JPH10237425A - 研磨材 - Google Patents
研磨材Info
- Publication number
- JPH10237425A JPH10237425A JP3930197A JP3930197A JPH10237425A JP H10237425 A JPH10237425 A JP H10237425A JP 3930197 A JP3930197 A JP 3930197A JP 3930197 A JP3930197 A JP 3930197A JP H10237425 A JPH10237425 A JP H10237425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- cerium
- abrasive
- zirconium
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス素材や半導体デバイスなどの研磨材に
関し、これらの素材の研磨面の平担化や研磨速度の向
上。 【解決手段】 従来のシリカを砥粒として添加した研磨
材の研磨速度を向上させ、量産性に優れた研磨材を提供
する。
関し、これらの素材の研磨面の平担化や研磨速度の向
上。 【解決手段】 従来のシリカを砥粒として添加した研磨
材の研磨速度を向上させ、量産性に優れた研磨材を提供
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス素材や半導体
デバイスなどの研磨材に関し、これらの素材の研磨面の
平担化や研磨速度の向上に好適である。
デバイスなどの研磨材に関し、これらの素材の研磨面の
平担化や研磨速度の向上に好適である。
【０００２】
【従来の技術】ガラス素材の用途として、光ディスク基
板、磁気ディスク、液晶ＴＶ用カラーフィルター、時計
板、電卓、カメラレンズ、太陽電池のディスプレイ、光
学部品用の各種レンズやフィルターがある。そして、こ
れらのガラス基板は、表面を高精度に研磨する事が要求
される。
板、磁気ディスク、液晶ＴＶ用カラーフィルター、時計
板、電卓、カメラレンズ、太陽電池のディスプレイ、光
学部品用の各種レンズやフィルターがある。そして、こ
れらのガラス基板は、表面を高精度に研磨する事が要求
される。
【０００３】そのために、従来ガラス基板の研磨には、
シリカや酸化セリウムが研磨材として用いられる。シリ
カ研磨材による研磨は研磨面の表面粗さやスクラッチな
どが少なく研磨面の状態は優れる。しかし、研磨速度が
遅いという欠点がある。そこでシリカ研磨材より研磨速
度を上げるために、酸化セリウムを主成分とする研磨材
が開発され、特開平３ー１４６５８５号公報に提案され
ている。
シリカや酸化セリウムが研磨材として用いられる。シリ
カ研磨材による研磨は研磨面の表面粗さやスクラッチな
どが少なく研磨面の状態は優れる。しかし、研磨速度が
遅いという欠点がある。そこでシリカ研磨材より研磨速
度を上げるために、酸化セリウムを主成分とする研磨材
が開発され、特開平３ー１４６５８５号公報に提案され
ている。
【０００４】酸化セリウムを用いた研磨材は研磨速度は
シリカ研磨材より速くなるが、スラリー中では、砥粒で
ある酸化セリウムの分散が悪く、砥粒が沈殿するという
欠点がある。通常研磨材は循環しながら使用されるの
で、砥粒が沈殿するとその砥粒が大きな固まりとなり研
磨面を傷つけ、スクラッチを発生させる原因となる。ま
た、配管内や容器内で沈殿すると、砥粒が所定濃度に保
てず研磨速度が経時的に低下し、研磨量が管理出来なく
なり製品管理が困難になる。
シリカ研磨材より速くなるが、スラリー中では、砥粒で
ある酸化セリウムの分散が悪く、砥粒が沈殿するという
欠点がある。通常研磨材は循環しながら使用されるの
で、砥粒が沈殿するとその砥粒が大きな固まりとなり研
磨面を傷つけ、スクラッチを発生させる原因となる。ま
た、配管内や容器内で沈殿すると、砥粒が所定濃度に保
てず研磨速度が経時的に低下し、研磨量が管理出来なく
なり製品管理が困難になる。
【０００５】また、半導体デバイスを製造する中間工程
でデバイスを平坦化工程がある。この平坦化技術の一つ
として、メカノケミカルとよばれる研磨法がある。この
