CN106409859A - 可折叠的有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置，该可折叠的有机发光显示(OLED)装置包括：基板，该基板包括显示区域和非显示区域，非显示区域位于显示区域的周边；在显示区域中的发光二极管；以及封装膜，该封装膜覆盖发光二极管和整个显示区域，并且该封装膜覆盖非显示区域的一部分而不覆盖非显示区域的至少另一部分。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年7月31日在韩国提交的韩国专利申请第10-2015-0108716号的权益，其通过引用合并到本文中。
技术领域
本公开涉及有机发光显示(OLED)装置，并且更具体地，涉及防止被水分损坏的可折叠的OLED装置。
背景技术
随着信息技术和移动通信技术的发展，能够显示视觉图像的显示装置也得到了发展。开发并使用了平板显示装置，例如液晶显示(LCD)装置和OLED装置。
在这些平板显示装置中，因为OLED装置在响应时间、对比度、视角、电力消耗等方面具有优点，所以OLED显示装置得到广泛地开发。
包括有机发光层的发光二极管易受水分的损坏。为了防止水分渗入发光二极管并且保护发光二极管免受外部影响，将玻璃的封装基板附接到发光二极管上。
近来，已经提出了可折叠的或可弯曲的显示装置(在下文中，“可折叠的显示装置”)。
在可折叠的OLED装置中，使用包括无机层和有机层的封装膜而非封装基板。即，通过使用用于防止水分渗入发光二极管并保护发光二极管的封装膜，显示装置具有可折叠的性能。
然而，当可折叠的OLED装置在高温和高湿度的条件下进行工作时，发光二极管损坏，导致可折叠的OLED装置在显示质量和寿命方面的问题。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而造成的一个或更多个问题的可折叠的OLED装置。
本发明的一个目的是提供一种能够防止由水分造成的损坏的可折叠的OLED装置。
本发明的另一目的是提供一种在生产成本方面具有优势的可折叠的OLED装置。
本发明的另一目的是提供一种具有窄边框的可折叠的OLED装置。
在下面的描述中将陈述本发明的另外的特征和优点，并且根据描述使这些另外的特征和优点部分地变得显见，或者可以从本发明的实施中获知这些另外的特征和优点。本发明的目的和其他优点可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，如在本文中所实施和广泛描述的那样，一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置包括：基板，该基板包括显示区域和非显示区域，非显示区域位于显示区域的周边处；在显示区域中的发光二极管；以及封装膜，该封装膜覆盖发光二极管和整个显示区域，并且该封装膜覆盖非显示区域的一部分而不覆盖非显示区域的至少另一部分。
在另一方面中，一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置包括：基板，该基板包括沿第一方向的折叠区域，在该折叠区域中可折叠的装置是可折叠的；在基板上的发光二极管；以及封装膜，该封装膜包括覆盖发光二极管的第一无机层、在第一无机层上的有机层以及在有机层上的第二无机层，其中在第一方向上，第二无机层比第一无机层宽，并且第二无机层覆盖第一无机层的侧表面，以及在垂直于第一方向的第二方向上，第二无机层的宽度与第一无机层的宽度基本上相同。
在另一方面中，一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置包括：柔性基板，该柔性基板包括显示区域以及位于显示区域的周边处的非显示区域，该柔性基板跨沿可折叠的OLED装置的第一方向的折叠区域而被折叠；在显示区域中的发光二极管；以及封装膜，该封装膜覆盖发光二极管和整个显示区域，并且该封装膜覆盖非显示区域的一部分而不覆盖非显示区域的至少另一部分。
应当理解的是，先前的一般描述和下面的详细描述皆是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被合并在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方案，并且与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出可折叠的OLED装置的划片工艺的示意性截面图。
图2是示出在可折叠的OLED装置的封装膜中的损坏的示意性截面图。
图3A是示出根据本公开一个实施方案的可折叠的OLED装置的示意性平面图。
图3B是根据本公开一个实施方案的跨折叠区域而折叠的可折叠的OLED装置的图。
图4A和图4B是示出根据本公开第一实施方案的可折叠的OLED装置的示意性截面图。
图5是示出本公开的可折叠的OLED装置的像素结构的示意性截面图。
图6A和图6B是示出根据本公开第二实施方案的可折叠的OLED装置的示意性截面图。
图7A和图7B是示出根据本公开第三实施方案的可折叠的OLED装置的示意性截面图。
