CN110061043A - 一种显示装置及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种显示装置及其制备方法，该显示装置包括：基板；驱动电路层，该驱动电路层包括位于非显示区域的引脚；发光器件层；薄膜封装层，该薄膜封装层包括第一无机封装层；触摸感测单元，包括触摸绝缘层；保护层；其中，第一无机封装层和保护层在基板上的投影边缘重合，或者和触摸绝缘层在基板上的投影轮廓相同，且第一无机封装层和保护层/触摸绝缘层在基板上的投影不覆盖所述引脚。由于在图案化过程中，第一无机封装层和保护层/触摸绝缘层采用同一块掩膜版，节省了掩膜版和刻蚀工序，大大提高了生产效率并节约了成本。

Description

一种显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
显示技术自出现至今，技术发展非常迅速，先后出现了阴极射线管技术(CRT)、等离子体显示技术(PDP)、液晶显示技术(LCD)、以及最新的有机发光显示技术(OLED)、微型二极管显示技术(micro LED)。
随着社会的发展和人类对物质生活需求的不断提高，当今显示技术正在朝着窄边框化、高对比度、高分辨力、全彩色显示、低功耗、可靠性高、高集成度、长寿命以及薄而轻的方向快速迈进，而柔性显示屏(软屏)技术的研究也在不断的进步和深入。与传统的平板显示器不同，显示面板若采用柔性材料作为基板可现实柔性显示，从而能够打造梦幻般的视觉效果。柔性显示面板凭借其可弯曲性能可实现多领域应用，例如可卷曲显示装置、柔性可穿戴设备、可折叠显示器等。
现有技术提供的一种柔性显示屏中，在薄膜封装层上集成触控功能，然而由于集成度高，显示装置上的功能膜层越来越多，造成厚度越来越大，工序也越来越复杂。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示装置及其制作方法。
本发明提供了一种显示装置，包括显示区域和非显示区域，所述显示装置包括：基板；驱动电路层，设置在所述基板上，所述驱动电路层包括第一金属层，所述第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；发光器件层，设置在所述驱动电路层上，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；薄膜封装层，设置在所述发光器件层上，所述薄膜封装层包括第一无机封装层；触摸感测单元，设置在所述薄膜封装层上，所述触摸感测单元包括：触摸绝缘层和第二触摸金属层；保护层，设置在所述触摸感测单元上；其中，所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚；或者，所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影轮廓相同，且所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
本发明还提供了一种显示装置的制作方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，其特征在于，所述制作方法包括：提供基板；在所述基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一金属层，所述第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；在所述驱动电路层上形成发光器件层，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层，所述薄膜封装层预备包括第一无机预备层；在所述薄膜封装预备层上形成触摸感测单元，所述触摸感测单元包括第一触摸金属层、触摸绝缘层和第二触摸金属层；在所述触摸感测单元上形成保护预备层；图案化所述保护预备层，得到前驱保护层；以所述前驱保护层为掩膜，图案化所述第一无机预备层，得到第一无机封装层，并得到保护层；其中，所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
本发明还提供了一种显示装置的制作方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，其特征在于，所述制作方法包括：提供基板；在所述基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一金属层，所述第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；在所述驱动电路层上形成发光器件层，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层，所述薄膜封装层预备包括第一无机预备层；在所述薄膜封装预备层上形成触摸绝缘预备层；图案化所述触摸绝缘预备层，得到触摸绝缘层；图案化所述第一无机预备层，得到第一无机封装层；在所述触摸绝缘层上形成第二触摸金属层；在所述第二触摸金属层上形成保护层；其中，所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影轮廓相同，且所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
与现有技术相比，由于在图案化过程中，第一无机封装层以前驱保护层或触摸绝缘层为掩膜版制备，所以第一无机封装层保护层在基板上的投影边缘重合，或与触摸绝缘层的轮廓相同，且第一无机封装层和保护层或触摸绝缘层在基板上的投影不覆盖引脚。这两层膜层采用同一块掩膜版，相比现有技术中不同的绝缘层需要不同的掩膜版，节省了掩膜版和刻蚀工序，大大提高了生产效率并节约了成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图；
图2为图1中显示装置的沿MM’的剖视结构示意图；
图3为本发明实施例中触摸感测单元的俯视结构示意图；
图4为图3中的部分结构放大示意图；
图5为本发明实施例中又一种触摸感测单元的俯视结构示意图；
图6为图5中沿NN’截面的一种剖视结构示意图；
图7为图5中沿OO’截面的一种剖视结构示意图；
图8为图5中沿NN’截面的另一种剖视结构示意图；
图9为图5中沿OO’截面的另一种剖视结构示意图；
图10为图1中显示装置的沿MM’的另一种剖视结构示意图；
图11为图1中显示装置的沿MM’的另一种剖视结构示意图；
图12为图11中触摸感测单元的一种俯视结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示装置的制作方法流程示意图；
图14为图13中步骤S101和S102的剖视结构示意图；
图15为图13中步骤S103的剖视结构示意图；
图16为图13中步骤S104的剖视结构示意图；
图17为图13中步骤S105的剖视结构示意图；
图18为图13中步骤S106的剖视结构示意图；
图19为图13中步骤S107的剖视结构示意图；
图20为本发明实施例提供的又一种显示装置的制作方法流程示意图；
图21为图20中步骤S2051的剖视结构示意图；
图22为图20中步骤S2052的剖视结构示意图；
图23为图20中步骤S2053的剖视结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图，图2为图1中显示装置的沿MM’的剖视结构示意图。参照图1和图2，显示装置包括显示区域AA和非显示区域NA，显示区域AA位于整个显示装置的中心，非显示区域NA围绕显示区域。显示装置10包括基板100，驱动电路层200，发光器件层300，薄膜封装层400，触摸感测单元500和保护层600。驱动电路层200设置在基板100上，驱动电路层200包括第一金属层，该第一金属层包括位于非显示区域NA的引脚214。发光器件层300可以设置在驱动电路层200上，该发光器件层包括多个有机发光二极管，进一步地，有机发光二极管包括第一电极302、发光层306和第二电极308，以及还包括像素定义层304，像素定义层304包括暴露第一电极302的开口。薄膜封装层400设置在发光器件层300上，包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。触摸感测单元500设置在薄膜封装层400上，包括第一触摸金属层502、触摸绝缘层504和第二触摸金属层506。保护层600设置在触摸感测单元500上。其中，第一无机封装层402、第二无机封装层404和保护层600在基板100上的投影边缘重合，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和保护层600在基板100上的投影不覆盖引脚216。
基板100可以是柔性基板，可以包括塑料。例如，基板100可包括聚醚砜(PES)，聚丙烯酸酯(PAR)，聚醚酰亚胺(PEI)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚苯硫醚(PPS)，聚烯丙基酯，聚酰亚胺(PI)，聚碳酸酯(PC)，三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
显示装置10可以是底部发射型显示器。或者，显示装置10可以是顶部发射型显示器。当显示装置10是向基板100远离薄膜封装层400的一侧表面发光并进行图像显示的底部发射型显示器时，基板100可以包括透明材料。然而，当显示装置10是朝向薄膜封装层400显示图像的顶部发射型显示器时，基板100可以包括不透明材料。基板100可包括柔性不透明金属。当基板100包括金属时，基板100可包括选自铁，铬，锰，镍，钛，钼，不锈钢(SUS)，铬镍铁合金等金属材料的至少一种。然而，本发明的示例性实施例不限于此。基板100可包括金属箔。
驱动电路层200形成在基板100上，驱动电路层包括多个驱动发光二极管进行发光的像素电路，每个像素电路包括至少两个薄膜晶体管和一个电容，例如包括两个薄膜晶体管一个电容(2T1C)，包括五个薄膜晶体管一个电容(5T1C)，或者包括七个薄膜晶体管一个电容(7T1C)。并且该至少两个薄膜晶体管和一个电容中包括一个驱动晶体管，该驱动晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极电连接，控制有机发光二极管的显示。图2中为了更清楚地示意本发明的膜层结构，示出了两个像素，每个像素中仅示意出一个与有机发光二极管连接的薄膜晶体管。
