CN1325923C - 用于检验平板显示器的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本发明一个方面的一种用于检测平板显示装置中不同层信号线之间短路的检验方法，包括：在检测装置上设置平板显示装置；向一条或多条第一信号线的焊盘以及一条或多条第二信号线的焊盘施加不同的电压，其中第一和第二信号线形成在不同的层中并且由一绝缘层分隔开，第二信号线叠置在第一信号线其中至少之一上；利用磁传感器扫描第一信号线的焊盘和第二信号线的焊盘；检测磁传感器的电阻变化，以感知第一与第二信号线之间的层间短路；以及将检测数据发送到检测装置以确定发生短路的信号线。
Description
技术领域
本发明涉及用磁传感器检验平板显示装置中的坏布线和坏像素的方法和设备。
背景技术
作为视觉信息传输媒体的显示装置近年来显得越来越重要。广泛使用的传统的阴极射线管又笨又重。因此，为了克服阴极射线管的缺点已经开发了各种类型的平板显示装置。
这些平板显示装置包括：液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、和电致发光显示器(EL)。这些显示器中的大部分都可以在市场上买到。
液晶显示器容易小型化和提高生产率。因此，LCD已在许多应用领域迅速替代阴极射线管。
具体地说，用薄膜晶体管(以下叫做“TFT”)驱动液晶盒的有源矩阵型液晶显示装置的优点是具有优良的图像质量和低功耗。由于制造技术的最新研究和应用，所以该技术迅速发展成能大量制造清晰度的显示器。
制造有源矩阵型显示装置的工艺分为：基板清洁、基板构图、定向膜形成/摩擦、基板组装/注入液晶材料、安装、检验和维修。
在基板清洁工序中用洗涤剂去除液晶显示装置的基板表面上的杂质。
基板构图工序包括上基板(即滤色片基板)的构图、和下基板(即TFT阵列基板)的构图。在上基板上形成滤色片、公共电极和黑色矩阵。在下基板上形成例如数据线和栅极线的信号线，并在数据线和栅极线的交叉点处形成TFT。在栅极线和与连接到TFT的源极的数据线之间的像素区中形成像素电极。
在定向膜形成/摩擦工序中，向上基板和下基板中的每一个都提供一定向膜，并用摩擦材料摩擦定向膜。
在基板组装/注入液晶材料的工序中，用密封剂将上基板和下基板粘接到一起，并通过液晶注入孔注入液晶材料和衬垫料。然后密封液晶注入孔。
液晶板的安装工序是采用其上安装有集成电路的带式封装(以下叫做“TCP”)，所述的集成电路例如有连接到基板上的焊盘部分的栅极驱动集成电路和数据驱动集成电路。这些集成电路可以用玻璃上固定芯片(以下叫做“COG”)方法直接安装到基板上，而不用上述的TCP的TAB(带式自动焊接)方法。
检验工序包括：形成各种信号线和像素电极之后进行的第一电检验，和基板组装/注入液晶的工序之后进行的电检验和视觉检验。具体地说，基板组装之前对下基板的信号线和像素电极的电检验可以减少缺陷比例和废品量。也可以早期维修坏的基板，因此其重要性越来越大。
维修工序对在检验工序中发现的可维修的基板进行修复。但是，在检验工序中应将那些不能维修的有缺陷的基板废弃。
在基板组装之前进行的电检验通常是采用使用图1所示设备的方法。
参见图1，电检验工序按如下步骤进行：分离调制器10在测试基板11上方且与测试基板11具有一设定的间隔。将测试电压(Vtest)施加给调制器，同时保持间隔，并检测从调制器10反射的光，由此确定信号线17和18的任何电缺陷。
在调制器10中，聚合物分散液晶(以下叫做“PDLC”)位于其上形成有公共电极13的上透明基板12与下透明基板15之间。在调制器10中，反射片16朝着下透明基板15的背面设置。调制器10具有用于自动打开(auto-gapping)的空气喷嘴和真空喷嘴，以保持与要测试的基板11具有一设定的间隔。
