CN108018558B - 蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

Description

蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种蚀刻液组合物、使用该组合物的布线图案形成方法以及有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
有机发光显示装置(organic light emitting display device)是利用发射光的有机发光元件(organic light emitting diode)显示图像的自发光型显示装置。有机发光显示装置具有低耗电、高亮度以及高响应速度等特性，因此目前作为显示装置而备受瞩目。
有机发光显示装置可以根据发光方向可以分类为顶部发光型(Topemissiontype)与底部发光型(Bottom emission type)。其中，顶部发光型有机发光显示装置包括用于将产生于有机发光层的光发射到外部的反射电极。反射电极可以通过包括反射层的导电膜的蚀刻而制造。并且，在这种导电膜的蚀刻中使用蚀刻液组合物。
发明内容
本发明的一实施例的目的在于提供一种如下的蚀刻液组合物，其可用于蚀刻由包括金属的第一导电膜与包括透明导电氧化物的第二导电膜组成的多重膜。本发明的一实施例的目的尤其是在于提供一种如下的蚀刻液组合物，其可用于蚀刻由包括铝的第一导电膜与包括铟的第二导电膜组成的多重膜。
本发明的另一实施例的目的在于提供一种使用这种蚀刻液组合物的导电图案形成方法。
本发明的又一实施例的目的在于提供一种使用这种蚀刻液组合物的包括电极形成步骤的有机发光显示装置的制造方法。
本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
所述蚀刻液组合物不包括醋酸(CH3COOH)。
所述氯化物在水中电离而形成氯离子(Cl-)。
所述氯化物包括选自氯化氢(HCl)、氯化钠(NaCl)、氯化铵(NH4Cl)、氯化钾(KCl)、氯化锂(LiCl)、氯化锌(ZnCl2)、氯化镁(MgCl2)和氯化铁(FeCl3)中的至少一个。
所述磺酸化合物包括环形磺酸化合物和碳化氢系磺酸化合物中的至少一种。
所述磺酸化合物包括甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸铵和氨基磺酸中的至少一个。
所述蚀刻液组合物用于多重膜的蚀刻，该多重膜包括：第一导电膜，包括金属；以及第二导电膜，包括透明导电氧化物。
所述第一导电膜包括铝。
所述透明导电氧化物包括铟(In)。
本发明的另一实施例提供一种导电图案的形成方法，其包括：在基板上形成包括金属的第一导电膜以及包括透明导电氧化物的第二导电膜的步骤；以及利用蚀刻液组合物蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜的步骤，其中，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
所述蚀刻液组合物不包括醋酸。
所述第一导电膜包括铝。
所述第一导电膜包括铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)。
所述透明导电氧化物包括铟(In)。
所述透明导电氧化物包括铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)和铟氧化物(In2O3：Indium Oxide)中的至少一种。
本发明的又一实施例提供一种有机发光显示装置的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成包括金属的第一导电膜以及包括透明导电氧化物的第二导电膜；利用蚀刻液组合物蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜，从而形成第一电极；在所述第一电极上形成有机发光层；在所述有机发光层上形成第二电极，相对于总重量，所述蚀刻液组合物包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物对于具有包括铝的第一导电膜与包括铟的第二导电膜的多重膜具有优秀的蚀刻特性。
附图说明
图la至图le是关于根据本发明的另一实施例的导电图案形成方法的剖面图。
图2是利用根据试验例的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜的扫描电子显微镜的照片。
图3是利用根据比较例的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜的扫描电子显微镜的照片。
