CN116685592A

CN116685592A - 有机电致发光元件的发光层形成用组合物、有机电致发光元件、有机el显示裝置和有机el照明

Info

Publication number: CN116685592A
Application number: CN202180085844.9A
Authority: CN
Inventors: 冈部一毅; 饭田宏一朗; 小松英司; 中井敏光; 服部繁树; 长山和弘
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2020-12-24
Filing date: 2021-12-23
Publication date: 2023-09-01

Abstract

一种有机电致发光元件的发光层形成用组合物，包含下述式(1)表示的多环杂环化合物、下述式(20)表示的化合物以及有机溶剂。提供一种具有包含含有硼的多环杂环化合物的发光层、且驱动寿命长的有机电致发光元件。(环a、环b和环c为芳香族烃环或芳香族杂环。Y为O、N‑R或S。R为芳香族烃环基、芳香族杂环基或烷基。R可以通过‑O‑、‑S‑、‑C(‑R^a)₂‑或单键与环a～c中的至少一个环上的与Y键合的原子所邻接的碳原子键合。R^a为氢原子或烷基)(Ar²¹～Ar³⁵为氢原子、1个或2～10个苯环结构未分支或分支地连接而成的结构)。

Description

有机电致发光元件的发光层形成用组合物、有机电致发光元件、有机EL显示裝置和有机EL照明

技术领域

本发明涉及有机电致发光元件的发光层形成用组合物以及使用该发光层形成用组合物的有机电致发光元件、有机EL显示装置和有机EL照明。

背景技术

近年来，作为薄膜型电致发光元件，已开发了使用有机薄膜的有机电致发光元件代替使用无机材料的电致发光元件。有机电致发光元件(OLED)通常在阳极与阴极之间具有空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层等，正不断开发适于该各层的材料，发光颜色也分别开发为红色、绿色、蓝色。

作为有机电致发光元件的有机层的形成方法，有真空蒸镀法和湿式成膜法(涂布法)。真空蒸镀法由于容易层叠化，因此具有如下优点：容易改善从阳极和/或阴极的电荷注入、容易将激子封闭于发光层。另一方面，湿式成膜法具有如下优点：不需要真空工艺，容易大面积化，通过使用将具有各种功能的多种材料混合而成的涂布液，能够容易地形成含有具有各种功能的多种材料的层等。因此，近年来，正在积极地进行基于湿式成膜法的有机电致发光元件的研究开发。

专利文献1～5中，对通过湿式成膜法形成发光层的有机电致发光元件进行了研究，该发光层含有具有包含硼和氮的多环杂环化合物骨架的发光材料。

然而，期望元件的驱动寿命的进一步的长寿命化。

另外，还期望元件的低电压驱动化、发光效率的提高。

专利文献1：国际公开第2016/152418号

专利文献2：国际公开第2019/198699号

专利文献3：国际公开第2019/235452号

专利文献4：国际公开第2018/062278号

专利文献5：国际公开第2018/186404号

发明内容

本发明的课题在于提供一种具有包含含有硼的多环杂环化合物的发光层、且显示优异的元件特性、特别是驱动寿命长的有机电致发光元件。

另外，本发明的课题在于提供一种具有包含含有硼的多环杂环化合物的发光层、且显示优异的元件特性、进行低电压驱动、发光效率高、驱动寿命长的有机电致发光元件。

本发明的主旨如以下的[1]～[23]所示。

[1]一种有机电致发光元件的发光层形成用组合物，包含：下述式(1)表示的多环杂环化合物，下述化合物I、下述化合物II、下述化合物III和下述化合物IV中的至少一种，以及有机溶剂。

(式(1)中，

环a、环b和环c各自独立地为可以具有取代基的芳香族烃环或可以具有取代基的芳香族杂环，

Y各自独立地为O、N-R或S，

上述R为可以具有取代基的芳香族烃环基、可以具有取代基的芳香族杂环基或烷基，

上述R可以通过-O-、-S-、-C(-R^a)₂-或单键与选自上述环a、上述环b和上述环c中的至少一个环上的与上述Y键合的原子所邻接的碳原子键合，

上述R^a为氢原子或烷基，

上述邻接的碳原子不是构成含有B和上述Y的式(1)的中央的稠合二环结构的碳原子，

式(1)表示的多环杂环化合物中的至少一个氢原子可以被卤素原子或氘取代)

化合物I：下述式(20)表示的化合物

化合物II：下述式(200)表示的化合物

化合物III：选自下述式(210)表示的化合物、下述式(220)表示的化合物和下述式(230)表示的化合物中的一种或两种以上的化合物

化合物IV：下述式(240)表示的化合物

(式(20)中，Ar²¹～Ar³⁵各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的苯环结构或者2～10个可以具有取代基的苯环结构未分支或分支地连接而成的结构)

(式(200)中，

W各自独立地表示CH或N，至少一个W为N，

Xa¹、Ya¹和Za¹各自独立地表示可以具有取代基的碳原子数6～30的二价芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3～30的二价芳香族杂环基，

Xa²、Ya²和Za²各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基，

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，

g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Xa¹可以相同或不同，

在h11为2以上的情况下，存在多个的Ya¹可以相同或不同，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Za¹可以相同或不同，

R³¹表示氢原子或取代基，4个R³¹可以相同或不同，

其中，在g11、h11或j11为0的情况下，分别对应的Xa²、Ya²、Za²不是氢原子)

(式(210)、式(220)和式(230)中，

Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³各自独立地表示可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基、可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基和可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基中的结构连接2～5个而成的一价基团，

R²¹、R²²、R²³各自独立地表示氢原子或取代基，

X²¹、X²²各自独立地表示O、S或N-Ar⁴⁴，

Ar⁴⁴表示可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基、可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基和可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基中的结构连接2～5个而成的一价基团，

n21、n22、n23各自独立地表示1或2，

n24表示1～4的整数，

在n24为2以上的情况下，多个R²¹可以相同或不同)

(式(240)中，

Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²各自独立地表示可以具有取代基的碳原子数6～50的二价芳香族烃基，

R⁶¹¹、R⁶¹²各自独立地为氘原子、卤素原子或可以具有取代基的碳原子数6～50的一价芳香族烃基，

G表示单键或可以具有取代基的碳原子数6～50的二价芳香族烃基，n⁶¹¹、n⁶¹²各自独立地为0～4的整数)

[2]根据[1]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(1)中的Y为N-R。

[3]根据[1]或[2]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(20)中，Ar²²、Ar²³、Ar²⁴、Ar²⁷、Ar²⁸、Ar²⁹、Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的至少一个为下述式(21)或下述式(22)表示的结构。

(式(21)、式(22)中，Ar³⁶～Ar³⁹各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的苯环结构或者2～8个可以具有取代基的苯环结构未分支或分支地连接而成的结构)

[4]根据[3]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(20)中，Ar²²、Ar²³和Ar²⁴中的任一个、Ar²⁷、Ar²⁸和Ar²⁹中的任一个以及Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的任一个为上述式(21)或上述式(22)表示的结构。

[5]根据[4]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(20)中，Ar²²、Ar²⁷和Ar³²为上述式(21)或上述式(22)表示的结构。

[6]根据[3]～[5]中任一项所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(21)表示的结构为下述式(21-1)、式(21-2)、式(21-3)、式(21-4)或式(21-5)表示的结构，且上述式(22)表示的结构为下述式(22-1)、式(22-2)、式(22-3)或式(22-4)表示的结构。

[7]根据[1]或[2]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(200)中的三个W中的至少两个为N。

[8]根据[7]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(200)中的W全部为N。

[9]根据[1]或[2]所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物，其中，上述式(210)、上述式(220)和上述式(230)中的Ar⁴¹、Ar⁴²和Ar⁴³为下述式(20-1)～(20-13)中的任一者表示的基团。

(上述式中，*表示键合位置，

Ar⁴⁵为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基、可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基和可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基中的结构连接2～5个而成的一价基团)

[10]一种有机电致发光元件的制造方法，包括涂布[1]～[9]中任一项所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物并进行干燥而形成发光层的工序。

[11]一种有机EL显示装置的制造方法，包括[10]的有机电致发光元件的制造方法。

[12]一种有机EL照明的制造方法，包括[10]的有机电致发光元件的制造方法。

[13]一种有机电致发光元件，具有阳极、阴极和设置于阳极与阴极之间的发光层，该发光层包含：下述式(1)表示的多环杂环化合物，以及下述化合物I、下述化合物II、下述化合物III和下述化合物IV中的至少一种。

(式(1)中，

Y各自独立地为O、N-R或S，

上述R^a为氢原子或烷基，

化合物I：下述式(20)表示的化合物

化合物II：下述式(200)表示的化合物

化合物IV：下述式(240)表示的化合物

(式(200)中，

W各自独立地表示CH或N，至少一个W为N，

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，

g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Xa¹可以相同或不同，

在h11为2以上的情况下，存在多个的Ya¹可以相同或不同，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Za¹可以相同或不同，

R³¹表示氢原子或取代基，4个R³¹可以相同或不同，

(式(210)、式(220)和式(230)中，

R²¹、R²²、R²³各自独立地表示氢原子或取代基，

X²¹、X²²各自独立地表示O、S或N-Ar⁴⁴，

n21、n22、n23各自独立地表示1或2，

n24表示1～4的整数，

在n24为2以上的情况下，多个R²¹可以相同或不同)

(式(240)中，

[14]根据[13]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(1)中的Y为N-R。

[15]根据[13]或[14]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(20)中，Ar²²、Ar²³、Ar²⁴、Ar²⁷、Ar²⁸、Ar²⁹、Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的至少一个为下述式(21)或下述式(22)表示的结构。

[16]根据[15]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(20)中，Ar²²、Ar²³和Ar²⁴中的任一个、Ar²⁷、Ar²⁸和Ar²⁹中的任一个以及Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的任一个为上述式(21)或上述式(22)表示的结构。

[17]根据[16]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(20)中，Ar²²、Ar²⁷和Ar³²为上述式(21)或上述式(22)表示的结构。

[18]根据[15]～[17]中任一项所述的有机电致发光元件，其中，上述式(21)表示的结构为下述式(21-1)、式(21-2)、式(21-3)、式(21-4)或式(21-5)表示的结构，且上述式(22)表示的结构为下述式(22-1)、式(22-2)、式(22-3)或式(22-4)表示的结构。

[19]根据[13]或[14]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(200)中的三个W中的至少两个为N。

[20]根据[19]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(200)中的W全部为N。

[21]根据[13]或[14]所述的有机电致发光元件，其中，上述式(210)、上述式(220)和上述式(230)中的Ar⁴¹、Ar⁴²和Ar⁴³为下述式(20-1)～(20-13)中的任一者表示的基团。

(上述式中，*表示键合位置，

[22]一种有机EL显示装置，包含[13]～[21]中任一项所述的有机电致发光元件。

[23]一种有机EL照明，包含[13]～[21]中任一项所述的有机电致发光元件。

根据本发明的发光层形成用组合物和有机电致发光元件，能够提供一种显示优异的元件特性、且驱动寿命特别长的有机电致发光元件。

另外，根据本发明的发光层形成用组合物和有机电致发光元件，能够提供一种显示优异的元件特性、且发光效率特别高的有机电致发光元件。

另外，根据本发明的发光层形成用组合物和有机电致发光元件，能够提供一种显示优异的元件特性、且低电压化的效果特别高的有机电致发光元件。

另外，根据本发明的发光层形成用组合物和有机电致发光元件，能够提供一种显示优异的元件特性、且进行低电压驱动、发光效率高、驱动寿命长的有机电致发光元件。

附图说明

图1是表示本发明的有机电致发光元件的结构例的截面的示意图。

具体实施方式

以下，对本发明的有机电致发光元件的发光层形成用组合物、有机电致发光元件、具备该有机电致发光元件的有机EL显示装置和具备该有机电致发光元件的有机EL照明的实施方式进行详细说明。以下的说明是本发明的实施方式的一个例子(代表例)，本发明只要不超出其主旨，则不特别限定于这些内容。

〔有机电致发光元件的发光层形成用组合物〕

有机电致发光元件的发光层至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且优选含有一种或多种主体材料。主体材料通常为电荷传输材料，为了调整电荷传输性，也可以配合电荷传输性低的材料。

本发明的有机电致发光元件的发光层形成用组合物(以下，称为“本发明的发光层形成用组合物”)包含下述式(1)表示的多环杂环化合物作为发光材料，且包含下述化合物I、下述化合物II、下述化合物III和下述化合物IV中的至少一种作为主体材料，并进一步包含有机溶剂。

(式(1)中，

Y各自独立地为O、N-R或S，

上述R^a为氢原子或烷基，

化合物I：下述式(20)表示的化合物

化合物II：下述式(200)表示的化合物

化合物IV：下述式(240)表示的化合物

(式(200)中，

W各自独立地表示CH或N，至少一个W为N，

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，

g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Xa¹可以相同或不同，

在h11为2以上的情况下，存在多个的Ya¹可以相同或不同，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Za¹可以相同或不同，

R³¹表示氢原子或取代基，4个R³¹可以相同或不同，

(式(210)、式(220)和式(230)中，

R²¹、R²²、R²³各自独立地表示氢原子或取代基，

X²¹、X²²各自独立地表示O、S或N-Ar⁴⁴，

n21、n22、n23各自独立地表示1或2，

n24表示1～4的整数，

在n24为2以上的情况下，多个R²¹可以相同或不同)

(式(240)中，

在使用本发明的发光层形成用组合物形成的发光层中，上述式(1)表示的多环杂环化合物作为发光材料发挥作用，上述化合物I、化合物II、化合物III、化合物IV作为主体材料发挥作用。在本说明书中，有时将上述化合物I、化合物II、化合物III和化合物IV中的至少一种称为“化合物I～IV”或“第一主体材料”。另外，有时将本发明的发光层形成用组合物称为“第一组合物”。

[本发明发挥效果的理由]

＜化合物I＞

认为使用本发明的发光层形成用组合物的有机电致发光元件通过在发光层中包含具有连接多个苯环而成的结构的化合物即上述式(20)表示的化合物I作为主体材料，发光层内的电荷传输性得到适当调整，能够抑制作为发光材料的上述式(1)表示的多环杂环化合物的劣化，驱动寿命变长。特别是化合物I具有抑制电荷传输性的效果。认为在使用后述的式(30)表示的蒽系的电子传输性高的主体材料作为第二主体材料的情况下，抑制发光层内的电子传输性以便避免发光材料被过度还原而劣化，元件的驱动寿命变长。

＜化合物II＞

认为使用本发明的发光层形成用组合物的有机电致发光元件通过在发光层中包含具有含有氮的6元杂芳香环与苯环连接而成的结构的化合物即上述式(200)表示的化合物II作为主体材料，发光层内的电荷传输性得到适当调整，实现低电压化，发光效率提高，能够抑制作为发光材料的上述式(1)表示的多环杂环化合物的劣化，驱动寿命变长。特别是在具有化合物II的上述式(200)的W全部为氮原子的三嗪结构的情况下，LUMO比较深，除了具有电子传输性以外还具有适度的电子捕捉性，不会对发光材料过剩地供给电子，由此发光材料的耐久性提高，其结果，认为有机电致发光元件的驱动寿命进一步变长。特别是认为有可能抑制电子进入作为发光材料的上述式(1)表示的多环杂环化合物的硼原子所具有的空的p轨道而发光材料劣化的情况。

另外，化合物II由于在中心具有含有氮原子的芳香族6元环，因此电子传输性高。因此，认为在使用化合物II作为第一主体的情况下，进一步通过使用空穴传输性高的主体材料作为主体材料，进一步实现低电压化，发光效率提高，驱动寿命变高。

＜化合物III＞

本发明的发光层形成用组合物和由该发光层形成用组合物形成的有机电致发光元件的发光层中所含的上述式(210)表示的化合物、上述式(220)表示的化合物和上述式(230)表示的化合物中的任一者即化合物III在键合于胺的氮原子的亚苯基连接2个或3个的之前的苯环的3位必定键合有芳香环。这里所谓的芳香环为Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³或苯环表示的结构。认为通过这样的结构，在对位键合于胺的氮原子上的苯环成为2或3，HOMO适度地分布，由此空穴传输性提高，实现低电压化，进而发光层内的电子与空穴的平衡提高，发光效率提高，耐久性提高，元件的驱动寿命长寿命化。进而，认为，通过在此之前具有Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³等结构，进一步实现低电压化、高发光效率化和长寿命化，并且该化合物在有机溶剂中的溶解性提高。另外，认为通过适当地选择Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³的结构，耐久性提高。另外，如果发光材料直接接收从阳极侧的层注入的空穴而成为氧化状态，则有可能劣化，在该情况下，化合物III具有空穴传输性，容易从阴极侧的层接收空穴，因此认为发光材料不易直接氧化，劣化得到抑制。相反地，如果发光材料直接接收从阴极侧注入的电子而成为还原状态，则有可能劣化，在该情况下，通过从化合物III对发光材料迅速地传输空穴，使发光材料再结合发光，由此认为发光材料的劣化得到抑制。化合物III是具有三苯基胺结构的空穴传输性的主体，因此认为通过使用化合物III作为第一主体并且使用电子传输性高的材料作为第二主体材料，能够得到实现低电压化、发光效率提高、驱动寿命长的有机电致发光元件。

＜化合物IV＞

认为本发明的发光层形成用组合物和由该发光层形成用组合物形成的有机电致发光元件通过在发光层中包含含有具有两个咔唑环的结构的化合物即上述式(240)表示的化合物IV作为主体材料，发光层内的电荷传输性得到适当调整，实现低电压化，发光效率提高，能够抑制作为发光材料的上述式(1)表示的多环杂环化合物的劣化，驱动寿命变长。如果发光材料直接接收从阳极侧的层注入的空穴而成为氧化状态，则有可能劣化，在该情况下，化合物IV具有空穴传输性，容易从阴极侧的层接收空穴，因此认为发光材料不易直接氧化，劣化得到抑制。相反地，如果发光材料直接接收从阴极侧注入的电子而成为还原状态，则容易劣化，在该情况下，通过从化合物IV对发光材料迅速地传输空穴，使发光材料再结合发光，由此认为劣化得到抑制。进而，认为由于化合物IV具有两个平面性高的咔唑环结构，因此平面性高的多环杂环化合物即上述式(1)表示的多环杂环化合物向发光材料的空穴传输性提高。认为此时向发光材料的电子供给也迅速地进行，由此迅速地再结合发光，发光材料的劣化也得到抑制。因此，认为通过使用化合物IV作为第一主体并且使用电子传输性高的材料作为第二主体材料，能够得到实现低电压化、发光效率提高、驱动寿命长的有机电致发光元件。

[多环杂环化合物]

本发明的发光层形成用组合物含有上述式(1)表示的多环杂环化合物。上述式(1)表示的多环杂环化合物优选为发光材料。

＜环a、环b和环c＞

环a、环b和环c各自独立地为可以具有取代基的芳香族烃环或可以具有取代基的芳香族杂环。

芳香族烃环或芳香族杂环可以具有的取代基优选为选自下述取代基组α中的基团。

另外，上述芳香族烃环或芳香族杂环优选具有与由B和Y构成的式(1)中的中央的稠合二环结构(以下，有时称为“中央稠合二环结构”)共有键的5或6元环，更优选具有与中央稠合二环结构共有键的6元环。

(式(1’))

这里，“中央稠合二环结构”为式(1)的中央所示的、包含B和两个Y而构成的两个饱和烃环稠合而成的结构。具体而言为下述式(1’)中的环d和环e稠合而成的结构。

(式(1’)中，环a～c和Y与式(1)中的环a～c和Y含义相同)

另外，存在“与中央稠合二环结构共有键的6元环”的情况例如是指环a为苯环(6元环)的情况。“(作为环a的)香族烃环或芳香族杂环具有该6元环”是指仅由该6元环形成环a或者以包含该6元环的方式在该6元环中进一步稠合其他环等而形成环a。关对于“环b”、“环c”和“5元环”，也适用同样的说明。

(芳香族烃环)

作为式(1)的环a、环b和环c中的芳香族烃环，例如可举出碳原子数6～30的芳香族烃环，优选为碳原子数6～16的芳香族烃环，更优选为碳原子数6～12的芳香族烃环，特别优选为碳原子数6～10的芳香族烃环。

作为具体的芳香族烃环，优选为作为单环系的苯环、作为二环系的联苯环、作为稠合二环系的萘环、作为三环系的三联苯环(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)、作为稠合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环、作为稠合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯环、作为稠合五环系的苝环、并五苯环，进一步优选为苯环、联苯环、萘环、三联苯环、芴环，最优选为苯环。

(芳香族杂环)

作为式(1)的环a、环b和环c中的芳香族杂环，例如可举出碳原子数2～30的芳香族杂环，优选为碳原子数2～25的芳香族杂环，更优选为碳原子数2～20的芳香族杂环，进一步优选为碳原子数2～15的芳香族杂环，特别优选为碳原子数2～10的芳香族杂环。作为芳香族杂环，例如优选为除了碳原子以外还含有1～5个选自氧原子、硫原子和氮原子中的杂原子作为环构成原子的杂环。

作为具体的芳香族杂环，优选为吡咯环、唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、噻二唑环、三唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、苯并咪唑环、苯并/>唑环、苯并噻唑环、喹啉环、异喹啉环、喹唑啉环、喹喔啉环、萘啶环、咔唑环、吖啶环、吩嗪环、啡噻嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环。

(取代基组α)

取代基组α由取代或无取代的芳香族烃基、取代或无取代的芳香族杂环基、取代或无取代的二芳基氨基、取代或无取代的二杂芳基氨基、取代或无取代的芳基杂芳基氨基(具有芳香族烃基和芳香族杂环基的氨基)、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳氧基、以及卤素原子构成。

卤素原子以外的选自取代基组α中的基团可以具有的取代基为下述取代基组β。

作为取代基组α中的芳香族烃基或芳基结构，例如可举出环a、环b和环c中的芳香族烃环的基团。芳香族烃环的具体的结构和优选的结构也同样。作为取代基组α中的芳香族烃基，优选为苯环。

作为取代基组α中的芳香族杂环基或杂芳基结构，例如可举出环a、环b和环c中的芳香族杂环的基团。芳香族杂环的具体的结构和优选的结构也同样。作为取代基组α中的芳香族杂环基，优选为三嗪环、苯并咪唑环、苯并噻唑环、嘧啶并[5,4-d]嘧啶环或苯并[1,2-d:4,5-d]二咪唑环。

作为取代基组α中的烷基，可以为直链和支链中的任一者，例如可举出碳原子数1～24的直链烷基或碳原子数3～24的支链烷基。作为该烷基，优选为碳原子数1～18的直链烷基或碳原子数3～18的支链烷基，更优选为碳原子数1～12的直链烷基或碳原子数3～12的支链烷基，进一步优选为碳原子数1～6的直链烷基或碳原子数3～6的支链烷基，特别优选为碳原子数1～4的直链烷基或碳原子数3～4的支链烷基。

作为具体的烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基等。

取代基组α中的烷基的H的一部分可以取代为F。

作为取代基组α中的烷氧基，例如可举出碳原子数1～24的直链或碳原子数3～24的支链的烷氧基。作为该烷氧基，优选为碳原子数1～18的直链烷氧基或碳原子数3～18的支链的烷氧基，更优选为碳原子数1～12的直链烷氧基或碳原子数3～12的支链的烷氧基，进一步优选为碳原子数1～6的直链烷氧基或碳原子数3～6的支链的烷氧基，特别优选为碳原子数1～4的直链烷氧基或碳原子数3～4的支链的烷氧基。

