CN117757066A - 聚合物、有机el元件用组合物、有机el元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供空穴注入传输能力高、耐久性高的聚合物以及包含该聚合物的有机电致发光元件用组合物。所述聚合物具有下述式(1)表示的重复单元或者式(2)表示的重复单元。Ar¹和Ar²表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基；X表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－；R¹和R²以及R³和R⁶各自独立地表示可以具有取代基的烷基；R⁴和R⁵各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或者可以具有取代基的芳烷基；R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基或者可以具有取代基的芳香族烃基。

Description

聚合物、有机EL元件用组合物、有机EL元件及其制造方法

本申请是中国申请号为201980019707.8的发明专利申请的分案申请(原申请的发明名称为“聚合物、有机EL元件用组合物、有机EL元件及其制造方法”，原申请的申请日为2019年3月18日)。

技术领域

本发明涉及聚合物，更详细而言，涉及作为有机电致发光元件的电荷传输性材料有用的聚合物、含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物、包含使用该组合物形成的层的有机电致发光元件、具有该有机电致发光元件的有机EL显示装置和有机EL照明、以及有机电致发光元件的制造方法。

背景技术

作为有机电致发光元件中的有机层的形成方法，可举出真空蒸镀法和湿式成膜法。真空蒸镀法容易层叠化，因此具有改善来自阳极和/或阴极的电荷注入，容易将激子封入发光层的优点。另一方面，湿式成膜法具有如下优点：不需要真空工序，容易实现大面积化，通过使用混合了具有各种功能的多个材料的涂布液，能够容易地形成含有具有各种功能的多个材料的层等。

然而，湿式成膜法很难层叠化，因此现状是与由真空蒸镀法得到的元件相比驱动稳定性差，除了一部分，达不到实用水平。

因此，为了利用湿式成膜法进行层叠化，希望具有交联性基团的电荷传输性聚合物，并对其进行了开发。例如，专利文献1～3中公开了含有具有特定的重复单元的聚合物、利用湿式成膜法层叠化而得的有机电致发光元件。

专利文献4和5中公开了在聚合物的主链键合了芴环或者咔唑环与不具有取代基的亚苯基环的结构的空穴注入传输性材料。

专利文献6中记载了在具有三芳基胺重复单元的聚合物中，优选在主链包含芴环，并且，记载了通过在聚合物主链含有具有取代基的亚苯基而产生扭曲，增加聚合物的三重态能量。

专利文献7中公开了在芳胺聚合物或者低聚物的主链胺的氮原子间连接有具有取代基的亚苯基的化合物。

专利文献8中公开了将包含具有可聚合的取代基的芳胺聚合物或者低聚物的混合层作为空穴传输层。并且，作为效果作为记载了通过将聚合物或者低聚物聚合而能够改善层的热稳定性，以及进一步在其上涂布发光层时聚合层不溶解。

另外，专利文献9～12中公开了在具有芳胺结构的聚合物的侧链结构具有咔唑结构的聚合物。专利文献9～11公开了侧链结构的咔唑仅为一个，专利文献9和12公开了侧链结构的咔唑直接与主链的胺的氮原子键合，专利文献12公开了侧链结构的咔唑为2个的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2009/123269号

专利文献2:日本特开2013－045986号公报

专利文献3:国际公开第2013/191088号

专利文献4:日本特开2016－084370号公报

专利文献5:日本特开2017－002287号公报

专利文献6:日本特表2007－520858号

专利文献7:日本特表2013－531658号

专利文献8:日本特开2010－034496号

专利文献9:国际公开第2011/099531号

专利文献10:国际公开第2016/031639号

专利文献11:国际公开第2009/110360号

专利文献12:国际公开第2008/126393号

发明内容

然而，通过本发明人等的研究，发现上述专利文献1～12公开的技术分别存在以下的课题。

专利文献1～3中记载的这些元件存在亮度低、驱动寿命短的问题。因此，要求电荷传输性材料的电荷注入传输能力、耐久性的提高。

专利文献4和5中记载的聚合物存在如下问题：由于在主链具有π共轭体系的扩展，所以激发单重态能级(S₁)和激发三重态能级(T₁)低，产生由来自发光材料、发光激子的能量转移引起的淬灭，发光效率降低。因此，要求S₁能级和T₁能级高的电荷传输性材料。

专利文献6中，作为在主链含有芴环的芳胺聚合物，在实施例中记载了F8－TFB(芴+三苯基胺系)，但是F8－TFB因芴与胺的氮原子间的亚苯基不具有取代基而不发生扭曲，LUMO扩展到胺的氮原子附近，因此，存在电子耐久性差的问题。

专利文献7中公开的化合物在主链不含有芴环或者咔唑结构，因此存在电子耐久性差的问题。

专利文献8中公开了在主链具有芴基或者咔唑基的芳胺聚合物或者低聚物，但元件的耐久性不充分。

另外，专利文献9～12中公开的聚合物不是2个咔唑在彼此的氮原子间隔着连接基团的结构，因此如后所述，元件的耐久性不充分。

因此，本发明的课题是提供空穴注入传输能力高、耐久性高的聚合物和包含该聚合物的有机电致发光元件用组合物。另外，本发明的课题是提供亮度高、驱动寿命长的有机电致发光元件。

本发明人等进行了深入研究，结果发现通过使用具有芴骨架、咔唑骨架或者二氢菲骨架与具有取代基的亚苯基与芳香族胺结构连接而成的特定的重复单元的聚合物，或者，通过使用具有含有烷基的亚苯基扭曲键合的结构与具有取代基的亚苯基连接而成的特定的重复单元的聚合物，能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明的要旨如以下的[1]～[34]。

[1]一种聚合物，具有下述式(1)表示的重复单元或者式(2)表示的重复单元，

(式(1)中，Ar¹表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

X表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，

R¹和R²各自独立地表示可以具有取代基的烷基，

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或者可以具有取代基的芳香族烃基，

a、b各自独立地为0～4的整数，a+b为1以上，

c为1～3的整数，

d为0～4的整数，

R¹和R²在该重复单元中存在多个时，R¹和R²可以相同也可以不同。)

(式(2)中，Ar²表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

R³和R⁶各自独立地表示可以具有取代基的烷基，

R⁴和R⁵各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或者可以具有取代基的芳烷基，

l表示0或者1，m表示1或者2，n表示0或者1，

p表示0或者1，q表示0或者1，p和q不同时为0。)

[2]根据[1]所述的聚合物，其中，具有上述式(1)表示的重复单元，上述Ar¹中的至少一个为可以具有取代基的2－芴基。

[3]根据[1]或者[2]所述的聚合物，其中，具有上述式(1)表示的重复单元，上述Ar¹中的至少一个由下述式(10)表示。

(式(10)中，

Ar¹¹和Ar¹²各自独立地表示可以具有取代基的二价的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基。

＊表示键合位置。)

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(4)表示的重复单元。

(式(4)中，

Ar³表示可以具有取代基的芳香族烃基或者芳香族杂环基，

Ar⁴表示可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者可以具有取代基的该芳香族烃基和/或可以具有取代基的芳香族杂环基直接或介由连接基团多个连接而成的二价基团。)

[5]根据[4]所述的聚合物，其中，上述Ar³中的至少一个由下述式(10)表示。

(式(10)中，

Ar¹¹和Ar¹²各自独立地表示可以具有取代基的二价的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基，

＊表示键合位置。)

[6]根据[4]或者[5]所述的聚合物，其中，上述Ar³中的至少一个为可以具有取代基的2－芴基。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(5)表示的重复单元。

(式(5)中，

i和j各自独立地表示0～3的整数，

i+j为1以上，

k表示0或者1，

X表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或者可以具有取代基的芳香族烃基。)

[8]根据[7]所述的聚合物，其中，上述式(4)中的Ar⁴为上述式(5)表示的重复单元，k为1，

上述式(5)表示的重复单元与上述式(4)中的N连接。

[9]根据[7]或者[8]所述的聚合物，其中，具有下述式(14)表示的重复单元。

(式(14)中，Ar²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、p、q、l、m、n、Ar³、X、i、j、k分别与上述式(2)、式(4)或者式(5)中的Ar²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、p、q、l、m、n、Ar³、X、i、j、k相同。)

[10]根据[9]所述的聚合物，其中，上述式(14)中，X为－C(CH₃)(CH₃)－，i＝j＝k＝1，Ar²和Ar³各自独立地为下述式(15)或者下述式(16)。其中，式(15)和式(16)可以具有取代基，＊表示与上述式(14)中的N键合。

[11]根据[10]所述的聚合物，其中，上述式(15)或者上述式(16)具有取代基，该取代基为选自取代基组Z和交联性基团中的至少1种。

取代基组Z：烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、二烷基氨基、二芳基氨基、芳基烷基氨基、酰基、卤素原子、卤代烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃基、和芳香族杂环基；这些取代基可以包含直链、支链和环状中的任一结构。

[12]根据[1]～[11]中任一项所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(6)表示的重复单元。

(式(6)中，

t表示1～10的整数，

R¹⁵和R¹⁶各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳香族烃基、或者可以具有取代基的芳香族杂环基。

R¹⁵和R¹⁶存在多个时，该多个R¹⁵和R¹⁶可以相同也可以不同。)

[13]根据[1]～[12]中任一项所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(7)表示的重复单元，

(式(7)中，

Ar⁵表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

R¹⁷～R¹⁹各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

f、g、h各自独立地表示0～4的整数，f+g+h为1以上，

e表示0～3的整数。)

[14]根据[1]～[13]中任一项所述的聚合物，其中，上述聚合物的末端基团为由烃构成的可以具有取代基的芳香族烃基。

[15]根据[1]～[14]中任一项所述的聚合物，其中，上述聚合物具有交联性基团作为取代基。

[16]根据[15]所述的聚合物，其中，上述交联性基团为包含稠合于芳香族环的环丁烯环或者键合于芳香族环的烯基的基团。

[17]根据[1]～[16]中任一项所述的聚合物，其中，上述聚合物的重均分子量(Mw)为10000以上，且分散度(Mw/Mn)为3.5以下。

[18]一种有机电致发光元件用组合物，含有[1]～[17]中任一项所述的聚合物。

[19]一种有机电致发光元件用组合物，含有[1]～[17]中任一项所述的聚合物和有机溶剂。

[20]一种有机电致发光元件的制造方法，是在基板上具有阳极、阴极和在该阳极与该阴极之间的有机层的有机电致发光元件的制造方法，包含使用[18]或者[19]所述的有机电致发光元件用组合物、利用湿式成膜法形成该有机层中的至少1层的步骤。

[21]根据[20]所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，利用上述湿式成膜法形成的层为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。

[22]根据[20]或者[21]所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，在阳极与阴极之间包含空穴注入层、空穴传输层和发光层，将上述空穴注入层、空穴传输层和发光层全部利用湿式成膜法形成。

[23]一种有机电致发光元件，包含含有[1]～[17]中任一项所述的聚合物的层，或者该聚合物具有交联性基团时包含含有该聚合物交联而成的聚合物的层。

[24]一种有机EL显示装置，具备[23]所述的有机电致发光元件。

[25]一种有机EL照明，具备[23]所述的有机电致发光元件。

[26]一种聚合物，在侧链具有下述式(11)表示的结构。

(式(11)中，

Ar³¹表示与主链连接的二价基团，

Ar¹²表示可以具有取代基的二价芳香族烃基或者可以具有取代基的二价芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基，

＊表示与构成主链的原子键合的位置。)

[27]根据[26]所述的聚合物，其中，具有下述式(13)表示的结构。

(式(13)中，

Ar¹²～Ar¹⁵、Ar³¹与式(11)中的Ar¹²～Ar¹⁵、Ar³¹相同，

Ar¹⁶表示构成聚合物主链的结构。)

[28]一种有机电致发光元件用组合物，含有[26]或[27]所述的聚合物。

[29]一种有机电致发光元件用组合物，含有[26]或[27]所述的聚合物和有机溶剂。

[30]一种有机电致发光元件的制造方法，是在基板上具有阳极、阴极和在该阳极与该阴极之间的有机层的有机电致发光元件的制造方法，包含使用[28]或者[29]所述的有机电致发光元件用组合物、利用湿式成膜法形成该有机层中的至少1层的步骤。

[31]根据[30]所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，利用上述湿式成膜法形成的层为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。

[32]一种有机电致发光元件，包含含有[26]或[27]所述的聚合物的层。

[33]一种有机EL显示装置，具备[32]所述的有机电致发光元件。

[34]一种有机EL照明，具备[32]所述的有机电致发光元件。

根据本发明，能够提供空穴注入传输能力高、耐久性高的聚合物和包含该聚合物的有机电致发光元件用组合物。另外，能够提供亮度高、驱动寿命长的有机电致发光元件。

本发明的第一实施方式的在主链具有扭曲结构的聚合物因为是抑制了分子的构象变化的结构，所以即便成为激子时，因分子构象的变化而热消耗激子的能量的情况也少。即，认为是激发单重态能级(S₁)与激发三重态能级(T₁)之差小的特点。

从能级差的变化小、载流子向发光层的注入顺利进行、驱动电压的上升得到抑制、元件发光效率方面考虑，优选像本发明那样激子的能量损失小的载流子运输材料。

另外，认为具有2个咔唑环的氮原子彼此以二价的芳香族烃基或者芳香族杂环基连接而成的结构时，在2个咔唑环彼此的氮原子间的芳香族烃基或者芳香族杂环基上分布LUMO，存在对电子、激子的耐久性提高的趋势。因此，认为使用本实施方式的聚合物的有机电致发光元件的驱动寿命提高。

另外，使用作为本发明的一个形态的含有聚合物的有机电致发光元件用组合物进行湿式成膜而得到的层，裂缝等得到抑制，平坦。结果，具有该层的本发明的有机电致发光元件亮度高，驱动寿命长。

另外，作为本发明的一个形态的聚合物的电化学稳定性优异，因此认为包含使用该聚合物形成的层的元件可应用于平板·显示器(例如OA计算机用、壁挂电视)、车载显示元件、移动电话显示、活用作为面发光体的特征的光源(例如，复印机的光源、液晶显示器或仪器类的背光光源)、显示板、信号灯，其技术价值大。

附图说明

图1是表示本发明的有机电致发光元件的结构例的截面示意图。

具体实施方式

以下，对作为本发明的一个实施方式的聚合物，作为其他实施方式的含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物，包含使用该组合物形成的层的有机电致发光元件，具有该有机电致发光元件的有机EL显示装置、有机EL照明和有机电致发光元件的制造方法的实施形态进行详细说明，以下的说明是本发明的实施形态的一个例子(代表例)，本发明只要不超出其要旨，就不限于这些内容。

＜聚合物＞

作为本发明的第一实施方式的聚合物具有下述式(1)或者下述式(2)表示的重复单元。

(式(1)中，

Ar¹表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

X表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，

R¹和R²各自独立地表示可以具有取代基的烷基，

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或者可以具有取代基的芳香族烃基，

a、b各自独立地为0～4的整数，a+b为1以上，

c为1～3的整数，

d为0～4的整数，

R¹和R²在该重复单元中存在多个时，R¹和R²可以相同也可以不同。)

具有式(1)表示的重复单元的本发明的聚合物起到上述的效果的原因尚不明确，但推测如下。

本发明的具有式(1)表示的重复单元的聚合物的主链所含有的芴环、咔唑环或者二氢菲骨架在2，7－位的至少一方键合亚苯基。通过在芴环、咔唑环或者二氢菲结构的2，7－位的至少一方键合亚苯基，芴、咔唑环或者二氢菲结构更加电稳定。认为特别是电子耐久性提高，元件驱动寿命变长。此时，亚苯基环上具有取代基时，因取代基所致的空间位阻，与邻接的芴环、咔唑环或者二氢菲骨架的扭曲与无取代的情况相比变大。本发明的聚合物具有由于取代基的空间位阻而π共轭体系的扩展受到阻碍的主链结构，因此具有激发单重态能级(S₁)和激发三重态能级(T₁)高的性质，来自发光激子的能量转移所致的淬灭得到抑制，因此发光效率优异。特别是激发三重态能级(T₁)高，所以发光层包含发出激发三重态能级(T₁)的光的磷光发光材料的情况下，得到优异的效果。

另外，作为多环结构的芴环、咔唑环或者二氢菲骨架的电子接受性高，LUMO容易分布，但是由于扭曲结构而在不耐受电子、激子的氮原子周边不分布LUMO，因此耐久性优异。

(式(2)中，Ar²表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

R³和R⁶各自独立地表示可以具有取代基的烷基，

R⁴和R⁵各自独立地表示可以具有取代基的烷基、烷氧基或者芳烷基，

l表示0或者1，m表示1或者2，n表示0或者1，

p表示0或者1，q表示0或者1，p和q不同时为0。)

这里，上述式(2)与下述式(2’)实质上相同，由于R³与R⁶被定义为相同的结构，因此上述式(2)与下述式(2”)也实质上相同。

具有式(2)表示的重复单元的聚合物在主链的亚苯基具有烷基或烷氧基或芳烷基，因此具有与主链的亚苯基彼此无取代地连接相比更扭曲的结构。

以主链连接的亚苯基彼此更加扭曲的结构具有激发单重态能级(S₁)高的性质，将具有式(2)表示的重复单元的本发明的聚合物用于发光层邻接的电荷传输层时，由来自邻接的发光材料的激子的能量转移所致的淬灭得到抑制，发光效率优异。

并且，以主链连接的亚苯基彼此更加扭曲的结构是分子的构象不易变化的结构，因此伴随构象变化的激发三重态能级(T₁)与激发单重态能级(S₁)的能量差小，所以通常是比激发单重态能级(S₁)低的激发三重态能级(T₁)接近激发单重态能级(S₁)的、能量高的能级。因此，特别是发光层是来自激发三重态能级(T₁)的发光的情况下，由发光材料的激子的能量转移所致的淬灭进一步得到抑制，发光效率优异。

另外，成为比激发单重态能级(S₁)低的激子时，因分子构象的变化而热消耗激子的能量的情况也少。

以下，对“式(1)表示的重复单元”和“式(2)表示的重复单元”进行详细说明。

[式(1)表示的重复单元]

(R¹，R²)

上述式(1)表示的重复单元中的R¹和R²各自独立地表示可以具有取代基的直链、支链或者环状的烷基。烷基的碳原子数没有特别限定，为了维持聚合物的溶解性，碳原子数优选为1以上且8以下，更优选为6以下，更优选为3以下，进一步优选为甲基或者乙基。

R¹和R²在该重复单元中存在多个时，R¹和R²可以相同也可以不同，但从能够将电荷均匀地分布在氮原子的周围，而且也容易合成的方面考虑，优选全部的R¹与R²为相同的基团。

(R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴)

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基、或者可以具有取代基的芳香族烃基。

上述烷基没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因此碳原子数优选为1以上且24以下，更优选8以下，进一步优选6以下。另外，上述烷基也可以是直链、支链或者环状的各结构。

作为上述烷基，具体而言，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、正辛基、环己基、十二烷基等。

上述芳烷基没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，所以碳原子数优选为5以上且60以下，更优选40以下。

作为上述芳烷基，具体而言，可举出1，1－二甲基－1－苯基甲基、1，1－二(正丁基)－1－苯基甲基、1，1－二(正己基)－1－苯基甲基、1，1－二(正辛基)－1－苯基甲基、苯基甲基、苯基乙基、3－苯基－1－丙基、4－苯基－1－正丁基、1－甲基－1－苯基乙基、5－苯基－1－正丙基、6－苯基－1－正己基、6－萘基－1－正己基、7－苯基－1－正庚基、8－苯基－1－正辛基、4－苯基环己基等。

作为上述芳香族烃基，没有特别限定，因为存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，所以碳原子数优选为6以上且60以下，更优选30以下。

作为上述芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5个稠环的1价基团或者这些多个连接而成的基团等。

从提高电荷传输性和耐久性的观点考虑，R⁷～R⁸优选为甲基或者芳香族烃基，R⁷和R⁸更优选为甲基，R⁹更优选为苯基。

从提高溶解性且电荷传输性优异的方面考虑，R³和R⁴优选碳原子数3～6的烷基或者碳原子数9～40的芳烷基。

上述R¹、R²的烷基、R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基可以具有取代基。作为可以具有的取代基，可举出作为上述R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基的优选基团举出的基团，或者后述的交联性基团。

