CN1149542C - 主信息载体和使用了主信息载体的磁记录媒体的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种利用在非磁性基体的表面上淀积了与在磁记录媒体上进行记录用的信息信号排列对应的形状图形的强磁性薄膜的排列而准备的主信息载体,强磁性薄膜是在信息信号的磁道长度方向上的矫顽力为40KA/m以下的软磁性薄膜或半硬磁性薄膜,而且在信息信号的磁道长度方向上的强磁性薄膜的剩磁比磁记录媒体的矫顽力大。由此,可得到在磁记录性能方面良好的主信息载体。
Description
技术领域
本发明涉及用于将数字信息信号以静态方式一并进行面记录的主信息载体和使用了主信息载体的磁记录方法。
背景技术
现在,磁记录重放装置为了实现小型且大容量而存在高记录密度化的趋势。在作为代表性的磁存储装置的硬盘驱动器的领域中,面记录密度超过3Gbit/in2的装置已实现商品化,几年后,可看到被议论的10Gbit/in2那样的快速的技术进步。
作为能实现这样的高记录密度化的技术背景,媒体性能、头与盘接口性能的提高及因部分响应等的新的信号处理方式的出现引起的线记录密度的提高也是主要原因。但是,近年来,磁道密度的增加趋势大大超过线记录密度的增加趋势,成为面记录密度提高的主要原因。这是由于在重放输出性能方面远比现有的感应型磁头好的磁阻元件型磁头的实用化的贡献。现在,由于磁阻元件型磁头的实用化,能以良好的S/N比来重放仅几μm以下的磁道宽度的信号。另一方面,今后随着磁头性能的进一步提高,预期在最近的将来磁道间距可达到亚微米区域。
那么,为了磁头准确地扫描这样窄的磁道,并以良好的S/N比来重放信号,磁头的跟踪伺服技术起到重要的作用。在现在的硬盘驱动器中,在盘的一周中,即以角度来说是360度中,以一定的角度间隔设置了记录跟踪用伺服信号或地址信息信号、重放时钟信号等的区域(以下,将记录这样的信号的情况称为「预格式化」)。通过磁头以一定的间隔重放这些信号,可一边确认、修正磁头的位置,一边准确地在磁道上扫描。
由于已叙述的跟踪用伺服信号或地址信息信号、重放时钟信号等成为使磁头准确地在磁道上扫描用的基准信号,故在其记录时,要求准确的定位精度。在现在的硬盘驱动器中,在将盘组装到驱动器中后,使用专用的伺服记录装置,利用进行了严格的位置控制的磁头来进行预格式化记录。
迄今为止,在使用了上述那样的专用的伺服记录装置并利用磁头进行的伺服信号或地址信息信号、重放时钟信号的预格式化记录中,存在以下那样的课题。
首先,第1,磁头的记录基本上是基于磁头与媒体的相对移动的线记录。因此,在一边使用专用的伺服记录装置并对磁头进行了严格的位置控制、一边进行记录的上述的方法中,在预格式化的记录中需要很多时间,同时,还由于专用的伺服记录装置的价格很高,使该方法的成本变得非常高。
第2,由于磁头与媒体之间的间隙及因记录磁头的柱形引起的记录磁场的扩展的缘故,以预格式化方式记录的磁道端部的磁化迁移在陡峭性方面存在缺点。现在的跟踪伺服技术中,利用磁头偏离磁道而进行扫描时的重放输出的变化量来进行磁头的位置检测。因而,在以预格式化方式记录的信号磁道中,要求磁头偏离磁道而进行扫描时的重放输出的变化量、即偏离磁道(off track)的特性是陡峭的。上述的记录磁场的扩展与该要求是相反的,在今后的亚微米磁道的记录中的准确的跟踪伺服技术的实现是困难的。
作为解决上述那样的因磁头引起的预格式化记录的课题的手段,本发明者在例如特开平10-40544号公报中提出了下述的磁记录技术,其主旨是:通过使利用在非磁性基体的表面上淀积了与信息信号排列对应的形状图形的强磁性材料的图形排列而准备的主信息载体表面与磁记录媒体的表面接触,在磁记录媒体上记录与主信息载体表面的强磁性材料的图形排列对应的磁化图形。
