CN114686237B - 用于含银薄膜的蚀刻组合物 - Google Patents

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Abstract

一种用于含银薄膜的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水。

Description

用于含银薄膜的蚀刻组合物
技术领域
实施例涉及一种蚀刻组合物。更具体地，实施例涉及一种用于含银薄膜的蚀刻组合物、一种用于形成图案的方法和一种用于使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置发射光。有机发光显示装置具有减小的重量和厚度并且具有适用于柔性显示装置的特性。已经增加了有机发光显示装置的使用。
有机发光显示装置的反射电极可以包括银(Ag)。可以通过湿蚀刻来蚀刻含银薄膜。
当含银薄膜被蚀刻组合物蚀刻时，银离子可以溶解在蚀刻组合物中。溶解在蚀刻组合物中的银离子可以吸附到其他金属图案上，从而形成银粒子。在其他工艺中银粒子可能转移到反射电极，从而导致制造工艺中的缺陷或故障。
发明内容
实施例提供了一种用于含银薄膜的蚀刻组合物。
实施例提供了一种用于使用蚀刻组合物形成图案的方法。
实施例提供了一种用于使用蚀刻组合物制造显示装置的方法。
根据实施例，用于含银薄膜的蚀刻组合物可以包括无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水。
在实施例中，磺酸化合物可以包括选自由甲磺酸、乙磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、氨基甲基磺酸和氨基磺酸组成的组中的至少一种。
在实施例中，有机酸化合物可以包括选自由乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、酒石酸、丁酸、甲酸、葡萄糖酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的至少一种。
在实施例中，硝酸盐可以包括选自由硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钙、硝酸镁和硝酸铝组成的组中的至少一种。
在实施例中，金属氧化剂可以包括选自由硝酸铁、硫酸铁、铜和硫酸铜组成的组中的至少一种。
在实施例中，氨基酸化合物可以包括选自由甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、半胱氨酸和甲硫氨酸组成的组中的至少一种。
在实施例中，无机酸化合物可以包括硝酸。
在实施例中，蚀刻组合物可以包括1wt％至13wt％的无机酸化合物、0.1wt％至7wt％的磺酸化合物、30wt％至55wt％的有机酸化合物、1wt％至17wt％的硝酸盐、0.01wt％至0.09wt％的金属氧化剂、0.1wt％至7wt％的氨基酸化合物并且蚀刻组合物的剩余部分可以包括水。
在实施例中，无机酸化合物可以包括硝酸，磺酸化合物可以包括甲磺酸，有机酸化合物可以包括柠檬酸和乙酸，硝酸盐可以包括硝酸钙和硝酸铵，金属氧化剂可以包括硝酸铁，并且氨基酸化合物可以包括甘氨酸。
在实施例中，蚀刻组合物可以不包括硫酸氢铵。
在实施例中，蚀刻组合物可以不包括磷酸。
根据实施例，用于形成图案的方法可以包括形成包括含银薄膜和金属氧化物薄膜的多层。使用第一蚀刻组合物蚀刻金属氧化物薄膜。使用包括无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水的第二蚀刻组合物蚀刻含银薄膜。
在实施例中，第二蚀刻组合物可以包括1wt％至13wt％的无机酸化合物、0.1wt％至7wt％的磺酸化合物、30wt％至55wt％的有机酸化合物、1wt％至17wt％的硝酸盐、0.01wt％至0.09wt％的金属氧化剂、0.1wt％至7wt％的氨基酸化合物并且第二蚀刻组合物的剩余部分可以包括水。
