WO2007063813A1 - 光導波路部材、光配線基板、光配線モジュール及び表示装置、並びに光導波路部材および光配線基板の製造方法 - Google Patents

光導波路部材、光配線基板、光配線モジュール及び表示装置、並びに光導波路部材および光配線基板の製造方法 Download PDF

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WO2007063813A1
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WO
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optical
waveguide member
optical waveguide
wiring board
manufacturing
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Katsura Hayashi
Yutaka Tsukada
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Kyocera Corporation
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    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
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    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections

Definitions

  • the present invention relates to an optical waveguide member, an optical wiring board, an optical wiring module and a display device for transmitting an optical signal, and an optical waveguide member and an optical wiring board manufacturing method.
  • an optical signal is sometimes used instead of an electrical signal as a medium for transmitting information.
  • an optical waveguide member in which an optical waveguide is formed.
  • a conventional optical waveguide member includes a core layer that propagates light, and a first cladding layer and a second cladding layer that cover the core layer.
  • a light emitting element is provided on the surface of the optical waveguide member.
  • a conventional optical waveguide member is manufactured by sequentially laminating a first cladding layer, a core layer, and a second cladding layer on a support substrate such as a printed wiring board.
  • the core layer is formed in a strip shape and has an inclined surface at one end in the longitudinal direction. The inclined surface is inclined so as to be separated from the first cladding layer as it approaches the one end, and is formed after the core material layer that also has the constituent material force of the core layer is laminated on the first cladding layer.
  • one end of the core material layer is formed by anisotropic etching or the like.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-148129 (Page 11, Fig. 2)
  • An object of the present invention includes an optical waveguide member and an optical waveguide member that solve the above-described problems.
  • the method for producing an optical waveguide member of the present invention includes a step of preparing a transfer member having a transfer sheet and a metal film, and holding the transfer sheet and the metal film in a peelable state. Forming a first clad layer on the metal film of the transfer member; laminating a core layer for propagating light on the first clad layer; and covering the core layer on the core layer. Forming a laminated body including the first clad layer, the core layer, and the second clad layer by laminating a covering second clad layer.
  • the method for producing an optical waveguide member of the present invention further includes a step of peeling the transfer sheet from the laminate and the metal film in the method for producing an optical waveguide member described above.
  • the method for manufacturing an optical waveguide member according to the present invention includes the step of removing the metal film after peeling the transfer sheet from the laminate and the metal film in the method for manufacturing an optical waveguide member described above. Is further provided.
  • the method for producing an optical waveguide member of the present invention is the above-described method for producing an optical waveguide member, wherein after the transfer sheet is peeled from the laminate and the metal film, the metal film is patterned.
  • the method further includes the step of
  • the method for manufacturing an optical waveguide member of the present invention further includes a step of providing an inclined surface on the core layer in the above-described method for manufacturing an optical waveguide member, wherein the inclined surface and the first cladding layer are provided.
  • the inclination angle ex between the surface of the core layer in contact with the surface is smaller than 90 degrees.
  • the method for manufacturing an optical waveguide member of the present invention further includes a step of providing a reflective film on the inclined surface provided in the core layer in the method for manufacturing an optical waveguide member described above.
  • the laminated body is configured to include the reflective film.
  • the transfer sheet has a second metal film on a surface in contact with the metal film, Separation is possible between the second metal film and the metal film.
  • a third metal film is deposited on the second cladding layer.
  • At least one of the metal film and the third metal film has a predetermined pattern as compared with the method for manufacturing an optical waveguide member described above. It is
  • the method for producing an optical wiring board of the present invention includes a step of preparing a transfer member having a transfer sheet and a metal film, and holding the transfer sheet and the metal film in a peelable state. Forming a first clad layer on the metal film of the transfer member; laminating a core layer for propagating light on the first clad layer; and covering the core layer on the core layer. Laminating the second clad layer to form a laminate including the first clad layer, the core layer, and the second clad layer; and A step of adhering a ladder layer to the wiring substrate so as to face the wiring substrate; and a step of peeling the transfer sheet from the laminate and the metal film.
  • the metal film is removed after the transfer sheet is peeled off from the laminate and the metal film, as compared with the method for manufacturing an optical wiring board described above.
  • the method further includes a process.
  • the method for manufacturing an optical wiring board of the present invention is the above-described optical wiring board manufacturing method, wherein the transfer sheet is peeled off from the laminate and the metal film, and then the metal film is patterned.
  • the method further includes the step of:
  • the method for manufacturing an optical wiring board of the present invention further includes a step of providing an inclined surface on the core layer, as compared with the method for manufacturing an optical wiring substrate described above, and the inclined surface and the first cladding layer.
  • the angle ⁇ between the core layer and the surface of the core layer in contact with the surface is smaller than 90 °.
  • the method for manufacturing an optical wiring board of the present invention further includes a step of providing a reflective film on the inclined surface provided in the core layer in the method for manufacturing an optical wiring board described above, Consists of including the reflective film! Speak.
  • the optical wiring board of the present invention includes a wiring board and an optical waveguide member disposed on the wiring board, and the optical waveguide member includes a first cladding layer and the first cladding layer. Is also interposed between the second cladding layer disposed on the wiring board side and the first cladding layer and the second cladding layer. And an angle a between the surface of the core layer located on the first cladding layer side and the inclined surface is smaller than 90 degrees.
  • the angle ex is not less than 41 degrees and not more than 49 degrees.
  • the inclined surface is formed in a curved shape protruding to the second cladding layer side.
  • a reflection film for reflecting light is deposited on the inclined surface over the optical wiring board described above.
  • optical wiring board of the present invention is the above-described optical wiring board, wherein the second cladding layer is
  • the surface of the optical waveguide member is a flat surface over the above-described optical wiring board.
  • the optical wiring board of the present invention is the above-mentioned optical wiring board, wherein the optical waveguide member has a conductive layer on the surface of the first cladding layer opposite to the wiring board.
  • the optical wiring board of the present invention includes the above-described optical wiring board, and the optical waveguide member includes
  • the conductive layer is formed by an electroless plating method.
  • an optical wiring module of the present invention includes the above-described optical wiring board and an optical semiconductor element connected to the wiring pattern.
  • the optical waveguide member of the present invention includes a first cladding layer, a core layer disposed on the first cladding layer and having an inclined surface, and a second core continuously covering the core layer including the inclined surface. And a cladding layer.
  • the optical waveguide member of the present invention includes a pair of metal films on the first cladding layer and the second cladding layer in the above-described optical waveguide member, and at least one of the pair of metal films.
  • One is deposited by transcription!
  • the display device of the present invention includes a display unit, an operation unit that controls the display unit, and the above-described optical waveguide member that optically connects the display unit and the operation unit. ing.
  • the invention's effect according to the present invention, when an optical wiring board or an optical wiring module is formed, the inclined surface provided in the core layer of the optical waveguide member can be easily formed by transferring the optical waveguide member to the wiring board. It can contribute to productivity improvement.
  • FIG. 1A is a perspective sectional view showing the optical wiring module 1 according to the first embodiment.
  • the optical wiring module 1 generally has a configuration including an optical wiring board 2 and a light emitting element 3 as an optical semiconductor element mounted on the optical wiring board 2.
  • the optical wiring board 2 includes a support substrate 5 as a wiring substrate and an optical waveguide member 4 that is disposed on the support substrate 5 and on which the light emitting element 3 is mounted.
  • the optical wiring module 1 supplies an electrical signal supplied from the support substrate 5 to the light emitting element 3 through the optical waveguide member 4, and causes the light emitting element 3 to emit light based on the electrical signal. Then, the light of the light emitting element 3 is transmitted as an optical signal to an external connection member such as an optical fiber through the optical waveguide member 4.
  • the optical wiring board 2 is generally rectangular and has a plate shape.
  • the thickness direction of optical wiring board 2 (vertical direction in FIGS. 1A to 1D) is the Z1 direction
  • the longitudinal direction (left and right direction in FIGS. 1A to 1D) is the XI direction
  • perpendicular to the Z1 direction and the XI direction is referred to as the Y1 direction.
  • the support substrate 5 is a wiring substrate having a wiring conductor, for example, an insulating substrate formed of an insulating material such as resin, alumina-based ceramic, or glass ceramic, and copper, gold, And a wiring conductor made of a conductive material such as silver or aluminum.
  • the wiring structure of the support substrate 5 may be a single layer wiring or a multilayer wiring.
  • This The support substrate 5 as described above supports the optical waveguide member 4 on the upper surface thereof, and supplies an electric signal to the light emitting element 3 through the through electrode 10 in which the wiring conductor is provided in the optical waveguide member 4.
  • the optical wiring module 1 is incorporated in a computing device such as a computer, the wiring conductor of the support substrate 5 is electrically connected to an IC circuit such as a central processing unit (abbreviated as CPU).
  • CPU central processing unit
  • the optical waveguide member 4 mounted on the support substrate 5 includes a first cladding layer 6 disposed on the light emitting element 3 side, a second cladding layer 8 in contact with the support substrate 5, and a first cladding layer. 6 and the second cladding layer 8, a plurality of core layers 7 having inclined surfaces 13, a reflective film 14 deposited on the inclined surfaces 13, wiring conductors of the light emitting element 3 and the support substrate 5, And a through electrode 10 for electrically connecting the two.
  • the optical waveguide member 4 is formed with a thickness in the Z1 direction of at least 100 / z m. Both main surfaces of the optical waveguide member 1, that is, the surface of the first cladding layer 6 and the surface of the second cladding layer 8 are formed flat.
  • the plurality of core layers 7 are formed in a strip shape extending in the XI direction, and are disposed along the Y1 direction at intervals.
  • the cross-sectional shape of each core layer (the cross-sectional shape parallel to the Y1 axis and the Z1 axis) is rectangular or square.
  • An inclined surface 13 is formed at one end of the core layer 7 in the XI direction. The inclined surface 13 is inclined with respect to the XI direction so that the inclination angle ⁇ between the surface 40 of the core layer 7 located on the first cladding layer 6 side and the inclined surface 13 is smaller than 90 degrees.
  • the inclination angle ⁇ of the inclined surface 13 is preferably 41 degrees or more and 49 degrees or less V (in this embodiment, the inclination angle ex is set to 45 degrees).
  • the tilt angle oc is not less than 41 degrees and not more than 49 degrees, the light of the light emitting element 3 can be transmitted favorably to the core layer 7 and the transmission loss of the optical signal can be reduced well.
  • it may be an inclined surface with an inclination angle outside the range of 41 ° to 49 °.
  • the inclined surface 13 is not necessarily formed at one end of the core layer 7.
  • the inclined surface 13 is formed with a reflective film 14 having a material force capable of reflecting light such as aluminum, nickel, and chromium.
  • the first cladding layer 6, the core layer 7 and the second cladding layer 8 are made of a light-transmitting material, and the first and second cladding layers 6 and 8 have a refractive index different from that of the core layer 7.
  • the translucent material power having The core layer 7 is made of the same translucent material as the first and second cladding layers 6 and 8 which are higher in refractive index than the first and second cladding layers 6 and 8.
  • the translucent material for example, epoxy-based soot Fat, acrylic resin, polysilanol resin, polysilane, polysilazane resin or glass are used.
  • the core layer 7, the first cladding layer 6, and the second cladding layer 8 are not limited to having the same light-transmitting material force, and the refractive index of the core layer 7 is the first and second cladding layers. If it is higher than the refractive index of 6, 8, it should be made of different translucent materials.
  • the through electrodes 10 are formed in a cylindrical shape from a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, chromium, iron, tungsten, or molybdenum, and a plurality of through electrodes 10 are arranged in the Y1 direction.
  • the through electrode 10 has a thermal conductivity at room temperature (25 ° C) of lOOWZm'K or more and an electrical resistivity of 1.0 ⁇ 10 " 7 ⁇ ⁇ ⁇ or less.
