KR20190029431A - 연마 방법 그리고 연마용 조성물 및 그 제조 방법 - Google Patents

연마 방법 그리고 연마용 조성물 및 그 제조 방법 Download PDF

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요시히로 이자와
겐타 이데
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가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
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Abstract

본 발명에 관한 연마 방법은, 지립과, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물과, 분산매를 포함하며, 또한 pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 사용하여, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 공정을 포함한다.

Description

연마 방법 그리고 연마용 조성물 및 그 제조 방법{POLISHING METHOD, AND POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 연마 방법 그리고 연마용 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
근년, 반도체 기판 표면의 다층 배선화에 수반하여, 디바이스를 제조할 때에, 반도체 기판을 연마하여 평탄화하는, 소위, 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 기술이 이용되고 있다. CMP는, 실리카나 알루미나, 세리아 등의 지립, 방식제, 계면 활성제 등을 포함하는 연마용 조성물(슬러리)을 사용하여, 반도체 기판 등의 연마 대상물(피연마물)의 표면을 평탄화하는 방법이며, 연마 대상물(피연마물)은, 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 산화막(산화규소), 실리콘 질화물이나, 금속 등을 포함하는 배선, 플러그 등이다.
이러한 CMP에 사용되는 연마용 조성물로서, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-114967호 공보에는, 아미노산, 다가 수산기 함유 화합물 및 알킬렌옥시드 부가물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는, 스토퍼막의 연마 속도에 대한 절연막의 연마 속도의 비를 향상시키는 연마 속도 선택비 향상제를 포함하는, 연마액 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 일본 특허 공개 제2002-114967호 공보의 기술에서는, 연마 대상물 표면의 결함의 저감이 불충분하다는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물 표면의 결함을 저감시킬 수 있는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 감안하여, 예의 검토를 진행시켰다. 그 결과, 지립과, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물과, 분산매를 포함하며, 또한 pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 사용하여 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 공정을 포함하는 연마 방법에 의해 상기 효과가 얻어짐을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 상기 과제를 해결하기 위한 일 형태는, 지립과, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물과, 분산매를 포함하며, 또한 pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 사용하여 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 공정을 포함하는 연마 방법이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에만 한정되지는 않는다. 또한, 특기하지 않는 한, 조작 및 물성 등의 측정은 실온(20℃ 이상 25℃ 이하)/상대 습도 40％RH 이상 50％RH 이하의 조건에서 측정한다. 또한, 본 명세서 중, 연마용 조성물을 간단히 「조성물」이라고 칭하는 경우도 있다.
본 발명은 지립과, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물과, 분산매를 포함하며, 또한 pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 사용하여 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 공정을 포함하는 연마 방법이다. 이러한 본 발명의 연마 방법에 의하면, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물 표면의 결함을 저감시킬 수 있다.
본 발명의 연마 방법에 의해, 이러한 효과가 얻어지는 이유는 반드시 명확하지만은 않지만, 이하와 같이 생각된다.
본 발명의 연마 방법에 사용되는 연마용 조성물에 포함되는 3가 이상의 다가 히드록시 화합물(이하, 간단히 「다가 히드록시 화합물」이라고도 칭한다)은, 패드 부스러기 등에서 유래하는 유기잔의 연마 대상물로의 부착을 저감시킬 수 있다. 즉, 유기잔의 성분이 연마 대상물 표면에 소수성 상호 작용으로 흡착되어 결함(예를 들어 스크래치)이 많아지는 문제에 대하여, 소수성인 유기잔의 성분을 다가 히드록시 화합물이 친수화함으로써, 연마 대상물 표면으로의 유기잔의 부착을 저감시킬 수 있다고 생각된다. 따라서, 본 발명의 연마 방법에 의하면, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물 표면의 결함을 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물 표면의 결함을 저감시킬 수 있는 수단이 제공된다.
또한, 상기 메커니즘은 추측에 기초하는 것이고, 그 정오가 본 발명의 기술적 범위에 영향을 미치는 것은 아니다.
이하, 본 발명의 연마 방법에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다.
[연마 대상물]
본 발명에 관한 연마 대상물은, 규소 재료를 포함하고 있으면 특별히 제한되지 않는다. 규소 재료의 예로서는, 예를 들어 산소 원자 및 규소 원자를 갖는 재료, 규소-규소 결합을 갖는 재료, 질소 원자 및 규소 원자를 갖는 재료 등을 들 수 있다.
산소 원자 및 규소 원자를 갖는 규소 재료로서는, 예를 들어 산화규소(SiO2), 오르토규산테트라에틸(TEOS)을 원료로 한 산화규소 등을 들 수 있다.
규소-규소 결합을 갖는 규소 재료로서는, 예를 들어 폴리실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 단결정 실리콘, n형 도프 단결정 실리콘, p형 도프 단결정 실리콘, SiGe 등의 Si계 합금 등을 들 수 있다.
질소 원자 및 규소 원자를 갖는 규소 재료로서는, 질화규소막, SiCN(탄질화규소) 등을 들 수 있다.