在调制器的上方，透镜21将来自光源(未示出)的光会聚到调制器10中，而且透镜21还另外透射从调制器10反射的光22。
测试基板11包括其上具有TFT 19的下基板。在有源矩阵型液晶显示装置中形成信号线17和18以及像素电极20。
通过将测试基板11放在调制器10下面开始电检验，并在进行自动打开时下降调制器。将调制器10与测试基板11之间的间隔保持在预定的有效间隔的同时，从光源(未示出)辐射光，用聚光透镜21将光聚集在调制器上并同时将一测试电压(Vtest)施加给公共电极13。由驱动电路提供的测试数据提供给数据线7，并将测试扫描信号提供给栅极线18。然后，将一有效电场施加给调制器10的公共电极13与要测试的像素电极20之间的PDLC 14。
在不施加电场时，PDLC 14引起光散射。当施加有效电场(E)时，液晶按有效电场(E)的方向取向并引起光透射。因此，在电检验工艺中，当电压正常施加给像素电极20时，PDLC 14的相应的液晶层引起光22透射。当没有向像素电极20施加电压时，PDLC 14的液晶层引起光22在那一部分被散射。
当透过PDLC 14的液晶层的光22被反射片16反射，然后光的方向与光的路径相反的同时，在PDLC 14的液晶层中散射的光22几乎消失，并几乎不入射到反射片16。调制器10中反射的光经透镜21接收到电荷耦合器(CCD)(未示出)，然后转换成电信号。接着，将转换的信号经信号处理电路传输到显示器(未示出)。测试检验器监视显示器中显示的图像或数据以确定是否存在缺陷。测试检验器还附带对可疑的信号线17和18进行严格检验。
调制器10具有能严格而可靠地逐一检验像素缺陷的优点，但是该优点带来高昂的费用。而且，由于与基板11的总面积相比，其检验的区域窄，调制器10必须通过为自动打开而垂直或水平方向移动一指定长度然后暂时停止来重复检验工艺。因此，检验时间不利地延长。此外，对平板显示装置的高精细而言，调制器的精度要低于所期望的精度。
例如，图2中表示出由于坏的构图而造成的在数据线32a、32b和32c与栅极线31a和31b之间的像素区中形成的像素电极PIX(1，1)到PIX(2，3)中的像素电极PIX(1，2)的第一列和第二行出现部分缺失。当测试扫描电压施加到栅极线31a，并同时测试数据电压施加到数据线32b时，由于测试数据电压经TFT(未示出)施加到像素电极PIX(1，2)的第一列和第二行，所以，在作为正规像素的调制器10的像素电极PIX(1，2)与公共电极13之间产生电场。结果，由于在对应像素电极PIX(1，2)的第一列和第二行的像素中电荷耦合器经调制器10收集反射的光，因此确定像素是正常的。
发明内容
本发明的目的在于，提供用磁传感器检验平板显示装置中的布线缺陷和像素缺陷的方法和设备。
为了达到本发明的这些和其他目的，按照本发明一个方面的一种用于检测具有多条信号线的平板显示器中不同层的信号线之间短路的方法，其包括：在检测装置上设置平板显示装置；向一条或多条第一信号线的焊盘以及一条或多条第二信号线的焊盘施加不同的电压，其中第一和第二信号线形成在不同的层中并且由一绝缘层分隔开，第二信号线叠置在第一信号线其中至少一条信号线之上；用磁传感器扫描第一信号线和第二信号线的焊盘，检测磁传感器的电阻变化，以感知第一与第二信号线之间的层间短路以及将检测数据发送到检测装置以确定发生短路的信号线。
感知第一与第二信号线之间的层间短路的步骤包括：根据流过磁传感器的电流变化检测磁传感器的电阻，和如果磁传感器的电阻大于设定的参考值，则确定第一与第二信号线的短路。
本发明中施加不同的电压包括将第一公共电压施加给第一信号线的焊盘，和将与第一公共电压不同的第二公共电压施加给第二信号线的焊盘。
磁传感器包括硬磁层和软磁层。软磁层的磁化方向由从第一和第二信号线感应的磁场而变化。
感知第一与第二信号线之间的层间短路的步骤包括，当软磁层的初始磁化方向反向时，确定信号线短路。