  • the light-emitting element 4 and other electronic elements that are mounted on the optical waveguide member 4 and electrically connected to the through electrode 10 are penetrated by heat generated during operation. The heat is dissipated well through the electrode 10. Therefore, it is possible to stably operate the light emitting element 4 and other electronic elements.
  • the material of the through electrode 10 described above is preferably copper, silver, gold, aluminum, molybdenum, or tandastene.
  • copper thermal conductivity: 395WZm'K, electrical resistivity: 1.69 X 1 0_ 8 ⁇ ⁇ ⁇
  • aluminum thermal conductivity: 223WZm'K, electrical resistivity: 2.66 ⁇ 10 " 8 ⁇ - m
  • gold thermal conductivity: 293WZm'K, electrical resistivity: 2.44 ⁇ 10 " 8 ⁇ ⁇ ⁇
  • molybdenum thermal conductivity: 147WZm'K, electrical resistivity: 5.78 ⁇ 10" 8 ⁇ 'm
  • tungsten thermal conductivity: 167 W / mK, electrical resistivity: 5.5 ⁇ 10 " 8 ⁇ -m).
  • the through electrode 10 is provided inside the through hole 16 provided in the electrode forming layer 28 having the same material force as that of the core layer 7, and the cross-sectional area in the cross section parallel to the XY plane is the light emitting element. It is larger on the support substrate 5 side than on the child 3 side.
  • the electrode forming layer 28 is partially exposed on the light emitting element 3 side from the first cladding layer 6 and the surface on the support substrate 5 side is covered with the second cladding layer 8 and the through electrode 10. Is formed. That is, on the surface of the optical waveguide member 4 on the light emitting element 3 side, the surfaces of the first cladding layer 6, the electrode forming layer 28, and the through electrode 10 are exposed, and the exposed surface is formed to be substantially flat. Further, the second cladding layer 8 and the through electrode 10 are exposed on the surface of the optical waveguide member 4 on the support substrate 5 side, and the exposed surface is substantially the same. It is formed flat.
  • the plurality of light emitting elements 3 mounted on the first cladding layer 6 of the optical waveguide member 4 are configured by, for example, a surface emitting semiconductor laser (abbreviated as VCSEL). Yes.
  • VCSEL surface emitting semiconductor laser
  • Each light emitting element 3 is electrically connected to the pair of through electrodes 10 via bumps 24.
  • a pair of dummy bumps 25 are provided corresponding to the bumps 24.
  • the bumps 24 and the dummy bumps 25 are formed of a conductive material such as gold (Au) or solder.
  • Such a light emitting element 3 is arranged at a position where the laser light can enter the inclined surface 13 of the optical waveguide member 4 (for example, a position immediately above the inclined surface 13).
  • the light emitting element 3 emits laser light toward the inclined surface 13 based on the electrical signal, and the laser light is Reflected in the XI direction by the reflective film 14 formed on the inclined surface 13.
  • the reflected laser light propagates through the core layer 7 as an optical signal, whereby an electrical signal is converted into an optical signal.
  • the force using VCSEL as light emitting element 3 is not necessarily limited to VCSEL.
  • an edge-emitting laser diode may be used as long as it can irradiate laser light.
  • the light receiving element 42 may be disposed on the optical wiring board 2 instead of the light emitting element 3.
  • an optical signal propagated by four optical waveguide members is converted into an electric signal by the light receiving element 42. That is, the light propagated through the core layer 7 enters the inclined surface 13, and the incident light is reflected by the reflective film 14 toward the light receiving element 42. The reflected light is incident on the light receiving element 42, and the light receiving element 42 supplies an electrical signal to the support substrate 5 through the through electrode 10 based on the incident light. As a result, the optical signal is converted into an electrical signal.
  • FIG. 2 is a diagram showing a flowchart of each step of the method for manufacturing the optical wiring module 1 described above.
  • 3A to 3N are perspective sectional views showing members manufactured in each step.
  • a method of manufacturing the optical wiring module 1 configured as described above will be described with reference to the flowchart shown in FIG. [0051]
  • step si first, a rectangular transfer member 26 shown in FIG. 3A is prepared.
  • the thickness direction of the transfer member 26 is the Z2 direction (the vertical direction in FIGS. 3A to 3F)
  • the longitudinal direction is the X2 direction (the horizontal direction in FIGS. 3A to 3F!).
  • the direction perpendicular to the Z2 direction and the X2 direction is referred to as the Y2 direction (the depth direction in FIGS. 3A to 3F).
  • the transfer member 26 has a structure in which a metal film 26b having a conductive material force such as copper is formed on a transfer sheet 26a having a force such as glass fiber reinforced epoxy resin, plastic, stainless steel, nickel alloy, aluminum, or titanium.
  • the transfer sheet 26a and the metal film 26b are bonded together with an adhesive force that can be peeled off from each other!
  • a release material may be interposed between the transfer sheet 26a and the metal film 26b.
  • the optical waveguide member 4 laminated on the transfer member 26 is transferred to the support substrate 5 using such a transfer member 26, first, the optical waveguide member 4 is attached to the support substrate 5 together with the transfer member 26. Adhere this. Next, the transfer sheet 26a constituting the transfer member 26 is peeled off from the metal film 26b. Then, the optical waveguide member 4 is transferred to the support substrate 5 by removing the metal film 26b by etching.
  • the metal film 26b on the transfer sheet 26a preferably has a thickness of 3 ⁇ m to 35 ⁇ m in order to facilitate removal by etching.
  • the transfer sheet 26a may have a second metal film 26a ′ having a conductive material force such as copper on the surface in contact with the metal film 26b.
  • a release material may be interposed between the metal films 26b and 26a ′.
  • the first cladding layer 6 is formed on the metal film 26 b of the transfer member 26.
  • the first cladding layer 6 is manufactured through the following processes. That is, first, a liquid obtained by dissolving a translucent material in a solvent is applied onto the metal film 26b using a spin coater, a bar coater, a doctor blade, a die coater or a dip coater. Next, the applied liquid is dried, and the first clad material layer is laminated on the transfer member 26 in the Z2 direction (upward in FIGS. 3A to 3F).
  • the first clad layer 6 is formed by covering this laminate with a predetermined pattern by photolithography or etching.
  • the first cladding layer 6 can use various processing methods such as a method in which the first cladding material layer described above is molded in a mold.
  • Step s3 is a step of forming a plurality of core material layers 27 and a plurality of electrode formation layers 28 on the first cladding layer 6, as shown in FIG. 3C.
  • the light-transmitting material layer 29 is formed by drying the applied liquid.
  • the translucent material layer 29 is processed into a predetermined pattern using photolithography technology, etching, or the like, so that a plurality of core material layers
  • Step s4 is a step of forming the core layer 7 by covering the core material layer 27 as shown in FIG. 3D.
  • the inclined surface 13 is formed by pressing one end of the core material layer 27 in the X2 direction with a tool 32 having a hard material force such as a grindstone or diamond. Thereby, the inclined surface 13 can be easily formed.
  • the tool 32 has a tip shape corresponding to the inclined surface 13 as indicated by a virtual line in FIG. 3D.
  • the tool 32 can be realized by nanoimprinting or microembossing.
  • the core material layer 27 may be in a completely cured state or a semi-cured state. Since cracks may occur in the material layer 27, the core material layer 27 is preferably cached in a semi-cured state.
  • the semi-hardened state is a state in which 25% or more and 80% or less of the resin has undergone a polymerization reaction.
  • the inclined surface 13 is formed by a mechanical casing, but is not necessarily limited to this.
  • it may be a laser cage or etching.
  • the etching may be plasma etching without being limited to the photolithography technique, or may be removed by an ion beam.
  • Step s5 is a step of forming the reflective film 14 on the inclined surface 13. Physical vapor deposition
  • a reflective material such as aluminum, nickel, or chromium is deposited on the inclined surface 13 to form a reflective film 14 on the inclined surface 13.
  • Step s6 is a step of forming the through hole 16 in the electrode forming layer 28.
  • the through-hole 16 is formed by adopting a photolithography technique, a mold processing, an etching technique, etc. according to the characteristics of the optical waveguide material to be used.
  • step s6 is Step s6 is performed after step s5, but step s6 may be processed with a laser between step s4 and step s5, between step s3 and step s4, or between step s7 and step s8. . If the photolithography technique or the mold processing technique is used, the positional accuracy of the through hole 16 relative to the optical waveguide can be maintained.
  • the method of processing using a laser has the advantage that thin and long through holes 16 can be easily processed.
  • Step s7 is a step of laminating the second cladding layer 8 on the first cladding layer 6 and the core layer 7 as shown in FIG. 3E.
  • a liquid obtained by dissolving a translucent material, which is a constituent material of the second cladding layer, in a solvent uses a spin coater, a bar coater, a doctor blade, a die coater, or a dip coater. It is applied to layer 7 and electrode forming layer 28. Next, the applied liquid is dried to form a second cladding material layer. Next, the second cladding material layer is formed by processing the second cladding material layer into a predetermined pattern.
  • the second clad material layer may be polished in order to flatten the surface, for example, a method of polishing using a mortar containing a granule such as alumina, silicon carbide or diamond, A method of attaching the above-mentioned bullets to the surface portion and polishing with a brush, or a method of polishing with a puff is used. Further, the surface portion of the second cladding layer precursor may be formed flat by a method of cutting using a diamond cutting tool.
  • step s8 as shown in FIG. 3F, the through electrode 10 is formed in the through hole 16, and the multilayer body corresponding to the optical waveguide member 4 is formed on the transfer member 26 by forming the through electrode 10. Is formed.
  • the through electrode 10 is formed by filling the through hole 16 with a conductive material having a copper isotropic force by electrical contact.
  • the surface of the metal film 26b constituting the transfer member 26 is exposed from the optical waveguide member 4 so that electricity can be supplied for electrical connection from the exposed surface of the metal film 26b.
  • the through electrode 10 can be easily formed.
  • Step s9 is a step of transferring the optical waveguide member 4 formed on the transfer member 26 to the support substrate 5, as shown in FIG. 3G.
  • the optical waveguide member 4 is fixed to the support substrate 5 with an adhesive so that the second cladding layer 8 is in contact with the support substrate 5.
  • the through electrode 10 of the optical waveguide member 4 and the wiring conductor disposed on the support substrate 5 are electrically connected.
  • step slO as shown in FIG. 3H, the transfer sheet 26a constituting the transfer member 26 is peeled from the metal film 26b of the transfer member 26.
  • Step si 1 is a step of removing the metal film 26b constituting the transfer member 26 remaining on the first cladding layer 6 by etching, as shown in FIG. When the metal film 26b is removed by etching, the first cladding layer 6 and the through electrode 10 are exposed.
  • step sl2 a plurality of light emitting elements 3 are mounted on the through electrode 10. Specifically, the light emitting element 3 is connected to the through electrode 10 via the bump 24, and the light emitting element 3 is connected to the first cladding layer 6 via the dummy bump 25.
  • the bumps 24 and the dummy bumps 25 are formed by solder, the light emitting element 3 is positioned and mounted with high accuracy by the self-alignment action between the through electrodes 10 and the bumps 24.
  • the optical wiring module 1 is formed, and the optical wiring module manufacturing process is completed.
  • the inclined surface 13 can be easily formed. Moreover, the inclined surface 13 can be continuously covered with the second cladding layer 8 that covers the core layer 7 as in the present embodiment, and the inclined surface 13 can be satisfactorily covered with the second cladding layer. It is not excluded to cover the inclined surface 13 with a third cladding layer different from the first and second cladding layers.
  • the manufacturing method of the present embodiment when the reflective film 14 is formed, not only the inclined surface 13 but also the surface of the core layer 7 is exposed. Thus, the productivity of the optical waveguide member 4, the optical wiring board 2, and the optical wiring module 1 can be maintained high.
  • the optical waveguide member 4 is fixed to the support substrate 5.
  • the surface of the optical waveguide member 4 can be made extremely flat. Therefore, the luminescent element This increases the positioning accuracy of the mounting of the child 3, which can contribute to the improvement of productivity.