图8A至图8D是示出根据本公开第四实施方案的可折叠的OLED装置的示意图。
具体实施方式
现在将详细地参考优选的实施方案，在附图中示出其实例。
图1是示出可折叠的OLED装置的划片工艺的示意性截面图，以及图2是示出在可折叠的OLED装置的封装膜中的损坏的示意性截面图。
如图1和图2所示，OLED装置1包括：柔性基板10、发光二极管D以及覆盖发光二极管D的封装膜20。
柔性基板10可以包含聚合物例如聚酰亚胺，并且在柔性基板10上或上方形成有发光二极管D。
虽然未示出，但是发光二极管D包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在第一电极与第二电极之间的有机发光层。另外，在柔性基板10上，形成有作为开关元件的开关薄膜晶体管(TFT)以及作为驱动元件的驱动TFT，并且发光二极管D的第一电极连接至驱动TFT。
封装膜20覆盖发光二极管D，以防止在高温和高湿度的条件下对发光二极管D造成损坏。
在封装膜20中，无机层与有机层交替地堆叠。例如，封装膜20可以具有三层结构，该三层结构包括在发光二极管D上的第一无机层22、在第一无机层22上的有机层24以及在有机层24上的第二无机层26。
在母基板上形成有多个单元(cell)，并且通过划片工艺使每个单元分开以提供OLED装置1。
也就是说，在每个单元中形成有多个发光二极管D，并且形成封装膜20以覆盖母基板的整个表面。然后，执行划片工艺以使每个单元分开。
因为划片工艺是在封装膜20上执行的，所以封装膜20受损。即，在第一无机层22和第二无机层26中可能产生裂纹，并且水分可以通过图2中所示的裂纹渗入发光二极管D。因此，发光二极管D可能损坏。
在可折叠的OLED装置中，由折叠操作产生的应力集中到折叠区域中的封装膜20中。因此，在由划片工艺在封装膜20中产生损坏如裂纹的情况下，由于对发光二极管D造成进一步损坏的折叠操作，裂纹会增长。
图3A是示出根据本公开一个实施方案的可折叠的OLED装置的示意性平面图。
如图3所示，OLED装置100是能够沿折叠区域FR折叠的可折叠的OLED装置。例如，折叠区域FR限定为沿可折叠的OLED装置100的短轴的方向。可替代地，折叠区域FR可以限定为沿可折叠的OLED装置100的长轴的方向。
在折叠区域FR限定为沿可折叠的OLED装置100的短轴的方向的情况下，在沿长轴的方向的至少一个末端上限定有焊盘区(未示出)。
在本公开的可折叠的OLED装置100中，在柔性基板110上限定有多个像素区P，并且在包括多个像素区P的显示区域中形成有发光二极管(未示出)。另外，形成有覆盖发光二极管的封装膜。
在折叠区域FR中，封装膜的宽度小于柔性基板110的宽度。即，在短轴方向上，封装膜的两端位于柔性基板110的两端的内侧。另外，封装膜在折叠区域中的末端以及封装膜的沿与折叠区交叉的方向的末端可以具有对称的结构或不对称的结构。
由于封装膜，防止了由划片工艺和折叠操作对封装膜造成的损坏，使得克服了可折叠的OLED装置100中的显示质量和寿命的问题。图3B是跨图3A中所示的折叠区域FR而折叠的可折叠的OLED装置100的图。
图4A和图4B是示出根据本公开第一实施方案的可折叠的OLED装置的示意性截面图，以及图5是示出本公开的可折叠的OLED装置的像素结构的示意性截面图。图4B是沿图3中的线A-A′所截取的截面图，以及图5是沿图3中的线B-B′所截取的截面图。
如图4A所示，发光二极管D形成为与母基板(未示出)中的各个单元的显示区域对应，并且封装膜170形成为覆盖发光二极管D并与显示区域及显示区域的周边处的非显示区域的一部分对应。
接下来，执行划片工艺以使各个单元分开，使得制造柔性OLED装置100。
因为封装膜170的末端位于划片线的内侧，所以没有对封装膜170执行划片工艺。因此，在划片工艺中在封装膜170中不会产生损坏例如裂纹。
如图4B所示，通过上述划片工艺制造的柔性OLED装置100包括：柔性基板110，在柔性基板110中限定有显示区域和非显示区域；发光二极管D，发光二极管D与显示区域对应并设置在柔性基板110上或上方；以及封装膜170，封装膜170覆盖发光二极管D并与非显示区域的一部分和显示区域对应。
参考图5，TFT Tr、发光二极管D和封装膜170顺序地堆叠在柔性基板110上。
例如，柔性基板110可以是聚酰亚胺基板。因为柔性基板110不足以满足形成元件(例如TFT Tr)的工艺，所以在附接至载体基板(例如玻璃基板)(未示出)的柔性基板110上执行形成所述元件的工艺。在形成所述元件的工艺之后，载体基板与柔性基板110分开或分离。
TFT Tr形成在柔性基板110上。虽然未示出，但是在柔性基板110上可以形成有缓冲层，并且TFT Tr可以形成在缓冲层上。
在柔性基板110上形成有半导体层122。半导体层122可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
