CN1176864A - 化学－机械研磨设备中的浆料再循环 - Google Patents

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Abstract

使再循环浆料连续不断地与使用中的浆料混合,可以提供一个一致的研磨速率,同时只消耗或废弃了一小部分连续流过研磨垫板的浆料。浆料是在一收集环内回收,并送到一个再循环回路中,从而使该回收浆料与新鲜浆料、再生化学物或水混合;测试混合物;过滤混合物;使混合物返回研磨垫板。返回研磨垫板的体积略大于回收的体积,因而使收集环溢流。也可以用同样的方式使冲洗水再循环,以便使研磨垫板在两个研磨周期之间保持湿润。

Description

化学-机械研磨设备中的浆料再循环
本发明涉及化学-机械研磨(CMP)系统，特别是涉及可使浆料再循环和再生的方法和设备。
CMP设备主要是用来研磨或“磨平”半导体晶片的前面或器件的侧面。在制造集成电路块的过程中，进行一次或多次研磨步骤可以有这样几个好处。例如，因为可减小凸阶的尺寸，所以能降低凸阶的覆盖面积。借助比较平的表面，可以改善在一光刻胶上蚀刻图像的质量。如果光刻胶层不平整，那么就可能使图像的一部分散焦。因此，对一晶片加以研磨可以改善光刻胶的图案质量，并且提高产生器件的质量。
在通常的CMP设备中，一半导体晶片是抵住一旋转的研磨垫片转动，同时给旋转的垫片提供磨料和化学反应溶剂。研磨垫片通常是由覆盖在金属平板上的两个层面构成，把其中弹性较差的那一层面作为研磨垫的外层。所述的各个层面通常是由聚氨酯制成，并且可包括一用来控制层面之尺寸稳定性的填料。在加工用于研磨垫片和研磨头的平板时，必须小心，以使其具有光学上平整、平行的表面。
研磨垫板的直径通常是被研磨晶片的2倍或3倍，并且需将晶片保持在垫板的偏心位置上，以防止在晶片上磨出一不平整的面。晶片的转动轴线和垫板的转动轴线是平行的，但是不共线，这样就可以使晶片的前面与背面保持平行。其它的CMP设备采用的是一摆动式垫板或一连续砂带式垫板。本发明是结合一旋转式垫板作出的，并适用于任何型式的垫板。
需要细心地控制研磨参数，例如晶片的下压力、固定座的转速、垫板的速度、浆料的流速、以及浆料的PH值等，这样才能获得均匀的磨削速度、横穿整个晶片表面的均匀的研磨、以及晶片-晶片的一致性。
根据用途，可以把用于CMP的浆料分成三类：硅研磨浆料、氧化物研磨浆料、以及金属研磨浆料。
硅研磨浆料是指定用来研磨或磨平裸硅晶片。硅研磨浆料通常由直径约为20-200纳米、悬浮在水基液体内的很小的磨料，例如硅(SiO2)、铝(AL2O3)、铈(Ce2O3)等颗粒组成。一般的硅研磨浆料是氧化硅颗粒的胶体悬浮物。浆料内的颗粒比例(重量比)通常是1-15％。浆料的PH值通常是8.0-11.5，并且可通过另外添加碱，例如NaOH、KOH或NH4OH来加以控制。
氧化物研磨浆料是指定用来研磨或磨平晶片上的介电层(通常是氧化硅层)。介电层是用本技术领域众所周知的技术，如氧化或化学的汽相沉积。氧化物研磨浆料通常由悬浮在水基液体内的很小的磨料，例如直径约为50-1000纳米的硅、铝或铈等氧化物的颗粒组成。氧化物研磨浆料内的颗粒所占比例(重量比)通常是1-15％。PH值保持在8以上，通常是10.0-11.45。通过另外添加碱，可以控制浆料的PH值。美国专利4,910,155(Cote和Leach)描述了用于氧化物研磨的工艺和材料。
金属研磨浆料是指定用来研磨和磨平半导体晶片的导电层。导电层通常是沉积在介电层上，并且可以是若干种导电材料，例如钨、钛、铝、铜、掺杂的硅、掺杂的多晶硅、或金属硅化物中的任何一种。介电层通常具有被导电材料添满的诸孔(“通路”)，以提供一个穿过介电层而到达先前沉积层面的通路。在导电层被磨光之后，介电层内只保留了各通路内的导电材料。
金属研磨浆料通常包括很小的磨料颗粒，例如悬浮在水基液体内的、直径为50-1000纳米的硅、铝或铈的氧化物的颗粒。浆料内颗粒所占比例(重量比)通常是1-5％，而PH值通常不超过5。通过另外添加有机酸，例如乙酸钾、乙酸或柠檬酸等，可以有选择地控制金属研磨浆料的PH值。除了有机酸以外，浆料内还可以包括一种或多种氧化剂，以除去导电物。通常的氧化剂包括：过氧化氢、铁氰化钾、硝酸铁、或者是它们的混合物。美国专利5,340,370(Cadien)中揭示了一种金属研磨工艺以及一些用于金属研磨的浆料。
在市场上，用于CMP的浆料可以从例如CABOT、伊利诺斯州塔斯科拉的Cab-O-sil Division、以及特拉华州内沃克的Rodel Inc.等公司购得。
当晶片受到研磨时，浆料和磨料趋向于磨钝垫板的表面，使垫板变光滑并降低研磨速度。研磨可能造成从垫板材料、晶片本身或其它地方产生分散的颗粒。当这些副产品的浓度足以对研磨产生不利影响时，应该将它们去除。
在研磨过程中，浆料还可以发生化学变化，从而改变其组成和PH值。PH值通常是沿不期望的方向变化，因此，在浆料寿命结束时的晶片研磨比开始时的研磨要慢得多。如果浆料内包含氧化剂，那么氧化剂将在研磨过程中消耗掉一部分。
对研磨垫板加以修整，可以从垫板上去除掉老的浆料颗粒和磨料颗粒，并且可以重新为垫板表面提供新的浆料。对垫板的修整通常包括：去除磨钝层，并在垫板表面上产生一显微的粗糙度。用锋利的物体刮擦垫板或者是用磨料使垫板变粗，便可恢复垫板表面。
在很多CMP系统中，特别是那些大规模半导体生产商所采用的系统中，浆料是连续地流到研磨垫板上。当垫板旋转时，浆料将被甩出边缘，并通过一排放通道排出。虽然让新鲜浆料连续流入是较为有利并期望的，但是这样就必须要提供大量的浆料。
美国专利5,299,393(Chandler)揭示了一种围绕着旋转的研磨垫板的封闭装置或挡板。这个挡板能在研磨垫板上贮存浆料，以便用相当少的浆料来研磨晶片。因为浆料是批量使用的，所以在研磨过程中研磨速度不断地降低，直到浆料批量更换后研磨速度再急剧上升。这样的变化使精确地控制工艺变得困难。
挡板还限制了一CMP系统在研磨晶片时能快到什么程度。当垫板的转速较高时，浆料是由垫板的外侧边带动旋转，这样会使浆料在垫板上分布不均，并导致研磨得不平整。为了减小离心作用，有挡板的垫板必须以比没有挡板的垫板慢的速度旋转。而较慢的转速又是不怎么理想的，因为它会降低研磨速度。
除了浆料以外，还采用了大量的冲洗水以便从晶片、设备的各种垫板和部件上去除浆料颗粒。冲洗水通常可用来使垫板在研磨周期之间保持湿润。为了减少消耗，一般只在实际研磨过程中供给浆料。冲洗水也可以被用于次级研磨垫板(已知为抛光垫板)，以便在将晶片从研磨机上移开之前，可以从晶片上洗去浆料颗粒和粘附的化学物质。
美国专利3,549,439(Kaveggia等人)揭示了一种化学研磨设备，它采用了一个泵从研磨板上去除研磨剂，并将所述研磨剂经过一过滤器泵送至一分开的容器，所述研磨板是由一凸起物围绕，以便使研磨剂保持在研磨板上方。研磨剂被加热时，它会产生分解，以便与工件发生化学反应。需要向容器内的溶液添加一定的化学成分，以便让研磨剂保持一定的浓度。然后，利用另一个泵把调整后的溶液重新泵送到垫板上。该专利和Chandler专利的类似之处在于，采用了一个凸起物或防护装置来挡住液体，因此可以在研磨垫板上保持一定水平的浆料或研磨剂。
美国专利4,459,781(Li)揭示了这样一种方法，即，把包含各种尺寸颗粒混合物的研磨浆料施加于一旋转的研磨轮，并借助离心力使各种尺寸的颗粒分开。通过使工件从磨轮的外边缘朝磨轮的中心(这里的颗粒最小)移动，就可以对工件进行研磨。这只对包含相对较大颗粒的浆料而言是有效的。
美国专利5,478,435(Murphy et al.)揭示了一种用于CMP设备的使用点(point-of-use)浆料分配系统，在该系统中，浓浆料、稀释剂、有时还包括第三种化学成分，是分开输送到研磨垫板上，并且于使用之前在垫板上或是在一分配管道内混合，以便控制稀释剂、温度和化学成分的渗入。在垫板上进行的混合恰好是发生在浆料被扫到晶片下方或者是被扫到紧挨旋转垫板的导管的一个小扇面部分内之前。该专利涉及在垫板上的混合，但没有提及减少浆料用量、使浆料再循环、使浆料再生、或使冲洗水再循环等问题。
输送到研磨垫板上的浆料的数量是根据需研磨的材料以及其它很多参数而定，并且可在很大范围内变化。浆料可以以每分钟20-500毫升的速度流到研磨垫板上，一般的速度大约是200毫升/分钟。由于浆料是相当昂贵的，所以很多使用者试图减小流量。对于高速和均匀的研磨而言，流到研磨垫板上的浆料流量以及浆料在晶片下方循环流动的合成流体动力学状况是非常重要的。如果流速是200毫升/分钟，每个研磨周期通常需要2至3分钟并消耗400-600毫升浆料。若流速是500毫升/分钟，那么每个周期将消耗高达1500毫升的浆料。
在通常的CMP系统中，浆料和冲洗水不会分开，它们被向下引导至一排废口。所用冲洗水的体积通常比所用浆料的体积大三十倍，甚至可以比所耗浆料的体积大一百二十倍。在藉三个单独的CMP周期每个月可生产10,000个晶片的半导体生产厂内，每个月大约要消耗并排放12,000-18,000升浆料，而且需要用超过180,000升的水来混合。这么大的化学物消耗量将会大大加重对晶片生产环境的负面影响，并且会大大提高生产成本。
虽然CMP浆料是比较昂贵的，但是在采用再循环浆料来降低生产成本时，必须衡量可能损坏价值达$10,000-$50,000的晶片的危险程度。实际上，采用再循环浆料可能造成损坏的危险程度不会大于采用新鲜浆料可能造成损坏的危险程度。半导体工业需要通过有效的浆料再生和再使用系统来获得一新的、可靠的解决办法，以减少CMP浆料的消耗。此外，半导体工业还需要一个新的、可靠的解决办法来降低CMP设备中冲洗水的消耗。
鉴于存在上述问题，本发明的一个目的在于，减少CMP设备中的浆料消耗。
本发明的另一目的在于，提供一种在CMP设备内连续再循环的“在线”生产工艺。
本发明的另一目的在于，为CMP设备的提供再循环浆料，使用这种再循环浆料而可能造成损坏的危险不会大于采用新鲜浆料可能造成损坏的危险。
本发明的另一目的在于，使研磨设备内的浆料再生。
本发明的又一目的在于，通过进行浆料再循环并且通过添加化学物使浆料再生，提供一种改进的CMP加工工艺。
本发明的另一目的在于，提高CMP设备所能达到的均匀性和一致性。
本发明的又一目的在于，降低CMP设备的生产成本。
本发明的又一目的在于，在不对工艺、材料或设备进行很大改动的情况下，使浆料在CMP设备内再循环，而且不会消耗很多材料。
本发明的另一目的在于，在浆料再循环的同时，能保持使浆料不断地流过研磨垫板这一优点。
本发明的又一目的在于，在不会导致浆料发生急剧的物理和化学变化的情况下，进行浆料再循环。
本发明的另一目的在于，减少CMP设备中的冲洗水的消耗。
上述的各个目的可以由本发明来实现，在本发明中，不仅仅是用再循环浆料来代替新鲜浆料，而且再循环浆料不断地和使用中的浆料混合，以便提供一致的研磨速度，同时，连续地横穿流过研磨垫板的浆料的消耗量或废弃量是非常小的。浆料可以在一收集环内回收，并送到一个再循环回路内，以使回收的浆料和新鲜的浆料、再生的化学物、或水混合；对该混合物进行测试；对该混合物进行过滤；使混合物返回研磨垫板。返回垫板的体积最好是略超过回收的体积，以使其从槽中溢出。冲洗水是以同样的方式再循环，以使研磨垫板在两个研磨周期之间保持湿润。
通过下面结合各附图所作的描述，可以更清楚地了解本发明，附图中：
图1示出了一个根据已有技术构造而成的研磨头；
图2示出了根据本发明构造而成的、在CMP设备中进行浆料再循环的情况；
图3是根据本发明的、用于使浆料再生的设备的研磨垫板和收集环的剖视图；
图4示出了收集环溢流的情况；以及
图5根据本发明的再循环工艺的流程图。
在图1中，半导体晶片10是面朝下地放在研磨垫板11上，研磨垫板11包括设置在金属板15上的聚氨酯层13和14。在具有旋转工作台的CMP系统中垫板11的直径通常是50-75cm，而在具有摆动工作台的CMP系统中垫板11的直径通常是25-38cm。固定座12可通过固定座垫板16施加一向下的力，以抵住晶片10的背面。固定座12包括一固定环19，其直径略大于需研磨的晶片直径。
固定环围绕着研磨头内的晶片，其内径略大于晶片的直径，在晶片和固定环之间总是有些微的间隙。无论固定环是否压住弹性的研磨垫板，围绕晶片的外周边总是有一个研磨不均匀的环形区域，这在本技术领域称作“边缘排除区”。边缘排除区的宽度通常是5-10mm，它会减小能获得较佳小片(die)的晶片面积。
若固定座12和晶片10旋转的话，可以比晶片不旋转时研磨得更均匀。固定座12还能在垫板11上沿径向移动，以便改善研磨的均匀性。在研磨过程中，浆料17在垫板11上略微搅拌，并随着晶片相对垫板的移动而在晶片10下方循环流动。借助浆料10与被研磨薄膜的化学和机械的作用，就可以进行研磨。研磨工作连续地进行，直到磨削掉所期望的量。
