KR20030076901A - 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 - Google Patents
박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030076901A KR20030076901A KR1020020015910A KR20020015910A KR20030076901A KR 20030076901 A KR20030076901 A KR 20030076901A KR 1020020015910 A KR1020020015910 A KR 1020020015910A KR 20020015910 A KR20020015910 A KR 20020015910A KR 20030076901 A KR20030076901 A KR 20030076901A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bus line
- data bus
- gate
- pixel
- liquid crystal
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
본 발명은 액정표시장치의 화소 영역 상의 보호막 상에 게이트 버스라인과 데이터 버스라인의 위치를 알 수 있는 넘버링된 홀을 형성하여 불량 화소를 빠르고, 쉽게 찾을 수 있는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 게이트 버스라인과 게이트 절연막이 증착된 투명성 절연기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘을 증착하고, 식각하여 채널층과 오믹 콘텍층을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 소오스/드레인 금속을 증착하고, 식각하여 소오스/드레인 전극을 형성하여 TFT와 데이터 버스라인을 형성하는 단계; 상기 TFT와 데이터 버스라인이 형성된 기판 상에 보호막을 증착하고, 콘텍홀을 형성하고, 계속해서 각각의 화소 영역에 대응되는 상기 게이트 버스라인 행 번호와 상기 데이터 버스라인의 열 번호를 표시하기 위하여 상기 보호막의 표면 상에 홀을 형성하는 단계; 및 상기 보호막이 증착된 절연 기판 상에 ITO 금속을 증착하고, 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 액정표시장치의 제조 과정 중 보호막 상에 콘텍홀을 형성하는 단계에서 각각의 화소 영역에 게이트 버스라인 행 번호와 데이터 버스라인 열 번호를 보호막 표면 상에 홀을 형성하여 넘버링 함으로써, 어레이 기판의 테스트 과정에서 발견되는 불량 화소들을 빠르게 찾아 리페어 할 수 있도록 한 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치에 관한 것이다.
최근 디스플레이 장치로서 CRT에 비해 손색이 없는 화상을 구현하면서, 경박 단소화, 초소형화가 가능한 액정표시장치가 개발되어 사용되고 있다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display Device : 'LCD')는 다수개의 게이트 버스라인과 데이터 버스라인이 수직으로 교차 배열되는 메트릭스(matrix) 구조를 갖고, 각각의 메트릭스 내의 단위 화소 영역 상에는 스위칭 역할을 하는 TFT와 전계를 발생하여 액정을 트위스트 시키는 화소전극이 배치되어 있는 어레이 기판과, 상기 어레이 기판의 화소전극과 대향되는 영역에 RGB 컬러층과 블랙 메트릭스들로이루어진 어 컬러필터가 액정분자를 사이에 두고 합착된 구조를 하고 있다.
상기 어레이 기판은 게이트 버스라인, TFT, 데이터 버스라인 및 화소전극을 형성하기 위하여 마스크 공정을 통하여 증착, 식각을 반복하여 형성되고, 상기 컬러필터도 RGB 컬러층 및 크롬으로 이루워진 블랙 메트릭스를 형상하기 위하여 마스크 공정을 실시하게 된다.
이와 같이, 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor) 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display)의 제조되는 공정마다 제품의 생산 수율을 향상시키고, 불량품을 선별하기 위하여, 박막 트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판에 형성된 소자들의 전기적인 불량이나 패터닝 불량을 검사하기 위하여 여러 종류의 테스트가 수행되고 있다.
도 1은 일반적으로 사용되는 어레이 기판에 형성된 화소 패턴의 불량여부를 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 어레이 기판(10)은 다수개의 게이트 버스라인(a1, a2.....an)과 데이터 버스라인(b1, b2.....bn)이 수직으로 교차되어 메트릭스(matrix) 형태로 단위 화소들이 형성되어 있는 엑티브(active) 영역(5)과 상기 엑티브 영역 이외에 구동신호와 그래픽 신호를 인가하기 위한 PCB(Printed Circuit Board) 배선이 형성되어 있는 패드 영역(7)으로 구분되어 진다.
상기 패드 영역(7) 상에는 상기 어레이 기판(10)의 일측 가장자리 측면에 위치하고, 상기 다수개의 게이트 버스라인들(a1, a2.....an)에 구동 신호를 인가하기위한 게이트 패드들(G1, G2.....Gn)이 배치되어 있으며, 또한, 상기 어레이 기판(10)의 일측 가장자리 측면 상에는 상기 다수개의 데이터 버스라인들(b1, b2.....bn)에 그래픽 신호를 인가하기 위한 데이터 패드들(D1, D2.....Dn)이 배치되어 있다.
