CN1560161A - 一种水基纳米金刚石抛光液及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于研磨抛光技术领域。涉及一种水基纳米金刚石抛光液及其制造方法。主要成分包括:纳米金刚石、改性剂、分散剂与/或超分散剂、pH值调节剂、润湿调节剂、具有化学作用的添加剂及去离子水。其制造方法主要包括:1.通过机械化学改性,将纳米金刚石的团聚体分散成平均粒度为20~100nm的小聚集体,2.除去悬浮液中的粗颗粒和其它杂质;3.添加调节工件与抛光液润湿特性的调节剂(润湿剂)、分散稳定剂、pH值调节剂、具有化学作用的添加剂及去离子水,超声或/和搅拌分散。该发明可用于各类光电子晶体、计算机硬盘基片、光学元器件及铜连接的半导体集成电路等的超精密抛光,将产品的表面粗糙度减小至亚纳米级。
Description
技术领域:本发明属超精密抛光加工领域,涉及超精密加工用抛光液和纳米金刚石抛光液的制造方法。
背景技术:随着通讯高频化、存储超大容量化、特征尺寸向0.13微米或以下的过渡,信息材料及元件的表面粗糙度要求达到1nm左右或以下,这就对磨料及抛光液提出了更高的要求。纳米金刚石的球形与椭球形外貌决定了抛光时不会对工件产生划痕,这是其它方法制备的抛光液难以达到的。纳米金刚石的硬度则是其它材质的磨料无法比拟的。这对提高加工效率和高硬度元件的加工来说,极为重要。正是由于纳米金刚石的上述优势,自纳米金刚石问世,人们就开展了其在抛光中的应用研究。山东东营刘麒荣《超精研磨剂及其制备工艺》公开号:CN1332219A公开了一种用纳米金刚石制成油基抛光液的方法,水基纳米金刚石抛光液由于制备的难度等原因,还未见相关报导。由于目前绝大部分的人工晶体、集成电路的加工是在水体系中进行的,故而油基抛光液无法满足生产要求,且油基抛光液与水基抛光液相比,抛光成本和后处理相对较高,抛光效率较低。
发明内容:本发明的目的提供一种用于各类人工晶体、光电子元件和超大规模集成电路的抛光加工所用的抛光成本较低、抛光效率较高、性能稳定、用于抛光工件时,表面粗糙度小于0.4nm的水基纳米金刚石抛光液及其制造方法。
本发明的技术方案是:一种水基纳米金刚石抛光液及其制造方法,其抛光液:
1.组分与重量百分比如下:
纳米金刚石 0.2-10.0%;
改性剂 0.1-3.0%
分散剂与/或超分散剂 0.02-5.0%;
润湿剂 0.02-1.0%
化学添加剂 0.1-1.0%
去离子水 88.2-98.5%
上述组分中,所述的纳米金刚石采用负氧平衡炸药爆轰合成的纳米金刚石作原料,纳米金刚石的平均直径为20-100nm,粒度分布范围为10-200nm;改性剂是:EDTA、柠檬酸、十二烷基硫酸钠、烷基酚聚氧乙烯醚、单宁酸、十八烷基硫酸钠、六偏磷酸钠、多聚磷酸钠、磷酸钠、聚乙二醇、钛酸酯偶联剂、硅烷偶联剂、锆铝酸盐偶联剂、油酸、油酸钠、甘油及Solsperse系列超分散剂中的一种或几种,纳米金刚石与改性剂的重量比为1∶0.001-0.5;分散剂可以是聚乙烯醇、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠、聚乙二醇、壬基酚聚氧乙烯醚、聚乙烯吡咯烷酮及脱糖缩合木质素磺酸钠中的一种或多种的组合;超分散剂是指一类水溶性的超分散剂,如聚羧基硅氧烷聚乙二醇两段共聚物;润湿剂可以是表面活性剂:壬基酚聚氧乙烯醚、没食子酸、二羟乙基乙二胺、聚氧乙烯烷基酚醚、环氧丙烷和环氧乙烷的嵌段聚醚中的一种或多种;化学添加剂可以是二氧化硅溶胶、二羟乙基乙二胺、BTA、氨水、过氧化氢、氢氧化钾中的一种或几种;去离子水电阻率大于5MΩ·cm,最好大于10MΩ·cm,甚至大于15MΩ·cm。
2.制备方法:
(1)先对去离子水进行处理:取适量的去离子水与分散剂或/和超分散剂经超声或搅拌成均匀的去离子水混合溶液备用,其中分散剂或/和超分散剂的重量百分比为:0.2-5.0%。
(2)将重量比为1∶0.001-0.5的纳米金刚石和改性剂通过改性设备实现纳米金刚石的破碎与表面改性。
(3)采用过滤膜或离心的方法除去(2)中的杂质和粗颗粒(如必要,可将其干燥),余料为母液或母料。
(4)将母液或母料加入到备用的去离子水混合溶液中,根据抛光工件对抛光液的要求,加入pH值调节剂,调节pH值,搅拌或超声,初步使体系pH值达到抛光液所需的范围(pH=2-12);pH值调节剂的种类根据抛光工件对抛光液的要求确定。
(5)加入润湿剂和化学添加剂,超声或剪切分散均匀。
(6)再加入pH值调节剂,精确调节pH值,搅拌或超声,使体系达到抛光液所需的pH值范围(pH=2-12),即可制得所需的纳米金刚石抛光液。
上述制备工艺中,纳米金刚石表面的机械化学改性过程是必须的。改性过程中,纳米金刚石团聚体得到了破碎,露出新鲜表面,由于新鲜表面上含有大量的悬挂键,加上改性过程中产生的局部高温,对纳米金刚石与改性剂之间的作用提供了可能。为了减少因改性过程的增杂现象对抛光过程产生的负面影响,改性设备宜采用具有增杂较少的气流粉碎、高压液流粉碎、球磨、搅拌磨中和一种或几种。
pH值调节剂根据抛光工件对抛光液的要求确定,可以是氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、乙醇胺、三乙醇胺、二羟乙基乙二胺、盐酸、硫酸、磷酸及硝酸中的一种或多种。如果抛光工件对抛光液的要求需往碱性方向调节,则加入上述碱性物质中和一种或多种,如抛光液需往酸性方向调节,需加入上述酸中的一种或多种。
调节抛光液的pH值有两个目的,一是有利于纳米金刚石的分散稳定,二是满足抛光液对工件化学机械抛光的目的。pH值调节剂的选择须在不影响抛光工件的性能的前提下进行。
本工艺制备的纳米金刚石抛光液具备良好的悬浮稳定性,可在常温下,保质18~24个月,其中的纳米金刚石粒子不发生沉降,所加化学物质不发生失效现象。经原子力显微镜观察,未发现粒度超过200nm的颗粒。ZETASIZER3000HS分析表明,其粒度基本呈正态分布。用原子力显微镜对抛光后工件的表面粗糙度分析表明,平均粗糙度(Ra)小于0.4nm。
具体实施例:
实施例1:用分散剂壬基酚聚氧乙烯醚与去离子水配制成1000ml的去离子水混合溶液,其中壬基酚聚氧乙烯醚的重量百分比为0.5%,备用;用液流粉碎的方式对纳米金刚石进行改性,在高压液流中加入表面改性剂十二烷基硫酸钠5克,纳米金刚石25,改性后,除去杂质并分级,取粒度分布在10~110nm之间、平均粒径为60nm的那部分金刚石,将其加入到壬基酚聚氧乙烯醚与去离子水配成的混合溶液中,纳米金刚石的重量百分比达到2.5%,超声,使其均匀,而后,加入三乙醇胺作为pH值调节剂,调节其pH值为12。
