CN1472717A

CN1472717A - 电平移位器和平板显示器

Info

Publication number: CN1472717A
Application number: CNA031368522A
Authority: CN
Inventors: �궫��; 申东蓉
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2002-08-01
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2004-02-04
Anticipated expiration: 2023-05-23
Also published as: KR20040012133A; JP2004096716A; US20050179480A1; CN1313991C; ATE367680T1; JP3835553B2; US7081786B2; KR100432652B1; DE60314946D1; DE60314946T2; EP1387491A3; US7005909B2; US6891422B2; US20050140421A1; EP1387491B1; EP1387491A2; US20040021496A1

Abstract

在电平移位器中，第一和第二PMOS晶体管被串联连接到分别提供第一高电平电压和第一低电平电压的第一和第二电源，并且在第一和第二晶体管的触点及第二晶体管的栅极处，形成一个电容。第三PMOS晶体管是二极管接法，并连接第一和第二晶体管的栅极。当第二低电平电压输入到第一晶体管的栅极时，第二高电平电压根据第一和第二晶体管的导通电阻比，输入到触点。当第一高电平电压输入到第一晶体管的栅极时，第二晶体管根据充入到电容的电压而自举，因此，第一低电平电压基本上被输出到触点。由于电平移位器实质上根据第一和第二电源分别提供的电压输出电压，因此，可扩展输出电压的范围。

Description

电平移位器和平板显示器

本申请要求2002年8月1日向韩国知识产权局提出的韩国专利申请第2002-45524号的优先权，特此全文引用，以供参考。

技术领域

本发明涉及一种电平移位器和一种包括该电平移位器的平板显示器。具体地，本发明涉及一种在包含PMOS晶体管的系统中用来减小低电平电压的电平移位器，或一种在包含NMOS晶体管的系统中用来增加高电平电压的电平移位器。

背景技术

电平移位器代表一种在两个数字系统之间提供的电路，用于在耦合于两个具有不同信号电压的数字系统时，修改信号电压的值。电平移位器被用于把处于低电压范围的信号电压转换成处于高电压范围的信号电压。

图12示出根据现有技术的电平移位器的电路图。

如图12所示，现有电平移位器包括两个PMOS晶体管P1和P2。在这个例子中，晶体管P1耦合在高电平电源VDD与一个输出端之间，而晶体管P2是二极管接法，其连接在输出端与低电平电源LVSS之间。

在这个现有电平移位器中，当低电平电压VSS施加于晶体管P1的栅极时，高电平输出电压Vout根据晶体管P1和P2的导通电阻比来确定。当高电平电压VDD施加于晶体管P1的栅极时，低电平输出电压Vout达到一个电压(LVSS+|Vp|)，其比LVSS高出晶体管P2的阈值电压Vp。

这个例子中，当减小LVSS，而获得一个希望的低电平输出电压时，高电平输出电压就减小了。当高电平输出电压如上所述减小时，从电平移位器中接收一个输出的电路可以检测作为低电平电压的高电平输出电压。也就是说，当试图检测现有电平移位器的高电平输出电压作为另一电路的高电平输入电压时，低电平输出电压没有减小到希望的电平。

发明内容

根据本发明，提供一种电平移位器，用于在输入电压上，执行电平移位处理，以生成一个超过所需范围的输出电压。本发明使用自举来输出一个超过想要范围的电压。

在本发明的一个方面，电平移位器接收交替地具有一个第一电平电压和一个第二电平电压的输入电压信号，并根据第一电平电压和第二电平电压，生成一个第三电平电压和一个第四电平电压。第一晶体管耦合于具有第五电平电压的第一电源和一个输出端之间，并具有一个接收输入电压信号的栅极。第二晶体管耦合于输出端和具有一个第六电平电压的第二电源之间。电容元件在输出端和第二晶体管的栅极之间形成。开关元件响应第一电平电压，把对应于第一电平电压的电压，施加于第二晶体管的栅极，并响应第二电平电压，电气地切断输入电压信号和第二晶体管的栅极。

开关元件最好是一个二极管接法的三极管，其耦合于第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极之间，并根据第二电平电压被反向偏压。