상기와 같은 구조를 갖는 어레이 기판(10)의 화소 불량을 테스트하는 방법은 일반적으로 화소의 패턴이 입력된 스캐너를 통하여 상기 메트릭스 형태의 단위화소의 일정 구간들 단위(S1,S2..)로 분할한 다음, 차례로 스캔하여 상기 어레이 기판(10) 상의 전 영역에 배치된 화소 픽셀(PIXEL)의 패턴을 검사하게 된다.
도면에서 도시된 바와 같이 S1구간을 스캔하고, 이후 S2구간을 스캔하는 순으로 어레이 기판 상에 화소 픽셀들을 검사하는데, 이때 스캐너에 입력된 화소 패턴과 다른 즉, 불량 화소 패턴을 발견하게 되면, 그 정확한 위치와 좌표를 컴퓨터 모니터에 표시되어 검사자가 알 수 있도록 되어 있다. 도면에서는 도시되지 않지만 상기 게이트 패드들과 데이터 패들 상에는 번호가 쓰여져 있다.
따라서, 상기와 같은 어레이 기판 상의 화소 패턴을 검사하는 방법은 주로 광학 장비에 의하여 화소 패턴의 형상, 인접한 데이터 버스라인, TFT 및 게이트 버스라인의 제조 과정 중 증착 또는 식각에 의하여 발생되는 불량을 검사하는 것이다.
한편, 도 2는 일반적으로 사용되는 어레이 기판에 형성된 TFT의 전기적 특성을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
현재 TFT-LCD 의 화면표시 품위검사방법으로는 풀 콘텍(full contact) 방식으로서, 모듈 드라이빙(module driving) 방식이 화면표시 품위검사에 여전히 사용되고 있다.
이러한, 풀 콘텍 방식은 데이터 입력신호 및 게이트 입력신호가 각각의 라인단위로 입력되어 실제 모듈과 같이 화면을 표시할 수 있었다. 즉, 1 프레임동안 각각의 스캐닝시간마다 각각의 게이트 라인에 게이트 입력 신호가 순차적으로 인가되고, 각 스캐닝시간동안 각각의 데이터 라인에 데이터 입력신호가 인가된다.
따라서, 화소구동용 TFT는 R, G, B 화소단위로 스캐닝시간동안 턴 온(on)되고, 홀딩(holding) 시간(프레임시간-스캐닝시간)동안 턴 오프(off) 된다. 따라서, 데이터 입력신호의 경우 한 스캐닝시간동안 데이터 라인의 수만큼의 정보가 필요하므로, 데이터 라인 수 이상의 클럭 주파수가 필요하게 된다.
도 3에 도시된 검사 방법도 이와 유사한 방법으로, 어레이 기판(10) 상에 게이트 버스라인들(a1, a2.....an)과 데이터 버스라인들(b1, b2.....bn)이 수직으로 교차되어 형성된 단위 화소들에 배치되어 있는 모든 TFT를 온(ON) 상태로 하기 위하여 게이트 패드들(G1, G2.....Gn)에 테스터 단자(11)를 접속하여 구동 신호를 인가한다. 따라서, 상기 모든 TFT가 온 상태로 된 상태에서 상기 데이터 패드들(D1, D2.....Dn)에 접속된 테스트 단자(12)를 통하여 주기적으로 또는 차례로 테스트 신호를 인가하여 화소들의 전기적 특성을 점검한다.
마찬가지로 전기적 특성을 점검하기 위한 검사 방법에서 불량 화소의 TFT가 발견되면 정확한 위치와 좌표가 컴퓨터 모니터에 디스플레이되고, 검사자가 확인할 수 있도록 하고 있다.
그러나, 상기와 같은 광학적 스캔 방식에 의하여 화소 패턴의 불량을 발견하거나, 게이트 패드들과 데이터 패드들 상에 테스트 신호를 인가하여 단위 화소들의 전기적 불량을 검사하는 방법을 사용하여 불량 화소와 TFT를 발견하였더라도, 실제 사용자가 검사 장비로부터 인출하여 어레이 기판 상에 정확한 불량 화소를 찾아 리페어하는데는 많은 시간이 소요된다.
