CN109887979B - 一种阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板和显示装置，所述阵列基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的信号传输线、位于所述衬底基板的非显示区域的第一静电释放器件和静电释放信号线，所述第一静电释放器件和所述静电释放信号线相连，所述第一静电释放器件用于将来自所述信号传输线的静电传输至所述静电释放信号线释放，所述信号传输线通过至少两个支路与所述第一静电释放器件相连。本本实施例中，由于信号传输线通过至少两个支路与第一静电释放器件相连，当其中一个支路发生静电击穿时，可以切断该支路，继续实现静电防护功能，从而提高产品良率。

Description

一种阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板技术，尤指一种阵列基板和显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emitting Display，简称OLED)作为新型的平板显示器与液晶显示(Liquid Crystal Display，简称LCD)相比，具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、可柔性显示等优点。
电致发光显示面板的显示区域内产生静电的几率较大，相关技术中通过设置静电释放(Electro-Static Discharge，简称ESD)器件将产生的静电与接地的信号线相连，对电致发光显示面板内产生的静电进行释放。传统的ESD器件设计由于其布线的特点，比较容易在走线交叠处造成静电击穿，形成短路状态(DCS，Data Com Short)。当这种短路状态造成DCS的时候，就会造成x-dim line(x渐变线)等显示不良，极大的影响了产品的良率。
发明内容
本发明至少一实施例提供了一种阵列基板和显示装置，提高产品良率。
为了达到本发明目的，本发明至少一实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的信号传输线、位于所述衬底基板的非显示区域的第一静电释放器件和静电释放信号线，所述第一静电释放器件和所述静电释放信号线相连，所述第一静电释放器件用于将来自所述信号传输线的静电传输至所述静电释放信号线释放，所述信号传输线通过至少两个支路与所述第一静电释放器件相连。
在一实施例中，当所述信号传输线通过两个支路与所述第一静电释放器件相连时，所述两个支路与所述第一静电释放器件的连接端分别位于所述第一静电释放器件的对侧，且所述两个支路的连接处与所述第一静电释放器件分别处于所述支路上的静电击穿高发位置的两端。
在一实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的非显示区域的第一静电释放单元，所述第一静电释放单元包括第一电极层、中间层和第二电极层，所述第一静电释放单元的第一电极层与所述信号传输线相连，所述第一静电释放单元用于将所述信号传输线传输的静电通过所述第二电极层释放。
在一实施例中，所述中间层包括以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
在一实施例中，所述第一静电释放器件包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括分别与所述有源层连接的源电极和漏电极，所述栅极层和所述源电极与所述信号传输线相连，所述漏电极与所述静电释放信号线相连。
在一实施例中，所述第一静电释放单元的第一电极层与所述信号传输线相连包括：所述第一静电释放单元的第一电极层通过第一过孔与所述第一静电释放器件的源电极相连，所述第一静电释放单元的第一电极层通过第二过孔与所述第一静电释放器件的栅极层相连。
在一实施例中，所述衬底基板还包括位于所述衬底基板的非显示区域的且与所述信号传输线相连的第二静电释放器件，其中，所述信号传输线通过至少两个支路与所述第二静电释放器件相连，所述第二静电释放器件包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，所述第二静电释放器件的源漏电极层包括分别与所述第二静电释放器件的有源层连接的源电极和漏电极，所述第二静电释放器件的漏电极与所述信号传输线相连，所述第二静电释放器件的栅极层和源电极连接所述静电释放信号线。