图4a以及4b是关于导电膜的临界尺寸(Critical Dimension，CD)倾斜(skew)变化的图形。
图5是根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置的平面图。
图6是沿着图5的I-I＇的剖面图。
图7a至7e是对根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置的制造工序的剖面图。
符号说明
101：有机发光显示装置 110、111：基板
120：缓冲层 130：布线部
210：有机发光元件 211：第一电极
113、201a：第一导电膜 114、201b：第二导电膜
212：有机发光层 213：第二电极
具体实施方式
本发明能够进行多种变形，可以以多种方式实施，因此仅重点举例说明特定的实施例。然而，本发明的范围并不仅限于这些特定的实施例。应该理解到，本发明的思想以及技术范围所包含的所有变更、等同物或者替代物都应包括在本发明的范围。
在附图中，各构成要素及其形状等有时会简化示出或者夸张示出，有时也会不显示实际产品中的构成要素而省略。因此，附图应该被解释为用于帮助理解本发明。并且，具有相同功能的构成要素用相同符号表示。
记载为某一层或者某一个构成要素位于其他层或者构成要素之“上”是指不仅包括某一层或者某一个构成要素直接与另一层或者构成要素接触而配置的情况，还包括在它们之间夹设有第三层的情况。
在本说明书中记载为某一部分连接于另一部分时，不仅包括直接连接的情况，还包括在其中间配置另一构成要素而电连接的情况。另外，某一部分包括某一构成要素是指，在没有特别相反的记载的情况下，并不排除另一构成要素而意味着还可以包括其他构成要素。
在本说明书中，第一、第二、第三等术语可用于说明各种构成要素，但这样的构成要素并不限定于所述术语。所述术语的使用目的在于区分一个构成要素与另一个构成要素。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二或者第三构成要素等，同样，第二或者第三构成要素也可以被交互地命名。
为了明确地说明本发明，在附图中省略了与说明无关的部分，在整个说明书中，对于相同或者类似的构成要素使用了相同的附图符号。
本发明的一实施例提供一种包括磷酸、硝酸、氯化物、磺酸化合物和水，但不包括醋酸的蚀刻液组合物。
根据本发明的蚀刻液组合物可使用于多重膜的蚀刻，该多重膜包括：第一导电膜，包括金属；以及第二导电膜，包括透明导电氧化物。根据本发明的蚀刻液组合物，尤其可用于蚀刻具有包括铝的第一导电膜以及包括铟(In)的第二导电膜的多重膜。
在这里，第一导电膜可以包括铝。更加具体地说，第一导电膜可以包括铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)。例如，第一导电膜可以由Al96-xNi6Lax组成，其中，4≤x≤7。这种第一导电膜可用作反射膜。
第二导电膜包括透明导电氧化物。并且，透明导电氧化物包括铟(In)。即，第二导电膜可由包括铟(In)的透明导电氧化物组成。作为包括铟(In)的透明导电氧化物的例，有铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)、铟氧化物(In2O3：Indium Oxide)等。
顶部发光型(Top Emission Type)有机发光显示装置包括用于将从有机发光层产生的光发射到外部的反射电极。为了形成反射电极，以往使用了反射率非常高的银(Ag，silver)。包括银(Ag)的反射电极，例如，具有ITO层/Ag层/ITO层的层叠结构。但是，银(Ag)为高价，且对蚀刻液的蚀刻速度较快，因此存在使蚀刻工序的稳定性下降的问题。
据此，根据本发明的一实施例，提供一种在反射电极使用铝(Al)来替代银(Ag)，且能够应用于包括铝的反射电极的形成的蚀刻液组合物。
即，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可用于形成包括铝的反射电极。更加具体地说，根据本发明一实施例的蚀刻液组合物可使用于蚀刻具有包括铝或铝合金的第一导电膜以及包括铟(In)的第二导电膜的多重膜。以下，将包括铝或者铝合金的第一导电膜称为铝膜或者铝合金膜。并且，将包括铟的第二导电膜还称为铟氧化膜。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
磷酸(H3PO4)对铝膜或者铝合金膜的蚀刻能力优秀。即，磷酸(H3PO4)对第一导电膜的蚀刻能力优秀。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物，相对于总重量包括50至70重量％的磷酸(H3PO4)。当磷酸的含量不足50重量％时，铝膜或者铝合金膜的蚀刻速度降低，当磷酸的含量超过70重量％时，粘度上升而发生蚀刻液喷射的困难。
