CN1542708A - 电光装置的制造方法、电光装置、电子设备 - Google Patents

电光装置的制造方法、电光装置、电子设备 Download PDF

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Abstract

一种电光装置的制造方法及通过这种方法制造的电光装置和电子设备。电光装置具有在基板(20)上将第1电极(23)、电光层(60)、第2电极(50)依次叠层而成的电光元件，其制造方法包括由气相成长法、在上述基板(20)上以覆盖上述电光元件的方式形成紫外线吸收层(30)的工序，和用等离子环境中的气相成长法、以覆盖上述紫外线吸收层(30)的方式形成气相阻断层(40)的工序。由此能防止由氧气、水分等气体或者紫外线引起的电光层等的恶化。

Description

电光装置的制造方法、电光装置、电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置及其制造方法和具有这种电光装置的电子设备。
背景技术
在电光装置的领域，提高对氧气或者水分的耐久性，成为一个课题。例如，构成有机EL(电致发光)显示器的有机EL元件，由无机阳极/(有机空穴注入层)/有机发光层/(电子注入层)/无机阴极构成的，其中特别是有容易放出电子的材料特性的电子注入层，容易与大气中存在的水分产生反应。一旦与水产生反应，就会丧失电子注入效果，形成被称为黑斑的非发光区域。
因此，要有遮断水分的密封结构，但过去一般采用遮断水分的玻璃或者金属制的密封基板，用粘结剂粘合，作成中空结构，从粘结剂断面侵入的水分，被干燥剂捕捉，到达不了元件。(例如参考专利文献1、2)。
专利文献1：特开平7-169567号公报
专利文献2：特开平10-12376号公报
但是，随着显示器的大型化及薄型化/轻量化，为了保持能耐外部应力的面板强度，需要从中空结构改为实心结构。另外，随着大型化，为确保足够的TFT(薄膜半导体)或者布线电路面积，需要采用从电路基板的相反一侧发光的顶端发射结构。这里，密封结构要作成透明、轻量、耐强度性优良的薄型结构，而且要做到即使除去干燥剂也能有防湿性能的结构。
近年，研究了被称作薄膜密封的、透明且气体阻断性良好的SiOx、SiNx、AlOx薄膜，采用高密度等离子源的高密度等离子成膜法(离子镀、ECR等离子溅射、ECR等离子CVD、表面波等离子CVD、ICP-CVD等)，能够形成完全遮断水分的薄膜。然而利用这些方法时，产生一个问题，那就是成膜时产生的紫外线或者等离子体离子的影响下，底部发光层等发生恶化。而且不仅在制造工序中，而且在室外使用这种电光装置时，包含在室外光线中的紫外线，会缩短元件寿命，所以有必要保护发光元件不受这种紫外线损害。
发明内容
本发明是结合上述课题而进行的，目的在于提供一种电光装置及其制造方法、电子设备，通过形成气相阻断层，防止电光层的恶化。
为实现上述目的，本发明电光装置的制造方法，是具有在基板上，至少把第一电极、电光层、第二电极依次叠层而构成的电光元件的的电光装置的制造方法，其特征在于包括由气相成长法，在上述基板上以覆盖上述电光元件的方式，形成紫外线吸收层的工序和由等离子环境中的气相成长法，以覆盖上述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。
在本制造方法中，形成气相阻断层之前，先形成紫外线吸收层，所以用例如等离子CVD形成气相阻断层时产生的紫外线，在底部紫外线吸收层被吸收，由此可以防止布置在其下层侧电光层的光恶化。由于吸收紫外线，紫外线吸收层变为被激励状态，得到表面活性，气相阻断层变为更致密高质量的阻断层。
并且，紫外线吸收层例如采用不是等离子环境的气相成长法形成，或者即使用等离子源，也可以不采用获得气体阻断性能所必需的高密度等离子源，因而电光层或者电极等不会受到损伤。而且，在室外等地使用电光装置时，紫外线吸收层吸收室外光线中包含的紫外线，在一般使用状态下，电光装置的耐光性也增强。
上述电光层上，可以适用液晶或者电致发光(EL)材料等各种电光材料。另外，电光层不仅是单层而且可以由多个功能层的叠层膜构成。例如，通过在第1电极和第2电极之间，叠层空穴注入层、空穴输送层、EL发光层、电子输送层、电子注入层等组成的多个功能层，形成作为电光元件的EL发光元件。特别是像EL发光元件那样，通过由第1电极或者第2电极供给的载流子通过所述电光层，来发现功能的元件的情况下，至少在一部分区域，产生电子与空穴的存在几率不同的部分，那个部分的电荷平衡会受到破坏。
该部分通常反应性高，例如与氧气或者水等反应后，形成结构缺陷(也就是载流子的捕捉点)，成为电光层功能下降的要因。因此与通过其他方法发现功能的结构相比较，设置气相阻断层的效果要大。
本发明电光装置的制造方法，其特征在于具有在基板上形成多个第1电极的工序，在上述基板上形成具有与上述第1电极的形成位置对应的多个开口部的围堰结构体的工序，在上述围堰结构体的各开口部，分别形成电光层的工序，以覆盖上述围堰结构以及上述各电光层的方式，形成第2电极的工序，用气相成长法，以覆盖上述第2电极的方式形成紫外线吸收层的工序，用等离子环境中的气相成长法，以覆盖上述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。
本制造方法是电光元件以被围堰结构体互相隔开的状态，在基板上形成多个的电光装置的制造方法。用本制造方法，在形成气相阻断层的工序中以及通常使用时，也能有效地防止电光元件的光恶化。而且，在基板上设置的多个电光层内，最外周部布置的部分的外侧部，由围堰结构体、第2电极、紫外线吸收层、气相阻断层等4层叠层而成，气相阻断层能确实防止氧气或者水分的侵入。并且，形成第2电极、紫外线吸收层、气相阻断层时，围堰结构体的外侧部，对基板垂直或者形成倒锥形状，则上述的电极或者各层在这里有可能会产生阶梯切断。因此，优选构成围堰结构体外侧部的面，对基板表面的角度大于等于110°。
在上述各制造方法中，优选上述气相阻断层在减压下的高密度等离子环境中成膜。这样可以形成气体阻断性好的致密的膜。
而且，优选紫外线吸收层用例如能量带间隙在2eV-6eV的氧化物半导体材料为主成分的材料。在形成气相阻断层工序中，发生高强度紫外区域的光，所以在这里产生的紫外光，有可能对电光层产生恶化。
为此，以所述材料为主体，构成紫外线吸收层，能吸收宽的波长范围的光，变为成膜面的激励能量，由此能防止电光层的恶化，保证气相阻断层的高质量化。另外，能量带间隙不足3eV的材料，吸收电光层的可见光区域的光，电光装置的亮度降低，所以不能用于顶端发射结构。因此，采用顶端发射结构时，上述紫外线吸收层，最好用能量带间隙为3eV-6eV的氧化物半导体材料为主要成分的材料。
在上述紫外线吸收层上，优选在上述紫外线吸收层，通过从在上述气相阻断层形成工序中使用的等离子产生的紫外线得到光触媒活性。这里，紫外线吸收层最表面，由于气相阻断层形成工序中产生的紫外线等光而被激励，发挥强烈的触媒作用。因此，即使在上述气相阻断层形成工序中，或者形成气相阻断层之前，在紫外线吸收层表面附着有机物等杂质，该杂质会被上述触媒作用分解、被清除掉，因而在气相阻断层的形成工序中，紫外线吸收层表面能经常保持干净。
