CN113330570A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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CN113330570A CN201980088670.4A CN201980088670A CN113330570A CN 113330570 A CN113330570 A CN 113330570A CN 201980088670 A CN201980088670 A CN 201980088670A CN 113330570 A CN113330570 A CN 113330570A
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姜信喆
康在雄
文秀美
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Abstract

根据本发明的实施方式的显示设备包括布置在显示区域中的像素。像素中的每个包括：第一子区域和第二子区域，沿第一方向顺序布置；第一级的第一电极和第二电极，在第一子区域中彼此间隔开；第一发光元件，平行布置在第一级的第一电极和第二电极之间；第一级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在第一级的第一电极和第二电极上，并将第一发光元件电连接在第一级的第一电极和第二电极之间；第二级的第一电极和第二电极，在第二子区域中彼此间隔开；第二发光元件，平行布置在第二级的第一电极和第二电极之间；第二级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在第二级的第一电极和第二电极上，并将第二发光元件电连接在第二级的第一电极和第二电极之间；以及连接电极，将第一级的第二接触电极与第二级的第一接触电极连接。

Description

显示设备及其制造方法
技术领域
本公开的实施方式涉及显示设备及制造其的方法。
背景技术
近来，已经开发了使用具有可靠无机晶体结构的材料制造超小型发光元件和使用该发光元件制造发光器件的技术。例如，已经开发了用于制造具有与从纳米级至微米级的范围相对应的小尺寸的多个超小型发光元件以及使用超小型发光元件形成各种发光器件(例如，显示设备的像素)的光源的技术。
发明内容
技术问题
本公开的实施方式涉及包括发光元件的显示设备和制造该显示设备的方法。
技术方案
根据本公开的实施方式的显示设备包括设置在显示区域中的像素。像素包括：第一子区域和第二子区域，顺序设置在第一方向上；第一级的第一电极和第二电极，设置成在第一子区域中彼此间隔开；第一发光元件，平行布置在第一级的第一电极和第二电极之间；第一级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在第一级的第一电极和第二电极上，并且配置为将第一发光元件电连接在第一级的第一电极和第二电极之间；第二级的第一电极和第二电极，设置成在第二子区域中彼此间隔开；第二发光元件，平行布置在第二级的第一电极和第二电极之间；第二级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在第二级的第一电极和第二电极上，并且配置为将第二发光元件电连接在第二级的第一电极和第二电极之间；以及连接电极，配置为将第一级的第二接触电极与第二级的第一接触电极连接。
在实施方式中，第一级的第一接触电极和第二接触电极以及第二级的第一接触电极和第二接触电极可以在与第一方向相交的第二方向上分别顺序或交替设置在第一子区域和第二子区域中。连接电极可以在与第一方向和第二方向相交的第三方向上在第一子区域和第二子区域之间的边界区域中延伸，并且可以将第一级的第二接触电极与第二级的第一接触电极连接。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第K(K是3或更大的自然数)子区域，在第一方向上设置在第一子区域和第二子区域之后；第K级的第一电极和第二电极，设置成在第K子区域中彼此间隔开；第K发光元件，平行布置在第K级的第一电极和第二电极之间；第K级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在第K级的第一电极和第二电极上，并且配置为将第K发光元件电连接在第K级的第一电极和第二电极之间；以及另一连接电极，配置为将第K级的第一接触电极连接到前一级的第二接触电极。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第一线，连接到第一级的第一电极，并配置为被提供有第一电源电压或第一驱动信号；以及第二线，连接到第K级的第二电极或最后级的第二电极，并配置为被提供有第二电源电压或第二驱动信号。
在实施方式中，第一级的第二电极、包括第二级的中间级的第一电极和第二电极以及第K级的第一电极或最后级的第一电极各自可以具有分离的单独图案形状。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第一线，连接到第一级的第一电极，并且配置为被提供有第一电源电压或第一驱动信号；以及第二线，连接到第二级的第二电极，并且配置为被提供有第二电源电压或第二驱动信号。
在实施方式中，第一级的第二电极和第二级的第一电极各自可以具有分离的单独图案形状。
在实施方式中，第一级的第二接触电极、连接电极和第二级的第一接触电极可以彼此一体连接。
在实施方式中，像素还可以包括至少一个反向发光元件，反向发光元件在与第一发光元件和第二发光元件相反的方向上连接在第一级的第一电极和第二电极之间或第二级的第一电极和第二电极之间。
在实施方式中，第一发光元件和第二发光元件的数量可以大于反向发光元件的数量。
在实施方式中，像素可以包括：第一级的多个第一电极和多个第二电极，设置在第一子区域中；第一级的多个第一接触电极和多个第二接触电极，设置在第一子区域中并分别设置在第一级的第一电极和第二电极之上；第二级的多个第一电极和多个第二电极，设置在第二子区域中；以及第二级的多个第一接触电极和多个第二接触电极，设置在第二子区域中并分别设置在第二级的第一电极和第二电极之上。
在实施方式中，像素还可以包括至少一个有缺陷的发光元件，有缺陷的发光元件具有在第一级的第一电极和第二电极中的任一对第一电极和第二电极之间以及第二级的第一电极和第二电极中的任一对第一电极和第二电极之间的短路的相对端。直接连接到有缺陷的发光元件的第一接触电极或第二接触电极可以与剩余的第一接触电极和第二接触电极分离。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第一线，连接到第一级的第一电极中的至少一个，并且配置为被提供有第一电源电压或第一驱动信号；第二线，连接到第二级的第二电极中的至少一个或最后级的第二电极中的至少一个，并且配置为被提供有第二电源电压或第二驱动信号；以及至少一个有缺陷的发光元件，连接到第一级的第一电极和第二级的第二电极或最后级的第二电极中的任一个第一电极或任一个第二电极，并且具有短路的相对端，任一个第一电极或任一个第二电极可以与第一线或第二线分离。
在实施方式中，像素可以包括：第一分隔壁，分别设置在第一级的第一电极和第二级的第一电极之下，并且各自具有分离的单独图案；以及第二分隔壁，分别设置在第一级的第二电极和第二级的第二电极之下，并且各自具有分离的单独图案。
根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法包括：在每个像素的发射区域中形成彼此间隔开且各自在第一方向上延伸的第一对准电极和第二对准电极以及分别连接到第一对准电极和第二对准电极的第一线和第二线；向发射区域提供多个发光元件，并将发光元件布置在第一对准电极和第二对准电极之间；形成多个第一接触电极和多个第二接触电极，多个第一接触电极设置在第一对准电极的在第一方向上的不同区域上并且配置为将发光元件的第一端连接到第一对准电极，多个第二接触电极设置在第二对准电极的在第一方向上的不同区域上并且配置为将发光元件的第二端电连接到第二对准电极；以及将第一对准电极划分成布置在第一方向上的多个第一电极，并且将第二对准电极划分成布置在第一方向上的多个第二电极。形成第一接触电极和第二接触电极包括将设置在发射区域的第一级中的第二接触电极连接到设置在发射区域的第二级中的第一接触电极。
在实施方式中，形成第一接触电极和第二接触电极可以包括形成连接电极，连接电极配置为将设置在发射区域的第一级中的第二接触电极一体地连接到设置在发射区域的第二级中的第一接触电极。
在实施方式中，形成第一接触电极和第二接触电极可以依次包括：形成设置在发射区域的第一级中的第二接触电极以及设置在发射区域的第二级中的第一接触电极；以及形成设置在发射区域的第一级中的第一接触电极以及设置在发射区域的第二级中的第二接触电极。
在实施方式中，形成第一对准电极和第二对准电极可以包括将多个第一对准电极和多个第二对准电极形成为在发射区域中交替地设置在第二方向上。形成第一接触电极和第二接触电极可以包括形成多个连接电极，连接电极配置为将设置在发射区域的任一级中的第二接触电极连接到设置在发射区域的后一级中的第一接触电极。
在实施方式中，该方法还可以包括：检查发光元件中是否存在短路缺陷；以及在确定发光元件中的至少一个是有缺陷的发光元件的情况下，断开连接到与有缺陷的发光元件连接的第一接触电极或第二接触电极的连接电极。
在实施方式中，该方法还可以包括：检查发光元件中是否存在短路缺陷；以及在确定发光元件中的至少一个是有缺陷的发光元件的情况下，将连接到有缺陷的发光元件的第一电极或第二电极与第一线或第二线分离。
有益效果
在根据本公开的实施方式的包括像素的显示设备和制造该显示设备的方法中，提供给每个像素的发射区域的发光元件可以高效地用于形成每个光源单元，并且可以减小流过显示面板的驱动电流。
附图说明
图1a和图1b分别是示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图和剖视图。
图2a和图2b分别是示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图和剖视图。
图3a和图3b分别是示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图和剖视图。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示设备的平面图。
图5a至图5e是各自示出根据本公开的实施方式的像素的电路图。
图6和图7是各自示出根据本公开的实施方式的像素的平面图。
图8至图11是各自示出根据本公开的实施方式的像素的剖视图，并且例如示出对应于图7的线I-I'的像素的截面的不同实施方式。
图12是示出根据本公开的实施方式的像素的剖视图，并且例如示出对应于图7的线II-II'的像素的截面的实施方式。
图13是示出根据本公开的实施方式的流经像素的驱动电流的平面图，并且例如示出流经图7的像素的驱动电流的流动。
图14a至图14e是依次示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的平面图，并且例如示出制造包括图7的像素的显示设备的方法的实施方式。
图15a至图15e是依次示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的剖视图，并且例如示出分别与图14a至图14e的线III-III'对应的截面的实施方式。
图16a和图16b是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的平面图，并且例如示出与形成第一接触电极和第二接触电极的方法有关的实施方式。
图17至图20是各自示出根据本公开的实施方式的像素的平面图，并且例如示出与其中已经修复了缺陷的像素有关的不同实施方式。
图21和图22是各自示出根据本公开的实施方式的像素的平面图，并且例如示出与图7的实施方式有关的不同的修改实施方式。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的各种实施方式，在附图中示出并在下面描述了本公开的各种实施方式的具体示例，本公开的实施方式可以以许多不同的形式进行各种修改。然而，本公开不限于以下实施方式，并且可以修改成各种形式。
为了清楚地解释本公开，可以省略与附图中的本公开的特征不直接相关的一些元件。此外，附图中的一些元件的尺寸、比例等可被稍微夸大。应当注意，在所有附图中，相同的附图标记用于表示相同或相似的元件，并且将省略重复的解释。
应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(include)”、“具有(have)”等指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或添加。此外，当第一组件或第一部分设置在第二组件或第二部分上时，第一组件或第一部分不仅可以直接在第二组件或第二部分上，而且它们之间可以插置有第三组件或第三部分。此外，在以下描述中使用的术语“位置”、“方向”等以相对的术语来定义，并且应当注意，它们可以根据视角或方向改变为相反的位置或方向。此外，单数形式可以包括复数形式，只要在句子中没有具体提及即可。
图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b是示出根据本公开的实施方式的发光元件LD的立体图和剖视图。尽管图1a至图3b示出了圆柱形杆型发光元件LD，但是根据本公开的发光元件LD的类型和/或形状不限于此。
参照图1a和图1b，根据本公开的实施方式的发光元件LD可以包括第一导电类型半导体层11、第二导电类型半导体层13以及插置在第一导电类型半导体层11和第二导电类型半导体层13之间的有源层12。例如，发光元件LD可以由通过在纵向方向(L)上连续堆叠第一导电类型半导体层11、有源层12和第二导电类型半导体层13而形成的堆叠体配置。
在实施方式中，发光元件LD可以设置成在一个方向上延伸的杆的形式。如果发光元件LD延伸的方向限定为纵向方向(L)，则发光元件LD可以具有相对于纵向方向(L)的第一端和第二端。
在实施方式中，第一导电类型半导体层11和第二导电类型半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端上。第一导电类型半导体层11和第二导电类型半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端上。
在实施方式中，发光元件LD可以是以杆的形式制造的杆型发光二极管。在本说明书中，术语“杆型”包括杆状形状和棒状形状，诸如在纵向方向上延伸的圆柱形形状和棱柱形状(即，具有大于1的纵横比)，并且其截面形状不限于特定形状。例如，发光元件LD的长度L可以大于其直径D(或其截面的宽度)。
在实施方式中，发光元件LD可以具有在从纳米级至微米级的范围内的小尺寸。例如，每个发光元件LD可以具有在从纳米级至微米级的范围内的直径D和/或长度L。然而，在本公开中，发光元件LD的尺寸不限于此。例如，发光元件LD的尺寸可以根据各种设备(例如，显示设备)的设计条件以各种方式改变，各种设备采用使用发光元件LD的发光器件作为光源。
第一导电类型半导体层11可以包括例如至少一个N型半导体层。例如，第一导电类型半导体层11可以包括N型半导体层，N型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且掺杂有第一导电掺杂剂，诸如Si、Ge或Sn。然而，用于形成第一导电类型半导体层11的材料不限于此，并且第一导电类型半导体层11可以由各种其它材料形成。
有源层12可以设置在第一导电类型半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。在实施方式中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在有源层12之上和/或之下。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。在实施方式中，可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成有源层12，并且可以使用各种其它材料来形成有源层12。
如果将等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件LD的相对端中的每一个，则发光元件LD可通过有源层12中的电子-空穴对的组合而发光。由于可以基于前述原理来控制发光元件LD的发光，所以发光元件LD可以用作各种发光器件以及显示设备的像素的光源。
第二导电类型半导体层13可以设置在有源层12上，并且包括与第一导电类型半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二导电类型半导体层13可以包括至少一个P型半导体层。例如，第二导电类型半导体层13可以包括P型半导体层，P型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有第二导电掺杂剂，诸如Mg。然而，用于形成第二导电类型半导体层13的材料不限于此，并且第二导电类型半导体层13可以由各种其它材料形成。
在实施方式中，发光元件LD还可以包括设置在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF。绝缘膜INF可以在发光元件LD的表面上形成为至少围绕有源层12的外圆周表面，并且还可以围绕第一导电类型半导体层11和第二导电类型半导体层13的预定区域。这里，绝缘膜INF可以允许发光元件LD的具有不同极性的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜INF可以暴露设置在发光元件LD的相对于纵向方向(L)上的相应相对端上的第一导电类型半导体层11和第二导电类型半导体层13中的每一个的一端，例如，可以暴露圆柱体的两个基底侧(在图1a和图1b中，发光元件LD的顶表面和底表面)，而不是覆盖两个基底侧。