在特开平10-40544号公报中公开的结构中,利用从在一个方向上被磁化的主信息载体表面的强磁性材料发生的记录磁场,在磁记录媒体上记录与主信息载体的强磁性材料的图形排列对应的磁化图形。即,通过在主信息载体表面上形成与跟踪用伺服信号或地址信息信号、重放时钟信号等对应的强磁性材料的图形排列,可在磁记录媒体上进行与这些图形排列对应的预格式化记录。
现有的磁头进行的记录基本上是基于磁头与媒体的相对移动的动的线记录,与此不同,上述结构的特征在于:是不伴随主信息载体与媒体的相对移动的静的一并面记录。利用该特征,在特开平10-40544号公报中公开的磁记录技术对于与已叙述的预格式化记录有关的课题,可发挥下述那样的极为有效的效果。
第1,由于是面记录,故在预格式化记录中所需要的时间比现有的磁头的记录方法所需要的时间短很多。此外,也不需要一边对磁头进行严格的位置控制、一边进行记录用的高价的伺服记录装置。因而,不仅可大幅度地提高与预格式化记录有关的生产性,而且还可降低生产成本。
第2,由于是不伴随主信息载体与媒体的相对移动的静的记录,故通过使主信息载体表面与磁记录媒体密接,可使记录时的两者间的间隙为最小。再者,也不会象用磁头进行的记录那样,产生因记录磁头的柱形引起的记录磁场的扩展。因此,以预格式化方式记录的磁道端部的磁化迁移与现有的用磁头进行的记录相比,具有良好的陡峭性,可实现更准确的跟踪。
另一方面,在特开平10-40544号公报中公开的磁记录技术中,还难以说实现了在磁记录性能方面充分良好的结构。
例如,在特开平10-40544号公报中公开的磁记录技术中,主信息载体表面的强磁性材料的磁特性对磁记录性能的影响很大。在特开平10-40544号公报中,在该申请时刻所明确的范围内,关于适合于该磁记录技术的强磁性材料的磁特性,进行了某种程度的公开。但是,还没有弄清能使该磁记录技术的记录性能达到最大限度的、特别是优选的磁特性。
特开平10-40544号公报中公开的磁记录技术是具有与现有技术完全不同的磁记录机构的新的磁记录技术,难以利用来自现有的已知技术的类推来弄清在磁记录性能方面良好的主信息载体的结构及使用该结构的优选的磁记录方法。
因而,在该磁记录技术中,必须利用充分的实验验证来弄清其磁记录机构,据此,以求提前实现在磁记录性能方面良好的主信息载体和使用了该主信息载体的磁记录方法。
发明的公开
本发明是鉴于以上的课题而进行的,其目的在于提供一种在磁记录性能方面充分良好的主信息载体和使用了上述主信息载体的优选的磁记录方法。
本发明者对于以在特开平10-40544号公报中公开的内容为主旨的磁记录技术进行了精心研究,在弄清与该技术的磁记录性能有关的机构的同时,实现了能够得到更好的记录性能的主信息载体的结构和使用了该结构的磁记录方法。
为了实现以上所述,本发明的主信息载体是利用在非磁性基体的表面上淀积了与在磁记录媒体上进行记录用的信息信号排列对应的形状图形的强磁性薄膜的排列而准备的主信息载体,其特征在于:强磁性薄膜是在信息信号的磁道长度方向上的矫顽力为40KA/m以下的软磁性薄膜或半硬磁性薄膜,而且在信息信号的磁道长度方向上的强磁性薄膜的剩磁比磁记录媒体的矫顽力大。其特征在于:较为理想的是,强磁性薄膜具有磁记录媒体的矫顽力的3倍以上的饱和磁化,更为理想的是,强磁性薄膜在信息磁道的长度方向上具有100以上的相对导磁率。
此外,使用了上述的主信息载体的本发明的磁记录方法是,使利用在非磁性基体的表面上淀积了与信息信号排列对应的形状图形的强磁性薄膜的排列而装置的主信息载体与磁记录媒体表面密接,通过施加对强磁性薄膜进行激励用的直流激励磁场,把与信息信号排列对应的磁化信息记录到磁记录媒体上的磁记录方法,其特征在于:直流激励磁场的大小是磁记录媒体的矫顽力以下的值,而且在除去了直流激励磁场之后,在强磁性薄膜中残留的磁化比磁记录媒体的矫顽力大。其特征在于:直流激励磁场的大小最好比强磁性薄膜的饱和磁场小。