电平移位器做好还包括至少一个第三晶体管、其串联耦合于输出端和第二晶体管之间，并且第三晶体管具有一个耦合到第二晶体管栅极的栅极。

电容元件最好包括一个第二晶体管的寄生元件、一个分离电容器或它们的组合。

在本发明的另一方面，电平移位器包括一个第一PMOS晶体管和一个第二PMOS晶体管、其串联耦合于提供第一高电平电压的第一电源和提供第一低电平电压的第二电源之间。电容元件在第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管的触点，和第二PMOS晶体管的栅极之间形成。当第二低电平电压输入到第一PMOS晶体管的一个栅极时，形成一个电通路，以把对应于第二低电平电压的第三低电平电压，提供至第二PMOS晶体管的栅极，其中，当第二低电平电压输入到第一PMOS晶体管的栅极时，第二高电平电压根据第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的导通电阻比，输出到触点。当第三高电平电压输入到第一PMOS晶体管的栅极时，根据充入到电容元件的电压，第二PMOS晶体管自举，因此，充分地把第一低电平电压输出到触点。

在本发明的另一方面，电平移位器包括一个第一NMOS晶体管和一个第二NMOS晶体管、其串联耦合于提供第一低电平电压的第一电源和提供第一高电平电压的第二电源之间。电容元件在第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管的触点，和第二NMOS晶体管的栅极之间形成。当第二高电平电压输入到第一NMOS晶体管的一个栅极时，形成一个电通路，以把对应于第二高电平电压的第三高电平电压，提供至第二NMOS晶体管的栅极。当第二高电平电压输入到第一NMOS晶体管的栅极时，第二低电平电压根据第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的导通电阻比，输出到触点。当第三低电平电压输入到第一NMOS晶体管的栅极时，根据充入到电容元件的电压，第二NMOS晶体管自举，因此，充分地把第一高电平电压输出到触点。

在本发明的另一方面，提供一种平板显示器装置，其可包括各种上述的电平移位器实施例，作为它的部件。平板显示器装置包括：具有多个扫描线和多个数据线的显示区。移位寄存器根据定时信号，把扫描信号提供至扫描线。数据驱动器根据定时信号，把数据信号提供至数据线。定时控制器生成定时信号，并把该定时信号提供至数据驱动器，和通过电平移位器提供至移位寄存器。电平移位器耦合于，定时控制器和移位寄存器、移位寄存器和扫描线、以及定时控制器和数据驱动器中的至少一个之间。电平移位器接收输入电压信号、其交替地具有一个第一电平电压和一个第二电平电压，并根据上述第一电平电压和第二电平电压，生成一个第三电平电压和一个第四电平电压。

附图说明

图1示出根据本发明的第一个实施例的电平移位器的电路图。

图2示出描述根据本发明的第一个实施例的电平移位器的工作点图。

图3、4和6示出根据本发明的第二到第四实施例的电平移位器的电路图。

图5示出描述根据本发明的第三个实施例的电平移位器的工作点图

图7到图10分别示出根据本发明的其它实施例的电平移位器的电路图。

图11示出使用一个根据本发明实施例的电平移位器的平板显示器方框图。

图12示出根据现有技术的电平移位器的电路图。

具体实施方式

在下列详细描述中示出本发明的不同实施例。在描述中列出的相似部件于此具有相同的标号。当一个部件连接到另一个部件时，该部件不仅直接连接到另一部件，而且被电气地连接到具有插入其中的其他器件的其他部件。

参考附图，下面将详细描述根据本发明不同实施例的电平移位器和平板显示器。

参照图1和图2，将描述根据本发明第一个实施例的电平移位器。图1示出根据本发明的第一个实施例的电平移位器的电路图。图2示出描述根据本发明的第一个实施例的电平移位器的工作点图。

如图1所示，电平移位器包括PMOS晶体管M1、M2和M3。晶体管M1的源极连接到提供电压VDD的电源。晶体管M2的漏极连接到提供电压LVSS的电源。电压VDD和LVSS分别代表高电平电压和低电平电压。晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极相连，而且它们触点处的电压变成了电平移位器的输出电压Vout。晶体管M3的栅极和漏极互相连接(晶体管M3是二极管接法的)，其起二极管作用。输入电压Vin输入到晶体管M1的栅极和晶体管M3的漏极。晶体管M2的栅极和源极分别连接到晶体管M3的源极和晶体管M1的漏极。电容C1在它们之间连接。电容C1包括晶体管M2的寄生电容、分离电容和它们的组合。