从低电压化的观点考虑，最优选上述R¹、R²的烷基、R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基不具有取代基。

另外，从不溶化的观点考虑，上述R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基优选包含至少一个后述的交联性基团作为取代基。

(a、b、c和d)

上述式(1)表示的重复单元中，a和b各自独立地为0～4的整数，a+b为1以上。并且，a和b各自优选为2以下，进一步优选a和b这两方为1。

上述式(1)表示的重复单元中，c为1～3的整数，d为0～4的整数。c和d优选各自为2以下，更优选c与d相等，进一步优选c和d这两方为1或者c和d这两方为2。

上述式(1)表示的重复单元中的c和d这两方为1或者c和d这两方为2，且a和b这两方为2或者1时，最优选R¹和R²键合在相互对称的位置。

这里，R¹和R²键合在相互对称的位置是指相对于式(1)中的芴环或者咔唑环，R¹和R²的键合位置对称。此时，将以主链为轴的180度旋转视为相同结构。例如，式(1a)中，R1a与R2a对称，R1b与R2b对称，将式(1a)与式(1b)视为相同结构。

(Ar¹)

上述式(1)表示的重复单元中，Ar¹表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，优选至少一个为下述式(10)表示的基团。

作为芳香族烃基，碳原子数优选为6以上且60以下，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5个稠环的1价基团或者这些多个连接而成的基团。应予说明，例如“苯环的1价基团”是指“具有1价自由价的苯环”，即，苯基。

作为芳香族杂环基，碳原子数优选为3以上且60以下，具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等5～6元环的单环或2～4个稠环的1价基团或者这些多个连接而成的基团。

从电荷传输性方面、耐久性优异方面考虑，Ar¹优选可以具有取代基的芳香族烃基，其中更优选可以具有取代基的苯环或者芴环的1价基团，即，可以具有取代基的苯基或者芴基，进一步优选可以具有取代基的芴基，特别优选可以具有取代基的2－芴基。

作为Ar ¹的芳香族烃基、芳香族杂环基可以具有的取代基，只要不明显降低该聚合物的特性，则没有特别限制。优选举出选自下述取代基组Z或者后述的交联性基团中的基团，优选烷基、烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基或者后述的交联性基团，更优选烷基。

从在涂布溶剂中的溶解性方面考虑，Ar¹优选被碳原子数1～24的烷基取代的芴基，特别优选被碳原子数4～12的烷基取代的2－芴基。进而，优选在2－芴基的9位取代有烷基的9－烷基－2－芴基，特别优选并2个烷基取代的9，9－二烷基－2－芴基。通过成为9位和9’位中的至少一方被烷基取代的芴基，存在对溶剂的溶解性和芴环的耐久性提高的趋势。并且，通过成为9位和9’位这两方被烷基取代的芴基，存在对溶剂的溶解性和芴环的耐久性进一步提高的趋势。

另外，从在涂布溶剂中的溶解性方面考虑，Ar¹也优选为螺二芴基。

[取代基组Z]

取代基组Z为由烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、二烷基氨基、二芳基氨基、芳基烷基氨基、酰基、卤素原子、卤代烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃基、和芳香族杂环基组成的组。这些取代基可以包含直链、支链和环状中的任一结构。

作为取代基组Z，更具体而言，可举出以下的结构。

例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、十二烷基等碳原子数通常为1以上、优选为4以上且通常为24以下、优选为12以下、更优选为8以下、进一步优选为6以下的直链、支链或者环状的烷基；

例如，乙烯基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选12以下的直链、支链或者环状的烯基；

例如，乙炔基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的直链或者支链的炔基；

例如，甲氧基、乙氧基等碳原子数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基；

例如，苯氧基、萘氧基、吡啶氧基等碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳氧基或杂芳氧基；

例如，甲氧羰基、乙氧羰基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧羰基；

例如，二甲基氨基、二乙基氨基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的二烷基氨基；

例如，二苯基氨基、二甲苯基氨基、N－咔唑基等碳原子数通常为10以上、优选为12以上且通常为36以下、优选24以下的二芳基氨基；

例如，苯基甲基氨基等碳原子数通常为7以上且通常为36以下、优选为24以下的芳基烷基氨基；

例如，乙酰基、苯甲酰基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的酰基；

例如，氟原子、氯原子等卤素原子；

例如，三氟甲基等碳原子数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的卤代烷基；

例如，甲硫基、乙硫基等碳原子数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷硫基；

例如，苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳硫基；

例如，三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等碳原子数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下，优选为24以下的甲硅烷基；

例如，三甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基等碳原子数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷氧基；

氰基；

例如，苯基、萘基等碳原子数通常为6以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族烃基；

例如，噻吩基、吡啶基等碳原子数通常为3以上、优选为4以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族杂环基。

上述取代基可以包含直链、支链或者环状中的任一结构。

上述的取代基组Z中，优选为烷基、烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基。从电荷传输性的观点考虑，进一步优选Z不具有取代基。

另外，上述取代基组Z的各取代基还可以具有取代基。作为这些取代基，可举出与上述取代基(取代基组Z)相同的基团或者后述的交联性基团。优选不具有进一步的取代基，或者进一步的取代基为碳原子数8以下的烷基、碳原子数8以下的烷氧基、苯基或者后述的交联性基团，更优选为碳原子数6以下的烷基、碳原子数6以下的烷氧基、苯基或者后述的交联性基团。从电荷传输性的观点考虑，更优选不具有进一步的取代基。

从不溶化的观点考虑，优选包含含有至少一个后述的交联性基团作为进一步的取代基的式(1)表示的重复单元，优选该交联性基团进一步取代在由Ar¹表示的芳香族烃基或者芳香族杂环基可以具有的取代基上。

(其他优选的Ar¹)

上述式(1)表示的重复单元的Ar¹中的至少一个也优选为下述式(10)表示的基团。认为通过LUMO分布在式(10)中的2个咔唑结构中彼此的氮原子间的芳香族烃基或者芳香族杂环基，从而存在对电子、激子的耐久性提高的趋势。

(式(10)中，

Ar¹¹和Ar¹²各自独立地表示可以具有取代基的二价芳香族烃基或者可以具有取代基的二价芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基。)

(Ar¹³～Ar¹⁵)

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基。Ar¹³～Ar¹⁵为取代基时，没有特别限定，优选为可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基。作为优选的结构，与上述Ar¹中举出的基团相同。

Ar¹³～Ar¹⁵为取代基时，从提高耐久性的观点考虑，优选与各咔唑的3位或者6位键合。

从合成的容易性和电荷传输性的观点考虑，Ar¹³～Ar¹⁵优选为氢原子。

从耐久性提高和电荷传输性的观点考虑，Ar¹³～Ar¹⁵优选为可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，进一步优选为可以具有取代基的芳香族烃基。

作为Ar¹³～Ar¹⁵为可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基时的取代基，与上述取代基组Z中举出的取代基或者后述的交联性基团相同，优选的取代基也相同，这些取代基进一步可以具有的取代基也相同。

另外，从不溶化的观点考虑，优选包含含有至少一个后述的交联性基团作为取代基的式(10)表示的基团。

(Ar¹²)

Ar¹²为可以具有取代基的二价芳香族烃基或者可以具有取代基的二价芳香族杂环基。

作为芳香族烃基，碳原子数优选为6以上且60以下，更优选为碳原子数10以上且50以下，特别优选碳原子数12以上且40以下。具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5个稠环的二价基团或者这些多个连接而成的基团。这些基团多个连接时，优选为多个连接的二价芳香族烃基进行共轭的基团。

作为芳香族杂环基，碳原子数优选为3以上且60以下，具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等5或者6元环的单环或2～4个稠环的二价基团或者这些多个连接而成的基团等。

这些芳香族烃基或者芳香族杂环基可以具有的取代基，可举出上述Ar¹中举出的烷基、芳烷基和芳香族烃基，优选的范围也相同。因取代基的空间效应而产生Ar¹²的结构的扭曲时，优选无取代基，不会因取代基的空间效应而产生Ar¹²的结构的扭曲时，优选具有取代基。

具体的优选结构，为苯环、萘环、蒽环、芴环的二价基团或者这些多个连接而成的基团，更优选为苯环的二价基团或者这些多个连接而成的基团，特别优选为苯环以1，4位的二价连接而成的1，4亚苯基、以芴环的2，7位的二价连接而成的2，7亚芴基、或者这些多个连接而成的基团，最优选包含1，4亚苯基－2，7亚芴基－1，4亚苯基－的基团。这些优选的结构中，亚苯基在连接位置以外不具有取代基，不会因取代基的空间效应而发生Ar¹²的扭曲，因而优选。另外，从溶解性和芴结构的耐久性提高的观点考虑，优选亚芴基在9，9’位具有取代基。

通过Ar¹²为上述那样的结构，成为2个咔唑结构的氮原子间的芳香族烃基共轭的结构，LUMO容易分布在该共轭的芳香族烃基上。因此，认为LUMO不易扩展到不耐受电子、激子的主链的氮原子周边，因此耐久性提高。

另外，认为包含芳香族杂环基时，吸电子性提高而LUMO容易分布，因此LUMO不易扩展到不耐受电子、激子的主链的氮原子周边，耐久性提高。

(Ar¹¹)

Ar¹¹为与式(1)中的主链的胺的氮原子连接的二价基团。Ar¹¹没有特别限定，优选可以具有取代基的二价芳香族烃基或者可以具有取代基的二价芳香族杂环基。

作为Ar¹¹的芳香族烃基，碳原子数优选6以上且60以下，更优选碳原子数10以上且50以下，特别优选碳原子数12以上且40以下。具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5个稠环的二价基团或者这些多个连接而成的基团。

作为Ar¹¹的芳香族杂环基，碳原子数优选为3以上且60以下。具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等5或者6元环的单环或者2～4个稠环的二价基团或者这些多个连接而成的基团。

这些芳香族烃基或者芳香族杂环基可以具有的取代基，可举出与Ar¹中举出的烷基、芳烷基和芳香族烃基相同的基团，优选的范围与Ar¹²相同。

这些二价芳香族烃基或者二价芳香族杂环基多个连接时，优选为多个连接的二价芳香族烃基以不共轭的方式键合而成的基团。具体而言，优选包含1，3亚苯基或者具有取代基且因取代基的空间效应而成为扭曲结构的基团。认为通过包含这样的连接基团，Ar¹²上分布的LUMO不易扩展到主链，在不耐受电子、激子的主链的氮原子周边不易分布LUMO，耐久性提高。

另外，本实施方式的具有上述式(1)表示的重复单元的聚合物中，Ar¹、R¹、R²、X为多个时，各自可以相同也可以不同。优选聚合物包含多个式(1)表示的重复单元为相同结构的重复单元。这时，认为通过包含多个相同结构的重复单元，重复单元的HOMO、LUMO相同，因此不会电荷集中在特定的浅的能级而成为陷阱，电荷传输性优异，耐久性也提高。

(X)

从电荷传输时的稳定性高方面考虑，上述式(1)中的X优选为－C(R⁷)(R⁸)－或者－N(R⁹)－，更优选为－C(R⁷)(R⁸)－。

上述式(1)表示的重复单元特别优选为下述式中任一个表示的重复单元。

上述式中，R¹和R²相同，且R¹与R²在相互对称的位置键合。

[式(1)表示的重复单元的主链的具体例]

式(1)中的除去氮原子的主链结构没有特别限定，例如可举出以下的结构。

/>

[式(1)表示的重复单元的含量]

本实施方式的聚合物中，式(1)表示的重复单元的含量没有特别限制，聚合物中通常含有10摩尔％以上，优选含有30摩尔％以上，更优选含有40摩尔％以上，进一步优选含有50摩尔％以上。本发明的聚合物的重复单元可以仅由式(1)表示的重复单元构成，出于使制成有机电致发光元件时的各性能平衡的目的，可以具有与式(1)不同的重复单元，这时，聚合物中的式(1)表示的重复单元的含量通常为99摩尔％以下，优选为95摩尔％以下。

[末端基团]

本实施方式中，末端基团是指由聚合物的聚合结束时使用的封端剂形成的聚合物的末端部的结构。本实施方式的聚合物中，具有式(1)表示的重复单元的聚合物的末端基团优选为烃基。作为烃基，从电荷传输性的观点考虑，碳原子数优选为1以上且60以下，更优选1以上且40以下，进一步优选1以上且30以下。

优选可举出，

例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、十二烷基等碳原子数通常为1以上、优选4以上且通常为24以下、优选为12以下的直链、支链或者环状的烷基；

例如，乙烯基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选12以下的直链、支链或者环状的烯基；

例如，乙炔基等碳原子数通常为2以上且通常24以下、优选12以下的直链或者支链的炔基；

例如，苯基、萘基等碳原子数通常为6以上且通常36以下、优选24以下的芳香族烃基。

这些烃基可以进一步具有取代基，可以进一步具有的取代基优选烷基或者芳香族烃基，这些可以进一步具有的取代基为多个时，可以相互键合而形成环。

从电荷传输性和耐久性的观点考虑，末端基团优选为烷基或者芳香族烃基，更优选为芳香族烃基。

[式(2)表示的重复单元]

(R³，R⁶)

上述式(2)表示的重复单元中的R³、R⁶各自独立地表示可以具有取代基的烷基，该烷基的结构可举出与上述R¹、R²相同的结构，可以具有的取代基和优选的结构也可举出相同的取代基和结构。

(R⁴和R⁵)

式(2)的R⁴和R⁵各自独立地表示可以具有取代基的烷基、烷氧基或者芳烷基。

上述烷基可以是直链、支链或者环状中的任一结构，没有特别限定，因为存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，所以碳原子数优选1以上且24以下，更优选8以下，进一步优选6以下。

具体而言，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、正辛基、环己基、十二烷基等。

上述烷氧基没有特别限定，烷氧基(－OR)的R基可以为直链、支链或者环状中的任一结构，因为存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，所以碳原子数优选1以上且24以下，更优选12以下。

具体而言，可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、己氧基、1－甲基戊氧基、环己氧基等。

上述芳烷基没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因此碳原子数优选5以上且60以下，更优选40以下。

具体而言，可举出1，1－二甲基－1－苯基甲基、1，1－二(正丁基)－1－苯基甲基、1，1－二(正己基)－1－苯基甲基、1，1－二(正辛基)－1－苯基甲基、苯基甲基、苯基乙基、3－苯基－1－丙基、4－苯基－1－正丁基、1－甲基－1－苯基乙基、5－苯基－1－正丙基、6－苯基－1－正己基、6－萘基－1－正己基、7－苯基－1－正庚基、8－苯基－1－正辛基、4－苯基环己基等。

(l，m和n)

l表示0或者1，n表示0或者1。

l和n各自独立，l+n优选1或者2，更优选2。通过为上述范围，存在提高本发明的聚合物的溶解性，也能够抑制含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物析出的趋势。

m表示1或者2，从存在能够以低电压驱动本发明的有机电致发光元件，空穴注入能力、空穴传输能力、耐久性也提高的趋势方面考虑，更优选为1。

(p和q)

p表示0或者1，q表示0或者1，l＝n＝1时，p和q不同时为0。通过p和q不同时为0，存在提高本发明的聚合物的溶解性，也能够抑制含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物析出的趋势。

(Ar²)

上述式(2)表示的重复单元中，Ar²表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，聚合物中含有的多个Ar²可以相同也可以不同。可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基的结构可举出与上述Ar¹的情况相同的结构，可以具有的取代基和优选的结构也可举出相同的取代基和结构。

另外，从在涂布溶剂中的溶解性方面考虑，Ar²也优选为螺二芴基。

Ar²特别优选式(15)表示的基团或者式(16)表示的基团。

式(15)和式(16)中，＊表示与式(2)中的N键合。

从不溶化的观点考虑，优选包含含有至少一个后述的交联性基团作为进一步的取代基的式(2)表示的重复单元，优选该交联性基团进一步取代在由Ar²表示的芳香族烃基或者芳香族杂环基可以具有的取代基上。

[式(10)表示的基团(具有双咔唑结构的基团)]

与上述Ar¹同样，Ar²中的至少一个也优选为上述式(10)表示的基团。Ar²中的至少一个为上述式(10)表示的基团时的式(10)的优选的结构和可以具有的取代基与上述Ar¹中的至少一个为上述式(10)表示的基团的情况相同。

[式(2)表示的重复单元的主链的具体例]

式(2)表示的重复单元的除去N原子的主链结构没有特别限定，例如可举出如下的结构。

/>

[式(2)表示的重复单元的含量]

本实施方式的聚合物中，式(2)表示的重复单元的含量没有特别限制，通常聚合物中含有10摩尔％以上，优选含有30摩尔％以上，进一步优选含有40摩尔％以上，特别优选含有50摩尔％以上。本实施方式的聚合物的重复单元可以仅由式(2)表示的重复单元构成，出于使制成有机电致发光元件时的各性能平衡的目的，可以具有与式(2)不同的重复单元，这时，聚合物中的式(2)表示的重复单元的含量通常为99摩尔％以下，优选为95摩尔％以下。

[末端基团]

本实施方式的聚合物中，具有式(2)表示的重复单元的聚合物的末端基团与具有上述式(1)表示的重复单元的聚合物的末端基团相同，优选为烃基。优选的烃基和可以具有的取代基也与具有上述式(1)表示的重复单元的聚合物的末端基团相同。

以下，对本实施方式的式(1)或者式(2)表示的重复单元以外的重复单元等进行说明。

[其它重复单元]

本实施方式的聚合物可以进一步含有与式(1)或者式(2)表示的重复单元不同的重复单元。

作为其它重复单元，从电荷传输性和耐久性方面考虑，优选式(4)表示的重复单元。应予说明，这里，下述式(4)表示的重复单元可与上述式(1)或者式(2)表示的重复单元中的一部分结构部分一致，但这里始终表示式(1)或者式(2)表示的重复单元以外的结构。

(式(4)中，

Ar³表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

Ar⁴可以表示具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者该可以具有取代基的芳香族烃基和/或可以具有取代基的芳香族杂环基直接或介由连接基团多个连接而成的二价基团。)

(Ar³和Ar⁴)

作为Ar³和Ar⁴中的芳香族烃基和芳香族杂环基，Ar³可举出与式(1)的Ar¹或者式(2)的Ar²相同的基团，Ar⁴可举出与式(1)的Ar¹或者式(2)的Ar²相同的基团且为二价的基团。另外，可以具有的取代基优选与上述取代基组Z或者后述的交联性基团相同的基团，进一步可以具有的取代基也与上述取代基组Z相同。

另外，从电荷传输性、耐久性以及来自阳极侧的空穴注入优异方面考虑，Ar⁴优选为下述式(5)表示的基团。

[其它的优选主链(式(5))]

从电荷传输性、耐久性以及来自阳极侧的空穴注入优异方面考虑，本实施方式的聚合物优选具有下述式(5)表示的基团。

式(5)中，

i和j各自独立地表示0～3的整数，i+j为1以上，

k表示0或者1的整数。

X与上述式(1)表示的重复单元中的X相同，表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴与上述式(1)表示的重复单元中的构成X的R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴相同，各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基或者可以具有取代基的芳香族烃基，优选的结构和可以具有的取代基也相同。另外，式(5)的X与式(1)的X可以相同也可以不同。

(i、j和k)

式(5)中，从电子耐久性优异方面考虑，i+j优选2以上，更优选3以上。

另外，i优选为1以上，优选介由该亚苯基与上述式(4)中的N键合。另外，进一步优选i与j这两方为1，或者i与j这两方为2以上。

从聚合物在溶剂中的溶解性优异方面考虑，更优选k为1。

(连接基团)

本实施方式的聚合物也优选具有下述式(6)表示的重复单元。

特别是，上述式(4)中，作为芳香族烃基和芳香族杂环基介由连接基团多个连接时的连接基团，具体而言，可举出例如，将选自－O－基、－C(＝O)－基和氢原子可以被取代的－CH₂－基中的基团以任意的顺序连接1～30个、优选1～5个、更优选1～3个而成的二价的连接基团等。

其中，从向发光层注入空穴优异方面考虑，优选式(4)中的Ar⁴为介由下述式(6)表示的连接基团多个连接而成的芳香族烃基或者芳香族杂环基。

(式(6)中，

t表示1～10的整数，

R¹⁵和R¹⁶各自独立地表示氢原子或者可以具有取代基的烷基、芳香族烃基、或者芳香族杂环基。

R¹⁵和R¹⁶存在多个时，可以相同也可以不同。)