在一实施例中，当所述信号传输线通过两个支路与所述第二静电释放器件相连时，所述两个支路与所述第二静电释放器件的连接端分别位于所述第二静电释放器件的对侧，且所述两个支路的连接处与所述第二静电释放器件分别处于所述两个支路上的静电击穿高发位置的两端。
在一实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的非显示区域的第二静电释放单元，所述第二静电释放单元包括第一电极层、中间层和第二电极层，所述第二静电释放单元的第一电极层通过第三过孔与所述第二静电释放器件的源电极相连，所述第二静电释放单元的第一电极层通过第四过孔与所述第二静电释放器件的栅极层相连，所述第二静电释放单元用于将所述第二电极层产生的静电通过所述静电释放信号线释放。
本发明一实施例提供一种显示装置，包括任一实施例所述的阵列基板。
与相关技术相比，本发明一实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的信号传输线、位于所述衬底基板的非显示区域的第一静电释放器件和静电释放信号线，所述第一静电释放器件和所述静电释放信号线相连，所述第一静电释放器件用于将来自所述信号传输线的静电传输至所述静电释放信号线释放，所述信号传输线通过至少两个支路与所述第一静电释放器件相连。本实施例中，由于信号传输线通过至少两个支路与第一静电释放器件相连，当其中一个支路发生静电击穿时，可以切断该支路，信号传输线产生的静电可以继续通过其他支路传输到静电释放器件通过静电释放信号线释放，从而继续实现静电防护功能，有效的回避了由于静电击穿造成的器件短路、失效的问题，相比相关技术，本实施例提供的阵列基板，由于可以修复，可以提高产品良率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明一实施例提供的阵列基板示意图(剖面图)；
图2为本发明一实施例提供的阵列基板示意图(俯视图)；
图3为本发明另一实施例提供的阵列基板示意图；
图4为本发明又一实施例提供的阵列基板示意图(增加第一静电释放单元)；
图5为本发明又一实施例提供的阵列基板示意图(第一静电释放单元详细结构图)；
图6为本发明又一实施例提供的阵列基板示意图(包括第二静电释放器件)；
图7为本发明又一实施例提供的阵列基板示意图(包括第二静电释放单元)；
图8为本发明又一实施例提供的阵列基板示意图(俯视图)；
图9为本发明又一实施例提供的阵列基板示意图(支路位置变换)；
图10为本发明一实施例提供的显示面板示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
如图1和图2所示，本发明一实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板1、位于所述衬底基板上的信号传输线2、位于所述衬底基板的非显示区域的第一静电释放器件3和静电释放信号线4，所述第一静电释放器件3和所述静电释放信号线4相连，所述第一静电释放器件3用于将来自所述信号传输线2的静电传输至所述静电释放信号线4释放，所述信号传输线2通过至少两个支路(支路21和支路22)与所述第一静电释放器件3相连。其中，所述支路即走线。
本实施例提供的阵列基板，由于信号传输线通过至少两个支路与第一静电释放器件3相连，当其中一个支路发生静电击穿时，可以切断该支路，信号传输线产生的静电可以继续通过其他支路传输到静电释放器件3通过静电释放信号线4释放，从而继续实现静电防护功能，有效的回避了由于静电击穿造成的器件短路、失效的问题，相比相关技术，本实施例提供的阵列基板，由于可以修复，提高了产品良率。另外，多个支路也可以起到加快静电疏散的作用，能更有效的导通静电，达到速扩散的目的。
其中，信号传输线2可以是数据线，也可以是栅线。
如图2所示，所述两个支路(支路21和支路22)与所述第一静电释放器件3的连接端A1，A2分别位于所述第一静电释放器件3的对侧，且所述两个支路的连接处C与所述第一静电释放器件3分别处于所述支路上的静电击穿高发位置B1、B2的两端。具体的，连接点C和第一静电释放器件3位于静电击穿高发位置B1的两端，此处两端是指位置B1所在支路上的两侧，即位置B1在该支路上(支路21)处于连接点C和第一静电释放器件3之间，连接点C和第一静电释放器件3位于静电击穿高发位置B2的两端，即位置B2在该支路上(支路22)处于连接点C和第一静电释放器件3之间。当位置B1处发生静电击穿时，可在位置C1处利用激光修复设备进行切断，仍可通过支路21将静电传输到第一静电释放器件3，因此，该阵列基板仍可进行静电防护。当位置B2处发生静电击穿时，可在位置C2处进行切断，仍可通过支路22将静电传输到第一静电释放器件3，因此，该阵列基板仍可进行静电防护。本实施例中，在静电高发走线位置设计备用走线于静电释放器件位置，当其中一条走线发生静电击穿后，可利用激光修复设备将击穿处切断，备用走线处依然可以保持静电释放器件的连接，继续实现防静电功能。其中，静电击穿高发位置可通过试验确定，或者为走线交叠位置。