作为具体的烷氧基，例如可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。

作为取代基组α中的卤素原子，例如可举出氟原子、氯原子、溴原子。作为卤素原子，优选为氟原子和氯原子，其中，进一步优选为氟原子。

(取代基组β)

取代基组β由可以被芳烷基取代的芳香族烃基、可以被芳烷基取代的芳香族杂环基、烷基以及卤素原子构成。作为取代基组β中的芳香族烃基、芳香族杂环基、烷基、芳烷基、卤素原子，例如可举出与取代基组α同样的基团，优选的结构也与取代基组α同样。

从提高稳定性和溶解度的观点考虑，取代基组β优选为可以被芳烷基取代的芳香族烃基、可以被芳烷基取代的芳香族杂环基、烷基或芳烷基。

作为取代基组β中的芳烷基、可以取代为芳香族烃基的芳烷基、可以取代为芳香族杂环基的芳烷基，优选为碳原子数7～30的芳烷基，优选为苯环与烷基键合而成的结构。

(Y)

式(1)中的Y为O、N-R或S。

(R)

R为可以具有取代基的芳香族烃环基、可以具有取代基的芳香族杂环基或烷基。

另外，式(1)中的2个Y可以彼此相同，也可以不同，但优选相同。两个Y优选为N-R。

作为式(1)的R中的芳香族烃环基和芳香族杂环基，例如可举出式(1)的环a、环b和环c中的芳香族烃环的基团和芳香族杂环的基团。作为该芳香族烃环基和芳香族杂环基，特别优选为碳原子数6～10的芳香族烃环基(例如苯基、萘基等)、碳原子数2～15的芳香族杂环基(例如咔唑基等)。

在式(1)的R为可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基的情况下，R为与式(1)的环a、环b和环c中的可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基同样的基团。具体的结构和优选的结构也与式(1)的环a、环b和环c中的可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基同样。在式(1)的R为可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基的情况下，上述式(1)由下述式(21)表示。

上述式(1)优选为下述式(21)表示的结构。

作为式(1)的R中的烷基，例如可举出上述取代基组α中的烷基。作为该烷基，特别优选为碳原子数1～4的烷基(例如甲基、乙基等)。

R可以通过-O-、-S-、-C(-R^a)₂-或单键与选自上述环a、上述环b和上述环c中的至少一个环上的与上述Y键合的原子所邻接的碳原子键合。这里，R^a为氢原子或烷基。

作为R^a中的烷基，例如可举出上述取代基组α中的烷基。作为该烷基，特别优选为碳原子数1～4的烷基，例如为甲基、乙基等。

应予说明，上述邻接的碳原子不是构成中央稠合二环结构的碳原子。

另外，式(1)表示的多环杂环化合物中的至少一个氢原子可以被卤素原子或氘取代。

(式(21))

(式(21)中，

环a、环b、环c、环d和环e与上述式(1’)同样，

环f和环g与上述式(1’)中的环a、环b或环c同样，各自独立地为可以具有取代基的芳香族烃环或可以具有取代基的芳香族杂环，

环f可以通过-O-、-S-、-C(-R^a)₂-或单键与环a或环b中的至少任一个环中与N键合的原子所邻接的碳原子键合，

环g可以通过-O-、-S-、-C(-R^a)₂-或单键与环a或环c中的至少任一个环中与N键合的原子所邻接的碳原子键合，

上述R^a为氢原子或烷基，

其中，上述邻接的碳原子不是构成包含B和N的环d和环e的碳原子，

作为环f和环g中的芳香族烃环基和芳香族杂环基，特别优选为碳原子数6～10的芳香族烃环基(例如苯基、萘基等)、碳原子数2～15的芳香族杂环基(例如咔唑基等)。

作为芳香族烃环或芳香族杂环的环f和环g可以具有的取代基与环a、环b和环c同样，优选为选自上述取代基组α中的基团。

(式(22))

上述式(21)优选为下述式(22)表示的结构。

式(22)中，上述式(21)中的环a、环b、环c、环d和环e全部为苯环结构，环a、环b、环c、环d和环e可以具有取代基，

上述R^a为氢原子或烷基，

式(22)表示的多环杂环化合物中的至少一个氢原子可以被卤素原子或氘取代。

环a、环b、环c、环d和环e可以具有的取代基与上述式(21)中的环a、环b、环c、环d和环e可以具有的取代基同样，具体的结构和优选的结构也同样。

上述式(22)表示的多环杂环化合物也优选为后述的式(71)表示的多环杂环化合物TD1或后述的式(81)表示的多环杂环化合物TD2。

另外，上述式(1)表示的多环杂环化合物也优选为后述的式(71)表示的多环杂环化合物TD1或后述的式(81)表示的多环杂环化合物TD2。

＜式(1)表示的多环杂环化合物的具体例＞

式(1)表示的多环杂环化合物没有特别限定，例如可举出如下所述的化合物。

/>

＜多环杂环化合物TD1＞

式(1)表示的多环杂环化合物也优选为下述式(71)表示的多环杂环化合物。在本发明中，有时将下述式(71)表示的多环杂环化合物称为多环杂环化合物TD1。

(式(71)中，

A₁～A₇各自独立地为氢原子、氟原子、可以具有取代基的烷基、作为电子受体性的取代基的杂芳基、硝基、氰基或者具有作为电子受体性的取代基的杂芳基、硝基、氰基作为取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基，

R₇₁～R₇₈各自独立地为氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、电子供体性的取代基或它们的组合，

虚线是指单键或无键)

在上述式(71)表示的多环杂环化合物中，LUMO的电子云定域化地集中于A₁～A₇与苯基键合的位置。因此，通过使选自A₁～A₇中的至少一个为电子受体性的取代基，电子云扩展，LUMO的能级稳定化，HOMO与LUMO的能量差变小。其结果，上述式(71)表示的多环杂环化合物能够得到长波长化的发光光谱。

(A₁～A₇)

A₁～A₇各自独立地为氢原子、氟原子、可以具有取代基的烷基、作为电子受体性的取代基的杂芳基、硝基、氰基或者具有作为电子受体性的取代基的杂芳基、硝基、氰基作为取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基。

优选选自A₁～A₇中的至少一个为电子受体性的取代基，上述电子受体性的取代基以外的A₁～A₇各自独立地为氢原子、氟原子或可以具有取代基的烷基。

如果选自A₁～A₇中的至少一个为电子受体性的取代基，则可以通过A₁～A₇的数量或种类来调整发光波长，因而优选。

电子受体性的取代基是指进行化学键合并从相邻的化学结构中抽取电子而电子容易变得过多的化学结构的取代基。

作为电子受体性的取代基，例如可举出杂芳基、硝基、氰基等取代基、具有上述取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基等。其中，从长波长化的观点考虑，优选为杂芳基。

杂芳基为具有选自氮原子、氧原子和硫原子中的至少一个原子的芳基。作为杂芳基，例如可举出具有含有碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等的、1～4个环的多环式芳香族的杂芳基类的基团。

另外，电子受体性的取代基优选为将HOMO的能级和LUMO的能级相加并除以2而得的值的绝对值(以下，有时称为“绝对值α”)为3eV以上的基团。如果绝对值α为3eV以上，则经验上取代基的电子受体性提高。

电子受体性的取代基的绝对值α优选为3.1eV以上，更优选为3.5eV以上，进一步优选为4.0eV以上。另外，电子受体性的取代基的绝对值α的上限没有特别设定，通常为7.0eV以下。

电子受体性的取代基的HOMO的能级和LUMO的能级为以如下方式得到的HOMO的分子轨道的能级和LUMO的分子轨道的能级。即，消除式(71)中的电子受体性的取代基与相邻的苯基之间的单键，加成氢原子。然后，只要将所得到的电子受体性的取代基的分子结构利用分子轨道计算软件Gaussian16，并使用泛函数：B3LYP和基函数：6-31G(d)，进行基于密度泛函数的结构优化计算即可。

另外，电子受体性的取代基优选为下述式(5)表示的基团、下述式(6)表示的基团、下述式(7)表示的基团或下述式(8)表示的基团。

式(5)～(8)中，

R₇₃₂～R₇₄₅各自独立地为氢原子、可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的芳香族烃基。

作为烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、正辛基、环己基、十二烷基等碳原子数为1以上且24以下的直链、支链或环状的烷基。

作为芳香族烃基，例如可举出碳原子数为6以上且60以下的芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5元稠环的一价基团。

R₇₃₂～R₇₄₅可以具有的取代基可以选自后述的取代基组Z2。

作为上述式(5)～(8)的具体例，例如可举出下述式(2-1)～(2-7)。

/>

上述式(2-1)～(2-7)中，由计算得到的绝对值α如下所述。

式(2-4)表示的基团：4.35eV

式(2-6)表示的基团：4.18eV

式(2-3)表示的基团：4.17eV

式(2-7)表示的基团：4.12eV

式(2-5)表示的基团：4.10eV

式(2-2)表示的基团：3.73eV

式(2-1)表示的基团：3.13eV

即，上述式(71)的A₁～A₇中，在相同的场所以相同的数量导入上述式(2-4)表示的基团、上述式(2-6)表示的基团、上述式(2-3)表示的基团、上述式(2-7)表示的基团、上述式(2-5)表示的基团、上述式(2-2)表示的基团或上述式(2-1)表示的基团时，可按照上述式(2-4)＞上述式(2-6)＞上述式(2-3)＞上述式(2-7)＞上述式(2-5)＞上述式(2-2)＞上述式(2-1)的顺序得到发光波长的长波长化的效果。

这些之中，从长波长化和基于有机合成的制造容易性的观点考虑，电子受体性的取代基优选为上述式(5)表示的基团。

上述式(5)表示的基团由于绝对值α较大，并且与上述式(71)中的相邻的苯基的空间位阻少，因此相邻的苯基与上述式(5)表示的基团的π平面的扭转少，可得到大的发光波长的长波长化的效果。另外，上述式(5)表示的基团能够在有机合成上比较简便地制造，即便在想要改善在溶剂中的溶解性的情况下，也能够比较简单地向R₇₃₂、R₇₃₃中导入长链(例如碳原子数4以上)的烷基

无论是从增大绝对值α而容易得到长波长的发光波长的方面出发，还是从在溶剂中的溶解性的观点考虑，R₇₃₂、R₇₃₃均优选为可以具有取代基的烷基。另外，更优选选自R₇₃₂和R₇₃₃中的至少一个为具有叔丁基的苯基。

另外，从在溶剂中的溶解性的观点和发光波长的窄半值宽度化的观点考虑，优选选自R₇₃₂和R₇₃₃中的至少一者为可以具有取代基的烷基，另一者为可以具有取代基的芳香族烃基。芳香族烃基可以具有的取代基可以选自取代基组Z2。

另外，电子受体性的取代基以外的A₁～A₇各自独立地为氢原子、氟原子或可以具有取代基的烷基。

A₁～A₇可以具有的取代基可以选自后述的取代基组Z2。

应予说明，在A₁～A₇各自独立地为氟原子或可以具有取代基的烷基的情况下，通过它们的电子供给·接受性，与A₁～A₇为氢原子的情况相比，发光波长略微短波长化或长波长化，因而优选根据目标波长来选择取代基。

另外，在使用湿式成膜法的情况下，出于改善在溶剂中的溶解性的目的，优选A₁～A₇各自独立地为长链的烷基。

A₁～A₇中，LUMO的电子云定域化的程度不一样，根据位置而有强有弱。因此，A₁～A₇中，较强地得到由电子受体性的取代基带来的长波长化的效果的位置为A₄＞A₁＝A₇＞A₃＝A₅＞A₂＝A₆的顺序。

即，A₄中，最强地表现出由电子受体性的取代基带来的长波长化的效果。

因此，优选选自A₁、A₄和A₇中的至少一个为电子受体性的取代基，更优选为式(5)表示的基团。

A₁和A₇这两者为电子受体性的取代基时，与仅A₄为相同的电子受体性的取代基的情况相比，可得到大致相同程度的长波长化的效果。

另外，选自A₁～A₇中的两个以上为电子受体性的取代基时进一步长波长化，因而优选，选自A₁～A₇中的两个以上为电子受体性的取代基且至少一个是A₄为电子受体性的取代基时进一步长波长化，因而优选。

应予说明，优选式(71)中连接A₁～A₇与相邻的苯基的单键扭转、相邻的苯基与电子受体性的取代基的主要的芳香族烃基的π平面不扭转。其原因在于，通过该扭转，相邻的苯基与电子受体性的取代基的电荷的交换难以顺利地进行，上述式(71)的发光波长难以长波长化。

(R₇₁～R₇₈)

R₇₁～R₇₈各自独立地为氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、电子供体性的取代基或它们的组合。

作为芳香族杂环基，优选为碳原子数为3以上且60以下的芳香族杂环基，具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等5或6元环的单环或2～4元稠环的一价基团。

R₇₁～R₇₈可以具有的取代基可以选自后述的取代基组Z2。

另外，从长波长化的观点考虑，优选选自R₇₁～R₇₈中的至少一个为电子供体性的取代基。

电子供体性的取代基是指进行化学键合并从相邻的化学结构提供电子而电子容易变得缺乏的化学结构的取代基。

上述式(71)表示的多环杂环化合物中，HOMO的电子云定域化地集中于R₇₁～R₇₈。因此，通过使选自R₇₁～R₇₈中的至少一个为电子供体性的取代基，HOMO的电子云容易向外侧扩展，HOMO的能级不稳定化，HOMO与LUMO的能量差变小。其结果，上述式(71)表示的多环杂环化合物能够得到长波长化的发光光谱。

电子供体性的取代基优选绝对值α小于3eV的基团。如果绝对值α小于3eV，则经验上取代基的电子供体性提高。

从长波长化的观点考虑，电子供体性的取代基的绝对值α更优选小于2.97eV，进一步优选小于2.8eV，特别优选小于2.6eV。另外，电子供体性的取代基的绝对值α的下限没有特别设定，通常为1eV以上。

电子供体性的取代基的HOMO的能级和LUMO的能级为以如下方式得到的HOMO的分子轨道的能级和LUMO的分子轨道的能级。即，消除式(71)中的电子供体性的取代基与相邻的苯基之间的单键，加成氢原子。然后，只要将所得到的电子供体性的取代基的分子结构利用分子轨道计算软件高斯Gaussian16，并使用泛函数：B3LYP和基函数：6-31G(d)，进行基于密度泛函数的结构优化计算即可。

另外，电子供体性的取代基优选为下述式(2)表示的基团、下述式(3)表示的基团或下述式(4)表示的基团。

式(2)～(4)中，

R₇₀₉～R₇₃₁各自独立地为可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳香族烃基或氢原子。

R₇₀₉～R₇₃₁可以具有的取代基可以选自后述的取代基组Z2。

作为上述式(2)～(4)的具体例，例如可举出下述式(4-1)～(4-3)。

上述式(4-1)～(4-3)中，由计算得到的绝对值α如下所述。

式(4-3)表示的基团：2.96eV

式(4-2)表示的基团：2.91eV

式(4-1)表示的基团：2.46eV

即，上述式(71)的R₇₁～R₇₈中，在相同的场所以相同的数量导入上述式(4-3)表示的基团、上述式(4-2)表示的基团或上述式(4-1)表示的基团时，可按照上述式(4-1)＞上述式(4-2)＞上述式(4-3)的顺序得到发光波长的长波长化的效果。

另外，选自R₇₁～R₇₈中的两个以上为电子供体性的取代基时进一步长波长化，因而优选。

这些之中，从长波长化和基于有机合成的制造的容易性、结构稳定性的平衡的观点考虑，电子供体性的取代基优选为上述式(2)表示的基团。

上述式(2)表示的基团的绝对值α较小，可得到发光波长的长波长化的效果。另外，上述式(2)表示的基团能够在有机合成上比较简便地制造，即便在想要改善在溶剂中的溶解性的情况下，也能够比较简单地向R₇₀₉～R₇₁₆导入长链的烷基。

从在溶剂中的溶解性和合成的简便性的观点考虑，选自R₇₀₉～R₇₁₆中的至少一个优选为叔丁基。

应予说明，R₇₁～R₇₈各自独立地为可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基或它们的组合时，通过它们的电子供给·接受性，与R₇₁～R₇₈为氢原子的情况相比，发光波长略微短波长化或长波长化，因此，优选为根据目标波长来选择取代基。

另外，在使用湿式成膜法的情况下，出于改善在溶剂中的溶解性的目的，优选R₇₁～R₇₈各自独立地为长链的烷基。

R₇₁～R₇₈中，HOMO的电子云定域化的程度不一样，根据位置而有强有弱。因此，R₇₁～R₇₈中，较强地得到由电子供体性的取代基带来的长波长化的效果的位置为R₇₄＝R₇₅＞R₇₁＝R₇₈＞R₇₃＝R₇₆＞R₇₂＝R₇₇的顺序。即，R₇₄与R₇₅中，最强地表现出由电子供体性的取代基带来的长波长化的效果。

＜虚线＞

式(71)中，虚线可以为单键，也可以为无键。

虚线优选为单键。如果虚线为单键，则电子云扩展，发光波长略微长波长化。另外，如果虚线为单键，则容易导入A₁～A₇中的电子受体性的取代基和R₇₁～R₇₈中的电子供体性的取代基。

＜多环杂环化合物的对称性＞

上述式(71)的多环杂环化合物为非对称型时，具有使发光波长的半值宽度变窄的效果，因而优选。认为通过非对称型而对称性降低，多环杂环化合物彼此不易缔合，多环杂环化合物彼此的相互作用降低，因此发光光谱的半值宽度变窄。

多环杂环化合物为非对称型是指上述式(71)中将连接B与A₄的键合轴的线设为旋转轴时，在相对于旋转轴旋转180°的情况下不是相同的结构，或者相对于与包含键合轴且由上述式(71)的化合物的多环杂环形成的面垂直的面不是镜像对称。

具体而言，优选为满足以下(i)或(ii)中的至少一者的结构。

(i)A₁～A₇、R₇₁～R₇₈相对于该键合轴旋转180°的情况下不未成为相同结构的结构。

(ii)A₁与A₇不同，或者A₂与A₆不同，或者A₃与A₅不同，或者R₇₁与R₇₈不同，或者R₇₂与R₇₇不同，或者R₇₃与R₇₆不同，或者R₇₄与R₇₅不同的结构。

＜取代基组Z2＞

作为取代基组Z2，可举出以下的基团。

碳原子数通常为1以上、优选为4以上且通常为24以下、优选为12以下的直链、支链或环状的烷基；例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、十二烷基等

碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烯基；例如，乙烯基等

碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的炔基；例如，乙炔基等

碳原子数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基；例如，甲氧基、乙氧基等

碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳氧基或杂芳氧基；例如，苯氧基、萘氧基、吡啶氧基等

碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基羰基；例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基等

碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的二烷基氨基；例如，二甲基氨基、二乙基氨基等

碳原子数通常为10以上、优选为12以上且通常为36以下、优选为24以下的二芳基氨基；例如，二苯基氨基、二甲苯基氨基、N-咔唑基等

碳原子数通常为7以上且通常为36以下、优选为24以下的芳基烷基氨基；例如，苯基甲基氨基等

碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的酰基；例如，乙酰基、苯甲酰基等

卤素原子；例如，氟原子、氯原子等

碳原子数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的卤代烷基；例如，三氟甲基等

碳原子数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷硫基；例如，甲硫基、乙硫基等

碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳硫基；例如，苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等

碳原子数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷基；例如，三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等

碳原子数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷氧基；例如，三甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基等

碳原子数通常为6以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族烃基；例如，苯基、萘基等

碳原子数通常为3以上、优选为4以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族杂环基；例如，噻吩基、吡啶基等

碳原子数为7以上、优选为8以上且40以下、优选为30以下、进一步优选为20以下的芳烷基；例如，1,1-二甲基-1-苯基甲基、1,1-二(正丁基)-1-苯基甲基、1,1-二(正己基)-1-苯基甲基、1,1-二(正辛基)-1-苯基甲基、苯基甲基、苯基乙基、3-苯基-1-丙基、4-苯基-1-正丁基、1-甲基-1-苯基乙基、5-苯基-1-正丙基、6-苯基-1-正己基、6-萘基-1-正己基、7-苯基-1-正庚基、8-苯基-1-正辛基、4-苯基环己基等

碳原子数为2以上、优选为4以上且40以下、优选为30以下、进一步优选为20以下的杂芳烷基；1,1-二甲基-1-(2-吡啶基)甲基、1,1-二(正己基)-1-(2-吡啶基)甲基、(2-吡啶基)甲基、(2-吡啶基)乙基、3-(2-吡啶基)-1-丙基、4-(2-吡啶基)-1-正丁基、1-甲基-1-(2-吡啶基)乙基、5-(2-吡啶基)-1-正丙基、6-(2-吡啶基)-1-正己基、6-(2-嘧啶基)-1-正己基、6-(2,6-二苯基-1,3,5-三嗪-4-基)-1-正己基、7-(2-吡啶基)-1-正庚基、8-(2-吡啶基)-1-正辛基、4-(2-吡啶基)环己基等

这些之中，优选为烷基、烷氧基、芳氧基、芳香族烃基或芳烷基。

＜多环杂环化合物TD1的具体例＞

式(71)表示的多环杂环化合物TD1的结构没有特别限定，例如可举出如上所述的结构。

/>

＜多环杂环化合物TD2＞

式(1)表示的多环杂环化合物也优选为下述式(81)表示的多环杂环化合物。在本发明中，有时将下述式(81)表示的多环杂环化合物称为多环杂环化合物TD2。

(式(81)中，R⁸¹和四个R⁸²各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数10以下的烷基、可以具有取代基的碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基。

A⁸¹表示下述式(82)表示的结构。

a80、b80、c80、d80各自独立地表示0～2的整数，a80～d80中的至少一个为1以上的整数；

式(81)中存在多个A⁸¹时，多个A⁸¹可以相同或不同)

(式(82)中，星号(*)表示键合部，

R^F表示碳原子数5以下的氟烷基，

R⁸³表示可以具有取代基的碳原子数10以下的烷基、可以具有取代基的碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基。

e80表示0～5的整数。

式(82)中的2个R^F可以相同或不同。另外，在式(82)中存在多个R⁸³时，多个R⁸³可以相同或不同)

(式(81)优选的理由)

上述式(81)表示的多环杂环化合物TD2的特征在于，以包含硼原子和氮原子的稠合杂环骨架为基本骨架，且该基本骨架上连接有至少一个上述式(82)表示的两个氟烷基与苯环进行了取代的季碳原子。

假设氟原子直接取代于该基本骨架时，虽然引起发光波长的短波长化，但化合物的离子化电势和电子亲和能大幅变化，因此在作为有机电致发光元件的发光材料应用时，元件的电荷平衡破坏，不易实现优异的元件特性。

与此相对，在多环杂环化合物TD2中，未使作为强吸电子性基团的氟原子直接取代于该基本骨架，由此不会使对有机电致发光元件的元件特性造成很大影响的离子化电势与电子亲和能大幅变动，能够实现发光波长的短波长化。

另外，与基本骨架连接的上述式(82)中的季碳原子由于具有两个氟烷基与苯环键合的非对称的结构，因此，多环杂环化合物TD2在有机溶剂中的溶解性优异。因此，通过湿式成膜法制作的膜的均匀性高，适合作为有机电致发光元件的发光材料。

＜R⁸¹和R⁸²＞

式(81)中的R⁸¹和四个R⁸²各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数10以下的烷基、可以具有取代基的碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基。

