JP2013176835A - 合成石英ガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明によれば、合成石英ガラス基板の鏡面研磨に際し、高騰した酸化セリウムの代替品として品質を落とさず、コストも削減できる酸化ジルコニウムの使用が可能である。また、精密研磨以外では、使用が難しいとされていた酸化ジルコニウムをプレ研磨工程で使用することが可能となった。
【選択図】なし
Description
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、研磨工程上のコスト削減ができる、ラッピング工程後の研磨に使用可能な酸化ジルコニウム研磨剤を用いて鏡面化する工程を含む合成石英ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
〈1〉
正方晶又は立方晶の酸化ジルコニウムを含む研磨剤により、粗面状の合成石英ガラス基板を鏡面化する工程を含む合成石英ガラス基板の製造方法。
〈2〉
前記正方晶又は立方晶の酸化ジルコニウムが、アルカリ土類酸化物又は希土類酸化物により形成・安定化されたものである〈1〉記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〈3〉
前記アルカリ土類酸化物が、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムから選ばれる〈2〉記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〈4〉
前記希土類酸化物が、酸化イットリウム及び酸化スカンジウムから選ばれる〈2〉記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〈5〉
前記粗面状の合成石英ガラスの面粗度(Rms)が、0.05〜0.50μmである〈1〉〜〈4〉のいずれかに記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〈6〉
鏡面化された合成石英ガラスの面粗度(Rms)が、30nm以下である〈1〉〜〈5〉のいずれかに記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〈7〉
前記酸化ジルコニウムの平均粒子径が0.3〜10.0μmの範囲である〈1〉〜〈6〉のいずれかに記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
ここで、本発明の酸化ジルコニウムは、単斜晶の酸化ジルコニウムにアルカリ土類酸化物、希土類酸化物等の安定化剤を添加することで、その結晶構造を正方晶又は立方晶にして安定化させ、単斜晶への転位を抑制した酸化ジルコニウムのことをいう。純粋な酸化ジルコニウム(ZrO2)は、高温帯において単斜晶(低温型)から正方晶又は立方晶(高温型)へ結晶構造の転位を起こして体積が変化(約7%)する。従って、温度変化に伴う体積変化を繰り返すことにより結晶構造が破壊されるが、安定化剤を添加して得られる正方晶又は立方晶の酸化ジルコニウムは、結晶構造の転位が抑制されて安定化する。
原料のスライスされた合成石英ガラス基板(30×30×6.5mmt)を遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピング研磨を行い、粗面状の基板を用意してプレ研磨工程に投入した。プレ研磨工程前の基板の中心付近、端面付近のRmsを各々2点ずつ1μm角で測定してその平均値をとったRmsは0.320μmであった。なお、Rmsの測定は、原子間力顕微鏡(PACIFIC NANOTECHNOLOGY製 NANO−IM−8)を使用した。
研磨剤として、酸化マグネシウムにより正方晶又は立方晶となった酸化ジルコニウム(第一稀元素化学工業社製、粒子径1.2μm、安定化率70〜100%)を用いて実施例1と同様の条件にて研磨等を実施した。
実施例1と同様の条件にて評価したところ、プレ研磨工程前のRms0.398μmの合成石英ガラス基板が、プレ研磨工程後にはRms0.8nmとなり、研磨速度は20.3μm/hであり、Rms及び研磨速度ともに良好であった。
研磨剤として、酸化イットリウムにより正方晶又は立方晶となった酸化ジルコニウム(第一稀元素化学工業社製、粒子径1.2μm、安定化率90〜100%)を用いて実施例1と同様の条件にて研磨等を実施した。
実施例1と同様の条件にて評価したところ、プレ研磨工程前のRms0.403μmの合成石英ガラス基板が、プレ研磨工程後にはRms0.8nmとなり、研磨速度は19.7μm/hであったことから、Rms及び研磨速度ともに良好であった。
実施例1で得られたプレ研磨後の合成石英ガラス基板をSiO2濃度が40質量%であるコロイダルシリカ水分散液((株)フジミインコーポレーテッド製、粒子径75.7nm)を用いて、軟質スェードパッドにて引き続き精密研磨を実施した。研磨機は5B型両面研磨機を用い、荷重100gf/cm2にて、プレ研磨工程までに入ったキズを除去するのに十分な量(2μm以上)を研磨した。
その後、洗浄・乾燥した。基板の中心付近、端面付近のRmsを各々2点ずつ1μm角で測定してその平均値をとったRmsは0.12nmであった。
研磨剤として、単斜晶の酸化ジルコニウム(第一稀元素化学工業社製、粒子径1.2μm)を用いて実施例1と同様の条件にて研磨等を実施した。
実施例1と同様の条件にて評価したところ、プレ研磨工程前のRms0.452μmの合成石英ガラス基板が、プレ研磨工程後にはRms0.443μmとなりRmsに変化がなく、研磨速度も0μm/hであったことから、研磨不可であった。
Claims (7)
- 正方晶又は立方晶の酸化ジルコニウムを含む研磨剤により、粗面状の合成石英ガラス基板を鏡面化する工程を含む合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記正方晶又は立方晶の酸化ジルコニウムが、アルカリ土類酸化物又は希土類酸化物により形成・安定化されたものである請求項1記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記アルカリ土類酸化物が、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムから選ばれる請求項2記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記希土類酸化物が、酸化イットリウム及び酸化スカンジウムから選ばれる請求項2記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記粗面状の合成石英ガラスの面粗度(Rms)が、0.05〜0.50μmである請求項1〜4のいずれか1項記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 鏡面化された合成石英ガラスの面粗度(Rms)が、30nm以下である請求項1〜5のいずれか1項記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記酸化ジルコニウムの平均粒子径が0.3〜10.0μmの範囲である請求項1〜6のいずれか1項記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
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