本发明部分涉及一种用于检测具有多条信号线的平板显示装置中电极图形的缺陷的方法，其包括：在检测装置上设置平板显示装置；经过信号线向电极图形施加电流；用包括其尺寸小于电极图形尺寸的一个或多个磁传感器的一传感器阵列来扫描电极图形；检测每个磁传感器的电阻变化，以感知电极图形的缺陷；和向检测装置发送检测到的信号以确定有缺陷的电极图形。
在本发明中，检测磁传感器的电阻变化的步骤包括：用流过每个磁传感器的电流变化检测每个磁传感器的电阻，和确定位于磁传感器的电阻大于设定参考值的位置处的电极图形的一部分缺失。
在本发明中，磁传感器包括硬磁层和软磁层，且软磁层的磁化方向根据由信号线感应的磁场而变化。
而且，检测每个磁传感器的电阻变化的步骤包括：在电流流过处的电极图形感应的磁场反向后，软磁层的初始磁化方向返回到电极图形缺失处的初始磁化方向时，确定电极图形缺失。
本发明部分涉及一种用于检测液晶显示器中不同层中信号线之间短路的检验设备，包括：一电源，向一条或多条第一信号线的焊盘和叠置在第一信号线其中至少之一上的一条或多条第二信号的焊盘施加不同的电压，其中一绝缘层位于第一信号线与第二信号线之间；一磁传感器，用于扫描第一信号线的焊盘和第二信号线的焊盘；和一检测电路，用于检测磁传感器的电阻变化，以感知第一和第二信号线的层间短路。
磁传感器可以是巨磁-电阻传感器、磁-电阻传感器、隧道磁-电阻传感器、饱和式传感器和感应式传感器中的一种传感器。
检测电路用流过磁传感器的电流变化检测磁传感器的电阻。
所述电压源还包括向第一信号线的焊盘提供第一公共电压的第一电压源，和向第二信号线的焊盘提供与第一公共电压不同的第二公共电压的第二电压源。
本发明部分涉及一种用于检测液晶显示器中电极图形的缺陷的检验设备，其包括：一电压源，用于向电极图形提供电流；一磁传感器，该磁传感器中包括其尺寸小于电极图形尺寸的至少一个磁传感器，用于扫描电极图形。检测电路检测每个磁传感器的电阻变化，以感知电极图形的缺陷。
磁传感器可以是巨磁-电阻传感器、磁-电阻传感器、隧道磁-电阻传感器、饱和式传感器和感应式传感器中的一种传感器。
检测电路用流过每个磁传感器的电流变化检测每个磁传感器的电阻。
附图说明
用来提供对本发明进一步理解并且构成本说明书一部分的附图示出了本发明的实施例，它们连同文字部分一起用来解释本发明的原理。
图1是现有技术的液晶显示器的电检验设备的透视图；
图2是表示像素电极的坏图形的一个实例的平面图；
图3是表示巨磁-电阻传感器(GMR)的剖视图；
图4是表示GMR传感器的磁滞特性曲线图；
图5是表示加外电场时的GMR传感器的磁化方向的剖视图；
图6是表示没有外电场时的GMR传感器的磁化方向的剖视图；
图7是表示连接到GMR传感器的电阻检测器的电路图；
图8是表示GMR传感器的磁化状态与电阻之间关系的曲线图；
图9表示按照本发明第一实施例的平板显示装置的检验方法和设备；
图10是表示电流流过图9所示信号线时的GMR传感器的磁化方向的剖视图；；
图11是表示电流不流过图9所示信号线时的GMR传感器的磁化方向的剖视图；
图12是表示按照本发明实施例的平板显示装置的检验设备的框图；
图13是表示划线SCRBL(scribing line)的平面图；
图14表示与按照本发明第一实施例的平板显示装置的检验方法和设备相关的划线工序之前基板上的扫描方法；
图15表示按照本发明第二实施例的平板显示装置的检验方法和设备；
图16是表示电流流过图15所示信号线时的GMR传感器的磁化方向的剖视图；
图17是表示电流不流过图15所示信号线时的GMR传感器的磁化方向的剖视图；
图18表示与按照本发明第二实施例的平板显示装置的检验方法和设备相关的划线工序之前基板上的扫描方法；
图19表示按照本发明第三实施例的平板显示装置的检验方法和设备；及