在实施方式中，绝缘膜INF可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氧化钛(TiO2)的至少一种绝缘材料，但不限于此。换句话说，形成绝缘膜INF的材料不限于特定材料，并且绝缘膜INF可以由公知的各种绝缘材料形成。
在实施方式中，除了第一导电类型半导体层11、有源层12、第二导电类型半导体层13和/或绝缘膜INF之外，发光元件LD还可以包括附加的其它组件。例如，发光元件LD还可以包括设置在第一导电类型半导体层11、有源层12和/或第二导电类型半导体层13的一端上的一个或多个荧光层、一个或多个有源层、一个或多个半导体层和/或一个或多个电极层。
例如，如图2a和图2b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第二导电类型半导体层13的一端上的至少一个电极层14。在实施方式中，如图3a和图3b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第一导电类型半导体层11的一端上的至少一个电极层15。
电极层14和15中的每一个可以是欧姆接触电极，但不限于此。电极层14和15中的每一个可以包括金属或金属氧化物。例如，电极层14和15中的每一个可以由透明电极材料形成，诸如铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、它们的氧化物或合金、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)或者其组合。在实施方式中，电极层14和15可以是基本上透明的或半透明的。由此，从发光元件LD产生的光可以在穿过电极层14和15之后发射到外部。
在实施方式中，绝缘膜INF可以至少部分地围绕电极层14和15的外圆周表面，或者可以不围绕其外圆周表面。换句话说，绝缘膜INF可以选择性地形成在电极层14和15的表面上。此外，绝缘膜INF可以形成为暴露发光元件LD的具有不同极性的相对端，例如，可以暴露电极层14和15中的每一个的至少一个区域。替代地，在实施方式中，可以不设置绝缘膜INF。
如果绝缘膜INF设置在发光元件LD的表面上，具体地，设置在有源层12的表面上，则可以防止有源层12与未示出的至少一个电极(例如，连接到发光元件LD的相对端的接触电极中的至少一个接触电极)等短路。因此，可以确保发光元件LD的电稳定性。在本公开的每个实施方式的描述中，术语“连接(或联接)”可以综合地指物理连接(或联接)和/或电连接(或联接)。此外，这可以综合地指直接连接(或联接)和/或间接连接(或联接)。
此外，由于形成在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF，可以最小化在发光元件LD的表面上出现的缺陷，由此可以改善发光元件LD的寿命和效率。此外，如果绝缘膜INF形成在每个发光元件LD上，则即使当多个发光元件LD彼此相邻设置时，也可以防止发光元件LD不期望地短路。
在本公开的实施方式中，可以执行表面处理工艺以制造发光元件LD。例如，可以对每个发光元件LD进行表面处理，使得当将多个发光元件LD与流体溶液(或溶剂)混合并且然后供应到每个发射区域(例如，每个像素的发射区域)时，发光元件LD可以在溶液中均匀地分散而不是不均匀地聚集。
在与此相关的不受限制的实施方式中，绝缘膜INF本身可以由使用疏水材料的疏水膜形成，或者可以在绝缘膜INF上形成由疏水材料形成的附加疏水膜。在实施方式中，疏水材料可以是含氟材料以呈现出疏水性。在实施方式中，疏水材料可以以自组装单层(SAM)的形式应用到发光元件LD。在这种情况下，疏水材料可以包括十八烷基三氯硅烷、氟代烷基三氯硅烷、全氟烷基三乙氧基硅烷等。此外，疏水材料可以是市售的含氟材料，诸如TeflonTM或CytopTM或者相应的材料。
包括上述发光元件LD的发光器件不仅可以用在显示设备中，而且可以用在需要光源的各种设备中。例如，至少一个超小型发光元件LD(例如，各自具有在从纳米级至微米级的范围内的尺寸的多个超小型发光元件LD)可以设置在显示面板的每个像素区域中，以使用超小型发光元件LD形成相应像素的光源(或光源单元)。此外，根据本公开的发光元件LD的应用领域不限于显示设备。例如，发光元件LD也可以用于需要光源的其它类型的设备(诸如照明设备)中。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示设备的平面图。在实施方式中，图4示出了显示设备，具体地，示出了设置在显示设备中的显示面板PNL作为可以使用参照图1a至图3b描述的发光元件LD作为光源的设备的示例。例如，显示面板PNL的像素PXL中的每个可以具有至少一个发光元件LD。
为了解释起见，图4集中于显示区域DA简单地示出了根据实施方式的显示面板PNL的结构。在一些实施方式中，虽然未示出，但是还可以在显示面板PNL中设置至少一个驱动电路(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)和/或多条线。
参照图4，根据本公开的实施方式的显示面板PNL可以包括基础层BSL以及设置在基础层BSL上的多个像素PXL。详细地，显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的基础层BSL可以包括用于显示图像的显示区域DA以及形成在除显示区域DA之外的预定区域中的非显示区域NDA。像素PXL可以在基础层BSL上设置在显示区域DA中。
在实施方式中，显示区域DA可以设置在显示面板PNL的中央区域中，并且非显示区域NDA可以设置在显示面板PNL的外围区域中，从而围绕显示区域DA。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，并且可以改变其位置。显示区域DA可以形成其上显示图像的屏幕。
基础层BSL可以形成显示面板PNL的基底。在实施方式中，基础层BSL可以是刚性衬底或刚性膜或者柔性衬底或柔性膜，并且其材料或性质不受特别限制。例如，基础层BSL可以是由玻璃或增强玻璃制成的刚性衬底、由塑料或金属形成的柔性衬底(或薄膜)或至少一个绝缘层，并且其材料和/或性质不受特别限制。
此外，基础层BSL可以是透明的，但本公开不限于此。例如，基础层BSL可以是透明的、半透明的、不透明的或反射性基底。
基础层BSL上的一个区域可以限定为其中设置有像素PXL的显示区域DA，并且其另一个区域可以限定为非显示区域NDA。例如，基础层BSL可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA，显示区域DA包括其中形成有相应像素PXL的多个像素区域。连接到显示区域DA的像素PXL的各种线和/或内部电路可以设置在非显示区域NDA中。
在实施方式中，像素PXL可以设置在显示区域DA的每个像素区域中。在实施方式中，像素PXL可以以条纹布置方式或PenTile布置方式布置在显示区域DA中，但是本公开不限于此。例如，像素PXL可以以各种已知的布置方式布置在显示区域DA中。
每个像素PXL可以包括由预定控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或预定电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。例如，像素PXL中的每个可以包括根据图1a至图3b的实施方式中的任一个的发光元件LD，例如，具有对应于纳米级或微米级的小尺寸的至少一个超小型杆型发光元件LD。然而，在本公开的实施方式中，可以用作像素PXL的光源的发光元件LD的类型不限于此。例如，在实施方式中，每个像素PXL可以包括具有核-壳结构并且通过生长方法制造的发光元件。在实施方式中，具有核-壳结构的发光元件可以是具有对应于纳米级至微米级的小尺寸的超小型核-壳发光元件，但是具有核-壳结构的发光元件的尺寸不受限制。
在实施方式中，每个像素PXL可以由有源像素形成。然而，能够应用于根据本公开的显示设备的像素PXL的类型、结构和/或驱动方案不受特别限制。例如，每个像素PXL可以具有与用于无源发光显示设备或有源发光显示设备的像素的结构相同的结构，无源发光显示设备或有源发光显示设备具有各种已知的结构和/或可以以各种已知的驱动方案操作。
图5a至图5e是各自示出根据本公开的实施方式的像素PXL的电路图。例如，图5a至图5e示出可应用于有源显示设备的像素PXL的不同实施方式。然而，可以应用本公开的实施方式的像素PXL和显示设备的类型不限于此。在实施方式中，在图5a至图5e中示出的每个像素PXL可以是设置在图4的显示面板PNL中的像素PXL中的任一个。像素PXL可以具有基本上相同或相似的结构。
参照图5a，根据本公开的实施方式的像素PXL可以包括配置成产生具有与数据信号对应的亮度的光的光源单元LSU。像素PXL还可以包括配置为驱动光源单元LSU的像素电路PXC。
在实施方式中，光源单元LSU可以包括彼此电连接在第一电源VDD和第二电源VSS之间的多个发光元件LD。例如，光源单元LSU可以包括连接到第一电源VDD的第一电极ET1、连接到第二电源VSS的第二电极ET2以及在相同的方向上彼此并联连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的多个发光元件LD。在实施方式中，第一电极ET1可以是阳极电极，并且第二电极ET2可以是阴极电极。
在实施方式中，发光元件LD中的每个可以包括通过第一电极ET1连接到第一电源VDD的P型端以及通过第二电极ET2连接到第二电源VSS的N型端。在实施方式中，发光元件LD可以在正向方向上并联连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间。这样，在正向方向上连接在第一电源VDD和第二电源VSS之间的发光元件LD中的每个可以形成有效光源。有效光源的群组可以形成像素PXL的光源单元LSU。
在实施方式中，第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电势，以使得发光元件LD可以发光。例如，第一电源VDD可以设置为高电势电源，并且第二电源VSS可以设置为低电势电源。这里，在像素PXL的至少一个发射周期期间，第一电源VDD和第二电源VSS之间的电势差可以设置为发光元件LD的阈值电压或更大的电压。
在实施方式中，形成每个光源单元LSU的发光元件LD的第一端(例如，P型端)可以通过光源单元LSU的一个电极(例如，每个像素PXL的第一电极ET1(也称为“第一像素电极”))公共连接到像素电路PXC，并且通过像素电路PXC和第一电力线PL1连接到第一电源VDD。发光元件LD的第二端(例如，N型端)可以通过光源单元LSU的另一电极(例如，每个像素PXL的第二电极ET2(也称为“第二像素电极”))和第二电力线PL2公共连接到第二电源VSS。
光源单元LSU的发光元件LD可以发射具有与通过像素电路PXC提供给其的驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路PXC可以向光源单元LSU提供与相应帧的数据的灰度级值对应的驱动电流。提供给光源单元LSU的驱动电流可以被分成流向在正向方向上连接的发光元件LD的部分。因此，发光元件LD中的每个可以发射具有与施加至其的电流对应的亮度的光，使得光源单元LSU可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
在实施方式中，除了包括形成每个有效光源的发光元件LD之外，光源单元LSU还可以包括至少一个无效光源。例如，至少一个反向发光元件LDrv可以进一步连接在光源单元LSU的第一电极ET1和第二电极ET2之间。
每个反向发光元件LDrv与形成有效光源的发光元件LD一起可以彼此并联连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间，并且可以在与发光元件LD的方向相反的方向上连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间。例如，反向发光元件LDrv的N型端可以经由第一电极ET1连接到第一电源VDD。反向发光元件LDrv的P型端可以经由第二电极ET2连接到第二电源VSS。即使当在第一电极ET1和第二电极ET2之间施加预定的驱动电压(例如，正常方向驱动电压)时，反向发光元件LDrv仍保持停用。因此，电流基本上不流过反向发光元件LDrv。
像素电路PXC可以连接到相应像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果像素PXL设置在显示区域DA的第i行(i是自然数)和第j列(j是自然数)上，则像素PXL的像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。在实施方式中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。
第一晶体管(也称为“驱动晶体管”)T1连接在第一电源VDD和光源单元LSU之间。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制要提供给光源单元LSU的驱动电流。
第二晶体管(也称为“开关晶体管”)T2可以连接在数据线Dj和第一节点N1之间。第二晶体管T2的栅电极连接到扫描线Si。当从扫描线Si提供具有栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第一节点N1电连接到数据线Dj。
在每个帧周期期间，相应帧的数据信号被提供给数据线Dj。数据信号经由第二晶体管T2传输到第一节点N1。由此，与数据信号对应的电压充入到存储电容器Cst。
存储电容器Cst的一个电极连接到第一电源VDD，并且其另一电极连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以充入与在每个帧周期期间要提供给第一节点N1的数据信号对应的电压。
尽管在图5a中，像素电路PXC中所包含的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换句话说，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以改变为N型晶体管。
例如，如图5b中所示，第一晶体管T1和第二晶体管T2两者可以由N型晶体管形成。在这种情况下，用于在每个帧周期中将提供给数据线Dj的数据信号写入像素PXL的扫描信号的栅极导通电压可以是高电平电压。同样，用于导通第一晶体管T1的数据信号的电压可以是具有与图5a的实施方式的电平相反的电平的电压。例如，在图5b的实施方式中，随着要表现的灰度级值的增加，可以提供具有较高电压的数据信号。
除了一些电路元件的连接位置和控制信号(例如，扫描信号和数据信号)的电压电平根据晶体管类型的变化而变化之外，图5b中所示的像素PXL在配置和操作上与图5a的像素PXL基本相似。因此，将省略图5b的像素PXL详细描述。
像素电路PXC的结构不限于图5a和图5b中所示的实施方式。换句话说，像素电路PXC可以由可以具有各种结构和/或由各种驱动方案操作的公知的像素电路形成。例如，像素电路PXC可以以与图5c中所示的实施方式的配置方式相同的方式配置。
参照图5c，像素电路PXC不仅可以连接到相应水平线的扫描线Si，而且还可以连接到至少一个另一扫描线(或控制线)。例如，设置在显示区域DA的第i行上的像素PXL的像素电路PXC还可以连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施方式中，像素电路PXC不仅可以连接到第一电源VDD和第二电源VSS，而且还可以连接到第三电源。例如，像素电路PXC还可以连接到初始化电源Vint。在实施方式中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。
第一晶体管T1可以连接在第一电源VDD和光源单元LSU之间。例如，第一晶体管T1的第一电极(例如，源电极)可以通过第五晶体管T5和第一电力线PL1连接到第一电源VDD，并且第一晶体管T1的第二电极(例如，漏电极)可以通过第六晶体管T6连接到光源单元LSU的电极(例如，相应像素PXL的第一接触电极和/或第一像素电极)。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压控制要提供给光源单元LSU的驱动电流。
第二晶体管T2连接在数据线Dj和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到相应的扫描线Si。当从扫描线Si提供具有栅极导通电压的扫描信号时，第二晶体管T2可以导通以将数据线Dj电连接到第一晶体管T1的第一电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从数据线Dj提供的数据信号可以传输到第一晶体管T1。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的另一电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到相应的扫描线Si。当从扫描线Si提供具有栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以二极管形式电连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4可以连接在第一节点N1和初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号被提供到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以传输到第一节点N1。在实施方式中，当第一晶体管T1是P型晶体管时，用于初始化第一晶体管T1的栅极电压的初始化电源Vint的电压可以小于或等于数据信号的最低电压。
