CN103928444B - 一种tft阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置，在TFT阵列基板上包括至少一条静电释放导线、至少一条信号线和至少一个静电释放器件；所述静电释放导线和信号线位于同一层；其中，每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述静电释放导线。本发明实施例所提供的TFT阵列基板具有以下的优点之一：在TFT阵列基板上，每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述静电释放导线，如此，信号线上的存在的静电通过静电释放器件将静电释放至静电释放导线上，从而保护了信号线不被静电击伤，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。

Description

一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

近来，显示技术快速发展，尤其是有源驱动的显示装置，如TFT（Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管）驱动的显示装置，更是在近年来越来越流行，然而实际使用中发现，显示装置存在由于静电积累而发生静电击伤的现象，影响了显示装置的工作性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置。

本发明提供一种TFT阵列基板，包括：

至少一条静电释放导线、至少一条信号线和至少一个静电释放器件；

所述静电释放导线和信号线位于同一层；其中，

每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述静电释放导线。

一种显示面板，包括如上所述的TFT阵列基板。

一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

本发明实施例所提供的技术方案具有以下的优点之一：

本发明实施例所提供的TFT阵列基板、显示面板及显示装置，在TFT阵列基板上，每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述静电释放导线，如此，信号线上的存在的静电通过静电释放器件将静电释放至静电释放导线上，从而保护了信号线不被静电击伤，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力，从而，也提高了显示面板和显示装置的抗静电击伤能力，进而提高了显示装置的工作性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本申请实施例提供的一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图；

图1b为本申请实施例提供的另一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图；

图1c为本申请实施例提供的又一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图；

图2a-图2b为本申请实施例提供的又一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图；

图2c为本申请实施例提供的又一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图；

图3a为本申请实施例提供的一种一级静电释放器件结构示意图；

图3b为本申请实施例提供的一种二级静电释放器件结构示意图；

图4a为本申请实施例提供的N型晶体管等效二极管的连接图；

图4b为本申请实施例提供的P型TFT晶体管等效二极管的连接图；

图5为本申请实施例提供的TFT阵列基板结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本申请实施例提供了一种TFT阵列基板，结合图1a～图2c对本申请实施例提供的TFT阵列基上信号线的静电释放路径的连接方式进行详细说明。

TFT阵列基板包括:

至少一条静电释放导线21、至少一条信号线22、至少一个静电释放器件（即ESD器件，Electro-Static discharge，）23。静电释放导线21及信号线22位于同一层，每条信号线22通过至少一个所述静电释放器件23连接于所述静电释放导线21。可选的，所述静电释放导线21与接地端（未示出）电连接，通常，信号线22为触控信号引线，触控信号引线连接于TFT阵列基板上的IC（未示出）。

进一步的，TFT阵列基板还包括至少一条连接线24；

其中，每条所述信号线22通过至少一个所述静电释放器件23连接于所述连接线24，所述连接线24直接与所述静电释放导线21连接，且连接线24和静电释放导线21及信号线22位于同一层；

本实施例中，将信号线22上的静电释放至静电释放导线21上，再通过静电释放导线21将静电释放，如此，避免了信号线22上的静电积累，并且将连接线24与静电释放导线21及信号线22形成于同一层，避免了该连接线24分别与静电释放导线21及信号线22形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象。

进一步的，如图1a和图1b所示，任意两条静电释放导线21可以通过至少一个静电释放器件23电性相连；还可如图1c所示，任意两条静电释放导线21也可以不电性相连。下列结合具体附图对两种方式进行具体说明。

对于任意两条静电释放导线21之间可以包括一条信号线22，也可以包括至少两条信号线22。对于在任意两条静电释放导线21之间包括一条信号线22时，为了将信号线22上的静电释放，该两条静电释放导线21中至少一条静电释放导线21通过至少一个静电释放器件23连接于信号线22。

具体的，参考图1a所示，为本申请实施例提供的一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图。

其中，任意两条静电释放导线21之间包括一条信号线22，且两条静电释放导线21分别通过一个静电释放器件23连接于信号线22，连接线24与静电释放导线21及信号线22位于同一层。当信号线22上存在静电时，信号线22上的静电被释放至静电释放导线21上，再通过静电释放导线21将静电释放，如此，避免了信号线22上的静电积累，从而保护了信号线不被静电击伤，并且将连接线24与静电释放导线21及信号线22形成于同一层，避免了该连接线24分别与静电释放导线21及信号线22形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象，如此，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。