硝酸(HNO3)发挥在铝膜或者铝合金膜形成氧化膜的功能。即，硝酸(HNO3)可以发挥氧化剂的作用。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物相对于总重量包括0.5至5重量％的硝酸(HNO3)。
当硝酸的含量不足0.5重量％时，对铝膜或者铝合金膜的蚀刻速度降低，且在包括铟的第二导电膜，即铟氧化膜可能会产生尖端(Tip)。在铟氧化膜的末端，铟氧化膜向铝膜或者铝合金膜侧蚀刻而可能会产生尖端(Tip)。
当硝酸的含量超过5重量％时，铝膜或者铝合金膜的蚀刻速度过快而在包括铟的第二导电膜可能会产生尖端(Tip)，且硝酸与氯化物起反应而可能会使蚀刻液组合物的保管稳定性下降。
氯化物(Chloride)是在水(H2O)中电离而能够生成氯离子(Cl-)的化合物，对包括铟的第二导电膜发挥氧化剂的作用。其中，水(H2O)是溶剂。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物，相对于总重量包括0.1至1重量％的氯化物。当氯化物的含量不足0.1重量％时，包括铟的第二导电膜的蚀刻速度下降而在第二导电膜可能会产生尖端(Tip)。当氯化物的含量超过1重量％时，铝膜或者铝合金膜的蚀刻速度过快而在第二导电膜可能会产生尖端(Tip)且保管稳定性可能会下降。
氯化物可以包括HCl、NaCl、NH4Cl、KCl、LiCl、ZnCl2、MgCl2和FeCl3中的至少一个。但是，氯化物的种类并不限定于此，只要是在水(H2O)中电离而能够产生氯离子(Cl-)的物质，均可以作为根据本发明的一实施例的氯化物使用。
磺酸化合物(Sulfonic acid)作为辅助氧化剂而发挥作用。磺酸化合物发挥提高包括铟的第二导电膜的蚀刻率的作用，并且发挥防止被溶解的第二导电膜成分的溶出的作用。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物，相对于总重量包括0.5至5重量％的磺酸化合物。当磺酸化合物的含量不足0.5重量％时，蚀刻后在包括铟的第二导电膜可能会产生残膜，当磺酸化合物的含量超过5重量％时，蚀刻速度变快而可能会产生尖端(Tip)。
磺酸化合物的种类并不受特殊限定。作为磺酸化合物可以使用环形磺酸化合物和碳化氢系磺酸化合物等。更加具体地说，磺酸化合物可以包括甲基磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸铵和氨基磺酸中的至少一个。
水(DI Water)用作溶剂。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物，相对于总重量包括20至40重量％的水。
水的含量与各成分的反应稳定性相关。例如，硝酸与氯化物能够彼此反应而生成氮气或者氯气。此时，如果水的含量相对于蚀刻液组合物的总重量不足20重量％，则蚀刻特性由于氮气或者氯气而降低，如果水的含量超过40重量％，则它们的反应性降低，虽然能够保障蚀刻液组合物的稳定性，但蚀刻对象物的经时变化加快而难以维持恒定的蚀刻量。
当蚀刻液组合物包括醋酸时，包括铟的第二导电膜的蚀刻速度降低而可能会产生尖端(Tip)。与此相反，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物与以往的铝蚀刻液不同地，不包括醋酸(CH3COOH)。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物使用磷酸与硝酸蚀刻铝膜或者铝合金膜，并使用氯化物蚀刻包括铟的第二导电膜。并且，水的含量被调整为20至40重量％，从而硝酸与氯化物的稳定性得到提高，由于磺酸化合物，包括铟的第二导电膜的蚀刻速度加快、溶解度得到提高。
使用根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物的情况相较于使用以往的银(Ag)蚀刻液(Etchant)的情况，其工序稳定性得到提高且每个工序的蚀刻处理数量增加，从而可以减少蚀刻工序的成本。并且，根据本发明的一实施例，在反射电极使用低价的铝(Al)来替代高价的银(Ag)，从而减少有机发光显示装置的制造成本。
以下，参照图la至图le，说明根据本发明的另一实施例的导电图案形成方法。
图la至图le是对根据本发明的另一实施例的导电图案形成方法的剖面图。
参照图la，首先，在基板111上形成有层间绝缘膜112。
基板111可以由玻璃或者塑料等制成。
层间绝缘膜112可以省略。在基板111上可以替代层间绝缘膜112而配置布线部，也可以配置缓冲层。
参照图1b，在基板111上形成有包括金属的第一导电膜113和包括透明导电氧化物的第二导电膜114。
第一导电膜113包括铝。即，第一导电膜113可以由铝或者铝合金组成。