参照图2，将显示图1中电平移位器的工作情况。假定输入电压Vin交替地有低电平电压VSS和高电平电压VDD，电压VSS比电压LVSS高，且VSS的总和(VSS+|Vp|)和晶体管M3的阈值电压Vp的大小|Vp|实际上是导通晶体管M2的电压。

首先，当输入电压Vin是低电平电压VSS时，晶体管M1导通，且晶体管M2由于施加到其栅极节点的电压(VSS+|Vp|)也是导通的。在这种情况下，根据晶体管M1和M2的导通电阻比，确定输出电压Vout。然而，由于晶体管M1的源极电压VDD大于晶体管M2的源极电压，且晶体管M1的栅极电压VSS小于晶体管M2的栅极电压(VSS+|Vp|)，则晶体管M1的源-栅极电压V_SG1变得大于晶体管M2的源-栅极电压V_SG2。因此，由于晶体管M1的导通电阻小于晶体管M2的导通电阻，所以输出电压Vout变得接近于高电平电压VDD。当提供高电平输出电压Vout时，晶体管M2的栅极节点被放电到接近输入电压VSS，且流入晶体管M3的电流接近于OA。因此，晶体管M2的导通电阻减小，且输出电压Vout也减小。当晶体管M2的栅极节点处的电压变成输入电压VSS时，工作点如图2所示确定。

当设置晶体管M1的漏极电压和晶体管M2的源极电压为Vx时，晶体管M1和M2的相应漏极电流I_D分别变成如曲线10和20所示。在这种情况下，在曲线10的被曲线30分开的两个部分中，左边部分设置为饱和区，和右边部分定义为线性区。由于在饱和区提供晶体管M2，所以，曲线20的电流ID表示为公式1中的电流。(公式1)：

I_{D} = \frac{1}{2} μ C_{ox} \frac{W}{L} {(V_{x} - VSS - | V_{p} |)}^{2}

其中μ代表空穴迁移率，C_OX为氧化电容，W和L分别表示晶体管M2的沟道宽度和沟道长度，和V_X表示晶体管M2的源极电压。

因为曲线10和曲线20的交叉点是工作点，根据输入电压的低电平值VSS，在直线40的右边提供工作点，其与连接到电平移位器的低电平电压LVSS无关，而且输出电压Vout在另一电路中被检测为高电平。而且，通过控制晶体管M2的沟道宽度W和沟道长度L的比(W/L)，来适当控制高电平输出电压Vout。

接着，当输入信号变成高电平VDD时，晶体管M1截止，且由于充入电容C2的电压，晶体管M2导通，以致输出电压Vout减小到低电平电压LVSS。由于输入电压Vin是高电平VDD和晶体管M2的栅极电压接近于VSS，二极管接法的晶体管M3被反向偏压，所以几乎没有电流流入二极管接法的晶体管M3，且晶体管M2的栅极节点变成悬浮的。因此，电容C1处的电压被维持，且当输出电压降低时，晶体管M2的栅极电压自举，输出电压Vout减小到低电平电源电压LVSS，从而，不管阈值电压Vp，而为恒定。

在本发明的第一个实施例中，在输入端和晶体管M2的栅极之间使用二极管接法的晶体管M3。使用其他元件而不使用晶体管M3，当输入低电平电压时，提供对应于低电平的电压至晶体管M2的栅极，而当输入高电平电压时使晶体管M2的栅极悬浮。

根据本发明的第一个实施例，当输入电压Vin是低电平电压VSS时，可输出一个接近于高电平电压VDD的电压，且当输入电压Vin是高电平电压VDD时，可输出小于输入电压的低电平电压VSS的希望的电压LVSS。此外，为了使输出电压Vout接近于VDD，则需要减小晶体管M2的沟道宽度W和沟道长度L的比(W/L)、参考图3其将被详细描述。