参考图2所示，薄膜晶体管250形成在基板100上。薄膜晶体管250可以包括有源层202，栅电极206，源电极210和漏电极212。
有源层202可以包括诸如硅的无机半导体。或者，有源层202可以包括有机半导体。有源层202可以包括源区，漏区和沟道区。沟道区可以设置在源区和漏区之间。作为示例，当有源层202包括多晶硅时，可以首先在基板100的基本整个表面上形成非晶硅层，得到的结构可以被结晶形成多晶硅层。多晶硅层可以被图案化。源区和漏区可以掺杂有杂质，源区和漏区可以在多晶硅层的边缘掺杂杂质，由此形成包括源区，漏区和设置在源区和漏区之间的沟道区的有源层202。
栅极绝缘层204形成在有源层202上。栅极绝缘层204被配置为使栅电极206与有源层202绝缘。栅极绝缘层204可以包括诸如SiNx或SiO2的无机材料，需要说明的是，本发明的示例性实施例不限于此。
栅电极206形成在栅极绝缘层204的预定区域上。栅电极206可以连接到栅极线。栅极线可以将栅极驱动信号传输到薄膜晶体管250。栅电极206可以包括Au，Ag，Cu，Ni，Pt，Pd，Al或Mo或诸如Al：Nd或Mo：W合金的合金。然而，本发明的示例性实施例不限于此，根据需要，栅电极206可包括其他各种材料。并且，在本发明的实施例中，与栅电极同层的金属，还可以包括位于非显示区域的信号驱动线、位于显示驱动的发光信号线等其他元件。
层间绝缘层208形成在栅电极206上。层间绝缘层208可以使栅电极206与源电极210和漏电极212绝缘。层间绝缘层208可以包括诸如SiNx或SiO2的无机材料，同样地，本发明的示例性实施例不限于此。
源电极210和漏电极212可以形成在层间绝缘层208上。层间绝缘层208和栅极绝缘层204包括暴露有源层202的源区和漏区的过孔。源电极210和漏电极212通过过孔分别与有源层202的暴露的源区和漏区直接接触。
源电极210和漏电极212可以包括选自Al，Pt，Pd，Ag，Mg，Au，Ni，Nd，Ir，Cr，Li，Ca，Mo，Ti，W和Cu中的至少一种或者几种。源电极210和漏电极212可以具有单层结构或者多层结构。并且，在本发明的实施例中，与源电极和漏电极同层的金属，还可以包括位于非显示区域的引脚214、位于显示驱动的数据线和电源信号线等其他元件。引脚214可以与数据线或者其他信号线电连接，将来自于外部驱动电路的信号传递至数据线，数据线与漏电极电连接，因此将来自外部的驱动信号传递至薄膜晶体管250。本实施例中，该金属层称为第一金属层。
图2示出了顶栅型薄膜晶体管，其依次包括有源层202，栅电极206，源电极210和漏电极212。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，栅电极可以设置在有源层下方。
薄膜晶体管250可以电连接到有机发光二极管350。薄膜晶体管250将信号传输到有机发光装置有机发光二极管350，该信号可以用于驱动有机发光装置进行显示。薄膜晶体管250上可以覆盖有平坦化层216，可以保护薄膜晶体管250免受外部影响，并且可以保证驱动电路层具有一个较为平坦的表面，有利于后续器件的制备。
平坦化层216可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。无机绝缘层可包括SiO2，SiNx，SiON，Al2O3，TiO2，Ta2O5，HfO2，ZrO2或BST(钛酸锶钡，Barium Strontium Titanate)，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当平坦化层包括有机绝缘时，有机绝缘层可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚苯乙烯(PS)，酚基聚合衍生物，丙烯醛基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳醚基聚合物，酰氨基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物，或其任何组合，然而，本发明的示例性实施例不限于此。平坦化层216可以具有复合堆叠结构，复合堆叠结构可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。
在本发明的其他一些实施例中，在基板100和驱动电路层200之间，还可以设置第一缓冲层。第一缓冲层可以减少杂质穿过基板100而渗透进入驱动电路层200。并且第一缓冲层可以整体覆盖基板100，从而形成平坦的表面。因此，第一缓冲层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第一缓冲层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第一缓冲层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第一缓冲层可以为单层结构也可以为多层结构，当第一缓冲层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。
发光器件层300可以形成在平坦化层216上，即驱动电路层200上，发光器件层包括多个有机发光二极管350和像素定义层304，其中有机发光二极管350包括第一电极302、发光层306和第二电极308。
第一电极302形成在平坦化层216上，并且通过平坦化层216上暴露出部分漏电极212的过孔电连接到漏电极212。第一电极302可以是反射电极，透射电极或半透射电极。当第一电极302是反射电极时，第一电极302可以包括反射层，该反射层包括Ag，Mg，Al，Pt，Pd，Au，Ni，Nd，Ir，Cr或它们的任意组合，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当第一电极302是透射电极或半透射电极时，第一电极302可以分别包括透射电极层或半透射电极层。透射电极层或半透射电极层可包括氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)，氧化锌(ZnO)，氧化铟(In2O3)，氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
发光层306包括低分子量有机材料或者高分子量有机材料。并且发光层306可以至少包括空穴传输层(HTL)，空穴注入层(HIL)，电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的至少一层。在显示装置10中，在显示区域AA包含呈阵列排布的多个第一电极302，每个第一电极302对应一个发光像素，像素定义层304覆盖相邻的第一电极302之间的缝隙，并且部分覆盖第一电极302的边缘，且形成有多个暴露出多个第一电极302的开口，发光层306对应每个像素定义层304的开口形成。
第二电极308可以是透射电极或半透射电极，第二电极308覆盖多个发光层306和像素定义层304。第二电极308可以包括金属薄膜，金属薄膜可以包括Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Ag，Mg或其化合物，其可以具有相对低的功函数。在金属薄膜上还可以形成辅助电极层或汇流电极，辅助电极层或汇流电极可包括用于形成透射电极的材料，例如ITO，IZO，ZnO或In2O3，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
第二电极308可以透射从发光层306发射的光，此时，显示装置10为顶部发射型显示器，当然显示装置10也可以是底部发射型显示器，从发光层发射的光可以朝向基板100发射。在这种情况下，第一电极302可以包括透射电极或半透射电极，并且第二电极308包括反射电极。
像素定义层304包括绝缘材料，像素定义层304设置在第一电极302上。像素定义层304可以包括至少一种有机绝缘材料，包括聚酰亚胺，聚酰胺，丙烯酸树脂，苯并环丁烯或酚醛树脂，然而，本发明的示例性实施例不限于此。像素定义层304可以通过旋涂并图案化形成，像素定义层304可以暴露第一电极302的预定区域。
薄膜封装层400形成在第二电极308上，薄膜封装层400可以包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。薄膜封装层400可以基本上覆盖整个发光器件层200和驱动电路层100，并暴露出部分必要的连接引脚，例如数据线引脚、驱动信号引脚等。薄膜封装层400可以减少或消除水和氧从外部渗透到发光器件层300中。薄膜封装层400的面积可以大于发光器件层300的面积。因此，薄膜封装层400的边缘部分可以与基板100直接接触，覆盖发光器件层300的边缘，可以减少或消除来自外部的空气中水和氧的渗透。
本实施例中，薄膜封装层可以包括3个封装层，即第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。在本发明的其他实施例中，薄膜封装层可以包括n个封装层，其中n是1或更大的整数。n个封装层可以各自包括有机层和无机层。有机层和无机层可以顺序堆叠在发光器件层300上。
第一无机封装层402和第二无机封装层406可以包括氮化物，氧化物，氮氧化物、硝酸盐，碳化物或其任何组合。例如，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以包括氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈，硝酸硅、氮氧化硅或其任何组合。
有机封装层404包括但不限于腈纶、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖。有机封装层404可以通过打印方式或者，为了控制有机封装层打印时避免流动造成面积无法控制，可以使得打印面积稍小于第一无机封装层和第二无机封装层的面积。第一无机封装层402和第二无机封装层406可以大于有机封装层404因此，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以在外边缘处彼此直接接触。由于无机封装层的主要作用为水和氧的阻隔，而有机封装层的主要作用为应力的吸收和污染颗粒的覆盖，因此，采用无机封装层将有机封装层全面包封的结构，可以进一步从显示装置10的侧边进一步提升封装效果，可以减少或消除来自外部的氧气或水的渗透。
