CN1637101A - 抛光组合物和抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的抛光组合物含有二氧化硅、碱性化合物和水。二氧化硅是例如胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。碱性化合物是例如碳酸铵，碳酸钾，碳酸钠，碳酸氢铵，碳酸氢钾，碳酸氢钠，磷酸铵，磷酸钾，磷酸钠，磷酸氢铵，磷酸氢钾，或磷酸氢钠。该抛光组合物适用于抛光玻璃基片。

Description

抛光组合物和抛光方法
                               技术领域
本发明涉及对硬盘等作为信息记录介质的玻璃基片抛光用的抛光组合物。本发明还涉及用所述抛光组合物的抛光方法。
                               背景技术
传统上已知一种作为信息记录介质的玻璃基片抛光用的抛光组合物。日本公开专利公报NO.2001-89748披露了一种抛光组合物(下文称第一先前技术的抛光组合物)，其含有：以稀土金属氧化物如氧化铈作为主要成分的磨料；以及水。日本公开专利公报NO.2000-144112披露了一种抛光组合物(下文称第二先前技术的抛光组合物)，其含有：由选自含铁的氧化物和含铁基的化合物中的至少一种组成的磨料；以及水。第一先前技术和第二先前技术的抛光组合物通过研磨对玻璃基片进行机械式抛光。
玻璃基片抛光所用的抛光组合物应当满足以下要求：
(1)抛光过的玻璃基片的表面粗糙度必须小；
(2)抛光组合物容易被清洗去，即，通过清洗很容易把抛光组合物从玻璃基片上除去；
(3)磨料在抛光组合物中具有很好的分散性；以及
(4)抛光组合物具有较高的切削率，也就是，抛光组合物对玻璃基片具有很强的抛光能力。
然而，第一先前技术和第二先前技术的抛光组合物并不能满足上述要求，应当加以改善。
                               发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种非常适合在抛光玻璃基片中使用的抛光组合物。本发明的另一个目的在于提供使用所述抛光组合物的抛光方法。
根据本发明的目的，为了达到上述以及其它目标，本发明提供了一种用于抛光玻璃基片的抛光组合物。这种抛光组合物含有二氧化硅、碱性化合物和水。
本发明还提供了一种抛光玻璃基片的抛光方法。该方法包括制备上述抛光组合物，以及使用所制备的抛光组合物抛光玻璃基片的表面。
本发明的其他方面和优点将通过下面对本发明原理所举实施例的描述得以显而易见。
                             具体实施方式
下面描述本发明的一个实施方式。
用作信息记录介质如磁盘的玻璃基片由例如铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、钠铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、石英玻璃或微晶玻璃所构成。微晶玻璃的主晶相可以是锂辉石，莫来石，硼酸铝晶体，β-石英固溶体，α-石英，堇青石，顽辉石，钡长石，钙硅石，钙长石，镁橄榄石，硅酸锂，或焦硅酸锂。玻璃基片通常经过化学机械抛光(CMP)而获得镜面加工面。
为了提高切削率以及改善抛光后玻璃基片的表面质量，一般把玻璃基片的抛光过程分成数个抛光步骤进行。这数个抛光步骤包括，例如，玻璃基片表面的粗抛步骤和玻璃基片表面的超精抛步骤。换句话说，数个抛光步骤包括，例如，玻璃基片表面的预抛步骤和玻璃基片表面的精抛步骤。本实施方式的抛光组合物用于，例如，这数个抛光步骤中的最终抛光步骤(精抛步骤)。为了提高抗冲击和抗振动性，抛光后的玻璃基片通常还要进行低温离子交换法等化学增强处理。
本实施方式的抛光组合物包含二氧化硅，碱性化合物，以及水。
二氧化硅是作为机械抛光玻璃基片的磨料。二氧化硅可以是胶体二氧化硅，热解法二氧化硅，或沉淀法二氧化硅。其中，因胶体二氧化硅和热解法二氧化硅能在抛光后降低玻璃基片的表面粗糙度而受到优选，且进一步优选胶体二氧化硅。抛光组合物中可含有一种或多种二氧化硅。