컴퓨터 모니터 상에 발견된 불량 화소 영역에 표시선을 표시하고, 표시된 영역에서 불량 화소를 찾게 되는데 이러한 표시선이 작더라도 많은 수의 화소 영역으로 표시된다. 따라서, 표시된 영역을 따라 다시 정확한 불량 화소를 검사자가 찾아야하는 번거러움이 있으므로, 이러한 불량 화소를 찾아 리페어(repair) 하기까지는 중복된 서치(search)로 인하여 많은 시간이 소요되는 문제가 발생한다.
도 3은 종래 기술에 따라 어레이 기판 상에 발견된 불량 화소를 찾는데 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 도시된 도면에서 원형의 점선은 테스트 결과 컴퓨터 모니터를 토대로 표시된 불량 화소 표시선(S)이고, 상기 표시선(S) 내부에는 여러 개의 화소들이 배치되어 있음을 알 수 있다. 화소 패턴의 불량인 경우에는 현미경에 의하여 검사자가 하나하나 불량 화소를 찾아서 확인하게되고, 전기적 화소 불량인 경우에는 각각의 TFT에 테스트 단자를 대고 상기 표시선(S) 내에 위치하는 모든 화소들을 검사하게 된다.
따라서, 검사 장비에 의하여 게이트 패드와 데이터 패드의 넘버를 정확히 파악하여 검사자에게 표시해주지만 다수개의 화소가 배열되어 있는 구조에서는 외관부의 넘버링만으로는 찾기가 매우 불편한 문제가 있다.
따라서, 이러한 문제는 불량 화소를 발견하더라도 리페어를 위하여 많은 시간이 소요되는 문제가 발생하게 된다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 액정표시장치의 어레이 기판의 제조공정 중 증착되는 보호막 상에 콘텍홀을 형성할 때, 함께 각각의 화소에 해당하는 게이트 버스 라인과 데이터 버스라인의 번호들을 홀을 형성하여 넘버링 함으로써 테스트 공정에서 발견한 불량 화소를 빠른 시간 내에 찾아 리페어(repair) 할 수 있도록 하기 위한 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 일반적으로 사용되는 어레이 기판에 형성된 화소 패턴의 불량여부를 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면.
도 2는 일반적으로 사용되는 어레이 기판에 형성된 TFT의 전기적 특성을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 종래 기술에 따라 어레이 기판 상에 발견된 불량 화소를 찾는데 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판을 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조공정을 도시한 도면.
도 6은 상기 도 5c의 A-A'의 수직 절단한 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치의 넘버링된 화소 구조에서 불량 화소 영역을 표시한 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
21a, 21b: 데이터 버스라인23: 게이트 버스라인
X: TFT29: 화소 전극
30: 투명성 절연기판31: 게이트 절연막
33: 보호막
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치는,
구동 신호를 인가하는 다수개의 게이트 버스라인과, 그래픽 신호를 인가하는 다수개의 데이터 버스 라인이 수직으로 교차 배열되어 다수개의 단위 화소 영역을 한정하고, 상기 단위 화소 영역 상에 배치되어 스위치 동작을 하는 TFT와 전계를 발생하는 화소전극을 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시장치에 있어서,
상기 단위 화소 영역 상에는 상기 게이트 버스라인의 행 번호와 데이터 버스라인의 열 번호가 표시되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 박막트랜지스터 액정표시장치 제조방법은,
게이트 버스라인과 게이트 절연막이 증착된 투명성 절연기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘을 증착하고, 식각하여 채널층과 오믹 콘텍층을 형성하는 단계;
상기 결과물 상에 소오스/드레인 금속을 증착하고, 식각하여 소오스/드레인 전극을 형성하여 TFT와 데이터 버스라인을 형성하는 단계;
상기 TFT와 데이터 버스라인이 형성된 기판 상에 보호막을 증착하고, 콘텍홀을 형성하고, 계속해서 각각의 화소 영역에 대응되는 상기 게이트 버스라인 행 번호와 상기 데이터 버스라인의 열 번호를 표시하기 위하여 상기 보호막의 표면 상에 홀을 형성하는 단계; 및