图3示出了根据本发明第二个实施例的电平移位器。如图所示，除晶体管M4以外，根据第二个实施例的电平移位器具有根据本发明第一个实施例的电平移位器的结构。详细地，晶体管M4包括一个源极、一个栅极和一个漏极，其分别连接到输出端、晶体管M2的栅极和晶体管M2的源极。在这种情况下，电容C1连接晶体管M4的栅极和源极之间，且晶体管M1和M4的触点变成了输出端。

假定根据晶体管M2和M4的特征，沟道宽度和沟道长度被分别设置为W和L，且在上述提到的结构中是相等的，两个晶体管M2和M4串联连接，因此，沟道宽度和沟道长度的比变为相当于W/2L。然后，由于沟道宽度和沟道长度的比减小，从公式1中所表示的电流I_D中，在图2的图形中的较高电压处形成工作点，且静态电流也减小。因此，获得大于本发明第一个实施例的高电平输出电压，也就是，接近于VDD的高电平输出电压Vout。而且，由于晶体管M2的源电压小于晶体管M4的源电压，图3中晶体管M2和M4的导通电阻之和比具有第一个实施例的2L沟道长度的晶体管M2的导通电阻要大一点，这样有利于获取高电平输出电压Vout。

在本发明的第二个实施例中，单个晶体管M4被加入到输出端和晶体管M2之间，且并不限于此，与晶体管M4具有共栅极的晶体管可也被加入到输出端和晶体管M4的源极之间。

在上面的本发明第一个和第二个实施例中，也描述了一个当施加一个低电平电压时，用于输出高电平电压的电平移位器，和当施加高电平电压时，用于输出低电平电压的电平移位器。

下面，参照图4至6，通过把一个反向器加入到第一个和第二个实施例中，对具有非-反向输出的电平移位器进行描述。

图4和6分别示出了根据本发明第三个和第四个实施例的电平移位器。图5示出了根据本发明第三个实施例的电平移位器的工作点。

如图4所示，根据本发明第三个实施例的电平移位器具有连接两个根据本发明第一个实施例的电平移位器的结构。详细地，当输入电压Vin是低电平电压VSS时，晶体管M1和M2的触点的电压变成高电平，且晶体管N1和N2的触点的电压，也就是，电平移位器的输出电压由于该高电平电压而变成低电平电压LVSS。当输入电压Vin是高电平电压VDD时，晶体管M1和M2的触点的电压变成低电平，且电平移位器的输出电压由于该低电平电压而变成高电平电压。因此，根据本发明的第三个实施例的电平移位器具有非-反向的输出。

但是，在本发明的第三个实施例中，LVSS的电压被作为一个低电平输入电压输入到晶体管N1和N3。晶体管N2的栅极节点电压则为输入电压LVSS和晶体管N3的阈值电压的绝对值|Vp|的和，因此，流入晶体管N2的电流I_D如公式2中所示。(公式2)：

I_{D} = \frac{1}{2} μ C_{ox} \frac{W}{L} {(V_{x} - LVSS - | V_{p} |)}^{2}

工作点，也就是图5中曲线10和公式2中电流曲线20的交叉点，变得接近于LVSS，且输出电压Vout变得比高电平电压VDD要低。在这种情况下，由于用于从电平移位器中接收输出的电路可以检测作为低电平电压的高电平输出电压，所以当试图使另一电路能够检测作为高电平的高电平输出电压时，LVSS可不被减小到希望的值。因此，把连接到第一个电路的晶体管M2的低电平电源电压设置为大于LVSS是可取的。下面，将参照图6描述图1中耦合两个电路和设置第一个电路的低电平电源电压为VSS的实施例。

如图6所示，除了第一个电路的低电平电源电压是高于LVSS的电压VSS外，根据第四个实施例的电平移位器与根据第三个实施例的电平移位器相同。因此，由于第一个电路的低电平输出电压，也就是，输入到第一个电路的晶体管N1和N3的低电平电压变成了VSS，如第一个实施例中所描述的，确定电平移位器的高电平输出电压Vout而不管LVSS如何。从而，电平移位器的低电平输出电压LVSS可减小至希望的值。