具有这种光触媒活性的材料，已知有例如氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化锌(ZnO)、氧化钨(WO3)、氧化锡(SnO2)、氧化铌(Nb2O6)、钽酸钾(KTaO3)、氧化铁(Fe2O3)等氧化物半导体，在本发明的紫外线吸收层，可以把上述材料作为主要成分使用。适用于顶端发射型构造时，上述紫外线吸收层最好以包含钛、锌、锡之中任意元素的、透光性n型氧化粒半导体材料作为主要成分。这样采用透光性高的材料，可以提高光的取出效率。另外，在上述紫外线吸收层上，为提高光触媒活性，也可以含白金、金、银、铜中的至少一个元素，作为促进剂。
上述本发明电光装置的制造方法中，可以在上述第2电极的露出面，形成上述紫外线吸收层。这时，最好紫外线吸收层的至少与上述第2电极相接的面一侧，含有氮，降低与上述第2电极之间的界面上的紫外线吸收层的导电性(即提高绝缘性)。这样，能防止紫外线吸收层被光激励产生的电荷，流到第2电极侧引起的电光层恶化。
紫外线吸收层上使用氧化物半导体时，优选至少把第2电极与紫外线吸收层相接的面一侧，用无机氧化物形成。这样，可以赋予与顶端发射型相适应的可见光透过性，能提高以氧化物半导体为主体的紫外线吸收层与第2电极之间的粘合性。
在上述方法中，从上述第2电极的形成工序，到上述气相阻断层的形成工序，最好利用气相成长法在减压下连续进行。这样，不回到大气压，而在减压下连续形成各层，可以达到防止杂质的混入和处理的快捷化。
在本发明电光装置的制造方法中，最好在上述第2电极和上述紫外线吸收层之间，形成把底层的凹凸形状(例如围堰结构体形成的凹凸形状)平坦化的缓冲层。这样，在形成气相阻断层之前，把基板弄平坦，能分散基板侧所加的外部应力，防止在气相阻断层或者紫外线吸收层上产生裂纹。总之，气体阻断薄膜有遮断水分的性能，为致密而且非常坚硬的膜，所以成膜时如果表面有凹凸不平或者急峻的台阶，那么外部应力集中后，产生裂纹或者剥离。因此，有必要增加考虑了粘合性或者平坦性的缓冲层。为了能吸收基板侧的应力，缓冲层材料应具有一定程度柔软性，例如有机材料比较合适。
在上述方法中，优选用液相法形成上述缓冲层。这样，能容易形成平坦性好的膜。另外，在这种情况下，最好设置为了在形成缓冲层时防止第2电极暴露在大气或者有机溶剂中，在上述第2电极和上述缓冲层之间，形成用于保护上述第2电极的电极保护层的工序。这种电极保护层，使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅化合物比较合适。尤其是含有氮的氮化硅或者氮氧化硅，不仅可在与由氧化物半导体等构成的第2电极之间得到良好的粘合性，而且能形成致密的膜，所以对氧气或者水分的阻断性良好。
在上述方法中，上述缓冲层和上述紫外线吸收层之间，最好形成缓冲层保护层。这样，能够防止由于紫外线吸收层或者气相阻断层的形成引起的缓冲层恶化。并且，在紫外线吸收层具有光触媒活性时，由于激励的电子，缓冲层容易受到损伤，所以上述缓冲层保护层，最好采用闭塞这种激励电子的绝缘性材料。具体地说，硅化合物等较好。
在本发明电光装置的制造方法中，气相阻断层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅化合物形成较理想。尤其是含有氮的氮化硅或者氮氧化硅能够在与由氧化物半导体等构成的第2电极之间得到良好的粘合性的同时，能形成致密的膜，所以对氧气和水分的阻断性也更好。氮化硅或者氮氧化硅的绝缘性很好，因此也有防止通电时漏电的效果。
为了确实做到紫外线吸收层的光吸收，紫外线吸收层的层厚最好为10nm以上。而且，把第2电极为透明电极，在构成显示光通过气相阻断层的顶端发射型电光装置时，为不损坏光取出侧个透明性，希望紫外线吸收层和气相阻断层和叠层膜厚度为500nm以下。
本发明电光装置按上述制造方法制造，其特征在于在基板上依次叠层第1电极、电光层、第2电极、紫外线吸收层、气相阻断层。
根据本构成，在室外等通常使用时，用上述紫外线吸收层吸收室外光中包含的紫外线，可提高耐光性，通过气相阻断层提高耐湿性及耐氧性的同时，可做到装置的长寿命化。
在这种电光装置中，最好在气相阻断层上面，设置保护层，保护电光层或者电极。这时，优选在保护层上，再设置具有耐压性、耐磨耗性、光反射防止性、气体阻断性、紫外线遮蔽性等功能的表面保护层。这样，除能够保护电光层或者电极外，还能保护紫外线吸收层或者气相阻断层。
并且，优选上述保护层具有紧密附着在上述气相阻断层上、而且有对机械冲击有缓冲功能的缓冲层。如此设置缓冲层，缓和机械冲击，可提高装置的耐冲击性。
本发明的电子设备，其特征在于具有上述电光装置。这样可以提供耐湿性、耐氧性、耐光性优良的电子设备。
附图说明
图1是表示与本发明第1实施例有关的电光装置的布线结构的模式图。
图2是模式化表示与本发明第1实施例有关的电光装置的构成的平面图。
图3是图2的A-B截面图。
图4是图2的C-D截面图。
图5是图3的主要部位截面放大图。
图6是按工序说明电光装置的制造方法的截面图。
图7是说明续图6的工序的截面图。
图8是说明续图7的工序的截面图。
图9是说明续图8的工序的截面图。
图10是说明续图9的工序的截面图。
图11是与本发明第2实施例有关的电光装置的截面图。
图12是与本发明第3实施例有关的电光装置的截面图。
图13是与本发明第4实施例有关的电光装置的截面图。
图14是表示本发明的电子设备的一例的立体图。
其中1：EL显示装置(电光装置)，21：阴极保护层(电极保护层)，22：缓冲层，23：像素电极(第1电极)，24：缓冲层保护层，30：紫外线吸收层，40：气相阻断层，50：阴极(第2电极)，60：发光层(电光层)，200：基板，204：保护层，205：接合层，206：保护基板。
具体实施方式
[第1实施例]
参照图1-图10，说明本发明第1实施例有关的电光装置。
首先，在说明本发明的电光装置的制造方法之前，先介绍应用本发明制造方法的电光装置的一例，即采用有机电致发光(EL)材料的EL显示装置。
参照图1说明本例EL显示装置的布线结构。
图1表示的EL显示装置(电光装置)1是采用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，以下简称TFT)作为开关元件的有源矩阵型EL显示装置。
如图1所示，这种EL显示装置1由多个扫描线101，与各扫描线101直角交差的方向上延伸的多个信号线102，和与各信号线102并列延伸的多个电源线103分别布线构成，在扫描线101与信号线102的各交点附近，分别设置像素区域X。
在信号线102上连接着具有移位寄存器、电平移位器、视频线路及模拟开关的数据线驱动电路100。而且，在扫描线101上，连接具有移位寄存器及电平移位器的扫描线驱动电路80。
并且，在各个像素区域X，设置着通过扫描线101向门电极供给扫描信号的开关用TFT 112，通过该开关用TFT 112、保持从信号线102共有的像素信号的保持电容113，将由该保持电容113保持的像素信号供给到门电极的驱动用TFT 123，通过该驱动用TFT 123电连接在电源线103上时、从该电源线103流进驱动电流的像素电极(电极)23，和在该像素电极23和阴极(电极)50之间被夹持的电光层110。由像素电极23、阴极50和电光层110，构成发光元件(有机EL元件)。