进一步得，由于有机封装层404通过喷墨打印得到，因此，可以在显示区域外围形成堤坝结构，来限定有机封装层404的外部边缘，堤坝结构可以是由和平坦化层216和/或像素定义层304同层的材料形成，还可以包含其他膜层的材料。当然，在本发明的其他实施例中，堤坝结构并不一定是必要结构，还可以控制有机封装层在喷墨打印过程中打印材料的浓度、喷嘴的位置等条件来控制其边缘范围。
第一无机封装层402和第二无机封装层406的厚度可以在大约30纳米至大约500纳米的范围内，本实施例中，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以通过先形成材料层再进行薄化的过程制得。在此厚度范围内，在保证封装性能的同时，可以提供较好的封装性能和水氧阻隔性能，并且减薄后的无机封装层，可以更有利于提高弯折性能。。然而，本发明的示例性实施例不限于此。第一无机封装层402和第二无机封装层406还可以是如同现有技术中直接形成无机层而不进行薄化的过程制备的。
有机封装层404可以平坦化高度差。在薄膜封装层400之下的膜层中，像素限定层304在形成不同像素开口的同时，也产生不同的高度段差，有机封装层404可以对此高度段差起到平坦化的作用。有机封装层404还可以减小由第一无机封装层402和第二无机封装层406产生的应力。在制备显示装置的过程中，在第一无机封装层之后，可能有杂质颗粒残留，此时有机封装层404可以将这些残留杂质进行覆盖，起到平坦化，避免残留杂质影响封装性能。
有机封装层404的厚度可以在约1微米至约8微米的范围内，当有机封装层404的厚度在该范围内时，有机封装层404下部膜层可以被充分平坦化。
在本发明的其他实施例中，当有机封装层的数量为两个或更多时，该至少两个有机层的厚度可以彼此基本相同或不同。
根据本发明的示例性实施例，有机封装层404可以分别比第一无机封装层402和第二无机封装层406更厚。
在本发明的其他一些实施例中，在发光器件层300和第一无机封装层402之间，还可以设置有第二缓冲层。第二缓冲层可以减少杂质穿过第一无机封装层402而渗透进入发光器件层300。第二缓冲层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第二缓冲层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第二缓冲层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第二缓冲层可以为单层结构也可以为多层结构，当第二缓冲层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。第二缓冲层可以和第一无机封装层402采用相同的材料和工艺制备形成，即整面形成第二缓冲预备层后薄化，在此不再赘述，薄化后的第二缓冲预备层可以为30纳米至300纳米。
在本发明的其他一些实施例中，在第二缓冲层和第一无机封装层之间，还可以设置有原子层沉积层。采用原子层沉积技术，将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面，即第二缓冲层上。在形成原子沉积层时，可以采用氧化物介电层，例如Al2O3，TiO2，ZrO2，HfO2，Ta2O5，Nb2O5，Y2O3，MgO，CeO2，SiO2，La2O3，SrTiO3，BaTiO3。由于在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，因此当最终形成的显示装置包括原子层沉积层时，第二缓冲层优选LiF，以和原子层沉积层的晶格相匹配。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机薄膜封装层，而不包括有机封装层和第二无机薄膜封装层。由于不包括有机封装层，可以大大减小整个显示装置的厚度。
触摸感测单元500形成在薄膜封装层400上。触摸感测单元500可以是静电电容型触摸屏。结合参考图2和图3，图3为本发明实施例中触摸感测单元的俯视结构示意图。触摸感测单元500包括触摸发射电极550(或称为第一触摸电极)和触摸感应电极560(或称为第二触摸电极)，触摸发射电极550和触摸感应电极560绝缘交叉排列，当手指触碰到触摸感测单元时，触摸位置处的触摸发射电极550和触摸感应电极560之间的静电电容可以改变。当检测到静电容量的变化时，可以计算出触摸的位置。下面将参考图2、3和图4更详细地描述根据本发明示例性实施例的触摸感测单元。图4为图3中的部分结构放大示意图。
参见图2、图3和图4，触摸感测单元包括第一触摸金属层502，第一触摸金属层502包括多个第一连接部5021。触摸感测单元500还包括第二触摸金属层506，第二触摸金属层506包括多个第一触摸电极块5061、多个第二触摸电极块5062、多个第二连接部5063、多条第一触控引线5064，多条第二触控引线5065，多个触控引脚5066，以及多个冗余电极5067。在第一触摸金属层502和第二触摸金属层506之间，还设置有触摸绝缘层504。触摸绝缘层504上设置有多个暴露出部分第一连接部5021的第一过孔5041。
多个沿第一方向排列的第一触摸电极块5061通过第一过孔5041，与第一连接部5021电连接，形成触摸发射电极550，多个触摸发射电极沿第一方向延伸，沿第二方向排列。多个沿第二方向排列的第二触摸电极块5062通过与第二触摸电极块同层的第二连接部5063电连接，形成触摸感应电极560，多个触摸感应电极沿第二方向延伸，沿第一方向排列。触摸发射电极550通过第一触控引线5063连接到触控引脚，触摸感应电极560通过第二触控引线5064连接到触控引脚5066。触控引脚5066位于第二触摸金属层506。触控引脚5066和位于第一金属层的引脚214可以位于不同的区域，以和不同的柔性印刷电路板电连接，或者连接到同一个柔性印刷电路板的不同区域。
第一触摸电极块5061和第二触摸电极块5062呈网格结构，且该网格结构和像素定义层304相对应。即在垂直于基板100的方向上，第一触摸电极块5061和第二触控电极块5062的网格金属线位于像素定义层的投影范围内。金属网格的镂空区域可以暴露出有机发光层，从而金属网格不遮挡显示。
触摸发射电极550和触摸感应电极560彼此电绝缘。根据本发明的示例性实施例，摸发射电极550和触摸感应电极560的延伸方向大致垂直。
在相邻的触摸发射电极550和触摸感应电极560之间，还可以设置有冗余电极5067，冗余电极也为金属线结构或者网格结构，冗余电极5067的位置与像素定义层304相对应，即在垂直于基板100的方向上，冗余电极5067的网格金属线位于像素定义层的投影范围内。
第一触摸电极块5061、第二触控电极块5062和冗余电极均包括多条金属线，金属线可包括选自铜，铝，钼和银中的至少一种，其可具有相对高的导电性。当第一触摸电极块5061、第二触控电极块5062以网格图案形成时，可以提高触摸发射电极550和触摸感应电极560的柔性。因此，当触摸感测单元500弯曲以具有相对小的曲率时，可以减少或消除多个触摸发射电极550和触摸感应电极560中的裂缝的发生。
由于网格图案，多个触摸发射电极550和触摸感应电极560可以具有相对高的透光率。因此，多个触摸发射电极550和触摸感应电极560诸如ITO的透射电极相比，金属可以具有相对高的导电率。因此，静电电容的变化可以相对快速地传递到驱动电路，这可以增加触摸感测单元500的响应速率。
在第一触摸金属层502和第二触摸金属层506之间设置有触摸绝缘层504，触摸绝缘层具有暴露出部分第一连接部5021的第一过孔5041。第一连接部5021和第一触摸电极块5061通过第一过孔5041实现电连接。触摸绝缘层可以为无机材料，可包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，然而，本发明实施例并不以此为限。
在本发明的一些实施例中，第一触摸金属层可以位于触摸绝缘层的靠近基板100的一侧，在本发明的其他一些实施例中，第一触摸金属层还可以位于触摸绝缘层的远离基板100的一侧表面上。即在本发明的其他一些实施例中，第一触摸电极块5061、多个第二触摸电极块5062、多个第二连接部5063、多条第一触控引线5064，多条第二触控引线5065，多个触控引脚5066，以及多个冗余电极5067位于触摸绝缘层的靠近基板100的一侧，仅第一连接部5021位于触摸绝缘层504的远离基板100的一侧。在本发明的其他一些实施例中，也可以是第一触摸电极块和第一连接部位于触摸绝缘层的一侧，第二触摸电极块和第二连接部位于触摸绝缘层的另一侧，此时第一触摸电极块可以直接与第一连接部连接，第二触摸电极块和第二连接部直接连接，此时可以省略触摸绝缘层的过孔。
在本发明的其他一些实施例中，在薄膜封装层400触摸感测单元500之间，还可以设置有第三缓冲层。第三缓冲层可以直接形成在薄膜封装层400的第二无机封装层406上，可以替代现有技术中触控基板和显示基板之间的粘附层，减小显示装置10的厚度。第三缓冲层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第三缓冲层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第三缓冲层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第三缓冲层可以为单层结构也可以为多层结构，当第三缓冲层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。第三缓冲层可以通过气相沉积直接形成在薄膜封装层上。
在触摸感测单元上，还设置有保护层600，保护层600覆盖触摸感测单元500，可以防止将多个触摸发射电极550和触摸感应电极560以及第一触控引线和第二触控引线暴露到外部。保护层600可以包括有机材料或无机材料。当保护层为无机材料时，无机材料可包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当保护层为有机材料时，可包括选自丙烯酸基树脂，甲基丙烯酸基树脂，聚异戊二烯，乙烯基树脂，环氧类树脂，氨基甲酸酯类树脂，聚二甲基硅氧烷，聚酰亚胺，丙烯酸酯，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和纤维素类树脂中的至少一种。然而，本发明的示例性实施例不限于此。