方法は、一般的にはＣＭＰとよび、Ｃｈｅｍｉｃａｌ−
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略であ
り、砥粒の機械的作用と加工液の化学的作用を複合化さ
せた研磨法である。
でデバイスを平坦化工程がある。この平坦化技術の一つ
として、メカノケミカルとよばれる研磨法がある。この
方法は、一般的にはＣＭＰとよび、Ｃｈｅｍｉｃａｌ−
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略であ
り、砥粒の機械的作用と加工液の化学的作用を複合化さ
せた研磨法である。
【０００６】この方法により、層間絶縁膜に塗布されて
いるシリカを研磨することにより、均一な厚みに形成さ
せることが出来る。一般的なメカノケミカルの例とし
て、ＬＳＩ用シリコンウエハに対し、シリカを砥粒とし
て弱アルカリ性溶液に分散させ研磨材を製造し、平滑で
歪みがない鏡面に研磨する方法がとられる。
いるシリカを研磨することにより、均一な厚みに形成さ
せることが出来る。一般的なメカノケミカルの例とし
て、ＬＳＩ用シリコンウエハに対し、シリカを砥粒とし
て弱アルカリ性溶液に分散させ研磨材を製造し、平滑で
歪みがない鏡面に研磨する方法がとられる。
【０００７】現在実用化されているＣＭＰ法には、上述
した微粒子シリカが使用されている。これらのシリカ研
磨材はガラスの研磨の場合と同様に、研磨速度が遅いた
めに、最近では微粒子酸化セリウムを研磨材が開発され
ている。
した微粒子シリカが使用されている。これらのシリカ研
磨材はガラスの研磨の場合と同様に、研磨速度が遅いた
めに、最近では微粒子酸化セリウムを研磨材が開発され
ている。
【０００８】しかし、酸化セリウムを用いた研磨材は、
スラリー中では、砥粒である酸化セリウムの分散が悪
く、砥粒が沈殿するという欠点がある。
スラリー中では、砥粒である酸化セリウムの分散が悪
く、砥粒が沈殿するという欠点がある。
【０００９】さらに、半導体デバイスの製造に使用され
る種々の材料は、不純物混入による汚染防止が重要であ
る。特に歩留まりの低下の原因となるナトリウム、カリ
ウムなどのアルカリ金属イオンさらにα線の発生現とな
る放射性元素を含む不純物の混入はさけねばならない。
従って、天然の鉱物を焼成、粉砕して製造した研磨材は
これらの不純物を含むために、半導体デバイス関連の素
材には不適である。
る種々の材料は、不純物混入による汚染防止が重要であ
る。特に歩留まりの低下の原因となるナトリウム、カリ
ウムなどのアルカリ金属イオンさらにα線の発生現とな
る放射性元素を含む不純物の混入はさけねばならない。
従って、天然の鉱物を焼成、粉砕して製造した研磨材は
これらの不純物を含むために、半導体デバイス関連の素
材には不適である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はガラス
素材や半導体デバイスなどの研磨に関し、汚染物質を含
まず、現行のシリカ研磨材と同等の表面加工状態を維持
し、且つシリカ研磨材より、研磨速度を向上させ、量産
化に寄与する研磨材を提供することにある。
素材や半導体デバイスなどの研磨に関し、汚染物質を含
まず、現行のシリカ研磨材と同等の表面加工状態を維持
し、且つシリカ研磨材より、研磨速度を向上させ、量産
化に寄与する研磨材を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は基本的に次の構成を有する。すなわち、
「セリウムとジルコニウムとの複合酸化物粒子を含むこ
とを特徴とする研磨材。」である。
めに、本発明は基本的に次の構成を有する。すなわち、
「セリウムとジルコニウムとの複合酸化物粒子を含むこ
とを特徴とする研磨材。」である。
【００１２】
【発明の実施の形態】研磨速度を上げるために機械的方
法として研磨圧力や回転速度を上げたりする方法が考え
られるが、研磨面にスクラッチなどの傷が入りやすく、
研磨面の精度に悪影響が出てくる。それを避けるため
に、研磨精度を下げることなく、研磨速度を上げる技術
開発が必要とされる。
法として研磨圧力や回転速度を上げたりする方法が考え
られるが、研磨面にスクラッチなどの傷が入りやすく、
