CN110133976A - 调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件及磁体 - Google Patents

Abstract

本发明提供调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件及磁体。基于输入的关于多个磁极当中的、当将调节叶片固定到显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的目标值，所述多个磁极包括在固定地定位在显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中。

Description

调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件及磁体

技术领域

本发明的方面总体涉及调节叶片的固定方法、显影设备、显影剂承载构件以及磁体。

背景技术

显影设备包括用作显影剂调节构件的调节叶片，显影剂调节构件对显影剂承载构件的表面上承载的显影剂的量(显影剂涂布量)进行调节，显影剂承载构件承载包含调色剂和载体的显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影。调节叶片在显影剂承载构件的纵向方向上经由调节叶片与显影剂承载构件之间的预定间隙(在下文中被称为“SB间隙”)与显影剂承载构件相对地定位。SB间隙是指由显影框架构件支撑的显影剂承载构件与固定到显影框架构件的调节叶片之间的最短距离。调整SB间隙的大小导致调整被运送到显影剂承载构件面对图像承载构件的显影区域的显影剂。

在日本特开2012-145937号公报中讨论的显影设备中，具有多个磁极的磁体固定地定位在显影剂承载构件内部，并且相反极性的S2极(调节极)和N1极定位在调节叶片附近。调节极在相对于显影剂承载构件的旋转方向位于调节叶片的上游侧并且最靠近调节叶片的位置处，具有磁通密度的局部最大峰值。

各个磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰值可以在个体磁体之间具有变化。

例如，在调节极的磁通密度的局部最大峰值大的情况下，作用在相对于显影剂承载构件的旋转方向与调节叶片的上游侧接触的显影剂中包含的载体上的磁力的大小具有变大的倾向。因此，在调节极的磁通密度的局部最大峰值大于预定值的情况下，与在调节极的磁通密度的局部最大峰值是预定值的情况下相比，当将SB间隙的大小设置在相同值处时获得的显影剂涂布量变得更大。另一方面，在调节极的磁通密度的局部最大峰值小的情况下，作用在相对于显影剂承载构件的旋转方向与调节叶片的上游侧接触的显影剂中包含的载体上的磁力的大小具有变小的倾向。因此，在调节极的磁通密度的局部最大峰值小于预定值的情况下，与在调节极的磁通密度的局部最大峰值是预定值的情况下相比，当将SB间隙的大小设置在相同值处时获得的显影剂涂布量变得更小。

这样，在不考虑调节极的磁通密度的局部最大峰值而将SB间隙的大小设置在相同值处的情况下，由于针对各个个体磁体的调节极的磁通密度的局部最大峰值的变化，导致可能针对各个个体显影设备发生显影剂涂布量的变化。

此外，各个磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰位置可以针对各个个体磁体具有变化。类似地，在不考虑调节极的磁通密度的局部最大峰位置而将SB间隙的大小设置在相同值处的情况下，由于针对各个个体磁体的调节极的磁通密度的局部最大峰位置的变化，导致可能针对各个个体显影设备发生显影剂涂布量的变化。

发明内容

本发明的第一方面旨在通过考虑磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰值而调整SB间隙的大小，来防止或减小针对各个个体显影设备的显影剂涂布量的变化。

本发明的第一方面提供了一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的目标值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的目标值处。

本发明的第一方面还提供了一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的上限值和下限值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的上限值和下限值之间处。

本发明的第一方面还提供一种显影设备，所述显影设备包括：显影框架构件；显影剂承载构件，其由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影；磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；调节叶片，其固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量；以及二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，其中，所述调节叶片被固定到所述显影框架构件，使得由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在与所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值对应的间隙的目标值处。

本发明的第一方面还提供一种显影剂承载构件，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述显影剂承载构件包括：磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；以及二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

本发明的第一方面还提供一种磁体，所述磁体固定地定位在显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述磁体包括：多个磁极；以及二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

本发明的第二方面旨在通过考虑磁体中包括的调节极的磁通密度的局部最大峰位置而调整SB间隙的大小，来防止或减小针对各个个体显影设备的显影剂涂布量的变化。

本发明的第二方面提供了一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的目标值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的目标值处。

本发明的第二方面还提供了一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括：确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的上限值和下限值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的上限值和下限值之间处。

本发明的第二方面还提供了一种显影设备，所述显影设备包括：显影框架构件；显影剂承载构件，其由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影；磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；调节叶片，其固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量；以及二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，其中，所述调节叶片被固定到所述显影框架构件，使得由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在与所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置对应的间隙的目标值处。

本发明的第二方面还提供了一种显影剂承载构件，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述显影剂承载构件包括：磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；以及二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

本发明的第二方面还提供了一种磁体，所述磁体固定地定位在显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述磁体包括：多个磁极；以及二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

通过以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。

附图说明

图1是例示图像形成装置的构造的截面图。

图2是例示显影设备的构造的立体图。

图3是例示显影设备的构造的立体图。

图4是例示显影设备的构造的截面图。

图5是例示显影设备的构造的截面图。

图6是例示调节叶片附近的显影剂的行为的示意图。

图7A和图7B是用于说明SB间隙与显影剂涂布量之间的关系的图。

图8A、图8B和图8C是用于说明SB间隙的调整范围与显影剂涂布量之间的关系的图。

图9A和图9B是用于说明调节极的磁通密度的局部最大峰值与显影剂涂布量之间的关系的图。

图10A和图10B是用于说明调节极的磁通密度的局部最大峰位置与显影剂涂布量之间的关系的图。

图11A、图11B和图11C是用于说明SB间隙的调整范围与显影剂涂布量之间的关系的图。

图12A、图12B和图12C是用于说明SB间隙的调整范围与显影剂涂布量之间的关系的图。

图13A、图13B和图13C是用于说明SB间隙的调整范围与显影剂涂布量之间的关系的图。

图14是用于说明配设显影套筒的二维条码的部分的图。

图15是用于说明将显影套筒附装到显影框架构件的处理的图。

图16是用于说明从显影套筒获取磁体的特性的处理的图。

图17A和图17B是用于说明将调节叶片固定到显影框架构件的处理的图。

图18A和图18B是用于说明SB间隙的调整范围与显影剂涂布量之间的关系的图。

图19A、图19B和图19C是用于说明显影套筒的外径的偏差(deflection)的图。

图20是用于说明配设显影套筒的相位识别部的部分的图。

具体实施方式

下面将参照附图详细描述本发明的各种示例性实施例、特征和方面。此外，以下示例性实施例不旨在限制权利要求中限定的本发明，并且此外，并非下面的示例性实施例中描述的特征的所有组合对于本发明的解决方案都是必不可少。本发明能够在诸如打印机、各种类型的印刷机、复印机、传真机和多功能外围设备的各种使用应用中实现。

<图像形成装置的构造>

首先，参照图1的截面图来描述根据本发明的第一示例性实施例的图像形成装置的构造。如图1中所示，图像形成装置60包括用作中间转印构件的环形形状的中间转印带(ITB)61，以及沿中间转印带61的旋转方向(图1中的箭头C的方向)从上游侧至下游侧布置的四个图像形成单元600。图像形成单元600分别形成黄色(Y)、品红色(M)、青色(C)和黑色(Bk)的调色剂图像。

