JP2001511468A - 半導体基板のための研磨剤 - Google Patents

半導体基板のための研磨剤

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを有する研磨剤に関する。この研磨剤は、研磨粒子が実質的に、ガラス転移温度ＴGを有する物質からなっており、かつ研磨粒子がドーピング物質を含有していることを特徴としている。この場合、ドーピング物質の濃度は、ドーピングされる物質のガラス転移温度ＴG′が、ドーピングされない第一の物質のガラス転移温度ＴGよりも低いように確定されている。このような研磨剤は、半導体基板または該半導体基板上に設置された層のマイクロスクラッチのない平坦化のために使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを含有している研磨剤
ならびに半導体基板の平坦化のためのこの研磨剤の使用に関する。
【０００２】 サブ−０．５μｍ−技術(Sub-0,5μm-Technologie)において使用される平坦化
方法は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）である。これは化学的に支持された機械的
な研磨としても、あるいは機械的な作用により支持された化学的な湿式エッチン
グとしても解釈することができる。研磨剤は、研磨粒子（研磨材）以外に、活性
な化学的添加物を含有している。化学的添加物は、半導体基板上の特定の層の選
択的な除去を促進する。該添加剤は除去するべき層材料にあわせて調整される。
研磨粒子は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）または 酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）からなる。
【０００３】 比較的軟質の層の加工のために硬質研磨粒子を使用する際、マイクロスクラッ
チ(Mikrokratzer)が発生しうることが判明している。この問題の解決のために、
研磨粒子を構成している物質を軟質相中で使用することにより、研磨粒子の硬度
を変化させることが公知である。
【０００４】 従って例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）は、硬質の六方晶系α−相（コラ
ンダム）と軟質の立方晶系γ−相（粘土）を有している。二酸化ケイ素（ＳｉＯ 2 ）では、それどころか８種類の異なった変態、つまり石英、クリストバライト 、トリジマイト、コーサイト、ステイショバイト、ケアタイト(Keatit)、メラノ
フロジャイトおよび繊維状の二酸化ケイ素が公知である。これらの材料はすべて
、それぞれ規定の硬度および密度を有している。使用される研磨粒子の硬度を変
更する可能性は、使用される変態の選択により制限される。このことにより連続
的な特性範囲は不可能である。従って平坦化するべき材料の硬度および性質を、
研磨プロセスに適合させることは、条件付きで可能であるのみである。
【０００５】 本発明は、従来技術の欠点を回避し、目的に応じた研磨剤を提供するという課
題に基づいている。特に該研磨剤は、できる限り高い除去率でマイクロスクラッ
チの発生を回避するべきものである。
【０００６】 前記課題は、研磨粒子が、実質的にガラス転移温度ＴGを有する第一の物質か らなり、かつ該研磨粒子がドーピング物質を含有しており、その際、ドーピング
された物質のガラス転移温度ＴG′が、ドーピングされていない第一の物質のガ ラス転移温度ＴGよりも低いように、ドーピング物質の濃度を確定する。
【０００７】 従って本発明は、１種または複数種の成分の適切な添加により、研磨粒子のガ
ラス転移温度が低下するように、研磨粒子を構成している物質を変化させること
が考慮される。このことにより該物質がさらに柔らかくなる。
【０００８】 直径５０〜５００ｎｍを有する研磨材の大きさの範囲の粒子にとって、巨視的
な大きさ、例えば硬度はもはや有意義に適用することができない。しかしながら
研磨プロセス関わる硬度は単調にガラス転移温度に依存することが判明した。
【０００９】 第一の物質の相転移が回避されるようにドーピング物質の添加を制限すること
は特に有利である。この場合、ドーピング物質の添加により単に、第一の物質の
構造がわずかに変化するが、しかしこれに対して相転移につながることはない。
【００１０】 ドーピング物質の添加により、長距離秩序ひいては結晶構造が弱くなる。ドー
ピング物質濃度の変更により、このようにして研磨粒子の硬度を正確に調整する
ことができる。ガラス状態への転移は、この軟質化のために必要ではない。
【００１１】 ガラス状態への移行が研磨粒子の所望の軟化のために必要ないとしても、ガラ
ス転移温度は１つの基準を形成し、これに基づいて適切な軟質の組成を確認する
ことができる。ここでガラス転移温度とは、理想的なガラス転移温度、つまり無
限に緩慢な冷却の際にガラス状態への移行を行うような温度を意図している。熱
力学的にこの温度ＴGは、その際にエントロピーＳGlas（Ｔ）が、エントロピー ＳKristall（Ｔ）よりも大きいことを特徴とする。つまり本発明によれば、ガラ
ス転移が重要なのではない。というのも前記のように修飾された結晶構造が、適
切な柔らかさであるという要求を満足することができるからである。
【００１２】 ドーピング物質の添加のための上限値は、相分離（風解(Ausbluehen)）もしく
は逆転粘度(invertierten Viskositaet)（つまり系Ｂでドーピングされた系Ａが
、系Ａでドーピングされた系Ｂに移行すること）が発生するような濃度を形成す
る。
【００１３】 研磨挙動の技術的に重要な変更を達成するために、ドーピングされていない物
質に対してガラス転移温度が少なくとも１０％低下するように、ドーピング物質
の濃度を確定することは有利である。
【００１４】 有利には研磨粒子の第一の物質は、金属または半金属の酸化物である。第一の
物質が研磨粒子のために公知の材料、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3またはＣｅ2Ｏ3 からなる場合には特に有利である。これらの物質の除去挙動は、その相互作用と
同様に研磨剤中に含有されている化学組成物と共に公知である。ドーピング物質
の添加により結晶構造は、該構造が弱くなることを別として保持されたままであ
るため、加工するべき層、溶剤および該溶剤中に含有されている添加剤および研