用上述配好的抛光液,在NANOPOL-100抛光机上抛光3英寸的石英晶片,抛光前,表面粗糙度在2~3nm左右。抛光压力为16kPa,抛光盘转速为100rpm,抛光液流量为5ml/min,抛光时间为60min,抛光后,石英晶片的表面粗糙度变为0.214nm。抛光表面无划痕与孔洞缺陷,抛光速率达到1.5μm/小时。
实施例2:用超分散剂聚羧基硅氧烷聚乙二醇与去离子水配制成1000ml的去离子水混合溶液,其中聚羧基硅氧烷聚乙二醇的重量百分比为1.0%,备用;用球磨的方式对纳米金刚石进行改性,在球磨过程中加入表面改性剂油酸钠7克,纳米金刚石25克,改性后,离心去杂并分级,取粒度分布在10~100nm之间、平均粒径为45nm的那部分金刚石,将其加入已加到聚羧基硅氧烷聚乙二醇与去离子水配成的混合溶液中,纳米金刚石的重量百分比达到2.5%,超声,使其均匀,而后,加入二羟乙基乙二胺作为pH值调节剂和化学作用添加剂,调节其pH值为10.5左右。
用上述配好的抛光液,在NANOPOL-100抛光机上抛光3英寸的单晶硅片,抛光前,表面粗糙度在3.6nm左右。抛光压力为20kPa,抛光盘转速为100rpm,抛光液流量为5ml/min,抛光时间为60mins,抛光后,单晶硅片的表面粗糙度变为0.301nm。抛光表面无划痕。抛光速率达到650nm/min。
实施例3:抛光液中纳米金刚石的重量百分比为1.0%,其余成分、抛光液的制备方式同实施例2。
用上述配好的抛光液,在NANOPOL-100抛光机上抛光3英寸的单晶硅片,抛光前,表面粗糙度在4.5nm左右。抛光压力为20kPa,抛光盘转速为100rpm,抛光液流量为5ml/min,抛光时间为60min,抛光后,单晶硅片的表面粗糙度变为0.400nm。抛光表面无划痕,抛光速率达到620nm/min。
实施例:用实施例2中前述方法制备出纳米金刚石的重量百分比为0.5%的混合溶液,超声,使其均匀,而后加入重量百分比为30%的化学添加剂二氧化硅溶胶7ml,加入二羟乙基乙二胺调节pH值为10.5左右。
用上述配好的抛光液,在NANOPOL-100抛光机上抛光3英寸的单晶硅片,抛光前,表面粗糙度在4.2nm左右。抛光压力为20kPa,抛光盘转速为100rpm,抛光液流量为5ml/min,抛光时间为60min,抛光后,单晶硅片的表面粗糙度变为0.321nm。抛光表面无划痕,650nm/min。
Claims (10)
1.一种水基纳米金刚石抛光液,其组分与重量百分比如下:
纳米金刚石 0.2-10.0%;
改性剂 0.1-3.0%
分散剂与/或超分散剂 0.02-5.0%;
润湿剂 0.02-1.0%
化学添加剂 0.1-1.0%
去离子水 88.2-98.5%
2.一种权利要求1所述的纳米金刚石抛光液的制备方法,按权利要求1所述的抛光液组分与重量百分比来实现以下步聚:
(1)取适量的去离子水与分散剂或/和超分散剂经超声或搅拌成均匀的混合溶液备用,其中分散剂或/和超分散剂的重量百分比为:0.2-5.0%;
(2)将重量比为1∶0.001-0.5的纳米金刚石和改性剂通过改性设备实现纳米金刚石的破碎与表面改性;
(3)采用过滤膜或离心的方法除去其中的杂质和粗颗粒(如必要,可将其干燥),余料为母液或母料;
(4)将母液或母料加入到备用的去离子水混合溶液中,根据抛光工件对抛光液的要求,加入pH值调节剂,初步调节pH值,搅拌或超声,使体系pH值为2-12;
(5)加入润湿剂和化学作用添加剂,超声或剪切分散均匀;
(6)再加入pH值调节剂,精确调节pH值为2-12,搅拌或超声,即可制得所需的纳米金刚石抛光液。
3.根据权利要求1或2所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:纳米金刚石平均直径为20-100nm,粒度分布范围为10-200nm。
4.根据权利要求1或2所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:改性剂是:EDTA、柠檬酸、十二烷基硫酸钠、烷基酚聚氧乙烯醚、单宁酸、十八烷基硫酸钠、六偏磷酸钠、多聚磷酸钠、磷酸钠、聚乙二醇、钛酸酯偶联剂、硅烷偶联剂、锆铝酸盐偶联剂、油酸、油酸钠、甘油及Solsperse系列超分散剂中的一种或几种,纳米金刚石与改性剂的重量比为1∶0.001-0.5。
5.根据权利要求1或2所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:分散剂可以是聚乙烯醇、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠、聚乙二醇、壬基酚聚氧乙烯醚、聚乙烯吡咯烷酮及脱糖缩合木质素磺酸钠中的一种或多种的组合;超分散剂是指一类水溶性的超分散剂,如聚羧基硅氧烷聚乙二醇两段共聚物。
6.根据权利要求1或2中所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:润湿剂可以是表面活性剂:壬基酚聚氧乙烯醚、没食子酸、二羟乙基乙二胺、聚氧乙烯烷基酚醚、环氧丙烷和环氧乙烷的嵌段聚醚中的一种或多种。
7.根据权利要求1或2中所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:化学添加剂可以是二氧化硅溶胶、二羟乙基乙二胺、BTA、氨水、过氧化氢、氢氧化钾中的一种或几种。
8.根据权利要求1或2中所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:去离子水电阻率大于5MΩ·cm,最好大于10MΩ·cm,甚至大于15MΩ·cm。
9.根据权利要求2所述的纳米金刚石抛光液,其特征在于:pH值调节剂可以是氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、乙醇胺、三乙醇胺、二羟乙基乙二胺、盐酸、硫酸、磷酸及硝酸中的一种或多种,抛光液如需往碱性方向调节,加入上述碱性物质中和一种或多种,如将抛光液往酸性方向调节,需加入上述酸中的一种或多种。pH值根据需要在2-12范围内调节。
10.根据权利要求2所述的纳米金刚石抛光液的制备方法,其特征在于:改性设备为气流粉碎、高压液流粉碎、球磨、搅拌磨中和一种或几种的组合。
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---|---|
CN (1) | CN1560161A (zh) |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101134890B (zh) * | 2007-09-18 | 2010-09-01 | 朱辰 | 一种可湿性磨削粉料 |
WO2010105240A2 (en) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization using nanodiamond |