本实施例中，第一无机封装层402、第二无机封装层405和保护层600在基板100上的投影边缘重合，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和保护层600在基板100上的投影不覆盖引脚214。
因此本实施例中，在形成第一无机封装层402时，可以进行整面制备，整面形成的第一无机预备层覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。在形成整面的第一无机预备层后，采用喷墨打印的方式形成有机封装层，在形成有机封装层404后，形成整面的第二无机预备层，第二无机预备层和第一无机预备层相似地，也覆盖整个显示装置10的表面，即覆盖引脚214，此时引脚214上覆盖有第一无机预备层和第二无机预备层。在形成第二无机预备层后，形成触摸感测单元500，在对触摸感测单元500中的第一触摸金属层、触摸绝缘层和第二触摸金属层进行图案化的时候，引脚214由于第一无机预备层和第二无机预备层的保护，不会受到刻蚀液的影响。在形成保护层600时，可以先在显示装置10上形成保护预备层，然后对保护预备层进行图案化，形成最终的保护层600。保护层600在基板100上的投影不覆盖引脚214。在形成保护层600后，可以以保护层600为掩膜版，对第一无机预备层和第二无机预备层进行图案化，得到图案化后的第一无机封装层402和第二无机封装层406。由于在图案化过程中，第一无机封装层402和第二无机封装层406以保护层600为掩膜版制备，所以第一无机封装层402、第二无机封装层405和保护层600在基板100上的投影边缘重合，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和保护层600在基板100上的投影不覆盖引脚214，保证引脚和驱动模块的正常连接。
本实施例提供的显示装置，由于在图案化过程中，第一无机封装层402和第二无机封装层406以保护层600为掩膜版制备，即这三层膜层采用同一块掩膜版，相比现有技术中不同的绝缘层需要不同的掩膜版，节省了掩膜版和刻蚀工序，大大提高了生产效率并节约了成本。
在本发明的其他一些实施例中，若显示装置包含第二缓冲层、原子层沉积层和/或第三缓冲层，进一步的，在形成第二缓冲层、原子层沉积层和/或第三缓冲层时，可以先形成第二缓冲预备层、原子层沉积预备层和/或第三缓冲预备层，最终在图案化第一无机预备层和第二无机预备层时，同时对第二缓冲预备层、原子层沉积预备层和/或第三缓冲预备层进行图案化，此时第二缓冲预备层、原子层沉积预备层和/或第三缓冲预备层和第一无机封装层402、第二无机封装层405以及保护层600在基板100上的投影边缘重合。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层包括第二缓冲层、原子层沉积层和第一无机封装层，而不包含有机封装层和第二无机封装层时，最终可以以保护层600为掩模版，同时对第二缓冲预备层、原子层沉积预备层和第一无机预备层进行图案化，最终形成的第二缓冲层、原子层沉积层和第一无机封装层记忆保护层在基板100行的投影边缘重合。
在形成保护层600的过程中，可以先形成保护预备层，在形成保护预备层时，可以使用低温化学气相沉积(LT-CVD)技术形成保护预备层，保护预备层可以包括无机材料或者有机材料。形成保护预备层后，对保护预备层进行图案化。后续对第一无机预备层和第二无机预备层进行图案化时，使用干刻法对第一无机预备层和第二无机预备层进行图案化，在第一无机预备层和第二无机预备层进行图案化过程中，由于刻蚀气体对保护层也具有刻蚀作用，会对保护层整体进行刻蚀，因此刻蚀气体对于保护层具有薄化作用。薄化后的保护层，厚度在50纳米至300纳米之间。并且，由于在整面刻蚀过程中，由于边缘区域和中心区域的刻蚀速率不同，最终形成的保护层的边缘区域其厚度会向中心区域逐渐增加。进步一步的，保护层可以包括弧形坡部分，所述弧形坡的长度为L1、高度为H1，300≤L1/H1≤600。在此范围内，坡度的过度较为平缓，并且可以起到良好的保护和应力分散作用。
在本发明的一些实施例中，请继续参考图2，当显示装置包括堤坝结构的时候，有机封装层截止于堤坝结构，而第一无机封装层402、第二无机封装层406和保护层600均截止于堤坝结构和引脚214之间。采用该结构，第一无机封装层402、第二无机封装层406由于堤坝的作用，具有弯曲延伸的表面，相当于提高了封装面积，可以更好的进行水氧阻隔。
进一步地，请参考图5、图6和图7，图5为本发明实施例中又一种触摸感测单元的俯视结构示意图，图6为图5中沿NN’截面的一种剖视结构示意图，图7为图5中沿OO’截面的一种剖视结构示意图。本实施例中，在第一触摸金属层下，还包括第三缓冲层501，第三缓冲层501对应第一触摸金属层的第一连接部5021的位置处，设置有用于容纳第一连接部5021的开口。第一连接部5021形成在第三缓冲层501的开口中，并且第一连接部5021和第三缓冲层501的上表面平齐，以此可以给触摸绝缘层形成更平坦的表面。第以触摸电极块5061通过形成在触摸绝缘层504上的第一过孔5041与第一连接部实现电连接。本实施例中，触摸绝缘层504具有平坦的下表面。该第三缓冲层501的开口可以贯穿第三缓冲层，依次可以将第三缓冲层和第一连接部的重叠厚度最大，最大化地降低第三缓冲层和第一触摸金属层的重叠厚度。
进一步地，请参考图5、图8和图9，图8为图5中沿NN’截面的另一种剖视结构示意图，图9为图5中沿OO’截面的另一种剖视结构示意图。触摸绝缘层504上设置有用于容纳第一触摸电极块5061和第二触摸电极块5062的凹槽5042。第一触摸电极块和第二触摸电极块的金属网格形成在触摸绝缘层504的凹槽5042中，并且第一触摸电极块和第二触摸电极块的金属网格形成和触摸绝缘层504上表面平齐，以此形成更平坦的触摸感测单元表面。另外，由于网格状的金属形成在触摸绝缘层504的凹槽5042之间，网格金属的宽度触摸绝缘层504的凹槽5042的宽度一致，可以保证在显示装置10的不同区域，各个网格金属的宽度相同，获得较好的均一性。而在第一连接部和第二连接部5021的重叠区域，仍旧保留部分触摸绝缘层504，以保证两个连接部之间的绝缘。由于凹槽5042通过对触摸绝缘层504进行干刻并薄化获得，因此凹槽5042为弧形，即形成的凹槽，下表面比上表面具有更小的表面积，且下表面至上表面平滑过渡。由此在形成第一触摸电极块和第二触摸电极块的网格电极时，电极可以从表面积较小的下表面逐渐向上表面沉积，避免了宽度突变造成的空隙等，形成的电极性能更佳。该凹槽5042可以贯穿触摸绝缘层504，以此可以将触摸绝缘层504和金属网格电极的重叠厚度最大，最大化地降低触摸绝缘层504和第二触摸金属层的重叠厚度。并且第二触摸金属层设置在凹槽5042中的厚度越多，其稳定性越好，不容易断线。
请参考图10，图10为图1中显示装置的沿MM’的另一种剖视结构示意图。参照图1和图10，显示装置包括显示区域AA和非显示区域NA，显示区域AA位于整个显示装置的中心，非显示区域NA围绕显示区域。显示装置10包括基板100，驱动电路层200，发光器件层300，薄膜封装层400，触摸感测单元500和保护层600。驱动电路层200设置在基板100上，驱动电路层200包括第一金属层，该第一金属层包括位于非显示区域NA的引脚214。发光器件层300可以设置在驱动电路层200上，该发光器件层包括多个有机发光二极管，进一步地，有机发光二极管包括第一电极302、发光层306和第二电极308，以及还包括像素定义层304，像素定义层304包括暴露第一电极302的开口。薄膜封装层400设置在发光器件层300上，包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。触摸感测单元500设置在薄膜封装层400上，包括第一触摸金属层502、触摸绝缘层504和第二触摸金属层506。保护层600设置在触摸感测单元500上。其中，第一无机封装层402、第二无机封装层404和触摸绝缘层504在基板100上的投影边缘轮廓相同，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和触摸绝缘层504在基板100上的投影不覆盖引脚216。第二触摸金属层包括触控引脚5066，且触控引脚5066与引脚214电连接。
基板100、驱动电路层200、发光器件层300的结构可以和本发明其他实施例的相应结构相同，在此不再赘述。
薄膜封装层400形成在第二电极308上，薄膜封装层400可以包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。薄膜封装层400可以基本上覆盖整个发光器件层200和驱动电路层100，并暴露出部分必要的连接引脚，例如数据线引脚、驱动信号引脚、触控信号引脚等。
本实施例中，薄膜封装层可以包括3个封装层，即第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。在本发明的其他实施例中，薄膜封装层可以包括n个封装层，其中n是1或更大的整数。n个封装层可以各自包括有机层和无机层。有机层和无机层可以顺序堆叠在发光器件层300上。
第一无机封装层402和第二无机封装层406可以包括氮化物，氧化物，氮氧化物、硝酸盐，碳化物或其任何组合。
有机封装层404包括但不限于腈纶、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖。在显示区域外可以围形成堤坝结构。
第一无机封装层402和第二无机封装层406的厚度可以在大约30纳米至大约500纳米的范围内，本实施例中，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以通过先形成材料层再进行薄化的过程制得。
触摸感测单元500形成在薄膜封装层400上。触摸感测单元500可以是静电电容型触摸屏。本实施例中，触摸感测单元的俯视图可以参考本发明其他实施例中的描述，在此不再赘述。仅就其不同之处进行详细描述。