更加具体地说，第一导电膜113可以包括铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)。第一导电膜113例如可以由Al96-xNi6Lax制成，其中，4≤x≤7。这种第一导电膜113能够发挥反射膜的功能。
第二导电膜114包括铟(In)。第二导电膜114可由包括铟(In)的透明导电氧化物形成。其中，透明导电氧化物可以包括铟锡氧化物(ITO：Indium TinOxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)和铟氧化物(In2O3：Indium Oxide)中的至少一种。
第一导电膜113和第二导电膜114，例如可以通过化学气相沉积(CVD)工序、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)工序、溅镀(sputtering)工序或者物理气相沉积(Physical Layer Deposition，PVD)工序形成。
参照图lc，在第二导电膜114上配置有使第二导电膜114的上表面部分暴露的掩膜图案310。
掩膜图案310，例如，可以通过在第二导电膜114上涂布光刻胶物质后使光刻胶物质曝光以及显影而形成。与此相反，掩膜图案310也可以由硅或者碳系的旋涂硬掩膜(Spin-On Hardmask，SOH)物质形成。
参照图ld，使用掩膜图案310蚀刻第二导电膜114和第一导电膜113，从而形成包括第二导电膜图案114p和第一导电膜图案113p的导电图案115。导电图案115可以是布线，也可以是电极，也可以是导电焊盘。但是，导电图案115的种类不限于此。
第一导电膜图案113p和第二导电膜图案114p可以通过对第一导电膜113与第二导电膜114的湿法蚀刻工序而制成。使用根据本发明的另一实施例的蚀刻液组合物的蚀刻工序是湿法蚀刻工序。
如已经说明，蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。并且，蚀刻液组合物不包括醋酸。
以下，为了避免重复说明，省略对蚀刻液组合物的详细说明。
参照图le，去除掩膜图案310而完成导电图案115。这样，根据本发明的另一实施例的导电图案115具有由两层组成的多重膜结构。但是，本发明的另一实施例并不限定于此，导电图案115也可以具有由三层以上组成的多重膜结构。
<试验例1至8以及比较例1至11>
以下，根据表1的含量制造蚀刻液组合物并对蚀刻性能进行了比较。试验例1至8是根据本发明的一实施例而制造的蚀刻液组合物。比较例1至11是为了比较而制造的蚀刻液组合物。在比较例1至11的各成分中至少一种的含量超出根据本发明的一实施例的含量范围。在表1中，各成分的含量用重量％表示。
【表1】
Figure BDA0001451700850000081
Figure BDA0001451700850000091
在有机基板上，作为第一导电膜形成
Figure BDA0001451700850000092
厚度的铝合金膜。铝合金膜由Al96- xNi6Lax组成，其中，x＝5。然后，在第一导电膜上，作为包括铟的第二导电膜形成
Figure BDA0001451700850000093
厚度的ITO膜。以下，将第一导电膜称为铝合金膜，将第二导电膜称为ITO膜。
对如此形成的具有双重膜结构的导电膜(以下，称为“导电膜”)进行蚀刻，从而评价了蚀刻特性。在通过蚀刻形成图案后，用端点检测(End PointDetection，EPD)基准进行蚀刻，直至作为第一导电膜的铝合金膜被过蚀刻50％。对在作为第二导电膜的ITO膜是否产生尖端(tip)(表2的Tip)、12小时蚀刻量维持水平(表2的蚀刻量维持水平)、常温保管4周后的蚀刻特性变化(表2的保管稳定性)进行了评价。为了评价而使用了用电子扫描显微镜拍摄的侧剖面照片。另外，测量了铟残渣(表2的铟残渣)。
其结果公开于下表2。在表2中，判定良好的基准如下。
尖端(Tip)：不产生尖端(Tip)为良好(O)，产生尖端(Tip)为不良(X)。
蚀刻量维持水平：临界尺寸(Critical Dimension，CD)倾斜(skew)的变化为0.1μm以下为良好(O)，超过0.1μm不足0.2μm为一般(Δ)，0.2μm以上为不良(X)。
保管稳定性：保管4周后，临界尺寸(Critical Dimension，CD)倾斜(skew)的变化为0.1μm以下为良好(O)，超过0.1μm不足0.15μm为一般(Δ)，0.15μm以上为不良(X)。
铟残渣：无残渣为良好(O)，有残渣为不良(X)。
【表2】
Figure BDA0001451700850000094
Figure BDA0001451700850000101
参照表2，对于根据本发明的一实施例的试验例1至8而言，不产生尖端(Tip)且没有产生铟残渣，且蚀刻量维持水平以及保管稳定性优秀。