在实施例中，无机酸化合物可以包括硝酸，磺酸化合物可以包括甲磺酸，有机酸化合物可以包括柠檬酸和乙酸，硝酸盐可以包括硝酸钙和硝酸铵，金属氧化剂可以包括硝酸铁，并且氨基酸化合物可以包括甘氨酸。
根据实施例，用于制造显示装置的方法可以包括：在基体基底上在显示区域中形成有源图案；形成包括与有源图案重叠的栅极电极的栅极金属图案；形成包括设置在围绕显示区域的周边区域中的连接焊盘的源极金属图案；在源极金属图案上形成多层，多层包括包含金属氧化物的下层、设置在下层上并包括银或银合金的中间层以及设置在中间层上并包括金属氧化物的上层；通过使用第一蚀刻组合物蚀刻上层；通过使用包括无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水的第二蚀刻组合物蚀刻中间层；以及通过使用第三蚀刻组合物蚀刻下层以在显示区域中形成电极图案并暴露连接焊盘。
在实施例中，源极金属图案可以具有单层结构或多层结构，源极金属图案包括铝。
在实施例中，金属氧化物可以包括选自由氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌组成的组中的至少一种。
在实施例中，第二蚀刻组合物可以包括1wt％至13wt％的无机酸化合物、0.1wt％至7wt％的磺酸化合物、30wt％至55wt％的有机酸化合物、1wt％至17wt％的硝酸盐、0.01wt％至0.09wt％的金属氧化剂、0.1wt％至7wt％的氨基酸化合物并且第二蚀刻组合物的剩余部分可以包括水。
在实施例中，无机酸化合物可以包括硝酸，磺酸化合物可以包括甲磺酸，有机酸化合物可以包括柠檬酸和乙酸，硝酸盐可以包括硝酸钙和硝酸铵，金属氧化剂可以包括硝酸铁，并且氨基酸化合物可以包括甘氨酸。
在实施例中，方法还可以包括将产生驱动信号的驱动芯片连接到连接焊盘。
根据实施例，蚀刻组合物可以相对于金属氧化物诸如氧化铟对含银薄膜具有选择性，并且可以防止包括铝等的其他金属层的损坏，并且可以防止银粒子的还原沉淀。
此外，当蚀刻含银薄膜时，蚀刻组合物可以防止蚀刻残留物的出现并且可以形成具有适当长度的CD偏斜。
此外，可以改善蚀刻组合物的对于累积使用和随时间的稳定性。
因此，可以减少显示装置的制造工艺中的缺陷，并且可以改善显示装置的可靠性。
附图说明
通过参照附图详细描述实施例，对于本领域技术人员特征将变得显而易见。
图1示出根据实施例制造的显示装置的平面图。
图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11示出根据实施例的用于制造显示装置的方法的阶段的截面图；
图12示出根据实施例制造的显示装置的截面图。
具体实施方式
下面将参照示出了一些实施例的附图描述根据实施例的用于含银薄膜的蚀刻组合物、用于形成图案的方法和用于制造显示装置的方法。相同或相似的附图标记可以用于附图中的相同或相似的元件。
用于含银薄膜的蚀刻组合物
根据实施例的蚀刻组合物可以包括无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水。蚀刻组合物可以用于蚀刻包含银(Ag)或银合金的含银薄膜。因此，可以通过划分操作来蚀刻多层结构。
无机酸化合物可以包括硝酸(HNO3)。硝酸可以作为银(Ag)组分的主要氧化剂。另外，硝酸还可以作为用于透明导电层的氧化剂。透明导电层可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铟镓(“IGO”)、氧化铟锡锌(“ITZO”)和氧化铟镓锌(“IGZO”)等。
在实施例中，硝酸的含量可以是大约1.0wt％至大约13.0wt％，合适地是大约5.0wt％至大约11.0wt％。如果硝酸的含量高于13.0wt％，则蚀刻速率太高，并且难以控制蚀刻程度，使得可能过蚀刻目标薄膜。如果硝酸小于1.0wt％，则蚀刻速率会降低，并且因此可能无法进行充分的蚀刻。当硝酸的含量调整在上述的含量范围内时，容易控制使用蚀刻组合物的蚀刻速率，并且可以均匀地蚀刻目标薄膜。
磺酸化合物可以用作对于银组分的蚀刻助剂，可以增加银蚀刻速率，并防止银残留。另外，磺酸化合物可以降低无机酸化合物的分解速率以保持含银薄膜的蚀刻速率恒定。