本实施例中，触摸绝缘层504、第一无机封装层402、第二无机封装层404在基板100上的投影边缘轮廓相同，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和触摸绝缘层504在基板100上的投影不覆盖引脚214。第二触摸金属层包括触控引脚5066，且触控引脚5066与引脚214电连接。在本实施例中，在对触摸绝缘层504图案化，以形成暴露出部分第一触摸金属层502的第一过孔的时候，同时对第一无机封装层402和第二无机封装层406进行图案化。图案化过程可以通过在封装绝缘材料层上涂布光刻胶，进行曝光显影后，再进行干刻进行。由于干刻过程中，封装绝缘层504上一直覆盖有光刻胶，因此在非显示区域NA处，在封装绝缘层504、第一无机封装层402和第二无机封装层406的边缘处，三层膜层形成斜坡形斜面，即三层绝缘层的边缘轮廓相同，且同时暴露出引脚214。
由于本实施例中，在形成第二触摸金属层506之前，对触摸绝缘层504以及第一无机封装层402和第二无机封装层406进行了图案化，因此，在形成的第二触摸金属层506中，包括的触控引脚5166可以和引脚214电连接，而触控引脚5166通过第一触控引线和第二触控引线5065和第一触摸电极块以及第二触摸电极块电连接。由此，实现了将触控信号和显示信号的引脚都由位于驱动电路层的第一金属层引出，最终可以只用一个柔性印刷电路板来实现显示和触控的共同驱动。
在本发明的其他一些实施例中，在薄膜封装层400触摸感测单元500之间，还可以设置有第三缓冲层。第三缓冲层可以直接形成在薄膜封装层400的第二无机封装层406上，第三缓冲层可以通过气相趁机直接形成在薄膜封装层上。当显示装置中包括第三缓冲层时，图案化触摸绝缘层504的过程中，可以同时对第三缓冲层进行图案化，从而暴露出引脚214。
在触摸感测单元500上设置有保护层600，在形成保护层600的过程中，可以先形成保护预备层，在形成保护预备层时，可以使用低温化学气相沉积(LT-CVD)技术形成保护预备层，保护预备层可以包括无机材料或者有机材料。形成保护预备层后，对保护预备层进行图案化。图案化后的保护层的边缘暴露出引脚214。保护层的边缘可以和第一无机封装层的边缘相同，也可以不同。在图案化保护层600后，可以对保护层采用干刻法进行薄化，以进一步提高显示装置10的耐弯折性能。
本实施例提供的显示装置，由于在对触摸绝缘层504图案化，以形成暴露出部分第一触摸金属层502的第一过孔的时候，同时对第一无机封装层402和第二无机封装层406进行图案化。由此相比现有技术中采用多道掩膜版工艺，工艺简单。并且本实施例中，对多次绝缘层进行了减薄工艺，进一步提高了耐弯折性能。
在本发明的其他一些实施例中，在发光器件层300和第一无机封装层402之间，还可以设置有第二缓冲层。第二缓冲层可以减少杂质穿过第一无机封装层402而渗透进入发光器件层300。
在本发明的其他一些实施例中，在第二缓冲层和第一无机封装层之间，还可以设置有原子层沉积层。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机封装层，而不包括有机封装层和第二无机薄膜封装层。当本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机薄膜封装层时，在图案化触摸绝缘层504时，可以同时对第二缓冲层、原子层沉积层以及第一无机薄膜封装层进行图案化，以暴露出引脚214。最终形成的第二缓冲层，原子层沉积层、第一无机封装层和触摸绝缘层504的轮廓相同。最终第二触摸金属层506中形成的第一触控引线和第二触控引线跨过第二缓冲层，原子层沉积层、第一无机封装层和触摸绝缘层504的边缘斜坡与触控引脚5066电连接，而触控引脚5066与引脚214电连接。
进一步地，本实施例中，触摸绝缘层504上还可以设置有凹槽，具体地，可以参考本发明其他实施例中的描述，在此不再赘述。
请参考图11和图12，图11为图1中显示装置的沿MM’的另一种剖视结构示意图，图12为图11中触摸感测单元的一种俯视结构示意图。参照图1、图11和图12，显示装置包括显示区域AA和非显示区域NA，显示区域AA位于整个显示装置的中心，非显示区域NA围绕显示区域。显示装置10包括基板100，驱动电路层200，发光器件层300，薄膜封装层400，触摸感测单元500和保护层600。驱动电路层200设置在基板100上，驱动电路层200包括第一金属层，盖第一金属层包括位于非显示区域NA的引脚214。发光器件层300可以设置在驱动电路层200上，该发光器件层包括多个有机发光二极管，进一步地，有机发光二极管包括第一电极302、发光层306和第二电极308，以及还包括像素定义层304，像素定义层304包括暴露第一电极302的开口。薄膜封装层400设置在发光器件层300上，包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。触摸感测单元500设置在薄膜封装层400上，包括触摸绝缘层504和第二触摸金属层506。保护层600设置在触摸感测单元500上。其中，第一无机封装层402、第二无机封装层404和触摸绝缘层504在基板100上的投影边缘轮廓相同，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和触摸绝缘层504在基板100上的投影不覆盖引脚216。第二触摸金属层包括触控引脚5066，且触控引脚5066与引脚214电连接。
基板100、驱动电路层200、发光器件层300、薄膜封装层400的结构可以和本发明其他实施例的相应结构相同，在此不再赘述。
触摸感测单元500形成在薄膜封装层400上。触摸感测单元500可以是静电电容型触摸屏。本实施例中，触摸感测单元500的触摸电极为单层结构。
在触摸绝缘层504上，设置有第二触摸金属层506，其中，第二触摸金属层包括第一第一触摸电极块5061、多个第二触摸电极块5062、多条第一触控引线5064，多条第二触控引线5065，多个触控引脚5066。第一触摸金属块5061与第一触控引线5064电连接，第二触摸金属块5062与第二触控引线5065电连接。第一触控引线5064和第二触控引线5065均与触控引脚5066电连接。
本实施例中，触摸绝缘层504、第一无机封装层402、第二无机封装层404在基板100上的投影边缘轮廓相同，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和触摸绝缘层504在基板100上的投影不覆盖引脚214。第二触摸金属层包括触控引脚5066，且触控引脚5066与引脚214电连接。在本实施例中，在对触摸绝缘层504图案化，以形成暴露出部分第一触摸金属层502的第一过孔的时候，同时对第一无机封装层402和第二无机封装层406进行图案化。图案化过程可以通过在封装绝缘层504上涂布光刻胶，进行曝光显影后，再进行干刻进行。由于干刻过程中，封装绝缘层504上一直覆盖有光刻胶，因此在非显示区域NA处，在封装绝缘层504、第一无机封装层402和第二无机封装层406的边缘处，三层膜层形成斜坡形斜面，即三层绝缘层的边缘轮廓相同，且同时暴露出引脚214。
由于本实施例中，在形成第二触摸金属层506之前，对触摸绝缘层504以及第一无机封装层402和第二无机封装层406进行了图案化，因此，在形成的第二触摸金属层506中，包括的触控引脚5166可以和引脚214电连接，而触控引脚5166通过第一触控引线和第二触控引线5065和第一触摸电极块以及第二触摸电极块电连接。由此，实现了将触控信号和显示信号的引脚都由位于驱动电路层的第一金属层引出，最终可以只用一个柔性印刷电路板来实现显示和触控的共同驱动。
在本发明的其他一些实施例中，在薄膜封装层400触摸感测单元500之间，还可以设置有第三缓冲层。
在触摸感测单元500上设置有保护层600。保护层600的结构可以参考本发明其他实施例的描述，在此不再赘述。
本实施例提供的显示装置，由于在对触摸绝缘层504图案化，以形成暴露出部分第一触摸金属层502的第一过孔的时候，同时对第一无机封装层402和第二无机封装层406进行图案化。由此相比现有技术中采用多道掩膜版工艺，工艺简单。并且本实施例中，对多次绝缘层进行了减薄工艺，进一步提高了耐弯折性能。
在本发明的其他一些实施例中，在发光器件层300和第一无机封装层402之间，还可以设置有第二缓冲层。第二缓冲层可以减少杂质穿过第一无机封装层402而渗透进入发光器件层300。
在本发明的其他一些实施例中，在第二缓冲层和第一无机封装层之间，还可以设置有原子层沉积层。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机封装层，而不包括有机封装层和第二无机薄膜封装层。当本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机薄膜封装层时，在图案化触摸绝缘层504时，可以同时对第二缓冲层、原子层沉积层以及第一无机封装层进行图案化，以暴露出引脚214。最终形成的第二缓冲层，原子层沉积层、第一无机封装层和触摸绝缘层504的轮廓相同。最终第二触摸金属层506中形成的第一触控引线和第二触控引线跨过第二缓冲层，原子层沉积层、第一无机封装层和触摸绝缘层504的边缘斜坡与触控引脚5066电连接，而触控引脚5066与引脚214电连接。
进一步地，本实施例中，触摸绝缘层504上还可以设置有凹槽，具体地，可以参考本发明其他实施例中的描述，在此不再赘述。
请参考图13，图13为本发明实施例提供的一种显示装置的制作方法流程示意图。所述制作方法包括：
S101：提供基板；
S102：在所述基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一金属层，所属第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；
S103：在所述驱动电路层上形成发光器件层，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置再所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；
S104：在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层，所述薄膜封装层预备包括层叠设置的第一无机预备层；
S105：在所述薄膜封装层上形成触摸感测单元，所述触摸感测单元包括触摸绝缘层和第二触摸金属层；