参考图1b所示，本申请实施例提供的另一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图。

如图1b所示，任意两条静电释放导线21之间包括一条信号线22，两条静电释放导线21之间直接通过一个静电释放器件23相连，且该两条静电释放导线21中的任意一条静电释放导线21与信号线22通过一个静电释放器件23相连，即最终形成的结构相当于：两条静电释放导线21中的一条通过一个静电释放器件23连接于信号线22，另一条通过两个静电释放器件23连接于信号线22。需要说明的是，本实施例中，如图1b所示，以两条静电释放导线21中的任意一条静电释放导线21与信号线22通过一个静电释放器件23相连为例来说明，实际工作中，两条静电释放导线21中的任意一条静电释放导线21与信号线22通过至少一个静电释放器件23相连，本实施例不对静电释放器件23的数量做限制。连接线24与静电释放导线21位于同一层。当信号线22上存在静电时，信号线22上的静电被释放至静电释放导线21上，再通过静电释放导线21将静电释放，如此，避免了信号线22上的静电积累，从而保护了信号线不被静电击伤，并且将连接线24与静电释放导线21及信号线22形成于同一层，避免了该连接线24分别与静电释放导线21及信号线22形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象，如此，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。

图1a和1b中的连接方式为两条静电释放导线21之间包括一条信号线22时，两条静电释放导线21通过至少一个静电释放器件23相连的情况，同样的，两条静电释放导线21包括一条信号线22时，两条静电释放导线21也可以不电性相连，具体参考图1c所示，为本申请实施例提供的又一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图。

参考图1c所示，任意两条静电释放导线21之间包括一条信号线22，两条静电释放导线21中的任意一条静电释放导线21与信号线22通过一个静电释放器件23相连。连接线24与静电释放导线21位于同一层。信号线22上存在静电时，信号线22上的静电被释放至静电释放导线21上，再通过静电释放导线21将静电释放，如此，避免了信号线22上的静电积累，从而保护了信号线不被静电击伤，并且将连接线24与静电释放导线21及信号线22形成于同一层，避免了该连接线24分别与静电释放导线21及信号线22形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象，如此，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。

在其他实施例中，参考图2a所示，任意两条静电释放导线21之间还可以包括至少两条信号线22，两条信号线22分别通过一个静电释放器件23连接于静电释放导线21。

在其他实施例中，具体的，参考图2b所示，为本申请实施例提供的又一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图。

其中，任意两条所述静电释放导线21之间包括至少两条信号线22，在任意两条静电释放导线21之间，相邻两条信号线22通过至少一个静电释放器件23相连接，两条静电释放导线21均与其相邻的信号线22通过一个静电释放器件23相连接。并且，连接静电释放导线21和静电释放器件23的连接线24与静电释放导线21位于同一层。当信号线22上存在静电时，信号线22上的静电被释放至静电释放导线21上，再通过静电释放导线21将静电释放，如此，避免了信号线22上的静电积累，从而保护了信号线不被静电击伤，并且将连接线24与静电释放导线21及信号线22形成于同一层，避免了该连接线24分别与静电释放导线21及信号线22形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象，如此，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。

如图2b所示，两条静电释放导线21均通过一个静电释放器件23与其相邻的信号线22相连接，在其他实施例中，参考图2c所示，还可以只有一条静电释放导线21通过至少一个静电释放器件23与其相邻的信号线22相连接，

具体的，如图2c所示，为本申请实施例提供的又一种TFT阵列基板上信号线的静电释放路径连接示意图。任意两条所述静电释放导线21之间包括至少两条信号线22，在任意两条静电释放导线21之间，相邻的两条信号线22通过至少一个静电释放器件23相连接，并且，该两条所述静电释放导线21不直接电性连接，两条所述静电释放导线21中的任意一条静电释放导线21通过静电释放器件23与信号线22相连接。并且，连接静电释放导线21和静电释放器件23的连接线24与静电释放导线21位于同一层。当信号线22上存在静电时，信号线22上的静电被释放至静电释放导线21上，再通过静电释放导线21将静电释放，如此，避免了信号线22上的静电积累，从而保护了信号线不被静电击伤，并且将连接线24与静电释放导线21及信号线22形成于同一层，避免了该连接线24分别与静电释放导线21及信号线22形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象，如此，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。

需要说明的是，在图1a～图2c所对应的实施例，只是本申请众多实施例中的几种具体的情况，对于静电释放器件与静电释放导线及信号线的其它连接方式，只要连接线与静电释放导线及信号线位于同一层则均为本申请所保护的实施例。

对于本申请提供的上述所有实施例中，静电释放器件可为双向静电释放器件，可选的，静电释放器件可以为一级静电释放器件，也可以为多级静电释放器件。参考图3a所示，为本申请实施例提供的一种一级静电释放器件结构示意图，包括第一二极管31和第二二极管32，第一二极管31的阳极连接第二二极管32的阴极，第一二极管31的阳极还作为一级静电释放器件的一个连接端，第一二极管31的阴极连接第二二极管32的阳极，第一二极管31的阴极还作为一级静电释放器件的另一个连接端。

参考图3b所示，为本申请实施例提供的一种二级静电释放器件结构示意图，包括第一二极管组33和第二二极管组34，且第一二极管组33和第二二极管组34均包括两个串联的二极管，第一二极管组33的阳极连接第二二极管组34的阴极，第一二极管组33的阳极还作为二级静电释放器件的一个连接端，第一二极管组33的阴极连接第二二极管组34的阳极，第一二极管组33的阴极还作为二级静电释放器件的另一个连接端。需要说明的是本实施例不对静电释放器件的级数作限制，本实施例中提及的静电释放器件的级数仅为举例，而非限定。