第五晶体管T5连接在第一电源VDD和第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极连接到相应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。当具有栅极截止电压(例如，高电平电压)的发射控制信号提供给发射控制线Ei时，第五晶体管T5可以截止，并且第五晶体管T5可以在其它情况下导通。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1和光源单元LSU之间。第六晶体管T6的栅电极连接到相应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。当具有栅极截止电压的发射控制信号提供给发射控制线Ei时，第六晶体管T6可以截止，并且第六晶体管T6可以在其它情况下导通。
第七晶体管T7连接在光源单元LSU的电极(例如，相应像素PXL的第一像素电极)和初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极连接到后续级(后续水平像素行)的扫描线中的任一个，例如连接到第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号提供给第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以提供给光源单元LSU的电极。在这种情况下，在初始化电源Vint的电压传输到光源单元LSU的每个初始化周期期间，光源单元LSU的电极的电压可以被初始化。用于控制第七晶体管T7的操作的控制信号可以以各种方式改变。例如，在实施方式中，第七晶体管T7的栅电极可以连接到相应水平线的扫描线，即第i扫描线Si。在这种情况下，当具有栅极导通电压的扫描信号提供给第i扫描线Si时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以提供给光源单元LSU的电极。
存储电容器Cst可以连接在第一电源VDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧周期期间施加到第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。
尽管在图5c中像素电路PXC中所包括的晶体管(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7)已示出为由P型晶体管形成，本公开不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以改变为N型晶体管。
尽管图5a至图5c示出了其中构成每个光源单元LSU的所有有效光源(即，发光元件LD)彼此并联连接的实施方式，但是本公开不限于此。例如，在本公开的实施方式中，如图5d和图5e中所示，每个像素PXL的光源单元LSU可以配置为包括串联结构。在图5d和图5e的实施方式的以下描述中，将省略与图5a至图5c的实施方式的组件类似或等同的组件(例如，像素电路PXC)的详细解释。
参照图5d，光源单元LSU可以包括彼此串联连接的多个发光元件。例如，光源单元LSU可以包括第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3在正向方向上串联连接在第一电源VDD和第二电源VSS之间并构成每个有效光源。在下文中，当指定第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的特定发光元件时，相应的发光元件将被称为第一发光元件LD1、第二发光元件LD2或第三发光元件LD3。术语“发光元件(light emitting element)LD”或“发光元件(light emitting elements)LD”将用于任意指定第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的至少一个发光元件，或者包含地指定第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3。
第一发光元件LD1的P型端可以通过光源单元LSU的第一电极ET1连接到第一电源VDD。第一发光元件LD1的N型端可以连接到第二发光元件LD2的P型端。第二发光元件LD2的P型端可以连接到第一发光元件LD1的N型端。第二发光元件LD2的N型端可以连接到第三发光元件LD3的P型端。第三发光元件LD3的P型端可以连接到第二发光元件LD2的N型端。第三发光元件LD3的N型端可以通过光源单元LSU的第二电极ET2连接到第二电源VSS。以此方式，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以串联连接在光源单元LSU的第一电极ET1和第二电极ET2之间。
尽管在图5d中示出了发光元件LD连接成具有三级串联结构的实施方式，但是本公开不限于此。例如，在本公开的实施方式中，两个发光元件LD可以连接成具有两级串联结构，或者四个或更多个发光元件LD可以连接成具有四级或更多级串联结构。
当假设使用具有相同条件(例如，相同的尺寸和/或数量)的发光元件LD表示相同的亮度时，与具有发光元件LD并联连接的结构的光源单元LSU相比，在具有发光元件LD串联连接的结构的光源单元LSU中，施加在第一电极ET1和第二电极ET2之间的电压可以增加，并且流向光源单元LSU的驱动电流量可以减小。因此，在每个像素PXL的光源单元LSU由串联结构形成的情况下，当驱动显示设备时，流过显示面板PNL的面板电流可以减小。因此，可以降低功耗。上述串联连接结构可以有效地用于减小其中面板电流相对大的大显示面板PNL中的面板电流。
在实施方式中，至少一个串联级可以包括彼此并联连接的多个发光元件LD。在这种情况下，光源单元LSU可以由串联/并联组合结构形成。例如，光源单元LSU可以如图5e的实施方式中所示那样配置。
参照图5e，光源单元LSU的每个串联级可以包括彼此并联连接的多个发光元件LD。例如，光源单元LSU可以包括设置在第一级(也称为“第一串联级”或“第一行”)中的多个第一发光元件LD1以及设置在第一级之后的第二级(也称为“第二串联级”或“第二行”)中的多个第二发光元件LD2。此外，光源单元LSU还可以选择性地包括在第二级之后的至少一个串联级。例如，光源单元LSU还可以包括设置在第二级之后的第三级(称为“第三串联级”或“第三行”)中的多个第三发光元件LD3。此外，在实施方式中，至少一个串联级还可以包括至少一个反向发光元件LDrv，但是本公开不限于此。
第一发光元件LD1可以彼此并联连接在第一级的第一电极ET11和第二电极ET21之间。第二发光元件LD2可以彼此并联连接在第二级的第一电极ET12和第二电极ET22之间。第三发光元件LD3可以彼此并联连接在第三级的第一电极ET13和第二电极ET23之间。
在实施方式中，设置在每个串联级中的第一电极ET11至ET13和第二电极ET21至ET23可以形成分散并且设置在光源单元LSU中的分离电极。在下文中，术语“第一电极ET1”(也称为“第一分离电极”)将被用于任意地指定设置在每个串联级中的第一电极ET11至ET13(也称为“第一分离电极”)中的至少一个第一电极，或者包含地指定设置在每个串联级中的第一电极ET11至ET13。同样，术语“第二电极ET2”(也称为“第二分离电极”)将被用于任意地指定设置在每个串联级中的第二电极ET21至ET23(也称为“第二分离电极”)中的至少一个第二电极，或者包含地指定设置在每个串联级中的第二电极ET21至ET23。
这样，在通过以串联/并联组合结构连接多个发光元件LD来配置每个像素PXL的光源单元LSU的情况下，可以容易地与所需产品的规格对应地控制驱动电流/电压条件。例如，当假设具有相同条件(例如，相同尺寸和/或数量)的发光元件LD被使用并且表示相同的亮度时，与如图3a至图3c的实施方式中所示的、具有其中所有发光元件LD彼此并联连接的结构的光源单元LSU的驱动电流相比，其中发光元件LD以串联/并联组合结构连接的光源单元LSU能够减小驱动电流，并且与如图3d的实施方式中所示的、具有其中所有发光元件LD串联连接的结构的光源单元LSU的驱动电压相比，其中发光元件LD以串联/并联组合结构连接的光源单元LSU能够减小施加到光源单元LSU的相对端的驱动电压。在所有发光元件LD串联连接的情况下，如果彼此串联连接的发光元件LD中的至少一个不有效连接在正向方向上，则阻断像素PXL的驱动电流能够沿其流动的路径，由此可引起黑点缺陷。另一方面，在发光元件LD以串联/并联组合结构彼此连接的情况下，即使每个串联级中的一些发光元件LD未在正向方向上完全连接或者在一些发光元件LD中出现缺陷，也允许驱动电流流过相应串联级的其它发光元件LD。因此，可以防止或减少像素PXL的缺陷。
如前述实施方式中所示，根据本公开的实施方式的像素PXL可以包括可以具有各种结构的像素电路PXC和/或光源单元LSU。可以应用于本公开的像素PXL的结构不限于图5a至图5e中所示的实施方式，并且每个像素PXL可以具有各种公知的结构。例如，包括在每个像素PXL中的像素电路PXC可以由可以具有各种结构和/或由各种驱动方案操作的公知的像素电路形成。在本公开的实施方式中，每个像素PXL可以配置在无源发光显示设备等中。在这种情况下，可以省略像素电路PXC，并且光源单元LSU的第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以直接连接到扫描线Si、数据线Dj、电力线和/或控制线。
图6和图7是各自示出根据本公开的实施方式的像素PXL的平面图。在实施方式中，在图6和图7中示出的每个像素PXL可以是图4至图5e中所示的像素PXL中的任一个。例如，图6和图7中所示的每个像素PXL可以是根据图5e的实施方式的像素PXL。此外，在实施方式中，设置在显示区域(图4的DA)中的像素PXL可以具有基本上相同或相似的结构。
在实施方式中，图6和图7集中在像素PXL的光源单元LSU示出了根据每个实施方式的像素PXL的结构。这里，像素PXL还可以包括用于控制每个光源单元LSU的电路元件(例如，形成图5a至图5e的像素电路PXC的至少一个电路元件)。在实施方式中，电路元件可以设置在与光源单元LSU的层不同的层上。例如，电路元件可以设置在位于基础层BSL的一个表面上的像素电路层中，并且光源单元LSU可以设置在显示元件层中，显示元件层设置在像素电路层上。
此外，在实施方式中，图6和图7示出了其中每个光源单元LSU通过第一接触孔CH1和第二接触孔CH2连接到预定电力线(例如，第一电力线PL1和/或第二电力线PL2)、电路元件(例如，形成像素电路PXC的至少一个电路元件)和/或信号线(例如，扫描线Si和/或数据线Dj)的实施方式，但本公开不限于此。例如，在本公开的实施方式中，每个像素PXL的第一电极ET1和第二电极ET2中的至少一个可以直接连接到预定电力线和/或信号线，而不使用例如接触孔和/或中间线。
参照图6，根据本公开的实施方式的像素PXL可以包括彼此分离并且分散在发射区域EMA中的多个第一电极ET1和多个第二电极ET2以及以串联/并联组合结构连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的多个发光元件LD。在实施方式中，每个像素PXL的发射区域EMA可以指其中设置有形成像素PXL的光源单元LSU的发光元件LD的区域。除了发光元件LD之外，连接到发光元件LD的第一电极ET1和第二电极ET2也可以设置在发射区域EMA中。
在实施方式中，发射区域EMA可以被遮光堤和/或反射堤(也称为“像素限定层”)BNK围绕。例如，每个像素PXL的发射区域EMA可以由堤BNK限定和/或划分。
在实施方式中，堤BNK可以设置成围绕每个发射区域EMA。例如，堤BNK可以设置在像素PXL的发射区域EMA之间，使得堤BNK设置在每个像素PXL的外围区域和/或相邻像素PXL之间的区域中。
在实施方式中，第一电极ET1和第二电极ET2可以以矩阵的形式在第一方向(例如，列方向或竖直方向)DR1和第二方向(例如，行方向或水平方向)DR2上分散在发射区域EMA中。在下面的描述中，可以将关于第一方向DR1设置有每个串联级的第一电极ET1和第二电极ET2以及发光元件LD的区域限定为子区域。例如，如果光源单元LSU包括分散和布置在三个串联级中的多个发光元件LD，则其中设置有光源单元LSU的发射区域EMA可以相对于第一方向DR1分割成三个子区域。例如，发射区域EMA可以包括在第一方向DR1上连续设置的第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3。
至少一对第一级第一电极ET11和第一级第二电极ET21以及连接在它们之间的多个第一发光元件LD1可以设置在第一子区域SAR1中。例如，多个第一级第一电极ET11和多个第一级第二电极ET21可以设置在第一子区域SAR1中。此外，还可以在第一子区域SAR2中选择性地设置分别对应于第一级的第一电极ET11和第二电极ET21的至少一对第一级第一接触电极CE11和第一级第二接触电极CE21。
第一级的第一电极ET11和第二电极ET21可以在第一子区域SAR1中设置在彼此间隔开的位置处。在实施方式中，第一级的第一电极ET11和第二电极ET21可以规则地布置在第一子区域SAR1中，但是本公开不限于此。
在实施方式中，第一级的第一电极ET11和第二电极ET21各自可以具有在第一子区域SAR1中在一个方向上延伸的棒形状。例如，第一级的第一电极ET11和第二电极ET21各自可以具有在第一方向DR1上延伸的棒形状，并且第一级的第一电极ET11和第二电极ET21可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上连续地或交替地设置在彼此间隔开的位置处。然而，第一级的第一电极ET11和第二电极ET21的形状、定向和/或相对设置结构不限于此，并且可以以各种方式改变。例如，在实施方式中，第一级的第一电极ET11和第二电极ET21可以以双螺旋结构等设置在彼此间隔开的位置处。
在实施方式中，每个第一级第一电极ET11可以一体或非一体地连接到第一线(也称为“第一连接线”或“第一连接图案”)LI1。例如，每个像素PXL还可以包括连接到至少一个第一级第一电极ET11的第一线LI1。例如，每个像素PXL还可以包括一体连接到多个第一级第一电极ET11的第一线LI1。在这种情况下，第一级第一电极ET11和第一线LI1可以被认为是一个电极、一个线或一个图案的不同区域。
在实施方式中，在第一级第一电极ET11和第一线LI1之间的区域中，形成第一级第一电极ET11和第一线LI1的导电图案的宽度可以局部减小。如果使用上述结构，则可以根据需要容易地将任一个第一级第一电极ET11与第一线LI1分离。例如，在连接到任一个第一级第一电极ET11的至少一个第一发光元件LD1中发生短路缺陷的情况下，任一个第一级第一电极ET11可以与第一线LI1分离，以允许由于短路缺陷引起的像素PXL的缺陷被修复。然而，本公开不限于此。例如，在实施方式中，每个第一级第一电极ET11的宽度可以保持恒定到其中第一级第一电极ET11连接到第一线LI1的区域。
在实施方式中，在操作显示设备的周期期间，可以向第一线LI1提供第一电源VDD或第一驱动信号(例如，扫描信号、数据信号或预定其它控制信号)。在实施方式中，第一线LI1可以电连接到第一接触孔CH1、预定电路元件(例如，形成像素电路PXC的至少一个晶体管)、电力线(例如，第一电力线PL1)和/或信号线(例如，扫描线Si、数据线Dj或预定控制线)。例如，第一线LI1可以通过第一接触孔CH1电连接到设置在其下的预定电路元件，并且通过电路元件连接到第一电力线PL1。在实施方式中，第一线LI1可以经由第一接触孔CH1等连接到被提供有预定的第一驱动信号的信号线。在实施方式中，第一线LI1可以直接连接到第一电力线PL1或预定信号线，而不使用第一接触孔CH1和/或电路元件。在这种情况下，第一线LI1可以一体地或非一体地连接到第一电力线PL1或预定信号线。
在实施方式中，连接到像素PXL中的每个的第一级第一电极ET11的第一线LI1可以首先制造成公共连接到多个像素PXL，并且在对准发光元件LD的步骤中被提供第一对准信号(或第一对准电压)。此后，像素PXL之间的第一线LI1可以断开连接(断开)，使得像素PXL可以制造成能够被单独操作。
在实施方式中，每个第一级第二电极ET21可以具有分离的独立图案形状。每个第一级第二电极ET21可以电连接到后续级的至少一个电极。例如，每个第一级第二电极ET21可以通过相应的第一级第二接触电极CE21或不使用第一级第二接触电极CE21电连接到任一个第二级第一电极ET12和/或任一个第二级第一接触电极CE12。
多个第一发光元件LD1可以设置在第一级的第一电极ET11和第二电极ET21之间。例如，多个第一发光元件LD1可以彼此平行布置在每个第一级第一电极ET11和相应的第一级第二电极ET21之间。
每个第一发光元件LD1可以包括连接到任一个第一级第一电极ET11的第一端EP1和连接到任一个第一级第二电极ET21的第二端EP2。在实施方式中，第一端EP1可以是P型端，并且第二端EP2可以是N型端。
在实施方式中，每个第一发光元件LD1可以在正向方向上连接在第一级的第一电极ET11和第二电极ET21之间。例如，第一发光元件LD1中的每个的第一端EP1可以直接连接到任一个第一级第一电极ET11，或者可以通过任一个第一级第一接触电极CE11连接到任一个第一级第一电极ET11。同样地，第一发光元件LD1中的每个的第二端EP2可以直接连接到任一个第一级第二电极ET21，或者可以通过任一个第一级第二接触电极CE21连接到任一个第一级第二电极ET21。第一发光元件LD1可以形成第一级的有效光源。
在实施方式中，在与第一发光元件LD1的方向相反的方向上连接的至少一个反向发光元件LDrv可以进一步连接在第一级的第一电极ET11和第二电极ET21之间。至少一个反向发光元件LDrv可以在像素PXL中保持禁用。
在实施方式中，每个第一级第一接触电极CE11可以设置在每个相应的第一级第一电极ET11上。每个第一级第二接触电极CE21可以设置在每个相应的第一级第二电极ET21上。例如，在多个第一级第一电极ET11和多个第一级第二电极ET21设置在第一子区域SAR1中的情况下，设置在每个第一级第一电极ET11上的多个第一级第一接触电极CE11和设置在每个第一级第二电极ET21上的多个第一级第二接触电极CE21可以设置在第一子区域SAR1中。在实施方式中，第一级的第一接触电极CE11和第二接触电极CE21可以在第一子区域SAR1中在第二方向DR2上连续或交替设置在彼此间隔开的位置处。
