KR19980064180A - 실리콘 웨이퍼의 등온 연마 촉진 방법 - Google Patents
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Abstract
화학적-기계적 연마 공정시 연마용 슬러리의 온도를 제어하는 본 발명의 방법은 연마용 슬러리(28)를 화학적-기계적 연마 장치(10)에서 순환시키는 단계, 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계, 연마용 슬러리의 재순환 동안에 슬러리를 온도 제어 장치(36)에 노출시켜 연마용 슬러리의 온도를 조절하는 단계 및 연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지시키는 단계를 포함하여, 연마용 슬러리의 온도를 제어한다.
Description
본 발명은 일반적으로, 화학적-기계적 연마 공정시 실리콘 웨이퍼의 등온 연마를 촉진하기 위한 방법에 관한 것이며, 특히 본 발명은 실리콘 연마 공정시 규산질의 화학적-기계적 실리콘 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하고 제어하여 슬러리를 일정한 온도로 유지시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 배경이 한 예로서 반도체 웨이퍼를 연마하는 것과 연관지어 기술되어 있긴 하지만, 이로써 본 발명의 범위가 제한되는 것은 아니다.
지금까지, 당해 분야에서는, 불규칙한 상부 표면 토포그라피를 평탄화하기 위해 디바이스 제조의 각종 단계에서 실리콘 웨이퍼의 화학적-기계적 연마 가공을 수행하여 왔다. 예를 들면, 최근의 반도체 집적 회로 제조 공정에서는, 사전에 형성된 구조체 위에 다른 구조체의 전도성 라인을 형성하는 것이 필요하다. 그러나, 전에 형성한 구조체가 실리콘 웨이퍼의 상부 표면 토포그래피를 매우 불규칙하게 만드는 일이 빈번하다. 이와 같은 불규칙성으로 인해, 후속 재질층의 적층시 만약 상기한 바와 같은 매우 불규칙한 표면위에 직접 적층된다면, 적층된 재질의 불완전한 커버리지, 절단, 틈새등이 생기기 쉽다. 불규칙성이 주요 공정 단계에서 해소되지 않는다면, 표면 불규칙성을 가진 상부 표면 토포그래피는 더욱 불규칙하게 되고, 반도체 구조체의 후속 공정에서 층들이 더 쌓여감에 따라 더 큰 문제를 야기하게 된다.
이러한 적층 불규칙성이 생기는 경우, 사용된 재질의 종류 및 그 사용 목적에 따라 여러 가지 바람직하지 않은 특성들이 발생된다. 절연 산화물층의 불완전한 커버리지는 금속화층 사이에 단락 회로를 만들 수 있다. 또, 틈새에 공기 또는 공정 가스가 채워져서 후속 공정 단계를 오염시키거나 전체적인 디바이스의 신뢰도를 저하시킬 수 있다. 도체의 예리한 부분은 생소하고 바람직하지 않은 전계 효과가 생기게 할 수 있다. 일반적으로 웨이퍼 제조 공정에서 널리 인정되고 있는 문제점은, 매우 불규칙한 구조체상에 고 밀도 회로를 형성하는 경우 수율 및 디바이스의 동작 성능이 매우 불량할 수 있다는 것이다.
결론적으로, 다층 집적회로의 공정을 손쉽게 하고, 그 수율, 동작 성능, 신뢰도를 개선하기 위해, 집적회로 구조체의 평탄화 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 사실상, 모든 현대의 고 밀도 집적회로 제조 기술에서는 제조 공정의 임계점에서 평탄화된 구조체를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
통상적으로, 반도체 웨이퍼를 평탄화하기 위한 연마 장치는 회전 플래튼으로도 인용되는 턴테이블과, 턴테이블에 일정한 압력을 가해주는 상부 링을 갖고 있다. 턴테이블의 상부면에는 통상적으로 연마용 패드가 부착된다. 연마될 반도체 웨이퍼는 연마용 패드상에 배치되고 상부 링과 턴테이블 사이에 클램핑된다. 반도체 웨이퍼는 왁스, 패드에 의해 또는 흡입을 통해 상부 링의 하부면에 단단히 고정되어 반도체 웨이퍼는 연마 공정시 상부 링과 일체적으로 회전될 수 있다.
