CN110034127B - 晶体管基板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶体管基板以及显示装置，提供如下一种技术：在显示装置的边框区域，在抑制对显示装置的性能的影响的同时对多个布线高效地进行布局。在显示装置的晶体管基板中，被提供栅极信号和视频信号中一方的驱动信号的多个信号线包括被提供驱动信号的多个第一信号线。第一信号线与驱动器连接，形成于位于基板的端部与像素区域之间的边缘区域和像素区域。在边缘区域中，第一信号线以从形成于第二层的第二布线经由形成于第一层的第一布线的方式形成。

Description

晶体管基板以及显示装置
本申请是申请号为201610217497.1、申请日为2016年4月8日、发明名称为“晶体管基板以及显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种晶体管基板以及显示装置，例如，涉及一种有效应用于具有向形成于显示区域的多个显示元件传输信号的多个引出布线的显示装置的技术。
背景技术
显示装置例如具有形成于显示区域的晶体管等多个显示元件。在这种显示装置中，向多个显示元件传输信号，驱动显示元件，由此显示图像。为了向多个显示元件传输信号，需要大量的信号线。信号线的数量随着显示图像的高精细化而增大。
另外，对于显示装置，要求一种减少将显示区域的周围包围的作为非显示部分的周边区域、或者被称为边框区域的部分的面积的技术。在边框区域形成有与信号线连接且向信号线提供信号的引出线。也就是说，为了提高显示装置的性能，需要在边框区域对大量的引出线高效地进行布局。
为此，存在如下技术：将大量的引出线分配地设置在隔着绝缘膜而层叠的多个布线层中，由此在边框区域对大量的引出线高效地进行布局。例如，在专利文献1中记载了以下技术：将与形成于像素区域的多个栅极线连接的多个栅极连接线形成在多个布线层中。另外，在专利文献2中记载了以下技术：将与检查用的薄膜晶体管连接的布线形成在多个布线层中。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-53702号公报
专利文献2：日本特开2011-123162号公报
发明内容
发明要解决的问题
本申请发明人对于上述的将大量的引出线分配地设置在隔着绝缘膜而层叠的多个布线层中的技术进行研究，发现了以下的问题。此外，引出线与显示区域的信号线连接，也可以认为是信号线的一部分，因此下面将引出线也称为信号线。
例如，在将大量的信号线均等地分配到多个(通常为2层)布线层来进行布局的情况下，产生以下的问题。由于制造工艺上的理由等，形成于各布线层的布线的布线材料、布线的厚度、布线宽度、布线间距离等是有规定的，因此存在以下问题：使用电阻值高的布线层的信号线的寄生电阻增加。并且，还存在以下问题：由于追加了布线层间的电容，因此信号线的电容增加。另外，还存在以下问题：当由于布线层间的电阻差而产生每个信号线的电阻差时，会产生条纹。这些问题会对显示装置的性能产生影响，因此需要改进。
本发明的目的在于提供如下一种技术：在显示装置的边框区域，在抑制对显示装置的性能的影响的同时对多个布线高效地进行布局。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式的晶体管基板具备：基板；像素区域，其具有晶体管，形成有使图像显示的像素；边缘区域，其位于所述基板的端部与所述像素区域之间；多个信号线，其被提供栅极信号和视频信号中一方的驱动信号；绝缘膜，其覆盖所述信号线；驱动器，其设置于所述边缘区域，至少提供所述驱动信号；第一布线，其形成于第一层；以及第二布线，其形成于第二层，该第二层隔着所述绝缘膜位于与所述第一层不同的层。多个所述信号线包括被提供所述驱动信号的多个第一信号线，所述第一信号线与所述驱动器连接，形成于所述边缘区域和所述像素区域，在所述边缘区域中，所述第一信号线以从所述第二布线经由所述第一布线的方式形成。
另外，作为另外一个方式，也可以为具备所述晶体管基板的显示装置，在所述边缘区域形成有紫外线固化树脂，所述基板是透光性的，以如下方式形成所述信号线：在形成有所述信号线的区域与形成有所述紫外线固化树脂的区域相重叠的重叠区域中，形成能够经由所述基板向所述紫外线固化树脂照射紫外光的间隙。
附图说明
图1是表示一个实施方式的显示装置的一例的俯视图。
图2是沿着图1的A-A线的剖视图。
图3是图2的B部分的放大剖视图。
图4是图2的C部分的放大剖视图。
图5是示意性地表示图1所示的引出布线部的布局的放大俯视图。
图6是表示在图5所示的引出布线部中将多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大俯视图。
图7是表示图6所示的布局例的布线的A部分的放大俯视图。
图8是表示图6所示的布局例的布线的B部分的放大俯视图。
图9是表示图6所示的布局例的布线的C部分的放大俯视图。
图10是表示图6所示的布局例的布线的D部分的放大俯视图。
图11是表示图6所示的布局例的布线的E部分的放大俯视图。
图12是表示图6所示的布局例的布线的F部分的放大俯视图。
图13是详细表示图9所示的布线的G部分的放大俯视图。
图14是沿着图13的A-A线的放大剖视图。
图15是表示图1所示的显示元件部中设置的显示元件的构造例的放大剖视图。
图16是表示将图14所示的第一层的布线层的布线与第二层的布线层的布线电连接的构造例的放大剖视图。
图17是表示在与图6对应的比较例中将多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大俯视图。
图18是表示与图13对应的比较例的布线的详情的放大俯视图。
图19是沿着图18的A-A线的放大剖视图。
图20是表示图6所示的布局例的布线电阻特性的说明图。
图21是表示图17所示的布局例的布线电阻特性的说明图。
图22是与图6相对的变形例，是表示将5根布线为一组的多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大剖视图。
图23是与图6相对的变形例，是表示将4根布线为一组的多个布线在3层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大剖视图。
附图标记说明
AF1、AF2：取向膜；BM：遮光膜；BS、FS：基板；BSb、FSb背面；BSf、FSf：前表面；BSg、FSg：基材；BSs1、BSs2、BSs3、BSs4：边；CC：电路部；CE：公共电极；CF：彩色滤光片；CFr、CFg、CFb：彩色滤光片像素；CHP：半导体芯片；CNT1：控制电路；CR：变换部；CA：变换区域；DP：显示部；DPQ：显示元件部；DR1：驱动电路；DT：漏极电极；EG11、EG12、EG21、EG22：端部；FL：边框部；GP：间隙；GT：栅极电极；IL1、IL2、IL3：绝缘膜；IPC：输入部；L1、L2、L3：布线层；LCD1、LCD2、LCD3、LCD4：显示装置；LCL：液晶层；LD：引出布线部；LS：光源；OC1、OC2：树脂层；OP1：开口部；P21、P22：位置；PE：像素电极；PL1、PL2：偏振片；PS：部件；Q1：晶体管；S1、S2、S3：相离距离；SCL：半导体层；SL：密封部；SLp：密封材料；ST：源极电极；SW1、SW2：信号线；VW：观看者；W1、W2、W3：布线宽度；WL、WL1、WL2、WL3：布线。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的各实施方式。此外，公开终归不过是一个例子，本领域技术人员能够容易地想到的具有发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围中。另外，为了使说明更明确，存在与实际的方式相比，附图示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但是这终归是一个例子，并不用于对本发明的解释进行限定。
