KR20220094299A - 은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시장치의 제조 방법 - Google Patents

은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

은 함유 박막의 식각 조성물은 무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함한다.

Description

은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시장치의 제조 방법{ETCHING COMPOSITION FOR THIN FILM CONTAINING SILVER, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 식각 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 가능한 표시 장치로서, 백라이트와 같은 별도의 광원을 필요로 하지 않으며, 두께의 감소가 용이하고, 플렉서블 표시 장치를 구현하기에 적절하여 그 사용이 증가하고 있다.
상기 유기 발광 표시 장치의 반사 전극은, 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 은을 포함하는 박막은 습식 식각에 의해 식각될 수 있다.
상기 은을 포함하는 박막의 식각 시 식각액에 의해 용해된 은 이온은 다른 금속 패턴에 흡착하여 은 파티클이 형성될 수 있으며, 상기 은 파티클은 후속 공정에서 상기 반사 전극에 다시 전사되어, 공정의 불량을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 일 목적은 은 함유 박막의 식각 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 식각 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 식각 조성물을 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 은 함유 박막의 식각 조성물은 무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 에탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 아미노 메틸술폰산 및 술파믹산으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 유기산 화합물은 아세트산, 구연산, 글리콜산 말론산, 락트산, 타르타르산, 부탄산, 포름산, 글루콘산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 글리세르산, 석신산, 말산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 질산염은 질산 나트륨, 질산 칼륨, 질산 암모늄, 질산 칼슘, 질산 마그네슘 및 질산 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 금속 산화제는 질산 제이철(ferric nitrate), 황산 제이철(ferric sulfate), 구리 및 황산 구리로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 아미노산 화합물은 글리신, 알라닌, 발린, 루신, 이소루신, 세린, 트레오닌, 아스파라긴산, 시스테인 및 메티오닌으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 무기산 화합물은 질산을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 무기산 화합물 1 중량% 내지 13 중량%, 상기 술폰산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량%, 상기 유기산 화합물 30 중량% 내지 55 중량%, 상기 질산염 1 중량% 내지 17 중량%, 상기 금속 산화제 0.01 중량% 내지 0.09 중량%, 상기 아미노산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량% 및 여분의 물을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 무기산 화합물은 질산을 포함하고, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산을 포함하며, 상기 유기산 화합물은 구연산 및 아세트산을 포함하고, 상기 질산염은 질산 칼슘 및 질산 암모늄을 포함하며, 상기 금속 산화제는 질산 제이철을 포함하고, 상기 아미노산 화합물은 글리신을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 중황산암모늄을 포함하지 않을 수 있다.
실시예들에 있어서, 인산을 포함하지 않을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 형성 방법은, 은 함유 박막과 금속 산화물 박막을 포함하는 다중막을 형성하는 단계, 제1 식각 조성물을 이용하여 상기 금속 산화물 박막을 식각하는 단계 및 무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함하는 제2 식각 조성물을 이용하여 상기 은 함유 박막을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 무기산 화합물 1 중량% 내지 13 중량%, 상기 술폰산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량%, 상기 유기산 화합물 30 중량% 내지 55 중량%, 상기 질산염 1 중량% 내지 17 중량%, 상기 금속 산화제 0.01 중량% 내지 0.09 중량%, 상기 아미노산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량% 및 여분의 물을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 무기산 화합물은 질산을 포함하고, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산을 포함하며, 상기 유기산 화합물은 구연산 및 아세트산을 포함하고, 상기 질산염은 질산 칼슘 및 질산 암모늄을 포함하며, 상기 금속 산화제는 질산 제이철을 포함하고, 상기 아미노산 화합물은 글리신을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 베이스 기판의 표시 영역에 액티브 패턴을 형성하는 단계, 상기 액티브 패턴과 중첩하는 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성하는 단계, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치되는 연결 패드를 포함하는 소스 금속 패턴을 형성하는 단계, 상기 소스 금속 패턴 위에, 금속 산화물을 포함하는 상부층, 상기 상부층 위에 배치되고 은 또는 은 합금을 포함하는 중간층 및 상기 중간층 위에 배치되고 금속 산화물을 포함하는 하부층을 포함하는 다중막을 형성하는 단계, 제1 식각 조성물을 이용하여 상기 상부층을 식각하는 단계, 무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함하는 제2 식각 조성물을 이용하여 상기 중간층을 식각하는 단계 및 제3 식각 조성물을 이용하여 상기 하부층을 식각하여 상기 표시 영역에 전극 패턴을 형성하고, 상기 연결 패드를 노출시키는 단계를 포함할 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 소스 금속 패턴은 알루미늄을 포함하는 단일막 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 금속 산화물은 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 주석 산화물 및 인듐 아연 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제2 식각 조성물은 상기 무기산 화합물 1 중량% 내지 13 중량%, 상기 술폰산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량%, 상기 유기산 화합물 30 중량% 내지 55 중량%, 상기 질산염 1 중량% 내지 17 중량%, 상기 금속 산화제 0.01 중량% 내지 0.09 중량%, 상기 아미노산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량% 및 여분의 물을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 소스 금속 패턴은, 상기 액티브 패턴과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 구동 신호를 생성하는 구동 칩을 상기 연결 패드와 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 은 함유 박막을 식각할 때, 인듐 산화물 등과 같은 금속 산화물에 대하여 선택성을 가질 수 있으며, 알루미늄 등과 같은 다른 금속의 손상을 방지하고, 은 파티클의 환원성 석출을 방지할 수 있다.
