CN109270619A - 偏光片、显示屏和显示屏模组 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种偏光片、显示屏和显示屏模组，其中所述偏光片包括放电层和设置在所述放电层上的偏光层；所述放电层，与所述显示屏中的接地走线连接。所述显示屏包括阵列基板、发光器件层、薄膜封装层、放电层和接地走线；所述发光器件层，设置在所述阵列基板上；所述薄膜封装层，设置在所述发光器件层上；所述放电层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层与所述接地走线连接。该方案通过设置与接地走线连接的放电层，提高了显示屏的防静电能力。

Description

偏光片、显示屏和显示屏模组
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种偏光片、显示屏和显示屏模组。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示屏具有响应快、可视角度大和可柔性显示等优点，在显示领域占主导地位。
当AMOLED显示屏处于局部静电场较强的环境时，AMOLED里的电子元件会因静电产生较大电流，受到损伤，导致AMOLED显示屏显示画面出现异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种偏光片、显示屏和显示屏模组，提高了显示屏的防静电能力。
本发明实施例提供了一种偏光片，应用于显示屏，所述偏光片包括：放电层和设置在所述放电层上的偏光层；所述放电层，与所述显示屏中的接地走线连接。
在一些实施例中，所述放电层的阻抗范围为108-109欧姆。
本发明实施例还提供了一种显示屏，包括：阵列基板、发光器件层、薄膜封装层、放电层和接地走线；
所述发光器件层，设置在所述阵列基板上；
所述薄膜封装层，设置在所述发光器件层上；
所述放电层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层与所述接地走线连接。
在一些实施例中，所述显示屏还包括触控电极层；
所述触控电极层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层，设置在所述触控电极层上；或
所述触控电极层，设置在所述放电层上；或
所述触控电极层，集成在所述发光器件层上。
在一些实施例中，所述显示屏还包括偏光片；
当所述触控电极层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层，设置在所述触控电极层上时，所述偏光片设置在所述放电层上；
当所述触控电极层，设置在所述放电层上时，所述偏光片设置在所述触控电极层上；
当所述触控电极层，集成在所述发光器件层上时，所述偏光片设置在所述放电层上。
在一些实施例中，当所述触控电极层设置在所述放电层上方时，所述放电层的阻抗范围为100-150欧姆；
当所述放电层设置在所述触控电极层上方时，所述放电层的阻抗范围为108-109欧姆。
在一些实施例中，当所述触控电极层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层，设置在所述触控电极层上时，所述接地走线包括地线，所述地线设置在所述触控电极的边缘。
在一些实施例中，当所述触控电极层，设置在所述放电层上，或当所述触控电极层，集成在所述发光器件层上时，所述接地走线包括源漏极走线，所述源漏极走线设置在所述阵列基板上。
在一些实施例中，所述放电层的组成材料包括透明导电材料。
本发明实施例还提供了一种显示屏模组，所述显示模组包括如上述的显示屏，和与所述显示屏邦定的柔性线路板；所述显示屏中的接地走线，通过所述柔性线路板接地。
本发明实施例的偏光片、显示屏和显示屏模组，通过设置与接地走线连接的放电层，提高了显示屏的防静电能力。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明实施例提供的偏光片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示屏模组的第一结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示屏模组的第二结构示意图；
图4为本发明实施例提供的显示屏模组的第三结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示屏模组的第四结构示意图；
