KR100459580B1 - 무겔형 콜로이드상 연마제 폴리싱 조성물 및 관련 방법 - Google Patents

무겔형 콜로이드상 연마제 폴리싱 조성물 및 관련 방법 Download PDF

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Abstract

무겔형 콜로이드상의 연마제 폴리싱 조성물 및 관련 폴리싱 방법(예컨대 화학 기계적 연마)가 개시되어 있다. 이들 연마제 폴리싱 조성물은 붕소 함유 화합물로 개질(改質)되어 있는 표면 개질 콜로이드상 연마제, 예컨대 표면 개질 콜로이드상 산화세륨 또는 실리카로 이루어진다. 이들 조성물은 기판 폴리싱용은 물론 화학 기계적 평탄화(CMP)용으로 유용하다. 이들 연마제 폴리싱 조성물은 음이온으로 하전된 콜로이드인 경우가 가장 흔하며, 심지어 산성 매체 중에서도 안정한 음극 하전 콜로이드로서 유지된다.

Description

무겔형 콜로이드상 연마제 폴리싱 조성물 및 관련 방법{GEL-FREE COLLOIDAL ABRASIVE POLISHING COMPOSITION AND ASSOCIATED METHODS}
본 발명은 표면 개질(改質) 콜로이드상 연마제(예컨대, 산화세륨) 폴리싱 조성물( 그리고 이들 조성물을 사용하는 관련 방법에 관한 것으로서, 개질된 콜로이드상 연마제는 (양극으로 하전되는 콜로이드인 개질된 콜로이드상 티타니아를 제외하고는)음극으로 하전되어 산성 매체중에서 음극 하전 상태로 유지되고 겔이 없는 무겔형(gel-free)이다.
콜로이드상 연마제 조성물의 특정 개질은 공지되어 있다. 예컨대, 미국 특허 제3,252,917호, 제3,745,126호 및 제3,620,978호와, 유럽 특허 공개 제1 000 995 A1호, 그리고 또한 R.K.Iler저, Wiley Interscience 간행 (1979), "The Chemistry of Silica"라는 제목의 서적, 410-411쪽에 개시되어 있는 바와 같이 여러 가지 금속 화합물을 사용하여 콜로이드상 실리카를 개질해왔다. 또, 미국 특허 제2,630,410호에 개시되어 있는 바와 같이 붕산을 사용하여 콜로이드상 실리카를 안정화시켜왔다.
본 발명은 기존의 콜로이드상 연마제 조성물의 특성을 더욱 향상시킨 표면 개질 콜로이드상 연마제 조성물 및 이 조성물을 사용한 화학 기계적 평탄화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 한 가지 실시예는
a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 상기 붕소 화합물이 사용 가능한 표면 영역의 20% 이상의 수준으로 연마제의 표면상에 존재하는 콜로이드상 연마제와;
b) 산
으로 구성되는 화학 기계적 평탄화용 조성물이다.
본 발명의 다른 한 가지 실시예는
a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 콜로이드상 산화세륨 및 콜로이드상 티타니아로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 콜로이드상 연마제와;
b) 산
으로 구성되는 기계 화학적 평탄화용 조성물이다.
본 발명의 또 다른 한 가지 실시예는
A) 기판을 폴리싱 패드와 접촉하게 배치하는 공정과;
B) a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 상기 붕소 화합물은 사용 가능한 표면 영역의 20% 이상의 수준으로 연마제의 표면상에 존재하는 콜로이드상 연마제와, b) 산으로 구성되는 조성물을 공급하는 공정과;
C)상기 조성물로 상기 기판을 적어도 부분적으로 평탄화하는 공정
으로 이루어지는 화학 기계적 평탄화 방법이다.
본 발명의 또 다른 한 가지 실시예는
A) 기판을 폴리싱 패드와 접촉하게 배치하는 공정과;
B) a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 콜로이드상 산화세륨 및 콜로이드상 티타니아로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 콜로이드상 연마제와, b) 산으로 구성되는 조성물을 공급하는 공정과;
C)상기 조성물로 상기 기판을 적어도 부분적으로 평탄화하는 공정
으로 이루어지는 화학 기계적 평탄화 방법이다.
