JP4771924B2 - 光配線基板および光配線モジュールの製造方法 - Google Patents
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ートを前記積層体および前記金属膜より剥離する工程と、前記転写シートを前記積層体および前記金属膜より剥離した後、前記金属膜の少なくとも一部を除去する工程と、を備えている。
図1Aは、第1の実施形態に係る光配線モジュール1を示す斜視断面図である。
図4Aは第2の実施形態に係る光配線基板2Aを示す斜視断面図であり、図4Bは第2の実施形態に係る光配線モジュール1Aを示す斜視断面図、図4Cは第2の実施形態に係る光配線モジュール1Aの変形例を示す斜視断面図である。ここでは、第1の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。また、基本的には、第1の実施形態が有する効果を奏するものとする。
図5は、第3の実施形態の光配線モジュール1Bを示す図である。ここでは、第1の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。また、基本的には、第1の実施形態が有する効果を奏するものとする。
図6は、第4の実施形態の光配線モジュール1Cを示す図である。ここでは、第1の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。また、基本的には、第1の実施形態が有する効果を奏するものとする。
図7は、第5の実施形態に係る光導波路部材4Dを示す断面図である。ここでは、第2の実施形態の光導波路部材4Aと異なる構成・製造方法についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。
図8は、第6の実施形態に係る携帯電話装置105(表示装置)を示す斜視図である。図9A及び図9Bは、携帯電話装置105の要部の拡大断面図である。なお、図9A,9Bでは、コア層7や貫通電極10、傾斜面13及び反射膜14等の図示を省略している。
2 光配線基板
3 発光素子
4 光導波路部材
5 支持基板
6 第1クラッド層
7 コア層
8 第2クラッド層
10 貫通電極
13 傾斜面
14 反射膜
16 貫通孔
26 転写部材
26a 転写シート
26b 第1金属膜
26a’ 第2金属膜
42 受光素子
52 第3金属膜
62 遮光部材
63 透明部材
64 樹脂材料層
65 第1導電材料層
66 第2導電材料層
105 携帯電話装置
106 表示部
107 第1筐体
108 操作部
109 第2筐体
110 接続部
Claims (10)
- 転写シートおよび金属膜を有し、前記転写シートと前記金属膜とが剥離可能な状態に保持されている転写部材を準備する工程と、
前記転写部材の前記金属膜上に第1クラッド層を形成する工程と、
前記第1クラッド層上に光を伝播させるコア層を積層する工程と、
前記コア層に前記光を反射させる傾斜面を形成する工程と、
前記コア層上に、該コア層を被覆する第2クラッド層を積層することにより、前記第1クラッド層、前記コア層、および前記第2クラッド層を含んで構成される積層体を形成する工程と、
前記転写部材上において、前記積層体を厚み方向に貫通して貫通孔を形成する工程と、
前記転写部材上において、前記貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、
前記積層体を、前記第2クラッド層を配線基板に対して対向させるように前記配線基板に被着させ、前記貫通電極と前記配線基板の配線導体とを電気的に接続させる工程と、
前記転写シートを前記積層体および前記金属膜より剥離する工程と、
前記転写シートを前記積層体および前記金属膜より剥離した後、前記金属膜の少なくとも一部を除去する工程と、を備えた光配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の光配線基板の製造方法において、
前記貫通孔を形成する工程にて、
前記第2クラッド層側の幅が前記第1クラッド層側の幅よりも大きい前記貫通孔を形成し、
前記貫通電極を形成する工程にて、
前記第2クラッド層側の幅が前記第1クラッド層側の幅よりも大きい前記貫通電極を形成する光配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の光配線基板の製造方法において、
前記貫通孔を形成する工程にて、
レーザを用いて前記第2クラッド側から貫通孔を形成する光配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の光配線基板の製造方法において、
前記貫通孔を形成する工程にて、
前記金属膜を露出する前記貫通孔を形成し、
前記貫通電極を形成する工程にて、
前記金属膜を通電して電気めっきを行うことによって、前記貫通電極を形成する光配線
基板の製造方法。 - 請求項4に記載の光配線基板の製造方法において、
前記貫通電極を形成する工程にて、
前記貫通孔に充填された前記貫通電極を形成する光配線基板の製造方法。 - 請求項5に記載の光配線基板の製造方法において、
前記貫通電極を形成する工程にて、
前記第2クラッド層の主面と平坦面をなす前記貫通電極を形成する光配線基板の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の光配線基板の製造方法において、
前記金属膜を除去する工程にて、
前記貫通電極の形成領域に位置する前記金属膜を除去して、前記貫通電極を露出させる光配線基板の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の光配線基板の製造方法において、
前記金属膜を除去する工程にて、
前記貫通電極の形成領域に位置する前記金属膜を残存させつつ、前記第1クラッド層の少なくとも一部を露出させる光配線基板の製造方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の光配線基板の製造方法において、
前記コア層を積層する工程にて、
前記第1クラッド層上に透光性材料層を積層し、該透光性材料層をパターン加工して、前記コア層および電極形成層を形成し、
前記積層体を形成する工程にて、
前記電極形成層を更に含んで構成される前記積層体を形成し、
前記貫通孔を形成する工程にて、
前記電極形成層を貫通するように前記貫通孔を形成する光配線基板の製造方法。 - 請求項1ないし9のいずれかに記載の光配線基板の製造方法によって作製された光配線基板に光半導体素子を実装し、該光半導体素子と前記貫通電極とを電気的に接続する工程を備えた光配線モジュールの製造方法。
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