如果二氧化硅是胶体二氧化硅，用BET法通过测定胶体二氧化硅的比表面积而得到的平均粒径DSA优选在5～300nm的范围内，进一步优选在5～200nm的范围内，最优选在5～120nm的范围内。用激光衍射散射法测得的胶体二氧化硅的平均粒径DN4优选在5～300nm的范围内，进一步优选在5～200nm的范围内，最优选在5～150nm的范围内。如果二氧化硅是热解法二氧化硅，热解法二氧化硅的平均粒径DSA优选在10～300nm的范围内，进一步优选在10～200nm的范围内，最优选在10～120nm的范围内。热解法二氧化硅的平均粒径DN4优选在30～500nm的范围内，进一步优选在40～400nm的范围内，最优选在50～300nm的范围内。如果胶体二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太小，或者热解法二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太小，则难以获得足够高的切削率。如果胶体二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太大，或者热解法二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太大，则抛光后玻璃基片的表面粗糙度将极有可能变大，或者抛光后玻璃基片表面会出现刮擦痕迹。
二氧化硅在抛光组合物中的含量优选在0.1～50mass％的范围内，进一步优选在1～40mass％的范围内，最优选在3～30mass％的范围内。如果二氧化硅的含量小于0.1mass％，将难以获得足够高的切削率，或者由于较高的抛光阻力而难以对玻璃基片进行抛光。如果二氧化硅的含量大于50mass％，抛光组合物的粘度将会极大的增加，使抛光组合物易发生凝胶化，导致抛光组合物的操作性下降。
碱性化合物是作为用来促进二氧化硅机械抛光的抛光促进剂。碱性化合物促进机械抛光的原理被认为是碱性化合物作用于二氧化硅的表面使其激活，从而增大了二氧化硅的机械抛光力。作为次级作用，碱性化合物还会对玻璃基片表面进行侵蚀或蚀刻，从而对玻璃基片表面进行化学抛光。碱性化合物的化学抛光作用比二氧化硅的机械抛光作用弱。
碱性化合物可以是选自碳酸、磷酸、焦磷酸(二磷酸)、柠檬酸、葡萄糖酸、丁二酸、乙酸、草酸、酒石酸、山梨酸和硝酸中一种酸的碱金属盐，碱土金属盐，或铵盐。或者，碱性化合物可以是选自碱金属、碱土金属和氨中一种的铁氰化物，氟化物，或氢氧化物。或者，碱性化合物可以是氢氧化季铵。碱性化合物中的碱金属可以是钾、锂和钠。碱性化合物中的碱土金属可以是钙。其中，优选选自碳酸、磷酸和焦磷酸中一种酸的碱金属盐，碱土金属盐，或铵盐，因为它们极大的提高了切削率。
具体的，碱性化合物的例子包括碳酸铵，碳酸钾，碳酸钠，碳酸氢铵，碳酸氢钾，碳酸氢钠，磷酸铵，磷酸钾，磷酸钠，磷酸氢铵如磷酸氢二铵，磷酸氢钾如磷酸氢二钾，磷酸氢钠如磷酸氢二钠，焦磷酸钾，焦磷酸钠，柠檬酸钾，柠檬酸氢钾如柠檬酸氢二钾，葡萄糖酸钾，丁二酸钾，乙酸铵，草酸钾，草酸氢铵，酒石酸铵，酒石酸钾，酒石酸氢铵，酒石酸钾钠，山梨酸钾，硝酸钙，铁氰化钾，氟化铵，氟化钾，氟化钙，氢氧化钾，氢氧化铵，以及氢氧化四甲基铵(TMAH)。其中，优选碳酸铵，碳酸钾，碳酸钠，碳酸氢铵，碳酸氢钾，碳酸氢钠，磷酸铵，磷酸钾，磷酸钠，磷酸氢铵，磷酸氢钾，和磷酸氢钠，因为它们极大的提高了切削率。抛光组合物中可含有一种或多种碱性化合物。
碱性化合物在抛光组合物中的含量优选在0.05～10mass％的范围内，进一步优选在0.1～8mass％的范围内，最优选在0.3～5mass％的范围内。如果碱性化合物的含量小于0.05mass％，则由于碱性化合物对玻璃基片表面的化学抛光作用很弱而难以获得足够高的切削率。如果碱性化合物的含量大于10mass％，抛光组合物的粘度将会极大增加，使抛光组合物易发生凝胶化，这是不经济的，而且增大了玻璃基片在抛光后表面变粗糙的可能性。
水用于溶解或分散抛光组合物中除水以外的各组分。水优选含有尽可能少的杂质，以避免阻碍其他组分的作用。具体说，优选用离子交换树脂除去杂质离子后再用过滤器除去污染物而得到的纯水或超纯水，或蒸馏水。
抛光组合物可进一步含有氧化剂。氧化剂是作为抛光促进剂使用，通过氧化玻璃基片表面来促进二氧化硅的机械抛光。氧化剂可以是过氧化氢水溶液(31mass％)，或者可以是选自过硫酸、氯酸、高氯酸、高碘酸和溴酸中一种酸的碱金属盐如钾盐和钠盐，或铵盐。具体的，氧化剂的例子包括过氧化氢，过硫酸铵，氯酸钾，高氯酸钾，高氯酸钠，高碘酸钾，高碘酸钠，溴酸钾，以及溴酸钠。其中，优选过氧化氢，因为过氧化氢对二氧化硅机械抛光的促进作用非常大。抛光组合物中可含有一种或多种氧化剂。
氧化剂在抛光组合物中的含量优选在0.005～10mass％的范围内，进一步优选在0.01～8mass％的范围内，最优选在0.03～5mass％的范围内。如果氧化剂的含量小于0.005mass％，则由于氧化剂对二氧化硅机械抛光的促进作用很弱而难以获得足够高的切削率。如果氧化剂的含量大于10mass％，抛光组合物的粘度将会极大增加，使抛光组合物易发生凝胶化，这是不经济的，而且进一步增大了玻璃基片在抛光后表面变粗糙的可能性。
抛光组合物可根据需要进一步含有螯合剂，表面活性剂，防腐剂等。
抛光组合物是通过将除水以外的各组分与水混合而成的。混合中可使用叶片式搅拌器或超声波分散器。除水以外的各组分混合到水中的次序没有限定。