每个第一级第一接触电极CE11可以设置在每个相应的第一级第一电极ET11和与第一级第一电极ET11相邻的至少一个第一发光元件LD1的第一端EP1上，并且将第一端EP1电连接到相应的第一级第一电极ET11。类似地，每个第一级第二接触电极CE21可以设置在每个相应的第一级第二电极ET21和与第一级第二电极ET21相邻的至少一个第一发光元件LD1的第二端EP2上，并且将第二端EP2电连接到相应的第一级第二电极ET21。例如，第一级的第一接触电极CE11和第二接触电极CE21可以将第一发光元件LD1电连接在第一级的第一电极ET11和第二电极ET21之间。
在实施方式中，每个第一级第一接触电极CE11可以具有分离的单独图案形状。每个第一级第二接触电极CE21可以与至少一个第二级第一接触电极CE12一体地或非一体地连接。例如，配置成将每个第一级第二接触电极CE21连接到后续级的至少一个第二级第一接触电极CE12的至少一个第1-2级连接电极SCE1-2可以设置在第一子区域SAR1和第二子区域SAR2之间的边界区域中。
在实施方式中，第1-2级连接电极SCE1-2可以在第一子区域SAR1和第二子区域SAR2之间的边界区域中在与第一方向DR1和第二方向DR2相交的第三方向DR3(例如，对角线方向)上延伸，并且将每个第一级第二接触电极CE21与至少一个第二级第一接触电极CE12连接。例如，第1-2级连接电极SCE1-2可以在第一子区域SAR1和第二子区域SAR2之间的边界区域中在对角线方向上延伸，并且将每个第一级第二接触电极CE21连接到至少一个第二级第一接触电极CE12。
在实施方式中，第1-2级连接电极SCE1-2可以与至少一个第一级第二接触电极CE21和至少一个第二级第一接触电极CE12一体连接。在这种情况下，在形成每个级的第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的步骤中，用于将每个级的发光元件LD串联连接的至少一个连接电极(也称为“连接器”、“桥接部”或“桥图图案”)SCE可以与其同时形成。因此，可以简化制造像素PXL和包括像素PXL的显示设备的工艺，并且可以提高其效率。在设置在两个连续串联级中的多个接触电极和连接多个接触电极的至少一个连接电极SCE(例如，至少一个第一级第二接触电极CE21、至少一个第二级第一接触电极CE12和第1-2级连接电极SCE1-2)彼此一体连接的情况下，它们可以被认为是一个接触电极的不同的预定区域。
至少一对第二级第一电极ET12和第二级第二电极ET22以及连接在它们之间的多个第二发光元件LD2可以设置在第二子区域SAR2中。例如，多个第二级第一电极ET12和多个第二级第二电极ET22可以设置在第二子区域SAR2中。此外，还可以在第二子区域SAR2中选择性地设置分别对应于第二级的第一电极ET12和第二电极ET22的至少一对第二级第一接触电极CE12和第二级第二接触电极CE22。
第二级的第一电极ET12和第二电极ET22可以在第二子区域SAR2中设置在彼此间隔开的位置处。在实施方式中，第二级的第一电极ET12和第二电极ET22可以规则地布置在第二子区域SAR2中，但是本公开不限于此。
在实施方式中，第二级的第一电极ET12和第二电极ET22各自可以具有在第二子区域SAR2中在一个方向上延伸的棒形状。例如，第二级的第一电极ET12和第二电极ET22各自可以具有在第一方向DR1上延伸的棒形状，并且在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上连续地和/或交替地设置在彼此间隔开的位置处。然而，第二级的第一电极ET12和第二电极ET22的形状、定向和/或相对设置结构可以以各种方式改变。
在实施方式中，作为串联结构的中间级的第二级的第一电极ET12和第二电极ET22中的每一个可以具有分离的单独图案形状。第二级的第一电极ET12和第二电极ET22中的每一个可以连接到前一级(即，第一级)或后一级(即，第三级)的至少一个电极。例如，每个第二级第一电极ET12可以通过相应的第二级第一接触电极CE12或者不使用第二级第一接触电极CE12电连接到任一个第一级(即，前一级)第二电极ET21和/或任一个第一级第二接触电极CE21。每个第二级第二电极ET22可以通过相应的第二级第二接触电极CE22或者不使用第二级第二接触电极CE22电连接到任一个第三级(即，后一级)第一电极ET13和/或任一个第三级第一接触电极CE13。
在实施方式中，在光源单元LSU仅具有两级串联结构的情况下，每个第二级第一电极ET12可以具有分离的单独图案形状，并且每个第二级第二电极ET22可以直接连接到被提供有与第一线L1的电源电压或信号不同的电源电压(例如，第二电源VSS)和/或信号(例如，第二驱动信号)的第二线L2。
多个第二发光元件LD2可以设置在第二级的第一电极ET12和第二电极ET22之间。例如，多个第二发光元件LD2可以彼此平行地布置在每个第二级第一电极ET12和相应的第二级第二电极ET22之间。
每个第二发光元件LD2可以包括连接到任一个第二级第一电极ET12的第一端EP1和连接到任一个第二级第二电极ET22的第二端EP2。在实施方式中，第一端EP1可以是P型端，并且第二端EP2可以是N型端。
在实施方式中，每个第二发光元件LD2可以在正向方向上连接在第二级的第一电极ET12和第二电极ET22之间。例如，第二发光元件LD2中的每个的第一端EP1可以直接连接到任一个第二级第一电极ET12，或者可以通过任一个第二级第一接触电极CE12连接到任一个第二级第一电极ET12。同样地，第二发光元件LD2中的每个的第二端EP2可以直接连接到任一个第二级第二电极ET22，或者可以通过任一个第二级第二接触电极CE22连接到任一个第二级第二电极ET22。第二发光元件LD2可以形成第二级的有效光源。
在实施方式中，在与第二发光元件LD2的方向相反的方向上连接的至少一个反向发光元件LDrv可以进一步连接在第二级的第一电极ET12和第二电极ET22之间。至少一个反向发光元件LDrv可以在像素PXL中保持禁用。
在实施方式中，每个第二级第一接触电极CE12可以设置在每个相应的第二级第一电极ET12上。每个第二级第二接触电极CE22可以设置在每个相应的第二级第二电极ET22上。例如，在多个第二级第一电极ET12和多个第二级第二电极ET22设置在第二子区域SAR2中的情况下，设置在每个第二级第一电极ET12上的多个第二级第一接触电极CE12和设置在每个第二级第二电极ET22上的多个第二级第二接触电极CE22可以设置在第二子区域SAR2中。在实施方式中，第二级的第一接触电极CE12和第二接触电极CE22可以在第二子区域SAR2中在第二方向DR2上连续或交替设置在彼此间隔开的位置处。
每个第二级第一接触电极CE12可以设置在每个相应的第二级第一电极ET12和与第二级第一电极ET12相邻的至少一个第二发光元件LD2的第一端EP1上，并且将第一端EP1电连接到相应的第二级第一电极ET12。同样，每个第二级第二接触电极CE22可以设置在每个相应的第二级第二电极ET22和与第二级第二电极ET22相邻的至少一个第二发光元件LD2的第二端EP2上，并且将第二端EP2电连接到相应的第二级第二电极ET22。例如，第二级的第一接触电极CE12和第二接触电极CE22可以将第二发光元件LD2电连接在第二级的第一电极ET12和第二电极ET22之间。
在实施方式中，每个第二级第一接触电极CE11可以与至少一个第一级(即，前一级)第二接触电极CE21一体或非一体连接。每个第二级第二接触电极CE22可以与至少一个第三级(即，后一级)第一接触电极CE13一体或非一体连接。例如，配置为连接至少一个第一级第二接触电极CE21和至少一个第二级第一接触电极CE12的至少一个第1-2级连接电极SCE1-2可以设置在第一子区域SAR1和第二子区域SAR2之间的边界区域中。例如，配置为连接至少一个第二级第二接触电极CE22和至少一个第三级第一接触电极CE13的至少一个第2-3级连接电极SCE2-3可以设置在第二子区域SAR2和第三子区域SAR3之间的边界区域中。
在实施方式中，第2-3级连接电极SCE2-3可以在第二子区域SAR2和第三子区域SAR3之间的边界区域中在与第一方向DR1和第二方向DR2相交的第三方向DR3上延伸，并且将每个第二级第二接触电极CE22与至少一个第三级第一接触电极CE13连接。例如，第2-3级连接电极SCE2-3可以在第二子区域SAR2和第三子区域SAR3之间的边界区域中在对角线方向上延伸，并且将每个第二级第二接触电极CE22连接到至少一个第三级第一接触电极CE13。在实施方式中，第2-3级连接电极SCE2-3可以与至少一个第二级第二接触电极CE22和至少一个第三级第一接触电极CE13一体连接。
在实施方式中，如果光源单元LSU仅具有两级串联结构，则每个第二级第二接触电极CE22可以具有分离的单独图案形状。在这种情况下，每个第二级第二接触电极CE22可以通过第二级第二电极ET22连接到第二线LI2。
至少一对第三级第一电极ET13和第三级第二电极ET23以及连接在它们之间的多个第三发光元件LD3可以设置在第三子区域SAR3中。例如，多个第三级第一电极ET13和多个第三级第二电极ET23可以设置在第三子区域SAR3中。此外，还可以在第三子区域SAR3中选择性地设置分别对应于第三级的第一电极ET13和第二电极ET23的至少一对第三级第一接触电极CE13和第三级第二接触电极CE23。
第三级的第一电极ET13和第二电极ET23可以在第三子区域SAR3中设置在彼此间隔开的位置处。在实施方式中，第三级的第一电极ET13和第二电极ET23可以规则地布置在第三子区域SAR3中，但是本公开不限于此。
在实施方式中，第三级的第一电极ET13和第二电极ET23各自可以具有在第三子区域SAR3中在一个方向上延伸的棒形状。例如，第三级的第一电极ET13和第二电极ET23各自可以具有在第一方向DR1上延伸的棒形状，并且在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上连续地或交替地设置在彼此间隔开的位置处。然而，第三级的第一电极ET13和第二电极ET23的形状、定向和/或相对设置结构可以以各种方式改变。
在实施方式中，每个第三级第一电极ET13可以具有分离的单独图案形状。每个第三级第一电极ET13可以电连接到前一级的至少一个电极。例如，每个第三级第一电极ET13可以通过相应的第三级第一接触电极CE13或不使用第三级第一接触电极CE13电连接到任一个第二级第二电极ET22和/或任一个第二级第二接触电极CE22。
在实施方式中，每个第三级第二电极ET23可以一体或非一体地连接到第二线(也称为“第二连接线”或“第二连接图案”)LI2。例如，每个像素PXL还可以包括连接到至少一个第三级第二电极ET23的第二线LI2。例如，每个像素PXL还可以包括与多个第三级第二电极ET23一体连接的第二线LI2。在这种情况下，第三级第二电极ET23和第二线LI2可以被认为是一个电极、一个线或一个图案的不同区域。
在实施方式中，在第三级第二电极ET23和第二线LI2之间的区域中，形成第三级第二电极ET23和第二线LI2的导电图案的宽度可以局部减小。如果使用上述结构，则可以根据需要容易地将任一个第三级第二电极ET23与第二线LI2分离。例如，在连接到任一个第三级第二电极ET23的至少一个第三发光元件LD3中出现短路缺陷的情况下，任一个第三级第二电极ET23可以与第二线LI2分离，以允许由于短路缺陷引起的像素PXL的缺陷被修复。然而，本公开不限于此。例如，在实施方式中，每个第三级第二电极ET23的宽度可以保持恒定到其中第三级第二电极ET23连接到第二线LI2的区域。
在实施方式中，在显示设备工作的周期期间，可以向第二线LI2提供第二电源VSS或第二驱动信号(例如，扫描信号、数据信号或预定的其它控制信号)。在实施方式中，第二线LI2可以电连接到第二接触孔CH2、预定电路元件(例如，形成像素电路PXC的至少一个晶体管)、电力线(例如，第二电力线PL2)和/或信号线(例如，扫描线Si、数据线Dj或预定控制线)。例如，第二线LI2可以通过第二接触孔CH2连接到设置在其下方的第二电力线PL2。在实施方式中，第二线LI2可以直接连接到第二电力线PL2或预定信号线，而不使用例如第二接触孔CH2和/或电路元件。在这种情况下，第二线LI2可以一体地或非一体地连接到第二电力线PL2或预定信号线。
在实施方式中，连接到像素PXL中的每个的最后级(例如，第三级)的第二电极ET13的第二线LI2可以公共连接到多个像素PXL。在对准发光元件LD的步骤中，可以向第二线LI2提供预定的第二对准信号(或第二对准电压)。在实际驱动显示设备的周期期间，可以向第二线LI2提供第二电源VSS或预定的第二驱动信号。
多个第三发光元件LD3可以设置在第三级的第一电极ET13和第二电极ET23之间。例如，多个第三发光元件LD3可以彼此平行地布置在每个第三级第一电极ET13和相应的第三级第二电极ET23之间。
每个第三发光元件LD3可以包括连接到任一个第三级第一电极ET13的第一端EP1和连接到任一个第三级第二电极ET23的第二端EP2。在实施方式中，第一端EP1可以是P型端，并且第二端EP2可以是N型端。
在实施方式中，每个第三发光元件LD3可以在正向方向上连接在第三级的第一电极ET13和第二电极ET23之间。例如，第三发光元件LD3中的每个的第一端EP1可以直接连接到任一个第三级第一电极ET13，或者可以通过任一个第三级第一接触电极CE13连接到任一个第三级第一电极ET13。同样，第三发光元件LD3中的每个的第二端EP2可以直接连接到任一个第三级第二电极ET23，或者可以通过任一个第三级第二接触电极CE23连接到任一个第三级第二电极ET23。第三发光元件LD3可以形成第三级的有效光源。
在实施方式中，在与第三发光元件LD3的方向相反的方向上连接的至少一个反向发光元件LDrv可以进一步连接在第三级的第一电极ET13和第二电极ET23之间。至少一个反向发光元件LDrv可以在像素PXL中保持禁用。例如，除了包括设置在发射区域EMA中以形成有效光源的多个发光元件LD(例如，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和/或第三发光元件LD3)之外，像素PXL还可以包括设置在发射区域EMA中的至少一个反向发光元件LDrv。
在实施方式中，设置在发射区域EMA中的发光元件LD的数量可以大于反向发光元件LDrv的数量。例如，第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3中的每一个可以包括第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3，第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3的数量大于反向发光元件LDrv的数量。
在实施方式中，在对准发光元件LD的步骤中，可以通过调节施加到各个对准电极的对准信号(或对准电压)或形成磁场来控制提供到发射区域EMA的发光元件在任一个方向(例如，正向方向)上对准和偏置。例如，在对准发光元件LD的步骤中，当调整对准信号的波形或者在每个发射区域EMA中形成磁场时，在正向方向上定向成使得其每个第一端EP1朝向第一对准电极定向并且其每个第二端EP2朝向第二对准电极定向的发光元件LD的数量可以控制为大于定向成使得其每个第一端EP1朝向第二对准电极定向并且其每个第二端EP2朝向第一对准电极定向的反向发光元件LDrv的数量。例如，可以通过控制工艺条件来对准发光元件LD，使得在正向方向上定向的发光元件LD的数量与反向发光元件LDrv的数量的比变为大约80:20。
在实施方式中，设置在发射区域EMA中的发光元件LD中的每个可以是由具有无机晶体结构的材料制成并且具有例如在纳米级至微米级的范围内的超小型尺寸的发光元件。例如，每个发光元件LD可以是尺寸在从纳米级至微米级的范围内的超小型杆型发光元件(如图1a至图3b中所示)。发光元件LD的尺寸、类型、形状等可以以各种方式改变。
尽管图6示出了，在一对第一电极ET1和第二电极ET2设置成彼此面向的区域中，每个发光元件LD在第一方向DR1上均匀地水平布置在第一电极ET1和第二电极ET2之间，但是本公开不限于此。例如，发光元件LD中的至少一个可以在对角线方向上布置和/或连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间。替代地，尽管未在图6中示出，但是还可以在每个像素区域和/或设置在像素区域周围的区域中设置未完全连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的至少一个发光元件(例如，除了反向发光元件LDrv之外的无效光源)。
在实施方式中，发光元件LD可以以散布在预定溶液中的形式制备，并且然后通过喷墨方案等提供给每个像素PXL的发射区域EMA。例如，发光元件LD可以与挥发性溶剂混合并提供给每个发射区域EMA。这里，如果将预定的对准信号(或对准电压)施加到第一电极ET1和第二电极ET2(或者在第一电极ET1和第二电极ET2被相应子区域的边界划分之前，与第一电极ET1和第二电极ET2的相应状态对应的第一对准电极和第二对准电极)，则在第一电极ET1和第二电极ET2之间形成电场，由此发光元件LD可以在第一电极ET1和第二电极ET2(或第一对准电极和第二对准电极)之间对准。在发光元件LD已经对准之后，可以通过挥发方案或其它方案去除溶剂。以此方式，发光元件LD可以可靠地设置在第一电极ET1和第二电极ET2之间。此后，由于第一接触电极CE1和第二接触电极CE2形成在发光元件LD的相对端上，例如，形成在第一端EP1和第二端EP2上，所以发光元件LD可以更可靠地连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间。