턴테이블이 회전되는 동안, 계량된 유체 형태의 슬러리가 슬러리 공급원으로부터 연마용 패드의 상부면으로 운반된다. 통상적으로, 슬러리는 캐미컬 및 연마재를 포함하는 액체이다. 예를 들어, 슬러리 화학 성분은 일반적으로 약 11의 pH를 가진 염기성 용액으로 이루어진다. 이러한 알카리성 연마용 슬러리는 콜로이드성 실리카(SiO2)와 같은 미세한 연마용 입자를 포함할 수 있다.
더욱 빠르고 강력한 반도체 집적회로에 대한 욕구가 증가함에 따라, 반도체 산업계는 더욱 작은 와이어링 패턴을 가진 집적회로를 공급해야 한다. 이러한 작은 와이어링 패턴이 좁은 공간내에서 상호 접속되므로, 실리콘 웨이퍼의 불규칙한 표면 토포그래피를 평탄화하는 개선된 방법이 요구되고 있다. 실리콘 웨이퍼의 화학적-기계적 연마 공정의 품질에 영향을 주는 몇가지 매개변수가 알려져 있다. 특히, 상부 링에 의해 턴테이블에 가해지는 압력, 플래튼 속도와 같은 기계적 요인이 있고, 사용된 슬러리의 타입, 슬러리 pH, 슬러리 첨가제, 슬러리 온도, 슬러리 희석 비율, 슬러리 용적등을 포함하는 화학적 요인이 있다. 각각의 기계적 요인 및 화학적 요인은 실리콘 웨이퍼의 평화화된 표면의 품질에 영향을 미치며, 반도체 집적회로 공정의 각 단계에서 수율에 영향을 미친다.
특히, 평탄화 공정시 마무리 품질은 슬러리의 온도와 직접 관련되어 있다. 그러므로, 화학적-기계적 연마 공정시 실리콘 웨이퍼의 등온 연마를 촉진하는 방법이 요구되고 있다. 개선된 화학적-기계적 연마 방법은 슬러리 수명을 증가시겨 실리콘 연마용 슬러리의 재순환성을 크게 할 수 있다. 슬러리 수명을 연장시킴으로써, 슬러리 배치(slurry batch)의 사용 감소로 비용이 절약될 뿐만 아니라 버려지는 연마용 슬러리로 인한 환경 파괴를 줄일 수 있다.
명세서에 개시된 본 발명은, 규산질 화학적-기계적 실리콘 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하고 제어하여 실리콘 연마 공정시 슬러리를 일정한 온도로 유지시킴으로써 화학적-기계적 연마 공정시 실리콘 웨이퍼의 등온 연마를 촉진하는 것을 포함한다. 본 발명의 방법은 각각의 제조 사이클 후에 연마용 슬러리가 버려지지 않도록 연마용 슬러리를 재활용 및 재사용하게 한다.
본 발명의 방법은 화학적-기계적 웨이퍼 연마 장치에서 연마용 슬러리를 재순환시키며, 재순환 공정의 하나 또는 그 이상의 포인트에서 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 것을 포함한다. 슬러리 온도는 가열 장치나 냉각 장치에 또는 이들 모두에 연마용 슬러리를 노출시켜서 유지된다.
연마용 슬러리에 대한 상대적인 가열 효과 및 냉각 효과를 판정하는 매카니즘은 슬러리 온도의 판독을 위해 배치된 온도 프로브로부터의 입력 온도에 응답한다. 온도 프로브의 위치는 가열 및 냉각 장치를 제어하는데 쓰이는 원하는 입력에 따라 달라질 수 있다. 온도 제어 매카니즘은 온도 프로브와 가열 및 냉각 장치 사이에 직접 연결될 수 있다. 대안적으로, 온도 프로브 사이에 제어기가 배치되어 연마용 슬러리의 상대적인 가열 및 냉각을 제어한다. 제어기는 사용자-지정 입력, 예컨대 연마용 슬러리에 대한 특정 온도 또는 온도 범위에 응답한다.