在实施例中，磺酸化合物的含量可以是大约0.1wt％至大约7.0wt％，合适地是大约2.0wt％至大约6.0wt％。如果磺酸化合物的含量高于7.0wt％，则含银薄膜的蚀刻速率会过度增加，导致侵蚀不良。如果磺酸化合物的含量小于0.1wt％，则无机酸化合物的分解速率会增加，从而损害蚀刻组合物的稳定性，并且会出现银残留。
磺酸化合物的示例包括甲磺酸(CH3SO3H)、乙磺酸(CH3CH2SO3H)、对甲苯磺酸(CH3C6H4SO3H)、苯磺酸(C6H5SO3H)、氨基甲基磺酸(CH5NO3S)和氨基磺酸(H3NSO3)等，并且这些可以单独或组合使用。在实施例中，可能需要在蚀刻组合物中包括甲磺酸。
有机酸化合物可以用作用于含银薄膜的蚀刻剂。有机酸化合物可以用于蚀刻被硝酸氧化的含银薄膜。
在实施例中，有机酸化合物的含量可以是大约30.0wt％至大约55.0wt％，合适地是大约40.0wt％至大约55.0wt％。如果有机酸化合物的含量高于55.0wt％，则含银薄膜的蚀刻速率会过度增加，导致侵蚀不良。如果有机酸化合物的含量小于30.0wt％，则有机酸化合物的分解速率会增加，从而损害蚀刻组合物的稳定性，并且会出现银残留物。如果将有机酸化合物的含量控制在上述含量范围内，则容易控制使用蚀刻组合物的蚀刻速率，并且可以相应地防止银残留和银再吸附。
有机酸化合物的示例可以包括选自包括乙酸(CH3COOH)、柠檬酸(C6H8O7)、乙醇酸(CH2OHCOOH)、丙二酸(C3H4O4)、乳酸(C3H6O3)、酒石酸(C4H6O6)、丁酸(CH3CH2CH2COOH)、甲酸(HCOOH)、葡萄糖酸(C6H12O7)、草酸(C2H2O4)、戊酸(CH3(CH2)3COOH)、磺基苯甲酸(HO3SC6H4COOH)、磺基琥珀酸(C4H6O7S)、磺基邻苯二甲酸(C8H6O7S)、水杨酸(C7H6O3)、磺基水杨酸(C7H6O6S)、苯甲酸(C7H6O2)、甘油酸(C3H6O4)、琥珀酸((CH2)2(CO2H)2)、苹果酸(C4H6O5)、异柠檬酸(C6H8O7)、丙烯酸(C3H4O2)、亚氨基二乙酸(HN(CH2CO2H)2)和乙二胺四乙酸(C10H16N2O8)等的组的至少一种或两种或更多种的物质。合适地，有机酸化合物可以包括选自乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸和酒石酸的一种或两种或更多种物质。
硝酸盐是用于去除银残留的去除剂，并且可以用于去除银残留。与诸如硫酸盐的其他盐类相比，硝酸盐具有高的氧化电位，并且可以相对容易地氧化银和其他金属。由于蚀刻组合物包括硝酸盐，因此可以控制蚀刻速率，并且可以控制含银薄膜的侧蚀刻。
通过将蚀刻划分成三个操作,根据实施例的蚀刻组合物可以用于蚀刻诸如ITO/Ag/ITO的包含银的多层膜。即，在顺序地蚀刻ITO、Ag和ITO的工艺中，蚀刻组合物可以用于蚀刻含银层。在这种情况下，当蚀刻组合物包含硫酸盐时，硫酸盐可以去除银并同时蚀刻ITO。因此，蚀刻组合物可以通过包括硝酸盐而不是具有高氧化电位的硫酸盐来确保对银的高选择性。
在实施例中，硝酸盐的含量可以是大约1.0wt％至大约17.0wt％，合适地是大约5.0wt％至大约15.0wt％。当硝酸盐的含量控制在上述含量范围内时，容易控制使用蚀刻组合物的蚀刻时间，并且可以均匀地蚀刻含银薄膜。
硝酸盐的示例可以包括选自包括硝酸钠(NaNO3)、硝酸钾(KNO3)、硝酸铵(NH4NO3)、硝酸钙(Ca(NO3)2)、硝酸镁(Mg(NO3)2)和硝酸铝(Al(NO3)3)等的组中的至少一种。合适地，硝酸盐可以包括硝酸钙。
金属氧化剂可以增加对于银组分的蚀刻速率。根据实施例，金属氧化剂的含量可以是大约0.01wt％至大约0.09wt％，合适地是大约0.02wt％至大约0.06wt％。当金属氧化剂的含量高于0.09wt％时，含银薄膜的蚀刻速率过度增加，使得CD偏斜可能过度增加，其中CD偏斜是用于蚀刻含银膜的光刻胶图案的端部和含银膜(Ag层)的端部之间的距离。此外，当金属氧化剂的含量低于0.01wt％时，含银薄膜的蚀刻速率过度降低，并且可能产生残留。