본 발명의 화학 기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 제조에 사용되는 여러 가지 기판을 평탄화하는 데에 특히 유용하다.
전술한 인용 문헌에 개시된 바와 같이 여러 가지 콜로이드상 연마제의 특정 금속 개질법이 공지되어 있지만, 이들 문헌 중 어느 것도 음극으로 하전되어 산성 매체 중에서도 전하를 유지하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카와 같은 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제 및 이들 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제의 무겔(gel-free) 및 무플록(floc-free)의 장점에 대해서 개시하고 있지 않다. 무플록 특성에 추가하여, 상기 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카는 염기성 조건은 물론 산성 조건 하에서 pH = 1.5 내지 pH = 9의 넓은 범위에 걸쳐 안정하다.
본 발명은 무겔형의 표면 개질 콜로이드상 연마제 폴리싱 조성물 및 이들 개질 연마제 폴리싱 조성물을 이용하는 관련 공정에 관한 것이다. 본 발명의 무겔형 연마제 조성물은 기재[예컨대, 베어(bare) 실리콘웨이퍼]를 폴리싱하는 데에 유용할 뿐만 아니라, 이들 조성물은 또한 반도체 칩/장치의 제조에 있어서 층들의 화학 기계적 평탄화(CMP: 화학 기계적 폴리싱)에도 특히 유용하다. CMP는 이제 당업자에게 널리 알려져 있으며, 많은 특허 및 공개 문헌에 개시되어 왔다. CMP와 관련한 몇 가지 소개 문헌은 다음과 같다. 1998년 Chemtech 간행, B. L. Mueller 및 J. S. Steckenrider 저, "Polishiching Surfaces for Integrated Circuits" 38-46쪽, 그리고, H. Landis 등의 저서, "Thin Solids Films, 220"(1992) 1쪽. 본 발명의 개질 연마제 폴리싱 조성물의 바람직한 용도는 CMP이다.
본 발명의 개질 연마제 폴리싱 조성물은 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제 입자를 포함한다. 본 발명의 폴리싱 조성물의 성분으로서 유용한 무겔형 콜로이드상 연마제로는 비록 한정하는 것은 아니지만 콜로이드상 실리카, 콜로이드상 산화세륨 및 콜로이드상 티타니아가 있다.
붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제 입자는, 후술하는 바와 같이, 콜로이드상 연마제 입자를 붕소 함유 화합물로 처리하여 얻는다. 붕소에 의한 표면 개질을 행하기에 적합한 붕소 함유 화합물로는, 한정하는 것은 아니지만, 붕산, 3염화붕소, 3불화붕소, 트리알콕시 보란이 있다. 붕산이 바람직하다.
본 발명의 조성물 중 주어진 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제 입자는 그 콜로이드상 연마제 입자의 표면의 20% 이상의 영역이 붕소 함유 화합물 및/또는 이 붕소 함유 화합물로부터 유도되는 다른 붕소 함유 화합물(들)에 의하여 피복되어 있다. 본 발명의 조성물 중의 주어진 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제 입자는 그 콜로이드상 연마제 입자의 표면의 40% 내지 95%의 영역이 붕소 함유 화합물 및/또는 이 붕소 함유 화합물로부터 유도되는 다른 붕소 함유 화합물(들)에 의하여 피복되어 있는 것이 바람직하다. 표면 개질 콜로이드상 연마제 입자의 이러한 표면 피복 범위가 약 80% 내지 95% 인 것이 더 바람직하다. 본 발명의 조성물 중의 콜로이드상 연마제 입자에서 피복된 표면 영역의 백분율은 100%까지 이를 수도 있다.