各个图像形成单元600包括用作图像承载构件的能旋转的感光鼓1。此外，各个图像形成单元600还包括沿感光鼓1的旋转方向(图1中的箭头E的方向)布置的用作充电单元的充电辊2、用作显影单元的显影设备3、用作一次转印单元的一次转印辊4、以及用作感光构件清洁单元的感光构件清洁器5。

各个显影设备3能附装到图像形成装置60并且能从图像形成装置60拆卸。各个显影设备3包括容纳双组分显影剂(在下文中被简称为“显影剂”)的显影容器，所述双组分显影剂包含非磁性调色剂(在下文中被简称为“调色剂”)和磁性载体。此外，分别容纳各颜色Y、M、C和Bk的调色剂的调色剂盒能附装到图像形成装置60并且能从图像形成装置60拆卸。各颜色Y、M、C和Bk的调色剂经由调色剂运送通道被供给到各显影容器。此外，下面参照图2至图5来描述显影设备3的详情。

中间转印带61被支撑为在张紧辊6、从动辊7a、一次转印辊4、从动辊7b和二次转印内辊66之间延伸，并且被驱动为在图1中的箭头C的方向上运送。二次转印内辊66还用作驱动中间转印带61的驱动辊。伴随二次转印内辊66的旋转，中间转印带61在图1中的箭头C的方向上旋转。

中间转印带61被一次转印辊4从中间转印带61的反面侧按压。此外，使中间转印带61与感光鼓1接触形成用作感光鼓1与中间转印带61之间的一次转印部的一次转印夹持部。

用作带清洁单元的中间转印构件清洁器8保持与横跨中间转印带61面对张紧辊6的位置接触。此外，用作二次转印单元的二次转印外辊67布置在横跨中间转印带61面对二次转印内辊66的位置处。中间转印带61夹在二次转印内辊66与二次转印外辊67之间。这形成用作二次转印外辊67与中间转印带61之间的二次转印部的二次转印夹持部。在二次转印夹持部中，施加预定的压力和转印偏压(静电负荷偏压)使调色剂图像被吸附到并形成在片材S(例如，纸张或胶片)的表面上。

片材S以堆叠的状态容纳在片材容纳单元62(例如，给送盒或给送台)中。给送单元63使用例如给送辊通过使用例如摩擦分离方法来与图像形成定时一致地给送片材S。由给送单元63给送出的片材S被运送到定位在运送路径64途中的定位辊65。在通过定位辊65进行歪斜校正和定时校正之后，片材S被运送到二次转印夹持部。在二次转印夹持部中，片材S在定时上与调色剂图像变得一致，使得进行二次转印。

定影设备9在片材S的运送方向上布置在二次转印夹持部的下游侧处。由定影设备9施加到被运送到定影设备9的片材S的预定的压力和预定的热量使调色剂图像熔化并牢固地定影到片材S的表面上。具有以上述方式定影到其的图像的片材S通过排出辊69的前向旋转被直接排出到排出托盘601。

在进行双面图像形成的情况下，在通过排出辊69的前向旋转运送片材S直到片材S的后缘通过转向器602之后，使排出辊69后向旋转。这使得片材S其前缘和后缘之间切换，并且使片材S被运送到双面运送路径603。之后，与下一图像形成定时一致地，片材S被再给送辊604再次运送到运送路径64。

<图像形成处理>

在图像形成时，感光鼓1被电机驱动以旋转。充电辊2预先对正被驱动以旋转的感光鼓1的表面充电。曝光设备68基于代表输入到图像形成装置60的图像信息的信号，在由充电辊2充电的感光鼓1的表面上形成静电潜像。感光鼓1使得静电潜像能够以多个尺寸形成在其上。

显影设备3包括用作承载显影剂的显影剂承载构件的能旋转的显影套筒70。显影设备3通过使用承载在显影套筒70的表面上的显影剂使形成在感光鼓1的表面上的静电潜像显影。这使调色剂附着到感光鼓1的表面，从而形成可见图像。转印偏压(静电负荷偏压)被施加到一次转印辊4，使得形成在感光鼓1的表面上的调色剂图像被转印到中间转印带61上。在一次转印之后稍微残留在感光鼓1的表面上的调色剂(转印残留调色剂)通过感光构件清洁器5而被回收并且然后准备用于下一图像形成处理。

由各颜色Y、M、C和Bk的图像形成单元600并行处理的各颜色的图像形成处理，在各调色剂图像被依次叠加在一次转印到中间转印带61上的上游侧的颜色的调色剂图像上的这样的定时进行。结果，在中间转印带61上形成全色调色剂图像，然后调色剂图像被运送到二次转印夹持部。转印偏压被施加到二次转印外辊67，使得形成在中间转印带61上的调色剂图像被转印到运送到二次转印夹持部的片材S上。在片材S通过二次转印夹持部之后稍微残留在中间转印带61上的调色剂(转印残留调色剂)通过中间转印构件清洁器8而被回收。定影设备9对转印到片材S上的调色剂图像进行定影。由定影设备9进行定影处理的片材S被排出到排出托盘601。

在如上所述的一系列图像形成处理结束之后，针对下一图像形成操作进行准备。

<显影设备的构造>

接下来，参照图2的立体图、图3的立体图、图4的截面图以及图5的截面图来描述显影设备3的构造。图4是图2中所示的横截面H中的显影设备3的截面图。图5是以放大的方式例示图4的截面图中的显影套筒70及其周围部分的图。

显影设备3包括容纳显影剂的显影容器，显影剂包含调色剂和载体。显影容器由利用树脂模制的由树脂制成的显影框架构件30和利用树脂模制的由树脂制成的盖框架构件37构成。

显影框架构件30在与显影套筒70面对感光鼓1的显影区域相当的位置处配设有开口。显影套筒70以显影套筒70的一部分在显影框架构件30的开口处暴露的这样的方式被定位为相对于显影框架构件30能旋转。在显影套筒70的纵向方向(显影套筒70的旋转轴线方向)上的两个端部处分别配设有用作轴承构件的轴承73。显影套筒70的纵向方向(显影套筒70的旋转轴线方向)上的两个端部由轴承73以能旋转的方式枢转地支撑。

盖框架构件37以显影套筒70的外周面的一部分在显影套筒70的纵向方向(显影套筒70的旋转轴线方向)上被覆盖的这样的方式，覆盖显影框架构件30的开口的一部分。此外，盖框架构件37能够被构造为与显影框架构件30一体地模制，或者能够被构造为与显影框架构件30分开地模制并且作为单独的构件附装到显影框架构件30。图2、图4和图5例示了盖框架构件37附装到显影框架构件30的状态。另一方面，图3例示了盖框架构件37尚未附装到显影框架构件30的状态。

显影框架构件30的内部被定位为在竖直方向上延伸的分隔壁38分隔成用作第一室的显影室31和用作第二室的搅拌室32。换句话说，分隔壁38起到将显影室31和搅拌室32分开的分隔部的作用。此外，分隔壁38能够被构造为与显影框架构件30一体地模制，或者能够被构造为与显影框架构件30分开地模制并且作为单独的构件附装到显影框架构件30。

显影设备3包括使得显影室31中的显影剂能够从显影室31被传送到搅拌室32的第一连通部分39a和使得搅拌室32中的显影剂能够从搅拌室32被传送到显影室31的第二连通部分39b。这样，显影室31和搅拌室32经由第一连通部分39a和第二连通部分39b在纵向方向上的两端处彼此连通。