磨粒子からなる全系における相互作用は、研磨粒子の軟質化によりマイクロスク
ラッチの発生が回避される程度に変化するのみである。平坦化の研磨プロセスの
通例のパラメータの適合を回避することができる。従って研磨プロセスを全く新
たに開発する必要はない。従って相応して構成される研磨剤に関して、化学的機
械的研磨法における使用にとって高い潜在能力が生じる。
【００１５】 技術的もしくは物理的および化学的周辺条件により、研磨材のための第一の物
質として適切な物質の選択は限定されている。１種または複数種のドーピング物
質の添加により、研磨材の交換を必要とすることなく、研磨材の硬度をその都度
研磨するべき基板に適合させることが可能になる。
【００１６】 本発明により前記の研磨剤を半導体基板または半導体基板上に設置された層の
マイクロスクラッチのない平坦化のために使用することができる。
【００１７】 半導体基板の平坦化のための方法における研磨剤のこの使用を、ドーピングし
ていない状態で第一の物質を使用する際に、第一の物質は、半導体基板上に存在
する層または半導体基板自体にマイクロスクラッチが発生しないような硬さであ
り、かつドーピング物質の濃度は、ドーピングされた状態で層または半導体基板
中にスクラッチが発生しない高さに選択するように、実施することは特に有利で
ある。
【００１８】 この特殊な使用の場合、研磨剤の硬度を正確に、加工するべき半導体基板の硬
度および耐性に適合させることができる。
【００１９】 本発明の別の利点および特殊性は、請求項２以降および図面に基づいた以下の
有利な実施態様の記載から明らかになる。
【００２０】 図面において、 図１は、ガラス転移温度と融点との関連を示しており、かつ 図２は、融点と研磨粒子の硬度との関連を示している。
【００２１】 図１に記載されているガラス転移温度と融点との関連は、以下の第１表から明
らかである：
【００２２】
【表１】
【００２３】 図１では、記載した物質に関してガラス転移温度と融点との単調な上昇が明ら
かである。
【００２４】 図２では、モースによる融点に依存した引掻硬度が記載されている。その値は
以下の表から読み取ることができる：
【００２５】
【表２】
【００２６】 図２に記載されている融点と引掻硬度との関連は、融点と引掻硬度単調な上昇
を示している。
【００２７】 従って硬度の単調な上昇と、上昇するガラス転移温度も明らかになる。
【００２８】 ドーピング物質の添加によるガラス転移温度の低下は、ＰＳＧ（ケイ酸リンガ
ラス(Phosphorsilikatglas)）およびＢＰＳＧ（ケイ酸ホウ素リンガラス(Borpho
sphorsilikatglas)）の例で、以下の第３表により明らかである：
【００２９】
【表３】
【００３０】 研磨剤のために適切なコロイド系の記載は、以下に研磨粒子の第一の物質とし
てＳｉＯ2の例を用いて詳細に説明する。同様にこの方法をその他の第一の物質 およびその他のドーピング物質を用いて実施することが可能であることは自明で
ある。
【００３１】 ドーピング物質を含有するコロイド状のＳｉＯ2の製造は、種々の方法により 可能である。
【００３２】 熱分解法の場合、ＳｉＣｌ4／ＡｌＣｌ3の混合物を酸水素炎中で反応させ、か
つ次いで反応生成物を加水分解する。この方法の際に生じる混合酸化物の場合、
母体酸化物である二酸化ケイ素ＳｉＯ2の一次構造中にドーピング物質として酸 化アルミニウムＡｌ2Ｏ3が組み込まれる。その他のドーピング物質、例えばホウ
素またはリンの組み込みは、相応してＳｉＣｌ4とＢＣｌ3またはＰＣｌ5の反応 を経由して可能である。
【００３３】 コロイド状のＳｉＯ2の製造のもう１つの可能性は、水ガラスの脱アルカリで ある。この場合、オルトケイ酸分子が凝結して、５０〜５００ｎｍの直径を有す
る球形のＳｉＯ2凝集体を形成する。相応する比率およびｐＨ値でドーピング物 質が化合物、例えば（ＮＨ4）2ＨＰＯまたはＨ3ＢＯ4で添加されているこの凝結
の際に、同様に、母体酸化物の一次構造へのドーピング物質の組み込みが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ガラス転移温度と融点との関連を示す図
【図２】 融点と研磨粒子の硬度との関連を示す図
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１月２１日（２０００．１．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 有利には研磨粒子の第一の物質は、金属または半金属の酸化物である。第一の
物質が研磨粒子のために公知の材料、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3またはＣｅ2Ｏ3 からなる場合には特に有利である。これらの物質の除去挙動は、その相互作用と
同様に研磨剤中に含有されている化学組成物と共に公知である。ドーピング物質 、例えばＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ａｌの群からの少なくとも１種の元素の 添
加により結晶構造は、該構造が弱くなることを別として保持されたままであるた
め、加工するべき層、溶剤および該溶剤中に含有されている添加剤および研磨粒
子からなる全系における相互作用は、研磨粒子の軟質化によりマイクロスクラッ
チの発生が回避される程度に変化するのみである。平坦化の研磨プロセスの通例
のパラメータの適合を回避することができる。従って研磨プロセスを全く新たに
開発する必要はない。従って相応して構成される研磨剤に関して、化学的機械的
研磨法における使用にとって高い潜在能力が生じる。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを含有する研磨
    剤において、 研磨粒子が実質的にガラス転移温度ＴGを有する第一の物質からなり、 かつ該研磨粒子がドーピング物質を含有しており、 その際、ドーピングされた物質のガラス転移温度ＴG′が、ドーピングされて いない第一の物質のガラス転移温度ＴGよりも低いようにドーピング物質の濃度 が確定されている ことを特徴とする、研磨剤。
  2. 【請求項２】 ガラス転移温度ＴG′が、ドーピングされていない物質のガ ラス転移温度ＴGに対して少なくとも１０％低下するようにドーピング物質の濃 度を確定する、請求項１記載の研磨剤。