이들 규소 재료는, 단독이어도 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
이들 중, 산소 원자 및 규소 원자를 갖는 규소 재료를 포함하는 연마 대상물인 경우에, 본 발명에 의한 효과를 보다 유효하게 발휘할 수 있다. 즉, 본 발명의 바람직한 형태에 의하면, 연마 대상물에 포함되는 규소 재료는, 산소 원자 및 규소 원자를 갖는다. 오르토규산테트라에틸(TEOS)을 원료로 한 산화규소막을 더 포함하는 연마 대상물인 경우에, 본 발명에 의한 효과를 더욱 유효하게 발휘할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 연마 대상물은, 규소 재료 이외에도, 다른 재료를 포함하고 있어도 된다. 다른 재료의 예로서는, 예를 들어 탄화규소(SiC), 사파이어(Al2O3), 실리콘 게르마늄(SiGe), 질화티타늄(TiN), 구리, 알루미늄, 하프늄, 코발트, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 탄탈룸, 루테늄 등의 금속 등을 들 수 있다.
본 발명의 연마 방법에 사용되는 연마용 조성물은, 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 분산매를 함유하고, pH가 6.0 미만이다. 이하, 연마용 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 설명한다.
[지립]
본 발명에 관한 연마용 조성물에서 사용되는 지립의 종류로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 지르코니아, 티타니아 등의 금속 산화물을 들 수 있다. 해당 지립은, 단독이어도 되고 또는 2종 이상 조합해도 사용할 수 있다. 해당 지립은, 각각 시판품을 사용해도 되고 합성품을 사용해도 된다.
지립의 종류로서는, 바람직하게는 실리카이며, 보다 바람직하게는 콜로이달 실리카이다. 콜로이달 실리카의 제조 방법으로서는, 규산 소다법, 졸겔법을 들 수 있고, 어느 제조 방법으로 제조된 콜로이달 실리카이든, 본 발명의 지립으로서 적합하게 사용된다. 그러나, 금속 불순물 저감의 관점에서, 고순도로 제조할 수 있는 졸겔법에 의해 제조된 콜로이달 실리카가 바람직하다.
여기서, 지립의 형상은, 특별히 제한되지 않고, 구 형상이어도 되고, 비구 형상이어도 된다. 비구 형상의 구체예로서는, 삼각 기둥이나 사각 기둥 등의 다각 기둥 형상, 원기둥 형상, 원기둥의 중앙부가 단부보다도 부풀어 오른 가마니 형상, 원반의 중앙부가 관통되어 있는 도넛 형상, 판 형상, 중앙부에 잘록한 부분을 갖는 소위 누에고치형 형상, 복수의 입자가 일체화되어 있는 소위 회합형 구 형상, 표면에 복수의 돌기를 갖는 소위 별사탕 형상, 럭비볼 형상 등, 다양한 형상을 들 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
또한, 해당 콜로이달 실리카의 표면은, 실란 커플링제 등에 의해 표면 수식되어 있어도 된다.
지립의 표면을 실란 커플링제에 의해 표면 수식하는 방법으로서, 이하와 같은 고정화 방법을 들 수 있다. 예를 들어, "Sulfonic acid-functionalized silica through of thiol groups", Chem. Commun. 246-247(2003)에 기재된 방법으로 행할 수 있다. 구체적으로는, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 티올기를 갖는 실란 커플링제를 콜로이달 실리카에 커플링시킨 후에 과산화수소로 티올기를 산화함으로써, 술폰산이 표면에 고정화된 콜로이달 실리카를 얻을 수 있다.
혹은, 예를 들어 "Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel", Chemistry Letters, 3, 228-229(2000)에 기재된 방법으로 행할 수 있다. 구체적으로는, 광 반응성 2-니트로벤질에스테르를 포함하는 실란 커플링제를 콜로이달 실리카에 커플링시킨 후에 광 조사함으로써, 카르복실산이 표면에 고정화된 콜로이달 실리카를 얻을 수 있다.
상기 콜로이달 실리카는 음이온성기를 갖는 콜로이달 실리카(음이온 변성 콜로이달 실리카)이지만, 양이온성기를 갖는 콜로이달 실리카(양이온 변성 콜로이달 실리카)를 사용해도 된다. 양이온성기를 갖는 콜로이달 실리카로서, 아미노기가 표면에 고정화된 콜로이달 실리카를 들 수 있다. 이러한 양이온성기를 갖는 콜로이달 실리카의 제조 방법으로서는, 일본 특허 공개 제2005-162533호 공보에 기재되어 있는, 아미노에틸트리메톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, 아미노에틸트리에톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필디메틸에톡시실란, 아미노프로필메틸디에톡시실란, 아미노부틸트리에톡시실란 등의 아미노기를 갖는 실란 커플링제를 지립의 표면에 고정화하는 방법을 들 수 있다. 이에 의해, 아미노기가 표면에 고정화된 콜로이달 실리카를 얻을 수 있다.
지립의 크기는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 지립이 구 형상인 경우에는, 지립의 평균 1차 입자 직경은, 5㎚ 이상인 것이 바람직하고, 10㎚ 이상인 것이 보다 바람직하고, 20㎚ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 25㎚ 이상이 특히 바람직하다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도가 향상된다. 또한, 실리카의 평균 1차 입자 직경은, 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 100㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 40㎚ 이하인 것이 특히 바람직하다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 작아짐에 따라, 연마용 조성물을 사용한 연마에 의해 결함이 적은 표면을 얻는 것이 용이해진다. 즉, 지립의 평균 1차 입자 직경은, 5㎚ 이상 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 20㎚ 이상 50㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 25㎚ 이상 40㎚ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 지립의 평균 1차 입자 직경은, 예를 들어 BET법으로부터 산출한 지립의 비표면적(SA)을 기초로, 지립의 형상이 진구라고 가정하여 산출할 수 있다. 본 명세서에서는, 지립의 평균 1차 입자 직경은, 하기 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 채용한다.