본 발명의 실시예의 일부는 a) 표면이 붕소 함유 화합물 및/또는 이 붕소 화합물로부터 유도된 다른 붕소 함유 화합물(들)과 b) 산으로 구성되는 화학 기계적 평탄화용 조성물이다. 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서 적절한 것으로는, 한정하는 것은 아니지만, 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카, 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 산화세륨 및 붕소에 의한 콜로이드상 티타니아가 있다. 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카는 본 발명의 CMP 방법에 관한 실시예에 바람직하다. 다른 세부 사항(예컨대, 적절한 붕소 함유 화합물(들)과 붕소 함유 화합물(들)에 의한 콜로이드상 연마제 입자상의 영역의 백분율)은 전술한 바와 같다.
이들 조성물에 적합한 산 성분으로는, 한정하는 것은 아니지만 황산, 염산, 질산, 플루오르화수소산, 인산, 과요오드산 및 유기산(들)이 있다. 무기산이 바람직하다. 금속의 CMP 용도로는 산화성 산(oxidizing acid)(예컨대 과요오드산)이 바람직하다. 본 발명의 조성물은 1종 이상의 산을 함유할 수 있는데, 복수 종의 산은 독립적으로 산화성 산이나 비산화성 산일 수 있다.
본 발명의 조성물은 산화제를 더 포함해도 좋다. 적합한 산화제로는, 한정하는 것은 아니지만, 과요오드산, 과산화수소, 요오드산 나트륨이 있다. 과요오드산은 특히 산 성분이 비산화성 산(예컨대, 황산)으로 되도록 선택되는 경우에 바람직하다.
무겔형 조성을 보장하기 위하여 본 발명에 따른 붕소 함유 성분(들)에 의한 콜로이드상 연마제의 표면 개질 정도는 그 콜로이드상 연마제 입자의 평균 치수에 좌우된다. 크기가 작아서 결국은 더 작은 표면적을 제공할 수 밖에 없는 콜로이드상 연마 입자는 더 큰 표면적을 갖는 더 큰 입자에 비해서는 더 높은 수준의 표면 개질을 필요로 하는 것이 일반적이다. 풍산에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카의 예로서, 여러 가지 치수의 콜로이드상 입자는 금속의 CMP 폴리싱 조성물과 같은 산 매체중의 겔 형성에 대한 양호한 안정성을 얻기 위하여 대략 후술되는 바와 같은 붕산에 의한 개질 수준을 필요로 하였다.
평균 입경(mm) 상대적인 붕산량(R, 단위없음) % 표면 개질도
12 8.0 92
23 6.0 95
50 4.3 98
100 2.0 99
R = 100 x (붕산의 몰 수)/(실리카의 몰 수)
*대략적인 값
표면 개질 실리카의 표면 피복을 측정하기 위한 분석적 방법미국 로드아일랜드주 02886 워위크 빌딩 이8 나이트 스트리트 11에 소재하는 콜로이달 다이나믹스사(Colloidal Dynamics Corporation)에서 제조한 콜로이달 다이나믹스 기구(Colloidal Dynamics instrument)를 사용하여 실리카 표면상의 붕산의 표면 피복 정도를 측정하였다. 이 콜로이달 다이나믹스 기구는 표면 개질 실리카 입자의 제타 전위(zeta potential)(표면 전하)를 측정한다. 붕산에 의한 개질 실리카의 준비 중에, 붕산을 탈이온화된 실리카 입자에 부가하는데, 붕산을 부가하면 실리카 입자 표면의 제타 전위가 바뀐다. 전체 표면의 피복 상태에 도달한 후에는 표면 개질 실리카의 제타 전위의 변화는 없다. 주어진 양의 실리카에 대한 붕간의 그램수의 합수로서의 제타 전위의 이러한 적정(滴定) 곡선으로부터, 본 발명자들은 실리카 표면상의 붕산의 % 표면 피복율을 측정하였다.
예 1.
이 예는 평균 입자 직경이 40 내지 55 나노미터인 콜로이드상 실리카 입자에서 기원하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카의 제조법을 제공한다.