作为碳原子数10以下的烷基的例子，可举出甲基、乙基、以及支链、直链或环状的丙基、丁基、戊基、己基、辛基、壬基、癸基、金刚烷基。R¹为碳原子数10以下的烷基时，从化合物的稳定性的观点考虑，优选为甲基、支链、直链或环状的丙基、丁基，特别优选为支链的丁基。

作为碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基的例子，可举出苯环、萘环、菲环、蒽环、环、芘环、苯并蒽环、苝环等的一价基团，从化合物的溶解性的观点考虑，优选为作为苯环的一价基团的苯基。

作为碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基的例子，可举出吡啶环、喹啉环、苯并呋喃环、咔唑环等的一价基团。

作为R⁸¹，优选为氢原子、碳原子数1～4的烷基，进一步优选为氢原子或叔丁基。

作为R⁸²，优选为氢原子。

＜a80～d80＞

式(81)中，a80、b80、c80、d80各自独立地表示0～2的整数，a80～d80中的至少一个为1以上的整数。从化合物的发光波长的短波长化的观点考虑，优选a80+b80+c80+d80为2以上，特别优选为a80+b80+c80+d80为4以上。

＜R^F＞

式(82)中，R^F表示碳原子数5以下的氟烷基。作为碳原子数5以下的氟烷基的例子，可举出三氟甲基、五氟乙基、支链、直链或环状的全氟丙基、全氟丁基、全氟戊烷基等全氟烷基。从化合物的成膜性的观点考虑，优选为三氟甲基、五氟乙基，特别优选为三氟甲基。

＜R⁸³＞

式(82)中，R⁸³表示可以具有取代基的碳原子数10以下的烷基、可以具有取代基的碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基。作为碳原子数10以下的烷基的例子，可举出甲基、乙基、以及支链、直链或环状的丙基、丁基、戊基、己基、辛基、壬基、癸基。从化合物的溶解性的观点考虑，优选为分支或直链的丙基、丁基、戊基、己基，特别优选为支链或直链的丁基、支链、直链或环状的己基。

＜R⁸¹～R⁸³可以具有的取代基＞

R⁸¹、R⁸²、R⁸³为可以具有取代基的碳原子数10以下的烷基、可以具有取代基的碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基时，作为该烷基、芳香族烃基、芳香族杂环基可以具有的取代基，例如可以选自后述的取代基组W1。

其中，优选为碳原子数10以下的烷基、碳原子数20以下的芳香族烃基或芳香族杂环基、碳原子数30以下的芳烷基，更优选为碳原子数10以下的烷基、碳原子数20以下的芳香族烃基、碳原子数30以下的芳烷基。

对作为取代基的碳原子数10以下的烷基的例子而言，可举出甲基、乙基、以及支链、直链、环状的丙基、丁基、戊基、己基、辛基、壬基、癸基。从化合物的稳定性的观点考虑，优选为甲基、乙基、支链、直链、环状的丙基、丁基，特别优选为支链状的丙基。

对作为取代基的碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基的例子而言，可举出苯环、萘环、菲环、蒽环、环、芘环、苯并蒽环、苝环等的一价基团，从化合物的溶解性的观点考虑，优选为作为苯环的一价基团的苯基。

对作为取代基的碳原子数3以上且20以下的芳香族杂环基的例子而言，可举出吡啶环、喹啉环、苯并呋喃环、咔唑环等的一价基团。

对作为取代基的碳原子数30以下的芳烷基的例子而言，可举出苄基、2-苯基乙基、2-苯基丙基-2-基、2-苯基丁基-2-基、3-苯基戊基-3-基、3-苯基-1-丙基、4-苯基-1-丁基、5-苯基-1-戊基、6-苯基-1-己基、7-苯基-1-庚基、8-苯基-1-辛基等。

＜取代基组W1＞

作为取代基组W1，可举出以下基团。

例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、十二烷基等碳原子数通常为1以上、优选为4以上且通常为24以下、优选为12以下的直链、支链或环状的烷基；

例如，乙烯基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烯基；

例如，乙炔基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的炔基；

例如，苄基、2-苯基乙基、2-苯基丙基-2-基、2-苯基丁基-2-基、3-苯基戊基-3-基、3-苯基-1-丙基、4-苯基-1-丁基、5-苯基-1-戊基、6-苯基-1-己基、7-苯基-1-庚基、8-苯基-1-辛基等碳原子数30以下的芳烷基；

例如，甲氧基、乙氧基等碳原子数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基；

例如，苯氧基、萘氧基、吡啶氧基等碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳氧基或杂芳氧基；

例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基羰基；

例如，二甲基氨基、二乙基氨基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的二烷基氨基；

例如，二苯基氨基、二甲苯基氨基、N-咔唑基等碳原子数通常为10以上、优选为12以上且通常为36以下、优选为24以下的二芳基氨基；

例如，苯基甲基氨基等碳原子数通常为7以上且通常为36以下、优选为24以下的芳基烷基氨基；

例如，乙酰基、苯甲酰基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的酰基；

例如，氟原子、氯原子等卤素原子；

例如，三氟甲基等碳原子数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的卤代烷基；

例如，甲硫基、乙硫基等碳原子数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷硫基；

例如，苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳硫基；

例如，三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等碳原子数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷基；

例如，三甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基等碳原子数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷氧基；

氰基；

例如，苯基、萘基等碳原子数通常为6以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族烃基；

例如，噻吩基、吡啶基等碳原子数通常为3以上、优选为4以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族杂环基。

上述取代基组W1中，优选为烷基、芳香族烃基或芳香族杂环基，进一步优选为烷基、芳香族烃基。从电荷传输性的观点考虑，进一步优选不具有取代基。

另外，上述取代基组W1的各取代基也可以进一步具有取代基。作为这些取代基，可以使用与上述取代基(取代基组W1)相同的取代基。

＜优选的多环杂环化合物TD2＞

上述式(81)表示的多环杂环化合物TD2优选为下述式(83)表示的结构。

(式(83)中，R⁸¹、R⁸²、A⁸¹与式(81)中的R⁸¹、R⁸²、A⁸¹含义相同，

a83、b83、c83和d83各自独立地为0或1，至少一个为1)

即，上述式(81)中，在A⁸¹未被取代的基本骨架中，由于HOMO分布于氮原子的对位(＝硼原子的间位)的碳原子上，因此如果如式(83)表示的结构那样A取代于该碳原子，则短波长化的效果大，因而优选。从该观点考虑，上述式(83)中，优选a83～d83全部为1。

＜多环杂环化合物TD2的具体例＞

以下示出式(81)表示的本发明的多环杂环化合物TD2的具体例，但本发明并不限定于这些。

在本发明的发光层形成用组合物中，可以包含仅一种上述式(1)表示的多环杂环化合物，也可以包含两种以上。

[化合物I：式(20)表示的化合物]

一个实施方式中的本发明的发光层形成用组合物含有下述式(20)表示的化合物I。

式(20)中的Ar²¹～Ar³⁵为可以具有取代基的苯环结构或者2～10个可以具有取代基的苯环结构未分支或分支地连接而成的结构时的该苯环可以具有的取代基优选为烷基。

＜作为取代基的烷基＞

作为取代基的烷基为碳原子数通常为1以上且12以下、优选为8以下、进一步优选为6以下、更优选为4以下的直链、支链或环状的烷基，具体而言，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、2-乙基己基。

＜式(21)、式(22)＞

上述式(20)中，Ar²²、Ar²³、Ar²⁴、Ar²⁷、Ar²⁸、Ar²⁹、Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的至少一个优选为下述式(21)或下述式(22)表示的结构。

式(21)和式(22)中的Ar³⁶～Ar³⁹为可以具有取代基的苯环结构或者2～10个可以具有取代基的苯环结构未分支或分支地连接而成的结构时的该苯环可以具有的取代基优选为作为上述取代基的烷基。

上述式(20)中，Ar²²、Ar²³和Ar²⁴中的任一个、Ar²⁷、Ar²⁸和Ar²⁹中的任一个以及Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的任一个优选为上述式(21)或上述式(22)表示的结构，进一步优选为Ar²²、Ar²⁷和Ar³²为上述式(21)或上述式(22)表示的结构。

进而，优选上述式(21)表示的结构为下述式(21-1)、式(21-2)、式(21-3)、式(21-4)或式(21-5)表示的结构，上述式(22)表示的结构为下述式(22-1)、式(22-2)、式(22-3)或式(22-4)表示的结构。这些结构可以被作为上述取代基的烷基取代。从提高溶解性的观点考虑，优选被烷基取代。从电荷传输性、元件驱动时的耐久性的观点考虑，优选不具有取代基。

其中，优选上述式(21)表示的结构为下述式(21-1)、式(21-3)、式(21-4)或式(21-5)表示的结构，进一步优选上述式(22)表示的结构为上述式(22-1)表示的结构，特别优选包含上述式(21-1)表示的结构或上述式(22-3)表示的结构作为至少一个上述式(21)或上述式(22)表示的结构。

认为通过上述式(20)表示的化合物包含这样的结构，能够适度地调整发光层内的电荷传输性，发光效率变高。另外，认为通过包含这样的结构，溶解性和元件驱动时的耐久性优异。

＜分子量＞

上述式(20)表示的化合物I为低分子材料，分子量优选为3000以下，特别优选为2000以下，最优选为1500以下。化合物I的分子量的下限通常为300以上，优选为350以上，更优选为400以上。

＜式(20)表示的化合物I的具体例＞

式(20)表示的化合物I没有特别限定，例如可举出如下所述的化合物。

/>

在本发明的发光层形成用组合物中，可以包含仅一种上述式(20)表示的化合物I，也可以包含两种以上。

[化合物II：式(200)表示的化合物]

一个实施方式中的本发明的发光层形成用组合物含有下述式(200)表示的化合物II。

(式(200)中，

W各自独立地表示CH或N，至少一个W为N，

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，

g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Xa¹可以相同或不同，

在h11为2以上的情况下，存在多个的Ya¹可以相同或不同，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Za¹可以相同或不同，

R³¹表示氢原子或取代基，4个R³¹可以相同或不同，

上述式(200)表示的化合物II优选为电荷传输化合物、即电荷传输主体材料。

＜W＞

上述式(200)中的W表示CH或N，其中的至少一个为N，从电子传输性和电子耐久性的观点考虑，优选至少两个为N，更优选全部为N。

＜Xa¹、Ya¹、Za¹、Xa²、Ya²、Za²＞

作为上述式(200)中的Xa¹、Ya¹、Za¹为可以具有取代基的碳原子数6～30的二价芳香族烃基时和Xa²、Ya²、Za²为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基时的碳原子数6～30的芳香族烃基的芳香族烃环，优选为6元环的单环或2～5元稠环。具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、芴环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、荧蒽环、茚并芴环等。其中，优选为苯环、萘环、蒽环、菲环或芴环，更优选为苯环、萘环、菲环或芴环，进一步优选为苯环、萘环或芴环。

作为上述式(200)中的Xa¹、Ya¹、Za¹为可以具有取代基的碳原子数3～30的二价芳香族杂环基时和Xa²、Ya²、Za²为可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基时的碳原子数3～30的芳香族杂环基的芳香族杂环，优选为5或6元环的单环或2～5元稠环。具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吲哚并咔唑环、茚并咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等。其中，优选为噻吩环、吡咯环、咪唑环、吡啶环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、喹唑啉环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚并咔唑环、菲咯啉环或茚并咔唑环，更优选为吡啶环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、喹唑啉环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环，进一步优选为咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。

上述式(200)中的Xa¹、Ya¹、Za¹、Xa²、Ya²和Za²中，特别优选的芳香族烃环为苯环、萘环或菲环，特别优选的芳香族杂环为咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。

＜g11、h11、j11＞

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数。从电荷传输性和耐久性的观点考虑，优选g11为2以上或h11和j11中的至少一者为3以上。

另外，从电荷传输性、耐久性和在有机溶剂中的溶解性的观点考虑，上述式(200)表示的化合物优选也包括具有3个中心的W的环在内具有合计8～18个的这些环。

＜R³¹＞

对作为取代基时的R³¹而言，优选为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基。从耐久性提高和电荷传输性的观点考虑，进一步优选为可以具有取代基的芳香族烃基。在作为取代基时的R³¹存在多个的情况下，也可以彼此不同。

上述的碳原子数6～30的芳香族烃基可以具有的取代基、碳原子数3～30的芳香族杂环基可以具有的取代基、作为取代基的R³¹可以具有的取代基可以选自下述取代基组Z。

＜取代基组Z＞

取代基组Z为由烷基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧基羰基、二烷基氨基、二芳基氨基、芳基烷基氨基、酰基、卤素原子、卤代烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃基和芳香族杂环基构成的组。这些取代基可以包含直链、支链和环状中的任一结构。

作为取代基组Z，更具体而言，可举出以下的结构。

例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、十二烷基等碳原子数通常为1以上、优选为4以上且通常为24以下、优选为12以下、更优选为8以下、进一步优选为6以下的直链、支链或环状的烷基；

例如，苯氧基、萘氧基、吡啶基氧基等碳原子数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳氧基或杂芳氧基；

例如，二苯基氨基、二甲苯基氨基等碳原子数通常为10以上、优选为12以上且通常为36以下、优选为24以下的二芳基氨基；

例如，苯基甲基氨基等碳原子数通常为7且通常为36以下、优选为24以下的芳基烷基氨基；

例如，乙酰基、苯甲酰基等碳原子数通常为2且通常为24以下、优选为12的酰基；

例如，氟原子、氯原子等卤素原子；

氰基；

上述取代基组Z中，优选为烷基、烷氧基、二芳基氨基、芳香族烃基或芳香族杂环基。从电荷传输性的观点考虑，作为取代基，优选为芳香族烃基或芳香族杂环基，更优选为芳香族烃基，进一步优选不具有取代基。从提高溶解性的观点考虑，作为取代基，优选为烷基或烷氧基。

另外，上述取代基组Z的各取代基也可以进一步具有取代基。作为这些取代基，可举出与上述取代基(取代基组Z)相同的取代基。上述取代基组Z可以具有的各取代基优选为碳原子数8以下的烷基、碳原子数8以下的烷氧基或苯基，更优选为碳原子数6以下的烷基、碳原子数6以下的烷氧基或苯基，从电荷传输性的观点考虑，上述取代基组Z的各取代基更优选不具有进一步的取代基。

＜分子量＞

上述式(200)表示的化合物II为低分子材料，分子量优选为3000以下，特别优选为2000以下，最优选为1,500以下。化合物II的分子量的下限通常为300以上，优选为350以上，更优选为400以上。

＜式(200)表示的化合物II的具体例＞

式(200)表示的化合物II没有特别限定，例如可举出以下般的化合物。

/>

在本发明的发光层形成用组合物中，可以包含仅一种上述式(200)表示的化合物II，也可以包含两种以上。

[化合物III：式(210)、式(220)、式(230)表示的化合物]

一个实施方式中的本发明的发光层形成用组合物含有选自下述式(210)表示的化合物、下述式(220)表示的化合物和下述式(230)表示的化合物中的一种或两种以上的化合物III。

(式(210)、式(220)和式(230)中，

R²¹、R²²、R²³各自独立地表示氢原子或取代基，

X²¹、X²²各自独立地表示O、S或N-Ar⁴⁴，

n21、n22、n23各自独立地表示1或2，

n24表示1～4的整数，

在n24为2以上的情况下，多个R²¹可以相同或不同)

上述式(210)、上述式(220)或上述式(230)表示的化合物III优选为电荷传输化合物、即电荷传输主体材料。

＜Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³、Ar⁴⁴、X²¹、X²²＞

作为上述式(210)、上述式(220)和上述式(230)中的Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³和Ar⁴⁴中可应用的碳原子数6～30的芳香族烃基，优选为6元环的单环或2～5元稠环的一价基团。具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、芴环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、荧蒽环、茚并芴环等的一价基团。进一步优选为苯环、萘环、菲环、芴环或茚并芴环的一价基团，更优选为苯环、萘环或芴环的一价基团，最优选为苯环或萘环的一价基团。

作为上述式(210)、上述式(220)和上述式(230)中的Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³和Ar⁴⁴中可应用的碳原子数3～30的芳香族杂环基，优选为5或6元环的单环或者2～5元稠环的一价基团。具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吲哚并咔唑环、茚并咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等的一价基团。这些之中，优选为噻吩环、吡咯环、咪唑环、吡啶环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、喹唑啉环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚并咔唑环、菲咯啉环或吲哚并咔唑环，更优选为吡啶环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、喹唑啉环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚并咔唑环或茚并咔唑环的一价基团，进一步优选为咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚并咔唑环或茚并咔唑环的一价基团。

Ar⁴¹、Ar⁴²、Ar⁴³或Ar⁴⁴为选自可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基和可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基中的结构连接2～5个而成的一价基团时的芳香族烃基和芳香族杂环基可以从这些一价基团中选择并组合。连接数优选为2或3，更优选为2。

Ar⁴⁴优选为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基的2～5个连接而成的基团。

X²¹优选为O或N-Ar⁴⁴，X²²优选为O或S，更优选为O。

这些基团可以具有的取代基可以选自上述化合物II中的取代基组Z。

作为Ar⁴¹、Ar⁴²和Ar⁴³的优选的基团，可举出下述式(20-1)～(20-13)表示的基团，这些基团也可以进一步具有取代基。

(上述式中，*表示键合位置，

Ar⁴⁵可以应用与上述Ar⁴⁴中可应用的一价基团同样的基团。优选为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基结构连接2～5个而成的一价基团。

作为取代基，优选选自上述取代基组Z。优选的取代基也如上述取代基组Z中记载所示。

＜R²¹、R²²、R²³＞

作为取代基时的R²¹、R²²和R²³可以各自独立地选自上述取代基组Z。优选为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基或可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基。从耐久性提高和电荷传输性的观点考虑，进一步优选为可以具有取代基的芳香族烃基。在作为取代基时的R²¹存在多个的情况下，也可以彼此不同。

对作为取代基时的R²¹、R²²和R²³可以具有的取代基而言，可以选自上述取代基组Z。

＜分子量＞

上述式(210)、上述式(220)或上述式(230)表示的化合物III为低分子材料，分子量优选为3000以下，特别优选为2000以下，最优选为1500以下。化合物III的分子量的下限通常为300以上，优选为350以上，更优选为400以上。

＜上述式(210)、上述式(220)或上述式(230)表示的化合物III的具体例＞

上述式(210)、上述式(220)或上述式(230)表示的化合物III没有特别限定，例如可举出如下所述的化合物。

/>

在本发明的发光层形成用组合物中，作为化合物III，可以包含仅一种上述式(210)表示的化合物，也可以包含两种以上。

在本发明的发光层形成用组合物中，作为化合物III，可以包含仅一种上述式(220)表示的化合物，也可以包含两种以上。

在本发明的发光层形成用组合物中，作为化合物III，可以包含仅一种上述式(230)表示的化合物，也可以包含两种以上。

另外，在本发明的发光层形成用组合物中，作为化合物III，可以包含一种或两种以上的上述式(210)表示的化合物以及一种或两种以上的上述式(220)表示的化合物，也可以包含一种或两种以上的上述式(210)表示的化合物以及一种或两种以上的上述式(230)表示的化合物，也可以包含一种或两种以上的上述式(220)表示的化合物以及一种或两种以上的上述式(230)表示的化合物，也可以包含一种或两种以上的上述式(210)表示的化合物、一种或两种以上的上述式(220)表示的化合物、以及一种或两种以上的上述式(230)表示的化合物。

[化合物IV：式(240)表示的化合物]

一个实施方式中的本发明的发光层形成用组合物含有下述式(240)表示的化合物IV。

(式(240)中，

＜Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²＞

Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²各自独立地表示可以具有取代基的碳原子数6～50的二价芳香族烃基。

作为芳香族烃基的碳原子数，优选为6～50，更优选为6～30，进一步优选为6～18。作为芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、四亚苯环、菲环、环、芘环、苯并蒽环或苝环等碳原子数通常为6以上且通常为30以下、优选为18以下、进一步优选为14以下的芳香族烃结构的一价基团或选自这些结构中的多个结构呈链状或分支地键合而成的结构的一价基团。在芳香族烃环连接多个的情况下，通常可举出连接2～8个而成的结构，优选为连接2～5个而成的结构。在芳香族烃环连接多个的情况下，可以相同的结构进行连接，也可以不同的结构进行连接。

Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²优选各自独立地为

苯基、

多个苯环呈链状或分支地键合多个而成的一价基团、

一个或多个苯环和至少一个萘环呈链状或分支地键合而成的一价基团、

一个或多个苯环和至少一个菲环呈链状或分支地键合而成的一价基团或者

一个或多个苯环和至少一个四亚苯环呈链状或分支地键合而成的一价基团，

进一步优选为多个苯环呈链状或分支地键合多个而成的一价基团，在任一情况下，键合的顺序均没有限定。

进行键合的苯环、萘环、菲环和四亚苯环的数量如上所述，通常为2～8，优选为2～5。其中，优选连接1～4个苯环而成的一价结构、1～4个苯环与萘环连接而成的一价结构、1～4个苯环与菲环连接而成的一价结构或1～4个苯环与四亚苯环连接而成的一价结构。

这些芳香族烃基也可以具有取代基。芳香族烃基可以具有的取代基如上所述，具体而言，可以选自取代基组Z。优选的取代基为上述取代基组Z的优选的取代基。

从化合物的溶解性和耐久性的观点考虑，Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²中的至少一者优选具有选自下述式(72-1)～(72-7)中的至少一个部分结构。

上述式(72-1)～式(72-7)各者中，*表示与邻接的结构的键或氢原子，存在两个的*中的至少一者表示与邻接的结构的键合位置。在以后的记载中，只要没有特别说明，则*的定义同样。

更优选Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²中的至少一者具有选自式(72-1)～(72-4)和式(72-7)中的至少一个部分结构。

进一步优选Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²分别具有选自式(72-1)～(72-3)和式(72-7)中的至少一个部分结构。

特别优选Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²分别具有选自式(72-1)、式(72-2)和式(72-7)中的至少一个部分结构。

作为式(72-2)，优选为下述式(72-2-2)。

作为式(72-2)，更进一步优选为下述式(72-2-3)。

另外，从化合物的溶解性和耐久性的观点考虑，作为Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²中的至少一个所具有的优选的部分结构，可举出具有式(72-1)表示的部分结构和式(72-2)表示的部分结构的部分结构。

＜R⁶¹¹、R⁶¹²＞

R⁶¹¹、R⁶¹²各自独立地为氘原子、氟原子等卤素原子、可以具有取代基的碳原子数6～30的一价芳香族烃基。

作为芳香族烃基，可举出优选为碳原子数6～30、进一步优选为6～18、更优选为6～10的芳香族烃结构的一价基团。

＜n⁶¹¹、n⁶¹²＞

n⁶¹¹、n⁶¹²各自独立地为0～4的整数。优选为0～2，进一步优选为0或1。

＜取代基＞

在Ar⁶¹¹、Ar⁶¹²、R⁶¹¹、R⁶¹²为一价或二价的芳香族烃基的情况下，可以具有的取代基优选选自上述化合物II中的取代基组Z中的取代基。

＜G＞

G表示单键或可以具有取代基的碳原子数6～50的二价芳香族烃基。

G的芳香族烃基的碳原子数优选为6～50，进一步优选为6～30，更优选为6～18。作为芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、四亚苯环、菲环、环、芘环、苯并蒽环或苝环等碳原子数通常为6以上且通常为30以下、优选为18以下、进一步优选为14以下的芳香族烃结构的二价基团或选自这些结构中的多个结构呈链状或分支地键合而成的结构的二价基团。在芳香族烃环连接多个的情况下，通常可举出连接2～8个而成的结构，优选为连接2～5个而成的结构。在芳香族烃环连接多个的情况下，可以相同的结构进行连接，也可以不同的结构进行连接。