根据该EL显示装置1，扫描线101被驱动后，开关用TFT 112变为ON状态，这时的信号线102的电位，保持在保持电容113，根据该保持电容113的状态，决定驱动用TFT 123 ON/OFF状态。因此，通过驱动用TFT 123的通道，从电源线103向像素电极23流动电流，再通过电光层110，向阴极50流动电流。电光层110是根据流过它的电流量发光。
下面，参照图2-图5说明本例的EL显示装置1的具体构成。
本例的EL显示装置1如图2所示，为由具有电气绝缘性的基板20，连接在开关用TFT(未画出)上的像素电极在基板20上按矩阵状布置而成的像素电极区域(未画出)，布置在像素电极区周围、连接到各像素电极上的电源线(未画出)，和至少位于像素电极区上的从平面看基本上成矩形的像素部3(图2中的点划线框内)构成的有源矩阵型装置。在本发明中，由基板20和后面所述的在其上面形成的开关用TFT或者各种电路及包括层间绝缘膜等，叫做基体(在图3、4中用符号200表示)。
像素部3划分为中央部分的实显示区域4(图2中双点划线框内)和布置在实显示区域4周围的虚设区域5(单点划线和双点划线之间的区域)。
在实显示区域4上，分别具有像素电极的表示区R、G、B在A-B方向和C-D方向分别散开排列成矩阵形状。
图2中实显示区域4的两侧，布置了扫描线驱动电路80、80。
这些扫描线驱动电路80、80布置在虚设区域5的下侧。
并且，图2中实显示区域4的上侧，布置了检查电路90。该检查电路90是检查EL显示装置1的工作状态的电路，具备例如向外输出检查结果的检查信息输出装置(未画出)，在制造过程中或者交货时能进行显示装置的质量、缺陷的检查。并且该检查电路90，也布置在虚设区域5的下方。
扫描线驱动电路80及检查电路90，其驱动电压从规定的电源部通过驱动电压导通部310(参照图3)以及驱动电压导通部340(参照图4)施加。另外，这些扫描线驱动电路80及检查电路90的驱动控制信号及驱动电压，是从控制该EL显示装置1动作的规定的主驱动器，通过驱动控制信号导通部320(参照图3)及驱动电压导通部350(参照图4)，发送及施加。并且，这时的驱动控制信号是与扫描线驱动电路80及检查电路90输出信号时的控制有关的主驱动器发出的指令信号。
该EL显示装置1，如图3、图4所示，在基体200上形成多个具有像素电极(第1电极)23和发光层(电光层)60及阴极(第2电极)50的发光元件(有机EL元件)，进而以覆盖这些部分的方式依次叠层紫外线吸收层30、气相阻断层40。
并且，虽然在图3、图4中电光层只表示了发光层60，其实电光层除这样由单层构成外，也可以叠层多个层构成叠层膜。实际上在本实施例中，如后述那样，电光层为空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层等的载流子注入层或者载流子输送层或者空穴阻止层(HoleBlocking层)、电子阻止层(Electron阻止层)和上述发光层的叠层膜。
构成基体200的基板本体20为所谓顶端发射型EL显示装置时，从该基板20的对面侧的气相阻断层40侧取出表示光，因此，可以用透明基板或者不透明基板中的任意基板。不透明基板可举出对氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属薄板，进行表面氧化等绝缘处理的材料或者热硬性树脂或者热塑性树脂和它们的薄膜(塑料薄膜)等。
另外，在所谓底部发射型EL显示装置的情况下，从基板20一侧取出显示光，所以基板可用透明基板或者半透明材料。例如可举出玻璃、石英、树脂(塑料、塑料薄膜)等，特别是玻璃基板用得比较理想。在本实施例中采用从气相阻断层40侧并取出发出的光的顶端发射型EL。
在基板20上形成电路部11，其中包括驱动像素电极23的驱动用TFT123等，在它们上面设置了多个发光元件(有机EL元件)。如图5所示，发光元件由有阳极功能的像素电极(第1电极)23，从该像素电极23注入/输送空穴的空穴输送层70，具有电光材料之一的有机EL物质的发光层60，和阴极(第2电极)50等依次形成的。
在这种构成下，发光元件通过在它的发光层60中，从空穴输送层70注入的空穴和从阴极50发出的电子结合来发出光。
在本例中采用顶端发射型，所以像素电极23不需要透明，因此可采用适当的导电材料作成。
空穴输送层70的形成材料，可以使用例如聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等，或者它们的掺杂体等。具体地说，采用3，4-聚乙烯噻吩/聚苯乙烯矾酸(PEDOT/PSS)等等。
形成发光层60的材料，可以用使荧光或者磷光发光的众所周知的材料。具体地说，常用聚芴衍生物(PF)、聚对苯撑亚甲基衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚次苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲苯硅烷(PMPS)等聚硅烷类等。
也可以在这些高分子材料里，渗和苝类色素、香豆素类色素、诺丹明类色素等高分子材料，或者蛇麻素、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、2，3-喹吖酮等低分子材料一起使用。
也可以使用过去众所周知的材料，代替上述高分子材料。
另外，根据需要，也可以在这种发光层60上，形成电子注入层。
如图3-图5所示，在本实施例中，空穴输送层70和发光层60，以被亲液性控制层25和有机围堰层221形成的围堰结构体互相隔开的状态，分布在基板200上。也就是亲液性控制层25、有机围堰层221，在与在基板200上矩阵形状布置的各像素电极23对应的位置，有开口部，空穴输送层70、发光层60分别设置在各开口部。形成为格子状的亲液性控制层25及有机围堰层221上，尤其是形成最外周的部分，也就是以覆盖发光层60的最外周位置的外侧部的状态围起来的部分构成框体部件201。被该框体部分201包住的大致成矩形的部分为实显示区域4。
对框体部件201而言，特别是形成其上部的有机围堰层221的形成外侧部的面201a，对基体200表面的角度θ要大于等于110°。取这种角度的目的是为了如后面所述，使在其上形成的阴极50以及气相阻断层40的分步敷层性良好，确保外侧部上的阴极或者气相阻断层40的连续性。
如图3-图5所示，阴极50具有比实显示区域4及虚设区域5的总面积还大的面积，以分别覆盖这些区域的方式形成，覆盖所述发光层60、有机围堰层221、框体部件20的上面、并且覆盖形成框体部件201的外侧部201a的状态，在基体220上形成。并且，该阴极50如图4所示，在所述框体部件201的面201a的外侧，连接到基体200外周围形成的阴极用布线202。在该阴极用布线202上，连接着柔性基板203，因此阴极50通过阴极用布线202，连接柔性基板203上(未画出)的驱动IC(驱动电路)。
形成阴极50的材料，在本例中因为是顶端发射型，要采用光透过性材料，因此使用透明导电材料。透明导电材料比较理想的是ITO(铟锡氧化物)，除此之外，还可使用例如氧化铟、氧化锌类非晶形透明导电膜(Indium Zinc Dxide，IZO)(出光兴产公司产品的注册商标)、AZO(铝锌氧化物)等，不过在本例中使用ITO。