研磨面の精度に悪影響が出てくる。それを避けるため
に、研磨精度を下げることなく、研磨速度を上げる技術
開発が必要とされる。
【００１３】その目的を達成するために鋭意検討した結
果、ガラス素材や半導体デバイスなどの表面を平坦化す
る工程の研磨材として、セリウムとジルコニウムとの複
合酸化物粒子を砥粒して使用することが好適であること
を見いだした。
果、ガラス素材や半導体デバイスなどの表面を平坦化す
る工程の研磨材として、セリウムとジルコニウムとの複
合酸化物粒子を砥粒して使用することが好適であること
を見いだした。
【００１４】本発明は、研磨材の砥粒として、セリウム
とジルコニウムとの複合酸化物粒子を用いる。
とジルコニウムとの複合酸化物粒子を用いる。
【００１５】この発明で使用するセリウムとジルコニウ
ムとの複合酸化物粒子は、酸化第一セリウムまたは酸化
第二セリウム（以下、これらを総称するときは酸化セリ
ウムという）と酸化ジルコニウムとが固溶体を形成した
り、酸化セリウムと酸化ジルコニウムとが化合物を形成
した状態にある粒子であって、酸化セリウムと酸化ジル
コニウムの粒子が混合されたものではない。
ムとの複合酸化物粒子は、酸化第一セリウムまたは酸化
第二セリウム（以下、これらを総称するときは酸化セリ
ウムという）と酸化ジルコニウムとが固溶体を形成した
り、酸化セリウムと酸化ジルコニウムとが化合物を形成
した状態にある粒子であって、酸化セリウムと酸化ジル
コニウムの粒子が混合されたものではない。
【００１６】良好な分散性が発現されるためには、複合
酸化物を構成する酸化セリウムと酸化ジルコニウムとの
割合は、セリウムとジルコニウムとの原子比（Ｃｅ／Ｚ
ｒ）で、好ましくは０．２５以上、より好ましくは０．
３以上であるほうが良い。なお、ここでいう原子比と
は、原子の数の比であり、即ち原子単位で算出したモル
数の比率である。これは、複合酸化物粒子を元素分析し
て、各元素の重量を測定して、それぞれの原子量で除し
て算出可能であり、あるいはＥＳＣＡ等で分析可能であ
る。なお、上限としては、好ましくは０．９８、より好
ましくは０．９５である。なお、本発明の効果を阻害し
ない範囲で、セリウム、ジルコニウム、酸素以外の他の
元素を含有していても良く、例えば、アルミニウム、カ
ルシウムまたは珪素などが挙げられるが、セリウム、ジ
ルコニウムおよび酸素の合計は９０重量％以上であるこ
とが好ましく、９５重量％以上であることがより好まし
い。
酸化物を構成する酸化セリウムと酸化ジルコニウムとの
割合は、セリウムとジルコニウムとの原子比（Ｃｅ／Ｚ
ｒ）で、好ましくは０．２５以上、より好ましくは０．
３以上であるほうが良い。なお、ここでいう原子比と
は、原子の数の比であり、即ち原子単位で算出したモル
数の比率である。これは、複合酸化物粒子を元素分析し
て、各元素の重量を測定して、それぞれの原子量で除し
て算出可能であり、あるいはＥＳＣＡ等で分析可能であ
る。なお、上限としては、好ましくは０．９８、より好
ましくは０．９５である。なお、本発明の効果を阻害し
ない範囲で、セリウム、ジルコニウム、酸素以外の他の
元素を含有していても良く、例えば、アルミニウム、カ
ルシウムまたは珪素などが挙げられるが、セリウム、ジ
ルコニウムおよび酸素の合計は９０重量％以上であるこ
とが好ましく、９５重量％以上であることがより好まし
い。
【００１７】本複合酸化物粒子を砥粒として研磨材に添
加する場合の粒子径は好ましくは、０．００２〜１０．
０μｍであるが、さらに好ましくは０．０１〜０．１μ
ｍである。ここで述べる粒子は、超微粒子であるので、
ストークス法などの原理を用いた粒子径測定が困難であ
り、透過型電子顕微鏡にて観察して、砥粒の１次粒子径
を測定した。粒子径が０．００２μｍ未満では、研磨パ
ッドとの潤滑性が充分でなく研磨パッドが原因で研磨面
を傷つけやすくなり、適切でない。また、１０．０μｍ
を越えると今度は研磨剤の砥粒自身が原因で、研磨面を
傷つけやすいのでやはり適切でない。
加する場合の粒子径は好ましくは、０．００２〜１０．
０μｍであるが、さらに好ましくは０．０１〜０．１μ
ｍである。ここで述べる粒子は、超微粒子であるので、
ストークス法などの原理を用いた粒子径測定が困難であ