G优选为

单键、

亚苯基、

多个苯环呈链状或分支地键合多个而成的二价基团、

一个或多个苯环和至少一个萘环呈链状或分支地键合而成的二价基团、

一个或多个苯环和至少一个菲环呈链状或分支地键合而成的二价基团或者

一个或多个苯环和至少一个四亚苯环呈链状或分支地键合而成的二价基团，

进一步优选多个苯环呈链状或分支地键合多个而成的二价基团，在任一情况下，键合的顺序均没有限定。

进行键合的苯环、萘环、菲环和四亚苯环的数量如上所述，通常为2～8，优选为2～5。其中，进一步优选为1～4个苯环连接而成的二价结构、1～4个苯环与萘环连接而成的二价结构、1～4个苯环与菲环连接而成的二价结构或1～4个苯环与四亚苯环连接而成的二价结构。

这些芳香族烃基也可以具有取代基。芳香族烃基可以具有的取代基如上所述，具体而言，可以选自上述化合物II中的取代基组Z。优选的取代基为上述化合物II中的取代基组Z的优选的取代基。

＜上述式(240)表示的化合物IV的具体例＞

以下示出上述式(240)表示的化合物IV的优选的具体例，但本发明并不限定于这些。

[有机溶剂]

本发明的发光层形成用组合物中含有的有机溶剂是用于通过湿式成膜来形成包含上述式(1)表示的多环杂环化合物和化合物I～IV的层的、具有挥发性的液体成分。

该有机溶剂只要是作为溶质的式(1)表示的多环杂环化合物、化合物I～IV和后述的第二主体材料良好地溶解的有机溶剂，就没有特别限定。

作为优选的有机溶剂，例如可举出正癸烷、环己烷、乙基环己烷、十氢萘、双环己烷等烷烃类；甲苯、二甲苯、均三甲苯、苯基环己烷、四氢萘、甲基萘等芳香族烃类；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化芳香族烃类；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、二苯基醚等芳香族醚类；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯类；环己酮、环辛酮、葑酮等脂环族酮类；环己醇、环辛醇等脂环族醇类；甲基乙基酮、二丁基酮等脂肪族酮类；丁醇、己醇等脂肪族醇类；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚类等。

这些之中，从粘度和沸点的观点考虑，优选为烷烃类、芳香族烃类、芳香族酯类，特别优选为芳香族烃类和芳香族酯类。

这些有机溶剂可以单独使用一种，另外，也可以以任意的组合和比率使用两种以上。

使用的有机溶剂的沸点通常为80℃以上，优选为100℃以上，更优选为120℃以上，另外，通常为350℃以下，优选为330℃以下，更优选为300℃以下。如果有机溶剂的沸点低于该范围，则在湿式成膜时，由于溶剂从发光层形成用组合物中蒸发，成膜稳定性有可能降低。如果有机溶剂的沸点高于该范围，则由于湿式成膜后的溶剂残留，成膜稳定性有可能降低。

特别是，认为通过将两种以上的上述有机溶剂中的沸点为150℃以上的有机溶剂组合，容易形成更均匀的涂布膜，因而优选。

[第二主体材料]

本发明的发光层形成用组合物优选进一步含有第二主体材料。

第二主体材料优选为电荷传输性主体材料，可以使用以往作为有机电致发光元件用材料而使用的材料。例如可举出吡啶、咔唑、萘、苝、芘、蒽、并四苯、菲、晕苯、荧蒽、苯并菲、芴、乙酰萘并荧蒽、香豆素、对双(2-苯基乙烯基)苯和它们的衍生物、喹吖啶酮衍生物、DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃系化合物、苯并吡喃衍生物、罗丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、氮杂苯并噻吨、取代有芳基氨基的稠合芳香族环化合物、取代有芳基氨基的苯乙烯基衍生物等。

这些可以单独使用一种，另外，也可以以任意的组合和比率使用两种以上。

这些之中，优选为萘、苝、芘、蒽、并四苯、菲、晕苯、荧蒽、苯并菲、芴、乙酰萘并荧蒽和它们的衍生物，进一步优选为蒽衍生物。

作为蒽衍生物，优选为下述式(30)表示的化合物。下述式(30)表示的蒽衍生物的电子传输性优异，作为有机电致发光元件的发光层的主体材料使用时，作为电子传输性主体发挥作用。

＜蒽衍生物＞

上述式(30)中，Ar²⁴¹、Ar²⁴²各自独立地为以下的式(31)表示的结构，Ar²⁴³表示取代基，在Ar²⁴³存在多个的情况下，多个Ar²⁴³可以相同或不同，n⁴³为0～8的整数。

上述式(31)中，Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃结构或可以具有取代基的杂芳香环结构，在Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵分别存在多个的情况下，多个Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵可以相同或不同，n⁴⁴为1～5的整数，n⁴⁵为0～5的整数。

Ar²⁴⁴优选为可以具有取代基的作为碳原子数6～30的单环或稠环的芳香族烃结构，更优选为可以具有取代基的作为碳原子数6～12的单环或稠环的芳香族烃结构。该芳香族烃结构具体而言更优选为苯环结构、萘结构、蒽结构、菲结构，进一步优选为苯环结构。

Ar²⁴⁵优选为可以具有取代基的作为碳原子数6～30的单环或稠环的芳香族烃结构或可以具有取代基的作为碳原子数6～30的稠环的芳香族杂环结构，更优选为可以具有取代基的作为碳原子数6～12的单环或稠环的芳香族烃结构或可以具有取代基的作为碳原子数12的稠环的芳香族杂环结构。作为该芳香族烃结构，具体而言，优选为苯环结构、萘结构、蒽结构、菲结构，更优选为苯环结构、萘结构或菲结构。另外，作为该芳香族杂环结构，具体而言，优选为二苯并呋喃结构、二苯并噻吩结构、菲咯啉结构，更优选为二苯并呋喃结构或菲咯啉结构。

n⁴⁴优选为1～3的整数，更优选为1或2。

n⁴⁵优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数。

(Ar²⁴³、Ar²⁴⁴、Ar²⁴⁵的取代基)

作为取代基的Ar²⁴³、Ar²⁴⁴和Ar²⁴⁵可以具有的取代基优选为选自上述化合物II中的取代基组Z基团的基团，更优选为上述取代基组Z中所含的烷基或芳香族烃基，进一步优选为上述取代基组Z中所含的芳香族烃基。另外，作为取代基的Ar²⁴³、Ar²⁴⁴和Ar²⁴⁵可以具有的取代基可以进一步具有取代基，作为可以进一步具有的取代基，可举出与上述取代基组Z相同的取代基，优选为碳原子数8以下的烷基、碳原子数8以下的烷氧基或苯基，更优选为碳原子数6以下的烷基、碳原子数6以下的烷氧基或苯基，从电荷传输性的观点考虑，上述取代基组Z的各取代基更优选不具有进一步的取代基。

(分子量)

上述式(30)表示的化合物为低分子材料，分子量优选为3000以下，进一步优选为2500以下，特别优选为2000以下，最优选为1500以下，通常为300以上，优选为350以上，更优选为400以上。

(式(30)表示的蒽衍生物的具体例)

上述式(30)表示的蒽衍生物没有特别限定，例如可举出如下所述的化合物。

/>

[含量]

本发明的发光层形成用组合物中所含的式(1)表示的多环杂环化合物的含量通常为0.001质量％以上，优选为0.01质量％以上，通常为30.0质量％以下，优选为20.0质量％以下。

本发明的发光层形成用组合物中所含的化合物I～IV的含量通常为0.01质量％以上，优选为0.1质量％以上，通常为30.0质量％以下，优选为20.0质量％以下。

通过使式(1)表示的多环杂环化合物和化合物I～IV的含量为该范围，可以从邻接的层(例如，空穴传输层或空穴阻挡层)向发光层高效地进行空穴或电子的注入，降低驱动电压。

应予说明，在发光层形成用组合物中，可以包含仅一种式(1)表示的多环杂环化合物，也可以组合包含两种以上。关于化合物I～IV，在发光层形成用组合物中，可以包含仅一种，也可以组合包含两种以上。

在本发明的发光层形成用组合物包含上述第二主体材料的情况下，其含量通常为0.01质量％以上，优选为0.1质量％以上，通常为30.0质量％以下，优选为20.0质量％以下。认为通过使发光层形成用组合物中的第二主体材料的含量为上述范围，发光层内的电子传输性提高，实现低电压化，并且发光层内的电子与空穴的平衡提高，因此发光效率提高。

从提高发光效率的观点考虑，本发明的发光层形成用组合物中所含的化合物I～IV与第二主体材料的合计含量相对于发光层形成用组合物中的式(1)表示的多环杂环化合物1质量份，通常为1000质量份以下，优选为100质量份以下，进一步优选为50质量份以下，通常为0.01质量份以上，优选为0.1质量份以上，进一步优选为1质量份以上。

从考虑到适度地抑制电荷在发光层内的移动、进一步提高电子与空穴的平衡而提高发光效率、使元件的驱动寿命长寿命化的观点考虑，相对于本发明的发光层形成用组合物中所含的化合物I～IV与第二主体材料的合计含量100质量份，化合物I～IV的含量通常为100质量份以下，优选为70质量份以下，进一步优选为50质量份以下，通常为1质量份以上，优选为3质量份以上，进一步优选为10质量份以上。

本发明的发光层形成用组合物中所含的有机溶剂的含量通常为10质量％以上，优选为50质量％以上，特别优选为80质量％以上，通常为99.95质量％以下，优选为99.9质量％以下，特别优选为99.8质量％以下。如果有机溶剂的含量为上述下限以上，则具有适度的粘度而涂布性提高，如果为上述上限以下，则容易得到均匀的膜而成膜性变得良好。

[其他成分]

本发明的发光层形成用组合物根据需要，除了含有上述化合物以外，也可以进一步含有其他化合物。作为其他化合物，优选可举出作为抗氧化剂而已知的二丁基羟基甲苯或二丁基苯酚等酚类。

[成膜方法]

使用本发明的发光层形成用组合物的发光层的形成方法为湿式成膜法。湿式成膜法是指涂布组合物并形成液膜，进行干燥而去除有机溶剂，从而形成发光层的膜的方法。是指如下方法：例如采用旋涂法、浸涂法、模涂法、棒涂法、刮涂法、辊涂法、喷涂法、毛细管涂布法、喷墨法、喷嘴印刷法、丝网印刷法、凹版印刷法、柔版印刷法等通过湿式来成膜的方法作为涂布方法，并使涂布膜干燥而进行膜形成的方法。这些成膜方法中，优选为旋涂法、喷涂法、喷墨法、喷嘴印刷法等。在制造具备使用本发明的发光层形成用组合物的有机电致发光元件的有机EL显示装置的情况下，优选为喷墨法或喷嘴印刷法，特别优选为喷墨法。

干燥方法没有特别限定，可以适当地使用自然干燥、减压干燥、加热干燥或一边加热一边减压干燥。在自然干燥或减压干燥后，为了进一步去除残留有机溶剂，也可以实施加热干燥。减压干燥优选减压至发光层形成用组合物中所含的有机溶剂的蒸气压以下。

在进行加热的情况下，加热方法没有特别限定，可以使用利用加热板的加热、烘箱内的加热、红外线加热等。加热时间通常为80℃以上，优选为100℃以上，更优选为110℃以上，另外，优选为200℃以下，更优选为150℃以下。

加热时间通常为1分钟以上，优选为2分钟以上，通常为60分钟以下，优选为30分钟以下，更优选为20分钟以下。

〔有机电致发光元件〕

本发明的一个样态的有机电致发光元件包含阳极、阴极、以及在阳极与阴极之间使用本发明的发光层形成用组合物形成的发光层。本发明的一个样态的发光层形成用组合物包含上述式(1)表示的多环杂环化合物作为发光材料，且包含上述化合物I、上述化合物II、上述化合物III或上述化合物IV中的至少一种作为主体材料，并进一步包含有机溶剂。本发明的一个样态的发光层形成用组合物优选包含上述第二主体材料，作为上述第二主体材料，优选为上述式(30)表示的化合物。本发明的一个样态的发光层形成用组合物中所含的发光材料优选仅为上述式(1)表示的多环杂环化合物，主体材料进一步优选仅为上述化合物I、上述化合物II、上述化合物III或上述化合物IV中的至少一种和上述式(30)表示的化合物。

另外，本发明的另一个样态的有机电致发光元件具有阳极、阴极、以及设置于阳极和阴极之间的发光层，该发光层包含上述式(1)表示的多环杂环化合物、以及化合物I～IV中的至少一种，该发光层优选进一步包含上述第二主体材料，作为上述第二主体材料，优选为上述式(30)表示的化合物。本发明的另一个样态的有机电致发光元件的发光层中所含的发光材料优选仅为上述式(1)表示的多环杂环化合物，主体材料进一步优选仅为上述化合物I、上述化合物II、上述化合物III和上述化合物IV中的至少一种和上述式(30)表示的化合物。

另外，通过包含具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料作为主体材料而容易提高发光层内的电子与空穴的电荷平衡，从该观点考虑，作为电子传输性主体材料，优选包含作为第二主体材料的式(30)表示的化合物和上述化合物II中的至少一者，且作为空穴传输性主体材料，优选包含上述化合物III和上述化合物IV中的至少一者。

本发明的有机电致发光元件优选进一步在阳极与发光层之间包含发光层以外的有机层作为第二有机层。第二有机层更优选为空穴注入层或空穴传输层，进一步优选为空穴传输层。另外，如后所述，该第二有机层优选为包含具有三芳基胺结构作为重复单元的聚合物(以下，有时将该第二有机层中所含的聚合物称为“第二聚合物”)，进一步优选该聚合物不含交联基团。作为第二聚合物，如下所述，优选为包含式(50)表示的重复单元的聚合物，更优选为包含后述的式(54)表示的重复单元、式(55)表示的重复单元、式(56)表示的重复单元、式(57)表示的重复单元或式(60)表示的重复单元的聚合物。

第二有机层优选使用后述的第二组合物并通过湿式成膜法来形成。第二组合物通过在涂布后进行加热而实现不溶化。因此，第二有机层能够适用于有机电致发光元件的层叠化。

以下对本发明的有机电致发光元件中所含的第二有机层进行说明。

对本发明的有机电致发光元件的结构进行后述。

[第二有机层]

第二有机层中，作为空穴传输材料，优选包含具有三芳基胺结构作为重复单元的第二聚合物，聚合物可以具有交联基团。该聚合物进一步优选不含交联基团。

以下记述优选不含交联基团的理由。

一般而言，包含硼的多环杂环化合物在硼上具有空的p轨道，容易与各种反应基团反应。认为如果与发光层相接的空穴传输层由不具有交联基团的材料形成，则元件驱动时未反应交联基团与包含硼的多环杂环化合物不会发生化学反应，稳定性提高。

[第二有机层中使用的第二聚合物]

作为第二有机层所含有的具有三芳基胺结构作为重复单元的第二聚合物，优选在该聚合物的主链中包含三芳基胺结构。

第二有机层所含有的聚合物优选具有三芳基胺结构作为重复单元。三芳基胺结构优选包含在该聚合物的主链中。

以下，对作为第二有机层所含有的聚合物而优选的具有三芳基胺结构作为重复单元的聚合物进行说明。在以下的说明中，只要没有特别说明，则取代基是指选自上述化合物II的取代基组Z中的取代基或者后述的交联基团。三芳基胺结构的重复单元由下述式(50)表示。

(式(50)中，

Ar⁵¹表示可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团，

Ar⁵²表示可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者选自上述二价芳香族烃基和上述二价芳香族杂环基中的至少一个基团直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团。

Ar⁵¹与Ar⁵²也可以经由单键或连接基团而形成环)

(Ar⁵¹：侧链)

上述式(50)表示的重复单元中，Ar⁵¹表示可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团。

作为芳香族烃基，优选碳原子数为6以上且60以下，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5元稠环的一价基团或者这些连接多个而成的基团。应予说明，例如“苯环的一价基团”是指“具有一价的游离原子价的苯环”、即苯基。

作为芳香族杂环基，优选碳原子数为3以上且60以下，具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等5～6元环的单环或2～4元稠环的一价基团或者这些连接多个而成的基团。

从电荷传输性优异的方面、耐久性优异的方面出发，Ar⁵¹优选为可以具有取代基的芳香族烃基，其中，更优选为可以具有取代基的苯环或芴环的一价基团、即可以具有取代基的苯基或芴基，进一步优选为可以具有取代基的芴基，特别优选为可以具有取代基的2-芴基。

作为Ar⁵¹的芳香族烃基和芳香族杂环基可以具有的取代基，只要不明显降低本聚合物的特性，就没有特别限制。该取代基优选可举出选自上述取代基组Z中的基团，更优选为烷基、烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基，进一步优选为烷基。

从在涂布溶剂中的溶解性的方面出发，Ar⁵¹优选为被碳原子数1～24的烷基取代的芴基，特别优选为被碳原子数4～12的烷基取代的2-芴基。进一步优选为2-芴基的9位被烷基取代的9-烷基-2-芴基，特别优选为被两个烷基取代的9,9-二烷基-2-芴基。

通过为9位和9’位中的至少一者被烷基取代的芴基，存在相对于溶剂的溶解性以及芴环的耐久性提高的趋势。进而，通过为9位和9’位这两者被烷基取代的芴基，存在相对于溶剂的溶解性和芴环的耐久性进一步提高的趋势。

另外，从在涂布溶剂中的溶解性的方面出发，Ar⁵¹也优选为螺双芴基。

(其他优选的Ar⁵¹)

作为聚合物，优选为上述式(50)表示的重复单元的Ar⁵¹中的至少一个为包含可以具有取代基的苯环连接2～5个而成的一价基团或二价基团的基团、可以具有取代基的芴基、下述式(51)表示的基团、下述式(52)表示的基团或下述式(53)表示的基团。

(式(51))

(式(51)中，

*表示与式(50)的主链的氮原子的键，

Ar⁵³、Ar⁵⁴各自独立地表示可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团，

Ar⁵⁵表示可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者可以具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基直接或经由连接基团连接多个而成的一价基团，

Ar⁵⁶表示氢原子或取代基)

这里，各芳香族烃基和各芳香族杂环基可以具有的取代基、以及作为取代基时的Ar⁵⁶也可以具有交联基团。作为交联基团，可以使用选自后述的交联基团组T中的基团。

(Ar⁵³、Ar⁵⁴)

在上述式(51)表示的重复单元中，Ar⁵³、Ar⁵⁴各自独立地表示可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团。优选为可以具有取代基的二价芳香族烃基或可以具有取代基的二价芳香族烃基连接多个而成的基团。这里，该芳香族烃基和该芳香族杂环基可以具有的取代基可以具有交联基团，优选为与上述取代基组Z同样的基团。作为交联基团，可以使用选自上述交联基团组T中的基团。

Ar⁵³和Ar⁵⁴的芳香族烃基和芳香族杂环基可以使用与上述Ar⁵²同样的芳香族烃基和芳香族杂环基。

作为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团，可以为多个相同的基团连接而成的基团，也可以为多个不同的基团连接而成的基团。

在将上述二价基团连接多个的情况下，可举出2～10个连接而成的二价基团，优选为2～5个连接而成的二价基团。

Ar⁵³优选为可以具有取代基的二价芳香族烃基连接1～6个而成的基团，进一步优选为可以具有取代基的二价芳香族烃基连接2～4个而成的基，其中，更优选为可以具有取代基的亚苯环连接1～4个而成的基团，特别优选为可以具有取代基的亚苯环连接2个而成的亚联苯基。

另外，在这些二价芳香族烃基或二价芳香族杂环基连接多个的情况下，优选为连接多个的二价芳香族烃基以不共轭的方式键合而成的基团。具体而言，优选包含1,3-亚苯基或具有取代基并通过取代基的立体效应而成为扭转结构的基团。

Ar⁵³可以具有的取代基优选为与上述取代基组Z同样的基团。优选Ar⁵³不具有取代基。

从电荷传输性优异的方面、耐久性优异的方面出发，Ar⁵⁴优选为可以相同或不同的二价芳香族烃基连接1个或多个而成的基团，该二价芳香族烃基可以具有取代基。在连接多个的情况下，优选为2以上且10以下，进一步优选为6以下，从膜的稳定性的观点考虑，特别优选为3以下。作为优选的芳香族烃结构，为苯环、萘环、蒽环、芴环，更优选为苯环和芴环。作为连接多个而成的基团，优选为可以具有取代基的亚苯环连接1～4个而成的基团或可以具有取代基的亚苯环与可以具有取代基的芴环连接而成的基团。从LUMO扩展的观点考虑，特别优选为可以具有取代基的亚苯环连接2个而成的亚联苯基。

作为Ar⁵⁴可以具有的取代基，可以使用上述取代基组Z中的任一者或它们的组合。优选为N-咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基以外的基团，作为更优选的取代基，为苯基、萘基、芴基。另外，也优选不具有取代基。

(Ar⁵⁵)

Ar⁵⁵为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有该取代基的芳香族杂环基中的基团直接或经由连接基团连接多个而成的一价基团。优选为可以具有取代基的一价芳香族烃基或可以具有取代基的一价芳香族烃基连接多个而成的基团。

这里，该芳香族烃基和该芳香族杂环基可以具有的取代基可以具有交联基团，优选为与上述取代基组Z同样的基团。作为交联基团，可以使用选自后述的交联基团组T中的基团。

在连接多个的情况下，为连接2～10个而成的二价基团，优选为连接2～5个而成的一价基团。作为芳香族烃基、芳香族杂环基，可以使用与上述Ar⁵¹同样的芳香族烃基和芳香族杂环基。

作为Ar⁵⁵，优选具有下述流程2中的任一者表示的结构。进而，从使分子的LUMO分布的观点考虑，优选为选自a-1～a-4、b-1～b-9、c-1～c-4、d-1～d-16和e-1～e-4中的结构。从通过进一步具有吸电子性基团而促进分子的LUMO扩展的观点考虑，优选为选自a-1～a-4、b-1～b-9、d-1～d-12和e-1～e-4中的结构。进而，从三重态水平高、将所形成的激子封闭于发光层的效果的观点考虑，优选为选自a-1～a-4、d-1～d-12和e-1～e-4中的结构。另外，从能够简易地合成、稳定性优异的观点考虑，进一步优选为d-1和d-10，特别优选为d-1的苯环结构。进而，这些结构也可以具有取代基。应予说明，图中的“-*”表示与Ar⁵⁴的键合位置，在“-*”存在多个的情况下，任一个表示与Ar⁵⁴的键合位置。

/>

＜R³¹和R³²＞

流程2的R³¹和R³²优选各自独立地为可以具有取代基的直链、支链或环状的烷基。烷基的碳原子数没有特别限定，为了维持聚合物的溶解性，优选碳原子数为1以上且6以下，更优选为3以下，进一步优选为甲基或乙基。

R³¹和R³²可以相同或不同，从能够使电荷均匀地分布于氮原子的周围，进而也容易合成的方面出发，优选全部的R³¹和R³²为相同的基团。

作为Ar⁵⁵可以具有的取代基，可以使用上述取代基组Z中的任一者或它们的组合。从耐久性和电荷传输性的观点考虑，优选选自与上述Ar⁵⁴可以具有的取代基相同的取代基。

(Ar⁵⁶)

Ar⁵⁶表示氢原子或取代基。在Ar⁵⁶为取代基的情况下，没有特别限定，优选为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。作为优选的结构，是与上述Ar⁵³～Ar⁵⁴中所列举的芳香族烃结构、芳香族杂环结构同样且为一价的结构。

