之長邊方向(光的傳播方向)傾斜45°的傾斜面，且位於該傾斜面之芯57的部分成為光反射面57a、57b。又，在對應於上述發光元件11及受光元件12之上述絕緣層51之部分形成光徑用的貫通孔55，且在上述發光元件11與一端部之光反射面57a之間，以 及在上述受光元件12與另一端部之光反射面57b之間，光L將可通過上述貫通孔55而傳播。
在上述光電混合基板中光L的傳播是如下進行。首先，從發光元件11，光L向一端部之光反射面57a發光。該光L在通過形成在上述絕緣層51之光徑用貫通孔55之後，穿過光波導W1一端部(在圖4為左端部)之第1披覆層56，在芯57之一端部的光反射面57a反射(光徑變換90°)，並在芯57內以長邊方向前進。然後，在該芯57內傳播之光L，在芯57之另一端部(在圖4為右端部)的光反射面57b反射(光徑變換90°)，向受光元件12前進。接著，該光L穿過另一端部之第1披覆層56且射出，並在通過光徑用貫通孔55之後，於受光元件12受光。
然而，從上述發光元件11發光的光L，以及在另一端部之光反射面57b反射的光L，如圖4所示，會擴散。因此，有效傳播之光L的量變少，光L的傳播損失大。
就此，已提出一種將上述光反射面57b，如圖5所示，形成凹曲面68且同時在其外面蒸鍍金，藉此形成反射鏡69者(例如，參照專利文獻2)。於此物品，意圖使在芯67內傳播之光L在芯67端部之上述反射鏡69的凹曲面68反射，並在受光元件12之受光部12a集光。藉此來意圖降低光L之傳播損失。另外，在圖5中，符號66、68為披覆層。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2009-288341號公報
專利文獻2：日本專利特開2014-35435號公報
發明概要
然而，上述專利文獻2之發明並未針對反射鏡69之凹曲面68的曲率半徑等做探討，光L之傳播損失的降低是不充分的。
本發明是有鑑於如此情事而成者，目的在於提供一種可充分降低光之傳播損失的光電混合基板。
為了達成上述目的，第1要旨在於本發明之光電混合基板具備有：光波導，係以2層披覆層夾持光徑用線狀芯者；電性線路，係直接或隔著其他層形成在其中1層披覆層表面；及光元件，係安裝在該電性線路之一部分上；該光電混合基板採用的構成是在上述光波導之芯的端部形成有光反射面，用以反射光使光可在上述芯與上述光元件之間傳播，而上述光反射面則形成下述(A)~(C)任一凹曲面：凹曲面(A)，僅在芯之寬方向上彎曲，且其曲率半徑設定為超過50μm且小於1500μm之值；凹曲面(B)，僅在芯之厚度方向上彎曲，且其曲率半徑設定為超過200μm且小於1500μm之值；凹曲面(C)，在芯之寬方向及厚度方向上彎曲，並且芯之寬方向的曲率半徑設定為超過50μm且小於1500μm之值，上述芯之厚度方向的曲率半徑設定為超過200μm且小於 1500μm之值。
本案發明人等為了企圖在光電混合基板上充分降低光的傳播損失，便著眼於在芯端部之形成有凹曲面之光反射面的曲率半徑，並一再研究。在該研究過程中，調查了前述專利文獻2中的光反射面的曲率半徑。亦即，在該專利文獻2中，如上所述，並未針對光反射面之曲率半徑做探討，然在其圖4(h)及圖7，圖示了芯之厚度方向的凹曲面，同時在段落[0040]及[0060]，揭示了在該等圖所圖示之芯及上部披覆的厚度。若從其算出上述圖示之圖的倍率，並算出上述凹曲面(光反射面)之實際曲率半徑，上述圖4(h)所圖示之凹曲面的曲率半徑為71μm左右，上述圖7所圖示之凹曲面的曲率半徑為11μm左右。另一方面，針對芯之寬方向之凹曲面的曲率半徑，上述專利文獻2中並未揭示出用以算出其之情報。就此，推測該芯之寬方向的曲率半徑亦與上述芯之厚度方向的曲率半徑相同程度，若將如此曲率半徑之凹曲面做為光反射面，並實際測定光的傳播損失，則相較於前述專利文獻1中將平面狀之傾斜面做為光反射面的情形，光之傳播損失變大。