另外，在本说明书和各图中，对于与之前在已出现的图中叙述过的要素相同的要素，有时标注相同或关联的附图标记，并适当省略详细的说明。
(一个实施方式)
在本实施方式中说明的技术能够广泛应用于具备以下结构的显示装置：从设置有显示元件层的显示区域的周围向显示区域的多个元件提供信号。此外，显示元件层只要能够控制光的输出，则可以是任意的构造。作为显示元件层的例子，能够列举出液晶分子、有机EL(Electro-Luminescence：电致发光)、Micro Electro Mechanical System(MEMS：微机电系统)快门。在本实施方式中，作为显示元件层和显示装置的代表例，列举液晶显示装置来进行说明。
另外，液晶显示装置根据用于使作为显示元件层的液晶层的液晶分子的取向发生变化的电场的施加方向而大致分类为以下两种。即，作为第一分类，存在沿显示装置的厚度方向(或者面外方向)施加电场的所谓纵电场模式。纵电场模式例如包括TN(TwistedNematic：扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直对准)模式等。另外，作为第二分类，存在沿显示装置的平面方向(或者面内方向)施加电场的所谓横电场模式。横电场模式例如包括IPS(In-Plane Switching：平面变换)模式、作为IPS模式之一的FFS(FringeField Switching：边缘场变换)模式等。下面说明的技术既能够应用于纵电场模式也能够应用于横电场模式，但是在本实施方式中，作为一例，列举横电场模式的显示装置来进行说明。
<显示装置的基本结构>
首先，说明显示装置的基本结构。图1是表示本实施方式的显示装置的一例的俯视图。图2是沿着图1的A-A线的剖视图。图3是图2的B部分的放大剖视图。图4是图2的C部分的放大剖视图。
此外，在图1中，为了便于观察俯视下的显示部DP与边框部FL的边界，以双点划线示出了显示部DP的轮廓。另外，图1所示的多个布线WL从显示部DP的周边区域延伸到与显示部DP重合的区域。另外，图2是剖视图，但是为了便于观察而省略了阴影线。
如图1所示，本实施方式的显示装置LCD1具有显示部DP，该显示部DP是根据输入信号来形成能够从外部视觉识别的图像的显示区域。该显示部DP也称为形成有使图像显示的像素的像素区域。另外，显示装置LCD1具有边框部FL，该边框部FL是在俯视下呈框状地设置于显示部DP周围的非显示区域。该边框部FL也称为位于基板的端部与显示部DP之间的边缘区域。
此外，本显示装置的显示区域具有矩形形状，但是显示区域也可以是多边形、圆形。另外，显示区域也可以延伸到显示装置的端部附近。在该情况下，显示区域的周边区域不会成为边框形状，但是在该情况下也称为边框部。
另外，显示装置LCD1具备在相对配置的一对基板之间形成有作为显示元件层的液晶层的构造。即，如图2所示，显示装置LCD1具有显示面侧的基板FS、位于基板FS的相反侧的基板BS以及配置于基板FS与基板BS之间的液晶层LCL(参照图3)。
另外，图1所示的基板BS具有在俯视下沿着X方向延伸的边BSs1、与边BSs1相对的边BSs2、沿着与X方向正交的Y方向延伸的边BSs3以及与边BSs3相对的边BSs4。图1所示的基板BS所具有的边BSs2、边BSs3以及边BSs4各自到显示部DP的距离是相同程度的，比边BSs1到显示部DP的距离短。下面，在本申请中，在记载为基板BS的周缘部的情况下，表示构成基板BS的外缘的边BSs1、边BSs2、边BSs3以及边BSs4中的某一个。另外，在仅记载为周缘部的情况下，表示基板BS的周缘部。
另外，图1所示的显示部DP中设置的液晶层LCL根据施加于电路部CC的信号来按每个像素(详细地说为子像素)进行驱动。
电路部CC与显示元件部DPQ连接，该显示元件部DPQ在与显示部DP重合的位置排列有多个显示元件。设置于显示元件部DPQ的多个显示元件按每个像素(详细地说为子像素)设置成矩阵状，进行开关动作。在本实施方式中，多个显示元件是形成于基板的被称为TFT(Thin-Film Transistor：薄膜晶体管)的晶体管。
另外，电路部CC设置于显示部DP周围的边框部FL，包括与显示元件部DPQ的多个显示元件电连接的多个布线WL。另外，对显示元件层进行驱动的电路部CC包括输入部IPC，该输入部IPC与显示元件部DPQ电连接，经由多个布线WL向显示元件部DPQ的多个显示元件输入驱动信号、视频信号。在图1所示的例子中，输入部IPC中搭载有半导体芯片CHP，该半导体芯片CHP形成有图像显示用的驱动电路DR1、控制电路CNT1。
另外，在图1所示的例子中，输入部IPC设置于显示装置LCD1的边框部FL中的、基板BS的边BSs1与显示部DP之间。另外，在基板BS的边BSs1与显示部DP之间设有形成有多个布线WL的引出布线部LD。显示元件部DPQ与输入部IPC经由引出布线部LD而电连接。引出布线部LD的详细构造在后面叙述。
另外，显示装置LCD1具有在俯视下形成于边框部FL的密封部。密封部形成为连续地包围显示部DP的周围，图2所示的基板FS与基板BS通过设置于密封部的密封材料而粘接固定。通过像这样在显示部DP的周围设置密封部，能够密封作为显示元件层的液晶层LCL(参照图3)。
另外，如图2所示，在显示装置LCD1的基板BS的背面BSb侧设置有使从光源LS产生的光偏振的偏振片PL2。偏振片PL2固定于基板BS。另一方面，在基板FS的前表面FSf侧设置有偏振片PL1。偏振片PL1固定于基板FS。
另外，如图3所示，显示装置LCD1具有配置于基板FS与基板BS之间的多个像素电极PE和公共电极CE。本实施方式的显示装置LCD1如上所述那样是横电场模式的显示装置，因此多个像素电极PE和公共电极CE分别形成于基板BS。
图3所示的基板BS具有由玻璃基板等构成的基材BSg，主要是图像显示用的电路形成于基材BSg。基板BS具有位于基板FS侧的前表面BSf和位于其相反侧的背面BSb(参照图2)。另外，在基板BS的前表面BSf侧，呈矩阵状地形成有TFT等显示元件和多个像素电极PE。基板BS形成有TFT，因此被称为TFT基板、晶体管基板等。
图3所示的例子示出了横电场模式(详细地说为FFS模式)的显示装置LCD1，因此公共电极CE形成于基板BS所具备的基材BSg的前表面侧，被作为绝缘膜的树脂层OC2所覆盖。另外，多个像素电极PE以隔着树脂层OC2与公共电极CE相对的方式形成于树脂层OC2的基板FS侧。此外，作为绝缘膜，也可以用氮化硅、氧化硅之类的无机材料来代替树脂层OC2。
另外，图3所示的基板FS是在由玻璃基板等构成的基材FSg上形成有用于形成彩色显示的图像的彩色滤光片CF的基板，具有作为显示面侧的前表面FSf(参照图2)和位于前表面FSf的相反侧的背面FSb。如基板FS那样形成有彩色滤光片CF的基板在与所述形成有TFT的TFT基板进行区分时，被称为彩色滤光片基板，或者由于隔着液晶层与TFT基板相对而被称为对置基板等。此外，作为针对图3的变形例，也可以采用将彩色滤光片CF设置于TFT基板的结构。
基板FS在例如玻璃基板等的基材FSg的一个面上形成有周期地排列红(R)、绿(G)、蓝(B)这三个颜色的彩色滤光片像素CFr、CFg、CFb而构成的彩色滤光片CF。在彩色显示装置中，例如以该红(R)、绿(G)、蓝(B)这三个颜色的子像素为1组，构成1个像素(也称为1pixel)。基板FS的多个彩色滤光片像素CFr、CFg、CFb配置于与具有形成于基板BS的像素电极PE的各个子像素彼此相对的位置。