金属氧化剂可以是选自包括诸如铁(Fe)和铜(Cu)的金属，以及诸如铁(Fe)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)和锰(Mn)的金属的金属盐的组中的至少一种。在实施例中，金属氧化剂可以包括选自包括硝酸铁(Fe(NO3)3)、硫酸铁(Fe2(SO)3)、铜和硫酸铜(CuSO4)的组中的至少一种。
氨基酸化合物可以用作用于增加可以使用蚀刻组合物处理的含银薄膜的片数的助剂。氨基酸化合物可以在蚀刻含银薄膜之后通过结合溶解在蚀刻溶液中的银离子来抑制银离子的活性。因此，可以最小化蚀刻剂的特性变化，并且因此，可以连续使用蚀刻剂。
在实施例中，氨基酸化合物的含量可以是大约0.1wt％至大约7.0wt％，合适地是大约0.5wt％至大约5.0wt％。当氨基酸化合物的含量控制在上述含量范围内时，可以容易地控制含银薄膜的处理片数，减少侧蚀刻量，并且最小化银的再吸附引起的缺陷。例如，侧蚀刻的变化量可能意味着当蚀刻多个含银薄膜时，侧面被蚀刻的程度的差异。
氨基酸化合物可以包括选自包括甘氨酸(C2H5NO2)、丙氨酸(C3H7NO2)、缬氨酸(C5H11NO2)、亮氨酸(C6H13NO2)、异亮氨酸(C6H13NO2)、丝氨酸(C3H7NO3)、苏氨酸(C4H9NO3)、天冬氨酸(C4H7NO4)、半胱氨酸(C3H7NO2S)和甲硫氨酸(C5H11NO2S)等的组中的至少一种。合适地，氨基酸化合物可以包括甘氨酸和丙氨酸。
水的含量可以对应于蚀刻组合物的除去硝酸、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐化合物、金属氧化剂和氨基酸化合物的含量的剩余部分。水可以是用于半导体工艺的去离子水。合适地，具有1MΩ/cm或更高的电导率的去离子水可以用作水。
适当地，蚀刻组合物基本上不含磷酸(H3PO4)。磷酸可能引起对诸如铝的不被蚀刻的金属的损坏，并可能通过增加银的还原沉淀导致增加工艺缺陷。
另外，磷酸可以蚀刻金属氧化物，诸如氧化铟锡。通过不包括磷酸，蚀刻组合物可以选择性地蚀刻多层结构中的银，该多层结构包括诸如氧化铟锡的金属氧化物。
用于制造显示装置的方法
图1示出根据实施例制造的显示装置100的平面图。图2至图11示出根据实施例的用于制造显示装置的方法的阶段的截面图。图12示出根据实施例制造的显示装置的截面图。
参照图1，显示装置100包括显示区域10和围绕显示区域10的周边区域20。
在周边区域20中，可以设置电连接到外部装置的连接焊盘CP。例如，连接焊盘CP可以连接到提供诸如数据信号或栅极信号等的驱动信号的驱动芯片400。由驱动芯片400提供的驱动信号可以通过连接焊盘CP传送到显示区域10中的像素PX。
在实施例中，显示装置100可以是有机发光显示装置。例如，像素PX的阵列可以设置在显示区域10中，并且每一个像素PX可以包括有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的电路部分。
参照图2，缓冲层120形成在基体基底110上。
例如，基体基底110可以包括玻璃、石英、硅或聚合物等。例如，聚合物可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚酰亚胺或其组合。
缓冲层120可以防止或减少杂质、湿气或外部气体从基体基底110下方渗透，并且可以平坦化基体基底110的上表面。例如，缓冲层120可以包括无机材料诸如氧化物或氮化物等。
有源图案AP形成在显示区域10中在缓冲层120上。
例如，有源图案AP可以包括诸如非晶硅、多晶硅(polycrystalline silicon；polysilicon)或金属氧化物等的半导体材料。在实施例中，有源图案AP可以包括多晶硅。包括多晶硅的有源图案AP的至少一部分可以掺杂有诸如n型杂质或p型杂质的杂质。
参照图3，第一绝缘层130形成在有源图案AP上。例如，第一绝缘层130可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或其组合。第一绝缘层130可以包括绝缘金属氧化物，诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆或氧化钛等。例如，第一绝缘层130可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构。