图20A和20B表示图19所示传感器阵列的移动。
具体实施方式
从下文给出的具体描述中可以更明显看出本发明的优点。由于对本领域的技术人员来说，从具体描述中很明显可以在不脱离本发明原理的情况下作出各种各样的修改或变更，应当理解的是，详细描述和具体实例在表示本发明优选实施例的同时仅仅是用作说明。
以下将参见图3到20B解释本发明的优选实施例。
按照本发明实施例的平板显示装置的检验方法和设备，通过使用诸如GMR(巨磁-电阻传感器)、MR(磁-电阻传感器)、TMR(隧道磁-电阻传感器)、饱和式传感器或感应式传感器的磁传感器来检验坏的信号线和像素电极。以下将对这些传感器中的GMR传感器进行描述。但是，本发明不限于所列举的传感器，任何合适的磁传感器都可以用于实践本发明。
图3所示的GMR传感器具有叠置在基板1上的固定层2、硬磁层3、无磁层4和软磁层5。
固定层2用于固定硬磁层3的磁化方向或磁旋动量。
用例如钴(Co)的具有大的饱和磁场的磁性材料构成硬磁层3。当外磁场H和感应磁场M变化大时，硬磁层3的磁化特性反向，如图4所示的磁滞曲线7。
用例如铜(Cu)的无磁性材料构成无磁性层4，无磁性层4阻断硬磁层3与软磁层5之间的磁干扰。构成无磁性层4的材料不限于铜，可以用任何合适的无磁性材料，例如，Al、Sn或Au。
软磁层5用例如NiFe的具有小的饱和磁场的磁性材料构成。软磁层5的构成材料不限于NiFe，可以用任何合适的材料。尽管外磁场H和感应磁场M只有小的变化，但是软磁层5的磁特性是反向的，如图4中所示的磁滞曲线8。
如果足以磁化硬磁层3的外磁场H施加给GMR传感器，如图5所示，那么，硬磁层3和软磁层5变成按外磁场H方向磁化。就此而言，硬磁层3和软磁层5的磁化方向按外磁场H的方向设置。
图6表示当GMR传感器的硬磁层3和软磁层5磁化时，如果除去外磁场H，那么硬磁层3的磁化方向41受到固定层2的限制，按施加外磁场H时的相同方向保持取向。但是，通过反铁磁耦合，具有低饱和磁场的软磁层5的磁化方向42按与外磁场H的相反方向设置。也就是说，如果除去外磁场H，软磁层5的磁化方向42按与外磁场H相反的方向取向。
图7表示在GMR传感器两边形成电极51a和51b后，将电阻检测电路52连接到电极51a和51b。图5和图6表示出如果外磁场H施加到GMR传感器，或者，除去外磁场H，根据外磁场H有或者没有，由电阻检测电路52检测到的电阻会有不同。
电阻检测电路52产生在GMR传感器两边上形成的电极51a和51b之间流动的电流，并根据电流变化检测电阻。图5表示，当在硬磁层3的磁化方向41和软磁层5的磁化方向42按外磁场H设置处的旋转平行状态SPS下施加外磁场H时，在电阻检测电路R中检测到低电阻值R，如图8所示。但是，图6表示，在旋转反向平行状态SPS下，此处去除了外磁场H且软磁层5的磁化方向42反向，在电阻检测电路R中检测到高电阻值R，如图8所示。
按照本发明实施例的平板显示装置的检验方法和设备通过用GMR传感器的电阻变化来确定平板显示装置的信号线缺陷和像素电极缺陷。
图9表示按照本发明第一实施例的平板显示装置的检验方法和设备。高公共电压Vh施加到奇数信号线901、903，…，90n-1的一边，而低公共电压V1施加到偶数信号线902、904，…，90n的一边。扫描连接到每条信号线901到90n的另一边的扫描焊盘921到92n，以检验信号线901到90n的短路。
信号线901到90n包括扫描信号线(或栅极线，或行线)或数据信号线(或列线)。
奇数信号线901，903，…，90n-1有一边连接到第一短路线94a，这些奇数信号线相互短路并与偶数信号线902，904，…，90n保持电绝缘。第一短路线94a连接到提供有高公共电压Vh的第一检验焊盘93a。偶数信号线902，904，…，90n有一边连接到第二短路线94b，这些偶数信号线相互短路并与奇数信号线901，903，…，90n-1保持电绝缘。第二短路线94b连接到提供有低公共电压V1的第二检验焊盘93b。