또한, 상기 은 함유 박막의 식각에 있어서, 잔사를 방지하고 적정 길이의 CD-스큐를 형성할 수 있다.
따라서, 제조 불량을 감소시키고, 표시 장치의 신뢰성을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라 제조되는 표시 장치의 평면도이다.
도 2 내지 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 표시 장치를 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 은 함유 박막의 식각 조성물, 패턴 형성 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
은 함유 박막의 식각 조성물
본 발명의 실시예들에 따른 식각 조성물은 무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염 화합물, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 여분의 물을 포함할 수 있다. 상기 식각 조성물은 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유 박막의 식각에 사용될 수 있다. 상기 식각 조성물은 제1 투명 전도막 및 은 함유 박막이 적층된 다층막 구조에서 은 함유 박막만 식각할 수 있다. 따라서, 다층막 구조를 단계를 나누어 식각할 수 있다.
상기 무기산 화합물은 질산을 포함할 수 있다. 상기 질산은 은(Ag) 성분에 대하여 주산화제 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 질산은 상기 투명 전도막에 대하여도 산화제 역할을 할 수 있다. 상기 투명 전도막은 산화 주석 인듐(ITO), 산화 아연 인듐(IZO), 산화 갈륨 인듐(IGO), 산화 주석 아연 인듐(ITZO), 산화 갈륨 아연 인듐(IGZO) 등을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 질산의 함량은 1.0 중량% 내지 13.0 중량% 일 수 있으며, 바람직하게는 5.0 중량% 내지 11.0 중량% 일 수 있다. 상기 질산의 함량이 13.0 중량% 보다 높으면, 식각률이 지나치게 높아 식각 정도를 제어하기가 힘들어 대상 박막이 과식각될 수 있다. 상기 질산이 1.0 중량% 보다 낮으면 식각률이 감소하여 충분한 식각이 되지 않을 수 있다. 상기 질산의 함량이 상기 함량 범위 내로 조절되는 경우, 상기 식각 조성물을 이용한 식각의 속도 제어가 용이하고, 대상 박막을 균일하게 식각할 수 있다.
상기 술폰산 화합물은 은 성분에 대하여 식각 보조제 역할을 할 수 있으며, 은 식각 속도를 증가시키고 은의 잔사를 방지할 수 있다. 또한, 상기 술폰산 화합물은 상기 무기산 화합물의 분해 속도를 감소시켜 은 함유 박막의 식각 속도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 술폰산 화합물의 함량은 0.1 중량% 내지 7.0 중량% 일 수 있으며, 바람직하게는 2.0 중량% 내지 6.0 중량% 일 수 있다. 상기 술폰산 화합물의 함량이 7.0 중량% 보다 높으면, 은 함유 박막의 식각 속도가 지나치게 증가하여 침식 불량을 유발할 수 있으며, 0.1 중량% 보다 낮으면 상기 무기산 화합물의 분해 속도가 증가하여 식각 조성물의 안정성이 저해될 수 있으며, 은의 잔사가 발생 할 수 있다.
상기 술폰산 화합물의 예로는 메탄술폰산(methanesulfonic acid, CH3SO3H), 에탄술폰산(ethanesulfonic acid, CH3CH2SO3H), p-톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid, CH3C6H4SO3H), 벤젠술폰산(benzenesulfonic acid, C6H5SO3H), 아미노 메틸술폰산(amino methylsulfonic acid, CH5NO3S), 술파믹산(sulfamic acid, H3NSO3) 등을 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 식각 조성물에는 메탄술폰산(methanesulfonic acid)이 포함되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 유기산 화합물은 상기 은 함유 박막에 대한 식각제 역할을 할 수 있다. 상기 유기산 화합물은 상기 질산에 의해 산화된 은 함유 박막을 식각하는데 사용될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 유기산 화합물의 함량은 30.0 중량% 내지 55.0 중량% 일 수 있으며, 바람직하게는 40.0 중량% 내지 55.0 중량% 일 수 있다. 상기 유기산 화합물의 함량이 55.0 중량% 보다 높으면, 은 함유 박막의 식각 속도가 지나치게 증가하여 침식 불량을 유발할 수 있으며, 30.0 중량% 보다 낮으면 상기 유기산 화합물의 분해 속도가 증가하여 식각 조성물의 안정성이 저해될 수 있으며, 은의 잔사가 발생 할 수 있다. 상기 유기산 화합물의 함량이 상기 함량 범위 내로 조절되는 경우, 상기 식각 조성물을 이용한 식각의 속도 제어가 용이하고, 은의 잔사 및 이에 따른 은 재흡착을 방지할 수 있다.