在第一绝缘层130上形成包括栅极电极GE和连接线CL的栅极金属图案。
例如，栅极金属图案可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
连接线CL可以设置在周边区域20中，并且可以延伸到显示区域10中。
在实施例中，在形成栅极电极GE之后，可以通过离子注入工艺用杂质来掺杂有源图案AP的一部分。
参照图4，形成第二绝缘层140以覆盖栅极金属图案和第一绝缘层130。
例如，第二绝缘层140可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或其组合。此外，第二绝缘层140可以包括绝缘金属氧化物，诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆或氧化钛等。例如，第二绝缘层140可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构。
参照图5，在第二绝缘层140上形成包括源极电极SE、漏极电极DE和连接焊盘CP的源极金属图案。
源极电极SE和漏极电极DE可以分别穿过第一绝缘层130和第二绝缘层140以接触有源图案AP。
连接焊盘CP设置在周边区域20中，并且可以穿过第二绝缘层140以接触连接线CL。
例如，源极金属图案可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。在实施例中，源极金属图案可以包括铝。例如，源极金属图案可以具有钛/铝的双层结构或钛/铝/钛的三层结构。
参照图6，形成第三绝缘层150以覆盖源极电极SE和漏极电极DE。在实施例中，连接焊盘CP未被第三绝缘层150覆盖，使得连接焊盘CP的整个上表面被暴露。第三绝缘层150包括暴露漏极电极DE的至少一部分的开口。
例如，第三绝缘层150可以包括无机绝缘材料、有机绝缘材料或其组合。例如，有机绝缘材料可以包括酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂或苯并环戊烯等。
下电极层211形成在连接焊盘CP和第三绝缘层150上。下电极层211可以包括金属、金属合金、金属氧化物或其组合。
例如，下电极层211可以具有包括金属氧化物层和金属层的多层结构。金属氧化物层可以包括氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡、氧化铟锌或氧化锌锡等。金属层可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金。
在实施例中，下电极层211可以具有包括下层211a、中间层211b和上层211c的多层结构。在实施例中，下层211a和上层211c可以包括氧化铟锡，并且中间层211b可以包括银。
下电极层211可以通过第三绝缘层150的开口接触漏极电极DE。与漏极电极DE重叠的光刻胶图案PR形成在下电极层211上。
参照图6和图7，使用光刻胶图案PR作为掩模蚀刻下电极层211的上层211c以形成上图案212。因此，上图案212形成在光刻胶图案PR下方，并且去除上层211c的剩余部分以暴露中间层211b的上表面。
可以使用第一蚀刻组合物湿蚀刻包括氧化铟锡的上层211c。
在实施例中，第一蚀刻组合物可以包括硝酸、氯化物、铵化合物、环胺化合物和水。
氯化物的示例可以包括氯化钠(NaCl)、氯化钾(KCl)和氯化铵(NH4Cl)等。这些可以各自单独使用或以其组合使用。
铵化合物的示例可以包括乙酸铵(C2H7NO2)、氨基磺酸铵(H6N2O3S)、苯二醇铵、碳酸铵((NH4)2CO3)、磷酸二氢铵((NH4)H2PO4)、甲酸铵(NH4HCO2)、碳酸氢铵(NH4HCO3)、柠檬酸铵(C6H17N3O7)、硝酸铵(NH4NO3)、过硫酸铵((NH4)2S2O8)和硫酸铵((NH4)2SO4)等。这些可以各自单独使用或以其组合使用。