对于比较例1至11而言，在尖端(Tip)的产生、蚀刻量维持水平、保管稳定性以及铟残渣项目中的至少一项中出现不良。例如，比较例11相对于试验例4而包括5重量％的醋酸。根据比较例11，ITO的蚀刻速度变慢而产生尖端(Tip)。
图2是利用根据试验例的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜的扫描电子显微镜的照片，图3是利用根据比较例的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜的扫描电子显微镜的照片。
具体地说，图2示出利用根据试验例1至8的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜。参照图2，利用根据试验例1至8的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜在尖端(Tip)的产生、蚀刻量维持水平、保管稳定性、铟残渣的项目中具有良好水平的蚀刻特性。
图3示出利用根据比较例1至11的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜。参照图3，利用根据比较例1至11的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜在尖端(Tip)的产生、蚀刻量维持水平、保管稳定性和铟残渣项目中的至少一项具有不良的特性。
图4a以及4b是关于临界尺寸(Critical Dimension，CD)倾斜(skew)变化的图形。
具体地说，图4a是将利用根据试验例1至8的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜的蚀刻量维持水平用临界尺寸(Critical Dimension，CD)倾斜(skew)变化(CD变化)表示的图表，图4b是将利用根据比较例1至11的蚀刻液组合物蚀刻的导电膜的蚀刻量维持水平用临界尺寸(Critical Dimension，CD)倾斜(skew)变化(CD变化)表示的图表。
本发明的又一实施例提供一种有机发光显示装置101。
图5是根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置101的平面图，图6是沿着图5的I-I＇切割的剖面图。
参照图5以及图6，根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置101包括基板110、布线部130和有机发光元件(organic light emitting diode，OLED)210。
基板110可以用选自由玻璃、石英、陶瓷和塑料等组成的组的绝缘材料制成。但是，本发明的又一实施例并不限定于此，基板110也可以由不锈钢等金属材料制成。
在基板110上配置有缓冲层120。缓冲层120可以包括选自多种无机膜和有机膜中的一种以上的膜。缓冲层120防止如杂质元素或者水分等不必要的成分渗透到布线部130或者有机发光元件210，同时发挥平整表面的作用。但是，缓冲层120并不是必要的，也可以省略。
布线部130配置于缓冲层120上。布线部130为包括开关型薄膜晶体管(Switchingthin film transistor)10、驱动型薄膜晶体管20和蓄电元件80的部分，用于驱动有机发光元件210。有机发光元件210根据从布线部130接收的驱动信号发出光而显示图像。
在图5及6示出在一个像素具备两个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)10、20与一个蓄电元件(capacitor)80的2Tr-1Cap结构的有源矩阵(active matrix，AM)型有机发光显示装置101。但是，本发明的又一实施例并不限于这种结构，而可以具有多种结构，例如，有机发光显示装置101可以在一个像素中包括三个以上的薄膜晶体管和两个以上的蓄电元件且，还可以包括其他布线。其中，像素指显示图像的最小单位，有机发光显示装置101通过多个像素显示图像。
每个像素分别具备开关型薄膜晶体管10、驱动型薄膜晶体管20、蓄电元件80和有机发光元件210。并且，并且布线部130还包括沿着一个方向配置的栅极线151、与栅极线151绝缘交叉的数据线171和共用电源线172。一个像素可以以栅极线151、数据线171和共用电源线172为边界而进行限定，但不一定限于此。像素也可以通过像素定义膜190而被限定。
蓄电元件80包括夹着层间绝缘膜145而配置的一对蓄电板158、178。其中，层间绝缘膜145即为电介质。通过蓄电元件80中蓄电的电荷与两个蓄电板158、178之间的电压来确定电容。
