CN110809805A - 使用铜银合金的导电性部件、触头引脚以及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明着眼于构成触头引脚的材料及其加工方法,使用不同于以往的材料以及加工方法制造导电性部件。对包含铜以及银的铜银合金,至少使用铜合金用蚀刻液进行蚀刻处理得到导电性部件,可以选择性地在铜合金用蚀刻液中添加银用蚀刻液。

Description

使用铜银合金的导电性部件、触头引脚以及装置
技术领域
本发明涉及一种使用铜银合金的导电性部件、触头引脚以及装置,特别是涉及一种用于半导体晶圆、PKG等检查的使用铜银合金的导电性部件、触头引脚以及装置。
背景技术
专利文件1中公开了用于电子器件的触头,该触头,具有规定的形状,具有:上侧触头引脚,其包含与待测试的物体即集成电路的引线接触的触头部、2个支承突出部以及主体;下侧触头引脚,其以与上侧触头引脚正交的方式连接于上侧触头引脚;弹簧,其嵌入在上侧触头引脚和下侧触头引脚之间的规定的区域。上侧触头引脚和下侧触头引脚,是通过对棒状的铜合金材料进行机械加工、镀金而制造的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2008-516398号公告的摘要以及第(0006)段
发明内容
发明要解决的技术问题
然而,专利文件1中公开的触头(测试器),虽然对表面施加了镀金,但是金的导电率一般比合金差,因此在使用镀金的上侧触头引脚以及下侧触头引脚的情况下,在导电率、强度这一点上,其未必就是最合适的材料。最先进的半导体器件,间距不断微小化,并且,存在流动大电流的倾向,因此对于镀金的触头引脚来说,今后进行半导体晶圆的检查逐渐变难。
本发明,着眼于构成触头引脚的材料及其加工方法,其所要解决的技术问题是通过不同于专利文件1的公开的材料以及加工方法制造触头引脚。
另外,本发明所要解决的技术问题是,不仅提供触头引脚,还提供使用该元件的导电性部件、测试器单元以及检查装置。
解决技术问题的方法
为了解决上述技术问题,本发明的导电性部件,是对包含铜以及银的铜银合金,至少使用铜合金用蚀刻液进行蚀刻处理而得到的。
所述铜合金用蚀刻液中可以添加有银用蚀刻液。
另外,可以使用上文所述导电性部件制造本发明的触头引脚。
进一步,还能够使用上述导电性部件制造各种装置。这里所说的装置,例如可列举插入器之类的连接器,探测器,包含IC插槽的测试器,用于音圈电机等的工业用弹簧,手抖校正用的光学影像稳定器的悬丝等。
附图说明
图1是本发明的实施方式的触头引脚1000的示意图。
图2是图1中示出的触头引脚1000的制造方法的说明图。
图3是本发明的实施方式的触头引脚1000的制造装置的示意性的结构图。
图4是示出使用与铜相比的银的添加量选用6wt%而制造铜银合金板制造的触头引脚1000的评价结果的图。
图5是示出使用与铜相比的银的添加量选用10wt%而制造的铜银合金板制造的触头引脚1000的评价结果的图。
图6是图3的制造装置的变形例的说明图。
附图标记说明
10 管
15 掩膜图案
20 曝光装置
30 旋转装置
50,60 液槽
100 铜银合金体
1000 触头引脚
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。
图1是本发明的实施方式的触头引脚1000的示意图。图1所示的触头引脚1000用于直接接触半导体晶圆、检查半导体晶圆中是否流动有所需的电流的检查装置等。
触头引脚1000具备:形成为略S字的蛇形的弹簧部130,用于使触头引脚1000主体具有强度的基部114、124,与基部114、124邻接的上侧触头112以及下侧触头122。触头引脚1000,选用铜银合金作为材料,虽然这里示出了平面的形状,但是也能够选用圆柱状之类的立体的形状的触头引脚。
触头引脚100的各部的尺寸,虽然不限于此,但是可以使用如以下的尺寸。
弹簧部130:整体宽度约1mm,线径:约0.2mm,整体长度约8mm,