在对信号线901到90n的短路进行检验时，GMR传感器以不接触方法沿连接到每条信号线901到90n的焊盘921到92n扫描。图11表示，假设第二和第三信号线902和903由于在制造过程中的杂质或图形缺陷造成短路，电流i不在第一信号线901和第四到第N信号线904到90n中流动，但是，电流i经第二和第三信号线902和903中的短路点95(见图9)流动。这时，因为高电压Vh施加到奇数信号线901，903，…，90n-1，而低电压V1施加到偶数信号线，所以电流i从第三信号线903流到第二信号线902。然后，电流i在第二信号线902与第三信号线903之间流动，感应磁场M引起电流i在GMR传感器200中流动(见图10)。另一方面，如图11所示，由于电流i不在第一信号线901和第四到第N信号线904到90n中流动，所以，磁场不施加到GMR传感器200。
电阻检测器52连接到GNR传感器200的两边，并根据GMR传感器200流过的电流检测电阻R。由于GMR传感器200的硬磁层和软磁层的磁化方向41和42按与感应磁场M相同的方向设置，所以GMR传感器200扫描第二信号线902和第三信号线903时检测到的电阻值R小于设定的参考值。另一方面，由于GMR传感器200的软磁层的磁化方向42与感应磁场M的方向相反，所以，GMR传感器200扫描第一信号线901和第四到第N信号线904到90n时检测到的电阻值R大于设定的参考值。
用图12所示的信号处理电路53将电阻检测器52检测到的电阻值转换成数字信号，然后在控制电路54和监视器驱动电路55的控制下，在监视器56上显示之前对电阻值放大。因此，检验员看到在监视器56上显示的电阻值并由此确定第二信号线902和第三信号线903中的短路。
控制电路54暂时将来自信号处理电路53的数据存储在存储器57中，并通过比较形成参考值的参考数据与存储在存储器中的检测数据来确定信号线中的短路。
图13表示在检验工序之后，在划线工序过程中，检验焊盘93a和93b和短路线94a和94b与TFT阵列分开。在划线工序中，沿划线SCRBL并穿过信号焊盘96和97来切割基板。图13中，参考数字‘96’是连接到扫描信号线的扫描信号焊盘，而参考数字‘97’是连接到与扫描信号线交叉的数据信号线的数据焊盘。参考数字‘98’是在检验工序过程中用于将数据电压加到数据信号线的检验数据公共焊盘。参考数字‘99’是防止静电放电损坏的保护装置(以下叫做“ESD保护装置”)。ESD保护装置的一端连接到数据线或扫描信号线，而另一端连接到提供有接地电压GND或公共电压的ESD短路线100。制造工艺或正常驱动过程中TFT阵列中产生静电时，ESD保护装置将静电旁路到ESD短路线100，以保护TFT阵列不受静电损坏。
图14表示划线工序之前，对在其上形成有多个TFT阵列的基板共同进行信号线901到90n的短路检验。这种情况下，GMR传感器200按穿过焊盘的扫描方向SCD进行扫描，其中每个焊盘分别连接到信号线901到90n以检测电流和电阻。
图15到18是表示按照本发明第二实施例的平板显示装置的检验方法和设备的示意图，该图表示检验在不同层中形成的信号线分别短路的方法。
参见图15，按照本发明第二实施例的平板显示装置的检验方法和设备，向数据信号线1311到131m的一边施加高公共电压Vh，向与数据信号线(或列线)1311到131m交叉的扫描信号线(或栅极线，或行线)1301到130n的一边施加低公共电压V1。
数据信号线1311到131m有一边连接到第一短路线137。第一短路线137连接到提供有高公共电压Vh的第一检验焊盘136。
扫描信号线1301到130n有一边连接到第二短路线135。第二短路线135连接到提供有低公共电压V1的第二检验焊盘134。