在一实施例中，如图3所示，所述第一静电释放器件3包括依次设置在所述衬底基板1上的栅极层31、栅极绝缘层32、有源层33和源漏电极层34，所述源漏电极层34包括分别与所述有源层连接的源电极341和漏电极342，所述栅极层31和所述源电极341与所述信号传输线2相连，所述漏电极342与所述静电释放信号线4相连。
具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一静电释放器件3的栅极层31和源电极341均与信号传输线2相连，即第一静电释放器件3的栅极层31和源电极341相连，此时，第一静电释放器件3相当于一个二极管，在信号传输线2上的静电积累到一定程度时，大于第一静电释放器件3的阈值电压，第一静电释放器件3导通将信号传输线2上的静电提供给静电释放信号线4，以对静电进行释放。
如图4所示，本发明一实施例提供一种阵列基板，在图1所示阵列基板的基础上，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的非显示区域的第一静电释放单元5，所述第一静电释放单元5包括第一电极层51、中间层52和第二电极层53，所述第一静电释放单元5的第一电极层51与所述信号传输线2相连，所述第一静电释放单元5用于将所述信号传输线2传输的静电通过所述第二电极层53释放。所述第一电极层51为阳极层，所述第二电极层53为阴极层，该阴极层复用为对向基板的公共电极层。
本实施例中，通过在阵列基板的非显示区域设置第一静电释放单元5，并将位于显示区域的信号传输线与第一静电释放单元5的第一电极层51相连，从而将显示区域所产生的静电传输给第一静电释放单元5的第一电极层51，并利用第一静电释放单元5自身的结构将静电传输给第一静电释放单元5的第二电极层53，并在第二电极层53对静电进行释放，从而缓解了由于静电的累积带来的危害。具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，信号传输线上的静电可以从第一电极层51疏散到第二电极层53，也可以通过与信号传输线相连的第一静电释放器件3将静电提供给静电释放信号线4，通过静电释放信号线4将静电释放到显示面板外，其中静电释放信号线4的一端与静电释放器件相连，另一端接地。静电释放信号线4比如为短路环(shorting)。
需要说明的是，当存在第一静电释放单元5时，即使位置B1和位置B2均发生静电击穿时，可在位置C1和位置C2处切断，通过第一静电释放单元5进行静电防护。当存在两个支路时，本实施例实现3通路传送静电，当其中一路(或2路)发生静电击穿以后，可以进行激光切断的同时依然可以实现静电防护功能。
在一实施例中，所述中间层52之间包括以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
如图5所示，所述中间层52包括空穴注入层521、空穴传输层522、发光层523、电子传输层524、电子注入层525。
在一实施例中，所述第一静电释放单元5的第一电极层51与所述信号传输线2相连包括：所述第一静电释放单元5的第一电极层51通过第一过孔与所述第一静电释放器件3的源电极341相连，所述第一静电释放单元5的第一电极层51通过第二过孔与所述第一静电释放器件3的栅极层31相连。即本实施例中，利用第一静电释放器件3过孔的ITO(Indium tinoxide，铟锡氧化物)作为第一电极层向上镀膜中间层、第二电极层(对向基板)。
在一实施例中，如图6所示，所述衬底基板还包括位于所述衬底基板1的非显示区域的且与所述信号传输线2相连的第二静电释放器件6，其中，所述信号传输线2通过至少两个支路与所述第二静电释放器件6相连，所述第二静电释放器件6包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层61、栅极绝缘层62、有源层63和源漏电极层64，所述源漏电极层64包括分别与所述有源层63连接的源电极641和漏电极642，所述第二静电释放器件6的漏电极642与所述信号传输线2相连，所述第二静电释放器件6的栅极层61和源电极641连接所述静电释放信号线4。