약 1 kg의 앰버라이트(Amberlite)(등록상표) IR-120 이온 교환 수지(펜실배니아주 필라델피아에 소재하는 롬 앤드 하아스 콤파니에서 제조)를 1 ℓ의 20 % 황산 용액으로 세척하였다. 혼합물을 교반하고, 수지가 정착 처리되게 하였다. 수성층을 기울여 따르고 10 ℓ의 탈이온수로 세척하였다. 혼합물이 다시 정착 처리되게 한 후, 수성층를 기울여 따라 내었다. 기울여 따른 물이 무색일 때까지 상기 과정을 반복하였다. 이 과정을 통해 산성 상태의 수지가 부여된다.
교반기가 장착된 5 갤론의 혼합 탱크에 사이톤(Syton)(등록상표) HT-50(12 kg, 약 2.27 갤론, 캘리포니아주 칼스바드에 소재하는 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머터리얼즈 엘엘씨 제조)을 넣었다. 이 탱크에 2.502 kg의 탈이온수를 추가로 넣고, 이 용액을 수 분간 혼합되게 하였다. 이 용액의 pH는 약 10.2인 것으로 측정되었다. pH 모니터링을 지속하면서, 소량의 산성 상태 수지를 첨가하는 동시에, 이러한 추가 사이에 pH가 안정화될 수 있게 하였다. pH가 pH 1.90-2.20으로 떨어질 때까지, 수지를 작은 분량으로 더 첨가하였다. 상기 pH 한계치에 도달하고 상기 범위에서 안정되면, 수지를 더 첨가하지 않고 혼합물을 1-1.5 시간 동안 교반하였다. 이 후에, 이 혼합물을 500 메시의 스크린을 통해 통과시켜, 수지 및 주어진 탈이온화된 사이톤(등록상표) HT-50을 제거한다.
268 g의 붕산 분말(펜실배니아주 15275 피츠버그 파크 레인 2000에 소재하는 피셔 사이언티픽에서 제조)을 5.55 kg의 탈이온수에 모두 첨가될 때까지 천천히 첨가한 후, 이 혼합물을 교반기와 히터가 장착된 10 갤론의 혼합 탱크에서 15 시간 동안 교반하고 혼합물의 온도를 55-65 ℃ 까지 상승시킴으로써, 상기 붕산 분말과 탈이온수의 용액을 준비하였다. 그 후, 이 붕산 용액에 탈이온화되고 희석된 사이톤(등록상표) HT-50(14.5 kg)을 약 12 시간에 걸쳐서 천천히 첨가하였는데, 이는 상기 HT-50을 약 200 ㎖/분 정도로 첨가하고 온도를 52 ℃ 이상으로 유지하는 동시에 혼합물을 교반함으로써 실시하였다. 이러한 첨가가 완료된 후, 이 혼합물을 60 ℃로 가열하고 교반하는 것을 5.5 시간 동안 지속하였다. 이렇게 생성된 용액을 이후에 1 미크론의 필터를 통해 여과시켜, 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카를 만들었다.
이러한 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카는 콜로이달 다이나믹스 기구(로드 아일랜드주 02886 워위크 빌딩 이 8 나이트 스트리트 11에 소재)를 사용하여 15일에 걸쳐 콜로이드 안정성을 나타내는 것을 특징으로 한다. 상기 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카는 15일간의 시험 기간에 걸쳐서 pH(pH = ~6.6)와 제타 전위(제타 전위 = ~-58 밀리볼트)가 모두 일정하게 나타내는 것을 발견하였다. 붕소 함유 화합물(들)이 상기 표면 개질 콜로이드상 실리카의 표면 영역에서 차지하는 비율은 약 98 %이었다.
예 2.
이 예는 매우 다양한 상이한 산이 존재하는 조건에서 겔이 형성되려는 무렵에 상기 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카가 안정적이라는 것을 예시한다.
붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카(20.3 kg, 예 1을 따라 준비됨)를 주변 온도에서 26.4 g의 86 % 인산(H3PO4) 용액과 함께 2시간에 걸쳐 교반하고, 겔의 형성과 관련하여 혼합물(pH = 2.4)을 주기적으로 체크하였다. 30일간에 걸쳐 겔의 형성은 관측되지 않았다.
그 후, 인산 대신에 각각의 산(표 1에 기재)을 추가로 사용하여(전술된 바와 같이), 상기 겔 형성 무렵의 안정성 실험을 반복하였다. 표 1에 기재된 특정 산의 경우 나타난 바와 같이, pH가 2.4 내지 3.5의 범위인 산성 혼합물에서 30일에 걸쳐 겔의 형성이 관측되지 않았다.
비교예 1.
이 예는 시판중인 나트륨으로 안정화된 콜로이드상 실리카(탈이온화되지 않았고 붕소 화합물로 표면 개질되지 않음)가 특정 산성 매체에서 겔의 형성 무렵 안정적이지 못한 것을 예시한다.
사이톤(등록상표) HT-50 콜로이드상 실리카(100 g, 캘리포니아주 칼스바드에 소재하는 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머터리얼즈 엘엘씨)를 주변 온도에서 6.3 g의 30 % 과요오드산(H3IO5) 용액과 함께 교반하였다. 이 혼합물(pH = 3.0)은 표 1에 나타난 바와 같이 주변 온도에서 15 시간 교반한 후 겔 형성되는 것으로 관찰되었다. 과요오드산 대신에 인산을 사용한 경우, 표 1에 나타난 바와 같이 6 시간이 경과한 후 겔이 형성되었다. 또한, 표 1은 그 밖의 다른 산의 경우 15 시간에 걸쳐 겔의 형성이 나타나지 않는다는 결과를 보여준다.
비교예 2.
이 예는 산 형태의 탈이온화된 콜로이드상 실리카(예컨대, 규산)가 특정 산성 매체에서 겔의 형성 무렵에 안정적이지 못한 것을 예시한다.
탈이온화된 사이톤(등록상표) HT-50(150 g, 예 1에 주어진 바와 같이 준비됨)을 주변 온도에서 제1의 경우에는 0.10 g의 30% 과요오드산(H3IO5) 용액과 함께 교반하고, 제2의 경우에는 0.10 g의 30% 인산(H3PO4)과 함께 교반하였다. 두 경우 모두, 혼합물(pH = 3.0)은 주변 온도에서 10일간의 교반 후에 겔이 형성된다는 것이 관찰되었다. 또한, 표 1은 그 밖의 다른 산에 대한 결과에서도 10일에 걸쳐서 겔의 형성이 나타나지 않는 것을 보여준다.
비교예 3.
이 예는 산성 매체에서 겔 및 플록의 형성 무렵에 안정적이지 못한 알루미늄에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카의 준비 및 시험을 예시한다.
알루미늄에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카는 다음의 절차를 이용하여 준비된다. 탈이온수(10,507 g)와 염기성 초산 알루미늄(붕산으로 안정화됨, 1,284 g, 35.3 중량%의 알루미나와 등량)(위스콘신주 밀워키에 소재하는 알드리치 케미칼스에서 제조)을 고전단(high shear) 교반 수단이 장착된 건식 교반 용기(약 12-15 갤론을 수용)에서 혼합하였다. 이 혼합물을 모든 고형물이 완전히 용해되어 반응 혼합물(A)이 만들어질 때까지 교반하였다.
별도의 청정하고 건조한 용기에서, 탈이온수(10,663 g)와 사이톤(등록상표) HT-50(22,687 g, 약 4.31 갤론, 캘리포니아주 칼스바드에 소재하는 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머터리얼즈 엘엘씨에서 제조)을 적절하게 교반하여 전체적으로 혼합하였다. 주변 온도에서 적절하게 교반하고 pH 모니터링을 계속하면서, 이렇게 생성된 혼합물에 IRC 이온 교환 수지(약 3,907 g, 위스콘신주 밀워키에 소재하는 알드리치 케미컬스에서 제조)를 한 스푼씩 첨가하였다. 1회분의 수지를 첨가할 때마다, 수 분동안 반응 매체의 pH가 안정화되게 하였다. pH의 레벨이 2.00 ±0.05에 이를때까지 수지를 1회분씩 더 첨가하였다. 목표 pH인 2에 도달한 직후, 반응 혼합물을 여과시켜 수지 비드(bead)를 제거하고 반응 혼합물(B)을 만들었다.