本案發明人等追究該光之傳播損失變大的原因，結果得知，上述專利文獻2中的凹曲面其曲率大(曲率半徑小)，因此，如上所述，光之傳播損失的降低是不充分的。就此，進一步一再研究得到的結果是，若將上述凹曲面做成上述(A)~(C)任一凹曲面，光之傳播損失會被充分的降低，而完成本發明。亦即，上述專利文獻2之發明無論如 何是無法獲得本發明的效果。
又，第2要旨在於本發明之光電混合基板採用如下構成：上述凹曲面是藉由雷射加工所形成之雷射加工面。
本發明之光電混合基板中，用以反射光而使光可在芯與光元件之間傳播之光反射面是形成上述(A)~(C)任一凹曲面，因此可使光在上述凹曲面(光反射面)反射所致之集光最佳化，而可使光的傳播損失充分降低。
E、E1‧‧‧電路基板
L‧‧‧光
M‧‧‧金屬層
R、S‧‧‧去除位置
W、W1‧‧‧光波導
1‧‧‧絕緣層
1b‧‧‧孔部
2‧‧‧電性線路
2a‧‧‧安裝用墊
2b‧‧‧接地用電極
3‧‧‧覆蓋膜
4‧‧‧電解電鍍層
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1披覆層
7‧‧‧芯
7a、7b‧‧‧光反射面
8‧‧‧第2披覆層
11‧‧‧發光元件
11a‧‧‧發光部
12‧‧‧受光元件
12a‧‧‧受光部
51‧‧‧絕緣層
52‧‧‧電性線路
55‧‧‧貫通孔
56‧‧‧第1披覆層
57‧‧‧芯
57a、57b‧‧‧光反射面
58‧‧‧第2披覆層
66‧‧‧披覆層
67‧‧‧芯
68‧‧‧凹曲面、披覆層
69‧‧‧反射鏡
圖1(a)是示意顯示本發明光電混合基板之一實施形態的縱剖面圖，圖1(b)是示意顯示從下方觀看芯兩端部之狀態的擴大圖。
圖2(a)~(d)是示意顯示上述光電混合基板之電路基板之製作步驟的說明圖，圖2(e)是示意顯示上述光電混合基板之金屬層之蝕刻步驟的說明圖。
圖3(a)~(d)是示意顯示上述光電混合基板之光波導之製作步驟的說明圖。
圖4是示意顯示習知光電混合基板的縱剖面圖。
圖5是示意顯示習知光線路基板的縱剖面圖。
用以實施發明之型態
接著，將基於圖示詳細說明本發明之實施形態。
圖1(a)是示意顯示本發明光電混合基板之一實施形態的縱剖面圖，圖1(b)是示意顯示從下方觀看芯7兩端 部之狀態的擴大圖。此實施形態之光電混合基板具備有：以第1披覆層6及第2披覆層8夾持光徑用線狀芯7的光波導W、隔著具有透光性之絕緣層1形成在該第1披覆層6之表面的電性線路2、安裝在該電性線路2之一部分亦即安裝用墊2a上的發光元件11及受光元件12、及設在上述絕緣層1與上述第1披覆層6之間對應上述安裝用墊2a之部分的補強用金屬層M，並且，整體形成帶狀。又，在金屬層M之對應上述發光元件11及受光元件12的部分，形成有光徑用貫通孔5。進一步，光波導W之對應上述發光元件11及受光元件12的兩端部是形成相對芯7之長邊方向傾斜45°之傾斜面，同時，芯7位於該傾斜面的部分是形成凹曲面的光反射面7a、7b，用以反射光L使光可在發光元件11與芯7之間及在受光元件12與芯7之間傳播。
在此，上述芯7之折射率是超過1的值，上述光反射面7a、7b之外側是空氣，而該空氣之折射率是1。如此，上述芯7之折射率是較其外側之空氣的折射率還要大，因此光L無法穿透上述光反射面7a、7b，而會在該光反射面7a、7b上反射。然後，形成該光反射面7a、7b之凹曲面的曲率半徑，在芯7之寬方向是設定為超過50μm且小於1500μm之值，在上述芯7之厚度方向是設定為超過200μm且小於1500μm之值。如此將上述光反射面7a、7b做成設定為上述曲率半徑之凹曲面，是本發明之一大特徴。再者，在圖1(a)、(b)，為了使上述光反射面7a、7b為凹曲面一事明瞭易懂，是將曲率增強(曲率半徑變小)來圖示。