图2示出了本发明的浆料再循环设备。其本身的研磨过程类似于已有技术，而且垫板和晶片固定座也和已有技术相同。也就是说，采用本发明的再循环浆料时，无需对CMP设备的其它部分以及新鲜浆料的化学成分做任何变动。利用本发明可以减少浆料消耗，不会有任何损失或者牺牲。
一半导体晶片(图2中未示)压抵垫板11，并由连接于转轴21的固定座12带动旋转。垫板11如箭头22所示顺时针旋转，而固定座12则如箭头25所示顺时针旋转。浆料31是通过分配管33流动到垫板11上，并且在垫板11上沿径向向外流动。在流过垫板时，浆料31的一部分用于研磨一晶片。从垫板11的外周边向外流出的浆料被收集在收集环23中，这个收集环或者是垫板外周边的一部分，或者是连接于垫板外周边。
在已有技术中，浆料离开垫板的边缘，撞击到与垫板隔开的一个垂直壁上，而后再向下流入收集排放通道中。在此过程中，特别是在形成液滴的情况下，由于浆料的表面积与其体积之比变得非常大，所以浆料可能干化。此外，可能发生颗粒聚集，这样就会非所愿地改变浆料。收集环23可以在浆料离开垫板11时对其加以收集，不会让浆料有大的暴露表面积，或者是发生干化。
图3是收集环23和垫板11边缘的剖视图。收集环23围绕垫板11的外周边延伸，并且包括用来收集已用过浆料的沟槽35。图中所示沟槽35的横截面形状是接近半圆形，它也可以是其它所需截面形状，但是沟槽外壁38的高度最好是与垫板11的上表面等高。沟槽35被加工成光滑表面，而收集环23上最好是涂覆一层不粘性的塑料，例如Teflon(聚四氟乙烯)塑料，以防止用过的浆料37发生粘附、干化、聚集和磨削沟槽的现象。
在如图4所示的本发明的较佳实施例中，随着用过的浆料被循环的浆料替代，浆料从收集环23中溢出。在下文中将要详细描述，在一个循环的过程中，大约有百分之二十的浆料被新鲜浆料替代，与已有技术相比大大地节约了浆料。新鲜浆料的添加量可以在很大范围内变化，例如，可以不超过百分之一，也可以接近百分之一百。
在图2中，沟槽35内设有一拾取管41，它可从沟槽内汲取一部分用过的浆料，并通过管道43把它们输送至泵45的入口。泵45的出口通过管道46而连接于混合总管47。在本发明的一个实施例中，拾取管41和管道是用Teflon制成。或者，也可以采用那些具有足够的刚性、或有足够的刚性支承、并且不会和浆料发生化学反应的材料来设置在沟槽内。
新鲜的浆料是从一合适的容器或储器(未示)，经过阀门28和管道27后流入总管47。再生化学物质，例如碱、表面活性剂、悬浮剂、酸、氧化剂，或适用于被研磨材料的其它合适的化学剂是从一合适的容器或储器(未示)，经过阀门30和管道29后流入总管47。鉴于再生化学物的各种不同的性质，可能需要用各个单独的泵和管道来将再生化学物输送至总管47。
去离子水是在压力下供给至常闭阀门35。阀门35的出口通过管道34连接于总管47。去离子水是用来稀释浆料或者是冲洗晶片或设备。再生化学物、新鲜浆料、用过的浆料，在某些情况下还有去离子水是在总管47中组合或完全混合。最终产生的再循环浆料通过管子48流到一个可选择使用的热交换器49，浆料在那里受到加热或冷却以使其维持在一个期望的温度上。
从热交换器49起，再循环浆料流经多个传感器，例如PH传感器51、温度传感器52和导电率传感器53。其它适用于某些特殊场合的传感器包括：混浊度传感器、比重计、离子特定电极、伏安测量仪、红外线传感器、紫外线传感器、或可见光传感器。传感器可单独地或组合地在一个或多个反馈回路中用于信息、报警和控制，以便控制再循环浆料的这些特性。例如，电导率传感器53是控制回路32的一部分，可用来自动地测量通过阀门30的碱或酸的流量。
再循环浆料经过三通阀55流动至过滤器56，并经过管道59和分配管33流到垫板11上。管子33的端部位置并不重要，由于液体会横穿研磨垫板11的表面发生离心流动，所以最好是把管子设置在研磨垫板11的中心附近。
在某些情况下，例如冲洗周期时，来自总管47的液体通过管道58被引导向排放通道。浆料中的大颗粒在过滤器56中被去除。在本发明的一个较佳实施例中，将过滤器56设计成能去除直径大于25μ(微米)的型式。当然也可以采用其它尺寸的过滤器，能去除直径在100μ以上之颗粒的过滤器的使用寿命比能去除较小颗粒的过滤器的使用寿命长。
当由于新鲜浆料、再生化学物或水的汇流而在垫板上形成一定体积的再循环浆料时，多余的浆料可简单地超过收集环23的上方并流入排放通道(图中未示)。这个系统可以充当一处于稳定状态下的供给和排放系统，添加给系统的液体体积等于流入排放通道的体积  在本发明的一较佳实施例中，通过再循环流动的液体体积大于流入排放通道的体积。业已发现，再循环流动的体积是流入排放通道体积的3-10倍是比较有用的，如果在4-6倍的范围内则更佳。
允许浆料离开垫板11而流入收集环23，并且在垫板11上没有多余的聚集，这样就可以提供一种化学和物理性质基本保持不变的浆料。Chandler的专利和Kaveggia等人的专利中都教导了用一种凸环或凸起在研磨表面上保持一定数量的浆料，即，该两专利中揭示了批量生产的加工工艺，其中，浆料的性质在研磨的过程中连续变化，而在一个研磨周期的结束点至下一个周期的起始点进行浆料更换时，则发生突然的变化。这样的变化在一致性和均匀性上造成差别。
使浆料可以溢出收集环能减少需再生的浆料的数量，并能为浆料提供程度比较小的离心过滤；即，较大或较重的颗粒趋向于溢出，而不是留在沟槽内。这样就可以消除一些否则需要由过滤器56去除的颗粒。
本发明的另一个特征是，组成再循环浆料的各种组份是在它们被分配到垫板上之前就完全混合均匀。在分配浆料之前，需进行一系列测量，以确定浆料的质量，例如温度、PH值、电导率等，而且要使测量有效，必须使浆料很好地混合。因此，如Murphy等人的专利中所揭示的使用点分配系统并不理想。充分的混合可以确保进行更精确的测量以及更佳的工艺控制。
尽管最好是测量温度、PH值和电导率，但也可以监测任何所需参数，或者任何参数也不监测。在不对再循环浆料进行测量的情况下，由于浆料已被充分混合，所以该加工过程也能很好地进行，但加工过程中的其它部分就变得格外重要，例如流体的流动应具有很好的特性和一致性，而晶片加工也应具有很好的特性和一致性。
图5是根据本发明的浆料处理流程图。该流程图是假设系统已经开始工作。从新的而且是干的研磨垫板开始，涉及：润湿垫板、施加新鲜浆料、随着浆料首次进入再循环而使得系统达到一定的速度。另一方面，在停机时，可用去离子水来冲洗系统、切断再循环回路，使得所有的水都充满沟槽，并且将多余的水通过阀门55泵送至排放通道。
在浆料开始于整个系统内进行循环之后，把晶片装到固定座上并施加到研磨垫板上。在步骤71，一部分浆料被收集在收集环中，并有一部分浆料从收集环溢出至排放通道。在步骤72，将回收的浆料、以及需要的再生化学物、需要的新鲜浆料和水泵送至混合总管。在步骤73，在混合总管内将各组份混合，并且在步骤74使再循环浆料经过各测量步骤。测量温度及其它参数，并根据来自传感器的数据而对阀门和热交换器进行调节。然后，在步骤75对再循环浆料进行过滤。在过滤之后，再循环浆料重新被送回研磨垫板，这样的再循环过程一直要进行到研磨完成为止。较佳的是，返回的再循环浆料的数量要超过去除的数量，这样就可以在步骤77完成从系统中替换一部分浆料。
周期性地采用大量的去离子水，有时甚至可以整夜地使用，以便使研磨垫板保持湿润并防止浆料在垫板上干化。根据本发明的另一方面，通过使去离子水或PH值被调整的水在较长的备用时间内再循环以使垫板保持湿润，可以大大节约去离子水的用量。此外，由于再循环浆料即使在备用时间内也保持流动，所以也可以根本取消用去离子水对垫板进行周期性湿润。
除了用于CMP设备的浆料以外，还可以用本发明的装置对化学物质进行再循环。在很多加工过程中，是在一第二研磨工作台上利用去离子或PH值被调整的冲洗水及一选定的垫板来进行第二研磨或抛光步骤，可以采用与浆料的汲取(有或者是没有溢出)、再生、测量、过滤及再循环相同的方式对第二研磨工作台的冲洗化学物进行再循环。
通过下面的几个例子，可以完全清楚地理解本发明，这几个例子仅仅是为了说明，而不是为了限制。
利用IPEC型472 CMP系统、Cabot SS12浆料、Rodel IC1000和RedelSubaIV原始垫板、Rodeal DF200固定座薄膜、以及涂覆了热氧化物的200mm的晶片来进行二个测试。在标准工艺之后，晶片被研磨2分钟。采用一IPEC型Avanti 9000进行CMP的后清洁工作。采用一Tencor型FT1050对氧化物厚度进行研磨前测量和研磨后测量，并采用一Tencor型6200对需控制的晶片表面的擦痕和缺陷进行研磨前测量和研磨后测量。晶片内的非均匀度是利用标准的49点SEMI厚度测量法，在6mm的边缘排除区和10mm的边缘排除区来测量的。
例子#1
采用再循环浆料(新鲜浆料的供给速度是40毫升/分钟，再循环浆料的供给速度是160毫升/分钟)磨平200块晶片。与传统浆料的使用率相比，再循环的浆料的使用量可降低十倍，从200毫升/分钟降至40毫升/分钟。
该测试工作是利用可从472型CMP系统的IPEC获得的氧化晶片研磨工艺来进行的。每次第10个晶片是一个预先测量过的、200mm的、原始的、纯热氧化晶片，而其余的则是带有填料的氧化物。在第一天加工总数为140的晶片。第一天的加工过程显得相对比较稳定。加工过程持续至第二天。虽然磨削速率是固定的，但是由于固定座薄膜发生老化，所以各个晶片的不均匀性(WIWNU)可能会有所增加。在完成200块晶片的加工之后，测试结束。
通过采用100％的新鲜浆料并对两种参数加以监测而对另外10块晶片进行加工也产生了同样的老化现象，因此上述的老化现象与使用再循环浆料无关。测试#1的结果被列在表1中，其中的磨削速率(R.R.)是以埃/分钟来表示，而不均匀性是以∑标准偏差的百分数来表示。
                       表1
第一天-140块晶片-14块监测-再循环浆料
第二天-60块晶片-6块监测-再循环浆料
第二天-10块晶片-2块监测-100％新鲜浆料
               6mm边缘排除区                   10mm边缘排除区
     R.R.，埃/分钟    ％WIWNU     R.R.，埃/分钟   ％WIWNU
  第一天再循环浆料     1632     5.76     1720     4.96
  第二天再循环浆料     1641     10.91     1619     9.07
  第二天新鲜浆料     1769     18.72*     1617     11.5*
*连续地变质
对200块晶片进行刮擦测试，结果是：
平均刮擦个数：先＝21.35/后＝20.7
平均刮擦深度：先＝46.5mm/后＝43.3mm
PH值范围(没有PH值调整)；
新鲜浆料＝PH值平均11.25；再循环浆料＝PH值平均11.05
例子#2：
利用新的垫板和新的固定座薄膜进行一第二测试。采用再循环和新的SS12浆料来加工另一些晶片(20块晶片；每10个晶片进行原始纯度TOX监测)。周期性地采集样品，进行分析。在第三天加工100块晶片，而在第四天加工另外100块。这次的磨削速率和WIWNU保持稳定。表2中列出了测试2的结果。还测量了晶片-晶片之间的在磨削速率上的不均匀性(WTWNU)。
                                      表2
         再循环浆料        新鲜浆料
磨削速率(R.R.)平值；10mm边缘排除区         1715.6埃/分钟      1775.6埃/分钟
     WIWNU            3.71％         4.43％
     WTWNU            1.62％         1.93％
  R.R.平均值；10mm边缘排除区         1680.2埃/分钟      1735.4埃/分钟
     WIWNU            4.20％         4.35％
     WTWNU            2.23％         2.74％
平均每块晶片的总的刮擦数的变化
-0.75                 -1.67
平均每块晶片的总的刮擦尺寸的变化
-1.17mm               -3.33mm
总共四天的测试结果表明，在本发明的帮助下，可以大大节约新鲜浆料的使用量，即从200毫升/分钟降至40毫升/分钟，而且基本上能达到和采用100％的新鲜浆料相同的效果。