用作生成用于使显影剂被承载在显影套筒70的表面上的磁场的磁场生成单元的磁体71固定地定位在显影套筒70内部。磁体71是柱状的磁体辊，具有多个磁极并且以不能旋转的方式被支撑。如图5中所示，磁体71沿显影套筒70的旋转方向(图5中的箭头D的方向)从N2极起按顺序具有N2极、S2极、N3极、N1极和S1极，N2极是在显影区域中与感光鼓1相对地定位的显影极。此外，磁体71能够是通过将多个磁体片一起粘贴到用于将磁体71固定在显影套筒70内部的金属轴而构造的磁体。此外，磁体71能够是与包括用于将磁体71固定在显影套筒70内部的磁体轴部的一个磁体一体地构造的磁体。

显影室31中的显影剂在由磁体71的磁极引起的磁场的影响下被汲取，并且因此被供给到显影套筒70。这样，由于显影剂被从显影室31供给到显影套筒70，因此显影室31也被称为“供给室”。

在显影室31中，第一运送螺杆33与显影套筒70相对地定位，第一运送螺杆33用作对显影室31中的显影剂进行搅拌和运送的运送单元。第一运送螺杆33包括用作能旋转的轴部的旋转轴以及沿旋转轴的外周配设的用作显影剂运送部的螺旋叶片部分，并且以相对于显影框架构件30能旋转的这样的方式被支撑。在第一运送螺杆33的纵向方向上的两个端部处分别配设有轴承构件。

此外，在搅拌室32中，定位有第二运送螺杆34，第二运送螺杆34用作对搅拌室32中的显影剂进行搅拌并且在与第一运送螺杆33的方向相反的方向上运送显影剂的运送单元。第二运送螺杆34包括用作能旋转的轴部的旋转轴以及沿旋转轴的外周配设的用作显影剂运送部的螺旋叶片部分，并且以相对于显影框架构件30能旋转的这样的方式被支撑。在第二运送螺杆34的纵向方向上的两个端部处分别配设有轴承构件。然后，当第一运送螺杆33和第二运送螺杆34被驱动以旋转时，形成显影剂经由第一连通部分39a和第二连通部分39b在显影室31与搅拌室32之间循环的循环路径。

用作显影剂调节构件的调节叶片36固定到显影框架构件30，所述显影剂调节构件对显影套筒70的表面上承载的显影剂的量(在下文中被称为“显影剂涂布量”)进行调节。此外，调节叶片36能够是由诸如不锈钢的金属制成的调节叶片，或者能够是利用树脂模制的由树脂制成的调节叶片。

调节叶片36以面对显影套筒70的这样的方式与显影套筒70不接触地定位。此外，调节叶片36在显影套筒70的纵向方向(显影套筒70的旋转轴线方向)上横跨调节叶片36与显影套筒70之间的预定间隙(在下文中被称为“SB间隙G”)与显影套筒70相对地定位。假设SB间隙G是显影套筒70的最大图像区域与调节叶片36的最大图像区域之间的最短距离。

此外，显影套筒70的最大图像区域是相对于显影套筒70的旋转轴线方向与能够在感光鼓1的表面上形成图像的图像区域当中的最大图像区域对应的显影套筒70的区域。此外，调节叶片36的最大图像区域是相对于显影套筒70的旋转轴线方向与能够在感光鼓1的表面上形成图像的图像区域当中的最大图像区域对应的调节叶片36的区域。

在第一示例性实施例中，由于感光鼓1使得静电潜像能够以多种尺寸形成在其上，因此假设最大图像区域是指能够在感光鼓1的表面上形成图像的多个尺寸的图像区域当中的、与最大尺寸(例如，A3尺寸)对应的图像区域。另一方面，在感光鼓1使得静电潜像仅能够以单个尺寸形成在其上的变型例中，假设最大图像区域被替换为是指能够在感光鼓1的表面上形成图像的单个尺寸的图像区域。

接下来，参照图6的示意图来描述调节叶片36附近的显影剂的行为。

如图5中所示，S1极是磁体71中包括的多个磁极(N2极、S2极、N3极、N1极和S1极)当中的最靠近调节叶片36地定位的磁极，在下文中被称为“调节极S1”。

调节叶片36与调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置大致相对地定位。换句话说，调节叶片36以调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置为中心在显影套筒70的旋转方向上±10度的范围内与显影套筒70的表面相对地定位。

从显影室31供给到显影套筒70的显影剂受由磁体71中包括的多个磁极引起的磁场的影响。此外，由调节叶片36调节和刮除的显影剂往往容易在SB间隙G的上游部分处停滞。结果，在调节叶片36的在显影套筒70的旋转方向上的上游侧形成显影剂累积。然后，作为显影剂累积的一部分的显影剂以与显影套筒70的旋转相关联地通过SB间隙G的这样的方式被运送。此时，由调节叶片36调节通过SB间隙G的显影剂的层厚。这样，在显影套筒70的表面上形成显影剂的薄层。然后，显影套筒70的表面上承载的预定量的显影剂与显影套筒70的旋转相关联地被运送到显影区域。因此，调整SB间隙G的大小导致调整运送到显影区域的显影剂的量。

运送到显影区域的显影剂在显影区域处磁性地立起，从而形成磁刷。形成的磁刷与感光鼓1接触，使得显影剂中包含的调色剂被供给到感光鼓1。然后，形成在感光鼓1的表面上的静电潜像被显影为调色剂图像。在通过显影区域并将调色剂供给到感光鼓1之后残留在显影套筒70的表面上的显影剂(在下文中被称为“显影处理后的显影剂”)被磁体71的相同极性的磁极之间形成的排斥磁场从显影套筒70的表面刮除。从显影套筒70的表面刮除的显影处理后的显影剂掉落到显影室31，从而被回收到显影室31。

<显影剂涂布量>

接下来，参照图7A和图7B来描述SB间隙G的大小与显影剂涂布量之间的关系。

如图7A中所示，SB间隙G的大小与显影剂涂布量之间的关系一般是如下的关系：随着SB间隙G的大小变得更大，显影剂涂布量变得更大。

为了确保形成在感光鼓1的表面上的图像的质量水平，预先确定容许的显影剂涂布量的范围。容许的显影剂涂布量的范围在下文中被称为“显影剂涂布量的变化量(ΔM)”。

如图7B中所示，SB间隙G的大小与显影剂涂布量之间的相关性具有ΔM的变化的宽度。ΔM的变化的起因的示例包括环境变化、随时间改变、部件公差和调整公差。因此，考虑到这样的ΔM的变化的宽度，本示例性实施例以显影剂涂布量满足ΔM的这样的方式，来确定SB间隙G的调整范围(换句话说，SB间隙G的上限值和下限值)。具体而言，本示例性实施例确定显影剂涂布量变为ΔM的中心值所根据的SB间隙G的大小是SB间隙G的调整范围的中心值(SB间隙G的目标值)。