상기 유기산 화합물의 예로는 아세트산(acetic acid, CH3COOH), 구연산(C6H8O7), 글리콜산(glycolic acid, CH2OHCOOH), 말론산(C3H4O4), 락트산(C3H6O3), 타르타르산(tartaric acid, C4H6O6), 부탄산(butaonic acid, CH3CH2CH2COOH), 포름산(formic acid,　HCOOH), 글루콘산(gluconic acid, C6H12O7), 옥살산(oxalic acid, C2H2O4), 펜탄산(pentatonic acid, CH3(CH2)3COOH), 설포벤조산, 설포석신산(C4H6O7S), 설포프탈산, 살리실산(salicylic acid, C7H6O3), 설포살리실산(5-sulfosalicylic acid dehydrate, C7H6O6S), 벤조산(Benzoic acid, C7H6O2), 글리세르산, 석신산(succinic acid, (CH2)2(CO2H)2), 말산(malic acid, C4H6O5), 이소시트르산(isocitric acid, C6H8O7), 프로펜산(acrylic acid), 이미노디아세트산(Iminodiacetic acid,　HN(CH2CO2H)2), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid, C10H16N2O8) 등을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 또는 둘 이상의 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 유기산 화합물은 아세트산, 구연산, 글리콜산, 말론산, 락트산 및 타르타르산에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 질산염은 상기 은의 잔사를 제거하기 위한 제거제로써, 은의 잔사를 제거하는 역할을 할 수 있다. 상기 질산염은 황산염 등과 같은 다른 염들과 비교할 때, 산화 전위가 높아 은을 비롯한 여러 금속들을 상대적으로 용이하게 산화시킬 수 있다. 상기 식각 조성물은 상기 질산염을 포함함으로써, 식각 속도가 제어되고, 은 함유 박막의 측면 식각이 조절될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 식각 조성물은 ITO/Ag/ITO 등의 은을 포함하는 다층막들을 3단계로 나누어 식각하기 위해 사용될 수 있다. 즉, 상기 식각 조성물은 ITO, Ag 및 ITO를 순차적으로 식각하는 과정에서 은을 포함하는 층을 식각하기 위해 사용될 수 있다. 이 때, 상기 식각 조성물이 황산염을 포함할 경우, 황산염은 은을 제거함과 동시에 ITO를 함께 식각할 수 있다. 따라서, 상기 식각 조성물은 산화 전위가 높은 황산염 대신 질산염을 포함함으로써 은에 대한 높은 선택비를 확보할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 질산염의 함량은 1.0 중량% 내지 17.0 중량% 일 수 있으며, 바람직하게는 5.0 중량% 내지 15.0 중량% 일 수 있다. 상기 질산염의 함량이 상기 함량 범위 내로 조절되는 경우, 상기 식각 조성물을 이용한 식각 시간의 제어가 용이하고, 상기 은 함유 박막을 균일하게 식각할 수 있다.
상기 질산염의 예로는 질산 나트륨, 질산 칼륨, 질산 암모늄, 질산 칼슘, 질산 마그네슘, 질산 알루미늄 등을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 질산염은 질산 칼슘을 포함할 수 있다.
상기 금속 산화제는 은 성분에 대한 식각 속도를 증가시킬 수 있다. 실시예들에 따르면, 상기 금속 산화제의 함량은 0.01 중량% 내지 0.09 중량% 일 수 있으며, 바람직하게는 0.02 중량% 내지 0.06 중량% 일 수 있다. 상기 금속 산화제의 함량이 0.09 중량% 보다 높으면, 은 함유 박막의 식각 속도가 과도하게 증가하여, CD-스큐가 과도하게 증가할 수 있다. 또한, 상기 금속 산화제의 함량이 0.01 중량% 보다 낮으면 은 함유 박막의 식각 속도가 과도하게 저하되어 잔사가 발생할 수 있다.
상기 금속 산화제는 철, 구리 등의 금속 또는 철, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 크롬, 망간 등의 금속염을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 금속 산화제는 질산 제이철(ferric nitrate), 황산 제이철(ferric sulfate), 구리, 황산 구리 등을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 아미노산 화합물은 상기 식각 조성물을 이용하여 상기 은 함유 박막의 처리 매수를 늘리기 위한 보조제 역할을 할 수 있다. 상기 아미노산 화합물은 상기 은 함유 박막을 식각한 후 식각액에 용해된 은 이온과 결합함으로써 은 이온의 활동도를 억제할 수 있다. 따라서, 상기 식각액의 특성 변화를 최소화할 수 있고, 이에 따라 상기 식각액이 지속적으로 사용될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 아미노산 화합물의 함량은 0.1 중량% 내지 7.0 중량% 일 수 있으며, 바람직하게는 0.5 중량% 내지 5.0 중량% 일 수 있다. 상기 아미노산 화합물의 함량이 상기 함량 범위 내로 조절되는 경우, 상기 은 함유 박막의 처리 매수 제어가 용이하고, 측면 식각의 변동량이 줄어들 수 있으며, 은 재흡착 발생에 따른 불량을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 측면 식각의 변동량은 복수의 은 함유 박막들을 식각함에 있어서, 측면이 식각되는 정도의 차이를 의미할 수 있다.