상기 보호막이 증착된 절연 기판 상에 ITO 금속을 증착하고, 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 보호막 상에 형성되는 번호는 상기 데이터 버스라인 열 번호인 경우에는 상기 데이터 버스라인과 평행하고, 상기 게이트 버스라인의 행 번호인 경우에는 상기 게이트 버스 라인과 평행하며, 상기 보호막 상에 표시되는 번호는 상기 보호막을 관통하는 홀로 형성되거나 상기 보호막 표면과 일정한 단차를 갖는 홈으로 형성될 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 보호막 상에 표시되는 번호가 상기 데이터 버스라인의 번호인 경우에는 상기 데이터 버스라인과 인접한 상기 화소전극과 오버 랩(over lap)되고, 상기 게이트 버스라인의 번호인 경우에는 상기 TFT의 게이트 버스라인과 인접한 상기 화소전극과 오버 랩되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조공정 단계 중 보호막 상에 콘텍 홀을 형성할 때 단위 화소 영역에 해당하는 데이터 버스라인의 열 번호와 게이트 버스라인의 행 번호 홀 또는 홈을 형성하여 표시함으로써 빠른 시간 내에 불량 화소를 찾을 수 있도록 하였다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판을 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이 기판(100)은 다수개의 게이트 버스라인과 데이터 버스라인이 수직으로 교차되어 메트릭스(matrix) 형태로 다수개의 단위 화소(I1)들이 형성되어 있는 엑티브(active) 영역(50)과, 상기 엑티브 영역(50) 이외에 상기 게이트 버스라인에 구동신호를 인가하고, 상기 데이터 버스라인에 그래픽 신호를 인가하기 위한 PCB(Printed Circuit Board) 배선이 형성되어 있는 패드 영역(70)으로 구분되어 진다.
상기 패드 영역(70) 상에는 상기 어레이 기판(100)의 일측 가장자리 측면에 위치하면서, 상기 다수개의 게이트 버스라인들에 구동 신호를 인가하기 위한 게이트 패드들(G1, G2,...Gn)이 배치되어 있으며, 또한 상기 게이트 패드들(G1, G2,...Gn)과 인접한 상기 어레이 기판(100)의 일측 가장자리 측면 상에는 상기 다수개의 데이터 버스라인들에 그래픽 신호를 인가하기 위한 데이터 패드들(D1,D2.....Dn)이 배치되어 있다.
상기 게이트 패드들(G1, G2,...Gn)과 데이터 패드들(D1,D2.....Dn)이 배치되어 있는 상기 패드 영역(70) 상에는 각각의 게이트 패드들(G1, G2,...Gn의 순서에 대응하는 행 번호와 각각의 데이터 패드들(D1,D2.....Dn)의 순서에 대응하는 열 번호가 차례로 넘버링 되어있다.
상기 엑티브 영역(50) 상에 한정되어 있는 단위 화소 영역 상에는 상기 게이트 패드(G1, G2,...Gn)의 행 번호와, 상기 데이터 패드(D1,D2.....Dn)의 열 번호가 넘버링 되어있다.
그러므로, 상기 엑티브 영역 상에 배치된 각각의 화소들의 정확한 위치를 검사자가 알 수 있게된다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조공정을 도시한 도면이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 게이트 버스 라인(23)이 형성된 투명성 절연 기판 상에 게이트 이중 절연막, 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘을 증착하여 채널층과 오믹 콘텍층(도면에 도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 결과물 상에 소오스/드레인 금속을 증착하고, 식각하여 TFT(X)와 데이터 버스 라인(21a, 21b..)을 형성하였다.
그런 다음, 도 5b에 도시된 바와 같이 TFT(X)와 데이터 버스라인(21a, 21b..)이 형성된 어레이 기판 상에 보호막(도시되지 않음)을 증착하고, 이후 형성될 화소전극(도 5c의 도면 부호 29)과 상기 TFT(X)의 드레인 전극과 전기적으로 콘텍될 수 있도록 하기 위하여 상기 TFT(X)의 드레인 전극 상에 콘텍홀(25)을 형성하고, 동시에 상기 데이터 버스 라인(21a)과 평행한 방향으로 단위 화소 공간 내에 당해 화소 영역에 그래픽 신호를 인가하는 데이터 버스라인의 열 번호(Dn)를 상기 보호막 상에 홀을 형성하여 표시한다.
동일한 방법으로 상기 보호막 상에 상기 게이트 버스라인과 평행한 방향으로 단위 화소 공간 내에 게이트 버스라인의 행 번호(Gn)를 상기 보호막 상에 홀을 형성하여 표시한다.