在Ar⁵⁶为取代基的情况下，也可以具有交联基团。作为交联基团，可使用选自后述的交联基团组T中的基团。

在Ar⁵⁶为取代基的情况下，从提高耐久性的观点考虑，优选键合于咔唑的3位。从合成的容易性和电荷传输性的观点考虑，Ar⁵⁶优选为氢原子。从耐久性提高和电荷传输性的观点考虑，Ar⁵⁶优选为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基，进一步优选为可以具有取代基的芳香族烃基。

从合成的容易性和电荷传输性的观点考虑，Ar⁵⁶优选为氢原子。

作为Ar⁵⁶为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基时的取代基，与上述取代基组Z中所列举的取代基同样，优选的取代基也同样，这些取代基可以进一步具有的取代基也同样。

(式(52))

另外，作为聚合物，上述式(50)表示的重复单元的Ar⁵¹中的至少一个也优选为下述式(52)表示的基团。认为其理由是由于通过在下述式(52)中的两个咔唑结构中使LUMO分布于彼此的氮原子间的芳香族烃基或芳香族杂环基，从而对式(50)中的主链胺的影响得到抑制，主链胺对电子、激子的耐久性提高。

(式(52)中，

Ar⁶¹和Ar⁶²各自独立地为可以具有取代基的二价芳香族烃基或可以具有取代基的二价芳香族杂环基，

Ar⁶³～Ar⁶⁵各自独立地为氢原子或取代基。

*表示对式(50)中的氮原子的键合位置)

(Ar⁶³～Ar⁶⁵)

Ar⁶³～Ar⁶⁵各自独立地表示氢原子或取代基。在Ar⁶³～Ar⁶⁵为取代基的情况下，取代基没有特别限定，优选为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。作为芳香族烃基和芳香族杂环基的优选的结构与上述Ar⁵¹中所列举的基同样。

在Ar⁶³～Ar⁶⁵为取代基的情况下，从提高耐久性的观点考虑，优选Ar⁶³～Ar⁶⁵键合于各咔唑结构的3位或6位。

从合成的容易性和电荷传输性的观点考虑，Ar⁶³～Ar⁶⁵优选为氢原子。

从耐久性提高和电荷传输性的观点考虑，Ar⁶³～Ar⁶⁵优选为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基，进一步优选为可以具有取代基的芳香族烃基。

作为Ar⁶³～Ar⁶⁵为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基时的取代基，与上述取代基组Z中所列举的取代基同样，优选的取代基也同样，这些取代基可以进一步具有的取代基也同样。

(Ar⁶²)

Ar⁶²为可以具有取代基的二价芳香族烃基或可以具有取代基的二价芳香族杂环基。

作为该芳香族烃基，优选为碳原子数6以上且60以下，进一步优选为碳原子数10以上且50以下，特别优选为碳原子数12以上且40以下。作为该芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5元稠环的二价基团或者这些连接多个而成的基团。在这些连接多个的情况下，优选为连接多个的二价芳香族烃基共轭的基团。

作为该芳香族杂环基，优选为碳原子数3以上且60以下，具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等5或6元环的单环或2～4元稠环的二价基团或者这些连接多个而成的基等。

这些芳香族烃基或芳香族杂环基可以具有的取代基可举出上述取代基组Z的烷基、芳烷基和芳香族烃基。在通过取代基的立体效应而产生Ar⁶²的结构的扭转的情况下，优选不存在取代基，在不会通过取代基的立体效应而产生Ar⁶²的结构的扭转的情况下，优选具有取代基。

Ar⁶²的优选的基团为苯环、萘环、蒽环、芴环的二价基团或这些连接多个而成的基团，更优选为苯环的二价基团或这些连接多个而成的基团，特别优选为在苯环的1,4位进行二价连接而成的1,4-亚苯基、在芴环的2,7位进行二价连接而成的2,7-亚芴基或者这些连接多个而成的基团，最优选为包含“1,4-亚苯基-2,7-亚芴基-1,4-亚苯基-”的基团。

在这些优选的结构中，亚苯基在连接位置以外不具有取代基时，不会产生由取代基的立体效应引起的Ar⁶²的扭转，因而优选。另外，从溶解性和芴结构的耐久性提高的观点考虑，亚芴基优选在9,9’位具有取代基。

(Ar⁶¹)

Ar⁶¹为与式(52)中的主链的胺的氮原子连接的二价基团。

Ar⁶¹为可以具有取代基的二价芳香族烃基或可以具有取代基的二价芳香族杂环基。

作为Ar⁶¹的芳香族烃基，优选为碳原子数6以上且60以下，进一步优选为碳原子数10以上且50以下，特别优选为碳原子数12以上且40以下。

作为该芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5元稠环的二价基团或者这些连接多个而成的基团。

作为Ar⁶¹的芳香族杂环基，优选为碳原子数3以上且60以下。具体而言，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异/>唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等5或6元环的单环或2～4元稠环的二价基团或者这些连接多个而成的基团。

这些芳香族烃基或芳香族杂环基可以具有的取代基可举出上述取代基组Z的烷基、芳烷基和芳香族烃基。

在这些二价芳香族烃基或二价芳香族杂环基连接多个的情况下，优选为连接多个的二价芳香族烃基以不共轭的方式键合而成的基团。具体而言，优选包含1,3-亚苯基或具有取代基并通过取代基的立体效应而成为扭转结构的基团。

(式(53))

上述式(50)表示的重复单元的Ar⁵¹中的至少一个也优选为下述式(53)表示的基团。

式(53)中，

*表示与式(50)的主链的氮原子的键，

Ar⁷¹表示可以具有取代基的二价芳香族烃基，

Ar⁷²和Ar⁷³各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的2个以上的基团直接或经由连接基团连接多个而成的一价基团，

环HA为包含氮原子的芳香族杂环，

X²、Y²各自独立地表示碳原子或氮原子，在X²和Y²中的至少一者为碳原子的情况下，该碳原子可以具有取代基。

＜Ar⁷¹＞

Ar⁷¹为与上述Ar⁵³同样的基团。

作为Ar⁷¹，优选为1个可以具有取代基的二价芳香族烃基或2～10个可以具有取代基的二价芳香族烃基连接而成的基团，进一步优选为1个可以具有取代基的二价芳香族烃基或2～8个可以具有取代基的二价芳香族烃基连接而成的基团，其中，优选为2个以上可以具有取代基的二价芳香族烃基连接而成的基团。

作为Ar⁷¹，特别优选为可以具有取代基的苯环连接2～6个而成的基团，最优选为可以具有取代基的苯环连接4个而成的亚四联苯基。

另外，Ar⁷¹优选包含至少一个在非共轭部位即1,3位连接的苯环，进一步优选包含2个以上。

在Ar⁷¹为可以具有取代基的二价芳香族烃基连接多个而成的基团的情况下，从电荷传输性或耐久性的观点考虑，优选全部直接键合而连接。

因此，作为Ar⁷¹，将聚合物的主链的氮原子与上述式(53)中的环HA之间连接的优选的结构为下述流程2-1和流程2-2中列举所示。“-*”表示与聚合物的主链的氮原子或上述式(53)的环HA的键合部位。两个“-*”中的任一者可以与聚合物的主链的氮原子键合，也可以与环HA键合。

作为Ar⁷¹可以具有的取代基，可使用上述取代基组Z中的任一者或它们的组合。Ar⁷¹可以具有的取代基的优选的范围与上述G为芳香族烃基时可以具有的取代基相同。

＜X²和Y²＞

X²和Y²各自独立地表示C(碳)原子或N(氮)原子。在X²和Y²中的至少一者为C原子的情况下，也可以具有取代基。

从更容易使LUMO在环HA的周边定域化的观点考虑，X²和Y²均优选为N原子。

作为X²和Y²中的至少一者为C原子时可以具有的取代基，可以使用上述取代基组Z中的任一者或它们的组合。从电荷传输性的观点考虑，X²和Y²进一步优选不具有取代基。

＜Ar⁷²和Ar⁷³＞

Ar⁷²和Ar⁷³各自独立地为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的2个以上的基团直接或经由连接基团连接多个而成的一价基团。

从使分子的LUMO分布的观点考虑，Ar⁷²和Ar⁷³优选各自独立地具有选自上述流程2表示的a-1～a-4、b-1～b-9、c-1～c-4、d-1～d-16和e-1～e-4中的结构。

从通过进一步具有吸电子性基团而促进分子的LUMO扩展的观点考虑，优选为选自a-1～a-4、b-1～b-9、c-1～c-5、d-1～d-12和e-1～e-4中的结构。

进而，从三重态水平高、将所形成的激子封闭于发光层的效果的观点考虑，优选为选自a-1～a-4、d-1～d-12和e-1～e-4中的结构。

为了防止分子的凝聚，进一步优选为选自d-1～d-12和e-1～e-4中的结构。从能够简易地合成、稳定性优异的观点考虑，优选为Ar⁷²＝Ar⁷³＝d-1或d-10，特别优选为d-1的苯环结构。

另外，这些结构可以具有取代基。“-*”表示与环HA的键合部位。在“-*”存在多个的情况下，任一个表示与环HA键合的部位。

作为Ar⁷²和Ar⁷³可以具有的取代基，可以使用上述取代基组Z中的任一者或它们的组合。从耐久性和电荷传输性的观点考虑，作为取代基，优选为与上述取代基组Z同样的基团。

(Ar⁵²)

作为Ar⁵²中的芳香族烃基和芳香族烃基，可举出与式(50)的Ar⁵¹同样的基团且为二价的基团。另外，Ar⁵²中的芳香族烃基和芳香族烃基可以具有的取代基优选为与上述取代基组Z同样的基团。

[交联基团]

交联基团是指通过热和/或活性能量线的照射，与位于该交联基团的附近的其他交联基团进行反应而生成新的化学键的基团。该情况下，进行反应的基团也存在与交联基团相同的基团或不同的基团。

作为交联基团，可举出包含烯基的基团、包含共轭二烯结构的基团、包含炔基的基团、包含氧杂环丙烷结构的基团、包含氧杂环丁烷结构的基团、包含氮丙啶结构的基团、叠氮基、包含马来酸酐结构的基团、包含键合于芳香族环的烯基的基团、稠合于芳香族环的环丁烯环等。作为交联基团的具体例，例如可举出选自下述交联基团组T中的基团。

(交联基团组T)

在上述交联基团组T中，R^XL表示亚甲基、氧原子或硫原子，R¹⁰⁰表示氢原子或可以具有取代基的烷基，n^XL表示0～5的整数。在R^XL存在多个的情况下，它们可以相同或不同，在n^XL存在多个的情况下，它们可以相同或不同。*1表示键合位置。这些交联基团可以具有取代基。这些交联基团和作为烷基时的R¹⁰⁰可以具有的取代基优选为上述取代基组Z中记载的取代基。

＜优选的式(50)表示的重复单元＞

以下，作为上述式(50)表示的重复单元的更优选的重复单元，对下述式(54)表示的重复单元、式(55)表示的重复单元、式(56)表示的重复单元、式(57)表示的重复单元和下述式(60)表示的重复单元说明详细情况。

具有三芳基胺结构作为重复单元的聚合物也优选将这些各式表示的重复单元在各自的式中包含多种不同的结构的重复单元。

＜式(54)表示的重复单元＞

(式(54)中，

Ar⁵¹与上述式(50)中的Ar⁵¹同样，

X为-C(R²⁰⁷)(R²⁰⁸)-、-N(R²⁰⁹)-或-C(R²¹¹)(R²¹²)-C(R²¹³)(R²¹⁴)-，

R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹和R²²²各自独立地为可以具有取代基的烷基，

R²⁰⁷～R²⁰⁹和R²¹¹～R²¹⁴各自独立地为氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳香族烃基，

a和b各自独立地为0～4的整数，

c为0～3的整数，

d为0～4的整数，

在R²⁰¹存在多个的情况下，多个R²⁰¹可以相同或不同，

在R²⁰²存在多个的情况下，多个R²⁰²可以相同或不同，

在R²²¹存在多个的情况下，多个R²²¹可以相同或不同，

在R²²²存在多个的情况下，多个R²²²可以相同或不同，

i和j各自独立地为0～3的整数)

(R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹、R²²²)

上述式(54)表示的重复单元中的R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹和R²²²各自独立地为可以具有取代基的烷基。

该烷基为直链、支链或环状的烷基。烷基的碳原子数没有特别限定，为了维持聚合物的溶解性，优选为1以上，另外，优选为8以下，更优选为6以下，进一步优选为3以下。烷基进一步优选为甲基或乙基。

在R²⁰¹存在多个的情况下，多个R²⁰¹可以相同或不同，在R²⁰²存在多个的情况下，多个R²⁰²可以相同或不同。从能够使电荷均匀地分布于氮原子的周围、进而合成也容易的方面出发，优选全部的R²⁰¹与R²⁰²为相同的基团。

在R²²¹存在多个的情况下，多个R²²¹可以相同或不同，在R²²²存在多个的情况下，多个R²²²可以相同或不同。从能够使电荷均匀地分布于氮原子的周围、进而合成也容易的方面出发，优选全部的R²²¹与R²²²为相同的基团。

(R²⁰⁷～R²⁰⁹和R²¹¹～R²¹⁴)

R²⁰⁷～R²⁰⁹和R²¹¹～R²¹⁴各自独立地为氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳香族烃基。

该烷基没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因此碳原子数优选为1以上，另外，优选为24以下，进一步优选为8以下，更优选为6以下。另外，烷基可以为直链、支链或环状的各结构。

作为烷基，具体而言，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、正辛基、环己基、十二烷基等。

芳烷基没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因此碳原子数优选为5以上，另外，优选为60以下，更优选为40以下。

作为芳烷基，具体而言，可举出1,1-二甲基-1-苯基甲基、1,1-二(正丁基)-1-苯基甲基、1,1-二(正己基)-1-苯基甲基、1,1-二(正辛基)-1-苯基甲基、苯基甲基、苯基乙基、3-苯基-1-丙基、4-苯基-1-正丁基、1-甲基-1-苯基乙基、5-苯基-1-正丙基、6-苯基-1-正己基、6-萘基-1-正己基、7-苯基-1-正庚基、8-苯基-1-正辛基、4-苯基环己基等。

作为芳香族烃基，没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因此碳原子数优选为6以上，另外，优选为60以下，更优选为30以下。

作为芳香族烃基，具体而言，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、环、三亚苯环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5元稠环的一价基团或者这些连接多个而成的基团等。

从电荷传输性和耐久性提高的观点考虑，R²⁰⁷和R²⁰⁸优选为甲基或芳香族烃基，R²⁰⁷和R²⁰⁸更优选为甲基，R²⁰⁹更优选为苯基。

R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹、R²²²的烷基、R²⁰⁷～R²⁰⁹和R²¹¹～R²¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基可以具有取代基。取代基可举出作为上述R²⁰⁷～R²⁰⁹和R²¹¹～R²¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基的优选的基团而列举的基团。

从低电压化的观点考虑，R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹、R²²²的烷基、R²⁰⁷～R²⁰⁹和R²¹¹～R²¹⁴的烷基、芳烷基和芳香族烃基最优选不具有取代基。

(a、b、c和d)

在上述式(54)表示的重复单元中，a和b各自独立地为0～4的整数。a+b优选为1以上，进而，a和b优选各自为2以下，更优选a和b这两者为1。这里，a为1以上是指c为1以上的情况，b为1以上是指d为1以上的情况。另外，在b为1以上的情况下，d也优选为1以上。另外，在c为2以上的情况下，多个a可以相同或不同，在d为2以上的情况下，多个b可以相同或不同。

如果a+b为1以上，则存在如下趋势：主链的芳香环因空间位阻而扭转，聚合物在溶剂中的溶解性优异，并且通过湿式成膜法形成并经加热处理的涂膜在溶剂中的不溶性优异。因此，如果a+b为1以上，则在该涂膜上通过湿式成膜法形成其他有机层(例如发光层)的情况下，聚合物向包含有机溶剂的本发明中所使用的发光层形成用组合物的溶出得到抑制。其结果，认为对所形成的发光层的影响少，有机电致发光元件的驱动寿命进一步变长。

在上述式(54)表示的重复单元中，c为0～3的整数，d为0～4的整数。c和d优选各自为2以下，进一步优选为c与d相等，特别优选c和d这两者为1、或者c和d这两者为2。

在上述式(54)表示的重复单元中的c和d这两者为1或者c和d这两者为2、且a进而b这两者为2或1的情况下，R²⁰¹与R²⁰²最优选键合于彼此对称的位置。

这里，R²⁰¹与R²⁰²键合于彼此对称的位置是指相对于式(54)中的芴环、咔唑环或9,10-二氢菲衍生物结构，R²⁰¹与R²⁰²的键合位置对称。此时，以主链为轴的180度旋转视为相同结构。

在存在R²²¹和R²²²的情况下，优选各自独立地以X所键合的苯环的碳原子为基准而存在于1位、3位、6位或8位。通过在该位置存在R²²¹和/或R²²²，存在如下趋势：R²²¹和/或R²²²所键合的稠环与主链上的相邻的苯环因空间位阻而扭转，聚合物在溶剂中的溶解性优异，并且通过湿式成膜法形成并经加热处理的涂膜在溶剂中的不溶性优异，因而优选。

(i和j)

在上述式(54)表示的重复单元中，i和j各自独立地为0～3的整数。i和j优选各自独立地为0～2的整数，进一步优选为0或1。i和j优选为相同的整数。关于i和j，为了使聚合物的主链扭转，优选为1或2，且优选R²²¹和/或R²²²键合于苯环的1位和/或3位。从合成的容易性出发，i和j优选为0。应予说明，关于向上述苯环的键合位，在X所键合的碳原子的相邻的碳原子中，将R²²¹或R²²²能够键合的碳原子设为1位，将作为主链而与相邻的结构键合的碳原子设为2位。

(Ar⁵¹)

在上述式(54)表示的重复单元中，Ar⁵¹与上述式(50)中的Ar⁵¹同样，为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团。

作为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团，可举出与上述式(50)中的Ar⁵¹的情况同样的基团，取代基和优选的结构也可举出与上述式(50)中的Ar⁵¹的情况同样的基团。

(其他优选的Ar⁵¹)

上述式(54)表示的重复单元的Ar⁵¹中的至少一个更优选为上述式(51)、上述式(52)或上述式(53)表示的基团。认为通过在上述式(51)中的两个咔唑结构中使LUMO分布于彼此的氮原子间的芳香族烃基或芳香族杂环基，存在对电子、激子的耐久性提高的趋势。

(X)

从电荷传输时的稳定性高的方面出发，上述式(54)中的X优选为-C(R²⁰⁷)(R²⁰⁸)-或-N(R²⁰⁹)-，更优选为-C(R²⁰⁷)(R²⁰⁸)-。

另外，在包含上述式(54)表示的重复单元的聚合物中，在Ar⁵¹、R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹、R²²²、X存在多个的情况下，各自可以相同或不同。优选聚合物包含多个式(54)表示的重复单元为相同结构的重复单元。认为该情况下，通过聚合物包含多个相同结构的重复单元，重复单元的HOMO和LUMO变得相同，因此电荷不会集中在特定的浅的能级而成为陷阱(trap)，电荷传输性优异。

(优选的重复单元)

上述式(54)表示的重复单元特别优选为下述式(54-1)～(54-8)中的任一者表示的重复单元。

在上述式中，R²⁰¹和R²⁰²相同，且R²⁰¹与R²⁰²键合于彼此对称的位置。

[式(54)表示的重复单元的主链的具体例]

上述式(54)中的去除氮原子后的主链结构没有特别限定，例如可举出如下所述的结构。

/>

[式(54)表示的重复单元的含量]

在第二有机层所含有的聚合物中，式(54)表示的重复单元的含量没有特别限制，式(54)表示的重复单元在聚合物中通常包含10摩尔％以上，优选包含30摩尔％以上，更优选包含40摩尔％以上，进一步优选包含50摩尔％以上。

第二有机层所含有的聚合物中，重复单元可以仅由式(54)表示的重复单元构成，但出于使制成有机电致发光元件时的诸性能平衡的目的，可以具有与式(54)不同的重复单元。该情况下，聚合物中的式(54)表示的重复单元的含量通常为99摩尔％以下，优选为95摩尔％以下。

[末端基团]

在本说明书中，末端基团是指通过聚合物的聚合结束时使用的封端剂而形成的聚合物的末端部的结构。在第二有机层中，包含式(54)表示的重复单元的聚合物的末端基团优选为烃基。作为烃基，从电荷传输性的观点考虑，优选为碳原子数1以上且60以下，更优选为1以上且40以下，进一步优选为1以上且30以下。

作为烃基，例如可举出：

甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、环己基、十二烷基等碳原子数通常为1以上、优选为4以上且通常为24以下、优选为12以下的直链、支链或环状的烷基；

乙烯基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的直链、支链或环状的烯基；

乙炔基等碳原子数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的直链或支链的炔基；

苯基、萘基等碳原子数通常为6以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族烃基。

这些烃基可以进一步具有取代基，可以进一步具有的取代基优选为烷基或芳香族烃基。在这些可以进一步具有的取代基存在多个的情况下，可以彼此键合而形成环。

从电荷传输性和耐久性的观点考虑，末端基团优选为烷基或芳香族烃基，进一步优选为芳香族烃基。

＜式(55)表示的重复单元＞

(式(55)中，

Ar⁵¹与上述式(50)或上述式(54)中的Ar⁵¹同样，

R³⁰³和R³⁰⁶各自独立地为可以具有取代基的烷基，

R³⁰⁴和R³⁰⁵各自独立地为可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳烷基，

l为0或1，

m为1或2，

n为0或1，

p为0或1，

q为0或1)

(R³⁰³、R³⁰⁶)

上述式(55)表示的重复单元中的R³⁰³和R³⁰⁶各自独立地为可以具有取代基的烷基。

作为烷基，可举出与上述式(54)中的R²⁰¹和R²⁰²同样的烷基，可以具有的取代基和优选的结构也可举出与R²⁰¹和R²⁰²同样的取代基和结构。

在R³⁰³存在多个的情况下，多个R³⁰³可以相同或不同，在R³⁰⁶存在多个的情况下，多个R³⁰⁶可以相同或不同。

(R³⁰⁴、R³⁰⁵)

上述式(55)表示的重复单元中的R³⁰⁴和R³⁰⁵各自独立地为可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳烷基。优选为可以具有取代基的烷基。

R³⁰⁴与R³⁰⁴优选相同。

烷基为直链、支链或环状的烷基。烷基的碳原子数没有特别限定，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因而优选为1以上，另外，优选为24以下，进一步优选为8以下，更优选为6以下。

具体而言，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、正辛基、环己基、十二烷基等。

烷氧基没有特别限定，烷氧基(-OR₁₀)的R₁₀基可以为直链、支链或环状的任一结构，由于存在能够提高聚合物的溶解性的趋势，因此碳原子数优选为1以上，另外，优选为24以下，更优选为12以下。

具体而言，可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、己氧基、1-甲基戊氧基、环己氧基等。

具体而言，可举出1,1-二甲基-1-苯基甲基、1,1-二(正丁基)-1-苯基甲基、1,1-二(正己基)-1-苯基甲基、1,1-二(正辛基)-1-苯基甲基、苯基甲基、苯基乙基、3-苯基-1-丙基、4-苯基-1-正丁基、1-甲基-1-苯基乙基、5-苯基-1-正丙基、6-苯基-1-正己基、6-萘基-1-正己基、7-苯基-1-正庚基、8-苯基-1-正辛基、4-苯基环己基等。