基部114:宽度约1mm,长度约3mm,
基部124:宽度约1mm,长度约4mm,
上侧触头112,下侧触头122:宽度约0.5mm,长度约2mm。
这里,已知一般情况下,铜合金的强度和导电率存在悖反关系,若强度高则导电率低,相反若导电率高则强度低。因此,在本实施方式中,反复钻研铜银合金板的制造步骤,制造了高强度且高导电率的铜银合金板。
另外,在蚀刻中,构成铜银合金的银部分和铜部分的蚀刻速度不同。这里,本实施方式的铜银合金,大半由铜构成,与铜相比的银的添加量左右着其强度和导电率。因此,在最终能够实现触头引脚1000所需的强度和导电率的条件下,进行铜银合金板的蚀刻。以下,说明(1)铜银合金板的制造步骤和(2)铜银合金板的蚀刻步骤的具体的方法。
(1)铜银合金板的制造步骤
首先,分别准备构成铜银合金板的铜以及银。作为铜,例如,准备将市售品的电解铜或无氧铜制成10mm×30mm×50mm的短条状的铜。作为银,准备大致形状的一次直径为2mm~3mm左右的粒状的银。需要说明的是,无氧铜,例如,可以使用10mm-30mm×10mm-30mm×2mm-5mm的平板。
与铜相比的银的添加量在0.2wt%-15wt%的范围内,优选在0.3wt%-10wt%的范围内,更优选在0.5wt%-6wt%的范围内。这是由于,若考虑铜银合金板的制造成本的低价化,可以说银的添加量相对较少更优选,但是少到银小于0.5wt%的程度的话,无法得到触头引脚1000所需的强度。
接着,在上文所述条件下将添加了银的铜,放入包含塔曼炉的高频或低频的真空熔解炉等熔解炉内,启动熔解炉例如升温到1200℃左右,使铜和银充分熔解,从而铸造铜银合金。
之后,对铸造成为铸锭的铜银合金实施固溶热处理。此时,在空气中铸造铜银合金的情况下,该铸锭的表面氧化,因此将该氧化部分磨削掉。另一方面,铜银合金,也能够在氮气、氩气等的惰性气氛中进行铸造,在这种情况下,不需要该铸锭的表面磨削处理。对铜银合金实施固溶热处理后进行冷轧,例如,在350℃~550℃下进行沉淀热处理。
表1是示出本发明的实施方式的铜银合金板的强度、导电率的测量结果的表。
【表1】
与铜相比的银的添加量为2wt%的情况
板厚[mm] 抗拉强度[MPa] 导电率[%IACS]
0.4 800 86.0
0.3 825 85.0
0.2 850 84.5
0.1 890 83.0
与铜相比的银的添加量为3wt%的情况
板厚[mm] 抗拉强度[MPa] 导电率[%IACS]
0.4 900 82.5
0.3 940 82.0
0.2 970 81.0
0.1 980 79.0
与铜相比的银的添加量为6wt%的情况
板厚[mm] 抗拉强度[MPa] 导电率[%IACS]
0.4 1030 76.5
0.3 1070 74.5
0.2 1100 73.5
0.1 1150 72.0
与铜相比的银的添加量为8wt%的情况
板厚[mm] 抗拉强度[MPa] 导电率[%IACS]
0.4 1100 73.0
0.3 1150 72.0
0.2 1200 71.0
0.1 1230 70.0
表1中,将与铜相比的银的添加量,分别改变为2wt%、3wt%、6wt%、8wt%,并且,在各种情况下,还将铜银合金板的板厚改变为0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm。
如表1所示,可知随着与铜相比的银的添加量增加,存在抗拉强度增大,导电率降低的倾向。另外,可知铜银合金板的板厚也会影响抗拉强度以及导电率,随着板厚減小,存在抗拉强度增大,导电率減小的倾向。
因此可以说,只要根据使用了铜银合金的导电性部件的用途,适当地确定与铜相比的银的添加量以及铜银合金板的板厚即可。
(2)铜银合金板的蚀刻步骤