또한, 지립의 평균 2차 입자 직경은, 25㎚ 이상인 것이 바람직하고, 35㎚ 이상인 것이 보다 바람직하고, 50㎚ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 55㎚ 이상인 것이 특히 바람직하다. 지립의 평균 2차 입자 직경이 커짐에 따라, 연마 중의 저항이 작아져, 안정적으로 연마가 가능해진다. 또한, 지립의 평균 2차 입자 직경은, 1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 500㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 100㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 80㎚ 이하인 것이 특히 바람직하다. 지립의 평균 2차 입자 직경이 작아짐에 따라, 지립의 단위 질량당 표면적이 커지고, 연마 대상물과의 접촉 빈도가 향상되어, 연마 능률이 향상된다. 즉, 지립의 평균 2차 입자 직경은, 25㎚ 이상 1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 35㎚ 이상 500㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 55㎚ 이상 100㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 55㎚ 이상 80㎚ 이하인 것이 특히 바람직하다. 본 명세서에서는, 지립의 평균 2차 입자 직경은, 하기 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 채용한다.
지립의 평균 회합도는, 5.0 미만인 것이 바람직하고, 3.0 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.5 이하인 것이 더욱 바람직하고, 2.3 이하인 것이 특히 바람직하다. 지립의 평균 회합도가 작아짐에 따라, 결함을 보다 저감시킬 수 있다. 지립의 평균 회합도는 또한, 1.0 이상인 것이 바람직하고, 1.05 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.5 이상인 것이 더욱 바람직하고, 1.8 이상인 것이 특히 바람직하다. 이 평균 회합도란, 지립의 평균 2차 입자 직경의 값을 평균 1차 입자 직경의 값으로 제산함으로써 얻어진다. 지립의 평균 회합도가 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도가 향상되는 유리한 효과가 있다.
연마용 조성물 중의 지립 애스펙트비의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 2.0 미만인 것이 바람직하고, 1.8 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.5 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 범위이면, 연마 대상물 표면의 결함을 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 애스펙트비는, 주사형 전자 현미경에 의해 지립 입자의 화상에 외접하는 최소의 직사각형을 취하고, 그 직사각형의 긴 변 길이를 동일한 직사각형의 짧은 변 길이로 제산함으로써 얻어지는 값의 평균이며, 일반적인 화상 해석 소프트웨어를 사용하여 구할 수 있다. 연마용 조성물 중의 지립의 애스펙트비의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 1.0 이상인 것이 바람직하다.
지립의 레이저 회절 산란법에 의해 구해지는 입도 분포에 있어서, 미립자측으로부터 적산 입자 중량이 전체 입자 중량의 90％에 도달할 때의 입자 직경(D90)과 전체 입자의 전체 입자 중량의 10％에 도달할 때의 입자 직경(D10)의 비인 D90/D10의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 1.1 이상인 것이 바람직하고, 1.2 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.3 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 연마용 조성물 중의 지립에 있어서의, 레이저 회절 산란법에 의해 구해지는 입도 분포에 있어서, 미립자측으로부터 적산 입자 중량이 전체 입자 중량의 90％에 도달할 때의 입자 직경(D90)과 전체 입자의 전체 입자 중량의 10％에 도달할 때의 입자 직경(D10)의 비 D90/D10의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 2.04 이하인 것이 바람직하다. 이러한 범위이면, 연마 대상물 표면의 결함을 보다 저감시킬 수 있다.
지립의 크기(평균 1차 입자 직경, 평균 2차 입자 직경, 애스펙트비, D90/D10 등)는, 지립의 제조 방법의 선택 등에 의해 적절하게 제어할 수 있다.
연마용 조성물 중에서의 상기 지립의 제타 전위의 절댓값은, 10mV 이상인 것이 바람직하다. 이러한 범위이면, 지립끼리의 정전적 척력이 강해지기 때문에, 지립의 분산 안정성이 향상된다. 지립의 제타 전위는, 예를 들어 시판되고 있는 제타 전위 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.
지립의 함유량은, 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 본 발명에 관한 연마용 조성물이면, 소량(저농도)의 지립이어도, 지립이 효율적으로 연마 대상물 표면에 존재하기 때문에, 연마 대상물 표면을 효율적으로 연마할 수 있다. 구체적으로는, 지립의 함유량(농도)은, 연마용 조성물에 대하여, 0.002질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.2질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 지립의 함유량의 상한은, 연마용 조성물에 대하여, 8질량％ 미만인 것이 바람직하고, 6질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 즉, 지립의 함유량은, 연마용 조성물에 대하여, 바람직하게는 0.002질량％ 이상 8질량％ 미만, 보다 바람직하게는 0.2질량％ 이상 6질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 1질량％ 이상 4질량％ 이하이다. 이러한 범위이면, 비용을 억제하면서, 연마 속도의 향상 및 결함의 저감을 밸런스 좋게 양립할 수 있다. 또한, 연마용 조성물이 2종 이상인 지립을 포함하는 경우에는, 지립의 함유량은, 이들의 합계량을 의도한다.
[3가 이상의 다가 히드록시 화합물]
본 발명에서 사용되는 연마용 조성물은, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물을 포함한다. 해당 다가 히드록시 화합물을 포함함으로써, 연마 대상물 표면의 결함을 저감시킬 수 있다.
본 발명에서 사용되는 다가 히드록시기 화합물은, 분자 내에 3개 이상의 알코올성 히드록시기 또는 페놀성 히드록시기를 갖는 화합물이면, 특별히 제한되지 않는다.