연마용 슬러리 재순환 시스템을 따라 하나 이상의 프로브를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 온도 프로브는 슬러리 재순환 사이클의 시작과 끝부분에 배치될 수 있다. 특히, 연마용 슬러리가 대류에 의해 열을 주변 공기나 재순환 배관등으로 분산시키므로, 슬러리 온도는 가열 및 냉각 장치에 가능한 한 근접하게 설치된 인-라인(in-line) 온도 프로브로 측정된다. 또, 최적의 슬러리 온도를 유지하기 위해 가열 및 냉각 장치로부터 슬러리의 방출 온도를 측정한다.
연마 공정시, pH 및 실리카 대 알카리 비율에 영향을 주는 실리콘 산화물 입자의 방출에 따른 마찰력 때문에 슬러리 온도가 증가한다. 연마 공정의 제어성을 좋게하기 위해, 본 발명은 연마 유닛 조작자가 연마 공정을 통해 연마용 슬러리 온도를 면밀히 모니터하고 제어하게 함으로써 웨이퍼 품질 및 수율에 영향을 주는 변수의 개수를 제한하여 반도체 웨이퍼 제조자에게 도움을 준다. 예를 들면, 제어기는 연마 공정중에 슬러리 온도를 일정하게 유지할 필요가 있다. 대안적으로, 슬러리 pH, 조성 상태의 변화를 관리하기 위해 또는 연마되는 웨이퍼가 특정한 온도 및 마찰 요건을 갖기 때문에, 조작자는 연마 공정 동안에 슬러리 온도의 상승 또는 하강을 급격하게 또는 완만하게 램핑(ramping)할 필요가 있다. 상기한 램핑 방법의 대안으로 사용되는 본 발명은 연마용 슬러리 온도를 연마 공정의 상이한 스테이지에서 불연속적인 단계별로 제어한다. 조작자는 또한 연마용 슬러리의 사용된 횟수에 따라 온도를 변동시킬 필요가 있다. 마지막 예로써, 조작자는 연마용 슬러리의 희석에 따라 온도를 변동시킬 필요가 있다.
도 1a는 온도 제어부를 갖춘 웨이퍼 연마 장치의 간략한 도시도.
도 1b는 온도 제어부를 갖춘 웨이퍼 연마 장치의 간략한 도시도.
도 2는 온도 제어부의 도시도.
도 3은 온도 제어부의 도시도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 연마 장치
14 : 연마용 패드
24 : 반도체 웨이퍼
28 : 슬러리
36 : 온도 제어실
40 : 냉각기
42 : 히터
이하, 본 발명의 여러 가지 실시예가 상세히 설명되겠지만, 본 발명은 다양한 환경에서 구현될 수 있는 여러 가지 적용가능한 발명 개념들을 제공하는 것으로 이해해야 겠다. 여기에 설명된 특정 실시예는 단지 본 발명을 실시하고 이용하는 특정한 방법을 설명한 것에 불과하며 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니다.
도 1a에서, 반도체 웨이퍼와 같은 각종 물품의 화학적-기계적 연마를 위한 장치는 일반적으로 10으로 표시되어 있다. 연마 장치(10)는 하부 플래튼(12)을 포함하며 하부 플래튼(12)의 상부면에는 연마용 패드(14)가 부착된다. 연마 장치(10)는 다수의 연마 유닛(16)을 포함한다. 각각의 연마 유닛(16)은 샤프트(18), 상부 플래튼(20), 운반 플레이트(22)를 포함한다. 각각의 연마 유닛(16)은 적어도 하나의 반도체 웨이퍼(24)를 수용한다.