在这样的阴极50上，该阴极50在基体200上露出的部位，用紫外线吸收层30覆盖。
气相阻断层40是防止氧气或者水分侵入其内侧的，靠它能防止氧气或者水分侵入阴极50或者发光层60，能抑制由氧气或者水分产生的阴极50或者发光层60的恶化等。该气相阻断层40，如后面所述，用低温高密度等离子环境下的减压气相成长法(溅射、等离子CVD等)形成的。
该气相阻断层40由无机化合物构成，较好的是硅化合物，例如由硅氮合物或者硅酸氮化物、硅氧化物等形成。通过这样用硅化合物形成气相阻断层40，能够使气相阻断层40成为致密的膜，能获得良好的气体阻断性能。
另外，紫外线吸收层30吸收形成上述气相阻断层40时产生的紫外线等光，防止发光层60的光恶化。因此，在紫外线吸收层30上，使用具有对应上述光的波长的能量带间隙的半导体材料。上述气相阻断层形成工序中，因为产生高强度光，在这里产生的光即使是红外线或者可见光等、紫外线以外的光，也有可能会把发光层60恶化。因此，在本实施例中，紫外线吸收层30，由以能量带间隙例如在2eV-6eV的半导体材料为主要成分的材料构成，使紫外线吸收层30吸收较宽的波长范围的光，由此确实防止发光层60的恶化。
这时，如本实施例采用的顶端发射型结构中，紫外线吸收层30对可见光(例如波长范围在400nm-700nm的光)需要有透明性，所以上述半导体材料，需要选定只吸收紫外线区域波长的材料。具体地说，较理想的是能量带间隙3eV-6eV的半导体材料。能量带间隙在3eV以下的材料中，可见光的一部分(蓝色光等)被遮断，在3eV以上的材料中，413nm以下的紫外线区域的光，选择性地被吸收，430nm附近的蓝色光的发光，不会受到阻碍。6eV以上的材料，不能遮断200nm-400nm的紫外线，所以没有效果。与此不同，从基板本体20侧取出显示光的底部发射型结构中，紫外线吸收层30不需要在可见光区域有透明性，所以上述半导体材料，吸收波长区域在红外线区域或者可见光区域，都没有关系(即能量带间隙为2eV-6eV范围的半导体材料)。并且，为了确保光的吸收，紫外线吸收层30的层厚达到10nm以上为好。
在本实施例中，不是单纯地吸收上述光，而积极利用该紫外光能量作为清洁紫外线吸收层30表面的能量。作为紫外线吸收层30的主要成分的上述半导体材料，采用具有光触媒活性的材料。具有光触媒活性的材料，可以采用例如如下表所示的众所周知的n型氧化物材料。其中TiO2化学稳定性优良，作为紫外线吸收层30较理想。另外，为了提高光触媒活性，从白金(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)中，至少选一个元素，作为副触媒，含在紫外线吸收层30内。
[表1]
  半导体材料     能量带间隙(eV)   激励所需的光波长(nm)
  氧化钛(TiO2)     3.2   388
  钛酸锶(SrTiO3)     3.2   388
  氧化锌(ZnO)     3.2   388
  氧化锡(SnO2)     3.5   354
  氧化铌(Nb2O5)     3.4   365
  氧化铟(In2O3)     3.8   326
  氧化镓(Ga2O3)     4.9   253
在紫外线吸收层30中使用光触媒活性材料时，紫外线吸收层30被在气相阻断层40的形成工序中使用的高密度等离子产生的紫外光激励，发挥很强的触媒作用。因此，即使在气相阻断层的形成过程中，或者形成气相阻断层之前，在紫外线吸收层30的表面，附着有机物杂质，该杂质也通过上述触媒作用分解、清除掉，所以在气相阻断层形成工序中，紫外线吸收层30表面，能经常保持清洁。
并且，在本实施例中，因为采用顶端发射型，由紫外线吸收层30及气相阻断层40形成的叠层膜，要有透明性(例如，在可见光区域，光线透过率为80％以上)。因此，紫外线吸收层30和气相阻断层40的叠层膜厚度最好在500nm以下。
在所述发光元件下方，如图5所示，设置电路部11。该电路部11形成在基板20上，构成基体200。即在基板20的表面上，形成SiO2为主体的基底保护层281，在它的上面形成硅层241。在该硅层241的表面上，形成SiO2及/或SiNx作主体的门绝缘层282。
所述硅层241中，夹着门绝缘层282与门电极242重叠的区域构成通道区域241a。并且，该门电极242是未图示的扫描线101的一部分。另外，在覆盖硅层241，形成门电极242的门绝缘层282表面上，形成SiO2为主体的第1层间绝缘层283。
在硅层241中，在通道区域241a的源侧，设置低浓度源区域241b和高浓度源区域241s；在通道区域241a的漏区域侧，设置低浓度漏区域241c和高浓度漏区域241D，成为所谓LDD(Light Doped Drain)结构。其中，高浓度源区域241s通过在门绝缘层282和第1层间绝缘层283上开孔的接触孔243a，与源电极243连接。该源电极243是作为所述电源线103的一部分构成(参照图1，在图5中，在源电极243的位置上，沿与纸面垂直的方向延伸)。另一方面，高浓度漏区域241D通过穿过门绝缘层282和第1层间绝缘层283开孔的接触孔244a，与源电极243相同层的漏电极244连接。
在形成有源电极243及漏电极244的第1层间绝缘层283的上层，被氧化硅或者氮化硅等硅化合物组成的第2层间绝缘层284覆盖。该第2层间绝缘层284，考虑到布线等的平坦化效果，可以采用与丙烯酸树脂等树脂层作成2层结构，但通过用气体阻断性高的硅化合物(尤其是氮化硅或者氮氧化硅)覆盖表面和侧面，即使用透湿性高的树脂基板来作基板本体20，也可以防止氧气或者水分等，从基板侧侵入到发光层60。特别是在本实施例中，正如后述，在基板200上由氮化合物组成的气相阻断层40，以覆盖围堰结构体及整个阴极50、且由硅化合物组成的第2层间绝缘层284接触的方式形成。为此，通过由气体阻断性高的硅化合物形成第2层间绝缘层284，发光元件部分的上层、下层、侧面部全部被上述硅化合物包起来，可以显著地提高装置的耐湿性或者耐氧性。
该第2层间绝缘层284的表面上，形成由ITO组成的像素电极23，并且通过该第2层间绝缘层284上设置的接触孔23a，连接到漏电极244。即像素电极23，通过漏电极244，连接到硅层241的高浓度漏区域241D。
并且，扫描线驱动电路80及检查电路90中包含的TFT(驱动电路用TFT)，即例如在这些驱动电路中，构成移位寄存器里包含的反相器的N通道型或者P通道型TFT，除了不与像素电极23相连接外，与所述驱动用TFT 123结构一样。
在形成像素电极23的第2层间绝缘层284的表面上，设置着由像素电路23和所述亲液性控制层25及有机围堰层221组成的围堰结构体。
亲液性控制层25是以SiO2等亲液性材料为主体的，而有机围堰层221是由丙烯酸酯或者聚酰亚胺等作成的。在像素电极23上面，设置在亲液性控制层25的开口部25a和被有机围堰221包住的开口部221a内部，空穴输送层70和发光层60依次叠层。并且，本例中的亲液性控制层25的“亲液性”是指至少与构成有机围堰层221的丙烯酸脂、聚酰亚胺等材料相比较，亲液性高的意思。
以上说明的基板20上的至第2层间绝缘层284为止的层，构成电路部11。