상기 아미노산 화합물은 글리신, 알라닌, 발린, 루신, 이소루신, 세린, 트레오닌, 아스파라긴산, 시스테인, 메티오닌 등을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 아미노산 화합물은 글리신 및 알라닌을 포함할 수 있다.
물의 함량은, 상기 식각 조성물에서, 질산, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염 화합물, 금속 산화제 및 아미노산 화합물의 함량을 제외한 잔부에 대응될 수 있다. 물은 반도체 공정용 탈이온수 일 수 있다. 바람직하게는, 물은 1MΩ/cm 이상의 탈이온수를 사용할 수 있다.
바람직하게, 상기 식각 조성물은 인산을 실질적으로 포함하지 않는다. 인산은, 알루미늄 등과 같은 식각 대상이 아닌 금속에 손상을 유발할 수 있으며, 은의 환원성 석출을 증가시킴으로써, 공정 불량을 증가시킬 수 있다.
또한, 인산은 인듐 주석 산화물과 같은 금속 산화물을 식각할 수 있다. 상기 식각 조성물은 인산을 배제함으로써, 인듐 주석 산화물과 같은 금속 산화물을 포함하는 다층 구조에서 선택적으로 은을 식각할 수 있다.
표시 장치의 제조 방법
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라 제조되는 표시 장치의 평면도이다. 도 2 내지 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 12는 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 상기 표시 영역(10)을 둘러싸는 주변 영역(20)을 포함한다.
상기 주변 영역(20)에는 외부 장치와 전기적으로 연결되는 연결 패드(CP)들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 패드(CP)는 데이터 신호 또는 게이트 신호와 같은 구동 신호를 제공하는 구동 칩(400)과 연결될 수 있다. 상기 구동 칩(400)으로부터 제공된 구동 신호는 상기 연결 패드(CP)를 통해 상기 표시 영역(10)의 화소(PX)들에 제공될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 표시 장치(100)는 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 상기 표시 영역(10)에는 화소(PX)들의 어레이가 배치될 수 있으며, 단위 화소는 유기 발광 다이오드 및 상기 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 회로부를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 베이스 기판(110) 위에 버퍼층(120)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 베이스 기판(110)은, 유리, 쿼츠, 실리콘, 고분자 수지 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드 등을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(120)은, 상기 베이스 기판(110)의 하부로부터 이물, 수분 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 상기 베이스 기판(110)의 상면을 평탄화할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(120)은, 산화물 또는 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
다음으로, 표시 영역(10)에서, 상기 버퍼층(120) 위에 액티브 패턴(AP)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)이 다결정 실리콘을 포함하는 경우, 상기 액티브 패턴(AP)의 적어도 일부는, n형 불순물 또는 p형 불순물 등과 같은 불순물로 도핑될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 액티브 패턴(AP) 위에는 제1 절연층(130)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(130)은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 산질화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 절연성 금속 산화물을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(130)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물의 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 절연층(130) 위에는 게이트 전극(GE) 및 연결 라인(CL)을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 게이트 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
상기 연결 라인(CL)은 주변 영역(20)에 배치될 수 있으며, 상기 표시 영역(10)으로 연장될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 게이트 전극(GE)을 형성한 후, 이온 주입 공정을 통해 상기 액티브 패턴(AP)의 일부를 불순물로 도핑할 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 전극(GE)이 상기 액티브 패턴(AP)의 채널 영역을 마스킹 할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 게이트 금속 패턴 및 상기 제1 절연층(130)을 커버하는 제2 절연층(140)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 산질화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 절연성 금속 산화물을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물의 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제2 절연층(140) 위에 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 연결 패드(CP)를 포함하는 소스 금속 패턴을 형성할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 각각 상기 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(140)을 관통하여, 상기 액티브 패턴(AP)과 접촉할 수 있다.
상기 연결 패드(CP)는 주변 영역(20)에 배치되며, 상기 제2 절연층(140)을 관통하여, 상기 연결 라인(CL)과 접촉할 수 있다.
예를 들어, 상기 소스 금속 패턴은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 실시예들에 따르면, 상기 소스 금속 패턴은, 적어도 알루미늄을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 금속 패턴은, 티타늄/알루미늄의 2층 구조 또는 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 커버하는 제3 절연층(150)을 형성한다. 실시예들에 따르면, 연결 패드(CP)는 상기 제3 절연층(150)에 의해 커버되지 않고, 상면 전체가 노출될 수 있다. 상기 제3 절연층(150)은 상기 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 갖는다.