동작시, 하부 플래튼(12)과 연마 유닛(16)은 반도체 웨이퍼(24)의 하부면이 연마용 패드(14)의 상부면에 접촉하도록 회전되는 카운터가 된다. 연마 유닛(16)은 반도체 웨이퍼(24)의 연마면과 연마용 패드(14) 사이에 발생되는 마찰력에 의해 회전된다. 하부 플래튼(12)과 상부 플래튼(20)은 반시계 방향으로 회전하고 중앙 구동기(26)는 시계 방향으로 회전하여 중앙 구동기(26)와 연마용 패드(14) 사이의 원형 갭을 통해 연마용 패드(14)에 슬러리(28)가 골고루 분포되게 한다.
연마용 슬러리(28)의 온도는 온도 제어실(36)에서 변동된다. 온도 제어실(36)에서 슬러리(28)의 냉각 및 가열의 필요량은 슬러리(28)의 순환 경로를 통해 하나 또는 그 이상의 전략적 위치에서 취한 슬러리 온도 샘플로부터 결정될 수 있다. 예를 들어, 온도는 포인트(31)의 중앙 구동기(26) 근처에서, 거품 제거실(32)에서, 또는 온도 제어실(36)의 상류에서 온도 프로브(37 또는 41)에 의해 테스트될 수 있다. 슬러리(28)가 온도 제어실(36)을 통과한 다음, 펌프(38)는 슬러리(28)를 연마용 패드(14)의 표면으로 다시 순환시켜 준다.
본 발명의 한 실시예에서, 온도 제어실(36)은 슬러리 온도를 샘플링하기 위해 배치된 하나 또는 그 이상의 프로브(35, 37 또는 41)로부터 입력을 수신한다. 슬러리 온도는 간격을 두고 샘플링되거나 연속적으로 모니터링될 수 있다. 프로브(35, 37, 41)로부터의 출력은 온도 제어실(36)의 제어기(39)로 전달되며, 이를 이용하여 조작자는 연마 공정 동안 인입 슬러리 온도를 설정할 수 있다. 동작시, 예를 들어 슬러리를 사전-가열하기 위해 연마 공정에 앞서 사용자-지정 온도가 설정된다. 조작자가 설정한 온도는 특정한 웨이퍼의 요구에 따라 약 섭씨 17 내지 70도 사이에서 연마 공정중에 변동할 수 있다.
도 1b는 온도 제어실(36)의 대안적인 배치를 보여준다. 도 1b에서, 온도 제어실(36)은 펌프(38)의 하류 지점의 슬러리(28) 순환 경로에 위치한다. 온도 제어실(36)은 연마 공정시 슬러리(28)의 온도를 제어한다. 슬러리(28)의 온도 측정은 포인트(29, 31, 33)과 같은 다양한 위치에서 실시될 수 있다. 당해 기술의 숙련자라면, 온도 제어실(36)에 정확한 슬러리(28) 온도 측정치가 제공되어 슬러리(28) 온도가 온도 제어실(36)에서 적절하게 제어되는 한, 온도 측정의 위치, 횟수, 방법등은 본 발명에서 중요한 것이 아니라는 것을 알 것이다.
도 2는 온도 제어실(36)의 한 실시예를 도시한다. 여기서 슬러리 냉각기(40)는 슬러리 히터(42)와 병렬로 배치되었다. 본 발명의 한 실시예에서, 슬러리 냉각기(40) 및 슬러리 히터(42)는 각각 투관형 열교환기일 수 있다. 상기 실시예에서, 슬러리(28)는 냉각 또는 가열 매체와 접촉하지 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서, 슬러리 냉각기(40)는 슬러리(28)와 접촉하는 구불구불한 모양의 냉각기일 수 있다. 이 실시예에서 슬러리 히터(42)도 구불구불한 냉각기내에 또는 그 옆으로 배치되는 구불구불한 히터일 수 있으며, 여기서 슬러리(28)는 슬러리 냉각기(40)의 구성부 및 슬러리 히터(42)의 구성부와 거의 동시적으로 접촉한다.