这里，本例的EL显示装置1，应进行彩色显示，各发光层60应根据发光波长频带，分别对应光的三原色形成。例如，对发光层60而言，发光波长频带对应红色的红色用发光层6R，对应绿色的绿色用发光层60G，对应蓝色的蓝色用有机EL层60B，分别设置对应的表示区域R、G、B，由这些表示区域R、G、B构成进行彩色显示的1个像素。在各色显示区域的边界上，例如在有机围堰层221和亲液性化控制层25之间，形成溅射金属铬成膜的(未画出的)BM(黑底)。
下面，作为本发明一个实施例，参照图6-图10说明所述EL显示装置1的制造方法。在本实施例中，就作为电光装置的EL显示装置1是顶端发射型的情况进行说明。图6-图10所示的各截面图是对应图2中的A-B截面的图。
首先，如图6(a)所示，在基板20的表面，形成基底保护层281。然后在基底保护层281上，利用ICVD法、等离子CVD法等，形成非晶型硅层501后，用激光退火法或者快速加热法，生长出结晶粒，作为多晶硅层。
接着，如图6(b)所示，利用光刻法，在多晶硅层上制作图案，形成岛状硅层241、251以及261。其中硅层241是形成在显示区域内，构成连接到像素电路23的驱动用TFT 123，硅层251、261是分别构成扫描线驱动电路80里包含的P通道型及N通道型TFT(驱动电路用TFT)。
然后，用等离子CVD法、热氧化法等，在硅层241、251及261、基底保护层281的全面，通过厚度约为30nm-200nm的硅氧化膜形成门绝缘层282。在这里，利用热氧化法形成门绝缘层时，硅层241、251及261也进行结晶化，可以将这些硅层作成多晶硅层。
在硅层241、251及261上进行沟道掺杂时，例如在该时间，以约1×1012/cm2的剂量，打入硼离子。其结果，硅层241、251以及261成为杂质浓度(根据活性化退火后的杂质算出)约为1×1017/cm3的低浓度P型的硅层。
然后，在P通道型TFT、N通道型TFT的通道层的一部分上，形成离子注入选择掩膜，在该状态下，把磷离子以约1×1015/cm2的剂量进行离子注入。其结果，利用制作图案用掩模，自调节地导入高浓度杂质、如图6(c)所示，在硅层241及261中形成高浓度源区241S及261S和高浓度漏区241D及261D。
然后，如图6(c)所示，在门绝缘层282整个表面，形成由掺杂硅或者硅化物膜或者铝膜或者铬膜、钽膜等金属膜作成的门电极形成用导电层502。该导电层502的厚度约有500nm。然后，如图6(d)所示，利用图案制作法，作出形成P通道型驱动电路用TFT的门电极252、形成像素用TFT的门电极242、形成N通道型驱动电路用TFT的门电极262。而且同时形成驱动控制信号导通部320(350)和阴极电源布线的第1层121。这时，驱动控制信号导通部320(350)配设在虚设区域5。
接着，如图6(d)所示，门电极242、252及262作为掩膜，向硅层241、251及261，把磷离子以约4×1013/cm2的剂量进行离子注入。其结果，对门电极242、252及262，自调节地导入低浓度杂质，如图6(d)所示，在硅层241及261中，形成低浓度源区域241b及261b和低浓度漏区域241c及261c。另外，在硅层251中形成低浓度杂质区域251S及251D。
然后，如图7(e)所示，形成覆盖P通道型驱动电路用TFT 252以外的部分的离子注入选择掩模503。利用该离子注入选择掩模503，对硅层251把硼离子以约1.5×1015/cm2的剂量进行离子注入。其结果，由于构成P通道型驱动电路用TFT的门电极252也起到掩模功能，故在硅层252中，自调节地掺和高浓度杂质。因此，低浓度杂质区域251S及251D计数掺和，作为P型通道型驱动电路用TFT的源区域以及漏区域。
接着，如图7(f)所示，在基板20的全部面上，形成第1层间绝缘层283的同时，利用光刻法，在该第1层间绝缘层283上制作图案，在对应各TFT的源电极及漏电极的位置上，形成接触孔C。
之后，如图7(g)所示，以覆盖第1层间绝缘层283的方式，形成由铝、铬、钽等金属构成的导电层504。该导电层504的厚度大致在200nm至800nm左右。然后，以覆盖导电层504中、应形成各TFT的源电极及漏电极的区域240a、应形成驱动电压导通部310(340)的区域310a、应形成阴极电源布线的第2层的区域122a的方式，形成制作图案用掩模505的同时，在该导电层504上制作图案，如图8(h)所示，形成源电极243、253、263和漏电极244、254、264。
接着，如图8(i)所示，形成第2层间绝缘层284，覆盖由这些形成的第1层间绝缘层283。该第2层间绝缘层284，最好形成200nm-2μm左右的厚度。
接着，如图8(j)所示，在第2层间绝缘层284中，用蚀刻方法除掉对应驱动用TFT的漏电极244的部分，形成接触孔23a。
然后，以覆盖基板20的整个面的方式，形成作为像素电极23的导电膜。因而，通过在该透明导电膜上制作图案，如图9(k)所示，通过第2层间绝缘层284的接触孔23a，形成与漏电极244导通的像素电极23的同时，形成虚拟区域的虚拟图案26。并且，在图3、4中，把这些像素电极23、虚拟图案26通称为像素电极23。
虚拟图案26为不通过第2层间绝缘层284、连接到下层金属布线的结构。即虚拟图案26布置成岛状，其形状与实显示区域上形成的像素电极23的形状基本上一样。当然，与表示区域上形成的像素电极23的形状，不一样也可以。这时，虚拟图案26至少包含位于所述驱动电压导通部310(340)的上方的部分。
接着，如图9(1)所示，在像素电极23、虚拟图案26及第2层间绝缘膜上，形成绝缘层的亲液性控制层25。并且，在像素电极23，以一部分开口的状态，形成亲液性控制层25，在开口部25a(参照图3)，从像素电极23能进行空穴移动。相反，在不设开口部25a的虚拟图案26，绝缘层(亲液性控制层)25成为空穴移动的遮断层，不能产生空穴移动。接着，在亲液性控制层25，在不同的2个像素电极23之间形成的凹部上形成BM(未画出)。具体地说，对亲液性控制层25的所述凹状部，用金属铬利用溅射法成膜。
然后，如图9(m)所示，以覆盖亲液性控制层25的规定位置、详细而言即BM的方式形成有机围堰层221。具体的有机围堰层的形成方法是：例如，把丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等抗蚀剂，溶解于溶媒，用旋转喷涂法、狭缝喷涂法等各种涂敷法形成有机质层。有机质层的构成材料，不溶解于后述的墨水溶媒，而且如果是用蚀刻法容易制作图案的材料的话都可以使用。
接着，对有机杂质层采用光刻技术、蚀刻技术制作图案，在有机质层上形成围堰开口部221a，这样，在开口部221a上，形成有壁面的有机围堰层221。这时，对该有机围堰层221而言，特别是形成它的最外周的部分，也就是形成前面所述的本发明的框体部件201的外侧部的面201a，对基体200表面的角度θ大于等于110°为好。通过形成这样的角度，在它上面形成的阴极50以及气相阻断层40的分步敷层性良好。
并且，这时，有机围堰层221至少包含位于所述驱动控制信号导通部320的上方的部分。
然后，在有机围堰层221的表面，形成显示亲液性的区域和显示疏液性的区域。在本实施例中，采用等离子处理形成各区域。具体的说，该等离子处理由以下工序构成：预热工序、使有机围堰层221上面及开口部221a的壁面及像素电极23的电极面23c和亲液性控制层25的上面，分别具有亲液性的亲墨化工序、使有机围堰层上面及开口部的壁面具有疏液性的疏墨化工序和冷却工序。