3가 이상의 다가 히드록시기 화합물의 구체적인 예로서는, 예를 들어 폴리에스테르폴리올, 폴리글리시돌, 프로판-1,2,3-트리올, 폴리(프로판-1,2,3-트리올), 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 1,3,5-펜타트리올, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 소르비탄, 아도니톨, 말티톨, 트레이톨, 에리트리톨, 크실리톨, 아라비니톨, 리비톨, (2R,3R,4S)-펜탄-1,2,3,4,5-펜톨, 이디톨, (2R,3S,4S,5S)-헥산-1,2,3,4,5,6-헥솔, 만니톨, 락티톨, 갈락티톨, 둘시톨, 탈리톨, 알리톨, 페르세이톨, 볼레미톨, D-에리스로-L-갈락티톨, D-에리스로-L-타로옥티톨, 에리트로만노옥티톨, D-스레오-L-갈락티톨, D-아라보-D-만노노니톨, D-글루코-D-갈라데시톨, 보르네시톨, 콘듀리톨, 이노시톨, 오노니톨, 피니톨, 핀폴리톨, 퀘브라치톨, 발리에놀, 비스쿠미톨 등의 당알코올; 글루코오스, 프룩토오스, 만노오스, 인도오스, 소르보오스, 굴로오스, 탈로오스, 타가토오스, 갈락토오스, (2R,3R,4S,5S,6R)-2-[(2S,3S,4S,5R)-3,4-디히드록시-2,5-비스(히드록시메틸)옥솔란-2-일]옥시-6-(히드록시메틸)옥산-3,4,5-트리올, (2S,3R,4R,5S,6R)-6-(히드록시메틸)-5-((2S,3R,4S,5R,6R)-3,4,5-트리히드록시-6-(히드록시메틸)테트라히드로-2H-피란-2-일옥시)테트라히드로-2H-피란-2,3,4-트리올, 알로오스, 아피오스, 프시코오스, 알트로오스, 아라비노오스, 리불로오스, 리보오스, 데옥시리보오스, 푸코오스, 크실로오스, 크실룰로오스, 릭소오스, 이도오스, 트레오스, 에리트룰로오스, 에리트로오스, 람노오스, 셀로비오스, 코지비오스, 니게로오스, 소포로오스, 말토오스, 이소말토오스, 트레할로오스, 이소트레할로오스, 라미나리비오스, 겐티오비오스, 팔라티노오스, 코리오스, 세도헵툴로오스, 글리시리진, 스테비오시드, 모그로시드, 수크로오스, 라피노오스, 겐티아노오스, 멜레지토오스, 말토트리오스, 이소말토트리오스, 수크랄로스, 덱스트린, 시클로덱스트린, 글루코사민, 만노사민, 갈락토사민, N-아세틸글루코사민, N-아세틸만노사민, N-아세틸갈락토사민 등의 당류; 글루쿠론산, 갈락투론산 등의 당산; 아스코르브산, 글루쿠로노락톤, 글루코노락톤 등의 다가 히드록시락톤류; 모넬린, 글루크린 등의 아미노기 함유 다가 히드록시 화합물; 전분, 글리코겐, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 카르복시메틸 전분, 메틸히드록시프로필 전분, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 셀룰로오스황산나트륨, 히드록시프로필셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 셀룰로오스, 알긴산나트륨, 알긴산프로필렌글리콜에스테르, 폴리비닐알코올 등의 수용성 중합체; 등의 지방족 다가 히드록시 화합물을 들 수 있다.
또한, 피로갈롤, 1,2,4-트리히드록시벤젠, 플로로글루시놀, 벤젠테트라올, 벤젠헥산올, 1,4,5-트리히드록시나프탈렌, 1,2,7-트리히드록시나프탈렌, 1,3,8-트리히드록시나프탈렌, 1,2,3,4-테트라히드록시나프탈렌, 1,3,6,8-테트라히드록시나프탈렌 등의 방향족 다가 히드록시 화합물도 사용할 수 있다.
이들 다가 히드록시 화합물은, 단독이어도 또는 2종 이상 조합해도 사용할 수 있다.
상기 다가 히드록시 화합물 중에서도, 본 발명의 효과를 보다 효율적으로 얻을 수 있다는 관점에서, 당알코올이 더욱 바람직하다.
또한, 당알코올은, (2R,3R,4S)-펜탄-1,2,3,4,5-펜톨, (2R,3S,4S,5S)-헥산-1,2,3,4,5,6-헥솔, 프로판-1,2,3-트리올, 크실리톨, 아라비니톨, 에리트리톨, 트레이톨, 리비톨, 갈락티톨, 만니톨, 말티톨, 락티톨 및 이노시톨로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
다가 히드록시 화합물의 분자량의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 결함 저감 효과를 더 효과적으로 발휘시키는 관점에서, 90 이상인 것이 바람직하고, 150 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다가 히드록시 화합물의 분자량의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 용해성의 관점에서, 10000 이하인 것이 바람직하고, 1000 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 「분자량」이란, 분자를 구성하는 원소의 원자량의 총합을 나타낸다. 단, 하나의 분자가 2개 이상의 반복 단위를 포함하는 분자의 분자량은, 중량 평균 분자량(폴리에틸렌글리콜 환산)을 나타낸다. 중량 평균 분자량의 측정은, 예를 들어 겔 침투 크로마토그래피(GPC)를 사용하여 행할 수 있다.
