CN110148592A - 一种显示面板、包含其的显示装置 - Google Patents

一种显示面板、包含其的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110148592A
CN110148592A CN201910427508.2A CN201910427508A CN110148592A CN 110148592 A CN110148592 A CN 110148592A CN 201910427508 A CN201910427508 A CN 201910427508A CN 110148592 A CN110148592 A CN 110148592A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display panel
layer
line
resistance
grounded metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910427508.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110148592B (zh
Inventor
刘海民
熊志勇
范刘静
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd filed Critical Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Priority to CN201910427508.2A priority Critical patent/CN110148592B/zh
Publication of CN110148592A publication Critical patent/CN110148592A/zh
Priority to US16/671,543 priority patent/US11024695B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110148592B publication Critical patent/CN110148592B/zh
Priority to US17/238,108 priority patent/US11744122B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention

Abstract

本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，包括：显示区和围绕所述显示区非显示区，所述非显示区包括台阶区、与所述台阶区相邻的左边框和右边框、以及与所述台阶区相对设置的上边框；所述左边框、又边框、上边框以及台阶区围绕所述显示区；所述左边框和所述右边框包括封装区；所述封装区包括封框胶和反射金属层，所述封框胶和所述反射金属层至少部分交叠；所述台阶区包括接地金属线，所述接地金属线与所述反射金属层之间通过电阻消耗部连接。本申请在反射金属层和接地金属线之间串联一段或多段电阻消耗部，使大部分静电在断口处消耗，从而保护后边与接地金属线交叠的器件免受静电的影响。

Description

一种显示面板、包含其的显示装置
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、包含其的显示装置。
【背景技术】
显示面板封装区用Frit(玻璃料)进行封装，玻璃料经过激光镭射熔融进行封装。为了提高激光的利用率和玻璃料熔融的均匀性，在封装区会设置Frit Metal(反射金属层)。同时，为了防止静电在反射金属层累积击伤玻璃料，反射金属层连接接地信号线起到传导静电的作用。现在，带R角(圆角)与Notch(缺口)的手机产品越来越多，在丝印Frit的时候由于需要进行磨边对R角和Notch进行处理，通常在R角区域Frit离切割边需要大于120μm空出切割净空区，设计上R角区域会将Frit缩在Frit Metal内部。由于Frit Metal上仅有无机绝缘层的保护，在静电打至下R角区域时会将这些无机层击穿，静电顺着Frit Metal传导到接地信号线，会击伤与接地信号线交叠的测试电路区域走线与移位寄存器电路，造成乱显。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板、包含其的显示装置，用以解决上述技术问题。
一方面，本申请提供一种显示面板，包括：显示区和围绕所述显示区非显示区，所述非显示区包括台阶区、与所述台阶区相邻的左边框和右边框、以及与所述台阶区相对设置的上边框；所述左边框、又边框、上边框以及台阶区围绕所述显示区；所述左边框和所述右边框包括封装区；所述封装区包括封框胶和反射金属层，所述封框胶和所述反射金属层至少部分交叠；所述台阶区包括接地金属线，所述接地金属线与所述反射金属层之间通过电阻消耗部连接。
另一方面，本申请提供一种显示装置包括前述显示面板。
按照本申请提供的显示面板和显示装置，在反射金属层和接地金属线之间串联一段或多段电阻消耗部，使大部分静电在断口处消耗，从而保护后边与接地金属线交叠的器件免受静电的影响。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请一个实施例显示面板的示意图；
图2为图1中AA’的一种截面示意图；
图3为图1实施例左下角的局部放大示意图；
图4为本申请一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；
图5为图4中BB’的一种截面示意图；
图6为本申请另一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；；
图7为图6中CC’的一种截面示意图；
图8为本申请又一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；；
图9为图8中DD’的一种截面示意图；
图10为图8中DD’的另一种截面示意图；
图11为本申请又一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；；
图12为图11中EE’的一种截面示意图；
图13为图11中EE’的另一种截面示意图；
图14为本申请一个实施例显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述电阻消耗部，但这些电极不应限于这些术语。这些术语仅用来将电阻消耗部彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一电阻消耗部也可以被称为第二电阻消耗部，类似地，第二电阻消耗部也可以被称为第一电阻消耗部。
如背景技术所述，为了避免封装金属层的静电积累，封装金属层需要与接地信号线电路电连接，释放静电，避免静电累积。然而，当有强静电击穿封装金属层上的无机层时，会通过封装金属层传输到接地信号线，而接地信号线与测试电路区域交叠，静电会击伤测试电路。因此，本申请提供一种显示面板和显示装置以解决上述技术问题。
请参考图1～图5，图1为本申请一个实施例显示面板的示意图；图2为图1中AA’的一种截面示意图；图3为图1实施例左下角的局部放大示意图；图4为本申请一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；图5为图4中BB’的一种截面示意图；