り、透過型電子顕微鏡にて観察して、砥粒の１次粒子径
を測定した。粒子径が０．００２μｍ未満では、研磨パ
ッドとの潤滑性が充分でなく研磨パッドが原因で研磨面
を傷つけやすくなり、適切でない。また、１０．０μｍ
を越えると今度は研磨剤の砥粒自身が原因で、研磨面を
傷つけやすいのでやはり適切でない。
【００１８】本発明の複合酸化物粒子の研磨材への添加
量は研磨材全体に対し、好ましくは０．５〜３０重量％
で有るが、さらに好ましくは、１．０〜１０．０重量％
の範囲である。
量は研磨材全体に対し、好ましくは０．５〜３０重量％
で有るが、さらに好ましくは、１．０〜１０．０重量％
の範囲である。
【００１９】添加量が、０．１重量％未満では、砥粒濃
度が希薄すぎて研磨速度が下がる。また３０重量％以上
を越えて添加すると、砥粒の単位重量当たりに換算した
場合の研磨速度が下がり、研磨効率が低下するので好ま
しくない。
度が希薄すぎて研磨速度が下がる。また３０重量％以上
を越えて添加すると、砥粒の単位重量当たりに換算した
場合の研磨速度が下がり、研磨効率が低下するので好ま
しくない。
【００２０】
（実施例１）ＣｅとＺｒとの原子比（Ｃｅ／Zr）が３０
／７０になるように、酸化第二セリウム（ＣｅＯ2）換
算で１．６１４ｍｏｌ／ｌの塩化セリウム（ＣｅＣ
ｌ3）水溶液４４．６１ｍｌと、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒ０2）換算で２１．３７重量％のオキシ塩化ジルコニ
ウム（ＺｒＯＣｌ2）水溶液９６．８９ｇとを混合し、
これに過酸化水素水１．１５ｇを添加、混合した後、純
水を加え２００ｍｌとした。これを原料Ａという。
／７０になるように、酸化第二セリウム（ＣｅＯ2）換
算で１．６１４ｍｏｌ／ｌの塩化セリウム（ＣｅＣ
ｌ3）水溶液４４．６１ｍｌと、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒ０2）換算で２１．３７重量％のオキシ塩化ジルコニ
ウム（ＺｒＯＣｌ2）水溶液９６．８９ｇとを混合し、
これに過酸化水素水１．１５ｇを添加、混合した後、純
水を加え２００ｍｌとした。これを原料Ａという。
【００２１】一方、２８重量％アンモニア水を、ＮＨ3
とＣｅＣｌ3 及びＺｒＯＣｌ2に含まれるＣｌとの原子
比（ＮＨ3 ／Ｃｌ）が１．５になるように４４．５３ｍ
ｌ計りとり、これに純水を加えて全量を２００ｍｌとし
た。以下、これを原料Ｂという。次に、純粋５０ｍｌを
すでに入れてあるビーカに、原料Ａと原料Ｂを、攪拌し
ながら滴下し、全量をビーカに投入し、含水酸化セリウ
ムと含水酸化ジルコニウムの共沈ゲルを得た。
とＣｅＣｌ3 及びＺｒＯＣｌ2に含まれるＣｌとの原子
比（ＮＨ3 ／Ｃｌ）が１．５になるように４４．５３ｍ
ｌ計りとり、これに純水を加えて全量を２００ｍｌとし
た。以下、これを原料Ｂという。次に、純粋５０ｍｌを
すでに入れてあるビーカに、原料Ａと原料Ｂを、攪拌し
ながら滴下し、全量をビーカに投入し、含水酸化セリウ
ムと含水酸化ジルコニウムの共沈ゲルを得た。
【００２２】次にこの共沈ゲルを、オートクレーブに
て、１５０℃で２４時間加熱処理し、得られたスラリー
を純水で５回濾過、洗浄し、さらにアセトンで３回濾
過、洗浄し、ケークを得た。このケークに、３００ｍｌ
のアセトンを加えて、ボールミルで２４時間粉砕処理
し、得られた有機溶剤ゾルをロータリエバポレータを使
用して６０℃で乾燥し、平均粒子径０．０１μｍで、Ｃ
ｅ／Ｚｒが３０／７０であるセリウムとジルコニウムと
の複合酸化物粒子を得た。
て、１５０℃で２４時間加熱処理し、得られたスラリー
を純水で５回濾過、洗浄し、さらにアセトンで３回濾
過、洗浄し、ケークを得た。このケークに、３００ｍｌ
のアセトンを加えて、ボールミルで２４時間粉砕処理
し、得られた有機溶剤ゾルをロータリエバポレータを使
用して６０℃で乾燥し、平均粒子径０．０１μｍで、Ｃ
ｅ／Ｚｒが３０／７０であるセリウムとジルコニウムと
の複合酸化物粒子を得た。
【００２３】次に、上記複合酸化物粒子を３％の濃度に
なるように添加して、スラリー状の研磨材を調整した。
このようにして得られた研磨材を用いて、ガラスディス
クの研磨効果を調べた。
なるように添加して、スラリー状の研磨材を調整した。