本实施方式的抛光组合物可用水稀释后使用，也可不经稀释使用。当抛光组合物用水稀释，稀释比(体积比)优选不超过50倍，进一步优选不超过20倍，最优选不超过10倍。如果稀释比超过50倍，稀释后抛光组合物中二氧化硅和碱性化合物的含量会变得非常低，导致不能获得足够高的切削率。
下面描述通过进行包含粗抛步骤和超精抛步骤在内的二阶段抛光工艺抛光玻璃基片的情况。首先，在粗抛步骤中，使用含有氧化铈的抛光浆料对玻璃基片进行相对粗糙的抛光。其次，在作为最终抛光步骤的超精抛步骤中，使用本实施方式的抛光组合物对玻璃基片表面进行超精抛光。在超精抛光中，连接抛光头的玻璃基片以一定的压力被保持压在转盘上的抛光垫片，当抛光头和转盘转动时将抛光组合物供给抛光垫片的表面。
须注意的是，玻璃基片的分步抛光工艺可以被使用本实施方式的抛光组合物的单步抛光工艺所替代。
本实施方式具有如下优点。
本实施方式的抛光组合物含有二氧化硅作为磨料。与含有氧化铈作为磨料的抛光组合物相比，这降低了抛光后玻璃基片的表面粗糙度。这被认为是由于氧化铈的基本粒子具有无定形而二氧化硅的基本粒子为球形之故。就是说，认为，由于具有球形的基本粒子，二氧化硅能够将玻璃基片表面抛得比氧化铈更精细，从而降低了抛光后玻璃基片的表面粗糙度。
此外，二氧化硅对玻璃基片的反应性比氧化铈的低。由于这个原因，粘附在玻璃基片上二氧化硅不会与玻璃基片材料反应，也不会粘在玻璃基片表面上而很容易从玻璃基片上清洗掉。因此可以说本实施方式的抛光组合物具有易于从抛光表面清除的性质。
此外，二氧化硅的抗凝聚性和在抛光组合物中的分散性比氧化铈的好(比较后文的实施例1～29和对照例4和5)。因此可以说本实施方式的抛光组合物还含有分散性良好的粘结剂。
抛光组合物中的碱性化合物用于加速二氧化硅的机械抛光以及化学抛光玻璃基片表面。通过所述碱性化合物的作用，抛光组合物抛光玻璃基片的能力得到增强，并导致切削率的提高。须注意的是，在碱性化合物通过活化二氧化硅表面以及蚀刻玻璃基片表面而帮助提高切削率的同时，它并不被认为会氧化玻璃基片表面而使其变脆。
下面将描述本发明的实施例和对照例。
在每个1～29实施例中，用水将磨料和碱性化合物混合，如有需要，再加入氧化剂，从而制得抛光组合物的储备溶液。在每个1～5对照例中，将水和磨料混合，如有需要，再加入氧化剂，从而制得抛光组合物的储备溶液。所用磨料、碱性化合物和氧化剂的种类的含量由表1所示。
每个实施例1～29和对照例1～5的储备溶液用超纯水稀释，使得最后的体积是最初体积的10倍，而后制备抛光组合物。使用实施例1～29和对照例1～5的每个抛光组合物按照下述抛光条件对玻璃基片表面进行抛光。这里，测量了每个玻璃基片在抛光前后的质量，按照下述公式计算切削率。根据得到的切削率，将每个抛光组合物按四个级别评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当切削率不小于0.05μm/分钟时将抛光组合物评为非常好；当切削率不小于0.03μm/分钟但小于0.05μm/分钟时评为好；当切削率不小于0.02μm/分钟但小于0.03μm/分钟时评为稍差；当切削率小于0.02μm/分钟时评为差。评定结果显示在表1中的“切削率”一栏中。
抛光条件
抛光机：φ15”的单面抛光机(3片/盘)，Engis公司(日本)制造。
被抛光材料：2.5英寸(外径：63.5mm)玻璃基片，其通过使用含氧化铈的抛光浆料粗抛增强玻璃表面而制得，得到的表面粗糙度Ra为0.8nm。
抛光垫片：绒面革型抛光垫片“Belatrix N0058”，Kanebo公司制造
抛光压力：100g/cm2(＝9.8kPa)
转盘转速：102rpm
抛光组合物供给速率：50ml/分钟
抛光时间：20分钟
计算公式
切削率[μm/分钟]＝(玻璃基片抛光前后质量差[g]÷(30.02625[cm2]×2.52[g/cm3])×10000[μm/cm])÷抛光时间[分钟]
抛光后的玻璃基片经过30秒的擦洗和45秒的超声清洗，再进行180秒的甩干。而后，用“NanoScope IIIa Dimension 3000”原子力显微镜(扫描面积：10μm×10μm，扫描频率：1.00Hz，样品线：256，Digital Instruments公司制造)观察玻璃基片的表面情况。根据观察到的玻璃基片表面上粘着物的数目将每个抛光组合物按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当观察到的玻璃基片表面上粘着物的数目为0时将抛光组合物评为非常好；当粘着物数目小于3时评为好；当粘着物数目不小于3但小于5时评为稍差；当粘着物数目不小于5时评为差。评定结果显示在表1中的“清除难易度”一栏中。