연마용 조성물 중의 다가 히드록시 화합물의 농도(함유량)는, 1mM(mmol/L) 이상 5mM(mmol/L) 이하인 것이 바람직하다. 농도가 이 범위이면, 결함을 보다 저감시킬 수 있다. 연마용 조성물 중의 다가 히드록시 화합물의 농도의 하한은, 2mM 이상이 보다 바람직하고, 2.5mM 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 연마용 조성물 중의 다가 히드록시 화합물의 농도의 상한은, 4mM 이하가 보다 바람직하고, 3.5mM 이하가 더욱 바람직하다.
[분산매]
본 발명에 관한 연마용 조성물은, 각 성분을 분산하기 위한 분산매를 포함한다. 분산매로서는, 물; 메탄올, 에탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올류; 아세톤 등의 케톤류 등이나, 이들의 혼합물 등을 예시할 수 있다. 이들 중, 분산매로서는 물이 바람직하다. 즉, 본 발명의 바람직한 형태에 의하면, 분산매는 물을 포함한다. 본 발명의 보다 바람직한 형태에 의하면, 분산매는 실질적으로 물을 포함한다. 또한, 상기한 「실질적으로」란, 본 발명의 목적 효과가 달성될 수 있는 한, 물 이외의 분산매가 포함될 수 있음을 의도하고, 보다 구체적으로는, 바람직하게는 90질량％ 이상 100질량％ 이하의 물과 0질량％ 이상 10질량％ 이하의 물 이외의 분산매를 포함하고, 보다 바람직하게는 99질량％ 이상 100질량％ 이하의 물과 0질량％ 이상 1질량％ 이하의 물 이외의 분산매를 포함한다. 가장 바람직하게는, 분산매는 물이다. 다른 성분의 작용을 저해하는 것을 억제한다는 관점에서, 불순물을 가능한 한 함유하지 않는 물이 바람직하고, 구체적으로는, 이온 교환 수지로 불순물 이온을 제거한 후, 필터를 통하여 이물을 제거한 순수나 초순수 또는 증류수가 바람직하다.
[pH]
본 발명에 관한 연마용 조성물의 pH는 6.0 미만이다. pH가 6.0 이상인 경우, 연마 대상물 표면의 결함이 증가된다. 해당 pH는, 바람직하게는 5.8 이하, 보다 바람직하게는 5.5 이하이고, 특히 바람직하게는 5.5 미만이다. 또한, pH의 하한값은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 2.0 이상이다. 즉, 본 발명에 관한 연마용 조성물의 pH는, 바람직하게는 1.0 이상 5.8 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이상 5.5 이하이고, 특히 바람직하게는 2.0 이상 5.5 미만이다.
또한, 본 명세서에서는, 특기하지 않는 한, 「pH」는 「25℃에 있어서의 pH」를 의미한다. 또한, 본 명세서에서는, pH는, 25℃에서 pH 미터(가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼제 형번: LAQUA)에 의해 측정되는 값을 채용한다.
상기 pH는, pH 조정제를 적량 첨가함으로써, 조정할 수 있다. 즉, 연마용 조성물은, pH 조정제를 더 포함해도 된다. 여기서, 연마용 조성물의 pH를 원하는 값으로 조정하기 위하여 필요에 따라 사용되는 pH 조정제는, 산 및 알칼리 중 어느 것이든 좋고, 또한, 무기 화합물 및 유기 화합물 중 어느 것이든 좋다. 산의 구체예로서는, 예를 들어 황산, 질산, 붕산, 탄산, 차아인산, 아인산 및 인산 등의 무기산; 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 2-메틸부티르산, n-헥산산, 3,3-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, 4-메틸펜탄산, n-헵탄산, 2-메틸헥산산, n-옥탄산, 2-에틸헥산산, 벤조산, 글리콜산, 살리실산, 글리세린산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 프탈산, 말산, 타르타르산, 시트르산 및 락트산 등의 카르복실산 그리고 메탄술폰산, 에탄술폰산 및 이세티온산 등의 유기 황산, 피트산, 히드록시에틸리덴디포스폰산 등의 유기 인계의 산 등의 유기산 등을 들 수 있다.
알칼리의 구체예로서는, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속의 수산화물, 암모니아, 에틸렌디아민 및 피페라진 등의 아민 그리고 테트라메틸암모늄 및 테트라에틸암모늄 등의 제4급 암모늄염을 들 수 있다. 이들 pH 조정제는, 단독이어도 또는 2종 이상 혼합해도 사용할 수 있다.
[다른 성분]
본 발명의 연마 방법에 사용되는 연마용 조성물은, 필요에 따라, 산화제, 아미노산, 킬레이트제, 금속 방식제, 방부제, 곰팡이 방지제, 수용성 고분자, 난용성의 유기물을 용해하기 위한 유기 용매 등의 다른 성분을 더 포함해도 된다. 이하, 바람직한 다른 성분인, 산화제, 아미노산 및 킬레이트제에 대하여 설명한다.
(산화제)
연마용 조성물에 첨가할 수 있는 산화제는, 연마 대상물의 표면을 산화하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.
사용 가능한 산화제는, 과산화수소, 과산화나트륨, 과산화바륨, 오존수, 은(Ⅱ)염, 철(Ⅲ)염, 과망간산, 크롬산, 중크롬산, 퍼옥소이황산, 퍼옥소인산, 퍼옥소황산, 퍼옥소붕산, 과포름산, 과아세트산, 과벤조산, 과프탈산, 차아염소산, 차아브롬산, 차아요오드산, 염소산, 아염소산, 과염소산, 브롬산, 요오드산, 과요오드산, 과황산, 디클로로이소시아누르산 및 그들의 염 등을 들 수 있다. 이들 산화제는, 단독이어도 또는 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
연마용 조성물 중의 산화제 함유량은 0.1g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1g/L 이상이며, 더욱 바람직하게는 3g/L 이상이다. 산화제의 함유량이 많아짐 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도는 보다 향상된다.