检验工序后，在划线工序过程中，检验焊盘134和136和短路线135和137与TFT阵列分开，如图15所示。
如果平板显示装置是液晶显示装置，在数据信号线1311到131m与扫描信号线1301到130n的每个交叉点形成TFT。当施加高于它本身的阈值电压的扫描电压时，TFT导通以通过数据信号线1311到131m将数据电压施加给像素电极138。
按照本发明第二实施例的平板显示装置的检验方法和设备，用GMR传感器200扫描连接到数据信号线1311到131m的另一边的焊盘1331到133m上的数据信号线1311到131m。而且，所述方法用GMR传感器200扫描连接到扫描信号线1301到130n的另一边的焊盘1321到132n上的扫描信号线1301到130n，并检验不同层上形成的信号线1311到131m与1301到130n之间的层间短路。
图16和17表示形成在数据信号线1311到131m和扫描信号线1301到130n之间的绝缘层157。
检验数据信号线1311到131m和扫描信号线之间的层间短路时，GMR传感器200用不接触方法沿穿过扫描信号焊盘1321到132n的扫描方向SCD扫描，然后，用不接触方法沿穿过数据焊盘1331到133m的扫描方向SCD扫描。或者，GMR传感器200可以用不接触方法沿数据焊盘1331到133m扫描，然后用不接触方法沿扫描信号焊盘1321到132n扫描。
在数据信号线1311到131m和扫描信号线1301到130n交叉数据信号线1311到131m和扫描信号线1301到130n的位置处，由于沉积工序或构图工序中出现的缺陷使绝缘层157缺失的情况下，会出现短路。图16表示，如果第三数据信号线1313和第二扫描信号线1302短路，由于向扫描信号线1301到130n施加低公共电压V1，而向数据信号线1311到131m施加高公共电压Vh，所以，电流i经短路点139在第三数据信号线1313和第二扫描信号线1302之间流动。电流i从第三数据信号线1313流到第二扫描信号线1302。如果电流按上述的方式流动，那么，GMR传感器200检测感应磁场M。当GMR传感器扫描第三数据焊盘1333和第二扫描信号焊盘1322时，磁场M感应的电流流动，如图16所示。由于电阻检测器52中的GMR传感器200的硬磁层和软磁层的磁化方向41和42与感应磁场M的方向相同，因此检测到电阻R小于设定的参考值。
另一方面，尽管向扫描信号线1301到130n施加低公共电压V1，而向数据信号线1311到131m施加高公共电压Vh，如果第一、第二、第四到第M数据信号线1311、1312、1314到131m和第一、第三到第N扫描信号线1301、1303到130n之间没有短路点，则电流i不流动，如图17所示。然后，当GMR传感器200扫描第一、第二、第四到第M数据焊盘1331、1332、1334到133m和第一、第三到第N扫描信号焊盘1321、1323到132n时，由于GMR传感器200没有检测到感应磁场M，电阻检测器52中的GMR传感器200的软磁层的磁化方向42是反方向的，所以，检测到电阻R大于设定的参考值。
如果在GMR传感器200扫描数据焊盘1331到133m时检测电流i或电阻R，且如果在GMR传感器200扫描扫描信号焊盘1321到132n时检测电流i或电阻R，那么，然后就能检测到层间短路点139存在的准确位置。
图12表示将电阻检测器52检测到的电阻值转换成数字信号，然后在控制电路54和监视器驱动电路55控制下在监视器56上显示之前用信号处理电路53放大。因此，检验操作人员可以看见监视器上显示的电阻值，并能检测出数据信号线1311到131m与扫描信号线1301到130n之间的层间短路。