このようにして得られた研磨材を用いて、ガラスディス
クの研磨効果を調べた。
【００２４】研磨条件 被研磨材 ：ガラスサブストレート（φ１００ｍ
ｍ青板ガラス） 研磨装置 ：ラッピングマシーン ポリシングクロス：合成スエードクロス 加重 ：３０ｇ／ｃｍ2 定盤の回転数 ：３０ｒｐｍ ワークの回転数 ：３０ｒｐｍ 研磨時間 ：５時間 研磨速度 ３０分毎に研磨前と研磨後の重量を測定し、前後の重量
減を厚みに換算し、研磨時間で除し平均の研磨速度を求
めた。
ｍ青板ガラス） 研磨装置 ：ラッピングマシーン ポリシングクロス：合成スエードクロス 加重 ：３０ｇ／ｃｍ2 定盤の回転数 ：３０ｒｐｍ ワークの回転数 ：３０ｒｐｍ 研磨時間 ：５時間 研磨速度 ３０分毎に研磨前と研磨後の重量を測定し、前後の重量
減を厚みに換算し、研磨時間で除し平均の研磨速度を求
めた。
【００２５】傷の観察 ガラスディスクを１％ＨＦ溶液で２分間エッチングし、
純水で、洗浄、乾燥後、集光ランプで傷を観察する。そ
のときのスクラッチのの本数を数える。
純水で、洗浄、乾燥後、集光ランプで傷を観察する。そ
のときのスクラッチのの本数を数える。
【００２６】この研磨材の、研磨速度は５．３μｍ／ｈ
ｒであり、傷は観察されなかった。 （比較例１）研磨材用の砥粒として市販品のコロイダル
シリカ（粒子径０．０４μｍ）を１０％の濃度になるよ
うに添加して、スラリー状の研磨材を調整したほかは実
施例１と同様にして研磨した。この研磨材の、研磨速度
は１．２μｍ／ｈｒであり、傷は観察されなかった。
ｒであり、傷は観察されなかった。 （比較例１）研磨材用の砥粒として市販品のコロイダル
シリカ（粒子径０．０４μｍ）を１０％の濃度になるよ
うに添加して、スラリー状の研磨材を調整したほかは実
施例１と同様にして研磨した。この研磨材の、研磨速度
は１．２μｍ／ｈｒであり、傷は観察されなかった。
【００２７】（実施例２）ＣｅとＺｒとの原子比（Ｃｅ
／Zr）が４０／６０になるように、塩化セリウム（Ｃｅ
Ｃｌ3）水溶液５９．４８ｍｌと、オキシ塩化ジルコニ
ウム（ＺｒＯＣｌ2）水溶液８３．０４ｇとしたほかは
実施例１と同様にして原料Ａを得た。また、やはりアン
モニア水を、ＮＨ3とＣｅＣｌ3 及びＺｒＯＣｌ2に含ま
れるＣｌとの原子比（ＮＨ3 ／Ｃｌ）が１．５になるよ
うに４８．５７ｍｌとしたほかは実施例１と同様にして
原料Ｂを得た。さらに、実施例１と同様に純水による濾
過、水洗、アセトン処理、乾燥を行い、粒子径０．０１
μｍの複合酸化物粒子を得た。
／Zr）が４０／６０になるように、塩化セリウム（Ｃｅ
Ｃｌ3）水溶液５９．４８ｍｌと、オキシ塩化ジルコニ
ウム（ＺｒＯＣｌ2）水溶液８３．０４ｇとしたほかは
実施例１と同様にして原料Ａを得た。また、やはりアン
モニア水を、ＮＨ3とＣｅＣｌ3 及びＺｒＯＣｌ2に含ま
れるＣｌとの原子比（ＮＨ3 ／Ｃｌ）が１．５になるよ
うに４８．５７ｍｌとしたほかは実施例１と同様にして
原料Ｂを得た。さらに、実施例１と同様に純水による濾
過、水洗、アセトン処理、乾燥を行い、粒子径０．０１
μｍの複合酸化物粒子を得た。
【００２８】研磨材用の砥粒として上記複合酸化物粒子
を５％の濃度になるように添加して、スラリー状の研磨
剤を調整した。このようにして得られた研磨材を用いて
シリコンウエハの研磨効果を調べた。
を５％の濃度になるように添加して、スラリー状の研磨
剤を調整した。このようにして得られた研磨材を用いて
シリコンウエハの研磨効果を調べた。
【００２９】研磨条件 被研磨材 ：４インチシリコーンウエハ 研磨装置 ：ラッピングマシーン ポリシングクロス：発泡ポリウレタン 加重 ：１００ｇ／ｃｍ2 定盤の回転数 ：６０ｒｐｍ ワークの回転数 ：３０ｒｐｍ 研磨時間 ：６０分 研磨速度と研磨傷は実施例１と同様な方法で評価した。
【００３０】この研磨材の、研磨速度は６．３μｍ／ｈ
ｒであり、傷は観察されなかった。
ｒであり、傷は観察されなかった。
【００３１】（比較例２）研磨材用の砥粒として市販品
のコロイダルシリカ（粒子径０．０４μｍ）１０％の濃
度になるように添加して、スラリー状の研磨材を調整し
たほかは実施例２と同様にして研磨した。この研磨材
の、研磨速度は２．５μｍ／ｈｒであり、傷は観察され