연마용 조성물 중의 산화제 함유량은 또한, 200g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100g/L 이하이고, 더욱 바람직하게는 40g/L 이하이다. 산화제의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 재료 비용을 억제할 수 있는 것 외에도, 연마 사용 후의 연마용 조성물의 처리, 즉 폐액 처리의 부하를 경감시킬 수 있다. 또한, 산화제에 의한 연마 대상물 표면의 과잉 산화가 일어날 우려를 적게 할 수도 있다.
(아미노산)
아미노산의 구체예로서는, 글리신, α-알라닌, β-알라닌, N-메틸글리신, N,N-디메틸글리신, 2-아미노부티르산, 노르발린, 발린, 류신, 노르류신, 이소류신, 페닐알라닌, 프롤린, 사르코신, 오르니틴, 리신, 타우린, 세린, 트레오닌, 호모세린, 티로신, 비신, 트리신, 3,5-디요오도-티로신, β-(3,4-디히드록시페닐)-알라닌, 티록신, 4-히드록시-프롤린, 시스테인, 메티오닌, 에티오닌, 란티오닌, 시스타티오닌, 시스틴, 시스테인산, 아스파르트산, 글루탐산, S-(카르복시메틸)-시스테인, 4-아미노부티르산, 아스파라긴, 글루타민, 아자세린, 아르기닌, 카나바닌, 시트룰린, δ-히드록시-리신, 크레아틴, 히스티딘, 1-메틸-히스티딘, 3-메틸-히스티딘 및 트립토판 등을 들 수 있다.
(킬레이트제)
킬레이트제의 구체예로서는, 니트릴로삼아세트산, 디에틸렌트리아민오아세트산, 에틸렌디아민사아세트산, N,N,N-트리메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민-N,N,N',N'-테트라메틸렌술폰산, 트랜스시클로헥산디아민사아세트산, 1,2-디아미노프로판사아세트산, 글리콜에테르디아민사아세트산, 에틸렌디아민오르토히드록시페닐아세트산, 에틸렌디아민디숙신산(S,S체), N-(2-카르복실레이트에틸)-L-아스파르트산, β-알라닌디아세트산, 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카르복실산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, N,N'-비스(2-히드록시벤질)에틸렌디아민-N,N'-디아세트산, 1,2-디히드록시벤젠-4,6-디술폰산 등을 들 수 있다.
연마용 조성물이 킬레이트제 또는 아미노산을 포함하는 경우의, 킬레이트제 또는 아미노산의 함유량(농도)은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 킬레이트제 또는 아미노산의 함유량(농도)의 하한은, 소량으로도 효과를 발휘하기 때문에 특별히 한정되는 것은 아니나, 0.001g/L 이상인 것이 바람직하고, 0.01g/L 이상인 것이 보다 바람직하고, 1g/L 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 킬레이트제 또는 아미노산의 함유량(농도)의 상한은 20g/L 이하인 것이 바람직하고, 15g/L 이하인 것이 보다 바람직하고, 10g/L 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 연마 방법에 사용되는 연마 장치로서는, 연마 대상물을 갖는 기판 등을 보유 지지하는 홀더와 회전수를 변경 가능한 모터 등이 설치되어 있고, 연마 패드(연마포)를 부착 가능한 연마 정반을 갖는 일반적인 연마 장치를 들 수 있다.
상기 연마 패드로서는, 일반적인 부직포, 폴리우레탄 및 다공질 불소 수지 등을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 연마 패드에는, 연마액이 고이는 홈 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다.
연마 조건에도 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 연마 정반(플래튼)의 회전 속도는, 10rpm(0.17s- 1;60rpm=1s-1, 이하 마찬가지) 이상 500rpm(8.3s-1) 이하가 바람직하고, 연마 대상물에 가하는 압력(연마 압력)은, 0.5psi(3.4㎪;1psi=6894.76Pa, 이하 마찬가지) 이상 10psi(68.9㎪) 이하가 바람직하다. 연마 패드에 연마용 조성물을 공급하는 방법도 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 펌프 등으로 연속적으로 공급하는 방법이 채용된다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마 패드의 표면이 항상 본 발명에 관한 연마용 조성물로 덮여 있는 것이 바람직하다.
연마 종료 후, 기판을 유수 중에서 세정하고, 스핀 드라이어 등에 의해 기판 상에 부착된 물방울을 털어 건조시킴으로써, 연마 완료 연마 대상물이 얻어진다.
[연마용 조성물]
본 발명의 연마 방법에 사용되는 연마용 조성물은, 상기한 바와 같이 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 분산매를 함유하고, pH가 6.0 미만이다. 즉, 본 발명은 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하기 위하여 사용되고, 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 분산매를 함유하고, pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 제공한다.
본 발명에 관한 연마용 조성물은 1액형이어도 되고, 연마용 조성물의 일부 또는 전부를 임의의 혼합 비율로 혼합한 2액형을 비롯한 다액형이어도 된다. 또한, 연마용 조성물의 공급 경로를 복수 갖는 연마 장치를 사용한 경우, 연마 장치 상에서 연마용 조성물이 혼합되도록, 미리 조정된 2개 이상의 연마용 조성물을 사용해도 된다.