在半导体层122包括氧化物半导体材料的情况下，在半导体层122下方可以形成有遮光图案(未示出)。通过遮光图案来遮蔽或阻挡朝向半导体层122的光，使得可以防止半导体层122的热劣化。另一方面，在半导体层122包含多晶硅的情况下，半导体层122的两侧可以掺入有杂质。
在半导体层122上形成有栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
在栅极绝缘层124上形成有由导电材料例如金属形成的栅电极130。在一个实施方案中，栅电极130形成在与半导体层122的中心对应的位置处。
在图5中，栅极绝缘层124形成在柔性基板110的整个表面上。可替代地，可以对栅极绝缘层124进行图案化，以具有与栅电极130相同的形状。
在包括栅电极130的柔性基板110的整个表面上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物、或有机绝缘材料例如苯并环丁烯或光丙烯酸类物质形成。
层间绝缘层132包括使半导体层122的两侧露出的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧，以与栅电极130隔开。
在图5中，第一接触孔134和第二接触孔136延伸到栅极绝缘层124中。可替代地，在对栅极绝缘层124进行图形化以具有与栅电极130相同的形状的情况下，在栅极绝缘层124中可以没有第一接触孔134和第二接触孔136。
在层间绝缘层132上形成有源电极140和漏电极142，源电极140和漏电极142由导电材料例如金属形成。源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此隔开，并且通过第一接触孔134和第二接触孔136与半导体层122的两侧分别地接触。
半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成TFT Tr，并且TFT Tr用作驱动元件。
在图5中，栅电极130、源电极140和漏电极142位于半导体层122上方。即，TFT Tr具有共面结构。
可替代地，在TFT Tr中，栅电极可以位于半导体层下方，并且源电极和漏电极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有反向交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。
虽然未示出，但是在柔性基板110上或上方设置有栅极线和数据线，并且栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区。另外，在柔性基板110上可以设置有电连接至栅极线和数据线的开关元件。开关元件电连接至作为驱动元件的TFT Tr。
另外，在柔性基板110上或上方可以形成有电源线，该电源线平行于栅极线或数据线并且与栅极线或数据线隔开。此外，在柔性基板110上还可以形成有存储电容器，该存储电容器用于在一个帧期间保持TFT Tr的栅电极130的电压。
形成钝化层150以覆盖TFT Tr，钝化层150包括使驱动TFT Tr的漏电极142露出的漏极接触孔152。
在每个像素区域中分别地形成有第一电极160，第一电极160通过漏极接触孔152连接至TFT Tr的漏电极142。第一电极160可以为阳极，并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一电极160可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。
当柔性OLED装置100以顶部发光型进行工作的情况下，在第一电极160下方可以形成有反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝钯铜(APC)合金形成。
在钝化层150上形成有堤层166，堤层166覆盖第一电极160的边缘。通过堤层166的开口露出在像素区域中的第一电极160的中心。
在第一电极160上形成有有机发光层162。有机发光层162可以具有由发光材料形成的发光材料层的单层结构。可替代地，为了提高发光效率，有机发光层162可以具有多层结构，该多层结构包括在第一电极160上顺次堆叠的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
在包括有机发光层162的柔性基板110上方形成有第二电极164。第二电极164位于显示区域的整个表面。第二电极164可以为阴极，并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成。例如，第二电极164可以由铝(Al)、镁(Mg)或Al-Mg合金形成。
第一电极160、有机发光层162和第二电极164构成发光二极管D。
在发光二极管D上形成有封装膜170，以防止水分渗入发光二极管D。
封装膜170的宽度小于柔性基板110的宽度，并且封装膜170的末端位于柔性基板110上。
也就是说，如图4A所示，因为对包括封装膜170的母基板进行划片，封装膜170的面积小于单元的面积，封装膜170的宽度小于柔性基板110的宽度，使得封装膜170的末端位于柔性基板110的末端的内侧。因此，防止了划片工艺对封装膜造成的损坏例如裂纹。