接下来，参照图8A、图8B和图8C来描述SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。

在ΔM的变化大的情况下，如图8A中所示，容许的SB间隙G的大小的范围(SB间隙G的调整范围)变窄。另一方面，在ΔM的变化小的情况下，如图8B中所示，容许的SB间隙G的大小的范围(SB间隙G的调整范围)变宽。此外，如图8C中所示，在ΔM的变化小并且SB间隙G的调整范围被设置得窄的情况下，显影剂涂布量的变化量(ΔM_all)变小。因此，为了确保显影剂涂布量在显影套筒70的纵向方向(显影套筒70的旋转轴线方向)上是均匀的，需要使ΔM的变化更小。

接下来，参照图9A和图9B来描述针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的变化与显影剂涂布量之间的关系。

图9A例示了调节极S1附近的磁力(磁力线)的大小的分布。调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”可以针对各个个体磁体71具有变化。这是因为，在制造具有多个磁极的磁体辊的情况下，通过以例如显影极N2、用于刮除显影剂的磁极(刮除极)N3以及调节极S1的顺序对磁体71进行磁化来调整各个磁极的磁通密度的“局部最大峰值”。因此，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”可以根据与显影极N2的磁通密度的“局部最大峰值”或刮除极N3的磁通密度的“局部最大峰值”的相对关系而变化。

如图9A中所示，针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的变化导致调节极S1附近的磁力的大小的分布变化，使得调节叶片36附近的显影剂的行为或显影剂的密度改变。结果，通过SB间隙G的显影剂的量(显影剂涂布量)变化，使得存在针对各个个体显影设备3发生显影剂涂布量的变化的可能性。

例如，假设SB间隙G的大小被设置在相同值处，而不管磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的个体差异。在这种情况下，如图9B中所示，由于针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的变化，显影剂涂布量将变化其与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的个体差异对应的部分(被称为“ΔM_x”)。

接下来，参照图10A和图10B来描述针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的变化与显影剂涂布量之间的关系。

图10A例示了调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的上限值和下限值。调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”可以针对各个个体磁体71具有变化。这是因为，在制造具有多个磁极的磁体辊的情况下，通过以例如显影极N2、用于刮除显影剂的磁极(刮除极)N3以及调节极S1的顺序对磁体71进行磁化来调整各个磁极的磁通密度的“局部最大峰位置”。因此，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”可以根据与显影极N2的磁通密度的“局部最大峰位置”或刮除极N3的磁通密度的“局部最大峰位置”的相对关系而变化。

针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的变化导致调节极S1附近的磁力的大小的分布变化，使得调节叶片36附近的显影剂的行为或显影剂的密度改变。结果，通过SB间隙G的显影剂的量(显影剂涂布量)变化，使得存在针对各个个体显影设备3发生显影剂涂布量的变化的可能性。

例如，假设SB间隙G的大小被设置在相同值处，而不管磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的个体差异。在这种情况下，如图10B中所示，由于针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的变化，显影剂涂布量将变化其与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的个体差异对应的部分(被称为“ΔM_y”)。

这样，诸如调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”的针对各个个体磁体71的特性的变化导致调节极S1附近的磁力的大小的分布的变化。

例如，在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”大的情况下，作用在相对于显影套筒70的旋转方向与调节叶片36的上游侧接触的显影剂中包含的载体上的磁力的大小具有变大的倾向。因此，在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”大于预定值的情况下，与在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”为预定值的情况下相比，当将SB间隙G的大小设置在相同值处时获得的显影剂涂布量变得更大。

另一方面，在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”小的情况下，作用在相对于显影套筒70的旋转方向与调节叶片36的上游侧接触的显影剂中包含的载体上的磁力的大小具有变小的倾向。因此，在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”小于预定值的情况下，与在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”为预定值的情况下相比，当将SB间隙G的大小设置在相同值处时获得的显影剂涂布量变得更小。

这样，在将SB间隙G的大小设置在相同值处而不考虑调节极S1的磁通密度的局部最大峰值的情况下，由于针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的局部最大峰值的变化，可能针对各个个体显影设备3发生显影剂涂布量的变化。因此，为了防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化，期望的是，考虑针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”，来针对各个个体显影设备3调整SB间隙G的大小。本发明的第一方面旨在通过考虑磁体71中包括的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”而调整SB间隙G的大小，来防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化。

类似地，在将SB间隙G的大小设置在相同值处而不考虑调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置的情况下，由于针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置的变化，可能针对各个个体显影设备3发生显影剂涂布量的变化。因此，为了防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化，期望的是，考虑针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”，来针对各个个体显影设备3调整SB间隙G的大小。本发明的第二方面旨在通过考虑磁体71中包括的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”而调整SB间隙G的大小，来防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化。

如下描述本发明的第一方面和第二方面中的各个的详情。

首先，参照图11A、图11B和图11C、图12A、图12B和图12C以及图13A、图13B和图13C来描述SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。

图11A例示了在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”是中心值并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”是中心值的情况下的SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。在图11A中所示的示例中，作为磁体71的特性，SB间隙G的大小与显影剂涂布量之间的关系(换句话说，ΔM的变化对显影剂涂布量的灵敏度)由“特性线L1”来代表。

在磁体71的特性是“特性线L1”的情况下，不需要考虑显影剂涂布量的与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的个体差异对应的部分以及显影剂涂布量的与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的个体差异对应的部分(参见图12A)。此外，在图11A中，显影剂涂布量的与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的个体差异对应的部分的变化由“ΔM_x”表示，并且显影剂涂布量的与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的个体差异对应的部分的变化由“ΔM_y”表示。

此外，在磁体71的特性是“特性线L1”的情况下，SB间隙G的调整范围能够扩展至“特性线L1”与ΔM的上限值和下限值的各线交叉的范围(参见图13A)。

图11B例示了在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”是下限值并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”是下限值的情况下的SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。在图11B中所示的示例中，作为磁体71的特性，SB间隙G的大小与显影剂涂布量之间的关系(换句话说，ΔM的变化对显影剂涂布量的灵敏度)由“特性线L2”来代表。

在磁体71的特性是“特性线L2”的情况下，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”移位到下限值侧，并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”移位到下限值侧(参见图12B)。此外，在磁体71的特性是“特性线L2”的情况下，SB间隙G的调整范围能够扩展至“特性线L2”与ΔM的上限值和下限值的各线交叉的范围(参见图13B)。在这种情况下，通过使用图13B的曲线图，能够确定与“特性线L2”上的显影剂涂布量的目标值对应的SB间隙G的大小作为SB间隙G的目标值。

图11C例示了在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”是上限值并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”是上限值的情况下的SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。在图11C中所示的示例中，作为磁体71的特性，SB间隙G的大小与显影剂涂布量之间的关系(换句话说，ΔM的变化对显影剂涂布量的灵敏度)由“特性线L3”来代表。

在磁体71的特性是“特性线L3”的情况下，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”移位到上限值侧，并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”移位到上限值侧(参见图12C)。此外，在磁体71的特性是“特性线L3”的情况下，SB间隙G的调整范围能够扩展至“特性线L3”与ΔM的上限值和下限值的各线交叉的范围(参见图13C)。在这种情况下，通过使用图13C的曲线图，能够确定与“特性线L3”上的显影剂涂布量的目标值对应的SB间隙G的大小作为SB间隙G的目标值。