주변 온도에서 고전단 교반하면서, 반응 혼합물(B)에 반응 혼합물(A)을 1시간에 걸쳐 일정한 속도로 첨가하였다. 이 첨가가 완료되면, 고전단 교반을 30분간 계속하여, 알루미늄에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카를 만들었다.
알루미늄에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카(100 g)를 주변 온도에서 제1의 경우 12.84 g의 30% 과요오드산(H3IO5)용액과 함께 교반하였고, 제2의 경우 9.38 g의 20% 인산(H3PO4)과 함께 교반하였으며, 제3의 경우 9.83 g의 20% 황산(H2SO4)와 함께 교반하였다. 모든 경우, 혼합물은, 표 1에 나타난 바와 같이 주변 온도에서 10-60분간의 교반 내에 겔이 형성된다는 것이 관찰되었다. 또한, 표 1은 질산(HNO3) 대한 결과에서는 30일에 걸쳐서 겔의 형성이 나타나지 않는 것을 보여준다.
pH 3.0의 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카 및 알루미늄에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카의 점도 및 제타 전위에 산이 미치는 영향
산 붕소에 의한 표면개질 콜로이드상실리카 나트륨으로 안정화된콜로이드상 실리카(표면개질되지 않음) 규산(표면개질되지 않음) 알루미늄에 의한표면 개질콜로이드상 실리카
첨가량(g) 점도(cP) Zeta(mV) 첨가량(g) 점도(cP) Zeta(mV) 첨가량(g) 점도(cP) Zeta(mV) 첨가량(g) 점도(cP) Zeta(mV)
무염기콜로이드 - 2.15 -53.6 - 6.22 -92.7 - 3.72 0.5 - 2.01 33.3
20%H3PO4 1.01 2.08 -17.9 3.5 3.34(6시간후겔화) -1.1 1.4 3.27(10일후겔화) -2.2 9.83 겔화 ----
30%HIO4 1.31 2.22 -16.9 4.57 3.58(6시간후겔화) -1.7 1.83 3.21(10일후겔화) -1.8 12.84 (10분후겔화) ----
20%HNO3 0.65 2.16 -29.6 2.25 3.23 -56 0.9 3.52 -1.4 6.32 1.99 28
20%H2SO4 1.01 2.20 -16.1 3.5 2.81 -0.51 1.4 3.19 -2.1 9.83 (30분후겔화) 6.1
유의사항 : 각 경우마다 pH를 3.0으로 조절하기 위하여, 전술된 연마 물질은 필요한 경우 상이한 산 대 실리카 비율을 이용하였다.
이 표에 도시된 각 조성에서 이용된 연마 물질의 양은 180 g이었다.
cP = 센티푸아즈
Zeta = 제타 전위
g = 그람
hr = 시간
min = 분
mV = 밀리볼트
예 3.
이 예는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 티타니아의 준비 및 시험을 예시하는 것으로, 상기 물질이 산성 매체에서 무겔 상태인 것을 입증한다.
콜로이드상 훈연 티타니아(fumed-titinia)(뉴저지주 07660 리지필드 파크 챌린저 로드 65에 소재하는 데구사 코포레이션에서 제조)를 붕산으로 처리하여 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 티타니아를 만드는 것은, 콜로이드상 실리카 대신에 100 g의 콜로이드상 훈연 티타니아를 이용하는 것을 제외하고는 예 1에 주어진 절차에 따라 실시된다. 그 결과 형성된 표면 개질 콜로이드상 티타니아의 표면 영역에서 붕소 함유 화합물(들)이 차지하는 비율은 약 98 %이었다.