  • the light tolerance of the light emitting element 3 is preferably within ⁇ 1 m with respect to the inclined surface 13 and the reflective film 14 that serve as a mirror for reflecting light, and therefore within such a tolerance.
  • the light emitting element 3 is aligned with the inclined surface 13 or the like.
  • the through electrode 10 is formed at an interval with respect to the inclined surface 13, the wiring conductor of the support substrate 5 and the light emitting element are easily electrically connected. be able to. Further, since the through electrode 10 is formed at a distance from the inclined surface 13, when the light emitting element 3 or the light receiving element 42 is provided, the through electrode 10 can be used as a positioning marker for the light emitting element 3. it can.
  • the through electrode 10 and the metal film 26b are fixed by forming the through electrode 10 and the metal film 26b constituting the transfer member 26 from the same conductive material. It is possible to increase the strength and prevent the optical waveguide member 4 from being detached from the transfer member 26 before the optical waveguide member 4 is transferred to the support substrate 5.
  • a force is formed between the light emitting element 3 and the optical waveguide member 4D.
  • the light is emitted from the light emitting element 3 into the gap.
  • the light shielding member 62 may be provided so as to surround the laser light passing region. In this case, the light emitted from the light emitting element 3 is well shielded from the outside. As a result, it is possible to satisfactorily prevent light from the light emitting element 3 from being undesirably emitted to other light emitting elements or light receiving elements.
  • the light shielding member 62 is formed of a non-light transmissive grease.
  • non-light transmissive resins include, for example, epoxy resins, cyanate resins, polyphenylene ether resins, bismaleimide triazine resins, polyimide resins, carbon powders, graphite powders, etc. Mixed greaves are possible.
  • Other examples of non-light transmissive resin include black resin using dyes and coloring agents, and resin prepared by mixing silica filler and carbon powder with epoxy resin. .
  • the ratio of light transmission to light input per lcm of resin (for example, 850 nm) (light transmission Z light input) is 30 dB or less. It is preferable that it is less than 40 dB.
  • the amount of light transmission is, for example, between the two optical fibers after the first and second optical fibers are prepared. It is obtained by transmitting a light such as a laser or LED from the first optical fiber to the second optical fiber with oil interposed therebetween, and measuring the amount of light emitted from the second optical fiber with a power meter.
  • a method for measuring the amount of light input for example, light is transmitted from the first optical fiber to the second optical fiber in a state where the first and second optical fibers are directly connected without interposing a resin.
  • the amount of light emitted from the second optical fiber is obtained by measuring with a power meter. Then, the ratio of the light transmission amount to the light input amount is obtained using the two light amounts obtained by this measurement.
  • a light transmissive member 63 made of a light transmissive resin may be provided between the light emitting element 3 and the optical waveguide member 4 as shown in FIG. 1C.
  • the translucent member 63 is provided so as to be in contact with both the light emitting element 3 and the optical waveguide member 4, for example. As a result, each light emitting element 3 and the optical waveguide member 4 are mechanically connected by the translucent member 63 more firmly.
  • the translucent member 63 is a ratio of the amount of light attenuation (loss) to the amount of light input per lcm of the translucent member (for example, 850 nm) (light attenuation amount Z light input amount). It is less than 6dB. Desirably 3 dB or less is preferably used, and optimally 0.5 dB or less.
  • the amount of light transmitted is, for example, by preparing the first and second optical fibers, interposing a grease between the two optical fibers, and using a laser, an LED, or the like from the first optical fiber to the second optical fiber. It is obtained by transmitting light and measuring the amount of light emitted from the second optical fino with a power meter. On the other hand, the light attenuation amount is calculated by first obtaining the light input amount and subtracting the light transmission amount from the light input amount.
  • the amount of light input is such that light is transmitted from the first optical fiber to the second optical fiber in a state where the first and second optical fibers are directly connected without interposition of the resin, and the output light of the second optical fiber force Is obtained by measuring the amount of light with a power meter.
  • the ratio of the amount of light attenuation (loss) to the amount of light input is determined by the ratio of the two light quantities obtained by this measurement.
  • Such a translucent member 63 is formed by, for example, injecting a predetermined amount of epoxy resin, acrylic resin, silicon resin or the like with a dispenser and curing the resin.
  • a reflective film 14 is formed on the inclined surface 13 as shown in FIG. 1D.
  • a space S may be formed between the second cladding layer 8 and the inclined surface 13.
  • the through electrode 10 may be formed after step si 1.
  • the workability of electrical contact for forming the through electrode 10 is poor because the connection between the wiring conductor of the wiring board and the through electrode 10 can be strengthened. Therefore, in this case, the surface of the first cladding layer 6 exposed by removing the metal film 26b in step si 1 is subjected to copper, nickel, chromium, or the like by an electroless plating method, a vapor deposition method, or a sputtering method.
  • the through electrode 10 may be formed in the through hole 16 via the conductive material layer. At this time, it is difficult to form a conductive material layer on the first cladding layer 6 by electroless plating. Therefore, it is preferable to form the through electrode 10 by the following method.
  • a resin material layer 64 made of epoxy resin is laminated in the first cladding layer 6 and the through hole 16 as shown in FIG. 3K.
  • a first conductive material layer 65 is formed on the surface of the resin material layer 64 as shown in FIG.
  • the through electrode 10 is formed in the through hole 16 by electrical plating through the first conductive material layer 65 as shown in FIG. 3M.
  • a second conductive material layer 66 made of the same material as the through electrode 10 is formed on the first conductive material layer 65. If necessary, the resin material layer 64, the first conductive material layer 65, and the second conductive material layer 66 may be removed by etching or the like, or pattern check may be performed.
  • FIG. 4A is a perspective sectional view showing an optical wiring board 2A according to the second embodiment
  • FIG. 4B is a perspective sectional view showing an optical wiring module 1A according to the second embodiment
  • FIG. 4C is a second embodiment.
  • FIG. 6 is a perspective cross-sectional view showing a modification of the optical wiring module 1A according to FIG.
  • the configuration different from that of the first embodiment will be described, and the description of the common configuration will be omitted. Basically, the effects of the first embodiment are obtained.
  • the optical wiring module 1A completely removes the metal film 26b constituting the transfer member 26. However, the metal film 26b located in the mounting region of the light emitting element 3 and the formation region of the through electrode 10 is removed, and the other metal film 26b is left. Therefore, since the remaining metal film 26b can be used as an electrical wiring by etching, there is no need to newly form an electrical wiring on the optical waveguide member 4A by a method such as transfer or plating. The number can be reduced.
  • the light emitting element 3 may be connected to the metal film 26b via the dummy bump 25, and the dummy bump 25 functions as a normal bump.
  • the metal film 26b and the light emitting element 3 may be electrically connected.
  • optical wiring module 1A of the present embodiment has the same effects as the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing an optical wiring module 1B of the third embodiment.
  • the configuration different from the first embodiment will be described, and the description of the common configuration will be omitted. Basically, the effects of the first embodiment are obtained.
  • the optical wiring module 1B is curved in a curved shape so that the inclined surface 13B protrudes toward the second cladding layer 8 side. Therefore, even when the light emitting element 3 is inclined with respect to the surface of the optical waveguide member 4B, the light of the light emitting element 3 incident on the inclined surface 13 can be favorably reflected to the core layer 7 by force. . Therefore, the restriction on the arrangement position of the light emitting element 3 and the light receiving element 42 can be reduced, the tolerance for the arrangement position can be increased, and the productivity of the optical wiring module can be improved.
  • the inclined surface 13B having such a shape corresponds to the inclined surface 13B as shown by the phantom line in FIG. 5 when the core material layer 27 is pressed with the tool 32B in step s4 in the first embodiment. It is formed by using a tool 32B having a shape at the tip.
  • the curved surface can be processed.
  • the curing reaction of the resin material constituting the core material layer 27 is in the range of 50% to 90%
  • the inclined surface 13B can be curved using the inertial deformation of the core material layer 27. .
  • the inclined surface 13B is formed in a curved shape. It is not limited to such a shape. If the light from the light emitting element 3 can be favorably reflected on the core layer 7, the shape of the inclined surface may be stepped.
  • FIG. 6 is a diagram showing an optical wiring module 1C of the fourth embodiment.
  • the configuration different from the first embodiment will be described, and the description of the common configuration will be omitted. Basically, the effects of the first embodiment are obtained.
  • the optical wiring module 1C is different from the first embodiment in that an inclined surface 13 is formed at an intermediate portion of the core layer 7 that is not at one end portion of the core layer 7. Even in such a case, since the same effect as that of the first embodiment can be obtained, the degree of freedom of the formation position of the inclined surface 13 is high.
  • FIG. 7 is a sectional view showing an optical waveguide member 4D according to the fifth embodiment.
  • FIG. 7 is a sectional view showing an optical waveguide member 4D according to the fifth embodiment.
  • the configuration / manufacturing method different from the optical waveguide member 4A of the second embodiment will be described, and the description of the common configuration will be omitted.
  • optical waveguide member 4D is configured to include the second metal film 26b in contact with the first cladding layer 6.
  • the third embodiment is different from the other embodiments in that the third metal film 52 is deposited on the second cladding layer 8. That is, metal films are present on both surfaces of the optical waveguide member 4D.
  • the second metal film 26b may be formed by transfer in the same manner as in the second embodiment, or may be formed using non-electric field fitting or the like.
  • an epoxy resin is formed on the first cladding layer 6 before forming the second metal film 26b. It is preferable to perform electroless plating to form the second metal film 26b.
  • the third metal film 52 may be formed by transfer, as in the case of the second metal film 26b, or may be formed by an electroless plating method. In addition, it is better to form an epoxy resin on the second cladding layer 8 before forming the third metal film 52 before performing the electroless plating.
  • the optical waveguide member 4D of the present embodiment may be mounted on the support substrate 5 or may not be mounted, but even if the optical waveguide member 4D is not mounted on the support substrate 5.
  • the second gold By processing the metal film 26b and the third metal film 52 into a predetermined pattern, a function as a wiring board can be added to the optical waveguide member 4D.
  • the optical semiconductor element when the optical waveguide member 4D is mounted on the support substrate 5, the optical semiconductor element (light emitting element or light receiving element) may be mounted on the optical waveguide member 4D before the optical waveguide member 4D is mounted on the support substrate 5. good.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a mobile phone device 105 (display device) according to the sixth embodiment.
  • FIGS. 9A and 9B are enlarged cross-sectional views of the main part of the mobile phone device 105.
  • FIG. 9A and 9B, the core layer 7, the through electrode 10, the inclined surface 13, the reflective film 14, and the like are not shown.
  • the mobile phone device 105 of the present embodiment includes a first casing 107 having a display unit 106, a second casing 109 having an operation unit 108, a first casing 107, and a second casing 109. And a connecting portion 110 to be connected.
  • the second casing 109 is configured to be displaceable with respect to the first casing 107, and both are connected via the connection part 110.
  • the mobile phone device 105 adjusts the angle between the first casing 107 and the second casing 109 to separate the display unit 106 and the operation unit 108 as shown in FIG. 9A. Can be adjusted to the open state or the closed state with the display unit 106 and the operation unit 108 facing each other as shown in FIG. 9B.
  • the optical waveguide member 4D according to the fifth embodiment is accommodated in the first casing 107, the second casing 109, and the connection portion 110, and the first casing is accommodated by the optical waveguide member 4D.
  • the display unit 106 of the body 10 7 and the operation unit 108 of the second housing 109 are optically connected.
  • this optical waveguide member 4D has a light emitting element 3 and a light receiving element 42 on both sides thereof. In the vicinity of the light emitting element 3 and the light receiving element 42, a through electrode 10 and an inclined surface 13 are provided. And a reflective film 14 and the like.
  • the optical waveguide member 4D that exerts power is flexible, and thus is configured to be capable of optical communication even in a curved state as shown in FIG. 9B.