(l、m和n)

l表示0或1，n表示0或1。

l和n各自独立，l+n优选为1以上，更优选为1或2，进一步优选为2。通过l+n为上述范围，存在如下趋势：提高第二有机层所含有的聚合物的溶解性，也能够抑制从含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物中的析出。

m表示1或2，由于存在能够以低电压驱动本发明的有机电致发光元件且空穴注入能力、传输能力、耐久性也提高的趋势，因而优选为1。

(p和q)

p表示0或1，q表示0或1。在l为2以上的情况下，多个p可以相同或不同，在n为2以上的情况下，多个q可以相同或不同。在l＝n＝1的情况下，p和q不会同时成为0。通过p和q不会同时成为0，存在如下趋势：提高本发明的组合物所含有的聚合物的溶解性，也能够抑制从含有该聚合物的第二组合物中的析出。另外，如果p+q为1以上，则存在如下趋势：主链的芳香环因空间位阻而扭转，聚合物在溶剂中的溶解性优异，并且通过湿式成膜法形成并经加热处理的涂膜在溶剂中的不溶性优异。因此，如果p+q为1以上，则在该涂膜上通过湿式成膜法形成其他有机层(例如发光层)的情况下，聚合物向包含有机溶剂的该其他有机层形成用组合物的溶出得到抑制。

(Ar⁵¹)

在上述式(55)表示的重复单元中，Ar⁵¹与上述式(50)或上述式(54)中的Ar⁵¹同样，为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团。

作为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团，可举出与上述式(50)中的Ar⁵¹的情况同样的基团，取代基和优选的结构也可举出与上述式(50)中的Ar⁵¹的情况同样的取代基和结构。

[式(55)表示的重复单元的主链的具体例]

式(55)表示的重复单元的去除N原子后的主链结构没有特别限定，例如可举出如下所述的结构。

/>

[式(55)表示的重复单元的含量]

在第二有机层所含有的聚合物中，式(55)表示的重复单元的含量没有特别限制，式(55)表示的重复单元通常在聚合物中包含10摩尔％以上，优选包含30摩尔％以上，进一步优选包含40摩尔％以上，特别优选包含50摩尔％以上。

第二有机层所含有的聚合物中，重复单元可以仅包含式(55)表示的重复单元，出于使制成有机电致发光元件时的诸性能平衡的目的，可以具有与式(55)不同的重复单元。该情况下，聚合物中的式(55)表示的重复单元的含量通常为99摩尔％以下，优选为95摩尔％以下。

[末端基团]

在第二有机层所含有的聚合物中，包含式(55)表示的重复单元的聚合物的末端基团与包含上述式(54)表示的重复单元的聚合物的末端基团同样地优选为烃基。优选的烃基和可以具有的取代基也与包含上述式(54)表示的重复单元的聚合物的末端基团同样。

＜式(56)表示的重复单元＞

(式(56)中，

Ar⁵¹与上述式(50)、上述式(54)或上述式(55)中的Ar⁵¹同样，

Ar⁴¹为可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者选自上述二价芳香族烃基和上述二价芳香族杂环基中的至少一个基团直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团，

R⁴⁴¹和R⁴⁴²各自独立地为可以具有取代基的烷基，

t为1或2，

u为0或1，

r和s各自独立地为0～4的整数)

(R⁴⁴¹、R⁴⁴²)

上述式(56)表示的重复单元中的R⁴⁴¹、R⁴⁴²各自独立地为可以具有取代基的烷基。

烷基为可以具有取代基的直链、支链或环状的烷基。烷基的碳原子数没有特别限定，为了维持聚合物的溶解性，优选为碳原子数1以上，另外。优选为10以下，更优选为8以下，更优选为6以下。烷基进一步优选为甲基或己基。

在R⁴⁴¹和R⁴⁴²在上述式(56)表示的重复单元中存在多个的情况下，R⁴⁴¹和R⁴⁴²可以相同或不同。

(r、s、t和u)

在式(56)表示的重复单元中，r和s各自独立地为0～4的整数。在t为2以上的情况下，多个r可以相同或不同，在u为2以上的情况下，多个s可以相同或不同。r+s优选为1以上，进而，r和s优选各自为2以下。认为如果r+s为1以上，则有机电致发光元件的驱动寿命进一步变长。

在上述式(56)表示的重复单元中，t为1或2，u为0或1。t优选为1，u优选为1。

(Ar⁵¹)

在上述式(56)表示的重复单元中，Ar⁵¹与上述式(50)、上述式(54)或上述式(55)中的Ar⁵¹同样，为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的多个基团连接而成的基团。

作为可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基，可举出与上述式(50)中的Ar⁵¹的情况同样的基团，取代基和优选的结构也可举出与上述式(50)中的Ar⁵¹的情况同样的取代基和结构。

(Ar⁴¹)

Ar⁴¹为可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者选自上述二价芳香族烃基和上述二价芳香族杂环基中的至少一个基团直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团。

作为Ar⁴¹中的芳香族烃基和芳香族烃基，可举出与上述式(50)中的Ar⁵²同样的基团。另外，芳香族烃基和芳香族烃基可以具有的取代基优选为与上述取代基组Z同样的基团，可以进一步具有的取代基也优选与上述取代基组Z同样。

[式(56)表示的重复单元的具体例]

以下示出式(56)表示的重复单元的主链的具体例。

[式(56)表示的重复单元的含量]

在第二有机层所含有的聚合物中，式(56)表示的重复单元的含量没有特别限制，式(56)表示的重复单元通常在聚合物中包含10摩尔％以上，优选包含30摩尔％以上，进一步优选包含40摩尔％以上，特别优选包含50摩尔％以上。

在第二有机层所含有的聚合物中，重复单元可以仅由式(56)表示的重复单元构成，出于使制成有机电致发光元件时的诸性能平衡的目的，可以具有与式(56)不同的重复单元。该情况下，聚合物中的式(56)表示的重复单元的含量通常为99摩尔％以下，优选为95摩尔％以下。

[末端基团]

在第二有机层所含有的聚合物中，包含式(56)表示的重复单元的聚合物的末端基团与包含上述式(54)表示的重复单元的聚合物的末端基团同样优选为烃基。优选的烃基和可以具有的取代基也与包含上述式(54)表示的重复单元的聚合物的末端基团同样。

＜式(57)表示的重复单元＞

(式(57)中，

Ar⁵¹与上述式(50)、上述式(54)、上述式(55)或上述式(56)中的Ar⁵¹同样，

R⁵¹⁷～R⁵¹⁹各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基，

f、g、h各自独立地表示0～4的整数，

e表示0～3的整数，

其中，在g为1以上的情况下，e为1以上)

(R⁵¹⁷～R⁵¹⁹)

R⁵¹⁷～R⁵¹⁹中的芳香族烃基、芳香族杂环基各自独立地为与上述Ar⁵¹中所列举的基团同样的基团，另外，这些基团可以具有的取代基优选为与上述取代基组Z同样的基团。

R⁵¹⁷～R⁵¹⁹中的烷基和芳烷基优选为与上述R²⁰⁷中所列举的基团同样的基团，可以进一步具有的取代基也优选为与上述R²⁰⁷同样的基团。

R⁵¹⁷～R⁵¹⁹中的烷氧基优选为上述取代基组Z中所列举的烷氧基，可以进一步具有的取代基也与上述取代基组Z同样。

(f、g、h)

f、g、h各自独立地表示0～4的整数。

在e为2以上的情况下，多个g可以相同或不同。

f+g+h优选为1以上。

f+h优选为1以上，

更优选f+h为1以上且f、g和h为2以下，

进一步优选f+h为1以上且f、h为1以下，

最优选f、h均为1。

在f和h均为1的情况下，优选R⁵¹⁷与R⁵¹⁹键合于彼此对称的位置。

另外，R⁵¹⁷与R⁵¹⁹优选相同。

g更优选为2。

在g为2的情况下，最优选两个R⁵¹⁸彼此在对位键合，

在g为2的情况下，最优选两个R⁵¹⁸相同。

这里，R⁵¹⁷与R⁵¹⁹键合于彼此对称的位置是指下述的键合位置。其中，在表述上，在以主链为轴的180度旋转视为相同结构。

应予说明，在本实施方式的聚合物包含式(57)表示的重复单元的情况下，式(1)表示的化合物与式(57)表示的重复单元的比例优选(式(57)表示的重复单元的摩尔数)/(式(1)表示的化合物的摩尔数)为0.1以上，更优选为0.3以上，进一步优选为0.5以上，更进一步优选为0.9以上，特别优选为1.0以上。另外，该比例优选为2.0以下，更优选为1.5以下，进一步优选为1.2以下。

另外，上述式(57)表示的重复单元优选为下述式(58)表示的重复单元。

在上述式(58)表示的重复单元的情况下，优选为g＝0或2。在g＝2的情况下，键合位置为2位和5位。在g＝0的情况、即不存在由R⁵¹⁸引起的空间位阻的情况下、以及g＝2且键合位置为2位和5位的情况、即空间位阻为两个R⁵¹⁸所键合的苯环的对角位置的情况下，R⁵¹⁷与R⁵¹⁹能够键合于彼此对称的位置。

另外，上述式(58)表示的重复单元进一步优选为e＝3的下述式(59)表示的重复单元。

在上述式(59)表示的重复单元的情况下，优选为g＝0或2。在g＝2的情况下，键合位置为2位和5位。在g＝0的情况、即不存在由R⁵¹⁸引起的空间位阻的情况下、以及g＝2且键合位置为2位和5位的情况、即空间位阻为两个R⁵¹⁸所键合的苯环的对角位置的情况下，R⁵¹⁷与R⁵¹⁹能够键合于彼此对称的位置。

＜式(57)表示的重复单元的主链的具体例＞

式(57)表示的重复单元的主链结构没有特别限定，例如可举出如下所述的结构。

式(50)～(59)中的任一者表示的重复单元优选不具有交联基团。在不具有交联基团的情况下，不易因湿式成膜后的加热干燥或烘烤(加热煅烧)而产生聚合物链的变形，因而优选。这是由于交联基团发生反应时，有时产生体积变化，产生聚合物链的变形。另外，是由于即便不产生体积变化，也会产生聚合物链的变形。

＜式(60)表示的重复单元＞

(式(60)中，

Ar⁵¹与上述式(50)中的Ar⁵¹同样，

n⁶⁰表示1～5的整数)

(n⁶⁰)

n⁶⁰表示1～5的整数，优选为1～4的整数，进一步优选为1～3的整数。

[优选的重复单元]

在本发明的组合物中使用的功能性材料为具有上述式(50)表示的重复单元的聚合物的情况下，作为式(50)表示的重复单元，进一步优选为上述式(54)表示的重复单元、上述式(55)表示的重复单元、上述式(56)表示的重复单元、上述式(57)表示的重复单元或上述式(60)表示的重复单元。

这些之中，优选为含有包含下述式(61)表示的部分结构的上述式(54)表示的重复单元、包含下述式(61)表示的部分结构的上述式(55)表示的重复单元、包含下述式(61)表示的部分结构的上述式(56)表示的重复单元或包含下述式(61)表示的部分结构的上述式(57)表示的重复单元的聚合物。

/>

(式(61)和式(61’)中，

R⁶⁰¹表示式(54)中的R²⁰¹或R²⁰²、式(55)中的R³⁰³、R³⁰⁴、R³⁰⁵或R⁴⁰⁶、式(56)中的R⁴⁴¹或R+、式(57)中的R⁵¹⁷、R⁵¹⁸或R⁵¹⁹，-*表示与相邻的原子的键。

在式(61)为式(54)的部分结构或式(56)的部分结构的情况下，环B可以为稠环的一部分。

式(61)和式(61’)表示的部分结构除了R⁶⁰¹以外，在环A和环B上，在为式(54)的部分结构的情况下，可以具有R²⁰¹或R²⁰²，在为式(55)的部分结构的情况下，可以具有R³⁰³、R³⁰⁴、R³⁰⁵或R⁴⁰⁶，在为式(56)的部分结构的情况下，可以具有R⁴⁴¹或R⁴⁴²，在为式(57)的部分结构的情况下，可以具有R⁵¹⁷、R⁵¹⁸或R⁵¹⁹)

应予说明，由于上述式(61)与上述式(61’)视为相同，因此以后必要时作为式(61)进行说明。

在上述式(61)表示的部分结构中，通过利用R⁶⁰¹的空间位阻使由π共轭形成的环A与环B的大致平面的结构变形，成为主链与通常的π共轭键相比扭转的结构。即，成为阻碍共轭的扭转的结构。因此，单重态激发能级和三重态激发能级变高，能够阻止邻接的发光层的激子，作为发光元件的发光效率有变高的趋势，因而优选。

(式(62))

特别优选上述式(54)的重复单元。本发明的组合物进一步优选包含上述式(1)表示的溶剂化合物和具有该重复单元的聚合物。上述式(54)表示的重复单元优选为下述式(62)表示的重复单元。

(式(62)中，

Ar⁵¹、X、R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹、R²²²、a、b、c、d与上述式(54)中的Ar⁵¹、X、R²⁰¹、R²⁰²、R²²¹、R²²²、a、b、c、d相同，

a¹、a²、b¹、b²、i¹、i²、j¹、j²各自独立地为0或1。

其中，满足下述条件(1)、条件(2)中的任一者。

(1)a¹、a²和a各自独立且至少一个为1以上，

b¹、b²和b各自独立且至少一个为1以上，

c和d各自独立地为1以上，

在c为1的情况下，a¹或a²中的至少一者为1，

在d为1的情况下，b¹或b²中的至少一者为1。

(2)i¹、i²、j¹和j²各自独立且至少一个为1。

环B1是指可以在特定位置具有R²⁰¹的二价苯环，

环B2是指可以具有R²⁰¹的c-1个苯环连接而成的二价基团，其中，在c＝1的情况下是指单键，

环B3是指联苯结构通过X进一步键合而成的二价稠环，

环B4是指可以具有R²⁰²的d-1个苯环连接而成的二价基团，其中，在d＝1的情况下是指单键，

环B5是指可以在特定位置具有R²⁰²的二价苯环)

这里，式(54)中的a为1以上与式(62)中a¹、a²和a中的至少一个为1以上含义相同，式(54)中的b为1以上与式(62)中b¹、b²和b中的至少一个为1以上含义相同。

如下所述，式(62)包含上述式(61)作为部分结构。

在a¹、a²和a中的至少一个为1以上的情况下，

a¹或a²中的至少一者为1时，

在c为2以上的情况下，环B1与环B2包含上述式(61)作为部分结构，

在c为1的情况下，环B1和环B3包含上述式(61)作为部分结构，

a为1以上时，如果c为2，则环B2和环B1或者环B2和环B3包含上述式(61)作为部分结构，

a为1以上且c为3以上时，除了上述可能性以外，也有时在环B2内包含上述式(61)作为部分结构。

同样地，可知在b¹、b²和b中的至少一个为1以上的情况下，也包含上述式(61)作为部分结构。

另外，可知在i¹、i²、j¹和j²中的至少一个为1的情况下，

i¹和i²中的一者或两者为1时，由环B3的R²²¹所键合的环与环B2或环B1的苯环形成式(61)作为部分结构，

j¹和j²中的一者或两者为1时，由环B3的R²²²所键合的环与环B4或环B5的苯环形成式(61)作为部分结构。

即，可知环B3与环B2或环B1或者环B3与环B4或环B5为扭转的结构。

因此，式(62)包含主链的芳香环扭转的结构，因此为阻碍共轭的扭转的结构，因而优选。

[聚合物的分子量]

以下，对第二有机层中所含的聚合物的分子量进行记述。

包含式(54)表示的重复单元的聚合物的重均分子量(Mw)通常为3000000以下，优选为1000000以下，更优选为500000以下，进一步优选为200000以下，特别优选为100000以下。另外，该重均分子量通常为2500以上，优选为5000以上，更优选为10000以上，进一步优选为15000以上，特别优选为17000以上。

通过聚合物的重均分子量为上述上限值以下，存在可得到相对于溶剂的溶解性且成膜性优异的趋势。另外，通过聚合物的重均分子量为上述下限值以上，有时聚合物的玻璃化转变温度、熔点和气化温度的降低得到抑制，耐热性提高。

另外，包含式(54)表示的重复单元的聚合物的数均分子量(Mn)通常为2500000以下，优选为750000以下，更优选为400000以下，特别优选为100000以下。另外，该数均分子量通常为2000以上，优选为4000以上，更优选为6000以上，进一步优选为8000以上。

进而，包含式(54)表示的重复单元的聚合物的分散度(Mw/Mn)优选为3.5以下，进一步优选为2.5以下，特别优选为2.0以下。应予说明，分散度的值越小越良好，因此下限值理想上为1。如果该聚合物的分散度为上述上限值以下，则容易纯化，另外，相对于溶剂的溶解性或电荷传输能力良好。

包含式(55)或式(56)表示的重复单元的聚合物的重均分子量(Mw)优选为10000以上，更优选为15000以上，进一步优选为17000以上。另外，该重均分子量优选为2000000以下，更优选为1000000以下，特别优选为100000以下。

通过聚合物的重均分子量为上述上限值以下，存在杂质的高分子量化得到抑制且能够容易地纯化的趋势。另外，通过聚合物的重均分子量为上述下限值以上，存在玻璃化转变温度、熔点、气化温度等的降低得到抑制、耐热性提高的趋势。

另外，包含式(55)或式(56)表示的重复单元的聚合物的数均分子量(Mn)优选为1000000以下，更优选为800000以下，进一步优选为500000以下。另外，优选为4000以上，更优选为8000以上，进一步优选为10000以上。

进而，包含式(55)或式(56)表示的重复单元的聚合物的分散度(Mw/Mn)优选为3.5以下，更优选为3.0以下，进一步优选为2.4以下，特别优选为2.1以下，最优选为2以下。另外，该聚合物的分散度优选为1以上，更优选为1.1以上，进一步优选为1.2以上。通过该聚合物的分散度为上述上限值以下，存在纯化变得容易、能够抑制相对于溶剂的溶解性的降低或能够抑制电荷传输能力的降低的趋势。

通常，聚合物的重均分子量和数均分子量通过SEC(尺寸排阻色谱法)测定而决定。在SEC测定中，越为高分子量成分，溶出时间越短，越为低分子量成分，溶出时间越长，通过使用根据分子量已知的聚苯乙烯(标准试样)的溶出时间算出的校正曲线，并将样品的溶出时间换算为分子量，从而算出重均分子量和数均分子量。

(式(50)表示的重复单元的含量)

在聚合物中，式(50)表示的重复单元的含量没有特别限制，式(50)表示的重复单元在聚合物的全部重复单元100摩尔％中通常包含10摩尔％以上，优选包含30摩尔％以上，更优选包含40摩尔％以上，进一步优选包含50摩尔％以上。

在聚合物中，重复单元可以仅由式(50)表示的重复单元构成，出于使制成有机电致发光元件时的诸性能平衡的目的，可以具有与式(50)表示的重复单元不同的重复单元。该情况下，聚合物中的式(50)表示的重复单元的含量通常为99摩尔％以下，优选为95摩尔％以下。

＜式(50-2)表示的重复单元＞

本发明的包含芳基胺结构作为重复单元的聚合物也可可以进一步在主链中包含下述式(50-2)表示的结构。

(式中，R⁸¹、R⁸²各自独立地表示氢原子、烷基、芳香族烃基或芳香族杂环基。R⁸¹、R⁸²在存在多个的情况下，可以相同或不同。p⁸⁰表示1～5的整数)

在R⁸¹、R⁸²为烷基的情况下，作为烷基，为直链、支链或环状的烷基。烷基的碳原子数没有特别限定，为了维持聚合物的溶解性，优选为1以上，另外，优选为8以下，更优选为6以下，进一步优选为3以下。该烷基进一步优选为甲基或乙基。

早R⁸¹、R⁸²为芳香族烃基或芳香族杂环基的情况下，优选为上述“定义”的项目中描述的结构。

R⁸¹、R⁸²也可以具有取代基和/或交联基团。取代基优选为选自上述取代基组Z中的取代基。交联基团优选为选自上述交联基团组Z中的交联基团。

从聚合物的耐久性和电荷传输性的观点考虑，p⁸⁰优选为3以下，进一步优选为2以下，最优选为1。

认为通过包含式(50-2)表示的结构，聚合物的主链的共轭被切断，聚合物的S1能级和T1能级提高，在将包含该聚合物的组合物用于有机电致发光元件的空穴传输层的情况下，发光层的激子不易失活，发光效率变高，因而优选。

(聚合物的优选的重复单元)

这里，在各式表示的重复单元中，将具体的结构称为“重复单元结构”。具体的结构为通式中对所有的符号分别套用具体的结构或数值而得到的结构。即，具有芳基胺结构作为重复单元的聚合物可以包含上述式(54)中所含的重复单元结构、上述式(55)中所含的重复单元结构、上述式(56)中所含的重复单元结构、上述式(57)中所含的重复单元结构和上述式(60)中所含的重复单元结构中的仅一个重复单元结构，也可以包含两个以上的多个重复单元结构。在包含两个以上的多个重复单元结构的情况下，这些两个以上的重复单元可以为相同的上述通式中所含的重复单元结构，也可以为不同的通式中所含的重复单元结构。从电荷传输性和耐久性的观点考虑，具有芳基胺结构作为重复单元的聚合物进一步优选为包含1个或2个这些各式表示的具体的重复单元结构且不含其他重复单元结构的聚合物。

[具体例]

以下示出包含式(54)表示的重复单元的聚合物的具体例，但本发明中使用的聚合物并不限定于这些。应予说明，化学式中的数字表示重复单元的摩尔比。n表示重复数。

这些聚合物可以为无规共聚物、交替共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物等中的任一者，单体的排列顺序没有限定。

以下示出包含式(55)表示的重复单元的聚合物和具有式(55)表示的重复单元的Ar⁵¹由式(52)表示的结构的聚合物的具体例，但本发明中使用的聚合物并不限定于这些。应予说明，化学式中的数字表示重复单元的摩尔比。n表示重复数。

/>

以下示出包含式(56)表示的重复单元的聚合物的具体例，但本发明中使用的聚合物并不限定于这些。应予说明，化学式中的数字表示重复单元的摩尔比。n表示重复数。

/>

＜第二聚合物的制造方法＞

第二有机层所含有的第二聚合物的制造方法没有特别限制，是任意的。例如可举出利用铃木(Suzuki)反应的聚合方法、利用格利雅(Grignard)反应的聚合方法、利用山本(Yamamoto)反应的聚合方法、利用乌尔曼(Ullmann)反应的聚合方法、利用布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应的聚合方法等。

在利用乌尔曼(Ullmann)反应的聚合方法和利用布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应的聚合方法的情况下，例如通过使下述式(54a)表示的二卤代芳基(Z表示I、Br、Cl、F等卤素原子)与下述式(54b)表示的伯氨基芳基进行反应，合成包含上述式(54)表示的重复单元的第二聚合物。

(上述反应式中，Ar⁵¹、R²⁰¹、R²⁰²、X、a～d与上述式(2)中的Ar⁵¹、R²⁰¹、R²⁰²、X、a～d含义相同)

在利用乌尔曼(Ullmann)反应的聚合方法和利用布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应的聚合方法的情况下，例如通过使式(55a)表示的二卤代芳基(Z表示I、Br、Cl、F等卤素原子)与式(55b)表示的伯氨基芳基进行反应，合成包含式(55)表示的重复单元的聚合物。