利用以上的结构,按照本发明,在以特开平10-40544号公报中公开的内容为主旨的磁记录技术中,可提供磁记录性能更好的主信息载体和使用了该主信息载体的磁记录方法。
附图的简单说明
图1是示出本发明的主信息载体表面的结构例的局部扩大图。
图2是示出本发明的主信息载体的基体的圆周方向的剖面的一个结构例的局部扩大剖面图。
图3是示出本发明的主信息载体的基体的圆周方向的剖面的另一个结构例的局部扩大剖面图。
图4是示出本发明的主信息载体的磁化过程的一例的图。
图5是示出本发明的主信息载体的磁化过程的另一例的图。
图6是示出没有本发明的结构的主信息载体的磁化过程的一例的图。
用于实施发明的最佳形态
以下,关于本发明的主信息载体和磁记录方法的实施形态例,通过以磁盘媒体为例,与有关该磁记录机构的作用一起,详细地进行说明。
首先,在图1中示出本发明的主信息载体表面的一个结构例。图1中例如在基体的半径方向3(即,磁道宽度方向)上只示出了3个磁道的在圆盘状的非磁性基体的圆周方向2(即,磁道长度方向)上每隔一定角度设置的预格式化区域中的信息信号排列图形,施加了阴影的长方形部分由强磁性薄膜1构成。在实际的主信息载体表面上,与记录主信息信号(预格式化信号)的磁盘媒体的记录区相对应,在基体的圆周方向2上每隔一定角度连续地或断续地、而且在基体的半径方向3上在全部记录磁道区域中形成了图1中例示的那样的信息信号排列图形。使用各种光刻技术来制成上述那样的由强磁性薄膜形成的信息信号排列图形。
再有,在图1中,强磁性薄膜1的平面形状全部为长方形,但实际上不限于此,可根据用途采取各种形状。
主信息载体的非磁性基体通常与进行信号记录的磁盘媒体的形状相对应,作成圆盘形状。不一定要使磁盘媒体的直径与圆盘状非磁性基体的直径一致。根据实施形态例,可作成非磁性基体的直径比磁盘媒体的直径小或大的结构。此外,主信息载体的圆盘状非磁性基体可以不完全是圆形的。例如,可作成在圆周状的一部分上设置了弦状的平坦部分(称为orientation flat)或楔状的缺口部分(称为notch)的形状。这些部分在前面所述的光刻工艺或后述的记录工艺中可作为决定主信息载体的方向或位置用的基准来使用。
图2、图3中示出从箭头方向看图1中示出的一点划线I-I线上的本发明的主信息载体时的剖面的结构例。再有,一点划线I-I与圆盘状非磁性基体的圆周方向2对应,相当于数字信息信号排列的位长度方向,同时,它也相当于磁道长度方向。本发明的主信息载体,可以是如图2中所示那样在非磁性基体4的表面上以凸状排列了由强磁性薄膜1构成的图形形状的结构,也可以是如图3中所示那样在非磁性基体4的表层部分埋入了由强磁性薄膜1构成的图形形状而被排列的结构,但从主信息载体的耐久性、或长寿命化的观点来看,图3的结构更好。
通过在信息信号排列的位长度方向(磁道长度方向)上施加激励强磁性薄膜用的直流激励磁场Hex,本发明的主信息载体发生与强磁性薄膜图形的排列对应的磁通流。通过使永久磁铁或电磁铁接近于主信息载体并进行移动,可施加直流激激励场。在图2、图3中用箭头概略地示出了这样的磁通流的情况。那么,如果在将磁盘媒体表面与主信息载体密接的状态下施加直流激激励场Hex,则由于与强磁性薄膜图形排列对应的磁阻变化而漏泄到主信息载体表面上的磁通起到记录磁场的作用,可在磁盘媒体上记录与强磁性薄膜图形的排列对应的磁化信息。
图4示意性地示出在本发明的主信息载体的一实施例中伴随直流激励磁场Hex的施加的主信息载体的磁化过程。再有,在图4中,不是示出强磁性薄膜1的磁化的变化,而是如图2、图3中所示那样,示出了将主信息载体的表面上强磁性薄膜1存在的部分的正上方的记录磁场设为Ha,将强磁性薄膜1不存在的部分的正上方的记录磁场设为Hb,Ha、Hb与直流激励磁场Hex的变化一起变化的情况。