在上文描述的基础上，本技术领域的熟练人员可以在本发明的范围内作出各种变型。例如，在本发明的一个实施例中采用了压缩泵，但是也可以采用其它类型的泵。尽管提及了晶片上的薄膜，但是用本发明的再循环系统研磨和磨平裸硅晶片时也能运行良好。本发明还适用于其它技术，例如用来磨平平面面板显示器的材料。本发明还有一些应用包括：玻璃、塑料、硬盘驱动面上的无电镍、印刷电路板的多层陶瓷封装、芯片固定座，等等。除了CMP加工的浆料以外，本发明还可以用于所有类型的浆料以及化学物质的再循环。无需过滤器或者是添加再生化学物，就可以使本发明的设备让人满意地运行。在本发明的最简单的形式中，使来自收集环的用过的浆料与新鲜的浆料混合，并使混合物返回垫板，结果表明，这样就可以让CMP研磨达到一个让人满意的水平。因为过滤的是再生浆料，而不是再循环浆料，所以还能减少了过滤物质的体积。收集管和分配管可以沿其长度方向设置若干个孔，包括或者是代替了用于收集或分配浆料的开口端。收集环是用于旋转式垫板。可以把类似的装置用于摆动式垫板或砂带，只是这种装置不必和垫板或砂带一起移动。可以采用一个具有研磨下表面的固定环来作为一修整器。

Claims (31)

1.在一种包括一研磨垫板的CMP设备中，其改进包括：
一收集环，它至少部分地围绕所述垫板，在用过的浆料离开所述垫板时接受或容纳所述浆料；
一第一管道，它可通过其第一端从所述收集环内汲取所述用过浆料的一部分；
一混合总管，它具有一出口、一连接于所述第一管道的第一入口、以及一连接至一个新鲜浆料源的第二入口，所述混合总管把送给至其入口的流体混合均匀而产生再循环浆料；以及
一第二管道，它连接于所述混合总管的出口，以便让所述再循环浆料返回所述垫板。
2.如权利要求1所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括：一泵，它连接在所述第一管道和所述第一入口之间，以便每分钟从所述收集环内汲取预定体积的用过的浆料。
3.如权利要求1所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还至少包括一个传感器，用以测量所述再循环浆料的一个性质。
4.如权利要求1所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括一热交换器，用以调节所述浆料的温度。
5.如权利要求1所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括一过滤器，用以从所述再循环浆料中去除颗粒污染物。
6.如权利要求2所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括一所述混合总管上的第三入口，所述第三入口连接于一个用于所述用过浆料的再生化学物质的供给源。
7.如权利要求6所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括一所述混合总管上的第四入口，所述第四入口连接于一个供水源。
8.如权利要求7所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括：一连接于所述第二入口的第一阀门、一连接于所述第三入口的第二阀门、以及一连接于所述第四入口的第三阀门，各阀门可调节所述流体向所述混合总管内流动的流量。
9.如权利要求8所述的CMP设备，其特征在于，再循环浆料的体积超过了所述预定体积。
10.如权利要求9所述的CMP设备，其特征在于，再循环浆料的体积超过所述预定体积达10-33％。
11.如权利要求8所述的CMP设备，其特征在于，所述第一阀门和所述第二阀门是闭合的，而所述第三阀门是打开的，以便用水来冲洗所述垫板且所述泵每分钟都从所述收集环内汲取所述预定体积的冲洗水。
12.如权利要求11所述的CMP设备，其特征在于，来自所述混合总管的冲洗水的体积超过了所述预定体积。
13.如权利要求12所述的CMP设备，其特征在于，来自所述混合总管的冲洗水的体积超过所述预定体积达10-33％。
14.如权利要求11所述的CMP设备，其特征在于，所述设备还包括一与所述垫板配合的调节器，以便在水流过所述垫板时进行清洗。
15.如权利要求1所述的CMP设备，其特征在于，所述收集环包括一用来接纳所述用过的浆料的沟槽，所述第一管道的第一端处在所述沟槽内。
16.一种使浆料在CMP设备中再循环的方法，在该CMP设备中浆料被施加到一研磨垫板上，所述方法包括如下步骤：
使一收集环至少部分地围绕所述垫板，以便收集离开垫板的浆料；
从所述收集环内汲取用过的浆料；
使用过的浆料和新鲜浆料混合，以便产生再循环浆料；以及
使再循环浆料返回所述垫板。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述汲取步骤的汲取量，少于离开垫板的浆料总量。
18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，每分钟从所述收集环内汲取的用过浆料的体积小于每分钟返回垫板的再循环浆料的体积。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，每分钟从所述收集环内汲取的用过浆料的体积比每分钟返回垫板的再循环浆料的体积少10-33％。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，每分钟从所述收集环内汲取的用过浆料的体积比每分钟返回垫板的再循环浆料的体积少16-25％。
21.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述混合步骤包括：
把所述用过的浆料和新鲜浆料以及水混合，以产生再循环浆料。
22.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述混合步骤包括：
把所述用过的浆料、再生化学物和水混合，以生产再循环浆料。
23.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述混合步骤包括：
把所述用过的浆料、新鲜浆料和再生化学物混合，以产生再循环浆料。
24.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述浆料包含在研磨过程中消耗掉的氧化剂，所述混合步骤包括：
把所述用过的浆料、新鲜浆料和氧化剂混合，以产生再循环浆料。
25.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述混合步骤之后的步骤是：
监测再循环浆料的一个参数。
26.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述参数是温度，所述监测步骤包括：
把再循环浆料的温度维持在一个预定范围内。
27.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述参数是PH值，所述混合步骤包括：
对用过的浆料添加碱或酸，以将再循环浆料的PH值维持在一个预定的范围内。
28.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述参数是电导率，所述混合步骤包括：
对用过的浆料添加碱或酸，以将再循环浆料的电导率维持在一个预定的范围内。
29.一种使冲洗水在CMP设备中再循环的方法，在该CMP设备中冲洗水是被施加到一研磨垫板上，所述方法包括如下步骤：
使一收集环至少部分地围绕所述垫板，以便收集离开垫板的冲洗水；
从所述收集环内汲取冲洗水；
使冲洗水返回所述垫板。
30.如权利要求28所述的方法，其特征在于，在所述汲取步骤汲取的冲洗水少于离开所述垫板的冲洗水总量。
31.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述冲洗水流过所述垫板时，修整所述垫板；以及
在所述返回步骤之前，对冲洗水加以过滤。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100374245C (zh) * 2003-12-29 2008-03-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨液再利用装置及其系统
CN101456162B (zh) * 2007-12-13 2010-08-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨液供给管路以及化学机械研磨装置
CN101362313B (zh) * 2007-08-09 2010-11-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨设备及化学机械研磨方法
CN102294758A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 日本碍子株式会社 冷却介质回收方法
CN102398221A (zh) * 2010-09-15 2012-04-04 亚泰半导体设备股份有限公司 化学机械研磨浆液回收再利用系统及其方法
CN102423871A (zh) * 2011-07-01 2012-04-25 上海华力微电子有限公司 一种抛光液的循环再利用方法
CN102950536A (zh) * 2011-08-30 2013-03-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
CN103531073A (zh) * 2013-10-12 2014-01-22 昆明理工大学 一种实验室用加热式双板挤浆装置
CN103522171A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 上海宏力半导体制造有限公司 一种用于抛光垫研磨盘的氮气输送装置
CN104507639A (zh) * 2012-07-25 2015-04-08 柯尼卡美能达株式会社 研磨材料再生方法
CN104703759A (zh) * 2012-07-25 2015-06-10 柯尼卡美能达株式会社 研磨材料再生方法
CN105252406A (zh) * 2015-09-10 2016-01-20 上海超硅半导体有限公司 一种硅片的抛光方法
CN108262691A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 Lg矽得荣株式会社 晶片抛光系统
CN111300258A (zh) * 2018-12-10 2020-06-19 三星电子株式会社 用于控制抛光均匀性的化学机械抛光装置
CN112536723A (zh) * 2019-09-23 2021-03-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 研磨浆供应系统、化学机械研磨装置及研磨浆供应方法
CN114161245A (zh) * 2021-11-19 2022-03-11 万华化学集团电子材料有限公司 一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺
WO2024036569A1 (en) * 2022-08-18 2024-02-22 Applied Materials, Inc. Polishing fluid recovery and reuse system for semiconductor substrate processing

Families Citing this family (229)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069080A (en) * 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
US6099954A (en) 1995-04-24 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing material and method of polishing a surface