本申请的显示面板包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区，该非显示区包括台阶区STP、与该台阶区STP相邻的左边框NAL和右边框NAR、以及与该台阶区STP相对设置的上边框NAT；左边框NAL、右边框NAR、上边框NAT以及台阶区STP围绕显示区AA；
左边框NAL和右边框NAR包括封装区Fr；位于左边框NAL和右边框NAR的封装区Fr包括封框胶220和反射金属层210，封框胶220和反射金属层210至少部分交叠；为了防止水汽和氧气入侵显示面板，在显示面板的非显示区NA都设置有封装区Fr和封框胶220，封框胶220一般为玻璃料Frit，需要进行激光熔融，为了提高激光利用率和熔融的均一性，需要设置反射层反射激光。除了左边框NAL和右边框NAR之外，位于上边框NAT的封装区Fr也设置有反射金属层210和封框胶210；位于台阶区STP的封装区Fr设置有封框胶220，但是在台阶区STP无需额外设置反射金属层。这是由连接测试电路的连接线，数据线的扇出线和其他与绑定端子(或驱动芯片)的连接线充当反射金属层，起到反射激光的作用。该台阶区STP还包括接地金属线GND，接地金属线GND与反射金属层210之间通过电阻消耗部40连接。需要说明的是接地金属线GND可以连接地电位或者是阴极电位，起到释放静电的作用。
如图3所示，图3为图1左下角的局部放大示意图，带R角与Notch的显示面板在丝印Frit的时候由于需要进行磨边，通常在R角区域Frit离切割边需要大于120μm，设计上R角区域多数会将Frit缩在Frit Metal内部(图3所示)虚线框区域为封框胶220的区域，封框胶220内缩于反射金属层210内部。请继续参考图2，本申请的显示面板包括基板110，依次设置于基板110上的有源层120、栅极金属层131、电容金属层132、源漏金属层133以及与源漏金属层连接的发光器件和封装基板160；发光器件包括第一电极层151、第二电极层153和位于第一电极层151和第二电极层153之间的有机发光层152。设置于有源层120和栅极金属层131之间的栅极绝缘层141；设置于栅极金属层131和电容金属层132之间的第一层间绝缘层142；设置于电容金属层132和源漏金属层133之间第二层间绝缘层143；源漏金属层133和第一电极层151之间的平坦化层144和设置于第一电极层151和第二电极层153之间的像素定义层145。结合图3，可见由于封框胶220内缩，部分反射金属层210上只有无机绝缘层，例如栅极绝缘层141和/或第一层间绝缘层142，这时外来的静电很容易击穿无机绝缘层而传输到反射金属210。请继续参考图4，绑定端子50与测试电路通过连接线30连接，连接线30与接地金属线GND交叠，当静电传输到接地金属线GND时，静电会击伤绑定端子50与测试电路的连接线30。本申请的显示面板在反射金属层220和接地金属线GND之间设置电阻消耗部40，应用本申请的显示面板传输到接地金属线GND之前被电阻消耗部40消耗，避免击伤与接地金属线GND交叠的器件。
在本申请的一个实施例中，请参考图4和图5，电阻消耗部40包括断线部401；断线部401可以通过激光镭射将接地金属线GND和反射金属层210之间的连接线211断开。镭射断开实际上相当于串联高阻值电阻，静电在释放过程中遇到高阻值的区域会再次耗散，这样往后传输的静电就较小了，从而保护与接地金属线GND交叠的器件，例如测试电路。具体串联大阻值的长短理论上应该差异不大。需要注意的是，沿所述接地金属线GND的延伸方向上，断线部401的长度小于或等于10微米。避免由于断线部401太长导致反射金属层200与接地金属线GND直接断开。
请继续参考图6和图7，图6为本申请另一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；图7为图6中CC’的一种截面示意图；由于电阻消耗部只要是大电阻就可以消耗部分或者全部的静电，起到保护与接地金属线GND交叠的器件的作用。而激光镭射形成断线部需要增加额外的工艺，并且对于精度的要求很高，因此，在本申请另一个实施例中，显示面板还包括交叉设置的扫描信号线和数据信号线(未示出)；其中扫描信号线位于所述栅极金属层；数据信号线位于所述源漏金属层；由于源漏金属层133用于传输数据信号，因此，为了减小数据信号在传输中的损耗，源漏金属层131的方阻很小。而位于栅极金属层131的扫描线仅仅需要满足晶体管打开的条件即可，至于传输的电压值则不需要像数据信号线传输的数据信号那么精确。因此，栅极金属层131的方阻比较大。本实施例中，源漏金属层133的方阻小于栅极金属层131的方阻。本实施例的电阻消耗部40包括位于栅极金属层131的第一电阻消耗部402。需要说明的是，第一电阻消耗部402可以设置于接地金属线GND和反射金属层210之间的转接线211与接地金属线GND之间。本申请在在反射金属层210和接地金属线GND之间串联高阻值第一电阻消耗部402，静电在释放过程中遇到高阻值的区域会再次耗散，这样往后传输的静电就较小了，从而保护与接地金属线GND交叠的器件，例如测试电路。
在本申请的另一个实施例中，请继续参考图8和图9，图8为本申请又一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；图9为图8中DD’的一种截面示意图；为了进一步增加电阻消耗部40的电阻，同时又不增加显示面板中的膜层设计，该电阻消耗部40包括位于有源层120的第二电阻消耗部403，第二电阻消耗部403的掺杂浓度小于有源层120中轻掺杂区的掺杂浓度。这样可以在保持导电的前提下尽量增加第二电阻消耗部403的电阻。第二电阻消耗部403可以设置于接地金属线GND和反射金属层210之间的转接线211与接地金属线GND之间。可选的，第二电阻消耗部403可以包括未掺杂的有源层材料，这样可以在保证可以传导静电，避免静电累积的同时最大程度的消耗静电，使得静电在释放过程中遇到高阻值的区域会再次耗散，这样往后传输的静电就较小了，从而保护与接地金属线GND交叠的器件，例如测试电路。
进一步的，请参考图9，进一步的，为了进一步提高电阻消耗部40的电阻，本实施例的电阻消耗部40可以所述电阻消耗部包括位于所述有源层的有源层部4041，所述有源层部4041的掺杂浓度小于所述有源层中轻掺杂区的掺杂浓度还包括与有源层部4041至少部分交叠的栅极部4042，栅极部4042与有源层部4041构成电阻消耗晶体管404，对栅极部4042第一电压，第一电压使电阻消耗晶体管404截止。例如有源层部与栅极部构成P型晶体管，则对栅极部施加高电平信号，使得P型晶体管截止，相较于没有栅极部的方案，本方案的电阻消耗部40的等效电阻更大，消耗静电的效果更佳。如果有源层部与栅极部构成N型晶体管则相反，对栅极部施加低电平信号。
进一步的，请参考图10，图10为图8中DD’的另一种截面示意图；
本申请包括多段电阻消耗部40串联设置。可以是同种电阻消耗部40，如多段断线部串联设置；或，多段第一电阻消耗部串联设置；或，多段第二电阻消耗部串联设置；或，多段电阻消耗晶体管串联设置。具体的，可以是三个或者三个以上的第二电阻消耗部403串联设置。多段电阻消耗部40的作用在于多段进行保护。第一段电阻消耗部40损坏后面还有第二段电阻消耗部40进行二次保护。确保不会往后传输，从而保护与接地金属线GND交叠的器件，例如测试电路。