이렇게 형성된 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 티타니아(100 g)의 일부를 표 2에 기재된 바와 같은 산에서 차례로 잇따라 선택되는 하나가 존재하는 조건하에 주변 온도에서 교반하였다. 표 2는 제타 전위, pH, 전도성, 및 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카와의 비교를 보여준다. 3일에 걸쳐 겔이나 플록이 형성되는 샘플은 관찰되지 않았다.
붕산에 의한 표면 개질 이산화세륨(산화세륨), 이산화 티타늄(티타니아) 및 이산화 규소(실리카) 입자
샘플 H3BO3-개질된 CeO2 H3BO3-개질된 ***TiO2 H3BO3-개질된 SiO2
고형물(중량%) 8.72 4.68 24.92
pH 7.13 3.01 5.91
제타 전위(mV) -42.6 162.4 -51
전도성(S/m) 0.1115 0.015 0.1092
mV = 밀리볼트
S/m = 지멘스/미터
*** 약간의 입자 응고로 인한 높은 양의 제타 전위
예 4.
이 예는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 산화세륨의 준비 및 시험을 예시하는 것으로, 상기 물질이 산성 매체에서 무겔 상태인 것을 입증한다.
콜로이드상 산화세륨(매사추세츠주 01615 워체스터 피.오. 박스 15137 뉴바운드 스트리트 1 세인트-고바인)을 붕산으로 처리하여 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 산화세륨을 만드는 것은, 콜로이드상 실리카 대신에 100 g의 콜로이드상 산화세륨을 이용하는 것을 제외하고는 예 1에 주어진 절차에 따라 실시된다. 이 표면 개질 콜로이드상 산화세륨의 표면 영역에서 붕소 함유 혼합물(들)이 차지하는 비율은 약 95 %이었다.
이렇게 형성된 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 산화세륨(100 g)의 일부를 질산, 인산, 황산 및 과요오드산 중 차례로 잇따라 선택되는 하나가 존재하는 조건하에 주변 온도에서 교반하였다. 표 2는 상기 산들과 표면 개질 콜로이드상 산화세륨 조성물의 경우에서 제타 전위, pH, 전도성, 및 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카와의 비교를 보여준다. 3일에 걸쳐 겔이나 플록이 형성되는 샘플은 관찰되지 않았다.
예 5.
이 예는, 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카로 이루어진 폴리싱 조성물이, 유전체에 대해 텅스텐을 제거하기 위해 텅스턴 금속과 유전체[즉, PETEOS(plasma enhanced tetraethyl orthosilicate)로 이루어진 면적을 포함하는 기판의 표면을 높은 선택도로 화학 기계적 평탄화(CMP)하는데 효과적인 것을 알아낸 것을 예시한다.
4 kg 분량의 이하의 폴리싱 조성물을 준비하였다.
성분 양(g)
붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카 154
(예 1에서 준비한 바와 같이)
과요오드산(30%의 수성 용액) 346
레넥스(등록상표) 690 무이온 계면 활성제
(10% 용액, 델라웨어주 윌밍턴에 소재하는
임페리얼 케미컬 인더스트리 리미티드에서 제조) 45
물 3,373
수산화 암모늄 혼합물의 pH를 3.5-4로 조절
할 필요가 있는 경우 약 82g
상기 폴리싱 조성물을 상기 기판의 표면을 연마하는데 사용하였다. 아리조나주 85226 챈들러 노스 54번가 305에 소재하는 스피드팸-아이펙에서 제조하는 아이펙(IPEC) 372라는 폴리싱 기계를 후술한 바와 같이 설정된 조건에서 사용하였다.
다운 포스 = 7 psi
폴리싱 조성물의 유동 속도 = 170 ㎖/분
역압 = 0.5 psi
캐리어 속도 = 35 psi
압반 속도 = 40 RPM
상기 기판은 상기 조건 하에서 텅스턴 제거 대 PETEOS 제거에 대한 선택도가 20:1인 상태로 상기 폴리싱 조성물을 이용하여 효과적으로 평탄화된다.