(R¹⁵和R¹⁶)

R¹⁵和R¹⁶中的烷基为与上述R¹、R²、R³和R⁶中举出的烷基相同的基团，芳香族烃基和芳香族杂环基为与上述Ar¹和Ar²中举出的芳香族烃基和芳香族杂环基相同的基团。另外，这些基团可以具有的取代基优选与上述取代基组Z或者后述的交联性基团相同的基团，进一步可以具有的取代基与上述取代基组Z相同。

[其它的重复单元(2)]

作为本实施方式的聚合物可以含有的其它重复单元，优选为下述式(7)表示的重复单元。式(7)表示的重复单元存在因芳香环的扭曲而激发单重态能级和激发三重态能级变高的趋势。另外，由于芳香环的扭曲的空间位阻，存在聚合物在溶剂中的溶解性优异，并且用湿式成膜法形成且经加热处理的涂膜在溶剂中的不溶性优异的趋势。

(式(7)中，

Ar⁵表示可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

R¹⁷～R¹⁹各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳香族烃基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，

f、g、h各自独立地表示0～4的整数，f+g+h为1以上，

e表示0～3的整数。)

(Ar⁵和R¹⁷～R¹⁹)

Ar⁵和R¹⁷～R¹⁹中的芳香族烃基、芳香族杂环基各自独立地为与上述Ar¹和Ar²中举出的基团相同的基团，另外，这些基团可以具有的取代基优选与上述取代基组Z或者后述的交联性基团相同的基团。

R¹⁷～R¹⁹中的烷基和芳烷基优选与上述R⁷中举出的基团相同的基团，可以进一步具有的取代基也优选与上述R⁷相同的基团。

R¹⁷～R¹⁹中的烷氧基优选上述取代基组Z中举出的烷氧基，可以进一步具有的取代基也与上述取代基组Z相同。

(f、g、h)

f、g、h各自独立地表示0～4的整数，f+g+h为1以上。

优选f+h为1以上，

更优选f+h为1以上，且f、g和h为2以下，

进一步优选f+h为1以上，且f、h为1以下，

最优选f、h均为1。

f和h均为1时，优选R¹⁷与R¹⁹在相互对称的位置键合。

另外，优选R¹⁷与R¹⁹相同，

更优选g为2。

g为2时，最优选2个R¹⁸彼此在对位键合，

g为2时，最优选2个R¹⁸相同。

这里，R¹⁷与R¹⁹在相互对称的位置键合是指下述的键合位置。但是，在表述上，将以主链为轴的180度旋转视为相同结构。

应予说明，本实施方式的聚合物包含式(7)表示的重复单元时，(7)表示的重复单元与式(1)表示的重复单元的比例((7)表示的重复单元的摩尔数)/(式(1)表示的重复单元的摩尔数)优选0.1以上，更优选0.3以上，进一步优选0.5以上，更进一步优选0.9以上，特别优选1.0以上。另外，优选2.0以下，更优选1.5以下，进一步优选1.2以下。

另外，上述式(4)表示的重复单元优选为下述式(8)表示的重复单元。

为上述式(8)表示的重复单元的情况下，优选g＝0或者2。g＝2时，键合位置为2位和5位。在g＝0，即不存在由R¹⁸引起的空间位阻的情况下，以及在g＝2且键合位置为2位和5位的情况下，即空间位阻成为2个R¹⁸所键合的苯环的对角位置的情况下，R¹⁷与R¹⁹在相互对称的位置键合。

另外，上述式(8)表示的重复单元进一步优选为e＝3的下述式(9)表示的重复单元。

上述式(9)表示的重复单元的情况下，优选g＝0或者2。g＝2的情况下，键合位置为2位和5位。g＝0的情况下，即不存在由R¹⁸引起的空间位阻的情况下，以及在g＝2且键合位置为2位和5位的情况下，即，空间位阻成为2个R¹⁸所键合的苯环的对角位置的情况下，R¹⁷与R¹⁹能够在相互对称的位置键合。

[优选的重复单元的组合]

本发明的聚合物的重复单元的组合没有特别限定，从电荷传输性提高和耐久性提高的观点考虑，优选具有下述式(12)表示的重复单元，该式(12)表示的重复单元包含式(1)表示的重复单元和式(4)的Ar⁴为式(5)的重复单元。

式(12)中，

Ar¹、Ar³、X、R¹、R²、a、b、c、d、i、j和k分别与式(1)、式(4)和式(5)中的Ar¹、Ar³、X、R¹、R²、a、b、c、d、i、j和k相同。

优选的结构、范围等也与式(1)、式(4)和式(5)中的结构和范围相同。

更优选c＝d＝i＝j和k＝1。

式(12)中，将靠近具有取代基的亚苯基的芴环、咔唑环或者二氢菲骨架设为A，将靠近不具有取代基亚苯基的芴环、咔唑环或者二氢菲骨架设为B时，具有不与胺共轭的键的A由于未与胺共轭，因此存在LUMO不易分布，耐久性提高的趋势。并且，与胺共轭的B由于共轭更广，所以存在空穴传输性提高且变稳定的趋势。

另外，进一步优选A的X和B的X为－C(R⁷)(R⁸)－、或者A的X和B的X为－N(R⁹)－、或者A的X和B的X为－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－。此时，A与B的R⁷、R⁸、R⁹、R¹¹、R¹²、R¹³和R¹⁴可以相同也可以不同。

认为通过A的X和B的X为－C(R⁷)(R⁸)－，或者A的X和B的X为－N(R⁹)－，或者A的X和B的X为－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，从而聚合物中含有的重复的基本骨架(核)相同，因此不易形成成为电荷的陷阱的能级，电荷传输性优异，并且耐久性优异。

进一步优选A与B相同，更进一步优选A和B的X为－C(R³)(R⁴)－，特别优选A的X与B的X为－C(R³)(R⁴)－且相同的情况。

式(12)表示的重复单元的结构没有特别限定，例如可举出如下的结构。

式(1)的Ar¹由式(10)表示时，即，作为式(12)表示的包含重复单元的Ar¹为由式(10)表示的重复单元和式(4)的Ar⁴为式(5)的重复单元的重复单元，没有特别限定，例如可举出如下的结构。

[式(2)与式(4)连接而成的重复单元]

本实施方式的聚合物的重复单元的组合没有特别限定，从电荷传输性提高和耐久性提高的观点考虑，优选具有式(2)表示的重复单元与式(4)的Ar⁴为式(5)的重复单元连接而成的、下述式(14)表示的重复单元。另外，本实施方式的聚合物包含式(5)表示的重复单元时，(5)表示的重复单元与式(2)表示的重复单元的比例((5)表示的重复单元的摩尔数)/(式(2)表示的重复单元的摩尔数)优选为0.1以上，更优选0.3以上，进一步优选0.5以上，更进一步优选0.9以上，特别优选1.0以上。另外，优选2.0以下，更优选1.5以下，进一步优选1.2以下。

式(14)中，

Ar²、Ar³、X、R³、R⁴、R⁵、R⁶、p、q、i、j、k、l、m和n分别与式(2)、式(4)和式(5)中的Ar²、Ar³、X、R³、R⁴、R⁵、R⁶、p、q、i、j、k、l、m和n相同。

优选的结构、范围等也与式(2)、式(4)和式(5)中的结构、范围相同。

更优选l＝n＝j＝i和k＝1。

式(14)中，将靠近扭曲结构的具有取代基的亚苯基的不具有取代基亚苯基、或者与具有取代基的亚苯基连接而成的结构设为C，将靠近不具有取代基亚苯基的芴环、咔唑环或者二氢菲骨架设为D时，具有不与胺共轭的键的C由于未与胺共轭，所以存在LUMO不易分布，耐久性提高的趋势。并且，与胺共轭的D共轭更广，因此，存在空穴传输性提高且变稳定的趋势。

另外，进一步优选D的X为－C(R⁷)(R⁸)－，或者D的X为－N(R⁹)－，或者D的X为－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－。此时，D的R⁷、R⁸、R⁹、R¹¹、R¹²、R¹³和R¹⁴可以相同也可以不同。

认为通过D的X为－C(R⁷)(R⁸)－，或者D的X为－NR⁹－，或者D的X为－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，从而聚合物中含有的重复的基本骨架(核)相同，因此不易形成成为电荷的陷阱的能级，电荷传输性优异，并且耐久性优异。

优选Ar²和Ar³各自独立地为下述式(15)或者式(16)。

式(14)表示的结构没有特别限定，例如可举出如下的结构。

作为包含式(2)的Ar²由式(10)表示的重复单元和式(4)的Ar⁴为式(5)的重复单元的重复单元，没有特别限定，例如可举出如下的结构。

＜本发明的第二实施方式的聚合物＞

(在侧链具有式(11)表示的结构的聚合物)

作为本发明的第二实施方式的聚合物，可举出在侧链具有下述式(11)表示的结构的聚合物。认为式(11)表示的结构通过在2个咔唑结构彼此的氮原子间的芳香族烃基或者芳香族杂环基分布LUMO，对电子、激子的耐久性提高。

由于以上的作用，本实施方式的聚合物在用于与发光层的阳极侧邻接的层的情况下能够得到高的效果。

(式(11)中，

Ar³¹表示与主链连接的二价基团，

Ar¹²表示可以具有取代基的二价芳香族烃基或者可以具有取代基的二价芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基。

＊表示与构成主链的原子键合的位置。)

Ar³¹表示与主链连接的二价基团。没有特别限定，优选与式(10)的Ar¹¹相同，优选的范围、可以具有的取代基等也相同。Ar¹²～Ar¹⁵与式(10)的Ar¹²～Ar¹⁵相同，优选的范围、可以具有的取代基等也相同。

上述在侧链具有式(11)表示的结构的聚合物优选具有下述式(13)表示的结构。

(式(13)中，

Ar¹²～Ar¹⁵、Ar³¹与式(11)相同，

Ar¹⁶表示构成聚合物主链的结构。)

(Ar¹⁶)

Ar¹⁶优选与上述式(4)的Ar⁴相同，进一步优选与式(5)相同。

＜其他＞

以下，对第一实施方式和第二实施方式共同的优选的实施方式等进行说明。

[可溶性基团]

优选本发明的第一实施方式和第二实施方式的聚合物为了体现在溶剂中的可溶性而具有可溶性基团。本发明中的可溶性基团是具有碳原子数3以上且24以下、优选碳原子数12以下的直链或者支链的烷基或者亚烷基的基团。其中优选为烷基、烷氧基或者芳烷基，例如，为正丙基、2－丙基、正丁基、异丁基等。更优选为正己基或者正辛基。可溶性基团可以具有取代基。

(可溶性基团的数量)

从容易得到可用于湿式成膜法的聚合物溶液方面考虑，本实施方式的聚合物具有的可溶性基团优选较多。另一方面，在成膜的层上利用湿式成膜法形成其他层时层溶解于溶剂所致的膜厚减少少的方面，优选较少。

本实施方式的聚合物具有的可溶性基团的数量可以用相对于1g聚合物的摩尔数表示。

本实施方式的聚合物具有的可溶性基团的数量用相对于1g聚合物的摩尔数表示时，相对于1g聚合物，通常为4.0毫摩尔以下，优选为3.0毫摩尔以下，更优选为2.0毫摩尔以下，另外，通常为0.1毫摩尔以上，优选为0.5毫摩尔以上。

如果可溶性基团的数量在上述范围内，则聚合物容易溶于溶剂，容易得到适合于湿式成膜法的含有聚合物的组合物。另外，可溶性基团密度适度，因此，加热溶剂干燥后的相对于有机溶剂的难溶性充分，能够利用湿式成膜法形成多层层叠结构。

这里，每1g聚合物的可溶性基团的数量可以从聚合物中除去其末端基团，由合成时的装料单体的摩尔比和结构式计算。

例如，以后述的实施例1－1中合成的聚合物1的情况进行说明，聚合物1中，除去末端基团的重复单元的分子量平均为650，而且每1个重复单元中可溶性基团平均为1个。将其以单纯比例进行计算，则可算出每1g分子量的可溶性基团的数量为1.54毫摩尔。

[交联性基团]

本发明的第一实施方式和第二实施方式的聚合物可以具有交联性基团。本实施方式的聚合物中的交联性基团可以在式(1)表示的重复单元中存在，也可以在与式(1)表示的重复单元不同的重复单元中存在。特别是在作为侧链的Ar¹具有交联性基团时，交联反应容易进行，因而优选。

通过具有交联性基团，能够在由热和/或活性能量线的照射引起的反应(难溶化反应)前后，使对有机溶剂的溶解性产生大的差异。

交联性基团是指通过热和/或活性能量线的照射，与位于该交联性基团的附近的构成其他分子的基团反应，生成新的化学键的基团。此时，反应的基团可以为与交联性基团相同的基团，也可以为不同的基团。

作为交联性基团，优选包含稠合于芳香族环的环丁烯环、键合于芳香族环的烯基的基团，更优选为选自下述交联性基团组T中的基团。

交联性基团优选进一步取代在上述各结构所具有的取代基上。

(交联性基团组T)

交联性基团组T为以下所示的结构。

上述交联性基团组T中，R²¹～R²³各自独立地表示氢原子或者烷基。R²⁴～R²⁶各自独立地表示氢原子、烷基或者烷氧基。x表示1～4的整数，y表示1～5的整数，z表示1～7的整数。

x为2以上时，多个R²⁴可以相同也可以不同，邻接的R²⁴可以彼此键合而形成环。

y为2以上时，多个R²⁵可以相同也可以不同，邻接的R²⁵可以彼此键合而形成环。

z为2以上时，多个R²⁶可以相同也可以不同。

Ar²¹、Ar²²表示可以具有取代基的芳香族烃基或者芳香族杂环基。

作为R²¹～R²⁶的烷基，可举出碳原子数为8以下、优选6以下的直链或者支链的链状烷基。例如为甲基、乙基、正丙基、2－丙基、正丁基、异丁基等。更优选为甲基或者乙基。通过R²¹～R²⁶的碳原子数为8以下、优选为6以下，存在在不会空间地阻碍交联反应的情况下容易引起膜不溶的趋势。

作为R²⁴～R²⁶的烷氧基，可举出碳原子数为8以下、优选6以下的直链或者支链的链状烷氧基，例如为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、2－丙氧基、正丁氧基等。更优选为甲氧基或者乙氧基。如果R²⁴～R²⁶的碳原子数为8以下，优选为6以下，则存在在不会空间地阻碍交联反应的情况下容易引起膜不溶的趋势。

另外，作为Ar²¹和Ar²²的可以具有取代基的芳香族烃基，例如，可举出具有一个自由价的苯环、萘环等6元环的单环或者2～5个稠环。特别优选具有一个自由价的苯环。

Ar²²也可以为键合2个以上可以具有取代基的芳香族烃基而成的基团。作为这样的基团，可举出亚联苯基、亚三联苯基等，优选4，4’－亚联苯基。

Ar²¹、Ar²²可以具有的取代基与前述的取代基组Z相同。

作为交联性基团，从进一步提高元件的电化学稳定性方面考虑，优选肉桂酰基等芳基乙烯基羰基、具有1价自由价的苯并环丁烯环、具有1价自由价的1，2－二氢环丁烯并〔a〕萘环等进行环加成反应的基团。

另外，交联性基团中，从交联后的结构特别稳定方面考虑，优选包含稠合于具有1价自由价的芳香族环的环丁烯环、具有1价自由价的1，2－二氢环丁烯并〔a〕萘环的基团，其中更优选苯并环丁烯环或者具有1价自由价的1，2－二氢环丁烯并〔a〕萘环，从交联反应温度低方面考虑，特别优选具有1价自由价的1，2－二氢环丁烯并〔a〕萘环。

(交联性基团的数量)

从通过进行交联而充分不溶化、在其上利用湿式成膜法容易形成其他层的方面考虑，优选本实施方式的聚合物具有的交联性基团较多。另一方面，从形成的层不易产生裂缝、未反应交联性基团不易剩余、有机电致发光元件容易长寿命的方面考虑，优选交联性基团较少。

本实施方式的聚合物中的、在一个聚合物链中存在的交联性基团优选为1个以上，更优选2个以上，另外优选200个以下，更优选100个以下。

另外，本实施方式的聚合物具有的交联性基团的数量可以用相对于聚合物的分子量1000的个数表示。

将本实施方式的聚合物具有的交联性基团的数量用相对于聚合物的分子量1000的个数表示时，相对于分子量1000，通常为3.0个以下，优选为2.0个以下，更优选为1.0个以下，另外，通常为0.01个以上，优选为0.05个以上。

如果交联性基团的数量在上述范围内，则不易引起裂缝等，容易得到平坦的膜。另外，交联密度适度，因此交联反应后的层内残留的未反应的交联性基团少，不易影响得到的元件的寿命。

并且，交联反应后的对有机溶剂的难溶性充分，因此，容易利用湿式成膜法形成多层层叠结构。

这里，相对于聚合物的分子量1000的交联性基团的数量可以从聚合物中除去其末端基团，由合成时的装料单体的摩尔比和结构式计算。

例如，以后述的实施例中合成的聚合物3的情况进行说明，聚合物3中，除去末端基团的重复单元的分子量平均为868，而且每1个重复单元中交联性基团为0.114个。将其以单纯比例进行计算，算出相对于分子量1000的交联性基团的数量为0.132个。

另外，例如，以后述的实施例中合成的聚合物13的情况进行说明，聚合物13中，除去末端基团的重复单元的分子量平均为966.45，而且每1个重复单元中交联性基团为0.145个。将其以单纯比例进行计算，算出相对于分子量1000的交联性基团的数量为0.15个。

另外，本发明的第一实施方式和第二实施方式的聚合物也优选不具有交联基。使用不具有交联基的本实施方式的聚合物制成的有机电致发光元件有长寿命化的趋势。

本实施方式的聚合物利用湿式成膜法进行成膜而不溶化。即，使本发明的聚合物溶解在溶剂而制备溶液，将溶液涂布在基板上，除去溶剂，进行干燥、加热、煅烧而不溶化。因此，使用本实施方式的聚合物利用湿式成膜法形成空穴传输层时，能够对与该空穴传输层接触的发光层继续进行湿式成膜而进行层叠涂布成膜。此时，与发光层接触的空穴传输层由不具有交联基的本实施方式的聚合物形成时，不存在未反应的交联基团，因此不存在对元件通电驱动时未反应的交联基团引起意想不到的反应而材料劣化的情况。因此，认为元件的驱动寿命延长。

并且，不具有交联基的本实施方式的聚合物与不具有交联基的本实施方式以外的聚合物一起使用的情况下，也能够得到对溶剂不溶的薄膜。因此，空穴传输层的设计的范围广，容易得到所希望的空穴传输层。

将不具有交联基的本实施方式的聚合物和不具有交联基的本发明以外的聚合物一起使用时，将两者都溶解在溶剂中制备溶液，将溶液涂布在基板上，除去溶剂，进行干燥、加热、煅烧，从而形成薄膜。

使用不具有交联基的本实施方式的聚合物和不具有交联基的本实施方式以外的聚合物形成的膜中的、不具有交联基的本发明的聚合物的含量为10重量％以上，优选为20重量％以上，更优选为25重量％以上，特别优选为50重量％以上，最优选为70重量％以上。为了得到混合不具有交联基的本发明以外的聚合物的效果，不具有交联基的本发明的聚合物的含量为95重量％以下，优选为90重量％以下，更优选为85重量％以下，特别优选为80重量％以下。通过为该范围，存在得到的膜容易不溶化，得到的元件的特性提高的趋势。

[聚合物的分子量]

本发明的含有式(1)表示的重复单元的聚合物的重均分子量通常为3000000以下，优选为1000000以下，更优选为500000以下，更优选为200000以下，特别优选为100000以下。另外，通常为2500以上，优选为5000以上，更优选为10000以上，进一步优选为20000以上，特别优选为30000以上。

通过聚合物的重均分子量为上述上限值以下，存在得到对溶剂的溶解性，成膜性优异的趋势。另外，通过聚合物的重均分子量为上述下限值以上，有聚合物的玻璃化转变温度、熔点和气化温度的降低得到抑制，耐热性提高的情况。而且，有交联反应后的涂膜对有机溶剂的不溶性充分的情况。