在第三个和第四个实施例中，根据第一个实施例的两个电平移位器被连接，且根据第二个实施例的两个电平移位器或根据第一个和第二个实施例的电平移位器也可被连接。

在上述的第一个直至第四个实施例中，已经描述了使用PMOS晶体管的电平移位器。在PMOS电平移位器中，需要提供一个低电平电压，以给电容充电，而且需要提供一个高电平电压，以降低输出电压。也就是，需要提供一个低电平电压到电平移位器，以便在驱动开始时复位电平移位器，从而电平移位器的工作可以准确地开始。通常，PMOS电平移位器把低电平电压减小到一个更低的值，以移位电压电平，且NMOS晶体管被用于移位高电平电压。下面，参照图7到10，描述使用NMOS晶体管的电平移位器。

图7到10分别示出根据本发明的其它实施例的电平移位器。参考图7，电平移位器具有与图1的电平移位器匹配的结构，不同之处在于NMOS晶体管和电源LVDD及VSS结构。详细地，图7的电平移位器包括NMOS晶体管M1、M2和M3，且晶体管M1和M2串联连接于提供低电平电压VSS的电源和提供高电平电压LVDD的电源之间。高电平电压LVDD是一个比输入电压的高电平电压VDD大的电压。

当高电平电压VDD输入到电平移位器中，晶体管M1导通，根据晶体管M1和M2的导通电阻比，输出一个接近于低电平电源电压VSS的电压。电容C1被以一个与输出电压Vout和晶体管M2的栅极节点之间的电压差对应的电压充电。接着，当低电平电压VSS输入到电平移位器时，晶体管M2的栅极节点漂移，且由于充入电容C1的电压，晶体管M2充当一个自举电路。因此，由于自举电路，输出电压Vout充分地增加到高电平电源电压LVDD。

图8示出增加了与晶体管M2共栅极的晶体管M4的电平移位器。如第二个实施例中所述，通过加入晶体管M4来减小沟道宽度W和沟道长度L的比W/L，因此，使输出电压Vout更接近于VSS。

参照图9和10，如第三个和第四个实施例中所述，连接两个电平移位器，以致不能将输出电压反向。在这种情况下，如图9所示，当LVDD被当作第一个电路的高电平电源使用时，另一个电路可检测作为高电平电压的电平移位器的低电平输出电压，如本发明的第三个实施例中所述。当试图让电路读取作为低电平的低电平输出电压时，LVDD不能增加到希望的值。因此，如图10所示，使用小于第一个电路的高电平电源电压的LVDD的电压VDD是可取的。

图7的两个电平移位器在图9和图10的实施例中是连接的，且图8的两个电平移位器或图7、8的电平移位器也可连接。在上述说明中，描述了根据不同实施例的电平移位器，且通过使用不同电压电平的集成电路，它们可被应用到平板显示器，来转换集成电路和平板显示器之间的电压电平。下面，将参照图11来描述使用根据本发明另一个实施例的电平移位器的平板显示器。

图11示出了使用根据本发明实施例的电平移位器的平板显示器。该平板显示器包括：定时控制器Tcon 100、移位寄存器S/R 200、数据驱动器300和显示区400。定时控制器100生成定时信号CLK、/CLK，和用于驱动移位寄存器200和数据驱动器300的SP。移位寄存器200从定时控制器100中接收定时信号，以把扫描信号顺序地提供至在显示区400上形成的扫描线X₁到X_m。根据定时信号，数据驱动器300把数据信号提供至显示区400的数据线Y₁到Y_n。

例如，假定定时控制器100和移位寄存器200使用的电压范围不同，根据本实施例的电平移位器L/S 500在定时控制器100和移位寄存器200之间，则定时控制器100的输出电压范围可被修改为由移位寄存器200使用的电压范围。

以相似方式，假定移位寄存器200和显示区400使用的电压范围不同，在移位寄存器200和显示区400的扫描线X1到Xm之间形成电平移位器L/S600，因此移位寄存器200的输出电压范围可被修改为由显示区400使用的电压范围。在这种结构中，在电平移位器500和显示区400之间形成一个缓冲器(未示出)。此外，假定定时控制器100和数据驱动器300使用的电压范围不同，在定时控制器100和数据驱动器300之间形成根据本实施例的电平移位器L/S 700，因此定时控制器100的输出电压范围可被修改为由数据驱动器300使用的电压范围。