另外，因为在折叠区域FR的末端中没有封装膜170，所以在折叠操作中产生的折叠应力不会集中在封装膜170中。因此，使折叠操作对封装膜170造成的损坏最小化，或者防止了所述损坏。
换言之，在折叠区域FR的末端中，封装膜170被去除，使得(图5的)钝化层150、(图5的)层间绝缘层132、(图5的)栅极绝缘层124和柔性基板110中之一露出，并且封装膜170的末端设置在钝化层150、层间绝缘层132、栅极绝缘层124和柔性基板110中之一上。
另一方面，为了防止划片工艺对钝化层150、层间绝缘层132或栅极绝缘层124造成的损坏以及水分渗入显示区域，在折叠区域FR的末端中可以去除钝化层150、层间绝缘层132和栅极绝缘层124中的全部，使得在折叠区域FR的末端中，封装膜170可以与柔性基板110接触。
封装膜170包括第一无机层172、有机层174和第二无机层176。然而，不限于此。
例如，封装膜170还可以包括在第二无机层176上的有机层以具有四层结构，或者还可以包括在第二无机层176上的有机层和无机层以具有五层结构。
第一无机层172与第二无机层176的平面面积相同，并且彼此完全交叠。有机层174位于第一无机层172与第二无机层176之间。有机层174的平面面积小于第一无机层172和第二无机层176的平面面积，并且与第一无机层172和第二无机层176完全交叠。即，通过第二无机层176来完全覆盖并保护有机层174，使得防止了水分渗透有机层174。
例如，在有机层174的平面面积与第二无机层176的平面面积相同或比第二无机层176的平面面积大的情况下，有机层174的侧表面露出，并且通过有机层174的侧表面会产生水分渗透。然而，在本公开中，因为通过第二无机层176来完全覆盖并保护有机层174，所以防止水分渗透有机层174。
第一无机层172和第二无机层176中的每一个可以由硅氧化物或硅氮化物形成，并且有机层174可以由环氧化合物或丙烯酸类化合物形成。
虽然未示出，但是阻挡膜可以附接至封装膜170，以及用于减少环境光反射的偏振板可以附接至阻挡膜。在这种情况下，偏振板可以是圆形偏振板。
如上所述，在本公开的柔性OLED装置100中，因为封装膜170位于柔性基板110的内侧，所以防止了划片工艺对封装膜170造成的损坏。
另外，因为折叠区域FR中的封装膜170的末端位于柔性基板110的末端的内侧，所以折叠应力不会集中在封装膜170的末端中。
因此，使由水分渗透对元件例如发光二极管D的损坏而导致的柔性OLED装置100的显示质量和寿命的降低最小化或者防止其降低。
图6A和图6B是示出根据本公开第二实施方案的可折叠的OLED装置的示意性截面图。图6A是沿图3中的线A-A′所截取的截面图，图6B是沿图3中的线C-C′所截取的截面图。
如图6A和6B所示，根据本公开第二实施方案的柔性OLED装置200包括：柔性基板210，在柔性基板210中限定有显示区域和非显示区域；发光二极管D，发光二极管D与显示区域对应并设置在柔性基板210上或上方；以及封装膜270，封装膜270覆盖发光二极管D并与非显示区域的一部分和显示区域对应。
例如，柔性基板210可以是聚酰亚胺基板。在柔性基板210上或上方形成有(图5的)TFT Tr，发光二极管D和封装膜270。
如图5所示，驱动TFT Tr可以包括半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142，并且发光二极管D可以包括连接至漏电极142的第一电极160、面对第一电极160的第二电极164以及在第一电极160与第二电极164之间的有机发光层162。
封装膜270覆盖发光二极管D并且封装膜270的面积小于柔性基板210的面积。即，封装膜270的末端位于柔性基板210的末端的内侧。
在折叠区域FR的末端中，封装膜270被去除，使得(图5的)钝化层150、(图5的)层间绝缘层132、(图5的)栅极绝缘层124和柔性基板210中之一露出，并且封装膜270的末端设置在钝化层150、层间绝缘层132、栅极绝缘层124和柔性基板210中之一上。
另一方面，为了防止划片工艺对钝化层150、层间绝缘层132或栅极绝缘层124造成的损坏以及水分渗入显示区域，在折叠区域FR的末端中可以去除钝化层150、层间绝缘层132和栅极绝缘层124中的全部，使得在折叠区域FR的末端中，封装膜270可以与柔性基板210接触。
封装膜270包括第一无机层272、有机层274和第二无机层276。然而，不限于此。
例如，封装膜270还可以包括在第二无机层276上的有机层和无机层，以具有五层结构。
第一无机层272与第二无机层276的平面面积相同，并且彼此完全交叠。有机层274位于第一无机层272与第二无机层276之间。有机层274的平面面积小于第一无机层272和第二无机层276的平面面积，并且有机层274与第一无机层272和第二无机层276完全交叠。即，通过第二无机层276来完全覆盖并保护有机层274，使得防止了水分渗透有机层274。