在图4中,主信息载体表面的强磁性薄膜预先被消磁到中性点,将初始磁化定为0。首先,即使直流激励磁场Hex增加、在达到用Hs示出的某个一定值之前,强磁性薄膜1存在的部分的正上方的记录磁场Ha也大致保持为0。在此,Hs是强磁性薄膜1达到磁饱和的值,称为饱和磁场。这样的Ha的情况起因于具有软磁性或半硬磁性的强磁性薄膜1起到作为屏蔽膜的作用。即,因直流激励磁场Hex的施加引起的主信息载体的表面磁通不通过导磁率小的强磁性薄膜1的表面正上方,而是有选择地通过导磁率高的强磁性薄膜1的内部的缘故。另一方面,如果直流激励磁场Hex达到Hs,则强磁性薄膜1达到磁饱和,则在强磁性薄膜1的内部不能流入在其之上的磁通。因此,在直流激励磁场Hex比Hs大的区域中,Ha以直流激励磁场Hex的增加部分而增加。在使直流激励磁场Hex减少的情况下的Ha的变化与使直流激励磁场Hex增加的情况下的Ha的变化是可逆的。
其次,强磁性薄膜1不存在的部分的正上方的记录磁场Hb,随直流激励磁场Hex的增加而迅速地增加。这是因为,由于直流激励磁场Hex的施加,强磁性薄膜1被磁化,从其两端漏泄的磁通急剧地增加。另一方面,如果直流激励磁场Hex达到Hs,则由于因强磁性薄膜1的自发磁化引起的Hb的增加也早已消失,故Hb以直流激励磁场Hex的增加部分而增加。另一方面,在使直流激励磁场Hex减少的情况下的Hb的变化不象Ha那样是可逆的,即使使直流激励磁场Hex返回到0,Hb也不为0。这一点起因于强磁性薄膜1的磁化过程具有磁滞,直流激励磁场Hex返回到0时的Hb的值对应于强磁性薄膜的剩磁Mr的值而变化。
如果将具有这样的磁化过程的特征的本发明的主信息载体表面与磁盘媒体表面密接,并施加适当值(例如,图4中示出的Hc的值)的直流激励磁场Hex,则使强磁性薄膜存在的部分的正上方的记录磁场Ha为0或非常小的值,另一方面,可有选择地只使强磁性薄膜不存在的部分的正上方的记录磁场Hb增加到比磁盘媒体的矫顽力Hc大很多。由此,在强磁性薄膜存在的部分的正上方,不将磁化变化供给到磁盘媒体上,可只在强磁性薄膜不存在的部分的正上方利用记录磁场Hb产生饱和磁化反转,进行与强磁性薄膜的图形排列对应的的信号记录。此时,在使主信息载体表面与磁盘媒体表面密接之前,如果预先利用与Hb极性相反的直流磁场对磁盘媒体在圆周方向上同样地抹去直流磁场,则由于可以互为反极性的方式对强磁性薄膜存在的部分的正上方部分和强磁性薄膜不存在的部分的正上方部分进行饱和记录,故更为理想。
为了使用本发明的主信息载体实现上述那样的记录机构来得到充分的记录性能,强磁性薄膜1具有作为屏蔽膜的功能是必要的。因而,将用于磁盘媒体那样的硬磁性材料作为强磁性薄膜1来使用是不理想的。按照本发明者的研究结果,通过使用具有圆周方向的矫顽力约为40kA/m以下的软磁性或半硬磁性的强磁性薄膜,可实现上述那样的磁记录机构。
在本发明的磁记录方法中,在进行记录时施加的Hex值中,Hb必须比磁盘媒体的矫顽力Hc大。如已叙述的那样,由于记录磁场Hb起因于强磁性薄膜的自发磁化而发生,故强磁性薄膜的饱和磁化Ms比磁盘媒体的矫顽力Hc足够大是必要的。
另外,为了在本发明的磁记录方法中得到良好的磁记录特性,Hex返回到0时的Hb必须比进行信号记录的磁盘媒体的矫顽力Hc大。如已叙述的那样,Hex返回到0时的Hb的值对应于剩磁Mr的值而变化。另一方面,在软磁性薄膜或半硬磁性薄膜中,一般来说,矫顽力的值越大,剩磁Mr的值也变大。因而,换言之,上述的要求事项意味着在强磁性薄膜1中一定值以上的矫顽力是必要的,以便提供超过磁盘媒体的矫顽力Hc的程度的剩磁Mr。