(上述反应式中，Ar⁵¹、R³⁰³～R³⁰⁶、l～n、p、q与上述式(55)中的Ar⁵¹、R³⁰³～R³⁰⁶、l～n、p、q含义相同)

在上述聚合方法中，通常，形成N-芳基键的反应例如在碳酸钾、叔丁氧基钠、三乙基胺等碱存在下进行。另外，例如也可以在铜或钯配合物等过渡金属催化剂存在下进行。

[第二组合物]

以下，对形成第二有机层的第二组合物进行说明。

第二组合物含有第二聚合物和溶剂(有机溶剂)。该第二组合物通常用于通过湿式成膜法形成本发明的有机电致发光元件的有机层。该有机层特别优选为与由本发明的发光层形成用组合物形成的发光层邻接的空穴传输层。第二组合物可以含有一种第二聚合物，也可以以任意的组合和任意的比率含有两种以上。

(第二聚合物的含量)

第二组合物中的第二聚合物的含量通常为0.01质量％以上且70质量％以下，优选为0.1质量％以上且60质量％，进一步优选为0.5质量％以上且50质量％以下。如果第二聚合物的含量为上述范围内，则所形成的有机层中不易产生缺陷，另外，不易产生膜厚不均，因而优选。

(溶剂)

第二组合物通常含有溶剂。该溶剂优选溶解第二聚合物。具体而言，优选使第二组合物中在室温下溶解通常为0.05质量％以上、优选为0.5质量％以上、进一步优选为1质量％以上的第二聚合物的溶剂。

作为溶剂的具体例，可举出甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯、甲基萘等芳香族系溶剂；1,2-二氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等含卤素溶剂；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等醚系溶剂；乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯系溶剂；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等酯系溶剂等有机溶剂、以及其他后述的空穴注入层形成用组合物或空穴传输层形成用组合物中使用的有机溶剂。

溶剂可以使用一种，也可以以任意的组合和任意的比率并用两种以上。

溶剂的20℃时的表面张力通常小于40dyn/cm，优选为36dyn/cm以下，更优选为33dyn/cm以下。

溶剂的25℃时的蒸气压通常为10mmHg以下，优选为5mmHg以下，通常为0.1mmHg以上。通过使用这样的溶剂，能够制备适于通过湿式成膜法来制造有机电致发光元件的工艺且适于上述第二聚合物的性质的第二组合物。

作为这样的溶剂的具体例，可举出上述的甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等芳香族系溶剂、醚系溶剂和酯系溶剂。

水分有可能引起有机电致发光元件的性能劣化，其中，特别是有可能促使连续驱动时的亮度降低。因此，为了尽可能地减少湿式成膜中残留的水分，溶剂的25℃时的水的溶解度优选为1质量％以下，更优选为0.1质量％以下。

第二组合物中的溶剂的含量通常为10质量％以上，优选为30质量％以上，更优选为50质量％以上，特别优选为80质量％以上。通过溶剂的含量为上述下限以上，能够使所形成的层的平坦度和均匀度良好。

[受电子性化合物]

从低电阻化的方面出发，第二组合物优选进一步含有受电子性化合物。特别是，在将第二组合物用于形成空穴注入层的情况下，第二组合物优选含有受电子性化合物。

作为受电子性化合物，优选为具有氧化力且具有从第二有机层中所含有的第二聚合物接受一个电子的能力的化合物。具体而言，优选电子亲和能为4eV以上的化合物，进一步优选电子亲和能为5eV以上的化合物。

第二组合物可以包含单独一种如上所述的受电子性化合物，也可以以任意的组合和比率包含两种以上。

在第二组合物包含受电子性化合物的情况下，第二组合物中的受电子性化合物的含量通常为0.0005质量％以上，优选为0.001质量％以上，通常为20质量％以下，优选为10质量％以下。

第二组合物中的受电子性化合物相对于第二聚合物的比例通常为0.5质量％以上，优选为1质量％以上，更优选为3质量％以上，通常为80质量％以下，优选为60质量％以下，进一步优选为40质量％以下。

如果第二组合物中的受电子性化合物的含量为上述下限以上，则受电子体从第二聚合物接受电子，所形成的有机层低电阻化，因而优选。如果第二组合物中的受电子性化合物的含量为上述上限以下，则所形成的有机层中不易产生缺陷，另外，不易产生膜厚不均，因而优选。

[阳离子自由基化合物]

第二组合物也可以进一步含有阳离子自由基化合物。

作为阳离子自由基化合物，优选由作为从空穴传输性化合物中除去一个电子而成的化学种的阳离子自由基和抗衡阴离子构成的离子化合物。其中，在阳离子自由基来自空穴传输性的高分子化合物的情况下，阳离子自由基成为从高分子化合物的重复单元中除去一个电子而成的结构。

作为阳离子自由基，优选为从后述的空穴传输性化合物中除去一个电子而成的化合种。从非晶性、可见光的透射率、耐热性和溶解性等方面出发，优选为从作为空穴传输性化合物而优选的化合物中除去一个电子而成的化学种。

阳离子自由基化合物可以通过混合后述的空穴传输性化合物与上述受电子性化合物而生成。通过混合空穴传输性化合物与受电子性化合物，发生从空穴传输性化合物向受电子性化合物的电子迁移，生成由空穴传输性化合物的阳离子自由基和抗衡阴离子构成的阳离子离子化合物。

在第二组合物包含阳离子自由基化合物的情况下，第二组合物的阳离子自由基化合物的含量通常为0.0005质量％以上，优选为0.001质量％以上，通常为40质量％以下，优选为20质量％以下。如果阳离子自由基化合物的含量为上述下限以上，则所形成的有机层低电阻化，因而优选，如果为上述上限以下，则所形成的有机层不易产生缺陷，另外，不易产生膜厚不均，因而优选。

第二组合物中，除了含有上述成分以外，还可以以后述的含量含有后述的空穴注入层形成用组合物或空穴传输层形成用组合物中所含的成分。

[有机电致发光元件的结构]

作为本发明的有机电致发光元件的结构的一个例子，在图1中示出有机电致发光元件8的结构例的示意图(截面)。在图1中，1表示基板、2表示阳极、3表示空穴注入层、4表示空穴传输层、5表示发光层、6表示电子传输层、7表示阴极。

＜基板＞

基板1为有机电致发光元件的支撑体，通常使用石英或玻璃的板、金属板或金属箔、塑料膜或片等。这些之中，优选玻璃板或聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成树脂的板。从不易发生由外部气体所致的有机电致发光元件的劣化的方面出发，基板优选采用阻气性高的材质。因此，特别是在如合成树脂制的基板等那样使用阻气性低的材质的情况下，优选在基板的至少单面设置致密的硅氧化膜等来提高阻气性。

＜阳极＞

阳极2承担对发光层5侧的层注入空穴的功能。

阳极2通常由铝、金、银、镍、钯、铂等金属；铟和/或锡的氧化物等金属氧化物；碘化铜等卤化金属；炭黑和聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电性高分子等构成。

阳极2的形成通常多通过溅射法、真空蒸镀法等干式法来进行。在使用银等金属微粒、碘化铜等微粒、炭黑、导电性的金属氧化物微粒、导电性高分子微粉末等来形成阳极的情况下，也可以通过分散于适当的粘合剂树脂溶液中并涂布在基板上来形成。在导电性高分子的情况下，也可以通过电解聚合直接在基板上形成薄膜，或者在基板上涂布导电性高分子来形成阳极(Appl.Phys.Lett.，60卷，2711页，1992年)。

阳极2通常为单层结构，也可以适当地采用层叠结构。在阳极2为层叠结构的情况下，也可以在第一层的阳极上层叠不同的导电材料。

阳极2的厚度只要根据需要的透明性和材质等来决定即可。特别是在需要高的透明性的情况下，优选可见光的透射率为60％以上的厚度，进一步优选可见光的透射率为80％以上的厚度。阳极2的厚度通常为5nm以上，优选为10nm以上，通常为1000nm以下，优选为500nm以下。在不需要透明性的情况下，阳极2的厚度只要根据需要的强度等采用任意的厚度即可，该情况下，阳极2也可以与基板为相同的厚度。

在阳极2的表面对其他层进行成膜的情况下，优选在成膜前实施紫外线/臭氧、氧等离子体、氩等离子体等处理，由此去除阳极2上的杂质并且调整其离子化电势而使空穴注入性提高。

＜空穴注入层＞

承担从阳极2侧向发光层5侧传输空穴的功能的层通常被称为空穴注入传输层或空穴传输层。在承担从阳极2侧向发光层5侧传输空穴的功能的层存在2层以上的情况下，有时将更靠近阳极侧的层称为空穴注入层3。从强化从阳极2向发光层5侧传输空穴的功能的方面出发，优选形成空穴注入层3。在形成空穴注入层3的情况下，通常空穴注入层3形成在阳极2上。

空穴注入层3的膜厚通常为1nm以上，优选为5nm以上，通常为1000nm以下，优选为500nm以下。

空穴注入层的形成方法可以为真空蒸镀法，也可以为湿式成膜法。从成膜性优异的方面出发，优选通过湿式成膜法来形成。

以下，对一般的空穴注入层的形成方法进行说明。在本发明的有机电致发光元件中，空穴注入层优选使用空穴注入层形成用组合物并通过湿式成膜法来形成。

(空穴传输性化合物)

空穴注入层形成用组合物通常含有成为空穴注入层3的空穴传输性化合物。在湿式成膜法的情况下，空穴注入层形成用组合物通常也进一步含有溶剂。空穴注入层形成用组合物优选空穴传输性高、能够高效地传输所注入的空穴。因此，优选空穴迁移率大、在制造时或使用时等不易产生成为陷阱的杂质。另外，优选稳定性优异、离子化电势小、相对于可见光的透明性高。特别是在空穴注入层与发光层相接的情况下，优选不对来自发光层的发光进行猝灭，或者与发光层形成激发复合物而不使发光效率降低的物质。

作为空穴传输性化合物，从自阳极向空穴注入层的电荷注入势垒的观点考虑，优选具有4.5eV～6.0eV的离子化电势的化合物。作为空穴传输性化合物的例子，可举出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、卟啉系化合物、低聚噻吩系化合物、聚噻吩系化合物、苄基苯基系化合物、以芴基将叔胺连接而成的化合物、腙系化合物、硅氮烷系化合物、喹吖啶酮系化合物等。

上述的例示化合物中，从非晶性和可见光透过性的方面出发，优选芳香族胺化合物，特别优选芳香族叔胺化合物。这里，芳香族叔胺化合物也包含具有芳香族叔胺结构、即具有来自芳香族叔胺的基团的化合物。

芳香族叔胺化合物的种类没有特别限制，从通过表面平滑化效果而容易得到均匀的发光的方面出发，优选使用重均分子量为1000以上且1000000以下的高分子化合物(重复单元相连的聚合型化合物)。

(利用湿式成膜法的空穴注入层的形成)

在通过湿式成膜法来形成空穴注入层3的情况下，通常将成为空穴注入层的材料与可溶解该材料的溶剂(空穴注入层用溶剂)混合来制备成膜用的组合物(空穴注入层形成用组合物)。将该空穴注入层形成用组合物涂布在相当于空穴注入层的下层的层(通常为阳极)上进行成膜并使其干燥，由此形成空穴注入层3。

只要不明显损害本发明的效果，则空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度是任意的，从膜厚的均匀性的方面出发，优选低，从空穴注入层中不易产生缺陷的方面出发，优选高。具体而言，优选为0.01质量％以上，进一步优选为0.1质量％以上，特别优选为0.5质量％以上，优选为70质量％以下，进一步优选为60质量％以下，特别优选为50质量％以下。

作为溶剂，例如可举出醚系溶剂、酯系溶剂、芳香族烃系溶剂、酰胺系溶剂等。

作为醚系溶剂，例如可举出乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚和1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等。

作为酯系溶剂，例如可举出乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。

作为芳香族烃系溶剂，例如可举出甲苯、二甲苯、环己基苯、3-异丙基联苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二异丙基苯、甲基萘等。

作为酰胺系溶剂，例如可举出N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等。

除这些以外，也可以使用二甲基亚砜等。

空穴注入层3的利用湿式成膜法的形成通常通过在制备空穴注入层形成用组合物后，将其涂布成膜在相当于空穴注入层3的下层的层(通常为阳极2)上并进行干燥来进行。

空穴注入层3通常在成膜后通过加热或减压干燥等来使涂布膜干燥。

(利用真空蒸镀法的空穴注入层的形成)

在利用真空蒸镀法形成空穴注入层3的情况下，通常将空穴注入层3的构成材料的一种或两种以上放入到设置于真空容器内的坩埚中(在使用两种以上的材料的情况下，通常分别放入到各自的坩埚中)，利用真空泵将真空容器内排气至10^-4Pa左右。其后，对坩埚进行加热(在使用两种以上的材料的情况下，通常对各自的坩埚进行加热)，一边控制坩埚内的材料的蒸发量一边使其蒸发(在使用两种以上的材料的情况下，通常各自独立地一边控制蒸发量一边使其蒸发)，从而在与坩埚相向配置的基板上的阳极上形成空穴注入层。应予说明，在使用两种以上的材料的情况下，也可以将它们的混合物放入到坩埚中，进行加热使其蒸发来形成空穴注入层。

只要不明显损害本发明的效果，则蒸镀时的真空度没有限定，通常为0.1×10^- ⁶Torr(0.13×10^-4Pa)以上且9.0×10^-6Torr(12.0×10^-4Pa)以下。只要不明显损害本发明的效果，则蒸镀速度没有限定，通常为/秒以上且/>/秒以下。只要不明显损害本发明的效果，则蒸镀时的成膜温度没有限定，优选为10℃以上且50℃以下。

空穴注入层3也可以被交联。

＜空穴传输层＞

空穴传输层4是承担从阳极2侧向发光层5侧传输空穴的功能的层。空穴传输层4在本发明的有机电致发光元件中强化从阳极2向发光层5传输空穴的功能，从该方面出发，优选形成该层。在形成空穴传输层4的情况下，通常空穴传输层4形成在阳极2与发光层5之间。在存在上述空穴注入层3的情况下，空穴传输层4形成于空穴注入层3与发光层5之间。

空穴传输层4的膜厚通常为5nm以上，优选为10nm以上，通常为300nm以下，优选为100nm以下。

空穴传输层4的形成方法可以为真空蒸镀法，也可以为湿式成膜法。从成膜性优异的方面出发，优选通过湿式成膜法来形成。

以下，对一般的空穴传输层的形成方法进行说明。在本发明的有机电致发光元件中，空穴传输层优选使用上述第二组合物作为空穴传输层形成用组合物并通过湿式成膜法来形成。

空穴传输层4通常含有空穴传输性化合物。作为空穴传输层4中所含的空穴传输性化合物，优选第二有机层所含有的第二聚合物。

除了第二聚合物以外，还可举出上述空穴传输性化合物、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯所代表的包含2个以上的叔胺且2个以上的稠合芳香族环取代于氮原子的芳香族二胺(日本特开平5-234681号公报)、4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺等具有星爆结构的芳香族胺化合物(J.Lumin.，72-74卷，985页，1997年)、由三苯基胺的四聚体构成的芳香族胺化合物(Chem.Commun.，2175页，1996年)、2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺双芴等螺环化合物(Synth.Metals，91卷，209页，1997年)、4,4’-N,N’-二咔唑联苯等咔唑衍生物等作为优选的物质。另外，空穴传输层4例如也可以包含聚乙烯基咔唑、聚乙烯基三苯基胺(日本特开平7-53953号公报)、含有四苯基联苯胺的聚亚芳基醚砜(Polym.Adv.Tech.，7卷，33页，1996年)等。

(利用湿式成膜法的空穴传输层的形成)

在利用湿式成膜法形成空穴传输层的情况下，通常与上述利用湿式成膜法形成空穴注入层的情况同样地使用空穴传输层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成。

在利用湿式成膜法来形成空穴传输层的情况下，通常空穴传输层形成用组合物进一步含有溶剂。空穴传输层形成用组合物中使用的溶剂可以使用与上述空穴注入层形成用组合物中使用的溶剂同样的溶剂。

空穴传输层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度可以为与空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度同样的范围。

空穴传输层的利用湿式成膜法的形成可以与上述空穴注入层成膜法同样地进行。

(利用真空蒸镀法的空穴传输层的形成)

关于利用真空蒸镀法形成空穴传输层的情况，通常也可以与上述利用真空蒸镀法形成空穴注入层的情况同样地使用空穴传输层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成。蒸镀时的真空度、蒸镀速度和温度等成膜条件等可以利用与上述空穴注入层的真空蒸镀时同样的条件进行成膜。

＜发光层＞

发光层5为承担如下功能的层：在一对电极间被赋予电场时，通过从阳极2注入的空穴与从阴极7注入的电子复合而被激发，进行发光。

发光层5为形成于阳极2与阴极7之间的层。在阳极上存在空穴注入层的情况下，发光层形成于空穴注入层与阴极之间。在阳极上存在空穴传输层的情况下，发光层5形成于空穴传输层与阴极之间。

本发明中的有机电致发光元件优选具有发光层，该发光层包含上述式(1)表示的多环杂环化合物作为发光材料，且包含上述化合物I、上述化合物II、上述化合物III和上述化合物IV中的至少一种作为主体材料。

进而，从优选包含具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料作为主体材料的方面出发，作为电子传输性主体材料，优选包含作为第二主体材料的式(30)表示的化合物和上述化合物II中的至少一者，作为空穴传输性主体材料，优选包含上述化合物III和上述化合物IV中的至少一者。

本发明的有机电致发光元件的发光层包含上述式(30)表示的化合物作为第二主体时的优选的配合比(质量比)如下。

作为相对于上述式(30)表示的化合物与上述化合物I的合计100的上述化合物I的配合量，优选为50以下，更优选为40以下，进一步优选为30以下，特别优选为25以下，优选为5以上，进一步优选为10以上，特别优选为20以上。

作为相对于上述式(30)表示的化合物与上述化合物II的合计100的上述化合物II的配合量，优选为30以下，更优选为20以下，进一步优选为10以下，特别优选为5以下，优选为1以上，进一步优选为3以上。

作为相对于上述式(30)表示的化合物与上述化合物III的合计100的上述化合物III的配合量，优选为30以下，更优选为20以下，进一步优选为10以下，特别优选为5以下，优选为1以上，进一步优选为3以上。

作为相对于上述式(30)表示的化合物与上述化合物IV的合计100的上述化合物IV的配合量，优选为70以下，进一步优选为50以下，特别优选为30以下，最优选为20以下，优选为1以上，进一步优选为3以上，特别优选为5以上。

另外，从包含电子传输性主体材料和空穴传输性主体材料的观点考虑，也优选为包含上述化合物II且包含上述化合物III或上述化合物IV，进一步优选包含上述化合物II和化合物IV。关于包含上述化合物II且包含上述化合物III或上述化合物IV时的配合比(质量比)，作为相对于上述化合物II的配合量与上述化合物III或上述化合物IV的配合量的合计100的上述化合物II的配合量，优选为10以上，进一步优选为30以上，特别优选为50以上，最优选为70以上，优选为95以下，进一步优选为90以下，特别优选为85以下。

只要不明显损害本发明的效果，则发光层5的膜厚是任意的，从膜不易产生缺陷的方面出发，优选厚，从容易形成低驱动电压的方面出发，优选薄。发光层5的膜厚优选为3nm以上，进一步优选为5nm以上，优选为200nm以下，进一步优选为100nm以下。

发光层5至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且优选含有一种或多种主体材料。主体材料通常为电荷传输材料，为了调整电荷传输性，也可以配合电荷传输性低的材料。

(利用湿式成膜法的发光层的形成)

发光层的形成方法可以为真空蒸镀法，也可以为湿式成膜法，从成膜性优异的方面出发，优选为湿式成膜法，进一步优选为旋涂法和喷墨法。特别是如果使用本发明的发光层形成用组合物来形成发光层，则容易利用湿式成膜法进行层叠化，因此优选采用湿式成膜法。在通过湿式成膜法形成发光层的情况下，通常与上述利用湿式成膜法形成空穴注入层的情况同样地使用将成为发光层的材料与可溶解该材料的溶剂(发光层用溶剂)混合而制备的发光层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成。

作为溶剂，例如除了可举出针对空穴注入层的形成而列举的醚系溶剂、酯系溶剂、芳香族烃系溶剂、酰胺系溶剂以外，也可举出烷烃系溶剂、卤化芳香族烃系溶剂、脂肪族醇系溶剂、脂环族醇系溶剂、脂肪族酮系溶剂和脂环族酮系溶剂等。以下举出溶剂的具体例，但只要不损害本发明的效果，则并不限定于这些。

例如可举出乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚系溶剂；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、二苯基醚等芳香族醚系溶剂；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯系溶剂；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯、四氢萘、3-异丙基联苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二异丙基苯、环己基苯、甲基萘等芳香族烃系溶剂；N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等酰胺系溶剂；正癸烷、环己烷、乙基环己烷、十氢萘、双环己烷等烷烃系溶剂；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化芳香族烃系溶剂；丁醇、己醇等脂肪族醇系溶剂；环己醇、环辛醇等脂环族醇系溶剂；甲基乙基酮、二丁基酮等脂肪族酮系溶剂；环己酮、环辛酮、葑酮等脂环族酮系溶剂等。这些之中，特别优选为烷烃系溶剂和芳香族烃系溶剂。

＜空穴阻挡层＞

可以在发光层5与后述的电子传输层6之间设置空穴阻挡层。空穴阻挡层为在发光层5上以与发光层5的阴极7侧的界面相接的方式层叠的层。

该空穴阻挡层具有阻挡从阳极2迁移来的空穴到达阴极7的作用以及将从阴极7注入的电子高效地向发光层5的方向传输的作用。作为对构成空穴阻挡层的材料要求的物性，可举出电子迁移率高且空穴移动率低、能隙(HOMO、LUMO的差)大、激发三重态能级(T₁)高。

作为满足这样的条件的空穴阻挡层的材料，例如可举出双(2-甲基-8-羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(三苯基硅烷醇)铝等混合配体配合物、双(2-甲基-8-喹啉)铝-μ-氧代-双-(2-甲基-8-喹啉)铝二核金属配合物等金属配合物、二苯乙烯基联苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本特开平11-242996号公报)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特开平7-41759号公报)、浴铜灵等菲咯啉衍生物(日本特开平10-79297号公报)等。国际公开第2005/022962号中记载的具有至少一个2,4,6位被取代的吡啶环的化合物也优选作为空穴阻挡层的材料。

空穴阻挡层的形成方法没有限制。因此，可以通过湿式成膜法、蒸镀法或其他方法来形成。

只要不明显损害本发明的效果，则空穴阻挡层的膜厚是任意的，通常为0.3nm以上，优选为0.5nm以上，通常为100nm以下，优选为50nm以下。

＜电子传输层＞

出于进一步提高元件的电流效率的目的，将电子传输层6设置于发光层5与阴极7之间。

电子传输层6由能够将在被赋予电场的电极间将从阴极7注入的电子高效地向发光层5的方向传输的化合物形成。作为电子传输层6中使用的电子传输性化合物，需要为来自阴极7的电子注入效率高且具有高的电子迁移率、能够高效地传输所注入的电子的化合物。

作为电子传输层中使用的电子传输性化合物，例如可举出8-羟基喹啉的铝配合物等金属配合物(日本特开昭59-194393号公报)、10-羟基苯并[h]喹啉的金属配合物、二唑衍生物、二苯乙烯基联苯衍生物、噻咯衍生物、3-羟基黄酮金属配合物、5-羟基黄酮金属配合物、苯并/>唑金属配合物、苯并噻唑金属配合物、三苯并咪唑基苯(美国专利第5645948号说明书)、喹喔啉化合物(日本特开平6-207169号公报)、菲咯啉衍生物(日本特开平5-331459号公报)、2-叔丁基-9,10-N,N’-二氰基蒽醌二亚胺、n型氢化非晶碳化硅、n型硫化锌、n型硒化锌等。