开关型薄膜晶体管10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174。驱动型薄膜晶体管20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。半导体层131、132与栅电极152、155通过栅绝缘膜140而被绝缘。
开关型薄膜晶体管10作为选择要发光的像素的开关元件而被使用。开关栅电极152连接于栅极线151。开关源电极173连接于数据线171。开关漏电极174从开关源电极173相隔配置并连接于某一蓄电板158。
驱动型薄膜晶体管20将用于使所选择的像素内的有机发光元件210的有机发光层212发光的驱动电源施加到第一电极211。驱动栅电极155连接于与开关漏电极174连接的蓄电板158。驱动源电极176和另一蓄电板178分别连接于共用电源线172。驱动漏电极177通过接触孔(contact hole)连接于有机发光元件210的像素电极即第一电极211。
开关型薄膜晶体管10借助施加到栅极线151的栅电压启动而发挥将施加到数据线171的数据电压而传输至驱动型薄膜晶体管20的作用。相当于从共用电源线172施加到驱动型薄膜晶体管20的常用电压与从开关型薄膜晶体管10传输的数据电压的差的电压存储到蓄电元件80，与存储到蓄电元件80的电压相对应的电流通过驱动型薄膜晶体管20流入有机发光元件210，从而有机发光元件210发光。
平坦化膜146配置于层间绝缘膜145上。平坦化膜146由绝缘材料制成，并保护布线部130。
在平坦化膜146上配置有有机发光元件210。该有机发光元件210包括第一电极211、配置于第一电极211上的有机发光层212以及配置于有机发光层212上的第二电极213。从第一电极211和第二电极213分别向有机发光层212内部注入空穴与电子。如此注入的空穴与电子结合而形成的激子(exiton)从激发态降为基态时发光。
在本发明的又一实施例中，第一电极211是注入空穴的阳极(anode)，第二电极213是注入电子的阴极(cathode)。
根据本发明的又一实施例，第一电极211包括反射膜211a，第二电极213由半透膜构成。因此，在有机发光层212产生的光透过第二电极213而发射。即，根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置101具有顶部发光型(top emission type)的结构。
第一电极211具有层叠反射膜211a和透光性导电膜211b的结构。反射膜211a包括铝(Al)或者铝合金。
透光性导电膜211b可以由透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)制成。作为透明导电氧化物(TCO)的例，有铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)和铟氧化物(In2O3：Indium Oxide)等。这种透光性导电膜211b具有较高的功函数(work function)，从而使通过第一电极211的空穴注入顺利。
像素定义膜190发挥将多个第一电极211彼此区分的作用。参照图7c，像素定义膜190具有开口部195。像素定义膜190的开口部195暴露第一电极211的一部分。在通过开口部195暴露的第一电极211上依次层叠有机发光层212和第二电极213。
有机发光层212配置于第一电极211上。有机发光层212可以由单分子或者高分子有机物制成。
第二电极213配置于有机发光层212上。参照图6，第二电极213不仅配置于有机发光层212，还配置于像素定义膜190上。
第二电极213由包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铜(Cu)和铝(Al)中的一个以上金属的半透膜制成。通常，半透膜可以具有小于200nm的厚度。半透膜的厚度越薄，光的透射率越高，厚度越厚，光的透射率越低。
虽未图示，但有机发光显示装置101还可以包括配置于第一电极211与有机发光层212之间的空穴注入层(hole injection layer，HIL)和空穴传输层(hole transportinglayer，HTL)中的至少一个。并且，有机发光显示装置101还可以包括配置于有机发光层212与第二电极213之间的电子传输层(electron transport layer，ETL)和电子注入层(electron injection layer，EIL)中的至少一个。
并且，有机发光显示装置101还可以包括配置于有机发光元件210上的覆盖层(capping layer)。覆盖层在保护有机发光元件210的同时发挥助使在有机发光层212产生的光有效地发射至外部的作用。
为了保护有机发光元件210，在有机发光元件210上可以配置薄膜封装层(Encapsulation Layer)或者封装基板。