在实施方式中，每个第三级第一接触电极CE13可以设置在每个相应的第三级第一电极ET13上。每个第三级第二接触电极CE23可以设置在每个相应的第三级第二电极ET23上。例如，在多个第三级第一电极ET13和多个第三级第二电极ET23设置在第三子区域SAR3中的情况下，设置在每个第三级第一电极ET13上的多个第三级第一接触电极CE13和设置在每个第三级第二电极ET23上的多个第三级第二接触电极CE23可以设置在第三子区域SAR3中。在实施方式中，第三级的第一接触电极CE13和第二接触电极CE23可以在第三子区域SAR3中在第二方向DR2上连续或交替设置在彼此间隔开的位置处。
每个第三级第一接触电极CE13可以设置在每个相应的第三级第一电极ET13和与第三级第一电极ET13相邻的至少一个第三发光元件LD3的第一端EP1上，并且将第一端EP1电连接到相应的第三级第一电极ET13。同样，每个第三级第二接触电极CE23可以设置在每个相应的第三级第二电极ET23和与第三级第二电极ET23相邻的至少一个第三发光元件LD3的第二端EP2上，并且将第二端EP2电连接到相应的第三级第二电极ET23。例如，第三级的第一接触电极CE13和第二接触电极CE23可以将第三发光元件LD3电连接在第三级的第一电极ET13和第二电极ET23之间。
在实施方式中，每个第三级第一接触电极CE13可以与至少一个第二级(即，前一级)第二接触电极CE22一体地或非一体地连接。例如，每个第三级第一接触电极CE13可以与设置在第二子区域SAR2和第三子区域SAR3之间的边界区域中的至少一个第2-3连接电极SCE2-3和至少一个第二级第二接触电极CE22一体连接。每个第三级第二接触电极CE23可以具有分离的单独图案形状。
在如上所述的发射区域EMA包括至少三个子区域的情况下，在发射区域EMA的第K子区域(K是3或更大的自然数)中，可以设置设置在彼此间隔开的位置处的第K级的第一电极和第二电极、彼此平行布置在第K级的第一电极和第二电极之间的第K发光元件、分别设置在第K级的第一电极和第二电极上并且配置成将第K发光元件电连接在第K级的第一电极和第二电极之间的第K级的第一接触电极和第二接触电极。在第K子区域和前一级的子区域(即，第[K-1]子区域)之间的边界区域中，可以设置至少一个第[K-1]-K连接电极，第[K-1]-K连接电极配置为将第K级的第一接触电极连接到前一级(即，第[K-1]级)的第二接触电极。在前述实施方式中，第一级的第一电极ET11可以连接到第一线LI1，并且第K级或最后级的第二电极可以连接到第二线LI2。此外，第一级的第二电极ET21、包括第二级的中间级的第一电极和第二电极以及第K级或最后级的第一电极中的每一个可以具有分离的单独图案形状。
参照图7，像素PXL还可以包括与每个第一电极ET1重叠的多个第一分隔壁PW1以及与每个第二电极ET2重叠的多个第二分隔壁PW2。在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2各自可以具有分离的单独图案。
在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以分别设置在第一电极ET1和第二电极ET2之下。例如，每个第一分隔壁PW1可以设置在设置于第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3的任一个子区域中的任一个第一电极ET1之下。每个第二分隔壁PW2可以设置在设置于第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3的任一个子区域中的任一个第二电极ET2之下。
在实施方式中，每个第一分隔壁PW1可以具有比每个第一电极ET1的宽度小的宽度并且设置在第一电极ET1之下。例如，在平面图中，每个第一分隔壁PW1可以具有与第一电极ET1对应的形状并且设置在第一电极ET1内部。
在第一分隔壁PW1设置在第一电极ET1之下的情况下，第一电极ET1可以在设置有第一分隔壁PW1的区域中向上突出。因此，可以控制从发光元件LD的面向第一电极ET1的第一端EP1发射的光在显示设备的正向方向上更有效地行进。
在实施方式中，每个第二分隔壁PW2可以具有比每个第二电极ET2的宽度小的宽度，并且设置在第二电极ET2之下。例如，在平面图中，每个第二分隔壁PW2可以具有与每个第二电极ET2对应的形状，并且设置在第二电极ET2内部。
在第二分隔壁PW2设置在第二电极ET2之下的情况下，第二电极ET2可以在设置有第二分隔壁PW2的区域中向上突出。因此，可以控制从发光元件LD的面向第二电极ET2的第二端EP2发射的光在显示设备的正向方向上更有效地行进。
根据图6和图7的实施方式，每个像素PXL的发射区域EMA在任一个方向(例如，第一方向DR1)上被分成多个子区域，并且第一电极ET1和第二电极ET2、发光元件LD以及第一接触电极CE1和第二接触电极CE2设置在每个子区域中。任一级的第二接触电极CE2可以通过穿过子区域之间的边界区域的连接电极SCE在相邻子区域之间连接到后续级的第一接触电极CE1。以此方式，提供给每个发射区域EMA的发光元件LD可以以串联/并联组合结构连接，以形成每个光源单元LSU。
根据前述实施方式，由于光源单元LSU具有串联/并联组合结构，所以可以可靠地驱动每个像素PXL，并且可以减小流过显示面板PNL的驱动电流。因此，可以改善功耗效率。此外，发光元件LD被偏置对准，多个第一电极ET1和第二电极ET2分别设置在多个子区域中，并且第一接触电极CE1和第二接触电极CE2在相邻的子区域之间交替连接。因此，偏置对准的发光元件LD的主对准方向可以与每个串联级的正向方向匹配。因此，可以增加提供给每个像素PXL的发射区域EMA的发光元件中的、能够用作有效光源以形成每个光源单元LSU的发光元件LD的数量。也就是说，根据前述实施方式，可以提高发光元件LD的应用效率。
图8至图11是各自示出根据本公开的实施方式的像素PXL的剖视图，并且例如示出对应于图7的线I-I'的像素PXL的截面的不同实施方式。图12是示出根据本公开的实施方式的像素PXL的剖视图，并且例如示出对应于图7的线II-II'的像素PXL的截面的实施方式。在下文中，将连同图4至图7参考图8至图12描述每个像素PXL的截面结构的实施方式。
参照图4至图12，根据本公开的实施方式的像素PXL可以包括设置在基础层BSL的一个表面上并且包括多个发光元件LD的显示元件层DPL。此外，像素PXL可以选择性地包括像素电路层PCL。例如，像素PXL还可以包括设置在基础层BSL和显示元件层DPL之间的像素电路层PCL。
在实施方式中，像素电路层PCL可以包括电连接到发光元件LD的至少一个电路元件。例如，像素电路层PCL可以包括形成每个像素PXL的像素电路PXC的至少一个电路元件。
例如，像素电路层PCL可以包括设置在每个像素区域中并形成相应的像素电路PXC的多个晶体管T和存储电容器Cst，并且像素电路层PCL还可以包括连接到像素电路PXC和/或光源单元LSU的至少一个电力线和/或信号线。这里，在省略像素电路PXC并且每个光源单元LSU直接连接到第一电力线PL1和第二电力线PL2(或预定信号线)的情况下，可以省略像素电路层PCL。为了解释的目的，图8至图11仅代表性地示出了设置在像素电路层PCL中的电路元件和线中的一个晶体管T，并且图12示出了设置在像素电路层PCL中的存储电容器Cst。这里，像素电路层PCL的平面/截面结构可以以各种方式改变。每个晶体管T和存储电容器Cst的位置和截面结构可以根据实施方式以各种方式改变。
此外，像素电路层PCL可以包括设置在各个电极和/或线之间的多个绝缘层。在实施方式中，像素电路层PCL可以包括依次堆叠在基础层BSL的一个表面上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和钝化层PSV。在一些实施方式中，像素电路层PCL还可以包括设置在至少一些晶体管T之下的至少一个遮光图案(未示出)。
缓冲层BFL可以防止杂质扩散到每个电路元件中。缓冲层BFL可以由单层形成，或者可以由具有至少双层或更多层的多层形成。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各层可以由相同的材料或不同的材料形成。在实施方式中，可以省略缓冲层BFL。
在实施方式中，每个晶体管T可以包括半导体层SCL、栅电极GE以及第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2。尽管图8至图11示出了其中每个晶体管T包括与半导体层SCL分开形成的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2的实施方式，但是本公开不限于此。例如，在实施方式中，设置在设置于每个像素区域中的至少一个晶体管T中的第一晶体管电极TE1和/或第二晶体管电极TE2可以与相应的半导体层SCL一体形成。
半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。例如，半导体层SCL可以设置在栅极绝缘层GI和其上形成有缓冲层BFL的基础层BSL之间。半导体层SCL可以包括与每个第一晶体管电极TE1接触的第一区域、与每个第二晶体管电极TE2接触的第二区域以及设置在第一区域和第二区域之间的沟道区域。在实施方式中，第一区域和第二区域中的一个可以是源极区域，并且另一个可以是漏极区域。
在实施方式中，半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。半导体层SCL的沟道区域可以是本征半导体，本征半导体是未掺杂的半导体图案。半导体层SCL的第一区域和第二区域中的每一个可以是掺杂有预定杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置在半导体层SCL上，且栅极绝缘层GI插置在其之间。例如，栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD之间，并且与半导体层SCL的至少一个区域重叠。
第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在每个半导体层SCL上，且至少一个层间绝缘层ILD插置在其之间。例如，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在半导体层SCL的相应的不同端上，且栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD插置在其之间。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以电连接到每个半导体层SCL。例如，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以通过穿过栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的相应接触孔连接到半导体层SCL的第一区域和第二区域。在实施方式中，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2中的任一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
设置在像素电路PXC中的至少一个晶体管T可以连接到至少一个像素电极。例如，图5e中所示的第一晶体管T1的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2中的任一个(例如，漏电极)可以通过穿过钝化层PSV的接触孔(例如，第一接触孔CH1)并通过设置在钝化层PSV之上的第一线LI1两者电连接至相应像素PXL的第一级第一电极ET11。
存储电容器Cst可以包括设置在不同的层上并且彼此重叠的第一电容器电极CET1和第二电容器电极CET2。在实施方式中，第一电容器电极CET1可以设置在与晶体管T的栅电极GE的层相同的层上。第二电容器电极CET2可以设置在与晶体管T的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2的层相同的层上。这里，本公开不限于此。第一电容器电极CET1和/或第二电容器电极CET2的位置可以以各种方式改变。例如，在实施方式中，层间绝缘层ILD可以由多个绝缘层形成，并且第一电容器电极CE1或第二电容器电极CET2可以设置在多个绝缘层之间。在实施方式中，第一电容器电极CET1和第二电容器电极CET2中的至少一个可以由多个导电层形成。
在实施方式中，连接到每个像素PXL的至少一个信号线和/或电力线可以设置在与形成像素电路PXC的电路元件中的每个的一个电极的层相同的层上。例如，每个像素PXL的扫描线Si可以设置在与栅电极GE的层相同的层上。每个像素PXL的数据线Dj可以设置在与晶体管T的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2的层相同的层上。此外，第一电力线PL1和/或第二电力线PL2可以设置在与晶体管T的栅电极GE或第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2的层相同的层上。
在实施方式中，显示元件层DPL可以包括像素PXL中的每个的光源单元LSU。例如，显示元件层DPL可以包括设置在每个像素PXL的发射区域EMA中的多个第一电极ET1和第二电极ET2、设置在第一电极ET1和第二电极ET2之间的多个发光元件LD以及设置成将发光元件LD电连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的多个第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。此外，显示元件层DPL还可以包括例如至少一个导电层和/或绝缘层。
在实施方式中，显示元件层DPL可以包括顺序设置和/或形成在基础层BSL和/或像素电路层PCL之上的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极ET1和第二电极ET2、第一绝缘层INS1、发光元件LD、绝缘图案INP、第一接触电极CE1和第二接触电极CE2以及第二绝缘层INS2。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在每个像素PXL的发射区域中设置在彼此间隔开的位置处。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在基础层BSL的高度方向上从基础层BSL和/或像素电路层PCL突出。在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有基本上相同的高度，但是本公开不限于此。
在实施方式中，第一分隔壁PW1可以设置在基础层BSL和/或像素电路层PCL与每个第一电极ET1之间。第一分隔壁PW1可以设置成与发光元件LD的第一端EP1相邻。例如，第一分隔壁PW1中的每个的一个侧表面可以定位成与发光元件LD的第一端EP1相邻，并且设置成面向第一端EP1。在实施方式中，在至少一个反向发光元件LDrv设置在至少一个第一分隔壁PW1周围的情况下，第一分隔壁PW1的一个侧表面可以设置成面向反向发光元件LDrv的第二端EP2。
在实施方式中，第二分隔壁PW2可以设置在基础层BSL和/或像素电路层PCL与第二电极ET2之间。第二分隔壁PW2可以设置成与发光元件LD的第二端EP2相邻。例如，第二分隔壁PW2的一个侧表面可以定位成与发光元件LD的第二端EP2相邻，并且设置成面向第二端EP2。在实施方式中，在至少一个反向发光元件LDrv设置成在至少一个第二分隔壁PW2周围的情况下，第二分隔壁PW2的一个侧表面可以设置成面向反向发光元件LDrv的第一端EP1。
在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每一个可以具有各种形状。在实施方式中，如图8和图10中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有梯形截面，其宽度向上逐渐减小。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每一个可以在至少一侧上具有倾斜表面。在实施方式中，如图9和图11中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有半圆形或半椭圆形截面，其宽度向上逐渐减小。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每一个可以在至少一个侧表面上具有曲化表面。设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之上的至少一个电极和/或绝缘层可以在与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2对应的区域中具有曲化表面。
换句话说，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每一个的形状可以以各种方式改变，而不受特别限制。在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的至少一个可以被省略或改变位置。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每一个可以包括具有至少一种无机材料和/或有机材料的绝缘材料。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以包括至少一个无机层，无机层包括各种已知的无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。替代地，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以包括包含各种已知有机绝缘材料的至少一个有机层和/或光刻胶层，或者可以形成包含有机/无机材料组合的单层或多层绝缘体。在本公开的实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的组成材料可以以各种方式改变。