DE19547085C2 (de) * 1995-12-15 1998-02-12 Wolters Peter Werkzeugmasch Läpp- oder Poliermaschine
JPH09262768A (ja) * 1996-03-27 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワークのラップ加工方法及び装置
US5879226A (en) 1996-05-21 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for conditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JP3620679B2 (ja) * 1996-08-27 2005-02-16 信越半導体株式会社 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法
JP2800802B2 (ja) * 1996-09-20 1998-09-21 日本電気株式会社 半導体ウェハーのｃｍｐ装置
JP3341601B2 (ja) * 1996-10-18 2002-11-05 日本電気株式会社 研磨剤の回収再利用方法および装置
US6769967B1 (en) 1996-10-21 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
EP1325793B1 (en) * 1996-11-14 2010-01-13 Ebara Corporation Drainage structure in polishing plant
JPH10156710A (ja) * 1996-11-27 1998-06-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 薄板の研磨方法および研磨装置
US5836805A (en) * 1996-12-18 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Method of forming planarized layers in an integrated circuit
JPH10199835A (ja) * 1996-12-19 1998-07-31 Texas Instr Inc <Ti> 半導体ウェーハの研摩プロセスにおいて化学的−機械的研摩スラリー内の粒子を制御するための方法
KR19980064180A (ko) * 1996-12-19 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 실리콘 웨이퍼의 등온 연마 촉진 방법
JPH10180630A (ja) * 1996-12-20 1998-07-07 Toshiba Mach Co Ltd 砥石のドレッシング方法
US5967882A (en) * 1997-03-06 1999-10-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6048254A (en) * 1997-03-06 2000-04-11 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with annular abrasive area
US6120352A (en) * 1997-03-06 2000-09-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets
US5791970A (en) * 1997-04-07 1998-08-11 Yueh; William Slurry recycling system for chemical-mechanical polishing apparatus
JP3130000B2 (ja) * 1997-09-04 2001-01-31 松下電子工業株式会社 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
US5957759A (en) * 1997-04-17 1999-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Slurry distribution system that continuously circulates slurry through a distribution loop
DE59807250D1 (de) * 1997-04-28 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zur behandlung von abwasser aus einem chemisch-mechanischen polierprozess in der chipfertigung
US5921849A (en) * 1997-06-04 1999-07-13 Speedfam Corporation Method and apparatus for distributing a polishing agent onto a polishing element
US6379538B1 (en) * 1997-06-05 2002-04-30 Lucid Treatment Systems, Inc. Apparatus for separation and recovery of liquid and slurry abrasives used for polishing
JPH1110540A (ja) * 1997-06-23 1999-01-19 Speedfam Co Ltd Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US6224465B1 (en) * 1997-06-26 2001-05-01 Stuart L. Meyer Methods and apparatus for chemical mechanical planarization using a microreplicated surface
US6070600A (en) * 1997-07-01 2000-06-06 Motorola, Inc. Point of use dilution tool and method
US6152805A (en) * 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5895315A (en) * 1997-08-07 1999-04-20 Pinder, Jr.; Harvey Wayne Recovery device for polishing agent and deionizing water for a polishing machine
WO1999029505A1 (fr) * 1997-12-08 1999-06-17 Ebara Corporation Distributeur de solution de polissage
US5934978A (en) 1997-08-15 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of making and using a chemical-mechanical polishing slurry that reduces wafer defects
DE19737849A1 (de) * 1997-08-29 1999-03-11 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern
JPH11102849A (ja) * 1997-09-17 1999-04-13 Lsi Logic Corp 半導体ウエハ上のパーティクル除去方法及び装置
US5957757A (en) * 1997-10-30 1999-09-28 Lsi Logic Corporation Conditioning CMP polishing pad using a high pressure fluid
CN1203213C (zh) * 1997-11-06 2005-05-25 住友金属工业株式会社 酸浓度测定和自动控制的方法和装置
US6332835B1 (en) * 1997-11-20 2001-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus with transfer arm for moving polished object without drying it
US6074286A (en) * 1998-01-05 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry
IT1299540B1 (it) * 1998-07-01 2000-03-16 Memc Electronic Materials Procedimento per separare e rigenerare abrasivo esausto a base di glicole e carburo di silicio ai fini della loro riutilizzazione
US6231628B1 (en) 1998-01-07 2001-05-15 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the separation, regeneration and reuse of an exhausted glycol-based slurry
US6200896B1 (en) 1998-01-22 2001-03-13 Cypress Semiconductor Corporation Employing an acidic liquid and an abrasive surface to polish a semiconductor topography
US6143663A (en) * 1998-01-22 2000-11-07 Cypress Semiconductor Corporation Employing deionized water and an abrasive surface to polish a semiconductor topography
JPH11277408A (ja) * 1998-01-29 1999-10-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置
KR100286980B1 (ko) * 1998-02-11 2001-04-16 윤종용 웨이퍼 연마 설비 및 웨이퍼 연마 방법
JP3065016B2 (ja) * 1998-02-17 2000-07-12 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
US6143662A (en) * 1998-02-18 2000-11-07 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
JPH11254298A (ja) * 1998-03-06 1999-09-21 Speedfam Co Ltd スラリー循環供給式平面研磨装置
JPH11277434A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Speedfam Co Ltd Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US6171180B1 (en) 1998-03-31 2001-01-09 Cypress Semiconductor Corporation Planarizing a trench dielectric having an upper surface within a trench spaced below an adjacent polish stop surface