此外，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”是中心值、下限值或上限值意味着其分别是能够针对各个个体磁体71取得的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的范围中的中值、最小值或最大值。此外，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”是中心值、下限值或上限值意味着其分别是能够针对各个个体磁体71取得的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的范围中的中值、最小值或最大值。

在磁体71的特性是“特性线L2”或“特性线L3”的情况下，ΔM的中心值偏离在磁体71的特性是“特性线L1”的情况下的中心值(参见图11A至图11C)。因此，在将SB间隙G的大小设置在相同值处而不考虑各个个体磁体71的特性的情况下，将针对各个个体显影设备3发生显影剂涂布量的变化。因此，为了防止或减小针对各个个体显影设备3发生显影剂涂布量的变化，需要考虑磁体71的特性来针对各个个体显影设备3使SB间隙G的大小的范围偏移。

因此，在磁体71的特性偏离在“特性线L1”的情况下获得的ΔM的中心值的情况下，本示例性实施例以“特性线L1”上的显影剂涂布量用作作为目标的显影剂涂布量的这样的方式来确定SB间隙G的调整范围。如图12B中所示，在磁体71的特性是“特性线L2”的情况下，本示例性实施例以SB间隙G的调整范围的中心值(SB间隙G的目标值)变大的这样的方式来使SB间隙G的调整范围偏移。另一方面，如图12C中所示，在磁体71的特性是“特性线L3”的情况下，本示例性实施例以SB间隙G的调整范围的中心值(SB间隙G的目标值)变小的这样的方式来使SB间隙G的调整范围偏移。

根据上述的图11A至图11C、图12A至图12C以及图13A至图13C，能够针对各个个体磁体71考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”来确定SB间隙G的调整范围。此外，用于确定SB间隙G的调整范围的方法除了使用特性线L1、特性线L2和特性线L3(诸如图11A至图11C、图12A至图12C以及图13A至图13C中所示的特性线)进行确定以外，还能够包括通过参照能够转换成SB间隙G的调整范围的表来进行确定。

<调节叶片的固定方法>

如上所述，显影剂涂布量的变化(ΔM)的起因在于：针对各个个体磁体71在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”中发生的变化引起调节极S1附近的磁力的大小的分布的变化。

因此，该方法针对各个个体磁体71计算调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的实际测量值，并且通过使用二维条码在显影套筒70上记录关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息。然后，当将调节叶片36固定到显影框架构件30时，装置读取配设在显影套筒70上的二维条码以获取(输入)记录在显影套筒70上的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息。接下来，装置基于记录在显影套筒70上的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息，来确定SB间隙G的调整范围。然后，装置以SB间隙G的大小在显影套筒70的纵向方向上落在所确定的SB间隙G的调整范围内(换句话说，在SB间隙G的上限值与下限值之间)的这样的方式，来将调节叶片36固定到显影框架构件30。如下描述其详情。

首先，参照图14来描述显影套筒70的配设有二维条码的部分。图14是以放大的方式例示显影套筒70的纵向方向上的端部的图。

在第一示例性实施例中，使用二维条码作为用于在显影套筒70上记录关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息的方法。显影套筒70的配设有二维条码的部分仅需要是在由显影框架构件30支撑显影套筒70的状态下装置能够读取二维条码的部分。例如，显影套筒70的配设有二维条码的部分(70d)是用于将磁体71固定到显影套筒70的内部的磁体的轴部(磁体轴)的纵向方向上的端部。此外，磁体轴是构成显影套筒70的部件中的一个。此外，例如，显影套筒70的配设有二维条码的部分(70d)能够是定位在显影套筒70的纵向方向上的端部处并且能与显影套筒70一体地旋转的凸缘部分。

此外，也能够采用如下的变型例：针对各个个体磁体71计算调节极S1的磁通密度的局部最大峰值或局部最大峰位置的实际测量值，并且通过使用二维条码在磁体71上记录关于调节极S1的磁通密度的局部最大峰值或局部最大峰位置的信息。在该变型例中，例如，磁体71被固定地定位在显影套筒70内部，并且在凸缘部分附装到显影套筒70的纵向方向上的一个端部的状态下，装置读取磁体71的二维条码。然后，在装置读取磁体71的二维条码之后，凸缘部分附装到显影套筒70的纵向方向上的另一个端部，并且之后，能够由显影框架构件30支撑显影套筒70。磁体71的配设有二维条码的部分仅需要是在磁体71固定地定位在显影套筒70内部并且凸缘部分附装到显影套筒70的纵向方向上的一个端部的状态下装置能够读取二维条码的部分。

在第一示例性实施例中，通过使用二维条码在显影套筒70上记录调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的实际测量值或调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的实际测量值。此外，能够通过测量来自用于确定磁体71的相位的相位确定部的角度来计算调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”。相位确定部配设在用于将磁体71固定到显影套筒70的内部的磁体的轴部的纵向方向上的端部处。

装置读取配设在显影套筒70上的二维条码，以获取关于固定地定位在显影套筒70内部的磁体71中包括的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息。然后，装置将从显影套筒70获取的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息与由显影框架构件30支撑显影套筒70的单元相关联。

此外，期望的是，在由显影框架构件30支撑显影套筒70的单元的状态下进行由装置对配设在显影套筒70上的二维条码的读取。这是为了防止由显影框架构件30支撑显影套筒70的单元与关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息之间的关联错误。

这里，考虑在显影套筒70的最大图像区域的纵向方向上的两个端部和中央部中的各个处调整SB间隙G的大小的情况。在这种情况下，能够通过使用二维条码将关于磁体71的纵向方向上的两个端部和中央部中的各个处的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息记录在显影套筒70上。换句话说，与在调整SB间隙G时使用的条件一致地，能够通过使用二维条码将关于磁体71的纵向方向上的多个部分中的各个处的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息记录在显影套筒70上。

接下来，参照图15来描述将显影套筒70附装到显影框架构件30的处理。如图15中所示，在将调节叶片36固定到显影框架构件30之前，预先将配设有二维条码的显影套筒70附装到显影框架构件30。这使得能够在由显影框架构件30支撑显影套筒70的状态下计算SB间隙G的大小。

接下来，参照图16来描述从显影套筒70获取固定地定位在显影套筒70内部的磁体71的特性的处理。

如图16中所示，在将显影套筒70附装到显影框架构件30的状态下，装置100读取配设在显影套筒70上的二维条码以获取关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息。

接下来，装置100基于从显影套筒70获取的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息，确定以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小。具体而言，装置100基于从显影套筒70获取的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息，指定磁体71的特性(上面参照图11A至图11C所述的特性线L1、特性线L2或特性线L3)。然后，装置100基于磁体71的特性(特性线L1、特性线L2或特性线L3)，确定与特性线上的显影剂涂布量的目标值对应的SB间隙G的大小，作为SB间隙G的大小的目标值。然后，装置100通过调整用作SB间隙G的调整范围的上限值和下限值，来防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化(ΔM)。

接下来，参照图17A和图17B来描述将调节叶片36固定到显影框架构件30的固定处理。

如图17A和图17B中所示，装置以SB间隙G的大小落在所确定的SB间隙G的调整范围内的这样的方式，来调整要将调节叶片36固定到显影框架构件30的位置。例如，在经由例如传感器(照相机或激光设备)观察显影套筒70的最大图像区域的纵向方向上的端部和调节叶片36的纵向方向上的端部的同时，装置以SB间隙G的大小落在SB间隙G的调整范围内的这样的方式来移动调节叶片36。此外，代替经由例如传感器测量SB间隙G的大小的示例，能够采用通过使例如间隙器撞击SB间隙G来测量SB间隙G的大小的方法。然后，当SB间隙G的大小落在了预定范围内时，装置将调节叶片36固定到显影框架构件30。