S106：在所述触摸感测单元上形成保护预备层；
S107：图案化所述保护预备层，得到前驱保护层；
S108：以所述前驱保护层为掩膜，图案化所述第一无机预备层，得到第一无机封装层，，并得到保护层；
其中，所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
具体地，结合参考图13和图14，进行步骤S101和S102，图14为图13中步骤S101和S102的剖视结构示意图。其中步骤S101提供基板，本发明实施例中，基板100可以是柔性基板，可以包括塑料，具体材料可参考本发明其他实施例中的描述，在此不再赘述。
步骤102，在基板上形成驱动电路层。
驱动电路层200形成在基板100上，驱动电路层包括多个驱动发光二极管进行发光的像素电路，每个像素电路包括至少两个薄膜晶体管和一个电容。
参考图14所示，薄膜晶体管250形成在基板100上。薄膜晶体管250可以包括有源层202，栅电极206，源电极210和漏电极212。
首先在基板100上形成有源层，有源层202可以包括诸如硅的无机半导体。或者，有源层202可以包括有机半导体。有源层202可以包括源区，漏区和沟道区。
栅极绝缘层204形成在有源层202上。栅极绝缘层204被配置为使栅电极206与有源层202绝缘。栅极绝缘层204可以包括诸如SiNx或SiO2的无机材料。
栅电极206形成在栅极绝缘层204的预定区域上。栅电极206可以连接到栅极线。与栅电极同层的金属，还可以包括位于非显示区域的信号驱动线、位于显示驱动的发光信号线等其他元件。
层间绝缘层208形成在栅电极206上。层间绝缘层208可以使栅电极206与源电极210和漏电极212绝缘。层间绝缘层208可以包括诸如SiNx或SiO2的无机材料。
源电极210和漏电极212形成在层间绝缘层208上。层间绝缘层208和栅极绝缘层204包括暴露有源层202的源区和漏区的过孔。源电极210和漏电极212通过过孔分别与有源层202的暴露的源区和漏区直接接触。在本发明的实施例中，与源电极和漏电极同层的金属，还可以包括位于非显示区域的引脚214、位于显示驱动的数据线和电源信号线等其他元件。本实施例中，该金属层称为第一金属层。
平坦化层216形成在源电极210和漏电级212上，可以保护薄膜晶体管250免受外部影响，并且可以保证驱动电路层具有一个较为平坦的表面，有利于后续器件的制备。平坦化层上设置有多个暴露漏电极的开口。平坦化层216可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。
在形成有源层202前，还可以在基板上形成第一缓冲层。
结合参考图13和图15，进行步骤S103，在驱动电路层上形成发光器件层，图15为图13中步骤S103的剖视结构示意图。发光器件层300形成在平坦化层216上，即驱动电路层200上，发光器件层包括多个有机发光二极管350和像素定义层304，其中有机发光二极管350包括第一电极302、发光层306和第二电极308。
在平坦化层216上形成第一电极302，并且通过平坦化层216上暴露出部分漏电极212的过孔电连接到漏电极212。
在第一电极302上形成像素定义层304，像素定义层304可以通过旋涂形成，像素定义层304可以暴露第一电极302的预定区域。
在像素定义层304的开口区域形成发光层，发光层306包括低分子量有机材料或者高分子量有机材料，并且发光层306可以至少包括空穴传输层(HTL)，空穴注入层(HIL)，电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的至少一层。像素定义层304覆盖相邻的第一电极302之间的缝隙，并且部分覆盖第一电极302的边缘，且形成有多个暴露出多个第一电极302的开口，发光层306对应每个像素定义层304的开口形成。
在发光层306上形成第二电极308，第二电极308覆盖多个发光层306和像素定义层304。
结合图16和图13，进行步骤S104，在发光器件层300上形成薄膜封装预备层，图16为图13中步骤S104的剖视结构示意图。具体地，形成形成薄膜封装预备层具体包括：形成第一无机封装材料层，薄化所述第一无机封装材料层，得到所述第一无机预备层；形成所述有机封装层；形成第二无机封装材料层，薄化所述第二无机封装材料层，得到所述第二无机预备层。
具体地，通过低温化学气相趁机形成第一无机封装材料层，然后薄化第一无机封装材料层，得到第一无机预备层。其中，第一无机材料层可以包括氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈，硝酸硅、氮氧化硅或其任何组合。采用BCl3对第一无机材料层进行整面刻蚀，减薄第一无机材料层。具体地，第一无机材料层可以为0.4～1微米厚，而进行减薄后形成的第一无机预备层402’的厚度为0.03～0.4微米。减薄后，能够大大提高可折叠能力，同时降低应力引起的膜层剥落问题。整面形成的第一无机预备层402’覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。
在形成第一无机预备层402’后，通过喷墨打印形成有机封装层404。为了控制有机封装层打印时避免流动造成面积无法控制，可以使得打印面积稍大于显示区AA的面积。有机封装层的主要作用为应力的吸收和污染颗粒的覆盖。进一步得，由于有机封装层404通过喷墨打印得到，因此，可以在显示区域外围形成堤坝结构，来限定有机封装层404的外部边缘，堤坝结构可以是由和平坦缓冲216和/或像素定义层304同层的材料形成，还可以包含其他膜层的材料。当然，在本发明的其他实施例中，堤坝结构并不一定是必要结构，还可以控制有机封装层在喷墨打印过程中打印材料的浓度、喷嘴的位置等条件来控制其边缘范围。
在形成有机封装层404后，形成第二无机预备层406’。与形成第一无机预备层402’类似的，通过低温化学气相沉积形成第二无机封装材料层，然后薄化第二无机封装材料层，得到第二无机预备层406’。其中，第二无机材料层可以包括氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈，硝酸硅、氮氧化硅或其任何组合。采用BCl3对第二无机材料层进行整面刻蚀，减薄第二无机材料层。具体地，第二无机材料层可以为0.4～1微米厚，而进行减薄后形成的第二无机预备层402’的厚度为0.03～0.4微米。减薄后，能够大大提高可折叠能力，同时降低应力引起的膜层剥落问题。整面形成的第二无机预备层402’覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。
在本发明的其他一些实施例中，在形成第一无机预备层402’之前，可以在发光器件层上形成第二缓冲预备层，第二缓冲预备层可以和第一无机预备层402’和第二无机预备层406’采用相同的材料和工艺制备形成，即整面形成并薄化，在此不再赘述，薄化后的第二缓冲预备层可以为30纳米至300纳米。第二缓冲预备层覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。
在第二缓冲预备层和第一无机预备层之间，还可以形成原子层沉积预备层。采用原子层沉积技术，将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面，即第二缓冲预备层上。原子层沉积预备层也为整面结构，整面形成的原子沉积预备层覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。在形成原子沉积预备层时，可以采用氧化物介电层，例如Al2O3，TiO2，ZrO2，HfO2，Ta2O5，Nb2O5，Y2O3，MgO，CeO2，SiO2，La2O3，SrTiO3，BaTiO3。由于在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，因此当最终形成的显示装置包括原子层沉积层时，第二缓冲层优选LiF，以和原子层沉积层的晶格相匹配。原子层沉积预备层覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机封装层，而不包括有机封装层和第二无机封装层。由此可以大大降低显示装置的厚度，提高耐弯折性能。当显示装置的薄膜封装层不包括有机封装层和第二无机薄膜封装层时，无需制备有机封装层和第二无机预备层。
结合图17和图13，进行步骤S105，在薄膜封装预备层上形成触摸感测单元500，图17为图13中步骤S105的剖视结构示意图。具体地，形成触摸感测单元500具体包括：形成第一触摸金属层502，形成触摸绝缘层504，形成第二触摸金属层506。
其中，形成第一触摸金属材料层，该材料层的材料可以是选自铜，铝，钼和银中的至少一种，其可具有相对高的导电性。而后对该材料层金属图案化，以形成第一触摸金属层502。图案化过程可以为化学湿刻法。
在本发明的其他一些实施例中，形成第一触摸金属层的方法可以直接为打印法，相比蚀刻法，无需在刻蚀前制备光刻层并曝光显影，节省了工序，并且也无需因为化学湿刻法而引入一些刻蚀杂质。
图案化并形成第一触摸金属层502之后，在第一触摸金属层上形成触摸绝缘层，具体包括先形成触摸绝缘材料层，可包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。而后对触摸绝缘材料层进行图案化，以形成触摸绝缘层504。图案化过程可以是干刻法。
在形成触摸绝缘层504后，形成第二触摸金属层，形成第二触摸金属层506的方法和形成第一触摸金属层的方法相同，在此不再赘述。
本实施例中，图案化后的第一触摸金属层502包括多个第一连接部，第二触摸金属层506包括多个第一触摸电极块、多个第二触摸电极块、多个第二连接部、多条第一触控引线，多条第二触控引线等元件。在第一触摸金属层502和第二触摸金属层506之间，还设置有触摸绝缘层504。触摸绝缘层504上设置有多个暴露出部分第一连接部的第一过孔。
多个沿第一方向排列第一触摸电极块通过第一过孔，与第一连接部电连接，形成触摸发射电极，多个触摸发射电极沿第一方向延伸，沿第二方向排列。多个沿第二方向排列的第二触摸电极块通过与第二触摸电极块同层的第二连接部电连接，形成触摸感应电极，多个触摸感应电极沿第二方向延伸，沿第一方向排列。触摸发射电极通过第一触控引线连接到触控引脚，触摸感应电极通过第二触控引线连接到触控引脚。触摸感测单元500的具体结构可参考本发明其他实施例中的描述，在此不再赘述。