슬러리 히터(42) 및 슬러리 냉각기(40)의 상류 또는 하류에는 슬러리(28)가 슬러리 냉각기(40)로 또는 슬러리 히터(42)로, 또는 두 가지 모두로 흐르게 하는 하나 이상의 온도 제어식 솔레노이드(46)가 있다. 온도 제어 솔레노이드(46)는 온도 감지기(44)에 의해 제어된다. 당해 기술의 숙련자는 본 발명의 대안적 실시예에서 온도 감지기(44)를 온도 제어실(36) 앞에 또는 뒤에 배치할 수 있다는 것을 알 것이다. 사실상, 하나 이상의 온도 감지기(44)를 사용하여 온도 제어 솔레노이드(46)를 제어할 수 있다. 또, 온도 제어 솔레노이드(46)는 슬러리 냉각기(40) 및 슬러리 히터(42) 앞에 또는 뒤에 배치될 수 있다. 슬러리 냉각기(40) 및 슬러리 히터(42)의 하류에 혼합실(48)을 배치하여, 재순환에 앞서 슬러리(28)가 균일한 온도에 도달하도록 할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 슬러리 냉각기(40) 및 슬러리 히터(42)는 직렬로 배치될 수 있다. 이러한 실시예에서는 슬러리(28) 흐름을 제어하는데 하나의 온도 제어식 솔레노이드(46)를 필요로 한다. 또, 온도 제어 솔레노이드(46)는 슬러리 냉각기(40) 및 슬러리 히터(42) 앞에 또는 뒤에 배치될 수 있다. 또한, 슬러리 냉각기(40) 및 슬러리 히터(42)는 단일 유닛의 일부로도 형성될 수 있다. 예를 들어, 구불구불한 냉각기(40)가 구불구불한 히터(42)와 서로 뒤얽히게 하거나 히터(42)를 냉각기(40) 옆으로 배치할 수 있다.
동작에 있어서 본 발명은 화학적-기계적 공정중 사용되는 기존의 온도 제어 시스템을 개선시킨다. 통상적으로, 연마 공정시, 마찰에 의한 기계적인 열 발생에 의해 웨이퍼의 온도가 상승한다. 대부분의 열은 재순환 시스템을 통해 슬러리(28)가 재순환하는 동안 제거된다. 일반적으로 연마용 패드(14)의 온도를 모니터링하여 연마 압력 및 슬러리 흐름을 조절한다.
그러나 이러한 웨이퍼 온도 제어 방법은 원하는 온도 균일성을 달성하지 못하는데, 그 이유는 인가된 압력 및 슬러리 흐름 속도의 변화는 대규모의 가열을 다루고 있기 때문이다. 슬러리 흐름의 조절과 같은 대규모 변화는 슬러리의 조성 및 연마 반응 물질에 있어 중대한 변동을 야기할 수 있다. 더욱이, 상기 방법의 웨이퍼 냉각 매카니즘은 소규모의 웨이퍼 냉각을 다루지 못하고 있다.
슬러리(28) 온도를 제어하고 유지하는 본 발명의 온도 제어실(36)을 사용하면 웨이퍼 온도의 소규모 변화를 직접 관리할 수 있다. 또한, 본 발명의 온도 제어실(36)을 사용하면 웨이퍼 연마 공정으로부터 온도 변수를 제거하거나 최소화할 수 있다. 예를 들어, 일정한 온도를 유지하면 실리콘 연마 속도를 더 일정하게 할 수 있고, 이에 따라 표면 품질을 개선할 수 있다. 유사하게, 본 발명의 온도 제어실(36)이 연마용 슬러리(28)의 온도를 제어하므로, 슬러리 성분의 응고, 침강, 겔화, 침전을 방지하는 실리카 대 알카리 비율의 제어가 더욱 용이해진다. 또, 본 발명의 온도 제어실(36)의 사용은 연마용 슬러리(28) 흐름 속도를 변동시킬 필요성을 최소화하고, 이에 따라 연마 속도, 표면 품질, 수율의 변동을 최소화한다. 그러므로, 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 화학적-기계적 연마 공정의 표면 품질 및 수율을 상승적으로 개선시킨다. 특히, 슬러리 온도를 제어하는 본 발명의 온도 제어실(36)의 사용으로 슬러리 pH 및 슬러리 흐름 속도에 대한 제어의 정밀도가 향상된다.