更具体而言，假设在调节叶片36已着落在显影框架构件30上的初始位置处计算的SB间隙G为350μm。另一方面，假设SB间隙G的调整范围为300μm±30μm，并且作为SB间隙G的公差(换句话说，SB间隙G的目标值的公差)，上至60μm是容许的。在这种情况下，在调节叶片36已着落在显影框架构件30上的初始位置中，SB间隙G的调整范围比作为SB间隙G的标称值的300μm大50μm。因此，在用手指抓握调节叶片36的同时，装置使调节叶片36在使调节叶片36更靠近显影套筒70的表面地移动的方向上平移50μm。

然后，照相机读取最靠近由手指平移的调节叶片36的位置和由手指平移的调节叶片36的前端部分。接下来，装置针对由手指平移的调节叶片36再次计算SB间隙G。

当确定计算出的SB间隙G的大小落在SB间隙G的调整值的范围(300μm±30μm)内时，装置结束SB间隙G的调整。另一方面，当确定计算出的SB间隙G的大小没有落在SB间隙G的调整范围(300μm±30μm)内时，装置重复上述的SB间隙G的调整，直到计算出的SB间隙G的大小落在SB间隙G的调整范围(300μm±30μm)内为止。这样，在将SB间隙G的大小设置在预定范围(SB间隙G的调整值的范围)中的状态下，装置将调节叶片36固定到显影框架构件30。

此外，在第一示例性实施例中，已经描述了当调整SB间隙G的大小时，调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”二者均被考虑的示例。另一方面，通过将相位固定构件附装到配设在显影套筒70的纵向方向上的端部(磁体的轴部的纵向方向上的端部)处的相位固定部分，来确定磁体71的相位。因此，由于调节极S1与磁体71的相位固定部分的角度偏离分量、相位固定构件的部件公差以及用于将调节叶片36固定到显影框架构件30的固定部分的公差，发生磁体71与调节叶片36的相位偏离(角度偏离)。

因此，调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置能够被视为特定位置，并且，作为针对各个个体磁体71的特性的变化，能够仅考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”而不考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”。在这种情况下，能够减少要作为固定到显影套筒70的内部的磁体71的特性而记录在显影套筒70上的信息的量。只要能够减少要记录在显影套筒70上的信息的量即可，将磁体71的特性记录在显影套筒70上的方法不限于二维条码。例如，能够通过例如雕刻、印刷或打字例如数字、字符或符号，来将关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的信息直接记录在显影套筒70上。此外，在通过例如雕刻、印刷或打字例如数字、字符或符号来将关于调节极S1的磁通密度的局部最大峰值的信息直接记录在例如显影套筒70或磁体71上的变型例中，考虑用户能够在视觉上识别调节极S1的磁通密度的局部最大峰值的情况。在这种情况下，用户仅需要将视觉识别的调节极S1的磁通密度的局部最大峰值直接输入到装置的操作单元，并且因此，不需要在装置中配设用于读取二维条码的读取单元，使得装置能够在构造上简化。

同样，调节极S1的磁通密度的局部最大峰值能够被视为特定值，并且，作为针对各个个体磁体71的特性的变化，能够仅考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”而不考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”。在这种情况下，能够减少要作为固定到显影套筒70的内部的磁体71的特性而记录在显影套筒70上的信息的量。只要能够减少要记录在显影套筒70上的信息的量即可，将磁体71的特性记录在显影套筒70上的方法不限于二维条码。例如，能够通过例如雕刻、印刷或打字例如数字、字符或符号，来将关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的信息直接记录在显影套筒70上。此外，在通过例如雕刻、印刷或打字例如数字、字符或符号来将关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的信息直接记录在例如显影套筒70或磁体71上的变型例中，考虑用户能够在视觉上识别调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置的情况。在这种情况下，用户仅需要将视觉识别的调节极S1的磁通密度的局部最大峰位置直接输入到装置的操作单元，并且因此，不需要在装置中配设用于读取二维条码的读取单元，使得装置能够在构造上简化。

然而，当调整目标的SB间隙G的大小时，在考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”二者的情况下，与在仅考虑其中一个的情况下相比，防止或减小ΔM的变化的效果更大。因此，如果起到防止或减小显影剂涂布量的变化(ΔM)的效果优先于减少要记录在显影套筒70上的信息的量，则能够考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”二者。

在上述的本发明的第一方面中，将关于固定地定位在显影套筒70内部的磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的信息记录在显影套筒70上。然后，当将调节叶片36固定到显影框架构件30时，通过读取配设在显影套筒70上的二维条码来获取记录在显影套筒70上的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的信息。接下来，以SB间隙G的大小在显影套筒70的纵向方向上落在与记录在显影套筒70上的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”对应的预定范围内的这样的方式，来将调节叶片36固定到显影框架构件30。根据如上所述的本发明的第一方面，考虑磁体71中包括的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”而调整SB间隙G的大小使得能够防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化。

此外，在上述的本发明的第二方面中，将关于固定地定位在显影套筒70内部的磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的信息记录在显影套筒70上。然后，当将调节叶片36固定到显影框架构件30时，通过读取配设在显影套筒70上的二维条码来获取记录在显影套筒70上的关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的信息。接下来，以SB间隙G的大小在显影套筒70的纵向方向上落在与记录在显影套筒70上的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”对应的预定范围内的这样的方式，来将调节叶片36固定到显影框架构件30。根据如上所述的本发明的第二方面，考虑磁体71中包括的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”而调整SB间隙G的大小使得能够防止或减小针对各个个体显影设备3的显影剂涂布量的变化。

在上述的本发明的第一方面中，已经描述了要记录在显影套筒70上的信息是关于固定地定位在显影套筒70内部的磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的信息的示例。此外，在上述的本发明的第二方面中，已经描述了要记录在显影套筒70上的信息是关于固定地定位在显影套筒70内部的磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的信息的示例。另一方面，在第二示例性实施例中，如下描述要记录在显影套筒70上的信息是关于以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的信息的示例。

在第二示例性实施例中，计算针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”的实际测量值。接下来，基于计算出的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”，预先确定以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小。然后，将与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”对应的SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)记录在显影套筒70上。

同样，计算针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”的实际测量值。接下来，基于计算出的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”，预先确定以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小。然后，将与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”对应的SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)记录在显影套筒70上。

然而，当调整目标的SB间隙G的大小时，在考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”二者的情况下，与在仅考虑其中一个的情况下相比，防止或减小ΔM的变化的效果更大。因此，更期望的示例如下。具体而言，计算针对各个个体磁体71的调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”的各实际测量值。接下来，基于调节极S1的磁通密度的计算出的“局部最大峰值”和计算出的“局部最大峰位置”，预先确定以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小。然后，将与调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”对应的SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)记录在显影套筒70上。