在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每一个可以用作反射器。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2与设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一电极ET1和第二电极ET2一起可以用作在期望的方向上引导从每个发光元件LD发射的光的反射器，从而增强像素PXL的光效率。
第一电极ET1和第二电极ET2可以分别设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之上。第一电极ET1和第二电极ET2可以在每个像素区域(具体地，每个发射区域EMA)中设置在彼此间隔开的位置处。
在实施方式中，分别设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之上的第一电极ET1和第二电极ET2可以具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的各自的形状对应的形状。例如，第一电极ET1和第二电极ET2可以具有分别对应于第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的倾斜表面或曲化表面，并且在基础层BSL的高度方向上突出。
第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以包括至少一种导电材料。例如，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以包括各种金属材料中的至少一种金属或其合金、导电氧化物和导电聚合物中的至少一种材料，各种金属材料包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、铜(Cu)等，导电氧化物诸如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锑锌(AZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)，导电聚合物诸如为PEDOT，但是本公开不限于此。例如，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以包括其它导电材料，诸如碳纳米管和石墨烯。换句话说，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以包括各种导电材料中的至少一种以具有导电性，并且其组成材料不受特别限制。此外，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以具有相同的导电材料，或者具有至少一种不同的导电材料。
第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以具有单层或多层结构。例如，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以包括至少一个反射电极层。第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个还可以选择性地包括设置在反射电极层之上和/或之下的至少一个透明电极层以及覆盖反射电极层和/或透明电极层的上部的至少一个导电封盖层中的至少一个。
在实施方式中，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个的反射电极层可以由具有均匀反射率的导电材料形成。例如，反射电极层可以包括各种金属材料中的至少一种或其合金，各种金属材料包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、铜(Cu)等，但是本公开不限于此。换句话说，反射电极层可以由各种反射导电材料形成。包括反射电极层的第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以使得从发光元件LD中的每个的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)发射的光在显示图像的方向(例如，在正向方向)上行进。具体地，如果第一电极ET1和第二电极ET2分别具有对应于第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状的倾斜表面或曲化表面，并且分别设置为面向发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2，则从每个发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以被第一电极ET1和第二电极ET2反射，并且因此更可靠地在显示面板PNL的正向方向上(例如，在基础层BSL的向上方向上)行进。由此，可以提高从发光元件LD发射的光的效率。
此外，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个的透明电极层可以由各种透明导电材料形成。例如，透明电极层可以包括ITO、IZO或ITZO，但本公开不限于此。在实施方式中，第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个可以具有拥有ITO/Ag/ITO的堆叠结构的三层结构。这样，如果第一电极ET1和第二电极ET2各自由包括至少双层或更多层的多层结构形成，则可以最小化由于信号延迟(RC延迟)而引起的电压降。因此，可以将期望的电压高效地传输到发光元件LD。
此外，如果第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个包括覆盖反射电极层和/或透明电极层的导电封盖层，则可以防止第一电极ET1和第二电极ET2的反射电极层由于在像素PXL的制造工艺中引起的缺陷而被损坏。然而，导电封盖层可以选择性地包括在第一电极ET1和第二电极ET2中，并且可以根据实施方式而被省略。此外，导电封盖层可以被认为是第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个的组件，或者被认为是设置在第一电极ET1和第二电极ET2上的单独组件。
第一绝缘层INS1可以设置在第一电极ET1和第二电极ET2的预定区域上。例如，第一绝缘层INS1可以形成为覆盖第一电极ET1和第二电极ET2的预定区域，并且可以包括开口以暴露第一电极ET1和第二电极ET2的另一预定区域。例如，第一绝缘层INS1可以在预定的第一接触部CNT1和第二接触部CNT2中暴露第一电极ET1和第二电极ET2。在一些实施方式中，可以省略第一绝缘层INS1。在这种情况下，发光元件LD可以直接设置在钝化层PSV和/或第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个的一端上。
在实施方式中，第一绝缘层INS1可以最初形成为覆盖第一电极ET1和第二电极ET2的整个表面。在提供发光元件LD并在第一绝缘层INS1上对准发光元件LD之后，第一绝缘层INS1可以部分开口以在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的相应预定区域(例如，相应的第一接触部CNT1和第二接触部CNT2)中暴露第一电极ET1和第二电极ET2。在实施方式中，在完成提供和对准发光元件LD之后，第一绝缘层INS1可以图案化成单独图案的形式，单独图案分段地设置在发光元件LD之下。
换句话说，第一绝缘层INS1可以插置在第一电极ET1和第二电极ET2与发光元件LD之间，并且可以暴露第一电极ET1和第二电极ET2中的每一个的至少一个区域。在形成第一电极ET1和第二电极ET2之后，可以形成第一绝缘层INS1以覆盖第一电极ET1和第二电极ET2，从而可以防止在随后的工艺中第一电极ET1和第二电极ET2被损坏或防止金属析出(precipitated)。此外，第一绝缘层INS1可以稳定地支承每个发光元件LD。
第一绝缘层INS1可以由单层或多层形成，并且包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层INS1可以包括各种有机/无机绝缘材料，包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)等。第一绝缘层INS1的组成材料不受特别限制。
多个发光元件LD可以被提供给每个像素区域(具体地，其中形成有第一绝缘层INS1的每个像素PXL的发射区域EMA)并且在每个像素区域中对准。例如，可以通过喷墨方法等将多个发光元件LD提供给每个发射区域EMA，并且可以通过施加到第一电极ET1和第二电极ET2的预定对准电压(或对准信号)来使发光元件LD以一定方向性对准在第一电极ET1和第二电极ET2之间。
在实施方式中，发光元件LD中的至少一些可以在水平方向上设置在一对第一电极ET1和第二电极ET2之间，使得每个发光元件LD的相对于其纵向方向的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)与该对第一电极ET1和第二电极ET2重叠。此外，在实施方式中，发光元件LD中的其它一些可以在对角线方向上设置在该对第一电极ET1和第二电极ET2之间。在实施方式中，发光元件LD中的至少一些可以设置在一对第一电极ET1和第二电极ET2之间，使得至少一些发光元件LD不与第一电极ET1和第二电极ET2重叠，并且可以分别通过第一接触电极CE1和第二接触电极CE2连接到第一电极ET1和第二电极ET2。
绝缘图案INP可以设置在发光元件LD的预定区域上。例如，绝缘图案INP可以暴露发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2，并且可以仅部分地设置在发光元件LD的预定区域上，所述预定区域包括发光元件LD的相应中央区域。绝缘图案INP可以以独立图案形成在每个发射区域EMA中，但是本公开不限于此。根据实施方式，可以省略绝缘图案INP。在这种情况下，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的相对端可以直接设置在发光元件LD上。
绝缘图案INP可以由单层或多层形成，并且包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，绝缘图案INP可以包括各种有机/无机绝缘材料，包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、光刻胶(PR)材料等。绝缘图案INP的组成材料不受特别限制。
在完成发光元件LD的对准之后，在发光元件LD上形成绝缘图案INP，从而可以防止发光元件LD从对准位置移开。此外，在第一绝缘层INS1和发光元件LD之间存在空间的情况下，该空间可以由在形成绝缘图案INP的工艺中引入其中的绝缘材料填充。因此，可以更稳定地支承发光元件LD。
发光元件LD的未被绝缘图案INP覆盖的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)可以分别被第一接触电极CE1和第二接触电极CE2覆盖。例如，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的相应一端可以在彼此间隔开的位置处设置在发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2上，且绝缘图案INP插置在其之间。
在实施方式中，如图8和图9中所示，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以同时形成在基础层BSL的一个表面上的相同的层上。因此，可以简化制造像素PXL和包括像素PXL的显示设备的工艺。例如，与通过相应的掩模工艺形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的情况相比，可以减少形成像素PXL所需的掩模工艺的数量，并且可以更容易地形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
在实施方式中，如图10和图11中所示，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以顺序形成在基础层BSL的一个表面上的不同层上。附加的第三绝缘层INS3可以设置在第一接触电极CE1和第二接触电极CE2之间。换句话说，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的位置和相对设置关系可以以各种方式改变。
此外，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以设置在第一电极ET1和第二电极ET2之上，以覆盖第一电极ET1和第二电极ET2的暴露区域(例如，第一接触部CNT1和第二接触部CNT2)。例如，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以设置在第一电极ET1和第二电极ET2的至少预定区域上，以在第一接触部CNT1和第二接触部CNT2中与第一电极ET1和第二电极ET2接触。因此，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以分别电连接到第一电极ET1和第二电极ET2。第一电极ET1和第二电极ET2可以通过第一接触电极CE1和第二接触电极CE2分别电连接到发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2。
在实施方式中，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2中的至少一个接触电极可以一体地或非一体地连接到设置在前一级或后一级中的至少一个接触电极。例如，如图12中所示，每个第一级第二电极CE21可以一体地连接到至少一个第1-2级连接电极SCE1-2和至少一个第二级第一接触电极CE12。
第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以由各种透明导电材料形成。例如，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以包括各种透明导电材料中的至少一种，各种透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO，并且第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以是基本上透明的或半透明的以满足预定的透射率。因此，通过第一端EP1和第二端EP2从发光元件LD发射的光可以通过第一接触电极CE1和第二接触电极CE2发射出显示设备。
第二绝缘层INS2可以设置在第一接触电极CE1和第二接触电极CE2上。例如，第二绝缘层INS2可以形成和/或设置在其上形成有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极ET1和第二电极ET2、发光元件LD、绝缘图案INP以及第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的基础层BSL的显示区域DA的整个表面上，使得第二绝缘层INS2可以覆盖第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极ET1和第二电极ET2、发光元件LD、绝缘图案INP以及第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。第二绝缘层INS2可以包括至少一个无机层和/或有机层。
在实施方式中，第二绝缘层INS2可以包括具有多层结构的薄膜封装层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，至少一个外涂层和/或封装衬底等可以进一步设置在第二绝缘层INS2之上。
在实施方式中，第二绝缘层INS2可以由单层或多层形成，并且包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第二绝缘层INS2可以包括各种已知的有机/无机绝缘材料，包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。第二绝缘层INS2的组成材料不受特别限制。
图13是示出根据本公开的实施方式的流经像素PXL的驱动电流的平面图，并且例如示出流经图7的像素PXL的驱动电流。例如，在图13中，当响应于具有预定灰度级的数据信号驱动像素PXL以发光时，流过图7的像素PXL的驱动电流的流动由虚线箭头表示。
参照图4至图13，如果驱动电流通过每个像素PXL的驱动晶体管(例如，图5e的第一晶体管T1)经由像素PXL从第一电力线PL1流至第二电力线PL2，则驱动电流可以通过第一接触孔CH1引入光源单元LSU中。例如，驱动电流可以通过第一接触孔CH1提供至第一级的第一电极ET11。驱动电流可以经由在正向方向上连接在第一级的第一电极ET11和第二电极ET21之间的第一发光元件LD1流到第一级的第二电极ET21。因此，第一发光元件LD1中的每一个可以以与相关分布电流对应的亮度发光。
流经第一级的第二电极ET21的驱动电流可以通过第1-2级连接电极SCE1-2引入到第二级的第一电极ET12。驱动电流可以经由在正向方向上连接在第二级的第一电极ET12和第二电极ET22之间的第二发光元件LD2流至第二级的第二电极ET22。因此，第二发光元件LD2中的每一个可以以与相关分布电流对应的亮度发光。
流经第二级的第二电极ET22的驱动电流可以通过第2-3级连接电极SCE2-3引入到第三级的第一电极ET13。驱动电流可以经由在正向方向上连接在第三级的第一电极ET13和第二电极ET23之间的第三发光元件LD3流至第三级的第二电极ET23。因此，第三发光元件LD3中的每一个可以以与相关分布电流对应的亮度发光。