在直流激励磁场Hex返回到0后,通过从磁盘媒体表面取下主信息载体,对磁盘媒体的记录过程结束。在此期间内,在强磁性薄膜1的磁化由于Hex以外的未预期的干扰磁场而发生了变动的情况下,由此,磁盘媒体或是被再记录,或是被局部地减磁,故有信号记录被不适当地结束的情况。另一方面,通过使Hex返回到0时的Hb比磁盘媒体的矫顽力Hc大,由于即使在直流激励磁场Hex返回到0后到从磁盘媒体表面取下主信息载体为止的期间内,也能对磁盘媒体提供稳定的磁化状态,故不会发生上述那样的再记录或局部的减磁,可适当地结束信号记录。
为了如上述那样适当地结束记录过程,通过在构成本发明的主信息载体的强磁性薄膜中提供一定值以上的矫顽力,可使其剩磁Mr成为至少比磁盘媒体的矫顽力Hc大的值。例如,如果进行信号记录的磁盘媒体的矫顽力Hc为200kA/m,则作成强磁性薄膜具有一定值以上的矫顽力、使其剩磁Mr为200kA/m以上的结构即可。但是,为了维持强磁性薄膜作为屏蔽膜的功能,要注意在不超过40kA/m的范围内适当地设定其矫顽力。
将在本发明的磁记录方法中被施加的直流激励磁场Hex定为磁盘媒体的矫顽力Hc以下的值。按照本发明的磁记录方法,本来只在构成主信息载体的强磁性薄膜1的附近施加直流激励磁场Hex即可。但是,在使用永久磁铁或电磁铁等的一般的施加方法中,实际上这样的局部的直流激励磁场的施加是困难的,通常是在包含强磁性薄膜1和磁盘媒体磁性层、进而是淀积了这些膜和层的基体等的宽的范围内同样地进行施加。
此时,由于因强磁性薄膜的图形形状的缘故,其屏蔽效果不一定是充分的,故有即使在强磁性薄膜存在的部分的正上方也局部地对磁盘媒体磁性层施加一定的记录磁场的情况。在这样的情况下,如果使直流激励磁场Hex超过磁盘媒体的矫顽力Hc而变大,则存在下述的担心:即使在强磁性薄膜存在的部分的正上方也局部地使预先被抹去了直流磁场的磁盘媒体磁性层发生减磁或磁化反转。
作为一例,在与磁盘媒体磁性层的层厚相比强磁性薄膜的屏蔽效果不充分的情况下,强磁性薄膜的屏蔽效果难以到达磁盘媒体磁性层的的深层部分(基体一侧)。此时,由于直流激励磁场直接施加到磁盘媒体磁性层的深层部分中,故在强磁性薄膜存在的部分的正上方也不得已地发生局部的减磁或磁化反转。
此外,磁盘媒体通常在基体的两面上具备磁性层并具备在各自的面上能进行信号记录的结构。但是,在使用本发明的磁记录方法在单面一侧进行信号记录的情况下,强磁性薄膜的屏蔽效果难以到达另一面一侧的磁性层。此时,在单面上进行信号记录时,通过预先也将具备适当的信息信号图形的的主信息载体密接到另一方的面上,可对两面的磁性层发挥充分屏蔽效果。但是,根据实施形态例,在进行信号记录的装置的结构方面,也有难以在磁盘媒体的两面上密接主信息载体来进行记录的情况,在不密接主信息载体的一侧的磁性层中,也有不得已引起一定的减磁或磁化反转的情况。
从防止起因于这样的不充分屏蔽效果的局部的减磁或磁化反转的观点来看,必须将直流激励磁场Hex的大小定为不超过磁盘媒体的矫顽力Hc的范围。主信息载体最好具有在该范围的大小的直流激励磁场下能发生足够大的Hb的特性。
作为具有以上那样的优选磁特性的强磁性薄膜用材料,例如,可使用Co膜、Fe膜、Ni-Fe合金膜等。在一实施例中,使用通过溅射法淀积的Co膜,在施加直流激励磁场120kA/m在矫顽力为180kA/m的磁盘媒体上进行记录后,确认了非常良好的记录特性。此时作为强磁性薄膜使用的Co膜的饱和磁化Ms估计约为1400kA/m、剩磁Mr约为1100kA/m,确认了比磁盘媒体的矫顽力大很多。
图5与图4同样地示意性地示出了在本发明的主信息载体的另一实施例中伴随直流激励磁场Hex的施加的主信息载体的磁化过程。