电子传输层6的膜厚通常为1nm以上，优选为5nm以上，通常为300nm以下，优选为100nm以下。

电子传输层6与上述同样地通过湿式成膜法或真空蒸镀法在发光层或空穴阻挡层上进行层叠来形成。通常使用真空蒸镀法。

＜电子注入层＞

为了将从阴极7注入的电子高效地注入到电子传输层6或发光层5，也可以在电子传输层6与阴极7之间设置电子注入层。

为了高效地进行电子注入，形成电子注入层的材料优选为功函数低的金属。作为形成电子注入层的材料的例子，可使用钠或铯等碱金属、钡或钙等碱土金属等。其膜厚通常优选为0.1nm以上且5nm以下。

进而，对红菲咯啉等含氮杂环化合物或8-羟基喹啉的铝配合物等金属配合物所代表的有机电子传输材料掺杂钠、钾、铯、锂、铷等碱金属(日本特开平10-270171号公报、日本特开2002-100478号公报、日本特开2002-100482号公报等中记载)也能够提高电子注入、传输性并兼顾优异的膜质，因而优选。

电子注入层的膜厚通常为5nm以上，优选为10nm以上，通常为200nm以下，优选为100nm以下的范围。

电子注入层通过利用湿式成膜法或真空蒸镀法在发光层5或其上的空穴阻挡层或电子传输层6上进行层叠来形成。

湿式成膜法时的详细情况与上述发光层的情况同样。

也有时将空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层以将电子传输材料与锂配合物共掺杂的操作而制成一层。

＜阴极＞

阴极7发挥将电子注入到发光层5侧的层(电子注入层或发光层等)的作用。

作为阴极7的材料，可有使用上述阳极2中使用的材料。作为阴极7的材料，从高效地进行电子注入的方面出发，优选使用功函数低的金属，例如可使用锡、镁、铟、钙、铝、银等金属或它们的合金等。作为具体例，可举出镁-银合金、镁-铟合金、铝-锂合金等低功函数的合金电极等。

从有机电致发光元件的稳定性的方面出发，优选在阴极上层叠功函数高、相对于大气稳定的金属层来保护由低功函数的金属构成的阴极。作为层叠的金属，例如可举出铝、银、铜、镍、铬、金、铂等金属。

阴极的膜厚通常与阳极同样。

＜其他层＞

只要不明显损害本发明的效果，则本发明的有机电致发光元件也可以进一步具有其他层。也可以在阳极与阴极之间具有其他任意的层。

＜其他元件结构＞

本发明的有机电致发光元件也可以为与上述说明相反的结构、即例如在基板上按照阴极、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极的顺序进行层叠。

在将本发明的有机电致发光元件应用于有机电场发光装置的情况下，可以作为单一的有机电致发光元件来使用，也可以制成多个有机电致发光元件阵列状地配置的结构来使用，还可以制成阳极与阴极呈X-Y矩阵状地配置的结构来使用。

〔有机EL显示装置〕

本发明的有机EL显示装置(有机电致发光元件显示装置)具备本发明的有机电致发光元件。关于本发明的有机EL显示装置的型号或结构，没有特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件并依照常规方法进行组装。

例如，可以通过“有机EL显示器”(Ohm公司，平成16年8月20日发行，时任静士、安达千波矢、村田英幸著)中记载这样的方法来形成本发明的有机EL显示装置。

〔有机EL照明〕

本发明的有机EL照明(有机电致发光元件照明)具备本发明的有机电致发光元件。关于本发明的有机EL照明的型号或结构，没有特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件并依照常规方法进行组装。

实施例

以下，示出实施例对本发明进行更具体的说明。本发明并不限定于以下的实施例，本发明只要不脱离其主旨，则可以任意地变更来实施。

应予说明，只要没有特别说明，则使用后述的式(D-1)作为发光材料来制作的有机电致发光元件显示发光光谱的峰值波长为约464nm、半值宽度为约30nm的蓝色发光。

[实施例I-1]

利用以下方法制作有机电致发光元件。

对将铟-锡氧化物(ITO)透明导电膜在玻璃基板上沉积为50nm的厚度而成的成膜品(Geomatec公司制，溅射成膜品)使用通常的光刻技术和盐酸蚀刻而图案化为2mm宽的条纹，形成阳极。将如此对ITO进行了图案形成的基板按照利用表面活性剂水溶液的超声波清洗、利用超纯水的水洗、利用超纯水的超声波清洗、利用超纯水的水洗的顺序清洗后，利用压缩空气使其干燥，最后进行紫外线臭氧清洗。

作为空穴注入层形成用组合物，制备使具有下述式(P-1)的重复结构的空穴传输性高分子化合物3.0质量％与氧化剂(HI-1)0.6质量％溶解于苯甲酸乙酯中而成的组合物。

将该空穴注入层形成用组合物在大气中旋涂在上述基板上，在大气中利用加热板以240℃干燥30分钟，形成膜厚40nm的均匀的薄膜，制成空穴注入层。

接下来，使具有下述结构式(HT-1)的电荷传输性高分子化合物以3.0质量％的浓度溶解于环己基苯中，制备空穴传输层形成用组合物。

将该空穴传输层形成用组合物在氮手套箱中旋涂于上述涂布成膜有空穴注入层的基板上，利用氮手套箱中的加热板以230℃干燥30分钟，形成膜厚40nm的均匀的薄膜，作为空穴传输层。

接着，作为发光层的材料，称量72质量份的下述结构式(H-1)、25质量份的(H-2)、3质量份的(D-1)，使其溶解于环己基苯中，制备固体成分浓度为4.2质量％的溶液，作为发光层形成用组合物。

将该发光层形成用组合物在氮手套箱中旋涂于上述涂布成膜有空穴传输层的基板上，利用氮手套箱中的加热板以120℃干燥20分钟，形成膜厚40nm的均匀的薄膜，作为发光层。

将成膜至发光层为止的基板设置于真空蒸镀装置中，对装置内进行排气直至成为2×10^-4Pa以下为止。

接下来，以2：3的膜厚比，利用真空蒸镀法在发光层上共蒸镀下述结构式(ET-1)和8-羟基喹啉锂，形成膜厚30nm的空穴阻挡层。

接着，使作为阴极蒸镀用的掩模的2mm宽的条纹状阴影掩模以与阳极的ITO条纹正交的方式与基板密合，利用钼舟对铝进行加热，形成膜厚80nm的铝层而形成阴极。

以上述方式得到具有2mm×2mm尺寸的发光面积部分的有机电致发光元件。

[比较例1]

关于发光层形成用组合物的组成，使(H-1)为97质量份，使(D-1)为3质量份，且不使用(H-2)，除此以外，与实施例I-1同样地制作元件。

[元件的评价]

在以20mA/cm²的电流密度持续对实施例I-1和比较例1中得到的有机电致发光元件通电时，测定元件的亮度降低至初期亮度的75％为止的时间(LT75(hr))。表1中记载将比较例1的LT75设为1时的实施例I-1的LT75的相对值作为相对寿命。

[表1]

根据表1的结果，判明在使用化合物I作为第一主体材料的本发明的有机电致发光元件中，性能(驱动寿命)提高。

[实施例II-1]

作为发光层的材料，称量92质量份的下述结构式(H-1)、5质量份的(H-3)、3质量份的(D-1)，使其溶解于环己基苯中，制备固体成分浓度为4.2质量％的溶液，作为发光层形成用组合物。

作为发光层形成用组合物，使用上述发光层形成用组合物，除此以外，与实施例I-1同样地制作元件。

[元件的评价]

作为以10mA/cm²的电流密度对实施例II-1和比较例1中得到的有机电致发光元件通电时的电压(V)、发光效率，测定电流发光效率(cd/A)和外量子效率(EQE)(％)。另外，在以20mA/cm²的电流密度持续对有机电致发光元件通电时，测定有机电致发光元件的亮度降低至初期亮度的75％为止的时间作为寿命(hr)。

表2中记载从实施例II-1减去比较例1的电压后的电压差(V)、将比较例1的电流发光效率设为1时的实施例II-1的相对电流发光效率、将比较例1的外量子效率(EQE)设为1时的实施例II-1的相对EQE、以及将比较例1的寿命设为1时的实施例II-1的相对寿命。

[表2]

[实施例II-2]

作为发光层的材料，使上述结构式(H-1)为92质量份、使下述结构式(H-6)为5质量份、使上述结构式(D-1)为3质量份，除此以外，与实施例II-1同样地制作元件。

[实施例II-3]

作为发光层的材料，使上述结构式(H-1)为92质量份、使下述结构式(H-7)为5质量份、使上述结构式(D-1)为3质量份，除此以外，与实施例II-1同样地制作元件。

[元件的评价]

作为以10mA/cm²的电流密度对实施例II-2和比较例1中得到的有机电致发光元件通电时的发光效率，测定电流发光效率(cd/A)和外量子效率(EQE)(％)。另外，在以20mA/cm²的电流密度持续对有机电致发光元件通电时，测定有机电致发光元件的亮度降低至初期亮度的75％为止的时间作为寿命(hr)。

表3中口燥将比较例1的电流发光效率设为1时的实施例II-2的相对电流发光效率、将比较例1的外量子效率(EQE)设为1时的实施例II-2的相对EQE、以及将比较例1的寿命设为1时的实施例II-2的相对寿命。

[表3]

作为以10mA/cm²的电流密度对实施例II-3和比较例1中得到的有机电致发光元件通电时的电压(V)、发光效率，测定电流发光效率(cd/A)和外量子效率(EQE)(％)。

表4中记载从实施例II-3减去比较例1的电压后的电压差(V)、将比较例1的电流发光效率设为1时的实施例II-3的相对电流发光效率、将比较例1的外量子效率(EQE)设为1时的实施例II-3的相对EQE、以及将比较例1的寿命设为1时的实施例II-3的相对寿命。

[表4

根据表2～表4的结果，判明使用化合物II作为第一主体材料的本发明的有机电致发光元件的发光效率高，也可期待低电压化或长寿命化的效果，元件性能提高。

[实施例III-1]

作为发光层的材料，使下述结构式(H-1)为92质量份、使(H-4)为5质量份、使(D-1)为3质量份，除此以外，与实施例I-1同样地制作元件。

[实施例III-2]

作为发光层的材料，使用具有下述结构的(H-5)代替(H-4)，除此以外，与实施例III-1同样地制作元件。

[元件的评价]

作为以10mA/cm²的电流密度对实施例III-1、实施例III-2和上述比较例1中得到的有机电致发光元件通电时的电压(V)、发光效率，测定电流发光效率(cd/A)和外量子效率(EQE)(％)。

表5中记载从实施例III-1和实施例III-2减去比较例1的电压后的电压差(V)、将比较例1的电流发光效率设为1时的实施例III-1和实施例III-2的相对电流发光效率、以及将比较例1的外量子效率(EQE)设为1时的实施例III-1和实施例III-2的相对EQE。

[表5]

如表5所示，判明使用化合物III作为第一主体材料的本发明的有机电致发光元件在低电压驱动时发光效率高，元件性能提高。

另外，在以20mA/cm²的电流密度持续对实施例III-1和比较例1中得到的元件通电时，测定元件的亮度降低至初期亮度的90％为止的时间(hr)作为元件寿命，结果将比较例1的寿命设为1时的实施例III-1的相对寿命为1.39，判明实现了长寿命化。

[相对于现有技术的优越性]

接下来，确认相对于发光层的发光材料为以往所使用的发光材料的情况的效果的优越性。

[比较例III-1]

作为发光层的材料，使上述式(H-1)为92质量份、使上述式(H-5)为5质量份、使上述式(D-2)为3质量份，除此以外，与实施例III-2同样地制作元件。

[比较例III-2]

作为发光层的材料，使上述式(H-1)为97质量份、使上述式(D-2)为3质量份，除此以外，与比较例III-1同样地制作元件。

[元件的评价]

测定以10mA/cm²的电流密度对比较例III-1和比较例III-2中得到的有机电致发光元件通电时的电压(V)，从比较例III-1的电压减去比较例III-2的电压后的电压差为-0.03V。

如表5的实施例III-2所示，在使用上述式(D-1)作为发光层的发光材料且使用化合物III作为第一主体材料的情况下，电压差为-0.13V，因此判明本发明的有机电致发光元件与现有的有机电致发光元件相比，低电压化的效果大。

[实施例IV-1]

作为发光层的材料，使上述式(H-1)为92质量份、使下述式(H-8)为5质量份、使上述(D-1)为3质量份，除此以外，与实施例I-1同样地制作元件。

[元件的评价]

作为以1000cd/m²使实施例IV-1和比较例1中得到的有机电致发光元件发光时的电压(V)、发光效率，测定电流发光效率(cd/A)和外量子效率(EQE)(％)。另外，在以20mA/cm²的电流密度持续对有机电致发光元件通电时，测定有机电致发光元件的亮度降低至初期亮度的75％为止的时间作为寿命(hr)。

表6中记载从实施例IV-1减去比较例1的电压后的电压差(V)、将比较例1的电流发光效率设为1时的实施例IV-1的相对电流发光效率、将比较例1的外量子效率(EQE)设为1时的实施例IV-1的相对EQE、以及将比较例1的寿命设为1时的实施例IV-1的相对寿命。

[表6]

根据表6的结果，判明在使用化合物IV作为第一主体材料的本发明的有机电致发光元件中，驱动电压低、发光效率高、驱动寿命长、元件性能提高。

[实施例1]

接下来，制作使用不具有交联基团的聚合物作为形成空穴传输层的第二聚合物、且包含化合物II和化合物IV作为发光层的主体材料的有机电致发光元件。作为空穴传输层的材料，使用下述式(HT-2)代替上述式(HT-1)，作为发光层的材料，称量22.5质量份的下述式(H-9)、22.5质量份的下述式(H-10)、15质量份的上述式(H-8)、3质量份的下述式(D-3)，使其溶解于环己基苯中，制备固体成分浓度为4.2质量％的溶液，作为发光层形成用组合物，除此以外，与实施例I-1同样地制作元件。

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[实施例2]

作为空穴传输层的材料，使用上述结构式(HT-3)代替上述结构式(HT-2)表示的化合物，除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。

[实施例3]

作为空穴传输层的材料，使用上述结构式(HT-1)代替上述结构式(HT-2)表示的化合物，除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。

[有机电致发光元件的评价]

实施例1～实施例3中得到的有机电致发光元件的发光光谱均确认到峰值波长528nm、半值宽度30nm的绿色发光。测定以亮度1000cd/m²使这些有机电致发光元件发光时的电压(V)、电流效率(cd/A)。

作为以1000cd/m²使实施例1～实施例3中所得到的有机电致发光元件发光时的电压(V)和发光效率，测定电流发光效率(cd/A)和外量子效率(EQE)(％)。另外，在以20mA/cm²的电流密度持续对有机电致发光元件通电时，测定有机电致发光元件的亮度降低至初期亮度的90％为止的时间作为寿命(hr)。

表7中记载从实施例1和实施例2减去实施例3的电压后的电压差(V)、将实施例3的电流发光效率设为1时的实施例1和实施例2的相对电流发光效率、将实施例3的外量子效率(EQE)设为1时的实施例1和实施例2的相对EQE、以及将实施例的寿命设为1时的实施例1和实施例2的相对寿命。

[表7]

这些有机电致发光元件均显示良好的元件特性，特别是通过在空穴传输层中使用不具有交联基团的聚合物，从而进一步为电压低、发光效率高、寿命长、良好的元件特性。

使用特定的样态对本发明进行了详细说明，但对于本领域技术人员而言显而易见的是能够在不脱离本发明的意图和范围的情况下进行各种变更。

本申请基于2020年12月24日提出申请的日本专利申请2020-214856、日本专利申请2020-214857和日本专利申请案2020-214858，通过引用而援引其全部内容。

产业上的可利用性

本发明能够适用于使用有机电致发光元件的各种领域、例如平板显示器(例如OA计算机用或壁挂式电视)或有效利用作为面发光体的特征的光源(例如，复印机的光源、液晶显示器或仪表类的背光光源)、显示板、标识灯等领域。

符号说明

1基板

2阳极

3空穴注入层

4空穴传输层

5发光层

6电子传输层

7阴极

8有机电致发光元件。

Claims

1.一种组合物，包含：下述式(1)表示的多环杂环化合物，下述化合物I、下述化合物II、下述化合物III和下述化合物IV中的至少一种，以及有机溶剂；

式(1)中，

Y各自独立地为O、N-R或S，

所述R为可以具有取代基的芳香族烃环基、可以具有取代基的芳香族杂环基或烷基，

所述R可以通过-O-、-S-、-C(-R^a)₂-或单键与选自所述环a、所述环b和所述环c中的至少一个环上的与所述Y键合的原子所邻接的碳原子键合，

所述R^a为氢原子或烷基，

所述邻接的碳原子不是构成含有B和所述Y的式(1)的中央的稠合二环结构的碳原子，

式(1)表示的多环杂环化合物中的至少一个氢原子可以被卤素原子或氘取代，

化合物I：下述式(20)表示的化合物

化合物II：下述式(200)表示的化合物

化合物III：选自下述式(210)表示的化合物、下述式(220)表示的化合物和下述式(230)表示的化合物中的一种或两种以上的化合物化合物IV：下述式(240)表示的化合物

式(20)中，Ar²¹～Ar³⁵各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的苯环结构或者2～10个可以具有取代基的苯环结构未分支或分支地连接而成的结构，

式(200)中，

W各自独立地表示CH或N，至少一个W为N，

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，

g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Xa¹可以相同或不同，

在h11为2以上的情况下，存在多个的Ya¹可以相同或不同，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Za¹可以相同或不同，

R³¹表示氢原子或取代基，4个R³¹可以相同或不同，

其中，在g11、h11或j11为0的情况下，分别对应的Xa²、Ya²、Za²不是氢原子，

式(210)、式(220)和式(230)中，

R²¹、R²²、R²³各自独立地表示氢原子或取代基，

X²¹、X²²各自独立地表示O、S或N-Ar⁴⁴，

n21、n22、n23各自独立地表示1或2，

n24表示1～4的整数，

在n24为2以上的情况下，多个R²¹可以相同或不同，

式(240)中，

G表示单键或可以具有取代基的碳原子数6～50的二价芳香族烃基，

n⁶¹¹、n⁶¹²各自独立地为0～4的整数。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述式(1)中的Y为N-R。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述式(20)中，Ar²²、Ar²³、Ar²⁴、Ar²⁷、Ar²⁸、Ar²⁹、Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的至少一个为下述式(21)或下述式(22)表示的结构，

式(21)、式(22)中，Ar³⁶～Ar³⁹各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的苯环结构或者2～8个可以具有取代基的苯环结构未分支或分支地连接而成的结构。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述式(20)中，Ar²²、Ar²³和Ar²⁴中的任一个、Ar²⁷、Ar²⁸和Ar²⁹中的任一个以及Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的任一个为所述式(21)或所述式(22)表示的结构。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中，所述式(20)中，Ar²²、Ar²⁷和Ar³²为所述式(21)或所述式(22)表示的结构。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的组合物，其中，所述式(21)表示的结构为下述式(21-1)、式(21-2)、式(21-3)、式(21-4)或式(21-5)表示的结构，且所述式(22)表示的结构为下述式(22-1)、式(22-2)、式(22-3)或式(22-4)表示的结构，

7.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述式(200)中的三个W中的至少两个为N。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述式(200)中的W全部为N。

9.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述式(210)、所述式(220)和所述式(230)中的Ar⁴¹、Ar⁴²和Ar⁴³为下述式(20-1)～(20-13)中的任一者表示的基团，

所述式中，*表示键合位置，

Ar⁴⁵为可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基、可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基、或者选自可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基和可以具有取代基的碳原子数3～30的芳香族杂环基中的结构连接2～5个而成的一价基团。

10.一种有机电致发光元件的制造方法，包括涂布权利要求1～9中任一项所述的有机电致发光元件的发光层形成用组合物并进行干燥而形成发光层的工序。

11.一种有机EL显示装置的制造方法，包括权利要求10的有机电致发光元件的制造方法。

12.一种有机EL照明的制造方法，包括权利要求10的有机电致发光元件的制造方法。

13.一种有机电致发光元件，具有阳极、阴极和设置于阳极与阴极之间的发光层，

该发光层包含：下述式(1)表示的多环杂环化合物，以及下述化合物I、下述化合物II、下述化合物III和下述化合物IV中的至少一种；

式(1)中，

Y各自独立地为O、N-R或S，

所述R^a为氢原子或烷基，

化合物I：下述式(20)表示的化合物

化合物II：下述式(200)表示的化合物

式(200)中，

W各自独立地表示CH或N，至少一个W为N，

g11、h11和j11各自独立地表示0～6的整数，

g11、h11、j11中的至少一个为1以上的整数，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Xa¹可以相同或不同，

在h11为2以上的情况下，存在多个的Ya¹可以相同或不同，

在g11为2以上的情况下，存在多个的Za¹可以相同或不同，

R³¹表示氢原子或取代基，4个R³¹可以相同或不同，

式(210)、式(220)和式(230)中，

R²¹、R²²、R²³各自独立地表示氢原子或取代基，

X²¹、X²²各自独立地表示O、S或N-Ar⁴⁴，

n21、n22、n23各自独立地表示1或2，

n24表示1～4的整数，

在n24为2以上的情况下，多个R²¹可以相同或不同，

式(240)中，

n⁶¹¹、n⁶¹²各自独立地为0～4的整数。

14.根据权利要求13所述的有机电致发光元件，其中，所述式(1)中的Y为N-R。

15.根据权利要求13或14所述的有机电致发光元件，其中，所述式(20)中，Ar²²、Ar²³、Ar²⁴、Ar²⁷、Ar²⁸、Ar²⁹、Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的至少一个为下述式(21)或下述式(22)表示的结构，

16.根据权利要求15所述的有机电致发光元件，其中，所述式(20)中，Ar²²、Ar²³和Ar²⁴中的任一个、Ar²⁷、Ar²⁸和Ar²⁹中的任一个以及Ar³²、Ar³³和Ar³⁴中的任一个为所述式(21)或所述式(22)表示的结构。

17.根据权利要求16所述的有机电致发光元件，其中，所述式(20)中，Ar²²、Ar²⁷和Ar³²为所述式(21)或所述式(22)表示的结构。

18.根据权利要求15～17中任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述式(21)表示的结构为下述式(21-1)、式(21-2)、式(21-3)、式(21-4)或式(21-5)表示的结构，且所述式(22)表示的结构为下述式(22-1)、式(22-2)、式(22-3)或式(22-4)表示的结构，

19.根据权利要求13或14所述的有机电致发光元件，其中，所述式(200)中的三个W中的至少两个为N。

20.根据权利要求19所述的有机电致发光元件，其中，所述式(200)中的W全部为N。

21.根据权利要求13或14所述的有机电致发光元件，其中，所述式(210)、所述式(220)和所述式(230)中的Ar⁴¹、Ar⁴²和Ar⁴³为下述式(20-1)～(20-13)中的任一者表示的基团，

所述式中，*表示键合位置，

22.一种有机EL显示装置，包含权利要求13～21中任一项所述的有机电致发光元件。

23.一种有机EL照明，包含权利要求13～21中任一项所述的有机电致发光元件。