即、把基材(包括围堰等的基板20)加热到规定温度，例如70-80°左右，接着作为亲墨化工序，在大气环境中，进行以氧气作为反应气体的等离子处理(O2等离子处理)。之后，作为疏墨化工序，在大气环境中进行4氟甲烷作为反应气体的等离子处理(CF4等离子处理)，之后，为等离子处理而加热的基材，冷却到室温，由此使规定的位置具有亲液性及疏液性。
并且，在该CF4等离子处理中，像素电极23的电极面23c及亲液性控制层25，会受到一些影响，但像素电极23的材料ITO和亲液性控制层25的构成材料SiO2、TiO2等，对氟的亲和力弱，所以亲墨化工序中付与的氢氧基，不会被氟基置换，能保持亲液性。
然后，用空穴输送层形成工序，形成空穴输送层70。在该空穴输送层形成工序中，例如，由喷墨法等液滴喷出法或者丝网印刷法等，在电极面23c上涂敷空穴输送层材料，之后，进行干燥处理及热处理，在电极23上形成空穴输送层70。在例如用喷墨法有选择地涂敷空穴输送层材料时，先在喷墨头(未画出)里，充填空穴输送层材料，使喷墨头的喷射喷嘴，对着亲液性控制层25上形成的、所述开口部25a内的电极面23c，一面使喷墨头和基材(基板20)相对移动，一面从喷射喷嘴向电极面23c喷出平均1滴的液量受到控制的液滴。之后，对喷出后的液滴进行干燥处理，蒸发含在空穴输送层材料中的分散媒或者溶媒，形成空穴输送层70。
从喷射喷嘴喷出的液滴，在经亲液性处理的电极面23c上扩散，充满亲液性控制层25开口部25a内。另一方面，在经疏墨处理的有机围堰层221上面，液滴被排斥而不附着。因此，即使液滴离开所述的喷出位置，喷到有机围堰层221上面，该面不会被液滴润湿，被排斥的液滴，又回到亲液性控制层25的开口部25a内。
并且，该空穴输送层形成工序以后，应防止空穴输送层70及发光层60的氧化，最好在氮环境、氩气环境等惰性气体环境中进行。
接着，用发光层形成工序，形成发光层60。在该发光层形成工序中，例如用所述喷墨法，把发光层形成材料喷到空穴输送层70，之后，进行干燥处理及热处理，在有机围堰层221上形成的开口部221a内，形成发光层60。在该发光层形成工序中，为了防止空穴输送层70再溶解，发光层形成材料上使用的溶媒，采用不溶解空穴输送层70的无极性溶媒。
并且，在该发光层形成工序中，用所述喷墨法，例如把蓝色(B)的发光层形成材料，选择性地涂敷在蓝色的显示区域，经干燥处理后，按同样方法，把绿色(G)、红色(R)也分别在其显示区域有选择地涂敷后进行干燥处理。
另外，如前所述，根据需要在该发光层60的上面，也可以形成电子注入层。
接着，如图10(n)所示，用阴极层形成工序形成阴极50。
在该阴极层形成工序中，例如采用离子镀膜法等物理气相成长法，在减压下成膜ITO作成阴极50。目标原料使用InSnO。
以导入气体为Ar、O2进行成膜，制作厚为100nm的ITO膜，作成阴极50。这时，该阴极50当然要覆盖所述发光层60和有机围堰层221及框体部件201的上面，而且还要覆盖形成框体部件201的外侧部的面201a。
接着，如图10(o)所示，在覆盖阴极50，也就是覆盖基体200上露出的阴极50的全体部位的状态下，形成紫外线吸收层30。该紫外线吸收层30的形成方法，为防备等离子损伤，采用低功率下能成膜的方法。例如在本例中，成膜装置采用离子镀成膜装置，真空度为1.0×10-2Pa，将氧化钛或者氧化锌以厚度为10nm-100nm，较理想的是50nm左右成膜作成紫外线吸收层30。
然后，以覆盖紫外线吸收层30，也就是覆盖基体200上露出的紫外线吸收层30的全部部位的状态，形成气相阻断层40。该气相阻断层40的形成工序，是利用低温等离子环境下的气相成长法进行。具体地说，成膜装置使用高密度等离子CVD装置，原料气体用SiH4(甲硅烷)、O2(氧气)、N2(氮气)。制作厚为30nm-500nm，较理想的是100nm左右厚的硅氮氧化物膜，作为气相阻断层40。如此，通过用化学气相成长法，形成气相阻断层40，成为气体阻断性(对氧气或者水分的阻断性)优良的膜。在该气相阻断层形成工序中产生的紫外线等高能光，激励底部紫外线吸收层30，所以在紫外线吸收层30上，发生强烈的光触媒作用。由于该光触媒作用，即使紫外线吸收层30的表面，附着有机物等杂质，这些杂质也被分解、清除掉，紫外线吸收层30的表面保持清洁。因而能提高紫外线吸收层30和气相阻断层40的粘合性，能够将气相阻断层40作成缺陷少的致密的膜。
这样的EL显示装置1的制造方法中，形成气相阻断层40之前，先形成紫外线吸收层30，所以在高密度等离子环境下的气相阻断层形成工序中产生的紫外线等光，被该紫外线吸收层吸收，能够防止在它的下层侧配置的发光层60的光恶化。用这种方法制造的EL显示装置1，在室外使用时，紫外线吸收层30吸收室外光等包含的紫外线，因而提高装置的耐光性。
在本实施例的制造方法中，紫外线吸收层30上使用具有光触媒活性的材料，所以上述紫外线等光不仅被吸收，而且积极地用来作杂质等分解反应的能量。在气相阻断层形成工序中，能够使紫外线吸收层30的表面，一面保持表面激励的能量，一面保持经常清洁的状态。由此，气相阻断层40可以成为没有缺陷的更致密的膜，气体阻断性更强。
阴极50、紫外线吸收层30、气相阻断层40的各形成工序，是不回到大气压状态，在减压下连续进行，所以能迅速进行处理。同时，没有因回到大气压引起的杂质的混入，可形成优质的膜。
采用所述制造方法得到的EL显示装置1，形成框体部件201的外侧部被阴极50、紫外线吸收层30、气相阻断层40覆盖的状态(即发光层60的外侧部侧通过框体部件201、阴极50、紫外线吸收层30、气相阻断层40被气相阻断层覆盖)，所以能够确实防止氧气或者水分的侵入。由此，可以抑制氧气或者水分引起的发光层或者电极的恶化，发光元件的寿命能很长。
[第2实施例]
参照图11说明与本发明第2实施例有关的电光装置。
本实施例是在上述第1实施例的构成中，在紫外线吸收层的阴极50一侧的界面，含有氮，提高紫外线吸收层的阴极和绝缘性。
即本电光装置1’中，覆盖阴极50的紫外线吸收层30’，由第1吸收层30a和第2吸收层30b的叠层膜组成，在该第2吸收层30b上面，设置气相阻断层40。
具体地说，与阴极50相接的第1吸收层30a，和与气相阻断层40相接的第2吸收层30b，分别由TiON(氮氧化钛)、TiO2形成的。TiO2上添加氮，能提高绝缘性，因而在形成气相阻断层的工序中，第1吸收层30a能防止光激励产生的电荷向阴极侧流动。因而，可以防止由于这样的电荷引起的发光层60的恶化，能达到装置的长寿命化。而且，通过使第1吸收层30a含氮，与阴极50或者气相阻断层40的粘着性提高，能形成致密的膜。
像本实施例那样，紫外线吸收层30’作成多层膜之外，由氧化物半导体组成的紫外线吸收层的氮含量，从下层侧(即阴极50侧)连续变化的构造也可以。
除此之外，与上述的第1实施例完全一样，所以省略说明。
因此，在本实施例中，能制造出耐湿性、耐氧性、耐光性优良的电光装置外，可以避免第2吸收层30b被光激励产生的电荷对发光层60产生恶化作用，进而延长装置的奉命。
[第3实施例]
参照图12说明与本发明第3实施例有关的电光装置。