玻璃基片在甩干后使用“NanoScope IIIa Dimension 3000”原子力显微镜(扫描面积：10μm×10μm，扫描频率：1.00Hz，样品线：256，脱机滤光器：平直自动指令2)测定其表面粗糙度Ra。根据测得的玻璃基片的表面粗糙度Ra，将每个抛光组合物按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当表面粗糙度Ra小于0.2nm时将抛光组合物评为非常好；当表面粗糙度Ra不小于0.2nm但小于0.25nm时评为好；当表面粗糙度Ra不小于0.25nm但小于0.3nm时评为稍差；当表面粗糙度Ra不小于0.3时评为差。评定结果显示在表1中的“表面粗糙度”一栏中。
将实施例1～29和对照例1～5的每个抛光组合物加入到内径2.5cm的比色管中静置1小时。而后，测量每个比色管内抛光组合物的沉淀高度。根据沉淀物的高度，将每个抛光组合物按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当沉淀高度小于1cm时将抛光组合物评为非常好；当沉淀高度不小于1cm但小于2cm时评为好；当沉淀高度不小于2cm但小于3cm时评为稍差；当沉淀高度不小于3cm时评为差。评定结果显示在表1中的“分散性”一栏中。
根据对上述四项(切削率、清除难易度、表面粗糙度以及分散性)的评定结果，将每个抛光组合物按四个等级综合评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，5点、3点、1点和0点分别代表非常好、好、稍差和差，并相应的为每个抛光组合物计算总评价点数。当四项的总点数为20时将抛光组合物评为非常好，总点数在16～19之间评为好，总点数在10～15之间评为稍差，总点数为9或更少评为差。评定结果见表1中“综合评级”一栏。
表1
磨料[质量百分比]   碱性化合物[质量百分比]     氧化剂[质量百分比] 切削率 清除难易度 表面粗糙度 分散性 综合评级
实施例1   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   1   1   1   1     1
实施例2   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾5％   过氧化氢2％   1   1   1   1     1
实施例3   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾0.2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例4   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾0.01％   过氧化氢2％   3   1   1   1     2
实施例5   胶体二氧化硅*15％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   3   1   1   1     2
实施例6   胶体二氧化硅*110％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例7   胶体二氧化硅*140％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   1   1   1   1     1
实施例8   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   -   2   1   1   1     2
实施例9   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   过氧化氢0.01％   2   1   1   1     2
实施例10   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   过氧化氢10％   1   1   1   1     1
实施例11   热解法二氧化硅*125％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   1   1   3   1     2
实施例12   胶体二氧化硅*125％   磷酸氢二钠2％   过氧化氢2％   1   1   1   1     1
实施例13   胶体二氧化硅*125％   磷酸三钠2％   过氧化氢2％   1   1   1   1     1
实施例14   胶体二氧化硅*125％   碳酸氢钾2％   过氧化氢2％   1   1   1   1     1