另外，本发明的含有式(1)表示的重复单元的聚合物的数均分子量(Mn)通常为2500000以下，优选为750000以下，更优选为400000以下，特别优选为100000以下。另外，通常为2000以上，优选为4000以上，更优选为8000以上，进一步优选为20000以上。

并且，本发明的含有式(1)表示的重复单元的聚合物的分散度(Mw/Mn)优选为3.5以下，更优选为2.5以下，特别优选为2.0以下。应予说明，分散度的值越小越好，因此下限值理想的为1。如果该聚合物的分散度为上述上限值以下，则容易精制，另外，对溶剂的溶解性、电荷传输能力良好。

本发明的具有式(2)表示的重复单元的聚合物的重均分子量(Mw)优选为10000以上，更优选为20000以上，进一步优选为40000以上。另外，优选为2000000以下，更优选为1000000以下。

通过重均分子量为上述上限值以下，存在杂质的高分子量化得到抑制，能够容易精制的趋势。另外，通过重均分子量为上述下限值以上，玻璃化转变温度、熔点、气化温度等的降低得到抑制，耐热性提高的趋势。

另外，具有式(2)表示的重复单元的聚合物的数均分子量(Mn)优选为1000000以下，更优选为800000以下，进一步优选为500000以下。另外，优选为5000以上，更优选为10000以上，进一步优选为20000以上。

并且，本发明的具有式(2)表示的重复单元的聚合物的分散度(Mw/Mn)优选为3.5以下，更优选为3以下，更优选为2.4以下，更优选为2.1以下，进一步优选为2以下。另外，优选为1以上，更优选为1.1以上，进一步优选为1.2以上。通过为上述上限值以下，精制变得容易，存在抑制对溶剂的溶解性的降低、能够抑制电荷传输能的降低的趋势。

通常，聚合物的重均分子量和数均分子量通过SEC(尺寸排阻色谱)测定来决定。SEC测定中，分子量越高的成分洗脱时间越短，分子量越低的成分洗脱时间越长，使用由分子量已知的聚苯乙烯(标准试样)的洗脱时间算出的校正曲线，将样品的洗脱时间换算为分子量，从而算出重均分子量和数均分子量。

[具体例]

本发明的具有式(1)表示的重复单元的聚合物的具体例如下所示，但本发明的聚合物不限于这些。应予说明，化学式中的数字表示重复单元的摩尔比。

这些聚合物可以是无规共聚物、交替共聚合物、嵌段共聚物或者接枝共聚物等中的任一种，单体的排列顺序不受限定。

本发明的具有式(2)表示的重复单元的聚合物和本发明的具有式(2)表示的重复单元的Ar²由式(10)表示的结构的聚合物的具体例如下所示，但本发明的聚合物不限于这些。下述聚合物中的n和n’表示重复数。应予说明，化学式中的数字表示重复单元的摩尔比。

这些聚合物可以是无规共聚物、交替共聚合物、嵌段共聚物或者接枝共聚物等中的任一种，单体的排列顺序不受限定。

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[聚合物的制造方法]

本实施方式的聚合物的制造方法没有特别限制，只要能够得到本发明的聚合物，就是任意的。例如，可以通过利用Suzuki反应的聚合方法、利用Grignard反应的聚合方法、利用Yamamoto反应的聚合方法、利用Ullmann反应的聚合方法、利用Buchwald－Hartwig反应的聚合方法等来制造。

利用Ullmann反应的聚合方法和利用Buchwald－Hartwig反应的聚合方法的情况下，例如，使式(1a)表示的二卤代芳基(X表示I、Br、Cl、F等卤素原子)与式(2b)表示的伯氨基芳基反应来合成本发明的具有式(1)表示的重复单元的聚合物。

上述式中，Y表示卤素原子，Ar¹、R¹、R²、X与上述式(1)中的含义相同。

另外，利用Ullmann反应的聚合方法和利用Buchwald－Hartwig反应的聚合方法的情况下，例如，使式(2a)表示的二卤代芳基(X表示I、Br、Cl、F等卤素原子)与式(2b)表示的伯氨基芳基反应来合成本实施方式的具有式(2)表示的重复单元的聚合物。

上述式中，R³、R⁴、R⁵、R⁶和Ar²与上述式(2)中的含义相同。

应予说明，上述的聚合方法中，通常，形成N－芳基键的反应例如在碳酸钾、叔丁醇钠、三乙胺等碱存在下进行。另外，例如也可以在铜或钯配合物等过渡金属催化剂存在下进行。

＜有机电致发光元件材料＞

本发明的一个实施方式的聚合物能够特别适合用作有机电致发光元件材料。即，优选上述聚合物作为有机电致发光元件材料使用。

本发明的一个实施方式的聚合物通常包含在有机电场发光元件中的阳极与发光层之间。即，优选作为形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一方的材料、也就是电荷传输性材料使用。

作为电荷传输性材料使用时，可以含有1种上述聚合物，也可以以任意的组合和任意的比率含有2种以上。

使用上述聚合物形成有机电致发光元件的空穴注入层和空穴传输层中的至少一方时，空穴注入层或者空穴传输层中的上述聚合物的含量通常为1质量％以上且100质量％以下，优选为5质量％以上且100质量％以下，更优选为10质量％以上且100质量％以下。如果在上述的范围，则空穴注入层或者空穴传输层的电荷传输性提高，驱动电压降低，驱动稳定性提高，因而优选。

在上述空穴注入层或者空穴传输层中，上述聚合物不是100质量％的情况下，作为构成空穴注入层或者空穴传输层的成分，可举出后述的空穴传输性化合物等。

另外，由于能够简便地制造有机电致发光元件，因此上述聚合物优选用于由湿式成膜法形成的有机层。

＜有机电致发光元件用组合物＞

本发明的一个实施方式的有机电致发光元件用组合物含有上述聚合物。应予说明，本实施方式的有机电致发光元件用组合物可以含有1种上述聚合物，也可以以任意的组合和任意的比率含有2种以上。

[聚合物的含量]

本实施方式的有机电致发光元件用组合物中的上述聚合物的含量通常为0.01质量％以上且70质量％以下，优选为0.1质量％以上且60质量％以下，更优选为0.5质量％以上且50质量％以下。

如果在上述范围内，则形成的有机层不易产生缺陷，另外，不易产生膜厚不均，因而优选。

本实施方式的有机电致发光元件用组合物除上述聚合物以外还可以含有溶剂等。

[溶剂]

本实施方式的有机电致发光元件用组合物通常含有溶剂。该溶剂优选为溶解本发明的聚合物的溶剂。具体而言，优选在室温下溶解通常0.05质量％以上、优选0.5质量％以上、更优选1质量％以上的上述聚合物的溶剂。

作为溶剂的具体例，可举出甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等芳香族系溶剂；1，2－二氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等含卤溶剂；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇－1－单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1，2－二甲氧基苯、1，3－二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2－甲氧基甲苯、3－甲氧基甲苯、4－甲氧基甲苯、2，3－二甲基苯甲醚、2，4－二甲基苯甲醚等芳香族醚等醚系溶剂；乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯系溶剂；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等酯系溶剂等有机溶剂，以及后述的空穴注入层形成用组合物、空穴传输层形成用组合物中使用的有机溶剂。

应予说明，溶剂可以使用1种，还可以以任意的组合和任意的比率并用2种以上。

其中，作为本实施方式的有机电致发光元件用组合物中含有的溶剂，优选20℃的表面张力通常小于40dyn/cm、优选为36dyn/cm以下、更优选为33dyn/cm以下的溶剂。

使用本实施方式的有机电致发光元件用组合物并利用湿式成膜法形成涂膜，使上述聚合物交联而形成有机层时，优选溶剂与底物的亲和性高。这是因为膜质的均匀性对有机电致发光元件的发光的均匀性和稳定性影响很大。因此，对湿式成膜法中使用的有机电致发光元件用组合物要求表面张力低以形成流平性更高的均匀的涂膜。因此通过使用上述那样具有低的表面张力的溶剂，能够形成含有上述聚合物的均匀的层，进而能够形成均匀的交联层，因而优选。

作为低表面张力的溶剂的具体例，可举出前述的甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等芳香族系溶剂、苯甲酸乙酯等酯系溶剂、苯甲醚等醚系溶剂、三氟甲氧基苯甲醚、五氟甲氧基苯、3－(三氟甲基)苯甲醚、乙基(五氟苯甲酸酯)等。

另外，另一方面，作为本实施方式的有机电致发光元件用组合物中含有的溶剂，优选25℃的蒸气压通常为10mmHg以下，优选为5mmHg以下，通常为0.1mmHg以上。通过使用这样的溶剂，能够适合于利用湿式成膜法制造有机电致发光元件的工序，能够制备适合上述聚合物的性质的有机电致发光元件用组合物。

作为这样的溶剂的具体例，可举出前述的甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族系溶剂、醚系溶剂和酯系溶剂。

然而，水分有可能引起有机电致发光元件的性能劣化，其中，特别是有可能促进连续驱动时的亮度降低。因此，为了尽可能地减少湿式成膜中残留的水分，上述的溶剂中，优选25℃的水的溶解度为1质量％以下的溶剂，更优选为0.1质量％以下的溶剂。

本实施方式的有机电致发光元件用组合物中含有的溶剂的含量通常为10质量％以上，优选为30质量％以上，更优选为50质量％以上，特别优选为80质量％以上。通过溶剂的含量为上述下限以上，能够使形成的层的平坦度和均匀度良好。

[电子接受性化合物]

从低电阻化方面考虑，本实施方式的有机电致发光元件用组合物优选进一步含有电子接受性化合物。特别是，为了形成空穴注入层而使用本实施方式的有机电致发光元件用组合物的情况下，该组合物优选含有电子接受性化合物。

作为电子接受性化合物，优选具有氧化力、具有从本发明的聚合物中接受一个电子的能力的化合物。具体而言，优选电子亲和力为4eV以上的化合物，进一步优选电子亲和力为5eV以上的化合物。

作为这样的电子接受性化合物，例如，可举出选自三芳基硼化合物、金属卤化物、路易斯酸、有机酸、盐、芳胺与金属卤化物的盐、以及芳胺与路易斯酸的盐中的1种或者2种以上的化合物等。

具体而言，可举出4－异丙基－4’－甲基二苯基碘四(五氟苯基)硼酸盐、三苯基锍四氟硼酸盐等取代了有机基团的/>盐(国际公开第2005/089024号)、(国际公开第2017/164268号)；氯化铁(III)(日本特开平11－251067号公报)，过氧二硫酸铵等高原子价的无机化合物；四氰基乙烯等氰基化合物；三(五氟苯基)硼烷(日本特开2003－31365号公报)等芳香族硼化合物；富勒烯衍生物和碘等。

本实施方式的有机电致发光元件用组合物可以单独含有上述那样的电子接受性化合物的1种，另外，可以以任意的组合和比率含有2种以上。

本实施方式的有机电致发光元件用组合物含有电子接受性化合物时，本发明的有机电致发光元件用组合物的电子接受性化合物的含量通常为0.0005质量％以上，优选为0.001质量％以上，通常为20质量％以下，优选为10质量％以下。另外，有机电致发光元件用组合物中的电子接受性化合物与本发明的聚合物的比例通常为0.5质量％以上，优选为1质量％以上，更优选为3质量％以上，通常为80质量％以下，优选为60质量％以下，更优选为40质量％以下。

有机电致发光元件用组合物中的电子接受性化合物的含量为上述下限以上时，电子接受性化合物从聚合物接受电子，形成的有机层低电阻化，因而优选，如果为上述上限以下，则形成的有机层不易产生缺陷，另外，不易产生膜厚不均，因此优选。

[阳离子自由基化合物]

本实施方式的有机电致发光元件用组合物还可以含有阳离子自由基化合物。

作为阳离子自由基化合物，优选由从空穴传输性化合物除去一个电子而得的化学种即阳离子自由基与抗衡阴离子构成的离子化合物。其中，阳离子自由基来自空穴传输性的高分子化合物时，阳离子自由基成为从高分子化合物的重复单元中除去一个电子的结构。

另外，作为阳离子自由基，优选为从后述的空穴传输性化合物除去一个电子而得的化学种。从非晶性、可见光的透过率、耐热性和溶解性等方面考虑，优选为从作为空穴传输性化合物优选的化合物除去一个电子而得的化学种。

这里，阳离子自由基化合物可以通过将后述的空穴传输性化合物和前述的电子接受性化合物混合而生成。即，通过将空穴传输性化合物和电子接受性化合物混合，从空穴传输性化合物向电子接受性化合物发生电子转移，生成由空穴传输性化合物的阳离子自由基和抗衡阴离子构成的阳离子化合物。

本实施方式的有机电致发光元件用组合物含有阳离子自由基化合物时，有机电致发光元件用组合物的阳离子自由基化合物的含量通常为0.0005质量％以上，优选为0.001质量％以上，通常为40质量％以下，优选为20质量％以下。如果阳离子自由基化合物的含量为下限以上则形成的有机层低电阻化，因而优选，为上限以下时，形成的有机层不易产生缺陷，另外不易产生膜厚不均，因而优选。

应予说明，本实施方式的有机电致发光元件用组合物中，除了上述的成分以外，还可以以后述的含量含有后述的空穴注入层形成用组合物、空穴传输层形成用组合物中含有的成分。

＜发光层材料＞

使用本发明的一个实施方式的聚合物作为形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一方的电荷传输性材料的有机电致发光元件中，发光层含有发光材料和主体材料。

发光材料可以使用磷光发光材料或者荧光发光材料。

＜磷光发光层＞

使用本发明的一个实施方式的聚合物作为形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一方的电荷传输性材料的有机电致发光元件中，发光层为磷光发光层时，作为磷光发光材料，优选以下的材料。

＜磷光发光材料＞

磷光发光材料是指从激发三重态状态显示发光的材料。例如，具有Ir、Pt、Eu等的金属配合物为其代表例，作为材料的结构，优选包含金属配合物。

金属配合物中，作为经由三重态状态发光的磷光发光性有机金属配合物，可举出包含从长周期型元素周期表(以下，只要没有特别说明，说到“元素周期表”时就是指长周期型元素周期表。)第7～11族选出的金属作为中心金属的Werner型配合物或者有机金属配合物。作为这样的磷光发光材料，优选为式(201)表示的化合物或者式(205)表示的化合物，更优选为式(201)表示的化合物。

环A1表示可以具有取代基的芳香族烃结构或者可以具有取代基的芳香族杂环结构。

环A2表示可以具有取代基的芳香族杂环结构。

R²⁰¹、R²⁰²各自独立地为式(202)表示的结构，“＊”表示与环A1和/或环A2键合。R²⁰¹、R²⁰²可以相同也可以不同，R²⁰¹、R²⁰²各自存在多个时，它们可以相同也可以不同。

Ar²⁰¹、Ar²⁰³各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃结构或者可以具有取代基的芳香族杂环结构。

Ar²⁰²表示可以具有取代基的芳香族烃结构、可以具有取代基的芳香族杂环结构或者可以具有取代基的脂肪族烃结构。

键合于环A1的取代基彼此、键合于环A2的取代基彼此、或者键合于环A1的取代基与键合于环A2的取代基彼此可以相互键合而形成环。

B²⁰¹－L²⁰⁰－B²⁰²表示阴离子性的二齿配体。B²⁰¹和B²⁰²各自独立地表示碳原子、氧原子或者氮原子，这些原子可以是构成环的原子。L²⁰⁰表示单键，或者表示与B²⁰¹和B²⁰²一起构成二齿配体的原子团。B²⁰¹－L²⁰⁰－B²⁰²存在多个时，它们可以相同也可以不同。

i1、i2各自独立地表示0以上且12以下的整数。

i3为以可取代在Ar²⁰²上的数量为上限的0以上的整数。

j为以可取代在Ar²⁰¹上的数量为上限的0以上的整数。

k1、k2各自独立地为以可取代在环A1、环A2上的数量为上限的0以上的整数。

m为1～3的整数。

没有特别说明的情况下，作为取代基，优选选自以下的取代基组Z’的基团。

＜取代基组Z’＞

·烷基、优选碳原子数1～20的烷基、更优选碳原子数1～12的烷基、进一步优选碳原子数1～8的烷基、特别优选碳原子数1～6的烷基。

·烷氧基、优选碳原子数1～20的烷氧基、更优选碳原子数1～12的烷氧基、进一步优选碳原子数1～6的烷氧基。

·芳氧基、优选碳原子数6～20的芳氧基、更优选碳原子数6～14的芳氧基、进一步优选碳原子数6～12的芳氧基、特别优选碳原子数6的芳氧基。

·杂芳氧基、优选碳原子数3～20的杂芳氧基、更优选碳原子数3～12的杂芳氧基。

·烷基氨基、优选碳原子数1～20的烷基氨基、更优选碳原子数1～12的烷基氨基。

·芳基氨基、优选碳原子数6～36的芳基氨基、更优选碳原子数6～24的芳基氨基。

·芳烷基、优选碳原子数7～40的芳烷基、更优选碳原子数7～18的芳烷基、进一步优选碳原子数7～12的芳烷基。

·杂芳烷基、优选碳原子数7～40的杂芳烷基、更优选碳原子数7～18的杂芳烷基、

·烯基、优选碳原子数2～20的烯基、更优选碳原子数2～12的烯基、进一步优选碳原子数2～8的烯基、特别优选碳原子数2～6的烯基。

·炔基、优选碳原子数2～20的炔基、更优选碳原子数2～12的炔基。

·芳基、优选碳原子数6～30的芳基、更优选碳原子数6～24的芳基、进一步优选碳原子数6～18的芳基、特别优选碳原子数6～14的芳基。

·杂芳基、优选碳原子数3～30的杂芳基、更优选碳原子数3～24的杂芳基、进一步优选碳原子数3～18的杂芳基、特别优选碳原子数3～14的杂芳基。

·烷基甲硅烷基、优选烷基的碳原子数为1～20的烷基甲硅烷基、更优选烷基的碳原子数为1～12的烷基甲硅烷基。

·芳基甲硅烷基、优选芳基的碳原子数为6～20的芳基甲硅烷基、更优选芳基的碳原子数为6～14的芳基甲硅烷基。

·烷基羰基、优选碳原子数2～20的烷基羰基。

·芳基羰基、优选碳原子数7～20的芳基羰基。

以上的基团可以是一个以上的氢原子被氟原子取代、或者一个以上的氢原子被氘原子取代。

只要没有特别说明，芳基就是芳香族烃，杂芳基就是芳香族杂环。

·氢原子、氘原子、氟原子、氰基、或者－SF₅。

(取代基组Z’中的优选的基团)

这些取代基组Z’中，

优选为烷基、烷氧基、芳氧基、芳基氨基、芳烷基、烯基、芳基、杂芳基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基以及这些基团中的一个以上的氢原子被氟原子取代的基团、氟原子、氰基、或者－SF₅，

更优选为烷基、芳基氨基、芳烷基、烯基、芳基、杂芳基以及这些基团中的一个以上的氢原子被氟原子取代的基团、氟原子、氰基、或者－SF₅，

进一步优选为烷基、烷氧基、芳氧基、芳基氨基、芳烷基、烯基、芳基、杂芳基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基，

特别优选为烷基、芳基氨基、芳烷基、烯基、芳基、杂芳基，

最优选为烷基、芳基氨基、芳烷基、芳基、杂芳基。

(取代在Z’上的取代基)

这些取代基组Z’可以进一步具有选自取代基组Z’中的取代基作为取代基。可以具有的取代基的优选的基团、更优选的基团、进一步优选的基团，特别优选的基团、最优选的基团与取代基组Z’中的优选的基团相同。

＜环A1＞

环A1表示可以具有取代基的芳香族烃结构或者可以具有取代基的芳香族杂环结构。

(芳香族烃)

作为环A1的芳香族烃，优选为碳原子数6～30的芳香族烃，具体而言，优选苯环、萘环、蒽环、三亚苯基环、苊环、荧蒽环、芴环。

(芳香族杂环)

作为环A1的芳香族杂环，优选含有氮原子、氧原子或者硫原子中的任一个作为杂原子的碳原子数3～30的芳香族杂环，进一步优选为呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环。