本实施例是在上述第1实施例的结构中，在气相阻断层40的外侧，用保护层204密封的结构。即在本实施例中，在基板200上，以覆盖气相阻断层40的方式，设置保护层204。该保护层204是由设置在气相阻断层40侧的接合层205和设置在它上面的保护基板206组成。
接合层205与所述气相阻断层40粘合，且对外部的机械冲击有缓冲功能，例如尿烷类、丙烯酸脂类、环氧树脂类、聚烯烃类、硅类等树脂，通过比后述的保护基板206柔软、玻璃态化点低的材料构成的粘合剂形成的。在这样的粘结剂里添加硅烷耦合剂或者烷氧基硅烷，这样，形成的接合层205和气相阻断层40粘合性更好，因此耐机械冲击性更好。尤其是气相阻断层40，由硅化合物形成时，通过添加硅烷耦合剂或者烷氧基硅烷，可以提高与该气相阻断层40的粘合性，因而提高气相阻断层40的气体阻断性。
保护基板206设置在接合层205上，构成保护层204的表面侧，为具有耐压性、耐摩耗性、外部光反射阻止性、气体阻断性、紫外线遮断性等功能中的至少一个功能的层。具体地说，由高分子层(PET、丙烯酸树脂、聚碳酸脂、聚烯烃等塑料薄膜)或者DLC(菱形类碳)层、玻璃等形成的。
在本实施例中，接合层205构成本发明的缓冲层，而保护基板206构成本发明的表面保护层。并且，该例的EL显示装置中，如果是顶端发射型，所述的表面保护层206、缓冲层205都要作成透光膜，而底部发射型，那就没有该必要。
如此，在气相阻断层40上，如果设置保护层204，保护基板206具有耐压性或者耐摩耗性、光反射防止性、气体阻断性、紫外线遮断性等功能，发光层60或者阴极50、还有气相阻断层，都由该保护基板206得到保护，因而达到发光元件的长寿命化。
另外，接合层205对机械冲击能发挥缓冲功能，所以从外部受到机械冲击时，对气相阻断层40或者其内侧的发光元件的机械冲击得到缓和，能防止这种机械冲击带来的发光元件的功能恶化。
[第4实施例]
参照图13说明本发明第4实施例有关的电光装置。
本实施例是在上述第3实施例的结构中，在阴极50和紫外线吸收层30之间，从下层侧依次设置阴极保护层(电极保护层)21、缓冲层22、缓冲层保护层24的结构。
缓冲层22的主要目的在于，通过使基底的凹凸形状(由围堰结构体形成的基板表面的凹凸形状)平坦化，分散形成气相阻断层时从基板侧所加的外部应力，防止在由氮化硅或者氮氧化硅等硅化合物形成的气相阻断层硬膜上，产生裂纹。该缓冲层22，为了吸收从基板侧所加的应力，最好用具有一定程度柔软性的材料，例如含有氮原子的透明有机材料。另外，最好用140℃以下的低温中硬化的材料，例如丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚氨脂多元醇等为主要成分，混合亚苄基二异氰酸酯或苯二甲基二异氰酸酯等异氰酸酯化合物并聚合的衍生物或者混合双酚类环氧树脂和胺化合物并聚合的衍生物等。并且，缓冲层22的膜厚为了有足够的应力缓冲功能，最好为0.5μm-10μm。而且，在缓冲层22中，为提高与后面所述的阴极保护层21或者缓冲层保护层24的接合性，可以混入硅烷耦合剂或者硅氮烷化合物等硅烷化合物，为防止硬化收缩可以混入微粒子等。
这样的缓冲层22可用液相法形成。含有缓冲层22形成材料的液体材料的涂敷方法有：能大面积上均匀涂敷的狭缝涂敷法、印模涂敷法、帘幕涂敷法等。液体材料的粘度例如在100mPa·S以下，较好是1mPa·S-30mPa·S。为了降低粘度，最好用有机溶剂稀释。这时，因为阴极或者有机发光层排斥水分，所以最好用甲苯、二甲苯、环己烷、丁酮、醋酸乙酯等亲油性有机溶剂稀释。
阴极保护层21保持阴极50和缓冲层22的接合性的同时，为在工艺过程中保护元件为目的而设置，即形成缓冲层22时，因为基板暴露在大气，所以要遮断气体成分，或保护阴极50使之不被与阴极50接触的溶媒、外气侵蚀，例如适宜采用氮化硅或者氮氧化硅等具有透明性的硅化合物。该阴极保护层21用ECR等离子溅射法、ECR-CVD法、ICP-CVD法、螺旋波等离子CVD法、表面波等离子CVD法、离子喷镀法等高密度等离子成膜法制作。这时，为了防止等离子损伤，最好用低功率成膜，膜厚10nm-200nm为好。
为了保护缓冲层22，设置缓冲层保护层24，使之免受在形成气相阻断层时，紫外线吸收层30被激励而放出的活性电子损伤，可用硅化合物等透明绝缘材料。该缓冲层保护层24，可用ECR等离子溅射法、ECR-CVD法、ICP-CVD法、螺旋波等离子CVD法、表面波等离子CVD法、离子喷镀法等高度等离子成膜法制作。成膜条件与阴极保护层21的成成膜条件相同。另外，为了提高缓冲层保护层24和缓冲层22的接合性，也可以形成缓冲层保护层24之前，用氧气等离子处理等方法，把缓冲层22中的表面活性化。
阴极保护层21以覆盖阴极50全体的形式形成，缓冲层22以覆盖阴极保护层全体的形式形成；而缓冲层保护层24以覆盖缓冲层22全体的形式形成。
在这样形成的缓冲层保护层24上，紫外线吸收层30和气相阻断层40依次叠层。气相阻断层40以覆盖缓冲层24的全体的状态，与由硅化合物等组成的气体阻断性第2层间绝缘膜284相接，配置在实显示区域的发光元件，被这些气相阻断层40及第2层间绝缘膜284包住，水分等不能侵入，起到保护作用。在气相阻断层40上面，为了保持面板全体的强度和防止气相阻断层40等损伤，设置保护层204。该保护层204由透明接合层205和透明保护基板206组成。
接合层205及保护基板206，分别由与上述第3实施例中的缓冲层205及表面保护层206相同的材料构成。即接合层205可以用环氧树脂、丙烯酸脂、尿烷树脂、硅树脂等透明树脂材料作成的粘结剂。另外，为了在低温下硬化，还可以用添加异氰酸盐等硬化剂的2液混合型粘结剂。保护基板206可用玻璃或者透明塑料(PET、丙烯酸脂、聚碳酸酯、聚烯烃等)。使用塑料薄膜时，通过预先在薄膜上形成接合层205，可以形成专用于粘合的装置构造，容易对应大面积化。并且，在保护基板206上，可以设置紫外线吸收层、光反射防止层、散热层、透镜、反射镜等光学结构。
保护层204通过在保护基板206侧或者气相阻断层40上涂敷接合层205，将保护基板206和基板200压接粘合，在120℃以下加热硬化接合层205而固定。
除此之外，与上述第3实施例一样。
在本实施例中，在气相阻断层40的下层侧，设置缓冲层22作为平坦化膜，所以气相阻断层40可以作成更致密、缺陷少的膜。
下面说明本发明的电子设备。本发明的电子设备具有所述EL显示装置(电光装置)作为显示部，具体地说可举图14所示的设备。
图14是表示手机的一例的立体图。图14中符号1000表示手机本体，符号1001表示使用所述EL显示装置的显示部。
图14所示电子设备设置着具有所述EL显示装置(电光装置)的显示部，能够实现构成显示部的EL显示装置的发光元件长寿命化。
并且，本发明不限于上述实施例，在不脱离本发明的思想的范围内，可以实施各种变形。
例如，在上述各实施例中，气相阻断层40由单层构成，但也可以把该气相阻断层作成复数层的多层膜。例如，可以使气相阻断层为从紫外线吸收层30侧开始依次把第1阻断层和第2阻断层叠层的结构，第1阻断层用氮氧化硅，第2阻断层由氮化硅构成。这样，紫外线吸收层和气相阻断层的粘结性提高，可以形成缺陷少的致密的气相阻断层，结果进一步提高气体阻断性。另外，第1阻断层或者第2阻断层，在硅化合物之外，也可以用例如氧化铝或者氧化钽、氧化钛等无机化合物构成。这样，至少第1阻断层由无机化合物形成，紫外线吸收层由氧化物半导体构成，气相阻断层(第1阻断层)和紫外线吸收层之间粘结性更好。