例如，在有机层274的平面面积与第二无机层276的平面面积相同或比第二无机层276的平面面积大的情况下，有机层274的侧表面露出，并且通过有机层274的侧表面会产生水分渗透。然而，在本公开中，因为通过第二无机层276来完全覆盖并保护有机层274，所以防止了水分渗透有机层274。
第一无机层272和第二无机层中的每一个可以由硅氧化物或硅氮化物形成，并且有机层274可以由环氧化合物或丙烯酸类化合物形成。
如图6A所示，在折叠区域FR中，封装膜270的末端与柔性基板210的末端相距第一距离D1。
另一方面，如图6B所示，在沿垂直于折叠区域FR的延伸方向(即第二方向)的第一方向的一侧中，封装膜270的末端与柔性基板210的末端相距第二距离D2，第二距离D2比第一距离D1小。
也就是说，封装膜270具有非对称的形状，使得封装膜270的末端与柔性基板210的末端之间的距离相对于方向而变化。
换言之，在设置有其中产生折叠应力的折叠区域FR的末端的第二方向上，封装膜270的末端设置成远离柔性基板210的末端，使折叠应力对封装膜270造成的损坏最小化。
另外，在可垂直于折叠区域FR的延伸方向的第一方向上，因为封装膜270的末端设置成相对接近于柔性基板210的末端，所以提高了母基板的效率。即，因为在图3中的线C-C′的末端中没有折叠应力，所以即使在封装膜270的末端与柔性基板210的末端相距相对小的第二距离D2的情况下，也不会对封装膜270造成损坏。在这种情况下，因为柔性基板210的末端与封装膜270的末端较近，所以在线C-C′方向上可以增加单元的数量。
此外，如图4A所说明的，在母基板的各个单元中，封装膜270具有图案化的形状即岛状，防止了划片工艺对封装膜270造成的损坏。
因此，防止了水分渗透对发光二极管D造成的损坏，并且降低了柔性OLED装置的生产成本。
图7A和图7B是示出根据本公开第三实施方案的可折叠的OLED装置的示意性截面图。图7A是沿图3中的线A-A′所截取的截面图，以及图7B是沿图3中的线C-C′所截取的截面图。
如图7A和图7B所示，根据本公开第三实施方案的柔性OLED装置300包括：柔性基板310，在柔性基板310中限定有显示区域和非显示区域；发光二极管D，发光二极管D与显示区域对应并设置在柔性基板310上或上方；以及封装膜370，封装膜370覆盖发光二极管D并与非显示区域的一部分和显示区域对应。
例如，柔性基板310可以是聚酰亚胺基板。在柔性基板310上或上方形成有(图5的)TFT Tr、发光二极管D和封装膜370。
如图5所示，驱动TFT Tr可以包括半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142，并且发光二极管D可以包括连接至漏电极142的第一电极160、面对第一电极160的第二电极164以及在第一电极160与第二电极164之间的有机发光层162。
封装膜370覆盖发光二极管D并且封装膜370的面积小于柔性基板310的面积。即，封装膜370的末端位于柔性基板310的末端的内侧。
在折叠区域FR的末端中，封装膜370被去除，使得(图5的)钝化层150、(图5的)层间绝缘层132、(图5的)栅极绝缘层124和柔性基板310中之一露出，并且封装膜370的末端设置在钝化层150、层间绝缘层132、栅极绝缘层124和柔性基板310中之一上。
另一方面，为了防止划片工艺对钝化层150、层间绝缘层132或栅极绝缘层124造成的损坏以及水分渗入显示区域，在折叠区域FR的末端中可以去除钝化层150、层间绝缘层132和栅极绝缘层124中的全部，使得在折叠区域FR的末端中，封装膜370可以与柔性基板310接触。
封装膜370包括第一无机层372、有机层374和第二无机层376。然而，不限于此。
例如，封装膜370还可以包括在第二无机层376上的有机层和无机层，以具有五层结构。
有机层374位于第一无机层372与第二无机层376之间。有机层374的平面面积小于第一无机层372和第二无机层376的平面面积，并且有机层374与第一无机层372和第二无机层376完全交叠。即，通过第二无机层376来完全覆盖并保护有机层374，使得防止了水分渗透有机层374。
例如，在有机层374的平面面积与第二无机层376的平面面积相同或比第二无机层376的平面面积大的情况下，有机层374的侧表面露出，并且通过有机层374的侧表面会产生水分渗透。然而，在本公开中，因为通过第二无机层376来完全覆盖并保护有机层374，所以防止水分渗透有机层374。
第一无机层372和第二无机层376中的每一个可以由硅氧化物或硅氮化物形成，并且有机层374可以由环氧化合物或丙烯酸类化合物形成。
如图7A所示，在折叠区域FR中，封装膜370的末端与柔性基板310的末端相距第一距离D1。
另一方面，如图7B所示，在沿垂直于折叠区域FR延伸方向的方向的一侧中，封装膜370的末端与柔性基板310的末端相距第二距离D2，第二距离D2比第一距离D1小。
也就是说，封装膜370具有非对称的形状，使得封装膜370的末端与柔性基板310的末端之间的距离相对于方向而变化。