作为环A1，更优选为苯环、萘环、芴环，特别优选为苯环或者芴环，最优选为苯环。

＜环A2＞

环A2表示可以具有取代基的芳香族杂环结构。

(芳香族杂环)

作为环A2的芳香族杂环，优选为包含氮原子、氧原子或者硫原子中的任一个作为杂原子的碳原子数3～30的芳香族杂环，

具体而言，可举出吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、咪唑环、唑环、噻唑环、苯并噻唑环、苯并/>唑环、苯并咪唑环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、喹唑啉环、萘啶环、菲啶环，

进一步优选为吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、咪唑环、苯并噻唑环、苯并唑环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、喹唑啉环，

更优选为吡啶环、咪唑环、苯并噻唑环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、喹唑啉环，

最优选为吡啶环、咪唑环、苯并噻唑环、喹啉环、喹喔啉环、喹唑啉环。

作为环A1与环A2的优选组合，如果记载为(环A1－环A2)，则为(苯环－吡啶环)、(苯环－喹啉环)、(苯环－喹喔啉环)、(苯环－喹唑啉环)、(苯环－咪唑环)、(苯环－苯并噻唑环)。

(环A1，环A2的取代基)

环A1、环A2可以具有的取代基可以任意选择，但优选为选自上述取代基组Z’中的1种或者多种的取代基。

(Ar²⁰¹～Ar²⁰³)

Ar²⁰¹、Ar²⁰³各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃结构或者可以具有取代基的芳香族杂环结构。

Ar²⁰²表示可以具有取代基的芳香族烃结构、可以具有取代基的芳香族杂环结构、或者可以具有取代基的脂肪族烃结构。

(Ar²⁰¹，Ar²⁰²，Ar²⁰³的芳香族烃环)

Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³中任一个为可以具有取代基的芳香族烃结构时，

作为芳香族烃结构，优选为碳原子数6～30的芳香族烃环，

具体而言，优选为苯环、萘环、蒽环、三亚苯基环、苊环、荧蒽环、芴环，

更优选为苯环、萘环、芴环，

最优选为苯环。

(芴的9，9’位)

Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³中任一个为可以具有取代基的芴环时，芴环的9位和9’位优选具有取代基或者与邻接的结构键合。

(邻亚苯基，间亚苯基)

Ar²⁰¹、Ar²⁰²中任一个为可以具有取代基的苯环时，优选至少一个苯环在邻位或者间位与邻接的结构键合，更优选至少一个苯环在间位与邻接的结构键合。

(Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³的芳香族杂环)

Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³中任一个为可以具有取代基的芳香族杂环结构时，

作为芳香族杂环结构，优选含有氮原子、氧原子或者硫原子中的任一个作为杂原子的碳原子数3～30的芳香族杂环，

具体而言，可举出吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、咪唑环、唑环、噻唑环、苯并噻唑环、苯并/>唑环、苯并咪唑环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、喹唑啉环、萘啶环、菲啶环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环，

进一步优选为吡啶环、嘧啶环、三嗪环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环。

(咔唑环的N位)

Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³中任一个为可以具有取代基的咔唑环时，优选咔唑环的N位具有取代基或者与邻接的结构键合。

(脂肪族烃)

Ar²⁰²为可以具有取代基的脂肪族烃结构时，为直链、支链或者具有环状结构的脂肪族烃结构，

优选碳原子数为1以上且24以下，

进一步优选碳原子数为1以上且12以下，

更优选碳原子数为1以上且8以下。

(i1、i2(亚苯基、芳烷基、烷基)的优选的范围)

i1表示0～12的整数，优选为1～12，进一步优选为1～8，更优选为1～6。通过为该范围，有望提高溶解性、提高电荷传输性。

i2表示0～12的整数，优选为1～12，进一步优选为1～8，更优选为1～6。通过为该范围，有望提高溶解性、提高电荷传输性。

(i3(末端)的优选的范围)

i3优选表示0～5的整数，进一步优选0～2，更优选为0或者1。

(j(亚苯基处的取代基)的优选的范围)

j优选表示0～2的整数，更优选为0或者1。

(k1、k2(环A1、A2的取代基)的优选的范围)

k1、k2优选表示0～3的整数，进一步优选为1～3，更优选为1或者2，特别优选为1。

(Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³的优选的取代基)

Ar²⁰¹、Ar²⁰²、Ar²⁰³可以具有的取代基可以任意选择，但优选为选自上述取代基组Z中的1种或者多种的取代基，优选的基团也如上述取代基组Z那样，更优选为氢原子、烷基、芳基，特别优选为氢原子、烷基，最优选为无取代(氢原子)。

(式(201)的优选的结构)

上述式(202)表示的结构中，优选具有以下结构的材料。(亚苯基连接式)

具有苯环连接而成的基团的结构。即，

Ar²⁰¹为苯环结构，i1为1～6，至少一个上述苯环在邻位或者间位与邻接的结构键合。

通过为该结构，可期待溶解性提高，并且电荷传输性提高。

((亚苯基)－芳烷基(烷基))

·环A1或者环A2为具有键合了烷基或芳烷基的芳香族烃基或芳香族杂环基的结构，即，

Ar²⁰¹为芳香族烃结构或者芳香族杂环结构，i1为1～6，

Ar²⁰²为脂肪族烃结构，i2为1～12，优选为3～8，

Ar²⁰³为苯环结构，i3为0或者1。

优选Ar²⁰¹为上述芳香族烃结构，更优选为连接1～5个苯环的结构，更优选为一个苯环。

通过为该结构，可期待溶解性提高，并且电荷传输性提高。

(树突)

·在环A1或者环A2键合了树突的结构。例如，

Ar201、Ar202为苯环结构，Ar203为联苯或者三联苯结构，

i1、i2为1～6，i3为2，j为2。

通过为该结构，可期待溶解性提高，并且电荷传输性提高。

(B²⁰¹－L²⁰⁰－B²⁰²)

B²⁰¹－L²⁰⁰－B²⁰²表示阴离子性的二齿配体。B²⁰¹和B²⁰²各自独立地表示碳原子、氧原子或者氮原子，这些原子可以为构成环的原子。L200表示单键或者与B²⁰¹和B²⁰²一起构成二齿配体的原子团。B²⁰¹－L²⁰⁰－B²⁰²存在多个时，它们可以相同也可以不同。

B²⁰¹－L²⁰⁰－B²⁰²表示的结构中，优选为下述式(203)或者(204)表示的结构。

式(203)中，R²¹¹、R²¹²、R²¹³表示取代基。

式(204)中，环B3表示可以具有取代基的含有氮原子的芳香族杂环结构。

环B3优选为吡啶环。

作为式(201)表示的磷光发光材料，没有特别限定，具体而言可举出以下的结构。

/>

/>

/>

(式(205)中，M²表示金属，T表示碳原子或者氮原子。R⁹²～R⁹⁵各自独立地表示取代基。其中，T为氮原子时，不存在R⁹⁴和R⁹⁵。)

式(205)中，M²表示金属。作为具体例，可举出作为选自元素周期表第7～11族中的金属的上述金属。其中优选举出钌、铑、钯、银、铼、锇，铱、铂或者金，特别优选举出铂、钯等2价金属。

另外，式(205)中，R⁹²和R⁹³各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳烷基、烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧羰基、羧基、烷氧基、烷基氨基、芳烷基氨基、卤代烷基、羟基、芳氧基、芳香族烃基或者芳香族杂环基。

此外，T为碳原子时，R⁹⁴和R⁹⁵各自独立地表示由与R⁹²和R⁹³相同的例示物表示的取代基。另外，T为氮原子时，不存在直接键合于该T的R⁹⁴或者R⁹⁵。另外，R⁹²～R⁹⁵可以进一步具有取代基。作为取代基，可以为上述的取代基。进而，R⁹²～R⁹⁵中任意的2个以上的基团可以相互连接而形成环。

(分子量)

磷光发光材料的分子量优选为5000以下，更优选为4000以下，特别优选为3000以下。另外，本发明中的磷光发光材料的分子量通常为800以上，优选为1000以上，更优选为1200以上。认为通过为该分子量范围，能够得到磷光发光材料彼此不凝聚地与电荷传输材料均匀混合、发光效率高的发光层。

从Tg、熔点、分解温度等高，磷光发光材料和形成的发光层的耐热性优异方面，以及，不易发生由气体产生、再结晶化和分子的迁移等引起的膜质的降低、伴随材料的热分解的杂质浓度的上升等方面考虑，优选磷光发光材料的分子量较大。另一方面，从容易精制有机化合物的方面考虑，优选磷光发光材料的分子量较小。

(主体材料)

使用本发明的聚合物作为形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一方的电荷传输性材料的有机电致发光元件中，发光层为磷光发光材料时，作为主体材料，优选以下的材料。

＜主体材料＞

发光层的主体材料是具有电荷传输性优异的骨架的材料，优选从电子传输性材料、空穴传输性材料和能够传输电子与空穴这两方的双极性材料中选择。

(电荷传输性优异的骨架)

作为电荷传输性优异的骨架，具体而言，可举出芳香族结构、芳香族胺结构、三芳基胺结构、二苯并呋喃结构、萘结构、菲结构、酞菁结构、卟啉结构、噻吩结构、苄基苯基结构、芴结构、喹吖啶酮结构、三亚苯结构、咔唑结构、芘结构、蒽结构、菲咯啉结构、喹啉结构、吡啶结构、嘧啶结构、三嗪结构、二唑结构或者咪唑结构等。

(电子传输性材料)

作为电子传输性材料，从电子传输性优异且结构比较稳定的材料的观点考虑，更优选具有吡啶结构、嘧啶结构、三嗪结构的化合物，进一步优选为具有嘧啶结构、三嗪结构的化合物。

(空穴传输性材料)

空穴传输性材料是具有空穴传输性优异的结构的化合物，上述电荷传输性优异的中心骨架中，优选咔唑结构、二苯并呋喃结构、三芳基胺结构、萘结构、菲结构或者芘结构作为空穴传输性优异的结构，进一步优选咔唑结构、二苯并呋喃结构或者三芳基胺结构。

(3环以上的稠环结构)

发光层的主体材料优选具有3环以上的稠环结构，进一步优选为具有2个以上3环以上的稠环结构的化合物或者具有至少一个5环以上的稠环的化合物。通过为这些化合物，容易得到分子的刚性增加、抑制热响应的分子运动的程度的效果。并且，从电荷传输性和材料的耐久性方面考虑，3环以上的稠环和5环以上的稠环优选具有芳香族烃环或者芳香族杂环。

作为3环以上的稠环结构，具体而言，可举出蒽结构、菲结构、芘结构、结构、并四苯结构、三亚苯结构、芴结构、苯并芴结构、茚并芴结构、吲哚并芴结构、咔唑结构、茚并咔唑结构、吲哚并咔唑结构、二苯并呋喃结构、二苯并噻吩结构等。从电荷传输性和溶解性的观点考虑，优选选自菲结构、芴结构、茚并芴结构、咔唑结构、茚并咔唑结构、吲哚并咔唑结构、二苯并呋喃结构和二苯并噻吩结构中的至少一个，从对电荷的耐久性的观点考虑，进一步优选咔唑结构或者吲哚并咔唑结构。

(三嗪＿嘧啶)

本发明中，从有机电致发光元件对电荷的耐久性的观点考虑，优选发光层的主体材料中的至少一个为具有嘧啶骨架或者三嗪骨架的材料。

(分子量范围)

从挠性优异的观点考虑，发光层的主体材料优选为高分子材料。使用挠性优异的材料形成的发光层优选作为形成于柔性基板上的有机电致发光元件的发光层。发光层中含有的主体材料为高分子材料时，重均分子量优选为5000以上且1000000以下，进一步优选为10000以上且500000以下，更优选为10000以上且100000以下。

另外，从合成和精制的容易性、电子传输性能和空穴传输性能的设计的容易性、溶解于溶剂时的粘度调整的容易性的观点考虑，发光层的主体材料优选为低分子。发光层中含有的主体材料为低分子材料时，分子量优选为5000以下，更优选为4000以下，特别优选为3000以下，最优选为2000以下，通常为300以上，优选为350以上，更优选为400以上。

(蓝色荧光发光层)

使用本发明的聚合物作为形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一方的电荷传输性材料的有机电致发光元件中，发光层为荧光发光材料时，优选为下述的蓝色荧光发光材料。

(蓝色荧光发光材料)

作为蓝色荧光发光层用发光材料，没有特别限定，优选下述式(211)。

上述式(211)中，

Ar²⁴¹表示可以具有取代基的芳香族烃稠环结构，

Ar²⁴²、Ar²⁴³各自独立地表示可以具有取代基的烷基、芳香族烃基或者这些键合而成的基团。

n41为1～4。

Ar²⁴¹优选表示碳原子数10～30的芳香族烃稠环结构，

作为具体的结构，可举出萘、苊、芴、蒽、菲、荧蒽、芘、并四苯、苝等。

更优选为碳原子数12～20的芳香族烃稠环结构，

作为具体的结构，可举出苊、芴、蒽、菲、荧蒽、芘、并四苯、苝。

更优选为碳原子数16～18的芳香族烃稠环结构，

作为具体的结构，可举出荧蒽、芘、

n41为1～4，优选为1～3，更优选为1～2，最优选为2。

(Ar²⁴¹、Ar²⁴²、Ar²⁴³的取代基)

Ar²⁴¹、Ar²⁴²、Ar²⁴³可以具有的取代基优选从上述取代基组Z中选择的基团，更优选取代基组Z中包含的烃基，进一步优选为作为取代基组Z而优选的基团中的烃基。

(蓝色荧光发光层用主体材料)

使用本发明的聚合物作为形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一方的电荷传输性材料的有机电致发光元件中，发光层为荧光发光材料时，作为主体材料，优选以下的材料。

作为蓝色荧光发光层用主体材料，没有特别限定，优选下述式(212)。

上述式(212)中，

R²⁴¹、R²⁴²各自独立地为式(213)表示的结构，

R²⁴³表示取代基，R²⁴³为多个时，可以相同也可以不同，n43为0～8。

Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃结构或者可以具有取代基的杂芳香环结构，

Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵分别存在多个时，可以相同也可以不同，

n44为1～5，n45为0～5。

Ar²⁴⁴优选为可以具有取代基的碳原子数6～30的单环或者稠环的芳香族烃结构，更优选为可以具有取代基的碳原子数6～12的单环或者稠环的芳香族烃结构。

Ar²⁴⁵优选为可以具有取代基的碳原子数6～30的单环或者稠环的芳香族烃结构，或者可以具有取代基的碳原子数6～30的稠环的芳香族杂环结构，

更优选为可以具有取代基的碳原子数6～12的单环或者稠环的芳香族烃结构，或者可以具有取代基的碳原子数12的稠环的芳香族杂环结构。

n44优选为1～3，更优选为1或者2，

n45优选为0～3，更优选为0～2。

(R²⁴³，Ar²⁴⁴，Ar²⁴⁵的取代基)

作为取代基的R²⁴³和Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵可以具有的取代基优选为选自上述取代基组Z中的基团，更优选为取代基组Z中包含的烃基，进一步优选为作为取代基组Z而优选的基团中的烃基。

(分子量)

蓝色荧光发光层用发光材料和主体材料的分子量优选为5000以下，更优选为4000以下，特别优选为3000以下，最优选为2000以下，通常为300以上，优选为350以上，更优选为400以上。

＜有机电致发光元件＞

本发明的有机电致发光元件是在基板上具有阳极和阴极以及在该阳极与该阴极之间的有机层的有机电致发光元件，其特征在于，该有机层包含使用含有本发明的聚合物的本发明的有机电致发光元件用组合物利用湿式成膜法形成的层。

本发明的有机电致发光元件中，利用湿式成膜法形成的层优选为空穴注入层和空穴传输层中的至少一方，特别优选该有机层具备空穴注入层、空穴传输层和发光层，且这些空穴注入层、空穴传输层和发光层全部为利用湿式成膜法形成的层。

本发明中湿式成膜法是指采用例如旋涂法、浸涂法、模涂法、棒涂法、刮涂法、辊涂法、喷涂法、毛细管涂布法、喷墨法、喷嘴印刷法、丝网印刷法、凹版印刷法、柔版印刷法等以湿式成膜的方法作为成膜方法、即涂布方法，将该涂布膜干燥而进行膜形成的方法。这些成膜方法中，优选旋涂法、喷涂法、喷墨法、喷嘴印刷法等。

作为本发明的有机电致发光元件的结构的一个例子，图1中示出有机电致发光元件8的结构例的示意图(截面)。图1中，1表示基板，2表示阳极，3表示空穴注入层，4表示空穴传输层，5表示发光层，6表示电子传输层，7表示阴极。

以下，参照图1对本发明的有机电致发光元件的层构成和其一般的形成方法等实施方式的一个例子进行说明。

[基板]

基板1为有机电致发光元件的支承体，通常使用石英或玻璃的板、金属板、金属箔、塑料膜、片等。其中优选玻璃板、聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成树脂的板。从不易因外部空气导致有机电致发光元件劣化的方面考虑，基板优选为阻气性高的材质。因此，特别是使用像合成树脂制的基板等那样阻气性低的材质时，优选在基板的至少一面设置致密的硅氧化膜等来提高阻气性。

[阳极]

阳极2承担向发光层5侧的层注入空穴的功能。

阳极2通常由铝、金、银、镍、钯、铂等金属；铟和/或锡的氧化物等金属氧化物；碘化铜等金属卤化物；炭黑和聚(3－甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电性高分子等构成。

阳极2的形成通常大多利用溅射法、真空蒸镀法等干式法进行。另外，使用银等金属微粒、碘化铜等微粒、炭黑、导电性的金属氧化物微粒、导电性高分子微粉末等形成阳极时，也可以通过使其分散在适当的粘合剂树脂溶液、涂布在基板上而形成。另外，导电性高分子的情况下，也可以通过电解聚合直接在基板上形成薄膜，或者在基板上涂布导电性高分子形成阳极(Appl.Phys.Lett.，60卷，2711页，1992年)。

阳极2通常为单层结构，但也可以适当采用层叠结构。阳极2为层叠结构时，可以在第1层的阳极上层叠不同的导电材料。

阳极2的厚度根据所需的透明性和材质等决定即可。特别是需要高的透明性时，优选可见光的透过率为60％以上的厚度，更优选为80％以上的厚度。阳极2的厚度优选通常设为5nm以上，优选为10nm以上，另外，通常设为1000nm以下，优选为500nm以下。另一方面，不需要透明性时，阳极2的厚度可以根据需要的强度等制成任意的厚度，这时，阳极2可以为与基板相同的厚度。

在阳极2的表面成膜其他层时，优选在成膜前预先实施紫外线/臭氧、氧等离子体、氩等离子体等的处理，从而将阳极2上的杂质除去，并且调整其电离势来提高空穴注入性。

[空穴注入层]

承担从阳极2侧向发光层5侧传输空穴的功能的层通常被称为空穴注入传输层或者空穴传输层。而且，承担从阳极2侧向发光层5侧传输空穴的功能的层为2层以上时，有时将更靠近阳极侧的层称为空穴注入层3。从增强从阳极2向发光层5侧传输空穴的功能方面考虑，优选形成空穴注入层3。形成空穴注入层3时，通常，在阳极2上形成空穴注入层3。

空穴注入层3的膜厚通常为1nm以上，优选为5nm以上，另外，通常为1000nm以下，优选为500nm以下。

空穴注入层的形成方法可以是真空蒸镀法，也可以是湿式成膜法。从成膜性优异方面考虑，优选利用湿式成膜法形成。

空穴注入层3优选含有空穴传输性化合物，更优选含有空穴传输性化合物和电子接受性化合物。进而，优选空穴注入层中含有阳离子自由基化合物，特别优选含有阳离子自由基化合物和空穴传输性化合物。

以下，对一般的空穴注入层的形成方法进行说明，本实施方式的有机电致发光元件中，空穴注入层优选使用作为本发明的一个实施方式的上述的有机电致发光元件用组合物利用湿式成膜法形成。

[空穴传输性化合物]