具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，通过第二静电释放器件6的设置可以在产生静电积累时，将静电通过第二静电释放器件6传输至信号传输线2，对静电进行疏散。
其中，第二静电释放器件6的各膜层的设置和连接关系与上述实施例中的第一晶体管中各膜层的设置和连接关系相同，在此对第二静电释放器件6的具体结构不再赘述。
在一实施例中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，静电释放信号线4与第一静电释放器件3的栅极层31和第二静电释放器件6的栅极层61同层设置，通过过孔与第一静电释放单元5的第一电极层51和第二静电释放单元7的第一电极层71电连接。
在一实施例中，如图7所示，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的非显示区域的第二静电释放单元7，所述第二静电释放单元7包括第一电极层71、中间层72和第二电极层73，所述第二静电释放单元7的第一电极层71通过第三过孔与所述第二静电释放器件6的源电极641相连，所述第二静电释放单元7的第一电极层71通过第四过孔与所述第二静电释放器件6的栅极层61相连，所述第二静电释放单元7用于将所述第二电极层73产生的静电通过所述静电释放信号线4释放。所述第一电极层71比如为阳极层，所述第二电极层72比如为阴极层。
其中，第二静电释放单元7的第二电极层与第一静电释放单元5的第二电极层可以共用同一电极层，信号传输线2上的静电通过第一静电释放单元5的第一电极层传输给第一静电释放单元5的第二电极层(即第二静电释放单元7的第二电极层)，当第二电极层积累的静电较多时，可以将静电传输给第二静电释放单元7的第一电极层，通过第二静电释放单元7的第一电极层将静电传输给静电释放信号线对静电进行释放。
在一实施例中，所述中间层72之间包括以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
其中，位于非显示区域的发光层除了可以起到静电传输的作用，还可以起到静电预警的作用，当位于非显示区域的发光层发光时，预示着阳极层和阴极层之间产生了电压差，即阳极层或阴极层产生了静电积累，便于及时对其进行检测和处理，避免静电积累影响各功能层或器件的性能。其中，位于非显示区域的上述各层由于与位于显示区域的各功能层所起到的作用不同，其厚度和离子掺杂浓度会有所不同，其具体厚度和掺杂浓度根据使用情况进行选择，在此不作具体限定。
在一实施例中，如图8所示，当所述信号传输线2通过两个支路(支路23和支路24)与所述第二静电释放器件6相连时，所述两个支路与所述第二静电释放器件6的连接端A3和A4分别位于所述第二静电释放器件6的对侧，且所述两个支路的连接点C与所述第二静电释放器件6分别处于所述两个支路上的静电击穿高发位置B3和B4的两端。具体的，连接点C和第二静电释放器件6位于静电击穿高发位置B3的两端，此处两端是指位置B3所在支路上的两侧，即位置B3在其所在支路(支路23)上处于连接点C和第二静电释放器件6之间，连接点C和第二静电释放器件6位于静电击穿高发位置B4的两端，即位置B4在其所在支路(支路24)上处于连接点C和第二静电释放器件6之间。当位置B3处发生静电击穿时，可在位置C3或位置C5处进行切断，仍可通过支路24将静电传输到第二静电释放器件6，因此，该阵列基板仍可进行静电防护。当位置B4处发生静电击穿时，可在位置C4或位置C6处进行切断，仍可通过支路23将静电传输到第二静电释放器件6，因此，该阵列基板仍可进行静电防护。需要说明的是，当存在第二静电释放单元7时，即使位置B3和B4均发生静电击穿时，可在位置C3或C5，C4或C6处切断，通过第二静电释放单元进行静电防护。
本发明一实施例中，所述支路所在位置也可不同于图8所示位置。如图9所示，比如与第一静电释放器件3相连的两个支路可以处于第一静电释放器件3的同侧。
上述各实施例提供的阵列基板，对于工艺步骤以及工艺方法没有特殊要求，成膜工艺中自然形成。
基于同一发明构思，本发明一实施例还提供了一种显示面板，如图10所示，包括上述实施例提供的任一阵列基板8、对向基板9，以及位于对向基板面向阵列基板一侧的公共电极10，其中，该公共电极10可以复用为第二电极层。