换言之，在设置有其中产生折叠应力的折叠区域FR的末端的方向上，封装膜370的末端设置成远离柔性基板310的末端，使折叠应力对封装膜370造成的损坏最小化。
另外，在可垂直于折叠区域FR的延伸方向的方向上，因为封装膜370的末端设置成相对接近于柔性基板310的末端，所以提高了母基板的效率。即，因为在图3中的线C-C′的末端中没有折叠应力，所以即使在封装膜370的末端与柔性基板310的末端的距离为相对小的第二距离D2的情况下，也不会对封装膜370造成损坏。在这种情况下，因为柔性基板310的末端与封装膜370的末端较近，所以在线C-C′方向上可以增加单元的数量。
此外，如图7A所示，在第一方向上，第二无机层376覆盖第一无机层372的侧表面。即，在第一方向上，第二无机层376的宽度大于第一无机层372的宽度，并且第二无机层376的末端与柔性基板310的上表面接触。因此，即使折叠应力集中到封装膜370中，作为发光二极管D的最终保护元件的第一无机层372还覆盖有第二无机层376，使得可以使水分渗透对发光二极管D的损坏最小化。
另一方面，如图7B所示，在第二方向上，第一无机层272与第二无机层276的宽度相同，并且彼此完全交叠。为了保护发光二极管D，第一无机层372的宽度应该比预先确定的宽度大。在本发明中，因为在不产生折叠应力的第二方向上，第二无机层376的宽度与第一无机层372的宽度相同，所以可以防止第二方向上的非显示区域的增加。
因此，防止了水分渗透对发光二极管D的损坏，降低了柔性OLED装置的生产成本，并且提供了具有窄边框的柔性OLED装置。
图8A至图8D是示出根据本公开第四实施方案的可折叠的OLED装置的示意图。图8A是可折叠的OLED装置的示意性平面图，图8B至图8D是沿图8A中的线A-A′、C-C′和D-D′所截取的示意性截面图。
如图8A至8D所示，根据本公开第四实施方案的柔性OLED装置400包括：柔性基板410，在柔性基板410中限定有显示区域和非显示区域；发光二极管D，发光二极管D与显示区域对应并设置在柔性基板410上或上方；以及封装膜470，封装膜470覆盖发光二极管D并与非显示区域的一部分和显示区域对应。
例如，柔性基板410可以是聚酰亚胺基板。在柔性基板410上或上方形成有(图5的)TFT Tr，发光二极管D和封装膜470。
如图5所示，TFT Tr可以包括半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142，并且发光二极管D可以包括连接至漏电极142的第一电极160、面对第一电极160的第二电极164以及在第一电极160与第二电极164之间的有机发光层162。
封装膜470覆盖发光二极管D并且封装膜470的面积小于柔性基板410的面积。即，封装膜470的末端位于柔性基板410的末端的内侧。
在折叠区域FR的末端中，封装膜470被去除，使得(图5的)钝化层150、(图5的)层间绝缘层132、(图5的)栅极绝缘层124和柔性基板410中之一露出，并且封装膜470的末端设置在钝化层150、层间绝缘层132、栅极绝缘层124和柔性基板410中之一上。
另一方面，为了防止划片工艺对钝化层150、层间绝缘层132或栅极绝缘层124造成的损坏以及水分渗入显示区域，在折叠区域FR的末端中可以去除钝化层150、层间绝缘层132和栅极绝缘层124中的全部，使得在折叠区域FR的末端中，封装膜470可以与柔性基板410接触。
封装膜470包括第一无机层472、有机层474和第二无机层476。然而，不限于此。
例如，封装膜470还可以包括在第二无机层476上的有机层和无机层，以具有五层结构。
第一无机层472与第二无机层476的平面面积相同，并且彼此完全交叠。
可替代地，如图8B和图8C所示，在第一方向上，即，在折叠区域FR的延伸方向上，第二无机层476可以覆盖第一无机层472的侧表面(图8B)，并且在可垂直于第一方向的第二方向上，第二无机层476的宽度可以与第一无机层472的宽度相同，以彼此完全交叠(图8C)。因此，可以防止由水分渗入折叠区域FR而对发光二极管D造成的损坏以及防止第二方向上非显示区域的面积增加。
有机层474位于第一无机层472与第二无机层476之间。有机层474的平面面积小于第一无机层472和第二无机层476的平面面积，并且有机层474与第一无机层472和第二无机层476完全交叠。即，通过第二无机层476来完全覆盖并保护有机层474，使得防止了水分渗透有机层474。
例如，在有机层474的平面面积与第二无机层476的平面面积相同或比第二无机层476的平面面积大的情况下，有机层474的侧表面露出，并且通过有机层474的侧表面会产生水分渗透。然而，在本公开中，因为通过第二无机层476来完全覆盖并保护有机层474，所以防止了水分渗透有机层474。
第一无机层472和第二无机层476中的每一个可以由硅氧化物或硅氮化物形成，并且有机层474可以由环氧化合物或丙烯酸类化合物形成。
如图8B所示，在(图8A的)折叠区域FR中，封装膜470的末端与柔性基板410的末端相距第一距离D1。