图2是图1中示出的触头引脚1000的制造方法的说明图。图2中示出了作为触头引脚1000的前体的铜银合金体100和具有透光性的管10,在该管的壁部上形成有与触头引脚1000的形状对应的掩膜图案15(这里,示意性地用网格进行图示)。需要说明的是,图2中示出的铜银合金体100,是将通过已描述的方法制造的大尺寸的铜银合金体100,与触头引脚1000的尺寸相应地进行切割得到的。
在插入管10之前,如已知的,将碘化银、溴化银、丙烯酸等的感光性物质通过喷涂、含浸等涂覆在铜银合金体100的表面上。此时,根据需要,在涂覆感光性物质之前,可以在铜银合金体100上涂覆偶联剂,提高感光性物质的密合性。另外,可以对涂覆了感光性物质的铜银合金体100,实施在100℃~400℃左右的温度下加热规定时间的预烘烤处理,从而使感光性物质固化。
管10,由石英玻璃、氟化钙、氟化镁、亚克力玻璃、铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、低热膨胀玻璃、硅酸系玻璃、丙烯酸树脂等形成。管10的内径可以设置成,在掩膜图案15形成于内壁的情况下,与感光性物质在其表面固化的铜银合金体100的尺寸大致相同。
这是为了,在进行下文所述的曝光处理时,防止管10与铜银合金体100的位置偏移,进行准确的图案转印。因此,管10的内径,只要设置成能够将铜银合金体100通过压入等插入管10的程度即可。需要说明的是,管10的形状,无需设为圆筒状,可以是断面为椭圆状的管,也可以是多边形的管。
掩膜图案15使曝光装置20(图3)照射的紫外光选择性地到达铜银合金体100,采用与最终产品的触头引脚1000的形状对应的图案。掩膜图案15的形成方法,没有特别的限定,可以采用电解电镀、化学镀、热浸镀、真空蒸镀等已知的镀敷法中的任一种。通过镀敷形成的金属膜,为0.5μm~5.0μm左右的厚度即可,作为其材料,能够使用镍、铬、铜、铝等。需要说明的是,掩膜图案15可以是阳型、阴型的任一种。
另外,可以在管100的内壁形成掩膜图案15,也可以在外壁形成掩膜图案15。在管100为小直径,且如2cm~3cm这样较短的情况下,能够在管100的内壁上形成掩膜图案15。可以根据需要设置将来自曝光装置20的照射光改变成平行光的透镜,从而提高曝光时的分辨率。
图3是本发明的实施方式的触头引脚1000的制造装置的示意性的结构图。图3中示出了:将插入有铜银合金体100的管10以其轴心为中心进行旋转的旋转装置30,朝向管10的圆筒面照射紫外光等的曝光装置20,装有使得被曝光装置20曝光的铜银合金体100显影的显影液的液槽50,装有含浸铜银合金体100的蚀刻液的液槽60。
需要说明的是这一点需要留意:为了说明的容易理解,绘制了图3中示出的各部,实际上存在没有按照图示的尺寸比例的情况。
旋转装置30具备与未图示的内置电机相连接的旋转轴部32,和位于旋转轴部32的顶端的管接收部34。管接收部34,构成为能够相对于旋转轴部32装卸,能够根据管10的尺寸进行选择。旋转轴部32,例如,在下文所述的条件的曝光装置20的情况下,设定为以1分钟1~2转的速度旋转。因此,旋转轴部32的旋转速度,根据曝光条件确定即可。需要说明的是,旋转装置30,不是如图3所示仅仅与管10的一端相连接,而是与其两端相连接也可以。
曝光装置20,照射波长为360nm~440nm(例如,390nm)左右,且功率为150W左右的紫外光。具体地,虽然不限于此,但是曝光装置20能够使用氙气灯、高压水银灯等。虽然这里仅示出了设置1台曝光装置20的例子,但是也能够通过设置多台以谋求缩短曝光时间。需要说明的是,曝光装置20与管10的距离,只要是上文所述的紫外光的照射条件,设为20cm~50cm程度的间隔也可以。
液槽50中装有显影液,该显影液用于从使用曝光装置20进行了曝光处理的铜银合金体100上,除去多余的感光性材料。显影液,根据感光性材料进行选择即可,能够使用作为有机碱的TMAH(tetra-methyl-ammonium-hydroxide,四甲基氢氧化铵)的2.38wt%水溶液。