CN102092002A (zh) * | 2010-12-09 | 2011-06-15 | 郭兵健 | 单晶硅片液体抛光方法 |
WO2011104640A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Basf Se | Aqueous polishing agent and graft copolymers and their use in process for polishing patterned and unstructured metal surfaces |
CN102268225A (zh) * | 2011-05-30 | 2011-12-07 | 上海百兰朵电子科技有限公司 | 永悬浮钻石研磨液 |
CN102391789A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-03-28 | 永州皓志稀土材料有限公司 | 一种纳米金刚石抛光液的制备方法 |
CN102941528A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-27 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 具有高精度超光滑表面的铝合金材料及抛光盘、抛光液和抛光方法 |
CN103013345A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 清华大学 | 油性金刚石研磨液及其制备方法 |
CN103160370A (zh) * | 2013-02-08 | 2013-06-19 | 广州大学 | 一种水基润滑液及其制备方法 |
CN104059716A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-09-24 | 宝捷润滑油镇江有限公司 | 一种抗氧化车用润滑油及其制备方法 |
CN104059539A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-24 | 武汉三灵科技产业股份有限公司 | 一种高效金刚石抛光剂及其制备方法 |
CN104073170A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-01 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 | 一种铝合金表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法 |
CN104293205A (zh) * | 2013-07-16 | 2015-01-21 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 水性金刚石抛光液及其制备方法 |
CN104465363A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法 |
CN105153942A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-16 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种纳米金刚石抛光液中磨料粒径控制方法 |
CN105271173A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-27 | 郑州华晶金刚石股份有限公司 | 一种纳米碳晶的制备工艺 |
CN105692609A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-06-22 | 天津迪麦爱科科技有限公司 | 液体悬浮稳定性较好的纳米金刚石制备的方法 |
CN105949824A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-09-21 | 上海昌润极锐超硬材料有限公司 | 一种超细金刚石微粉的表面改性方法 |
CN106147617A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-11-23 | 天津诺邦科技有限公司 | 一种多晶金刚石水基抛光液及其制备方法 |
CN106221587A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-12-14 | 广安欧奇仕电子科技有限公司 | 一种氧化铝基化学机械抛光液 |
CN106479371A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-03-08 | 惠州市米特仑科技有限公司 | 一种高精度复合抛光液及其制备方法 |
CN107116400A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-09-01 | 合肥羿振电力设备有限公司 | 一种机械抛光工艺 |
WO2017219499A1 (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝抛光液的制备方法 |
CN107892878A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-04-10 | 阮传华 | 一种金刚石抛光液及其制备方法 |
CN108177029A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-19 | 蒋秋菊 | 一种曲面工件超精密抛光方法 |
CN108178987A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-19 | 蒋秋菊 | 一种抛光液及其制备方法 |
CN108192505A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-06-22 | 湖南有色金属职业技术学院 | 一种硅基a向蓝宝石抛光液及其制备方法 |
CN108949036A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-12-07 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法 |