这里，考虑在显影套筒70的最大图像区域的纵向方向上的两个端部和中央部中的各个处调整SB间隙G的大小的情况。在这种情况下，能够将关于显影套筒70的最大图像区域的纵向方向上的两个端部和中央部中的各个处的SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)的信息记录在显影套筒70上。换句话说，与在调整SB间隙G时使用的条件一致地，能够将关于显影套筒70的最大图像区域的纵向方向上的多个部分中的各个处的SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)的信息记录在显影套筒70上。

在第二示例性实施例中，将记录有SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)的显影套筒70附装到显影框架构件30。然后，装置100获取记录在由显影框架构件30支撑的显影套筒70上的SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)。然后，装置100以SB间隙G的大小落在所获取的SB间隙G的调整范围内的这样的方式调整要将调节叶片36固定到显影框架构件30的位置，并且将调节叶片36固定到显影框架构件30。

在上述的第二示例性实施例中，代替将关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息记录在显影套筒70上，仅需要将SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)记录在显影套筒70上。因此，在第二示例性实施例中，与第一示例性实施例相比，能够减少要记录在显影套筒70上的信息的量。只要能够减少要记录在显影套筒70上的信息的量即可，将数据记录在显影套筒70上的方法不限于二维条码，并且能够通过例如雕刻、印刷或打字来将SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)直接记录在显影套筒70上。

在第二示例性实施例中，已经描述了要记录在显影套筒70上的信息是SB间隙G的调整范围(SB间隙G的目标值)的示例。另一方面，在第三示例性实施例中，如下描述要记录在显影套筒70上的信息是关于以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的等级的信息的示例。

表1以两个级别的等级示出了以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的等级。基于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”来确定这两个级别的等级。

表2以四个级别的等级示出了以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的等级。基于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”来确定这四个级别的等级。

表1

等级A	等级B
		SB A	SB B

表2

关于针对各个个体磁体71的特性的变化，在考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”中的任一者来调整SB间隙G的大小的情况下，能够使用表1。另一方面，关于针对各个个体磁体71的特性的变化，在考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”二者来调整SB间隙G的大小的情况下，能够使用表2。

这里，参照图18A和图18B来描述SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。图18A和图18B例示了使用表1中所示的两个级别的等级作为以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的等级。

如图18A和图18B中所示，假设SB间隙G的调整范围的下限值是“等级A”，并且假设SB间隙G的调整范围的上限值是“等级B”。

图18A例示了在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”是“等级A”并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”是“等级A”的情况下的SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。

图18B例示了在调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”是“等级B”并且调节极S1的磁通密度的“局部最大峰位置”是“等级B”的情况下的SB间隙G的调整范围与显影剂涂布量之间的关系。

在第三示例性实施例中，针对各个个体磁体71计算调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”和“局部最大峰位置”的实际测量值。接下来，基于调节极S1的磁通密度的计算出的“局部最大峰值”和计算出的“局部最大峰位置”，预先确定以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的等级。然后，将所确定的SB间隙G的大小的等级记录在显影套筒70上。

此外，在第三示例性实施例中，将记录有SB间隙G的大小的等级的显影套筒70附装到显影框架构件30。然后，装置100获取记录在由显影框架构件30支撑的显影套筒70上的SB间隙G的大小的等级。然后，装置100以SB间隙G的大小落在与所获取的SB间隙G的大小的等级对应的SB间隙G的调整范围内的这样的方式调整要将调节叶片36固定到显影框架构件30的位置，并且将调节叶片36固定到显影框架构件30。

在上述的第三示例性实施例中，代替将关于调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的信息记录在显影套筒70上，仅需要将SB间隙G的大小的等级记录在显影套筒70上。因此，在第三示例性实施例中，与第一示例性实施例相比，能够减少要记录在显影套筒70上的信息的量。只要能够减少要记录在显影套筒70上的信息的量即可，将数据记录在显影套筒70上的方法不限于二维条码。具体而言，能够通过例如雕刻、印刷或打字来将代表SB间隙G的大小的等级的例如数字、字符或符号直接记录在显影套筒70上。

然而，在第三示例性实施例中，与考虑调节极S1的磁通密度的“局部最大峰值”或“局部最大峰位置”的实际测量值来确定SB间隙G的大小的范围的第一示例性实施例相比，可能针对各个等级残余ΔM的变化。因此，在第三示例性实施例中，反馈磁体71的特性的变化作为SB间隙G的大小的范围的效果的程度变得比在第一示例性实施例中小。因此，如果起到防止或减小显影剂涂布量的变化(ΔM)的效果优先于减少要记录在显影套筒70上的信息的量，则能够更精细地设置用于对SB间隙G的大小进行排序的级别。

在第四示例性实施例中，描述用于以更高的精确度进行SB间隙G的调整的更有利的示例。

在显影设备3的驱动期间显影剂涂布量的变化的起因包括显影套筒70的外径的偏差。因此，在第四示例性实施例中，通过除了考虑针对各个个体磁体71的特性的变化以外，还考虑显影套筒70的表面的平直度(换句话说，显影套筒70的外径的偏差)，来以更高的精确度进行SB间隙G的调整。

由于构成显影套筒70的外壳的套管由金属制成，因此在套管上进行二次切割加工使得显影套筒70的表面的平直度能够具有例如±15μm或更小的高精度。然而，在实际使用中的显影套筒70的旋转状态的情况下，显影套筒70的±15μm的平直度被掌握为如同显影套筒70的外径明显变化±15μm。因此，在显影套筒70的旋转状态下，为了使由显影套筒70的表面的平直度引起的对SB间隙G的影响最小化，有效的是在使显影套筒70旋转的同时测量SB间隙G。

这里，参照图19A、图19B和图19C来描述显影套筒70的外径的偏差。

图19A和图19B是各自用于说明显影套筒70的外径的偏差的图。图19C是例示显影套筒70的外径的偏差与SB间隙G的大小之间的关系的图。

考虑诸如图19A中所示的使具有显影套筒70的外径的偏差的显影套筒70旋转。如图19B中所示，以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小将以显影套筒70的一个旋转的周期随着与显影套筒70的外径的偏差对应的部分而变化。因此，为了减小显影套筒70的外径的偏差的影响，需要以SB间隙G的大小落在预定范围内的这样的方式来对显影套筒70的外径的中心值进行调整。因此，能够考虑诸如图19C中所示的显影套筒70的外径的偏差与SB间隙G的大小之间的关系。

接下来，参照图20来描述配设显影套筒70的相位识别部的部分。配设相位识别部以识别固定地定位在显影套筒70内部的磁体71的相位(显影套筒70的相位)。

如图20中所示，将相位识别部配设在与显影套筒70的纵向方向上的端部(磁体的轴部的纵向方向上的端部)相当的部分(70F)处。基于关于偏差的中心值的数据来计算显影套筒70的相位的偏离量，偏差的中心值是相位识别部与调节叶片36之间的最靠近位置的偏差值。然后，能够通过使SB间隙G的调整范围偏移与计算出的显影套筒70的相位的偏离量对应的值，来调整以调节SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的范围。这使得能够在使用显影套筒70的外径的偏差的中心值的同时调整SB间隙G的大小。结果，能够将显影套筒70的外径的偏差的影响减小至一半。