图11示出一种分别使用在定时控制器100与移位寄存器200之间、移位寄存器200与显示区400之间，和定时控制器100与数据驱动器300之间的电平移位器的例子，且并不仅限于此，上述描述可应用到修改平板显示器的电压范围的例子中。

根据本发明，在PMOS电平移位器中，通过增加输出端和低电平电源之间的电阻，高电平输出电压可增加到希望的电压，且通过使用一个自举电路，低电平输出电压可减小到希望的值。以相同方式，NMOS电平移位器可控制低电平和高电平输出，以达到希望的电压。随着电阻的增加，流入晶体管的静态电流减小，从而减小了能量的消耗。

虽然，这里只是参照优选实施例描述本发明，但是，应当理解本发明并不限于所述的实施例，相反，在没有脱离所附权利要求中定义的本发明的范围和精神的情况下，可以在形式和细节上做出各种改动。

Claims

1.一种电平移位器，用于接收交替地具有第一电平电压和第二电平电压的输入电压信号，并根据第一电平电压和第二电平电压，分别生成第三电平电压和第四电平电压，其包括：

第一晶体管，其耦合于具有第五电平电压的第一电源和输出端之间，并具有一个接收输入电压信号的栅极；

第二晶体管，其耦合于输出端和具有第六电平电压的第二电源之间；

电容元件，形成于输出端和第二晶体管的栅极之间；和

开关元件，响应第一电平电压，把对应于第一电平电压的电压提供至第二晶体管的栅极，并响应第二电平电压，电气地切断输入电压信号和第二晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的电平移位器，其中，开关元件是二极管接法晶体管、耦合于第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极之间，且根据第二电平电压被反向偏压。

3.如权利要求1所述的电平移位器，还包括至少一个第三晶体管、其串联耦合于输出端和第二晶体管之间，该第三晶体管具有一个耦合到第二晶体管栅极的栅极。

4.如权利要求1所述的电平移位器，其中，第三电平电压是根据第一晶体管和第二晶体管的导通电阻比来确定的。

5.如权利要求4所述的电平移位器，其中，第二晶体管的导通电阻是根据第一电平电压来确定的。

6.如权利要求1所述的电平移位器，其中，第四电平电压实际上是第六电平电压。

7.如权利要求1所述的电平移位器，其中，第五电平电压实际上是第二电平电压，且第六电平电压也是来自第二电平电压，而不是第一电平电压。

8.如权利要求1所述的电平移位器，其中，第一晶体管和第二晶体管都是PM0S晶体管，且第一电平电压和第二电平电压分别为一个低电平电压和一个高电平电压。

9.如权利要求1所述的电平移位器，其中，第一晶体管和第二晶体管都是NMOS晶体管，且第一电平电压和第二电平电压分别为一个高电平电压和一个低电平电压。

10.如权利要求1所述的电平移位器，其中，至少部分电容元件是根据第二晶体管的寄生元件而形成的。

11.如权利要求1所述的电平移位器，其中，电容元件是通过耦合于输出端和第二晶体管的栅极之间的电容来形成的。

12.一种平板显示器装置，包括：

显示区，具有多个扫描线和多个数据线；

移位寄存器，根据定时信号把扫描信号提供至扫描线；

数据驱动器，根据定时信号把数据信号提供至数据线；

定时控制器，生成定时信号，并提供该定时信号至数据驱动器和移位寄存器；

电平移位器，耦合于定时控制器与移位寄存器、移位寄存器与扫描线、及定时控制器与数据驱动器中的至少一个之间，并接收交替地具有第一电平电压和第二电平电压的输入电压信号，且根据第一电平电压和第二电平电压，分别生成第三电平电压和第四电平电压，该电平移位器包括：

第一晶体管、其耦合于具有第五电平电压的第一电源和输出端之间，并具有一个接收输入电压信号的栅极；

第二晶体管，耦合于输出端和具有第六电平电压的第二电源之间；

电容元件，其在输出端和第二晶体管的栅极之间形成；和

13.一种电平移位器，包括：

第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其串联耦合于提供第一高电平电压的第一电源和提供第一低电平电压的第二电源之间；