然後，上述光電混合基板中的光傳播是如下進行。亦即，從上述發光元件11之發光部11a朝向芯7之一端部的反射面7a，擴散狀的發光光L，該光L依序通過：上述絕緣層1、形成在上述金屬層M之光傳播用貫通孔5、上述第1披覆層6。然後，該光L在芯7一端部之凹曲面狀的反射面7a反射，並藉由該凹曲面之作用，形成平行光或者收斂光，送入芯7內。接著，該光L傳播到芯7之另一端部，並在該另一端部之凹曲面狀的反射面7b反射。在此反射之際，經反射之光L藉由該反射面7b之凹曲面的作用，在受光元件12之受光部12a集光，並在該受光部12a受光。該受光部12a之直徑通常在20~80μm，因此可在該受光部12a之範圍內集光。
如此，在上述光電混合基板，從發光元件11射出且在芯7一端部之凹曲面狀反射面7a反射並送入芯7內的光L，藉由上述反射面7a之作用，形成平行光或者集束光。又，在芯7另一端部之反射面7b反射並在受光元件12受光的光L，藉由上述反射面7b之作用，將會在受光元件12之受光部12a集光。就此，在上述光電混合基板，將可有效的傳播光L，且光L之傳播會變的有效率。
亦即，在上述光電混合基板，從第1披覆層6與上述芯7之界面，到上述發光元件11之發光部11a的距離及到上述受光元件12之受光部12a的距離，通常在20~100μm之範圍內。在此範圍內的距離，藉由將上述光反射面7a、7b做成設定在上述曲率半徑(在芯7之寬方向為超過50μm且 小於1500μm之值、在上述芯7之厚度方向為超過200μm且小於1500μm之值)之凹曲面，在該光反射面7a、7b之光L的反射可如上述的最佳化，而可充分降低光L之傳播損失。
其中，在上述距離為70~100μm之範圍內，宜將芯7之寬方向的曲率半徑設定在超過100μm且在1300μm以下之值、將芯7之厚度方向的曲率半徑設定在超過500μm且在1300μm以下之值。較佳的是，即便上述距離在20μm以上且小於70μm，將芯7之寬方向的曲率半徑設定在超過100μm且在1300μm以下之值，將芯7之厚度方向的曲率半徑設定在超過500μm且在1300μm以下之值。
接著，針對上述光電混合基板之製法做說明[參照圖2(a)~(e)、圖3(a)~(d)]。
首先，準備平坦狀的上述金屬層M[參照圖2(a)]。該金屬層M之形成材料可舉不鏽鋼、42合金等，其中，從尺寸精準度等的觀點來看，宜為不鏽鋼。上述金屬層M之厚度可設定在，例如，10~100μm之範圍內。
接著，如圖2(a)所示，在上述金屬層M之表面塗布感光性絕緣樹脂，並藉由光微影法形成預定圖案之絕緣層1。與之同時，為了在長邊方向之兩端部上形成接觸金屬層M之接地用電極2b，形成使上述金屬層M之表面顯露的孔部1b。上述絕緣層1之厚度可設定在，例如，10~100μm之範圍內。
上述絕緣層1之形成材料可舉例如聚醯亞胺、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、 聚氯乙烯等合成樹脂；聚矽氧系溶膠-凝膠材料等。其中，宜為在耐熱性及絕緣性優異、且具有在波長600nm以上之全光線穿透率70%以上的感光性聚醯亞胺。進一步，從為了不讓因安裝上述發光元件11及受光元件12[參照圖1(a)]時之熱而引起變形的觀點來看，上述絕緣層1宜使用具有150℃以上之耐熱性的形成材料。上述絕緣層1之厚度可設定在，例如，3~100μm之範圍內。再者，上述全光線穿透率是依JIS K7105「塑膠之光學上的特性試驗方法」5.5「光線穿透率及全光線反射率」規定之積分式光線穿透率測定裝置及測定法的值。