  • the optical waveguide member 4D preferably has a Young's modulus of 3 GPa or less.
  • the total thickness of the first cladding layer 6, the core layer 7 and the second cladding layer 8 is 90 m or less, and the first metal
  • the total thickness of the film 26b and the third metal film 52 is 18 m or less. It is preferable to set it.
  • the second casing 109 supports the optical waveguide member 4D and emits light based on an electric signal from the wiring board 5b electrically connected to the operation unit 108 and the wiring board 5b.
  • the light-emitting element 3 that transmits the light as an optical signal to the optical waveguide member 4D is accommodated.
  • the light emitting element 3 and the wiring substrate 5b are electrically connected via the through electrode 10 of the optical waveguide member 4D.
  • the light from the light emitting element 3 is transmitted to the core layer 7 through the inclined surface 13 and the reflective film 14 of the optical waveguide member 4D.
  • the first casing 107 supports the optical waveguide member 4D and receives the optical signal transmitted from the wiring substrate 5a electrically connected to the display unit 106 and the optical waveguide member 4D.
  • a light receiving element 42 that converts the received optical signal into an electrical signal and transmits the electrical signal to the wiring board 5a is accommodated.
  • the light receiving element 42 and the wiring board 5a are electrically connected through the through electrode 10 of the optical waveguide member 4D. Light to the light receiving element 42 is transmitted to the core layer 7 through the inclined surface 13 and the reflective film 14 of the optical waveguide member 4D.
  • the wiring boards 5a and 5b the wiring boards shown in the first to fifth embodiments can be used.
  • Information input from the operation unit 108 is transmitted as an electric signal to the wiring board 5b by an electric circuit (not shown) in the second casing 109, and the electric signal is passed through the through electrode of the optical waveguide member 4D.
  • the light is supplied to the light emitting element 3 through 10.
  • the electric signal is converted into an optical signal by the light emitting element 3
  • the optical signal is transmitted to the core layer 7 through the inclined surface 13 of the optical waveguide member 4D.
  • the optical signal transmitted to the core layer 7 is input to the light receiving element 42 via the inclined surface 13 of the optical waveguide member 4D.
  • the electric signal is transmitted over the wiring substrate 5a through the through electrode 10 of the optical waveguide member 4D.
  • an electrical signal is transmitted to the driving IC in the display unit 106 via the wiring board 5a, and an image is displayed by the driving IC.
  • the display unit 106 of the first casing 107 and the operation unit 108 of the second casing 109 are optically connected by the optical waveguide member 4D. Even if there is a lot of information to be transmitted to 106, it can be transmitted at high speed and with low power. As a result, a highly convenient mobile phone device 105 can be realized.
  • a mobile phone device has been described as an example of a display device. Power For example, it can be applied to a personal computer.
  • the optical waveguide member 4D is formed by connecting a plurality of electronic devices such as a connection member for connecting a playback recorder such as a DVD player, a DVD recorder or a video deck with a TV, a connection member for connecting a TV and a video camera, and the like. It is also possible to use as a connection member for connecting the two.
  • FIG. 1A is a perspective cross-sectional view showing an optical wiring module 1 that works on the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a perspective cross-sectional view showing a modified example of the optical wiring module 1 that works on the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1C is a perspective cross-sectional view showing a modified example of the optical wiring module 1 that works on the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1D is a perspective cross-sectional view showing a modified example of the optical wiring module 1 that works on the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a flowchart of each step of the manufacturing method of the optical wiring module 1 shown in FIG.
  • FIG. 3A is a perspective cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the optical wiring module shown in FIG.
  • FIG. 3B is a perspective cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 1.
  • FIG. 3C is a perspective sectional view for explaining the method for manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 1.
  • 3D is a perspective cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the optical wiring module shown in FIG.
  • FIG. 3E is a perspective sectional view for explaining the method for manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 1.
  • FIG. 3F is a perspective sectional view for illustrating the method for manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 1.
  • 3G is a perspective cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the optical wiring module shown in FIG. The
  • FIG. 3H is a perspective sectional view for explaining the method for manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 1.
  • FIG. 31 is a perspective sectional view for explaining the method for manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 1.
  • FIG. 3J is a perspective cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the optical wiring module shown in FIG.
  • FIG. 3K is a perspective cross-sectional view for explaining a through electrode forming method.
  • FIG. 3L is a perspective cross-sectional view for explaining a through electrode forming method.
  • FIG. 3M is a perspective cross-sectional view for explaining a through electrode forming method.
  • FIG. 3N is a cross-sectional view for explaining a transfer member.
  • FIG. 4A is a perspective sectional view showing an optical wiring board 2A according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4B is a perspective sectional view showing an optical wiring module 1A according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4C is a perspective sectional view showing a modification of the optical wiring module 1A according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing an optical wiring module 1B according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing an optical wiring module 1C according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an optical wiring module 1D according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a mobile phone device 105 according to a sixth embodiment of the present invention.