  3. 【請求項３】 第一の物質が金属または半金属の酸化物である、請求項１ま
    たは２記載の研磨剤。
  4. 【請求項４】 第一の物質がＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3またはＣｅ2Ｏ3である、請 求項３記載の研磨剤。
  5. 【請求項５】 ドーピング物質が、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ａｌの群か
    らの少なくとも１種の元素を含有している、請求項１から４までのいずれか１項
    記載の研磨剤。
  6. 【請求項６】 研磨粒子の直径が５０〜５００ｎｍである、請求項１から５
    までのいずれか１項記載の研磨剤。
  7. 【請求項７】 半導体基板または半導体基板上に設置された層のマイクロス
    クラッチのない平坦化のための請求項１から６までのいずれか１項記載の研磨剤
    の使用。
  8. 【請求項８】 第一の物質は、ドーピングされていない状態でのその使用の
    際に半導体基板にマイクロスクラッチが発生しないような硬さであり、かつドー
    ピング物質の濃度は、ドーピングされた状態で半導体基板にスクラッチが発生し
    ない高さに選択されている、請求項７記載の研磨剤の使用。
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WO (1) WO1999005232A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297781A (ja) * 2002-02-05 2003-10-17 Degussa Ag 水性分散液、その製造方法及びその使用

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1234800A1 (de) 2001-02-22 2002-08-28 Degussa Aktiengesellschaft Wässrige Dispersion, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
DE10205280C1 (de) * 2002-02-07 2003-07-03 Degussa Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren
KR100850877B1 (ko) * 2004-06-18 2008-08-07 주식회사 동진쎄미켐 철 함유 콜로이달 실리카를 포함하는 화학 기계적 연마슬러리 조성물
KR101072271B1 (ko) * 2005-03-14 2011-10-11 주식회사 동진쎄미켐 화학 기계적 연마 슬러리 조성물용 산화제 및 그 제조방법
CN108821324B (zh) * 2018-09-17 2020-05-19 珠海琴晟新材料有限公司 一种纳米氧化铈及其制备方法和应用

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53149203A (en) * 1977-05-31 1978-12-26 Nippon Kenmazai Kougiyou Kk Molten alumina base grinding material
JPS54101588A (en) * 1978-01-09 1979-08-10 Carborundum Co Polishing material consisting of bauxite and zirconia
JPS6452667A (en) * 1987-05-11 1989-02-28 Norton Co Ceramic body and manufacture
JPH04146987A (ja) * 1990-10-09 1992-05-20 Nippon Kenmazai Kogyo Kk アルミナ―ジルコニア系ラップ研磨材とその製造方法及び研磨用組成物
JPH06115932A (ja) * 1992-10-08 1994-04-26 Showa Denko Kk アルミナ質研磨微粉の製造方法
JPH07173455A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Showa Denko Kk サイアロン相含有アルミナ質焼結砥粒の製造方法
JPH07286166A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Showa Denko Kk アルミナ−ジルコニア質焼結砥粒およびその製造方法
JPH08176532A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Nippon Kenmazai Kogyo Kk アルミナ−ジルコニア系バフ研磨剤
JPH09132770A (ja) * 1995-11-07 1997-05-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 研磨材、その製造方法及び研磨方法
JPH09321003A (ja) * 1995-05-22 1997-12-12 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨材およびその製造方法、ならびにそれを使用した半導体基板上の絶縁膜の平坦化方法
JPH10125638A (ja) * 1996-08-29 1998-05-15 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨用組成物及びそれを使用した半導体基板上の金属膜の平坦化方法
JPH10237425A (ja) * 1997-02-24 1998-09-08 Toray Ind Inc 研磨材
JPH10298537A (ja) * 1997-04-25 1998-11-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 研磨材、その製造方法、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3252917A (en) * 1962-08-27 1966-05-24 Nalco Chemical Co Method of producing alumina-coated silica in sol form