예상 비교예 4.
이 예상 비교예는, 나트륨으로 안정화된 콜로이드상 실리카[예컨대, 사이톤(등록상표) HT-50] 또는 규산[산 형태의 탈이온화된 콜로이드상 실리카, 예컨대 탈이온화된 사이톤(등록상표) HT-50](양 물질 모두 붕소에 의한 표면 개질 조성물이 아님)이 효과적이지 못하며, 예 5에 주어진 텅스텐 CMP용 조성물에서 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카를 대신하여 사용하는 경우 그 결과가 조악하다는 것을 예시한다. 더 구체적으로 말하면, 폴리싱 조성물에서 예 5의 붕산에 의한 표면 개질 콜로이드상 실리카 대신에, 나트륨으로 안정화된 콜로이드상 실리카 또는 규산을 그 밖의 다른 구성 성분과 동일한 중량으로 사용한 경우, 이 비교 조성물은 텅스텐 CMP용 조성물로서 사용하기에 효과적이지 못하며 그 결과가 조악한 것으로 타나는데, 주로 그 이유는 붕소에 의한 표면 개질 혼합물이 아닌 물질이 과요오드산 등의 산성 매체에서 겔 형성 및 상 분리와 관련하여 불안정하기 때문이다.
본 발명은 몇몇 바람직한 실시예를 참조로 기술되었지만, 본 발명의 전체 범위는 이하의 청구범위에 의해 결정되어야 한다.
본 발명에 따라 제조되는 무겔형 콜로이드상 연마제 폴리싱 조성물은 화학 기계적 평탄화에 사용되어 뛰어난 품질의 연마가 가능하게 한다.

Claims (13)

  1. 기계 화학적 평탄화용 조성물로서,
    a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 상기 붕소 화합물이 사용 가능한 표면 영역의 20% 이상의 수준으로 연마제의 표면상에 존재하는 콜로이드상 연마제와;
    b) 산
    으로 구성되는 것인 조성물
  2. 기계 화학적 평탄화용 조성물로서,
    a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 콜로이드상 산화세륨 및 콜로이드상 티타니아로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 콜로이드상 연마제와;
    b) 산
    으로 구성되는 것인 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산은 산화성 산인 것인 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 산화성 산은 과요오드산인 것인 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화제를 더 포함하는 것인 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 붕소 화합물은 붕산인 것인 조성물.
  7. 화학 기계적 평탄화 방법으로서,
    A) 기판을 폴리싱 패드와 접촉하게 배치하는 공정과;
    B) a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 상기 붕소 화합물이 사용 가능한 표면 영역의 20% 이상의 수준으로 연마제의 표면상에 존재하는 콜로이드상 연마제와, b) 산으로 구성되는 조성물을 공급하는 공정과;
    C)상기 조성물로 상기 기판을 적어도 부분적으로 평탄화하는 공정
    으로 이루어지는 평탄화 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 연마제는 실리카인 것인 평탄화 방법.
  9. 화학 기계적 평탄화 방법으로서,
    A) 기판을 폴리싱 패드와 접촉하게 배치하는 공정과;
    B) a) 연마제의 표면상에 붕소 화합물을 함유하는 붕소에 의한 표면 개질 콜로이드상 연마제로서, 콜로이드상 산화세륨 및 콜로이드상 티타니아로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 콜로이드상 연마제와, b) 산으로 구성되는 조성물을 공급하는 공정과;
    C)상기 조성물로 상기 기판을 적어도 부분적으로 평탄화하는 공정
    으로 이루어지는 것인 평탄화 방법.
  10. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 산은 산화성 산인 것인 평탄화 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 산화성 산은 과요오드산인 것인 평탄화 방법.
  12. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 조성물은 산화제를 더 포함하는 것인 평탄화 방법.
  13. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 붕소 화합물은 붕산인 것인 평탄화 방법.
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