实施例15   胶体二氧化硅*125％   氢氧化钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例16   胶体二氧化硅*125％   酒石酸钾钠2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例17   胶体二氧化硅*125％   磷酸三钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例18   胶体二氧化硅*125％   焦磷酸钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例19   胶体二氧化硅*125％   柠檬酸三钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例20   胶体二氧化硅*125％   氢氧化锂2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例21   胶体二氧化硅*125％   氢氧化钠2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例22   胶体二氧化硅*125％   氢氧化铵2％   过氧化氢2％   3   1   1   1     2
实施例23   胶体二氧化硅*125％   TMAH2％   过氧化氢2％   3   1   1   1     2
实施例24   胶体二氧化硅*125％   硝酸钙2％   过氧化氢2％   3   1   1   1     2
实施例25   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例26   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   高氯酸钠2％   2   1   1   1     2
实施例27   胶体二氧化硅*125％   碳酸钾2％   溴酸钠2％   2   1   1   1     2
实施例28   胶体二氧化硅*225％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   2   1   1   1     2
实施例29   热解法二氧化硅*225％   碳酸钾2％   过氧化氢2％   1   1   3   1     2
对照例1   胶体二氧化硅*125％   -   -   4   1   1   1     3
对照例2   胶体二氧化硅*125％   -   过氧化氢2％   4   1   1   1     3
对照例3   热解法二氧化硅*125％   -   -   2   1   3   1     3
对照例4   氧化铈25％   -   -   1   4   4   4     4
对照例5   氧化铁25％   -   -   2   3   3   4     4
在表1中的“磨料”一栏内：
“胶体二氧化硅*1”为平均颗粒尺寸DSA为80nm和平均颗粒尺寸DN4为80nm的胶体二氧化硅；
“胶体二氧化硅*1”为平均颗粒尺寸DSA为20nm和平均颗粒尺寸DN4为40nm的胶体二氧化硅；
“热解法二氧化硅*1”为平均颗粒尺寸DSA为30nm和平均颗粒尺寸DN4为170nm的热解法二氧化硅；
“热解法二氧化硅*2”为平均颗粒尺寸DSA为20nm和平均颗粒尺寸DN4为140nm的热解法二氧化硅；
“氧化铈”为平均颗粒尺寸D50为450nm的氧化铈(Ce2O3)；
“氧化铁”为平均颗粒尺寸D50为450nm的氧化铁(α-Fe2O3)。
氧化铈和氧化铁的平均粒径D50是使用Beckman Coulter公司的Coulter计数器“LS-230”测定的。
在表1中的“氧化剂”一栏中，“过氧化氢”是过氧化氢的水溶液(31mass％)。
如表1所示，实施例1～29的每个抛光组合物在任何评定项里都没有被评为差，在“综合等级”一栏中或者被评为非常好，或者被评为好。该结果表明实施例1～29的抛光组合物适用于玻璃基片的抛光。从实施例1、以及5～7的抛光组合物的评定结果可以发现，通过把二氧化硅(磨料)的含量设定为不少于25mass％，更具体的在25～40mass％范围内，可提高切削率。从实施例1～4的抛光组合物的评定结果可以发现，通过把碱性化合物的含量设定为不少于2mass％，更具体的在2～5mass％范围内，可提高切削率。从实施例1、9和10的抛光组合物的评定结果还可以发现，把酸的含量设定为不少于2mass％，更具体的在2～10mass％范围内，可提高切削率。