另一方面，如图8C所示，在沿垂直于折叠区域FR的延伸方向(即第一方向)的第二方向的一侧中，封装膜470的末端与柔性基板410的末端相距第二距离D2，第二距离D2比第一距离D1小。
另外，如图8D所示，在第一方向上除(图8A的)折叠区域FR之外的非折叠区域中，封装膜470的末端与柔性基板410的末端相距第三距离D3，第三距离D3比第一距离D1小。第三距离D3可以与第二距离D2相等或不同。
在折叠区域FR的末端中，封装膜470的末端设置成远离柔性基板410的末端，使折叠应力对封装膜470造成的损坏最小化。
另外，在可垂直于折叠区域FR的延伸方向的第二方向上，因为封装膜470的末端设置成相对接近于柔性基板410的末端，所以提高了母基板的效率。
此外，与折叠区(FR)相比，在第一方向上的未折叠区域的末端中，封装膜470的宽度增加，使得使水分渗入最小化。
此外，如图4A所说明的，在母基板的各个单元中，封装膜470具有图案化的形状即岛状，防止了划片工艺对封装膜470造成的损坏。
因此，防止了水分渗透对发光二极管D造成的损坏，并且降低了柔性OLED装置的生产成本。
对于本领域技术人员而言明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改方案和变化方案。因此，则本发明旨在涵盖本发明的修改方案和变化方案，只要这些修改方案和变化方案落入所附权利要求及其等同内容中的范围内即可。
Claims (18)
1.一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域位于所述显示区域的周边处；
在所述显示区域中的发光二极管；以及
封装膜，所述封装膜覆盖所述发光二极管和整个所述显示区域，并且所述封装膜覆盖所述非显示区域的一部分而不覆盖所述非显示区域的至少另一部分。
2.根据权利要求1所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜包括多个末端，以及所述封装膜的至少一个末端接触所述基板。
3.根据权利要求1所述的可折叠的OLED装置，其中所述基板还包括沿第一方向的折叠区域，在所述折叠区域中所述可折叠的OLED装置是可折叠的，以及
其中所述封装膜在所述折叠区域中的末端与所述基板在所述折叠区域中的末端相距第一距离，以及所述封装膜在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的末端与所述基板在所述第二方向上的末端相距第二距离，其中所述第二距离小于所述第一距离。
4.根据权利要求3所述的可折叠的OLED装置，其中所述基板还包括沿所述第一方向的非折叠区域，在所述非折叠区域中所述可折叠的OLED装置不能被折叠，以及所述封装膜在所述非折叠区域中的末端与所述基板在所述非折叠区域中的末端相距第三距离，所述第三距离小于所述第一距离。
5.根据权利要求1所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜包括覆盖所述发光二极管的第一无机层、在所述第一无机层上的有机层以及覆盖所述有机层的第二无机层。
6.根据权利要求5所述的可折叠的OLED装置，其中所述基板还包括沿第一方向的折叠区域，在所述折叠区域中所述可折叠的OLED装置被折叠，以及在沿所述折叠区域的所述第一方向上，所述第二无机层比所述第一无机层宽并且覆盖所述第一无机层的侧表面。
7.根据权利要求6所述的可折叠的OLED装置，其中在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第二无机层的宽度与所述第一无机层的宽度基本上相同。
8.一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置，包括：
基板，所述基板包括沿第一方向的折叠区域，在所述折叠区域中所述可折叠的装置是可折叠的；
在所述基板上的发光二极管；以及
封装膜，所述封装膜包括覆盖所述发光二极管的第一无机层、在所述第一无机层上的有机层以及在所述有机层上的第二无机层，
其中在所述第一方向上，所述第二无机层比所述第一无机层宽并且覆盖所述第一无机层的侧表面，以及在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第二无机层的宽度与所述第一无机层的宽度基本上相同。
9.根据权利要求8所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜包括多个末端，以及所述封装膜的至少一个末端接触所述基板。
10.根据权利要求8所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜在所述折叠区域中的末端与所述基板在所述折叠区域中的末端相距第一距离，以及在所述第二方向上，所述封装膜沿所述第二方向的末端与所述基板在所述第二方向上的末端相距第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。