本实施例中，形成的触摸绝缘层504，仅包括暴露出第一连接部的第一过孔，然而在本发明的其他一些实施例中，最终形成的触摸感测单元，可以如图7～图9所示的结构，此时，在图案化触摸绝缘层的过程中，可以在预设的位置，在触摸绝缘层上形成凹槽，凹槽的形成可以和第一过孔的形成方式相同，通过光刻胶曝光显影后形成。凹槽位置可以对应触摸电极块的网格金属电极。
触摸绝缘层通过曝光显影刻蚀后，在剥离光刻胶之后，可以进一步对触摸绝缘层进行薄化，薄化过程为在玻璃光刻胶后进行整面干刻。由于干刻过程中刻蚀气氛在不同部位的接触面积及运动速度不同，最终形成的凹槽为弧形凹槽。由于整面薄化的作用，最终形成的触摸绝缘层的厚度可以从0.4至0.5微米，与金属层的厚度相当。由此，在凹槽中形成网格状金属电极后，金属电极的厚度可以和触摸绝缘层的厚度相同，提高了面板平整度，进而提高了耐弯折性能。由于减薄后的触摸绝缘的厚度在0.4～0.5微米，相比减薄后的第一无机预备层或者第二无机预备层较后，其最终形成的弧形的长度高度比小于40：1，避免相邻的两条金属网格线之间的绝缘层坡度太缓，造成凹槽不够深，不能容纳金属电极。
在本发明的其他一些实施例中，在形成触摸感测单元500之前，还可以包括在薄膜封装预备层上形成第三缓冲预备层。第三缓冲预备层可以直接形成在薄膜封装预备层400’的第二无机预备层406’上。第三缓冲预备层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第三缓冲预备层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第三缓冲预备层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第三缓冲预备层可以为单层结构也可以为多层结构，当第三缓冲预备层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。第三缓冲预备层可以通过气相趁机直接形成在薄膜封装层上。第三缓冲预备层覆盖整个显示装置10的表面，即会覆盖引脚214。
第三缓冲预备层的形成方法和结构可以和第二缓冲预备层相同，最终也可以进行减薄，减薄后的厚度可以为0.4～0.5微米。
在本发明的其他一些实施例中，在对第三缓冲预备层进行减薄前，可以对第三缓冲预备层进行图案化，以形成第三缓冲层，第三缓冲层上可以形成容纳第一触摸金属层图案的凹槽。由于减薄干刻过程中刻蚀气氛在不同部位的接触面积及运动速度不同，最终形成的凹槽为弧形凹槽。由于整面薄化的作用，最终形成的第三缓冲层的厚度可以为0.4～0.5微米，与金属层的厚度相当。由此，在凹槽中形成网格状金属电极后，金属电极的厚度可以和触摸绝缘层的厚度相同，提高了面板平整度，进而提高了耐弯折性能。
结合图13和图18，进行步骤S106，在触摸感测单元上形成保护预备层600’，图18为图13中步骤S106的剖视结构示意图。保护层预备600’可以包括有机材料或无机材料。当保护预备层为无机材料时，无机材料可包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当保护预备层为有机材料时，可包括选自丙烯酸基树脂，甲基丙烯酸基树脂，聚异戊二烯，乙烯基树脂，环氧类树脂，氨基甲酸酯类树脂，聚二甲基硅氧烷，聚酰亚胺，丙烯酸酯，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和纤维素类树脂中的至少一种。
保护预备层600’可以通过低温化学气相沉积制备，并且保护预备层600’覆盖显示装置10的整个表面，也即覆盖触摸感测单元500、薄膜封装预备层400’以及其下的所有膜层。本实施例中，保护预备层600’可以包括氮氧化硅。并且可选的，保护预备层600’的材料与第一无机预备层、第二无机预备层的材料不同。并且保护预备层600’可以在400～1000纳米之间。
结合参考图13和图19，进行步骤S107，图案化保护预备层，得到前驱保护层600”，图19为图13中步骤S107的剖视结构示意图。具体地，对保护预备层进行图案化可以包括在保护预备层上涂布光刻胶，对光刻胶进行曝光显影，对保护预备层进行刻蚀，刻蚀后形成前驱保护层600”，前驱保护层600”在基板100上的投影不覆盖引脚214。由于前驱保护层600”通过曝光显影刻蚀的方法制备，在刻蚀过程中，保护预备层上一直覆盖着光刻胶，因此形成的前驱保护层600”的厚度与保护预备层的厚度相同，并且前驱保护层的边缘也不会形成弧形坡。
结合参考图13和图2，进行步骤S108，以前驱保护层600”为掩膜，图案化第一无机预备层402’、第二无机预备层406’，得到第一无机封装层402、第二无机封装406层和保护层600。第一无机预备层402’和第二无机预备层406’进行图案化时，以前驱保护层600”作为掩膜，直接使用干刻法对第一无机预备层402’和第二无机预备层406’进行图案化，在第一无机预备层402’和第二无机预备层406’进行图案化过程中，由于刻蚀气体对前驱保护层600”也具有刻蚀作用，会对前驱保护层600”整体进行刻蚀，因此刻蚀气体对于保护层具有薄化作用。薄化后最终形成的保护层，厚度在50纳米至300纳米之间。并且，由于在整面刻蚀过程中，由于边缘区域和中心区域的刻蚀速率不同，最终形成的保护层的边缘区域其厚度会向中心区域逐渐增加。进步一步的，保护层可以包括弧形坡部分，所述弧形坡的长度为L1、高度为H1，300≤L1/H1≤600。在此范围内，坡度的过度较为平缓，并且可以起到良好的保护作用。
由于在图案化过程中，第一无机封装层402和第二无机封装层406以前驱保护层600”为掩膜版制备，所以第一无机封装层402、第二无机封装层405和保护层600在基板100上的投影边缘重合，且第一无机封装层402、第二无机封装层406和保护层600在基板100上的投影不覆盖引脚214，保证引脚和驱动模块的正常连接。这三层膜层采用同一块掩膜版，相比现有技术中不同的绝缘层需要不同的掩膜版，节省了掩膜版和刻蚀工序，大大提高了生产效率并节约了成本。
当最终形成的显示装置具有第二缓冲层、原子层沉积层和第三缓冲层时，在步骤S108中，可以继续对第二缓冲预备层、原子层沉积预备层和第三缓冲预备层进行进一步刻蚀。由此，通过一块掩模版，完成了对多层膜层的图案化，节省了掩膜版和刻蚀工序，大大提高了生产效率并节约了成本。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层包括第二缓冲层、原子层沉积层和第一无机封装层，而不包含有机封装层和第二无机封装层时，最终可以以前驱保护层600”为掩模版，同时对第二缓冲预备层、原子层沉积预备层和第一无机预备层进行图案化，最终形成的第二缓冲层、原子层沉积层和第一无机封装层记忆保护层在基板100行的投影边缘重合。
请参考图20，图20为本发明实施例提供的又一种显示装置的制作方法流程示意图。所述制作方法包括：
S201：提供基板；
S202：在所述基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一金属层，所属第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；
S203：在所述驱动电路层上形成发光器件层，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置再所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；
S204：在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层，在本发明的一个实施例中，所述薄膜封装层预备包括层叠设置的第一无机预备层、有机封装层和第二无机预备层；
S2051：在所述薄膜封装层上形成触摸绝缘材料层。在步骤S2051之前，还可以包括在薄膜封装层上形成第一触摸金属层；
S2052：图案化触摸绝缘材料层、薄膜封装预备层，形成薄膜封装层和触摸绝缘层；
S2053：在所述触摸绝缘层上形成第二触摸金属层；
S208：形成保护层。
具体地，本实施例中，步骤S201可以和本发明其他实施例中S101相同，步骤S202可以和本发明其他实施例中S102相同，步骤S203可以和本发明其他实施例中S103相同，步骤S204可以和本发明其他实施例中S104相同，在此不再赘述相应步骤。
结合参考图21和图20，图21为图20中步骤S2051的剖视结构示意图，结合参考图20和图21，在薄膜封装预备层400’上形成触摸绝缘材料层504’。触摸绝缘材料层504’可以为无机材料，具体地，可以包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。在本发明的一些实施例中，触摸感测单元包括两层金属层，此时，在形成触摸绝缘材料层504’之前，可以在薄膜封装预备层400’上先形成第一触摸金属层502，形成方法和本发明其他一些实施例中相同，在此不再赘述。在本发明的其他一些实施例中，触摸感测单元可以仅包括一层金属层，如图11所示，此时，可以直接在薄膜封装预备层上形成触摸绝缘材料层504’。
结合参考图22和图20，进行步骤S2052，图22为图20中步骤S2052的剖视结构示意图。具体地，首先在触摸绝缘材料层上涂布光刻材料层，对光刻材料层进行曝光显影，形成具有预定图案的光刻胶700。以图案化的光刻胶700为掩膜版，对触摸绝缘材料层进行刻蚀，形成触摸绝缘层504。同时对薄膜封装预备层进行刻蚀，以形成薄膜封装层400。更具体地，本实施例中，薄膜封装预备层包括第一无机预备层、有机封装层404和第二无机预备层，采用光刻胶700为掩膜版，对第一无机预备层和第二无机预备层进行刻蚀，形成第一无机封装层402和第二无机封装层406。
本实施例中，在对触摸绝缘层504图案化，以形成暴露出部分第一触摸金属层502的第一过孔的时候，同时对第一无机封装层402和第二无机封装层406进行图案化。图案化过程可以通过在封装绝缘层504上涂布光刻胶，进行曝光显影后，再进行干刻进行。由于干刻过程中，封装绝缘层504上一直覆盖有光刻胶，因此在非显示区域NA处，在封装绝缘层504、第一无机封装层402和第二无机封装层406的边缘处，三层膜层形成斜坡形斜面，即三层绝缘层的边缘轮廓相同，且同时暴露出引脚214。