본 발명이 도시된 실시예를 참고하여 설명되었지만, 이러한 설명이 제한적인 관점으로 해석되어서는 안되겠다. 설명을 참고하면 당해 기술분야의 숙련자는 설명된 실시예의 여러 가지 변형 및 조합, 또한 본 발명의 다른 실시예등을 명확히 알 수 있을 것이다. 그러므로, 첨부된 청구범위는 이러한 변형예 또는 실시예를 모두 포함하는 것이다.
Claims (20)
- 화학적-기계적 웨이퍼 연마 공정시 연마용 슬러리의 온도를 유지하는 방법에 있어서,화학적-기계적 웨이퍼 연마 장치에서 연마용 슬러리를 순환시키는 단계;연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계;연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계; 및연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지하여 연마용 슬러리의 온도를 제어하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 상승시키는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 하강시키는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 안정화하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지하는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 약 섭씨 17 도 내지 70 도 사이로 유지시키는 것을 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지하는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 약 섭씨 25 도로 유지시키는 것을 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 화학적-기계적 연마 장치를 따라 다수의 위치에서 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계를 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마 공정시 연마용 슬러리의 온도를 불연속적인 단계별로 변동시키는 단계를 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제1항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 약 섭씨 17 도 내지 70 도 사이의 공정 온도로 램핑시켜 연마용 슬러리의 온도를 변동시키는 단계를 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 화학적-기계적 웨이퍼 연마 공정시 연마용 슬러리의 온도를 유지하는 방법에 있어서,화학적-기계적 웨이퍼 연마 장치에서 연마용 슬러리를 순환시키는 단계;연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계;연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계; 및연마용 슬러리의 온도를 약 섭씨 17도 내지 70도 사이로 유지하여 연마용 슬러리의 온도를 제어하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제10항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 상승시키는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제10항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 하강시키는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제10항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 조절하기 위해 연마용 슬러리를 온도 제어 장치에 노출시키는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 안정화하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제10항에 있어서, 화학적-기계적 연마 장치를 따라 다수의 위치에서 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계를 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제10항에 있어서, 연마 공정시 연마용 슬러리의 온도를 불연속적인 단계별로 변동시키는 단계를 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 화학적-기계적 웨이퍼 연마 공정시 연마용 슬러리의 온도를 유지하는 방법에 있어서,화학적-기계적 웨이퍼 연마 장치에서 연마용 슬러리를 순환시키는 단계;연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계;제1 용적의 연마용 슬러리를 냉각 장치에 노출시키는 단계;제2 용적의 연마용 슬러리를 가열 장치에 노출시키는 단계;제1 용적과 제2 용적을 결합시켜 연마용 슬러리의 온도를 조절하는 단계; 및연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지하여 연마용 슬러리의 온도를 제어하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제16항에 있어서, 제1 용적과 제2 용적을 결합시키는 단계가 제1 용적과 제2 용적을 혼합하여 연마용 슬러리의 균일성을 제공하는 것을 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제16항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지하는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 약 섭씨 17 도 내지 70 도 사이로 유지시키는 것을 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제16항에 있어서, 연마용 슬러리의 온도를 선정된 범위내로 유지하는 단계가 연마용 슬러리의 온도를 약 섭씨 25 도로 유지시키는 것을 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
- 제16항에 있어서, 화학적-기계적 연마 장치를 따라 다수의 위치에서 연마용 슬러리의 온도를 모니터링하는 단계를 더 포함하는 연마용 슬러리의 온도 유지 방법.
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