KR100550034B1 (ko) * 1998-04-06 2006-02-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US6102782A (en) * 1998-04-06 2000-08-15 Micron Technology, Inc. System and apparatus for distributing flush fluid to processing equipment
US6015499A (en) * 1998-04-17 2000-01-18 Parker-Hannifin Corporation Membrane-like filter element for chemical mechanical polishing slurries
TW369947U (en) * 1998-04-24 1999-09-11 United Microelectronics Corp A filter set
WO1999056189A1 (en) * 1998-04-30 1999-11-04 The Boc Group, Inc. Conductivity feedback control system for slurry blending
US5993647A (en) * 1998-05-02 1999-11-30 United Microelectronics Corp. Circulation system of slurry
US6024829A (en) * 1998-05-21 2000-02-15 Lucent Technologies Inc. Method of reducing agglomerate particles in a polishing slurry
TW369943U (en) * 1998-06-25 1999-09-11 United Microelectronics Corp A filter system
US6241847B1 (en) 1998-06-30 2001-06-05 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon infrared signals
US6071818A (en) 1998-06-30 2000-06-06 Lsi Logic Corporation Endpoint detection method and apparatus which utilize an endpoint polishing layer of catalyst material
US6093088A (en) * 1998-06-30 2000-07-25 Nec Corporation Surface polishing machine
US6268224B1 (en) 1998-06-30 2001-07-31 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting an ion-implanted polishing endpoint layer within a semiconductor wafer
US6077783A (en) * 1998-06-30 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon heat conducted through a semiconductor wafer
US6074517A (en) * 1998-07-08 2000-06-13 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting an endpoint polishing layer by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer
US6285035B1 (en) 1998-07-08 2001-09-04 Lsi Logic Corporation Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method
US6458017B1 (en) * 1998-12-15 2002-10-01 Chou H. Li Planarizing method
US6976904B2 (en) * 1998-07-09 2005-12-20 Li Family Holdings, Ltd. Chemical mechanical polishing slurry
US6676492B2 (en) * 1998-12-15 2004-01-13 Chou H. Li Chemical mechanical polishing
JP3858462B2 (ja) * 1998-07-30 2006-12-13 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US6080670A (en) * 1998-08-10 2000-06-27 Lsi Logic Corporation Method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a non-reactive reporting specie
JP2000071172A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Nec Corp 化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法
US6534378B1 (en) 1998-08-31 2003-03-18 Cypress Semiconductor Corp. Method for forming an integrated circuit device
US6135865A (en) * 1998-08-31 2000-10-24 International Business Machines Corporation CMP apparatus with built-in slurry distribution and removal
US6232231B1 (en) 1998-08-31 2001-05-15 Cypress Semiconductor Corporation Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form interconnect
US5972124A (en) * 1998-08-31 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method for cleaning a surface of a dielectric material
US6551174B1 (en) * 1998-09-25 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Supplying slurry to a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US6132294A (en) * 1998-09-28 2000-10-17 Siemens Aktiengesellschaft Method of enhancing semiconductor wafer release
US6572453B1 (en) * 1998-09-29 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Multi-fluid polishing process
US6220941B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
JP2000183003A (ja) * 1998-10-07 2000-06-30 Toshiba Corp 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
US6201253B1 (en) 1998-10-22 2001-03-13 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a planarized outer layer of a semiconductor wafer with a confocal optical system
US6224463B1 (en) 1998-11-02 2001-05-01 J.C.J. Metal Processing, Incorporated Workpiece finishing system and method of operating same
US6260709B1 (en) * 1998-11-09 2001-07-17 Parker-Hannifin Corporation Membrane filter element for chemical-mechanical polishing slurries
US6566249B1 (en) 1998-11-09 2003-05-20 Cypress Semiconductor Corp. Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form wide interconnect structures
US6165048A (en) * 1998-11-10 2000-12-26 Vlsi Technology, Inc. Chemical-mechanical-polishing system with continuous filtration
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6235635B1 (en) * 1998-11-19 2001-05-22 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Linear CMP tool design using in-situ slurry distribution and concurrent pad conditioning
US6156659A (en) * 1998-11-19 2000-12-05 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Linear CMP tool design with closed loop slurry distribution
JP3538042B2 (ja) * 1998-11-24 2004-06-14 松下電器産業株式会社 スラリー供給装置及びスラリー供給方法
US6206759B1 (en) * 1998-11-30 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines
US6077337A (en) 1998-12-01 2000-06-20 Intel Corporation Chemical-mechanical polishing slurry
US6121147A (en) * 1998-12-11 2000-09-19 Lsi Logic Corporation Apparatus and method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a metallic reporting substance
US6117779A (en) * 1998-12-15 2000-09-12 Lsi Logic Corporation Endpoint detection method and apparatus which utilize a chelating agent to detect a polishing endpoint
US6261158B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-17 Speedfam-Ipec Multi-step chemical mechanical polishing