基于同一发明构思，本发明一实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述的阵列基板。其中，该显示装置适用于有机电致发光显示器、无机电致发光显示器、有源矩阵有机发光二极管显示器(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)等多种类型的显示器。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，在此不作限定。
本发明一实施例提供一种修复方法，应用于上述任一实施例所述的阵列基板，包括：当所述阵列基板出现静电击穿时，切断静电击穿位置所在的支路。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的信号传输线、位于所述衬底基板的非显示区域的第一静电释放器件和静电释放信号线，所述第一静电释放器件和所述静电释放信号线相连，所述第一静电释放器件用于将来自所述信号传输线的静电传输至所述静电释放信号线释放，所述信号传输线通过至少两个支路与所述第一静电释放器件相连；
当所述信号传输线通过两个支路与所述第一静电释放器件相连时，所述两个支路与所述第一静电释放器件的连接端分别位于所述第一静电释放器件的对侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述信号传输线通过两个支路与所述第一静电释放器件相连时，所述两个支路的连接处与所述第一静电释放器件分别处于所述支路上的静电击穿高发位置的两端。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的非显示区域的第一静电释放单元，所述第一静电释放单元包括第一电极层、中间层和第二电极层，所述第一静电释放单元的第一电极层与所述信号传输线相连，所述第一静电释放单元用于将所述信号传输线传输的静电通过所述第二电极层释放。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一静电释放器件包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括分别与所述有源层连接的源电极和漏电极，所述栅极层和所述源电极与所述信号传输线相连，所述漏电极与所述静电释放信号线相连。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一静电释放单元的第一电极层与所述信号传输线相连包括：所述第一静电释放单元的第一电极层通过第一过孔与所述第一静电释放器件的源电极相连，所述第一静电释放单元的第一电极层通过第二过孔与所述第一静电释放器件的栅极层相连。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板还包括位于所述衬底基板的非显示区域的且与所述信号传输线相连的第二静电释放器件，其中，所述信号传输线通过至少两个支路与所述第二静电释放器件相连，所述第二静电释放器件包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，所述第二静电释放器件的源漏电极层包括分别与所述第二静电释放器件的有源层连接的源电极和漏电极，所述第二静电释放器件的漏电极与所述信号传输线相连，所述第二静电释放器件的栅极层和源电极连接所述静电释放信号线。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，当所述信号传输线通过两个支路与所述第二静电释放器件相连时，所述两个支路与所述第二静电释放器件的连接端分别位于所述第二静电释放器件的对侧，且所述两个支路的连接处与所述第二静电释放器件分别处于所述两个支路上的静电击穿高发位置的两端。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的非显示区域的第二静电释放单元，所述第二静电释放单元包括第一电极层、中间层和第二电极层，所述第二静电释放单元的第一电极层通过第三过孔与所述第二静电释放器件的源电极相连，所述第二静电释放单元的第一电极层通过第四过孔与所述第二静电释放器件的栅极层相连，所述第二静电释放单元用于将所述第二电极层产生的静电通过所述静电释放信号线释放。
9.根据权利要求3或8所述的阵列基板，其特征在于，所述中间层包括以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。
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