液槽60中装有蚀刻液,该蚀刻液用于在对被曝光装置20曝光后的铜银合金体100实施显影处理并进行所需的洗净处理后,进行蚀刻。蚀刻液选择比重为1.2~1.8左右的氯化铁、过硫酸铵和升汞的混合液等适合铜合金的蚀刻的蚀刻液,进一步,选择性地,还能够少量添加同程度的比重的硝酸铁液等适合银的蚀刻的蚀刻液(例如,5%左右)。
若如此,在溶解时即使产生了银的块体等,也能够防止该银的块体的残留在蚀刻处理后的铜银合金体100的表面上。虽然如此,但是当硝酸铁液等的添加量多时,蚀刻处理后的铜银合金体100的表面中的银的比例变少,触头引脚1000的表面强度会降低,因此不优选。
接着,说明触头引脚1000的制造方法。首先,准备与将要形成于铜银合金体100的图案对应的掩膜图案15例如形成于其内壁的管10。管10,如已经描述的,由石英玻璃等形成。
另外,在铜银合金体100的外表面上也涂覆感光性材料等。之后,在100℃~400℃左右的温度下对铜银合金体100进行预烘烤处理。将通过这样使得感光性材料固化的铜银合金体100插入管10内。
接着,将管10安装在旋转装置30的管接收部34上,驱动旋转装置30的内置电机。由此,使管10以其轴心为中心旋转。接下来,通过启动曝光装置20,一边旋转插入有铜银合金体100的管10一边进行曝光。
之后,从管10中取出铜银合金体100,在装有显影液的液槽50中,含浸数十秒(例如20秒)左右。这样,从铜银合金体100上除去多余的感光性材料。然后,如已知的,对铜银合金体100进行洗净处理,然后在装有蚀刻液的液槽60中含浸铜银合金体100。含浸时间,根据铜银合金体100的材料、厚度等确定即可,但是一般可以选用2分钟~15分钟,例如10分钟以下。通过以上的步骤,能够制造所需的形状的触头引脚1000。
需要说明的是,如果对于触头引脚1000的表面,施加通过电解电镀、真空蒸镀、静电喷涂等将石墨烯等碳、纳米银等涂覆为2μm~3μm左右的厚度的涂膜处理,能够进一步提高导电性,能够提高触头引脚1000的容许电流。
图4是示出使用与铜相比的银的添加量选用6wt%而制造的铜银合金板制造的触头引脚1000的评价结果的图。评价对象的触头引脚1000,是使用图1说明的尺寸,全长为约20mm,厚度为约0.2mm。需要说明的是,图4中示出的评价试验,是触头引脚1000的位移量为0.8[mm]且次数为执行1万次的情况下的平均值。另外,即使执行1万次,触头引脚1000也未发现功能以及性能的降低。
图4(a)中示出了触头引脚1000的移动量与载荷的关系。需要说明的是,在图4(a)中,在横轴上示出触头引脚1000的位移量[mm],在纵轴上示出触头引脚1000的载荷[gf]。在图4(b)中示出了触头引脚1000的移动量与接触电阻的关系。需要说明的是,在图4(b)中,在横轴上示出触头引脚1000的位移量[mm],在纵轴上示出触头引脚1000的与导电率相关的接触电阻值[mΩ]。
另外,图4(a)以及图4(b)中示出的实线是触头引脚1000的位移量从0[mm]移动到0.8[mm]的情况下的载荷以及接触电阻值,虚线示出触头引脚1000的位移量从0.8[mm]移动到0[mm]的情况下的载荷以及接触电阻值。
根据图4(a),在触头引脚1000的位移量从0[mm]移动到0.8[mm]的情况下,和从0.8[mm]移动到0[mm]的情况下,载荷均为10[gf]以下。
根据图4(b)可知,在触头引脚1000的位移量从0[mm]移动到0.8[mm]的情况下,当位移量为约0.25[mm]以上时,接触电阻值为100[mΩ]以下;在从0.8[mm]移动到0[mm]的情况下,到位移量为约0.1[mm]为止,接触电阻值为100[mΩ]以下。
图5是示出使用与铜相比的银的添加量选用10wt%而制造的铜银合金板制造的触头引脚1000的评价结果的图。评价对象的触头引脚1000,为使用图1说明的尺寸,全长为约20mm,厚度为约0.2mm。需要说明的是,图5中示出的评价试验,是触头引脚1000的位移量为0.8[mm]且次数为执行1万次的情况下的平均值。另外,即使执行1万次,触头引脚1000也未发现功能以及性能的降低。