另外，在各色的彩色滤光片像素CFr、CFg、CFb各自的边界形成有遮光膜BM。遮光膜BM例如由黑色的树脂、低反射性的金属构成。遮光膜BM在俯视下一般形成为格子状。在该情况下，基板FS在形成为格子状的遮光膜BM的开口部具有所形成的各色的彩色滤光片像素CFr、CFg、CFb。此外，构成1个像素的颜色不限定于红(R)、绿(G)、蓝(B)这三个颜色。另外，遮光膜BM不限定于格子状，也可以是条纹状的。
此外，在本申请中，记载为显示部DP或显示区域的区域被规定为比边框部FL靠内侧的区域。另外，边框部FL是从图2所示的光源LS照射的光被遮光膜BM等遮蔽的周边区域。遮光膜BM也形成于显示部DP内，但是在显示部DP中在遮光膜BM上形成有多个开口部。一般来说，遮光膜BM中形成的埋入有彩色滤光片CF的开口部中的、形成于最周缘部侧的开口部的端部被规定为显示部DP与边框部FL的边界。
另外，基板FS具有覆盖彩色滤光片CF的树脂层OC1。在各色的彩色滤光片像素CFr、CFg、CFb的边界形成有遮光膜BM，因此彩色滤光片CF的内面为凹凸面。树脂层OC1作为使彩色滤光片CF的内面的凹凸平坦化的平坦化膜而发挥功能。
另外，在基板FS与基板BS之间，设置有通过对像素电极PE与公共电极CE之间施加显示用电压来形成显示图像的液晶层LCL。液晶层LCL与所施加的电场的状态相应地对通过液晶层LCL的光进行调制。
另外，基板FS在作为与液晶层LCL接触的界面的背面FSb具有覆盖树脂层OC1的取向膜AF1。另外，基板BS在作为与液晶层LCL接触的界面的前表面BSf具有覆盖树脂层OC2和多个像素电极PE的取向膜AF2。该取向膜AF1、AF2是为了使液晶层LCL所包含的液晶的初始取向统一而形成的树脂膜，例如由聚酰亚胺树脂构成。
另外，如图4所示，设置于液晶层LCL的周缘部侧的密封部SL具备密封材料SLp。液晶层LCL被封入到由密封材料SLp包围的区域内。也就是说，密封材料SLp具有作为防止液晶层LCL漏出的密封材料的功能。另外，密封材料SLp与基板FS的背面FSb和基板BS的前表面BSf分别紧密接合，基板FS与基板BS通过密封材料SLp而粘接固定。也就是说，密封材料SLP具有作为将基板FS和基板BS粘接固定的粘接部件的功能。
另外，在图4所示的例子中，密封部SL具有配置于液晶层LCL的周围且沿着液晶层LCL的外缘延伸的部件即部件PS。部件PS作为阻挡取向膜AF1的扩展的阻挡用部件而发挥功能。另外，图3和图4所示的液晶层LCL的厚度与基板FS、基板BS的厚度相比极薄。例如，液晶层LCL的厚度若与基板FS、基板BS的厚度相比，为其0.1％～10％左右的厚度。在图3和图4所示的例子中，液晶层LCL的厚度例如为3μm～4μm左右。
<引出布线部的详情>
接着，说明图1所示的引出布线部LD的详情。图5是示意性地表示图1所示的引出布线部的布局的放大俯视图。图6是表示在图5所示的引出布线部中将多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大俯视图。图7～图12是表示图6所示的布局例的布线的各部分(A部分、B部分、C部分、D部分、E部分、F部分)的放大俯视图。图13是详细表示图9所示的布线的G部分的放大俯视图。图14是沿着图13的A-A线的放大剖视图。
另外，图15是表示图1所示的显示元件部中设置的显示元件的构造例的放大剖视图。图16是表示将图14所示的第一层的布线层的布线与第二层的布线层的布线电连接的构造例的放大剖视图。
另外，图17～图19是用于说明针对本实施方式的比较例的显示装置的图。图17是表示在与图6对应的比较例中将多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大俯视图。图18是表示与图13对应的比较例的布线的详情的放大俯视图。图19是沿着图18的A-A线的放大剖视图。
此外，在图6和图17中，为了易于区分形成于不同层的第一布线WL1和第二布线WL2，以虚线表示形成于第一层的第一布线WL1，以实线表示形成于第二层的第二布线WL2，以粗实线表示将第一层与第二层的2层化部分分割并使层构造变更而形成的变换区域CA。另外，在图6中，仅示出了图1所示的引出布线部LD中的、X方向上的中心线起的左半部分。在图17中也同样。另外，在图7～图12中，以点显示来表示形成于第一层的第一布线WL1，以阴影线显示来表示形成于第二层的第二布线WL2。
在各图中，布线WL是本发明的信号线的一例。另外，第一信号线SW1是本发明的第一信号线的一例，第二信号线SW2是本发明的第二信号线的一例。驱动电路DR1是本发明的驱动器的一例。边框部FL是本发明的边缘区域的一例，显示部DP是本发明的像素区域的一例。
图1所示的引出布线部LD中形成有多个布线WL，该多个布线WL包括向显示元件部DPQ传输视频信号的多个驱动信号线以及向显示元件部DPQ传输栅极信号的多个驱动信号线。为了使显示装置的像素数增加来提高显示图像的精细度，需要使驱动信号线的数量增加，因此需要一种在有限的空间内配置大量的布线WL的技术。
为此，将大量的布线WL分配地设置在层叠的多个布线层中，由此能够在边框部FL对大量的布线WL高效地进行布局。并且，本申请发明人研究了以下技术：在将多个布线WL分配到层叠的多个布线层的情况下，在抑制对显示装置的性能的影响的同时对多个布线WL高效地进行布局。
首先，如图5所示，输入部IPC在X方向上的长度PL1与显示部DP在X方向上的长度PL2不同。因此，将输入部IPC与显示部DP电连接的布线WL的一部分需要在相对于X方向和与X方向正交的Y方向分别交叉的方向上延伸。因此，引出布线部LD在显示部DP与输入部IPC之间具有多个布线WL沿着与Y方向和X方向交叉的方向延伸的部分。换言之，具有多个布线WL在相对于Y方向和X方向以任意的角度倾斜的方向上延伸的部分。另外，期望的是，具有多个布线WL沿着Y方向延伸的部分、多个布线WL沿着X方向延伸的部分。
在如本实施方式那样多个布线WL沿着与Y方向和X方向交叉的方向延伸的部分中，在由于减小芯片的长度以削减芯片成本而导致输入部IPC的长度PL1变小的情况下，或者在缩小边框部FL中的、基板BS的边BSs1与显示部DP的间隔以实现窄边框化的情况下，相邻的布线WL间的距离变窄。换言之，需要高效地进行多个布线WL沿着与Y方向和X方向交叉的方向延伸的部分处的布局。
接着，作为针对本实施方式的比较例，研究了以下情况：如图17～图19所示的显示装置LCD2那样，在隔着绝缘膜的2层的布线层中均等地分配多个布线WL来进行拉绕。例如，隔着绝缘膜的一方的布线层与TFT的栅极电极为同层，另一方的布线层与TFT的源极/漏极电极为同层。在2层的布线层中拉绕布线WL的情况下，如图17～图19所示，设置于第一层的布线层L1(参照图19)的第一布线WL1与设置于第二层的布线层L2(参照图19)的第二布线WL2被设置成相互不重合。
但是，在显示装置LCD2的例子中，如图17～图19所示，在俯视下，第一布线WL1与第二布线WL2在不同的层中交替地排列。在该情况下，能够将形成于第一层的布线层L1(参照图19)的多个第一布线WL1中的、相邻的第一布线WL1之间的空间有效利用为第二布线WL2的形成区域。
另外，在如显示装置LCD2那样在多个布线层中分别形成布线WL的情况下，由于制造工艺上的理由等，有时要使布线材料、布线的厚度、布线宽度以及布线间距离等按每个布线层而不同。例如，说明了在图1所示的显示元件部DPQ中形成TFT来作为多个显示元件的情况。从高效地形成图17～图19所示的引出布线部LD的多个布线层的观点出发，优选的是，在形成TFT的栅极电极、源极电极时统一形成。在该情况下，由于TFT的制造工艺，有时布线材料、布线的厚度、布线宽度以及布线间距离会按每个布线层而不同。