US6783434B1 (en) * 1998-12-25 2004-08-31 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate
JP3426149B2 (ja) * 1998-12-25 2003-07-14 富士通株式会社 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置
KR100304703B1 (ko) * 1999-02-09 2001-09-26 윤종용 필터의 기능을 감지하는 제어기를 갖는 반도체소자의 제조장비
US6176765B1 (en) * 1999-02-16 2001-01-23 International Business Machines Corporation Accumulator for slurry sampling
US6375544B1 (en) 1999-02-26 2002-04-23 Micron Technology, Inc. System and method for reducing surface defects integrated in circuits
TW467795B (en) * 1999-03-15 2001-12-11 Mitsubishi Materials Corp Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers
US6527624B1 (en) 1999-03-26 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Carrier head for providing a polishing slurry
US6302771B1 (en) * 1999-04-01 2001-10-16 Philips Semiconductor, Inc. CMP pad conditioner arrangement and method therefor
US6048256A (en) * 1999-04-06 2000-04-11 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for continuous delivery and conditioning of a polishing slurry
US6217427B1 (en) * 1999-04-06 2001-04-17 Agere Systems Inc. Mobius strip belt for linear CMP tools
JP3941284B2 (ja) * 1999-04-13 2007-07-04 株式会社日立製作所 研磨方法
JP3708748B2 (ja) * 1999-04-23 2005-10-19 松下電器産業株式会社 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法
US6468135B1 (en) 1999-04-30 2002-10-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multiphase chemical mechanical polishing
US6589872B1 (en) * 1999-05-03 2003-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Use of low-high slurry flow to eliminate copper line damages
JP4030247B2 (ja) * 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
JP3291487B2 (ja) * 1999-05-27 2002-06-10 三洋電機株式会社 流体の被除去物除去方法
US6746309B2 (en) * 1999-05-27 2004-06-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device
JP3291488B2 (ja) * 1999-05-27 2002-06-10 三洋電機株式会社 流体の被除去物除去方法
US6352595B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
US7180591B1 (en) * 1999-06-03 2007-02-20 Micron Technology, Inc Semiconductor processors, sensors, semiconductor processing systems, semiconductor workpiece processing methods, and turbidity monitoring methods
US6290576B1 (en) 1999-06-03 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor processors, sensors, and semiconductor processing systems
US7530877B1 (en) * 1999-06-03 2009-05-12 Micron Technology, Inc. Semiconductor processor systems, a system configured to provide a semiconductor workpiece process fluid
JP4555936B2 (ja) * 1999-07-21 2010-10-06 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液
US6451699B1 (en) 1999-07-30 2002-09-17 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for planarizing a wafer surface of a semiconductor wafer having an elevated portion extending therefrom
US6283840B1 (en) 1999-08-03 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US6319834B1 (en) 1999-08-18 2001-11-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for improved planarity metallization by electroplating and CMP
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001121407A (ja) * 1999-10-21 2001-05-08 Nec Corp 研磨装置
US6203412B1 (en) * 1999-11-19 2001-03-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Submerge chemical-mechanical polishing
US6379223B1 (en) 1999-11-29 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
JP4657412B2 (ja) * 1999-12-10 2011-03-23 エルエスアイ コーポレーション 半導体ウェハを研磨する装置及び方法
ATE307859T1 (de) * 1999-12-17 2005-11-15 Cabot Microelectronics Corp Verfahren zum polieren oder planarisieren eines substrats
US6375791B1 (en) 1999-12-20 2002-04-23 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting presence of residual polishing slurry subsequent to polishing of a semiconductor wafer
US6372111B1 (en) 2000-01-18 2002-04-16 David K. Watts Method and apparatus for reclaiming a metal from a CMP process for use in an electroplating process
US6362103B1 (en) 2000-01-18 2002-03-26 David K. Watts Method and apparatus for rejuvenating a CMP chemical solution
WO2001053039A1 (en) * 2000-01-18 2001-07-26 Rodel Holdings, Inc. Dissolution of metal particles produced by polishing
US6431957B1 (en) 2000-01-25 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Directional flow control valve with recirculation for chemical-mechanical polishing slurries
US6669538B2 (en) 2000-02-24 2003-12-30 Applied Materials Inc Pad cleaning for a CMP system
DE10010287B4 (de) * 2000-02-25 2004-02-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von flüssigen Gemischen für das chemisch-mechanische Polieren von Wafern
US6306020B1 (en) * 2000-03-10 2001-10-23 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Multi-stage slurry system used for grinding and polishing materials
US7751609B1 (en) 2000-04-20 2010-07-06 Lsi Logic Corporation Determination of film thickness during chemical mechanical polishing
US6267641B1 (en) 2000-05-19 2001-07-31 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor
US6721628B1 (en) * 2000-07-28 2004-04-13 United Microelectronics Corp. Closed loop concentration control system for chemical mechanical polishing slurry
US6419567B1 (en) * 2000-08-14 2002-07-16 Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg Retaining ring for chemical-mechanical polishing (CMP) head, polishing apparatus, slurry cycle system, and method
US6544109B1 (en) 2000-08-31 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Slurry delivery and planarization systems