在另一个实施例中，多段串联的所述电阻消耗部包括断线部、第一电阻消耗部、第二电阻消耗部和电阻消耗晶体管中的至少两者。具体的，如图10所示，电阻消耗部40可以是断线部401，第一电阻消耗部402和第二电阻消耗部403的组合，以达到更好的释放静电的效果。
进一步的，当多段串联的所述电阻消耗部包括第一电阻消耗部时，第一电阻消耗部远离所述反射金属层且靠近接地金属线。例如：当包括断线部401、第二电阻消耗部403和第一电阻消耗部402时，可以将断线部401或者第二电阻消耗部403设置于靠近反射金属层210的位置，将第一电阻消耗部402设置于靠近接地金属线GND的位置。这样一方面可以避免强静电线通过第一电阻消耗部时第一电阻消耗部无法承受造成第一电阻消耗部击伤而失效的问题；另一方面，可以避免串联的断线部401或第二电阻消耗部403造成的静电传输效果差，造成的静电累积；同时避免串联的第一电阻消耗部402造成电阻不够大，静电消耗能力不够强的问题。本实施例将断线部401或者第二电阻消耗部403设置于靠近反射金属层210的位置，首先消耗大量的静电；将第一电阻消耗部402设置于靠近接地金属线GND的位置在消耗大量静电之后还能静电传导的作用。如果反过来设计则会造成第一电阻消耗部402容易被击伤，造成无法抵御二次静电的问题。
可选的，电阻消耗部的设置顺序由反射金属层指向接地金属线的方向上依次为断线部、电阻消耗晶体管、第二电阻消耗部和第一电阻消耗部。这样可以让靠近反射金属层的电阻消耗部优先消耗静电，包括靠近反射金属层的电阻消耗部。
进一步的，请参考图11，图11为本申请又一个实施例显示面板台阶区的局部放大的示意图；
显示面板包括绑定端子50和测试电路(未示出)，绑定端子50与测试电路通过连接线30电连接；测试电路用于在测试时将数据信号线短路；这样只需要写入一组数据信号就能够整个显示面板点亮，在不绑定驱动芯片的前提下就可以对显示面板进行测试。
该连接线30与接地金属线GND至少部分交叠；连接线30包括与接地金属线GND交叠的第一连接线301，接地金属线GND包括与连接线交叠的第一接地金属线GND1。
当没有被静电消耗部40消耗的静电传输到接地金属线GND时，静电可能将第一接地金属线GND1和第一连接线301之间的无机层绝缘层击穿，从而损坏第一连接线301，这样，绑定端子50的信号无法传输到测试电路，无法进行显示面板的测试。
为了避免没有被电阻消耗部40消耗的静电损坏第一连接线301，本实施例设置的连接线包30括与接地金属线GND交叠的交叠部，和与接地金属线GND不交叠的非交叠部，交叠部的宽度大于非交叠部的宽度。请参考图11，连接线的交叠部为第一连接线301，连接线30除第一连接线301之外的为非交叠部。由于绑定端子50的宽度远大于连接线30的宽度，因此有充足的空间设置交叠部。本申请设置交叠部的宽度大于非交叠部的宽度，使得连接线30与接地金属线GND的交叠部的面积增大，则在相同的静电条件下，单位面积的静电量少，不容易将连接线30与接地金属线GND交叠部分之间的无机绝缘层击穿，从而避免了未被电阻消耗部40消耗的电阻击伤与接地金属线GND交叠的器件，进一步提升显示面板的抗静电能力。进一步的，还可以通过加宽接地金属线GND的方式增加接地金属线GND与第一连接线301的交叠面积。例如，接地金属线GND的宽度大于80微米。进一步的，设置第一接地金属线GND1与第一连接线301的交叠面积大于等于1000平方微米时可以有效的降低静电击伤的风险。
除了增加第一连接线301和第一接地金属线GND1的交叠面积可以降低静电击伤的风险之外，增加第一连接线301和第一接地金属线GND1之间的垂直距离也可以降低第一连接线301和第一接地金属线GND1之间被击穿的风险。请参考图12，图12为图11中EE’的一种截面示意图；
第一连接线301位于有源层120，第一连接线301的掺杂浓度大于或者等于重掺杂区的掺杂浓度；重掺杂的有源层材料其电阻很小，导电性能和金属相当。而在本申请中，有源层120为最靠近基板110的导电层，因此，将第一连接线301设置于有源层时可以增大第一连接线301和第一接地金属线GND1之间的距离，降低被静电击穿的风险。进一步的，第一接地金属线GND与所述第一连接线301之间包括至少两层无机绝缘层，在垂直于所述显示面板的方向上，无机绝缘层的厚度大于等于0.6μm。发明人经过测试发现，当位于第一连接线301和第一接地金属线GND1之间的无机绝缘层的厚度大于0.6μm时，ESD电压累积打至±6KV(打背面侧棱)经过电阻消耗部的静电仍然能够击穿无机绝缘层的概率大大降低了。
具体的，当显示面板包括电容金属层时，第一连接线301和第一接地金属线GND1之间包括栅极绝缘层141、第一层间绝缘层142和第二层间绝缘层143，三层绝缘由于厚度的原因同时被击穿的风险大大降低。进一步的，在垂直于显示面板的方向上，第一连接线301与所述第一接地金属线GND1之间的距离L1大于等于0.6μm。此时，第一连接线301与所述第一接地金属线GND1之间的无机绝缘层被击穿的风险将大大降低。
为了进一步增加第一连接线301和第一接地金属线GND1之间的距离，可以在第一接地金属线GND1和第一连接线301之间增加一层有机绝缘层。第一接地金属线GND1与第一连接线301之间包括至少两层无机绝缘层和一层有机绝缘层，在垂直于显示面板的方向上，第一接地金属线GND1与第一连接线301之间的距离大于等于1.8μm。
在本申请的另一个实施例中，为了在不增加膜层和工艺的前提下进一步增加第一连接线301与所述第一接地金属线GND1之间距离，降低静电击穿的风险。请参考图13，图13为图11中EE’的另一种截面示意图；第一接地金属线301位于第一电极层151。第一电极层151通常有ITO/Ag/ITO组成，其方阻相对较小，导电能力强可以作为接地金属线的材料。此时，第一连接线301和第一接地金属线GND1之间包括栅极绝缘层141、第一层间绝缘层142和第二层间绝缘层143和平坦化层144，四层绝缘由于厚度的原因同时被击穿的风险大大降低。而且，平坦化层通常由有机材料构成用于平坦化，其厚度远高于无机绝缘层，可以大大降低被静电击穿的风险。进一步的，在第一接地金属线GND1与第一连接线301之间包括至少两层无机绝缘层和一层有机绝缘层时，在垂直于显示面板的方向上，该第一连接线301与第一接地金属线GND1之间的距离L2大于等于3μm。大大降低了静电击穿的概率，保护了第一连接线301和与之连接的器件。
进一步的，请继续参考图11，为了继续降低显示面板被静电击伤的风险，该显示面板包括与连接线30电连接的静电防护器件60，静电防护器件60包括第一二极管601和第二二极管602；第一二极管601的正极连接连接线30，第一二极管601的负极连接高电平信号线VGH；第二二极管602的负极连接连接线30，第二二极管602的正极连接低电平信号线VGL。本实施例以PMOS晶体管作为二极管为例进行说明，第一二极管601包括第一晶体管的栅极和漏极连接高电平信号线VGH，源极连接连接线30；第二二极管602包括第二晶体管的栅极和源极连接连接线30，漏极连接低电平信号线VGL。在正常没有遭受静电的条件下，第一晶体管的栅极和漏极连接高电平信号，连接线30的信号也在正常的工作范围之内，第一晶体管关闭；同理，第二晶体管的栅极和源极连接连接线30，也不满足PMOS晶体管打开的条件。但是当连接线30遭受到特低电平时，第二晶体管的栅极电位远低于低电平信号VGL，第二晶体管导通，特低电平通过第二晶体管传输到低电平信号线VGL实现静电的导出；当连接线30遭受到特高电平时，第一晶体管的栅极电位远低于特高电平，第一晶体管导通，特高电平通过第一晶体管传输到高电平信号线VGH实现静电的导出；这里所说的特低电平是远低于低电平信号线VGL上信号的静电，特高电平是远高于高电平信号线VGH上信号的静电。利用本实施例的静电防护器件60可以导出未被电阻消耗部40消耗的静电，进一步提高静电防护性能。