  • 9A is an enlarged cross-sectional view of a main part of the mobile phone device 105 shown in FIG.
  • 9B is an enlarged cross-sectional view of a main part of the mobile phone device 105 shown in FIG.
  • Second clad layer Through electrode Inclined surface Reflective film Through hole Transfer member a Transfer sheet b First metal film a, second metal film Light receiving element Third metal film Light shielding member Transparent member Resin material layer First conductive material layer Second conductive material Layer Cellular phone display Display unit 1st case Operation unit 2nd case Connection unit

Abstract

　 【課題】　生産性に優れた、光導波路部材、光導波路部材が含まれる光配線基板、光配線基板と光半導体素子とを含む光配線モジュール、及び光導波路部材が含まれる表示装置、ならびに光導波路部材及び光配線基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】　転写シート２６ａ及び金属膜２６ｂを有し、転写シート２６ａと金属膜２６ｂとが剥離可能な状態に保持されている転写部材２６を準備する工程と、転写部材２６の金属膜２６ｂ上に第１クラッド層６を形成する工程と、第１クラッド層６上に光を伝播させるコア層７を積層する工程と、コア層７上に、コア層７を被覆する第２クラッド層８を積層することにより、第１クラッド層６、コア層７、および第２クラッド層８を含んで構成される積層体を形成する工程と、を備えることを特徴とする光導波路部材の製造方法。

Description

明 細 書
光導波路部材、光配線基板、光配線モジュール及び表示装置、並びに 光導波路部材および光配線基板の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、光信号を伝送するための光導波路部材、光配線基板、光配線モジユー ル及び表示装置、ならびに光導波路部材および光配線基板の製造方法に関する。 背景技術
[0002] 近年、情報を伝達する媒体として、電気信号に代えて光信号が用いられる場合が ある。光信号を伝送する手段として、光導波路が形成されている光導波路部材がぁ る。
[0003] 従来の技術の光導波路部材は、光を伝播するコア層と、該コア層を被覆する第 1ク ラッド層および第 2クラッド層とで構成されている。また光導波路部材の表面には、発 光素子が設けられている。
[0004] 従来の光導波路部材は、プリント配線基板などの支持基板に第 1クラッド層、コア層 および第 2クラッド層を順次積層することにより製作される。コア層は、短冊状に形成 され、その長手方向の一端部に傾斜面を有する。この傾斜面は、前記一端部に近づ くにつれて前記第 1クラッド層より離間するように傾斜されており、コア層の構成材料 力もなるコア材料層を第 1クラッド層上に積層した後であって、第 2クラッド層を積層す る前に、前記コア材料層の一端部を、異方性エッチングを行なうなどによって形成さ れる。
特許文献 1 :特開 2005— 148129号公報 (第 11頁、第 2図）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 従来技術の光導波路部材の製造方法では、コア層の傾斜面を形成するには、異 方性のエッチングを用いる必要があり、傾斜面の形状を制御することが困難である。 それ故、光導波路部材の製造工程が複雑になる。
[0006] 本発明の目的は、上記問題点を解決した、光導波路部材、光導波路部材が含まれ る光配線基板、光配線基板と光半導体素子とを含む光配線モジュール、及び光導 波路部材が含まれる表示装置、並びに、光導波路部材および光配線基板の製造方 法を提供することである。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明の光導波路部材の製造方法は、転写シート及び金属膜を有し、前記転写シ ートと前記金属膜とが剥離可能な状態に保持されている転写部材を準備する工程と 、前記転写部材の前記金属膜上に第 1クラッド層を形成する工程と、前記第 1クラッド 層上に光を伝播させるコア層を積層する工程と、前記コア層上に、該コア層を被覆す る第 2クラッド層を積層することにより、前記第 1クラッド層、前記コア層、および前記第 2クラッド層を含んで構成される積層体を形成する工程と、を備える。
[0008] また本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法にお いて、前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離する工程を更に備えて いる。
[0009] さらに本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法に おいて、前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後に、前記金属 膜を除去する工程を更に備えている。
[0010] また本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法にお いて、前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後に、前記金属膜 をパターンカ卩ェする工程を更に備えて 、る。
[0011] さらに本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法に おいて、前記コア層に傾斜面を設ける工程を更に備え、前記傾斜面と前記第 1クラッ ド層と接する前記コア層の表面との間の傾斜角度 exが 90度よりも小さい。
[0012] また本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法にお いて、前記コア層に設けられた前記傾斜面上に反射膜を設ける工程を更に備え、前 記積層体は前記反射膜を含んで構成されて ヽる。
[0013] さらに本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法に おいて、前記転写シートは、前記金属膜と接する面に第 2金属膜を有しており、該第 2金属膜と前記金属膜との間で剥離可能となっている。 [0014] また本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法にお いて、前記第 2クラッド層上に、第 3金属膜が被着される。
[0015] さらに本発明の光導波路部材の製造方法は、上述の光導波路部材の製造方法に ぉ ヽて、前記金属膜および前記第 3金属膜の少なくとも ヽずれか一方が所定パター ンにカ卩ェされる。
[0016] 本発明の光配線基板の製造方法は、転写シート及び金属膜を有し、前記転写シー トと前記金属膜とが剥離可能な状態に保持されている転写部材を準備する工程と、 前記転写部材の前記金属膜上に第 1クラッド層を形成する工程と、前記第 1クラッド 層上に光を伝播させるコア層を積層する工程と、前記コア層上に、該コア層を被覆す る第 2クラッド層を積層することにより、前記第 1クラッド層、前記コア層、および前記第 2クラッド層を含んで構成される積層体を形成する工程と、前記積層体を、前記第 2ク ラッド層を配線基板に対して対向させるように前記配線基板に被着させる工程と、前 記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離する工程と、を備えている。
[0017] また本発明の光配線基板の製造方法は、上述の光配線基板の製造方法にぉ 、て 、前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後、前記金属膜を除去 する工程を更に備えている。
[0018] さらに本発明の光配線基板の製造方法は、上述の光配線基板の製造方法におい て、前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後、前記金属膜をパ ターンカ卩ェする工程を更に備えて 、る。
[0019] また本発明の光配線基板の製造方法は、上述の光配線基板の製造方法にぉ 、て 、前記コア層に傾斜面を設ける工程を更に備え、前記傾斜面と前記第 1クラッド層と 接する前記コア層の表面との間の角度 αが 90° よりも小さい。
[0020] さらに本発明の光配線基板の製造方法は、上述の光配線基板の製造方法におい て、前記コア層に設けられた傾斜面上に反射膜を設ける工程を更に備え、前記積層 体は前記反射膜を含んで構成されて！ヽる。
[0021] 本発明の光配線基板は、配線基板と、該配線基板上に配設される光導波路部材と 、を備え、前記光導波路部材は、第 1クラッド層と、該第 1クラッド層よりも配線基板側 に配置される第 2クラッド層と、前記第 1クラッド層と前記第 2クラッド層との間に介在さ れ、傾斜面を有する複数のコア層と、を有し、前記第 1クラッド層側に位置するコア層 の表面と前記傾斜面との間の角度 aは 90度よりも小さい。
[0022] また本発明の光配線基板は、上述の光配線基板において、前記角度 exが 41度以 上 49度以下である。
[0023] さらに本発明の光配線基板は、上述の光配線基板において、前記傾斜面が、前記 第 2クラッド層側に突出した曲面状に形成されている。
[0024] また本発明の光配線基板は、上述の光配線基板にお!ヽて、前記傾斜面上に光を 反射するための反射膜が被着されている。
[0025] さらに本発明の光配線基板は、上述の光配線基板において、前記第 2クラッド層は
、前記傾斜面及び前記反射膜を被覆するように形成されて!ヽる。
[0026] また本発明の光配線基板は、上述の光配線基板にお!ヽて、前記光導波路部材の 表面は、平坦面である。
[0027] さらに本発明の光配線基板は、上述の光配線基板において、前記光導波路部材 は、前記第 1クラッド層の前記配線基板と反対側の表面に、導電層を有する。
[0028] また本発明の光配線基板は、上述の光配線基板にお!ヽて、前記光導波路部材は
、第 1クラッド層の前記配線基板と反対側の表面と前記導電層との間に榭脂層を有し
、前記導電層が無電界めつき法により形成されている。
[0029] さらに本発明の光配線モジュールは、上述の光配線基板と、前記配線パターンに 接続される光半導体素子と、を備えている。
[0030] 本発明の光導波路部材は、第 1クラッド層と、該第 1クラッド層上に配置され、傾斜 面を有するコア層と、前記傾斜面を含むコア層を連続的に被覆する第 2クラッド層と、 を備えている。
[0031] また本発明の光導波路部材は、上述の光導波路部材において、前記第 1クラッド 層及び前記第 2クラッド層に一対の金属膜を有し、該一対の金属膜の少なくともいず れか一方が転写により被着されて!、る。
[0032] そして、本発明の表示装置は、表示部と、前記表示部を制御する操作部と、前記表 示部と前記操作部とを光学的に接続する上述の光導波路部材と、を備えている。 発明の効果 [0033] 本発明によれば、光配線基板や光配線モジュールを形成する際に、光導波路部材 を配線基板に転写することにより、光導波路部材のコア層に設けられる傾斜面の形 成が容易となり、生産性向上に貢献できる。
発明を実施するための最良の形態
[0034] 以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について 説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一 の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明してい る場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。また実施の各 形態で具体的に説明している部分の糸且合せば力りではなぐ特に糸且合せに支障が生 じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。
[0035] (第 1の実施形態）
図 1Aは、第 1の実施形態に係る光配線モジュール 1を示す斜視断面図である。
[0036] 光配線モジュール 1は、大略的に、光配線基板 2と、該光配線基板 2上に搭載され る光半導体素子としての発光素子 3と、を備えた構成を有している。また、光配線基 板 2は、配線基板としての支持基板 5と、支持基板 5上に配設され、表面に発光素子 3が搭載される光導波路部材 4によって構成される。
[0037] 光配線モジュール 1は、支持基板 5より供給される電気信号を、光導波路部材 4を 介して発光素子 3に供給し、その電気信号に基づいて発光素子 3を発光させる。そし て、発光素子 3の光を光信号として光導波路部材 4を介して光ファイバ等の外部接続 部材に伝送する。
[0038] 光配線基板 2は、大略的に長方形状であって板状に形成されている。以下では、 光配線基板 2の厚み方向（図 1A〜図 1Dの上下方向）を Z1方向とし、長手方向（図 1 A〜図 1Dの左右方向）を XI方向とし、 Z1方向および XI方向に垂直な方向（図 1A 〜図 1Dの奥行き方向）を Y1方向と称する。
[0039] 支持基板 5は、配線導体を有する配線基板であり、たとえば、榭脂、アルミナ系セラ ミックまたはガラスセラミック等の絶縁材料により形成された絶縁基板と、該絶縁基板 上に銅、金、銀またはアルミニウム等の導電材料力 なる配線導体と、を有した構成 を有している。支持基板 5の配線構造は、単層配線でも多層配線であっても良い。こ のような支持基板 5は、その上面で光導波路部材 4を支持するとともに、配線導体が 光導波路部材 4に設けられる貫通電極 10を介して発光素子 3に電気信号を供給す る。なお、光配線モジュール 1がコンピュータ等の計算機器に組み込まれる場合、支 持基板 5の配線導体は、中央演算処理装置（Central Processing Unit :略称 CPU)な どの IC回路に電気的に接続される。