11.根据权利要求10所述的可折叠的OLED装置，其中所述基板还包括沿所述第一方向的非折叠区域，在所述非折叠区域中所述可折叠的OLED装置不能被折叠，以及所述封装膜在所述非折叠区域中的末端与所述基板在所述非折叠区域中的末端相距第三距离，所述第三距离小于所述第一距离。
12.一种可折叠的有机发光显示(OLED)装置，包括：
柔性基板，所述柔性基板包括显示区域以及位于所述显示区域的周边处的非显示区域，所述柔性基板跨沿所述可折叠的OLED装置的第一方向的折叠区域而被折叠；
在所述显示区域中的发光二极管；以及
封装膜，所述封装膜覆盖所述发光二极管和整个所述显示区域，并且所述封装膜覆盖所述非显示区域的一部分而不覆盖所述非显示区域的至少另一部分。
13.根据权利要求12所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜包括多个末端，以及所述封装膜的至少一个末端接触所述柔性基板。
14.根据权利要求12所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜在所述折叠区域中的末端与所述柔性基板在所述折叠区域中的末端相距第一距离，并且所述封装膜在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的末端与所述柔性基板沿所述第二方向的末端相距第二距离，其中所述第二距离小于所述第一距离。
15.根据权利要求14所述的可折叠的OLED装置，其中所述柔性基板还包括沿所述第一方向的非折叠区域，在所述非折叠区域中所述可折叠的OLED装置不能被折叠，以及所述封装膜在所述非折叠区域中的末端与所述柔性基板在所述非折叠区域中的末端相距第三距离，所述第三距离小于所述第一距离。
16.根据权利要求12所述的可折叠的OLED装置，其中所述封装膜包括覆盖所述发光二极管的第一无机层、在所述第一无机层上的有机层以及覆盖所述有机层的第二无机层。
17.根据权利要求12所述的可折叠的OLED装置，其中在沿所述折叠区域的所述第一方向上所述第二无机层比所述第一无机层宽并且覆盖所述第一无机层的侧表面。
18.根据权利要求17所述的可折叠的OLED装置，其中在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第二无机层的宽度与所述第一无机层的宽度基本上相同。
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| CN110165077A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其封装方法 |
| CN111445799B (zh) * | 2020-04-14 | 2022-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111863903B (zh) * | 2020-07-23 | 2023-04-18 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1853272A (zh) * | 2003-09-22 | 2006-10-25 | 英特尔公司 | 具有折叠柔性衬底的电子封装及其生产方法 |
| US20140049449A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Dual-display device and method of manufacturing the same |
| CN103811682A (zh) * | 2012-11-14 | 2014-05-21 | 乐金显示有限公司 | 切割柔性显示装置的方法及使用其制造柔性显示装置的方法 |
| CN104733507A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置和柔性显示装置的封装方法 |
Family Cites Families (8)
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1853272A (zh) * | 2003-09-22 | 2006-10-25 | 英特尔公司 | 具有折叠柔性衬底的电子封装及其生产方法 |
| US20140049449A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Dual-display device and method of manufacturing the same |
| CN103811682A (zh) * | 2012-11-14 | 2014-05-21 | 乐金显示有限公司 | 切割柔性显示装置的方法及使用其制造柔性显示装置的方法 |
| CN104733507A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置和柔性显示装置的封装方法 |
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