在图5中示出的例中,与图4的例不同,Hs比Hc小。此时,将直流激励磁场Hex定为在Hs以上Hc以下的范围的大小,也可进行在信号品质方面良好的记录,但由于伴随强磁性薄膜的磁饱和的Ha的增加,在强磁性薄膜存在的部分的正上方,在预先进行了直流磁场抹去的磁盘媒体磁性层中存在产生减磁的可能性。或者,即使在Ha小到不产生减磁的情况下,由于因强磁性薄膜的磁饱和在强磁性薄膜存在的部分与不存在的部分的边界处的记录磁场Hb的梯度变小,故被记录在磁盘媒体中的磁化图形中,磁化迁移宽度增加。在哪一种情况下,都留下进一步改善由被记录的磁化图形重放的信号品质的余地。
因而,在具有图5中示出的磁化过程的特征的情况下,不仅将直流激励磁场Hex的大小定为在磁盘媒体的矫顽力Hc以下的值,而且定为比饱和磁场Hs小的值,以使强磁性薄膜不饱和,这是较为理想的。
另一方面,在图6中,作为对于图4、图5中例示的本发明的主信息载体的磁化过程的比较例,与图4、图5同样地示意性地示出了具有与本发明的结构不一致的结构的主信息载体的磁化过程的一例。按照本发明者的研究结果,弄清了具有图6中例示的磁化过程的主信息载体与具有本发明的结构的主信息载体相比,记录性能明显地差,是不理想的。
在图6中示出的结构中,首先,与本发明的主信息载体相比,强磁性薄膜的饱和磁化Ms明显地小。按照图6,即使在施加了与强磁性薄膜的饱和磁场Hs相当的直流激励磁场的情况下,记录磁场Hb也比磁盘媒体的矫顽力Hc小。根据这样的小的记录磁场Hb,难以使预先进行了直流磁场抹去的磁盘媒体磁性层产生磁化反转。
即使在具有图6中示出的磁化过程的特征的主信息载体中,通过施加约为磁盘媒体的矫顽力Hc的直流激励磁场Hex,也能记录与在主信息载体上被准备的形状图形对应的磁化图形。例如,在施加与Hc相等的直流激励磁场Hex的情况下,按照图6,Hb为Hc以上,另一方面,Ha为Hc以下的值。因而,如果使用相同的Hex的值在预先进行了直流磁场抹去的磁盘媒体磁性层上进行记录,则在强磁性薄膜存在的部分与不存在的部分的各自的正上方残留极性互不相同的磁化图形。但是,该记录机构与本发明的记录机构完全不同。
即,由于本发明的记录机构中的记录磁场Hb起因于强磁性薄膜的自发磁化而发生,可得到与磁盘媒体的矫顽力Hc相比足够大的值,故可使磁盘媒体产生饱和磁化反转。与此不同,在图6中示出的结构例的记录磁场Hb中,与其说是强磁性薄膜的自发磁化、还不如说是直流激励磁场Hex的贡献大,Hb与Hc相比,不能足够大。再者,在本发明的记录机构中,通过将Ha定为0,可在不对强磁性薄膜存在的部分的正上方的磁性层提供磁化变化的情况下进行饱和记录,但在图6的结构中,不得已发生一定的Ha,使强磁性薄膜存在的部分的正上方的磁性层发生大的减磁。因而,可明白,在图6的结构中被记录的信号的品质明显地比本发明的机构的被记录的信号的品质差。
此外,如已叙述的那样,在本发明的磁记录方法中,为了得到良好的磁记录特性,Hex返回到0时的Hb必须比信号被记录的磁盘媒体的矫顽力Hc大。与此不同,在图6的结构中,Hex返回到0时的Hb比Hc明显地小。此时,即使假定是强磁性薄膜的饱和磁化Ms比Hc足够大的结构,由于在直流激励磁场Hex返回到0后到从磁盘媒体表面取下主信息载体为止的期间内,也不能继续对磁盘媒体提供稳定的磁化状态,故容易产生再记录或局部的减磁这样的问题,难以进行稳定的信号记录。
那么,如已叙述的那样,本发明的磁记录方法是利用起因于强磁性薄膜的自发磁化的记录磁场Hb使磁记录媒体产生磁化反转的磁记录方法。由于Hb的大小起因于强磁性薄膜的自发磁化,故为了对磁记录媒体实现充分的记录性能,强磁性薄膜的饱和磁化Ms比磁盘媒体的矫顽力Hc越大就越好。按照本发明者的研究,为了利用本发明的磁记录方法得到可进行饱和记录的充分的记录性能,较为理想的是,将强磁性薄膜的饱和磁化Ms定为磁盘记录媒体的矫顽力Hc的3倍以上。例如,如果信号被记录的磁盘媒体的矫顽力Hc为200kA/m,则通过将强磁性材料的饱和磁化Ms定为600kA/m以上,得到能可靠地进行饱和记录的充分的记录性能。