例如，在所述作为显示元件的TFT如图15所示的晶体管Q1那样具有底部栅极方式的构造(即栅极电极GT形成于源极电极ST和漏极电极DT下方)的情况下，在第一层的布线层L1中形成栅极电极GT。另外，在第二层的布线层L2中形成源极电极ST和漏极电极DT。在图15所示的例子中，栅极电极GT形成于第一层的布线层L1，被作为栅极绝缘膜的绝缘膜IL1所覆盖。绝缘膜IL1例如是由氧化硅、氮化硅或者它们的层叠膜构成的无机绝缘膜。另外，源极电极ST和漏极电极DT形成于设置在绝缘膜IL1上的第二层的布线层L2，被绝缘膜IL2所覆盖。绝缘膜IL2是作为晶体管Q1、布线层L2的保护膜而发挥功能的绝缘膜。绝缘膜IL2覆盖晶体管Q1，因此由覆盖性比无机膜好的有机膜构成，并且被由氮化硅等无机绝缘膜构成的绝缘膜IL3所覆盖。
在图15所示的晶体管Q1的制造工艺中，在形成了栅极电极GT之后，在作为覆盖栅极电极GT的栅极绝缘膜的绝缘膜IL1上形成半导体层SCL。此外，图15的晶体管是底部栅极构造，但是也存在如下的顶部栅极的晶体管：在接近基材BSg的一侧形成半导体层，在形成半导体层之后形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上设置栅极电极。在形成晶体管时，有时进行热处理，从而对在形成栅极电极GT的布线层L1上形成的第一布线WL1(参照图17～图19)要求热处理耐受性的情况多。因此，例如，有时利用钼(Mo)、铬(Cr)等高熔点金属材料来形成在布线层L1上形成的第一布线WL1。另一方面，源极电极ST、漏极电极DT能够在热处理之后形成，因此对于在布线层L2上形成的第二布线WL2(参照图17～图19)，能够使用例如铝(Al)等低电阻金属材料。此外，各个第一布线WL1、第二布线WL2不限于单层的金属，也可以是将多种金属、如铟氧化物这样的金属氧化物层叠而成的材料。例如，能够使用基于钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)、钼(Mo)/铝(Al)/钼(Mo)、钼(Mo)/铟氧化物、铬(Cr)/铟氧化物的层叠膜的布线。
可知的是，在像这样布线材料、布线的厚度、布线宽度以及布线间距离等按每个布线层而不同的情况下，在单纯交替地排列第一布线WL1和第二布线WL2的情况下，存在如以下那样的问题。例如，在将大量的布线WL均等地分配到多个(通常为2层，也能够为3层以上)布线层来进行布局的情况下，产生以下的问题。首先，存在以下问题：使用电阻值高的布线层的布线WL的布线电阻增加。并且，还存在以下问题：由于追加了布线层间的电容，因此布线WL的电容增加。另外，还存在以下问题：当由于布线层间的电阻差而产生每个布线WL的电阻差时，针对各像素的信号的到达速度不均匀从而产生条纹等显示不良。这些问题会对显示装置的性能产生影响，因此需要改进。
另外，当使形成于不同的布线层的布线WL正上或正下地重合时，产生寄生电容大幅增加的问题。另一方面，当不使形成于不同布线层的布线WL重叠时，设置有布线WL的边框部FL的宽度会变大。另外，关于表示形成于布线层的布线WL的布线宽度和相离距离的L/S(线和空间)的值，成为与在所使用的布线层中最小L/S的值最大的布线层相应的L/S的值。因此，同样地，设置有布线WL的边框部FL的宽度会变大。
因此，本申请发明人进一步研究了在抑制对显示装置的性能的影响的同时将多个布线WL在2层的布线层中高效地进行布局的技术，发现了图6～图14所示的本实施方式的结构。在图6中，示出了将多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例，并且提取3根布线为一组的部分来表示。在所提取出的该3根布线为一组的部分中，示出A部分、B部分、C部分、D部分、E部分以及F部分的各部分的布局例的是图7～图12。在图7～图12中，示出了多组3根布线为一组的部分。
图7是刚从输入部IPC输出后的部分(A部分)，示出了用于匹配极性的布线的转换构造。图8、图9、图10以及图11是将第一层与第二层的2层化部分分割的部分(B部分、C部分、D部分、E部分)，示出了对经由布线的第二层的布线进行变更的变换部的构造。图12是向显示部DP的输入部分(F部分)，示出了用于使极性恢复的布线的转换用的交叉部的构造。另外，图13是提取图9中的G部分来表示的图，图14表示沿着图13的A-A线切断的剖视图。
在本实施方式的显示装置LCD1中，如图6所示，布线WL是被提供驱动信号(栅极信号和视频信号中一方的驱动信号)的信号线组。作为布线WL的一部分的第一信号线SW1包括形成于第二层的第二布线WL2以及将第一层与第二层的2层化部分分割并使层构造变更而形成的第一布线WL1。第一信号线SW1与输入部IPC内的驱动电路DR1连接，形成于边框部FL和显示部DP。其中，在边框部FL，第二布线WL2形成为通过第二层的布线层L2(参照图14)，第一布线WL1以从第二层的布线层L2经由第一层的布线层L1的方式形成(参照图14)。
作为布线WL的一部分的第二信号线SW2也与输入部IPC内的驱动电路DR1连接，形成于边框部FL和显示部DP。但是，第二信号线SW2虽然包括形成于第二层的第二布线WL2，但是不包括第一布线WL1。
在第一层的布线层L1中形成有使用Mo金属的第一布线WL1，在第二层的布线层L2中形成有使用Ti/Al/Ti的金属的第二布线WL2。
如图8～图11、图13以及图14所示，在俯视下，形成于第一层的布线层L1的第一布线WL1与形成于第二层的布线层L2的第二布线WL2形成为相重叠。例如，如图14所示，在形成于第一层的布线层L1的第一布线WL1的1根与形成于第二层的布线层L2的第二布线WL2的2根、这3根布线WL为一组的结构中，第一布线WL1的Y方向上的两个端部与第二布线WL2的Y方向上的一个端部在Z方向上重叠地配置。
形成于第一层的布线层L1的第一布线WL1与形成于第二层的布线层L2的第二布线WL2的材料互不相同。如上所述，第一布线WL1由Mo的金属构成，第二布线WL2由Ti/Al/Ti的层叠膜的金属构成。另外，作为第一布线WL1的材料的Mo的电阻率为5.6×10-8Ωm(温度20℃)。另一方面，在作为第二布线WL2的材料的Ti/Al/Ti的层叠膜中，其主材料的Al的电阻率为2.75×10-8Ωm(温度20℃)。这样，第二布线WL2的材料的电阻率比第一布线WL1的材料的电阻率低。需要说明的是，在布线为多种材料的层叠膜的情况下，布线的材料的电阻率为主材料的电阻率。
第一布线WL1的材料与第二布线WL2的材料也可以是同一材料。另外，在使材料不同的情况下，优选的是，主要使用的第二布线WL2的材料的电阻率比第一布线WL1的材料低。另外，考虑到各布线间的信号的传递速度的平衡，优选的是，第二布线WL2的材料的电阻率相对于第一布线WL1的材料的电阻率为3倍以下。
另外，形成于第一层的布线层L1的第一布线WL1与形成于第二层的布线层L2的第二布线WL2的布线宽度、厚度、布线密度等也互不相同。作为主要的理由，能够列举出各布线间的寄生电容的降低、在第一布线WL1与第二布线WL2之间取得电阻值的平衡。除此以外，在布线组与密封部SL的密封材料SLp(参照图4)相重叠的情况下，能够形成后述的间隙GP，使紫外线能够到达显示装置内部，从而能够使与布线重叠设置的密封材料SLp固化。例如，在图14中，为第一布线WL1的布线宽度W1比第二布线WL2的布线宽度W2宽的构造。另外，为第一布线WL1的相离距离S1比第二布线WL2的相离距离S2宽的构造。
关于第一布线WL1和第二布线WL2的厚度，为第二布线WL2的厚度比第一布线WL1的厚度厚的构造。另外，为绝缘膜IL2的厚度比绝缘膜IL1的厚度厚的构造。
关于第一布线WL1和第二布线WL2的布线密度，例如，在图14中，3根布线WL为一组，其中，在第二层的布线层L2中配置2根第二布线WL2，在第一层的布线层L1中配置1根第一布线WL1。这样，为第二布线WL2的布线密度比第一布线WL1的布线密度高的构造。换言之，第一布线WL1是高电阻的材料，第二布线WL2为以下的构造：电阻值最低的布线层或者所述L/S最小的布线层上的第二布线WL2的根数比其它布线层的第一布线WL1的根数多。