[0040] 支持基板 5上に搭載される光導波路部材 4は、発光素子 3側に配置される第 1クラ ッド層 6と、支持基板 5に接する第 2クラッド層 8と、第 1クラッド層 6と第 2クラッド層 8と の間に介在され、傾斜面 13を有する複数のコア層 7と、傾斜面 13に被着される反射 膜 14と、発光素子 3と支持基板 5の配線導体とを電気的に接続するための貫通電極 10と、を有している。また光導波路部材 4は、 Z1方向の厚みが 以上 100 /z m 以下に形成されている。なお、光導波路部材 1の両主面、すなわち、第 1クラッド層 6 の表面と、第 2クラッド層 8の表面は平坦状に形成されている。
[0041] 複数のコア層 7は、 XI方向に延びる帯状に形成され、互いに間隔をあけて Y1方向 に沿って配設されている。各コア層の断面形状 (Y1軸と Z1軸に平行な断面の形状） は、長方形状もしくは正方形状に形成されている。また、コア層 7の XI方向一端部に は、傾斜面 13が形成されている。傾斜面 13は、第 1クラッド層 6側に位置するコア層 7の表面 40と傾斜面 13との間の傾斜角度 αが 90度よりも小さくなるように XI方向に 対して傾斜している。この傾斜面 13の傾斜角度 αは、 41度以上 49度以下が好まし V、 (本実施形態では、傾斜角度 exは 45度に設定されて 、る)。傾斜角度 ocが 41度以 上 49度以下であると、発光素子 3の光をコア層 7に向力つて良好に伝送でき、光信号 の伝送損失を良好に低減できる。ただし、傾斜角が 41度以上 49度以下の範囲以外 の傾斜面であっても構わない。また、傾斜面 13は、必ずしもコア層 7の一端部に形成 されている必要はない。またこの傾斜面 13には、アルミニウム、ニッケル、クロム等の 光を反射させることが可能な材料力もなる反射膜 14が形成されている。
[0042] 第 1クラッド層 6、コア層 7および第 2クラッド層 8は、透光性材料により形成されてお り、第 1および第 2クラッド層 6, 8は、コア層 7と異なる屈折率を有する透光性材料力も 成る。コア層 7は、第 1および第 2クラッド層 6, 8の屈折率より高ぐ第 1および第 2クラ ッド層 6, 8と同じ透光性材料から成る。透光性材料としては、たとえばエポキシ系榭 脂、アクリル系榭脂、ポリシラノール榭脂、ポリシラン、ポリシラザン系榭脂またはガラ スが用いられる。ただし、コア層 7、第 1クラッド層 6、および第 2クラッド層 8は、互いに 同一の透光性材料力 成ることに限定されず、コア層 7の屈折率が第 1および第 2ク ラッド層 6, 8の屈折率よりも高ければ、互いに異なる透光性材料によって形成されて ちょい。
[0043] 一方、貫通電極 10は、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、タングステン またはモリブデン等の導電材料により円柱状に形成され、 Y1方向にわたって複数個 配列されている。
[0044] ここで、貫通電極 10は、室温（25°C)における熱伝導率が lOOWZm'K以上であ り、かつ電気抵抗率が 1. 0 Χ 10"7 Ω ·πι以下を満たすような材料により形成されるこ とが好ましい。この場合、光導波路部材 4に実装され、貫通電極 10に対して電気的 に接続される発光素子 4や他の電子素子は、動作中に発する熱が貫通電極 10を介 して良好に放熱されることとなる。それ故、発光素子 4や他の電子素子を安定的に動 作させることが可會となる。
[0045] 上述した貫通電極 10の材料であれば、銅、銀、金、アルミニウム、モリブデン、タン ダステンが好ましい。例えば、銅 (熱伝導率： 395WZm'K、電気抵抗率： 1. 69 X 1 0_8 Ω ·πι)、アルミニウム（熱伝導率 223WZm'K、電気抵抗率： 2. 66 Χ 10"8 Ω -m )、金 (熱伝導率： 293WZm'K、電気抵抗率： 2. 44 Χ 10"8 Ω ·πι)、モリブデン (熱 伝導率： 147WZm'K、電気抵抗率： 5. 78 Χ 10"8 Ω 'm)、タングステン (熱伝導率 : 167W/m-K,電気抵抗率： 5. 5 Χ 10"8 Ω -m)である。
[0046] また、貫通電極 10は、コア層 7と同一材料力も成る電極形成層 28に設けられた貫 通孔 16の内部に設けられており、 XY平面に平行な断面における断面積が発光素 子 3側よりも支持基板 5側で大きくなつている。なお、電極形成層 28は、発光素子 3側 の表面は一部が第 1クラッド層 6より露出しており、支持基板 5側の表面は第 2クラッド 層 8及び貫通電極 10で被覆された形に形成されている。すなわち、光導波路部材 4 の発光素子 3側の表面は、第 1クラッド層 6、電極形成層 28及び貫通電極 10の表面 が露出しており、該露出面は略平坦に形成されている。また、光導波路部材 4の支持 基板 5側の表面は、第 2クラッド層 8及び貫通電極 10が露出しており、該露出面は略 平坦に形成されている。
[0047] 一方、光導波路部材 4の第 1クラッド層 6上に搭載される複数の発光素子 3は、例え ば、面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface-Emitting Laser:略称 VCSEL) により構成されている。各発光素子 3は、一対の貫通電極 10に対してバンプ 24を介 して電気的に接続されている。一方、各発光素子 3が光導波路部材 4に対して傾くこ とを防止するため、バンプ 24に対応させて一対のダミーバンプ 25が設けられている。 なお、バンプ 24およびダミーバンプ 25は、たとえば金 (Au)や半田等の導電材料に より形成されている。
[0048] このような発光素子 3は、そのレーザ光が光導波路部材 4の傾斜面 13に入射可能 な位置 (例えば、傾斜面 13の直上位置）に配置されている。そして、支持基板 5より 貫通電極 10を介して電気信号が発光素子 3に供給されると、該電気信号に基づい て発光素子 3がレーザ光を傾斜面 13に向けて出射し、そのレーザ光が傾斜面 13に 形成される反射膜 14で XI方向に向かって反射される。反射されたレーザ光はコア 層 7内を光信号として伝播することにより、電気信号が光信号へと変換されることとな る。
[0049] 本実施の形態では、 VCSELを発光素子 3として用いている力 必ずしも VCSELに 限定されない。たとえば端面発光型レーザダイオードでもよぐレーザ光を照射可能 なものであればよい。また発光素子 3に代えて、受光素子 42を光配線基板 2に配設 してもよい。なお、受光素子 42を配設する場合、光導波路部材 4カゝら伝播した光信 号が受光素子 42によって電気信号に変換される。すなわち、コア層 7を伝播した光 が傾斜面 13に入射し、該入射光が反射膜 14で受光素子 42に向力つて反射される。 反射された光は受光素子 42に入射され、該入射光に基づいて受光素子 42が貫通 電極 10を介して支持基板 5に電気信号を供給する。その結果、光信号が電気信号 に変換されることとなる。
[0050] 図 2は、上述した光配線モジュール 1の製造方法の各工程のフローチャートを示す 図である。図 3A〜図 3Nは、各工程で製造される部材を示す斜視断面図である。以 下では、このようにして構成される光配線モジュール 1の製造方法について図 2に示 すフローチャートに沿って説明する。 [0051] ステップ siは、まず、図 3Aに示す長方形状の転写部材 26を準備する。なお、以下 では、転写部材 26の厚み方向を Z2方向（図 3A〜図 3Fにおいて、上下方向）とし、 その長手方向を X2方向（図 3 A〜図 3Fにお!/、て左右方向）とし、 Z2方向と X2方向と に垂直な方向を Y2方向（図 3 A〜図 3Fにお 、て奥行き方向）と称する。
[0052] 転写部材 26は、ガラス繊維強化エポキシ榭脂、プラスチック、ステンレス、ニッケル 合金、アルミニウム、またはチタン等力もなる転写シート 26a上に銅等の導電性材料 力も成る金属膜 26bを形成した構成を有しており、転写シート 26aと金属膜 26bとが 互 ヽに剥離可能な接着力で接着されて!ヽる。両者を剥離させやすくするためには、 転写シート 26aと金属膜 26bとの間に離型材を介在させても良い。
[0053] このような転写部材 26を用いて、転写部材 26の上に積層された光導波路部材 4を 支持基板 5に転写する際、まず、転写部材 26と共に光導波路部材 4を支持基板 5〖こ 接着させる。次に、転写部材 26を構成する転写シート 26aを金属膜 26bより剥離させ る。そして、金属膜 26bをエッチングにより除去することによって光導波路部材 4が支 持基板 5に転写される。なお、転写シート 26a上の金属膜 26bは、エッチングによる除 去を容易にするため、 3 μ m〜35 μ mの厚みが望ましい。
[0054] また、図 3Nに示すように、転写シート 26aは、前記金属膜 26bと接する面に銅等の 導電材料力もなる第 2金属膜 26a'を有していても良い。この場合、金属膜 26bと第 2 金属膜 26a'とが互いに剥離されることとなるため、両金属膜 26b、 26a'間に離型材 を介在させても良い。
[0055] ステップ s2においては、図 3Bに示すように、転写部材 26の金属膜 26b上に、第 1ク ラッド層 6を形成する。第 1クラッド層 6は、次のような工程を経て製作される。すなわち 、まず、透光性材料を溶剤に溶かした液体が、スピンコーター、バーコ一ター、ドクタ 一ブレード、ダイコーターまたはディップコーターなどを用いて金属膜 26b上に塗布 される。次に、塗布された液体を乾燥させて第 1クラッド材料層を転写部材 26に Z2方 向一方（図 3A〜図 3Fにおいて上方）に積層する。この積層体をフォトリソグラフィ技 術やエッチング等によって所定パターンにカ卩ェすることにより、第 1クラッド層 6が形成 される。なお、第 1クラッド層 6は、上述の第 1クラッド材料層を型に入れて成形する方 法等の種々の加工方法を使用できる。 [0056] ステップ s3では、図 3Cに示すように、第 1クラッド層 6上に複数のコア材料層 27およ び複数の電極形成層 28を形成する工程である。
[0057] まず、コア層 7を構成する透光性材料を溶剤に溶力した液体力 スピンコーター、バ ーコーター、ドクターブレード、ダイコーターまたはディップコーターなどを用いて、転 写部材 26および第 1クラッド層 6に塗布される。次に、塗布した液体を乾燥させること によって透光性材料層 29が形成される。次に、透光性材料層 29をフォトリソグラフィ 技術やエッチング等を用いて所定パターンに加工することにより、複数のコア材料層
27および複数の電極形成層 28が形成される。
[0058] ステップ s4では、図 3Dに示すように、コア材料層 27をカ卩ェしてコア層 7を形成する 工程である。まずコア材料層 27の X2方向一端部を砥石やダイヤモンド等の硬質材 料力もなる工具 32で押圧することによって、傾斜面 13を形成する。これによつて傾斜 面 13を容易に形成することができる。工具 32は、図 3Dの仮想線で示すように、傾斜 面 13に対応した先端形状を有している。工具 32は、具体的には、ナノインプリント、 またはマイクロエンボスによって実現できる。なお、工具 32でコア材料層 27を押圧す る時、コア材料層 27は完全硬化状態でも半硬化状態でもよいが、コア材料層 27は、 完全硬化させた状態で工具 32を圧入すると、コア材料層 27にクラックが発生する場 合があるため、コア材料層 27は半硬化状態でカ卩ェすることが好ましい。ここで、半硬 化状態とは、 25%以上 80%以下の榭脂が重合反応した状態である。
[0059] なお、本実施の形態では、傾斜面 13が機械カ卩ェによって形成されているけれども 、必ずしもこれに限定されない。たとえばレーザカ卩ェであってもよぐまたエッチングで あってもよい。またエッチングも、フォトリソグラフィ技術に限定されることなぐプラズマ エッチングであってもよぐイオンビームによって除去させてもよい。
[0060] ステップ s5では、傾斜面 13に反射膜 14を形成する工程である。物理蒸着 (Physical
Vapor Deposition :略称 PVD)法等の薄膜形成技術を用いて、傾斜面 13にアルミ- ゥム、ニッケル、クロムなどの反射材料を蒸着し、傾斜面 13に反射膜 14を形成する。
[0061] ステップ s6では、電極形成層 28に貫通孔 16を形成する工程である。貫通孔 16は、 使用する光導波路材料の特性に合わせてフォトリソグラフィ技術、金型加工、エッチ ング技術等を採用することにより形成される。本実施の形態では、ステップ s6はステツ プ s5の後に行なっているが、ステップ s6はステップ s4とステップ s5との間、ステップ s3 とステップ s4の間、またはステップ s7とステップ s8との間にレーザを用いて加工を行な つても良い。フォトリソグラフィ技術や金型加工技術を用いると光導波路に対する貫通 孔 16の位置精度を維持できる。また、レーザを用いて加工する方法は細く長い貫通 孔 16を容易に加工できる特長がある。
[0062] ステップ s7では、図 3Eに示すように、第 1クラッド層 6およびコア層 7に第 2クラッド層 8を積層する工程である。第 2クラッド層の構成材料である透光性材料を溶剤に溶か した液体がスピンコーター、バーコ一ター、ドクターブレード、ダイコーターまたはディ ップコ一ターなどを用いて、第 1クラッド層 6、コア層 7および電極形成層 28に塗布さ れる。次に、塗布した液体を乾燥させて第 2クラッド材料層が形成される。次に、第 2ク ラッド材料層を所定パターンに加工することによって第 2クラッド層 8が形成される。第 2クラッド材料層は表面を平坦ィ匕するために研磨してもよぐ研磨方法としては、たと えばアルミナ、炭化ケィ素またはダイヤモンドなどの砲粒を含む砲石を用いて研磨す る方法、前記砲粒を表面部に付着させ、ブラシによって研磨する方法、またはパフを 用 、て研磨する方法が用 、られる。またダイヤモンドから成る切削具を用いて削り取 る方法によって、第 2クラッド層前駆体の前記表面部を平坦状に形成してもよ 、。
[0063] ステップ s8では、図 3Fに示すように、貫通孔 16内に貫通電極 10を形成する工程 であり、貫通電極 10の形成によって転写部材 26上に光導波路部材 4に相当する積 層体が形成される。
[0064] 貫通電極 10は、銅等力もなる導電材料を電気めつきにより貫通孔 16に充填させる ことにより形成される。この場合、転写部材 26を構成する金属膜 26bの表面を光導波 路部材 4より露出させておくことにより、該露出させた金属膜 26bの表面より電気めつ きのための通電を行なうことで、貫通電極 10の形成を容易に行える。
[0065] ステップ s9では、図 3Gに示すように、支持基板 5に転写部材 26上に形成された光 導波路部材 4を転写する工程である。具体的には、第 2クラッド層 8が支持基板 5に対 して接するように、光導波路部材 4を、接着剤を介して支持基板 5に固着する。このと き、光導波路部材 4の貫通電極 10と支持基板 5に配設される配線導体とが電気的に 接続されるようにする。 [0066] ステップ slOでは、図 3Hに示すように、転写部材 26を構成する転写シート 26aを転 写部材 26の金属膜 26bより剥離する工程である。
