CN111986913A - 一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法 - Google Patents

一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及钕铁硼磁体技术领域,且公开了一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片;S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯,本发明通过将钕铁硼磁体生胚切为多个钕铁硼磁体片后,再通过加入重稀土与石墨烯粉末,通过真空烧结使重稀土与石墨烯粉末可以进入烧结钕铁硼磁体内,增强其矫顽力,再通过将钕铁硼磁体进行预处理,将多个钕铁硼磁体片浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体,通过将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后重新回火,使磁体的磁性能得到恢复,使其高温抗老化性能得到提升,从而提高了烧结钕铁硼磁体性能。

Description

一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法
技术领域
本发明涉及钕铁硼磁体技术领域,具体为一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法。
背景技术
钕磁铁也称为钕铁硼磁铁,是由钕、铁、硼形成的四方晶系晶体。于1982年,住友特殊金属的佐川真人发现钕磁铁。这种磁铁的磁能积大于钐钴磁铁,是当时全世界磁能积最大的物质。后来,住友特殊金属成功发展粉末冶金法,通用汽车公司成功发展旋喷熔炼法,能够制备钕铁硼磁铁。这种磁铁是现今磁性仅次于绝对零度钬磁铁的永久磁铁,也是最常使用的稀土磁铁。钕铁硼磁铁被广泛地应用于电子产品,例如硬盘、手机、耳机以及用电池供电的工具等。目前,研究者们针对热变形工艺、微观组织及磁性能三者间关系已进行了较为深入的研究,并且注意到传统烧结和后续热变形过程中的晶粒均易发生长大而导致磁性能恶化。
烧结钕铁硼磁体很容易腐蚀,因此钕铁硼磁体的表面都需要涂层,起到与环境隔绝,防止产品腐蚀的作用。最常用的是表面电镀。但如果一次镀层质量不好,则需要将镀层退去,再重新电镀。而产品在酸洗、电镀及退镀过程中都对产品的表面有一定的破坏作用,会导致产品的磁性能、高温老化性能,结合力等明显恶化,所以我们提出了一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在650-800℃的温度下回火,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体。
优选的,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为5-8mm。
优选的,所述S3中真空烧结的温度为1000-1200℃,真空烧结的时间为2-3h。
优选的,所述预处理为去污、去油和去磁粉处理。
优选的,所述S7中表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
优选的,所述S6中回火时间为3-5h。
与现有技术相比,本发明提供了一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,具备以下有益效果:
1、本发明通过将钕铁硼磁体生胚切为多个钕铁硼磁体片后,再通过加入重稀土与石墨烯粉末,通过真空烧结使重稀土与石墨烯粉末可以进入烧结钕铁硼磁体内,增强其矫顽力,再通过将钕铁硼磁体进行预处理,取出其表面的杂质,从而可以重新将多个钕铁硼磁体片浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体,通过将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后重新回火,使磁体的磁性能得到恢复,使其高温抗老化性能得到提升,从而提高了烧结钕铁硼磁体性能,最后通过对钕铁硼磁体进行纳米螯合薄膜无镀层处理,使其耐腐蚀性能大幅提高。
附图说明
图1为本发明流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
实施例一:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为5mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1000℃,真空烧结的时间为2h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在650℃的温度下回火,回火时间为3h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例二:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为5mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1100℃,真空烧结的时间为2h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在660℃的温度下回火,回火时间为3h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例三:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为6mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1100℃,真空烧结的时间为2.2h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在650-800℃的温度下回火,回火时间为4h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例四:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为6mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1150℃,真空烧结的时间为2.3h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在690℃的温度下回火,回火时间为3.6h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例五:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为7mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1150℃,真空烧结的时间为2-3h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在680℃的温度下回火,回火时间为4h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例六:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为7mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1150℃,真空烧结的时间为2.5h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在700℃的温度下回火,回火时间为4h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例七:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为7mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1200℃,真空烧结的时间为3h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在700℃的温度下回火,回火时间为5h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
实施例八:
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片,每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为8mm;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结,真空烧结的温度为1200℃,真空烧结的时间为3h;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理,预处理为去污、去油和去磁粉处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在800℃的温度下回火,回火时间为5h,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体,表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
综上可得,本发明通过将钕铁硼磁体生胚切为多个钕铁硼磁体片后,再通过加入重稀土与石墨烯粉末,通过真空烧结使重稀土与石墨烯粉末可以进入烧结钕铁硼磁体内,增强其矫顽力,再通过将钕铁硼磁体进行预处理,取出其表面的杂质,从而可以重新将多个钕铁硼磁体片浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体,通过将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后重新回火,使磁体的磁性能得到恢复,使其高温抗老化性能得到提升,从而提高了烧结钕铁硼磁体性能,最后通过对钕铁硼磁体进行纳米螯合薄膜无镀层处理,使其耐腐蚀性能大幅提高。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将钕铁硼磁体生胚切割成多个钕铁硼磁体片;
S2、将多个钕铁硼磁体片叠起,并在多个钕铁硼磁体片上下表面加入重稀土与石墨烯;
S3、将S2中多个钕铁硼磁体片进行真空烧结;
S4、将真空烧结后的钕铁硼磁体进行预处理;
S5、将S4中预处理后的钕铁硼磁体破碎后进行熔炼,重新浇筑后压制成型得到钕铁硼磁体;
S6、将钕铁硼磁体在稀土溶液浸泡后在650-800℃的温度下回火,然后自然冷却至常温;
S7、将S5中的到的钕铁硼磁体进行表面处理后得到最终的钕铁硼磁体。
2.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,其特征在于:每个所述钕铁硼磁体片的厚度均为5-8mm。
3.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,其特征在于:所述S3中真空烧结的温度为1000-1200℃,真空烧结的时间为2-3h。
4.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,其特征在于:所述预处理为去污、去油和去磁粉处理。
5.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,其特征在于:所述S7中表面处理为纳米螯合薄膜无镀层处理。
6.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体性能的方法,其特征在于:所述S6中回火时间为3-5h。
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Denomination of invention: A Method for Improving the Performance of Sintered Neodymium Iron Boron Magnets

Effective date of registration: 20230816

Granted publication date: 20220311

Pledgee: Everbright Xinglong Trust Co.,Ltd.

Pledgor: GANZHOU FORTUNE ELECTRONIC Ltd.

Registration number: Y2023980052424

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