环胺化合物的示例可以包括苯并三唑(C6H5N3)、5-氨基四唑(CH3N5)、3-氨基四唑和5-甲基四唑(C2H4N4)等。这些可以各自单独使用或以其组合使用。
例如，第一蚀刻组合物可以包括3wt％至10wt％的硝酸、0.01wt％至5wt％的氯化物、0.1wt％至5wt％的铵化合物、0.1wt％至5wt％的环胺化合物以及剩余部分的水。
在实施例中，第一蚀刻组合物可以包括硝酸、硫酸、铵化合物、环胺化合物以及水。例如，第一蚀刻组合物可以包括1wt％至10wt％的硝酸、1wt％至10wt％的硫酸、0.1wt％至5wt％的铵化合物、0.1wt％至5wt％的环胺化合物和剩余部分的水。
参照图7和图8，使用光刻胶图案PR作为掩模蚀刻下电极层211的中间层211b以形成中间图案214。因此，中间图案214形成在上图案212和光刻胶图案PR下方，并且中间层211b的剩余部分被去除以暴露下层211a的上表面。
可以使用第二蚀刻组合物湿蚀刻包含银的中间层211b。
在实施例中，第二蚀刻组合物可以具有与先前解释的用于含银薄膜的蚀刻组合物相同的组成。例如，第二蚀刻组合物可以包括无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水。
参照图8和图9，使用光刻胶图案PR作为掩模蚀刻下电极层211的下层211a以形成下图案216。因此，包括下图案216、中间图案214和上图案212的下电极210形成在光刻胶图案PR下方。下图案216接触漏极电极DE。
在实施例中，可以使用第三蚀刻组合物湿蚀刻包括氧化铟锡的下层211a。例如，第三蚀刻组合物可以具有与第一蚀刻组合物基本上相同的组成。
在实施例中，下电极210可以是有机发光二极管的阳极。可以去除下层211a的除下图案216之外的剩余部分以暴露连接焊盘CP。
参照图10，像素限定层160可以形成在第三绝缘层150上。像素限定层160可以包括暴露下电极210的至少一部分的开口。例如，像素限定层160可以包括有机绝缘材料。
在下电极210上形成有机发光层220。例如，有机发光层220可以设置在像素限定层160的开口中。然而，在实施例中，在显示区域10中，有机发光层220可以遍及像素限定层160的上表面延伸，或者可以连续地遍及多个像素延伸。
有机发光层220可以包括至少一个发光层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。例如，有机发光层220可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
在实施例中，有机发光层220可以发射红光、绿光或蓝光。在实施例中，有机发光层220可以发射白光。发射白光的有机发光层220可以具有包括红光发射层、绿光发射层和蓝光发射层的多层结构，或者包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的混合物的单层结构。
上电极230形成在有机发光层220上。在实施例中，上电极230可以在显示区域10中连续地遍及多个像素延伸。
在实施例中，上电极230可以用作阴极。例如，根据显示装置的发射类型，上电极230可以形成为透射电极或反射电极。例如，当上电极230是传输电极时，上电极230可以包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、镁(Mg)或其组合，并且显示装置还可以包括子电极或汇流电极线，该子电极或汇流电极线包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌或氧化锡等。
在实施例中，薄膜封装层300可以形成在上电极230上。薄膜封装层300可以具有无机层和有机层的堆叠结构。
尽管未示出，但是可以在上电极230和薄膜封装层300之间设置覆盖层和阻挡层。
参照图11，连接焊盘CP连接到驱动芯片400。例如，连接焊盘CP通过导电凸块410连接到驱动芯片400。