[0067] ステップ si 1では、図 31に示すように、第 1クラッド層 6上に残された転写部材 26を 構成する金属膜 26bをエッチングによって除去する工程である。金属膜 26bをエッチ ングによって除去すると、第 1クラッド層 6および貫通電極 10が露出する。
[0068] ステップ sl2では、図 3Jに示すように、貫通電極 10上に複数の発光素子 3を実装す る工程である。具体的には、発光素子 3をバンプ 24を介して貫通電極 10に接続する とともに、発光素子 3をダミーバンプ 25を介して第 1クラッド層 6に接続する。バンプ 24 やダミーバンプ 25を半田で形成する場合、貫通電極 10とバンプ 24とのセルファライ メント作用により、高精度で発光素子 3が位置決めされて実装される。このようにして 発光素子 3を実装すると、光配線モジュール 1が形成され、光配線モジュール製造処 理が終了する。
[0069] このとき、バンプ 24が接続される貫通電極 10の表面に凹部を形成すれば、バンプ 24やダミーバンプ 25が凹部に向力つてセルファライメントされ易くなり、発光素子 3の 位置決めが容易となる。
[0070] 以下では、このような製造方法が奏する効果にっ 、て説明する。本実施の形態の 製造方法によれば、光導波路部材を転写技術によって形成しているため、傾斜面 13 の形成が容易である。また、本実施形態のようにコア層 7を被覆する第 2クラッド層 8 によって傾斜面 13を連続的に被覆することができ、傾斜面 13を良好に第 2クラッド層 で被覆することができる。なお、傾斜面 13を第 1および第 2のクラッド層とは異なる第 3 のクラッド層で被覆することを排除するものではない。
[0071] また、本実施形態の製造方法によれば、反射膜 14を形成する際に、傾斜面 13の みならずコア層 7の表面も露出しているため、反射膜 14を傾斜面 13上に容易に形成 でき、光導波路部材 4、光配線基板 2、及び光配線モジュール 1の生産性を高く維持 することが可能となる。
[0072] 本実施形態の製造方法によれば、転写部材 26上に光導波路部材 4を形成した後 、光導波路部材 4を支持基板 5に固着するようにしているため、発光素子 3の実装面 である光導波路部材 4の表面を極めて平坦にすることができる。したがって、発光素 子 3の実装の位置決め精度が高ぐこれによつても生産性向上に寄与することが可能 となる。なお、発光素子 3の光の許容誤差は、光を反射するミラーとなる傾斜面 13及 び反射膜 14に対して ± 1 m以内とすることが好ましいため、このような許容誤差の 範囲内で発光素子 3が傾斜面 13等に位置合わせされる。
[0073] 本実施形態の製造方法によれば、傾斜面 13に対して間隔をあけて貫通電極 10が 形成されているため、支持基板 5の配線導体及び発光素子を容易に電気的に接続 することができる。また傾斜面 13に対して間隔をあけて貫通電極 10が形成されてい るので、発光素子 3または受光素子 42を配設する際、貫通電極 10を発光素子 3の位 置決めマーカとして用いることができる。
[0074] 本実施形態の製造方法によれば、貫通電極 10と転写部材 26を構成する前記金属 膜 26bとを同一の導電性材料により形成することにより、貫通電極 10と金属膜 26bと の固着強度を高め、光導波路部材 4を支持基板 5に対して転写する前に光導波路部 材 4が転写部材 26から離脱することを防止できる。
[0075] なお、第 1の実施形態では、発光素子 3と光導波路部材 4Dとの間には、空隙が形 成されている力 図 1Bに示すように、この空隙に発光素子 3から出射されるレーザ光 の通過領域を取り囲むように遮光部材 62を設けても良い。この場合、発光素子 3から 発せられる光が良好に外部と遮光される。その結果、発光素子 3の光が不所望に他 の発光素子ゃ受光素子に出射されたりすることが良好に防止される。
[0076] この遮光部材 62は、非光透過性榭脂により形成されている。非光透過性榭脂の一 例としては、たとえばエポキシ榭脂、シァネート榭脂、ポリフエ二レンエーテル榭脂、ビ スマレイミドトリアジン榭脂、またはポリイミド榭脂などにカーボン粉末、グラフアイト粉 末などを混合した榭脂が考えられる。また、非光透過性榭脂の他の例としては、染色 剤や着色剤を用いて黒くした榭脂材料や、エポキシ系榭脂にシリカ系フイラ一および カーボン粉末を混合した榭脂が考えられる。
[0077] このような非光透過性榭脂は、使用する波長の光 (たとえば 850nm)に対する榭脂 lcmあたりの光投入量に対する光透過量の割合 (光透過量 Z光投入量）が 30dB 以下のものであることが好ましぐさらに望ましくは 40dB以下のものが良い。
[0078] 光透過量は、例えば、第 1及び第 2の光ファイバを準備した後、両光ファイバ間に榭 脂を介在させ、第 1光ファイバから第 2光ファイバにレーザや LED等の光を伝送させ 、第 2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められ る。他方、光投入量の測定方法としては、例えば、第 1及び第 2の光ファイバ間に榭 脂を介在させずに直結させた状態で第 1光ファイバから第 2光ファイバに光を伝送さ せ、第 2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求めら れる。そして、この測定によって得られた 2つの光量を用いて光投入量に対する光透 過量の割合が求められる。
[0079] また本実施形態において、図 1Cに示す如ぐ発光素子 3と光導波路部材 4との間 に、光透過性榭脂から成る透光部材 63を設けてもよい。透光部材 63は、たとえば各 発光素子 3と光導波路部材 4との両方に当接するように設けられる。これによつて各 発光素子 3と光導波路部材 4とが、より強固に透光部材 63によって機械的に接続さ れる。
[0080] 透光部材 63とは、使用する波長の光 (たとえば 850nm)に対する透光部材 lcmあ たりの光投入量に対する光の減衰量 (損失)の割合 (光減衰量 Z光投入量)が 6dB以 下のものである。望ましくは 3dB以下のものが好適に用いられ、最適には 0. 5dB以 下がよい。
[0081] この光透過量は、例えば、第 1及び第 2の光ファイバを準備した上、両光ファイバ間 に榭脂を介在させ、第 1光ファイバから第 2光ファイバにレーザや LED等の光を伝送 させ、第 2光ファイノからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求め られる。一方、光減衰量は、まず、光投入量を求め、光投入量から光透過量を減じる ことで算出される。光投入量は、第 1及び第 2の光ファイバ間に榭脂を介在させずに 直結させた状態で第 1光ファイバから第 2光ファイバに光を伝送させ、第 2光ファイバ 力 の出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。そして、この 測定によって得られた 2つの光量の比によって光投入量に対する光の減衰量 (損失） の割合が求められる。
[0082] このような透光部材 63は、たとえばエポキシ榭脂、アクリル榭脂またはシリコン榭脂 などをディスペンサーなどで所定量注入して硬化させることにより形成される。
[0083] さらに本実施形態においては、図 1Dに示す如ぐ傾斜面 13に反射膜 14を形成し ているが、必ずしも形成する必要はない。たとえば反射膜 14に代えて、第 2クラッド層 8と傾斜面 13との間に空間 Sを形成してもよい。空間 Sにおける気体の屈折率がコア 層 7の屈折率より高い場合、傾斜面 13で反射するので、反射膜 14を設ける場合と同 様の作用効果を奏する。
[0084] また本実施形態において、貫通電極 10の形成をステップ si 1の後に行っても良い 。この場合、配線基板の配線導体と貫通電極 10の接続が強固にできる力 貫通電極 10を形成するための電気めつきの作業性が悪い場合がある。したがって、この場合 は、ステップ si 1において金属膜 26bが除去されることで露出される第 1クラッド層 6の 表面に、無電界めつき法あるいは蒸着法、スパッタ法などにより、銅、ニッケル、クロム 、チタン、タングステン、またはモリブデンなどの導電材料層を被着した後、該導電材 料層を介して貫通孔 16内に貫通電極 10を形成するようにしても良い。このとき、無電 界めっきによって第 1クラッド層 6上に導電材料層を形成することは困難である。した がって、次のような方法により貫通電極 10を形成することが好ましい。
[0085] まず、図 3Kに示す如ぐ第 1クラッド層 6および貫通孔 16内にエポキシ榭脂等から なる榭脂材料層 64を積層する。次に、図 3Lに示す如ぐ榭脂材料層 64の表面上に 無電界めつき法による第 1導電材料層 65を形成する。続いて、図 3Mに示す如ぐ第 1導電材料層 65を介して電気めつきにより貫通孔 16内に貫通電極 10を形成する。こ のとき、第 1導電材料層 65層上には貫通電極 10と同質材料カゝらなる第 2導電材料層 66が形成される。そして、必要であれば、榭脂材料層 64、第 1導電材料層 65及び第 2導電材料層 66をエッチング等により除去したり、あるいは、パターンカ卩ェしたりして も良い。
[0086] (第 2の実施形態）
図 4Aは第 2の実施形態に係る光配線基板 2Aを示す斜視断面図であり、図 4Bは 第 2の実施形態に係る光配線モジュール 1Aを示す斜視断面図、図 4Cは第 2の実施 形態に係る光配線モジュール 1Aの変形例を示す斜視断面図である。ここでは、第 1 の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を 省略する。また、基本的には、第 1の実施形態が有する効果を奏するものとする。
[0087] 光配線モジュール 1Aは、転写部材 26を構成する金属膜 26bを完全に除去するの ではなぐ発光素子 3の搭載領域や貫通電極 10の形成領域に位置する金属膜 26b を除去し、その他の金属膜 26bを残存させている。したがって、残存させた金属膜 26 bをエッチング加工することにより、電気配線として使用することができるため、光導波 路部材 4A上に新たに転写、めっきなどの方法で電気配線を形成する必要がなぐェ 数を低減することができる。
[0088] また、本実施形態において、図 4Cに示すように、金属膜 26bに対してダミーバンプ 25を介して発光素子 3を接続するようにしても良いし、ダミーバンプ 25を通常のバン プとして機能させ、金属膜 26bと発光素子 3とを電気的に接続するようにしても構わな い。
[0089] なお、本実施形態の光配線モジュール 1Aが、第 1実施形態と同様の効果を奏する ことは勿論である。
[0090] (第 3の実施形態）
図 5は、第 3の実施形態の光配線モジュール 1Bを示す図である。ここでは、第 1の 実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省 略する。また、基本的には、第 1の実施形態が有する効果を奏するものとする。
[0091] 光配線モジュール 1Bは、第 1の実施形態とは異なり、傾斜面 13Bが第 2クラッド層 8 側に突出するように曲面状に湾曲している。したがって、発光素子 3が光導波路部材 4Bの表面に対して傾いた場合であっても、傾斜面 13に入射された発光素子 3の光 をコア層 7に向力つて良好に反射させることができる。それ故、発光素子 3や受光素 子 42の配置位置に対する制限を軽減でき、配設位置に対する許容誤差を大きくす ることができ、光配線モジュールの生産性を向上させることができる。
[0092] このような形状を有する傾斜面 13Bは、第 1実施形態におけるステップ s4において コア材料層 27を工具 32Bで押圧する際に、図 5の仮想線で示すような傾斜面 13Bに 対応した形状を先端部に有する工具 32Bを用 ヽることによって形成される。
[0093] この工具 32Bを曲面にすることで、曲面の加工ができる。また、コア材料層 27を構 成する榭脂材料の硬化反応が 50%から 90%の範囲の場合は、コア材料層 27の弹 性変形を利用して傾斜面 13Bを曲線とすることができる。
[0094] 本実施の形態では、傾斜面 13Bが湾曲状に形成されているけれども、必ずしもこの ような形状に限定されない。発光素子 3からの光をコア層 7に良好に反射することが できるのであれば、傾斜面の形状は階段状であってもよ 、。
[0095] (第 4の実施形態）
図 6は、第 4の実施形態の光配線モジュール 1Cを示す図である。ここでは、第 1の 実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省 略する。また、基本的には、第 1の実施形態が有する効果を奏するものとする。
[0096] 光配線モジュール 1Cでは、コア層 7の一端部ではなぐコア層 7の中間部に傾斜面 13が形成されている点で第 1の実施形態と構成が異なっている。このような場合であ つても、第 1の実施形態と同様の効果を得られるため、傾斜面 13の形成位置の自由 度は高い。
[0097] (第 5の実施形態）
図 7は、第 5の実施形態に係る光導波路部材 4Dを示す断面図である。ここでは、第 2の実施形態の光導波路部材 4Aと異なる構成 ·製造方法についてのみ説明し、共 通する構成についてはその説明を省略する。
[0098] 本実施の形態は、第 2の実施形態と類似し、光導波路部材 4Dは、第 1クラッド層 6 に接する第 2金属膜 26bを含んで構成されているが、本実施形態は、第 2の実施形 態とは異なり、第 3金属膜 52が第 2クラッド層 8上に被着されている点で他の実施形 態とは異なる。すなわち、光導波路部材 4Dの両面に金属膜が存在している。
[0099] 第 2金属膜 26bは、第 2の実施形態と同様に転写によって形成しても良いし、あるい は、無電界めつき等を用いて形成しても良い。この場合、第 2金属膜 26bと第 1クラッ ド層 6との密着強度を高めるために、第 2金属膜 26bを形成する前に、エポキシ榭脂 を第 1クラッド層 6上に形成した上で、第 2金属膜 26bを形成するための無電界めつき を行なうのが良い。
[0100] また、第 3金属膜 52は、第 2金属膜 26bと同様に、転写によって形成しても良いし、 無電界めつき法によって形成しても良い。また、無電界めつきを行なう前に、第 3金属 膜 52を形成する前に、エポキシ榭脂を第 2クラッド層 8上に形成した方が良い。
[0101] また、本実施形態の光導波路部材 4Dは、支持基板 5に搭載しても良いし、搭載し なくても良いが、支持基板 5に光導波路部材 4Dを搭載しない場合であっても、第 2金 属膜 26bや第 3金属膜 52を所定パターンに加工することにより、光導波路部材 4Dに 配線基板としての機能を付加することができる。一方、支持基板 5に光導波路部材 4 Dを搭載する場合、光導波路部材 4Dを支持基板 5に搭載する前に、光半導体素子（ 発光素子または受光素子)を光導波路部材 4Dに搭載しても良い。