在上述实施例中，作为EL显示装置，以顶端发射型结构为例进行了说明，但本发明不限于此，能适用于底部发射型或者向两侧射出显示光的型式的装置。特别是底部发射型的情况，阴极50不必使用透明电极，但这时该阴极的至少与气相阻断层40相接的面一侧，用无机氧化物形成为好。这样，用无机化合物构成的紫外线吸收层30和阴极50的粘合性好，能够将紫外线吸收层30形成缺陷少的致密的层。
另外，在底部发射型或者是向两侧出射光的型式的情况下，在基体200上形成的开关用TFT 112或者驱动用TFT 123，最好不在发光元件的正下方，而在亲液性控制层25及有机围堰层221的正下方形成，提高开口率。
并且，在各实施例的EL显示装置中，本发明的第1电极作为阳极起作用，第2电极作为阴极起作用，但与此相反，也可以将第1电极作为阴极，第2电极作为阳极分别发挥功能。但这时发光层60和空穴输送层70的形成位置要倒过来。
另外，虽然在上述实施例中表示了在本发明的电光装置中应用EL显示装置1的例，但本发明不限于此，只要是第2电极设置在基体外侧，基本上能适用于任何形态的电光装置。

Claims (27)

1.一种电光装置的制造方法，该电光装置具有在基板上至少把第1电极、电光层、第2电极依次叠层而构成的电光元件，其特征在于，包括
利用气相成长法，在所述基板上，以覆盖所述电光元件的方式形成紫外线吸收层的工序，和
利用等离子环境中的气相成长法，以覆盖所述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。
2.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括
在基板上形成多个第1电极的工序，
在所述基板上形成具有与所述第1电极的形成位置对应的多个开口部的围堰结构体的工序，
在所述围堰结构体的各开口部，分别形成电光层的工序，
以覆盖所述围堰结构体及所述各电光层的方式，形成第2电极的工序，
利用气相成长法，在所述基板上，以覆盖所述第2电极的方式形成紫外线吸收层的工序，
利用等离子环境中的气相成长法，以覆盖所述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。
3.根据权利要求2所述的电光装置的制造方法，其特征在于，构成所述围堰结构体外侧部的面，相对于所述基板表面的角度大于等于110°。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述气相阻断层在减压下的高密度等离子环境中成膜。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层，主要成分是能量带间隙从2eV到6eV的氧化物半导体材料。
6.根据权利要求5所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层，主要成分是能量带间隙从3eV到6eV的氧化物半导体材料。
7.根据权利要求1～4的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层，通过从在所述气相阻断层形成工序中使用的等离子产生的紫外线得到光触媒活性。
8.根据权利要求7所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层的主要成分是，包含钛、锌、锡中任意成分的透光性n型氧化物半导体材料。
9.根据权利要求7或者8所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层，含有白金、金、银、铜中的至少一种元素。
10.根据权利要求7～9的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层，形成于所述第2电极的露出面。
11.根据权利要求10所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层的至少与所述第2电极相接的面一侧，含有氮。
12.根据权利要求10或者11所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述第2电极的至少与紫外线吸收层相接的面一侧，用无机氧化物形成。
13.根据权利要求10～12的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，从所述第2电极形成工序，到所述气相阻断层形成工序，利用气相成长法，在减压下连续进行。
14.根据权利要求1～9的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，具有在所述第2电极和所述紫外线吸收层之间，形成用于使基底的凹凸形状平坦化的缓冲层的工序。
15.根据权利要求14所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述缓冲层由有机材料构成。
16.根据权利要求14或者15所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述缓冲层由液相法形成。
17.根据权利要求16所述的电光装置的制造方法，其特征在于，具有在所述第2电极和所述缓冲层之间，形成用于保护所述第2电极的电极保护层的工序。
18.根据权利要求17所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述电极保护层，由硅化合物构成。
19.根据权利要求14～18的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，具有在所述缓冲层和所述紫外线吸收层之间，形成缓冲层保护层的工序。
20.根据权利要求19所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述缓冲层保护层由绝缘材料构成。
21.根据权利要求1～20的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述气相阻断层，用硅化合物形成。
22.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述气相阻断层中含有氮。
23.根据权利要求1～22的任一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于，所述紫外线吸收层和所述气相阻断层的叠层膜的层厚小于等于500nm。
24.一种电光装置，其特征在于，在基板上，依次叠层第1电极、电光层、第2电极、紫外线吸收层、气相阻断层。
25.根据权利要求24所述的电光装置，其特征在于，在所述气相阻断层上设置有保护层。
26.根据权利要求25所述的电光装置，其特征在于，在所述保护层上，设置有表面保护层。
27.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求24～26的任一项所述的电光装置。
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