另一方面,不仅强磁性薄膜的饱和磁化Ms要高,而且必须随Hex的增加快速地超过Hc进行磁化。由于利用Hex的施加越是快速地被磁化,就越能用低的Hex进行饱和记录,故可更加完全地防止起因于例如如已叙述的那样的不充分的屏蔽效果的局部的减磁这样的现象。从这样的观点来看,较为理想的是,将在强磁性薄膜中主信息载体的基体圆周方向上的相对导磁率定为100以上。所谓主信息载体的基体圆周方向,是在磁盘媒体上被记录的数字信息信号的位长度方向,而且也与磁道长度方向一致。
强磁性薄膜的磁各向异性控制,在提高主信息载体的记录性能方面也是重要且有效的。如上所述,在强磁性薄膜中,在主信息载体的基体圆周方向、即磁盘媒体的磁道长度方向上的导磁率高时,由于通过Hex的施加而快速地被磁化,故是较为理想的。为此,在强磁性薄膜的膜面内有磁化容易轴这一点,比在膜厚方向(即,垂直于膜面的方向)上有磁化容易轴较为理想。再者,在膜面内,在基体的圆周方向(即,磁盘媒体的磁道长度方向)上有磁化容易轴,在基体的半径方向(即,磁盘的磁道宽度方向)上有磁化困难轴是较为理想的。
为了参考起见,在同样地在磁记录媒体上进行信号记录的元件、即磁头中被使用的强磁性薄膜中,磁各向异性控制与上述相反,大多这样来进行磁各向异性控制,即,磁记录媒体的磁道长度方向为磁化困难轴,磁道宽度方向为磁化容易轴。这是因为,例如如初导磁率那样的在极低磁场区域中的导磁率,与磁化容易轴方向相比,在磁化困难轴方向上较大。即,在对在磁记录媒体上被记录的信号进行重放的过程中,由于磁头检测出的来自磁记录媒体表面的漏泄磁场为A/m数量级以下的小的值,故在磁化困难轴方向上使其工作的做法,其导磁率高,磁头灵敏度也高。
另一方面,在本发明的磁记录方法中,被施加的直流激励磁场Hex在很多情况下是从几十kA/m至100kA/m数量级的较大的值。因而,在该磁场区域中,与磁化困难轴方向相比,在磁化容易轴方向上使其工作的做法,其导磁率大,主信息载体的记录灵敏度也得到提高。这一点是显示出不能在本发明的磁记录方法中利用来自现有的已知技术的类推来弄清强磁性薄膜中所要求的优选磁特性的良好的例子,需要充分注意。
作为通过进行在上述那样的基体面内的磁各向异性控制能得到优选的记录特性的强磁性薄膜用材料,可使用例如Fe-Al-Si、Fe-Ta-C、Fe-Hf-Al-N等的Fe基的多结晶合金膜。在一实施例中,使用了以Fe-Ta-N为主要成分的多结晶膜。
此外,也可使用在主信息载体的基体面内具有各向同性磁特性的软磁性膜作为强磁性薄膜。例如,以Co-Ta-Zr、Co-Nb-Zr等为主要成分的Co基的非晶质膜在基体面内可实现各向同性的良好的高导磁率特性,适合于作为构成本发明的主信息载体的强磁性薄膜用材料。在一实施例中,使用了以Co-Ta-Zr为主要成分的非晶质膜。
以上叙述了本发明的实施形态例,但本发明的结构可应用于各种实施形态。例如,在本说明书中,主要以应用于安装在硬盘驱动器中的磁盘媒体为重点进行了叙述,但本发明不限于此,也可应用于软磁盘,同样可得到本发明的效果。
此外,不限于磁盘,也可应用于对磁带、磁卡等形态不同的磁记录媒体的信息信号记录。此时,构成主信息载体的非磁性基体不是圆盘状的,作成带状、片状等与磁记录媒体的形态对应的形态。同时,将上述的说明中的「圆周方向」改为被记录的信息信号的磁道长度方向,将「半径方向」改为磁道宽度方向,可应用上述的实施形态。根据以上所述,即使在这些磁记录媒体中,也能与磁盘同样地得到本发明的效果。