另外，如图14所示，在3根布线WL为一组的构造中，在相邻的各组的第二布线WL2与第二布线WL2之间设置有未形成第一布线WL1的间隙GP。该间隙GP是用于对紫外线固化树脂(其作为形成于边框部FL的密封部SL的密封材料SLp(参照图4))照射紫外光的开口部。即，如图4等所示，在显示装置LCD1的边框部FL形成有利用紫外线固化树脂的密封材料SLp。并且，基板BS如上所述那样由玻璃基板等构成，有透光性。而且，以在形成有布线WL的区域与形成有紫外线固化树脂的区域相重叠的重叠区域形成能够经由基板BS向紫外线固化树脂照射紫外光的间隙GP的方式形成布线WL。换言之，形成为第一布线WL1之间的间隙与第二布线WL2之间的间隙相重叠。
另外，在显示装置LCD1的边框部FL设置有变换部CR，该变换部CR例如如图6所示，在3根布线WL为一组的构造中，在相邻的2根第一布线WL1与第二布线WL2之间变换层构造。即，在边框部FL设置有通过贯穿绝缘层的开口部对经由第一布线WL1的布线WL进行变换的变换部CR。下面，作为布线的具体例，以栅极信号线或视频信号线为例来说明详情。
例如，在表示图6中的B部分的图8中，在变换部CR附近，经由第二布线WL2的信号线被层变换为作为其它层的布线的第一布线WL1。接着，在表示图6中的C部分的图9中，在图8中经由第一布线WL1的信号线在变换部CR附近被层变换为经由第二布线WL2。而且，在图8中经由第二布线WL2的信号线在变换部CR附近被层变换为经由第一布线WL1。除此以外，这两个信号线在变换部CR附近交叉。接着，在表示图6中的D部分的图10中也同样地，在图9中经由第一布线WL1的信号线在变换部CR附近被层变换为经由第二布线WL2。而且，在图8和图9中未经由第一布线WL1的信号线在图10的变换部CR附近被层变换为经由第一布线WL1。接着，在表示图6中的E部分的图11中，在图10中经由第一布线WL1的信号线在变换部CR附近被层变换为经由第二布线WL2，从而全部信号线经由形成有第二布线WL2的层。
这样，在3根布线WL(信号线)为一组的构造中，变换部CR设置于B部分、C部分、D部分以及E部分这4处，各个布线从A部分到F部分相连地形成。而且，在变换部CR附近，使另外的信号线经由第一布线WL1，最终一组3根信号线全部经由第一布线WL1。
另外，在3根布线WL为一组的构造中，各组的3根布线为了降低有效寄生电容而变为相同极性。例如，在如表示图6中的A部分的图7那样，从输入部IPC提供的信号的极性在相邻的布线之间为相反极性的情况下，在变换部CR之前设置交叉部来变更布线彼此的排列顺序，使一组的3根布线的极性为同一极性。也就是说，通过交叉部来转换排列顺序，使得如正极性的一组的3根布线、与其相邻的负极性的一组的3根布线那样，按各组极性是交替的。
而且，如表示图6中的F部分的图12那样，在向显示部DP的输入部分中，对一组的3根信号线为相同极性的信号线的极性进行转换，使其恢复成正极性、负极性、正极性、负极性。这种信号线的极性是为了避免通过施加交替提供正极和负极的电压的交流来进行驱动，从而在像素电极侧产生正负电荷的偏集而导致寿命变短。
另外，在输入部IPC与显示部DP之间，如图6所示，从输入部IPC引出的信号线使用了第二层的第二布线WL2。而且，信号线与形成有对要经由的布线层进行变换的变换部CR的变换区域CA连接。而且，信号线在变换区域CA内经由第一层的第一布线WL1后再次与第二布线WL2连接，从而连接到显示部DP。
在这种输入部IPC到显示部DP的布线的拉绕构造中，存在变换部CR的部分例如在图6中为输入部IPC的端部EG11与显示部DP的端部EG12之间的Y方向上的区域。即，输入部IPC相对于显示部DP设置在Y方向上，在输入部IPC的端部EG11与显示部DP的端部EG12之间的Y方向上的区域设置有变换部CR。在另外的观点下，为以下的构造：在图6中，在从输入部IPC的端部EG21与显示部DP的端部EG22之间的X方向上的一半的位置P21到显示部DP的端部EG22之间，不存在变换部CR。或者，为以下的构造：在从输入部IPC的端部EG21与显示部DP的端部EG22之间的X方向上的一半的位置P21到显示部DP的中心的位置P22之间，存在变换部CR。
另外，在变换区域CA中，具有在图6中提取示出的上侧、中央以及下侧这3根布线一组的布线组。各布线在从B部分的变换部CR到E部分的变换部CR之间，在第一布线WL1内的经由长度实质上相同。例如，3根中的在B部分的变换部CR之前位于上侧的布线，在B部分的变换部CR与C部分的变换部CR之间经由第一布线WL1。另外，3根中的在B部分的变换部CR之前位于中央的布线，在C部分的变换部CR与D部分的变换部CR之间经由第一布线WL1。另外，3根中的在B部分的变换部CR之前位于下侧的布线，在D部分的变换部CR与E部分的变换部CR之间经由第一布线WL1。这样，在3根布线为一组的构造中，相邻的布线在第一布线WL1内的经由长度实质上相同。实质上相同是指以使作为整体的布线电阻一致的方式使第一布线WL1的长度一致，例如处于0.7～1.3倍左右的范围内。
如上所述，在3根布线为一组的构造中，相邻的布线在第一布线WL1内的经由长度实质上相同，但是在3根布线为一组的各组之间，经由第一布线WL1的长度不同。例如，在图6中，在配置于接近输入部IPC的位置的布线以及配置于输入部IPC与显示部DP之间的中心附近的布线中，经由第一布线WL1的长度不同。各组之间的变换区域CA处的第一布线WL1的长度在接近输入部IPC的位置最短，随着接近输入部IPC与显示部DP之间的中心附近而变长，然后，在接近显示部DP的位置再次变短。作为代表例，各组的布线经由第一布线WL1的长度相互超过1.3倍或小于0.7倍。
在图6～图12等所示的对布线的层进行变换的变换部的构造中，将第一层的布线层L1与第二层的布线层L2电连接的方法例如如图16所示。图16是表示将第一层的布线层的布线与第二层的布线层的布线电连接的构造例的放大剖视图。
在图16所示的例子中，在覆盖第一层的布线层L1的绝缘膜IL1形成有开口部OP1，在开口部OP1，第一布线WL1从绝缘膜IL1露出。另外，形成于第二层的布线层L2的第二布线WL2的一部分被埋入到形成于绝缘膜IL1的开口部OP1中，与第一布线WL1电连接。这样，通过在覆盖布线层L1的绝缘膜IL1的一部分上形成开口部OP1，能够将第二层的布线层L2的第二布线WL2与第一层的布线层L1的第一布线WL1电连接。
在此，对图6～图14所示的本实施方式的显示装置LCD1和图17～图19所示的针对本实施方式的比较例的显示装置LCD2中的布线电阻特性的不同进行说明。图20是表示本实施方式的显示装置LCD1中图6所示的布局例的布线电阻特性的说明图。图21是表示针对本实施方式的比较例的显示装置LCD2中图17所示的布局例的布线电阻特性的说明图。在图20～图21中，横轴表示信号线地址，纵轴表示信号线电阻。信号线地址与图6和图17所示的布局例对应，信号线地址的外侧与图6和图17所示的布局例中的左侧端部的位置对应，信号线地址的内侧与图6和图17所示的布局例中的右侧端部的位置对应。
在针对本实施方式的比较例的显示装置LCD2中，如图21所示，第一层的第一布线WL1为Mo的布线，第二层的第二布线WL2为Al的布线。Mo的布线的信号线的电阻高，Al的布线的信号线的电阻低，因此布线之间电阻不同。另外，信号线的电阻还根据信号线的地址而不同，在外侧(远离输入部IPC的一侧)最高，随着移向内侧(接近输入部IPC的一侧)而减少。而且，为如下的特性：在接近内侧的位置最低，在内侧增加。当像这样布线之间电阻不同、从而由于布线间的电阻差而产生每个信号线的电阻差时，会导致产生对显示装置LCD2的性能造成影响的条纹等图像质量劣化。