进行划线工序之前，对其上形成有TFT阵列的基板一起进行数据信号线1311到131m与扫描信号线1301到130n之间的层间短路检测，如图18所示。这种情况下，GMR传感器200按扫描方向SCD沿数据信号线1311到131m和扫描信号线1301到130n进行扫描以检测电流和电阻。
图19到20B表示按照本发明第三实施例的测试坏像素电极的平板显示装置的检验方法和设备。
图19表示按照本发明第三实施例的平板显示装置的检验方法和设备，所述设备包括具有多个GMR传感器G1到Gn的传感器阵列。
对GMR传感器G1到Gn进行构图且其尺寸小于像素的尺寸。在传感器阵列171中对N个传感器G1到Gn进行构图使其尺寸略小于像素尺寸的，并将它们按行设置。传感器阵列171在GMR传感器G1到Gn平行于数据信号线174的设置状态按箭头指示的方向扫描。GMR传感器G1到Gn中的每个传感器向电阻检测器172提供从扫描信号线173、数据信号线174和像素电极175检测到的电流信号。电阻检测器172根据从传感器阵列171的传感器G1到Gn中的每个传感器检测到的电流检测电阻R。
图20A和20B表示传感器阵列171中的第一GMR传感器G1和第N个GMR传感器Gn可以用于扫描信号线173的短路检验。传感器阵列171的第一到第N个传感器G1到Gn可以用于数据信号线174的短路检验。而且，传感器阵列171的第三到第(N-2)个GMR传感器G3到G(n-2)可以用于检验像素电极175的图形缺陷。由于以上描述了信号线173和174的短路检验，以下将描述检验像素电极175中的图形缺陷的实施例。
在检验像素电极175的图形缺陷时，经TFT(未示出)和与电致发光EL显示器类似的数据信号线174，向像素电极175施加一电流。
传感器阵列171按箭头指示的方向扫描时，经数据信号线174将电流施加给像素电极175时，如果传感器阵列171达到图20A所示的位置，那么在第三到第N-2个GMR传感器G3到G(N-2)中由像素电极175感应出磁场M。因此，如图20A所示，第三到第(N-2)个GMR传感器G3到G(n-2)检测电流i，并且电阻检测器172通过从GMR传感器G3到G(n-2)检测到的电流i来检测小于设定参考值的电阻R。
如果传感器阵列171进一步移动到图20B所示的位置，那么，在传感器阵列171的第三和第四GMR传感器G3和G4中不感应磁场M，而且，由于像素电极175的图形缺失而在第五到第(N-2)个GMR传感器G5到G(N-2)中感应磁场M。因此，如图20B所示，在存在像素图形的位置被扫描的第五到第(N-2)个GMR传感器G5到G(N-2)检测电流i。结果，电阻检测器172用从GMR传感器G5到G(n-2)检测到的电流i检测小于设定参考值的电阻R。另一方面，在像素电极175的图形缺失处被扫描的第三和第四个GMR传感器G3和G4不能检测电流i，并且连接到GMR传感器G3和G4的电阻检测器172检测大于设定参考值的电阻R。
如上所述，按照本发明的平板显示装置的检验方法和设备用磁传感器检测信号线中的短路、层间信号线中的短路以及坏的电极图形，由此提高了检验精度和检验速度。
尽管通过上述的附图所示的实施例已经解释了本发明，但是，本领域的技术人员应当理解，本发明并非仅限于这些实施例，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，还能对其作出各种各样的修改或变更。例如，尽管已经说明本发明的方法和设备可以用GMR传感器检验信号线中的短路和图形缺陷，但是也可以用例如饱和传感器和感应传感器等其他传感器进行检验。因此，本发明的范围只由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (16)
1、一种用于检测具有多条信号线的平板显示装置中不同层中信号线之间短路的方法，包括：
在检测装置上设置平板显示装置；
