JPH04310877A - 画像表示装置の検査装置の構造 - Google Patents
画像表示装置の検査装置の構造Info
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- JPH04310877A JPH04310877A JP3076417A JP7641791A JPH04310877A JP H04310877 A JPH04310877 A JP H04310877A JP 3076417 A JP3076417 A JP 3076417A JP 7641791 A JP7641791 A JP 7641791A JP H04310877 A JPH04310877 A JP H04310877A
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Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶テレビ等液晶材料
を用いたＬＣ画像表示装置、エレクトロ・ルミネッセン
スを応用したＥＬ画像表示装置、エレクトロ・クローミ
ック現象を応用したＥＣ画像表示装置等、画像表示装置
の検査装置の構造に関する。
を用いたＬＣ画像表示装置、エレクトロ・ルミネッセン
スを応用したＥＬ画像表示装置、エレクトロ・クローミ
ック現象を応用したＥＣ画像表示装置等、画像表示装置
の検査装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶材料を表示材料として用いた
画像表示装置、いわゆる液晶表示装置は、その機動性の
高さから、様々な分野でその応用が開発・研究されてい
る。中でも半導体素子を液晶駆動用の素子として用いた
アクティブ・マトリクス型のものは、時分割で表示を行
なう単純マトリクス型のものと比べ、その表示特性の優
位性から各方面で注目を集めている。また、エレクトロ
・ルミネッセンスやエレクトロ・クローミック現象を応
用した画像表示装置は、その優れた表示品質から、次な
るディスプレイを担うものとして研究が進められている
。
画像表示装置、いわゆる液晶表示装置は、その機動性の
高さから、様々な分野でその応用が開発・研究されてい
る。中でも半導体素子を液晶駆動用の素子として用いた
アクティブ・マトリクス型のものは、時分割で表示を行
なう単純マトリクス型のものと比べ、その表示特性の優
位性から各方面で注目を集めている。また、エレクトロ
・ルミネッセンスやエレクトロ・クローミック現象を応
用した画像表示装置は、その優れた表示品質から、次な
るディスプレイを担うものとして研究が進められている
。
【０００３】画像表示装置を上記方式で作製する場合、
構成画素に電圧信号を書き込むために、その配線は格子
状になされるのが普通である。該配線は、基板上に導電
性薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー法によって
パターニングすることで形成される。しかし該配線は、
工程中のわずかなちりの影響、基板の表面状態の異常や
起伏の影響、フォトリソグラフィー工程に用いるフォト
マスクのわずかな欠陥の影響で、不完全な状態で形成さ
れることがある。しかし従来、該配線の欠陥の検査は全
くなされておらず、全工程が終了した後で実際に表示を
行なって、不良品を振り落とす方法がとられていた。
構成画素に電圧信号を書き込むために、その配線は格子
状になされるのが普通である。該配線は、基板上に導電
性薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー法によって
パターニングすることで形成される。しかし該配線は、
工程中のわずかなちりの影響、基板の表面状態の異常や
起伏の影響、フォトリソグラフィー工程に用いるフォト
マスクのわずかな欠陥の影響で、不完全な状態で形成さ
れることがある。しかし従来、該配線の欠陥の検査は全
くなされておらず、全工程が終了した後で実際に表示を
行なって、不良品を振り落とす方法がとられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクテ
ィブ・マトリクス型の液晶表示装置は、作製工程が非常
に多いため配線の欠陥も生じ易く、全工程の終了後に不
良品を振り落とす方法ではほとんど良好な品物は得られ
なかった。また他の方式のものでも同様にかなりの不良
品が発生していて、非常に低い歩留まりが製造の難点に
なっていた。全工程の終了後ではなく、配線のパターニ
ングが終了した後に良・不良の判断が可能なら、その後
の工程に要するコスト分の無駄がなくなるのだが、確実
、高速に配線の不良を検出する手法は従来にはなかった
。特に、配線が途中で断線する不良モードに関しては、
実際に目視で検査する以外方法はなく、とても実際の使
用には耐えられないという問題があった。
ィブ・マトリクス型の液晶表示装置は、作製工程が非常
に多いため配線の欠陥も生じ易く、全工程の終了後に不
良品を振り落とす方法ではほとんど良好な品物は得られ
なかった。また他の方式のものでも同様にかなりの不良
品が発生していて、非常に低い歩留まりが製造の難点に
なっていた。全工程の終了後ではなく、配線のパターニ
ングが終了した後に良・不良の判断が可能なら、その後
の工程に要するコスト分の無駄がなくなるのだが、確実
、高速に配線の不良を検出する手法は従来にはなかった
。特に、配線が途中で断線する不良モードに関しては、
実際に目視で検査する以外方法はなく、とても実際の使
用には耐えられないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、画像表示装置
の任意の配線上に電子線を照射できる機構、および該配
線と電子線により形成される回路の電流値を計測できる
機構を具備することにより、配線の断線を検出できる機
能を実現することを特徴とする画像表示装置の検査装置
の構造である。
の任意の配線上に電子線を照射できる機構、および該配
線と電子線により形成される回路の電流値を計測できる
機構を具備することにより、配線の断線を検出できる機
能を実現することを特徴とする画像表示装置の検査装置
の構造である。
【０００６】
【実施例】図１は、本発明による実施例を示す画像表示
装置の検査装置の構造を示す斜視図である。
装置の検査装置の構造を示す斜視図である。
【０００７】１０１は配線を形成する土台となるガラス
基板で、該ガラス基板１０１上には、ｎ型多結晶シリコ
ンで作られた配線１０２がストライプ状にパターニング
され形成されている。該配線１０２の一端は共通に束ね
られており、この束ねる配線のパターン領域は、全パタ
ーニング工程の終了後、組み立てられる寸前に切り放さ
れ分離される。また１０３は、該配線の任意の領域に照
射できる走査機構を持つ電子線源で、１０４は配線１０
２の束ねた部分と電子線源１０３に流れる電流を測定す