空穴注入层形成用组合物通常含有成为空穴注入层3的空穴传输性化合物。另外，湿式成膜法的情况下，通常还含有溶剂。空穴注入层形成用组合物优选空穴传输性高、能够高效地传输被注入的空穴。因此，优选空穴迁移率大，制造时、使用时等不易产生成为陷阱的杂质。另外，优选稳定性优异，电离势小，对可见光的透明性高。特别是，空穴注入层与发光层相接时，优选不会淬灭来自发光层的发光的化合物、或者与发光层形成激基复合物而不会降低发光效率的化合物。

作为空穴传输性化合物，从阳极向空穴注入层的电荷注入势垒的观点考虑，优选具有4.5eV～6.0eV的电离势的化合物。作为空穴传输性化合物的例子，可举出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、卟啉系化合物、低聚噻吩系化合物、聚噻吩系化合物、苄基苯基系化合物、以芴基连接叔胺而成的化合物、腙系化合物、硅氮烷系化合物、喹吖啶酮系化合物等。

上述的例示化合物中，从非晶性和可见光透过性方面考虑，优选芳香族胺化合物，特别优选芳香族叔胺化合物。这里，芳香族叔胺化合物是具有芳香族叔胺结构的化合物，也包括具有来自芳香族叔胺的基团的化合物。

芳香族叔胺化合物的种类没有特别限制，从因表面平滑化效果而容易得到均匀的发光方面考虑，优选使用重均分子量为1000以上且1000000以下的高分子化合物(重复单元相连的聚合型化合物)。

空穴注入层3中，为了可以通过空穴传输性化合物的氧化来提高空穴注入层的导电率，优选含有前述的电子接受性化合物、前述的阳离子自由基化合物。

PEDOT/PSS(Adv.Mater.，2000年，12卷，481页)、聚苯胺盐酸盐(J.Phys.Chem.，1990年，94卷，7716页)等来自高分子化合物的阳离子自由基化合物也通过氧化聚合(脱氢聚合)而生成。

这里所说的氧化聚合是将单体在酸性溶液中使用过氧化二硫酸盐等化学地或者电化学地氧化。该氧化聚合(脱氢聚合)的情况下，通过单体被氧化而高分子化，并且，生成将来自酸性溶液的阴离子作为抗衡阴离子的、从高分子的重复单元中除去一个电子而得的阳离子自由基。

[利用湿式成膜法形成空穴注入层]

利用湿式成膜法形成空穴注入层3时，通常，将成为空穴注入层的材料与可溶解其的溶剂(空穴注入层用溶剂)混合而制备成膜用的组合物(空穴注入层形成用组合物)，将该空穴注入层形成用组合物涂布在相当于空穴注入层的下层的层(通常为阳极)上进行成膜，使其干燥，由此形成。

空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度只要不明显损害本发明的效果就是任意的，但从膜厚的均匀性方面考虑，优选低，另外，另一方面，从空穴注入层不易产生缺陷方面考虑，优选高。具体而言，优选为0.01质量％以上，更优选为0.1质量％以上，特别优选为0.5质量％以上，另外，另一方面，优选为70质量％以下，更优选为60质量％以下，特别优选为50质量％以下。

作为溶剂，例如，可举出醚系溶剂、酯系溶剂、芳香族烃系溶剂、酰胺系溶剂等。

作为醚系溶剂，例如，可举出乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇－1－单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚以及1，2－二甲氧基苯、1，3－二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2－甲氧基甲苯、3－甲氧基甲苯、4－甲氧基甲苯、2，3－二甲基苯甲醚、2，4－二甲基苯甲醚等芳香族醚等。

作为酯系溶剂，例如，可举出乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁基等芳香族酯等。

作为芳香族烃系溶剂，例如，可举出甲苯、二甲苯、环己基苯、3－异丙基联苯、1，2，3，4－四甲基苯、1，4－二异丙基苯、甲基萘等。

作为酰胺系溶剂，例如，可举出N，N－二甲基甲酰胺、N，N－二甲基乙酰胺等。

此外，还可以使用二甲基亚砜等。

利用湿式成膜法形成空穴注入层3通常通过在制备空穴注入层形成用组合物后，将其涂布在相当于空穴注入层3的下层的层(通常为阳极2)上进行成膜、干燥而进行。

空穴注入层3通常在成膜后利用加热、减压干燥等使涂布膜干燥。

[利用真空蒸镀法形成空穴注入层]

利用真空蒸镀法形成空穴注入层3时，通常，将空穴注入层3的构成材料(上述的空穴传输性化合物、电子接受性化合物等)中的1种或者2种以上放入设置于真空容器内的坩埚中(使用2种以上的材料时，通常将它们各自放入不同的坩埚中)，用真空泵将真空容器内排气到10^-4Pa左右后，加热坩埚(使用2种以上的材料时，通常加热各自的坩埚)，一边控制坩埚内的材料的蒸发量一边使其蒸发(使用2种以上的材料时，通常各自单独地控制蒸发量进行蒸发)，在面对坩埚放置的基板上的阳极上形成空穴注入层。应予说明，使用2种以上的材料时，也可以将它们的混合物放入坩埚中，加热，蒸发而形成空穴注入层。

蒸镀时的真空度只要不明显损害本发明的效果就没有限定，通常为0.1×10^-6Torr(0.13×10^-4Pa)以上且9.0×10^-6Torr(12.0×10^-4Pa)以下。蒸镀速度只要不明显损害本发明的效果就没有限定，通常为以上且/>以下。蒸镀时的成膜温度只要不明显损害本发明的效果就没有限定，优选在10℃以上且50℃以下进行。

应予说明，空穴注入层3可以与后述的空穴传输层4同样地交联。

[空穴传输层]

空穴传输层4是承担从阳极2侧向发光层5侧传输空穴的功能的层。空穴传输层4在本发明的有机电致发光元件中不是必需的层，但从增强从阳极2向发光层5传输空穴的功能方面考虑，优选形成该层。形成空穴传输层4时，通常空穴传输层4形成于阳极2与发光层5之间。另外，存在上述的空穴注入层3时，形成于空穴注入层3与发光层5之间。

空穴传输层4的膜厚通常为5nm以上，优选为10nm以上，另外，另一方面，通常为300nm以下，优选为100nm以下。

空穴传输层4的形成方法可以是真空蒸镀法，也可以是湿式成膜法。从成膜性优异方面考虑，优选利用湿式成膜法形成。

以下对一般的空穴传输层的形成方法进行说明，本实施方式的有机电致发光元件中，空穴传输层优选使用上述有机电致发光元件用组合物利用湿式成膜法形成。

空穴传输层4通常含有空穴传输性化合物。作为空穴传输层4中含有的空穴传输性化合物，优选本发明的聚合物，或者本发明的聚合物具有交联性基团时为本发明的聚合物交联而成的聚合物。并且，除了本发明的聚合物之外，作为优选的化合物可举出上述空穴传输性化合物、由4，4’－双[N－(1－萘基)－N－苯基氨基]联苯代表的含有2个以上的叔胺且在氮原子上取代有2个以上的稠合芳香族环的芳香族二胺(日本特开平5－234681号公报)、4，4’，4”－三(1－萘基苯基氨基)三苯基胺等具有星爆结构的芳香族胺化合物(J.Lumin.，72－74卷，985页，1997年)、由三苯基胺的四聚体形成的芳香族胺化合物(Chem.Commun.，2175页，1996年)，2，2’，7，7’－四－(二苯基氨基)－9，9’－螺二芴等螺环化合物(Synth.Metals，91卷，209页，1997年)、4，4’－N，N’－二咔唑联苯等咔唑衍生物等。另外，例如可以含有聚乙烯基咔唑、聚乙烯基三苯基胺(日本特开平7－53953号公报)、含有四苯基联苯胺的聚亚芳基醚砜(Polym.Adv.Tech.，7卷，33页，1996年)等。

[利用湿式成膜法形成空穴传输层]

利用湿式成膜法形成空穴传输层时，通常与利用湿式成膜法形成上述的空穴注入层的情况同样，使用空穴传输层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成。

利用湿式成膜法形成空穴传输层时，通常空穴传输层形成用组合物进一步含有溶剂。空穴传输层形成用组合物中使用的溶剂可以使用与上述的空穴注入层形成用组合物中使用的溶剂相同的溶剂。

空穴传输层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度可以为与空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度相同的范围。

利用湿式成膜法形成空穴传输层以与上述的空穴注入层成膜法同样地进行。

[利用真空蒸镀法形成空穴传输层]

利用真空蒸镀法形成空穴传输层时，通常与利用真空蒸镀法形成上述的空穴注入层的情况同样地，使用空穴传输也层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成。蒸镀时的真空度、蒸镀速度和温度等成膜条件等可以在与上述空穴注入层的真空蒸镀时相同的条件下进行成膜。

[发光层]

发光层5是承担如下功能的层：在一对电极间施加电场时，通过从阳极2注入的空穴和从阴极7注入的电子再结合而被激发，从而进行发光。发光层5是形成于阳极2与阴极7之间的层，在阳极上存在空穴注入层时，发光层形成于空穴注入层与阴极之间，在阳极上存在空穴传输层时，发光层形成于空穴传输层与阴极之间。

发光层5的膜厚只要不明显损害本发明的效果就是任意的，但从膜不易产生缺陷方面考虑，优选厚，另外，另一方面，从容易实现低驱动电压方面考虑，优选薄。因此，优选为3nm以上，更优选为5nm以上，另外，另一方面，通常优选为200nm以下，更优选为100nm以下。

发光层5至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且优选含有主体材料。

本发明的有机电致发光元件中的优选的发光材料和主体材料如上所述。

[利用湿式成膜法形成发光层]

发光层的形成方法可以是真空蒸镀法，也可以是湿式成膜法，但从成膜性优异方面考虑，优选湿式成膜法，更优选旋涂法和喷墨法。特别是如果使用上述的有机电致发光元件用组合物形成成为发光层的下层的空穴注入层或者空穴传输层，则容易利用湿式成膜法进行层叠化，因此优选采用湿式成膜法。利用湿式成膜法形成发光层时，通常与利用湿式成膜法形成上述的空穴注入层的情况同样，使用将成为发光层的材料与可溶解其的溶剂(发光层用溶剂)混合而制备的发光层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成。

作为溶剂，例如，除了空穴注入层的形成中举出的醚系溶剂、酯系溶剂、芳香族烃系溶剂、酰胺系溶剂以外，还可举出烷烃系溶剂、卤代芳香族烃系溶剂、脂肪族醇系溶剂、脂环族醇系溶剂、脂肪族酮系溶剂和脂环族酮系溶剂等。以下举出溶剂的具体例，但只要不损害本发明的效果，就不限于这些。

例如，可举出乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇－1－单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚系溶剂；1，2－二甲氧基苯、1，3－二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2－甲氧基甲苯、3－甲氧基甲苯、4－甲氧基甲苯、2，3－二甲基苯甲醚、2，4－二甲基苯甲醚、二苯基醚等芳香族醚系溶剂；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯系溶剂；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯、四氢化萘、3－异丙基联苯、1，2，3，4－四甲基苯、1，4－二异丙基苯、甲基萘等芳香族烃系溶剂；N，N－二甲基甲酰胺、N，N－二甲基乙酰胺等酰胺系溶剂；正癸烷、环己烷、乙基环己烷、十氢萘、双环己烷等烷烃系溶剂；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代芳香族烃系溶剂；丁醇、己醇等脂肪族醇系溶剂；环己醇、环辛醇等脂环族醇系溶剂；甲基乙基酮、二丁基酮等脂肪族酮系溶剂；环己酮、环辛酮、葑酮等脂环族酮系溶剂等。其中，特别优选烷烃系溶剂和芳香族烃系溶剂。

[空穴阻挡层]

可以在发光层5与后述的电子注入层之间设置空穴阻挡层。空穴阻挡层为在发光层5上以与发光层5的阴极7侧的界面相接的方式层叠的层。

该空穴阻挡层具有阻止从阳极2迁移来的空穴到达阴极7的作用以及将从阴极7注入的电子高效地向发光层5的方向传输的作用。作为构成空穴阻挡层的材料所要求的物性，可举出电子迁移率高，空穴迁移率低，能隙(HOMO、LUMO之差)大，激发三重态能级(T ₁)高。

作为满足这样的条件的空穴阻挡层的材料，例如，可举出双(2－甲基－8－羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2－甲基－8－羟基喹啉)(三苯基硅烷醇)铝等混合配体配合物、双(2－甲基－8－羟基喹啉)铝－μ－氧代－双－(2－甲基－8－羟基喹啉)铝二核金属配合物等金属配合物、二苯乙烯基联苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本特开平11－242996号公报)、3－(4－联苯基)－4－苯基－5－(4－叔丁基苯基)－1，2，4－三唑等三唑衍生物(日本特开平7－41759号公报)、浴铜灵等菲咯啉衍生物(日本特开平10－79297号公报)等。此外，国际公开第2005/022962号记载的具有至少一个2，4，6位被取代的吡啶环的化合物也优选作为空穴阻挡层的材料。

空穴阻挡层的形成方法没有限制。因此，可以利用湿式成膜法、蒸镀法、其他方法形成。

空穴阻挡层的膜厚只要不明显损害本发明的效果就是任意的，但通常为0.3nm以上，优选为0.5nm以上，另外，通常为100nm以下，优选为50nm以下。

[电子传输层]

出于进一步提高元件的电流效率的目的，在发光层5与电子注入层之间设置电子传输层6。

电子传输层6由能够在施加电场的电极间将从阴极7注入的电子高效到向发光层5的方向传输的化合物形成。作为电子传输层6中使用的电子传输性化合物，需要为来自阴极7或者电子注入层的电子注入效率高、且具有高的电子迁移率、能够高效地传输所注入的电子的化合物。

作为电子传输层中使用的电子传输性化合物，具体而言，例如，可举出8－羟基喹啉的铝配合物等金属配合物(日本特开昭59－194393号公报)、10－羟基苯并[h]喹啉的金属配合物、二唑衍生物、二苯乙烯基联苯基衍生物、噻咯衍生物、3－羟基黄酮金属配合物、5－羟基黄酮金属配合物、苯并/>唑金属配合物、苯并噻唑金属配合物、三苯并咪唑基苯(美国专利第5645948号说明书)、喹喔啉化合物(日本特开平6－207169号公报)、菲咯啉衍生物(日本特开平5－331459号公报)、2－叔丁基－9，10－N，N’－二氰基蒽醌二亚胺、n型氢化非晶碳化硅、n型硫化锌、n型硒化锌等。

电子传输层6的膜厚通常为1nm以上，优选为5nm以上，另外，通常为300nm以下，优选为100nm以下。

电子传输层6与上述同样地通过利用湿式成膜法或真空镀法在空穴阻挡层上层叠而形成。通常使用真空蒸镀法。

[电子注入层]

电子注入层起到将从阴极7注入的电子高效地向电子传输层6或者发光层5注入的作用。

为了高效地进行电子注入，形成电子注入层的材料优选功函数低的金属。作为例子，使用钠、铯等碱金属、钡、钙等碱土金属等。其膜厚通常为0.1nm以上，优选为5nm以下。

此外，在红菲咯啉等含氮杂环化合物、8－羟基喹啉的铝配合物等金属配合物所代表的有机电子传输材料中掺杂钠、钾、铯、锂、铷等碱金属(日本特开平10－270171号公报，日本特开2002－100478号公报，特开2002－100482号公报等记载)也能够兼得电子注入·传输性提高和优异的膜质，因而优选。

电子注入层的膜厚通常为5nm以上，优选为10nm以上，另外，通常为200nm以下，优选100nm以下的范围。

电子注入层通过利用湿式成膜法或真空蒸镀法层叠在发光层5或者其上的空穴阻挡层、电子传输层6上而形成。

湿式成膜法的情况的详细内容与前述的发光层的情况相同。

也存在通过电子传输材料与锂配合物共掺杂的操作使空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层形成为一层的情况。

[阴极]

阴极7起到向发光层5侧的层(电子注入层或者发光层等)中注入电子的作用。

作为阴极7的材料，可以使用上述的阳极2中使用的材料，但从高效进行电子注入方面考虑，优选使用功函数低的金属，例如，使用锡、镁、铟、钙、铝、银等金属或者它们的合金等。作为具体例，例如，可举出镁－银合金、镁－铟合金、铝－锂合金等低功函数的合金电极等。

从元件的稳定性方面考虑，优选在阴极上层叠功函数高、对大气稳定的金属层而保护由低功函数的金属构成的阴极。作为层叠的金属，例如，可举出铝、银、铜、镍、铬、金、铂等金属。

阴极的膜厚通常与阳极相同。

[其他的层]

本发明的有机电致发光元件只要不明显损害本发明的效果，就可以进一步具有其他的层。即，可以在阳极与阴极之间具有除上述以外的其他任意的层。

[其他的元件构成]

本发明的有机电致发光元件也可以为与上述的说明相反的结构，即，在基板上按阴极、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极的顺序层叠。

将本发明的有机电致发光元件用于有机电致发光装置时，可以作为单一的有机电致发光元件使用，可以制成多个有机电致发光元件配置成阵列状的构成来使用，也可以制成阳极与阴极配置成X－Y矩阵状的构成来使用。

＜有机EL显示装置＞

本发明的有机EL显示装置(有机电致发光元件显示装置)使用了上述的本发明的有机电致发光元件。本发明的有机EL显示装置的型式、结构没有特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件并按照常规方法组装。

例如，可以用“有机EL显示器”(Ohm公司，平成16年8月20日发行，时任静士，安达千波矢，村田英幸著)中记载的方法形成本发明的有机EL显示装置。

＜有机EL照明＞

本发明的有机EL照明(有机电致发光元件照明)使用上述的本发明的有机电致发光元件。本发明的有机EL照明的型式、结构没有特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件并按照常规方法组装。

实施例

以下，示出实施例进一步对本发明进行更具体的说明。但是，本发明不限于以下的实施例，本发明只要不脱离其要旨就可以任意变更来实施。

＜中间体的合成＞

[化合物5的合成]

将在1L烧瓶中加入甲苯270ml、乙醇135ml、化合物4(富士胶片和光纯药公司制)20.0g(44.8mmol)、1－溴－4－碘苯50.72g(179.3mmol)、磷酸钾水溶液(2M，即2摩尔/升浓度)191ml而成的溶液进行真空脱气后，进行氮置换。在氮气流下加热，搅拌30分钟。其后加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)0.63g(0.90mmol)，回流6小时。向反应液中加入水，用甲苯萃取，用MgSO ₄和活性粘土进行处理。将甲苯溶液加热回流后，过滤不溶物，进行重结晶，得到无色固体的化合物5(产量14.2g，收率60.2％)。

[化合物7的合成]

使用化合物6(东京化成工业株式会社制)代替化合物4，除此以外，用与化合物5的合成相同的方法合成化合物7。

[化合物9的合成]

使用化合物8(东京化成工业株式会社制)代替化合物4，除此以外，用与化合物5的合成相同的方法，合成化合物9。

[化合物10的合成]

使用1－溴－4－碘苯代替5－溴－2－碘甲苯，除此以外，用与化合物5的合成相同的方法合成化合物10。

[化合物11的合成]

在氮气流下，在300ml的烧瓶中加入100ml的二甲基亚砜、化合物7(5.0g，7.43mmol)、双(频哪醇合)二硼烷(5.66g，22.29mmol)、乙酸钾(4.4g，44.58mmol)，在60℃搅拌30分钟。

其后，加入1，1’－双(二苯基膦基)二茂铁－二氯化钯(II)－二氯甲烷〔PdCl₂(dppf)CH₂Cl₂〕(0.60g，0.74mmol)，在85℃进行3小时反应。将反应液减压过滤，用甲苯萃取滤液，用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。再利用柱色谱(展开液：己烷/乙酸乙酯＝95/5)对粗精制品进行精制，得到化合物11(4.5g)。

[化合物12的合成]

使用化合物11代替化合物4，除此以外，用与化合物10的合成相同的方法合成化合物12。

[化合物13的合成]

使用化合物9代替化合物7，除此以外，用与化合物11的合成相同的方法合成化合物13。

[化合物14的合成]

使用化合物13代替化合物4，除此以外，用与化合物10的合成相同的方法合成化合物14。

[化合物16的合成]

使用化合物6(东京化成工业株式会社制)代替化合物4，除此以外，用与化合物10的合成相同的方法合成化合物16。

[化合物17的合成]

使用化合物16代替化合物7，除此以外，用与化合物11的合成相同的方法合成化合物17。

[化合物18的合成]