结合参考图23和图20，进行步骤S2053，其中图23为图20中步骤S2053的剖视结构示意图。在图案化后的触摸绝缘层504上形成第二触摸金属层506。
由于本实施例中，在形成第二触摸金属层506之前，对触摸绝缘层504以及第一无机封装层402和第二无机封装层406进行了图案化，因此，在形成的第二触摸金属层506中，包括的触控引脚5166可以和引脚214电连接，而触控引脚5166通过第一触控引线和第二触控引线5065和第一触摸电极块以及第二触摸电极块电连接。由此，实现了将触控信号和显示信号的引脚都由位于驱动电路层的第一金属层引出，最终可以只用一个柔性印刷电路板来实现显示和触控的共同驱动。
结合参考图20和图13，进行步骤S208，形成保护层600。在触摸感测单元500上设置有保护层600，在形成保护层600的过程中，可以先形成保护预备层，在形成保护预备层时，可以使用低温化学气相沉积(LT-CVD)技术形成保护预备层，保护预备层可以包括无机材料或者有机材料。形成保护预备层后，对保护预备层进行图案化。图案化后的保护层的边缘暴露出引脚214。保护层的边缘可以和第一无机封装层的边缘相同，也可以不同。在图案化保护层600后，可以对保护层采用干刻法进行薄化，以进一步提高显示装置10的耐弯折性能。
本实施例提供的显示装置的制作方法，由于在对触摸绝缘层504图案化，以形成暴露出部分第一触摸金属层502的第一过孔的时候，同时对第一无机封装层402和第二无机封装层406进行图案化。由此相比现有技术中采用多道掩膜版工艺，工艺简单。并且本实施例中，对多次绝缘层进行了减薄工艺，进一步提高了耐弯折性能。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机封装层，而不包括有机封装层和第二无机薄膜封装层。当本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机薄膜封装层时，在图案化触摸绝缘层504时，可以同时对第二缓冲层、原子层沉积层以及第一无机薄膜封装层进行图案化，以暴露出引脚214。最终形成的第二缓冲层，原子层沉积层、第一无机封装层和触摸绝缘层504的轮廓相同。最终第二触摸金属层506中形成的第一触控引线和第二触控引线跨过第二缓冲层，原子层沉积层、第一无机封装层和触摸绝缘层504的边缘斜坡与触控引脚5066电连接，而触控引脚5066与引脚214电连接。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括显示区域和非显示区域，所述显示装置包括：
基板；
驱动电路层，设置在所述基板上，所述驱动电路层包括第一金属层，所述第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；
发光器件层，设置在所述驱动电路层上，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；
薄膜封装层，设置在所述发光器件层上，所述薄膜封装层包括第一无机封装层；
触摸感测单元，设置在所述薄膜封装层上，所述触摸感测单元包括、触摸绝缘层和第二触摸金属层；
保护层，设置在所述触摸感测单元上；
其中，所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚；或者，所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影轮廓相同，且所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层还包括有机封装层、第二无机封装层，所述第一无机封装层、所述有机封装层和所述第二无机封装层依次层叠；所述第一无机封装层、所述第二无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第一无机封装层、所述第二无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚；或者所述第一无机封装层、所述第二无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影轮廓相同，且所述第一无机封装层、所述第二无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜封装层还包括第二缓冲层、原子层沉积层，所述第二缓冲层、所述原子层沉积层和所述第一无机封装层依次层叠；所述第二缓冲层、所述原子层沉积层、第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第二缓冲层、所述原子层沉积层、第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚；或者所述第二缓冲层、所述原子层沉积层、第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影边缘轮廓相同，且所述第二缓冲层、所述原子层沉积层、第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层的边缘区域向中心区域厚度逐渐增加。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述保护层包括弧形坡部分，所述弧形坡的长度为L1、高度为H1，300≤L1/H1≤600。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层的材料为无机材料。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述触摸感测单元还包括第一触摸金属层，所述第一触摸金属层包括多个第一连接部；所述触摸绝缘层包括暴露出部分所述第一连接部的第一过孔；所述第二触摸金属层包括多个第一触摸电极块、多个第二触摸电极块和多个第二连接部；沿第一方向相邻的所述第一触摸电极块通过所述第一连接部电连接形成第一触摸电极，沿第二方向相邻的所述第二触摸电极块通过所述第二连接部电连接形成第二触摸电极。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极块和所述第二电极块均为网格状电极，所述触摸绝缘层上设置有容纳所述第一电极块和所述第二电极块的凹槽。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽为弧形凹槽，所述第一电极块和所述第二电极块的上表面与相邻的所述凹槽之间的所述触摸绝缘层的上表面平齐。
10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽贯穿所述触摸绝缘层。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二触摸金属层包括触控引脚，所述触控引脚与所述引脚电连接。
12.一种显示装置的制作方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，其特征在于，所述制作方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一金属层，所述第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；
在所述驱动电路层上形成发光器件层，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；
在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层，所述薄膜封装预备层包括第一无机预备层；
在所述薄膜封装预备层上形成触摸感测单元，所述触摸感测单元包括第一触摸金属层、触摸绝缘层和第二触摸金属层；
在所述触摸感测单元上形成保护预备层；
图案化所述保护预备层，得到前驱保护层；
以所述前驱保护层为掩膜，图案化所述第一无机预备层，得到第一无机封装层，并得到保护层；
其中，所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影边缘重合，且所述第一无机封装层和所述保护层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
13.如权利要求12所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层具体包括：
形成第一无机封装材料层，薄化所述第一无机封装材料层，得到所述第一无机预备层。
14.如权利要求13所述的显示装置的制作方法，其特征在于，在所述第一无机预备层上形成有机封装层和第二无机预备层。
15.如权利要求12所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层具体包括：
形成第二缓冲预备层；
形成原子层沉积预备层；
形成所述第一无机预备层。
16.如权利要求12所述的显示装置的制作方法，其特征在于，在图案化所述保护预备层之后，还包括对所述保护预备层进行薄化，以得到所述保护层。
17.一种显示装置的制作方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，其特征在于，所述制作方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一金属层，所述第一金属层包括位于所述非显示区域的引脚；
在所述驱动电路层上形成发光器件层，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；
在所述发光器件层上形成薄膜封装预备层，所述薄膜封装层预备包括第一无机预备层；
在所述薄膜封装预备层上形成触摸绝缘预备层；
图案化所述触摸绝缘预备层，得到触摸绝缘层；
图案化所述第一无机预备层，得到第一无机封装层；
在所述触摸绝缘层上形成第二触摸金属层；
在所述第二触摸金属层上形成保护层；
其中，所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影轮廓相同，且所述第一无机封装层和所述触摸绝缘层在所述基板上的投影不覆盖所述引脚。
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