상기 보호막은 투명한 절연물질로 이루어 졌으므로 홀이 형성된 영역에서 발생되는 단차에 의하여 음영이 형성되어 넘버링된 번호(Dn, Gn)가 보이게된다. 따라서, 상기 보호막을 관통하는 홀을 형성하거나, 관통되지 않더라도 일정한 단차를 갖는 홈을 형성하여 번호를 표시할 수도 있을 것이다.
도 5c는 넘버링된 보호막 상에 화소전극(29)이 형성된 것으로서, 상기 화소전극의 재질도 투명성 ITO 금속을 사용하므로 하단의 상기 보호막 상에 형성된 넘버링 표시(Dn, Gn)를 볼 수 있게 된다. 또한, 단지 상기 보호막 상에 홀을 형성하거나 홈을 형성하여 빛이 진행하는 거리 차에 의하여 음영이 형성되도록 하였기 때문에 화소 영역에 표시된 넘버링에 의하여 개구율의 감소의 문제는 없게된다.
따라서, 상기와 같이 데이터 버스라인과 게이트 버스라인을 기준으로 화소 영역에 표시된 넘버링에 의하여 검사장비에서 디스플레이된 좌표에 의하여 표시영역에서 넘버링된 불량화소를 확인하면 빠르게 찾을 수 있게 된다.
도 6는 상기 도 5c의 A-A'의 수직 절단한 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 투명성 절연 기판(30) 상에 게이트 절연막(31)이 증착되어 있고, 상기 게이트 절연막(31) 상에는 보호막(33)이 증착되어 있다. 상기 보호막(33) 상에는 액정분자를 트위스트 시키기 위하여 전계를 발생하는 ITO 화소 전극(29)이 형성 배치되어 있다. 상기 보호막(33)을 증착한 후에는 도면에서는 도시되지 않았지만, TFT의 소오스/드레인 전극과 상기 화소전극이 전기적으로 컨텍될 수 있도록 콘텍홀을 형성하는 공정을 실시한다.
상기에서 설명한 바와 같이 콘텍홀을 형성하는 공정에서 게이트 버스 라인과 데이터 버스라인에 해당하는 차례를 넘버링 함으로써 어레이 기판 완성 후, 각각의 화소의 좌표를 정확히 알 수 있도록 한다.
상기 Dn은 측면 상에서 볼 때 상기 보호막을 관통하는 홀로 형성되어 있음을 볼 수 있는데, 상기 보호막(33) 상에 넘버링된 홀 또는 홈을 형성하는 작업은 콘텍홀 형성 단계에서 이뤄지므로, 별도의 추가 장비가 필요없게 되고, 콘텍홀 형성 장비를 그대로 사용할 수 있다.
도 7는 본 발명에 따른 액정표시장치의 넘버링된 화소 구조에서 불량 화소 영역을 표시한 평면도로서, 어레이 테스트 도중에 불량이 발생하여 위치와 좌표가 제시되면, 검사자는 컴퓨터 모니터를 기준으로 불량 화소 영역에 표시선(Z)을 표시한다.
그런 다음, 도면에 도시된 바와 같이 컴퓨터 모니터에서 표시된 불량 화소 영역에서 검사자는 표시된 구간에서 다시 테스트를 할 필요 없이 좌표 번호를 찾는 작업만 하면 되는데, 게이트 패드 행의 넘버링 숫자(G628, G629....)와 데이터 패드 열의 넘버링 숫자(D1, D2, ..)가 새겨진 화소를 쉽고 빠르게 찾아 리페어 할 수 있게된다.