图5(a)中示出了触头引脚1000的移动量与载荷的关系。需要说明的是,在图5(a)中,在横轴上示出触头引脚1000的位移量[mm],在纵轴上示出触头引脚1000的载荷[gf]。图5(b)中,示出了触头引脚1000的移动量与接触电阻的关系。需要说明的是,在图5(b)中,在横轴上示出触头引脚1000的位移量[mm],在纵轴上示出触头引脚1000的与导电率相关的接触电阻值[mΩ]。
根据图5(a)可知,在触头引脚1000的位移量从0[mm]移动到0.8[mm]的情况下,和从0.8[mm]移动到0[mm]的情况下,载荷均为10[gf]以下。
根据图5(b)可知,在触头引脚1000的位移量从0[mm]移动到0.8[mm]的情况下,当位移量为约0.35[mm]以上时,接触电阻值为100[mΩ]以下,在从0.8[mm]移动到0[mm]的情况下,到位移量为约0.1[mm]为止,接触电阻值为100[mΩ]以下。
需要说明的是,近年,在半导体晶圆检查装置中,触头引脚的位移量为0.1[mm]~0.3[mm]左右,在这种情况下,要求载荷为约4[gf]以下、接触电阻值为200[mΩ]以下,触头引脚1000,如根据图4以及图5任一者的评价结果可知的,满足该要求。
另外,近年,在IC封装用的测试插槽装置中,触头引脚的位移量为0.5[mm]左右,在该情况下,要求载荷为约25[gf]以下、接触电阻值为200[mΩ]以下,触头引脚1000,如根据图4以及图5的任一者的评价结果可知的,满足该要求。
进一步,近年,在探针、检测针等的电路及其所搭载的基板中,触头引脚的位移量为1.0[mm]左右,在这种情况下,要求载荷为约10[gf]~20[gf]以下、接触电阻值为200[mΩ]以下,触头引脚1000,如根据图4以及图5的任一者的评价结果可知的,满足该要求。
还另外,近年,在电池的检查装置中,触头引脚的位移量为0.7[mm]左右,在这种情况下,要求载荷为约14[gf]以下、接触电阻值为100[mΩ]以下,触头引脚1000,如根据图4以及图5的任一者的评价结果可知的,满足该要求。
图6是图3的制造装置的变形例的说明图。图6中示出了管10和曝光装置20a~20h。需要说明的是,图6是从图3的管10的轴心方向观察到的图。虽然在图3中示出了仅用1台曝光装置20进行曝光的例子,但是这里示出了例如用8台曝光装置20a~20h围绕管10的圆筒面的状态。
这样,当用多个曝光装置20a~20h对管10进行曝光时,即使不设置旋转装置30使管10旋转,也能够对管10的圆筒面无遗漏地进行曝光。因此,在图6所示的例子的情况下,存在无需设置旋转装置30的优点。
如以上所述,虽然在本实施方式,作为导电性部件的示例,示例了构成半导体测试器的触头引脚1000的制造装置以及制造方法,但是也能够作为除触头引脚1000以外的导电性材料使用。具体地,可示例插入器之类的连接器,探测器,包含IC插槽的测试器,用于音圈电机等的工业用弹簧,手抖校正用的光学影像稳定器的悬丝。
进一步,在本实施方式中,以制造铜银合金板的情况为例进行了说明,但是不仅仅是板材,例如,也可以制造与用途相应的直径的圆线材。这样,如已描述的,在使用导电性材料最终得到的产品为圆柱状的情况下,或者,对于上文例示的弹簧等来说,省去了从铜银合金板上切下的工序,因此能够简化制造步骤。即,本实施方式的导电性部件,还能够制造具有与最终产品的形状相应的形状的铜银合金体。

Claims (4)

1.一种导电性部件,其特征在于,是对包含铜以及银的铜银合金,至少使用铜合金用蚀刻液进行蚀刻处理而得到的导电性部件。
2.如权利要求1所述的导电性部件,其特征在于,所述铜合金用蚀刻液中添加有银用蚀刻液。
3.一种触头引脚,其特征在于,使用了如权利要求1所述的导电性部件。
4.一种装置,其特征在于,使用了如权利要求1所述的导电性部件。
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