图6为本发明实施例提供的显示屏模组的第五结构示意图；
图7为本发明实施例提供的显示屏模组的第六结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明实施例提供了一种偏光片，该偏光片应用于显示屏。其中，显示屏包括接地走线，比如地线、通过柔性线路板接地的源漏极走线等。请参照图1，图1为本发明实施例提供的偏光片的结构示意图。该偏光片1包括放电层11和偏光层12，其中偏光层12设置在放电层11上。
偏光层12用于使沿一定方向振动的光透过。其中，偏光层12可以为透射型偏光层、反射型偏光层或半透射型偏光层，在此不对偏光层12的类型做具体限定。
放电层11由导电材料制备，比如金属材料，一些导电非金属材料以及半导体材料等等。在一实施例中，该导电材料可以为透明的导电材料，比如氧化铟锡(ITO)。在一实施例中，该导电材料为具有较高阻抗的导电材料，将放电层11的阻抗范围控制在108-109欧姆之间。放电层11与显示屏中的接地走线连接，其中，该接地走线可以为地线，或者接地的源漏极走线等。具体的，可以沿层叠结构的显示屏的高度方向，设置导电线，再通过该导电线将放电层11与接地走线连接。综上，当显示屏处于局部静电较大的环境中时，放电层11通过接地走线，将显示屏受到的静电释放。
本发明实施例提供的偏光层，通过设置与显示屏中接地走线连接的放电层，提高了显示屏抗静电的能力。
本发明实施例还提供了一种显示屏模组。请参照图2-图4，图2-图4均为本发明实施例提供的显示屏模组的结构示意图。该显示屏模组2包括显示屏3和与该显示屏3邦定的柔性线路板4。显示屏3包括阵列基板31、发光器件层32、薄膜封装层33、放电层34和接地走线(图未示出)。
阵列基板31包括基板、缓冲层和薄膜晶体管等结构。其中，基板可以为柔性基板，也可以为刚性基板，比如玻璃基板、聚酰亚胺基板。缓冲层可以是由SiOx、SiNx组成的多层膜结构。薄膜晶体管用于控制显示屏画面的显示。薄膜晶体管一般包括两层金属层，两层绝缘层，一层有源层和一层欧姆接触层。
发光器件层32设置在阵列基板31上。发光器件层32包括依次层叠设置的阳极层、有机发光层和阴极层，其中阳极层设置在阵列基板31上。有机发光层由电子传输层(ETL)、发光层(EL)和空穴传输层(HTL)等结构组成。阴极层的组成材料可以包括锂、钙、锂、铝以及银等金属中的一种或多种。阳极层的组成材料可以为金属氧化物，比如氧化铟锡。
薄膜封装层33设置在发光器件层32上。薄膜封装层33由SiNx、SiO2等材料组成。薄膜封装层33用于保护显示屏2内的发光器件层32、阵列基板31等结构不被水汽和氧气侵蚀。
放电层34设置在薄膜封装层33上。放电层34由导电材料制备，比如金属材料，一些导电非金属材料以及半导体材料等等。在一实施例中，该导电材料可以为透明的导电材料，比如氧化铟锡(ITO)。在一实施例中，该导电材料为具有较高阻抗的导电材料，可以将放电层34的阻抗范围控制在108-109欧姆之间。
放电层34与接地走线连接。其中，接地走线包括地线，以及通过柔性线路板4接地的源漏极走线等。具体的，如图3和图4所示，可以沿层叠结构的显示屏的高度方向，设置导电线37，通过该导电线将放电层11与接地走线连接。当显示屏3处于局部静电较大的环境中时，可以将静电释放。
在一些实施例中，如图2-图4所示，显示屏3还包括触控电极层35。其中，触控电极层35包括多条触控感应线和多条驱动感应线。该触控电极层35用于实现触控功能。
在一些实施例中，如图2所示，触控电极层35设置在薄膜封装层33上，放电层34设置在触控电极层35上，即显示屏3可以为on-cell结构的触摸屏。此时，放电层34设置在触控电极层35上方，可以将放电层34的阻抗范围设置为108-109欧姆，这样可以防止触控电极层35的信号被屏蔽。进一步的，还可以避免对液晶显示装置中的液晶受外界电场的干扰。
在on-cell结构的显示屏3中，接地走线包括地线，该地线设置在该触控电极层35的边缘。放电层34与地线连接。具体的，如图5所示，放电层34通过导电线37连接地线，该地线通过设置在触控电极层35上的柔性线路板4接地。综上，当显示屏3处于静电较大的环境时，放电层34可以将显示屏3受到的静电释放。
在一些实施例中，如图3所示，触控电极层35设置在放电层34上，即显示屏3可以为out-cell结构的触摸屏。此时，触控电极层35设置在放电层34的上方，可以将放电层34的阻抗范围设置为100-150欧姆之间，以使放电层34具有较好的防静电性能。