예를 들어, 상기 제3 절연층(150)은 무기 절연 물질, 유기 절연 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 등을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 연결 패드(CP) 및 상기 제3 절연층(150) 위에 하부 전극층(211)을 형성할 수 있다. 상기 하부 전극층(211)은 금속, 합금 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 하부 전극층(211)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 등을 포함하는 금속 산화물층과, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 하부 전극층(211)은, 하부층(211a), 중간층(211b) 및 상부층(211c)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 실시예들에 따르면, 상기 하부층(211a) 및 상기 상부층(211c)은 인듐 주석 산화물을 포함할 수 있으며, 상기 중간층(211b)은 은을 포함할 수 있다.
상기 하부 전극층(211)은 상기 제3 절연층(150)의 개구부를 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉한다. 상기 하부 전극층(211) 위에는, 상기 드레인 전극(DE)과 중첩하는 포토레지스트 패턴(PR)이 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 하부 전극층(211)의 상부층(211c)을 식각한다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴(PR) 아래에는 상부 패턴(212)이 형성되고, 나머지 영역의 상부층(211c)은 제거되어, 중간층(211b)의 상면이 노출된다.
상기 인듐 주석 산화물을 포함하는 상부층(211c)은, 제1 식각 조성물을 이용한 습식 식각을 통해 식각될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 식각 조성물은 질산, 염화 화합물, 암모늄 화합물, 고리형 아민 화합물 및 물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 염화 화합물은 염화나트륨, 염화칼륨, 염화암모늄 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 암모늄 화합물은 암모늄 아세테이트(ammonium acetate), 암모늄 설파메이트(ammonium sulfamate), 암모늄 벤젠디올(ammonium benzenediol), 암모늄 카바네이트(ammonium carbanate), 인산 암모늄(ammonium dihydrogen phosphate,), 암모늄 포르메이트(ammonium formate), 탄산수소 암모늄(ammonium bicarbonate), 구연산 암모늄(ammonium citrate), 질산 암모늄(ammonium nitrate,), 과황산 암모늄(ammonium persulfate), 암모늄 설파메이트(ammonium sulphamate), 황산 암모늄(ammonium sulfate) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 고리형 아민 화합물은 벤조트리아졸(benzotriazole), 5-아미노테트라졸(aminotetrazole), 3-아미노테트라졸(aminotetrazole), 5-메틸테트라졸(methyltetrazole) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 식각 조성물은 질산 3 중량% 내지 10 중량%, 염화 화합물 0.01 중량% 내지 5 중량%, 암모늄 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량% 및 여분의 물을 포함할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 식각 조성물은 질산, 황산, 암모늄 화합물, 고리형 아민 화합물 및 물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 식각 조성물은 질산 1 중량% 내지 10 중량%, 황산 1 중량% 내지 10 중량%, 암모늄 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량% 및 여분의 물을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 하부 전극층(211)의 중간층(211b)을 식각한다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴(PR)과 상부 패턴(212) 아래에는 중간 패턴(214)이 형성되고, 나머지 영역의 중간층(211b)은 제거되어, 중간층(211c)의 상면이 노출된다.
상기 은을 포함하는 상부층(211b)은, 제2 식각 조성물을 이용한 습식 식각을 통해 식각될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제2 식각 조성물은, 기설명된 은 함유 박막의 식각 조성물과 동일한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 식각 조성물은, 질산(HNO3), 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염 화합물, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 여분의 물을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 하부 전극층(211)의 하부층(211a)을 식각할 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴(PR) 아래에는, 하부 패턴(216), 중간 패턴(214) 및 상부 패턴(212)을 포함하고, 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하는 하부 전극(210)이 형성된다.
실시예들에 있어서, 상기 인듐 주석 산화물을 포함하는 하부층(211a)은 제3 식각 조성물을 이용한 습식 식각을 통해 식각될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 식각 조성물은 상기 제1 식각 조성물과 실질적으로 동일한 조성을 가질 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 하부 전극(210)은, 유기 발광 다이오드의 애노드일 수 있다. 또한, 상기 하부 패턴(216)을 제외한 나머지 영역의 하부층(211a)은 제거되어, 상기 연결 패드(CP)가 노출된다.
도 10을 참조하면, 상기 제3 절연층(150) 위에 화소 정의층(160)을 형성한다. 상기 화소 정의층(160)은 상기 하부 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의층(160)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 하부 전극(210) 위에는 유기 발광층(220)을 형성한다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(220)은 상기 화소 정의층(160)의 개구부 내에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 상기 유기 발광층(220)은 상기 화소 정의층(160) 상면 위로 연장되거나, 상기 표시 영역(10) 상에서 복수의 화소에 걸쳐 연속적으로 연장될 수도 있다.
상기 유기 발광층(220)은, 적어도 발광층을 포함하며, 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(220)은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다.
실시예들에서, 상기 유기 발광층(220)은 적색, 녹색 또는 청색광을 발광할 수 있다. 다른 실시예에서 상기 유기 발광층(220)이 백색을 발광하는 경우, 상기 유기 발광층(220)은 적색발광층, 녹색발광층, 청색발광층을 포함하는 다층구조를 포함할 수 있거나, 적색, 녹색, 청색 발광물질의 혼합층을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광층(220) 위에는 상부 전극(230)이 형성된다. 상기 상부 전극(230)은, 상기 표시 영역(10) 상에서 복수의 화소에 걸쳐 연속적으로 연장될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 상부 전극(230)은 캐소드로 작동할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(230)은, 발광 타입에 따라 투과 전극으로 형성되거나, 반사 전극으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(230)이 투명 전극으로 형성될 경우, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 리튬 불화물(LiF), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 등을 포함하는 보조 전극 또는 버스 전극 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 상부 전극(230) 위에는 박막 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 봉지층(300)은 무기층 및 유기층의 적층 구조를 가질 수 있다.