US6558238B1 (en) * 2000-09-19 2003-05-06 Agere Systems Inc. Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry
US6554467B2 (en) * 2000-12-28 2003-04-29 L'air Liquide - Societe' Anonyme A'directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and apparatus for blending and distributing a slurry solution
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6632012B2 (en) * 2001-03-30 2003-10-14 Wafer Solutions, Inc. Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids
US6969684B1 (en) 2001-04-30 2005-11-29 Cypress Semiconductor Corp. Method of making a planarized semiconductor structure
US7223344B2 (en) * 2001-05-29 2007-05-29 Memc Electronic Materials, Spa Method for treating an exhausted glycol-based slurry
US6824448B1 (en) * 2001-05-31 2004-11-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. CMP polisher substrate removal control mechanism and method
US6488767B1 (en) 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
US7160739B2 (en) * 2001-06-19 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
US7698012B2 (en) 2001-06-19 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing
JP2003001559A (ja) * 2001-06-21 2003-01-08 Mitsubishi Electric Corp 化学的機械研磨方法、化学的機械研磨装置およびスラリー供給装置
US7059943B2 (en) 2001-06-28 2006-06-13 Seh America, Inc. Method and apparatus for recycling slurry
US6723655B2 (en) * 2001-06-29 2004-04-20 Hynix Semiconductor Inc. Methods for fabricating a semiconductor device
JP4502168B2 (ja) * 2001-07-06 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US7070067B1 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Buehler, Ltd. Modular fluid-dispensing system
US6458020B1 (en) 2001-11-16 2002-10-01 International Business Machines Corporation Slurry recirculation in chemical mechanical polishing
US6622745B1 (en) 2002-01-07 2003-09-23 Projex Ims, Inc. Fluid waster diversion system
TWI252791B (en) * 2002-01-18 2006-04-11 Promos Technologies Inc Slurry supply system disposed above the rotating platen of a chemical mechanical polishing apparatus
US6828678B1 (en) 2002-03-29 2004-12-07 Silicon Magnetic Systems Semiconductor topography with a fill material arranged within a plurality of valleys associated with the surface roughness of the metal layer
KR20020037316A (ko) * 2002-04-23 2002-05-18 이성희 디브이디 시스템에서 틸트 서보 제어방법
US20030201185A1 (en) * 2002-04-29 2003-10-30 Applied Materials, Inc. In-situ pre-clean for electroplating process
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
FR2842755B1 (fr) * 2002-07-23 2005-02-18 Soitec Silicon On Insulator Rincage au moyen d'une solution de tensioactif apres planarisation mecano-chimique d'une tranche
JP2004193377A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004207422A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の研磨方法、半導体装置の製造方法および研磨装置
US20040137740A1 (en) * 2003-01-15 2004-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to reduce dishing, erosion and low-k dielectric peeling for copper in low-k dielectric CMP process
US6769961B1 (en) * 2003-01-15 2004-08-03 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization (CMP) apparatus
US6884152B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
JP2004247688A (ja) * 2003-02-17 2004-09-02 Canon Inc 冷媒供給装置
US7001827B2 (en) * 2003-04-15 2006-02-21 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer front side protection
US20040266192A1 (en) * 2003-06-30 2004-12-30 Lam Research Corporation Application of heated slurry for CMP
EP1533597A1 (en) * 2003-11-20 2005-05-25 Millipore Corporation Fluid dispensing device
US7052364B2 (en) * 2004-06-14 2006-05-30 Cabot Microelectronics Corporation Real time polishing process monitoring
US7695589B2 (en) * 2004-07-21 2010-04-13 Texas Instruments Incorporated Versatile system for conditioning slurry in CMP process
JP4541796B2 (ja) * 2004-07-30 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 研磨スラリーの製造方法
JP2006099943A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Showa Denko Kk 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法
JP2006099944A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Showa Denko Kk 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法
JP2006147773A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
KR100607763B1 (ko) * 2004-12-29 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 두 단계의 절연막 연마 공정을 포함하는 반도체 제조 방법
US20060191871A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Sheng-Yu Chen Cmp slurry delivery system and method of mixing slurry thereof
JP4524643B2 (ja) * 2005-05-18 2010-08-18 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハ研磨方法
JP2007165661A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
WO2007097046A1 (ja) * 2006-02-24 2007-08-30 Ihi Compressor And Machinery Co., Ltd. シリコン粒子の処理方法及び装置
KR100795969B1 (ko) * 2006-07-11 2008-01-21 노바테크인더스트리 주식회사 패널의 박형화 장치 및 방법
US20080171494A1 (en) * 2006-08-18 2008-07-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for slurry distribution
US7651384B2 (en) * 2007-01-09 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method and system for point of use recycling of ECMP fluids
US7820051B2 (en) * 2007-02-23 2010-10-26 International Business Machines Corporation Recycling of electrochemical-mechanical planarization (ECMP) slurries/electrolytes
BE1017837A3 (nl) * 2007-11-05 2009-08-04 Wetenschappelijk En Tech Onder Werkwijze en inrichting voor het mechanisch bewerken van diamant.