在一些实施例中，如图4所示，触控电极层35集成在发光器件层32上，即显示屏3可以为in-cell结构的触摸屏。具体的，对发光器件层32中的阴极进行图案化，使之具有触控功能，即该阴极等价于触控电极层35。此时，放电层34设置在触控电极层35上方，可以将放电层34的阻抗范围设置为108-109欧姆。这样可以防止触控电极层35的信号被屏蔽。进一步的，还可以避免对液晶显示装置中的液晶受外界电场的干扰。
如图3和图4所示，在out-cell结构和in-cell结构的显示屏3中，接地走线包括源漏极走线，该源漏极走线设置在阵列基板31的边缘。如图6和图7所示，放电层34通过导电线37连接源漏极走线，该源漏极走线通过设置在阵列基板1上的柔性线路板4接地。放电层34与源漏极走线连接，当显示屏3处于静电较大的环境时，将显示屏3受到的静电释放。
在一些实施例中，如图2-图4所示，显示屏3还包括偏光片36。该偏光片36用于使沿一定方向振动的光透过。其中，偏光片36可以为透射型偏光片、反射型偏光片或半透射型偏光片，在此不对偏光片36的类型做具体限定。
如图2所示，当触控电极层35设置在薄膜封装层33上，放电层34设置在触控电极层35上时，偏光片36设置在放电层34上。如图3所示，当触控电极层35设置在放电层34上时，偏光片36设置在触控电极层35上。如图4所示，当触控电极层35集成在发光器件层32上时，偏光片36设置在放电层34上。
本发明实施例的显示屏和显示屏模组，通过设置与接地走线连接的放电层，提高了显示屏的防静电能力。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种偏光片，应用于显示屏，其特征在于，包括：放电层和设置在所述放电层上的偏光层；所述放电层，与所述显示屏中的接地走线连接。
2.根据权利要求1所述的偏光片，其特征在于，所述放电层的阻抗范围为108-109欧姆。
3.一种显示屏，其特征在于，包括：阵列基板、发光器件层、薄膜封装层、放电层和接地走线；
所述发光器件层，设置在所述阵列基板上；
所述薄膜封装层，设置在所述发光器件层上；
所述放电层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层与所述接地走线连接。
4.根据权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述显示屏还包括触控电极层；
所述触控电极层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层，设置在所述触控电极层上；或
所述触控电极层，设置在所述放电层上；或
所述触控电极层，集成在所述发光器件层上。
5.根据权利要求4所述的显示屏，其特征在于，所述显示屏还包括偏光片；
当所述触控电极层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层，设置在所述触控电极层上时，所述偏光片设置在所述放电层上；
当所述触控电极层，设置在所述放电层上时，所述偏光片设置在所述触控电极层上；
当所述触控电极层，集成在所述发光器件层上时，所述偏光片设置在所述放电层上。
6.根据权利要求4所述的显示屏，其特征在于，
当所述触控电极层设置在所述放电层上方时，所述放电层的阻抗范围为100-150欧姆；
当所述放电层设置在所述触控电极层上方时，所述放电层的阻抗范围为108-109欧姆。
7.根据权利要求4所述的显示屏，其特征在于，当所述触控电极层，设置在所述薄膜封装层上，所述放电层，设置在所述触控电极层上时，所述接地走线包括地线，所述地线设置在所述触控电极的边缘。
8.根据权利要求4所述的显示屏，其特征在于，当所述触控电极层，设置在所述放电层上，或当所述触控电极层，集成在所述发光器件层上时，所述接地走线包括源漏极走线，所述源漏极走线设置在所述阵列基板上。
9.根据权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述放电层的组成材料包括透明导电材料。
10.一种显示屏模组，其特征在于，所述显示模组包括如权利要求3-9所述的显示屏，和与所述显示屏邦定的柔性线路板；所述显示屏中的接地走线，通过所述柔性线路板接地。
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