なかった。
のコロイダルシリカ（粒子径０．０４μｍ）１０％の濃
度になるように添加して、スラリー状の研磨材を調整し
たほかは実施例２と同様にして研磨した。この研磨材
の、研磨速度は２．５μｍ／ｈｒであり、傷は観察され
なかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、セリウムとジルコニウムとの
複合酸化物粒子を砥粒として研磨材に添加して用いるこ
とにより、ガラス素材や半導体デバイスなどの研磨に関
し、汚染物質を含まず、現行のシリカ研磨材と同等の表
面加工状態を維持し、且つシリカ研磨材より、研磨速度
を向上させることが出来る。
複合酸化物粒子を砥粒として研磨材に添加して用いるこ
とにより、ガラス素材や半導体デバイスなどの研磨に関
し、汚染物質を含まず、現行のシリカ研磨材と同等の表
面加工状態を維持し、且つシリカ研磨材より、研磨速度
を向上させることが出来る。
Claims (4)
- 【請求項１】 セリウムとジルコニウムとの複合酸化物
粒子を含むことを特徴とする研磨材。 - 【請求項２】 セリウムとジルコニウムとの原子比（Ｃ
ｅ／Ｚｒ）が０．２５以上であることを特徴とする請求
項１の研磨材。 - 【請求項３】 粒子径が０．００２〜１０．０μｍであ
ることを特徴とする請求項１の研磨材。 - 【請求項４】 該複合酸化粒子が液体中でスラリーとし
て分散していることを特徴とする請求項１の研磨材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3930197A JPH10237425A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 研磨材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3930197A JPH10237425A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 研磨材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237425A true JPH10237425A (ja) | 1998-09-08 |
Family
ID=12549310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3930197A Pending JPH10237425A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 研磨材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10237425A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001511468A (ja) * | 1997-07-25 | 2001-08-14 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 半導体基板のための研磨剤 |
| WO2008081943A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Kao Corporation | 研磨液組成物 |
| JP2009007543A (ja) * | 2006-12-28 | 2009-01-15 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| CN102559064A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-07-11 | 上海华明高纳稀土新材料有限公司 | 铈锆镨固溶体及其制备方法 |
| JP2013129056A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-07-04 | Tosoh Corp | 研磨用ジルコニア複合粉末及びその製造方法 |
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