流经第三级的第二电极ET23的驱动电流可以经由第二接触孔CH2引入到第二电力线PL2中。以这种方式，每个像素PXL的驱动电流可以连续地流经第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3。因此，像素PXL可以以与在每个帧周期期间提供的数据信号对应的亮度发射光。
图14a至图14e是依次示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的平面图，并且例如示出制造包括图7的像素PXL的显示设备的方法的实施方式。图15a至图15e是依次示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的剖视图，并且例如示出分别与图14a至图14e的线III-III'对应的截面的实施方式。已经在图8至图12的实施方式中详细公开了在正向方向上连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的发光元件LD的连接结构的截面，从而在图15a至图15e中，将示出反向发光元件LDrv的连接结构的截面。
参照图14a和图15a在每个像素PXL的发射区域EMA中在彼此间隔开的位置处形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在基础层BSL和/或像素电路层PCL上形成在每个像素区域(具体地，相应像素PXL的发射区域EMA)中。
在实施方式中，在发射区域EMA包括多个子区域(例如，第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3)的情况下，至少一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以形成在第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3中的每一个中。例如，在发射区域EMA在第一方向DR1上分割成第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3的情况下，至少一个第一分隔壁PW1和至少一个第二分隔壁PW2可以在第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3中的每一个中连续地或交替地布置在第二方向DR2上。可以选择性地形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。在一些实施方式中，将省略形成第一分隔壁PW1和/或第二分隔壁PW2的步骤。
在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以通过形成包括无机材料和/或有机材料的绝缘层的工艺和/或图案化工艺(例如，掩模工艺)来形成，并且可以通过各种类型的已知工艺来形成。在实施方式中，可以使用相同材料在基础层BSL上的相同层(或相同平面)上同时形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2，但是本公开不限于此。
参照图14b和图15b，可以在其中选择性地形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的每个像素PXL的发射区域EMA中形成至少一个第一对准电极ALE1和至少一个第二对准电极ALE2。例如，可以在每个像素PXL的发射区域EMA中形成多个第一对准电极ALE1和多个第二对准电极ALE2。在实施方式中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2各自可以在第一方向DR1上延伸并且相对于第二方向DR2彼此间隔开。例如，多个第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以形成在每个发射区域EMA中，并且交替设置在第二方向DR2上。
在实施方式中，每个第一对准电极ALE1可以包括多个第一焊盘电极PAD1和至少一个第一连接器CP1，第一焊盘电极PAD1在每个发射区域EMA中沿着第一方向DR1设置成一条线，并且形成为覆盖每个第一分隔壁PW1，第一连接器CP1设置在第一焊盘电极PAD1之间，并且一体地连接到第一焊盘电极PAD1。在实施方式中，每个第一连接器CP1可以在随后的工艺中断开。因此，彼此分离的第一焊盘电极PAD1中的每一个可以形成第一电极ET1。在实施方式中，每个第一连接器CP1可以形成为具有比每个第一焊盘电极PAD1的宽度小的宽度。在这种情况下，在随后的工艺中，可以更容易地断开或去除第一连接器CP1。然而，本公开不限于此。例如，在实施方式中，每个第一连接器CP1可以具有与第一焊盘电极PAD1的宽度相同的宽度。
同样，每个第二对准电极ALE2可以包括多个第二焊盘电极PAD2和至少一个第二连接器CP2，多个第二焊盘电极PAD2在每个发射区域EMA中沿着第一方向DR1设置成一条线，并且形成为覆盖每个第二分隔壁PW2，至少一个第二连接器CP2设置在第二焊盘电极PAD2之间，并且一体地连接到第二焊盘电极PAD2。在实施方式中，每个第二连接器CP2可以在随后的工艺中断开。因此，彼此分离的第二焊盘电极PAD2中的每个可以形成第二电极ET2。在实施方式中，每个第二连接器CP2可以形成为具有比每个第二焊盘电极PAD2的宽度小的宽度。因此，在随后的工艺中，可以更容易地断开或去除第二连接器CP2。然而，本公开不限于此。例如，在实施方式中，每个第二连接器CP2可以具有与第二焊盘电极PAD2的宽度相同的宽度。
在实施方式中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以通过形成包括至少一种导电材料的导电层的工艺和/或图案化工艺形成，并且可以通过各种类型的已知工艺形成。
第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每一个可以由单层或多层形成。例如，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每一个可以具有包括反射电极、导电封盖层等的多层结构。在这种情况下，形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的步骤可以包括在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上形成相应的反射电极的步骤以及在反射电极上形成相应的导电封盖层的步骤。
此外，可以在基础层BSL上的相同的层上同时形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2，但是本公开不限于此。在同时形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的情况下，可以减少或最小化用于制造显示设备的掩模工艺的数量。
在实施方式中，在形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的步骤中，可以一起形成连接到第一对准电极ALE1的第一线LI1和连接到第二对准电极ALE2的第二线LI2。例如，至少一个第一线LI1可以与第一对准电极ALE1一体地形成，使得至少一个第一线LI1公共连接到设置在设置于显示区域DA中的多个像素PXL中的第一对准电极ALE1。至少一个第二线LI2可以与第二对准电极ALE2一体地形成，使得至少一个第二线LI2公共连接到设置在多个像素PXL中的第二对准电极ALE2。
在实施方式中，在形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之后，可以形成第一绝缘层INS1以至少覆盖第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2。例如，在形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及第一线LI1和第二线LI2之后，可以形成第一绝缘层INS1以覆盖第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及第一线LI1和第二线LI2。可以选择性地形成第一绝缘层INS1。在一些实施方式中，可以省略形成第一绝缘层INS1的工艺。
在实施方式中，第一绝缘层INS1可以通过包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料的绝缘层的沉积工艺形成，并且可以通过各种类型的已知工艺形成。例如，第一绝缘层INS1可以通过包括至少一种无机绝缘材料的绝缘层的沉积工艺形成。
第一绝缘层INS1可以由单层或多层形成。在第一绝缘层INS1由多层形成的情况下，可以连续地形成构成第一绝缘层INS1的绝缘材料层。
参照图14c和图15c，将多个发光元件LD提供至其中形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2、第一绝缘层INS1等的每个发射区域EMA。发光元件LD布置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间。在实施方式中，可以通过包括喷墨方案的各种方案将发光元件LD提供给每个发射区域EMA。如果在提供发光元件LD的同时或在提供发光元件LD之后，通过第一线LI1和第二线LI2将预定对准信号(或对准电压)施加到第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2，则发光元件LD在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间对准。例如，发光元件LD可以在正向方向上布置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间，使得每个发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2中的每一个面向第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的任何相应的对准电极。在上述工艺中，至少一个反向发光元件LDrv可以在与发光元件LD的方向相反的方向设置在至少一对第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间。可以通过喷墨印刷方案等将反向发光元件LDrv连同发光元件LD一起提供给每个像素区域(例如，每个像素PXL的发射区域EMA)，并且反向发光元件LDrv在相反的方向上布置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间，使得其第一端EP1面向任一个第二对准电极ALE2，并且其第二端EP2面向任一个第一对准电极ALE1。
在实施方式中，通过各种方案(例如，通过施加磁场或调整在对准发光元件LD的步骤中要施加的对准信号的波形)，可以调整在正向方向上布置的发光元件LD的数量与反向发光元件LDrv的数量的比。例如，可以通过控制工艺条件来偏置对准发光元件LD，使得在正向方向上布置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间的发光元件LD的数量大约是反向发光元件LDrv的数量的两倍或更多倍。在这种情况下，可以增加在正向方向上布置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间并用作有效光源的发光元件LD的数量，从而可以更高效地使用发光元件LD。
在实施方式中，在对准电极ALE1和ALE2之间对准发光元件LD之后，可以在发光元件LD和/或反向发光元件LDrv上形成绝缘图案INP。可以选择性地形成绝缘图案INP。在一些实施方式中，可以省略形成绝缘图案INP的工艺。
此外，可以通过图案化用于形成绝缘图案INP的绝缘材料层的工艺或者在图案化工艺之前或之后执行的蚀刻工艺来蚀刻第一绝缘层INS1，从而暴露第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每一个的一个区域。例如，可以蚀刻第一绝缘层INS1，使得在与预定的第一接触部CNT1和第二接触部CNT2对应的区域中暴露第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2。
参照图14d和图15d，在其中布置有发光元件LD和/或至少一个反向发光元件LDrv的每个发射区域EMA中形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。由此，发光元件LD和/或至少一个反向发光元件LDrv可以电连接在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之间。
在实施方式中，在每个发射区域EMA中，可以在每个第一对准电极ALE1的在第一方向DR1上的不同预定区域上形成多个第一接触电极CE1。例如，可以在连续设置在第一方向DR1上的第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3中的第一电极焊盘PAD1以及与第一电极焊盘PAD1相邻的发光元件LD的第一端EP1两者上形成第一级的第一接触电极CE11、第二级的第一接触电极CE12和第三级第一接触电极CE13。因此，发光元件LD的第一端EP1可以通过第一接触电极CE1连接到相邻的第一对准电极ALE1。此外，在前述工艺期间，至少一个反向发光元件LDrv的第二端EP2可以连接到相邻的第一对准电极ALE1。
同样，在每个发射区域EMA中，可以在每个第二对准电极ALE2的在第一方向DR1上的不同预定区域上形成多个第二接触电极CE2。例如，可以在连续设置在第一方向DR1上的第一子区域SAR1、第二子区域SAR2和第三子区域SAR3中的第二电极焊盘PAD2以及与第二电极焊盘PAD2相邻的发光元件LD的第二端EP2上形成第一级的第二接触电极CE21、第二级的第二接触电极CE22和第三级的第二接触电极CE23。因此，发光元件LD的第二端EP2可以通过第二接触电极CE2连接到相邻的第二对准电极ALE2。此外，在前述工艺期间，至少一个反向发光元件LDrv的第一端EP1可以连接到相邻的第二对准电极ALE2。
在实施方式中，可以在相同的工艺步骤中同时形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。例如，可以通过将透明导电材料施加到其上布置有发光元件LD等的基础层BSL上并图案化导电层而同时形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。
在实施方式中，在形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的步骤中，还可以形成至少一个连接电极SCE以交叉连接设置在发射区域EMA的在第一方向DR1上的两个连续级(例如，两个连续的串联级)中的第一接触电极CE1和第二接触电极CE2。例如，在图案化第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的工艺期间，将设置在发射区域EMA的任一级中的第二接触电极CE2连接到设置在后续级中的至少一个第一接触电极CE1的至少一个连接电极SCE可以与任一级的第二接触电极CE2和后续级的第一接触电极CE1一体地形成。例如，可以形成在第一子区域SAR1和第二子区域SAR2的边界区域中将每个第一级第二接触电极CE21连接到至少一个第二级第一接触电极CE12的至少一个第1-2级连接电极SCE1-2以及在第二子区域SAR2和第三子区域SAR3的边界区域中将每个第二级第二接触电极CE22连接到至少一个第三级第一接触电极CE13的至少一个第2-3级连接电极SCE2-3。
参照图14e和图15e中，可以在其中形成有第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的每个发射区域EMA中将第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2分别划分成多个第一电极ET1和多个第二电极ET2。例如，由于使用通过施加激光束来断开预定导电图案、线等的激光切割方案等来断开或去除第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的第一连接器CP1和第二连接器CP2，所以每个第一对准电极ALE1可以划分成多个第一电极ET1，并且每个第二对准电极ALE2可以划分成多个第二电极ET2。
此外，在通过划分第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2来形成第一电极ET1和第二电极ET2的工艺期间，已经连接在像素PXL之间的第一线LI1可以是断开的，使得第一线LI1可以通过相应的像素PXL单独分开。因此，可以独立地驱动像素PXL。
可以在第一接触电极CE1和第二接触电极CE2之上形成第二绝缘层INS2。在实施方式中，在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2被划分成第一电极ET1和第二电极ET2之前或之后，可以形成第二绝缘层INS2以覆盖显示区域DA的整个表面。
此外，根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法还可以包括以下步骤：检查发光元件LD是否有缺陷以及在需要时修复有缺陷的像素PXL。这将在本文中稍后详细描述。
图16a和图16b是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的平面图，并且例如示出与形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的方法有关的实施方式。在根据图16a和图16b的实施方式的制造显示设备的方法的以下描述中，将省略与图14a至图15e的实施方式的配置类似或相同的配置的详细描述。