需要说明的是，对于具体的静电释放器件可以根据实际的应用选取，需要考虑信号干扰，版图面积等因素，本申请对于其并不做限制。例如，在相邻两个信号线之间可以通过多级静电释放器件相连，避免两个信号线上的信号相互干扰。

更为优选的，对于组成静电释放器件的二极管可以为TFT晶体管的漏极和栅极相连接后形成的等效二极管，具体的，参考图4a所示，为N型TFT晶体管形成的等效二极管的连接图，N型TFT晶体管的漏极D和栅极G相连等效于二极管的阳极，其源极S等效于二极管的阴极。参考图4b所示，为P型TFT晶体管形成的等效二极管的连接图，P型TFT晶体管的漏极D与栅极G相连等效于二极管的阴极，源极S等效于二极管的阳极。

本申请实施例提供的静电释放导线为栅极驱动电路的信号线或公共电极线，通常，栅极驱动电路的信号线包括起始信号线、时钟控制信号线等，栅极驱动电路的信号线皆为本领域技术人员习知的技术，本实施例在此不在赘述。

参考图5所示，为本申请实施例提供的一种TFT阵列基板结构示意图。通常，在TFT阵列基板的台阶区域B有很多信号接入口或测试点，这些信号接入口和测试点最容易接触到静电。TFT阵列基板还包括胶框区A，在胶框区A中设置有导电金球，在一种实施例中，导电金球将信号线（通常为触控信号引线）与彩膜基板（未示出）上的触控电极相连。本申请实施例提供的静电释放器件优选的设置于所述TFT阵列基板的胶框区A及胶框区A以内，如此，使得静电释放器件远离台阶区域B的信号接入口或测试点，避免静电释放器件被静电击伤而失效，可进一步的保护信号线不被静电击伤，提高TFT阵列基板的抗静电能力。

在上述实施例提供的TFT阵列基板的基础上，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述任意一实施例提供的TFT阵列基板，显示面板不限于内嵌式触控显示面板。

需要说明的是，本申请实施例提供的TFT可以为A-Si（非晶硅）型、LTPS（LowTemperature Poly-silicon，低温多晶硅）型或氧化物型的TFT，本申请实施例对此并不做限制。

本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示面板，其中，显示装置不限于内嵌式的触控显示装置。

需要说明的是，本申请实施例提供的显示装置也不限于OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光显示装置）、电子纸或液晶显示装置，且液晶显示装置不限于为TN（Twisted Nematic，扭曲向列）型、IPS（横向电场效应）型或FFS（Fringe FieldSwitching，边缘场开关）型。同样的，本申请实施例对此并不做限制。

综上，本发明实施例所提供的技术方案具有以下的优点之一：

本发明实施例所提供的TFT阵列基板、显示面板及显示装置，在TFT阵列基板上，每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述静电释放导线，如此，当信号线上存在静电时，信号线上的静电被释放至静电释放导线上，再通过静电释放导线将静电释放，如此，避免了信号线上的静电积累，从而保护了信号线不被静电击伤，并且将连接线与静电释放导线及信号线形成于同一层，避免了该连接线分别与静电释放导线及信号线形成交叠区域（即跨桥区域，跨桥区域最容易被静电击伤），从而避免了在该交叠区域发生静电击伤的现象，如此，提高了TFT阵列基板的抗静电击伤能力。从而，也提高了显示面板和显示装置的抗静电击伤能力，进而提高了显示装置的工作性能。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种TFT阵列基板，包括：

至少一条静电释放导线、至少一条信号线和至少一个静电释放器件；

所述静电释放导线和信号线位于同一层；其中，

每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述静电释放导线；

其中，任意两条所述静电释放导线通过至少一个所述静电释放器件电性相连；或者，任意两条所述静电释放导线不电性相连。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，任意两条所述静电释放导线之间包括一条所述信号线。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述两条静电释放导线中至少一条通过至少一个所述静电释放器件连接于所述信号线。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，任意两条所述静电释放导线之间包括至少两条所述信号线。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，在任意两条所述静电释放导线之间，相邻两条所述信号线之间通过至少一个所述静电释放器件相连接。

6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述静电释放导线为栅极驱动电路的信号线或公共电极线。

7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述静电释放器件位于所述TFT阵列基板的胶框区及胶框区以内。

8.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述静电释放导线与接地端电连接。

9.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括至少一条连接线，每条所述信号线通过至少一个所述静电释放器件连接于所述连接线，所述连接线直接与所述静电释放导线连接，且所述连接线与所述静电释放导线、信号线位于同一层。

10.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述信号线为触控信号引线。

11.一种显示面板，包括如权利要求1～10任意一项所述的TFT阵列基板。

12.一种显示装置，包括如权利要求11所述的显示面板。