또한, 본 발명에 관한 연마용 조성물은, 원액의 형태여도 되고, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 조제되어도 된다. 연마용 조성물이 2액형인 경우에는, 혼합 및 희석의 순서는 임의이며, 예를 들어 한쪽의 조성물을 물로 희석 후 그들을 혼합하는 경우나, 혼합과 동시에 물로 희석하는 경우, 또한, 혼합된 연마용 조성물을 물로 희석하는 경우 등을 들 수 있다.
[연마용 조성물의 제조 방법]
본 발명의 연마용 조성물의 제조 방법은, 바람직하게는 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 필요에 따라 다른 성분을, 분산매 중에서, 혼합하는 것을 포함한다. 즉, 본 발명은 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 분산매를 혼합하는 것을 포함하는, 연마용 조성물의 제조 방법을 제공한다.
각 성분을 혼합할 때의 온도는 특별히 제한되지 않지만, 10 내지 40℃가 바람직하고, 용해 속도를 올리기 위하여 가열해도 된다. 또한, 혼합 시간도 특별히 제한되지 않는다.
본 발명의 실시 형태를 상세하게 설명했지만, 이것은 설명적이며 또한 예시적인 것으로서 한정적이 아니고, 본 발명의 범위는 첨부된 특허 청구 범위에 의해 해석되어야 하는 것은 명확하다.
본 발명은 하기 양태 및 형태를 포함한다.
1. 지립과, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물과, 분산매를 포함하며, 또한 pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 사용하여, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 공정을 포함하는, 연마 방법;
2. 상기 3가 이상의 다가 히드록시 화합물의 분자량은 90 이상인, 상기 1.에 기재된 연마 방법;
3. 상기 3가 이상의 다가 히드록시 화합물은 당알코올인, 상기 1. 또는 2.에 기재된 연마 방법;
4. 상기 pH가 2.0 이상 5.5 이하인, 상기 1. 내지 3. 중 어느 하나에 기재된 연마 방법;
5. 상기 규소 재료가 산소 원자 및 규소 원자를 갖는 상기 1. 내지 4. 중 어느 하나에 기재된 연마 방법;
6. 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하기 위하여 사용되고, 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 분산매를 함유하며, 또한 pH가 6.0 미만인, 연마용 조성물;
7. 상기 지립, 상기 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 상기 분산매를 혼합하는 것을 포함하는, 상기 6.에 기재된 연마용 조성물의 제조 방법.
[실시예]
본 발명을, 이하의 실시예 및 비교예를 사용하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명의 기술적 범위가 이하의 실시예에만 제한되는 것은 아니다. 또한, 특기하지 않는 한, 「％」 및 「부」는, 각각 「질량％」 및 「질량부」를 의미한다. 또한, 하기 실시예에 있어서, 특기하지 않는 한, 조작은 실온(25℃)/상대 습도 40％RH 이상 50％RH 이하의 조건 하에서 행하여졌다.
또한, 실리카(지립)의 평균 1차 입자 직경(㎚) 및 평균 2차 입자 직경(㎚)은, 이하의 방법에 의해 측정했다.
[실리카(지립)의 평균 입자 직경(㎚)]
실리카(지립)의 평균 1차 입자 직경(㎚)은, 0.2g의 실리카 샘플에 대하여, BET법으로 3 내지 5회 연속으로 측정한 값으로부터 산출한 실리카 입자의 비표면적(SA)의 평균값을 기초로, 실리카 입자의 형상이 진구라고 가정하여 산출했다. 또한, 이들 값으로부터, 회합도(평균 2차 입자 직경/평균 1차 입자 직경)의 값에 대해서도 산출할 수 있다.
실리카(지립)의 평균 2차 입자 직경(㎚)은, 실리카 샘플에 대하여, 동적 광 산란식의 입자 직경 분포 측정 장치(UPA-UT151, 니키소 가부시키가이샤제)를 사용하여 측정했다. 먼저, 지립을 순수 중에 분산시키고, 로딩 인덱스(레이저의 산란 강도)가 0.01인 분산액을 조제했다. 이어서, 이 분산액을 사용하여, UT 모드에서의 체적 평균 입자 직경 Mv의 값을 3 내지 5회 연속으로 측정하여, 얻어진 값의 평균값을 평균 2차 입자 직경으로 했다.
[다가 히드록시 화합물]
실시예 및 비교예에서 사용한 다가 히드록시 화합물은, 이하와 같다.
화합물 a: (2R,3R,4S)-펜탄-1,2,3,4,5-펜톨
화합물 b: 프로판-1,2,3-트리올
화합물 c: (2R,3S,4S,5S)-헥산-1,2,3,4,5,6-헥솔
화합물 d: (2S,3R,4R,5S,6R)-6-(히드록시메틸)-5-((2S,3R,4S,5R,6R)-3,4,5-트리히드록시-6-(히드록시메틸)테트라히드로-2H-피란-2-일옥시)테트라히드로-2H-피란-2,3,4-트리올
화합물 e: (2R,3R,4S,5S,6R)-2-[(2S,3S,4S,5R)-3,4-디히드록시-2,5-비스(히드록시메틸)옥솔란-2-일]옥시-6-(히드록시메틸)옥산-3,4,5-트리올.
<실시예 1>
지립으로서 지립 A를 준비했다. 지립 A는, 평균 1차 입자 직경이 32㎚, 평균 2차 입자 직경이 63㎚인 미변성 콜로이달 실리카이다.