接著，如圖2(b)所示，將上述電性線路(包含安裝用墊2a及接地用電極2b)2藉由，例如，半加成法(Semi additive method)來形成。此方法，首先，是在上述絕緣層1之表面以濺鍍或無電解電鍍(electroless plating)等形成由銅或鉻等構成之金屬膜(無圖示)。該金屬膜會成為進行之後之電解電鍍時的種層(seed layer)(成為形成電解電鍍層之基底的層)。然後，在由上述金屬層M、絕緣層1及種層構成之積層體的兩面積層感光性光阻劑(無圖示)後，在形成上述種層之側的感光性光阻劑，以光微影法，形成上述電性線路(包含安裝用墊2a及接地用電極2b)2之圖案的孔部，使在該孔部底之上述種層的表面部分顯露。接著，藉由電解電鍍，在顯露於上述孔部底之上述種層的表面部分，積層形成由銅等構成之電解電鍍層。然後，將上述感光性光阻劑以氫氧化鈉水溶液等剝離。之後，將未形成上述電解電鍍層之 種層的部分以軟蝕刻去除。由殘存之種層與電解電鍍層構成之積層部分為上述電性線路(包含安裝用墊2a及接地用電極2b)2。在此雖以上述半加成法說明，然削減法(subtractive method)亦可。
然後，如圖2(c)所示，在上述電性線路(包含安裝用墊2a及接地用電極2b)2之表面形成由鎳等構成之無電解電鍍層(無圖示)後，除了上述安裝用墊2a以外，在電性線路2(包含接地用電極2b)之部分塗布由聚醯亞胺樹脂等構成之感光性絕緣樹脂，並以光微影法，形成覆蓋膜(coverlay)3。
然後，如圖2(d)所示，將形成在上述安裝用墊2a上之上述無電解電鍍層(無圖示)以蝕刻去除後，在該去除位置上形成由金或鎳等構成之電解電鍍層4。如此一來，可在前述金屬層M之表面上形成電路基板E。
接著，在由上述金屬層M與電路基板E構成之積層體的兩面上積層感光性光阻劑(無圖示)。之後，在上述金屬層M內面側(與電路基板E相反側之側面)之感光性光阻劑中且在對應光徑用貫通孔形成預定部的部分以及長邊方向的中間部分，以光微影法形成孔部，並在該孔部底(在圖為上面)使上述金屬層M之內面部分露呈。
然後，如圖2(e)所示，將顯露在上述孔部底之上述金屬層M的部分，依照該金屬層M之金屬材料使用蝕刻用水溶液(例如，在不鏽鋼層之情況為氯化鐵水溶液)來蝕刻以去除，使在該去除位置R、S之底(在圖為上面)的上述絕緣層1顯露。之後，將上述感光性光阻劑以氫氧化鈉水溶液等 剝離。長邊方向兩端部分的上述去除位置R為光徑用貫通孔5。
然後，為了在上述金屬層M之內面形成光波導W[參照圖3(d)]，首先，如圖3(a)所示，在上述金屬層M之內面(在圖為下面)塗布第1披覆層6之形成材料的感光性樹脂後，以照射線曝光該塗布層使之硬化，形成第1披覆層6。該第1披覆層6是以填入且包埋上述金屬層M中經蝕刻除去之位置R、S的狀態來形成。上述第1披覆層6之厚度(從金屬層M內面之厚度)可設定在，例如，5~80μm之範圍內。再者，在形成光波導W時(形成上述第1披覆層6、下述芯7、下述第2披覆層8時)，上述金屬層M之內面可朝上。
接著，如圖3(b)所示，在上述第1披覆層6之表面(在圖為下面)，藉由光微影法形成預定圖案之芯7。又，上述芯7之尺寸可設定在，例如，寬在5~200μm之範圍內、厚度在5~200μm之範圍內。上述芯7之形成材料可舉例如與上述第1披覆層6相同之感光性樹脂，且可使用折射率較上述第1披覆層6及下述第2披覆層8[參照圖3(c)]之形成材料還要大之材料。此折射率之調整，可例如進行調整上述第1披覆層6、芯7、第2披覆層8之各形成材料之種類選擇或組成比率。