US3620978A (en) * 1968-07-18 1971-11-16 Du Pont Process for preparing stable positively charged alumina-coated silica sols
DE1940412A1 (de) * 1969-08-08 1971-04-29 Degussa Verfahren zur Herstellung feinteiliger,durch Metalloxid modifizierter Kieselsaeuren
US3956171A (en) * 1973-07-30 1976-05-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing stable positively charged alumina coated silica sols and product thereof
DE2907108A1 (de) * 1979-02-23 1980-09-04 Basf Ag Verfahren zur herstellung lagerstabiler, pumpbarer und fliessfaehiger alumosilikat-suspensionen durch nassvermahlung
US5064683A (en) * 1990-10-29 1991-11-12 Motorola, Inc. Method for polish planarizing a semiconductor substrate by using a boron nitride polish stop
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5795495A (en) * 1994-04-25 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing for dielectric layers
US5449314A (en) * 1994-04-25 1995-09-12 Micron Technology, Inc. Method of chimical mechanical polishing for dielectric layers
KR960041316A (ko) * 1995-05-22 1996-12-19 고사이 아키오 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도
DE19520614C1 (de) * 1995-06-06 1996-11-07 Starck H C Gmbh Co Kg Mikrokristalline Sinterschleifkörner auf Basis von a-AI¶2¶O¶3¶ mit hohem Verschleißwiderstand, Verfahren zu seiner Herstellung sowie dessen Verwendung
US5954997A (en) * 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53149203A (en) * 1977-05-31 1978-12-26 Nippon Kenmazai Kougiyou Kk Molten alumina base grinding material
JPS54101588A (en) * 1978-01-09 1979-08-10 Carborundum Co Polishing material consisting of bauxite and zirconia
JPS6452667A (en) * 1987-05-11 1989-02-28 Norton Co Ceramic body and manufacture
JPH04146987A (ja) * 1990-10-09 1992-05-20 Nippon Kenmazai Kogyo Kk アルミナ―ジルコニア系ラップ研磨材とその製造方法及び研磨用組成物
JPH06115932A (ja) * 1992-10-08 1994-04-26 Showa Denko Kk アルミナ質研磨微粉の製造方法
JPH07173455A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Showa Denko Kk サイアロン相含有アルミナ質焼結砥粒の製造方法
JPH07286166A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Showa Denko Kk アルミナ−ジルコニア質焼結砥粒およびその製造方法
JPH08176532A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Nippon Kenmazai Kogyo Kk アルミナ−ジルコニア系バフ研磨剤
JPH09321003A (ja) * 1995-05-22 1997-12-12 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨材およびその製造方法、ならびにそれを使用した半導体基板上の絶縁膜の平坦化方法
JPH09132770A (ja) * 1995-11-07 1997-05-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 研磨材、その製造方法及び研磨方法
JPH10125638A (ja) * 1996-08-29 1998-05-15 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨用組成物及びそれを使用した半導体基板上の金属膜の平坦化方法
JPH10237425A (ja) * 1997-02-24 1998-09-08 Toray Ind Inc 研磨材
JPH10298537A (ja) * 1997-04-25 1998-11-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 研磨材、その製造方法、及び半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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