도시되지는 않았으나, 상기 상부 전극(230)과 상기 박막 봉지층(300) 사이에는, 캡핑층 및 차단층이 배치될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 연결 패드(CP)와 구동 칩(400)을 연결한다. 예를 들어, 상기 구동 칩(400)과 상기 연결 패드(CP)는 도전성 범프(410)를 통해 결합될 수 있다.
설명한 것과 같이, 표시 장치의 주변 영역에 형성되는 연결 패드(CP)는 하부 전극층의 식각 공정에서 실질적으로 패시베이션되지 않고 노출될 수 있다. 예를 들어, 인산을 포함하는 종래의 식각 조성물을 이용할 경우, 노출된 연결 패드(CP)에 의해 은 파티클이 석출될 수 있으며, 이러한 은 파티클은 이후의 스트립 공정, 세정 공정 등에서 하부 전극 패턴으로 전사되어 불량을 유발할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 은 함유 박막을 식각할 때, 인듐 산화물 등과 같은 금속 산화물에 대하여 선택성을 가질 수 있으며, 알루미늄 등과 같은 다른 금속의 손상을 방지하고, 은 파티클의 환원성 석출을 방지할 수 있다.
또한, 상기 은 함유 박막의 식각에 있어서, 잔사를 방지하고 적정 길이의 CD-스큐를 형성할 수 있다.
또한, 식각 조성물의 누적 사용 및 시간 경시에 대한 신뢰성을 개선할 수 있다.
따라서, 제조 불량을 감소시키고, 표시 장치의 신뢰성을 증가시킬 수 있다.
실시예들에 있어서, 유기 발광 다이오드(200)의 하부 전극(210)은 드레인 전극(DE)과 접촉할 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 12에 도시된 것과 같이, 유기 발광 다이오드(200)의 하부 전극(210)과 드레인 전극(DE)은 연결 전극(CE)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결 전극(CE)은 제3 절연층(150)을 관통하여 상기 드레인 전극(DE)과 접촉할 수 있다. 상기 제3 절연층(150)과 상기 화소 정의층(160) 사이에는 제4 절연층(170)이 배치될 수 있으며, 상기 하부 전극(210)은 상기 제4 절연층(170)을 관통하여, 상기 연결 전극(CE)과 접촉할 수 있다.
실시예들에 있어서, 주변 영역(20)에 배치되어 도전성 범프(410)를 통해 구동 칩(400)과 전기적으로 연결되는 연결 패드(CP)는, 상기 드레인 전극(DE)과 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결 패드(CP)는 상기 연결 전극(CE)과 동일한 층으로부터 형성될 수도 있다.
이하에서는, 구체적인 실험을 통하여 본 발명의 효과를 설명하기로 한다.
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5
아래의 표 1 및 표 2에 따라 식각 조성물을 준비하였다. 표 1에서 함량 단위는 중량%이고, 잔부는 물이다.
A B C1 C2 D1 D2 E F G
실시예1 7 5 30 20 10 0 0.03 2 0
실시예2 7 5 30 20 15 0 0.03 2 0
실시예3 9 5 30 20 10 0 0.03 0.5 0
실시예4 7 5 30 20 0 10 0.03 2 0
실시예5 7 5 30 20 10 0 0.03 0.5 0
비교예1 7 5 30 20 0 0 0.03 2 10
비교예2 7 5 30 20 0 0 0.03 2 0
비교예3 7 5 30 20 0.5 0 0.03 2 0
비교예4 7 5 30 20 10 0 0.03 0.01 0
비교예5 7 5 30 20 10 0 0.03 15 0
성분 물질명
A 질산
B 메탄술폰산
C1 구연산
C2 아세트산
D1 질산칼슘
D2 질산암모늄
E 질산 제이철(질산 제2철)
F 글리신
G 중황산암모늄
실험 1 - 식각 특성 평가
유리 기판 위에 ITO/Ag의 2중막을 형성하고, 상기 2중막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
상기 Ag층(은 함유 박막층)을 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 식각 조성물로 식각한 결과를 아래의 표 3에 나타내었다.