此外，当调整SB间隙G的大小时，在经由例如传感器(照相机或激光设备)仅识别显影套筒70的相位的情况下，依据显影套筒70至显影框架构件30的附装状态，显影套筒70的相位可能发生变化。因此，变得需要所有的关于显影套筒70的外径的偏差的相位数据。

因此，考虑通过使用二维条码来将所有的关于显影套筒70的外径的偏差的相位数据记录在显影套筒70上的情况。在这种情况下，装置100读取二维条码以从显影套筒70获取所有的关于显影套筒70的外径的偏差的相位数据，并且计算从中心值的偏移量。然后，装置100能够将偏移量反馈到以调整SB间隙G的大小为目标的SB间隙G的大小的中心值。另一方面，当调整SB间隙G的大小时，在将显影套筒70的相位固定到预定位置的情况下，当调整SB间隙G的大小时显影套筒70最靠近调节叶片36的位置被固定到预定位置。因此，当测量显影套筒70的外径的偏差时，能够计算要调整的SB间隙G的偏移量作为SB间隙G的大小。

本发明不限于上述的示例性实施例，而是能够基于本发明的主旨以各种方式(包括各实施例的有机组合)进行修改，使得这些修改不应被排除在本发明的范围之外。

虽然在上述的示例性实施例中，已经描述了调节极S1和用于生成以显影剂被承载在显影套筒70的表面上的这样的方式来汲取显影室31中的显影剂的磁场的磁极(汲取极N1)被构造为不同的磁极的示例，但是示例性实施例不限于该示例。能够采用单个磁极兼有调节极S1的作用和汲取极N1的作用二者的构造。在这样的构造中，单个磁极在汲取显影室31中的显影剂的同时，以调节通过SB间隙G的显影剂的量的这样的方式生成磁力。

此外，虽然在上述的示例性实施例中，如图1中所示，已经描述了具有中间转印带61被用作中间转印构件的构造的图像形成装置60作为示例，但是示例性实施例不限于此。本发明还能够应用到具有如下的构造的图像形成装置：通过使记录材料依次与感光鼓1直接接触来进行转印。

此外，虽然在上述的示例性实施例中，显影设备3已被描述为单个单元，但是通过包括显影设备3的图像形成单元600(参见图1)一体地整体化的并且能附装到图像形成装置60以及能从图像形成装置60拆卸的处理盒的形式也能够获得类似的有利的效果。另外，本发明还能够应用到包括这样的显影设备3或处理盒的图像形成装置60而不论单色机或彩色机。

虽然参照示例性实施例对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明并不限于所公开的示例性实施例。应当对所附权利要求的范围给予最宽的解释，以使其涵盖所有这些变型例以及等同的结构和功能。

Claims (20)

1.一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：

确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的目标值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及

固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的目标值处。

2.根据权利要求1所述的调节叶片的固定方法，其中，所述确定步骤：

确定间隙的目标值，使得当输入的所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值是大于第一峰值的第二峰值时确定的间隙的目标值变得小于当输入的所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值是所述第一峰值时确定的间隙的目标值；并且

确定间隙的目标值，使得当输入的所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值是小于所述第一峰值的第三峰值时确定的间隙的目标值变得大于当输入的所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值是所述第一峰值时确定的间隙的目标值。

3.根据权利要求1或2所述的调节叶片的固定方法，所述固定方法还包括如下步骤：

读取步骤，读取关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，

其中，所述确定步骤基于通过在所述读取步骤中被读取而输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，来确定间隙的目标值。

4.根据权利要求1所述的调节叶片的固定方法，其中，所述确定步骤基于输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息和输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，来确定间隙的目标值。

5.一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：

确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的上限值和下限值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及

固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的上限值和下限值之间处。

6.根据权利要求5所述的调节叶片的固定方法，所述固定方法还包括如下步骤：

读取步骤，读取关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，

其中，所述确定步骤基于通过在所述读取步骤中被读取而输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，来确定间隙的上限值和下限值。

7.根据权利要求5所述的调节叶片的固定方法，其中，所述确定步骤基于输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息和输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，来确定间隙的上限值和下限值。

8.一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：

确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的目标值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及

固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的目标值处。

9.根据权利要求8所述的调节叶片的固定方法，所述固定方法还包括如下步骤：

读取步骤，读取关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，

其中，所述确定步骤基于通过在所述读取步骤中被读取而输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，来确定间隙的目标值。

10.一种调节叶片的固定方法，用于将调节叶片固定到显影框架构件，所述调节叶片与显影剂承载构件相对地定位并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的显影剂的量，所述显影剂承载构件由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述固定方法包括如下步骤：

确定步骤，基于输入的关于多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，确定由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙的上限值和下限值，所述多个磁极包括在固定地定位在所述显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场的磁体中；以及

固定步骤，将所述调节叶片固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在所述确定步骤中确定的间隙的上限值和下限值之间处。

11.根据权利要求10所述的调节叶片的固定方法，所述固定方法还包括如下步骤：

读取步骤，读取关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，

其中，所述确定步骤基于通过在所述读取步骤中被读取而输入的关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，来确定间隙的上限值和下限值。

12.一种显影设备，所述显影设备包括：

显影框架构件；

显影剂承载构件，其由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影；

磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；

调节叶片，其固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量；以及

二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，

其中，所述调节叶片被固定到所述显影框架构件，使得由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在与所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值对应的间隙的目标值处。

13.根据权利要求12所述的显影设备，

其中，在所述二维条码中还记录有关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，并且

其中，所述调节叶片被固定到所述显影框架构件，使得所述间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在与所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰值和所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置对应的间隙的目标值处。

14.一种显影设备，所述显影设备包括：

显影框架构件；

显影剂承载构件，其由所述显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影；

磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；

调节叶片，其固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量；以及

二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将所述调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，

其中，所述调节叶片被固定到所述显影框架构件，使得由所述显影框架构件支撑的所述显影剂承载构件与固定到所述显影框架构件的所述调节叶片之间的间隙在所述显影剂承载构件的纵向方向上被设置在与所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置对应的间隙的目标值处。

15.一种显影剂承载构件，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述显影剂承载构件包括：

磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；以及

二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

16.根据权利要求15所述的显影剂承载构件，其中，在所述二维条码中还记录有关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息。

17.一种显影剂承载构件，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述显影剂承载构件包括：

磁体，其固定地定位在所述显影剂承载构件内部，具有多个磁极，并且被构造为生成用于使所述显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场；以及

二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

18.一种磁体，所述磁体固定地定位在显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述磁体包括：

多个磁极；以及

二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰值的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。

19.根据权利要求18所述的磁体，其中，在所述二维条码中还记录有关于所述预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息。

20.一种磁体，所述磁体固定地定位在显影剂承载构件内部并且被构造为生成用于使显影剂被所述显影剂承载构件承载的磁场，所述显影剂承载构件由显影框架构件支撑并且被构造为承载所述显影剂以使形成在图像承载构件上的静电潜像显影，所述磁体包括：

多个磁极；以及

二维条码，在所述二维条码中记录有关于所述多个磁极当中的、当将调节叶片固定到所述显影框架构件时最靠近所述调节叶片定位的预定磁极的磁通密度的局部最大峰位置的信息，所述调节叶片固定到所述显影框架构件，与所述显影剂承载构件相对地定位，并且被构造为调节由所述显影剂承载构件承载的所述显影剂的量。