此外,关于被记录的信息信号,以跟踪用伺服信号或地址信息信号、重放时钟信号等的预格式化信号为重点进行了叙述,但可应用本发明的结构的信息信号也不限于上述信号。例如,在原理上讲,也可使用本发明的结构进行各种数据信号或音频、视频信号的记录。此时,利用本发明的主信息载体和对使用了主信息载体的磁记录媒体的记录技术,可进行软盘媒体的大量复制生产,可廉价地提供。
以上所说明的实施形态,归根结底都是为了弄清本发明的技术的内容,本发明不只是限定于这样的具体例来进行解释,在本发明的精神和权利要求中所记载的范围内,可作各种变更来实施,应对本发明作广义的解释。
Claims (14)
1.一种主信息载体,该主信息载体是利用在非磁性基体的表面上淀积了与在磁记录媒体上进行记录用的信息信号排列对应的形状图形的强磁性薄膜的排列而准备的主信息载体,其特征在于:
在上述信息信号的磁道长度方向上的上述强磁性薄膜的剩磁比上述磁记录媒体的矫顽力大。
2.如权利要求1中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜是在上述信息信号的磁道长度方向上的矫顽力为40KA/m以下的软磁性薄膜或半硬磁性薄膜。
3.如权利要求1中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜的饱和磁化是上述磁记录媒体的矫顽力的3倍以上。
4.如权利要求1中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜在上述信息信号的磁道长度方向上的相对导磁率是100以上。
5.如权利要求1中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜在上述信息信号的磁道长度方向上具有磁化容易轴,在磁道宽度方向上具有磁化困难轴。
6.如权利要求5中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜是Fe基的多结晶膜。
7.如权利要求1中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜在上述膜面内容易磁化,而且在在上述膜面内具有各向同性的磁特性。
8.如权利要求7中所述的主信息载体,其特征在于:
上述强磁性薄膜是Co基的非晶质膜。
9.如权利要求1~8的任一项中所述的主信息载体,其特征在于:
是用来在圆盘状的磁盘媒体上进行记录的主信息载体,上述非磁性基体为圆盘状,上述信息信号的磁道长度方向是上述圆盘状基体的圆周方向。
10.一种磁记录媒体的制造方法,该磁记录媒体的制造方法是具有下述工序的磁记录媒体的制造方法:使利用在非磁性基体的表面上淀积了与信息信号排列对应的形状图形的强磁性薄膜的排列而设置的主信息载体与磁记录媒体表面密接,通过施加对上述强磁性薄膜进行激励用的直流激励磁场,把与上述信息信号排列对应的磁化信息记录到上述磁记录媒体上,其特征在于:
在除去了上述直流激励磁场之后,在上述强磁性薄膜中残留的磁化比上述磁记录媒体的矫顽力大。
11.如权利要求10中所述的磁记录媒体的制造方法,其特征在于:
上述直流激励磁场的大小是上述磁记录媒体的矫顽力以下的值、
12.如权利要求10中所述的磁记录媒体的制造方法,其特征在于:
被施加的直流激励磁场的大小比上述强磁性薄膜的饱和磁场小。
13.如权利要求10中所述的磁记录媒体的制造方法,其特征在于:
在使主信息载体与磁记录媒体表面密接之前,预先在上述信息信号的磁道长度方向上以同样的方式对上述磁记录媒体进行直流磁场抹去。
14.如权利要求13中所述的磁记录媒体的制造方法,其特征在于:
上述磁记录媒体是圆盘状的磁盘媒体,上述信息信号的磁道长度方向是上述磁盘媒体的圆周方向。
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