신 식각액(Ag 0 ppm) 구 식각액(Ag 2,000 ppm) CD-스큐
변동량(편측)
CD-스큐
(편측)		 Ag 잔사 Ag 재흡착 ITO E/R CD-스큐
(편측)		 Ag 잔사 Ag 재흡착 ITO E/R
실시예1 매우 우수 양호 양호 양호 매우 우수 양호 양호 양호 우수
실시예2 매우 우수 양호 양호 양호 매우 우수 양호 양호 양호 우수
실시예3 우수 양호 양호 양호 우수 양호 양호 양호 우수
실시예4 우수 양호 양호 양호 우수 양호 양호 양호 우수
실시예5 매우 우수 양호 양호 양호 매우 우수 양호 양호 양호 우수
비교예1 우수 양호 불량 불량 우수 양호 불량 불량 우수
비교예2 우수 불량 양호 양호 불량 불량 양호 양호 우수
비교예3 양호 불량 양호 양호 양호 불량 양호 양호 우수
비교예4 우수 양호 양호 양호 양호 양호 양호 양호 불량
비교예5 우수 불량 양호 양호 우수 불량 양호 양호 우수
표 3을 참조하면, 실험은 섭씨 약 40도에서 두 가지 조건으로 진행되었다. 실시예들에 있어서, 상기 식각 조성물이 처음 사용될 경우, 상기 식각 조성물 내에는 은이 용해되어 있지 않다. 따라서, 은이 용해되어 있지 않는 신 식각액(Ag 0 ppm)으로 실험이 진행되었다.
실시예들에 있어서, 상기 식각 조성물은 식각 장치 내에서 반복되어 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 식각 조성물에 의해 식각된 은이 상기 식각 조성물에 용해되어 있을 수 있다. 따라서, 은이 용해되어 있는 구 식각액(Ag 2,000 ppm)으로도 실험이 진행되었다.
실시예 1 내지 5의 식각 조성물을 이용한 경우, 상기 신 식각액 및 구 식각액 모두에 대해 CD-스큐(포토레지스트 패턴 말단과 Ag층 말단 사이의 거리)가 우수함 이상으로 평가되었다. 상세히는 실시예 1, 2 및 5에 대해서는 CD-스큐가 매우 우수하게 평가되었고, 실시예 3 및 4에 대해서는 CD-스큐가 우수하게 평가되었다. CD-스큐가 매우 우수하다는 것은 CD-스큐가 0.2 마이크로미터 보다 작게 측정된 것을 의미한다. CD-스큐가 우수하다는 것은 CD-스큐가 0.2 마이크로미터 이상이고, 0.4 마이크로미터보다 작게 측정된 것을 의미한다.
상기 신 식각액 및 구 식각액 모두에 대하여 Ag 잔사 및 Ag 재흡착에 대한 측정 결과가 양호하게 측정되었다. Ag 잔사에 대한 결과가 양호하다는 것은 Ag 잔사가 발생하지 않은 것을 의미한다. 또한, Ag 재흡착에 대한 결과가 양호하게 나왔다는 것은 상기 유리 기판 상에 은 입자의 개수가 5개 미만으로 재흡착 된 것을 의미한다.
CD-스큐 변동량은 신 식각액을 사용했을 때와 구 식각액을 사용했을 때의 CD-스큐의 차이를 의미한다. 실시예 1 내지 5에 대해 CD-스큐의 변동량이 모두 우수하게 평가되었다. CD-스큐의 변동량이 우수하다는 것은 상기 차이가 0.05 마이크로미터 이상이고 0.1 마이크로미터 보다 작은 것을 의미한다.
그러나, 질산칼슘과 질산암모늄을 포함하지 않고 중황산암모늄을 포함하는 비교예 1에서는 Ag 재흡착이 발생하였다. 또한, 질산칼슘과 질산암모늄을 포함하지 않는 비교예 2에서는 Ag 잔사가 발생하고, CD-스큐가 불량으로 평가되었다. CD-스큐가 불량이라는 것은 CD-스큐가 0.6 마이크로미터 이상인 것을 의미한다.
또한, 질산 칼슘만 소량(예를 들어, 0.5 중량 %)으로 포함하는 비교예 3에서는 Ag 잔사가 발생하고, CD-스큐가 양호하게 평가되었다. CD-스큐가 양호하다는 것은 CD-스큐가 0.4 마이크로미터 이상이고, 0.6 마이크로미터보다 작은 것을 의미한다.
또한, 글리신을 적게 포함하는 비교예 4에서는 상기 구 식각액에 대해서 CD-스큐가 양호하게 평가되었다.
글리신을 과다하게 포함하는 비교예 5에서는 은의 잔사가 불량으로 평가되었다. 전술한 은의 잔사가 불량하다는 것은 은의 잔사가 발생하였다는 것을 의미한다. 전술한 은의 잔사가 발생하였다는 것은 포토레지스트로 덮이지 않은 부분에서 은이 식각되지 않고 남아있음을 의미한다.
ITO E/R(ITO ETCH RATE)는 실시예 1 내지 5 및 비교예 2 내지 5에 대해 모두 양호하게 평가되었다. ITO E/R이 양호하다는 것은 은 함유 박막의 하부에 배치되는 ITO가 0.3
Figure pat00001
/sec 이하의 속도로 식각되는 것을 의미한다. 다만, 비교예 1의 경우 중황산암모늄을 포함하고 있어 ITO E/R이 불량으로 평가되었다. ITO E/R이 불량이라는 것은 은 함유 박막의 하부에 배치되는 ITO가 0.4
Figure pat00002
/sec 이상의 속도로 식각되는 것을 의미한다.