CN109023378A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-18 | 常州大学 | 一种阴极辊化学抛光液及抛光方法 |
CN109111857A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-01 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种抛光液及其用于抛光2.5d氧化锆陶瓷板的用途 |
WO2019006675A1 (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 深圳市恒兆智科技有限公司 | 抛光剂、铝合金件及其抛光处理方法 |
CN109251681A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-01-22 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
US10329455B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-06-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization slurry and method for forming same |
CN110395990A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-01 | 济南鸿泰华丰机械有限公司 | 一种高质量轴承 |
CN111545763A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-18 | 江苏大方金属粉末有限公司 | 一种经过改性处理的铜金粉的制备方法 |
CN111777987A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-16 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种研磨悬浮剂及其制备方法和应用、研磨剂 |
CN111995983A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-27 | 中科孚迪科技发展有限公司 | 一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法 |
CN112029416A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-12-04 | 中科孚迪科技发展有限公司 | 一种用于半导体晶片加工的研磨液 |
CN113439068A (zh) * | 2019-03-06 | 2021-09-24 | 株式会社大赛璐 | 表面修饰纳米金刚石、纳米金刚石分散组合物、及表面修饰纳米金刚石的制造方法 |
CN114806501A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-07-29 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种改性金刚石粉、制备方法、用途及包含其的抛光液 |
-
2004
- 2004-03-01 CN CNA2004100229360A patent/CN1560161A/zh active Pending
Cited By (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101134890B (zh) * | 2007-09-18 | 2010-09-01 | 朱辰 | 一种可湿性磨削粉料 |
EP2406341A2 (en) * | 2009-03-13 | 2012-01-18 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization using nanodiamond |
US8980113B2 (en) | 2009-03-13 | 2015-03-17 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization using nanodiamond |
US9343321B2 (en) | 2009-03-13 | 2016-05-17 | Saint-Gobain Cermaics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization using nanodiamond |
EP3708631A1 (en) * | 2009-03-13 | 2020-09-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc. | Chemical mechanical planarization using nanodiamond |
WO2010105240A2 (en) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization using nanodiamond |
EP2406341A4 (en) * | 2009-03-13 | 2014-05-07 | Saint Gobain Ceramics | CHEMICAL CHEMICAL ENGINEERING WITH NANODIAMANT |
CN102782067B (zh) * | 2010-02-24 | 2015-08-05 | 巴斯夫欧洲公司 | 含水抛光剂和接枝共聚物及其在抛光图案化和未结构化的金属表面的方法中的用途 |
WO2011104640A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Basf Se | Aqueous polishing agent and graft copolymers and their use in process for polishing patterned and unstructured metal surfaces |
US9005472B2 (en) | 2010-02-24 | 2015-04-14 | Basf Se | Aqueous polishing agent and graft copolymers and their use in a process for polishing patterned and unstructured metal surfaces |