以下，参照图7a至7e，说明根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置101的制造方法。
图7a至7e是关于根据本发明的又一实施例的有机发光显示装置101的制造工序的剖面图。
参照图7a，在基板110上形成有包括金属的第一导电膜201a和包括透明导电氧化物的第二导电膜201b。
更加具体地说，在基板110上形成缓冲层120和布线部130，在其上方依次形成第一导电膜201a与第二导电膜201b。第一导电膜201a连接于配置于布线部130的驱动型薄膜晶体管20。
参照图7b，利用蚀刻液组合物蚀刻第一导电膜201a和第二导电膜201b而形成第一电极211。
具体地说，蚀刻第一导电膜201a而形成反射膜211a，蚀刻第二导电膜201b而形成透光性导电膜211b。如上所述，第一电极211包括反射膜211a和透光性导电膜211b，并且连接于配置于布线部130的驱动型薄膜晶体管20。
作为蚀刻液组合物使用根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物。蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
参照图7c，在基板110上形成有像素定义膜190。
像素定义膜190发挥将多个第一电极211彼此区分的作用。像素定义膜190具有开口部195。像素定义膜190的开口部195暴露第一电极211的一部分。
参照图7d，在第一电极211上形成有有机发光层212。有机发光层212与第一电极211重叠。有机发光层212可以通过有机发光物质的沉积而制成。即，可以通过主体和发光性掺杂物质的沉积而制造有机发光层212。
参照图7e，在有机发光层212上形成有第二电极213。据此，制造出有机发光元件210。
第二电极213可以由半透膜制成，并且可以具有10至20nm的厚度。
以上，以附图以及实施例为中心说明了本发明。以上说明的附图与实施例仅仅是示意性的，本发明所属技术领域的一般技术人员能够由此进行多种变形以及等同的其它实施例。因此，本发明的保护范围应通过权利要求书的技术思想而进行限定。

Claims (9)

1.一种有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成包括金属的第一导电膜以及包括透明导电氧化物的第二导电膜，所述透明导电氧化物包括铟；
利用蚀刻液组合物蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜，从而形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成第二电极，
相对于总重量，所述蚀刻液组合物包括：
磷酸，50至70重量％；
硝酸，0.5至5重量％；
氯化物，0.1至1重量％；
磺酸化合物，0.5至5重量％；以及
水，20至40重量％。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第一导电膜包括铝。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第一导电膜包括铝、镍和镧。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述透明导电氧化物包括铟锡氧化物、铟锌氧化物和铟氧化物中的至少一种。
5.一种蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物用于蚀刻包括金属的第一导电膜和包括透明导电氧化物的第二导电膜，所述透明导电氧化物包括铟，
其中，相对于总重量，包括：
磷酸，50至70重量％；
硝酸，0.5至5重量％；
氯化物，0.1至1重量％；
磺酸化合物，0.5至5重量％；以及
水，20至40重量％。
6.根据权利要求5所述的蚀刻液组合物，其特征在于，不包括醋酸。
7.根据权利要求5所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述氯化物包括选自HCl、NaCl、NH4Cl、KCl、LiCl、ZnCl2、MgCl2以及FeCl3中的至少一个。
8.根据权利要求5所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述磺酸化合物包括环形磺酸化合物和碳化氢系磺酸化合物中的至少一种。
9.根据权利要求5所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述磺酸化合物包括甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸铵和氨基磺酸中的至少一个。
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