상기 지립 A를, 조성물 중의 농도가 1.5질량％가 되도록, 분산매(순수) 중에서 교반·분산시키고, 다가 히드록시 화합물인 화합물 a를 조성물 중의 농도가 3mM이 되도록 첨가하고, pH 조정제로서 아세트산을 연마용 조성물의 pH가 2.0으로 되도록 더 첨가함으로써, 연마용 조성물을 제작했다(혼합 온도: 약 25℃, 혼합 시간: 약 10분). 또한, 연마용 조성물(액온: 25℃)의 pH는, pH 미터(가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼제 형번: LAQUA)에 의해 확인했다.
<실시예 2 내지 5, 실시예 8 내지 9>
다가 히드록시 화합물의 종류 및/또는 연마용 조성물의 pH를, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 연마용 조성물을 제작했다.
<실시예 6>
지립으로서 지립 B를 준비했다. 지립 B는, 평균 1차 입자 직경이 35㎚, 평균 2차 입자 직경이 70㎚인 음이온 변성 콜로이달 실리카이다.
상기 지립 B를, 조성물 중의 농도가 1.5질량％가 되도록, 분산매(순수) 중에서 교반·분산시키고, 다가 히드록시 화합물인 화합물 a를 조성물 중의 농도가 3mM이 되도록 첨가하고, pH 조정제로서 아세트산을 연마용 조성물의 pH가 4.0으로 되도록 더 첨가함으로써, 연마용 조성물을 제작했다(혼합 온도: 약 25℃, 혼합 시간: 약 10분).
<실시예 7>
지립으로서, 양이온 변성 콜로이달 실리카인 지립 C(평균 1차 입자 직경: 32㎚, 평균 2차 입자 직경: 63㎚)를 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 연마용 조성물을 제작했다.
<비교예 1 내지 8>
다가 히드록시 화합물의 종류 및 농도 또는 연마용 조성물의 pH를, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 연마용 조성물을 제작했다. 또한, 비교예 2 및 3에 있어서는, pH 조정제로서 암모니아를 사용했다.
<평가>
상기에서 얻어진 각 연마용 조성물을 사용하여, 연마 대상물(TEOS 기판)을 이하의 연마 조건에서 연마했다.
(연마 조건)
연마기: 소형 탁상 연마기(니혼 엔기스 가부시키가이샤제, EJ380IN)
연마 패드: 경질 폴리우레탄제 패드(닛타 하스 가부시키가이샤제, IC1000)
플래튼(정반) 회전 속도: 60[rpm]
헤드(캐리어) 회전 속도: 60[rpm]
연마 압력: 3.0[psi]
연마용 조성물(슬러리)의 유량: 100[mL/min]
연마 시간: 1[min].
[결함 억제능]
상기에서 얻어진 각 연마용 조성물을 사용하여, 하기 방법에 따라, 결함 억제능을 평가했다. 상세하게는, 연마 후의 연마 대상물 표면에 대하여, 케이엘에이텐코(KLA-TENCOR) 가부시키가이샤제의 결함 검출 장치(웨이퍼 검사 장치) "Surfscan(등록 상표) SP2"를 사용하여, 웨이퍼 전체면(단, 외주 단부로부터 2㎜ 이내의 영역은 제외한다) 상의 0.13㎛ 이상의 결함을 검출했다. 검출된 결함을, Review-SEM(RS-6000, 가부시키가이샤 히타치 하이테크놀러지즈제)을 사용하여 전체수 관찰함으로써, 결함 수를 집계했다. 또한, 얻어진 결함 수를, 하기의 판단 기준에 따라 평가했다. ◎ 내지 △가 실용 가능하다.
(판단 기준)
◎: 0.13㎛ 이상의 결함이 10개 미만
○: 0.13㎛ 이상의 결함이 10개 이상 15개 미만
△: 0.13㎛ 이상의 결함이 15개 이상 25개 미만
×: 0.13㎛ 이상의 결함이 25개 이상.
[분산 안정성]
연마용 조성물 중의 지립 분산 안정성에 대하여, 이하와 같이 평가했다. 즉, 80℃의 항온항습기에, 연마용 조성물을 15일간 또는 30일간 보관한 후, 눈으로 지립의 분산 안정성을 관찰했다. 평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 하기 표 1 중, ○는 80℃에서 30일간 보관해도 지립의 응집이 발생하지 않았음을, △는 80℃, 15일간 보관에서 지립의 응집은 발생하지 않았지만, 30일간 보관에서는 지립의 응집이 발생하였음을, 각각 나타낸다.
실시예 및 비교예의 연마용 조성물의 구성 및 평가 결과를, 하기 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
상기 표 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예의 연마 방법은, 비교예의 연마 방법에 비하여, 연마 대상물 표면의 결함을 저감시킬 수 있다.
본 출원은, 2017년 9월 11일에 출원된 일본 특허 출원 번호 제2017-174193호에 기초하고 있으며, 그 개시 내용은, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.

Claims (7)

  1. 지립과, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물과, 분산매를 포함하며, 또한 pH가 6.0 미만인 연마용 조성물을 사용하여, 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 공정을 포함하는, 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 3가 이상의 다가 히드록시 화합물의 분자량은 90 이상인, 연마 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 3가 이상의 다가 히드록시 화합물은 당알코올인, 연마 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 pH가 2.0 이상 5.5 이하인, 연마 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 규소 재료가 산소 원자 및 규소 원자를 갖는, 연마 방법.
  6. 규소 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하기 위하여 사용되고, 지립, 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 분산매를 함유하며, 또한 pH가 6.0 미만인, 연마용 조성물.
  7. 상기 지립, 상기 3가 이상의 다가 히드록시 화합물 및 상기 분산매를 혼합하는 것을 포함하는, 제6항에 기재된 연마용 조성물의 제조 방법.
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