与此相对，在本实施方式的显示装置LCD1中，为如图20那样的特性。图20与图6所示的布局例对应，是对一部分布线进行层变换、取得布线彼此的层变换后的长度的平衡的构造的例子。在图20所示的特性中，第一信号线SW1为将第一布线WL1与第二布线WL2连接而成的布线，因此布线间的电阻差变小。另外，根据信号线的地址的不同，从外侧到内侧，第一信号线SW1和第二信号线SW2内的电阻的偏差小，为在从外侧到内侧的范围取得了平衡的特性。由此，能够抑制每个信号线的电阻差所引起的条纹的产生，从而能够抑制对显示装置LCD1的性能的影响。
<变形例>
说明本实施方式的显示装置LCD1中的变形例。在变形例中，主要说明与上述图6～图16所示的显示装置LCD1的不同点。图22是针对图6(图14)的变形例，是表示将5根布线为一组的多个布线在2层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大剖视图。图23是针对图6(图14)的变形例，是将4根布线为一组的多个布线在3层的布线层中拉绕的情况下的布局例的放大剖视图。
图22所示的变形例的显示装置LCD3为以下情况：应用于5根布线为一组的构造来代替上述3根布线为一组的构造，将一组的5根布线在2层的布线层中拉绕。如图22所示，在一组的5根布线中，在第二层的布线层L2配置3根第二布线WL2，在第一层的布线层L1配置2根第一布线WL1。在该构造中也是，电阻值最低的布线层或L/S最窄的布线层中的第二布线WL2的根数比其它布线层中的第一布线WL1的根数多，第二布线WL2的布线密度比第一布线WL1的布线密度高。
另外，第一布线WL1和第二布线WL2中的布线宽度、相离距离如以下那样。例如，在图22中，为第一布线WL1的布线宽度W1比第二布线WL2的布线宽度W2宽的构造。另外，为第一布线WL1的相离距离S1比第二布线WL2的相离距离S2窄的构造。
在图22所示的变形例的显示装置LCD3中，除了上述不同点以外，与图6～图16所示的显示装置LCD1相同，因此省略重复的说明。
图23所示的变形例的显示装置LCD4为以下的情况：应用于将一组的4根布线在3层的布线层中拉绕的构造，来代替上述将一组的3根布线在2层的布线层中拉绕的构造。如图23所示，在一组的4根布线中，在第二层的布线层配置2根第二布线WL2，在第一层的布线层配置1根第一布线WL1，在第三层的布线层配置1根第三布线WL3。在该构造中也是，电阻值最低的布线层或者L/S最窄的布线层中的第二布线WL2的根数比其它布线层中的第一布线WL1、第三布线WL3的根数多，第二布线WL2的布线密度比第一布线WL1、第三布线WL3的布线密度高。
另外，第一布线WL1、第二布线WL2以及第三布线WL3中的材料、布线宽度、相离距离、厚度等如以下那样。关于第三布线WL3的材料，既可以是金属的单层也可以是金属的层叠膜，在此作为例子使用了铝(Al)。
关于布线的布线宽度，为第一布线WL1的布线宽度W1比第二布线WL2的布线宽度W2、第三布线WL3的布线宽度W3宽的构造。关于布线的相离距离，为第一布线WL1的相离距离S1比第二布线WL2的相离距离S2宽、比第三布线WL3的相离距离S3窄的构造。
关于布线的厚度，为第二布线WL2的厚度比第一布线WL1的厚度、第三布线WL3的厚度厚的构造。关于覆盖布线的绝缘膜，为绝缘膜IL2的厚度比绝缘膜IL1的厚度、绝缘膜IL3的厚度厚的构造。
在图23所示的变形例的显示装置LCD4中，除了上述不同点以外，与图6～图16所示的显示装置LCD1相同，因此省略重复的说明。
<一个实施方式的效果>
根据以上说明的本实施方式的显示装置LCD1(LCD3、LCD4)，能够提供如下的技术：在显示装置LCD1的边框部FL中，在抑制对显示装置LCD1的性能的影响的同时对多个布线WL高效地进行布局。更详细地说，如以下那样。
(1)第一信号线SW1包括被提供栅极信号和视频信号中一方的驱动信号的第二布线WL2和第一布线WL1。而且，在边框部FL中，第一信号线SW1以从形成于第二层的第二布线WL2经由形成于第一层的第一布线WL1的方式形成。这样，在变换区域CA内，对布线WL中的有助于边框部FL的窄小化的范围进行2层化来形成该布线WL，由此能够抑制将多个布线WL分配到2层的布线层来进行布局的情况下的电阻的增加和电容的增加。另外，在变换区域CA内改变2层化部分的构造，由此能够减小布线间的电阻和电容的差。
(2)使第一布线WL1与第二布线WL2在俯视下重叠。通过像这样使形成于第一层的第一布线WL1与形成于第二层的第二布线WL2重叠，能够有助于窄边框化。
(3)使第二布线WL2的材料的电阻率比第一布线WL1的材料的电阻率低。通过像这样使主要的第二布线WL2的电阻低，能够抑制对显示装置的性能的影响。
(4)使第一布线WL1的线宽比第二布线WL2的线宽宽。通过像这样使第一布线WL1的线宽宽，能够降低电阻高的第一布线WL1的布线电阻。
(5)使第二布线WL2的厚度比第一布线WL1的厚度厚。通过像这样使第一布线WL1的厚度相对薄、使第二布线WL2的厚度相对厚，能够降低第一布线WL1与第二布线WL2之间的短路风险。
(6)使第二布线WL2的布线密度比第一布线WL1的布线密度高。通过像这样使第一布线WL1的布线密度相对低、使第二布线WL2的布线密度相对高，能够将布线密度低的第一布线WL1制作得宽松，从而减少寄生电容。另外，第二布线WL2的布线密度高、第二布线WL2的根数相对多，因此能够周期性地确保ODF工艺中的密封材料固化用的开口部。
(7)在边框部FL中，设置使多个第一布线WL1、第二布线WL2交叉来变更第一布线WL1、第二布线WL2的排列顺序的交叉部。通过像这样设置交叉部，能够变更第一布线WL1、第二布线WL2的排列顺序来匹配布线的极性。另外，在布线间的寄生电容强的组中统一为相同极性，因此能够减小有效寄生电容。
(8)在俯视下的边框部FL中，在输入部IPC的端部与显示部DP的端部之间的Y方向上的区域形成变换部CR。通过像这样仅在有助于边框部FL的窄小化的范围形成变换部CR，能够抑制电阻的增加和电容的增加。
(9)在从输入部IPC的端部与显示部DP的端部之间的X方向上的一半的位置到该显示部DP的端部之间不形成变换部CR。或者，在从输入部IPC的端部与显示部DP的端部之间的X方向上的一半的位置到该显示部DP的中心的位置之间形成变换部CR。通过像这样在无助于边框部FL的窄小化的范围不形成变换部CR、仅在有助于窄小化的范围形成变换部CR，能够抑制电阻的增加和电容的增加。
(10)在变换区域CA内的各组的布线WL中，相邻的布线经由第一层的第一布线WL1，使相邻的布线在第一层的第一布线WL1内的经由长度实质上相同。通过像这样使各组的布线WL在第一布线WL1中的经由长度实质上相同，能够使变换区域CA内的各组的布线中的相邻的布线的电阻一致。
(11)多个布线WL具备经由第二布线WL2、不经由第一层的第一布线WL1的第二信号线SW2。通过具备这种信号线，能够选择同显示部DP与输入部IPC的距离相应的适当的信号线的种类，能够取得作为整体的布线电阻的平衡。
(12)以在形成有第一布线WL1、第二布线WL2的区域与形成有紫外线固化树脂的区域相重叠的重叠区域中形成间隙GP的方式形成第一布线WL1、第二布线WL2。通过像这样形成间隙GP，能够经由间隙GP向紫外线固化树脂照射紫外光。
(13)上述(1)～(12)中的效果不限于对多个布线进行2层化来布局的情况，在多层化为3层以上来布局的情况下也同样能够得到该效果。根据本实施方式，相对于以往的多层布线化，追加了局部多层化和层构造的变更这样的新手法，能够在不降低显示装置的性能的情况下实现窄边框化和ODF工艺的兼顾。