CN102782067A (zh) * | 2010-02-24 | 2012-11-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 含水抛光剂和接枝共聚物及其在抛光图案化和未结构化的金属表面的方法中的用途 |
CN102092002A (zh) * | 2010-12-09 | 2011-06-15 | 郭兵健 | 单晶硅片液体抛光方法 |
CN102092002B (zh) * | 2010-12-09 | 2012-04-25 | 郭兵健 | 单晶硅片液体抛光方法 |
CN102268225B (zh) * | 2011-05-30 | 2014-03-26 | 上海百兰朵电子科技有限公司 | 永悬浮钻石研磨液 |
CN102268225A (zh) * | 2011-05-30 | 2011-12-07 | 上海百兰朵电子科技有限公司 | 永悬浮钻石研磨液 |
CN102391789B (zh) * | 2011-08-19 | 2013-10-16 | 湖南皓志新材料股份有限公司 | 一种纳米金刚石抛光液的制备方法 |
CN102391789A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-03-28 | 永州皓志稀土材料有限公司 | 一种纳米金刚石抛光液的制备方法 |
CN102941528A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-27 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 具有高精度超光滑表面的铝合金材料及抛光盘、抛光液和抛光方法 |
CN103013345A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 清华大学 | 油性金刚石研磨液及其制备方法 |
CN103013345B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-02-18 | 清华大学 | 油性金刚石研磨液及其制备方法 |
CN103160370A (zh) * | 2013-02-08 | 2013-06-19 | 广州大学 | 一种水基润滑液及其制备方法 |
CN104293205A (zh) * | 2013-07-16 | 2015-01-21 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 水性金刚石抛光液及其制备方法 |
CN104059539B (zh) * | 2014-06-04 | 2015-07-29 | 武汉三灵科技产业股份有限公司 | 一种高效金刚石抛光剂及其制备方法 |
CN104059539A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-24 | 武汉三灵科技产业股份有限公司 | 一种高效金刚石抛光剂及其制备方法 |
CN104073170B (zh) * | 2014-06-24 | 2015-11-18 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 | 一种铝合金表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法 |
CN104073170A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-01 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 | 一种铝合金表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法 |
CN104059716A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-09-24 | 宝捷润滑油镇江有限公司 | 一种抗氧化车用润滑油及其制备方法 |
CN104465363B (zh) * | 2014-12-16 | 2017-10-24 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法 |
CN104465363A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法 |
CN106147617A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-11-23 | 天津诺邦科技有限公司 | 一种多晶金刚石水基抛光液及其制备方法 |
CN105153942A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-16 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种纳米金刚石抛光液中磨料粒径控制方法 |
CN105271173B (zh) * | 2015-09-25 | 2017-12-12 | 郑州华晶金刚石股份有限公司 | 一种纳米碳晶的制备工艺 |
CN105271173A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-27 | 郑州华晶金刚石股份有限公司 | 一种纳米碳晶的制备工艺 |
CN105692609B (zh) * | 2016-03-10 | 2019-10-25 | 天津迪麦爱科科技有限公司 | 液体悬浮稳定性较好的纳米金刚石制备的方法 |
CN105692609A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-06-22 | 天津迪麦爱科科技有限公司 | 液体悬浮稳定性较好的纳米金刚石制备的方法 |
CN105949824A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-09-21 | 上海昌润极锐超硬材料有限公司 | 一种超细金刚石微粉的表面改性方法 |
US10066128B2 (en) | 2016-06-20 | 2018-09-04 | Shanghai Xinanna Electronic Technology Co., LTD | Method for preparing an aluminum oxide polishing solution |