使用化合物17代替化合物4，除此以外，用与化合物10的合成相同的方法合成化合物18。

[化合物22的合成]

在氮气流中，向东京化成工业株式会社制的2－溴－7－碘－芴(25.3g，68.19mmol)、东京化成工业株式会社制的1－溴己烷(33.8g，204.57mmol)、二甲基亚砜(560ml)、四丁基溴化铵(5.5g)中缓慢地滴加氢氧化钠13.6g的22ml水溶液，其后在55℃反应3小时。放置冷却到室温后，缓慢地加入纯水(400ml)，搅拌15分钟后，加入二氯甲烷(400ml)，进行分液，用二氯甲烷(200ml×2次)萃取水层，合并有机层，用硫酸镁干燥后，浓缩。并且，用硅胶柱色谱(正己烷/二氯甲烷＝850/150)精制，由此得到无色固体的化合物22(30.8g)。

[化合物23的合成]

在氮气流下，将化合物22(17.8g，33.0mmol)、4－(9H－咔唑－9－基)苯基硼酸(9.5g，33.0mmol)、磷酸钾(21.0g，99.0mmol)、甲苯(100ml)、乙醇(50ml)和水(50ml)装入烧瓶中，将体系内充分进行氮置换，加热到65℃。

加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)(0.12g，0.17mmol)，在65℃搅拌3小时。向反应液加入水，用甲苯进行萃取。将有机层用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。利用柱色谱(展开液：己烷/二氯甲烷＝80/20)对粗精制品进行精制，得到化合物23(18.4g，收率85.2％)。

[化合物24的合成]

在氮气流下，向300ml的烧瓶中加入100ml的二甲基亚砜、化合物23(18.2g，27.8mmol)、双(频哪醇合)二硼烷(10.6g，41.7mmol)、乙酸钾(8.2g，83.4mmol)，在60℃搅拌30分钟。其后，加入1，1’－双(二苯基膦基)二茂铁－二氯化钯(II)－二氯甲烷〔PdCl₂(dppf)CH₂Cl₂〕(2.3g，2.78mmol)，在85℃进行4.5小时的反应。

将反应液减压过滤，用甲苯萃取滤液，用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。再利用柱色谱(展开液：己烷/乙酸乙酯＝90/10)对粗精制品进行精制，得到化合物24(17.7g，收率90.7％)。

[化合物25的合成]

接着，将化合物24(5.3g，7.49mmol)、3－溴－9－(4－碘苯基)－9H－咔唑(3.3g，7.34mmol)、磷酸钾(4.2g，19.82mmol)、甲苯(30ml)、乙醇(15ml)和水(10ml)装入烧瓶中，将体系内充分进行氮置换，加热到65℃。

加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)(0.052g，0.073mmol)，在65℃搅拌3小时。向反应液加入水，用甲苯进行萃取。将有机层用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。将粗精制品利用柱色谱(展开液：己烷/二氯甲烷＝75/25)进行精制，得到化合物25(4.8g，收率76.0％)。

[化合物27的合成]

接着，将化合物25(4.6g，5.13mmol)、化合物26(2.2g，6.67mmol)、碳酸钾(2.1g，15.4mmol)和甲苯(24ml)、乙醇(8ml)、水(8ml)装入烧瓶中，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃。加入四(三苯基膦)钯(0)(0.18g，0.154mmol)，在85℃搅拌3.5小时。向反应液加入水，用甲苯进行萃取。将有机层用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。将粗精制品利用柱色谱(展开液：己烷/二氯甲烷＝60/40)进行精制，得到化合物27(3.9g，收率74.9％)。

[化合物28的合成]

在氮气流下，向300ml的烧瓶中加入40ml的四氢呋喃、40ml的乙醇、化合物27(3.9g，3.84mmol)、钯/碳(10％，约55％水湿润品，0.29g)，在52℃搅拌10分钟。其后，滴加肼一水合物(1.3g)，在该温度反应5小时。

将反应液用水润湿的硅藻土进行减压过滤，浓缩滤液，用乙醇重结晶进行精制，得到化合物28(3.3g，收率87.2％)。

[化合物33的合成]

在氮气流下，向500ml的烧瓶中加入200ml的二甲基亚砜、化合物29(15.5g，38.34mmol)、双(频哪醇合)二硼烷(24.3g，95.81mmol)、乙酸钾(22.6g，230.0mmol)，在60℃搅拌30分钟。其后加入1，1’－双(二苯基膦基)二茂铁－二氯化钯(II)－二氯甲烷〔PdCl₂(dppf)CH₂Cl₂〕(3.1g，3.83mmol)，在85℃进行3小时反应。将反应液减压过滤，用甲苯萃取滤液，用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。再利用柱色谱(展开液：己烷/乙酸乙酯＝95/5)对粗精制品进行精制，得到化合物30(9.2g，收率48％)。

接着，将化合物30(6.1g，12.24mmol)、1－溴－4－碘苯(13.85g，48.96mmol)、磷酸钾(15.6g，73.44mmol)和甲苯(80ml)、乙醇(40ml)、水(37ml)装入烧瓶中，将体系内充分进行氮置换，加热到65℃。加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)(0.17g，0.25mmol)，在65℃搅拌3小时。向反应液加入水，用甲苯进行萃取。将有机层用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。将粗精制品利用柱色谱(展开液：己烷/二氯甲烷＝98/2)进行精制，得到化合物31(5.2g，收率76.3％)。

在氮气流下，在300ml的烧瓶中加入100ml的二甲基亚砜、化合物31(5.2g，9.35mmol)、双(频哪醇合)二硼烷(7.1g，28.04mmol)、乙酸钾(5.5g，56.1mmol)，在60℃搅拌30分钟。其后加入1，1’－双(二苯基膦基)二茂铁－二氯化钯(II)－二氯甲烷〔PdCl₂(dppf)CH₂Cl₂〕(0.77g，0.94mmol)，在85℃进行3小时反应。将反应液减压过滤，用甲苯萃取滤液，用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。再利用柱色谱(展开液：己烷/乙酸乙酯＝95/5)对粗精制品进行精制，得到化合物32(5.1g，收率85％)。

接着，将化合物32(5.1g，7.84mmol)、2－碘－5－溴甲苯(9.3g，31.36mmol)、磷酸钾(10.0g，47.04mmol)和甲苯(50ml)、乙醇(25ml)、水(23ml)装入烧瓶中，将体系内充分进行氮置换，加热到65℃。加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)(0.11g，0.16mmol)，在65℃搅拌3小时。向反应液加入水，用甲苯进行萃取。将有机层用无水硫酸镁进行干燥，利用活性粘土进行粗精制。将粗精制品利用柱色谱(展开液：己烷/二氯甲烷＝98/2)进行精制，得到化合物33(4.8g，收率83.1％)。

＜实施例1－1＞

[聚合物1的合成]

按照以下的反应式合成聚合物1。

将化合物7(2.00g，3.0mmol)、2－氨基－9，9－二甲基芴(1.24g，6.00mmol)、叔丁醇钠(2.20g，22.9mmol)、甲苯(60g)装入烧瓶中，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃(溶液A)。向装在另一烧瓶的三(二亚苄基丙酮)二钯配合物(0.054g，0.059mmol)的甲苯3.1g溶液中加入[4－(N，N－二甲基氨基)苯基]二叔丁基膦(0.13g，0.48mmol)，加热到60℃(溶液B)。在氮气流中，向溶液A中添加溶液B，进行1.0小时的加热回流反应。确认各单体消失，添加化合物5(1.440g，2.71mmol)。加热回流1小时后，添加溴苯(0.467g，2.97mmol)，加热回流2小时。将反应液放置冷却，添加甲苯50ml，向乙醇/水(200ml/40ml)溶液中滴加，得到粗聚合物。

将该粗聚合物溶解于甲苯，用丙酮进行再沉淀，使析出的聚合物再溶解于甲苯，用稀盐酸清洗，用含有氨的乙醇再沉淀。将滤出的聚合物用柱色谱进行精制，得到聚合物1(1.1g)。得到的聚合物1的分子量、分散度如下。

重均分子量(Mw)＝55540

数均分子量(Mn)＝38040

分散度(Mw/Mn)＝1.46

＜实施例1－2＞

[聚合物3的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成聚合物3。

重均分子量(Mw)＝41900

数均分子量(Mn)＝31500

分散度(Mw/Mn)＝1.33

＜实施例1－3＞

[聚合物4的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成聚合物4。

重均分子量(Mw)＝41300

数均分子量(Mn)＝28650

分散度(Mw/Mn)＝1.44

＜实施例1－4＞

[聚合物5的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成聚合物5。

重均分子量(Mw)＝38380

数均分子量(Mn)＝26840

分散度(Mw/Mn)＝1.43

＜实施例1－5＞

[聚合物6的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成聚合物6。

重均分子量(Mw)＝74160

数均分子量(Mn)＝50100

分散度(Mw/Mn)＝1.48

＜比较例1－1＞

[聚合物10的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成比较对象的聚合物10。

重均分子量(Mw)＝51300

数均分子量(Mn)＝35380

(Mw/Mn)＝1.45

＜比较例1－2＞

[聚合物11的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成比较对象的聚合物11。

重均分子量(Mw)＝39840

数均分子量(Mn)＝30180

(Mw/Mn)＝1.32

＜比较例1－3＞

[聚合物12的合成]

按照以下的反应式用与聚合物1相同的方法合成比较对象的聚合物12。

＜实施例1－6＞

[聚合物7的合成]

装入化合物5(1.5g，2.8mmol)、2－氨基－9，9－二己基芴(0.59g，1.7mmol)、2－氨基－9，9－二甲基芴(0.59g，2.8mmol)、化合物28(1.11g，1.1mmol)、叔丁醇钠(2.09g，21.7mmol)和甲苯(24g，27.7ml)，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃(溶液A1)。

向三(二亚苄基丙酮)二钯配合物(0.052g，0.06mmol)的甲苯3.3ml溶液中加入[4－(N，N－二甲基氨基)苯基]二叔丁基膦(Amphos)(0.12g，0.5mmol)，加热到60℃(溶液B1)。

在氮气流中，向溶液A1中添加溶液B1，进行1.0小时的加热回流反应。确认化合物5消失，添加化合物10(1.30g，2.6mmol)。加热回流2小时后，添加溴苯(0.44g，2.8mmol)，进行2小时的加热回流反应。将反应液放置冷却，添加甲苯40ml，向乙醇/水(500ml/90ml)溶液中滴加，得到封端的粗聚合物。

将该封端的粗聚合物溶解于甲苯，在丙酮中再沉淀，将析出的聚合物滤出。使得到的聚合物溶解于甲苯中，用稀盐酸清洗，用含氨的乙醇进行再沉淀。将滤出的聚合物用柱色谱进行精制，得到作为目标物的聚合物7(1.7g)。得到的聚合物7的分子量等如下。

重均分子量(Mw)＝40000

数均分子量(Mn)＝29600

分散度(Mw/Mn)＝1.35

＜实施例1－7＞

[聚合物8的合成]

装入化合物33(1.35g，1.8mmol)、2－氨基－9，9－二甲基芴(0.767g，3.7mmol)和叔丁醇钠(1.36g，14.1mmol)、甲苯(41ml)，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃(溶液A)。在三(二亚苄基丙酮)二钯配合物(0.034g，0.04mmol)的甲苯5ml溶液中加入[4－(N，N－二甲基氨基)苯基]二叔丁基膦(Amphos)(0.078g，0.30mmol)，加热到60℃(溶液B)。在氮气流中，向溶液A添加溶液B，进行1.0小时的加热回流反应。确认化合物33消失，添加化合物10(0.892g，1.77mmol)。加热回流2小时后，添加溴苯(0.2g，1.3mmol)，进行2小时的加热回流反应。将反应液放置冷却，添加甲苯40ml，向乙醇/水(500ml/90ml)溶液中滴加，得到封端的粗聚合物。

将该封端的粗聚合物溶解于甲苯，在丙酮中再沉淀，将析出的聚合物滤出。使得到的聚合物溶解于甲苯，用稀盐酸清洗，用含氨的乙醇进行再沉淀。将滤出的聚合物利用柱色谱进行精制，得到作为目标物的聚合物8(0.8g)。得到的聚合物8的分子量等如下。

重均分子量(Mw)＝61500

数均分子量(Mn)＝48000

分散度(Mw/Mn)＝1.28

＜实施例1－8＞

[聚合物9的合成]

装入化合物33(0.9g，1.2mmol)、化合物34(0.81g，2.4mmol)和叔丁醇钠(0.91g，9.4mmol)、甲苯(27ml)，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃(溶液A)。向三(二亚苄基丙酮)二钯配合物(0.022g，0.02mmol)的甲苯5ml溶液中加入[4－(N，N－二甲基氨基)苯基]二叔丁基膦(Amphos)(0.052g，0.20mmol)，加热到60℃(溶液B)。在氮气流中，向溶液A中添加溶液B，进行1.0小时的加热回流反应。确认化合物33消失，添加化合物10(0.558g，1.1mmol)。加热回流2小时后，添加溴苯(0.36g，2.3mmol)，进行2小时的加热回流反应。将反应液放置冷却，添加甲苯26ml，向乙醇/水(400ml/90ml)溶液中滴加，得到封端的粗聚合物。

将该封端的粗聚合物溶解于甲苯，在丙酮中再沉淀，将析出的聚合物滤出。使得到的聚合物溶解于甲苯，用稀盐酸清洗，用含氨的乙醇进行再沉淀。将滤出的聚合物利用柱色谱进行精制，得到作为目标物的聚合物9(0.3g)。得到的聚合物9的分子量等如下。

重均分子量(Mw)＝81300

数均分子量(Mn)＝63000

分散度(Mw/Mn)＝1.29

＜实施例1－9＞

(聚合物13的合成)

装入化合物33(1.2g，1.6mmol)、化合物35(0.179g，0.5mmol)、2－氨基－9，9－二甲基芴(0.447g，2.1mmol)、化合物28(0.641g，0.7mmol)、叔丁醇钠(1.21g，12.6mmol)和甲苯(21.6g，25ml)，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃(溶液A1)。

向三(二亚苄基丙酮)二钯配合物(0.0298g，0.03mmol)的甲苯5.0ml溶液中加入[4－(N，N－二甲基氨基)苯基]二叔丁基膦(Amphos)(0.069g，0.3mmol)，加热到60℃(溶液B1)。

在氮气流中，向溶液A1中添加溶液B1，在加热回流下进行1.0小时的反应。确认化合物33消失，添加化合物33(0.954g，1.29mmol)。加热回流2小时后，添加溴苯(0.26g，1.7mmol)，在加热回流下进行2小时的反应。将反应液放置冷却，添加甲苯41ml，向乙醇/水(235ml/30ml)溶液中滴加，得到封端的粗聚合物。

将该封端的粗聚合物溶解于甲苯，在丙酮中再沉淀，将析出的聚合物滤出。使得到的聚合物溶解于甲苯，用稀盐酸清洗，用含氨的乙醇进行再沉淀。将滤出的聚合物利用柱色谱进行精制，得到作为目标物的聚合物13(1.7g)。得到的聚合物13的分子量等如下。

重均分子量(Mw)＝42300

数均分子量(Mn)＝29375

分散度(Mw/Mn)＝1.44

＜实施例1－10＞

(聚合物14的合成)

装入化合物33(1.4g，1.9mmol)、化合物35(0.183g，0.5mmol)、2－氨基－9，9－二甲基芴(0.535g，2.6mmol)、化合物28(0.748g，0.8mmol)、叔丁醇钠(1.41g，14.7mmol)和甲苯(25.2g，29ml)，将体系内充分进行氮置换，加热到60℃(溶液A1)。

向三(二亚苄基丙酮)二钯配合物(0.0348g，0.04mmol)的甲苯6.0ml溶液中加入[4－(N，N－二甲基氨基)苯基]二叔丁基膦(Amphos)(0.081g，0.3mmol)，加热到60℃(溶液B1)。

在氮气流中，向溶液A1中添加溶液B1，在加热回流下进行1.0小时反应。确认化合物33消失，添加化合物33(1.21g，1.6mmol)。加热回流2小时后，添加溴苯(0.21g，1.3mmol)，在加热回流下进行2小时反应。将反应液放置冷却，添加甲苯80ml，向乙醇/水(380ml/35ml)溶液中滴加，得到封端的粗聚合物。

将该封端的粗聚合物溶解于甲苯，在丙酮中再沉淀，将析出的聚合物滤出。使得到的聚合物溶解于甲苯，用稀盐酸清洗，用含氨的乙醇进行再沉淀。将滤出的聚合物利用柱色谱进行精制，得到作为目标物的聚合物14(1.4g)。得到的聚合物14的分子量等如下。

重均分子量(Mw)＝37500

数均分子量(Mn)＝28625

分散度(Mw/Mn)＝1.31

[聚合物的激发单重态能级(S₁)和激发三重态能级(T₁)的测定]

使各聚合物溶解于2-甲基四氢呋喃而制备浓度1质量％溶液。将该溶液试样用荧光分光光度计(日立荧光分光光度计F-4500)在激发波长350nm、利用液氮的冷却条件下测定荧光发射光谱和磷光发射光谱。由得到的荧光发射光谱、磷光发射光谱中位于最短波长侧的发光峰的峰顶波长得到S₁能级、T₁能级。

将测定结果示于表1

[表1]

表1

	S1能级(nm)	T1能级(nm)
			聚合物1	418	517
聚合物3	411	517
			聚合物4	416	524
聚合物5	415	519
			聚合物6	428	534
聚合物10	437	563
			聚合物11	436	564
聚合物12	442	562

实施例1-1～1-6的聚合物与比较例1-1～1-3的聚合物相比具有更高的S₁、T₁能级，表明有机电致发光元件中不易发生由从各发光激子向聚合物的能量转移所引起的淬灭。

[不溶化实验]

使用实施例的聚合物，进行对于环己基苯、苯甲酸丁酯的不溶化实验。分别将聚合物1、3～7、8和9溶解于苯甲醚，制备涂布组合物。使用涂布组合物通过旋涂在滑动玻璃基板上制成110nm～130nm的膜。并且，将该膜在230℃进行30分钟热处理。其后，在室温下测定各膜的厚度。

并且，将各膜用环己基苯或者苯甲酸丁酯进行冲洗处理。冲洗处理通过将溶剂130μl滴加到涂布膜上静置90秒后，旋转基板而实施。将经冲洗处理的膜与滑动玻璃基板一起进行加热处理，测定滑动玻璃基板上的残留膜的膜厚。将冲洗处理前后的膜厚的比率(不溶化率)示于表2。

[表2]

表2

如表2所示，加热处理后的聚合物1、3～7、8和9的有机膜不溶解于环己基苯、苯甲酸丁酯，显示出能够进行湿式成膜。

＜溶解度试验＞

对于上述合成的聚合物8，进行室温(25℃)下对于甲苯的溶解度试验。其结果，聚合物8的室温(25℃)下对于甲苯的溶解度为5质量％以上。

(实施例2－1)

按照以下说明的要领，制作具有图1所示的结构的有机电致发光元件。

对于在玻璃基板1上以70nm的厚度堆积铟·锡氧化物(ITO)透明导电膜而成的层叠体(三容真空社制，溅射成膜品)，使用通常的光刻技术和盐酸蚀刻形成2mm宽度的条纹图案，形成阳极2，得到ITO基板。

将形成了图案的ITO基板按利用表面活性剂水溶液的超声波清洗、利用超纯水的水洗、利用超纯水的超声波清洗、利用超纯水的水洗的顺序进行清洗后，用压缩空气干燥，最后进行紫外线臭氧清洗。

首先，称量具有下述的结构式(P－1)的电荷传输性高分子化合物100质量份和具有(A1)的结构的电子接受性化合物10质量份，溶解于苯甲酸丁酯，制备3.0wt％的溶液。

将该溶液在大气中旋涂于上述基板上，大气中利用洁净烘箱以240℃干燥60分钟，形成膜厚60nm的均匀的薄膜，制成空穴注入层3。

接下来，使具有聚合物8的电荷传输性高分子化合物100质量份溶解于环己基苯，制备2.5wt％的溶液。

将该溶液在氮气手套箱中旋涂在涂布成膜了上述空穴注入层的基板上，用氮气手套箱中的加热板以230℃干燥60分钟，形成膜厚20nm的均匀的薄膜，制成空穴传输层4。

接着，形成发光层5时，称量下述的结构式表示的化合物(RH－1)65质量份、下述的结构式表示的化合物(RH－2)35质量份和下述的结构式表示的化合物(RD－1)20质量份，溶解于环己基苯，制备7.2wt％的溶液。