应该了解，如果是本领域技术人员，则能够在本发明的思想范畴内想到各种的变形例和修正例，这些变形例和修正例也属于本发明的范围。例如，关于本领域技术人员适当对上述各实施方式追加、删除结构要素或进行设计变更而得到的发明，或者追加、省略工序或进行条件变更而得到的发明，只要其具备本发明的要旨，就包含在本发明的范围中。
另外，关于能够通过本实施方式中叙述的方式而带来的其它作用效果，根据本说明书的记载可以明确的作用效果或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然被认为是本发明所带来的作用效果。

Claims (10)

1.一种晶体管基板，其特征在于，具备：
基板；
像素区域，其具有晶体管，形成有使图像显示的像素；
边缘区域，其位于所述基板的端部与所述像素区域之间；
多个引出布线，其被提供栅极信号和视频信号中一方的驱动信号；
绝缘膜，其覆盖所述引出布线；
驱动器，其设置于所述边缘区域，至少提供所述驱动信号；
多个第一布线，其形成于第一层；以及
多个第二布线，其形成于第二层，该第二层隔着所述绝缘膜位于与所述第一层不同的层，
多个所述引出布线包括第一引出布线、第二引出布线和第三引出布线，
所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线与所述驱动器连接，形成于所述边缘区域和所述像素区域，
在所述边缘区域，
所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线分别以从所述第二布线经由所述第一布线的方式形成，
在俯视下，所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线中的某一个引出布线所包含的所述第一布线与所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线中的另外两个引出布线所包含的各自的所述第二布线重叠，所述另外两个引出布线所包含的各自的所述第二布线与和所述某一个引出布线所包含的所述第一布线相邻配置的其他的所述第一布线不重叠。
2.根据权利要求1所述的晶体管基板，其特征在于，
所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线为一组3根的布线，从所述驱动器向所述一组3根的布线供给同一极性的电压。
3.根据权利要求1或2所述的晶体管基板，其特征在于，
所述第一布线的材料与所述第二布线的材料互不相同，
所述第二布线的材料的电阻率比所述第一布线的材料的电阻率低。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管基板，其特征在于，
所述第一布线的线宽比所述第二布线的线宽宽。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管基板，其特征在于，
所述第二布线的厚度比所述第一布线的厚度厚。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶体管基板，其特征在于，
所述第二层中的所述第二布线的布线密度比所述第一层中的所述第一布线的布线密度高。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管基板，其特征在于，
在所述边缘区域，具有使所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线交叉来变更所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线的排列顺序的交叉部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的晶体管基板，其特征在于，
在俯视下的所述边缘区域中，
所述驱动器相对于所述像素区域设置在第一方向上，
所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线分别通过对布线层进行变换的变换部而从所述第二布线经由所述第一布线，
所述变换部位于所述驱动器的端部与所述像素区域的端部之间的所述第一方向上的区域。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的晶体管基板，其特征在于，
在俯视下的所述边缘区域中，
所述驱动器相对于所述像素区域设置在第一方向上，
所述第一引出布线、第二引出布线、第三引出布线通过对布线层进行变换的变换部而从所述第二布线经由所述第一布线，
所述驱动器的端部与所述像素区域的端部之间的、从与所述第一方向交叉的第二方向上的一半的位置到该像素区域的端部之间不存在所述变换部。
10.一种显示装置，其特征在于，
具备权利要求1至9中的任一项所述的晶体管基板，
在所述边缘区域形成有紫外线固化树脂，
所述基板是透光性的，
以如下方式形成所述引出布线：在形成有所述引出布线的区域与形成有所述紫外线固化树脂的区域相重叠的重叠区域中，形成能够经由所述基板向所述紫外线固化树脂照射紫外光的间隙。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107783698B (zh) * 2015-04-01 2021-01-05 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板
CN104698711B (zh) * 2015-04-01 2018-06-01 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及电子设备
US10152159B2 (en) 2015-04-01 2018-12-11 Shanghai Tianma Micro-Electronics Display panel and method for forming an array substrate of a display panel
CN106782270A (zh) * 2017-01-09 2017-05-31 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
JP6982958B2 (ja) 2017-01-13 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106711160B (zh) * 2017-03-31 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
JP2018189723A (ja) 2017-04-28 2018-11-29 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US11037962B2 (en) * 2017-07-05 2021-06-15 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film transistor array substrate and display device
JP7028616B2 (ja) * 2017-11-22 2022-03-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108363254B (zh) * 2018-03-01 2021-03-02 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
WO2019187156A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス
JP6993507B2 (ja) 2018-06-20 2022-01-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7085915B2 (ja) * 2018-06-25 2022-06-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20200031738A (ko) * 2018-09-14 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102591793B1 (ko) * 2018-12-06 2023-10-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020217343A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 シャープ株式会社 表示装置
KR20210062772A (ko) 2019-11-21 2021-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210107200A (ko) * 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210126841A (ko) 2020-04-10 2021-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN112783377B (zh) * 2021-02-25 2023-02-28 惠州市华星光电技术有限公司 触控面板和触控装置
CN113219738B (zh) * 2021-04-20 2022-12-06 绵阳惠科光电科技有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20220153727A (ko) * 2021-05-11 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101419A (zh) * 2002-07-17 2008-01-09 株式会社日立显示器 液晶显示装置
WO2014112560A1 (ja) * 2013-01-21 2014-07-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、及び表示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3276557B2 (ja) * 1996-05-23 2002-04-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP3361278B2 (ja) * 1997-12-26 2003-01-07 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法
JP4488688B2 (ja) * 2002-03-27 2010-06-23 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置用配線基板及びその製造方法
JP4304134B2 (ja) * 2004-08-03 2009-07-29 シャープ株式会社 入力用配線フィルムおよびこれを備えた表示装置
JP5175433B2 (ja) * 2005-09-22 2013-04-03 京セラ株式会社 画像表示装置
JP2008003118A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2008118054A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Sharp Corp 駆動素子を実装した表示装置
KR101326594B1 (ko) 2006-12-15 2013-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101353493B1 (ko) * 2007-02-28 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치
FR2916476A1 (fr) 2007-05-22 2008-11-28 Peugeot Citroen Automobiles Sa Procede et dispositif de decongelation d'un additif de traitement des gaz d'echappement
WO2011061961A1 (ja) * 2009-11-18 2011-05-26 シャープ株式会社 配線基板及び表示装置
JP5443144B2 (ja) * 2009-12-09 2014-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP5384464B2 (ja) 2010-11-01 2014-01-08 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP5901007B2 (ja) 2011-09-12 2016-04-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2013246229A (ja) * 2012-05-24 2013-12-09 Kyocera Corp 液晶表示装置
WO2014024783A1 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 シャープ株式会社 表示装置
JP2014053702A (ja) 2012-09-06 2014-03-20 Canon Inc デジタルカメラ
WO2014132799A1 (ja) * 2013-02-26 2014-09-04 シャープ株式会社 表示装置
US9690149B2 (en) 2013-09-09 2017-06-27 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101419A (zh) * 2002-07-17 2008-01-09 株式会社日立显示器 液晶显示装置
WO2014112560A1 (ja) * 2013-01-21 2014-07-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、及び表示装置

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Publication number Publication date
US20200176488A1 (en) 2020-06-04
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US20180323222A1 (en) 2018-11-08
US9536910B2 (en) 2017-01-03
US20240153964A1 (en) 2024-05-09
US20160300863A1 (en) 2016-10-13
US20200388638A1 (en) 2020-12-10
US9935134B2 (en) 2018-04-03
US11600641B2 (en) 2023-03-07
US10297621B2 (en) 2019-05-21
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