WO2017219499A1 (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝抛光液的制备方法 |
CN106479371A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-03-08 | 惠州市米特仑科技有限公司 | 一种高精度复合抛光液及其制备方法 |
CN106221587A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-12-14 | 广安欧奇仕电子科技有限公司 | 一种氧化铝基化学机械抛光液 |
CN106221587B (zh) * | 2016-08-23 | 2018-07-13 | 广安欧奇仕电子科技有限公司 | 一种氧化铝基化学机械抛光液 |
US10329455B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-06-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Chemical mechanical planarization slurry and method for forming same |
CN107116400A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-09-01 | 合肥羿振电力设备有限公司 | 一种机械抛光工艺 |
WO2019006675A1 (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 深圳市恒兆智科技有限公司 | 抛光剂、铝合金件及其抛光处理方法 |
CN107892878A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-04-10 | 阮传华 | 一种金刚石抛光液及其制备方法 |
CN108178987A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-19 | 蒋秋菊 | 一种抛光液及其制备方法 |
CN108178987B (zh) * | 2018-01-18 | 2022-07-01 | 上海彤程电子材料有限公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
CN108177029A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-19 | 蒋秋菊 | 一种曲面工件超精密抛光方法 |
CN108177029B (zh) * | 2018-01-18 | 2020-01-14 | 深圳市佳欣纳米科技有限公司 | 一种曲面工件超精密抛光方法 |
CN108192505A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-06-22 | 湖南有色金属职业技术学院 | 一种硅基a向蓝宝石抛光液及其制备方法 |
CN108192505B (zh) * | 2018-02-01 | 2020-06-05 | 湖南有色金属职业技术学院 | 一种硅基a向蓝宝石抛光液及其制备方法 |
CN109023378A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-18 | 常州大学 | 一种阴极辊化学抛光液及抛光方法 |
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CN109111857A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-01 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种抛光液及其用于抛光2.5d氧化锆陶瓷板的用途 |
CN108949036A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-12-07 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法 |
CN108949036B (zh) * | 2018-09-06 | 2021-01-05 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法 |
CN109251681A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-01-22 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
CN113439068A (zh) * | 2019-03-06 | 2021-09-24 | 株式会社大赛璐 | 表面修饰纳米金刚石、纳米金刚石分散组合物、及表面修饰纳米金刚石的制造方法 |
CN110395990A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-01 | 济南鸿泰华丰机械有限公司 | 一种高质量轴承 |
CN110395990B (zh) * | 2019-08-27 | 2020-07-07 | 山东华工轴承有限公司 | 一种高质量轴承 |
CN111545763B (zh) * | 2020-05-26 | 2022-01-04 | 江苏大方金属粉末有限公司 | 一种经过改性处理的铜金粉的制备方法 |
CN111545763A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-18 | 江苏大方金属粉末有限公司 | 一种经过改性处理的铜金粉的制备方法 |
CN111777987A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-16 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种研磨悬浮剂及其制备方法和应用、研磨剂 |
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CN111995983A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-27 | 中科孚迪科技发展有限公司 | 一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法 |
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