은 함유 박막의 식각이 진행되는 동안 제한된 시간 동안에만 상기 식각 조성물이 제공되기 때문에 본 발명의 실시예 1 내지 5를 이용할 경우, ITO의 식각을 최소화하면서 은 함유 박막을 식각할 수 있다. 이를 통해, 본 발명은 은 함유 박막과 ITO를 식각할 때 단계를 나누어서 식각할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 은 함유 박막 또는 이를 포함하는 다중막의 식각에 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 배선, 전극 및 이를 포함하는 다양한 전자 장치의 제조에 이용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함하는 은 함유 박막의 식각 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 에탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 아미노 메틸술폰산 및 술파믹산으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기산 화합물은 아세트산, 구연산, 글리콜산 말론산, 락트산, 타르타르산, 부탄산, 포름산, 글루콘산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 글리세르산, 석신산, 말산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 질산염은 질산 나트륨, 질산 칼륨, 질산 암모늄, 질산 칼슘, 질산 마그네슘 및 질산 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 산화제는 질산 제이철(ferric nitrate), 황산 제이철(ferric sulfate), 구리 및 황산 구리로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 아미노산 화합물은 글리신, 알라닌, 발린, 루신, 이소루신, 세린, 트레오닌, 아스파라긴산, 시스테인 및 메티오닌으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 무기산 화합물은 질산을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 무기산 화합물 1 중량% 내지 13 중량%, 상기 술폰산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량%, 상기 유기산 화합물 30 중량% 내지 55 중량%, 상기 질산염 1 중량% 내지 17 중량%, 상기 금속 산화제 0.01 중량% 내지 0.09 중량%, 상기 아미노산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량% 및 여분의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 무기산 화합물은 질산을 포함하고,
    상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산을 포함하며,
    상기 유기산 화합물은 구연산 및 아세트산을 포함하고,
    상기 질산염은 질산 칼슘 및 질산 암모늄을 포함하며,
    상기 금속 산화제는 질산 제이철을 포함하고,
    상기 아미노산 화합물은 글리신을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 중황산암모늄을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  11. 제9 항에 있어서, 인산을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 식각 조성물.
  12. 은 함유 박막과 금속 산화물 박막을 포함하는 다중막을 형성하는 단계;
    제1 식각 조성물을 이용하여 상기 금속 산화물 박막을 식각하는 단계; 및
    무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함하는 제2 식각 조성물을 이용하여 상기 은 함유 박막을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 무기산 화합물 1 중량% 내지 13 중량%, 상기 술폰산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량%, 상기 유기산 화합물 30 중량% 내지 55 중량%, 상기 질산염 1 중량% 내지 17 중량%, 상기 금속 산화제 0.01 중량% 내지 0.09 중량%, 상기 아미노산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량% 및 여분의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 무기산 화합물은 질산을 포함하고,
    상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산을 포함하며,
    상기 유기산 화합물은 구연산 및 아세트산을 포함하고,
    상기 질산염은 질산 칼슘 및 질산 암모늄을 포함하며,
    상기 금속 산화제는 질산 제이철을 포함하고,
    상기 아미노산 화합물은 글리신을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  15. 베이스 기판의 표시 영역에 액티브 패턴을 형성하는 단계;
    상기 액티브 패턴과 중첩하는 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치되는 연결 패드를 포함하는 소스 금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 소스 금속 패턴 위에, 금속 산화물을 포함하는 상부층, 상기 상부층 위에 배치되고 은 또는 은 합금을 포함하는 중간층 및 상기 중간층 위에 배치되고 금속 산화물을 포함하는 하부층을 포함하는 다중막을 형성하는 단계;
    제1 식각 조성물을 이용하여 상기 상부층을 식각하는 단계;
    무기산 화합물, 술폰산 화합물, 유기산 화합물, 질산염, 금속 산화제, 아미노산 화합물 및 물을 포함하는 제2 식각 조성물을 이용하여 상기 중간층을 식각하는 단계; 및
    제3 식각 조성물을 이용하여 상기 하부층을 식각하여 상기 표시 영역에 전극 패턴을 형성하고, 상기 연결 패드를 노출시키는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 소스 금속 패턴은 알루미늄을 포함하는 단일막 구조 또는 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 금속 산화물은 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 주석 산화물 및 인듐 아연 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 제2 식각 조성물은 상기 무기산 화합물 1 중량% 내지 13 중량%, 상기 술폰산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량%, 상기 유기산 화합물 30 중량% 내지 55 중량%, 상기 질산염 1 중량% 내지 17 중량%, 상기 금속 산화제 0.01 중량% 내지 0.09 중량%, 상기 아미노산 화합물 0.1 중량% 내지 7 중량% 및 여분의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제15 항에 있어서, 상기 소스 금속 패턴은, 상기 액티브 패턴과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15 항에 있어서, 구동 신호를 생성하는 구동 칩을 상기 연결 패드와 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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