向一条或多条第一信号线的焊盘以及一条或多条第二信号线的焊盘施加不同的电压，其中第一和第二信号线形成在不同的层中并且由一绝缘层分隔开，第二信号线叠置在第一信号线其中至少一条信号线之上；
利用磁传感器扫描第一信号线和第二信号线的焊盘；
检测磁传感器的电阻变化，以感知第一与第二信号线之间的层间短路；以及
将检测数据发送到检测装置以确定发生短路的信号线。
2、按照权利要求1所述的方法，其特征在于，感知第一与第二信号线之间的层间短路包括：
根据磁传感器中流动的电流变化检测磁传感器的电阻；和
如果磁传感器的电阻大于设定的参考值，确定第一和第二信号线短路。
3、按照权利要求1所述的方法，其特征在于，施加不同的电压包括：
向第一信号线的焊盘施加第一公共电压；和
向第二信号线的焊盘施加与第一公共电压不同的第二公共电压。
4、按照权利要求1所述的方法，其特征在于，磁传感器包括硬磁层和软磁层，其中软磁层的磁化方向根据由第一和第二信号线感应的磁场而变化。
5、按照权利要求4所述的方法，其特征在于，感知第一和第二信号线之间的层间短路包括：当软磁层的初始磁化方向反向时确定信号线短路。
6、一种用于检测具有多条信号线的平板显示装置中电极图形缺陷的方法，包括：
在检测装置上设置平板显示装置；
经过信号线向电极图形施加电流；
用包括一个或多个其尺寸小于电极图形尺寸的磁传感器的传感器阵列扫描电极图形；
检测每个磁传感器的电阻变化，以感知电极图形的缺陷；和
向检测装置发送检测到的信号以确定有缺陷的电极图形。
7、按照权利要求6所述的方法，其特征在于，检测磁传感器的电阻变化包括：
用流到每个磁传感器中的电流变化来检测每个磁传感器的电阻；以及
确定磁传感器的电阻大于设定的参考值处的电极图形的一部分缺失。
8、按照权利要求6所述的方法，其特征在于，磁传感器包括硬磁层和软磁层，其中软磁层的磁化方向根据由流过电极图形的电流感应的磁场而变化。
9、按照权利要求8所述的方法，其特征在于，检测每个磁传感器的电阻变化包括：有电流流动处的电极图形感应的磁场引起反向后，软磁层的初始磁化方向返回到电极图形缺失位置的初始方向时，确定有缺失的电极图形。
10、一种用于检测液晶显示器中不同层中信号线之间短路的检验设备，包括：
一电源，向一条或多条第一信号线的焊盘和叠置在第一信号线其中至少之一上的一条或多条第二信号线的焊盘施加不同的电压，其中一绝缘层位于第一信号线与第二信号线之间；
一磁传感器，用于扫描第一信号线的焊盘和第二信号线的焊盘；和
一检测电路，用于检测磁传感器的电阻变化，以感知第一和第二信号线之间的层间短路。
11、按照权利要求10所述的设备，其特征在于，磁传感器包括巨磁-电阻传感器、磁-电阻传感器、隧道磁-电阻传感器、饱和式传感器或感应式传感器中的一种传感器。
12、按照权利要求10所述的设备，其特征在于，检测电路用流到磁传感器中的电流变化来检测磁传感器的电阻。
13、按照权利要求10所述的设备，其特征在于，所述电压源还包括：
向第一信号线的焊盘施加第一公共电压的第一电压源；和
向第二信号线的焊盘施加与第一公共电压不同的第二公共电压的第二电压源。
14、一种用于检测液晶显示器中电极图形的缺陷的设备，包括：
一电压源，用于向电极图形提供电流；
一磁传感器，包括其尺寸小于电极图形尺寸的至少一个磁传感器，用于扫描电极图形；和
一检测电路，用于检测每个磁传感器的电阻变化，以感知电极图形中的缺陷。
15、按照权利要求14所述的设备，其特征在于，磁传感器包括巨磁-电阻传感器、磁-电阻传感器、隧道磁-电阻传感器、饱和式传感器或感应式传感器中的一种传感器。
16、按照权利要求14所述的设备，其特征在于，检测电路用流到每个磁传感器中的电流变化来检测每个磁传感器的电阻。
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