请参考图14，图14为本申请一个实施例的显示装置示意图。本中请还公开一种显示装置。本申请的显示装置可以包括如上所述的显示面板。包括但不限于蜂窝式移动电话、平板电脑、计算机的显示器、应用于智能穿戴设备上的显示器、应用于汽车等交通工具上的显示装置等等。只要显示装置包含了本申请公开的显示装置所包括的显示面板，便视为落入了本申请的保护范围之内。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括台阶区、与所述台阶区相邻的左边框和右边框、以及与所述台阶区相对设置的上边框；所述左边框、右边框、上边框以及台阶区围绕所述显示区；
所述左边框和所述右边框包括封装区；所述封装区包括封框胶和反射金属层，所述封框胶和所述反射金属层至少部分交叠；
所述台阶区包括接地金属线，所述接地金属线与所述反射金属层之间通过电阻消耗部连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括依次设置的基板、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏金属层、平坦化层、第一电极层、像素定义层、有机发光层和第二电极层；
所述显示面板还包括交叉设置的扫描信号线和数据信号线；其中所述扫描信号线位于所述栅极金属层；所述数据信号线位于所述源漏金属层；
所述源漏金属层的方阻小于栅极金属层的方阻。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述电阻消耗部包括断线部。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述电阻消耗部包括位于所述栅极金属层的第一电阻消耗部。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述电阻消耗部包括位于所述有源层的第二电阻消耗部，所述第二电阻消耗部的掺杂浓度小于所述有源层中轻掺杂区的掺杂浓度。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述电阻消耗部包括位于所述有源层的有源层部，所述有源层部的掺杂浓度小于所述有源层中轻掺杂区的掺杂浓度
还包括与所述有源层部至少部分交叠的栅极部，所述栅极部与所述有源层部构成电阻消耗晶体管，对所述栅极部第一电压，所述第一电压使所述电阻消耗晶体管截止。
7.根据权利要求3～6中任一所述的显示面板，其特征在于，
多段所述电阻消耗部串联设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
多段所述断线部串联设置；或，多段所述第一电阻消耗部串联设置；或，多段所述第二电阻消耗部串联设置；或，多段所述电阻消耗晶体管串联设置。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
多段串联的所述电阻消耗部包括断线部、第一电阻消耗部、第二电阻消耗部和电阻消耗晶体管中的至少两者。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
当多段串联的所述电阻消耗部包括第一电阻消耗部时，所述第一电阻消耗部远离所述反射金属层且靠近接地金属线。
11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
包括绑定端子和测试电路，所述绑定端子与所述测试电路通过连接线电连接；所述测试电路用于在测试时将所述数据信号线短路；
所述连接线与所述接地金属线至少部分交叠；
所述连接线包括与所述接地金属线交叠的第一连接线，所述接地金属线包括与所述连接线交叠的第一接地金属线。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述连接线包括与所述接地金属线交叠的交叠部，和与所述接地金属线不交叠的非交叠部，所述交叠部的宽度大于所述非交叠部的宽度。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
包括与所述连接线电连接的静电防护器件，所述静电防护器件包括第一二极管和第二二极管；
所述第一二极管的正极连接所述连接线，所述第一二极管的负极连接高电平信号线；所述第二二极管的负极连接所述连接线，所述第二二极管的正极连接低电平信号线。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述第一连接线位于所述有源层，所述第一连接线的掺杂浓度大于或者等于重掺杂区的掺杂浓度；在垂直于所述显示面板的方向上，至少设置有栅极绝缘层、第一层间绝缘层和第二层间绝缘层。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，
所述第一接地金属线位于所述第一电极层，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一连接线与所述第一接地金属线之间至少设置有栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和平坦化层。
16.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述第一接地金属线与所述第一连接线之间包括至少两层无机绝缘层和一层有机绝缘层，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一接地金属线与所述第一连接线之间的距离大于等于1.8μm。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权1～16任一所述的显示面板。
CN201910427508.2A 2019-05-21 2019-05-21 一种显示面板、包含其的显示装置 Active CN110148592B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910427508.2A CN110148592B (zh) 2019-05-21 2019-05-21 一种显示面板、包含其的显示装置
US16/671,543 US11024695B2 (en) 2019-05-21 2019-11-01 Display panel and display apparatus including the same
US17/238,108 US11744122B2 (en) 2019-05-21 2021-04-22 Display panel and display apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910427508.2A CN110148592B (zh) 2019-05-21 2019-05-21 一种显示面板、包含其的显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110148592A true CN110148592A (zh) 2019-08-20
CN110148592B CN110148592B (zh) 2020-12-11

Family

ID=67592508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910427508.2A Active CN110148592B (zh) 2019-05-21 2019-05-21 一种显示面板、包含其的显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US11024695B2 (zh)
CN (1) CN110148592B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110838509A (zh) * 2019-11-20 2020-02-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112820738A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112908168A (zh) * 2021-01-28 2021-06-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114299873A (zh) * 2022-02-22 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其驱动方法、以及oled显示装置
WO2023206278A1 (zh) * 2022-04-28 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110148592B (zh) * 2019-05-21 2020-12-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、包含其的显示装置
CN111106155B (zh) * 2019-12-30 2022-10-25 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111599847B (zh) * 2020-05-29 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN112102783B (zh) * 2020-11-05 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子设备
CN112670270B (zh) * 2020-12-22 2024-01-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112927639B (zh) * 2021-03-31 2024-03-08 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
WO2024000287A1 (zh) * 2022-06-29 2024-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1696772A (zh) * 2005-06-15 2005-11-16 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板
CN101039027A (zh) * 2007-05-10 2007-09-19 北京中星微电子有限公司 改进的静电放电保护电路
JP2015032520A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ
CN105717708A (zh) * 2016-04-29 2016-06-29 上海天马微电子有限公司 一种背光模组、显示模组及显示装置
CN106684080A (zh) * 2015-07-10 2017-05-17 恩智浦有限公司 包括硅可控整流器的静电放电保护装置
CN206340298U (zh) * 2017-01-03 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及显示装置
CN107219699A (zh) * 2017-06-22 2017-09-29 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板
CN108519696A (zh) * 2018-03-30 2018-09-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109686311A (zh) * 2019-02-26 2019-04-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847690A (en) * 1995-10-24 1998-12-08 Lucent Technologies Inc. Integrated liquid crystal display and digitizer having a black matrix layer adapted for sensing screen touch location
JP3667548B2 (ja) * 1998-03-27 2005-07-06 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示パネル及びその検査方法
EP2161735A3 (en) * 1999-03-05 2010-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus
US7580030B2 (en) * 2003-06-13 2009-08-25 Semtech Corporation Sensor for capacitive touch pad pointing device
TWI272542B (en) * 2004-03-26 2007-02-01 Casio Computer Co Ltd A device for reading image, and system for reading image with device for reading image
JP2007328922A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Sharp Corp 電子機器
JP2008300755A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Ips Alpha Technology Ltd 表示装置
KR101113471B1 (ko) * 2010-04-01 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
US9470941B2 (en) * 2011-08-19 2016-10-18 Apple Inc. In-cell or on-cell touch sensor with color filter on array
TWI523180B (zh) * 2012-05-07 2016-02-21 友達光電股份有限公司 觸控面板、觸控顯示面板以及觸控顯示裝置
US9524683B2 (en) * 2012-07-20 2016-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with signal lines routed to decrease size of non-display area
TW201422072A (zh) * 2012-11-22 2014-06-01 Wintek Corp 周邊線路結構
CN104904018B (zh) * 2012-12-28 2019-04-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
US9915848B2 (en) * 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6130721B2 (ja) * 2013-04-26 2017-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 平面表示装置
US9825253B2 (en) * 2013-06-28 2017-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP5969961B2 (ja) * 2013-07-12 2016-08-17 富士フイルム株式会社 配線基板
TWI567599B (zh) * 2013-09-27 2017-01-21 友達光電股份有限公司 具靜電攻擊防護之面板裝置
KR102145390B1 (ko) 2013-10-25 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 정전기 방전 회로를 포함하는 표시 장치
KR102230298B1 (ko) * 2014-02-20 2021-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104091818B (zh) * 2014-06-23 2017-09-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法
CN104064146B (zh) * 2014-06-23 2017-01-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光二极管像素补偿电路及其显示面板、显示装置
KR102317600B1 (ko) * 2014-07-21 2021-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9544994B2 (en) * 2014-08-30 2017-01-10 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same
JP2016075868A (ja) * 2014-10-09 2016-05-12 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法
KR102207839B1 (ko) * 2014-10-14 2021-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102264760B1 (ko) * 2014-11-26 2021-06-14 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104460070B (zh) * 2014-12-31 2018-09-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102287368B1 (ko) * 2015-01-07 2021-08-06 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널
KR102339300B1 (ko) * 2015-04-06 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널 및 플렉서블 터치 스크린 표시장치
KR102296737B1 (ko) * 2015-04-14 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 표시 장치
CN104867450B (zh) * 2015-06-05 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
US10038402B2 (en) * 2015-10-30 2018-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN105243981B (zh) * 2015-11-06 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
GB201519648D0 (en) * 2015-11-06 2015-12-23 Photocentric Ltd Method for making a lithographic printing plate
WO2017149428A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
CN105607780B (zh) * 2016-03-14 2019-02-26 京东方科技集团股份有限公司 静电放电电路、具有静电放电电路的显示面板和静电放电方法
CN205691902U (zh) 2016-06-27 2016-11-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种基板及显示装置
KR102534053B1 (ko) * 2016-10-17 2023-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10825839B2 (en) * 2016-12-02 2020-11-03 Innolux Corporation Touch display device
CN106783926B (zh) * 2016-12-28 2020-05-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及其装置
KR20180079550A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 엘지디스플레이 주식회사 표시패널
CN106782308B (zh) * 2017-02-10 2020-05-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种具有温度补偿功能的有机发光电路结构
JP6867832B2 (ja) * 2017-03-09 2021-05-12 三菱電機株式会社 アレイ基板、液晶表示装置、薄膜トランジスタ、およびアレイ基板の製造方法
CN106896609B (zh) * 2017-04-28 2019-11-19 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及包括其的显示装置
CN107146573B (zh) * 2017-06-26 2020-05-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、其显示方法及显示装置
CN109212849B (zh) * 2017-07-03 2020-11-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102351977B1 (ko) * 2017-07-18 2022-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102422074B1 (ko) * 2017-08-14 2022-07-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102402084B1 (ko) * 2017-08-24 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10613398B2 (en) * 2017-08-29 2020-04-07 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electrostatic discharge structure of liquid crystal display panel, liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN107579078B (zh) * 2017-08-31 2020-11-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
CN107507827A (zh) * 2017-09-01 2017-12-22 武汉华星光电技术有限公司 显示面板的静电保护电路及显示面板
CN107633807B (zh) * 2017-09-08 2019-10-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102180071B1 (ko) * 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
CN107863452A (zh) * 2017-11-02 2018-03-30 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示装置
CN107993579B (zh) * 2017-11-29 2019-11-12 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置
KR102547366B1 (ko) * 2018-03-23 2023-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7117131B2 (ja) * 2018-04-10 2022-08-12 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP7120792B2 (ja) * 2018-04-10 2022-08-17 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置
KR102617812B1 (ko) * 2018-05-10 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치
KR102562373B1 (ko) * 2018-05-31 2023-08-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
CN108766994B (zh) * 2018-06-20 2021-03-16 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN109166976B (zh) * 2018-08-29 2020-10-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、掩膜板、显示面板的制作方法及显示装置
CN109270619A (zh) * 2018-10-10 2019-01-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 偏光片、显示屏和显示屏模组
CN109410772B (zh) * 2018-10-31 2021-02-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR102558846B1 (ko) * 2018-10-31 2023-07-21 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN109192767B (zh) * 2018-11-01 2020-08-21 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109493804B (zh) * 2018-11-27 2020-08-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、显示面板及显示装置
CN109524566B (zh) * 2018-11-28 2021-05-14 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109389907B (zh) * 2018-12-11 2022-06-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109584779B (zh) * 2019-01-30 2021-11-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109904214B (zh) * 2019-03-29 2021-01-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、包含其的显示装置
CN110148592B (zh) * 2019-05-21 2020-12-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、包含其的显示装置
US11695018B2 (en) * 2019-06-28 2023-07-04 E Ink Holdings Inc. Display apparatus
CN110299107B (zh) * 2019-06-28 2021-01-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及有机发光显示装置
KR20210032598A (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN114967253A (zh) * 2021-02-26 2022-08-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1696772A (zh) * 2005-06-15 2005-11-16 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板