KR100901979B1 (ko) * 2007-11-21 2009-06-08 주식회사 실트론 슬러리 공급 장치 및 공급 방법
US8360825B2 (en) * 2007-12-03 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry supply system
JP4598095B2 (ja) * 2008-03-11 2010-12-15 育弘 池田 研磨装置
US8172641B2 (en) * 2008-07-17 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP by controlling polish temperature
KR100985861B1 (ko) * 2008-09-24 2010-10-08 씨앤지하이테크 주식회사 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법
KR20110102378A (ko) * 2008-11-26 2011-09-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 기계적 폴리싱을 위한 엔드 포인트 제어를 이용한 화학 물질과 연마 입자의 2 라인 혼합 방법
US20110048542A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Weinstock Motty system for wafer manufacture
DE102009047926A1 (de) * 2009-10-01 2011-04-14 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben
DE102009044204A1 (de) 2009-10-08 2011-04-28 Fab Service Gmbh Wiederaufbereitungsverfahren und Wiederaufbereitungsvorrichtung zur Wiederaufbereitung von Slurry-Abwasser aus einem Halbleiterbearbeitungs-prozess, insbesondere aus einem chemisch-mechanischen Polierprozess
US8557134B2 (en) * 2010-01-28 2013-10-15 Environmental Process Solutions, Inc. Accurately monitored CMP recycling
DE102010028461B4 (de) * 2010-04-30 2014-07-10 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Einebnung eines Materialsystems in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung eines nicht-selektiven in-situ zubereiteten Schleifmittels
EP2433747B1 (de) * 2010-09-24 2013-04-17 Benteler Maschinenbau GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Schleifen der parallel zueinander verlaufenden Kanten von Glasplatten
US20120211418A1 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Slurry Concentration System and Method
US20120326210A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Zhisheng Shi Method of making semiconductor materials and devices on silicon substrate
US8696404B2 (en) * 2011-12-21 2014-04-15 WD Media, LLC Systems for recycling slurry materials during polishing processes
CN104010770B (zh) * 2011-12-22 2017-07-21 柯尼卡美能达株式会社 研磨材料再生方法及再生研磨材料
EP2815845B1 (en) * 2012-02-16 2017-06-28 Konica Minolta, Inc. Abrasive regeneration method
US9887309B2 (en) 2012-12-13 2018-02-06 The Board of Regents of the University of Okalahoma Photovoltaic lead-salt semiconductor detectors
US10109754B2 (en) 2012-12-13 2018-10-23 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Photovoltaic lead-salt detectors
JP6140051B2 (ja) * 2013-10-23 2017-05-31 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
JP6245606B2 (ja) * 2013-12-25 2017-12-13 国立大学法人九州大学 ワーク研磨装置
US10688623B2 (en) * 2014-09-30 2020-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry dispersion system with real time control
JP5843036B1 (ja) * 2015-06-23 2016-01-13 コニカミノルタ株式会社 再生研磨材スラリーの調製方法
JP6389449B2 (ja) * 2015-08-21 2018-09-12 信越半導体株式会社 研磨装置
DE102015225728B3 (de) * 2015-12-17 2017-01-26 Ksb Aktiengesellschaft Anordnung zur Durchmischung
CN105798778A (zh) * 2016-05-09 2016-07-27 惠晶显示科技（苏州）有限公司 一种显示玻璃平面研磨用的研磨粉回收利用方法
US20170355059A1 (en) * 2016-06-14 2017-12-14 Confluense Llc Slurry Slip Stream Controller For CMP System
US10875149B2 (en) * 2017-03-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for timed dispensing various slurry components
JP6923342B2 (ja) * 2017-04-11 2021-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
KR101971150B1 (ko) * 2017-08-18 2019-04-22 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼의 에지 연마부, 이를 포함하는 웨이퍼의 에지 연마 장치 및 방법
JP7059117B2 (ja) * 2017-10-31 2022-04-25 株式会社荏原製作所 研磨パッドの研磨面の温度を調整するための熱交換器、該熱交換器を備えた研磨装置、該熱交換器を用いた基板の研磨方法、および研磨パッドの研磨面の温度を調整するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7162465B2 (ja) 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7083722B2 (ja) * 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
US10800004B2 (en) * 2018-09-28 2020-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method of chemical mechanical polishing
US11911869B2 (en) * 2019-02-04 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing system with platen temperature control
KR102277512B1 (ko) * 2019-07-29 2021-07-15 솔리스 주식회사 대용량 슬러리 공급 장치
US11772234B2 (en) * 2019-10-25 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Small batch polishing fluid delivery for CMP

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3905162A (en) * 1974-07-23 1975-09-16 Silicon Material Inc Method of preparing high yield semiconductor wafer
US4059929A (en) * 1976-05-10 1977-11-29 Chemical-Ways Corporation Precision metering system for the delivery of abrasive lapping and polishing slurries
US5036625A (en) * 1988-12-07 1991-08-06 Anatoly Gosis Lapping plate for a lapping and polishing machine
CA2012878C (en) * 1989-03-24 1995-09-12 Masanori Nishiguchi Apparatus for grinding semiconductor wafer
JPH02257627A (ja) * 1989-03-30 1990-10-18 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体ウエーハの研磨方法及び装置
US5142828A (en) * 1990-06-25 1992-09-01 Microelectronics And Computer Technology Corporation Correcting a defective metallization layer on an electronic component by polishing
US5486134A (en) * 1992-02-27 1996-01-23 Oliver Design, Inc. System and method for texturing magnetic data storage disks
JPH0645300A (ja) * 1992-07-21 1994-02-18 Kawasaki Steel Corp 半導体ウェーハの研磨方法および装置
US5575705A (en) * 1993-08-12 1996-11-19 Church & Dwight Co., Inc. Slurry blasting process
JP2737108B2 (ja) * 1993-12-28 1998-04-08 村田工業株式会社 研磨装置
KR0132274B1 (ko) * 1994-05-16 1998-04-11 김광호 웨이퍼 연마 설비

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100374245C (zh) * 2003-12-29 2008-03-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨液再利用装置及其系统
CN101362313B (zh) * 2007-08-09 2010-11-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨设备及化学机械研磨方法
CN101456162B (zh) * 2007-12-13 2010-08-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨液供给管路以及化学机械研磨装置
CN102294758B (zh) * 2010-06-25 2015-08-05 日本碍子株式会社 冷却介质回收方法
CN102294758A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 日本碍子株式会社 冷却介质回收方法
CN102398221A (zh) * 2010-09-15 2012-04-04 亚泰半导体设备股份有限公司 化学机械研磨浆液回收再利用系统及其方法
CN102423871A (zh) * 2011-07-01 2012-04-25 上海华力微电子有限公司 一种抛光液的循环再利用方法
CN102950536B (zh) * 2011-08-30 2015-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
CN102950536A (zh) * 2011-08-30 2013-03-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
CN103522171A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 上海宏力半导体制造有限公司 一种用于抛光垫研磨盘的氮气输送装置
CN103522171B (zh) * 2012-07-05 2016-04-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于抛光垫研磨盘的氮气输送装置
CN104507639A (zh) * 2012-07-25 2015-04-08 柯尼卡美能达株式会社 研磨材料再生方法
CN104703759A (zh) * 2012-07-25 2015-06-10 柯尼卡美能达株式会社 研磨材料再生方法
CN104703759B (zh) * 2012-07-25 2017-07-28 柯尼卡美能达株式会社 研磨材料再生方法
CN103531073A (zh) * 2013-10-12 2014-01-22 昆明理工大学 一种实验室用加热式双板挤浆装置
CN105252406A (zh) * 2015-09-10 2016-01-20 上海超硅半导体有限公司 一种硅片的抛光方法
CN108262691A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 Lg矽得荣株式会社 晶片抛光系统
US10525568B2 (en) 2017-01-03 2020-01-07 Sk Siltron Co., Ltd. Wafer polishing system
CN108262691B (zh) * 2017-01-03 2021-07-09 爱思开矽得荣株式会社 晶片抛光系统
CN111300258A (zh) * 2018-12-10 2020-06-19 三星电子株式会社 用于控制抛光均匀性的化学机械抛光装置
CN112536723A (zh) * 2019-09-23 2021-03-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 研磨浆供应系统、化学机械研磨装置及研磨浆供应方法
CN114161245A (zh) * 2021-11-19 2022-03-11 万华化学集团电子材料有限公司 一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺
CN114161245B (zh) * 2021-11-19 2023-01-13 万华化学集团电子材料有限公司 一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺
WO2024036569A1 (en) * 2022-08-18 2024-02-22 Applied Materials, Inc. Polishing fluid recovery and reuse system for semiconductor substrate processing

Also Published As

Publication number Publication date
US5664990A (en) 1997-09-09
KR980011959A (ko) 1998-04-30
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