如前参考图6至图9所述，在蚀刻下电极层211的工艺中，形成在显示装置的周边区域20中的连接焊盘CP可能暴露，而没有覆盖连接焊盘CP的钝化层。因此，当使用包括磷酸的常规蚀刻组合物时，可能由于暴露的连接焊盘CP而产生银粒子。在包括剥离工艺或冲洗工艺等的后续工艺中，银粒子可能被转移到下电极，从而导致显示装置的缺陷。
根据实施例的蚀刻组合物可以相对于金属氧化物诸如氧化铟对含银薄膜具有选择性，并且可以防止包括铝等的其他金属层的损坏，并且可以防止银粒子的还原沉淀。
此外，当蚀刻含银薄膜时，蚀刻组合物可以防止蚀刻残留物并且可以形成具有适当长度的CD偏斜。
此外，可以改善蚀刻组合物的对于累积使用和随时间的稳定性。
因此，可以减少显示装置的制造工艺中的缺陷，并且可以改善显示装置的可靠性。
在实施例中，有机发光二极管的下电极210可以接触漏极电极DE。然而，在实施例中，如图12中所示，有机发光二极管的下电极210可以通过连接电极CE电连接到漏极电极DE。连接电极CE可以穿过第三绝缘层150以接触漏极电极DE。第四绝缘层170可以设置在第三绝缘层150和像素限定层160之间，并且下电极210可以穿过第四绝缘层170以接触连接电极CE。
在实施例中，设置在周边区域20中并且通过导电凸块410电连接到驱动芯片400的连接焊盘CP可以由与漏极电极DE相同的层形成。然而，在实施例中，连接焊盘CP可以由与连接电极CE相同的层形成。
在下文中，将参照实验和示例来解释实施例的效果。
示例和比较例
根据下面的表1和表2制备示例和比较例的蚀刻组合物。在表1中，含量的单位是wt％，蚀刻组合物的剩余部分是水。
表1
A B C1 C2 D1 D2 E F G
示例1 7 5 30 20 10 0 0.03 2 0
示例2 7 5 30 20 15 0 0.03 2 0
示例3 9 5 30 20 10 0 0.03 0.5 0
示例4 7 5 30 20 0 10 0.03 2 0
示例5 7 5 30 20 10 0 0.03 0.5 0
比较例1 7 5 30 20 0 0 0.03 2 10
比较例2 7 5 30 20 0 0 0.03 2 0
比较例3 7 5 30 20 0.5 0 0.03 2 0
比较例4 7 5 30 20 10 0 0.03 0.01 0
比较例5 7 5 30 20 10 0 0.03 15 0
表2
实验1-蚀刻特性的评价
在玻璃基底上形成ITO/Ag的双膜，并在双膜上形成光刻胶图案。
下文在表3中示出用示例1至示例5和比较例1至比较例5的蚀刻组合物蚀刻Ag层(含银薄膜层)的结果。
表3
参照表3，在大约40摄氏度的两种条件下进行实验。在实施例中，当第一次使用蚀刻组合物时，银不溶解在蚀刻组合物中。因此，使用不溶解银的新蚀刻溶液(Ag，0ppm)进行实验。
在实施例中，蚀刻组合物可以在蚀刻设备中重复使用。因此，被蚀刻组合物蚀刻的银可以溶解在蚀刻组合物中。因此，甚至使用溶解有银的旧蚀刻溶液(Ag，2000ppm)进行实验。
在使用示例1至示例5的蚀刻组合物的情况下，CD偏斜(光刻胶图案的端部和Ag层的端部之间的距离)被评价为对于新蚀刻溶液和旧蚀刻溶液都大或更高。详细地，对于示例1、示例2和示例5，CD偏斜被评价为优异，并且对于示例3和示例4，CD偏斜评价为很好。优异的CD偏斜意味着所测量的CD偏斜小于0.2微米。很好的CD偏斜意味着所测量的CD偏斜大于0.2微米并且小于0.4微米。
对于新蚀刻剂和旧蚀刻剂，银残留和银再吸附的测量结果确定为良好。当银残留的结果测量为良好时，意味着没有产生银残留。另外，银再吸附的结果确定为良好的事实意味着在玻璃基底上再吸附的银粒子数少于5个。
CD偏斜变化是指当使用新蚀刻剂和旧蚀刻剂时CD偏斜之间的差异。对于示例1至示例5，CD偏斜的所有变化都被评价为很好。CD偏斜的很好的变化意味着差异大于0.05微米且小于0.1微米。
然而，在不含硝酸钙和硝酸铵的含有硫酸氢铵的比较例1中，发生了银再吸附。另外，在不含硝酸钙和硝酸铵的比较例2中，产生银残留，并且CD偏斜评价为不良。不良的CD偏斜意味着CD偏斜为0.6微米或更大。
另外，在仅含有少量(例如，0.5wt％)硝酸钙的比较例3中，产生了银残留，并且CD偏斜评价为良好。良好的CD偏斜意味着CD偏斜大于0.4微米且小于0.6微米。