따라서, 종래에는 표시된 영역의 모든 화소들을 검사자기 다시 확인하거나 테스트를 하여 불량 화소를 찾아냈지만, 본 발명에서는 검사 장비에서 제시해준 넘버링 숫자만을 찾으면 되고, 표시 영역의 모든 화소들을 다시 검사할 필요는 없게된다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 어레이 기판의 화소전극과 대응되는 하부의 보호막 상에 데이터 버스라인의 열 번호와 게이트 버스라인의 행 번호를 홀을 형성하여 넘버링 함으로써 컴퓨터 테스트에 의하여 발견된 불량 화소를빠른 시간 내에 찾아 리페어할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
Claims (5)
- 구동 신호를 인가하는 다수개의 게이트 버스라인과, 그래픽 신호를 인가하는 다수개의 데이터 버스 라인이 수직으로 교차 배열되어 다수개의 단위 화소 영역을 한정하고, 상기 단위 화소 영역 상에 배치되어 스위치 동작을 하는 TFT와 전계를 발생하는 화소전극을 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시장치에 있어서,상기 단위 화소 영역 상에는 상기 게이트 버스라인의 행 번호와 데이터 버스라인의 열 번호가 표시되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
- 게이트 버스라인과 게이트 절연막이 증착된 투명성 절연기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘을 증착하고, 식각하여 채널층과 오믹 콘텍층을 형성하는 단계;상기 결과물 상에 소오스/드레인 금속을 증착하고, 식각하여 소오스/드레인 전극을 형성하여 TFT와 데이터 버스라인을 형성하는 단계;상기 TFT와 데이터 버스라인이 형성된 기판 상에 보호막을 증착하고, 콘텍홀을 형성하고, 계속해서 각각의 화소 영역에 대응되는 상기 게이트 버스라인 행 번호와 상기 데이터 버스라인의 열 번호를 표시하기 위하여 상기 보호막의 표면 상에 홀을 형성하는 단계; 및상기 보호막이 증착된 절연 기판 상에 ITO 금속을 증착하고, 식각하여 화소전극을 형성하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 보호막 상에 형성되는 번호는 상기 데이터 버스라인 열 번호인 경우에는 상기 데이터 버스라인과 평행하고, 상기 게이트 버스라인의 행 번호인 경우에는 상기 게이트 버스 라인과 평행한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 보호막 상에 표시되는 번호는 상기 보호막을 관통하는 홀로 형성되거나 상기 보호막 표면과 일정한 단차를 갖는 홈으로 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 보호막 상에 표시되는 번호가 상기 데이터 버스라인의 번호인 경우에는 상기 데이터 버스라인과 인접한 상기 화소전극과 오버 랩되고, 상기 게이트 버스라인의 번호인 경우에는 상기 TFT의 게이트 버스라인과 인접한 상기 화소전극과 오버 랩되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020015910A KR20030076901A (ko) | 2002-03-23 | 2002-03-23 | 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020015910A KR20030076901A (ko) | 2002-03-23 | 2002-03-23 | 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030076901A true KR20030076901A (ko) | 2003-09-29 |
Family
ID=32226033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020015910A KR20030076901A (ko) | 2002-03-23 | 2002-03-23 | 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20030076901A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103760728A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-30 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其显示装置 |
US10067388B2 (en) | 2016-10-19 | 2018-09-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and related manufacturing method |
WO2021109179A1 (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2002
- 2002-03-23 KR KR1020020015910A patent/KR20030076901A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103760728A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-30 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其显示装置 |
WO2015113392A1 (zh) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其显示装置 |
CN103760728B (zh) * | 2014-01-29 | 2016-08-17 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其显示装置 |
US10067388B2 (en) | 2016-10-19 | 2018-09-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and related manufacturing method |
US10663811B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and related manufacturing method |
WO2021109179A1 (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100298995B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 검사 방법 | |
KR101137863B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 | |
JP4394660B2 (ja) | 能動素子配列基板、液晶表示パネル及びその検査方法 | |
KR20080062265A (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
KR102010492B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR20060116238A (ko) | 어레이 기판을 검사하는 방법 | |
KR101147101B1 (ko) | 검사를 위한 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 검사방법 | |
KR101174156B1 (ko) | 평판 표시장치 | |
US8054440B2 (en) | Liquid crystal display, manufacturing method thereof, and method for testing liquid crystal display | |
KR20030076901A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 | |
CN115019709A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN109003566B (zh) | 一种显示面板的检测装置及其检测方法 | |
KR20020054851A (ko) | 액정표시소자 | |
KR101102020B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
KR100707009B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자 | |
KR101129440B1 (ko) | 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널의 검사 방법 | |
JP2002277896A (ja) | 液晶表示装置及び画面表示応用装置 | |
KR20060123019A (ko) | 액정표시장치의 mps 검사배선 구조 | |
CN112416174B (zh) | 一种触控显示面板漏光分析方法和触控显示面板及制作方法 | |
KR100911104B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 패널의 검사패드 및 그 제조방법 | |
JPH07120694B2 (ja) | 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 | |
US20240087492A1 (en) | Display substrate, test method for the same and display device | |
JPH06250197A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示パネル | |
KR0154794B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
KR20070000613A (ko) | 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |