CN114967253A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本公开提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板中的大面积的金属层影响光线透过率的问题。本公开的阵列基板包括：基底，以及依次设置在基底上的第一导电结构、层间绝缘层和第二导电结构；第一导电结构具有第一连接部，第二导电结构具有第二连接部，且第一连接部通过贯穿层间绝缘层的过孔与第二连接部电连接；其中，第一连接部和第二连接部中的至少一者上形成有开口，且开口在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影无重叠。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断进步，液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)面板已经手机、电脑、平板电脑、智能电视等显示设备中。
在液晶显示面板生产过程中，阵列基板和彩膜基板对盒时，需要进行UV固化，目前紫外光多从阵列基板一侧照射，由于阵列基板上的面积较大的整面金属会遮挡紫外光，因此容易减弱紫外光的光强，这些光强减弱的地方的紫外固化胶固化不完全，容易导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。
第一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：基底，以及依次设置在所述基底上的第一导电结构、层间绝缘层和第二导电结构；所述第一导电结构具有第一连接部，所述第二导电结构具有第二连接部，且所述第一连接部通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第二连接部电连接；其中，
所述第一连接部和所述第二连接部中的至少一者上形成有开口，且所述开口在所述基底上的正投影与所述过孔在所述基底上的正投影无重叠。
可选地，所述第一连接部包括：多个相连接第一子连接部；所述第二连接部包括：多个相连接的第二子连接部；所述过孔的数量为多个；
所述开口位于相邻的所述第一子连接部之间和/或相邻的所述第二子连接部之间；所述第一子连接部通过对应的所述开口与所述第二子连接部电连接。
可选地，所述第一导电结构包括：电源电压信号线，所述第二导电结构包括：第一信号连接线；
所述电源电压信号线的所述第一连接部通过所述过孔与所述第一信号连接线的所述第二连接部电连接，且所述第一信号连接线与静电释放结构电连接。
可选地，所述第一导电结构包括：公共电极线；所述第二导电结构包括：第二信号连接线；
各条所述公共电极线的所述第一连接部通过所述过孔与所述第二信号连接线的所述第二连接部电连接。
可选地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管；所述第一导电结构包括：所述薄膜晶体管的有源层；所述第二导电结构包括：所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述有源层的所述第一连接部通过所述过孔与所述源极和所述漏极的所述第二连接部电连接。
可选地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管；所述第一导电结构包括：所述薄膜晶体管的栅极；所述第二导电结构包括：栅线；
所述栅极的所述第二连接部通过所述过孔与所述栅线的所述第二连接部电连接。
可选地，所述过孔在所述基底上的正投影落在所述第一连接部和所述第二连接部在所述基底上的正投影内。
第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括如上述提供的阵列基板。
可选地，所述显示面板还包括：与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板；
所述阵列基板和所述彩膜基板之间通过封框胶贴合。
可选地，所述封框胶包括：紫外固化胶。
第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，其特征在于，包括如上述提供的显示面板。
附图说明
图1为一种示例性的阵列基板的结构示意图；
图2为图1所示的阵列基板在A-A方向上的截面结构示意图；
图3为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4为图3所示的阵列基板在B-B方向上的截面结构示意图；
图5为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图6为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种示例性的阵列基板的结构示意图，图2为图1所示的阵列基板在A-A方向上的截面结构示意图，如图1和图2所示，该阵列基板包括：基底(图中未示出)、以及依次设置在基底上的第一导电结构101、层间绝缘层(图中未示出)和第二导电结构102。第一导电结构101和第二导电结构102之间可以进行信号传输，二者需要贯穿层间绝缘层的过孔连接在一起。在第一导电结构101中可以形成多个狭缝，以保证第一导电结构101具有良好的透光率，相应的，第二导电结构102也可以形成多个狭缝。但是，为了保证二者的连接效果，往往在第一导电结构101上形成第一连接部1011，且第一连接部1011为面积较大的整面金属，以防止位置偏差而导致过孔未打在第一导电结构101上，相应的，在第二导电结构102上形成第二连接部1021，第一连接部1011可以通过过孔与第二连接部1021电连接。然而，如图2所示，由于面积较大的整面金属的存在，影响了整个第一导电结构101和第二导电结构102的透光率，如果整面金属设置于阵列基板的显示区内，容易对背光源发出的光线造成遮挡，降低背光的亮度，影响显示效果，如果整面电极设置于非显示区内，容易遮挡紫外光，减弱紫外光的光强，这些光强减弱的地方的紫外固化胶固化不完全，容易导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，下面将结合具体实施方式及附图，对本公开实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置作进一步详细描述。
第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，图3为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图4为图3所示的阵列基板在B-B方向上的截面结构示意图，如图3和图4所示，该阵列基板包括：该阵列基板包括：基底(图中未示出)、以及依次设置在基底上的第一导电结构101、层间绝缘层(图中未示出)和第二导电结构102；第一导电结构101具有第一连接部1011，第二导电结构102具有第二连接部1021，且第一连接部1011通过贯穿层间绝缘层的过孔与第二连接部1021电连接；其中，第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，且开口在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影无重叠。
在一些实施例中，第一导电结构101和第二导电结构102为阵列基板中位于不同膜层中，且需要电连接进行信号传输的导电结构，其具体结构类型将在之后的实施例中进行详细说明，在此不再赘述。第一导电结构101可以为单层结构，也可以为多层复合结构，其材料具体可以为铜、铝、钼中的一种或多种。第二导电结构102可以为单层结构，也可以为多层复合结构，其材料具体可以为铜、铝、钼中的一种或多种。第二导电结构102的材料还可以为氧化铟锡等透明金属氧化物。第一导电结构101具有第一连接部1011，第二导电部102具有第二连接部1021，第一连接部1011通过贯穿层间绝缘层的过孔与第二连接部1021电连接，以使得第一导电结构101和第二导电结构102之间可以进行信号传输。
第一连接部1011和所述第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，如图2所示，以第一连接部1011中的开口为例，开口的形状可以为“一”字形，或者“十”字形，其不仅可以将第一连接部1011中可以透光，还需要保证整个第一连接部1011中的各个部分不完全断开形成断路。在实际应用中，开口的面积应该大于或等于第一连接部1011整体面积的30％，以保证第一连接部具有良好的透光率。开口的形状以及面积大小可以根据实际需要进行设置，在此不再进行限定。
本公开实施例提供的阵列基板中，第一导电结构101具有第一连接部1011，可以保证过孔打在第一导电结构101上，相应的第二导电结构102具有第二连接部，第一连接部1011和第二连接部1021通过过孔连接，以使得第一导电结构101和第二导电结构102可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，且开口在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影无重叠，可以提高第一连接部1011或第二连接部1021的透光率，在显示区内，可以防止对背光源发出的光线造成遮挡，提高背光的亮度，提升显示效果，在非显示区内，可以防止对紫外光造成遮挡，提高紫外光的亮度，提高紫外光的光强，使得紫外胶完全固化，避免导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
在一些实施例中，如图3和图4所示，第一连接部1011包括：多个相连接第一子连接部1010；第二连接部1021包括：多个相连接的第二子连接部1020；过孔的数量为多个；开口位于相邻的第一子连接部1010之间和/或相邻的第二子连接部1020之间；第一子连接部1010通过对应的开口与第二子连接部1020电连接。
第一连接部1011可以由开口分割形成多个第一子连接部1010，开口可以位于相邻的第一子连接部1010之间，并且每个第一子连接部1010可以对应一个过孔，并通过对应的过孔与第二连接部1021连接。相应的，第二连接部1021可以由开口分割形成多个第二子连接部1020，开口可以位于相邻的第二子连接部1020之间，使得第一子连接部1010通过对应过孔与第二子连接部1020电连接，从而使得第一导电结构101和第二导电结构102可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。同时，可以提高第一连接部1011或第二连接部1021的透光率，在显示区内，可以防止对背光源发出的光线造成遮挡，提高背光的亮度，提升显示效果，在非显示区内，可以防止对紫外光造成遮挡，提高紫外光的亮度，提高紫外光的光强，使得紫外胶完全固化，避免导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
在一些实施例中，如图3所示，第一导电结构101包括：电源电压信号线VDD，第二导电结构102包括：第一信号连接线L1；电源电压信号线VDD的第一连接部1011通过过孔与第一信号连接线L1的第二连接部1021电连接，且第一信号连接线L1与静电释放结构(图中未示出)电连接。
第一导电结构101具体可以为电源电压信号线VDD，电源电压信号线VDD可以设置于阵列基板的非显示区中，可以环绕设置，以为显示区中的像素单元提供电源电压信号，使得像素单元中的发光器件发光。在阵列基板制备及使用过程，其中的走线层中容易产生静电，可以利用显示区中的电源电压信号线VDD与静电释放结构相连接，以将阵列基板走线层中的静电导出并释放。电源电压信号线VDD与静电释放结构之间需要第一信号连接线L1连接，由于电源电压线VDD可能与第一信号连接线L1位于不同膜层中，二者需要通过开孔进行连接。
电源电压信号线VDD具有第一连接部1011，可以保证过孔打在电源电压信号线VDD上，相应的第一信号连接线L1具有第二连接部1021，第一连接部1011和第二连接部1021通过过孔连接，以使得电源电压信号线VDD和第一信号连接线L1可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，可以防止对紫外光造成遮挡，提高紫外光的亮度，提高紫外光的光强，使得紫外胶完全固化，避免导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
在一些实施例中，图5为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，如图5所示，第一导电结构101包括：公共电极线COM；第二导电结构102包括：第二信号连接线L2；各条公共电极线COM的第一连接部1011通过过孔与第二信号连接线L2的第二连接部1021电连接。
在阵列基板中，公共电极线COM一般与数据线DL间隔设置，且沿同一方向排布，二者位于同一膜层中，由于公共电极线COM中所输入的公共信号为一稳定的电压信号，且同一阵列基板中各个公共电极线COM输入的公共信号是相同的，一般将各个公共电极线COM连接在一起，以便于输入公共信号。为了避免公共电极线COM与同层设置的数据线DL之间发生短路，各个公共电极线COM之间需要第二信号连接线L2连接，由于公共电极线COM与第二信号连接线L2位于不同膜层中，二者需要通过开孔进行连接。
公共电极线COM具有第一连接部1011，可以保证过孔打在公共电极线COM上，相应的第二信号连接线L2具有第二连接部1021，第一连接部1011和第二连接部1021通过过孔连接，以使得公共电极线COM和第二信号连接线L2可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，提高第一连接部1011或第二连接部1021的透光率，在显示区内，可以防止对背光源发出的光线造成遮挡，提高背光的亮度，提升显示效果。
在一些实施例中，阵列基板还包括：薄膜晶体管；第一导电结构101包括：薄膜晶体管的有源层；第二导电结构包括：薄膜晶体管的源极和漏极；有源层的第一连接部1011通过过孔与源极和漏极的第二连接部1021电连接。
具体地，第一导电结构101可以为薄膜晶体管的有源层，第二导电结构102可以为薄膜晶体管的源极和漏极，有源层具有第一连接部1011，源极和漏极具有第二连接部1022，第一连接部1011和第二连接部1021通过过孔连接，以使得有源层与源极和漏极可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，可以提高第一连接部1011或第二连接部1021的透光率，在显示区内，可以防止对背光源发出的光线造成遮挡，提高背光的亮度，提升显示效果，在非显示区内，可以防止对紫外光造成遮挡，提高紫外光的亮度，提高紫外光的光强，使得紫外胶完全固化，避免导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
在一些实施例中，阵列基板还包括：薄膜晶体管；第一导电结构包括：薄膜晶体管的栅极；第二导电结构包括：栅线；栅极的第二连接部1021通过过孔与栅线的第二连接部1021电连接。
在阵列基板中，薄膜晶体管可以为开关晶体管，也可以为驱动晶体管，一般阵列基板中的薄膜晶体管的各个电极需要与信号线连接。以开关晶体管为例，开关晶体管的栅极需要与栅线通过过孔连接。
栅极具有第一连接部1011，可以保证过孔打在栅极上，相应的栅线具有第二连接部1021，第一连接部1011和第二连接部1021通过过孔连接，以使得栅极和栅线可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，提高第一连接部1011或第二连接部1021的透光率，在显示区内，可以防止对背光源发出的光线造成遮挡，提高背光的亮度，提升显示效果。在非显示区内，可以防止对紫外光造成遮挡，提高紫外光的亮度，提高紫外光的光强，使得紫外胶完全固化，避免导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。可以理解的是，薄膜晶体管中的其他电极还可以通过过孔与其他类型的信号线连接，其实现原理与上述类似，在此不再赘述。
在一些实施例中，过孔在基底上的正投影落在第一连接部1011和第二连接部1021在基底上的正投影内。
在此需要说明的是，在制备过程中，可以在第一导电结构101上形成第一连接部1011，且第一连接部1011为面积较大的整面金属，以防止位置偏差而导致过孔未打在第一导电结构101上，相应的在第二导电结构102上形成第二连接部1021，以保证第一连接部1011和第二连接部1021之间有效连接，利于信号的稳定传输。
第二方面，本公开提供了一种显示面板，图6为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图6所示，该显示面板包括如上述任一实施例提供的阵列基板10。还包括：与阵列基板10对盒设置的彩膜基板20；阵列基板10和彩膜基板20之间通过封框胶30贴合。具体地，封框胶30包括：紫外固化胶。
本公开提供的显示面板的阵列基板10中，第一导电结构101具有第一连接部1011，可以保证过孔打在第一导电结构101上，相应的第二导电结构102具有第二连接部，第一连接部1011和第二连接部1021通过过孔连接，以使得第一导电结构101和第二导电结构102可以进行良好连接，利于信号的稳定传输。第一连接部1011和第二连接部1021中的至少一者上形成有开口，且开口在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影无重叠，可以提高第一连接部1011或第二连接部1021的透光率，在显示区内，可以防止对背光源发出的光线造成遮挡，提高背光的亮度，提升显示效果，在非显示区内，可以防止对紫外光造成遮挡，提高紫外光的亮度，提高紫外光的光强，使得紫外固化胶完全固化，避免导致液晶穿刺，外面水汽浸入等一系列的不良。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以为手机、平板电脑、电子手表、运动手环、笔记本电脑等具有显示面板的电子设备。该电子装置的实现原理及其具有的技术效果可参考上述对阵列基板的实现原理及技术效果的论述，在此不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (11)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基底，以及依次设置在所述基底上的第一导电结构、层间绝缘层和第二导电结构；所述第一导电结构具有第一连接部，所述第二导电结构具有第二连接部，且所述第一连接部通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第二连接部电连接；其中，
所述第一连接部和所述第二连接部中的至少一者上形成有开口，且所述开口在所述基底上的正投影与所述过孔在所述基底上的正投影无重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接部包括：多个相连接第一子连接部；所述第二连接部包括：多个相连接的第二子连接部；所述过孔的数量为多个；
所述开口位于相邻的所述第一子连接部之间和/或相邻的所述第二子连接部之间；所述第一子连接部通过对应的所述开口与所述第二子连接部电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电结构包括：电源电压信号线，所述第二导电结构包括：第一信号连接线；
所述电源电压信号线的所述第一连接部通过所述过孔与所述第一信号连接线的所述第二连接部电连接，且所述第一信号连接线与静电释放结构电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电结构包括：公共电极线；所述第二导电结构包括：第二信号连接线；
各条所述公共电极线的所述第一连接部通过所述过孔与所述第二信号连接线的所述第二连接部电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管；所述第一导电结构包括：所述薄膜晶体管的有源层；所述第二导电结构包括：所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述有源层的所述第一连接部通过所述过孔与所述源极和所述漏极的所述第二连接部电连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管；所述第一导电结构包括：所述薄膜晶体管的栅极；所述第二导电结构包括：栅线；
所述栅极的所述第二连接部通过所述过孔与所述栅线的所述第二连接部电连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔在所述基底上的正投影落在所述第一连接部和所述第二连接部在所述基底上的正投影内。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板；
所述阵列基板和所述彩膜基板之间通过封框胶贴合。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述封框胶包括：紫外固化胶。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8-10任一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110219057.0A CN114967253A (zh) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| US17/515,246 US11699709B2 (en) | 2021-02-26 | 2021-10-29 | Array substrate, display panel, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110219057.0A CN114967253A (zh) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114967253A true CN114967253A (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=82973274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110219057.0A Withdrawn CN114967253A (zh) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11699709B2 (zh) |
| CN (1) | CN114967253A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110148592B (zh) * | 2019-05-21 | 2020-12-11 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、包含其的显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021105A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
| CN105428371B (zh) * | 2015-12-24 | 2019-06-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板与薄膜晶体管阵列基板 |
| CN106252418B (zh) | 2016-09-22 | 2018-05-15 | 南京华东电子信息科技股份有限公司 | 一种薄膜晶体管 |
-
2021
- 2021-02-26 CN CN202110219057.0A patent/CN114967253A/zh not_active Withdrawn
- 2021-10-29 US US17/515,246 patent/US11699709B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11699709B2 (en) | 2023-07-11 |
| US20220278138A1 (en) | 2022-09-01 |
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