参照图16a和图16b，第一接触电极CE1和第二接触电极CE2可以被分成连续形成的多个组。换句话说，在实施方式中，可以连续地形成设置在每个发射区域EMA中的第一接触电极CE1和第二接触电极CE2中的一些接触电极以及另一些接触电极。例如，在形成设置在发射区域EMA的奇数级中的至少一个第二接触电极CE2和设置在发射区域EMA的偶数级中的至少一个第一接触电极CE1之后，可以形成设置在发射区域EMA的奇数级中的至少一个第一接触电极CE1和设置在发射区域EMA的偶数级中的至少一个第二接触电极CE2。
例如，可以在第一子发射区域SAR1中形成至少一个第一级第二接触电极CE21和在第三子发射区域SAR3中形成至少一个第三级第二接触电极CE23同时在第二子发射区域SAR2中形成至少一个第二级第一接触电极CE12。在实施方式中，至少一个第一级第二接触电极CE21和至少一个第二级第一接触电极CE12可以一体地形成。
此后，可以在第一子发射区域SAR1中形成至少一个第一级第一接触电极CE11和在第三子发射区域SAR3中形成至少一个第三级第一接触电极CE13的同时在第二子发射区域SAR2中形成至少一个第二级第二接触电极CE22。在实施方式中，至少一个第二级第二接触电极CE22和至少一个第三级第一接触电极CE13可以一体地形成。换句话说，可以同时或相继形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2，并且可以以各种方式改变形成第一接触电极CE1和第二接触电极CE2的方法。
图17至图20是各自示出根据本公开的实施方式的像素PXL的平面图，并且例如示出与其中已经修复缺陷的像素PXL有关的不同实施方式。在实施方式中，假设在根据图7的实施方式的像素PXL中的各个位置处已经出现了由于有缺陷的发光元件LDd的驱动缺陷，图17至图20各自示出根据每个实施方式的修复的像素PXL。
参照图17和图18，在发生短路缺陷的情况下(其中在正向方向上连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的至少一个发光元件(在下文中，称为“有缺陷的发光元件LDd”)的第一端EP1和第二端EP2短路)，大部分驱动电流至少在相应的串联级中流过有缺陷的发光元件LDd，由此像素PXL可能无法表示期望的亮度。在这种情况下，在本公开的实施方式中，直接连接到有缺陷的发光元件LDd的第一接触电极CE1和第二接触电极CE2中的至少一个可以与第一接触电极CE1和第二接触电极CE2中的另一个分离(或隔离)，以允许修复像素PXL的缺陷。
在实施方式中，如图17中所示，在存在连接到有缺陷的发光元件LDd的第一端EP1和第二端EP2的、第一电极ET1和第二电极ET2中的具有单独图案形状的电极的情况下，连接到具有单独图案的电极的相应接触电极可以与其它接触电极分离。例如，在连接到设置在第一级中的有缺陷的发光元件LDd的第一级第一电极ET11连接到第一线LI1并且连接到有缺陷的发光元件LDd的第一级的第二电极ETd具有单独图案形状的情况下，用于将第一级的第二电极ETd连接到第二级的第一接触电极CE12的连接电极SCE可以通过激光切割方案等而断开。因此，第二电极ETd和第二接触电极CEd可以是电绝缘的，使得电流无法流过连接到有缺陷的发光元件LDd的第二电极ETd和第二接触电极CEd。在这种情况下，驱动电流流过连接在相应串联级(例如，第一级)的其它第一电极ET11和第二电极ET21之间的发光元件LD，使得像素PXL可以表达期望的亮度。
在实施方式中，如图18中所示，在至少两个有缺陷的发光元件LDd共同连接到第一电极或第二电极ETd以及任一个相应的接触电极CEd的情况下，任一个第一接触电极CEd可以与其它第一接触电极CE1和第二接触电极CE2分离。例如，当将任一个接触电极CEd连接到前一级或后一级的第一接触电极CE1或第二接触电极CE2的连接电极SCE断开时，连接到有缺陷的发光元件LDd的第一电极或第二电极ETd和接触电极CEd可以是电绝缘的。因此，可以修复像素PXL的缺陷。
根据前述实施方式的制造包括像素PXL的显示设备的方法可以包括检查布置在每个像素PXL中的发光元件LD是否已经短路的步骤。此外，在确定发光元件LD中的至少一个是有缺陷的发光元件LDd的情况下，制造显示设备的方法还可以包括断开连接电极SCE的步骤，连接电极SCE将连接到有缺陷的发光元件LDd的第一接触电极或第二接触电极CEd连接到另一个串联级(例如，前一级或后一级)的第一接触电极CE1或第二接触电极CE2。
参照图19和图20，当连接到至少一个有缺陷的发光元件LDd的第一电极ET1或第二电极ET2与第一线LI1或第二线LI2分离时，可以修复由于有缺陷的发光元件LDd而引起的像素PXL的缺陷。例如，在多个第一电极ET1和第二电极ET2设置在每个串联级中并且有缺陷的发光元件LDd连接在设置在第一串联级或最后串联级中的一对第一电极ET1和第二电极ET2之间的情况下，该对第一电极ET1和第二电极ET2中的任一个电极可以与第一线LI1或第二线LI2分离。
例如，在光源单元LSU包括三个串联级并且至少一个有缺陷的发光元件LDd连接在至少一对第三级第一电极ET13和第三级第二电极ET23之间的情况下，连接到有缺陷的发光元件LDd的至少一个第三级第二电极ETd可以通过激光切割方案等与第二线LI2分离。同样，在至少一个有缺陷的发光元件LDd连接在至少一对第一级第一电极ET11和第一级第二电极ET21之间的情况下，连接到有缺陷的发光元件LDd的至少一个第一级第一电极ET11可以通过激光切割方案等与第一线LI1分离。
根据前述实施方式的制造包括像素PXL的显示设备的方法可以包括检查布置在每个像素PXL中的发光元件LD是否已经短路的步骤。此外，在确定发光元件LD中的至少一个是有缺陷的发光元件LDd的情况下，制造显示设备的方法还可以包括将连接到有缺陷的发光元件LDd的第一电极或第二电极ETd与第一线LI1或第二线LI2分开的步骤。
如上所述，当在至少一个像素PXL中检测到由于有缺陷的发光元件LDd而引起的缺陷时，可以通过将连接到有缺陷的发光元件LDd的第一电极或第二电极ETd和第一接触电极或第二接触电极CEd隔离而容易地修复像素PXL的效果。因此，可以增加显示设备的成品率。
图21至图22是各自示出根据本公开的实施方式的像素PXL的平面图，并且例如示出与图7的实施方式有关的不同的修改实施方式。
参照图21和图22，构成每个光源单元LSU的串联级的数量可以以各种方式改变。在实施方式中，如图21中所示，光源单元LSU可以由两个串联级形成。在这种情况下，每个发射区域EMA可以在第一方向DR1上分割成第一子区域SAR1和第二子区域SAR2，并且第一电极ET1和第二电极ET2以及发光元件LD可以设置在每个子区域中。在前述实施方式中，设置在第一子区域SAR1中的第一级的第一电极ET11可以直接连接到第一线LI1，并且设置在第二子区域SAR2中的第二级的第二电极ET22可以直接连接到第二线LI2。此外，第一级的第二电极ET21和第二级的第一电极ET12可以通过第一级的第二接触电极CE21、第1-2级连接电极SCE1-2和第二级的第一接触电极CE12彼此连接。
在实施方式中，光源单元LSU可以由四个或更多个串联级形成。例如，如图22中所示，光源单元LSU可以由四个串联级形成。在这种情况下，每个发射区域EMA可以在第一方向DR1上分割成第一子区域SAR1至第四子区域SAR4，并且第一电极ET1和第二电极ET2以及发光元件LD可以设置在每个子区域中。在前述实施方式中，设置在第一子区域SAR1中的第一级的第一电极ET11可以直接连接到第一线LI1，并且设置在第四子区域SAR4中的第四级的第二电极ET24可以直接连接到第二线LI2。此外，第一级的第二电极ET21、第二级的第一电极ET12和第二电极ET22、第三级的第一电极ET13和第二电极ET23以及第四级的第一电极ET14可以通过各自的第一接触电极CE1和第二接触电极CE2、第1-2级连接电极SCE1-2、第2-3连接电极SCE2-3和第3-4连接电极SCE3-4彼此交叉连接在相应的串联级之间。
如前述实施方式中所描述的，光源单元LSU的结构可以以各种方式改变。例如，构成光源单元LSU的发光元件LD的串联/并联组合结构可以具有各种类型。
虽然通过详细的实施方式描述了本公开的技术构思，但是应当注意，上述实施方式仅仅是说明性的，而不应当被认为是限制性的。本领域技术人员应当理解，在不脱离如由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可以在本文中进行各种改变、代替、替换、变型和修改。
本公开的范围不受本说明书的详细描述的限制，并且应当由所附权利要求来限定。此外，从权利要求的含义和范围及其等同得到的本公开的所有改变或修改应当被解释为包括在本公开的范围内。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
像素，设置在显示区域中，所述像素包括：
第一子区域和第二子区域，顺序设置在第一方向上；
第一级的第一电极和第二电极，设置成在所述第一子区域中彼此间隔开；
第一发光元件，平行布置在所述第一级的所述第一电极和所述第二电极之间；
所述第一级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在所述第一级的所述第一电极和所述第二电极上，并且配置为将所述第一发光元件电连接在所述第一级的所述第一电极和所述第二电极之间；
第二级的第一电极和第二电极，设置成在所述第二子区域中彼此间隔开；
第二发光元件，平行布置在所述第二级的所述第一电极和所述第二电极之间；
所述第二级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在所述第二级的所述第一电极和所述第二电极上，并且配置为将所述第二发光元件电连接在所述第二级的所述第一电极和所述第二电极之间；以及
连接电极，配置为将所述第一级的所述第二接触电极与所述第二级的所述第一接触电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一级的所述第一接触电极和所述第二接触电极以及所述第二级的所述第一接触电极和所述第二接触电极在与所述第一方向相交的第二方向上分别顺序或交替设置在所述第一子区域和所述第二子区域中，以及
其中，所述连接电极在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上在所述第一子区域和所述第二子区域之间的边界区域中延伸，并将所述第一级的所述第二接触电极与所述第二级的所述第一接触电极连接。
3.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第K(K是3或更大的自然数)子区域，在所述第一方向上设置在所述第一子区域和所述第二子区域之后；
第K级的第一电极和第二电极，设置成在所述第K子区域中彼此间隔开；
第K发光元件，平行布置在所述第K级的所述第一电极和所述第二电极之间；
所述第K级的第一接触电极和第二接触电极，分别设置在所述第K级的所述第一电极和所述第二电极上，并且配置为将所述第K发光元件电连接在所述第K级的所述第一电极和所述第二电极之间；以及
另一连接电极，配置为将所述第K级的所述第一接触电极连接到前一级的第二接触电极。
4.根据权利要求3所述的显示设备，还包括：
第一线，连接到所述第一级的所述第一电极，并配置为被提供有第一电源电压或第一驱动信号；以及
第二线，连接到所述第K级的所述第二电极或最后级的第二电极，并配置为被提供有第二电源电压或第二驱动信号。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一级的所述第二电极、包括所述第二级的中间级的所述第一电极和所述第二电极以及所述第K级的所述第一电极或所述最后级的第一电极各自具有分离的单独图案形状。
6.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第一线，连接到所述第一级的所述第一电极，并且配置为被提供有第一电源电压或第一驱动信号；以及
第二线，连接到所述第二级的所述第二电极，并且配置为被提供有第二电源电压或第二驱动信号。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第一级的所述第二电极和所述第二级的所述第一电极各自具有分离的单独图案形状。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一级的所述第二接触电极、所述连接电极和所述第二级的所述第一接触电极彼此一体连接。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素还包括至少一个反向发光元件，所述反向发光元件在与所述第一发光元件和所述第二发光元件相反的方向上连接在所述第一级的所述第一电极和所述第二电极之间或所述第二级的所述第一电极和所述第二电极之间。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件的数量大于所述反向发光元件的数量。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素包括：
所述第一级的多个第一电极和多个第二电极，设置在所述第一子区域中；
所述第一级的多个第一接触电极和多个第二接触电极，设置在所述第一子区域中并分别设置在所述第一级的所述第一电极和所述第二电极之上；
所述第二级的多个第一电极和多个第二电极，设置在所述第二子区域中；以及
所述第二级的多个第一接触电极和多个第二接触电极，设置在所述第二子区域中并分别设置在所述第二级的所述第一电极和所述第二电极之上。
12.根据权利要求11所述的显示设备，
其中，所述像素还包括至少一个有缺陷的发光元件，所述有缺陷的发光元件具有在所述第一级的所述第一电极和所述第二电极中的任一对第一电极和第二电极之间以及所述第二级的所述第一电极和所述第二电极中的任一对第一电极和第二电极之间的短路的相对端，以及
其中，直接连接到所述有缺陷的发光元件的第一接触电极或第二接触电极与剩余的第一接触电极和第二接触电极分离。
13.根据权利要求11所述的显示设备，还包括：
第一线，连接到所述第一级的所述第一电极中的至少一个，并且配置为被提供有第一电源电压或第一驱动信号；
第二线，连接到所述第二级的所述第二电极中的至少一个或最后级的所述第二电极中的至少一个，并且配置为被提供有第二电源电压或第二驱动信号；以及
至少一个有缺陷的发光元件，连接到所述第一级的所述第一电极和所述第二级的所述第二电极或所述最后级的所述第二电极中的任一个第一电极或任一个第二电极，并且具有短路的相对端，
其中，所述任一个第一电极或所述任一个第二电极与所述第一线或所述第二线分离。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素包括：
第一分隔壁，分别设置在所述第一级的所述第一电极和所述第二级的所述第一电极之下，并且各自具有分离的单独图案；以及
第二分隔壁，分别设置在所述第一级的所述第二电极和所述第二级的所述第二电极之下，并且各自具有分离的单独图案。
15.制造显示设备的方法，包括：
在每个像素的发射区域中形成彼此间隔开且各自在第一方向上延伸的第一对准电极和第二对准电极以及分别连接到所述第一对准电极和所述第二对准电极的第一线和第二线；
向所述发射区域提供多个发光元件，并将所述发光元件布置在所述第一对准电极和所述第二对准电极之间；
形成多个第一接触电极和多个第二接触电极，所述多个第一接触电极设置在所述第一对准电极的在所述第一方向上的不同区域上并且配置为将所述发光元件的第一端连接到所述第一对准电极，所述多个第二接触电极设置在所述第二对准电极的在所述第一方向上的不同区域上并且配置为将所述发光元件的第二端电连接到所述第二对准电极；以及
将所述第一对准电极划分成布置在所述第一方向上的多个第一电极，并且将所述第二对准电极划分成布置在所述第一方向上的多个第二电极，
其中，形成所述第一接触电极和所述第二接触电极包括将设置在所述发射区域的第一级中的所述第二接触电极连接到设置在所述发射区域的第二级中的所述第一接触电极。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第一接触电极和所述第二接触电极包括形成连接电极，所述连接电极配置为将设置在所述发射区域的所述第一级中的所述第二接触电极一体地连接到设置在所述发射区域的所述第二级中的所述第一接触电极。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第一接触电极和所述第二接触电极依次包括：
形成设置在所述发射区域的所述第一级中的所述第二接触电极以及设置在所述发射区域的所述第二级中的所述第一接触电极；以及
形成设置在所述发射区域的所述第一级中的所述第一接触电极以及设置在所述发射区域的所述第二级中的所述第二接触电极。
18.根据权利要求15所述的方法，
其中，形成所述第一对准电极和所述第二对准电极包括将多个第一对准电极和多个第二对准电极形成为在所述发射区域中交替地设置在第二方向上，以及
其中，形成所述第一接触电极和所述第二接触电极包括形成多个连接电极，所述连接电极配置为将设置在所述发射区域的任一级中的所述第二接触电极连接到设置在所述发射区域的后一级中的所述第一接触电极。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
检查所述发光元件中是否存在短路缺陷；以及
在确定所述发光元件中的至少一个是有缺陷的发光元件的情况下，断开连接到与所述有缺陷的发光元件连接的所述第一接触电极或所述第二接触电极的连接电极。
20.根据权利要求18所述的方法，还包括：
检查所述发光元件中是否存在短路缺陷；以及
在确定所述发光元件中的至少一个是有缺陷的发光元件的情况下，将连接到所述有缺陷的发光元件的所述第一电极或所述第二电极与所述第一线或所述第二线分离。
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