另外，在含有较少甘氨酸的比较例4中，对于旧蚀刻剂，CD偏斜被评价为良好。
在含有过量甘氨酸的比较例5中，银残留被评价为不良。当上述银残留是不良时，这意味着发生了银残留。上述银残留的发生意味着在未被光致抗蚀剂覆盖的一部分中，银未被蚀刻而残留。
对于示例1至示例5和比较例2至比较例5，ITO E/R(ITO蚀刻速率)均被评价为良好。良好的ITO E/R意味着设置在含银薄膜下方的ITO以0.3埃/秒或更小的速率被蚀刻。然而，在比较例1的情况下，由于蚀刻液含有硫酸氢铵，因此ITO E/R评价为不良。不良的ITOE/R意味着设置在含银薄膜下方的ITO以0.4埃/秒或更高的速率被蚀刻。
由于在蚀刻含银薄膜期间仅在有限时间内提供蚀刻组合物，因此在示例1至示例5的情况下，可以在最小化ITO的蚀刻的同时蚀刻含银薄膜。由此，实施例可以通过划分蚀刻操作来蚀刻含银薄膜和ITO。
实施例可以用于蚀刻含银薄膜或包括含银薄膜的多层。例如，实施例可以用于形成布线或电极，或用于制造包括布线或电极的各种电子装置。
前述是对实施例的说明并且不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和方面的情况下，在实施例中可以进行许多修改。因此，所有这些修改都旨在包括在本发明构思的范围内。因此，应当理解，前述是对各种实施例的说明，并且不应被解释为限于所公开的具体实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在包括在如权利范围及其等效物所阐述的本发明构思的范围内。

Claims (8)

1.一种用于含银薄膜的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物包括：
1wt％至13wt％的无机酸化合物、0.1wt％至7wt％的磺酸化合物、30wt％至55wt％的除了所述磺酸化合物之外的其它有机酸化合物、1wt％至17wt％的硝酸盐、0.01wt％至0.09wt％的金属氧化剂、0.1wt％至7wt％的氨基酸化合物以及作为所述蚀刻组合物的剩余部分的水，
其中，所述硝酸盐包括硝酸钙。
2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述磺酸化合物包括选自由甲磺酸、乙磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、氨基甲基磺酸和氨基磺酸组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述有机酸化合物包括选自由乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、酒石酸、丁酸、甲酸、葡萄糖酸、草酸、戊酸、水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述金属氧化剂包括选自由硝酸铁、硫酸铁和硫酸铜组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述氨基酸化合物包括选自由甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、半胱氨酸和甲硫氨酸组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述无机酸化合物包括硝酸。
7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中：
所述无机酸化合物包括硝酸，
所述磺酸化合物包括甲磺酸，
所述有机酸化合物包括柠檬酸和乙酸，
所述金属氧化剂包括硝酸铁，并且
所述氨基酸化合物包括甘氨酸。
8.根据权利要求7所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物不包括硫酸氢铵和磷酸。
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