接著，如圖3(c)所示，在上述第1披覆層6之表面(在圖為下面)，藉由光微影法形成第2披覆層8以被覆上述芯7。該第2披覆層8之厚度(從第1披覆層6之表面的厚度)超過上述芯7之厚度，且可設定在，例如，500μm以下。上述第 2披覆層8之形成材料可舉例如與上述第1披覆層6相同之感光性樹脂。
然後，如圖3(d)所示，將對應在上述電路基板E之安裝用墊2a(在圖為下方的位置)的光波導W的部分(兩端部)，例如藉由準分子雷射加工等，形成對芯7之長邊方向傾斜45°之傾斜面，同時將該傾斜面之芯7的部分形成上述凹曲面的光反射面7a、7b。上述凹曲面是將雷射點(加工區域)縮小來掃描加工。在該加工中更深度切削之部分，是增加雷射之輸出，或是增加加工次數等來加工。如此一來，可在前述金屬層M之內面形成光波導W。
之後，在上述安裝用墊2a上安裝發光元件11及受光元件12[參照圖1(a)]，獲得圖1(a)所示光電混合基板。
再者，在上述實施形態，光反射面7a、7b是做成在芯7之寬方向、厚度方向上皆彎曲之凹曲面，然可做成僅在芯7之寬方向上彎曲的凹曲面，亦可做成僅在厚度方向上彎曲的凹曲面。此時，凹曲面之曲率半徑與上述實施形態相同。
又，在上述實施形態之中，亦可藉由在光反射面7a、7b外側的面上將金等金屬蒸鍍或鍍敷等，以形成金屬層。此時，透過該金屬層，將可提升於上述光反射面7a、7b之反射效率，而更進一步降低光L之傳播損失。
又，上述實施形態雖僅在成為光反射面7a、7b之芯7的端部形成凹曲面，然該凹曲面亦可形成到第1披覆層6或第2披覆層8。
又，在上述實施形態，芯7兩端部之光反射面7a、7b皆形成凹曲面，然視情況，亦可僅在任一方形成凹曲面。此時，另一端部可形成對芯7之長邊方向傾斜之平面狀傾斜面(光反射面)，亦可形成對芯7之長邊方向呈直角之平面狀直角面(光透過面)。而該光透過面亦可做成可連接光纖之端部。
進一步，上述實施形態雖有設置補強用金屬層M，然視情況，亦可不設置。此時，光電混合基板之製作可例如進行如下：於剝離性基台上，與上述實施形態相同，在形成電路基板E後，剝離該剝離性基台，並在上述電路基板E之絕緣層1的內面(與電性線路2之形成面相反側之面)上，與上述實施形態相同，形成光波導W。
又，於上述實施形態，在形成具備有金屬層M之電路基板E後，在該電路基板E上形成光波導W，之後，安裝發光元件11及受光元件12，藉此獲得光電混合基板，然亦可以其他步驟來獲得該光電混合基板，例如可進行，個別形成安裝有發光元件11等的電路基板E、與光波導W，並使上述電路基板E著裝在該光波導W上。
又，在上述實施形態，是將絕緣層1做成具有透光性，然亦可為非透光性。此時，在絕緣層1形成光徑用貫通孔。又，若第1披覆層6呈絕緣性，則亦可在該第1披覆層6的表面直接形成電性線路2(包含安裝用墊2a)。
接著，將針對實施例，且與比較例一併進行說明。但，本發明並非為實施例所限定。
實施例
[芯之形成材料]
藉由混和如下成分a~d，調製芯之形成材料。
成分a：o-甲酚酚醛清漆縮水甘油醚(新日鐵住金化學公司製、YDCN-700-10)50重量份。
成分b：雙苯氧乙醇茀二縮水甘油醚(大阪Gas Chemicals公司製、OGSOL EG)50重量份。
成分c：光酸產生劑(ADEKA公司製、SP170)1重量份。
成分d：乳酸乙酯(武蔵野化學研究所社製、溶劑)50重量份。
[第1及第2披覆層之形成材料]
藉由混和如下成分e~h，調製第1及第2披覆層之形成材料。
成分e：含有脂環骨架之環氧樹脂(Daicel公司製、EHPE3150)20重量份。