电容元件，其在第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的触点及第二PMOS晶体管的栅极之间形成；和

在第二低电平电压输入到第一PMOS晶体管的栅极时形成的电通路，以把对应于第二低电平电压的第三低电平电压提供至第二PMOS晶体管的栅极，

其中，当第二低电平电压输入到第一PMOS晶体管的栅极时，第二高电平电压根据第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管的导通电阻比，输出到触点，当第三高电平输入到第一PMOS晶体管的栅极时，第二PMOS晶体管根据充入电容元件的电压而自举，因此实际上把第一低电平电压输出至触点。

14.如权利要求13所述的电平移位器，其中，第一低电平电压小于第二低电平电压。

15.如权利要求13所述的电平移位器，还包括至少一个第三PMOS晶体管、其串联耦合于触点和第二PMOS晶体管之间，第三PMOS晶体管具有一个耦合到第二PMOS晶体管栅极的栅极。

16.一种平板显示器装置，包括：

显示区，具有多个扫面线和多个数据线；

移位寄存器，根据定时信号把扫描信号提供至扫描线；

数据驱动器，根据定时信号把数据信号提供至数据线；

定时控制器，生成定时信号，并把该定时信号提供至数据驱动器，和通过电平移位器，把该定时信号提供至移位寄存器；

电平移位器，耦合于定时控制器与移位寄存器、移位寄存器与扫描线，及定时控制器与数据驱动器之间中的至少一个之间，并接收交替地具有第一电平电压和第二电平电压的输入电压信号，且根据第一电平电压和第二电平电压，分别生成第三电平电压和第四电平电压，该电平移位器包括：

电容元件，其在第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管的触点和第二PMOS晶体管的栅极之间形成；和

在第二低电平电压输入到第一PMOS晶体管的栅极时形成的电通路，以把对应于第二低电平电压的第三低电平电压，提供至第二PMOS晶体管的栅极，

其中，当第二低电平电压输入到第一PMOS晶体管的栅极时，第二高电平电压根据第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的导通电阻比，输出到触点，当第三高电平输入到第一PMOS晶体管的栅极时，第二PMOS晶体管根据充入电容元件的电压而自举，因此实际上把第一低电平电压输出至触点。

17.一种电平移位器，包括：

第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其串联耦合于提供第一低电平电压的第一电源和提供第一高电平电压的第二电源之间；

电容元件，其在第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管的触点和第二NMOS晶体管的栅极之间形成；和

在第二高电平电压输入到第一NMOS晶体管的栅极时形成的电通路，以把对应于第二高电平电压的第三高电平电压提供至第二NMOS晶体管的栅极，

其中，当第二高电平电压输入到第一NMOS晶体管的栅极时，第二低电平电压根据第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管的导通电阻比，输出到触点，当第三低电平输入到第一NMOS晶体管的栅极时，第二NMOS晶体管根据充入电容元件的电压而自举，因此实际上把第一高电平电压输出至触点。

18.如权利要求17所述的电平移位器，其中，第一高电平电压大于第二高电平电压。

19.如权利要求17所述的电平移位器，还包括至少一个第三NMOS晶体管、其串联耦合于触点和第二NMOS晶体管之间，第三NMOS晶体管具有一个耦合到第二NMOS晶体管栅极的栅极。

20.一种平板显示器装置，包括：

显示区，具有多个扫面线和多个数据线；

移位寄存器，根据定时信号把扫描信号提供至扫描线；

数据驱动器，根据定时信号把数据信号提供至数据线；

定时控制器，生成定时信号，并提供该定时信号至数据驱动器，和通过电平移位器，把该定时信号提供至移位寄存器；

电平移位器，至少耦合于，定时控制器与移位寄存器、移位寄存器与扫描线，及定时控制器与数据驱动器中的一个之间，并接收交替地具有第一电平电压和第二电平电压的输入电压信号，且根据第一电平电压和第二电平电压，分别生成第三电平电压和第四电平电压，该电平移位器包括：

当第二高电平电压输入到第一NMOS晶体管的栅极时形成的电通路，以把对应于第二高电平电压的第三高电平电压提供至第二NMOS晶体管的栅极，