将该溶液在氮气手套箱中旋涂在涂布成膜了上述空穴传输层的基板上，用氮气手套箱中的加热板以130℃干燥20分钟，形成膜厚80nm的均匀的薄膜，制成发光层5。

这里，将成膜到发光层5为止的基板移至真空蒸镀装置内，排气直到装置内的真空度为1.3×10^－4Pa以下，然后按下述的结构式表示的化合物(ET－1)40质量份、下述的结构式表示的化合物(liq)60质量份的比率利用共蒸镀法在发光层5上进行蒸镀，形成电子传输层6。蒸镀时的真空度控制为1.3×10^－4Pa，蒸镀速度控制为的范围，膜厚为30nm。/>

这里，暂时取出进行了到电子传输层6为止的蒸镀的基板，设置于另一蒸镀装置，将2mm宽度的条纹状阴影掩模作为阴极蒸镀用的掩模并以与阳极2的ITO条纹正交的方式密合于基板，进行排气直到装置内的真空度为2.3×10^－4Pa以下。

接下来，将作为阴极7的铝同样地利用钼舟进行加热，以蒸镀速度的范围进行控制，形成膜厚80nm的铝层。蒸镀时的真空度为2.6×10^－4Pa。

接着，为了防止有机电致发光元件在保存中因大气中的水分等而劣化，按以下记载的方法进行密封处理。

在氮气手套箱中，在23mm×23mm尺寸的玻璃板的外周部按约1mm的宽度涂布光固化性树脂30Y-437(ThreeBond公司制)，在中央部设置吸湿片(Dinick株式会社制)。在其上将结束了阴极形成的基板以蒸镀的面与干燥剂片对置的方式进行贴合。其后，仅对涂布了光固化性树脂的区域照射紫外光，使树脂固化。

像上述那样，制成具有2mm×2mm尺寸的发光面积部分的有机电致发光元件。

(比较例2-1)

使用下述P-2所示的比较聚合物1代替聚合物8，除此以外，与实施例2-1同样地制作图1所示的有机电致发光元件。

<有机电致发光元件的电流-电压特性的评价>

进行实施例2-1和比较例2-1中得到的有机电致发光元件的电压特性和驱动寿命的评价，将结果示于表3。电压是测定以亮度1000cd/m²点亮时的电压，以比较例2-1的电压作为基准，求出实施例2-1的元件的电压与比较例2-1的元件的电压之差，作为相对电压[V]。驱动寿命如下求出：以50mA/cm²进行恒定电流驱动，测定以初始亮度3000cd/m²换算时的5％衰减寿命(LT95)(hr)，求出以比较例2-1的LT95(hr)作为基准1时的相对值(以下称为“相对寿命”)。

[表3]

表3

	空穴传输层	相对电压(V)	LT95相对寿命
				比较例2-1	P-2	0.0	1
实施例2-1	聚合物8	-0.3	＞34

如表3所示，可知使用本发明的聚合物形成的有机电致发光元件的驱动电压低，驱动寿命长。

(实施例2－2)

由聚合物8变为聚合物7，在电致发光元件的制作中，与实施例2－1同样进行直到形成电荷传输层为止的工序，接着，形成发光层5时，称量化合物(RH－1)55质量份、化合物(RH－2)45质量份和化合物(RD－1)20质量份，溶解于环己基苯，制备7.2wt％的溶液。

将该溶液在氮气手套箱中旋涂在涂布成膜了上述空穴传输层的基板上，用氮气手套箱中的加热板在130℃干燥20分钟，形成膜厚80nm的均匀的薄膜，制成发光层5。接着与实施例2－1同样地制作有机电致发光元件。

(比较例2－2)

由聚合物1变为P－3，除此以外，与实施例2－2同样地制作电致发光元件。

进行实施例2－2和比较例2－2中得到的有机电致发光元件的外部量子效率和驱动寿命的评价。此时，以比较例2－2为基准。电压是测定以亮度1000cd/m²点亮时的电压，以比较例2－2的电压作为基准，求出实施例2－2的元件的电压与比较例2－2的元件的电压之差，作为相对电压[V]。外部量子效率是测定以亮度1000cd/m²点亮时的值，作为相对值求出以比较例2－2的外部量子效率为1时的比。驱动寿命如下求出：以40mA/cm²进行恒定电流驱动，测定以初始亮度1000cd/m²换算时的5％衰减寿命(LT95)(hr)，求出以比较例2－2的LT95(hr)作为基准1时的相对值(以下称为“相对寿命”)。将结果示于表4。

[表4]

表4

如表4所示，可知使用本发明的聚合物形成的有机电致发光元件的电压低，外部量子效率高，寿命长。

(实施例2－3)

在有机电致发光元件的制作中，与实施例2－2同样地进行直到形成空穴传输层4为止的工序。称量下述的结构式表示的化合物(H－1)100质量份、下述的结构式表示的化合物(BD－1)10质量份，溶解于环己基苯，制备3.9wt％的溶液。

将该溶液在氮气手套箱中旋涂在涂布成膜了上述空穴传输层的基板上，用氮气手套箱中的加热板在130℃干燥20分钟，形成膜厚40nm的均匀的薄膜，制成发光层5。接下来，与实施例2－1同样地制作电致发光元件。

(实施例2－4)

从聚合物1变为聚合物7，除此以外，与实施例2－3同样地制作电致发光元件。

(比较例2－3)

从聚合物1变为P－3，除此以外，与实施例2－3同样地制作电致发光元件。

与实施例2－1、比较例2－1同样地进行实施例2－3、实施例2－4和比较例2－3中得到的有机电致发光元件的电压和外部量子效率的评价。此时，以比较例2－3为基准。驱动寿命如下求出：以15mA/cm²进行恒定电流驱动，测定以初始亮度1000cd/m²换算时的5％衰减寿命(LT95)(hr)，求出以比较例2－3的LT95(hr)作为基准1时的相对值(以下称为“相对寿命”)。将结果示于表5。

[表5]

表5

如表5所示，可知使用本发明的聚合物形成的有机电致发光元件有电压变低的趋势，外部量子效率高，寿命长。

＜实施例3－1＞

使用由本发明的聚合物和溶剂构成的组合物，按以下的方法制成膜。

将玻璃基板按利用表面活性剂水溶液的超声波清洗、利用超纯水的水洗、利用超纯水的超声波清洗、利用超纯水的水洗的顺序进行清洗后，干燥，最后进行紫外线臭氧清洗。

使具有聚合物1的结构的高分子化合物溶解于苯甲醚，制备3.75wt％的溶液。

将该溶液在大气下在手套箱中旋涂在上述玻璃基板上，利用清洁室中的加热板在230℃干燥30分钟而制膜。

[膜的不溶化评价]

利用KLA－Tencor公司制探针式轮廓仪测定所得到的膜的膜厚。接着向该薄膜滴加环己基苯(CHB)130μl，以此状态静置90秒后，用旋涂机旋转基板，除去CHB。然后，用加热板在130℃干燥20分钟。再次测定实施了该处理的薄膜的CHB滴加部分的膜厚。

将CHB滴加前的膜厚设为T1，将CHB滴加处理后的膜厚设为T2，根据下述式确定不溶化率。

T2/T1＊100＝(不溶化率)

将膜的不溶化率示于表6。

＜实施例3－2＞

使具有聚合物8的结构的高分子化合物溶解于苯甲醚，制备3.75wt％的溶液，与实施例3－1同样地制膜后，求出不溶化率。将膜的不溶化率示于表6。

＜比较例3－1＞

使具有下述式P－4结构的高分子化合物溶解于苯甲醚，制备3.75wt％的溶液，与实施例3－1同样地制膜后，求出不溶化率。将膜的不溶化率示于表6。

＜实施例3－3＞

称量具有聚合物1的结构的高分子化合物75重量份和具有式(P－4)的结构的高分子化合物25重量份，设为聚合物1：(P－4)＝75：25，使其溶解于苯甲醚，制备3.75wt％的溶液，与实施例3－1同样地制膜后，求出不溶化率。将膜的不溶化率示于表6。

＜实施例3－4＞

将聚合物1变为聚合物8，除此以外，与实施例3－3同样地制备溶液，制膜后，求出不溶化率。将膜的不溶化率示于表6。

如表6所示，可知使用本发明的聚合物形成的薄膜即便本发明的聚合物不具有交联基团也不溶于溶剂。并且，即使是不具有交联基团而以单体形式薄膜不溶化的聚合物，通过与不具有交联基团的本发明的聚合物混合也不溶化。这在以湿式法进行的有机电致发光元件的制作中扩大使用的化合物的范围方面是有用的。

[表6]

表6

	不溶化率[％]
		比较例3-1	86
实施例3-1	100
		实施例3-2	100
实施例3-3	100
		实施例3-4	99

产业上的可利用性

本发明能够适用于使用有机电致发光元件的各种领域，例如平板·显示器(例如OA计算机用、壁挂电视)、活用作为面发光体的特征的光源(例如，复印机的光源、液晶显示器或仪器类的背光光源)、显示板、信号灯等领域。

符号说明

1 基板

2 阳极

3 空穴注入层

4 空穴传输层

5 发光层

6 电子传输层

7 阴极

8 有机电致发光元件

Claims (62)

1.一种聚合物，具有下述式(1)表示的重复单元，并具有可溶性基团，

式(1)中，Ar¹表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基，

X表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，

R¹和R²各自独立地表示具有或不具有取代基的烷基，

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示氢、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的芳烷基或者具有或不具有取代基的芳香族烃基，

a、b各自独立地为0～4的整数，a+b为1以上，

c为1～3的整数，

d为0～4的整数，

R¹和R²在该重复单元中存在多个时，R¹和R²相同或不同。

2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述可溶性基团的数量相对于1g聚合物为0.1毫摩尔～4.0毫摩尔。

3.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述可溶性基团为碳原子数3～12的直链或者支链的烷基、烷氧基或者芳烷基。

4.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述Ar¹中的至少一个为具有或不具有取代基的2－芴基。

5.根据权利要求1或者2所述的聚合物，其中，所述Ar¹中的至少一个由下述式(10)表示，

式(10)中，

Ar¹¹和Ar¹²各自独立地表示具有或不具有取代基的二价的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基，

＊表示键合位置。

6.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹²为苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、/>二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环或喹唑啉酮环的二价基团，或者为它们多个连接而成的基团。

7.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹²为苯环以1，4位的二价连接而成的1，4亚苯基、以芴环的2，7位的二价连接而成的2，7亚芴基、或者它们多个连接而成的基团。

8.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹²为包含1，4亚苯基－2，7亚芴基－1，4亚苯基－的基团。

9.根据权利要求7或8所述的聚合物，其中，所述亚芴基在9，9’位具有取代基。

10.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹³～Ar¹⁵为氢原子。

11.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹³～Ar¹⁵中的至少一个为含有交联性基团的取代基。

12.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹¹为苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、/>二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环或喹唑啉酮环的二价基团，或者为它们多个连接而成的基团。

13.根据权利要求5所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹¹包含1，3亚苯基或者具有取代基且因取代基的空间效应而成为扭曲结构的基团。

14.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述式(1)表示的重复单元为下述式中的任一个表示的重复单元，

Ar¹、R¹、R²与所述式(1)中的Ar¹、R¹、R²相同，R¹和R²相同，且R¹与R²在相互对称的位置键合，X与所述式(1)中的X相同。

15.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(4)表示的重复单元，

式(4)中，

Ar³表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或者芳香族杂环基，

Ar⁴表示具有或不具有取代基的二价芳香族烃基、具有或不具有取代基的二价芳香族杂环基、或者具有或不具有取代基的该芳香族烃基和/或具有或不具有取代基的芳香族杂环基直接或介由连接基团多个连接而成的二价基团。

16.根据权利要求15所述的聚合物，其中，所述Ar³中的至少一个由下述式(10)表示，

式(10)中，

Ar¹¹和Ar¹²各自独立地表示具有或不具有取代基的二价的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基，

＊表示键合位置。

17.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹²为苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、/>二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环或喹唑啉酮环的二价基团，或者为它们多个连接而成的基团。

18.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹²为苯环以1，4位的二价连接而成的1，4亚苯基、以芴环的2，7位的二价连接而成的2，7亚芴基、或者它们多个连接而成的基团。

19.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹²为包含1，4亚苯基－2，7亚芴基－1，4亚苯基－的基团。

20.根据权利要求18或19所述的聚合物，其中，所述亚芴基在9，9’位具有取代基。

21.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹³～Ar¹⁵为氢原子。

22.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹³～Ar¹⁵中的至少一个为含有交联性基团的取代基。

23.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹¹为苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、/>二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环或喹唑啉酮环的二价基团，或者为它们多个连接而成的基团。

24.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述式(10)中的Ar¹¹包含1，3亚苯基或者具有取代基且因取代基的空间效应而成为扭曲结构的基团。

25.根据权利要求16所述的聚合物，其中，所述Ar³中的至少一个为具有或不具有取代基的2－芴基。

26.根据权利要求15所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(5)表示的重复单元，

式(5)中，

i和j各自独立地表示0～3的整数，

i+j为1以上，

k表示0或者1，

X表示－C(R⁷)(R⁸)－、－N(R⁹)－或者－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－，

R⁷～R⁹和R¹¹～R¹⁴各自独立地表示氢、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的芳烷基或者具有或不具有取代基的芳香族烃基。

27.根据权利要求26所述的聚合物，其中，所述式(4)中的Ar⁴为所述式(5)表示的重复单元，k为1，

所述式(5)表示的重复单元与所述式(4)中的N连接。

28.根据权利要求26所述的聚合物，其中，具有下述式(12)表示的重复单元，

式(12)中，Ar¹、Ar³、X、R¹、R²、a、b、c、d、i、j和k分别与式(1)、式(4)和式(5)中的Ar¹、Ar³、X、R¹、R²、a、b、c、d、i、j和k相同。

29.根据权利要求28所述的聚合物，其中，所述式(12)中的A的X和B的X为－C(R⁷)(R⁸)－、或者A的X和B的X为－N(R⁹)－、或者A的X和B的X为－C(R¹¹)(R¹²)－C(R¹³)(R¹⁴)－。

30.根据权利要求28所述的聚合物，其中，所述式(12)中的A和B相同。

31.根据权利要求26所述的聚合物，其中，具有下述式(14)表示的重复单元，

式(14)中，

Ar²表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基，

R³和R⁶各自独立地表示具有或不具有取代基的烷基，

R⁴和R⁵各自独立地表示具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的烷氧基或者具有或不具有取代基的芳烷基，

l表示0或者1，m表示1或者2，n表示0或者1，

p表示0或者1，q表示0或者1，p和q不同时为0，

Ar³、X、i、j、k分别与所述式(4)或者式(5)中的Ar³、X、i、j、k相同。

32.根据权利要求31所述的聚合物，其中，所述式(14)中，

X为－C(CH₃)(CH₃)－，

i＝j＝k＝1，

Ar²和Ar³各自独立地为下述式(15)或者下述式(16)，其中式(15)和式(16)具有或不具有取代基，＊表示与所述式(14)中的N键合，

33.根据权利要求32所述的聚合物，其中，所述式(15)或者所述式(16)具有取代基，该取代基为选自取代基组Z和交联性基团中的至少1种，

取代基组Z：烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、二烷基氨基、二芳基氨基、芳基烷基氨基、酰基、卤素原子、卤代烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃基和芳香族杂环基；这些取代基包含或不包含直链、支链和环状中的任一结构。

34.根据权利要求1或者2所述的聚合物，其中，进一步具有下述式(6)表示的重复单元，

式(6)中，

t表示1～10的整数，

R¹⁵和R¹⁶各自独立地表示氢原子、具有或不具有取代基的烷基、具有或不具有取代基的芳香族烃基、或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基，

R¹⁵和R¹⁶存在多个时，该多个R¹⁵和R¹⁶相同或不同。

35.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述聚合物的末端基团为由烃构成的具有或不具有取代基的芳香族烃基。

36.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述聚合物具有交联性基团作为取代基。

37.根据权利要求36所述的聚合物，其中，所述交联性基团为包含稠合于芳香族环的环丁烯环或者键合于芳香族环的烯基的基团。

38.根据权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述聚合物的重均分子量Mw为10000以上，且分散度即Mw/Mn为3.5以下。

39.一种有机电致发光元件用组合物，含有权利要求1～38中任1项所述的聚合物。

40.一种有机电致发光元件用组合物，含有权利要求1～38中任1项所述的聚合物和有机溶剂。

41.一种有机电致发光元件的制造方法，是在基板上具有阳极、阴极、和在该阳极与该阴极之间的有机层的有机电致发光元件的制造方法，包含使用权利要求39或40所述的有机电致发光元件用组合物、利用湿式成膜法形成该有机层中的至少1层的步骤。

42.根据权利要求41所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，利用所述湿式成膜法形成的层为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。

43.根据权利要求41或42所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，在阳极与阴极之间包含空穴注入层、空穴传输层和发光层，将所述空穴注入层、空穴传输层和发光层全部利用湿式成膜法形成。

44.一种有机电致发光元件，包含含有权利要求1～38中任1项所述的聚合物的层，或者当该聚合物具有交联性基团时包含含有该聚合物交联而成的聚合物的层。

45.一种有机EL显示装置，具备权利要求44所述的有机电致发光元件。

46.一种有机EL照明，具备权利要求44所述的有机电致发光元件。

47.一种聚合物，其具有下述式(13)表示的结构，

式(13)中，

Ar³¹表示与主链连接的二价基团，

Ar¹²表示具有或不具有取代基的二价芳香族烃基或者具有或不具有取代基的二价芳香族杂环基，

Ar¹³～Ar¹⁵各自独立地表示氢原子或者取代基，

Ar¹⁶表示构成聚合物主链的结构。

48.根据权利要求47所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar¹²为苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、/>二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环或喹唑啉酮环的二价基团，或者为它们多个连接而成的基团。

49.根据权利要求47所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar¹²为苯环以1，4位的二价连接而成的1，4亚苯基、以芴环的2，7位的二价连接而成的2，7亚芴基、或者它们多个连接而成的基团。

50.根据权利要求47所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar¹²为包含1，4亚苯基－2，7亚芴基－1，4亚苯基－的基团。

51.根据权利要求49或50所述的聚合物，其中，所述亚芴基在9，9’位具有取代基。

52.根据权利要求47所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar³¹为具有或不具有取代基的二价芳香族烃基或者具有或不具有取代基的二价芳香族杂环基。

53.根据权利要求52所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar³¹为苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环、呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、/>二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、哌啶环、喹唑啉环或喹唑啉酮环的二价基团，或者为它们多个连接而成的基团。

54.根据权利要求47所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar³¹包含1，3亚苯基或者具有取代基且因取代基的空间效应而成为扭曲结构的基团。

55.根据权利要求47所述的聚合物，其中，所述式(13)中的Ar¹⁶为具有或不具有取代基的二价芳香族烃基、具有或不具有取代基的二价芳香族杂环基、或者具有或不具有取代基的该芳香族烃基和/或具有或不具有取代基的芳香族杂环基直接或介由连接基团多个连接而成的二价基团。

56.一种有机电致发光元件用组合物，含有权利要求47～55中任1项所述的聚合物。

57.一种有机电致发光元件用组合物，含有权利要求47～55中任1项所述的聚合物和有机溶剂。

58.一种有机电致发光元件的制造方法，是在基板上具有阳极、阴极和在该阳极与该阴极之间的有机层的有机电致发光元件的制造方法，包含使用权利要求56或57所述的有机电致发光元件用组合物、利用湿式成膜法形成该有机层中的至少1层的步骤。

59.根据权利要求58所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，利用所述湿式成膜法形成的层为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。

60.一种有机电致发光元件，包含含有权利要求47～55中任1项所述的聚合物的层。

61.一种有机EL显示装置，具备权利要求60所述的有机电致发光元件。

62.一种有机EL照明，具备权利要求60所述的有机电致发光元件。