るための電流計・電圧源である。この装置は、電子線の
経路を確保するため、全体が真空容器の中に納まってい
る。
基板で、該ガラス基板１０１上には、ｎ型多結晶シリコ
ンで作られた配線１０２がストライプ状にパターニング
され形成されている。該配線１０２の一端は共通に束ね
られており、この束ねる配線のパターン領域は、全パタ
ーニング工程の終了後、組み立てられる寸前に切り放さ
れ分離される。また１０３は、該配線の任意の領域に照
射できる走査機構を持つ電子線源で、１０４は配線１０
２の束ねた部分と電子線源１０３に流れる電流を測定す
るための電流計・電圧源である。この装置は、電子線の
経路を確保するため、全体が真空容器の中に納まってい
る。
【０００８】図２（ａ）〜（ｂ）は、本発明による実施
例を示す画像表示装置の検査装置を用いて配線の断線位
置を特定する際の、検査手順の一例を示す概略図である
。
例を示す画像表示装置の検査装置を用いて配線の断線位
置を特定する際の、検査手順の一例を示す概略図である
。
【０００９】図２（ａ）は、配線に沿って電子線を走査
しながら、回路に流れる電流を測定することで、配線２
０１の一部領域の断線している部分２０２が検出される
ことを示す図。
しながら、回路に流れる電流を測定することで、配線２
０１の一部領域の断線している部分２０２が検出される
ことを示す図。
【００１０】図２（ｂ）は、図２（ａ）の操作により、
電子線源の走査位置にしたがって測定される電流がどの
様に変化するのかの一例を示す図。電流が流れない状態
から流れる状態に移行する点２０３が、電子線走査に対
応する場所の配線が断線している点である。
電子線源の走査位置にしたがって測定される電流がどの
様に変化するのかの一例を示す図。電流が流れない状態
から流れる状態に移行する点２０３が、電子線走査に対
応する場所の配線が断線している点である。
【００１１】ここで、より高感度に配線の欠陥を検出す
るためには、電子線源を高周波で変調して、検出される
電気信号のノイズレベルを除去する方法で行なえばよい
。
るためには、電子線源を高周波で変調して、検出される
電気信号のノイズレベルを除去する方法で行なえばよい
。
【００１２】なお、本発明による実施例では、配線材料
としてｎ型多結晶シリコンを用いたが、インジウムとス
ズの酸化物の混合物であるＩＴＯ、一般金属など他の導
電材料を用いても同様な効果が得られるのは明らかであ
り、それらも本発明の範疇に属する。
としてｎ型多結晶シリコンを用いたが、インジウムとス
ズの酸化物の混合物であるＩＴＯ、一般金属など他の導
電材料を用いても同様な効果が得られるのは明らかであ
り、それらも本発明の範疇に属する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の実施例によ
る画像表示装置の検査装置の構造を用いて、従来検査す
ることが困難であった、画像表示装置の配線の断線位置
の特定が可能になった。
る画像表示装置の検査装置の構造を用いて、従来検査す
ることが困難であった、画像表示装置の配線の断線位置
の特定が可能になった。
【図１】本発明による実施例を示す画像表示装置の検査
装置の構造を示す斜視図。
装置の構造を示す斜視図。
【図２】本発明による実施例を示す画像表示装置の検査
装置を用いて配線の断線位置を特定する際の、検査手順
の一例を示す概略図。
装置を用いて配線の断線位置を特定する際の、検査手順
の一例を示す概略図。
１０１ ガラス基板
１０２ ｎ型多結晶シリコンで作られた配線１０３
走査機構をもつ電子線源 １０４ 電流計・電圧源 ２０１ 配線 ２０２ 配線の断線領域 ２０３ 電流が流れない状態から流れる状態に移行す
る点
走査機構をもつ電子線源 １０４ 電流計・電圧源 ２０１ 配線 ２０２ 配線の断線領域 ２０３ 電流が流れない状態から流れる状態に移行す
る点
Claims (1)
- 【請求項１】 画像表示装置の任意の配線上に電子線
を照射できる機構、および該配線と電子線により形成さ
れる回路の電流値を計測できる機構を具備することを特
徴とする画像表示装置の検査装置の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076417A JPH04310877A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 画像表示装置の検査装置の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076417A JPH04310877A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 画像表示装置の検査装置の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310877A true JPH04310877A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13604632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076417A Pending JPH04310877A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 画像表示装置の検査装置の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04310877A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204075B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of detecting defects in a wiring process |
| JP2002303647A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電パターンの検査方法及びその装置 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3076417A patent/JPH04310877A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204075B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of detecting defects in a wiring process |
| JP2002303647A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電パターンの検査方法及びその装置 |
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