本实施例和实施方式仅是示范性而不具限制性，本发明并不受限于这里给出的细节，可对本发明在所附权利要求书中的范围和等同条件下做调整。

Claims (20)

1.一种用于抛光玻璃基片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物由二氧化硅、碱性化合物和水组成。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅为胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。
3.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅为胶体二氧化硅。
4.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，通过用BET法测定所述胶体二氧化硅的比表面积而得到的所述胶体二氧化硅的平均粒径DSA为5～300nm。
5.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，用激光衍射散射法测得的所述胶体二氧化硅的平均粒径DN4为5～300nm。
6.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅是平均粒径DSA为10～300nm的热解法二氧化硅，所述平均粒径DSA是用BET法测定所述胶体二氧化硅的比表面积而得到的。
7.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅是平均粒径DN4为30～500nm的热解法二氧化硅，所述平均粒径DN4是用激光衍射散射法测得的。
8.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中二氧化硅的含量为0.1～50mass％。
9.如权利要求8所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中二氧化硅的含量为3～30mass％。
10.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述碱性化合物为碳酸铵，碳酸钾，碳酸钠，碳酸氢铵，碳酸氢钾，碳酸氢钠，磷酸铵，磷酸钾，磷酸钠，磷酸氢铵如磷酸氢二铵，磷酸氢钾如磷酸氢二钾，磷酸氢钠如磷酸氢二钠，焦磷酸钾，焦磷酸钠，柠檬酸钾，柠檬酸氢钾如柠檬酸氢二钾，葡萄糖酸钾，丁二酸钾，乙酸铵，草酸钾，草酸氢铵，酒石酸铵，酒石酸钾，酒石酸氢铵，酒石酸钾钠，山梨酸钾，硝酸钙，铁氰化钾，氟化铵，氟化钾，氟化钙，氢氧化钾，氢氧化铵，以及氢氧化四甲基铵。
11.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中碱性化合物的含量为0.05～10mass％。
12.如权利要求11所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中碱性化合物的含量为0.3～5mass％。
13.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物进一步含有氧化剂。
14.如权利要求13所述的抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂为过氧化氢，过硫酸铵，氯酸钾，高氯酸钾，高氯酸钠，高碘酸钾，高碘酸钠，溴酸钾，或溴酸钠。
15.如权利要求13所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中氧化剂的含量为0.005～10mass％。
16.如权利要求15所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中氧化剂的含量为0.03～5mass％。
17.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，其进一步含有螯合剂、表面活性剂或防腐剂。
18.一种抛光玻璃基片的方法，其特征在于：
根据权利要求1～17中任一项制备抛光组合物；以及
使用所制备的抛光组合物抛光玻璃基片表面。
19.如权利要求18所述的抛光玻璃基片的方法，其特征在于，所述玻璃基片的表面抛光包括：
对玻璃基片表面的预抛；以及
对预抛后的玻璃基片表面的精抛，其中，
所述抛光组合物是用于对预抛后的玻璃基片表面的精抛。
20.如权利要求18所述的抛光玻璃基片的方法，其特征在于，所述抛光组合物的制备包含用水稀释所述抛光组合物。
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