[0102] (第 6実施形態）
図 8は、第 6の実施形態に係る携帯電話装置 105 (表示装置)を示す斜視図である 。図 9A及び図 9Bは、携帯電話装置 105の要部の拡大断面図である。なお、図 9A, 9Bでは、コア層 7や貫通電極 10、傾斜面 13及び反射膜 14等の図示を省略している
[0103] 本実施形態の携帯電話装置 105は、表示部 106を有する第 1筐体 107と、操作部 108を有する第 2筐体 109と、第 1筐体 107と第 2筐体 109とを接続する接続部 110と 、を備えている。第 2筐体 109は、第 1筐体 107に対して変位可能に構成され、両者 は接続部 110を介して接続されて 、る。
[0104] 例えば、携帯電話装置 105は、第 1筐体 107と第 2筐体 109との角度を調整するこ とにより、図 9Aに示すように、表示部 106と操作部 108とを離間させた開状態や、図 9Bに示すように、表示部 106と操作部 108とを対面させた閉状態に調整可能である
[0105] これら第 1筐体 107、第 2筐体 109および接続部 110の内部には、第 5の実施形態 に係る光導波路部材 4Dが収容されており、該光導波路部材 4Dによって第 1筐体 10 7の表示部 106と第 2筐体 109の操作部 108とが光学的に接続されている。
[0106] この光導波路部材 4Dは、後述するように、その両側に発光素子 3と受光素子 42を 有しており、該発光素子 3と受光素子 42の近傍に、貫通電極 10や傾斜面 13、反射 膜 14等を有している。
[0107] 力かる光導波路部材 4Dは、可撓性を有しているため、図 9Bのように、湾曲した状 態であっても、光通信可能に構成される。なお、光導波路部材 4Dは、ヤング率が 3G Pa以下であることが好ま 、。また光導波路部材 4Dに対して良好な可撓性を付与 するためには、第 1クラッド層 6、コア層 7及び第 2クラッド層 8の合計厚みが 90 m以 下で、且つ、第 1金属膜 26b及び第 3金属膜 52の合計厚みが 18 m以下となるよう に、設定することが好ましい。
[0108] 一方、第 2筐体 109には、光導波路部材 4Dを支持し、操作部 108に電気的に接続 される配線基板 5bと、該配線基板 5bからの電気信号に基づいて光を発し、その光を 光信号として光導波路部材 4Dに伝達する発光素子 3と、が収容されている。発光素 子 3と配線基板 5bとは、光導波路部材 4Dの貫通電極 10を介して電気的に接続され ている。また、発光素子 3の光は、光導波路部材 4Dの傾斜面 13や反射膜 14を介し てコア層 7に伝達される。
[0109] また第 1筐体 107には、光導波路部材 4Dを支持し、表示部 106に電気的に接続さ れる配線基板 5aと、光導波路部材 4Dより伝達された光信号を受光し、該受光した光 信号を電気信号に変換して配線基板 5aに電気信号を伝達する受光素子 42と、が収 容されている。受光素子 42と配線基板 5aとは、光導波路部材 4Dの貫通電極 10を介 して電気的に接続されている。また、受光素子 42への光は、光導波路部材 4Dの傾 斜面 13や反射膜 14を介してコア層 7に伝達される。また、配線基板 5a、 5bとしては、 第 1乃至第 5実施形態に示された配線基板が使用可能である。
[0110] 操作部 108から入力された情報は、第 2筐体 109内の図示しない電気回路によつ て配線基板 5bに電気信号として伝達され、その電気信号が光導波路部材 4Dの貫 通電極 10を介して発光素子 3に供給される。発光素子 3によって電気信号が光信号 に変換されると、その光信号が光導波路部材 4Dの傾斜面 13を介してコア層 7に伝 達される。そして、コア層 7に伝達された光信号が光導波路部材 4Dの傾斜面 13を介 して受光素子 42に入力される。そして、受光素子 42によって光信号が電気信号に変 換されると、該電気信号が光導波路部材 4Dの貫通電極 10を介して配線基板 5a〖こ 伝達される。そして、配線基板 5aを介して表示部 106内の駆動 ICに電気信号が伝 達され、該駆動 ICによって画像表示がなされる。
[0111] このように本実施の形態では、光導波路部材 4Dによって、第 1筐体 107の表示部 1 06と第 2筐体 109の操作部 108とが光学的に接続されるので、表示部 106に送信す べき情報が多い場合であっても、高速かつ低電力で送信することができる。これによ つて利便性の高い携帯電話装置 105を実現することができる。
[0112] なお、本実施形態においては、表示装置の例として携帯電話装置を例に説明した 力 例えば、パソコンに適用することも可能である。また、光導波路部材 4Dは、 DVD プレーヤー、 DVDレコーダーまたはビデオデッキ等の再生録画機とテレビとを接続 する接続部材、テレビとビデオカメラとを接続する接続部材等のように、複数の電子 機器同士を接続する接続部材として用いることも可能である。
図面の簡単な説明
[図 1A]本発明の第 1の実施形態に力かる光配線モジュール 1を示す斜視断面図であ る。
[図 1B]本発明の第 1の実施形態に力かる光配線モジュール 1の変形例を示す斜視 断面図である。
[図 1C]本発明の第 1の実施形態に力かる光配線モジュール 1の変形例を示す斜視 断面図である。
[図 1D]本発明の第 1の実施形態に力かる光配線モジュール 1の変形例を示す斜視 断面図である。
[図 2]図 1に示す光配線モジュール 1の製造方法の各工程のフローチャートを示す図 である。
[図 3A]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3B]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3C]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3D]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3E]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3F]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3G]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 3H]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図であ る。
[図 31]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図である
[図 3J]図 1に示す光配線モジュールの製造方法を説明するための斜視断面図である
[図 3K]貫通電極の形成方法を説明するための斜視断面図である。
[図 3L]貫通電極の形成方法を説明するための斜視断面図である。
[図 3M]貫通電極の形成方法を説明するための斜視断面図である。
[図 3N]転写部材を説明するための断面図である。
[図 4A]本発明の第2の実施形態に係る光配線基板 2Aを示す斜視断面図である。
[図 4B]本発明の第 2の実施形態に係る光配線モジュール 1Aを示す斜視断面図であ る。
[図 4C]本発明の第 2の実施形態に係る光配線モジュール 1Aの変形例を示す斜視 断面図である。
[図 5]本発明の第 3の実施形態に係る光配線モジュール 1Bを示す図である。
[図 6]本発明の第 4の実施形態に係る光配線モジュール 1Cを示す図である。
[図 7]本発明の第 5の実施形態に係る光配線モジュール 1Dを示す断面図である。
[図 8]本発明の第 6の実施形態に係る携帯電話装置 105を示す斜視図である。
[図 9A]図 8に示す携帯電話装置 105の要部拡大断面図である。
[図 9B]図 8に示す携帯電話装置 105の要部拡大断面図である。
符号の説明
1 光配線モジュール
2 光配線基板
3 発光素子
4 光導波路部材
5 支持基板 第 1クラッド層 コア層
第 2クラッド層 貫通電極 傾斜面 反射膜 貫通孔 転写部材a 転写シートb 第 1金属膜a， 第 2金属膜 受光素子 第 3金属膜 遮光部材 透明部材 樹脂材料層 第 1導電材料層 第 2導電材料層 携帯電話装置 表示部 第 1筐体 操作部 第 2筐体 接続部

Claims

請求の範囲
[1] 転写シート及び金属膜を有し、前記転写シートと前記金属膜とが剥離可能な状態 に保持されている転写部材を準備する工程と、
前記転写部材の前記金属膜上に第 1クラッド層を形成する工程と、
前記第 1クラッド層上に光を伝播させるコア層を積層する工程と、
前記コア層上に、該コア層を被覆する第 2クラッド層を積層することにより、前記第 1 クラッド層、前記コア層、および前記第 2クラッド層を含んで構成される積層体を形成 する工程と、を備えた光導波路部材の製造方法。
[2] 請求項 1に記載の光導波路部材の製造方法にお!、て、
前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離する工程を更に備えた光導 波路部材の製造方法。
[3] 請求項 2に記載の光導波路部材の製造方法にお 、て、
前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後に、前記金属膜を除 去する工程を更に備えた光導波路部材の製造方法。
[4] 請求項 2に記載の光導波路部材の製造方法にお 、て、
前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後に、前記金属膜をパ ターン加工する工程を更に備えた光導波路部材の製造方法。
[5] 請求項 1に記載の光導波路部材の製造方法にお!、て、
前記コア層に傾斜面を設ける工程を更に備え、
前記傾斜面と前記第 1クラッド層と接する前記コア層の表面との間の傾斜角度 αが 90度よりも小さ 、光導波路部材の製造方法。
[6] 請求項 5に記載の光導波路部材の製造方法にお 、て、
前記コア層に設けられた前記傾斜面上に反射膜を設ける工程を更に備え、 前記積層体は前記反射膜を含んで構成されている光導波路部材の製造方法。
[7] 請求項 1に記載の光導波路部材の製造方法にお!、て、
前記転写シートは、前記金属膜と接する面に第 2金属膜を有しており、該第 2金属 膜と前記金属膜との間で剥離可能となっている光導波路部材の製造方法。
[8] 請求項 1に記載の光導波路部材の製造方法にお!、て、 前記第 2クラッド層上に、第 3金属膜が被着される光導波路部材の製造方法。
[9] 請求項 8に記載の光導波路部材の製造方法にお 、て、
前記金属膜および前記第 3金属膜の少なくともいずれか一方が所定パターンに加 ェされる光導波路部材の製造方法。
[10] 転写シート及び金属膜を有し、前記転写シートと前記金属膜とが剥離可能な状態 に保持されている転写部材を準備する工程と、
前記転写部材の前記金属膜上に第 1クラッド層を形成する工程と、
前記第 1クラッド層上に光を伝播させるコア層を積層する工程と、
前記コア層上に、該コア層を被覆する第 2クラッド層を積層することにより、前記第 1 クラッド層、前記コア層、および前記第 2クラッド層を含んで構成される積層体を形成 する工程と、
前記積層体を、前記第 2クラッド層を配線基板に対して対向させるように前記配線 基板に被着させる工程と、
前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離する工程と、を備えた光配 線基板の製造方法。
[11] 請求項 10に記載の光配線基板の製造方法において、
前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後、前記金属膜を除去 する工程を更に備えた光配線基板の製造方法。
[12] 請求項 10に記載の光配線基板の製造方法において、
前記転写シートを前記積層体及び前記金属膜より剥離した後、前記金属膜をバタ ーン加工する工程を更に備えた光配線基板の製造方法。
[13] 請求項 10に記載の光配線基板の製造方法において、
前記コア層に傾斜面を設ける工程を更に備え、
前記傾斜面と前記第 1クラッド層と接する前記コア層の表面との間の角度 αが 90° よりも小さ!、光配線基板の製造方法。
[14] 請求項 10に記載の光配線基板の製造方法において、
前記コア層に設けられた傾斜面上に反射膜を設ける工程を更に備え、 前記積層体は前記反射膜を含んで構成されている光配線基板の製造方法。
[15] 配線基板と、該配線基板上に配設される光導波路部材と、を備え、 前記光導波路部材は、第 1クラッド層と、該第 1クラッド層よりも配線基板側に配置さ れる第 2クラッド層と、前記第 1クラッド層と前記第 2クラッド層との間に介在され、傾斜 面を有する複数のコア層と、を有し、前記第 1クラッド層側に位置するコア層の表面と 前記傾斜面との間の角度 exは 90度よりも小さい光配線基板。
[16] 請求項 15に記載の光配線基板において、
前記角度 exが 41度以上 49度以下である光配線基板。
[17] 請求項 15に記載の光配線基板において、
前記傾斜面が、前記第 2クラッド層側に突出した曲面状に形成されている光配線基 板。
[18] 請求項 15に記載の光配線基板において、
前記傾斜面上に光を反射するための反射膜が被着されている光配線基板。
[19] 請求項 18に記載の光配線基板において、
前記第 2クラッド層は、前記傾斜面及び前記反射膜を被覆するように形成されて！ヽ る光配線基板。
[20] 請求項 15に記載の光配線基板において、
前記光導波路部材の表面は、平坦面である光配線基板。
[21] 請求項 15に記載の光配線基板において、
前記光導波路部材は、前記第 1クラッド層の前記配線基板と反対側の表面に、導 電層を有する光配線基板。
[22] 請求項 15に記載の光配線基板において、
前記光導波路部材は、第 1クラッド層の前記配線基板と反対側の表面と前記導電 層との間に榭脂層を有し、前記導電層が無電界めつき法により形成されている光配 基板。
[23] 請求項 15に記載の光配線基板と、
前記配線パターンに接続される光半導体素子と、を備えた光配線モジュール。
[24] 第 1クラッド層と、該第 1クラッド層上に配置され、傾斜面を有するコア層と、前記傾 斜面を含むコア層を連続的に被覆する第 2クラッド層と、を備えた光導波路部材。
[25] 請求項 24に記載の光導波路部材において、
前記第 1クラッド層及び前記第 2クラッド層に一対の金属膜を有し、該一対の金属膜 の少なくともいずれか一方が転写により被着されている光導波路部材。
[26] 表示部と、前記表示部を制御する操作部と、前記表示部と前記操作部とを光学的に 接続する請求項 24に記載の光導波路部材と、を備えた表示装置。
PCT/JP2006/323623 2005-12-02 2006-11-27 光導波路部材、光配線基板、光配線モジュール及び表示装置、並びに光導波路部材および光配線基板の製造方法 WO2007063813A1 (ja)

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