CN101039027A (zh) * 2007-05-10 2007-09-19 北京中星微电子有限公司 改进的静电放电保护电路
JP2015032520A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ
CN106684080A (zh) * 2015-07-10 2017-05-17 恩智浦有限公司 包括硅可控整流器的静电放电保护装置
CN105717708A (zh) * 2016-04-29 2016-06-29 上海天马微电子有限公司 一种背光模组、显示模组及显示装置
CN206340298U (zh) * 2017-01-03 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及显示装置
CN107219699A (zh) * 2017-06-22 2017-09-29 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板
CN108519696A (zh) * 2018-03-30 2018-09-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109686311A (zh) * 2019-02-26 2019-04-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110838509A (zh) * 2019-11-20 2020-02-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112820738A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112820738B (zh) * 2020-12-31 2022-09-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112908168A (zh) * 2021-01-28 2021-06-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114299873A (zh) * 2022-02-22 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其驱动方法、以及oled显示装置
CN114299873B (zh) * 2022-02-22 2023-06-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其驱动方法、以及oled显示装置
WO2023206278A1 (zh) * 2022-04-28 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11024695B2 (en) 2021-06-01
US20200373371A1 (en) 2020-11-26
US20210242293A1 (en) 2021-08-05
CN110148592B (zh) 2020-12-11
US11744122B2 (en) 2023-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110148592A (zh) 一种显示面板、包含其的显示装置
CN108962947B (zh) 一种柔性显示面板和显示装置
US10409121B2 (en) Array substrate and display device including the same
CN105280679B (zh) 有机电致发光装置
CN107393906B (zh) 一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置
CN108899316B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110610948B (zh) 阵列基板及显示装置
CN106409859A (zh) 可折叠的有机发光显示装置
CN111211137B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN113517262A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US20230112982A1 (en) Display panel and display device
CN110600505A (zh) Oled显示装置
CN111180609A (zh) 一种显示面板及其显示装置
CN109887979B (zh) 一种阵列基板和显示装置
US11169406B2 (en) Touch and display driver integrated assembly including protective layers, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
KR101472125B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
EP4109571A1 (en) Display device
US11978835B2 (en) Display device
US20230207610A1 (en) Display device
CN114063835B (zh) 触控显示面板
US20240049569A1 (en) Display Panel and Method for Manufacturing the Same, and Display Device
US20230145007A1 (en) Display device
US20240053850A1 (en) Oled display panel and oled display device
US20220131047A1 (en) Light emitting element and display device including the same
US20220293822A1 (en) Display device and method of repairing the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211026

Address after: No.8, liufangyuan Henglu, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: WUHAN TIANMA MICRO-ELECTRONICS Co.,Ltd.

Patentee after: Wuhan Tianma Microelectronics Co.,Ltd. Shanghai Branch

Address before: Room 509, building 1, No. 6111, Longdong Avenue, Pudong New Area, Shanghai, 201201

Patentee before: SHANGHAI TIANMA AM-OLED Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right