成分f：液狀長鏈二官能半脂肪族環氧樹脂(DIC社製、EXA-4816)80重量份。
成分g：光酸產生劑(ADEKA公司製、SP170)2重量份。
成分h：乳酸乙酯(武蔵野化學研究所社製、溶劑)40重量份。
使用上述各形成材料，並與上述實施形態相同的，製作實施例1~14及比較例1~9之光電混合基板，該等具有經設定成下述表1~3所示曲率半徑之凹曲面的光反射面。在此光電混合基板，僅在芯之一端部形成凹曲面(光反 射面)，另一端部是在芯之長邊方向形成直角之平面狀直角面(光透過面)。又，令已安裝之光元件為受光元件(Albis公司製、PDCS32T-XS)。在此，令芯之寬為50μm、芯之厚度為50μm、第1披覆層之厚度(從金屬層內面之厚度)為5μm。再者，在上述比較例3、6、9是令光反射面為平面狀(曲率半徑∞)之傾斜面。
[光之傳播損失]
在光纖[GI(梯度折射係數)光纖：直徑50μm、NA(開口數)0.22]之一端部連接發光元件(OPTOTEST公司製、雷射穩定化光源OP-250-LS-MM50)。然後，測定從上述發光元件發光並從上述光纖之另一端部射出之光直接經安裝前之上述受光元件受光時的光量A。接著，將上述光纖之另一端部連接到上述光電混合基板之光透過面(上述芯之另一端部)，並測定從上述發光元件發光並從上述光纖之另一端部射出之光通過上述光電混合基板之光波導之芯後經上述受光元件受光時的光量B。然後，算出其比(A/B)，令該值為上述光電混合基板之光的傳播損失。然後，該結果顯示在下述表1~3。在此，設從第1披覆層與芯之界面，至受光元件之受光部的距離為30μm。
[表2]
從上述表1~3之結果可知，光反射面之曲率半徑設定在預定範圍的實施例1~14，其光之傳播損失小，而落在該預定範圍外之比較例1~9，其耦合損失(coupling loss)大。
在上述實施例中，雖就本發明中之具體形態做顯示，然上述實施例僅不過是單純例示，而非用於限定解釋者。對熟習此藝者來說，可在本發明範圍內獲得顯而易見之各式各樣變形。
產業上之可利用性
本發明之光電混合基板可利用在使光之傳播損失充分降低之情況。
L‧‧‧光
M‧‧‧金屬層
W‧‧‧光波導
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電性線路
2a‧‧‧安裝用墊
2b‧‧‧接地用電極
3‧‧‧覆蓋膜
5‧‧‧貫通孔
6‧‧‧第1披覆層
7‧‧‧芯
7a、7b‧‧‧光反射面
8‧‧‧第2披覆層
11‧‧‧發光元件
11a‧‧‧發光部
12‧‧‧受光元件
12a‧‧‧受光部

Claims (2)

  1. 一種光電混合基板，具備有：光波導，係以2層披覆層夾持光徑用之線狀芯者；電性線路，係直接或隔著其他層形成在其中1層披覆層表面；及光元件，係安裝在該電性線路之一部分上；前述光電混合基板之特徵在於：在上述光波導之芯的端部形成有光反射面，用以反射光使光可在上述芯與上述光元件之間傳播；上述光反射面形成下述(A)~(C)任一凹曲面：凹曲面(A)，僅在芯之寬方向上彎曲，且其曲率半徑設定為超過50μm且小於1500μm之值；凹曲面(B)，僅在芯之厚度方向上彎曲，且其曲率半徑設定為超過200μm且小於1500μm之值；凹曲面(C)，在芯之寬方向及厚度方向上彎曲，並且芯之寬方向的曲率半徑設定為超過50μm且小於1500μm之值，上述芯之厚度方向的曲率半徑設定為超過200μm且小於1500μm之值。
  2. 如請求項1之光電混合基板，其中上述凹曲面是藉由雷射加工所形成之雷射加工面。
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